TW396631B - Surge protection device - Google Patents

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經濟部中次樣準局工消fr合作社印於 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明背景 1 .發明之範疇 本發明乃關於一電湧保護電路（即一電湧保護裝置） 包含許多ρ η ρ η或η ρ η p閘流管。特別關於一電湧保 護裝置以防止過壓之電湧進入一S L I C (訂戶線路（或 迴路）介面電路）之積體電路（I C)之電路中，或關於 一雙向電湧保護裝置以保護一與通訊電路連接之一電子電 路，其方式爲防止過壓電湧進入其中。 2 .相關技藝之敘述 此類S L I C係用於中央局，私人自動分路交換及一 訂戶載體裝備以提供二線差値至四線單一終止轉換之信號 分隔及在其二線輸入處之縱向信號之抑制。此外， S L I C亦被供以直流之線路電流以供應一電話機之電源 ，其電源通常以負電壓予以偏壓。S L I C有一 Τ I Ρ終 端及RING終端連接至電話機。 與Τ I Ρ之R I NG終端鈎住之線路有時受到閃雷電 湧，此乃由一雷電或附近之裝備，照明系統或電氣裝置之 過壓電湧所造成。 —保護包括S L I C之1 C之電子電路3之方法中使 用連接二終端電湧保護裝置1及2至一線路L1其連接至 Τ I Ρ終端，及地之間，及至線路L2，其連接至R I NG 終端及地之間，如圖2 7所示。此二電湧保護裝置1及2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· ,11 本紙张尺度谪;彳〗中闯K家#肀（（'NS ) Λ4说格（2IOX 297公漦） -4- 經濟部中央標準扃货工消f合作社印黧 A7 _ ____B7__ 五、發明説明6 ) 爲相同結構，其結構將於圖2 6中予以說明。二終端電湧 保護裝置1 (或2)包含許多η ρ η p —閘流管及備有第 一電極4於其前或頂表面，及有第二電極5於背或後表面 。第一電極4及第二電極5間之一部分（見此圖之左手側 )之形成方式爲如有一 η ρ η ρ閘流管結構。此外，第一 電極4及第二電極5間之另一部分（示於此圖之右手側） 之組成可有一Ρη結構。此二終端電湧保護裝置1(或2 )之電壓/電流（V _ I )特性如圖4所示。 此外，圖2 9所說明之方法係連接雙向二終端電湧保 護裝置1及2至線路L:及地G間之一點，及在線路L 2與 地G間之一點。此二終端電湧保護裝置1及2爲相同結構 。此結構將於以下至並說參考圖2 8予以說明，二終端電 湧保護裝置1 (或2 )係由許多η ρ η ρ閘流管組成，並 備有第一電極4於其前或頂表面，及有一第二電極5在其 後表面上。第一電極4及第二電極5之間的一部分（見圖 之左手測）之形成方式使成爲一 η ρ η ρ閘流管結構。此 外，第一電極4及第二電極5間之一部分之另一部分（見 圖之右手測）之形成使成爲一Ρ η ρ η閘流管結構》此二 終端電湧保護裝置1 (或2)有一電壓電流特性如圖14 所示。 但在電湧同時進入線路L τ及地G之間及在線路L 2與 地G之部分時，而電路又使用此等二終端電湧保護裝置1 及2，則保護裝置1及2並不同時工作或操作，原因是此 二保護裝置之特性之不同。因此，肴時造成一保護裝置之 本紙張尺度Ϊ元中國戌家標續（（'NS ) Λ4規格（2丨0X 297公漦) ~ ~~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢) 装 A7 A7 經濟部中夾樣準扃負二消资合作社印胷 B7 五、發明説明6 ) 工作與另一保護裝置相較，有時間之延遲。在此等情況下 ’電湧電壓（即橫向電湧）發生在線路Li及1^2之間’結 果，電漢電流有時進入並損害連接在Li與1^2間之電路3 〇 因此，增加一額外之雙向二終端電湧保護裝置1 >之 總計三個電湧保護裝置之方法已被使用，電湧保護裝置 1 >與圖2 8中之保護裝置相同並放置在線路Li及乙2之 間如圖2 9之虛線所示。 在另一方面，爲了解決此等問題，已有建議一種具有 在一晶片上之三個終端之電湧保護裝置之結構而不用三個 電湧保護裝置（參考日本官方公報之未審核專利公布號碼 第 3 — 136374/1991 及 3 — 136375/ 1991)。在每一該保護裝置情況下，在共同基質之前 表面上備有一對構電極結構之二終端，及另一終端位於其 背部表面上，或有一對稱的二終端結構，因而形成一混合 閘流管結構。如圖3 0所示，在一此結構之電湧保護裝置 2 /中，備有在前表面上之二終端連接在線路L1及L2， 另一備於背部表面之一終端連接至地。在此保護器之情況 下，其電湧吸收特性之變化極小。此外，在此保護裝置之 情況下，當連接至圖3 0之線L i三終端及地G間之一部分 工作，連接至線路L 2及地G間之一部分亦工作，視其部分 之作業而定。 此外，另外一方法以保護上述之電路3，係發展出一 種方法以在第一級提供一個第一電湧保護裝置1及第二電 本紙张尺度適川中阀丨矣家標彳U’NS ) Λ4規格（2丨0X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -δ

經消部中央標準局員工消费合作权印％ A7 __B7 五、發明説明k ) 湧保護裝置2，該第一級係電子電路3之預備級及第二級 ，如圖3 3所示者。在第一及第二電湧保護裝置1及2之 前表面上所提供之二個終端係連接至線路L i此線路連至 T I P終端，及線路L2，其連接至R I NG終端。但，在 第一及第二電湧保護裝置1及2之後表面上之一終端則連 接至地G。此等電湧保護裝置1及2之結構彼此不同。具 有正溫度係數之每一PTC (正溫度係數）熱敏電阻3 a 及3 b插入電湧保護裝置1及2中間之線路Li及1^2對應 一個之一部分（即插入該一部分之二部中）。 電湧保護裝置1以下將參考圖3 1予以敘述。三終端 電湧保護裝置1之前表面上備有電極4及5。此外，電極 6則位於電湧保護裝置1之後表面上。電極4及6間一部 分之一部與電極5及6間一部分之一部之構成使有一閘流 管結構。對照之下，電極4及6間之其餘部分及電極5及 6間之其餘部分則形成一 η ρ η p接點結構。此部分備有 —絕緣氧化物薄膜，此部分爲一 η型基質1 a之前表面及 後表面之非電極部分。此一三終端電湧保護裝置1有其V 一 1特性如圖2 3所示，該圖顯示一橫向之V— 1特性， 圖2 3 B則顯示在縱性之v — 1特性。 此外，電湧保護裝置2之結構將以參考圖3 2予以說 明。三終端電湧保護裝置2之前表面上備有電極7及8。 此外’在電湧保護裝置2之背面上備有一電極9 »電極7 及9間部分之一部及電極8及9間部分之一部形成後有一 Ρ η接點結構。對照之下，電極7及9間之其餘部分及電 本紙張尺度適川中闽1¾家標肀（rNS ) /U規格（2丨0X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- .1Τ A7 B7 五、發明説明（5 ) 極8及9間部分之其餘部分則形成一 η ρ η p閘流管結構 。此外，區域2 e有一對抗電壓，其較保護裝置2其他部 分之對抗電壓爲低。該區域2 c備於電極7及8下面之墨 質中接點之一部分。絕緣氧化物薄膜2 b備於一η型基質 2 a之前表面及後表面非電極之一部分上。此三終端電湧 保護裝置2有其V-I特性如圖24A所示者，其中顯示 其橫向特性及圖2 4乃爲其縱向V — I特性。 比較圖2 3A，24A及圖23B及24B可以得知 ，一電壓Vbd2，即在第二級由電湧保護器2保護電路3 .所受到之電壓，該Vbd2之設定較一電壓Vbdl爲低，該 Vbdl即在第一級由電湧保護裝置.1保護電路3所受到之 電壓。_ "'r;f:部中央";?/;J;:2c T,消札 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但，在電湧同時進入線路Li及地G間之部分，及線路 L 2及地G間之部分，而電路又使用二終端電湧保護裝置1 及2 (圖27)，則保護裝置1及2不能同時工作，此乃 因爲此二保護裝置之特性上不同。因此，在一保護裝置之 操作與另一保護裝置之操作，在時間上有一延遲。此等情 況下，電湧電壓S (即橫向電湧）發生在線路L1&L22 間，造成此電湧電流有時進入及損害連接在L 2間之 電路3。 此外，當此二線路，及L2具有相同品質，又使用 揭示於曰本專利公布N 〇 . 3- 1 3 6 3 7 4/1 9 9 1及 1 3 6 3 7 5/1 9 9 1官方公報之三終端雙向電湧 保護裝置7其產生之電湧同時到達保護裝置。因此，由於 -8- A7 B7 經濟部中次標準局日iJ消贽合作Tt印 五、發明説明（6 ) 此二保護裝置間特性上之少許不同’二個閘流管幾乎同時 操作。但如線路L 1及L 2間有品質之不问，即線路之品質 不均勻；則會造成同時產生之電湧到達三終端電湧保護裝 置7之瞬間上有差別。此外，此電湧保護裝置會遭遇到下 列問題。事實上在一閘流管開始工作之瞬間，及另一閘流 管開始工作之一瞬間，二者之間有一時間滯後，視前一閘 流管之操作（或響應其開始）所必需之載體擴散之擴散時 間而定。