TW399338B - Method of making an organic thin film transistor and article made by the method - Google Patents
Method of making an organic thin film transistor and article made by the method Download PDFInfo
- Publication number
- TW399338B TW399338B TW087117899A TW87117899A TW399338B TW 399338 B TW399338 B TW 399338B TW 087117899 A TW087117899 A TW 087117899A TW 87117899 A TW87117899 A TW 87117899A TW 399338 B TW399338 B TW 399338B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor device
- phthalocyanine
- film transistor
- patent application
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 abstract description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract description 2
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 50
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 241000206607 Porphyra umbilicalis Species 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- BGAJNPLDJJBRHK-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[5-(3-chloro-4-propan-2-yloxyphenyl)-1,3,4-thiadiazol-2-yl]-3-methyl-6,7-dihydro-4h-pyrazolo[4,3-c]pyridin-5-yl]propanoic acid Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(C)C)=CC=C1C1=NN=C(N2C(=C3CN(CCC(O)=O)CCC3=N2)C)S1 BGAJNPLDJJBRHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091023037 Aptamer Proteins 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N N-{[3-(2-benzamido-4-methyl-1,3-thiazol-5-yl)-pyrazol-5-yl]carbonyl}-G-dR-G-dD-dD-dD-NH2 Chemical compound S1C(C=2NN=C(C=2)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CCCN=C(N)N)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(N)=O)=C(C)N=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1 OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229940126086 compound 21 Drugs 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N f16cupc Chemical compound [Cu+2].[N-]1C(N=C2C3=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C3C(N=C3C4=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C4C(=N4)[N-]3)=N2)=C(C(F)=C(F)C(F)=C2F)C2=C1N=C1C2=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C2C4=N1 FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 235000011389 fruit/vegetable juice Nutrition 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical class C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Description
