TW398085B - Opto-electronic semiconductor-element and method for its production - Google Patents

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TW398085B
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Herbert Brunner
Heinz Haas
Cunther Waitl
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Siemens Ag
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Description

A7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明係關於一種光電半導體組件,包-含:具有近似 平面之晶片載體面的晶片載體,有一光電半導體晶片以 預先對準其光軸之方式固定在晶片載體上;配置於此晶 片載體且支撐此晶片載體之基座,基座係由塑膠材料製 成,其中半導體晶片至少與兩個穿過基座之電極接頭相 連接,有一延伸於基座上之透鏡配置於該半導體晶片。 ' 此外,本發明亦涉及製造此種光__電半等體組件之方法。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 目前之光電半導體組件,特別是對光學特性要求較高 者,基本上是製造在金屬-玻璃-外殻中。此處使用特別 由金鼷製成之底板作為晶片載體,底板安裝於金靥蓋, 金屬蓋內則含有可裝入之玻璃透鏡。藉由金鼷外殼之此 種安裝,一方面可保證此外殻可密封,另一方面可彌整 此光電半導體組件之性能Μ便在髙於大約150¾之固定 高溫時仍可使用。在此種安裝方式中,半導體晶片之老 化是微小的,這是由於所使用之外殻由金鼷構成,基本 上不會因直接受周圍材料之影響而對半導體晶片產生負 載。最後,由於裝在金鼷蓋子中之玻璃透鏡,可有利地 形成此半導體組件之光學特性。較複雜之製法所需之隨 之而來的高額成本是目前所製造之光電半導體組件的主 要缺點。此處需要高製造費用之金鼷蓋子(含有可裝入 其中之玻璃透鏡)特別需要包含在内。此外,安裝在金 鼷-玻璃-外殻中之半導體組件由於相對高估之調整容許 度及製造容許度會產生問題,使此種光電半導體組件通 常具有較不利之斜角,即,該組件依製造條件而定之光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明( A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發知,饗之之對方之半 ,非 和 由持使處蓋軸合整 之已言影低成示造高電 用以 件 之支,地當光重有 窄種而之較構'表製太光。使上 組 α成一接:互得之乎具 狹此度利求子這之生之質供本 體決構有連交使鏡幾之 在在許不要蓋,利産造性以成 導解自具之可需透少上 件。容最質和成有會製學件在 半以獨子上件造使至*.-組用設有品板製常徑式光組可 電得成蓋械撐構,軸基 體使預角學底別非路方之體時 光而形該機支之位光在 導來之斜光由各上作種足導高 之法鏡中作和件定的置 半件窄之對中可本工此不半很 項方透其件件撐相片放 種條狹到而其此成之使有電求 1 的之,撐持支互晶和 這依較得成,因在造,具光需 第件上份支支和動體座 此能就所製知,種製角只種之 圍組座部之該件自導基 因只此對段所注一注斜中一上 範體基一座,持會半之 ,中因隙階人澆是澆之用計角 利導於之基時支們之體 異用中間多為中言*)高應設斜。專半伸子與上該它上載 差應件整許已徑而 很之為和造請電延蓋而座且,體片 之的組調分體路殼ΪΙ1及殊的度製申光,的式基,時載晶 間性體之種極序外{以特目許式藉造明成形在態上 Η 撐 軸特導大一二程®-由度在之容方僳製發製據放狀座晶支 械收半較.,光-Τ藉許件明整之的之本料依子之基在 , 機接電時外1發在-但容組發調利目項據材便蓋合在置Jit-與及光裝此膠殼屬。整體本在有此15依膠以當接放配因 軸射之安 塑外金式調導 其常 第 塑件得於子和 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(2 ) 體構成乏透鏡的蓋子係製成分隔成兩部份之各Μ噴射鑲 造法製成之塑膠組件,則與先前已知之組件比較時,此 光電半導體組件在成本上非常有利,且甚至在成本上大 約可Μ因數10之較有利方式來製造而不會在半導體組件 之光學特性上造成損害。