線路L :及！^ 2間之保護裝置之破壞係由在此時間 滯後期間所產生之電位造成。或者，電路3被毀。 此外，在圖26，28及3 1中之電湧保護裝置之情 況下，基底及半導體層間之接點決定擊穿電壓。故，所謂 基底摻雜密度（即基底之摻雜劑密度（或載體密度，或濃 度）必須決定以使此電壓爲最佳。但，在製造保護裝置時 如其擊穿電壓低於1 0 0 V，基底摻雜密度即少於1 0 16 /cm3。在摻雜劑密度設定在此値時，載體之機動性及擴 散長度則降低。因此，電湧保護裝置即遇到一個問題，即 閘流管之工作速度嚴重降低，結果，電湧之容差顯著下降 。此外，以圖26之或電湧保護裝置31之SLIC爲例 ，每一個均被認爲是由於一利用一基底區域爲基極之電晶 體之低性能而發生，亞穩定狀態即發生在二電晶體組成之 閘流管上。結果，儘管在一電湧通過之後，電湧保護裝置 由於電源供應電壓之故，仍爲ON之狀態。因此，此電湧 保護裝置有一缺點，即所謂產生了 一動態電流。 此外，在圖3 3中電路情況下，其使用二個三終端電 '--------装— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 本紙張尺度诚川中國阀家標彳（（’NS ) /⑷見格（210X 297公釐） -9- A7 A7 绞濟部中央標準局t只-T.消费合作社印欠 -10- _ 五、發明説明（7 ) 湧保護裝置1或2，組件之數目很大。因此，使用二個三 終端電湧保護裝置之電路有一缺點，即將一保護電路倂入 其中係耗化時間之事。此外’在使用圖3 3中之電路時， 必須製造二種電湧保護裝置。因而造成在製造電湧保護裝 置及電湧保護裝置之管理上均造成困擾。 本發明之略述 據此，本發明之目的爲提供一個電湧保護裝置，其可 保護如SL I C之I C，在電湧進入線路匕：及地G間之部 分及線路1^2及地G間之部分時保護電路。 本發明第二目的爲提供一電湧保護裝置，其可防止動 態電流在電湧通過之後發生，但不致降低閘流管之工作速 度，及不會降低電湧容差。 本發明之第三個目的爲提供一電湧保護裝置，其方便 一電路之倂入，該電路用二個工作（操作）電壓不同之元 件來保護一電子電路不會受到過壓之電湧。 達到上述之目的，依照本發明之一特性，備有一個有 三終端電湧保護裝置（10)，其由許多ρηρη或 η ρ η ρ閘流管組成，並在其前表面上備有第一及第二電 極（11及12)，及在其後表面上備有第三電極（13 )如圖1Α，IB，2Α及2Β所示。此電湧保護裝置之 特徵爲第一電極（1 1 )及第三電極（1 3 )之間部分之 一部之形成有一ηρη閘流管結構（見圖1Α)，而第一 電極（1 1 )及第三電極（1 3 )之間一部分之另一部形 浪尺度適"川屮W丨与家標今((’奶）八4現格（210><297公釐） --------f^------1T------f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ____ B7____ 五、發明説明（β ) 成後有一ρη接點閘流管結構（見圖1Β) ’相似地，第 二電極（1 2 )與第三電極（1 3 )之間—部分之一部形 成後有^ηρηρ閘流管結構（見圖1Β) ’而第二電極 (1 2 )及第三電極（1 3 )間一部分之另一部之形成則 有ρη接點閘流管結構（見圖14)，此外，在第一電極 (1 1 )及第二電極（1 2 )之間之一部分形成後有—雙 向閘流管結構。 經濟部中央標率局^:^-消费合作社印^ (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖3所示，一對線路Li及1^2連接至電子電路3 0 如SL I C之I C，第一電極1^及第二電極L2連接至線 路Li及L2。此外，第三電極1 3連接至地G。一負行過 壓加在線路L i之上，如圖4之實線所示之V — I特性曲線 ’當一電壓到達擊穿電壓Vbq，第一電極1 1及第三電極 1 3之間之（npnp)閘流管結構導電，故高於保持電 流I Η之電流流過電湧保護裝置1 0。因此得以維持導電狀 態。對照之下，當一正行電壓加在線路L i上’如圖之虛線 所示之V— I特性曲線，在第1電極1 1及第三電極1 3 間之Ρ η接點結構之即導電。導電之結果’電湧電流不向 電子電路3 0流動，反而流向地G。結果，電子電路3 0 得以保護。 在一負行或正行過壓電湧加至L22情況下，第二電極 1 2及第三電極1 3同時以相似方式操作，故電子電路 3 ◦獲得保護。但如有一電湧（或一橫向電湧）發生在線 路乙1及1^2之間，在第1電極1 1及第二電極1 2之間之 部分於是形成一雙向閘流管結構。因此，一閘流管工作於 本紙張尺度適川中國阀家標呤（（'NS ) A‘f規格（210X 297公釐） A7 B7____五、發明説明) 線路L :及L 2之間，故電湧被吸收° 圖式簡略說明 本發明之其他特點，目的及其優點將可隨以下之較佳 實施例之敘述及伴以圖式之參考而更爲明顯’其中相似之 參考號碼代表相似之對應另件’其中： 圖1 A爲一電湧保護裝置之剖面圖’即本發明之第一 實施例，該圖係取自圖2A之I A— I A線； 圖1 B爲一電湧保護裝置之剖面圖，即本發明第一個 實施例，其取自圖2 A之I B — I B線： 圖2 A爲本發明第一個具體實施例之電湧保護裝置之 平面圖； 圖2 B爲本發明第一個實施例之電湧保護裝置之底面 圖。 ” 圖3爲利用第一個實施例中電湧保護裝置之電湧保護 電路之圖式； 圖4爲一曲線顯示本發明第一個實施例之電湧保護裝 置之V — I特性； 圖5 A爲本發明第二實施例之電湧保護裝置之剖面圖 ，該圖取自圖6 A之VA — VA線： 圖5 B爲本發明第二實施例之電湧保護裝置之一剖面 圖，取自圖6A之VB — VB線； 圖6 A爲本發明第二個實施例之電湧保護裝置之平面 圖； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙乐尺度诚爪屮阈1¾家掠今（（，NS ) Λ4規抵（2丨0X 297公漦） -12- 經濟部中央標皁局負工消贽合作社印54 A7 B7 _ 五、發明説明（10 ) 圖6 B爲本發明第二實施例之電湧保護裝置之底面圖 » 圖7 A爲本發明第三個實施例之電湧保護裝置之剖面 圖，該圖取自圖2A之對應VI ΙΑ — VI IA之線； 圖7 B爲本發明之第三個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖，該圖取自圖2A對應VI IB — VI IB之線； 圖8 A爲本發明之第四個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖，取自圖6A中對應之VI I ΙΑ — VI I IA線； 圖8 B爲本發明第四個實施例之電湧保護裝置之剖面 圖，其取自圖6A之對應VI I IB-VI I IB線； 圖9 A爲本發明第五實施例之一電湧保護裝置之剖面 圖，其係取自對應圖2A中之I XA— I XA線； 圖9 B爲本發明第五個實施例之電湧保護裝置之剖面 圖，其係取自圖2A中對應之I XB— I XB線； 圖1 0 A爲本發明第六實施例之一電湧保護裝置之剖 面圖，係取自圖6A之對應XA — XA之線； 圖1 0 B爲本發明第六個實施例中一電湧保護裝置之 剖面圖，係取自圖6A之對應XB — XB之線； 圖1 1 A爲本發明第七個實施例之電湧保護裝置之一 剖面圖’取自圖12A之XIA—XIA線； 圖1 1 B爲本發明之第七個實施例之電湧保護裝置之 —剖面圖，係取自圖1 2A之X I B — X I B線； 圖1 2 A爲本發明之第七個實施例之電湧保護裝置之 平面圖： ----„-----------,訂------( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙张尺度過川中闼1¾家標彳（rNS ) Λ4現枋（2IOX 297公釐） -13- 裡濟.郅中央標準局兵T;消费合作社印絮 Μ 〜_____Β7__ 五、發明説明（n ) 圖1 2 B爲本發明之第七個實施例之電湧保護裝置之 底面圖； 圖13爲利用第七個實施例之電湧保護裝置之電湧保 護電路之圖式； 圖14爲本發明之第七個實施例之電湧保護裝置之V ~~ I特性曲線； 圖1 5 Α爲本發明第八個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖，係取自圖1 6A之XVA — XVA線； 圖1 5 B爲本發明第八個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖，係取自圖1 6A之XVB — XVB線； 圖1 6 A爲本發明第八個實施例之電湧保護裝置之平 面圖； 圖1 6 B爲本發明第八個實施例電湧保護裝置之底面 圖； 圖1 7 A爲本發明第九個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖’取自圖12A之XVI ΙΑ — XVI IA線； 圖1 7 B爲本發明第九個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖，取自圖12A之XVI IB — XVI IB線； 圖1 8 A爲本發明第十個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖’其係取自圖16a之xvi Για— xvi I ία 線； 圖1 8 Β爲本發明第十個實施例之電湧保護裝置之剖 面圖’其係取自圖16Α之XVI I IB — XVI I ΙΒ 線； 本紙張μ相 公釐)~— --- .