五、發明說明（1) 連續申請案資料 =發明係為1996年8月23日申請之美國序號〇8/7〇2,〇73 之邛分連續申請案，該案以提及之方式併入本 . 發明範疇 本發明有關一種含有有機材料活性層之薄膜電晶體 (TFTs)，及一種製造該電晶體之方法。 曰日 發明背景 包二力於研究半導體材料’ “於各式各樣之裝置 i絕Λ二極體 光學裝置、及薄膜電晶體諸如金 Λ半額效電晶體(Mis~FETs)中作為活性層。 +導禮材.料提供加工方面之優點’諸如與可撓性塑料 ^材之相容性及以旋轉塗佈法施用之簡易性，因此 罝 =用，裝置製造方法中之吸引力。然而，此等材料 用於缚臈電晶體裝置中時，形成之裝置需具有適合特 途之開閉比（源極/汲極電流）。雖然某些應用適合使 閉比低達1 00之裝置，但一般薄膜電晶體需具有至少汗 之開閉比。有機半導體材料左右該開閉比之性質係為^ 子遷移率及電導係數。有機半導體材料之載流子遷移率二 般超過約ί(Γ8厘米2/伏特秒’但低於1厘米2/伏特秒。结 果，根據載流子遷移率、材料電導係數及癸基開閉比Ό間 關係，該有機半導體材料之必要電導係數係由材料之載漭 子遷移率及所需之開閉比定義。 /;11·
Brown，A.R.，等人於合成材料，第68冊，第65_7〇頁 ( 1 994)申之“摻雜非晶形有機半導體中電導係數與場效遷
1^· D:\Y87\55579.ptd 五、發明說明（2) 移率間之共同關係”中描述一種摻雜非晶形有機半導體。 Brown等人記錄一種介於該材料電導係數與場效遷移率間 之線性關係，即，當該電導係數增加時，該場效遷移率亦 然。雖_然B r 〇 w η等人記錄具有極高遷移率之材料，但該高 遷移率係犧牲電導係數而達到。Bro wn等人之結論為預期 由非晶形有機半導體製造之裝置中無法具有高開閉比及高 遷移率。是故，欲自此等材料製造令人滿意之裝置，此等 材料之場效遷移率及電導係數需介於使裝置之開閉比至少 105之範圍内。 發明總結 本發明有關-一種半導體裝置，其含有經取代之有機半導 體材料。此等有機半導體材料係為經取代之酞菁（本發明 簡稱為P C)與銅、鋅、錫、鐵或氳之配位化合物。此等配 位化合物形成有序薄膜，與非晶形經摻雜献菁比較之下， 於較低電導係數了具有較高場效遷移率。該配位化合物之 至少一六員環上具有至少一氯或氟取代基。較佳情況係為 該六員環完全被氟原子或氯原子或取代。本發明具體實例 (其中該六員環係完全被取代）係使用以下結構說明：
D:\Y87\55579.ptd 第6頁 五、發明說明（3)
其中X係為金屬原子諸如銅、鋅、或鐵，而R係為氯或氟。 本發明亦有關一種製造具有有機薄膜材料之薄膜裝置的方 法。 於一具體實例中，本發明有關一種半導體薄膜電晶體裝 置，其中該活性層係為一有機半導體材料，其場效遷移率 高於10_3厘米2/伏特-秒，而電導係數介於約1(T9S/厘米至 約1 0_7S /厘米之間。於本發明之一具體實例中，該裝置係 為具有有機半導體活性層之金屬-絕緣體-半導¢-場效電 晶體型薄膜電蟲體。該裝置一般具有三個隔開之接點（例 如導電性金屬諸如金），其中至少兩點係與該半導體層物 理性接觸。該第三個接點係用以控制通過介於該第一個及
D:\Y87\55579.ptd 第7頁 五、發明說明（4) 第二個接點間之半導體層的電流。 、本發明薄膜電晶體裝置係於習用基材材料諸如玻璃、矽 或塑料上形成。於該基材上形成介電材料層。其中一接點 ，物理性連接於該基材，而其他兩接點與該基材之 者介電材料層。 1 於本發明另一具體實例中，該裝置係為發光二極體 LED)，其中該電子輸送層係為經取代有機 月另-具體實例中，該裝置係為太陽能電池該太 刼此电池具有由兩材料層所組成之p〜n接面。該^層係太 發明電子輸送性經取代有機半導體材料。 ' 於本發明方-法中，該酞菁配位化合物層係於經加熱之 Ϊ 2成。於經加熱之基材上形成歌菁配位化合物時，可 '液〃置性能。詳言之’當該基材温度係介於約3〇至 2 1 5#C範圍内時，當於該基材上形成酞菁層時，與其、 酞菁層係於未加熱基材上形成之類似裝置比較之下，所^ ，=裝置亨遷移率較高。可得到較佳遷移率之溫度範圍‘ 根據該酞青配位化合物中之金屬配位而定。例如，若二 屬配位係為銅，則於約30。。至約215。。範圍内發現較佳遷& 移率。右該金屬配位係為鋅，則於基材溫度約丨2 5 t：至約 2 1 5 C時發現較佳遷移率。若該金屬配位係為鐵’則係於 基材溫度約100。(：至約2 15下發現較佳遷移率。 、 本發明經取代酞菁配位化合物係為n_通道材料（即電 被^通經此等材料）。因此，此等材料係使用於需要^ 通i材料之裝置中。該裝置包括互補金屬-絕緣體-半導體
D:\Y87\55579. ptd 第8頁 五、發明說明（5) 場效電晶體及雙極裝置（其於相同基材上兼具有η-通道及 Ρ-通道）。另一種例示裝置係為η-通道金屬-絕緣體-半導 體場效電晶體。本發明η -通道材料亦可使用於發光二極體 (LED)及太陽能電池。 圖式簡單說明 圖1本發明薄膜電晶體裝置之斷面侧視圖。 圖2說明Cu -Pc膜之場效遷移率與用以形成該膜之基材溫 度間的Μ係。 圖3係於不同之閘極電壓下說明薄膜裝置之汲極-源極電 流與汲極-源極電壓間之關係該裝置具有經氟 '取代之銅酞 菁半導體膜。… 詳細說明 本發明有關一種半導體裝置（其中該活性層係為經取代 之酞菁配位化合物）及一種製造該裝置之方法。本發明裝 置裝有用以於該活性層上施加電流之接點。該經取代之酞 菁配位化合物具有四個六員環，其中至少一環係經強拉電 子基諸如氯或氟所取代。較佳情況係為該配位化合物中所 有四個六員環皆完全經拉電子基所取代。本發明之具體實 例（其中所有六員環皆完全經取代）係使用以下結構說明：
