TW400532B - Dual-walled exhaust tubing for vacuum pump - Google Patents

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TW400532B
TW400532B TW087106501A TW87106501A TW400532B TW 400532 B TW400532 B TW 400532B TW 087106501 A TW087106501 A TW 087106501A TW 87106501 A TW87106501 A TW 87106501A TW 400532 B TW400532 B TW 400532B
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TW087106501A
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Kevin R Verrier
James P Quill
Alec S Denholm
Original Assignee
Eaton Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31701Ion implantation

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Description

經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明說明(I ) 發明領域 本發明係大致有關離子植入機,並尤其是有關一種使 用於離子楦入機中真空泵的改良式排放管。 發明背景 離子植入機已成為積體電路之大量製造中,以不纯物 攙雜半導體時業界所喜好採兩的技術。典型的離子植人镙 包括有三個區部或子系統:(丨)終端部,含一產生所欲 求電流和硅量之離子射束的離子源區,(i i)標靶室, 其容納欲植入雞子射束的半導體晶圓,Μ及(i i i )射 束線組件,位在該終端部和該標靶室之間,其調制該離子 源所輸出的離子射束並將經調制的離子射束導向標靶晶圓 0 整個離子植入程序係在真空內發生,以確保均匀一致 的植入並防止粒子污染。為此目的,乃提供高度真空泵。 典型地,個別的高度真空泵係被提供用於離子源區、射束 媒组件、Μ及標靶室。在該標靶室之區域處,裝載鎖偽被 利用來將晶圓插入到及抽取自該標靶室,Κ避免該標靶室 之重覆加壓和減壓。 被利用來將其所連到的離子植入機之個別區域抽真空 的真空系統,必須將從這些區域所移出的空氣排放。所述 排放典型地係排放到離子植人機包封之外部的環境,Κ適 應安全和汚染之顧慮。 該终端部一定要是在高壓下搡作,以增進自雛子源之 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) I ----Γ I I 了裝! — 訂·! •線 1 'Ίν?'' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7 _ 五、發明說明(>) 離子抽取和朝向該標靶室之雞子加速。典型地,所述電壓 係在 8 0,0 0 0 到 1 〇 〇,〇 〇 〇 伏特(8 0 _ 1 0 0 仟伏(k V ))的範圍。然而,離子植入機的外部包封像 因安全之理由而被電氣接地。因此,已經由離子源真空泵 自該離子源區所抽離的空氣,必須自高電壓終端部被排放 ,經由電氣接地的包封,被排放到外部環境。 典型地,一排放管係連接該離子源真空泵,K便排放 自該離子源區所抽離的空氣。該排放管係自該離子源真空 泵延伸,通過高電壓终端部殼體,κ及通過接地的外部包 封到外部環境。該排放管之延伸在該高電壓终端部殺體和 該接地的外部包封間的部分,必須為由非導電的、絕緣材 料所建構成,Μ避免該高電壓終端部殼體和該接地的外部 包封之間作電接觸。 隨著難子植入機的畏期操作,離子源真空排放管的內 壁變得為離子源程序的殘留物和其他於離子源區在抽真空 期間已被油離之空氣中所含帶的物質所污染。這些污染物 之累積,尤其是碳水化合物,最終將減損所述非導電性管 的隔絕品質,其可能導致從該終端部到接電的漏電流,或 者更甚者,可能導致源自於該終端部和包封之間電弧作用 的高®率電子放電。