υ 1 mt i 丈^/ —^ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 訂 A 7 B7 經满部中央標本局KX.T-消f合作社印λ'14 —— .一 五、發明説明（12 ) 1 1 圖 1 9 A爲 本 發 明 第 1 1 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 1 剖面 圖 其取自 圖 1 2 A 之 X I X A — X I X A 線 1 1 圖 1 9 B爲 本 發 明 第 1 1 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 請 ί 線 先 1 剖面 圖 其取自 圖 1 2 A 之 X I X B — X I X B ： 閱 if 1 r* 圖 2 0 A爲 本 發 明 第 1 2 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 背 ιέ 之 1 剖面 圖 ) 其取自 圖 1 6 A 之 X X A — X X A 線 : 意 事 1 圖 2 0 B爲 本 發 明 第 1 2 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 項 再 it 1 剖面 圖 係取自 圖 1 6 A 之 X X B — X X B 線 » i 本 -s 衮 I 圖 2 1 A爲 本 發 明 第 1 3 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 Η Nw/ 1 1 1 剖面 圖 其係取 白 圖 2 2 A 之 X X I A — X X I A 線 1 1 圖 2 1 B爲 本 發 明 第 1 3 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 1 1 剖面 圖 其係取 白 圖 2 2 A 之 X X I B — X X I B 線 訂 | 圖 2 2 A爲 本 發 明 第 1 3 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 ! I 平面 圖 1 1 1 圖 2 2 B爲 本 發 明 第 1 3 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 1 1 底面 圖 t 第 2 3 A爲 本 發 明 第 1 3 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 1 1 橫向 V — I 特性 曲 線 圖 > 該 保 護 裝 置 備 於 ·—* 側 遠 離 電 子 1 | 電路 I 1 圖 2 3 B爲 本 發 明 第 1 3 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 1 1 縱向 V — I 特性 曲 線 rgt 圖 9 該 保 護 裝 置 備 於 —· 側 > 遠 離 電 子 | 電路 » 1 I 圖 2 4 A爲 本 發 明 之 第 1 3 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 之 1 1 I 橫向 V 一 1 特性 曲 線 該 保 護 裝 置 備 於 —. 側 距 電 子 電 路很 1 1 1 本紙張尺度滴川中阈改家標冷（（，NS ) ΛΙ/見格（2丨0 '乂 297公趋） A7 經

:A 部 中 4\ 標 局

X 消 合 竹 社 印 % B7 五、發明説明（13 ) 1 近 1 1 圖 2 4 B 爲本 發 明 之 第 13 個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 [ 1 之 縱 向 V — 1 特性 曲 線 該 保護 裝 置 置 於 —· 側 而 距 電 子 電 ί 路很近 請 先 閲 1 Ι 讀 1 圖 2 5 爲 一電 湧 保 護 裝 置之 圖 式 該 保 護 電 路利 用 本 背 1 發 明 之 1 第 1 3 個 實施 例 之 電 湧 保護 裝 置 注 意 1 圖 2 6 爲 —傳 統 式 電 湧 保護 裝 置 之 剖 面 圖 與本 發 明 事 項 再 1 1 之 第 一 個 實 施 例電 湧 保 護 裝 置成 對 照 填 寫 本 裝 圖 2 7 爲 利用 1 a i 圖 2 6 中 之傳 統 電 湧 保 護 裝 置 之 雷 湧 保 頁 1 1 護 電 路 之 圖 式 ， 1 1 圖 2 8 爲 與本 發 明 之 第 7個 實 施 例 之 電 湧 保 護 裝 置 對 1 I 照 之 傳 統 之 電 湧保 護 裝 置 之 一剖 面 圖 1 訂 I 第 2 9 爲 使用 圖 2 8 中 之傳 統 電 湧 保 護 裝 置 之 電 湧 保 1 1 護 路 圖 式 1 1 圖 3 0 爲 利用 與本 發 明 第7 個 實 施 例 對 照 之 —* 傳 統 1 1 電 湧 保 護 裝 置 之電 湧 保 護 電 路之 圖 式 I 圖 3 1 爲 利用 與本 發 明 第1 3 個 實 施 例 對 照 之 電 湧 保 1 | 護 裝 置 之 一 傳 統電 湧 保 護 裝 置之 —. 剖 面 圖 1 1 I 圖 3 2 爲 利用 與本 發 明 第1 3 個 實 施 例 對 照 之 電 湧 保 1 1 護 裝 置 之 —. 傳 統電 湧 保 護 裝 置之 電 路 圖 圖 3 3 爲 說明 利 用 圖 3 2及 3 3 中 之傳 統 電 湧 保 護 裝 I 置 之 一 電 湧 保 護電 路 之 圖 式 〇 1 1 主 要 元 件對 眧 J 1 \\ 表： 1 1 I 1 本紙張尺度诚州屮國囡家標彳（（’NS ) Λ4規格（2丨0>< 297公楚） 16- A7 B7

五、發明説明（14 圖1 A 經滴部中央標準局貞-τ消费合作社印緊 1 0 二 終 端 電 1 1 ;第 —' 電 極 1 2 第 二 電 極 1 3 第 二 電 極 圖 3 3 0 電 子 電 路 圖 7 A 1 0 三 終 端 電 1 1 第 一 電 極 1 2 第 二 電 極 1 3 第 三 電 極 圖 9 A 1 0 二 終 端 電 1 1 第 一 電 極 1 2 第 二 電 極 1 3 第 三 電 極 圖 1 1 A 1 0 雙 向 二 終 1 1 第 一 電 極 1 2 第 二 電 極 1 3 第 二 電 極 [t3,t 圖 1 3 3 0 電 子 電 路 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本纸張尺度適圯中國改家標今（（'?^)/\4規格（210>< 297公釐〉 -17- A7 B7

五、發明説明（15 ) 圖1 7 A 經濟部中央標隼局貞.ΐ消资合作社印54 1 0 雙 向 二 終 端電湧 保 護 裝 置 1 1 丨 第 — 電 極 1 2 第 二 電 極 1 3 第 三 電 極 圖 1 9 A 1 0 雙 向 二 終 端電湧 保 護 裝 置 1 1 第 —' 電 極 1 2 第 二 電 極 1 3 第 二 電 極 圖 2 1 A 1 0 閘 流 管 式 電湧保 護 裝 置 1 1 第 一 電 極 1 2 第 二 電 極 1 3 第 二 電 極 1 4 第 四 電 極 1 5 第 五 電 極 1 6 第 7^ 電 極 1 7 觸 發 區 域 圖 2 3 A 橫 向 之特性 圖 2 3 B 縱 向 之特性 圖 2 4 A 橫 向 之特性 圖 2 4 B 縱 向 之特性 圖2 5 ^裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適州中國Κ家標呤（C'NS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） -18- 經濟部中央標革局另工消赀合作社印製 A 7 _B7_ 五、發明説明（16 ) 30 電子電路 圖2 6 以往技藝 圖2 7 '以往技藝 3 電子電路 圖2 9 以往技藝 ' 3 電子電路 圖3 0 以往技藝 3 電子電路 圖3 3 以往技藝 3 電子電路 較佳實施例之詳細說明 以下將詳細敘述本發明之較佳實施例並參考附圖。 如圖1A，IB，2A及2B所說明者，三終端電湧 保護裝置，其爲本發明第一實施例，其含有許多ρ η ρ η 或η ρ η ρ閘流管，並有第一電極1 1及第二電極1 2備 於其前表面上，尙有第三電極1 3備於其後表面上。