D:\Y87\55579.ptd 第9頁
該配位離子通常係以字母x表示。較佳情況係該配位離子 係為銅、鋅、或鐵。 一 ：士發明之-具體實例中，該裝置係為n_通道薄膜電晶 、 本發明裝置於2 0 C下具有咼於1 〇3之開閉比。為 了 f到所需開閉比之裝置，較佳情況係該酞菁之場效遷移 率局〇 3厘米2/伏特-秒’而電導係數係約丨〇_9s/厘米至 約10 S /厘米。圖1說明本發明金屬—絕緣體_半導體場效電 晶體型裝置之一實例。電晶體2 〇係為基材11，於其上層形 成介電材料1 3層及金屬接點1 5。兩個其他接與1 7及1 9係於 該介電層13上形成。酞菁配位化合物21層係於接點17及19 上及之間形成。熟習此技藝者已知本發明本發明'電晶體可
D:\Y8T\555T9. ptd 第10頁 五、發明說明（7) ' ---------Γ 於各種不同結構下形成，此處不予詳述。 製玻璃、或塑料所 習用材料諸如一u材枓諸如金所製造。介電材料係為 成，此處不予；；知之^技術而於該基材上形 例如，於經Π-摻雜之秒基材上形成金屬—絕 場效電晶體型薄膜電晶體，其通道 、體+ V體 度250微米。於該基材上形成300 0埃厚度之·^，而間極長 該二氧化梦層係作為閘極介電材料，而一氣化砍層。 米2。於該閑極介電層上形成兩個隔 ：約10 nF/厘 極介電層及位於其上層之接點 於談間 於經加熱之基材上形成駄菁膜。= =合物膜。 約2i5°c範園内。如前文所述，可使形成之Vw約30°至 遷移率之基材溫度係根據該献菁配位化合物中置H較佳 而定。例如，當該金屬配位係為 =金屬配位 ㈣至約215。〇之整體溫度範圍内彳n ^遷移率係於約 係為鐵時，較佳遷移率係於約丨〇 〇它至 W k成屬配位 範圍内得到。 1 b c之整體溫度 該酞菁膜係使用習用技術基材真空沉 成。較佳情況係為該酿菁膜厚度係約3Q毫微^材上形 微米。所形成之薄膜電晶體之開閉比於2〇以約_毫 於本發明另-具體實例中，該裝置係為發：馬於1〇。 UED) ’其中該電子輪送層係為經取代之有-極體 第11頁 D:\Y87\55579.ptd 五、發明說明（8) Ϊ材適之—實例係為玻璃基材或透明塑料 上形成電洞輸送層。適當之=化：錫電極。於該陽極 菁 '芳族二胺、聚乙烯；；電層ί料實例包括銅酿 當厚度係約30毫微米至約本乙烯。此等薄層之適 形成發射劑層。可適當;Ιϋ微Λ。於該電洞輸送層上 發光二極體所需之次序選擇用’而係根據 微米或更薄。於該發射劑層上；；二η:1? 成陰極。陰極厚度至少約40毫圍微米。=子上 材料包括例如-鋁及飼。 w k< 另一具體實例中，個別發射 例中，電洞輪送層岑兩丰拎$ a &仔隹万、此寻具體實 電洞輸送性材料亦換雜發射劑材料，或該 於本發明另一具體實例中，該 具有"接面’係由兩材料層所組成'2_。層該 Si i之：：輸送性經取代有機半導體材料。適當之曰太 上層；成習用d為或—透明塑料基材，其 取代駄菁ηΐ道半導體材料。於該卜通。= P-通迢半導體材料。適 體層上开/成 属樸啉、適田 +導體材料實例包括金 洛。、η-通ί居^ naCrld〇ne)顏料、聚乙炔、及聚吼 ^ η 層及p_通道層皆具有約1〇毫微米至約 厚度。於該卜通道層上形成習用金屬（例如金、銀、銘、
D:\Y87\55579. ptd 第12頁 五、發明說明（9) 及銦）電極。 實施例1 自供應商處得到含有鉑（Pt)、銅（Cu)、鋅（Zn)、錄 (Ni)、鐵（Fe)、錫（Sn)、及氫（H2)之酞菁配位化合物。為 簡便計’該酞菁配位化合物通稱為X-pc，其中X係為配位 離子之通j集（例如Pt，Fe，I等）。此等材料係藉著於低於 約8 X 1 0 4托耳之壓力及約38〇 之溫度下昇華而純化。該 昇華方法共進行三次。 使用前述駄菁配 材上形成酞菁配位 描述於前文之-裝置 材11之結構，其上 點17及19。第三個 基材上沉積每一 基材溫度對於該敢 每一種駄菁配位化 125 °C 及20G °C 之基 耳壓力下於蒸發槽 菁置於鶴舟皿上。 亦置於位在銅塊上 塊溫度，而藉以控 材料，而該酞菁膜 如前文般製備之 示於下表I中。基才 位化合物作為活性層 化合物21層，以形成 2 0。於此實施例中， 層形成閛極介電層1 3 接點1 5係直接形成於 種薄膜之期間皆控制 菁層之遷移率及電導 合物之個別薄膜皆於 材上形成。每一薄膜 中使用真空沉積法形 該舟皿係放置於習用 之蒸發器中。使用溫 制基材溫度。該舟m 係於每秒約4埃至約5 各種薄膜之場效考移 f於薄膜形成斯間之$ 而形成裝置。於基 圖2所示而大體上 基材一辭意指石夕基 ’上層再形成兩接 該矽基材上。 基材溫度，以決.定 係數的影響。前述 加熱至3 0 °C、 皆係於2 X 1(Γ6托 成。將約5 0毫克酞 蒸發器中。該基材 度控制器以控制銅 加熱至約3 8 0。(：之 埃之速率下形成。 率及電導係數係列 I度對於該膜之場
五、發明說明（10) 效遷移率及電 導係數3» w ^ I之影響亦記錄於表I中
