經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 A7 __B7 五、發明説明（彳） 【發明之技術領域】^ 本發明係關於一種適合於檢測出光碟的追縱誤差訊號 之光學裝置，例如適用於將來自發光部的光照射於光學記 錄媒體（例如光碟，相變化型光碟等）的被照射部，而來 受光檢測出自被照射部反射的反射光之情況時，尤其是對 於深度爲λ/4 η的凹槽，或者是對於具有以此爲準的記 錄部位的光碟進行追縱誤差訊號檢測時非常適用。 【先前之技術】 就以往的光學裝置而言，在小型光碟（C D )播放器 等之光碟驅動器或光磁氣碟片驅動器的光學拾取器中，由 於是各別組裝光柵及光束分離板等之光學零件，因此而導 致裝置全體的構成會變得複雜且大，並且在基板上以混合 方式進行組裝時對於光學性的配置設定的對準精度要求得 非常嚴格。 圖1 6係表示習知小型光碟（CD)之再生專用的光 學拾取器之一例的構成圖。此光學拾取器8 1係具備半導 體雷射82，繞射元件83，光束分離板84，物鏡85 及由發光二極體所構成的受光元件8 6。在此，來自半導 體雷射8 2的雷射光L會在光束分離板8 4被反射，接著 利用物鏡8 5予以會聚，然後照射於光碟9 0上，並且在 此光碟9 0所被反射的反射光會透過光束分離板8 4，而 於受光元件86進行受光檢測。 ’ 但是，此類的光學拾取器8 1不僅零件數量多且大型 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐)~ I---------^------，玎-------^ (請先Μ讀背面之注意事項再ί本頁) 經濟部中央標準扃負工消费合作杜印製 A7 _B7_ 五、發明説明（2 ) ，而且配置精度要求得'非常高，生產性低。 在此，光學拾取器等之光學裝置之追縱伺服的方法， 例如有通常推挽法（push-pull )’ 3光束法及外差法等》 其中，就以往之推挽法而言，當光碟上的入射光的光 束點徑自軌道或凹槽偏移時，在± 1次反射光中會產生強 度差，因此而導致遠視野領域影像會形成非對稱狀態，例 如藉由2個檢測器來取出對應於此非對稱狀態的訊號，並 利用運算器來運算這些訊號，而藉此來檢測出光束點徑的 偏移（參照圖17)。 圖17係表示使用推挽法的追縱伺服機構的槪略構成 圖。 如圖1 7所示一般，若在藉由碟片5 2表面的凹槽所 形成的凹凸上被光照射的話，則光會利用凹凸而被繞射， 而被分割成0次繞射光（主光束B )及± 1次繞射光（副 光束B / )。 又，於圖中，S。，Si係分別表示〇次繞射光及±1 次繞射光的照射光點。並且，根據物鏡的開口，So係形成 圓形。 此情況，如圖1 7Α所示，配置形成有2分割發光二 極體PDR，PDi^，而供以作爲發光部。並且，藉由差動 放大器等（圖中未示）來針對這些發光二極體PDR，
PDl之受光後的訊號進行例如（PDl—PDr)之類的 運算處理，而得以取得追縱誤差訊號TE 並且，當軌與入射光束的中心軸偏移時，由於在± 1 本紙張尺度逍用中团B家標準（_CNS ) A4规格（210><297公釐)^ ---------f------?τ--.---i--.^ (請先閲讀背面之注意事項再f本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印褽 A7 ______B7 _ _ 五、發明説明（3 ) 次繞射光的繞射資訊中產生偏差，因此TE = (PDi· -PDR)不會成爲0，而會按照偏移後的方向顯示出正或負 的値。藉此，而得以檢測出偏離軌道的方向及量。 由於利用推挽法的伺服機構只要有2分割發光二極體 便可實現，因此價格便宜，但會受到透鏡位移的影響，使 得來自碟片的反射光會在受光面上重直位移於受光元件的 分割線，而導致在訊號中產生較大的偏移。 在此，如圖1 8A所示，若透鏡5 1偏移於橫方向的 話，則發光二極體PDl，PDr的光點也會跟著位移（如 圖中之虛線所示），藉此即使追縱正確，追縱誤差訊號 TE也不會等於〇。 又，如圖18B所示，當透鏡51傾斜於碟片52時 ，光點也會跟著位移（如圖中之虛線所示），藉此即使追 縱正確，追縱誤差訊號T E也不會等於0。 圖1 9係表示在習知之推挽訊號的情況時，上述物鏡 的位移對追縱誤差訊號所造成的影響。其中，縱軸係以相 對値表示之。碟片，係以凹槽的間距爲1 . 60//m，凹 槽的深度爲波長/8，duty (凹槽的比率）爲6 5%之碟 片來進行計算。並且，波長爲0 . 78μπι。 根據圖19，在習知之推挽訊號中，依物鏡的位移， 追縱誤差訊號亦對應於此而令全體位移。 在此推挽法中，再生用雷射的波長爲λ，碟片5 2的 透明基板的折射率爲η，碟片5 2的凹槽深度爲λ/4 η 時’由於受到0次繞射光與±1次繞射光的干擾而形成的 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Μ祝格（210X297公釐)~Γ6"Ζ ' ---------^------ir------II 線 (請先W讀背面之注意事項本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作杜印製 Α7 Β7 五、發明说明（4 ) 訊號爲0，因此原理上'無法檢測出追縱誤差訊號。因此， 將無法利用於凹槽深度爲λ/4 η的規格之碟片5 2。 例如，D V D ( Dedital Versatile Disk ) — R Ο Μ， D V D — Video爲接近此類規格，因此推挽法將無法適用。 另外，就3光束法而言，係根據繞射格子來分割光， 而形成主光束及其兩側的2條副光束，如圖2 0所示，在 碟面的光點位置上，將主光束之光點_S〇，及其兩側的副光 束之光點Si，S2照射於碟片5 2的凹槽或凹槽，而分別 來檢測出2條副光束的反射光，然後取得差訊號，藉此得 以執行與推挽法相同的追蹤伺服機構。 在此，若主光束的光點St)偏離軌中心的話，則根據副 光束的光點S:，32而產生的反射光會形成不對稱，且根 據差訊號而形成的追蹤誤差訊號會從0開始變動。由於此 追蹤誤差訊號的變動量是對應於來自主光束的光點S。之軌 中心的偏移量而變化，因此能夠執行追蹤伺服機構。 並且，主光束的反射光，係使用於碟片記錄訊號的檢 測。 