此電 湧保護裝置1 0有一η型第一半導體層！！：。，其亦作爲基 底。一對Ρ型第二及第三半導體層ρ 213及ρ 3。在半導體層 η 之前表面上形成而在其上暴露並且彼此分開。此外， 第四半導體層η 40及Π 4Q在半導體層ρ 2。及p 3Q之外側 表面上形成而在該處暴露，且由層Ρ 20及Ρ 3。所包封。此 外，第五半導體層Ρ 50及Ρ 50形成於η型第一半導體層 η 10之後表面上而在該處暴露並面對該上述之第四半導體 本紙张尺度適川十國1¾家標彳（（'NS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 -19- 經滴部中夾標準局员工消费合作.1'1印*''4 A7 _____B7___五、發明説明（17 ) 層Γ14。及Π40。同理，第六半導體層P6。及P6。形成於 η型第一半導體層n 1。之背表面上並自該處暴露以及面對 上述之第二及第三半導體層ρ 2 〇及ρ 3。。 第一電極1 1係由將第二半導體層p2Q及由層ρ2〇在 其外表面包封之第四半導體層η 4〇予以短路而形成。此外 ’第二電極1 2之形成係將第三半導體層ρ 3〇及由層ρ3〇 在外表面所包封之第四半導體層η 40予以短路而形成。此 外，第三電極1 3之形成係將第五半導體層ρ5〇及ρ5〇， 第六半導體層η 及η 6。及其外側表面之第一半導體層 η 1()予以短路。此外，一絕緣氧化薄膜備於η型第一半導 體層η ίο (未示出）之每一前及後表面上，該層亦作爲一 基底，如圖2 1 Α及2 1 Β所說明者（稍後再說明）。其 與圖 11A，11B，15A，15B，17A 至 20B 中之電湧保護裝置相同，以下再作說明。 如圖3所示，此種構型之電湧保護裝置1 0連接至電 子電路30之預備及，如SLIC之IC連接至線路L:及 L2。在一負過壓電湧加至線路1^1及1^2上，如所加之電 壓超過半導體層n 1Q及半導體層p 2〇或p 3。間接點之抵 抗電壓，將造成擊穿，如圖4之V - I特性圖之實線所示 。此外，當所加電壓到達擊穿電壓Vb。，造成電極1 1及 1 3或電極1 2及1 3間之連續導電。 對此之下，當一正電壓加至線路Lt &L2，半導體層 p2Q或P3〇至半導體層n 1Q受到前向偏壓。在此之後， 在電極12及13之間或電極11及13間之造成連續導 本紙張尺度ίί州中國K家標々(（’NS ) Λ4現格（2I0X 297公釐） .2〇 _ n ^^^1 —^^1 I - —^^1 ^^^1 ^^^1 \ 士 1/, —^^1 nn HI i^n - 『 -a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（18 ) 電。由於上述之導電結果，電湧電流不會流入電子電路 3 〇內，但只流入地G。結果，電子電路3 0得以受到保 護。此外，在電湧進入線路Li及1^2時，在第一及第二電 極1 1及1 2之間的半導體層n" ’ P2〇，nx。及p30 之形成有一雙向閘流管結構。因此，在線路L 1及1^ 2之間 有一閘流管工作，故電湧已被吸收。 經滴部中央標準局ΜΗ消费合竹.社印於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5A，5B，6A及6B說明本發明第二個實施例 。在此實施例中，三終端電湧保護裝置1 〇包含許多 Ρ η ρ η或η ρ η p閘流管，並有第一電極1 1及第二電 極1 2備於其前表面，並有一第三電極1 3備於其背後表 面上。此電湧保護裝置1 〇有一 η型第一半導體層η 1〇， 其亦作爲一基體。一對ρ型第二及第三半導體層口^:及 Ρ 形成於此半導體層η 1()之前表面而在其上暴露並彼此 隔開。再者，一 11型第四半導體層η4ι +及一ρ型半導體 層Ρ22 + +形成於此半導體ρ21+之外側表面，並自該處暴 露而由層ρ21+所包封。此外，一 η型第四個半導體層 η 42 +及一ρ型半導體層ρ 32 + +在此半導體層ρ 3〆之外 表面上形成並在該處暴露，並由層Ρ 3 1+所包封。 一對Ρ型第五半導體層ρ51+及ρ51 + +，及一對η型 第六半導體層η61+及η61+在η型第一半導體層111()之 後表面上形成，其方式爲在該處暴露出來並彼此分開。此 外，Ρ型半導體層ρ52 +及ρ52 +形成於第五半導體層 ρ51+及ρ51+之外表面上，並在該處暴露，並由層 Ρ 51+及Ρ 51+包封起來。 本紙張尺度適州巾家標今（rNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -21 - 經濟部中央標準局Μ工消贽合竹社印裝 A7 B7 五、發明説明（19 ) 第一電極1 1之形成係將第二半導體層P22 + +及半導 體層η 4 1 +及由層P 2 1 +在其外側表面包封之半導體層 Ρ22 + +:予以短路而形成。此外’第二電極1 2之形成係將 第二半導體層p 31+及半導體層η.42 +及Ν32 +予以短路 而形成，該層η 42 +及η 32 +係由第三半導體層Ρ 31+在 其外側表面包封。此外，第三電極1 3係將一對ρ型第五 半導體層？51+及Ρ5〆及半導體層Ρ52 + +及ρ52 + +予 以短路而形成，彼等係由此等半導體層Ρ 51+及Ρ 51+及 一對η型在其外側表面上之第六半導體層η 6：1+及n 6i + 所包封。 在第二個實施例之情況下，在保護裝置之前表面部分 ’半導體層P22+ + ’被第二半導體層P21+所包封’在層 P21 +中形成，及半導體層p32 + +，被第三半導體層 P3：l +所包封，在層p31+中形成。此外’在保護裝置之 背表面部分，形成一對第六半導體層n61 + n61+。此外 ，被第五半導體層P51+及P51+包封之半導體層P52 + + 及p52 + +分別形成於層p51+及P5〆中。因此，與第一 個實施例比較，電湧保護裝置之電湧保護特性，在第二個 實施例中已有改進。關於另一特性，第二個實施例之操作 與第一個實施例之操作相似。因此，其操作情況不再重述 0 在如圖1A，IB，5A及5B說明之第一及第二實 施例之情況下，令Wi代表第二半導體層p2。或p21+與 第三半導體層p 3 〇或p 3 i +間之距離。此外，此一距離 本紙依尺度適川屮國β家標( (’NS ) Λ4规格（2丨〇x 297公釐） 22- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. *11 A7 A7 經淖部中夾櫺枣-"貨工消阶合作社印皙 ---------- 五、發明説明（20 ) W1最好小於或等於第五半導體層P 50或p 51 +與第三半 導體層P3Q或P31_間之距離12，該層與第五半導體層 面對，及第五半導體層P 5Q或P 51+與第二半導體層P 20 或P21+間之距離W3，該層與第五半導體反面。 此外，最好第一電極_1 1及第二實施例間之部分執行 擊穿作業以響應第一及第二實施例之過壓。擊穿作業：係 指一作業，其中一耗盡層（令後，耗盡層之範圍以w P代表 )與第三半導體層p3Q連接，該耗盡層係在一過壓加至第 二半導體層P 2。中之電湧保護裝置1 0時所產生。圖1 A 及5A顯示一狀態，即在第二半導體層p2Q及p21 +中之 耗盡層界13與第三半導體層p 3〇及p 31之耗盡層連接。 設定使W1，W2及W3之關係爲Wl$W2，及WlS W3，或設定電湧保護裝置使電極1丨及公間之部分執行擊 穿作業以響應一過壓，即使線路Li &L2不均勻及電湧經 由L i到達保護裝置之瞬間與經由L 2到達保護裝置之瞬間 有差異，閘流管作業及一擊穿作業可在極高速度下執行於 電湧保護裝置，與在線路L :及1^ 2間執行閘流管作業相比 較，電路可以得到保護。 最好上述之耗盡層範圍wP及上述距離Wl，w2&w3 能符合下列之不等式（1 ):

Wp<Wi^W2 = W3 圖7 A及7 B顯示本發明之第三個實施例，圖8 A及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ,ιτ 张尺度Μ川家標今(CNS ) Λ4現格（210X 297公釐） 〇〇 A7 B7五、發明説明（21 ) 8 B說明說明本發明之第四個實施例。在此等實施例之下 一 n型第七半導體層η7(3，其與第一半導體層η 爲相同 之傳導方式並較層η 1()之雜質濃度爲高，該層η 在η型 第一半導體層η 1。之表面上形成。此第七半導體層η 7。之 形成較第二及第三半導體層（p2Q及p3Q)或（p^+及 P21 + )爲厚，並包封此等層（P2。及P3D)或（P21 + 及 P 3 1 + )。 以此種構型，電湧保護裝置導電之擊穿電壓之決定取 決於第七半導體層n7Q之基底摻雜密度（或載體濃度）而 定。第一半導體層η 1。可以變爲最佳而不致降低載體之擴 散長度至很小，並與擊穿電壓無關，即同時接收基底之串 聯電阻（即半導體層n i q )。 圖9A及9 B說明本發明之第五個實施例。圖1 〇A 及1 0 B爲本發明之第六個實施例，在此等實施例中，一 η型第七個半導體層η 7。，其與第三及第四個實施例之對 應層n7Q相似，該層n7o係在n型第一半導體層n10 — 之表面上形成。在第五及第六個實施例情況下，此一第七 半導體層ητ。