為避免此種情況發生,該排放管必須 予Μ清洗或更換Μ回復糸統的完整性。因為済洗排放管很 耗時並且增加暴露於污染物的風險,所Κ排放管典型地係 予以更換。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Γ ---Τ — !-裝-------- 訂 --------線 <請先閲讀背面之注意事項wb?寫本頁) A7 B7 五、發明說明(i) 因此,本發明之一目的為提供一種供使用於離子植入 之改進的排放管,其易於維護以保有其電氣隔絕品質。 本發明之另一項目的為提供一種使用於離子植入機的 排放管組件,其因提供永久的、可再利用的外管和可便亘 更換並捨棄的内管之建構而在經濟上更為實用。該內管係 提供有機構來容置污染物,並且像為波狀髟態,κ便提供 一用為電漏流或放電的伸長路徑,因而相較於一非波狀形 態者可延展維修(更換)間隔之間的時間。 本發明之再一項目的為提供一種具有雙壁结構的排放 管組侔,其增進了其非導電性之完整性的維持,並且減少 了其中所收集的污染物。 本發明之又一項目的為提供一種具有雙壁式排放管組 件,其中波狀的內部污染物滯留管相較於一更加強固之永 久外管係相對為薄壁,該永久外管在萬一内管破裂時提供 有效之滯留。 本發明之概要 —種雙重壁式排放組件係被提供用於一離子植入系統 ,供連接處於不同電壓位準下的系統構件。所述雙重壁式 排放組件包括有:一内管,其具有一第一端被連到一第— 端部安装件的內安装用部位和一第二端被連到一第二端部 安裝浮的內安装用部位;和一外管,其具有一第一端.被連 到該第一端部安裝件的外安裝用部位和一第二端被連到該 第二端部安装件的外安装用部位。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) ----------------Μ--- <請先閲讀背面之注意事項再4{寫本頁) 訂· --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7__ 五、發明說明(+) 在本發明的一些實施洌中,該等內管和外管最好是由 聚四氟乙烯所製成。該管的內波狀表面亦可予提供以複數 涸表面,這些表面為朝該内管的軸線向下斜,κ避免污染 偬之堆積。藉由有效地增加漏電流從該管之高壓源端到接 地端所需行經的接地路徑長度,該波狀的表面亦減低了處 於不同電壓位準下糸統構伴之間電弧作用的風險。該外管 提供了一滯留機制,來留滯空氣中所帶有的物質,若內管 之完整性被可能由污染物累積在該内管内表面產生之電弧 作用破壞時,此空氣中所帶的物質可能會被釋出。該外管 亦用來維持其內所容置內管之對正和定位。適當的定位作 用和對正,對於確保污染物為從内管連鑲地排出,K及避 免内管之不必要運動和内管老化時之最终扭曲和劣化是重 要的。 糸組 出 剖 的 入管 示 側 件 植放 , 的 裝 子排 圖 管 安 離空 視 狀 部 此真 斷 波 端 , 式 剖内下 圖良 部 之 之 視改 局 件 件 面之 、組組 剖構 大 管 管 側建 故 放 放 的所 的 排 排 統理 分.,空 空 系原 部件真 真 入明 一組示 示 植發 之管所 所 子本;中放中 中及 明離據例 1 排 2 2以 說一依施圖空圖 圖 ., ¾為了實為真為 為圖 簡 1 納項 2 式 3 ; 4 視 之圖採 一 團良圖圖圖面 圖中的 改 視 剖 附統泮 該 面 側 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_ 五、發明說明(<) 圖5為圖2中所示真空排放管組ί牛之上端部安装件的 測 剖 面 視圖。 元 件 付 號說明 0 離 子 植 入 1 2 終 端 部 1 4 射 束 線 組 件 1 Q 標 靶 室 或 端 站 1 g 外 包 封 2 〇 高 Μ 外 殼 〇 氣 體 盒 〇 4 離 子 源 g 質 量 分 析 用 磁 鐵 2 8 排 放 管 組 件 〇 9 離 子 射 束 3 0 外 殼 3 2 電 漿 室 3 4 離 子 萃 取 組 伴 3 6 離 子 源 區 真 空 泵 3 8 射 束 導 件 4 0 四 極 透 鏡 4 电 極 4 4 真 空 管 4 6 射 束 線 區 真 空 泵 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明說明(c ) 4 8 標 靶 室 5 0 活 動 支 座 5 2 晶 