此情況，雖然亦可對應於透鏡位移，但因爲必須通過 光柵等之繞射格子，所以零件的數量會增加，且會因主光 束的光量減少而導致消費電力增加，甚至調整複雜，因而 使得製造成本也會跟著增加》 其他，特別是針對有助於執行凹槽深度爲λ/4 η之 規格的碟片之追蹤誤差伺服機構的方法而言，例如有相位 差檢測法。 本纸張尺度適用中國困家標準（CNS M4規格（210X297公廉)-T- ---------1^.-- (請先W讀背面之注意Ϋ項再Ϊ本頁) 订 線 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印氧 A7 __B7_ 五、發明説明（5 ) 相位差檢測法，係*由以RF (高頻）訊號爲基準而 針對2次元凹槽的繞射光譜進行外差檢波之方法，以及針 對在光檢測器上所被檢測出的各訊號進行數位運算處理之 方法等來實現。 ‘ 在相位差檢測法中，例如圖2 1所示一般，將以光軸 爲中心，而於被照射部（光碟）的凹槽列方向（正切方向 T)及與此方向T垂直的方向上形成縱橫4分割後的發光 二極體PD!，PD2，PD3，PD4，且予以設置在遠視 野領域中。然後，藉由此4分割發光二極體PDi-PDi 來檢測出自光碟所反射的光。 在圖2 1中，中央的圓爲對應於透鏡的瞳孔，相當於 0次繞射光的光點。其他周圍的8個圚相當於1次繞射光 的光點。又，中央的點線部爲對應於碟片的凹槽P之影像 〇 並且，對此4分割發光二極體PDi-PDd的構成進 行下述之訊號處理。 亦即，一方面考量相位，一方面針對各發光二極體的 檢測訊號的總和之RF訊號（PDi + PDa+PDa. P D 4 )，及運算各發光二極體的檢測訊號後之訊號（例如 PD1 + PD2-PD3 — PD4)進行外差法檢波。 【式1】係表示此刻之運算訊號的內容。y 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ϋ m ^^1 I ^^1 I I— n. I n I Γ - .-__ (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 經濟部t央揉準扃貝工消费合作社印装 A7 ___B7_ 五、發明説明（6 ) 【式1】 運算訊號 MPDdPDOJPDz + PDd = CSin(2 7Γ vi/vP)Sin(2 π a ω t/Vp) ν t :壞軌量 V p :凹槽列的周期 a:讀取位置的半徑 ω:光碟的角速度 C :定數 在此，【式1】的CSin(2Trvt/vP)的部份 ，若 RF 訊號（PDi + PDs+PDa + PDi)爲 cos (2^awt/vP)，則以此爲基準，使運算訊號 形成外差法檢波後所能取得的訊號。如此一來，可從藉由 外差法檢波所取得的訊號中求取壞軌量Vt。 此情況，因物鏡位移而造成追縱誤差訊號的偏移將難 以產生，而有利於形成凹槽深度爲λ/4 η之規格的碟片 【發明所欲解決之課題】 作爲改善上述習知光學裝置的缺點之構成，可爲一種 以能夠減少光學零件的數量及令光學配置設定時的對準簡 單化，以及能夠達成裝置全體的簡單化及小型化爲目的之 構成，亦即形成一種在透鏡等之會聚機構的共焦點位置上 配置發光部，且於此發光部的某共焦點位置近旁形成受光 本纸張尺度適用中國國家揉率（CNS )八4说格（2丨0八297公簸)"""" ---------裝------1Τ------'谦 (請先閡讀背面之注f項本頁) M濟部中央揉準局負工消费合作杜印«. A7 _B7____ 五、發明説明（7 ) 部之所謂的 C L C ( confocal laser coupler)構成。 又，本案申請入爲了消彌因上述透鏡的位移或碟片的 傾斜所產生之追縱誤差訊號的偏差，而首先提案一光學裝 置，該光學裝置係於上述共焦點位置上配置一形成受光部 的分割發光二極體，並藉由這些分割發光二極體及利用推 挽法等來執行追縱伺服機構。（參照日本特願平 7—35528號「光學裝置」）。 若利用此類的光學裝置，則由於可以利用共焦點位置 近旁的受光部之推挽法（C P P法）來進行追縱誤差訊號 的檢測，因此即使是在透鏡的位移或碟片的傾斜等情況下 還是能夠檢測出安定的追縱誤差訊號，而且可以大幅度地 簡化組裝時的對準程序。又，由於發光部與受光部是形成 於同一基板上，因此可以消減零件的數量，進而能夠達成 製造成本的低廉化及高可靠性化》 但，上述C P P法具有共焦點光學系特有的缺點。特 別是在不爲正確的聚焦時，亦即在焦點深度內稍微有散光 產生時會立刻曝露其缺點。 圖2 2爲其一例。圖2 2係表示產生散焦時利用 C P P法來計算出追縱誤差訊號與散焦量的關係之數値計 算結果的一例。其中，所使用的磁片是與圖19計算時使 用的磁片相同形狀。 由圖2 2可得知，即使是在± 1 //m以下的焦點深度 內不變，或是在焦點深度內產生散光（通常在焦點深度內 不稱爲散光，但爲了便於說明而稱之爲散光）的情況時， 本纸張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）""""^ 10 " ---------裝------訂-------線 (請先閎讀背面之注意事項本頁) 經濟部中央揉隼局胃工消费合作社印装 A7 B7_五、發明説明（8 ) 於利用C P P法來進行·追縱誤差的檢測中依然會產生誤差 〇 並且，在圖2 2中，如曲線G所示之散光= 一 0 . 0 5 μιη的情況時那樣，會有和本來的追縱誤差訊 號（曲線Ε所示之散光=一 0 . 00;/m的情況時）的頻 率不同之訊號及其他例如具有倍頻之追縱誤差訊號形成。 而且，如曲線Η及曲線I所示，訊號的正負會形成反轉。 另一方面，就光碟的光學系而言，在進行訊號的記錄 •再生時，除了追縱控制以外，聚焦控制也是必要的。通 常，聚焦控制是利用光點大小法•非點收差法•刃形邊緣 法等的方法來將散焦量控制在物鏡的焦點深度以下的程度 。但，由於散焦量並非經常保持於0 ，而是在焦點深 度內一直會產生微小的變動，因此在利用C P P法來進行 追縱誤差的檢測時，針對凹槽深度進行檢討前，有必要採 用考慮到散焦的影響之修正法或檢出法。 本發明有鑑於上述之問題點，而提供一種可以使光學 零件的數量減少及光學配置設定時的對準能夠簡單化，以 及在謀求裝置全體的簡單化及小型化的同時，可以對各種 凹槽深度的光學記錄媒體取得安定的追縱訊號（追縱誤差 訊號等），而得以容易地藉由半導體製程來進行製造之光 學裝置（光拾器等）。 