此兩個分別製成之組件可幾乎 沒有間隙地自動互故接合,使本發明之半導體組件只具 有最低之調整容許度及最小之斜角。本發明之光電半導 體組件因此非常適用於很狹窄之發射或接收特性。此外 ,整合在蓋子中由塑膠製成之透鏡的製造方式和玻璃透 鏡比較時可得到非常準確之透鏡造形,因此這種透鏡具 有較佳之光學持性。藉適當之蓋子及基座構造,則將蓋 子放置在基座上時可使它們自動互相定位或正對中心。 在本發明之其它形式中,蓋子和基座具有基本上為圓 柱對稱之横切面,其對稱軸互相成同心而延伸且與透鏡 和半導體晶片之光軸重合。此種設計之優點為:蓋子之 支持件和基座之支撐件之構造可適應依形狀而定之連接 。在本發明之具體構造中,支持件和支撐件之構造可設 計成在接合蓋子和基座時它們可自動互相定位,Μ確保 蓋子和基座之穩定的至少幾乎無間隙之對稱位置。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 為了支撐蓋子和基座之機械性對準,可將基座之支撐 件在其外周設計成具有再貯存面>乂環肩及支撐此蓋子之 支持件。 因此可依下述方式設計:蓋子和基座在軸向中可解開 之依形式而定的機械式連接中所配置之支持件和支撐件 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 五、發明説明(3 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 構支且 式有座 護透置上材 入 。了 射外改 希形鏡 來之件 方設基 保M配片膠 射色除反此 Μ 所之透 部計組 述部和, 了片罩晶塑 高顔..個。體 件化帶 凹設二。下出?為晶 Η 體之 提之擇一性射 組變環 槽而此成依突蓋 只體晶導料 便黑選成特反 據可之 導準於構可此將 或導或半材Μ較來形學的 依 Μ 化 和對置所,,動 性半罩於色 料成式需光片 可下體 部相配部況部自 特:鏡伸濾 材染方圍之晶 鏡式積 出互替凹吠出便 學計透延學 種會述周件體 透方種 突向交和定突 Μ 光設,中光 一是下之組導 之之一 之方上部固之口 它式住其有 有別依片此半 成利如 成圍向出之性凹 其方蓋,含 含特可晶定於 形有例 形周徑突座彈之 之述來間是 座光形體決置 體本有 替在在之基有置 件下罩之別 基射造導式配 整成具 交座外成和設設 組依片子特 之散的半方個。内及可 而基另形子件所。此可晶蓋之 成,座在之一性子易此 件和藉而蓋持中中成刖之及光 製量基,利置特蓋簡因 組子係鄰定支件置形,式座透 膠收之外有設射之在子 二蓋件相確之'#位了片形基可 塑吸成定較可輻成性蓋 此了撐向動子支裝為晶鏡在 Μ 。由之製固 Μ 內之製特此 繞為支方自蓋之安,體透£)罩造,光所子可座件.膠學。 環或和圍了 :座在外導或3¾鏡製外射膠蓋且基組塑光成 藉,件周為計基定此半罩纟透來·此散塑將,在此由之構 可成持在 設在固 此鏡 Μ 之料 的由可體,進 望式 I❹裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(5 ) (F r e s n e 1 1 e n s ),因此其優點為可實規一種光電組件, 其具有特別小之结構髙度及角度很狹小之輻射或接收特 性。 總之,依據本發明之配置能Μ多變化且精確之方式形 成該組件之透鏡。. 在本發明之特別有利之實施形式中,基座之材料由耐 高溫,耐焊接之塑膠料構成,晶片載體和焊接點或電 極接頭Μ此種塑膠材料噴鍍。此種塑膠材料可Μ是一種 耐熱塑膠,例如液晶聚合'物(Liquid Crystal Polymers, L C P ),聚酞醯胺(Ρ ο 1 y p h t a 1 a m ί d , P P A ),或聚硯 (Polysulfon)及類似材料。此外,熱硬化性塑膠材料亦 可作為基座之塑膠材料,此種熱硬化性塑膠材料相對於 耐熱塑膠通常在成本上較有利,且多少可適用於高溫之 使用情況中。 整體包含此組件之透鏡的蓋子所使用之材料例如可Μ 是一種聚合碳酸鹽材料,此種材料在光學上是透明的, 因此可完全透光,或可被染色Μ過濾固定波長之光線, 或設有固定之吸收性材料。 在半導體晶片上延伸之透鏡罩或透鏡形式之晶片罩最 好含有樹脂或矽。 