圓 支 撐 件 5 4 軸 線 5 6 馬 達 5 8 線 性 驅 動 機 構 6 0 iSB 機 械 手 臂 g 2 真 空 埠 q 4 標 靶 室 真 空 泵 δ 6 卡 匣 6 8 隔 離 襯 套 7 0 隔 離 襯 套 7 2 隔 離 襯 套 7 4 隔 離 襯 套 8 2 圓 柱 形 管 8 4 内 部 波 狀 管 8 5 通 道 8 0 下 端 rf, 艾 装 件 8 7 軸 媒 8 8 上 端 安 裝 件 9 0 連 接 部 9 2 凸 緣 9 4 中 段 ^------^ - I ------^---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明說明(1) 9 6 下 端 ert 扠 9 8 上 端 段 9 9 波 部 1 〇 0 内 台 階 部 1 0 2 凸 起 1 0 g 内 台 階 部 1 〇 8 凸 起 (請先閱讀背面之注意事項Ϊ寫本頁) 110 内安裝甩部 112 外台階部 114 外台階部 116 0型環 118 周逢溝槽 1 2 0 0型環 12 2 周邊溝槽 12 4 螺絲 12 6 螺絲 12 8 螺紋孔 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 130 螺紋孔 較佳實施例之詳细說明 現參見圖式,圖1揭示一離子植人機(概K參考標號 1 0表示),其包括一终端部1 2、一射束線組件1 4、 K及一標靶室或端站1 6,所有這些元件係被容置在一電 氣接地的外包封1 8内。該終端部1 2包含一高壓外殻2 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明說明(万) 〇,其容置一氣體盒22、一離子源24、以及一質量分 析用磁鐵2 6。一依據本發明所建構的排放管組件2 8將 該高壓外殻2 0連到該外包封‘1 8,K下將作進一步描述 一離子射束2 9係發射自一離子源2 2依循一經由質 量分析用磁鐵而離開該终端部1 2之控制路徑,然後穿過 該射束線組合1 4而到該端站1 6,該離子射束係在該端 站被植入位於其中之半導體晶圓。沿著該受到控制的行進 路徑,該離子射束2 9係被整形、求算並加速到所欲求的 植入能量。 該離子源2 4包括一界定出電漿室3 2的外殼3 0和 —離子萃取組件34。可離子化的摻雜氣體(其不論是直 接從該氣體盒2 2獲得為壓縮氣體或是間接地藉由氣化固 態摻雜材料而獲得)係被射入該電漿室3 2。典型的源元 素為硼(B)、磷(P)、鎵(Ga)、銦(In)、銻 (S b ) 、K及砷(As)。除了硼之外,這些源元素中 的大多數為K固態形式提洪,綳典型地係自氣體盒22提 烘為圼氣態三氟化硼或二硼化物。 能畺係被加諸於所述可離子化的摻雜氣體,來在該電 漿室3 2内產生離子。一般而言係產生正離子,雖然本發 明亦可適用於由源區產生負離子的系統。正離子係由該離 子萃取組件34通過該電漿室32中一鏠口而萃取•其中 該離子萃取組件34包括複數個電極,被充Μ負電壓,此 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 IHJI — —.—-----裝------——訂 _!1·線 (請先閱讀背面之注意事項再'^寫本頁) A7 B7 五、發明說明(/) 負電壓的大小隨著相距該電漿室鏠口距離之增加而增加C 因此,該離子萃取組伴34係用來從電漿室3 2萃取正離 子的離子射束29,並加速所萃取的離子進到該質量分析 用磁鐵2 6。 該質量分析用磁鐵2 6係用來僅僅讓適當電荷對質量 比(charge-to-mass)的離子通過到該射束線組件1 4。 該質量分析用磁鐵2 6是必要的,因為該離子源24除了 產生適當電荷對質量比的離子外,亦產生較之所欲求者為 較大或較小的電荷對質量比離子。不適當的電荷對質量比 離子不適於供植入到一晶圓。該質量分析用磁鐵2 6包含 一由一鋁質射束導件3 8所界定之弧曲的射束路徑,而該 鋁質射束導件3 8之抽真空係由一離子源區真空泵3 6所 提供。沿著彍曲的射束路徑傳播之雜子射束2 9係受到由 該質量分析用磁鐵2 6所產生磁場之影響。 難開該質量分析用磁鐵26之後,該離子射束29係 由四極透鏡4 0所調焦,其在相互正交的平面上偏折所述 射束中的離子。射束中受該四極透鏡4 0偏折並調焦不足 的離子係離開離子射束並且永遠不會到達該端站1 6。