【用以解決課題之手段】 本發明之光學裝置的構成係具有： - 本紙張尺度連用中國國家樣準（CNS > A4规格（210X297公釐） ---------^------ir-------^ (請先聞讀背面之注意事項再本頁) 經 央 標 準 Ά X. 消 费 合 作 社 印 % A7 _ B7_ 五、發明説明（9 ) —半導體部，該半導體部係於同一半導體*體上形有 :由在反射面上形成有凹槽的光學記錄媒體所構成之被照 射部，及半導體雷射，及由複數的反射面所構成之半導體 構造，及光檢測元件：及 —會聚機構，該會聚機構係於被照射部上會聚照射來 自半導體雷射的發射光，並且使自被照射部反射的反射光 會聚； 上述半導體構造係具有：至少使來自半導體雷射的發 射光反射之第1反射面，及使來自會聚機構的反射光的一 部份照射於光檢測元件之第2反射面及第3反射面； 上述半導體構造的第1反射面，第2反射面及第3反 射面係形成於會聚機構的共焦點近旁： 上述光檢測元件係具有：接受由第2反射面所反射的 反射光之第1檢測元件，及接受由第3反射面所反射的反 射光之第2檢測元件； 藉由第1檢測元件及第2檢測元件來針對凹槽邊緣（ 形成在光學記錄媒體的凹槽一方）的繞射光進行檢測，而 取得第1檢測訊號及第2檢測訊號，然後運算該第1檢測 訊號及該第2檢測訊號，藉此而取得追縱誤羞訊號。 若利用上述本發明之構成的話，則可藉由第1檢測元 件及第2檢測元件來針對凹槽邊緣（形成在光學記錄媒體 的凹槽一方）的繞射光進行檢測，而取得第1檢測訊號及 第2檢測訊號，然後運算該第1檢測訊號及該第2檢測訊 號，藉此來取得追縱誤差訊號，進而能夠充分地檢測出以 本纸張尺度適用中國國家標牟（CNS > A4规格（210X297公釐） (請先s讀背面之注意事項再f本頁) 經濟部中央揉準局工消费合作社印装 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS > A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（10) 深度λ/4 η爲中心的·規格之碟片的追縱誤差訊號。並且 可以取得受到透鏡位移或散焦的影響頗巨之追縱誤差訊號 〇 又，由於半導體雷射與反射面與光檢測元件是形成於 同一半導體基體上，因此能夠減少光學裝置的零件數量， 進而可以形成簡單且小型之構造。 【發明之實施形態】 本發明之光學裝置的構成係具有： 一半導體部，該半導體部係於同一半導體基體上形有 :由在反射面上形成有凹槽的光學記錄媒體所構成之被照 射部，及半導體雷射，及由複數的反射面所構成之半導體 構造，及光檢測元件；及 —會聚機構，該會聚機構係於被照射部上會聚照射來 自半導體雷射的發射光，並且使自被照射部反射的反射光 會聚： 上述半導體構造係具有：至少使來自半導體雷射的發 射光反射之第1反射面，及使來自會聚機構的反射光的一 部份照射於光檢測元件之第2反射面及第3反射面； 上述半導體構造的第1反射面，第2反射面及第3反 射面係形成於會聚機構的共焦點近旁： 上述光檢測元件係具有：接受由第2反射面所反射的 反射光之第1檢測元件，及接受由第3反射面所反射的反 射光之第2檢測元件； ^-Τ3-=- ----------_裝------?τ------1--^ {請先S讀背面之注意事項再1本頁) 經濟部中央樣準局Λ工消费合作社印氧 A7 ____B7 _ 五、發明说明（H ) 藉由第1檢測元件‘及第2檢測元件來針對凹槽邊緣（ 形成在光學記錄媒體的凹槽一方）的繞射光進行檢測，而 取得第1檢測訊號及第2檢測訊號，然後運算該第1檢測 訊號及該第2檢測訊號，藉此來取得追縱誤差訊號。 又，在上述光學裝置中，半導體構造的第1反射面， 第2反射面及第3反射面爲根據結晶成長於半導體基體上 的預定結晶面而形成者。 又，在上述光學裝置中，半導體構造爲藉由第1反射 面，第2反射面及第3反射面所構成的三角錐狀》 又，在上述光學裝置中，第1檢測元件及第2檢測元 件爲形成4分割者。 又，在上述光學裝置中，在半導體基體上形成有凹部 ，該凹部係從半導體雷射的形成部之半導體基體的基板表 面深入所需要之深度，而於該凹部形成光檢測元件。 以下，參照圖面來說明本發明之光學裝置之一實施形 如圖1之光學裝置的立體圖所示，本實施形態係適用 於對具有記錄凹槽（被照射部）的光碟2照射雷射光而來 讀出該記錄之光學拾取器。 又，圖2 (A)係表示光學裝置的側面圖。圖2 (B )係表示光學裝置的平面圖。 此光學裝置10係由光半導體元件7所構成。 上述光半導體元件7係形成有： 一半導體雷射L D，該半導體雷射L D係於同一半導 本纸張尺度遄用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐)~~' 14 " ' ----------^------.ΤΓ---------^ {請先《讀背面之注項再ί本頁) 經濟部中央揲率局貝工消费合作社印製 本纸張尺度逍用中國•家橾準（CNS > A4规格（210X297公釐） A7 __ B7_ 五、發明説明（12 ) 體基板1上沿著基板七的方向且平行於被照射部（光碟2 )的正切方向T之共振器長度方向上發射：及 一三角錐狀的半導體構造4，該三角錐狀的半導體構 造4係具有3個反射面Μι，M2，Ms，其中又以反射面 M i爲前頭，並且該反射面Mi係面向半導體雷射L D的一 方發射端面而設置，而供以反射來自此半導體雷射L D的 發射光L F ;及 一光檢測元件，該光檢測元件係由作爲受光部之2個 的4分割發光二極體PDr (PD1R，PD2R，PD3r， PD4R)及 PDl (PDlL，PD2L，P D 3 L * P D 4 L )所構成。 此光半導體元件7，係於晶圓上同時形成複數的光半 導體元件7，亦即可藉由所謂的晶圔分路製程來於一連的 半導體製造工程中進行製造。 並且，2個4分割發光二極體PDr，PDL，係根據 彼此交錯的2條分割線來予以4分割成約田字狀。 又，利用反射面Mi而被反射的發射光LF，係藉由會 聚機構（物鏡3 )來會聚照射於光碟2上，且利用共同的 物鏡3來使自光碟2反射的反射光LR會聚，而回到半導體 元件7。 