表I 材料 30°C 基射溫度 125〇C 20Q°C Cu-Pc 电導係數(s/厘米） 開/蘭fcf*. 6.0 X Hr* 1.8x10^ 3.7 xlO4 2 X 10·2 4x10^ 4 xlO5 6.7 χ ΙΟ'3 3.1 x ICr^ 1.7 xlO5 Zn-Pc 遷 電導係數(S/厘米） ga/Mbk、 2.3 X 10“ 1.4 X ΙΟ'6 12 2.4 X 10·3 1.1 X 10'8 2.2 X 104 2.8 χ l〇·3 1 χ ΙΟ'7 2 χ 103 H,-Pc 遷 電導係數(S/厘米） 電導係數(S/厘米） 開/閉比 Sn-Pc 1.3 X 1〇-3 6.4 X ΙΟ'7 160 2.6 X 10'3 2.2 X ΙΟ'9 8.1 X104 5.6 χ l〇'7 2.1 x l〇-? 26 7.3 X 10-5 1.9 X 10·7 36 3.4 xlO'3 2.4 X 10·* 1.6 xlO4 無法測量 4.8 χ ΙΟ"8 無法測量 re-rc 遷移率(厘米2/伏" 電導係數(S/厘米） 開/閉比 3.6 X ΙΟ'5 5.1 X 10·9 570 6.9 x1ο*4 6.8 χ ΙΟ'7 110 1.1 χ 10'5 1 χ ΙΟ'7 100 rt-rc 遷移率(厘米 電導係數(S/厘米) 開V間比 1.5x10^ 2.2 X ΙΟ'7 120 1.5x Ur* 2.7 χ ΙΟ'7 80 9 χ 10'5 4.7 χ 10·9 2.6 χ 10^ Ni-Pc 遷移率(厘米2/伏特.秒） 電導係數(S/厘米） 開/閉比 7 X 10·6 3.9 X 10·9 120. 3 x IQ'5 6.2 x l〇'8 110 5Λχ10·5 6.4 χ ΙΟ'9 110 表I所記錄之場效遷移率係使用下式計算： IDs = (WCi/2L) β (VG-V0)2 其令W係為通道寬度（250微米），l係為通道長度（12微 来），而Ci係為閘極介電質之每單位面積電容（1〇 ηρ/
D:\Y87\55579. ptd 第14頁 五、發明說明（11) 厘米）。使用上式計算場致 壓（V係由該汲極—源極電崎遷移率#時，該裝置之臨限電 核裝置自測量值外插回1 於飽和區中之平方根與 定。位於飽和區之I ，係鼓，閘極電壓（)間的關係决 於特定VG下之汲極—“電f觀察，-源極電壓(^)與 之IDS係為IDS不再隨著汲極的關心決定。位於飽和區、 分。位於飽和區中之Us隨？：玉電壓之增加而增加之部 為習用方法，m熟習此知此種測定V。之方法係 記錄之場效遷移率係為V均值。針對表㈠ 二ί個溫度皆使用兩基心形成裝置::之每 於共，、個基材-上形成具有“〜 珉裝置。例如， 各兩個。每個基材上皆 、、置，所記錄之溫度 該開閉比係為當vG等於if二二二，裝置。 之汲極電流（i D!)相對於當—v t愛=極电昼（V D )時飽和流動 W且Vd⑽伏特為2厂5安時，及當 比係為.8 X 1 〇6。 : 10文時，該裝置之開閉 雖然本發明人不欲受限於〜 能與該酞菁膜之形態有關，=疋理袖，但相信該裝置之性 顯示大部分薄膜之次序隨^用斤以歹該膜X~射線繞射分析 增加而增加（即該膜變成較低 ^成該膜之基材的溫度之 (2 0 0 )晶格平面所得之卜射線銬:生）。該膜之次序係由該 一尖峰之追蹤圖表示高度有序^膜’。追蹤圖而決定。具有單 用以形成薄膜之基材溫度 、發現該尖峰之強度隨欲 邛阿而増高。
五、發明說明（12) -- 結果，該膜之次序顯然與材料之場效遷移率有關。如表 I之。數據&所示，大部分薄膜之場效遷移率皆隨基材溫度自 30 C升南至125°C而增加《如前文所示，該膜次序亦隨著 基材於薄膜形成期間之溫度的升高而增高。然而，表I亦 顯示％效遷移率隨該基材於沉積期間，溫度自1 2 5。匚升高至 20 0 °C而降低。此種效應可由薄膜不連續性於較高溫度下 增加及此等不連續性對於場效遷移率之負面影響來說明。 基材於膜开；j成期間之溫度及C u — p c膜之場效遷移率間的 關係係說明於圖2中。圖2證明該Cu-Pc膜之場效遷移率隨 著該基材溫度自約30 °C升高至約140它而大幅增加。基材 溫度高於140艺時，相反地，該場效遷移率隨著溫度之增 加而降低。 .本發明經取代酞菁係為n_型半導體（即輸送電子之材 料）。該材料於空氣中亦具安定性。於本發明中，於空氣 中具有文定性意指該半導體材料之電子輸送性於含有空氣 之氛圍中不因時間而降低。 實施例2 以下化合物係購自歐瑞化學公司（Aldrich Chemicai
Company) :F16CuPc ;F16ZnPc ;F16CoPc ;及CluFefc。經氰 基取代之銅酞菁（（CN)8CuPc)係根據whorle，D.等人，
Makromoi. Chem. ’ 第181 冊’第2127 頁（ 1 98 0 )所描述之方 ^合/成。四-2, 3 -哦畊紫菜畊銅（PyCuPc)(吡畊衍化之銅酞 青）係根據Sch let t we in, D·等人於電化學協會期刊，第 136冊’第28 82頁（ 1 989 )所描述之方法製備。此等材料隨
D:\Y87\55579. ptd 第16頁 10
10 五、發明說明（13) 之於低於約8 X 托耳之壓力下及約380Λ：之 兩次而純化。四_2, 3-吡畊紫菜哄銅之結構係為又Γ汁甲
使用前述酿-菁配位化合物作為活性層而形成裝置。每種 前述酞菁配位化合物21層皆施加於個別經n_摻雜之石夕2材 上，以形成圖2所示而大體上描述於前文之裝置。於此 實施例中，基材.一辭意指矽基材結構.，其上層形成閘極介 電層1 3，而該介電層上形成兩接點丨7及丨9。第三個接點係 直接形成於該矽基材上。該介電層係為3 〇(]亳微米严，’、而’、 2位容(Ci)係為Bn"厘米2。該接點：為金 米及1 5^Γ米。、置的通道長度係為2 5微米、1 2微米、4微 酞菁ΐ ί : Ϊ間控制基材溫度’以決定基材溫度對於該 献菁配位化^及電導係數的影響。冑述每—種經取代之 215之Α 物之個別薄膜皆於加熱至30 t、1 25。(：及 於蒸發槽土中使上用形吉成。每-薄膜皆係於2 x 10-6托耳壓力下 用真空沉積法形成。將約5 0毫克酞菁置於鶴