仍 留在射束中的離子係被加速/減速電極4 2加速或減速至 一所欲求之最終植入能量,該留在射束中的離子係通過一 抽真空管44並朝向該端站1 6。該管44之抽真空係由 束線區之真空泵4 6所提供。 該端站1 6包括一標靶室48,其被安装到一活動支 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ;----:—:—裝— (請先閱讀背面之注意事項窝本頁) *SJ· --線· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 源 04 地 ο 極接絕 4 此 電 8 極接 2 電丨隔極 ,達 壓出電 {殼速封電電 力高 高輸速 8 外減包供速 電在 個可減 1 壓 / 統提減 供亦 兩係/封高速系間 \ 提 2 於器速包端加在之速。44 賴應加統终同係丨加的 3 極 有供澍系。如 8V 等目件電 係源係於作係 6k 該的组遝 作電源對搡其套 ο 與似取減 搡壓電相下,襯 04 類萃/-之 高壓極 V 位離 14 作子速13 ο 各高電 k 電隔 ί 管充離加 _ 1.中 一 速 ον ο ο 空係該於 統其第減 ο k 作 2 真 ο 對對 糸 , 。/10搡殼油7係相 入}:> 速達 ο 下外中套源 4 植出 k 加高 1 壓壓件襯電 3 子示 ο ,在的電高組離壓件 離未 ο 力係同的端線隔高組 1 ί 1 電位相同终束的二取 圖器到供電到相和射絕第萃 應 V 提之受在 } 使隔 子 珙 k 2 } 亦般地 。2 離 A7 B7 五、發明說明(卬) 座50,以容許標靶室可與離子射束相對齊。離子射束撞 擊到一個或多個支撐在一晶圓支撐件5 2上的半導體晶圓 ’晶圓支擋件5 2則被安裝成可藉馬達5 6而繞一軸線5 4轉動。一線性驅動機構5 8使得該晶圓支撐件5 2可在 該標祀室4 8中來回作分度(indexed)。 半導體晶圓係由一機械手臂60、經由一冥空埠62 而被插入該標靶室4 8。該標靶室4 8係被該標靶室真空 泵64抽真空至一大致等於該抽真空管44内壓力之低歷 。(真空泵36、46和64 —般亦熟知為〃粗選泵〃( roughing pump))。該機械手臂6 0使晶圓穿梭在一卡 匣6 6和該標靶室4 8之間。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 11-----Γ ! I' ---11---訂·!-----' I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明說明(“) 1 OOkV下操作。因此,該氣體盒22和該離子源24 相對於接地係在高達2 0 0 k V下搡作。隔離襯套7 2係 在該終端高壓外殼20 (100kV電位)和該氣體盒/ 離子源(2 0 0 k V電位)之間提供電氣隔絕°使離子萃 取組件3 4與該氣體盒/離子源成隔絕的隔離襯套7 4係 兩作類似之目的。 離子源區真空泵3 6係被連到該排放管组件2 8 ’此 排放管組件2 8經由終端高壓外殼2 0和接地的糸統包封 1 8二者而自該難子源區真空泵36延伸。排放管係未對 射束線區真空泵4 6和標靶室真空泵64顯示,因為雖然 本發明的排放管組件可使用於此種真空泵,但其在高壓環 境中有特別應用,諸如在離子源區真空泵所搡作的環境中 Ο 該排放管組件2 8係更加清楚地顯示在圖2中’其為 連接在接地的包封1 8和高壓外殼2 0之間。該排放管組 伴28包括一外部圓柱形管82包圍一內部波狀管84 ( 經由圖2中斷開部位顯示)。該内部波狀管8 4提供一通 道8 5,其沿著一軸線8 7沿伸於該排放管組件2 8的整 個長度。在較佳實施例中,該外部圓柱形管8 2和該内部 波狀管8 4係由聚四氟乙烯所製成(P T F E )或鐵氟隆 (e.i. DuPond de Nenioi*s Co.的註冊商標)所建構成。 此P T F E係為非導電性並在加熱狀況下可維持结構上的 完整性。亦可使用除了 P T F E K外的材料於管8 2、8 -1 4 - 本紙張尺度適用+國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) II--— — — — — — — ^ in--— It·!