又，反射光LR，係藉由物鏡3來會聚至光繞射界限（ 亦即透鏡的繞射界限）近旁爲止，該光繞射界限，亦即將 來自半導體雷射LD的發射的波長設定爲λ，物鏡3 的光學裝置1 0側的數値口徑設定爲N . A .時，在焦點 46-- -----------装------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項本買) 經濟部中夬揉準扃貝工消费合作社印装 本纸張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） A7 £7_ 五、發明説明（13) 面及其近旁的反射光的直徑大致形成1 . 2 2又/ N.A.。例如，物鏡3的數値口徑N.A.爲0.09 〜0.1，發射光Lr的波長λ爲780nm的程度時，繞 射界限係形成1 ·22λ/Ν.Α.与l〇#m程度。 三角錐狀的半導體構造4係由：根據結晶成長於光半 導體元件7的預定結晶面（例如{ 1 1 1 } B結晶面）而 形成的反射面Mi，及例如根據丨1 1 〇 }結晶面而形成的 反射面M2，M3所構成，並且配置於與上述反射光Lr相 關的物鏡3之共焦點近旁位置，而且在透鏡等會聚機構的 共焦點位置配置發光部，然後在此發光部的共焦點位置近 旁形成受光部，亦即形成所謂的C L C構成。 此情況，在通常的成長條件下，使半導體構造4成長 形成三角錐狀後，由於結晶成長會自動地停止，因此其製 程的重現性佳。 又，一部份的反射光Lr將藉由2個反射面M2，M3 而被反射，並且分別被照射於作爲第1檢測元件之右側的 4 分割發光二極體 PDr (PD1R，PD2R，PD"， P D 4 r )，以及作爲第2檢測元件之左側的4分割發光二 極體 PDl (PDlL，P D 2 L » P D 3 L * P D 4 L )。 這2個4分割發光二極體PDR，PDl將分別夾著反 射鏡M2而被配置於三角錐狀的半導體構造的頂點與相反側 ，且形成於自半導體雷射LD的形成部之半導體基板1表 面後退而形成的凹部la中》 此刻，在形成C L C構成的共焦點光學系中，繞射於 -10 - * _ ---------^------tr--------0 (請先閱讀背面之注f項再^*本頁) 經濟部中央揉準扃貝工消费合作杜印簟 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 _B7___ 五、發明説明（14 ) 焦點位置近旁後的光^全體，亦即以0次及1次光所形成 的各繞射光，由於在共焦點上的同一面內具有全體重叠分 布的特徴，因此即使是在劫取反射光的一部份之本實施形 態的情況下，所有的繞射成分照樣可以在4分割發光二極 體PD (PDr，PDl)的某方向上傳送。 此情況，雖然爲了能夠再度分離重疊後的各干擾成分 ，而必須傳送某種程度的距離，但是如圖1所示，可藉由 在半導體雷射L D的形成部之光半導體元件7的表面，亦 即在形成於自導體雷射L D的上面後退距離d的位置上之 半導體基板1的凹部1 a中形成4分割發光二極體PDr， P Di·來取得一從三角錐狀的半導體構造4到4分割發光二 極體PDr，PDl爲止之反射光Lr的傳送距離L，而使 能夠充分地分離反射光LR的繞射圖案。 又，藉由在4分割發光二極體PDR * PDi·中照射來 自光碟2的反射*LR，而來對自各4分割發光二極體 PD1R〜PD4R，PD^-PD"所取得的訊號進行後 述之運算，而得以檢測出追縱誤差訊號等。 又，藉由4分割發光二極體PD1R〜PD4R， PDlt•〜PD41·全體，將可讀出光碟2上的記錄，亦即可 進行RF訊號的檢測。 但由於受到傳送距離的影響，干擾圖案會大幅度地變 化，因此必須以對應於裝置設計時之各値的形式來改變分 割PD的數量及圖案，運算方法。 以下*將敘述上述圖1之本發明的實施形態中該點的 - ---------ά------1Τ--------終 {請先W讀背面之注意事項再本頁) 經濟部中央揉準局負工消费合作杜印*. 本纸張尺度適用中國國家檩準（CNS > Α4规格（210X297公釐） A7 ___B7_ 五、發明説明（15 ) 說明及運算方法。 ^ 首先，圖3係表示光碟面內的凹槽邊緣的槪略圖。圖 3 A及圖3 B係分別表示一方的凹槽邊緣pit edge(l)及他方 的凹槽邊緣pit edge(2)之檢測位置。圖中上下的箭號係表示 記錄媒體的移動方向，水平的箭號係表示檢測方向。並且 ，光點S或凹槽列將會移動，而使得能夠進行各凹槽邊緣 pit edge(l)及 pit edge(2)之檢測。 其次，將發光二極體P D上取得的干擾圖案表示於圖 5及圖6中，以及將各繞射光運行位置的計算結果表示於 圖7及圖8。並且，在圖5〜圖8中，將來自共焦點位置 的分割PD之距離設定爲L=l〇〇；/m，以及將分割 PD全體的大小設定爲80x80 (#m)，而藉由圖4 之透過型簡易模式來進行計算。 並且，所使用之透過型簡易模式，係如圖4所示一般 ，以物鏡3來會聚來自凹槽P的反射光LR，而於該反射光 的共焦點位置配置刃形支承KE，然後分別藉由右側及左 側之被4分割的光檢測器PDR (PD1R，PD2R， PD3R，PD4r)及 PDl (PDil，P D 2 t * P D a l ，PD4L)來檢測出以刃形支承KE所切取的反射光。又 ，圖4 B爲圖4A右側的擴大圖，係表示至繞射界限爲止 所會聚的反射光被刃形支承K E切取的狀態。 就共焦點刃形支承構成（以下稱爲CKE構成）而言 ，如圖4A及圖4B所示，雖然反射光Li是藉由刃形支承 KE(根據配置於共焦點位置的錐形光罩所形成）來分割 46-- ^------?τ--------^ (請先閲讀背面之注意事項再 本頁) 經濟部中喪揉準局負工消费合作杜印装 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 ____B7_ 五、發明説明（16 ) 於左右，但對於根據Βί 5及圖6所被分濉之各側（以下稱 爲通道）的壞軌而言，反射光的圖案變化係形成圖1 4所 示之習知型（沒有三角錐狀的半導體構造之刃形支承；各 繞射光的著陸位置請參照圖13)的圖案變化。 又，實際上左右的干擾圖案的分布，係以三角錐狀的 半導體構造4的反射面Μ2，Μ3來使反射光LR反射，而 於錐形的作用下使其圖像反轉。 