之形成後較第二及第三半導體層（p2〇及 P30)或（p21+及p31 + )爲薄，及包封此等層（P20 及Ρ3〇)或（p21+及p31 + )，並使第二及第三半導體 層（P2Q及P3Q)或（p21+及P31 + )與第一半導體層 η 1 〇接觸。 以此種構型，在基底與半導體層間之接點之耗盡層係 形成於基底區域中，其中之摻雜密度或濃度甚低。因此， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ ,1Τ 本紙张尺度適州中阀1¾家棍彳（（’NS ) Λ4規枋（210X297公釐） -24- A7 B7 五、發明説明（22 ) 接點電容可大量降低。此一構型適於用於數位電路如一 I SDN (積體服務數位網路）。 再參考圖11A及11B，12A及12B，其中顯 示本發明之第七個實施例。此實施例中之雙向三終端電湧 保護裝置1 0含有許多Ρ η ρ η或η ρ η p閘流管，及有 第一電極1 1及第二電極1 2備於其前表面之上，尙有第 三電極13備於其背表面之上。此電湧保護裝置1〇有一 η型第一半導體層η 1。’其亦作爲基底之用。一對ρ型第_ 二及第三半導體層η 1(3在此半導體層η 之前表面形成後 在其上暴露並彼此分開。此外，第四半導體層η4。及η4〇 在此等半導體層P 2(D及Ρ 3(3之外側表面上形成後在該處暴 露並由層p 2Q及P 30所包封。此外，單一第五半導體層 P 50在η型第一半導體層n i。之背表面上形成並自該處暴 露並面對上述之第二及第三半導體層口 20及ρ 30。同理， 一對第六半導體層P 60及P 6。在此第五半導體層ρ 5〇之 外表面上形成後自該處暴露，但並不面對第四半導體層 η 4 〇 及 η 4 〇 ° 第一電極1 1係將由層ρ2〇在外表面上之包封之第二 半導體層Ρ2。及第四半導體層η40予以短路而形成。此外 ，第二電極1 2係將由層p3Q在其外表面包封之第三半導 體層P30及第四半導體層Π4。予以短路而形成。此外，第 三電極1 3係將第五半導體層ρ 5〇及一對第六半導體層 η 6〇及η 及在其外側表面上之第一半導體層彼此予以短 路而形成。 州屮阄阀家標彳（（’NS ) Λ4規格（2丨OX297公釐 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 A7 B7 經濟部中央標牟扃兵工消阶合作社印欠 五、發明説明（23 ) 如圖1 3所示，此一構型之電湧保護裝置1 0係連接至 電子電路3 0之預備級’該電路3 0再連接至線路L:及 L 2。在一正過壓電湧加至線路L :及匕2上之情況下，如 所加之電壓超過半導體層η 及半導體層p 2()或1) 3〇間 接點之抵抗電壓時，一擊穿電壓即已造成，如圖1 4之V - I特性曲線中之實線所示。此外當所加之電壓到達擊 穿電壓VB。，造成電極1 1及1 3間或電極1 2及1 3間 之連續導電。 對照之下，當一負電壓加至線路L 2而電壓超過 半導體層η 1 0及半導體層p 2 0或ρ 3 0間接點之抵抗 電壓，擊穿即已造成。此外，在電極1 2及1 3間或電極 1 1及1 3間造成持續傳導。此上述導電之結果，電湧電 流不會流過電子電路3 0，但流入地G中。結果，電子電 路3 0獲得保護，此外，當電湧進入線路L i及地G間之部 分，及線路L 2及地G間之部分時，而時間不同，則安排在 第一及第二電極1 1及1 2間之半導體層Π40 , P20 ’ nl〇及p30之形成可使有一雙向閘流管結構。因此 ，在線路L !及L 2間有一閘流管操作，故電湧所吸收。 圖15A，15B，16A及16B顯示本發明第八 個實施例，在此實施例之下，三終端電湧保護裝置1 〇包 括許多Ρ η ρ η或η ρ η ρ閘流管並有一第一電極1 1及 一第二電極1 2備於其前表面之上，尙有一第三電極1 3 備於其背部表面。此電湧保護裝置1 〇有一 η型第一半導 體層n 1Q，其亦作爲一基底。一對ρ型第二及第三半導體 ---------------ir------f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適州中國拽家標彳（（、NS ) Λ4现格（210X297公釐） -26- 經滴部中夾標lf局裒工消费合作社印％ A7 ______B7__五、發明説明（24 ) 層p21+及p31+在此半導體層n 1Q之前表面上形成，並 在其上暴露，彼V此分開。此外，一η型第四半導體層 n 4 i +及一 ρ型半導體層ρ 22 + +在此半導體之外側表面上 形成，並自該處暴露並由層p21+所包封。此外，一η型 第四半導體層η42 +及ρ型半導體層ρ 32 +在此半導體層 ρ31+之外側表面上形成，並自該處暴露，並由層ρ31 + 所包封。 單一 Ρ型第五半導體層ρ 51+在η型第一半導體層 n to之背部表面上形成，並自該處暴露至面對上述之第二 及第三半導體層ρ21+及ρ31+。此外，一對ρ型半導體 層Ρ 52 +及ρ 52 +在此第五半導體層ρ 51 +之外側表面上 形成，而自該處暴露並由第四層Π41+及Π42 +所分別包 封。此外，一對η型第六半導體層η61+及ρ61+在此半 導體層ρ52 +及ρ52 +之外側表面上形成，並自該處暴露 及分別在半導體層ρ 22 + +及ρ 32 + +之對面》 第一電極11係由第二半導體層ρ 22 + +及半導體層 n4i+及半導體層ρ22 + +短路而形成，該等層並被層 ρ21+所包封於其外側表面。此外，第二電極12係將第三 半導體層ρ 31+及半導體層η 42 +及η 32 +予以短路而形 成，該等層被第三半導體層ρ31+在其外側表面所包封。 此外，第三電極1 3係將一 ρ型第五半導體層ρ51+及半 導體層ρ52 + +及η61 + +予以短路而形成，該等層被此半 導體層Ρ 51+在彼此之外側面所包封。 在第八個實施例情況下，在電湧保護裝置之前表面部 I I .^批衣 訂 I . .( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適川中阈囤家標今（（，NS ) /\4規格（210X 297公釐） -27- A7 A7 經濟部中央榡準局货Η消贽合作社印S私 -28- _______B7_____ 五、發明説明（25 ) ~ 分被第二半導體層pai +所包封之半導體層P22 +係在層 P21+中形成，而被第三半導體層P3i_包封之半導體層 P 2 2 + *則在層P 3 1 +中形成。此外，在保護裝置之背部表 面部分，一對被第五半導體層P 51+所包封之第六半導體 層n6l +及Π6ΐ +形成在層p51 +中。此外，半導體層 P52 + +及p52 + +被第五半導體層p51+及P51+所包封 在層pS1+及psi +中分別形成。因此，與第一個實施例 相比’電湧保護裝置之電湧保護特性在第二個實施例已有 改進。關於其他方面，即第二實施例之操作與第一實施例 相似。因此，重複之作業說明於會已省略。 在圖11A，11B，15A及15B中說明之第七 及第八個實施例之情況下，令代表第二半導體層p20 或第三半導體層p3Q或p31 +間之距離。此外，最 好此距離小於或等於第五半導體層P 5 Q或P 51+及第二半 導體層p2。或p21+間之每一距離，該層在第五半導體之 對面，及第五半導體層p5。或p51+及第三半導體層p30 或P 31+間之距離，該層在第五半導體之對面。 此外，最好第一電極1 1及第二實施例1 2間之部分 執行一貫穿作業以響應第七及第八實施例之過壓。圖 1 1A及15A顯示一種狀態，其中，第二半導體層p2〇 及p 21 +中之耗盡層wP分別連接至第三半導體層P 3。及 P 31+之耗盡層。 今設定Wl，讯2及贝3使其Wl$W2及W1SW3，或 設定電湧保護裝置使其電極11及12間部分執行一貫穿 $紙张尺度圯中‘K家掠呤U’NS ) 現格（21 OX 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 鳄？"部中"'^^-^,、：^丁，消只合：；；：：，1,印；^ A7 B7 " 一 —--—— - . 五、發明説明（26 ) 作業以響應一過壓，即使線路L 1及1^ 2之品質不太均勻而 電湧經由L !到達保護裝置之瞬間與電湧經L 2到達保護裝 置之瞬間不同，一閘流管及一貫穿作業均可靠地執行並以 極高速度在電湧保護裝置內行之，此與在閘流管在線路L 1 及L 2間執行相比較，電子電路可獲得保護。 最好上述之耗盡層之範圍wP及上述之距離Wl，W2 均可達到由上述之不等式（1 )所代表之需求。 圖1 7A及1 7 B顯示本發明之第九個實施例》圖 1'8 A及1 8 B說明本發明之第十個實施例。在此等實施 例下’ η型第七個半導體層n7〇，其與第一半導體層ηιο 爲同一導電形式並有較層n 1Q爲高之摻雜濃度，該層 η 係形成在η型第一半導體層η iq.之上。此第七個半導 體層η70之形成後可較第二及第三半導體層（Ρ2。及 'p3Q)或（ρ21+及ρ31 + )爲厚並包封此等層（ρ2。及 p3Q)或（ρ21+及ρ31+)。