---—線 (請先閲讀背面之注意事項Ϊ寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明說明((>) 4之建構,只要其擁有類Μ的结構特性和電導特性。 該排放管組件2 8係分別被提供Κ下和上端安裝件8 6和8 8,其最好是由金靥製成,因為其不需要是為電絕 員。下端安裝件8 6將該排放管組件2 8 (藉由未圖示出 之額外的排放结構(例如管路))連到該離子源區真空泵 3 6,而上端安装件8 8將該排故管組件2 8 (同樣亦藉 由未圖示出之額外的排放结構)連到外界環境。該下端安 裝件86係被提供Μ—推拔的連接部90,而該上端安装 件8 8係被提供Κ一用於此連接部之凸緣9 2。 圖3、4和5分別詳细顯示出該内部波狀管84、該 下端安装件86Κ及該上端安裝件88。該內部波狀管8 4包含一波狀的中段94、一下端段96Κ及一上端段9 8。形成該内部波狀管8 4之波狀内表面的個別波部9 9 係朝向軸線8 7向下分節,Κ使得無突出部或凹部被形成 在內部表面,否則的話其將促使污染物之累積。此外,一 收集碗可於該排放管組伴2 8之下方予納入所述排放结構 ,Κ牧集從該通道8 5掉落的污染物。 由該波狀管之波狀內表面所提供的起伏亦用Κ增加漏 電流從該内部波狀管84的高壓(下)端漏到接地(上) 端所需行經接地路徑的長度。增加接地路徑長度是重要的 ,因為在實效上為行經整個接地路徑長度的漏電流典型地 偽先於該高壓外殼2 0和該接地包封1 8之間的電弧作用 ,而此電弧作用典型地將顒閉該離子植人系統1 〇。因此 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ----------袭------— I訂---------線' (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _B7__ 五、發明說明(G) ,該内部波狀管8 4係有效地減小了該外殼2 0和該包封 i 8之間電弧作用的風險。 該等下和上端安装件8 6和8 8係被提供K台階部, 在此台階部上則安裝了該内部波狀管8 4和該外部圓柱形 管8 2,K完成該真空排放管組件2 8。如圖所示,參見 圖2 — 5,該内部波狀管84的下端段96係滑套於該下 端安裝件86的内台階部1 00。該內台階部1 〇〇係被 提供K —周邊的凸起1 02,其有肋於該内部波狀管84 和該下端安装件8 6之間的密合匹配。K此方式,該内部 波狀管8 4和該下端安装件8 6之間係作出一無鎖合件的 連接。因為該內部波狀管84所製成的PTFE材料係被 建構成在加热時傾向於收縮,所K該内部波狀管84和該 下端安装件8 6之間所獲致的匹配係於該離子植入系統1 0之操作期間獲得改菩。 同樣的,該內部波狀管8 4的上端段9 8係滑套於該 上端安裝件86的內台階部1 06。此内台階部1 06係 被提供以一周邊的凸起1 0 8,其有助於該内部波狀管8 -4和該上端安裝件8 8之間的密合匹配。K此方式,該内 部波狀管8 4係製成為可自兩端安裝件上拆除。 該外部圓柱形管8 2係包圍整個的内部波狀管84 ’ 並且具有端部為分別滑套在該等下和上端安装件8 6和8 8的外台階部1 1 2和1 1 4上。〇形環1 1 6係位在該 外台階部1 1 2的周进溝槽1 1 8中,以維持該外部圓柱 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袭--— II訂·!-線'! 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明說明(冲) 形管8 2和該下端安裝件8 6之間的氣密密封。同樣的’ 0形環1 20係位在該外台階部1 I4的周邊溝槽1 22 中,K維持該外部圓柱形管8 2和該上端安装件8 8之間 的氣密密封。螺綠1 24和1 2 6係將IS外部ϋ柱形管8 2的位置分別緊固在下和上端安装件8 6和8 8的外台階 部。螺紋孔1 2 8和1 3 〇係被分別提供用於螺絲1 2 4 和 1 2 6 〇 雖然本發明所揭示的實施例包含下和上端安裝件8 6 和8 8,但是本發明之實施可Μ是利用分離的端安裝件或 不使用分離的端安装件。一内管為一外管所包圍之雙壁结 構可在毋需使用端安装件下予保有|例如藉由對內管和外 管提供機構來被直接地附结到彼此。一種這樣的機構為按 扣配合形式,其中内管和外管之一者的一部分係匹配入内 管和外管之另一者的一部分,而毋需利用到另外的鎖合件 。