但，就圖1 4之習知型而言，雖是按壞軌的編碼來使 圖案反轉，但在此CKE構成中，由圖5及圖6來觀査， 看不出左右的通道中有按壞軌的編碼來使圖案反轉之情況 發生，而於進行肩掛式運算，例如丨（左上+右下）-（ 右上+左下）丨時，其運算結果爲：光量會偏移至形成正 (+ )的位置或形成負（一）的位置。此刻，該左右的偏 移量相同。 此外，在左右各通道中求得靥於肩掛式關係的假想 PD彼此之間（左上與右下，或右上與左下）的訊號和之 差，而且藉由兩通道訊號的減算來求得追蹤誤差訊號TE 〇 另外，可自圖案中容易推測出，在左右的任一通道中 ，無論壞軌量如何，從各通道內的左右發光二極體PD群 中所求得的推挽訊號大槪會形成0。亦即，可得知推挽訊 號會形成0。 在此，如圖9所示，若將圖5及圔6之各繞射光的強 度中心附近描繪重叠於同一圖案上時（圖9 A及圖9 B ) 49- ---------•—裝------訂 ----------線 \· (請先《讀背面之注意事項t寫本頁) A7 B7 五、發明説明（17 ) ，則將如同圖中段（®ί 9 C及圖9 D)所示，在各通道中 ，與（0，0 )光強力干擾之項中及僅承受背景程度的微 弱干擾之項中分別存在繞射光。
例如，在左側中，與（0，0)光強力干擾者爲著陸 於（1L) ，（2L)附近的繞射成分，其中，在（1L )中，J(0，0)與 D ( — 1，〇) · B ( - 1 « + 1 )，Η(〇，+1)之各項，以及在（2L)中，I (0 ，0)與〇(-1，0) ，B(-1，+1) ，H(〇, + 1 )之各項，將分別形成干擾圖案的重要因素。 另一方面，幾乎不與（0，0 )光干擾的項有著陸於 (1NL) ， （2NL)之區域的項，而該項將分別形成 N( + l，+l) ，P(+1，0) ，R( + 1，-1) 的干擾，及 A ( — 1，+1) * C ( - 1 * 〇 ) ，E( -1，一 1)的干擾，且由於與（〇，X)成分的干擾幾 乎無法取得，因此不會寄與取得追縱誤差訊號T E。 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 顯示於圖9的最下段之圖9 E及圖9 F爲：以習知型 之千擾項的著陸位置與干擾成分來模式化顯示這些情況者 ，藉此可得知，在同圖中的（1 L )及（2 L )係以相當 於習知型所言及之P D 2與？ D3的干擾成分爲基準。而這 些項雖是準照習知型相位差檢測法的動作，但由於相當於 PDi + PD*的項幾乎無作用，因此只能夠在左右的一方 之通道中，藉由相位差檢測法來取得具有偏差的追縱誤差 訊號丁 E。 由同樣的議題可得知，在右側取得的訊號相當於習知 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項本頁) - 經濟部中央揉準局βζ工消费合作社印製 A7 £7_ 五、發明说明（18 ) 型所言及之PD1&Pb 4之一項，而於左側取得的訊號與 右側取得的訊號經由運算後的結果，相當於利用習知型相 位差檢測法所取得的訊號—（PD2 + P D 3 )](請參照圖15之習知型相位差檢測法的訊號 特性與圖1 0之CKE構成時的訊號特性（對應於【式4 】之訊號特性）。 因此，在左側取得的訊號與在右側取得的訊號經由運 算後，與利用習知型相位差檢測法所取得的訊號同樣*可 取得無偏差之良好的追縱誤差訊號TE。 由上述之關係，可藉由以下之【式2】〜【式4】來 針對一方的凹槽邊緣之檢測訊號進行運算，而能夠取得安 定的追縱誤差訊號。甚至利用【式2】〜【式4】的其中 之一運算式，同樣可以取得幾乎相同的追縱誤差訊號》這 是因爲下述之【式2】〜【式4】的所有運算是在與圖9 所示者相同的機構中檢測出追縱誤差訊號所致。 【式2】 TE = TE(1) = (PDil + PD4l)-(PD.r + PD4r) 【式3】 TE = TE(2)={(PD2l + PD3l)-(PD.l + PD4l)} -{(PD2r + PDjr)-(PDir + PD4r)} 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) Α4规格（210X297公釐） ---------¢------ITI-——^ (請先閲讀背面之注意Ϋ項t寫本Jr) A7 B7 五、發明説明（19 ) 【式4】 TE=TE(3) = PDl-PDr = (PDlL + PD2L + PD3L + PD4L) -(PDlR + PD2R + PD3R + PD4R) .【式2】〜【式4】的各符號係對應於圖4» 【式3】係取第2檢測訊號{(PD2L+PD3L)— (PD1L+PD4L) }與第 1 檢測訊號{ (pd2R + P D 3 r ) - (PD1r+PD4R) }的差分來求得追縱誤 差訊號TE。上述第2檢測訊號，係藉由相位差檢測法來 針對第2檢測元件中亦即左側的發光二極體P Dl中被4分 割的發光二極體P D 〜P D4L中所檢測出的訊號進行運 算而取得者。上述第1檢測訊號，係藉由相位差檢測法來 針對第1檢測元件中亦即右側的發光二極體P DR中被4分 割的發光二極體P D τ R〜P D 4R中所檢測出的訊號進行運 算而取得者。 經濟部中央樣率局貝工消费合作社印製 【式4】係於凹槽邊緣（1 )或（2 )中取第2檢測 元件亦即左側的發光二極體P Dt之全檢測訊號與第1檢測 元件亦即右側的發光二極體P DR之全檢測訊號的差分來求 得追縱誤差訊號TE。 因此，若【式4】之運算式不是針對4分割左右的發 光二極體PDl，PDr時，亦可適用於2分割或不予以分 割時*藉此而能夠充分地取得凹槽深度爲λ/4 η之光學 記錄媒體的追縱誤差訊號》 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) Α4规格（2丨0X297公釐） A7 £7_ 五、發明説明（20 )