此外，第八半導體層η8〇 之形成後可較第五半導體層p 50或Ρ 51+爲厚並包封住第 五半導體層ρ 5 Q或Ρ 5 ^ +。 以此一構型，使電湧保護裝置導電之擊穿電壓之決定 視第七個半導體層η 7ΰ之摻雜密度（或載體濃度）而定。 第一半導體層n 1Q可爲最佳以同時採取基質之串聯電阻（ 即半導體層η ίο)而不降低載體之擴散長度至很小而與擊 穿電壓無關》 此外，圖19Α及19Β說明本發明之第1 2個實施 例。在此實施例中，一 η型第七個半導體層Π7。，其與第 請先閱讀背面之注意事項再填"本頁) 訂 本紙ί艮尺度適州屮阁阀家橾準（CNS ) Λ4規格（2!0X297公釐） -29 · 經濟部中夾標準扃只工消贤合竹社印來 A7 ---- 五 '發明説明（π ) 9及1 0實施例及第8半導體層n8。，中之對應層n70相 似，此層η 形成在η型第一半導體層n id之前及後表面 °在第5及第6個實施例情況下，第七個半導體層Π7〇之 形成較第二及第三半導體層（P2D及Ρ3。）或（Ρ21+及 Ph + )爲厚並包圍此等層（P2Q&P3Q)或（ρ2〆及 Ρ 3 1 + )，並使第二及第三半導體層（P2Q及P3Q)或（ PMlpa，）與第一半導體層Π"接觸。此外，第8 個半導體層n8(D形成後可較第5個半導體層p5Q或ρ51 + 爲厚並包圍此層ρ 50或Ρ 51+，並使此層Ρ 50或Ρ 51+與 第一半導體層η 1。接觸。 以此一結構，在基底及半導體層間之接點之耗盡層係 在基底區域形成，其中之摻雜密度或濃度很低。因此，接 點電容可大舉降低。此一構型適於用於如I S QN之數位 電路中。 此外，圖21Α，21Β，22Α及22Β顯示本發 明第1 3個實施例。此實施例中之雙向三終端電湧保護裝 置1 0包括許多ρ η ρ η或η ρ η ρ閘流管並有第一電極 1 1，第二電極1 2，第三電極1 3及第四電極1 4備於 其前表面上’尙有一第五電極備於其背部表面與第一及第 二電極面對’尙有第六電極1 6與第三及第四電極面對。 電湧保護裝置1 0利用一 rr型矽基底η，其亦作爲基底 1 0 a作爲開始材料。一對半導體層在基於1 〇 a之前 表面之左邊一半形成，並在該處暴露及與彼此分開。此外 ，半導體層n+形成於此等半導體層p+之外表面而自該處 本紙張尺度诚川中國1¾家標彳（（’NS )/\4规梠（2丨0X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 •30· A7 B7 經消部中央標準局员-T消卟合竹.社印^ 五、發明説明（28 ) 暴露，並由層p+包封。此等半導體層n+形成之位置自圖 2 2 A之上部觀之此等半導體層並不彼此相對。與前表面 之左邊一半之情況相似，被層p+所包封之一對半導體層 P +及半導體層n+係形成在基底1 0 a之前表面之右邊一 半，並且暴露其上而彼此分開。在一對半導體層P +及半導 體層n+間之接點部分爲基質1 〇 a，備有由半導體層n 一 組成之觸發區17，其電湧容差較其他部分爲低。 爲製造上述之電湧保護裝置之表面結構，首先用Ρ型 式雜質之硼（Β)在η型矽基底1 〇 a中擴散，而形成一 Ρ η接點。工作電壓由此接點之崩潰擊穿而產生並由開始 材料之矽基底中之摻雜密度決定。另一方面，觸發區1 7 (η /)之摻雜密度較矽基底爲高，該觸發區在矽基底與 第一擴散層ρ <間之接點中形成。此觸發區1 7之形成係 由暴露一部分矽基底再擴散相同形式基底之摻雜。工作電 壓値可由此觸發區17予以控制俾使其較基質材料之密度 爲基準而決定之一値爲低。 單一半導體層Ρ +係在此半導體層η之背部表面之左邊 一半形成，該層亦作爲基底1 0 a，形成爲暴露在該處並 面對上述之半導體層ρ +。此外，一對半導體層η +在此單 一半導體層ρ 5 0之外側表面上形成，並自該處暴露，但 並不面對半導體層η + » —對半導體層η+及一對半導體層 Ρ +在半導體層η之背部表面上形成，該層亦作爲基底亦自 該處暴露。此等半導體層η +及半導體層ρ +形成之位置如 在下面觀看（圖2 2Β)，則半導體層η+及半導體層ρ + (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ： 、\-° 丁 本紙張尺度適州中1¾¾家標呤（rNS ) Λ4坭格（2丨ΟΧ 297公漦） A7 B7 經淖部中夾標準局βΗ消费合竹社印5* 五、發明説明（29 ) 彼此相鄰。 第一至四電極1 1至1 4之形成係將由層p+在外側表 面所包封之半導體層p+及半導體層n+予以短路而成。此 外’第五電極15係將被層p+在外側表面所包封之半導體 P+及半導體層n+予以短路而成。此外，第六電極1 6係 將~•對半導體層P+及一對半導體層n+在外側表面予以短 路而形成。 以上所述之構型，第一電極1 1與第五電極1 5間， 及第二電極1 2及第五電極間之部分形成後有一閘流管接 點結構。此外，第三電極1 3及第六電極1 6間之一部分 及第四電極1 4與第六電極1 6間之部分形成後有一 ρ η 一接點結構。此外，第三電極及第六電極1 6間之及其餘 部分’及第四電極1 4及第六電極1 6間之其餘部分形成 後爲一閘流管接點結構。 如圖2 5所示，此構型之電湧保護裝置1 〇連接至電 子電路3 0之預備級，而電路3 0則連接至線路Lx及1^2 。即’如圖2 5所說明者，第二電極1 2及第三電極1 3 連接至線路Li，第一電極1 1及第四電極1 4連接至線路 Ls，及第五電極1 5及第六電極1 6則連接至地G。此外 ’具有正溫度係數之PTC熱阻器18插入第二電極12 及第三電極1 3間之線路Li之對應線路中之一部分（即， 插入該部分之間）。同理，具有正溫度係數之PTC熱阻 器19則插入第一電極11及第四電極14間對應之線路 L 2之線路中之一部分（即插入該部分之間）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

*ST 本紙張尺度適州中闽闽家標今（（，NS ) Λ4规格（2丨0X2W公簸〉 -32- 經濟部中典標卑历肖工消抡合作社印*'1士 A7 ——-_上____ 五、發明説明（30 ) 圖2 3 A爲閘流管是電極1 1及電極1 2間之一部分 .之橫向V- I特性曲線。圖2 3 B爲電極1 1或1 2及電 極電極1 5間部分之縱向V- 1特性曲線圖。圖2 4A閘 流管電湧保護裝置1〇爲之電極13及電極14間之部分 之橫向V — I特性曲線。圖2 4乃爲電極1 3或1 4與電 極1 6間部之縱向V— I特性曲線。圖1 4中之擊穿電壓 Vbd2由觸發區7 (見圖2 5 )以一値所設定，該値較圖 2 3中說明之擊穿電壓値爲低。 在一正過壓電湧加至線路L 2之情況下，如該加上之電 壓高於擊穿電壓Vbd2，首先，電極1 4及電極1 6將導 電。因此，電子電路3 0得以獲得保護。如一不正常電壓 ’超過擊穿電壓Vb d 2加上一長時間，熱控器1 9將產 生熱，電阻値亦上升。因此，在線路L 2與地G之間產生電 位差。結果，如此不正常電壓超過電極1 1及1 5間之擊 穿電壓丫^^^時，電極1 1及1 5將導電，俾熱阻器1 9 可不致被損壞。 對照之下，當一負電壓加至線路1^2，電極1 3及1 6 間之ρ η接點結構立即導電，如圖2 4 B之V— 1特性曲 線所示。此一導電之結果，電子電路3 0獲得保護。如所 加之負電壓之時間太長，熱阻器1 8產生熱，電阻値亦上 升。因此，在線路及地G間有一電涖差存在。結果，如 不正常電壓超過電極1 2及1 5間之擊穿電壓Vbdl，電 極1 1及15則導電，俾熱阻器18不致被損壞。 此外’在電湧進入線路L i及地G間之部分，及進入電 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ，?τ 本紙張尺度適州中1¾¾家標呤（CNS ) Λ4π掊（210X 297公漤） -33- 対濟部中央標隼扃負工消介合作社印來 A7 _____ B7五、發明説明（31 ) 路L 2及地G間部分之時間不同時，閘流管作業即行開始於 線路L ^及L 2與地G之間。因此，電湧被吸收。如電湧繼 續進入&閘流管作業於電極1 1，1 2間之線路L i及L 2 以吸收電湧而保護熱阻器1 8。 如上所述，在利用一般裝置情況下，二個二終端電湧 保護裝置分別連接至線路Lt及地G間之一點，及線路L2 及地G間之一點，當線路1^1及1^2係連接至電子電路如 SL I C之I C。但根據本發明之一特性，僅一個三終端 電湧保護裝置連接至該處，而非二個二終端電湧保護裝置 。因此，由於傳統電湧保護裝置間特性之變化而引起之缺 點於會已消除。結果，當電湧進入線路L t及地G間部分及 線路L2及地G間部分時，本發明之電湧保護裝置之二個閘 流器均幾乎同時工作，並吸收電湧。 另外，即使同時產生之電湧不同時間到達第一及第二 電極，因而造成二線路L t及L 2間之品質之變化，即其品 質不均勻，電子電路亦可得到保護。此係因爲一項事實， 即第一電極及第二電極間之部分之形成有一雙向閘流管結 構，因此，在線路L :及L 2間有一閘流管操作，電湧因而 被吸收。另外，由於在第一電極及第二電極間形成之雙向 閘流管結構，本發明之電湧保護裝置具有優異之效益，因 爲二個電極之間，即第一及第二電極間有一適當之工作電 壓，保持電流及電湧容差，故無操作之延遲，電湧保護裝 置亦可獲得保護而不致損壞。 雖然二終端電湧保護裝置連接至線路！^ i及地G間之一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