或者是,在不使用到分離的端安装件的一項實施例中, 可利用鎖合件來直接將内管和外管鎖合在一起。因此之故 ,此處所使用的〃端安裝件〃一詞,將意指連到一包括内 管和外管8 2和8 4之組件的任一端之襪構。 該外部圓柱形管8 2保護並支撐該内部波狀管8 4的 形狀和長度,Μ及對排放管組件2 8提供強韌性,這是無 法僅藉由利用内部波狀管所獲致的。在較佳實施例中,外 部圓柱形管具有較之内部波狀管者為厚的壁面。此外,藉 由包圍内管,外管係提供一容置機構來在萬一較薄的内管 -1 7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I--ΙΓΙΙ--( — 1^ ^ is--It· — — —-----^ ffv (請先閱讀背面之注項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _______ B7_ 五、發明說明(V〇 破裂時包含有毒的流出物,所述破裂可能是由於因容置锪 堆積在内管之内壁上所造成的電子放電结果。〇形環1 1 6和1 2 0係輔助支承了此容置機構。 該離子植入系統1 0長期搡作之後,該内部波狀管8 4將變得為由該離子源區真空泵3 6所排出的污染物所污 染。該排放管組件2 8,藉由提供該內部波狀管8 4為該 外部圓柱形管8 2所包圔的雙壁式结構,係容許該排放管 組件為經濟型架構,K維持其非導電性之完整性。尤其是 ,蝥個排放管組件2 8係首先自其介於該高壓外殼2 0和 該接地包封18之間的位置被除出。該外部圓柱形管82 藉由旋鬆設定螺絲124和126而自端安裝件86和8 8除出。該内部波狀管84係藉由從這些端安装件僅僅強 迫式拆離該管而自該等端安装件8 6和8 8被除出。新的 替換內部波狀管84然後可予K安裝到該等端安装件。該 外部圓柱形管8 2然後可予K重行附结到該等端安裝件, 並且整個重行整好的排放管组件2 8可予K重行安裝到該 離子植入糸統1 0。 因此,一種供使用於離子植入機之改良式真空泵排放 管組伴|K及一種供經濟地重行建構該排放管组件Μ維持 其非導電性之完整性的方法已經描述。然而,鑑於上述說 明,可理解到,該說明僅舉例為之,本發明並非侷限於在 此所描逑的特定實施例,Μ及可在不偏離開本發明由所随 附權項暨其等同設計之範圍下就上述描述作出代換設計。 -18· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^ I--;---.!-裝1!--—訂------線 (請先閲讀背面之注—項ί寫本頁)

Claims (1)

  1. 六、申請專利範圍 1 、一種雙重壁排放組件(2 8 ),包括有: —第一端安裝件(8 6 ); 一第二端安装件(88); —内管(84),具有一第~端(96)被連到該第 一端安裝件的内安裝用部(1〇〇)和具有一第二端(9 8 )被連到該第二端安装件的内安裝甩部(1 〇 6 ); —外管(82),包圍該內管(84)並具有一第一 端被連到該第一端安装件的外安裝用部(1 1 2 )和具有 一第二端被連到該第二端安装件的外安裝用部(1 1 4 ) 0 2、 如申請專利範圍第1項所述雙重壁排放組件(2 8),其中該内管(84)有一内部波狀表面延伸過其長 度的一大部分,此内部波狀表面有複數個表面(94)其 朝向該内管之軸線(87)向下分節。 3、 如申請專利範圍第2項所述雙重壁排放組件(2 8),其中該等內管和外管(84、82)之各者係由非 導電性材料所構成。 4、 如申請專利範圍第3項所述雙重壁排放組件(2 8),其中該等内管和外管(84、82)之各者係由聚 四氟乙烯所建構成。 5、 如申請專利範圍第3項所述雙重壁排放組件(2 8 ),其中該内部波狀管(8 4 )係藉由一無鎖合件的連 接機構(1 0 2、1 0 8 )而連到該等第一和第二端安装 本紙張又度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ϋ ^^1 11 H. 11 n n n n ϋ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    六、申請專利範圍 1 、一種雙重壁排放組件(2 8 ),包括有: —第一端安裝件(8 6 ); 一第二端安装件(88); —内管(84),具有一第~端(96)被連到該第 一端安裝件的内安裝用部(1〇〇)和具有一第二端(9 8 )被連到該第二端安装件的内安裝甩部(1 〇 6 ); —外管(82),包圍該內管(84)並具有一第一 端被連到該第一端安装件的外安裝用部(1 1 2 )和具有 一第二端被連到該第二端安装件的外安裝用部(1 1 4 ) 0 2、 如申請專利範圍第1項所述雙重壁排放組件(2 8),其中該内管(84)有一内部波狀表面延伸過其長 度的一大部分,此内部波狀表面有複數個表面(94)其 朝向該内管之軸線(87)向下分節。 