又，若欲形成能&取得凹槽深度不爲λ/4 η (例如 凹槽深度爲λ/8 η )之光學記錄媒體的追縱誤差訊號之 構成時，可使用分割左右的發光二極體PDl，PDr之其 他的追縱誤差檢測法，例如CKE構成之推挽法（CKE -P P )。 並且，在此左右的發光二極體PDi·，PDr中爲了檢 測出聚焦誤差訊號時，必須分割此左右的發光二極體PDi· ，P D r · 如此一來，由於能取得凹槽深度不爲λ/4 η之光學 記錄媒體的追縱誤差訊號及聚焦誤差訊號F Ε，因此只要 分別將左右的發光二極體PDl，PDR予以4分割，而利 用【式2】〜【式4】之其中的一個運算式，便可取得凹 槽深度爲λ/4 η之光學記錄媒體的追縱誤差訊號。 又，在圖4之透過模式中，根據CKE構成的推挽法 (CKE—PP)而形成之追縱誤差訊號ΤΕ的運算式， 係如【式5】所示。 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 (請先聞讀背面之注意Ϋ項再本頁) 【式5】 TE(CKE-PP)={(PDil+PD2l)-(PD3l + PD4l)} -{(PDir + PD2r)-(PD3r + PD«r)} 圖1 0係表示利用上述運算式【式5】所計算出的各 參數對追縱誤差訊號的特性。其中，圖1 Ο (Α)〜圖 1 0 ( C )係分別表示碟片徑向的透鏡位移特性，及凹槽 ---_ 23 n __. 本纸張尺度適用中國國家檩準（CNS > Α4规格（210X297公釐）. 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4规格（210X297公釐） A7 _B7_ 五、發明説明（21 ) 比率的依賴特性，以及'於焦點深度內的聚焦依賴特性。在 此，無論是那一方面皆可取得良好的結果，亦即爲一有效 的追縱誤差訊號τ E的檢測機構。 此外，圖11係表示CKE—DPD亦即本發明之 CKE構成的相位差檢測法，及CKE — P P亦即CKE 構成的推挽法中，令發光二極體PDr，PDl的分割線共 通化的情況時，各檢測方法之追縱誤差訊號的比較圖。並 且，在圖1 1 A中亦同時顯示出上述之C P P訊號的情況 〇 另外，圖11(B)及圖11(C)係分別表示藉由 CKE-P P法來對凹槽深度爲λ/8 η的光學記錄媒體檢 測出追縱誤差訊號時，因透鏡的位移而產生追縱誤差訊號 ΤΕ的變化之計算結果，以及藉由CKE-DPD法來對凹 槽深度爲λ /4 η的光學記錄媒體檢測出追縱誤差訊號時 ，因透鏡的位移而產生追縱誤差訊號ΤΕ的變化之計算結 果。 再者，於圖11 (Α)，圖11 (Β)及圖11 (C )中，基本上是在以能夠取得C Κ Ε-Ρ Ρ的訊號及聚焦誤 差訊號（參照式1 0 )之方式而來分割發光二極體（利用 最適化的分割線來進行分割）的條件下，進行各各訊號的 計算。 又，由於可在不受透鏡位移的影響下從圖1 1 A，圖 1 1 B及圖1 1 C中正確地取得追縱錯誤訊號TE，因此 這些CKE — DPD及CKE_P P的分割線可以共同化 ^24-- --------------11—^---^---#. (請先W讀背面之注意事項再f本I ) 經濟部中央梂準局負工消费合作杜印装 A7 _ B7_ 五、發明説明（22 ) ，而且無論光學記錄&體的凹槽深度是λ/4 η或是；1/ 8η，皆可取得追縱錯誤訊號ΤΕ·又，爲CKE — PP 的情況時，在λ/4 η以外的凹槽深度之記錄媒體中，可 取得準照；1/8 η的結果之追縱錯誤訊號。 因此，不需要變更製程便可取得CKE — ΡΡ， CKE — DPD之各追縱誤差訊號ΤΕ，亦即最大的特徵 在於能夠以1個C Κ Ε裝置來對應於各種凹槽深度的媒體 (光碟）。 以上雖是針對圖4之透過型的模式來進行運算，但於 圔1之構成的光學裝置中亦可適用同樣的構想。 首先，賁際之左右的干擾圖案，係藉由三角錐狀半導 體4的反射面Μ2，Μ3之反射光Lr的反射來使其分佈的 圖像反轉。 因此，在圖1之構成的發光二極體PDl ( PDlt·， PD2l，PD3L，PD4l) ，PDr(PD1r，PD2r ，PD3R，pd4R)中，若與透過模式的情況時比較，則 可分別以PD1L與PDu，來取代各撓 射光之運行位置的位置關係。 亦即，追縱誤差訊號TE的運算式，若以 PD4L，卩〇^與？〇411來取代的話，則其結果係如以 下【式6】〜【式8】所示一般，會形成與【式2】〜【 式4】同樣的式子。 本纸張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4规格（210X297公羞） -----------裝------ir--------^ (請先《讀背面之注意事項再f本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本纸張又度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7___ 五、發明説明（23 ) 【式6】 TE = TE(1) = (PD.l + PD4l)-(PD.r + PD4r) 【式7】 TE = TE(2) = {(PD2l + PD3l)-(PDil + PD4l)} .{(PD2R + PD3R)-(PDlR + PD4R)} 【式8】 TE = TE(3) = (PDlL + PD2L + PD3L + PD4L) -(PDlR + PD2R + PD3R + PD4R) 又，藉由卩〇1與卩〇4的替換，該利用CKE — PP 法所取得的追縱誤差訊號T E之運算式內容亦會改變成如 【式9】所示一般。 【式9】 TE(CKE-PP) = {(PD.L + PD3L)-(PD2L+PD4i)} -{(PD.R + PD3r)-(PD2R + PD4R>} 如上述，可藉由第1檢測元件及第2檢測元件來檢測 出來自碟片的一方凹槽邊緣的繞射光，而取得第1檢測訊 號及第2檢測訊號，然後運算該第1檢測訊號及該第2檢 測訊號，而藉此得以對凹槽深度爲λ/4 η的光學記錄媒 26- ----------d------IT------^ {請先閱讀背面之注意事項再$本頁) A7 B7 五、發明説明（24 ) 體進行追縱誤差訊號Τ·Ε的檢測。 請先閱讀背面之注意事項k寫本買) 並且，即使所對應之實際的聚焦伺服器中僅有些微的 散焦時，還是可以正確的檢測出追縱誤差訊號。 又，聚焦誤差訊號F Ε，係與光學記錄媒體的凹槽深 度無關，而可以利用2個4分割的發光二極體P Dr， P Di*來藉由習知之檢測方法予以檢測出。 例如，可利用下列之【式1 0】來進行運算，而取得 聚焦誤差訊號FE。 