依據本發明Μ製造光電組件之方法Μ有利之方式包含 下列步驟: -藉噴射鐮造法製造圍繞此晶片載體及至少兩個電極 接頭且將其支撐之基座, -7 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) r--- --- i訂-- 線 I------,---- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 _B7_ 五、發明説明(6 ) --藉連结方式將光電半導體組件固定在晶片載體之幾 乎是平面的晶片載體面上, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -將光電半導體晶片與至少兩個穿過基座之電極接頭 相接觸, -將獨自構成之由塑膠材料製成之蓋子(其包含此延 伸於基座上之透鏡)放置在基座上,使蓋子和基座自動 /互相定位,因此使透鏡之光軸和配置在晶片載體上之半 導體晶片的光軸至少幾乎相重合,Μ及 -持縯將蓋子固定在基座上。 因此可Μ下述方式設計:此獨自構成之由塑膠材料製 成的蓋子可藉噴射鐮造法製成分離之組件。基座之製造 最好是藉許多前後配置在晶片載體帶(band)中之晶片載 體之噴射鐮造過程來進行。在基座製造完成、半導體晶 片Μ連结方式固定在晶片載體面Μ及使半導體晶片與電 極接頭相接觸等過程之後,可將光電半導體組件由晶片 載體帶分離。受噴鍍之載體帶可無止境地製造及處理, 此即所謂捲軸技術(Reel-to-reel technique)。Μ此種 方式整體而言可將具有很小光電參數容許度的組件在成 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 之"圖基 下 '面中 W: 切件 由下件組 式如組體 圖明體導 據說導半 :依單半電 性簡電光 用之光之 實式的例 及圖例施 。點。施實 裝優白實一 。 安,明之另圖 成徵可明明面 完特即發發切 下它述本本的 況其描據據體 情之之依依載 的明中圖圖片 利發例 12Α晶 有本施第第及 本實 座 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(7 ) 第2B圖顯示在第2A圖之光電半導體組件的俯視圖。-第3A圖依據本發明另一實施例之光電半導體組件中(¾ 有積體式透鏡之蓋子的切面圖。 第3B圖依據本發明另一實施例之基座的切面圖。 第3C圖顯示在第3B圖之基座的俯視圖。 第4圃依據本發明製造光電半導體組件之晶片載體帶 的圖解。 ~ 這些圖顯示光電半導體組件1 ,其上包含:一個具有 近似平面之晶片載體面2的昂片載體3,有一光電半導 體晶H4 Μ預先對準其光軸5之方式固定在晶片載體3 上;配置於此晶片載體3且將其支撐住之基座 6 ,基座 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6由塑膠材料製成。光電半導體晶片4與兩個穿過基座 6之電極接頭7和8導電性地相連接,其中在第1圖中 有一接觸線9將半導體晶Η4與電極接頭7相連接,與 另一電極接頭8之電性連接則藉半導體晶片4之導電性 下側與晶片載體面2之連結而完成,晶片載體面2則Κ 單件方式由另一電極接頭8所構成。為了形成半専體晶 片4之光學圖像而設計之透鏡10構成獨自形成且最好由 聚合碳酸鹽製成之蓋子11的一部份,蓋子11放置在基座 6上,使瘗鏡10之光軸12和安裝在晶片載體3上之半導 體晶片4的光軸5相重合β此處蓋子11具有支持件13Μ 便與基座6之支撐件14依據形式(form)作機械性之連接 ,使得當蓋子11放在基座6上面時,支持件13和支撐件 14可交替地互相接合。蓋子11和基座6具有基本上為圓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 柱對稱之横切面,其圓柱對-稱軸彼此為同心而延伸,且 各與透鏡10和半導體晶片4之光軸5和12相重合。在第 1圖所示之實施形式中,支持件13之内徑至少幾乎等於 支撐件14之外徑,使支持件13和支撐件14可適應依形式 (form)而定之連接。為了確定將蓋子11支撐在基座6上 ,基座6之支撐件14在其外周上具有一個環繞且支撐此 蓋'子11之支持件13的再貯存面15。藉此種形式,則在接 合蓋子11和基座6時它們會自動互相定位,因此可保證 蓋,子11和基座6有一穩定之幾乎無間隙的對稱位置,使 本發明之光電組件1具有最小之調整容許度及光學斜角 ,因此特別適用於很狹窄之幅射特性或接收特性中。 半導體晶片4利用由樹脂或矽組成之保護罩或透鏡罩 16蓋透鏡罩16固定在基座6和蓋子11之間。 形成在基座6中之反射體K參考符號17表示,此反射 體係配置於半導體晶片4且可共同決定輻射特性或接收 特性。 在本發明顯示於第1圖中之實施例中,可藉黏合或焊 接而將放置在基座6上之蓋子11持續地保持锩固。與此 相對地,第3A圖至第3C圖顯示本發明之光電組件的另一 實施例,其中在蓋子11放置於基座6之上Μ後,可藉咬 、合式的密封自動確定一種持鑛不變之可靠的固定狀況。 