3、 如申請專利範圍第2項所述雙重壁排放組件(2 8),其中該等內管和外管(84、82)之各者係由非 導電性材料所構成。 4、 如申請專利範圍第3項所述雙重壁排放組件(2 8),其中該等内管和外管(84、82)之各者係由聚 四氟乙烯所建構成。 5、 如申請專利範圍第3項所述雙重壁排放組件(2 8 ),其中該内部波狀管(8 4 )係藉由一無鎖合件的連 接機構(1 0 2、1 0 8 )而連到該等第一和第二端安装 本紙張又度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ϋ ^^1 11 H. 11 n n n n ϋ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 件。 6、 如申請專利範圍第3項所述雙重壁排放組件(2 8 ),進而包括一第一密封用元件(116)被設置在該 外管的第一端和該第一端安装件(8 6 )的外安装用部( 112)之間,和一第二密封用元件(120)被設置在 該夕ή管的第二端和該第二端安装件(8 8 )的外安装用部 (1 1 4 )之間。 7、 ~種包括真空排放管裝置之組件,此真空排放管 装置包含~內排放管(84)為一外排放管(82)所包 圍,該等內和外放管被固定地聯结到彼此,所述組件具有 第一和第二端可附结到通氣结構(8 6、8 8 ) 〇 8、 如申請專利範圍第7項所述組件,其中該内管( 84)有一内部波狀表面達其長度的一大部分,該内部波 狀表面有複數涸表面(94)其係朝向該内管之軸線(8 7 )向下分節。 9、 如申請專利範圔第8項所述組件,其中該等内管 和外管(84、82)之各者係由非導電性材料所構成。 1 〇、如申請專利範圍第9項所述組件,其中該等内 管和外管(84、82)之各者係由聚四氟乙烯所建構成 0 1 1、一種離子植入系統(1 0 ),包括: 一終端部(1 2 ),包含一高壓外殼(2 0 ),此高 壓外殺至少局部地容置了: (i) 一離子源(24)來產 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) --—---!---Γ--.裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項|^填寫本頁) · , 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ) ο 的件 .14 安二管該被 {其} ί 由 ί 4 ) 2 地姐 ί8 内第外到端 統過 4 統係 統 16 ( 接管;f 的該 | 連二 系伸 9 系者 糸 (3 殼 氣放 } 管件到 _ 被第 入延 ί 入各 入 件 ί 外 電排 6 内装連 V 端一。植面面 植之 植 引泵 壓 該此 8 一安被 i 一有丨子表表 子} 子 導空 高 於,{}端}{第具 4 離狀個 離 2 離 束真 該 連間件 .118 及一和 1 逑波數。述 8 述 射一 圍 ,之裝i 第 9K有} 1 所部複節所、 所 1} 包 }}安丨 該 具 2{項内有分項 4 項 )i , 80 端 ί 到端 }並1 部 1 一面下 28 2 i ) 221 ; 連二 6}1 用 1 有表向 1ί 1 1 i 8 {{第 } 被第 04ί 裝第}狀> 第管 第 ((ί 1 件殼一 8} 一 18 部安圔 4 波 7 圍外 圍 、 及空 { 組外 }86 有 用外範 8 部 8 範和 範 }κ真封 管壓 i {9 具部管裝的利 {内{ 利管。