尺度適州屮S K家標^ ( (’NS ) Μ现梠（210〆297公漦） 34- 經滴部中夾標隼局货-τ·消费合竹社印f A7 ___ B7__ 五、發明説明（32 ) 點及線路L 2及地G間之一點，在使用傳統裝置情況下，當 線路1^及1^2連接至一電子電路，如SL I C之I C，發 生在傳統保護裝置中之電湧保護裝置間之特性變化，根據 本發明另一特性，該變化由本發明之電湧保護裝置予以消 除，其中係由原一三終端電湧保護裝置連接至.該處而非二 個二終端電湧保護裝置。結果，在電湧同時進入線路L 地G之間及進入線路L 2及地G之間時，本發明之電湧保護 裝置幾乎同時操作並吸收電湧。 除此以外，在使用傳統電湧保護裝置之下，二個不同 工作電壓之三終端電湧保護裝置當線路L :及1^ 2連接至電 子電路時，係連接至電子電路之預備級。但根據本發明又 一特性，使用本發明電湧保護裝置時，單一三終端電湧保 護裝置連接至該處而非二個傳統之三終端電湧保護裝置。 此不但可以方便將保護裝置倂入保護電路，並可管理電湧 保護裝置之生產及存量。 以上已敘述本發明之較佳實施例，吾人應了解本發明 並不僅限於此，其他修正對精於此技藝人士當屬可行而不 致悖離本發明之精神。 本發明之範圍由以下申請專利範圍予以決定》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈· 本紙张尺度迠州中國Κ家標呤（（、NS ) 梠（2丨0 X 297公釐） .35 -

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 種電湧保護裝 m w 有許多ρηρη或ηρηρ閘 流管，第一及第二電極（_，12)備於其前表面上 及第三電極（1 3 )備於其1戔表面上， 其中該第一電極（1 1 )與該第三電極（1 3 )之間 一部分形成後有一閘流管結構； 其中該第一電極（1 1 )第三電極（1 3 )間一部分 之另一部分形成後有一 Ρ η接點結構； 其中該第二電極（1 2)與第三電極（1 3)間之部 分之一部分形成後有一閘流管結構： 其中該第二電極（1 2 )與第三電極（1 3 )間一部 分之另一部分形成後有一Ρη接點結構；及 其中該第一電極（1 1 )與第二電極（1 2 )間之一 部分形成後有一雙向閘流管結構。 2 .如申請專利範圍第1項之電湧保護裝置，其尙包含 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 1T· 該層爲一基底 經濟部中央*隼局員工消費会作fi中装 一 η型或ρ型第一半導體層（ 一對Ρ型或II型第二及第三半導體層（Ρ20，ρ30) 於第一半導體（ηι〇)之前表面上形成後自該處暴露且彼 此分開； η型或ρ型第四半導體層（Π4〇 ’ n4Q)在第二及第 三半導體層（p2Q，P3Q)之外側表面上形成後在該處暴 露並由第二及第三半導體層（P2Q ’ P30)分別包封； 第五半導體層（P50 ’ P50)在該第一半導體層（ 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36- 經濟部中央樣準局員工消費合作钍印裝 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 n 1Q)之後表面上形成並自該處露出而與該第四半導體層 (n4Q，n4Q)成對面；及 第六半導體層（η6〇，η6〇)在第一半導體層（ n 1Q)之背面上形成，並自該處露出，與第二及第三半導 體層（p2Q，P3Q)成對面， 其中之第一電極（1 1 )係將第二電極（P2。）及第 四半導體層（Π40)予以短路而形成，該層（n4Q)由第 二半導體層（P 在第二及第四半導體層之外側表面所 包封， _•該第二電極（1 2)係將第三半導體層（P3Q)及第 四半導體層（n4D)予以短路而形成，該層（Π40)由第 三半導體層（P3G)在第三及第四半導體層之外側表面所 包封；及 其中該第三電極（1 3 )係將第五半導體層（p5〇， p5Q)及第一半導體層（n1Q)在第一及第五半導體層（ 111。，P5Q)之外側表面予以短路而形成。 3 .如申請專利範圍第1項之電湧保護裝置，尙包括： 一 η型或P型第一半導體層（n1Q)，其爲一基底； 一對P型或η型第二及第三半導體層（p21+， p31 + )在第一半導體層（_n1[5)之前表面上形成而自該 處暴露並彼此分開； 一 η型或P型第四半導體層（n41 + )及一p型或η 型半導體層（Ρ22+)在該第二半導體層（ρ21 + )之外 側表面形成，並在該處暴露，並由該第二半導體層（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- *tT 本紙张尺度逋用中鬮國家標準（CNS ) A4規格（210Χ29?公釐） -37- 經濟部中央揉準局負工消費合作社印裝 A8 B8 C8 _ D8 ______ 々、申請專利範圍 p 2 1 + )所包封： 一 η型或p型第四半導體層（ n42 + )及一 P型或η 型半導體層（Ρ32 + )在第三半導體層（ρ3ι + )之外側 表面上形成，並自該處暴露，並由第三半導體層（Ρ31 + )所包封； 一對Ρ型或η型第五半導體層（Ρ51+，ΡΜ + )及 —對η型或ρ型第六半導體層（ρ61+，·ρ61 + )在第一 半導體層（η 1<5)之背表面上形成，並自該處暴露而彼此 分開； ρ型或η型半導體層（η52 + +，η52 + +)於該對第 五半導體層（η51+，η51 + )之前表面上形成，並自該 處暴露而由該第五半導體層（η51+，η51 + )所包封； 其中，該第一電極（1 1 )係將第二半導體層（ ρ21 + )及第四半導體層（η41 + )及半導體層（ρ22 + )予以短路而形成，該層（ρ22+)由第二半導體層（ ρ21+)在第二及第四半導體層之外表面所包封， 其中該第二電極（1 2 )係將第三半導體層（ρ31 + )及第四半導體層（η41 + )及半導體層（ρ32+)予以 短路而成，該層（ρ32 + )由第三半導體層（ρ31 + )在 第二及第四半導體層外表面上所包封，及 其中該第三電極（1 3 )係將一對第五半導體層（ Ρ 5 1 + * ρ5ι + )及該半導體層（ρ52 + +，ρ52 + +)及 一對第六半導體層（ρ61+，ρ61 + )在該半導體層上外 側表面上予以短路而形成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 裝. •1Τ -38- 經濟部4-央橾隼局員工消費合作社印裂 A8 Βδ C8 D8__、申請專利範圍 4 .如申請專利範圍第2項之電湧保護裝置，其中在第 二半導體層（P2G或P21 + )及第三半導體層（P 3。+或 P 3 i + )間之距離（W :)小於或等於第五半導體層（ p5〇或p51 + )及第二半導體層（P20或Pn。間之距 離（w2)，該層與第五半導體層（P5。或PM + )相對 ，及小於或等於第五半導體層（.P5。或？51 + )與第三半 導體層（P32或P31 + )間之距離（) ’該層與第五 賴!琴 半導體層（p5。或p51 + )相對。II 5.如申請專利範圍第1 一 4項 ，其中該第一電極（1 1 )'及第二電纏鱗： 分適於執行一貫穿作業以響應一過壓 6 ·如申請專利範圍第2 - 4項一項之電湧保護裝 置，其中一第七半導體層 項之電湧保護裝置 2 )間之一部 了 〇)與 pi m 半導體層 10·)係相同傳導形式，其雜質密度較第一半導體層爲高 該層（n7Q)在第一半導體（n1D + )之一表面上形成 7 .如申請專利範圍第6項之電湧保護裝置，其中該第 七半導體層（Π 7D)較第二及第三半導體層（P 20， Ρ30或〇21+或？31 + )爲厚，並包封該第二及第三半導 體層（Ρ ρ 3 0 或 Ρ 2 1 + 或 p 8 .如申請專利範圍第6項之電湧保護裝置，其中該第 七半導體層（Π7。）較第二及第三半導體層（ρ20， P3Q或p2l+或Ρ31 + )爲厚並包圍該該第二及第三半導 體層（P2〇 ’ P3Q或Ρ2〆，ρ31 + )及包圍該第二及第 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS )八45祕（21〇χ297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 订 -39- 六、申請專利範圍 三半導 二及第 五半導 9 η ρ η 前表面 其 部分， 分及第 A8 B8 C8 D8 體層（P2Q，ρ3。或 ρ21+，ρ 三半導體層（Ρ 2 Q，Ρ 3。或Ρ 2 體層（Πιο)接觸。 .一種雙向電湧保護裝冑_ P 及使該第 :+ )與第 有許多ρ η ρ η或 i r- ^ ϋ.