蓋子11之支持件13設有彈性之突出部18,此突出部18與 設在基座6之支撐件14中之凹口 19共同作用以自動將蓋 子11和基座6定位在安裝位置上。— -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ---............I I— -I - ----- ........ —L ^I—!· I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明(9 ) -此外,在第3A圖至第3C圖之實施例中,很明顯地在蓋 子11和基座6之共同接合過程中有些步驟可促進此種精 確之自動定位。例如蓋子11和基座6在軸向中可解開之 依形式而定的機械式連接中所配置的支持件13和支撐件 14可藉環繞此二組件(或在周圍方向中相鄰且交替形成) 之突出部20和凹口 21來構成。 ' 以下將依據較佳實施例詳细說明本發明製造光電半導 體組件1之方法。此種製造方法由第4圖所示之晶片載 體帶22開始,晶片載體帶22可無止境地製造及處理(捲 軸技術,Reel-t〇-rell technique)。首先在製造光滑 且整潔的表面之鐮造步驟中製成晶片載體面2 ,半導體 晶片4應固定在此晶片載體面2上。隨後對晶片載體3 之區域和電極接頭7和8進行一種電鍍處理程序,其中 例如首先沈積鎳,隨後沈積銀。然後在下一製程中,Μ 耐熱塑膠材料噴鍍晶片載體3和電極接頭7和8來製造 基座6 。此處引進耐熱塑膠材料Κ遊免在噴射鋪造形式 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 中之壓力下形成凹穴及雜質,噴射鐮造形式具有此基座 所希望之預定造形。然後,此半導體晶片4藉連結(特 別是黏合)方式而固定在晶片載體面2上。連结線亦可 和電極接頭連接而和半導體晶片4相接觸。在此製造步 驟之後,為了保護或形成透鏡總是可在無止境之晶片載 體帶22上藉適當之可透光塑膠材料或具有滤色材料之塑 膠材料的噴射鋪造法來製造一個延伸於半導體晶片4之 上的透鏡顰16。具有已形成之基座6和已安裝之晶片罩 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 五、發明説明() 16的各晶片載體3由晶片載體帶22分離之後,單獨構成 且由聚合碳酸鹽製成之具有積體化透鏡10的蓋子11放置 在基座6上,使得蓋子11和基座6可自動互相定位而使 光軸5和12相重合。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟·部中央標準局員工消費合作社印製 -12- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 D8 六、申請專利範圍 第851 11462號「光電半導體組件及其製造方法」專利案(85年11月修正) 1. 一種光電半導體組件(1),包括:晶片載體(3),其具 有幾乎是平面之晶片載體面(2),光電半導體晶片(4) K預先對準其光軸(5)之方式固定在晶片載體(3)上; 配置於晶片載體(3)且將其支撐之基座(6),此基座(6) 是由塑膠材料製成,其中半専體晶片(4)至少與兩個 穿過基座(6)之電極接頭(7, 8)導電性地相連,延伸於 基座(6)之上的透鏡(10)配置於半導體晶片(4),其特 徵為: 延伸於基座(6)之上的透鏡(10)形成獨自構成且由塑 膠材料製成之蓋子(11)的一部份,其中蓋子(11)具有 支持件U3)M便依據形式(form)而與基座(6)之支撐 件(14)作機械性連接,使得當蓋子(U)放在基座(6) 上時,支持件(13)和支撐件(14)可互相交替地接合, 且支持件(13)在支撐件(14)之構造需使得當蓋子(11) 放在基座(6)上時,它們可自動互相定位而使透鏡(10) 之光軸(12)和配置在晶片載體(3)上之半導體晶Η (4) 的光軸至少幾乎相重合。 2. 如申請專利範圍第1項之光電半導體組件(1),其中 蓋子(11)和基座(6)具有基本上為圓柱對稱之横切面 ,其對稱軸互為同心而延伸且各與透鏡(10)和半導體 晶Η (4)之光軸(5 , 12)相重合。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), 其中蓋子(11)之支持件(13)和基座(6)之支撐件(14) 適用於依形式(form)而定之連接或依此方式而構成。 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標华(CNS ) Λ4规格(210X297公疫) -------1 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁). 