利 9 、抽包 放高 {件丨和用內安伴專管此線專内成專 2 束件的 排該:裝端丨装該外装請内,軸請等構請 ί 射引地 性和有安 一 ο 安圍的安申該分之申該建申 束子導接 電} 括端第 ο 内包件端如中部管如中所如 射離束氣 導 8 包二 一 1 的,装二、其大內、其烯 、 子該射電及非 1} 第有 ί 件^^安第 2 , 一該 3 , 乙4 離送該 一 κ 1 ¢8 一 具部装 2 端該 1}的向 1}氟 1 一輸將 ; 封 2}, 用安 81 到 ο 度朝 ο 四 生來來 } .包 ί i } 裝端 { 第連 1 長其 1 聚 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Μ说格(210X297公釐) —-,—J-------一裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 40Q5S2 as C8 — ___ D8 _ 六、申請專利範圍 i Ο ) ’其中該内部波狀管(8 4 )係藉由一無鎖合泮的 連接璣構(102、108)而連到該等第一和第二端安 裝件。 1 5、如申諝專利範圍第i 2項所述離子植入系統( 10),進而包括一第一密封用元件(116)被設置在 該外管的第一端和該第—端安装件(8 6 )的外安装用部 (112)之間,和一第二密封用元件(120)被設置 在該外管的第二端和該第二端安裝件(8 8 )的外安裝用 部(1 1 4 )之間。 1 6、一種重建一雙重壁排放管組件(2 8 )的方法 ’此排故管組件包括:(ί)—可棄式内管(84),具 有一第一端(96)被達到一第一端安装件(86)的内 安装用部(100)和一第二端(98)被連到一第二端 安裝件(88)的内安裝用部(106);和(11)一 外管(82),具有一第一端被連到該第一端安装件的外 安装用部(1 12)和一第二端被連到該第二端安裝件的 外安装用部(1 1 4 ),所逑方法包括的步驟為: 自該等第一和第二端安裝件(86、88)的外安裝 用部(112、114)分離該外管(82); 自該等第一和第二端安装件(86、88)的内安装 用部(100、106)分離該可棄式内管(84); 將該可棄式内管(8 4 )以一替代的内管來代換,並 連接該替代的内管到該等第一和第二端安装件(8 6、8 -4 - ___"*** 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) ---------1-ί:裝------訂------# (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 4G0532 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 8)的内安装用部(100、106);以及 重行連接該外管到該等第一和第二端安装件(8 6、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 8 )的外安装用部(1 1 2、1 1 4 )。 1 7、如申請專利範圍第1 6項所述重建一雙重壁排 放管組件的方法,其中該替代的内管(8 4 )有一内部波 狀表面延伸過其長度的一大部分,此內部波狀表面有複數 個表面(94)其朝向該内管之軸線(87)向下分節。 1 8、如申請專利範圔第1 7項所述重建一雙重壁排 放管組件的方法,其中該替代的内管(8 4 )係由聚四氟 乙烯所建構成。 1 9、如串請專利範圍第1 7項所述重建一雙重壁排 放管組件的方法,其中該替代的内部波狀管(8 4 )係藉 由一無鎖合件的連接機構(1 0 2、1 0 8 )而連到該等 第一和第二端安裝件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20、如申請專利範園第1 7項所述重建一雙重壁排放 管組件的方法,進而包括的步驟為由該外管及該等第一和第 二端安装件(86、88)所形成的密封連接,其為Μ下述 方式達成:(i)装設一第一密封用元件(116)在該外 管的第一端和該第一端安裝件(86)的外安裝用部(1 1 2 )之間;和(i i )裝設一第二密封用元件(1 2 0 )在 該外管的第二端和該第二端安裝件(8 8 )的外安装用部( 1 1 4 )之間。 _ 5 - 本紙張尺度適用申國國家棣準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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