第17頁 五、發明說明（14) 舟i上。該舟m係放置於習用蒸發 在銅塊上之蒸發器中。使用.”㈣I ^基材亦置於位 而藉以控制基材溫度。該：：=以控制銅塊溫度， ^ ^ 丹皿加熱至約3 8 0 r夕鉍极 τ 該酞菁膜係於每耖約0.4毫徽米 4，而 成。 j υ. 〇耄被未之速率下形 此等裝置之電性質係於真*下、' 丨旦 用惠普（HP) 4145Β分析器得；^ ^罜電除非另有陳述、。使 酞菁配位化合物之場效遷移率$ & ^ 。經取代之 之方法計算。針對此等裝ϊί 例1所描述 表2中。 f罝。十真之％效遷移率係列示於下 " 表11 材料 以下基材溫度下遷移率(厘米2/伏特秒） -125〇C 21Β°Γ. FlsCuPc 5 χ l〇-J 3 χ 1〇'2 2 χ ΙΟ'2 1.2x10-3 4.3 χ 10'5 13χ ΙΟ'3 Α合物解吸 溫度 .化合物無法昇華. 一化合4¾無法昇華_ F1KZnPc 1.7 χ10_5 4.6Χ10·4 F1KCoPc 1.3xl〇—6 4.5 χ ΙΟ'5 — FJePc 5.5 χ ΙΟ·4 5.Sxl〇-3 Cl16FePc 無場效 發琛遷移率 2.7 χ ΙΟ'5 (CN)8CuPc 化合物無法昇華 化合物無法昇 PyCuPc 化合物無法昇華 化合物無法昇 ^冗積溫度自㈣升高至125。0時，該裝置之遷移率大 ί U罢然而，當沉積溫度增加至高於約150 °c時，發現 某置之遷移率降低。雖申請人不欲受限於特定理論， 旦甲明人相信於高溫下所形成之經取代酞菁膜呈適於 輸运電子之形態。然而，基材溫度與形成之裝置的遷移率
間之關係與經取代酞菁配位化合物中之金屬配位稍 係。例如，當該金屬配位係為銅時，於約3〇 t至約2 之整體溫度範圍内發現較佳遷移率。然而，當該金 C 係為鐵時，於約1 〇 〇。(3至約2丨5 之整體溫度範圍内 = 佳遷移率。而當該金屬配位係為辞時，於約丨2 5它至約 21 5 C之整體溫度範圍内發現較佳遷移率。 於表2所記錄之測量場效遷移率中，氟化酞菁所測得之 遷移率最高。而經氰基取代之酞菁及吡哄衍化銅材料於i 昇華至基材上之前即已分解。 '/、 發現經i素取代之酞菁於空氣中具有安定性。具 素取代之酞菁-半導體的裝置之電子遷移率及開閉比，即使 於該裝置儲存於開放空氣中歷經六個月以上，實質上仍不 改變。然而，於30。〇下使用經氯取代之酞菁材料所形成之 裝置的場效遷移率無法測定，而該經氯取代之酞菁材料於 2 1 5 C下解吸（即不形成該膜）。因此，顯然經氟取代之酞 菁材料可於較經氯取代之酞菁材料寬幅條件下沉積。 ，3係為於1 25。(：溫度下將F16Cupc半導體沉積於該基材上 所得之裝置的電流-電壓曲線。該汲極—源極電流（微安）係 於不同閘極電壓下以汲極a源極電壓之函數記錄。所測量 之裝置的通逭長度係為12微米。該膜沉積之形式係如同n_ 通道電晶體。當施加於該裝置之閘極電壓增高時，發現注 射於半導體膜中之電子增加（由汲極—源極電流隨著汲極一 源極電，之增高而增加顯示）。根據圖3所記錄之數據，該 裝置之場效遷移率使用實施例丨所描述之方法計算係為
D:\Y87\55579. ptd 第19頁
D:\Y87\55579.ptd 第20頁
Claims (1)
- .... .： 六、申讀專利範圍 1. 一種半導體裝置，其包括： 一基材，其具有位於其上層之經取代酞菁配位化合物 層及用以使電流適經該經取代酞菁配位化合物層之接點， 其中該酞菁配位化合物層具有以下結構：其中X係選自銅、鐵、及鋅，而R係為拉電子性取代基， 而其中至少一個六員環係具有至少一 R取代基。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中R係選自氟 及氯。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該半導體 裝置係為薄膜電晶體，而其中該經取代酞菁配位化合物於 2 0 °C下係具有高於約1(Γ3厘米2/伏特-秒之場效遷移率，及 介於約1 0—9S/厘米至約1 (T7S /厘米之電導係數，其中該薄膜 電晶體之源極-汲極電流的開閉比至少約1 〇3。 4. 如申請專利範圍第3項之薄膜電晶體，其中該經取代 酞菁配位化合物層係具有約3 0毫微米至約1 0 0毫徽米之厚D:\Y87\55579.ptd 第21頁 六、申請專利範圍 度。 5. 如申請專利範圍第4項之薄膜電晶體，其中該經取代 駄菁配位化合物層係為有序層。 6. 如申請專利範圍第5項之薄膜電晶體，其中該薄膜電 晶體係為金屬-絕緣體-半導體場效電晶體。 7. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中該六員環 係完全經拉電子基所取代。 8. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中該半導體 裝置係為發光二極體。 9. 如申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中該半導體 裝置係為太陽-能電池。D:\Y87\55579.ptd 第22頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US97664997A | 1997-11-24 | 1997-11-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW399338B true TW399338B (en) | 2000-07-21 |