訂 線 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 D8 六、申請專利範圍 第851 11462號「光電半導體組件及其製造方法」專利案(85年11月修正) 1. 一種光電半導體組件(1),包括:晶片載體(3),其具 有幾乎是平面之晶片載體面(2),光電半導體晶片(4) K預先對準其光軸(5)之方式固定在晶片載體(3)上; 配置於晶片載體(3)且將其支撐之基座(6),此基座(6) 是由塑膠材料製成,其中半専體晶片(4)至少與兩個 穿過基座(6)之電極接頭(7, 8)導電性地相連,延伸於 基座(6)之上的透鏡(10)配置於半導體晶片(4),其特 徵為: 延伸於基座(6)之上的透鏡(10)形成獨自構成且由塑 膠材料製成之蓋子(11)的一部份,其中蓋子(11)具有 支持件U3)M便依據形式(form)而與基座(6)之支撐 件(14)作機械性連接,使得當蓋子(U)放在基座(6) 上時,支持件(13)和支撐件(14)可互相交替地接合, 且支持件(13)在支撐件(14)之構造需使得當蓋子(11) 放在基座(6)上時,它們可自動互相定位而使透鏡(10) 之光軸(12)和配置在晶片載體(3)上之半導體晶Η (4) 的光軸至少幾乎相重合。 2. 如申請專利範圍第1項之光電半導體組件(1),其中 蓋子(11)和基座(6)具有基本上為圓柱對稱之横切面 ,其對稱軸互為同心而延伸且各與透鏡(10)和半導體 晶Η (4)之光軸(5 , 12)相重合。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), 其中蓋子(11)之支持件(13)和基座(6)之支撐件(14) 適用於依形式(form)而定之連接或依此方式而構成。 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標华(CNS ) Λ4规格(210X297公疫) -------1 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁). 訂 線 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 ·如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1 ), 其中支持件(1 3 )和支撐件(1 4 )之構造需使得蓋子(1 1 ) 和基座(6 )在接合時能自動互相定位,以便確保蓋子 (1 1 )和基座(6 )有一穩定之至少幾乎無間隙之對稱位 置。 5. 如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), 其中基座(6)之支撐件(14)在其外周具有一個環嬈且 支撐此蓋子(11)的支持件(13)之再貯存面(15)。 6. 如申請專利範圍第3項之光電半導體组件(1),其中基 座(6)之支撐件(14)在其外周具有一個環繞且支撐此 蓋子(1 1 )的支持件(1 3 )之再貯存面(1 5 )。. 7. 如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), 其中蓋子(11)和基座(6)在軸向中可解開之依形式而 定的機槭式連接中所配置的支持件(13)和支撐件(14) 可藉環繞此二組件而交替形成之突出部(20)和導槽凹 部(2 1 )來構成。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8. 如申請專利範圍第1或第· 2項之光電半導體組件(1), 其中為了蓋子(11)和基座(6)互相對準而在周圍方向 所設計之支持件(13)和支撐件(14)傜藉另外在徑向上 交替配置於此二組件且在周圍方向相鄰而形成之突出 部(2 0 )和凹部(2 1 )所構成。 9. 如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), . 其中蓋子(11)之支持件(13)設有彈性之突出部(18), 此突出部(18)設有在基座(6)之支撐件(14)中所設置 -1 4 -本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 六、申請專利範圍 之凹口( 1 9 )以便自動將蓋子(1 1 )和基座(6 )固定在安 裝位置中。 10.如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), 其中基座(6)是由一種耐高溫塑膠製成。 1 1 .