； fl 流管，第一及第二( 1 1，1 2 )備於其ten 上’及〜第三電極（1 Γ)在其後表面上， 中該第-電極（1 1 )及第三電極（1 3 )間之一 該第二電極（1 2 )及第三電極（1 3 )間之一部 一電極（1 1 )與第二電極（1 2 )間之一部分有 P閘 一雙向閘流管結構。 1 0 .如申請專利範圍第1項之雙向電湧保護裝置 尙含 —η型或ρ型第一半導體層（n i 〇 )，該層爲一基底 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 ~對P型或η型第二及第三半導體層（P2Q，p30) 在該第一半導體層（n 1Q)之前表面上形成，並自該處暴 露而彼此分開； η型或ρ型第四半導體層（n4Q，n4Q)在該第二及 第三半導體層（p2Q，p3Q)之外側表面上形成並自該處 暴露，並被該第二及第三半導體層（p2。，p3Q)分別包 封； 單一 ρ型或η型第五半導體層（P 在該第一半導 體層（n lfl)之背表面上形成後自該處暴露，並與該第二 及第三半導體層（P2Q，p3〇相對； 本紙張尺度逋用中國固家標準（CNS } A4規格（210X297公釐） -40- A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一對η型或p型第六半導體層（n6。，n6Q)在該第 五半導體層（n 1(J)之外側表面上形成後在該處暴露，但 不與該第四半導體層（P4。，P4。）相對， 其中該第一電極（ii)係將第二半導體層（P2Q)及 該第四半導體層（Π4。）予以短路而形成，該層（n4〇) 被第二半導體層（P 2Q )在第二及第四半導體層之外表面 所包封， 其中之第二電極（1 2 )係將該第三半導體層（p30 )及第四半導體層（Π4。）予以短路而形成，該層（Π40 )係由第三半導體層（p3Q)在第三及第四半導體層之外 側表面包封，及 其中之第三電極（1 3 )係由第五半導體層（p5〇) 及該對第六半導體層（n6。及n6Q)在該第五及第六半導 體層之外側表面上予以短路而形成。 1 1 .如申請專利範圍第9項之雙向電湧保護裝置，尙 含： —η型及p型第一半導體層（n1Q)，其爲一基底； 經濟部中央標準局負工消費合作社印袈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —對P型或η型第二及第三半導體層（p21+， p31 + )在該第一半導體層.（n1Q)之前表面上形成，並 自該處暴露而彼此分開； 一 η型或p型第四半導體層（n41 + )及一 p型或η 型半導體層（Ρ22 + )在該第二半導體層（ρ21 + )之外 側表面上形成，並自該處暴露，並由該第二半導體層（ Ρ 2 ! + )分gij包封； 本紙張尺度適用f國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 - 經濟部中央棣準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 一 η型或p型第四半導體層（n42 + )及一 p型或η 型半導體層（Ρ32 + )在第三半導體層（ρ31 + )之外側 表面上形成，並自該處暴露，及由第三半導體層（ρ31 + )分別包封； 單一 Ρ型或η型第五半導體層（ρ51 + )在第一半導 體層（n1Q)之背表面上形成，並自該處暴露，而與第二 及第三半導體層（P 2 i +，P 3 i + )相對； —對P型或η型半導體層（n52 + +，n52 + +)在第 五半導體層（n51 + )之外側表面上形成，並自該處暴露 ，並與第四半導體層（η41+，Π42 + )彼此相對； 一對P型或η型第六半導體層（n61+，n61 + )在 第五半導體層（p51 + )之外側表面上形成，並自該處暴 露，而與該半導體層（P22++，P32 + +)相對， 其中之第一電極（1 1 )係將第二半導體層（p21 + )及該第四半導體層（n41 + )及半導體層（p22+)予 以短路而形成，該層（p22 + )被第二半導體層（p21 + )在第二及第四半導體層在外側表面所包封， 其中之第二電極（1 2 )係將第三半導體層（p31 + )及第四半導體層（Π42 + )及半導體層（p32 + )予以 短路而形成，該層（p32 + )由第二及第四半導體層在外 側表面所包封，及 其中之第三電極（1 3 )係將該第五半導體層（ p51 + )及該半導體層（p52 + +，n61 + )在該半導體層 之外側表面上予以短路而形成。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 、ϊτ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） -42- 六、申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之雙向電湧保護裝置， 其中’在第二半導體（P2Q或P22 — )及第三半導體層（ P “或p3l + )間之距離（Wl)係小於或等於第五半導 體層（P5〇或p51 + )及第二半導體層（P2。或P21 + ) 間之距離（w2)，該層（ρ2。或p21 + )與第五半導體 層（P5Q或ρ5ι + )相對），及第五半導體層（P50或 P51 + )與第三半導體層（P3Q或P31 + )間之一距離（ w 3 } ’該層（P30或p31 + )與第五半_||層（p 5 〇或 P 5 i + )對面。 13.如申請專利範圍第9 — 12 保護裝置，其中該第一電極（1 1 ) j 間部分適於一貫穿作業以響應一過壓。 1 4 .如申請專利範圍第1 〇 — 1 2項中 電湧保護裝置，其中之第七半導體層（n7〇 體層（n8〇)與第一半導體層（n1〇 式，但其雜質密度較第一半導體層爲高，該二半導體層係 在第一半導體層（n 1Q+)之前及後表面上形成。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之雙向電湧保護裝置’ 其中該第七半導體層（n7Q)較第二及第三半導體層（ p2Q，P3。或p21+或P31+)爲厚並包封該第一及第二 半導體層（P20，P3Q或P21+或P31 + ) ’其中之第八 半導體層（n8Q)較第五半導體層（P50)或（+ ) 爲厚，並包封該第五半導體層（P5Q)或（p51 + )° 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之;4雙向電湧保護裝置 I ®項之雙向電湧 極（1 2 ) 肩1S! 一項之雙向 ~ T八半導 )爲相同之傳導形 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS)A4規格（21〇 x 297公董） -4 3- 經濟部中央標準局負工消費合作社印袋 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 ，其中該第七半導體層（Π70)較第二及第三半導體層（ P2。’ P3Q或p21+或p31 + )爲厚，並包圍該第二及第 三半導體層（P2。，p3Q或P21+，p31 + )及使該第二 及第三半導體層（P2Q，P3Q或p21+，P31+)與第一 半導體層（n1Q)接觸，及其中之第八半導體層（118〇) 較第五半導體層（p5Q)或（p51 + )爲薄，及包圍該第 二及第三半導體層（P2Q，p3Q或p21+，P31 + )及使 該第二及第三半導體層（p2D，p3D或p21+，p31 + ) 與該第一半導體層（nu )'\接^觸》 1 7 種電湧保護裝有許多ρηρη或npnp 閘流管，第一及第二，第三皮寒.四電極（1 1，1 2， 13，14)備於其前表面上，並有一第五電極（15) 備於其背表面之上，其方式爲與第一及第二電極相對，及 有一第六電極（1 6 )備於其背表面上與該第三及第四電 極相對， 其中之第一電極（1 1 )與第五電極（1 5 )間之一 部分，及第二電極（1 2)與第三電極（1 5 )間之一部 分形成後有一閘流管結構， 其中該第三電極（1 3 )及第六電極（1 6 )間部分 之一部，該第四電極（1 4)及該第六電極（1 6 )間一 部分之一部形成後有一 Ρ η接點結構，及 其中該第三電極（1 3 )與第六電極（1 6 )間部分 之另一部’及第四電極（1 4)及第六電極（1 6 )間部 分之另一部形成後有一閘流管接點結構，及 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^裝 訂 -44 - 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 其中一觸發區（17)，其保持電壓較其他部分之保 持電壓爲低，該觸發區備於一接點部分之一部以供決定第 三電極（1 3 )及第四電極（1 4)間之前向保持電壓。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 本紙痕尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45-