Family
ID=25524327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW087117899A TW399338B (en) | 1997-11-24 | 1998-10-28 | Method of making an organic thin film transistor and article made by the method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0921579A3 (zh) |
| JP (1) | JPH11251601A (zh) |
| KR (1) | KR100336283B1 (zh) |
| TW (1) | TW399338B (zh) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3823312B2 (ja) | 2001-10-18 | 2006-09-20 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
| US7193237B2 (en) | 2002-03-27 | 2007-03-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic semiconductor material and organic electronic device |
| CN1282260C (zh) * | 2003-01-30 | 2006-10-25 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法 |
| JP4892973B2 (ja) | 2003-02-18 | 2012-03-07 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法 |
| WO2004087836A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of producing the same |
| KR100965178B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2010-06-24 | 삼성전자주식회사 | 유기반도체 패턴의 형성 방법과 이를 이용한 유기 박막트랜지스터의 제조 방법 |
| CA2540369A1 (en) | 2003-10-02 | 2005-04-07 | Nicolas Drolet | 2,7-carbazolenevinylene derivatives as novel materials in producing organic based electronic devices |
| JP4736318B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2011-07-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層体の製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法 |
| EP1811573A4 (en) * | 2004-11-11 | 2010-03-24 | Mitsubishi Chem Corp | Field effect transistor |
| US7521710B2 (en) | 2006-02-16 | 2009-04-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic thin film transistor |
| JP5405719B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2014-02-05 | 富士フイルム株式会社 | フタロシアニン化合物、並びにそれを用いた半導体及び電子素子 |
| US20080009092A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Basf Aktiengesellschaft | Use of chlorinated copper phthalocyanines as air-stable n-channel organic semiconductors |
| EP2073290A4 (en) | 2006-10-12 | 2011-06-15 | Idemitsu Kosan Co | THIN-FILM ORGANIC TRANSISTOR DEVICE AND LIGHT-EMITTING ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR |
| US8022401B2 (en) | 2006-11-14 | 2011-09-20 | Idemitsu Kosan, Co., Ltd. | Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor |
| JPWO2008059817A1 (ja) | 2006-11-14 | 2010-03-04 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
| US8203139B2 (en) | 2006-11-24 | 2012-06-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor using an organic semiconductor layer having an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group in the center thereof |
| JP5308162B2 (ja) | 2006-11-24 | 2013-10-09 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
| US8207525B2 (en) | 2006-12-04 | 2012-06-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor |
| US8330147B2 (en) * | 2006-12-04 | 2012-12-11 | Idemitsu Kosan, Co., Ltd. | Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor having organic semiconductor compound with divalent aromatic hydrocarbon group and divalent aromatic heterocyclic group |
| JP5214467B2 (ja) | 2006-12-26 | 2013-06-19 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 印刷版用樹脂組成物 |
| US8658290B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-02-25 | Basf Se | Use of halogenated phthalocyanines |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL107467C (zh) * | 1957-11-13 | |||
| DE2455675C2 (de) * | 1973-11-27 | 1985-08-29 | Ciba-Geigy Ag, Basel | Verfahren zur Erhöhung der Flockulations- und Kristallisationsbeständigkeit des α- und β-Kupferphthalocyanins |
| JPH08199161A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
-
1998
- 1998-10-28 TW TW087117899A patent/TW399338B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-23 KR KR19980050224A patent/KR100336283B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-24 JP JP33315298A patent/JPH11251601A/ja active Pending
- 1998-11-24 EP EP98309580A patent/EP0921579A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100336283B1 (ko) | 2002-09-18 |
| EP0921579A2 (en) | 1999-06-09 |
| EP0921579A3 (en) | 1999-12-15 |
| KR19990045501A (ko) | 1999-06-25 |
| JPH11251601A (ja) | 1999-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW399338B (en) | Method of making an organic thin film transistor and article made by the method | |
| Wang et al. | Recent developments in p‐Type oxide semiconductor materials and devices | |
| Harada et al. | Organic homojunction diodes with a high built-in potential: Interpretation of the current-voltage characteristics by a generalized Einstein relation | |