如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1 ), 其中基座(6 )由耐熱塑膠(特別是液晶聚合物),或聚 呔醯胺,或聚硪(Ρ ο 1 y s u 1 f ο η)製成。 12.如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), 其中半導體晶片(4)上方有透鏡罩(16)延伸,透鏡罩 . (1 6 )固定在或配置在基座(6 )和蓋子(1 1 )之間。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之光電半導體組件(1 ),其中 延伸於半導體晶片(4)上方之透鏡罩(16)由透光之塑 膠材料製成,此種塑膠材料特別具有一種光學之濾色 材料。 1 4 .如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1 ), 其中由塑膠製成之基座(6)具有一種材料以提高對入射 之散射光的吸收性,且特·別是以黑色之顔料來染色。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 15. 如申請專利範圍第1或第2項之光電半導體組件(1), 其中在基座(6)内設置一個配置於半導體晶片(4)之反 射體(1 7 )。 16. —種光電半導體組件(1)之製造方法,該組件(1)包 括:晶片載體(3),其具有幾乎是平面之晶片載體面 (2),光電半導體晶片(4)以預先對準其光軸(5)之方 式固定在晶片載體(3 )上;配置於晶片載體(3 )且將其 -1 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(GNS ) Α4規格(210 X 297公釐) ABCD 3S8085 六、申請專利範圍 支撐之基座(6),此基座(6)是由塑膠材料製成,其中 半導體晶片(4 )至少與兩個穿過基座(6 )之電極接頭(7 ,8)導電性地相連,延伸於基座(6)之上的透鏡(10) 配置於半導體晶Η (4),其恃徵為具有下述步驟: -藉噴射鑄造法製造此圍嬈晶片載體(3)及圍繞至 少兩個電極接頭(7 , 8 )且將其支撐之基座(6 ), -藉連結方式將光電半導體晶片(4)固定在晶片載體 (3)之幾乎為平面的晶Η載體面(2)上, -使光電半導體晶片(4)與至少兩個穿過基座(6)之電 極接頭(7 , 8 )相接觸, -將獨自形成且由塑膠材料製成之蓋子(11)(其具有 延伸於基座(6)上方之透鏡(1G))放置在基座(6)上,使 得蓋子(1 1 )和基座(6 )自動互相定位以便使透鏡(1 〇 ) 之光軸(1 2 )和配置在晶Η載體(3 )之半導髏晶Η ( 4 )的 光軸(5)至少幾乎相重合, -持缠將蓋子(11)固定於基座(6)。 17.如申請專利範圍第16項之方法,其中獨自形成且由 塑膠材料製成之蓋子(11)藉噴射鑲造法製成分離之組 件。 1δ.如申請專利範圍第16或第17項之方法,其中在基座 (6 )和蓋子(1 1 )之間製造一個延伸於半導體晶片(4 )之 上的透鏡罩(1 6 )。 19.如申請專利範圍第16或第17項之方法,其中藉許多 在晶片載體帶(2 2 )中連缠配置之晶片載體(3 )的噴射 -1 6 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ 297公釐) -------4H-裝------訂-----©線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) , 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 398085 as Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 錶造過程來進行基座(6)之製造。 1 20.如申請專利範圍第19項之方法,其中在基座(6)製造 完成,藉連結方式將半導體晶片(4)固定在晶片載體 面(2)上,以及使半導體晶Η (4)與電極接頭(7, 8)接 觸等過程之後,將各光電半導體組件(1)由晶Η載體 帶(22)分離》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -17- 本紙張尺度適用中國國家標牟(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
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