【式1 0】 FE = (PDil-PD4l) + (PD.r-PD4r) 並且，在2個4分割的發光二極體中，若以能夠藉由 C K E法來檢測出追縱誤差訊號與聚焦誤差訊號的方式來 拉出彼此交錯之2條分割線的話，則無論上述之光學記錄 媒體的凹槽深度是λ/4η或是λ/8η，皆可取得追縱 誤差訊號ΤΕ，以及能檢測出聚焦誤差訊號FE » 經濟部中央橾準局WC工消費合作社印装 圖12係表示本發明之光學裝置的其他實施形態。 此光學裝置2 0係具有：配置於反射光LR (在被照射 部反射來自半導體雷射LD的發射而取得者）的共焦 點位置之半導體構造1 2，及分別對向配置於第2反射面 M2及第3反射面M3 (與使該半導體構造1 2的發射光 匕^反射的第1反射面M/有所不同）之發光二極體PD1A ，PD2a，PD1B，PD2b (用以作爲光檢測元件）， 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印装 本纸張尺度適用中國國家揉隼（CNS ) A4規格（210X297公嫠） A7 ______B7_ 五、發明説明（25 ) 並且第2反射面M2及*3反射面M3係以能夠反射反射光 [•^的一部份之方式而配置，而於光檢測元件中檢測出訊號 〇 又，例如在半導體基板1 1上配置具有4個結晶面（ 1-1-1) * (11-1)，(1-11)，(111 )的半導體構造1 2 »並且，結晶面（1 _ 1 _ 1 )係形 成對向於半導體雷射LD的第1反射面Mi，結晶面（1 -1 1)係形成第2反射面M2，結晶面（1_1 1)係形成 第3反射面M3。而且，分別在對向於第2反射面M2且沿 著光路上依次自半導體構造12開始配置有發光二極體 PD1A，PD2A，以及在對向於第3反射面M3且沿著光 路上依次自半導體構造12開始配置有發光二極體PD1B ，PD2B。又，發光二極體PD1b，PD2B係分別被配 置於形成在基板1 1上的結晶面（1 1 一 1 )及（1 一 11)部份。 又，於此光學裝置2 0中，自半導體雷射LD中所發 射出的雷射光會藉由半導體構造1 2上的第1反射面Mi來 垂直反射於基板1 1上，然後利用會聚機構（圖中未示） 來予以會聚，而於光學記錄媒體等之被照射部形成焦點。 並且，在被照射部所被反射的反射光LR會再度利用會聚機 構來予以會聚，然後反射於半導體構造1 2的第2反射面 M2及第3反射面M3，又，在第2反射面M2所被反射的 反射光LR會被右側的發光二極體PDR (i>D1A， PD2A)所接受，以及在第3反射面M3所被反射的反射 26-- ----------.裝----麵-I訂I----„-11線 (請先閲讀背面之注意事項再¥寫本頁) 經濟部中央橾率局員工消费合作社印笨 本纸張尺度適用中國國家梂準（CNS } A4規格（210X297公釐） A7 B7_ 五、發明説明（26 ) 光Lr會被左側的發光·二極體PDl (PD1B，PD2B) 所接受。 在此光學裝置2 0中，亦與先前之實施形態的光學裝 置1 0同樣，分別藉由右側的發光二極體PDr ( PD1A ，pd2A)及左側的發光二極體PDl (PD1b，PD2B )來檢測來自碟片的一方凹槽邊緣的繞射光，而取得第1 檢測訊號及第2檢測訊號，然後運算該第1檢測訊號及該 第2檢測訊號，藉此來取得追縱誤差訊號TE。 對於上述之運算而言，亦可取TE = PDr—PDl = (PD1A+PD1B)及第1檢測訊號及該第2檢測訊號的 差分來進行比較運算。 又，例如可針對FE = (PD1A—PD2A) + ( PD1B— PD2B)及接近半導體構造1 2之發光二極體的 訊號及遠離半導體構造12之發光二極體的訊號進行運算 而來取得聚焦誤差訊號F E。 藉此，與先前之實施形態的光學裝置1 0同樣，能夠 對凹槽深度爲λ/4 η規格的光碟檢測出充分的追縱誤差 訊號》並且，可以取得受到物鏡位移及散焦的影響頗巨之 追縱誤差訊號ΤΕ。 又，在圖1 2之實施形態中*雖是從半導體基板1將 左右發光二極體PDr，PDl的後段的發光二極體PD2a 及PD2B設置於結晶面（形成斜面）上，但亦可將後段的 發光二極體PD2A&PD2B設置於凹部l’a (形成於半導 體基板1上）的平面》 29- —^1TI^ .(請先閲讀背面之注意事項再4寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印策 本纸張尺度逍用中國國家搮準（CNS ) A4规格（2丨0X297公簸） A7 _ B7 五、發明説明（27) 又，除了上述之★施形態外，只要適當地配置發生部 與受光部及構成刃形支承的光學零件，習知提案之個別予 以設置發生部與受光部，然後再予以組合製作者亦可適用 於上述之運算方法。 若利用上述之光學裝置的話，則將具有下列之優點。 (1 )與先前通常的相位差檢測方式相同，即使受到 透鏡位移的影響，還是能夠有效地檢測出追縱誤差訊號。 (2 )因爲不需附加光學零件來檢測出追縱誤差訊號 及聚焦誤差訊號，所以能夠構成零件數量少的簡單光學系 統。因此，而可以實現調整工程的簡單化。 (3 )藉由零件數量的削減及工程的簡單化，而能夠 減低製造成本。 (4 )由於不需附加光學零件，因此能夠減低光學上 的漏失，以及達成低消費電力。 (5 )由於能夠在同一半導體基體上形成半導體雷射 ，光學檢測元件及三角錐狀的半導體構造，因此完成後的 經時變化小。 (6 )由於可以實現小型輕量化，因此能夠提髙回應 速度。 (7 )可以在維持以往的消費電力下來對具有更高速 的線速度的光學記錄媒體執行記錄•再生處理。 (8 )由於可以藉由半導體分路製程來製作元件，因 此能夠降低製造成本。 (9 )由於形成於半導體雷射L D的端面近旁之半導 6Θ- ---------装------1TJ-----^ (請先閲讀背面之注意事項本頁) 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） A7 __B7_ 五、發明説明（28 ) 體構造的結晶成長會在使成長預定的形狀之後自動的停止 ，因此可按設計來形成半導體構造，且由於製造時的良品 率高，因此能以低價且良好的再現性下來進行製造。 (1 0 )在對各通道的受光元件施以4分割的情況時 ，能夠形成一種可以藉由CKE — PP (共焦點刃形—推 挽法）來檢測出訊號的構成。又，由於可以對應於各種凹 槽深度的碟片，因此能夠構成一種可以對應於記錄及再生 波長相同、凹槽深度不同之複數種的碟片之光學裝置。 本發明之光學裝置並非只限定於上述之實施形態，只 要不脫離本發明之主旨範圍，亦可取得其他種種的構成。 【發明之效果】 若利用上述本發明之光學裝置的話，則由於在從半導 體雷射的形成部之半導體基體的基板表面深入所要的深度 而形成之半導體基體的凹部中形成有光檢測元件，因此可 藉由反射面來有效地分離被照射於光檢測元件的聚集手段 之反射光的撓射圖案，而於光檢測元件接受光線。藉此， 將可消除因散焦所引起的追縱誤差訊號的變動，而能夠進 行更爲正確的追縱伺服。 並且，因透鏡位移而產生追縱誤差訊號的偏離也會比 以往更能大幅度地減低。 特別是可藉由上述第1檢測元件及第2檢測元件來針 對凹槽一方的凹槽邊緣的繞射光進行檢測《而取得第1檢 測訊號及第2檢測訊號，然後運算該第1檢測訊號及該第 - --------.1^------IT----.---10 (請先W讀背面之注意事項^k本頁) A7 _B7__ 五、發明説明（29 ) 2檢測訊號，藉此而&夠對凹槽深度爲λ/4 η規格的光 碟檢測出充分的追縱誤差訊號。 甚至，分割檢測元件而使得能夠檢測出凹槽深度爲λ /4 η以外的追縱誤差訊號時，亦可對應於各種凹槽深度 的光碟來取得追縱誤差訊號。 又，由於不需要另外增加光學零件來檢測出追縱誤差 訊號，因此而能夠構成零件數量少的簡單光學系統。進而 可以實現調整工程的簡單化。 藉此，而能夠謀求光學裝置的低製造成本化，並且可 以減低光量的漏失，而達成低消費電力化。 又，本發明能使光學裝置小型輕量化，甚至可提高回 應速度。 因此，本發明可在維持以往的消費電力下來對具有更 高速的線速度之光學記錄媒體執行記錄•再生處理。 又，本發明可減少光學裝置安裝後的經時變化》 【圖面之簡單的說明】 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印製 第1圖係袠示本發明之光學裝置之一實施形態的槪略 構成圖（立體圖）。 第2 (A)圖係表示第1圖之光學裝置的側面圖。 第)圖係表示第1圖之光學裝置的平面圖。 第 第 第5 i;..，攀 3_Α )， 系表元 (請先閱讀背面之注意事項再V寫本頁) (B )圖係表示凹槽邊緣的槪略圖。 示計算用之光學系的模式圖。 A)〜（C )圖係表示左側的發光二極體之干 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS } Α4规格（210Χ297公羡） 經濟部中央揉準扃貝工消费合作社印装 A7 ___B7_ 五、發明説明（30 ) 擾圖案。 第5 (D)〜（F)圖係表示右側的發光二極體之干 擾圖案。 第6 (A)〜（C)圖係表示左側的發光二極體之干 擾跚案》 第6 (D)〜（F)圖係表示右側的發光二極體之干 擾圖案。 第7圖係表示左側的發光二極體之各繞射光運行位置 的關係圖案。 第8圖係表示左側的發光二極體之各繞射光運行位置 的關係圖案。 第9圖係表示供以說明C K E構成與習知型的關係圖 〇 第10圖係表示在CKE構成的情況時之追縱誤差訊 號的特性圖•其中，圖（A)爲追縱誤差訊號對透鏡位移 的變化。圖（B )爲碟片凹槽的比率與追縱誤差訊號的關 係。圖（C )爲追縱誤差訊號對焦點深度內程度的聚焦偏 移的變化。 第11 (A)圖係表示CKE構成藉由DPD法與其 他方法來檢測出追縱誤差訊號的檢測例之比較圖。 第11 (B)圖係表示CKE構成藉由CKE推挽法 來檢測出追縱誤差訊號在透鏡位移時所產生的變化。 第11 (C)圖係表示CKE構成藉由DPD法來檢 測出追縱誤差訊號在透鏡位移時所產生的變化。 本纸張尺度適用中國國家椟準（CNS ) A4规格（210X297公釐） '33 ' ---------1^------1T------漆 (請先聞讀背面之注意事項再Wr本頁) 經濟部中央樣準局ί消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（31 ) 第12圖係表示本發明之光學裝置之其他實施形態的 槪略構成圖。 第13圖係表示在習知型的發光二極體上之各繞射光 的運行位置圖。 第14圖係表示在習知型的發光二極體上之干擾圖案 。其中圖（A)〜（C)爲根據第1凹槽邊緣的情況時。 圓（D)〜（F)爲根據第2凹槽邊緣的情況時。 第15圖係表示在習知型的情況時之追縱誤差訊號的 特性圖。其中，圖（A)爲追縱誤差訊號對透鏡位移的變 化。圖（B )爲碟片凹槽的比率與追縱誤差訊號的關係。 圖（C)爲追縱誤差訊號對焦點深度內程度的焦點偏移的 變化。 第1 6圖係表示習知之光學裝置的槪略構成圖。 第17(A) ， （B)圖係表示用以說明推挽法的追 縱伺服機構。 第1 8圖係表示用以說明推挽法的問題點。其中，圊 (A)爲透鏡位移時的偏移圖。圖（B)爲透鏡傾斜時的 偏移圖。 第1 9圖係表示習知之推挽法的追縱誤差訊號。 第2 0圖係表示用以說明3光點法的追縱伺服機構。 第21圖係表示用以說明相位差檢測法的追縱伺服機 構。 第2 2圖係表示C P P法的追縱誤差訊號與散焦量的 關係圖。
^_______ 4¾ A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐) ---------1餐-------------0 (請先閲讀背面之注意事項再%k本頁) 五、發明説明（32 ) A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印製 【圖號之說明】 1，11:半導體基板 1 a :凹部 2 :光碟 3 :物鏡 4:三角錐狀的半導體構造 7:光半導體元件 1 0，2 0 :光學裝置 12:半導體構造 5 1 :透鏡 5 2 :碟片 L F :發射光 L R :反射光 Μι，M2，Ma:反射面 L D :半導體雷射 T :碟片的正切方向 P :碟片的凹槽 P D，P D 1，P D 2 PDl，PDir，P D 2 r P D 2 L * P D 3 L » P D 4 P D 2 B :發光二極體
，PD3，PD4，PDr， ，P D 3 R 1 P D 4 R ' PDlL， ,，PDlA，P D 2 a * P D 1 B 本纸張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） 請 先 閲 背 之 注 意 事 項書( 本 頁 裝 訂 線 -3§-