| Gundlach et al. | Pentacene TFT with improved linear region characteristics using chemically modified source and drain electrodes | |
| Peng et al. | All‐organic thin‐film transistors made of alpha‐sexithienyl semiconducting and various polymeric insulating layers | |
| Minari et al. | Fabrication and characterization of single-grain organic field-effect transistor of pentacene | |
| TWI244760B (en) | Method of creating a high performance organic semiconductor device | |
| JPH1093104A (ja) | 薄膜トランジスタおよびデバイスの製造方法 | |
| Takenobu et al. | Effect of metal electrodes on rubrene single-crystal transistors | |
| Daraktchiev et al. | Ultrathin organic transistors on oxide surfaces | |
| Willander et al. | Polymer based devices their function and characterization | |
| Hiroshiba et al. | C60 field effect transistor with electrodes modified by La@ C82 | |
| Bolat et al. | Demonstration of flexible thin film transistors with GaN channels | |
| Di et al. | Efficient modification of Cu electrode with nanometer-sized copper tetracyanoquinodimethane for high performance organic field-effect transistors | |
| Choi et al. | Can an organic phosphorescent dye act as a charge transporter? | |
| Narasimhan et al. | Junction devices based on sulfonated polyaniline | |
| Bisri et al. | Ambipolar field-effect transistor of high photoluminescent material tetraphenylpyrene (TPPy) single crystal | |
| Clarisse et al. | The operation and characteristics of diphthalocyanine field effect transistors | |
| KR20170015645A (ko) | 트랜지스터 및 트랜지스터 제조방법 | |
| Seo et al. | Fabrication and characterization of air-stable, ambipolar heterojunction-based organic light-emitting field-effect transistors | |
| EP1667495A2 (en) | Organic semiconductor device and method for manufacturing same | |
| Opitz et al. | Bipolar transport in organic field-effect transistors: organic semiconductor blends versus contact modification | |
| Noda et al. | Current enhancement with contact-area-limited doping for bottom-gate, bottom-contact organic thin-film transistors | |
| Minagawa et al. | Organic field-effect transistor with V2O5 thin film between organic and insulator layers | |
| Takahashi et al. | Output properties of C60 field-effect transistors with different source/drain electrodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |