TW389907B - Transistors, transistor arrays, semiconductor memories and method for making transistor arrays - Google Patents
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附件 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8a 7.20 年/V Π五、發明説明（47 ) 由膜24中形成各浮動閜極霣極5、6。 [5] 在記憶單元陣列102中，鞴由排列在行方向之各記 憧單元1的源極•汲極區域3,即可形成共通的位元線BL1 〜BLn。因此，在記憧單元陣列102中，無必要形成如習知 的記憧器軍元陣列302之位元線接黏214。 [6] 藉由上述[4][5],本實施形態之記憶單元陣列102 .與習知形態之記憧器單元陣列302相較，構造簡單且容 易製造。 [7] 使用記憧單元1之快閃EEPR0H101,由於設有選擇 11,所Μ有在各個記憶單元1上理[擇其本身的功能，亦即， 在消除動作時由浮動W極轚極5、6抽出轚荷之際即使過度 抽出霣荷，亦可依選擇W11使通道區域4呈截止狀態。因 而，藉由選擇霣晶ϋ 1 2即可控制記憶單元1之専通•截止 狀態，且不致造成通度消除問題。亦即，藉由設在記憶單 元1之內部的選擇«晶《12,即可邐擇該記憧單元本身之 導通•截止狀態。 [8] 在寫入動作中，為了使髄存在記憧單元1之浮動閘 植霣極5、6上的霣荷量逋當化，不僅使消除狀態及寫入狀 態之2值（=1位元）記憧在記憶單元1內，僅需應用使之記憧 3值以上的技術（多值記僮技術）即可。亦即，在多值記憧 技術中，在寫入動作時藉由精密控制記憶單元之浮動藺極 霣極的電位而正確控制寫人狀應之作業係必要而不可缺少 者。若利用該浮動閜極霣極之«位的控制技術，則在寫人 動作時即可容易使鱅存在記憧蓽元1之浮動W橱«S5、6mrr A7 B7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS > A4規格（210X297公釐） 47 (修正頁） A7 _ B7__ 五、發明説明（1 ) «明所鼸夕镅《 本發明係醐於一種霣晶β、罨晶«陣列、半導體記憧 器及《晶钃陣列之製進方法。 翌知^坊«& 近年來，強導霣性記憶器（Ferro-electric Rando· Access Memory:嫌霣隱機存取記憶器）、EPROM(抹除式可 编程僅讀記憧器）及EEPR0M(霣性抹除式可钃程僅謓記憧器 )等之非揮發性半導》記憶器為人所注目。EPROM或EEPR0M ，係_由在浮動閛極上餹存霣荷•且依控制閛極檢測路限 值電壓是否依《荷之有無而變化，K使之進行賁料之記憶 。又，在EEPR0M上，具有用Μ進行記憶器晶片全»資料之 消除、或將記憶器陣列分割成任意的塊（block)再Μ其各 塊單位進行資料之消除的快閃EEPR0M。 在快閃EEPR0M上，由於具有（1)已被記憧的資料之非 揮發性、（2)低消耗霣力、（3)可霣性重寫（軍板重寫）、（ 4)低成本之優點，所以其利用範画W逐渐逐擴大至行動霣 話或行動賁訊终蟠機等可用作程式或賁料之«存用記憧器 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) Ο 在構成快閃EEPR0M之記憧單元方面，其具有分難（ split)M極型或堆叠（stack)閛極型等' 使用堆叠閛極型記憧單元之快閃EEPR0M,在其各俪記 慷單元上並不具有選擇其本身之功能。因此，當賁料消除 時由浮動Μ極抽出霣荷之除•若霣荷被邊度抽出，則BP使 將用Μ使記憧睪元處於截止狀想用之預定霣壓（例如* ον 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（2丨0Χ297公釐） Ϊ 39387 經濟部中央榡準局貝工消費合作.杜印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 施加在控制w極霣極上時，通道匾域亦會圼導通狀態。结 果，該記憶犟元舍經常里導通狀想，而已被記憶的資料會 發生無法讀出之問題，印所謂遘度消除之問颳°為防止過 度消除，必要在消除步»上花工夫，即有在記憶器装置之 通邊霣路上控制消除步驟•成在記憧器裝置之外部霣路上 控制消除步》之必要。 分離蘭極型記憧犟元，即為規避該種堆叠阐極型記憧 單元中之a度消除的問*而所開發者。 使用分離閘極型記憶摩元之快聞££：1>|1(^•係被掲示於 W092/ 1 8980 (G11C 13/00)中0 第19匾為習知分離W槺型記植簞元201之截面圏。分 離閘極型記憶單元（分_闸極型霣晶讎）2〇1·係由源極屋 域203、汲極11域204、通道逼域205、浮動Μ極霣極206、 及控制閜極霣槿207所構成。 Ρ型單晶矽基板202上形成有Η型之源極匾域203及汲槿 區域204。被夾於源極區域203及汲極區域204之通道區域 205上，透邊閛極級緣膜208形成有浮ft閛極電極206 。在 浮動閛極霣極20 6上，适通依10(：03(1〇〇81(^{<^1:丨〇1)〇『 Silicon)法而形成的播緣膜209及隧道涵緣膜210形成有控 制_極電槿207。鞴由糴緣膜209,在浮鄭閜極霣極206上 形成有突起部206a。 在此，控制閛極霣槿207之一部分•係透_各涵緣_ 208、210配置在通道區域205上，Μ構成選揮閛極211°賴 由該遘擇閛極211與瀰極匾域213及汲極匾域204·乃可構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 39387 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) ,11 A7 B7 五、發明説明（3 ) 成選擇霣晶體212。亦即，分鐮閛極型記憶單元201,係探 用由各閘極霣極206、207及各區域203、204所構成的霣晶 體、及選擇霣晶體212串聯連接的構成。 第20画（a)係為使用分雛閛極型記憶單元201之快閃 EEPR0M301之記憶單元陣列302的局部截面圓。 記憶單元陣列302,係由形成於P型單晶矽基片202之 禊數個記憧單元201所構成。 為達成抑制基片202上之占有面積的目的，二個記憶 單元201 (M下，為®別起見而將之分別禰記為「201a j 「 201bj ),係與源極區域203共通，且對該共通的濂捶區域 203M反轉浮動閘極霣極206及控制閘極霄極207之形勢予 K配置。 第20BI(b)為記憶器陣列302之局部平面圏。另外，第 20圓（a)為第20圜（b)中之X-X線截面圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在基片202上形成有壜絕緣膜213,依該場絕緣膜213 即可進行各記憧單元201間之元件分雕。被配置於第20_ (b)之縱方向的各記憶單元201之源極區域203係為共通。 又，被配置於第20園（b)之縱方向的各記憶單元201之控制 閜霣極207係為共通，且依該控制閜槿霣極207即可形成字 媒。又，被配置於第20圃（b)之横方向的各汲極B域204, 係逋邊位元媒接點214與位元媒（示省略）連接。 第21國係顯示使用分難閛極型記愤單元201之快閃 E E P R 0 Μ 3 0 1的全_構成。 記憧單元陣列302,係將複数個記憶單元201配置成矩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 3 39387 A7 B7 五、發明説明（4 ) 陣狀而構成者。藉由被排列於列（row)方向之各記憧單元 201的控制閛極霣極207,即可形成共通的字線WL1〜WLn。 被排列於行（coluBn)方向之各記惕單元201的汲禳B域204 ，係被達接在共通的位元線BL1〜BLn。 被連接於奇數K之宇線（WL1, WL3…WLb…WLn-1)的各 記憶單元201b、及被連接於偁數號之字線（WL2, WLHL· ♦1…WLn)的各記憶單元201a皆與源極區域20 3共通，且 依該共通的源極區域203即可形成各源極埭RSL1〜RSLb〜 RSLn。例如，被連接於字線WL·的各記憶單元201b 、及被 連接於字線WLm + 1的各記憶單元201a皆與源極S域203共通 ，且藉由該共通的涯極區域203即可形成涯極線RSLi 。各 源極線RSL1〜RSLn係被連接於共通源極線SL上。 各字線WL1〜WLn係被連接於列解碼器303,各位元嬢 BL1〜BLn係被連接於行解碭器304。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 自外部被指定的列位址及行位址，係被輸入至位址接 »305上。該列位址及行位址，係由位址接屬1305适通位址 缓衡器306被轉送至位址閂鎖器30 7上。為位址閂鎖器307 閂鎖的各位址之中，列位址會被轉送至列解碼器303上， 而行位址舍被轉送至行解碣器304上。 列解碼器303，係适擇對應於為位址閂鎖器307閂鎖的 列位址之一條字線WL1〜VLn(例如，WLm>,對應後述之各動 作棋態K控制各字線WL1〜WLn之霣位。亦即，轅由控制各 字嫌WL1〜WLn之電位，即可控制各記憧單元201之控制W 極霣極207的霣位。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 行解碣器304,係選擇對應於為位址閂鎖器307問鎖的 行位址的一條位元線BL1〜BLn(例如，BLb),對應後述之各 動作棋態Μ控制各位元埭BL1〜BLn之電位。亦即，藉由控 制各位元線BL1〜BLn之電位，即可控制各記憶單元201之 汲極S域204的霣位。 共通源極媒SL係被連接在源檯嬢镉壓霣路312上。源 極媒偏壓霣路312,係透通共通源極媒SL對懕後述的各動 作镆態以控制各源極鑲RSL1〜RSLn之電位。亦即，鞴由控 制各源極線RSL1〜RSLn之霣位，即可控制各記憶單元201 之源極區域203的霣位。 自外部被指定的資料，係被输入至資料接» 3 08上。 該賁科，係由資料接脚3 08透迥鑰入鑀街器309而轉送至行 解礤器304上。行解碼器304,係對應該資料而如後述般地 控制各位元線BL1〜BLn2®位。 由任意的記憶單元201被讀出的資料，係自位元媒BL1 〜BLnS逢行解碣器304而轉送至感测放大器.310上。想拥 放大器310係為電流感测放大器。行解碼器304,係與已麵 擇的一條位元線BL1〜BLn輿感測放大器310相連接。以感 澜放大器310判別的資料，係由輸出媛衡器311經由資料接 腳3 08而_出至外部。 , 另外，上述的各霣路（303〜312)之動入作可依控制核 心《路3 1 3，予以控制。 其次，參閱第22_M說明快閃EEPR0M301之各動作棋 想（寫入動作、讀出動作、消除動作）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 5 39 387 A7 B7 五、發明説明（6 ) (a)寫入動作（參閲第22圓U)) 巳被選擇的記憶單元201之汲極區域204,係透過設於 感澜放大器310内的定電流源310内的定霣流源310a而接地 ，其霣位被設於約1.2V。又，已被選擇的記憶單元201 >λ 外之各記憶單元201的汲檯®域204¾位係被設於3V。 已被選擇的記憧犟元201之控制Μ極霣極207的霣位係 被設於2V。又，已被選擇的記憧單元201以外之各記憧單 元201的控制W極電槿207電位係被設於0V。 所有的記憶單元201之源極匾域203的霣位係被設於 12V 〇 在記憶單元201中，選擇霣晶Η212之睡限值霣壓Vth 約為0.5V 。因而在已被适擇的記憶單元201中，其汲極區 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 域204中的霣子會移動至反轉狀態之通道區域205中。因此 ，單元電流舍由源極匾域203朝向汲極區域204流動。另一 方面，源極區域20 3之霣位由於係為12V,所K藉由透通源 極區域203與浮動閛極霣極206之間的靜霣容量之耩合，即 可提升浮動閛極霣極206之電位而接近12V。因此，在通道 區域205及浮動閛極霣極206之間會發生高霣場。因而，通 道區域205中之霣子會加速變成热霣子，如第22圖（a)之箭 STA所示，會植入至浮動閛極霣極206内、。结果，電荷會髄 存在己被選擇的記憶單元201之浮動W極電極206上，而 1位元之資料會被寫入及記憶。 該寫入»作，可在每一偭被邐擇的記慵單元201上予 Μ進行。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 6 39 387 A7 B7 五、發明説明（7 ) (b)謓出動作（參閲第2211 (b)) 已被選揮的記憧單元201之汲極e域204霣位被設於2V 。又，巳被選揮的記憶單元201K外之各記憶單元201的汲 極區域204霣位係被設於0V。 已被選擇的記憶單元201之控制閛極霣極207的霣位係 被設於4V。又，巳被選擇的記憶單元201以外之各記憶單 元201的控制閘極霣極207霣位係被設於0V。
所有的記憧單元201之源極區域203的電位係被設於0V 〇 當比較源槿區域20 3及基片202與浮動閛檯霣槿206之 間的靜電容量、及控制閜極電極207與浮動閛極霣極206之 間的靜電容量時，前者為壓倒性的大。亦即，浮動閘槿ΐ 極206,會強力地與源極區域203及基片202相耩合。因此 ，即此，即使控制閘極霣極207之罨位變成15V,汲極匾域 204之電位變成0V,浮動閛極霣極206之霣位亦不致由（^起 大幅變化，控制閘極霣極207及浮動閜極霣極206之電位差 會變大而在各電極207、206間會發生高霣場。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 结果，會有Fowler-Nordhei·隧道霣流（以下，稱為FN 隧道霣流）流動，如第22_(C)之箭號B所示，浮動閜極電 極206中之《子舍被抽出至控制W極«_ 207 «，且可進行 被記憧於記憧單元201內的資料之消除。 此時，由於會在浮動閛極霣極206上形成突起部206a ，所Μ浮動閛極霣極206中之電子會由突起部206a中飛出 而移動至控制閛植霣極207 ft。因而，霣子乃容易移動， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 29*7公釐） 7 39387 A7 B7 五、發明説明（8 ) 且可有效抽出浮動閛極電極206中之霣子。 在此，賴由被排列在列方向之各記憧單元201的控制 閛極霣極207,即可形成共通的字埭WL1〜WLn 。因此，消 除動作，係可對被連接於已被薄擇的字線WLn上之所有的 記慵單元201予K進行。 另外，》由同時選擇複數個字鑲WL1〜WLn,即可對被 連接於該各字線上所有的記憧單元201進行消除動作。如 此將記憶單元陣列302分割成複數姐之各字線WL1〜WLn之 任意的塊再利用其各塊單位進行資料之消除的消除動作乃 將之稱為塊消除。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 使用如此構成的分離閜極型記憧單元201之快閃 EEPR0H301,由於設有壤擇電晶體212,所W在各個記憶單 元201上具有選擇其本身的功能。亦即，在消除資料時由 浮動閘極電播206抽出霣荷之際即使遇度抽出霣荷，亦可 依選擇閜極211使通道區域205呈截止狀態。因而，即使發 生遘度消除，亦由選擇電晶體212控制記憶單元201之専通 •截止狀態，而不致發生通度消除的問鼷。亦即，由被設 於記懦單元201之內部的選擇霣晶體212,即可選擇該記憶 單元本身之辱通•截止狀態。 其次，依順序說明記憶單元陣列30^之製埴方法。 步驟1(參閲第23_ (a));係使用L0C0S法，而在基片 202上形成埸絕緣膜213(圔示省略）。其次，在基片202中 之埸鑷緣膜213未被形成的部分（元件區域）上，使用热氧 化法形成由氧化矽臢所構成的閜極絕緣膜208 。接著，在 39387 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（9 ) 閱極絕緣臢208上形成構成浮動閛極霣極206之摻雜多晶砂 臢215。因此，使用LPCVD(低壓化學氣相沈積）法，在摻雑 多晶矽膜215之全面上形成氮化矽膜216。其次，在氮化砂 膜216之全面上塗佈光阻劑後，使用普通的微影（ photolithography)光胜刻技術，形成用Μ形成浮動閘極 霣極206的触刻用罩幕217。 步嫌2(參闋第23鼸（b));薄由使用蝕刻用罩幕217之 異向性蝕刻法，蝕刻氮化矽膜216 。接著，剌離胜刻用罩 幕217。其次，使用L0C0S法，將被蝕刻通的氮化矽膜216 當作氧化用罩幕以氧化摻雑多晶矽膜215,藉Μ形成絕緣膜 209。此時，絕緣膜209之端部♦侵人氮化矽膜216之端部 ，而可形成烏嘴效應209a。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 步驟3(參閲第23HI(C));去除氮化矽膜216。其次，藉 由將絕緣膜2 09當作蝕刻用罩幕使用的異向性蝕刻法，蝕 刻摻雜多晶矽_215K形成浮動閛極霣極206。此時，由於 會在絕緣膜209之端部形成鳥嘴效應209a,所Μ浮動閛極 電極206之上緣部會沿著鳥嘴效應209a之形狀而形成尖銳 ，可形成突起部206a。 步驟4(參閲第23_(d));係使用热氧化法或LPCVD法 或合併使用該等方法，在上述步驟中所P成的元件之全面 上，形成由氧化矽膜所構成的険道絕緣膜210 。如此，被 積層通的各絕緣膜208、210及各絕緣膜209、210會各別予 Μ — II 化。 步驟5(參閲第24_(e));係在Μ上述步驟所形成的元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公嫠） g 39387 A7 B7 五、發明説明（1()) 件之全面上，形成構成控制閘極《極207之摻雜多晶矽膜 218 ° 步R6(參闓第24圈（f));係在K上述步骤所形成的元 件之全面上塗佈光阻劑之後，使用普通的微影技術，以形 成用W形成控制閛極霣播207之蝕刻用罩幕219。 步》7(參閲第24 H(g));係拜由使用蝕刻用罩幕219 之異向性触法，蝕刻摻雑多晶矽膜218以形成控制閜極霣 極207。之後，剌離触刻用軍幕219。 步驟8(參蘭第25· (h));係在以上述步驟所形成的元 件之全面上塗佈光阻劑之後，使用普通的微影技術，以形 成用以形成源極區域203的離子植人用罩幕220。其次，使 用普通的離子植入法，在基片202之表面上植入磷離子（P + )M形成源極區域203。之後，剝雕雕子植入用單幕220。 此時，離子植入用罩幕220,在形成至少覆Μ構成基片 202上之汲極區域204部分的同時，在浮動閛槿霣極206上 Μ不溢出之下形成。结果，源極區域203之位置，可依浮 動閜極霣極206之孀部而規定。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 步驟9(參閲第25圖（i));係在Μ上述步骤所形成的元 件之全面上塗佈光阻劑之後，使用普通的微影，Μ形成用 Μ形成汲極區域204的離子植入用軍幕2#1。其次，使用普 通的離子植入法，在基片202之表面上植入砷離子（As + )M 形成源極區域204。 此時，離子植入用軍幕221,在形成至少覆蓋源極S域 203的同時，在控制閛極霣極2 07上Μ不溢出之下形成。结 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 10 39 387 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11) 果，汲極匾域204之位置，可依控制閘極«極207之選擇閘 極211俩的蠼部而規定。 接著，若雛雕子植入用罩幕221時，即可完成記憶單 元陣列3 0 2。 琎明所欲《•决夕間顙 在使用分離閛捶型記憶單元201之快閃EEPR0M301中， 有Μ下的間題點。 (1)由於起因於用以完成控制閛霣極207之触刻用罩幕 219的位置偏差，而在各記憶單元201之寫入特性中會發生 不穩定的問題。 如第26· U)所示，在前述步驟6中，用Κ形成控制閘 極霣極207之蝕刻用軍幕219的位置在對各記憶單元201a、 2 0 1 b發生僱差的情況，其於前述步驟7中所形成的控制閛 極電極207之形狀，會在各記憶單元201a、201b中變成不 同0 又，依前述步»9之離子植入法而形成汲橛區域204時 ，汲極區域204之位置，可依控制閛極霣極207之薄擇閘極 211側的皤部而規定。 因此，如第2 6鬮（a )所示，在蝕刻用軍幕2 1 9之位置發 生餳差的情況，如第26_(b)所示，各笔憶單元201a、 201b之通道區域205的長度（通道長度）L1、L2畲變成不同 。但是，由於即使蝕刻用罩幕219之位置發生傾差其寬度 亦不會有變化，所Μ即時控制W極«極207之形狀不同其 寬度亦不會變化。例如，蝕刻用軍幕219之位置在記憶單 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) Π 39387 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説胡 ( 12 ) 1 I 元 201b 側 發 生 僑 差 的 情 況 費 記 憶 單 元 201b 之 通 道 長 度 L2 會 1 1 變 得 較 記 憶 單 元 201a 之 通 道 長 度 L1 短 0 1 1 在 通 道 長 度 L1 L2不 同 的 情 況 時 由 於 通 道 區 域 205 之 /—S 1 I 請 1 I 霣 阻 亦 舍 變 成 不 同 % 所 以 在 寫 入 動 作 時 所 流 動 的 軍 元 霣 流 先 閱 1 I 讀 1 I 值 會 發 生 差 0 亦 即 » 通 道 長 度 越 長 則 通 道 區 域 205 之 霣 阻 背 面 1 I 即 變 得 越 大 t 而 寫 入 動 作 時 所 流 動 的 單 元 電 潦 會 變 得 越 小 之 注 责 1 事 1 〇 當 寫 入 動 作 時 所 流 動 時 所 流 動 的 單 元 霣 流 值 發 生 差 異 時 項 再 1 1 9 在 热 霄 子 之 發 生 率 上 亦 會 發 生 差 異 0 结 果 各 記 憶 單 元 填 寫 本 ( 201a > 201b 之 寫 入 特 性 即 變 成 不 同 0 頁 1 1 (2)為規遴上述（1) 之 問 題 點 9 而 有 記 憶 單 元 201 之 微 1 1 细 化 受 到 阻 礙 的 問 思 0 1 1 在 設 計 分 離 閛 極 型 記 憶 單 元 201 時 9 並 非 僅 慮 及 各 閘 訂 I 極 霣 極 206 207 之 加 工 線 寬 尺 寸 精 度 而 已 9 亦 考 慮 各 閘 極 1 I 霣 極 206 207 之 重 叠 尺 寸 精 度 9 在 各 蘭 極 霣 極 206 207與 1 1 I 各 區 域 203 ‘ 204 之 位 置 闞 係 上 有 事 先 保 留 餘 裕 度 之 必 要 0 1 1 然 而 9 近 年 來 半 導 « 微 细 加 I 技 術 中 $ 在 加 工 0 . 5 μ η 左 右 1 之 線 寬 的 细 線 時 對 於 加 工 線 寬 尺 寸 精 度 雖 可 獲 得 0 . 05 μ η 1 1 程 度 9 但 是 重 叠 尺 寸 精 度 卻 只 能 獲 得 0 . 1〜0 .2 μ 〇 程 度 0 亦 1 | 即 1 分 雛 閛 極 型 記 憶 單 元 201 , 在各閘極霣極206 、 207 之 1 I 重 « 尺 寸 精 度 的 低 度 成 為 瓶 頸 時 其 微 畑 '化 即 會 受 到 阻 礙 〇 1 1 1 (3)分離閜極型記憶單元201 比 堆 叠 m 極 型 記 憶 單 元 在 1 1 微 细 化 上 舍 發 生 比 較 困 難 的 問 m 0 1 1 在 堆 叠 閛 極 型 記 憧 單 元 中 之 浮 動 閛 極 Μ 極 與 控 制 閛 極 1 1 霣 極 之 寬 度 為 相 同 » 且 其 兩 閛 極 霣 極 可 成 為 相 互 間 不 畲 發 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 2 39 3 87 .A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 13 ) 1 I 生 锸 差 而 重 叠 的 構 造 0 相 對 於 此 t 分 鐮 閘 極 型 記 憧 單 元 1 1 201 中， 控制閜極電極2 07之 一 部 分 可 配 置 在 通 道 區 域205 1 1 上 ， 構 成 選 擇 閛 極 2 1 1 〇 因 此 * 與 堆 叠 閘 極 型 記 憶 單 元 1 I 相 較 $ 分難閜極型記憶單元201僅有選擇閘極211之部分在 請 先 Μ I 1 1 基 片 202 上 的 元 件 之 佔 有 面 稹 會 變 大 0 亦 即 t 分 離 Μ 極 型 ik 背 1 1 1 記 憧 單 元 雖 無 通 度 消 除 之 問 题 $ 但 是 因 上 述 (2) (3)之闞係 之 注 意 事 項 再 填 本 頁 ·»_^ 1 1 其 高 稹體化仍有困_。 (4)使用分鑲閛檯型記憧單元201之記憧單元陣列302 1 1 (' I 舍 有 構 造 禊 雜 9 製 造 费 事 的 問 鼸 〇 1 1 本 發 明 係 闞 於 — 種 霣 晶 » 霣 晶 « 陣 列 % 半 導 « 記 憧 1 1 器 及 罨 晶 級 陣 列 之 製 造 方 法 9 其 i 的 係 在 於 解 決 上 述 問 題 1 I 點 者 0 1 訂 I 決 問 詗 而 採 手 段 1 1 如 申 誚 專 利 範 _ 第 1 項 之 電 晶 級 f 其 要 點 為 ： 共 有 — 1 1 1 個 控 制 閛 極 電 極 » 在 半 導 體 基 片 所 形 成 的 二 個 源 極 • 汲 極 1 1 匾 域 間 之 通 道 區 域 上 具 備 有 並 置 的 二 偁 浮 動 閘 極 霣 極 » 前 1 述 浮 動 閛 極 電 極 與 半 導 體 基 片 之 間 的 靜 電 容 ft $ 係 予 設 定 1 1 成 較 刖 述 浮 動 閘 極 霣 極 與 控 制 閜 極 霣 極 之 間 的 靜 霣 容 量 為 1 I 大 者 0 1 I 如 串 讅 専 利 範 園 第 2 項 之 電 晶 « t 要 點 為 ： 具 備 有 1 1 形 成 於 半 導 艚 基 片 上 的 第 — 及 第 二 源 極 • 汲 極 m 域 • 被 夾 1 1 於 前 述 第 一 及 第 二 涯 極 • 汲 極 匾 域 之 間 的 通 道 區 域 » 透 通 1 1 閛 極 絕 緣 膜 而 被 並 置 在 前 述 通 道 域 上 的 第 一 及 第 二 浮 動 閛 1 1 極 霣 極 • » 以 及 透 邊 m 緣 m 被 形 成 於 Μ 述 第 一 及 第 二 浮 励 閜 1 1 本紙俵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1 3 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 14 ) 1 | 極 霣 極 上 $ 且 依 第 •μ* 及 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 而 共 有 的 控 制 閘 1 1 極 霣 極 > 其 中 刖 述 第 — 浮 動 閛 極 霣 極 係 被 S 置 在 第 一 源 極 1 1 • 汲 極 區 域 的 附 近 $ 而 Λ,,Λ. 刖 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 係 被 配 置 在 /-—S 1 I 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 的 附 近 » 月IJ 述 第 —- 或 第 二 之 浮 動 閘 極 請 先 閱 1 1 I 霣 極 與 半 導 髓 基 片 之 間 的 靜 電 容 量 » 係 予 設 定 成 較 刪 述 第 讀 背 ιέ 1 1 1 或 第 二 之 浮 動 閛 極 霣 極 與 控 制 閘 極 霣 極 之 間 的 靜 電 容 量 之 注 旁 1 1 為 大 者 0 事 項 再 1 1 Λ 如 申 請 專 利 範 _ 第 3 項 之 霣 晶 « ， 其 要 點 為 « 具 備 有 填 寫 本 ( V 在 半 等 級 基 片 上 形 成 對 稱 構 造 之 第 — 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 頁 '— 1 1 域 被 夾 於 > 刖 述 第 一 及 第 二 源 極 鲁 汲 極 區 域 之 間 的 通 道 區 1 1 域 ， 透 過 閘 極 絕 緣 膜 而 被 並 置 在 前 述 通 道 區 域 上 之 同 一 尺 1 1 寸 形 狀 的 第 一 及 第 二 浮 動 閜 極 電 極 Μ 及 透 通 絕 緣 膜 被 形 訂 I 成 於 前 述 第 — 及 第 二 浮 動 閘 極 電 極 上 攀 且 依 第 — 及 第 二 浮 1 I 動 閛 極 霣 極 而 共 有 的 控 制 閘 極 霣 極 • * 其 中 前 述 第 一 浮 動 Μ 1 1 I 檯 霣 極 係 被 配 置 在 第 —» 源 極 • 汲 極 區 域 的 附 近 f 而 * 刖 述 第 1 ! 二 浮 動 閜 極 霣 極 係 被 配 置 在 第 二 源 極 • 汲 棰 匾 域 的 附 近 前 1 述 第 — 或 第 二 之 浮 動 閘 極 電 極 與 半 導 基 片 之 間 的 靜 電 容 1 1 量 係 予 設 定 成 較 前 述 第 — 或 第 二 之 浮 動 閘 極 霣 極 舆 控 制 1 | Μ 極 霣 極 之 間 的 靜 電 容 量 為 大 者 0 1 I 如 甲 請 専 利 範 _ 第 4 項 之 霣 晶 « ， 拜 要 點 為 ： 在 如 申 1 1 I 請 専 利 範 _第1至3項任 一 項 記 載 之 霣 晶 體 中 t 具 備 被 形 成 I 1 I 於 前 述 浮 動 闞 極 霄 極 之 上 部 的 突 起 部 者 0 1 1 如 申 請 専 利 範 園 第 5 項 之 霣 晶 體 1 其 要 點 為 • • 在 如 申 1 1 請 専 利 範 第 1至4項任 一 項 記 載 之 霣 晶 轚 中 9 前 述 控 制 閜 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） 1 4 39387 A7 B7 五、發明説明（15) 極之一部分係被配置在通道區域上，Μ構成選擇閜極者 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申二 由由的之入極 申 二槿極 一 匾汲提二子第荷閛極 如第會藉間極植電 如第源汲第棰 •可第電述電動霣 在述滾 ，之霣被極。在述一 •較汲極印與热前該浮極 : 前霣域極極由閘者：前第極加 •源合域成在應一閘 為在元區電閛藉動料為在述源施極二 耦區變可對第動 點，單極極動再浮資點 ，前二上源第之道而而憶與浮 要中 -汲閛浮 ，二 之要中 ，第極二述量通子內記域一 其Η際 •動二子第荷其體際述霣第前容述電、極及區第 ，晶之極浮第霣述電 ，晶之前極述邊電前速霣入極升 «8電料涯 二與热前該» 電料 ，閘前透靜在加極寫汲提 晶之資一第域成在 應晶之賁地制由由的 ，且閛 可 · 可 9載入第與區變可對霣載入接控會藉間位 ，動而極雖 之記寫向域道而而憶之記寫而述流 ，之霣場浮進源合 項項而潦區通子內記項項而源前電域極的霣二 ，一耦 6 1 荷域極述罨槿及 7 一 荷流在元區霣間高第荷第之 第任霣 S 汲前速電入第任霣霣 ，單極極 之生述霣述量 圓項入極· 在加極寫園項入定壓 ，汲閛槿發前存前容 範15植汲極 ，且閛可範S5植遇電壓 •動霣間至髄通霣 利21上 · 源合 ，動而利21上通 一 霣極浮極之入極透靜 專第極極 二 耩場浮進専第極可第 二 源二閘極植霣由的 誚· 電源第之霣二 ，請匯霣域加第一第動霣被極薄間 申範極二述ft高第荷申範槿區施的第與浮極由閛 ’之 如利閛第前容生述霣如利閛極上低向域二閘藉動料極 專動述逢霣發前存 専動汲域壓流區第動再浮實霣 請浮前透靜間至髄 請浮 •區電域極升浮 ·二 之極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15 39387 B7 五、發明説明（16 ) 之間的霣位，但因其《位較低故實質上無法植入热電子至 第一浮動閛極霣極上者。 如申請専利範画第8項之霣晶18，其要點為：在如申 請専利範園第2至7項任一項記載之電晶體中，在前述第二 浮動閜極《播上植入霣荷而寫入資料之際，為於將資料寫 入至第二浮動閜極霣極之際使必要的單元霣流值流動，而 褥預先設定在前述第一浮動閘極霄極上所儲存的霣荷Μ者 0 如申請專利範園第9項之霣晶體，其要點為：在如申 請専利範園第6至8項任一項記載之電晶體中，藉由調整前 述單元《流值與植入热《子至第二浮動閛極霣極上之時間 ,Μ調整被儲存在前述第二浮動閛極電棰上之電荷量，並 將被髄存在前述第二浮動閜極《極上之霣荷量設定成較少 以使之不致變成過度寫入狀態者。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申請專利範園第10項之霣晶《，其要點為：在如申 請専利範國第6至8項任一項記載之電晶髖中，箱由調整前 述單元霣流值與植入熱《子至第二浮動閘極《極上之時間 ,Κ調整被儲存在前述第二浮動閛極«極上之電荷量，並 將被雔存在前述第二浮動閛極霣極上之霣荷量設定成較多 以使之變成通度寫入狀態，且為可在前逑第一浮動閛極電 極止下方之通道區域上流動對應前述單元霣流值之漏霣流 ,而霈預先設定前述第一浮動閘極電極之閘極長度或基片 之雑質濃度的至少其中一方者。 如申請専利範第11項之霣晶體，其要點為：在如申 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 16 39387 A7 B7 五、發明説明（17) 請專利範匯第2至5項任一項記載之霣晶髑中，鞴由透過前 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 容霣導極閘 申前容霣専方二 述流較出 申一極霣與 電無成源動 如過霣無成下第前霣成讀 如第汲極域 靜有變 二浮 在透靜有變正述由元變以 在述 ·!«區 的之域第二 ：由的之域極前 ，單況值 ：前極制極 間極區向第 為藉間極區電之態之情流 為在源控汲 之電道流述 點 ，之電道極態狀域之霣。點 ，二述· 極極通域前 要中槿極通閘狀止匾 態元者要中第前極 霉閘之匾於 其體電閘之動入截極狀單值芦體述在源 極動方極憶 ·晶極動方浮寫近汲除該料 .晶前 ，一 M浮下汲記 體電閘浮下二於接*消於資« 電在壓第 動一正 •被 晶之動一正第處會極於基 之晶之 ，霣述 浮第極極出 霣載浮第極述而域源處以極霣載壓四前 一 述霣源讀 之記一述電前 ，區 二極所罨之記霣第通 第前極一M項項第前極之態道第電，極項項三的透 與於閘第值12一 與於閛態狀通向極大閘13一 第低由 域存動述流 第任域存動狀通之流閛為動第任加壓蕹 區髄浮前霣。鼸項區髄浮除導方域動況浮園項施霣 ， 極被一 由元者範g5極被 一 消成下區浮情'二範15上三壓 圾與第於單值利 2 汲與第於變正極 二 之第利 2 域第霣 . 則使基之料專第 •則使處舍極汲第態述専第區較五 極 ，而且域資請園極 ，而且域電 •述狀前請 B 極加第 源合 ， ，區 之申範源合 ， ，區極極前入於申範汲施加 1 耩 U 態極極如利一耦H態道閛源於寫憶如利 •上腌 第之無狀汲霣 專第之無狀通動一由於記 専極域上 述量荷通 •極 請述量荷通之浮第 ，處被 請源區極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 18 ) 1 I 第 一 浮 動 閘 極 霣 極 之 間 的 靜 電 容 ft 之 耩 合 即 可 提 升 第 — 浮 1 1 動 閘 極 霣 極 之 間 的 位 t 其 與 被 儲 存 於 J-4. 月U 述 第 一 浮 動 閘 極 1 1 霣 極 之 有 無 霣 荷 無 Μ ， 而 前 述 第 一 浮 動 閘 極 霣 極 正 下 方 之 1 I 請 1 | 通 道 區 域 畲 變 成 導 通 狀 態 t 處 於 消 除 狀 態 之 前 逑 第 二 浮 動 先 閲 1 | 讀 1 閛 極 霣 極 並 未 猫 存 霣 荷 t 而 處 於 寫 入 狀 態 之 ^ ·-刖 述 第 二 浮 動 背 1 之 1 閛 極 霣 極 有 髄 存 電 荷 t 且 處 於 消 除 狀 態 之 刖 述 第 二 浮 動 閘 注 意 1 I 極 霣 極 正 下 方 之 通 道 區 域 會 變 成 導 通 狀 態 9 而 處 於 寫 入 狀 事 項 再 1 1 態 之 刖 述 第 二 浮 動 閛 極 電 極 正 下 方 之 通 道 區 域 會 接 近 截 止 填 寫 本 ( 狀 態 $ 由 刖 述 第 一 源 極 • 汲 極 區 域 潦 向 第 二 源 極 • 汲 極 區 頁 1 1 域 之 單 元 電 流 9 由 於 前 述 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 處 於 消 除 狀 態 1 1 之 情 況 變 成 較 處 於 寫 入 狀 態 之 情 況 為 大 P 所 K 基 於 該 單 元 1 I 霣 流 值 以 讀 出 被 記 憶 於 前 述 第 二 浮 動 閘 極 電 極 之 資 料 值 者 訂 1 1 如 串 請 專 利 範 國 第 14項 之 轚 晶 « ， 其 要 點 為 * 在 如 Φ 1 1 1 請 專 利 範 園 第 2至5項 任 一 項 記 載 之 霣 晶 髖 中 t 在 刖 述 第 一 1 J 及 第 二 源 極 • 汲 槿 區 域 上 腌 加 第 電 m > 在 前 述 控 制 閛 極 I 電 極 上 施 加 較 第 電 m 高 的 第 七 霣 懕 $ 藉 由 強 力 耦 合 刖 述 1 1 第 一 及 第 二 源 極 暑 汲 極 區 域 之 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 電 極 9 1 由 於 At. 刖 述 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 電 極 之 電 位 不 致 由 第 六 電 壓 1 I 起 大 幅 變 化 f 前 述 控 制 閘 極 霣 極 與 第 — 第 二 浮 動 閛 槿 電 1 1 I 極 之 罨 位 差 會 變 大 9 且 在 前 述 控 制 閛 極 罨 極 與 第 一 及 第 二 1 1 浮 動 閛 極 電 極 之 間 會 發 生 高 霣 場 9 而 畲 流 動 FN隧 道 霣 流 9 1 1 所 Μ 前 述 第 一 及 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 中 之 電 子 會 抽 出 至 控 制 1 1 閛 極 霣 極 側 » 且 可 消 除 被 記 憶 於 前 述 第 — 及 第 二 浮 動 閘 棰 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X297公釐） 1 8 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 1 9 ) 1 I 電 極 上 之 資 枓 〇 1 1 如 申 請 專 利 範 圍 第 15項 之 電 晶 强 » 其 要 點 為 ♦ • 在 如 甲 1 1 誧 專 利 範 _ 第 14項 之 霣 晶 體 中 9 在 前 述 第 一 及 第 二 浮 動 閘 1 I 極 霣 極 中 之 霣 子 抽 出 至 控 制 閘 檯 霣 極 側 之 際 t 霣 子 即 會 由 請 先 閱 1 1 | 前 述 各 浮 動 閛 極 霣 極 之 上 部 所 形 成 的 突 起 部 飛 出 而 移 動 至 讀 背 1 1 I 控 制 閘 極 霣 極 側 者 〇 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 1 1 如 甲 謫 専 利 範 園 第 16項之霣 晶 體 陣 列 » 其 要 點 為 * • 其 1 1 包 含 電 晶 賸 f 具 有 半 導 通 基 片 表 面 所 形 成 的 二 偏 源 極 • 汲 1 ( /JTX- 極 區 域 該 半 導 體 基 片 上 的 絕 緣 «Τ > 被 並 置 在 該 m 緣 層 上 頁 ^—X 1 1 且 位 於 前 述 源 極 • 汲 極 區 域 之 間 的 二 個 浮 動 閛 極 電 極 及 位 1 1 於 該 二 個 浮 動 閛 極 霣 極 之 上 曆 的 共 通 之 控 制 閘 極 霣 極 者 1 | 字 線 ， 將 前 述 霣 晶 體 配 置 成 矩 陣 狀 9 且 共 通 連 接 在 該 矩 陣 訂 1 狀 內 被 排 列 於 列 方 向 的 複 數 個 霣 晶 班 之 各 控 制 閛 極 電 極 者 1 1 I Μ 及 位 元 線 9 各 別 共 通 連 接 在 前 述 矩 陣 狀 内 被 排 列 於 行 1 1 I 方 向 的 複 數 儸 霣 晶 tt 之 各 源 極 • 汲 極 區 域 者 0 1 1 如 申 讁 專 利 範 画 第 17項 之 罨 晶 體 陣 列 9 其 要 點 為 ： 其 1 包 含 霣 晶 Η 9 具 備 半 導 « 基 片 上 所 形 成 的 第 一 及 第 二 源 極 1 1 • 汲 極 區 域 S 被 夾 於 刖 述 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 間 1 I 的 通 道 區 域 Λ m m 閛 極 m 緣 膜 被 並 置 在 前 述 通 道 Μ 域 上 的 1 I 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 及透逢絕緣P而形成於前述第 1 1 I 一 及 第 二 浮 動 Μ 極 霣 極 上 » 依 第 — 及 第 二 浮 動 闥 極 電 極 而 1 1 共 有 的 控 制 Μ 極 霣 極 f 且 刖 述 第 —- 浮 動 閘 極 霣 極 係 被 配 置 1 1 在 第 一 源 極 • 汲 播 匾 域 之 附 近 ， 而 Λ.Λ. 刖 述 第 二 浮 動 阐 極 霣 極 1 1 係 被 配 置 在 第 二 源 極 • 汲 極 匾 域 之 附 近 字 媒 $ 將 前 述 霣 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1 9 39387 A7 B7 五、發明説明（2G) 晶體配置成矩陣狀，且共通連接在該矩陣狀内被排列於列 方向的複數個霣晶體之各控制閛極霣極者••以及位元線， 各別共通埋接在前述矩陣狀内被排列於行方向的複數個電 晶«之各源極·汲極區域者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申請專利範_第18項之霣晶«陣列，其要黏為=其 包含霣晶體*具備有在半導髖基片上形成對稱構造之第一 及第二源檯•汲極匾域、被夾於前述第一及第二源極·汲 極匾域之間的通道匾域、透通閛極絕緣膜而被並置在前述 通道區域上之同一尺寸形狀的第一及第二浮動閛槿《極、 及透通絕緣膜被形成於前述第一及第二浮動Μ極電極上， 依第一及第二浮動閛極電極而共有的控制W極霣槿，且前 述第一浮動W極電極係被配置在第一源極•汲極區域之附 近，而前述第二浮動閘極電棰係被配置在第二源槿•汲檯 區域之附近者；字線*將前述鼋晶體配置成矩陣狀•且共 通連接在該矩陣狀内被排列於列方向的複數偏霣晶體之各 控制閛極電極者；Κ及位元線，各別共通連接在前述矩陣 狀内之被排列於行方向的複數個霣晶體之各源極•汲極區 域者。 如申謫專利範圃第19項之電晶《陣列，其要點為：在 如申請專利範围第16至18項任一項記載、之電晶艚陣列中， 可分離被排列於前述列方向之各轚晶體的源極•汲極區域 ，且可形成獨立於每一個依被排列於行方向之各霣晶髓的 源極•汲播匾域而被排列在列方向之各電晶«上的位元線 者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 20 39387 A7 B7 五、發明説明（21) 如申請專利範圃第20項之霣晶《陣列，其要點為：在 如申請專利範圜第16至18項任一項記載之霣晶體陣列中， 前述霣晶體陣列係在列方向被分割成複數個單元塊，依被 排列於各單元塊中之行方向的各《晶體之源極•汲檯S域 而可形成共通的位元線，可分離被排列於各別的單元塊中 之前述列方向之各霣晶轚的源極•汲極區域，且可分離被 排列於相鄰單元塊中的行方向之各電晶體的源極•汲極區 域以形成各別的位元線者。 如申謫專利範園第21項之霣晶《I陣列，其要點為：在 如申請專利範圍第16至18項任一項記載之霣晶《陣列中， 前述霣晶«陣列係在行方向被分割成複數個單元塊，依被 排列於各單元塊中之行方向的各霣晶體之源極•汲極區域 而可形成共通的局部短路（locak short)位元線•對應各 局部短路位元線設有廣域位元線，各單元塊中之各局部短 路位元線與各廣域位元媒係透通開鼷元件而連接者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申請專利範蘭第2 2項之電晶體陣列，其要點為：在 如申誚専利範睡第16至21項任一項記載之霣晶《陣列中， 具備有形成於前述浮動閛極電極之上部的突起部者。 如申謫専利範圃第23項之霣晶Η陣列，其要點為：在 如申請專利範園第16至21項任一項記載之電晶«陣列中， 前述控制閛極之一部分係配置在通道區域上* Μ構成邐擇 閘極者。 如申請専利範園第24項之霣晶《陣列，其要點為：在 如申臃専利範圃第17至23項任一項記載之電晶嫌陣列中， 本紙張尺度適用中國國家標华（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 21 39387 A7 B7 五、發明説明（22 ) 在前述第二浮動閛極電極上植入霣荷而寫入資料之際，單 元霣流會由前述第二源播•汲極區域流向第一源極•汲極 區域，薄由透通前述第二源極•汲極區域與第二浮動閛極 霣極之間的靜霣容量之耦合，舍在前述通道區域及第二浮 動閛極霣播之間發生高霣埸，且加速霣子而變成热霣子， 再藉由被植入至前述第二浮動閛極霣極内而可在前述第二 浮動閘極霣極髂存霣荷，進而可寫入及記憧對應該霣荷之 資料者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申謫專利範園第25項之電晶《陣列，其要點為：在 如申請專利範圍第17至23項任一項記載之電晶體陣列中， 在前述第二浮動閘極電極上植入電荷而寫入賁料之際*前 述第一源極•汲極區域可透過定電流源而接地，在前述第 二源極•汲極區域上施加第一電懕*在前述控制閘檯電極 上施加較第一霣壓低的第二霣壓•單元電流畲由前述第二 源極•汲極區域流向第一源極•汲極區域，藉由透過前述 第二源捶•汲極區域及第二浮動閘極霣極之間的靜電容量 之耦合即可提升第二浮動Μ極霣槿之間的電位，在前述通 道區域與第二浮動Μ極霣極之間會發生髙電場，且加速電 子而變成热電子，再藉由被植入至前述第二浮動閘極«極 内而可在前述第二浮動閛極電極儲存霣荷，進而可寫入及 記憶對應該霣荷之資料，藉由透過前述第一源極·汲極區 域與第一浮動閘極電極之間的靜電容量之耦合雖可提升第 一浮動閜極霣極之間的霣位•但是因其霣位較低所Κ賁質 上無法植入热霣子至第一浮動閘極電極上者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 22 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 23 ) 1 I 如 串 請專利範画第26項之霣 晶 級 陣 列 t 其 要 黏 為 » 在 1 1 如 甲 請 専 利 梅 鬭第17至25項任 — 項 記 載 之 霣 晶 體 陣 列 中 * 1 1 在 刖 述 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 上 植 入 霣 荷 而 寫 入 資 料 之 際 t 為 1 I 請 1 I 於 將 資 料 寫 入 第 二 浮 動 閛 極 霣 棰 之 際 使 必 要 的 單 元 霣 流 值 先 閱 1 I 讀 1 潦 動 而 需 預 先 設 定 在 前 述 第 — 浮 動 閘 極 霣 極 上 所 髂 存 的 背 1 I 霣 荷 量 者 0 之 注 意 1 1 I 如 請專利範圃第27項之S 晶 體 陣 列 其 要 點 為 ： 在 事 項 1 1 再 1 如 請 專 利 範 園第24至26項任 一 項 記 載 之 霣 晶 鼉 陣 列 中 1 填 寫 本 ( 私 藉 由 調 整 前 述 單 元 霣 流 值 與 植 入 热 霣 子 至 第 二 浮 動 閜 極 霣 頁 1 1 極 上 之 時 間 以 調 整 被 髂 存 在 前 述 第 二 浮 動 閘 極 電 極 上 的 1 1 荷 量 並 將 被 儲 存 在 刖 述 第 二 浮 動 閛 槿 霣 極 上 的 霣 荷 量 1 | 設 定 成 較 少 使 之 不 致 變 成 通 度 寫 入 狀 態 者 〇 訂 I 如 申 讅專利範圃第28項 之 霣 晶 體 陣 列 其 要 點 為 ： 在 1 1 I 如 申 謫 專 利 範 圍 第24至26項任 一 項 記 載 之 霣 晶 體 陣 列 中 1 1 I 薄 由 調 整 前 述 單 元 霣 流 值 與 植 入 熱 霣 子 至 第 二 浮 動 閜 極 霣 1 1 極 上 之 時 間 Μ 調 整 被 髄 存 在 前 述 第 二 浮 動 閛 極 電 棰 上 的 1 霣 荷 量 並 將 被 槠 存 在 前 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 上 的 電 荷 量 1 1 設 定 成 較 多 Η 使 之 變 成 m 度 寫 入 狀 態 且 為 可 在 前 述 第 一 1 | 浮 動 Μ 槿 霣 極 正 下 方 之 通 道 區 域 上 流 動 Μ 對 懕 刖 述 單 元 霣 1 I 潦 值 之 漏 流 而 需 預 先 設 定 刖 述 第 一 β 動 閜 極 電 極 之 閜 1 1 I 極 長 度 或 基 片 之 雑 質 濃 度 的 至 少 其 中 一 方 者 0 1 1 如 串 請專利範圍第29項之電 晶 體 陣 列 其 要 點 為 * 在 1 1 如 串 籣専利範圍第17至23項任 一 項 記 載 之 霣 晶 鱷 陣 列 中 9 1 1 薄 由 透 > Λ. 刖 述 第 一 源 棰 • 汲 極 區 域 與 第 一 浮 動 閛 極 霣 極 之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 3 3 9 387 A7 B7 五、發明説明（24) 間的靜霄容量之耦合，則可與被髄存於前述第一浮動閘極 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 通域前 在，之極通閜狀止區態元者 在，二述 •可 之區於 ：中極 W 之動入截槿狀單值 ：中第前極即 方極憶 為列霣動方浮寫近汲除該料 為列述在源合 下汲記 點陣極浮下二 於接· 消於資 點陣前， 一耩 正 •被 要體閘一正第處會極於基之 要«在壓第之 極極出 其晶動第極述而域湎處以槿 其晶，霣述量 霉源讀 ，霣浮述電前，匾二 極所霣 ，霣壓四前容 極一 Μ 列之一前捶之態道第霄，極 列名電第通電 阐第值 陣載第於閘態狀通向極大閜 陣載三的透靜 動述流 骽記與存動狀通之.流閘為動 體記第低由的 浮前電。晶項域雠浮除導方域動況浮 晶項加壓賴間 一 由元者 «一 區被一消成下區浮情二 電一施霣，之 第於單值之任棰與第於變正極 二之第 之任上 三壓極 使基之料項項汲可使處會極汲第態述 項項域第霣霣 而且域資3023•則而且域電 •述狀前3123@ 較五極 ,，區之第至棰 ， * ，區極極前入於 第至極加第閘 Μ 態極極園17源合Η態道閘源於寫憶 _17汲施加動 無狀汲霣範第一耩無狀通動一由於記 範第· 上施浮 荷通 •極利圃第之荷通之浮第，處被 利園極域上一 %導極閜専範述量霣導方 二述流較出 專範源區極第 無成源動請利前容無成下第前罨成讀 請利一棰電與 有變二 浮申專通霣有變正述由元變 Μ 申専第汲極域 之域第二如謫透靜之域極前，單況值 如請述 區 極區向第 申由的極區電之態的情潦 申前極制極 % 道流述 如藉間霣道極態狀域之電。 如在源控汲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 24 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明 ( 25 ) 1 I 提 升 第 一 浮 動 閛 極 霣 極 之 間 的 電 位 9 其 可 與 被 儲 存 於 n- 刖 述 1 1 第 一 浮 動 閘 極 電 極 之 有 無 電 荷 無 Μ 9 而 刖 述 第 一 浮 動 閘 極 1 1 霣 極 正 下 方 之 通 道 m 域 舍 變 成 導 通 狀 態 t 處 於 消 除 狀 態 之 /*—Ν 1 I 請 1 | 前 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 並 未 儲 存 霣 荷 9 而 處 於 寫 入 狀 態 之 先 閱 1 | 讀 1 刖 述 第 二 浮 動 閜 極 霣 極 則 有 髓 存 霣 荷 且 處 於 消 除 吠 態 之 背 面 1 I 前 述 第 二 浮 動 閛 極 罨 極 正 下 方 之 通 道 區 域 會 變 成 導 通 狀 態 之 意 1 I t 而 處 於 寫 入 狀 態 之 前 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 正 下 方 之 通 道 事 項 £. 1 1 -fT 填 區 域 會 接 近 截 止 狀 態 由 前 述 第 源 極 • 汲 極 區 域 流 向 第 寫 本 二 源 極 • 汲 極 域 的 單 元 霣 流 由 於 前 述 第 二 浮 動 Μ 極 霣 頁 1 1 極 處 於 消 除 狀 態 之 情 況 變 成 較 處 於 較 少 狀 態 之 情 況 為 大 » 1 1 所 以 基 於 該 單 元 罨 滾 值 Μ 讚 出 被 記 憶 於 ^u. 刖 述 第 二 浮 動 閛 極 1 1 電 極 之 資 料 值 者 〇 訂 I 如 串 讅 專 利 範 _ 第 32項 之 電 晶 陣 列 9 其 要 點 為 * 在 1 I 如 申 請 専 利 範 〇0 團 第 17 至 23項 任 一 項 記 載 之 電 晶 體 陣 列 中 > 1 1 I 在 前 述 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 上 施 加 第 霣 懕 在 > 刖 1 1 述 控 制 閛 極 電 極 施 加 較 第 - 電 壓 高 的 第 七 電 壓 t 藉 由 強 力 I 耩 合 前 述 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 第 一 及 第 二 浮 動 閘 1 1 極 霣 極 由 於 刖 述 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 電 極 之 電 位 不 致 由 1 I 第 霣 壓 靼 大 幅 變 化 前 述 控 制 閘 極 霣 極 與 第 一 及 第 二 浮 1 I 動 閛 欐 電 極 之 霣 位 差 會 變 大 f 且 在 前 述 制 Μ 極 霣 極 與 第 1 1 I — 及 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 之 間 畲 發 生 高 電 場 而 舍 流 動 FN隧 1 1 道 霣 流 所 以 刖 述 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 電 極 中 之 電 子 會 抽 1 1 出 至 控 制 閛 極 霣 極 供 且 可 消 除 被 記 憶 於 刖 述 第 一 及 第 二 1 1 浮 動 閘 極 霣 棰 上 之 資 料 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） 2 5 3 9 387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（26) 1 | 如 串 請 專 利 範 園 第 33項 之 霣 晶 體 陣 列 9 其 要 點 為 ： 在 1 1 如 甲 請 專 利 範 画 第 32項 之 霣 晶 髖 陣 列 中 • 在 前 述 第 一 及 第 1 1 二 浮 動 閛 極 電 極 中 之 電 子 抽 出 至 控 制 閘 極 電 極 側 之 際 9 霣 1 I 請 1 I 子 即 會 由 刖 述 各 浮 動 閛 極 霣 極 之 上 部 所 形 成 的 突 起 部 飛 出 先 閲 1 1 ik I 而 移 動 至 控 制 閘 極 霣 極 側 者 0 背 1 1 之 1 如 串 請 專 利 範 圈 第 34項 之 電 晶 體 陣 列 f 其 要 點 為 • 在 注 意 1 I 如 甲 請 * 利 範 園 第 16 至 33項 任 一 項 記 載 之 霣 晶 體 陣 列 中 9 事 項 再 1 1 ^ I 其 係 串 聯 配 置 被 連 接 於 前 述 共 通 的 字 線 之 各 電 晶 臞 之 各 浮 填 本 ( 動 閘 極 霣 極 而 其 電 路 係 採 用 並 聯 連 接 共 通 的 位 元 線 而 成 頁 1 1 的 AND - N0R型構成者< 1 1 如 Φ 讅 專 利 範 圃 第 35項 之 半 導 髓 記 憶 器 其 要 點 為 ： 1 I 藉 由 在 浮 動 閘 極 電 極 上 植 入 霣 荷 >λ 進 行 資 料 之 寫 入 動 作 者 訂 I » 其 包 含 半 導 體 基 片 表 面 所 形 成 的 二 個 源 極 • 汲 極 區 域 1 1 I 該 半 導 9S 基 片 上 的 絕 緣 層 、 被 並 置 在 該 絕 緣 雇 上 且 位 於 Ju·*. 刖 1 1 1 述 源 極 • 汲 極 區 域 之 間 的 二 m 浮 動 閘 極 電 極 及 位 於 該 二 1 1 個 浮 動 閘 極 電 極 之 上 曆 的 共 通 之 控 制 閘 極 霣 棰 藉 由 將 被 I 植 入 於 刖 述 浮 動 閛 極 霣 極 之 霣 荷 抽 出 至 前 述 控 制 閛 極 霣 極 1 1 上 Μ 進 行 資 料 之 消 除 動 作 者 0 1 | 如 申 請 專 利 範 圃 第 36項 之 半 導 髖 記 憶 器 其 要 點 為 » * 1 I 藉 由 在 浮 動 閘 極 電 極 上 植 入 電 荷 以 進 行 η 料 之 寫 入 動 作 者 1 1 I > 其 包 含 半 導 體 基 片 上 所 形 成 的 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 棰 區 I 1 域 被 夾 於 * *-刖 述 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 間 的 通 道 區 1 1 域 透 邊 絕 緣 膜 被 並 置 在 前 述 通 道 區 域 上 的 第 一 及 第 二 浮 1 1 動 閛 極 霣 極 以 及 透 通 絕 緣 膜 而 形 成 於 前 逑 第 一 及 第 二 浮 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 6 39 387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 27 ) 1 I 動 閘 極 霣 極 上 且 依 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 而 共 有 的 控 1 1 制 閛 極 霣 極 其 係 箱 由 將 被 植 入 於 ,¾ A. 刖 述 浮 動 閘 極 電 極 之 霣 1 1 荷 抽 出 至 前 述 控 制 閛 極 霣 槿 上 以 進 行 資 料 之 消 除 動 作 者 〇 \ 1 I 如 申 請専利範圃第37項之半導體記憶器 其 要 點 為 ： 請 先 閱 1 1 | 係 η 由 在 浮 動 閘 極 霣 棰 上 植 入 霣 荷 Μ 進 行 黄 枓 之 寫 入 動 作 讀 背 1 1 1 者 其 包 含 在 半 導 顦 基 片 上 形 成 對 稱 嫌 造 之 第 一 及 第 二 源 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 1 1 極 • 汲 極 區 域 被 夾 於 刖 述 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 1 1 間 的 通 道 區 域 透 過 閘 棰 絕 緣 膜 而 被 並 置 在 前 述 通 道 區 域 上 之 同 一 尺 寸 形 狀 的 第 一 及 第 二 浮 動 Μ 極 霉 極 Μ 及 透 通 頁 '—✓ 1 1 絕 m m 被 形 成 於 前 述 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 電 極 上 且 依 第 1 1 一 及 第 二 浮 動 閘 極 罨 極 而 共 有 的 控 制 閘 極 電 極 » 其 係 箱 由 1 | 將 被 植 入 於 * >-刖 述 浮 動 閜 極 電 極 之 電 荷 抽 出 至 * 刖 述 控 制 閘 極 訂 I 霣 極 上 Μ 進 行 資 料 之 消 除 動 作 者 〇 1 1 I 如 串 請專利範_第38項之 半 導 通 記 憶 器 其 要 點 為 ： 1 1 | 在 如 甲 請專利範園第35至37項任 一 項 記 載 之 半 導 體 記 憧 器 1 1 中 具 備 有 形 成 於 刖 逑 各 浮 動 閘 極 霣 極 之 上 部 的 突 起 部 者 1 如 Φ 請專利範園第39項之半導體記愤器 其 要 點 為 • • 1 1 | 在 如 申 請 專 利 範 園第35至38項任 一 項 記 載 之 半 導 級 記 憶 器 1 I 中 前 述 控 制 閜 極 之 一 部 分 係 配 置 在 通 β 區 域 上 以 構 成 1 1 I m 擇 閛 極 者 0 1 1 如 串 請專利範圃第40項之半専«記憶器 其 要 點 為 * 1 1 在 如 串 諝専利範園第36至39項任 一 項 記 載 之 半 等 艚 記 慊 器 1 1 中 9 在 前 述 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 上 植 入 霣 荷 而 寫 入 賁 料 之 際 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 7 39 387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説曰/ ( 28 ) 1 1 > 單 元 電 流 會 由 前 述 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 流 向 第 — 源 極 • 1 1 汲 極 匾 域 η 由 透 m 前 述 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 與 第 二 浮 動 1 1 閛 極 霣 極 之 間 的 靜 霣 容 量 之 耦 合 會 在 前 述 通 道 區 域 與 第 ，—S 1 I 請 1 I 二 浮 動 閛 極 霣 極 之 間 發 生 高 霣 場 且 加 速 霣 子 而 變 成 熱 霣 先 閱 1 I 讀 1 子 再 藉 由 被 植 入 至 前 述 第 二 浮 動 閘 極 電 極 内 而 可 在 刖 述 背 1 1 第 二 浮 動 閜 極 霣 極 儲 存 霣 荷 進 而 可 寫 入 及 記 憶 對 應 該 電 之 注 1 I 荷 之 賁 料 者 〇 事 項 再 1 1 為 填 (Λ 如 甲 請 専 利 範 臑 第 41項 之 半 導 記 憧 器 ， 其 要 點 • • 寫 本 \ 在 如 甲 請 専 利 範 圏 第 36 至 39項 任 —* 項 記 載 之 半 導 體 記 憶 器 頁 1 1 中 在 前 述 第 二 浮 動 Μ 極 電 極 上 植 入 霣 荷 而 寫 入 賁 料 之 際 1 1 $ 刖 述 第 一 源 極 • 汲 極 區 域 可 透 過 定 電 流 源 而 接 地 在 前 1 1 述 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 上 施 加 第 — 電 壓 在 酣 述 控 制 閘 極 訂 1 霣 極 上 施 加 較 第 一 霣 壓 低 的 第 二 電 壓 單 元 電 流 會 由 W.. 刖 述 1 I 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 流 向 第 一 源 槿 • 汲 極 區 域 藉 由 透 過 1 1 I 前 述 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 與 第 二 浮 動 閘 極 電 極 之 間 的 靜 電 1 1 容 ft 之 耦 合 即 可 提 升 第 二 浮 動 閜 捶 霣 極 之 間 的 電 位 在 前 1 述 通 道 區 域 與 第 二 浮 動 閘 極 電 極 之 間 會 發 生 高 電 場 且 加 1 1 速 霣 子 會 變 成 熱 霣 子 再 薄 由 被 植 入 至 、*-刖 逑 第 二 浮 動 閛 棰 1 | 電 極 内 而 可 在 刖 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 儲 存 電 荷 進 而 可 寫 1 I 入 及 記 憶 對 應 該 霣 荷 之 資 料 藉 由 透 m m 述 第 一 源 極 • 汲 1 1 I 極 區 域 與 第 一 浮 動 閛 極 電 極 之 間 的 靜 電 容 量 之 耦 合 雖 可 提 I 1 升 第 一 浮 動 閘 極 霣 棰 之 間 的 霣 位 但 是 因 其 電 位 較 低 所 Μ 1 1 實 質 上 無 法 植 入 热 霣 子 至 第 一 浮 動 閛 極 霄 極 上 者 0 1 1 如 申 謫 専 利 範 圃 第 42項 之 半 m 艚 記 憧 器 其 要 點 為 ·· 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 8 39387 A7 B7 五、發明説明（29) 在如申請專利範圔第36至41項任一項記載之半導體記憶器 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 際流存 ：器閘極霄 ：器閘極霣述元之 ：器電動 之甯髓 為憶動霣的 為憶動電的 前單極 為憶極浮 料元所 點記浮極上 點記浮極上 在述霣 點記閘 一 資單上 要體二閛槿。要體二閘極可前極 要«動第 入的棰 其導第動霣者其導第動霣為應閘。其等浮述 寫要霣 ，半至浮極態，半至浮極且對動者，半一前 而必極 器之子二 W 狀器之子二 W ，動浮方器之第於 荷使閘 憶載電第動入憧載罨第動態流一r憶載與存 電際動 記記热述浮寫記記熱述浮狀上第中記記域髄 入之浮«項入前 二度體項入前 二入域述其體項區被 植極一 専一植在第過等一植在第寫區前少導一極與 上霣第 半任與存述成半任與存述度道定至半任汲可 極極述 之項值儲前變之項值儲前過通設的之項 •則 電閛前 項42流被在致項42流被在成之先度項39極， 極動在43至霣整存不44至霣整存變方預濃45至源合 閛浮定 第40元調餹之第40元調儲之下需質第36一耩 動二設 園第單M被使酾第軍 K 被使正而雜圍第第之 浮第先 範圈述，將M範圍述，將M極，之範圔述悬 二入預 利範前間並少利範前間並多霣流片利範前容 第寫需。專利整時，較專利整時，較極電基專利過霣 述料而者請專調的量成謫專諝的最成閘漏或請專透靜 前資，量申讅由上 荷定申請由上 荷定動 之度申 請由的 在將動荷如申藕極霣設如申藉極霣設浮值長如申藉間 , 為流霣 如 ，« 的量 如，電的 Μ 一流極 如，之 中，值的 在中極上荷 在中極上荷第霣閘 在中極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 29 39387 A7 _ B7 五、發明説明（30) 閘極霣極之有無霣荷無闢，而使第一浮動閘極霣極正下方 之通道區域變成導通狀態，且基於由前述第一源極•汲極 區域流向第二源極•汲極區域之單元電流值以讀出被記憶 於前述第二浮動閘極霣極之資料值者。 如申請専利範圃第46項之半導《記憶器，其要黏為： 在如申請專利範圃第36至39項任一項記載之半導體記憶器 中，藉由透過前述第一源禳·汲極區域與第一浮動閛極霣 極之間的靜霣容董之耦合*則可與被儲存於前述第一浮動 閜極霣捶之有無電荷無醑*而使第一浮動閘極霣檯正下方 之通道區域變成導通狀態*且處於消除狀態之前述第二浮 動閛極電極正下方之通道區域會變得導通狀態，而處於寫 人狀態之前述第二浮動閘極電極正下方之通道匾域會接近 截止狀態，由前述第一源極•汲極區域流向第二源極•汲 極區域之單元罨流，由於前述第二浮動閘極霣極處於消除 狀態之情況變成較處於寫入狀態之情況為大，所K基於該 單元電流值K讀出被記憶於前述第二浮動閘極電極之資料 值者。 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 如申請專利範圈第47項之半導«記憶器，其要黏為： 在如申請專利範圍第36至39項任一項記載之半導體記憶器 中*在前述第一源極•汲極區域上腌加第三霣壓•在前述 第二源極·汲極區域上施加較第三霣壓低的第四霄壓，在 前述控制閘極霣極上施加第五霣壓，藉由透過前述第一源 極•汲極區域與第一浮動閛極電極之間的靜霣容置之耦合 即可提升第一浮動閘極霣極之間的霣位*其與被齡存於前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 30 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 31 ) 1 I 述 第 一 浮 動 閜 極 電 極 之 有 無 霣 荷 無 闞 而 前 述 第 一 浮 動 閘 1 1 極 霣 極 正 下 方 之 通 道 區 域 會 變 成 導 通 狀 態 處 於 消 除 狀 態 1 1 之 前 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 並 未 髄 存 霣 荷 而 處 於 寫 入 狀 態 1 I 之 刖 述 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 則 有 儲 存 霣 荷 且 處 於 消 除 狀 態 請 先 閱 1 1 I 之 前 述 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 正 下 方 之 通 道 區 域 會 變 成 導 通 狀 讀 背 δ 1 1 1 態 而 處 於 寫 入 狀 態 之 前 述 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 正 下 方 之 通 之 注 童 1 1 道 區 域 會 接 近 截 止 狀 態 f 由 刖 述 第 一 源 極 • 汲 極 1S 域 流 向 ψ 項 再 1 1 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 單 元 電 流 於 前 述 第 二 浮 動 閘 極 填 寫 本 J ( 霣 極 處 於 消 除 狀 態 之 情 況 變 成 較 處 於 寫 入 狀 態 之 情 況 為 大 頁 1 1 » 所 以 基 於 該 單 元 電 流 值 讀 出 被 記 憶 於 «· 刖 述 第 二 浮 動 閛 1 1 極 霣 極 之 資 料 值 者 0 1 1 如 甲 請專利範圍第48項 之 半 導 髖 記 憶 器 其 要 點 為 訂 I 在 如 申 謫 專 利 範 園第36至39項任 一 項 記 載 之 半 導 體 記 憶 器 1 I 中 t 在 前 述 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 上 施 加 第 六 電 懕 > I 1 I 在 刖 述 控 制 閛 極 霣 極 上 施 加 較 第 - 霉 壓 高 的 第 七 電 壓 藉 1 1 由 強 力 耦 合 刖 述 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 第 一 及 第 二 I 浮 動 閘 極 電 極 由 於 刖 述 第 一 及 第 二 浮 動 閛 槿 電 極 之 電 位 1 1 不 致 由 第 六 電 壓 起 大 幅 變 化 f 前 述 控 制 閘 極 電 極 與 第 — 及 1 I 第 二 浮 動 閘 極 電 極 之 霣 位 差 會 變 大 且 在 前 述 控 制 Μ 極 電 1 I 極 與 第 一 及 第 二 浮 動 閘 極 電 極 之 間 舍 發 高 霣 場 而 畲 流 1 1 I 動FN隧道霣流 所 Μ 前 述 第 一 及 第 二 浮 動 m 極 電 極 中 之 甯 1 1 1 子 會 抽 出 至 控 制 閛 極 霣 極 俩 且 可 消 除 被 記 憧 於 前 述 第 一 1 1 及 第 二 浮 動 閛 極 電 極 上 的 黄 科 0 1 1 如 申 請 專 利 範 圍第49項 之 半 導 體 記 憶 器 其 要 黏 為 ： 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3 1 39387 A7 B7 五、發明説明（32) 在如申請專利範圍第48項記載之半導體記憶器中，在前述 第一及第二浮動閛極霣極中之霣子抽出至控制閛極霣極側 之際•《子即會由前述各浮動閘極«極之上部所形成的突 起部飛出而移動至控制閘極霣極側者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如申請專利範睡第50項之霣晶體陣列之製造方法*其 要點為：具備有•在半導體基片上形成閘極絕緣膜的步驟 •該步驟係在製造霣晶體陣列之際進行者，而該霣晶髓陣 列，係使具有在半導體基片上透通閜極絕緣膜而形成的第 一及第二源極•汲極區域、被夾於第一及第二源極•汲極 區域之間的通道區域、被並置於通道區域上之第一及第二 浮動W極霣極、在第一及第二浮動閘極電極上透過隧道絕 緣膜而形成，且依第一及第二浮動閛極電極而共有之控制 閛極霣極的罨晶體配置構成複數個矩陣狀，且依被排列於 行方向之各電晶體的源極•汲極區域而形成共通之位元線 者；在閘極絕緣膜上形成第一導霄膜的步驟；蝕刻第一導 罨性膜Μ形成構成浮動閘極霣極之第一膜的步驟；第一膜 係具有使之連續於配置成與第一膜之源極•汲極區域平行 的第一及第二浮動閘極電極間的形狀，而第一膜之兩側壁 成為第一及第二浮動閘極電極間的兩側壁，且在半専«基 片之表面上植入雜質離子Μ形成源極區、域·汲極區域的步 驟；在利用上述步驟而形成的元件之全面上形成隧道絕緣 縝的步驟；在利用上述步驟而形成的元件之全面上形成第 二導霣膜的步驟；Μ及藉由同時触刻第二導霣膜及鼸道絕 緣膜•由第二導霣膜形成控制閘槿電極，由第一膜形成第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 32 39387 A7 B7 五、發明説明（33) 一及第二浮動閘極霣極之步驟者。 如申請專利範圃第51項之電晶體陣列之製造方法，其 列 陣。 嫌者 晶列 電陣 之器 載憶 記記 項為 50作 第 Μ 圓列 範陣 利Η 專晶 請霣 申的 如造 用製 使而 係法 : 方 為造 點製 要之 其饈 , 晶 法 《 方之 造載 製記 之項 列一 陣任 體項 晶18 電至 6 之 1 項第 52Η 第範 園利 範專 利諝 専申 請如 申 ： 如為 點 要
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ο R 閃 快 的 1 ο 元画 單面 憶截 記部 之局 態的 形02 施J1 實勿 本陣 兀 用軍 使 應 ^ 0 (a之 01 1 1 第丨 體 晶 電 ΓΛ 元 單 憶 記 域 區 道 個 二 通成 、 構 3所 域7B 區極 極罨 汲極 • 閘 掻制 源控 個及 二 6 由 5 係極 , 罨 )1極 閘 動 浮 N 有 成 形 上 2 片 基 矽 晶 單 型 P 在 極 源 個 二 之 造 構 稱 對 於 夾 被 在 域域 區 區 極道 汲通 . 的 極 源 之 型 3 域 區 極 汲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 成極 形閛 列動 並浮 , 各 8 在 膜 〇 6 緣 0 ^ 極極 閘霣 過極 透閛 , 動 上浮 4 個 二 依 的過 狀透 形係 寸上 』 6 尺 極 C0電 L0極 緣閜 絕動 道浮 隧各 及在 9 P9· 緣膜 絕緣 的絕 由 藉 所 〇 7f 法 成 形 閜 制 控 有 成 形 而 極 形 部 上 之 6 播 霣 4 。 極域 6aM區 、 制 道 5a控通 部,在 起此置 突在配 有 而 成10 上 之 分 部 祺 緣 0 各 0 選 成 構 Μ 極 住 夾 由 藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 33 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（34) 該選擇閘極11之各源極•汲極區域3及選擇閘極11，即可 構成選擇電晶髓12。亦即，記憶單元1 ，係採用串脚連接 由浮動閛極霣極5、6及控制閛欖霣極7與各源極·汲極區 域3所構成的二個霣晶體；Μ及被形成於該各霣晶《間之 選擇霣晶《 12的構成。 記憶單元陣列（霣晶陣列）1〇2·係由基片2上所形成 的複數涸記憶單元1構成。為達到縮小基片2上的占有面積 之目的，相鄰的各記憶單元1 ，被共通於源極•汲極區域 3而配置著。 第1園（b)為記憶單元陣列102之局部平面。另外， 第1圃（a)為第11Mb)中之Y-Y媒截面鬮。 在基片2上形成有埸絕緣膜13，而藉由該場絕緣膜13 可進行各記憶單元1之元件分離。 被配置於第1圖（b)之縱方向的各記憶單元1之源極· 汲極區域3·係成為共通，且可由該源極•汲極區域3而形 成位元線。又*被配置於第1匾（b)之横方向的各記憶單元 1之控制W極電極7係成為共通，且可由該控制閛極電極 7而形成字線。 第2 係顯示使用記憶單元1之快閃EEPR0M101的全體 構成。 、 記憶單元陣列102·係使複數個記憶單元1配置成矩陣 狀而構成者。藉由被排列於列方向之各記憶單元1的控制 閛極霣極7 ·即可形成共通的字線WL1〜WLn。藉由被排列 於行方向之各記憶單元1的源極•汲極區域3，即可形成共 ^ IV (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 34 39387 A7 B7 五、發明説明（35) 通的位元線BL1〜BLn。 亦即，記憶單元陣列102 ，係採用串聯配置有與共通 的字線WL1〜WLn連接的各記憶單元1之浮動閘極電極5、6 ，而其霣路係並聯連接共通的位元線BL1〜BLn而成的AND-N0R型構成。 各字媒WL1〜WLn係與列解礓器103連接，而各位元媒 BL1〜BLn係與行解碣器104連接。 由外部指定之列位址及行位址，係被_入至位址接腳 105上。其列位址及行位址*係由位址接腳105透通位址緩 衡器106而轉送至位址閂鎖器107上。為位址閂鎖器107閂 鎖的各位址之中，列位址係轉送至列解碼器103上，而行 位址係轉換至行解《器104上。 另外，位址閂鎖器1 07，亦可逋當省略。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 列解碼器103選擇對應被位址閂鎖器10 7閂鎖之列位址 的一條字媒WL1〜WLn(例如，WL«(_示省略）），係對應後 述各字線WL1〜WL η之電位的各動作棋態而予Μ控制。亦即 •薄由控制各字線WL1〜WLn之電位*即可控制各記憶單元 1之控制閛極霣極7的電位。 行解碼器104，係為選擇對應被位址閂鎖器107閂鎖之 行位址的一條位元線BL1〜BLn(例如，ΒμΒ(Η示省略），而 對應後述的各動作棋態以控制各位元線BL1〜BLn之霣位或 開啟狀態。亦即，薄由控制各位元線BL1〜BLn之電位或開 啟狀態，即可控制各記憶單元1之源極•汲極區域3的霣位 或開啟狀態。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X25»7公釐） 35 39387 A7 B7 五、發明説明（36 ) 由外部指定之資料*係被_入至資料接腳108上。該 資料係由資料接脚108透過输入緩衝器109而轉送至行解碼 器104上。行解碼器104，係對應該資料而如後述般地控制 各位元線BL1〜BLn之電位或開啟狀態。 由任意的記憶單元1中所讚出的寅科，係由位元線BL1 〜BLn透過行解碼器104而轉送至感測放大器110上。感測 放大器110係為霣流感測放大器。行解碼器104，係連接已 選擇的位元線BL1〜BLn及感测放大器110 。以感测放大器 110判別的資料•係由_出缓衢器111透過賁料接腳108而 輸出至外部。 另外*上述之各霣路（103〜111)的動作係藉由控制核 心電路11 2而控制。 其次，參閲第3圈〜第8圖說明快閃EEPR0M101之各動 作模態（寫入動作、謓出動作、消除動作）。另外，第3圔 、第5圖、第7麵僅園示第1圖（a)之要部者•而第4圈、第 6圈、第8圈僅圈示第2圖之要部者。 (a)寫入動作（參閲第3圖及第4_) 經滴部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ下，係就連接於字線WLm及各位元線BLi、BL« + 1之 交叉點的記憶單元1(以下，標記為「lm(B)」）被選擇，而 在該記憶單元IbU)的各浮動閘極電極5,、6之中，在浮動 閘極霣極6上寫入資料的情況予Μ說明。 在記憶單元1·(β)的各源極•汲極區域3之中，對應接 近浮動閘極霣極5側的源極•汲極區域3(以下•檷記為「 3a」）之位元線BLb，係透過設於感測放大器110内的定霣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 36 39387 A7 B7 五、發明説明（37) 流源110a而接地，而其電位約為1.2V。 記憶單元lB(n)之各源極•汲極區域3之中，對應接近 浮動閘極電極6側的源極•汲極區域3(M下，標記為「3b 」）之位元線BLi + 1之電位係為10V。 又，對懕被遵擇之記憶單元lB(m)以外的各記憶單元 1之源極•汲極區域3的各位元線（BL1…BLa-1，BLb + 2… BLn)之霣位係為3V。 對應記憶單元1b(d)之控制閜極霣極7的字嬢WL·之霣 位係為2V。又，對應被選擇之記憧單元1·(·) K外的各記 憶單元1之控制閘極霣極7的各字線（WL1…WLb-1，WLb + 2… WLn)2S位係為0V。 在記憶單元IbU)中，選擇霣晶體12之臨限值霣壓vth 約為0.5v。因而，在記憶單元1b(b)中，源極•汲極區域 3a中之霣子舍移動至反轉狀態之通道區域4中。因此，單 元霣流lv會由源極•汲極區域3b流向源極•汲極區域3a。 另一方面，.由於源極•汲極區域3b之霣位係為10V ，所Μ 經滴部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 播由透遇源極•汲極區域3b與浮動閛極電極6之間的靜電 容量之頦合，即可提升浮動閘極霣極6之霣位而接近10V。 因此*會在通道區域4及浮動閛槿霣極6之間發生高電場。 因而，通道區域4中之霣子可被加速而成為熱電子•且舍 如第3園之箭號C所示，朝浮動閘棰霄極6植入。结果，會 在記憶單元1·(β)之浮動閘棰霣極6上髓存霣荷，且會寫入 及記憶1位元之資料。 此時·藉由透過源極•汲槿區域3a與浮動閘極電極5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 37 39387 A7 __B7_ 五、發明説明（38 ) 之間的靜電容量之耦合，可提升浮動閘極電極5之霣位接 近約1.2V。但是，在如此低的罨位下，實質上熱電子無法 植入至浮動閘極電極5上。亦即，在記憶單元lm(n)中，只 合在浮動閘極電極6上植入熱霣子。 又，在連接於宇線WL·及各位元線BLm-1、BLb之交叉 點之記憶單元1(M下*標記為「lB(m-l)」）的源極•汲極 區域3間亦會流動單元霄流lw。但是，在記憶單元1b(b-1) 中，對應位元線BLa-1之源捶•汲極區域3的電位由於係為 3V，所以無法提升各浮動閛極霣極5、6之霣位。因此’热 電子無法植入至記憶單元lmU-1)之各浮動閛極電搔5 、 6，而無法在記憶單元ln(n-l)上寫人資料。 接著，有闞連接字線WLb及各位元線BLm + 1、BLn + 2之 交叉點的記憧軍元1(M下，檷記為「1ιπ(β + 1)」）’因對應 位元線BLm + 2之源極•汲極區域3的電位為3V，而高於控制 W極霣極7(字線WLb)之電位（ = 2V) ’所Μ在各源極•汲極 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 區域3間不會流到單元電流。因此，熱電子無法植入至記 憶單元lm(m + l)之各浮動閛棰《棰5、6，而無法在記憶單 元1 ( B + 1)上寫人資料。 另外*即使有闞建接字線WL·之記憶單元1b(b)、1b( b-1)、lmU + l)以外的各記憶簞元1，因男記憶單元ls>U + l )同樣理由，而無法寫入資料。 因而•前述之寫入動作，只能在被選擇的記憶單元1· ()之浮動閘極霣極6上進行。 在此，藉由使流至源極•汲極區域3b、3a間的單元轚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 38 39387 經漪部中央標準局員工消費合作社印製 ΑΊ Β7 五、發明説明（39) 流lw之值、與寫入動作時間（热霣子植人至浮動閛極霄極 6内的時間）最遍當化，即可使儲存於記憶單元lnU)之浮 動閛極霣極6上的霣荷量最逋當化。 具體而言，可將儲存於記憶單元lnU)之浮動閘極電 極6上的電荷量•設定成較蓄積於習知之記憶單元201之浮 動閘極霣極206上的霣荷量少，而不致變成通度寫入狀態 。在寫入動作中，習知的記憧單元201之源極區域203的霣 位係設在12V·相對於此，本實腌形態之記憶單元1·(·)之 源極•汲棰區域3b(位元線BLb + Ι)的電位係予設定成低於 10V，此係為不變成«度寫入狀態所致。 然而，在記憶單元lm(B)之浮動閘極電極6上寫入資料 時·會有在浮動閘極電極5上已寫入資料的情況。在此情 況時，當因在浮動閘極霉極5上儲存多量的電荷而成為過 度寫入狀態時，浮動閘極電極5正下方之通道區域4即變成 完全的截止狀態*而在源極•汲極匾域3b、3a間乃不舍流 動單元電流lv。因此，即使在浮動閛極霣極5上寫入資料 之際，亦畲與前述之浮動閛極霣極6的情況相同，會減少 儲存在浮動閘極電極5上的電荷量，而不致變成過度寫入 狀態。如此，即使在浮動閘極«極5上寫入資料的情況， 浮動閘極電極5正下方之通道區域4亦不费變成完全的截止 吠態，且在源極•汲極區域3b、3a間畲流動犟元電流1*。 反言之，為能在浮動閛極電極6上寫入資料之際流動 必要值的單元霣流lw，而需事先設定髄存於浮動閘極電棰 5上的電荷量。亦即*乃必需將齡存於前述之浮動閛極電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 39 3 9387 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-° 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（40) 極6上的電荷量*事先設定成少於在浮動W極霣極5上寫入 資料之際流動必要值的單元霣流lw之程度。 另外，在記憶單元1β(·)之浮動閘極電槿5上寫入資料 的情況，對應源極•汲極區域3b之位元線BLa + Ι係透通設 於想測放大器11 0内的定電流源11 0 a而接地，而對應源極 •汲極區域33的位元線BLb之霣位被設為10V。就其他的電 位條件而言，係與在記憶單元1 β ()之浮動閘槿«極6上寫 入資料的情況相同。 因而，該寫入動作，係就被選擇的一個記憧單元1而 ,言可在其每一個浮動閘極電極5、6上進行。 (b)讀出動作（參閲第5讕及第6圔）係就記憶單元1b(b) 被選擇，而該記憶單元laU)之各浮動閛極電極5、6之中 ，由浮動閛極電極6讀出資料的情況予Μ說明。 對應記憧單元lm(m)之源極•汲極區域3a的位元線BLa 之«位係被設為3V。 對應記憶單元1ι(·)之涯極•汲極區域3b的位元線BLn + 1之電位係被設為0V。 又，對應被選擇的記憶單元lm(m) Μ外之各記憶單元 1的源極•汲極區域3之各位元線（位元線BL1…BLb-1, BLb + 2…BLn),係被設為開放狀態。 、 對應記憶單元ln(iD)之控制閘極電極7的字線WLb之罨 位係被設為4V。又對應被遘擇的記憶單元ImU)以外之各 記憶單元1的控制閛極霣極7之各字線（字線WL1…WLm + 1, WLn + 2.·· BLn)之電位係被設為0V° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 40 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（41) 在記憶單元lm(·)中，當源極•汲極S域3a被設為3V 時，鞴由透過源極•汲極匾域3a與浮動閘播電播5之間的 靜電容Μ之耦合，即可提升浮動閛極電極5之霣位接近3V 。结果，與齡存在浮動閛極霣極5上之有無霣荷無醐，浮 動閛極電極5正下方之通道區域4會變成辱通狀態。 如後述般，處於消除狀態之浮ft閘極霣槿6上不會雠 存電荷。相射於此，如前述般，處於寫入狀想之浮動閛槿 電極6上舍讎存霣荷。因而，處於消除狀態之浮動閜極電 檯6正下方的通道厪域4會變成導通狀態，而處於寫入狀態 之浮動閜極霣極6正下方的通道區域4畲變成接近截止狀態 Ο 因此，在控制閜極電極7上豳加4V時，由源極•汲概 區域3a流向源極•汲極區域3b之單元電流lr,舍在浮動閛 極電極6處於消除狀態的情況大於處於寫入狀態的情況》 鞴由利用感測放大器110檢测該單元霣流lr之值，即 可讀出記憶在E憧單元1Β(·)之浮動Μ霣極6上的賁料值。 例如，將濟除狀態之浮動W極電極6的賁料值當作「lj , 將«入狀態之浮動閜檯«極6的資料值當作「0」逭行謓出 。另外，此情況，亦可將想测放大器110連接在源極•汲 極B域3b側，以檢澜單元霣流lr。 、 另外，由記憶單元lm(n)之浮動閘極電極5中讀出賁料 的情況，對應瀟檯•汲SM域3b的位元線BLi + 1之霣位被 設為3V,而對應源極•汲捶區域3a的位元線BLii之電位被 設為0V。就其他的霣位件或開啟吠態而言，係與由記憧單 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 41 39387 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（42) 元1·(Β)之浮動闥極霣極6中讀出寅料的情況相同。 亦即，就被選揮的記憧單元IbU)而言，使消除狀態 之資科值「1」及寫入狀態之資料值「Oj的2值（=1位元） 記憧在其各浮動閜植《檯5、6之任一方，就可讓出其資料 值。 (c)消除動作（參閩第7_或第8圈） 躭記憧於連接字線WL·之所有的記植單元1之各浮動閛 極霣極5、6的寅料被消除的情況加以說明。 所有的位元線BL1〜BLn之霣位係被設為0V。 字壤WL·之電位係被設為15V。又，字鑲WL·以外的各 字線（WL1…WLm + 1, VLn + 2…WLn>之電位係被設為0V。 當比較各源極•灌極匾域3a、3b及基片2與各浮動閜 槿電極5、6之間的靜電容量、及控制閛棰電極7與各浮動 閛極霣檯5、6之間的靜電容量時，則以前者為壓倒性的大 。亦即，各浮動閘極霣極5、6,係強力與各海極·汲檯區 域3a、3b及基片2相耦合。因此，即使控制閘槿霣極7變成 15V,各源極•汲極區域3a、3b變成0V,各浮動鬮極霣極 5、6之電位亦不致由0V起大幅變化，而控制W檯霣極7與 各浮動閛極霣極5、6之霣位差舍變大，控制閛極霣槿7與 各浮動閘極霣極5、6之閜發生高霣埸。、 结果，FN«道霣潦脅流動，如第7_之筋虢D所示，各 浮動閛槿«極5、6中之霣子會抽出至控制閛槿霣極7·， 且進行被記憧於各記懂單元1內的資料之消除。 此時，由於舍在各浮動閛極霣極5、6上形成突起部5a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 42 39387 A7 B7 五、發明説明（43) 、6a,所以各浮動閛極霣棰5、6中之電子會由突起部5a、 6a飛出而移動至控制閛檯霣極7側。因而，電子之移動乃 變得很容易，且可有效抽出各浮動閛極«極5、6中之電子 0 另外，藉由同時理擇複數個宇媒VL1〜VLn,即可對連 接該各字《之所有的記憧單元1進行消除動作。如此將記 憧單元陣列102分剌成每一個複數姐之字埭WL1〜WLn的任 意之塊且Μ該各塊單位進行資料之消除的消除動作，即稱 為m消除。 其次，按照第9麵〜第12·依序說明記憧犟元陣列 102之製造方法。另外，在第9圏〜第12圔中，（a)〜（h)係 各別為（a ' ) (h ')之Y-Y線截面匾。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 步嫌1(參闢第9BI(a)(ai));係使用100：05法，在基片 2上之壜緬緣膜13未被形成的部分（元件區域）上，使用熱 氧法法形成由氣化矽膜所構成的閘極絕緣膜8。接著，在 閛極鱺緣膜8上形成構成浮動閛極霣極5、6的摻雄多晶矽 膜21。接著，使用LPCVD法，在摻鶼多晶矽鎮21之全面上 形成氮化矽膜22。其次，在氮化矽_ 22之全面上塗佈光阻 麵後，使用普通的微影技術，形成用Μ形成與源極•汲極 II域3平行之浮動阐極電槿5、6的触刻用罩幕23。 步骤2(參明第9圃（b)(b’））；鞴由使用触刻用罩幕23 之異向性tt性法，蝕刻氮化矽膜22。接著，剝離蝕刻用罩 幕23。其次，使用L0C0S法，將被鈾刻通的氮化矽膜22當 作飆化用罩幕以氧化摻雑多晶矽膜21, _以形成鳐緣贓9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 43 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（44) 。此時，縉緣膜9的孅部會侵入氮化矽_22之蟠部上，而 可形成烏嘴效懕9a。 步嫌3(參閲第10_(c)(c’）；除去氮化矽膜22。其次， 鶼由將涵緣膜9當作触刻用罩幕使用的異向性蝕刻法，胜 刻摻雜多晶矽膜21M形成構成浮動閘極霣極5、6的臢24° 該膜24,係具有使之連01被配置成與源極•汲捶E域3平 行的浮動閛極電極5之形狀，同時具有使之連鱭被£置成 與涯棰•汲極區域3平行的浮動閘極電極6之形狀。亦即， 膜24之兩側壁係成為浮動閛檯霣極5、6的兩供壁。此時， 由於會在絕緣膜9之端部形成鳥嘴效應9a,所Μ膜24之上 緣部畲沿著烏嘴效應9a之形狀而形成尖銳，而可形成突起 部 5 a、6 a 0 步朦4(參閲第10匯（d)(d’））；係在Μ上述步«所形成 的元件之全面上塗佈光阻劑後，使用普通的微影技術，Μ 形成用以形成滙極•汲極區域3的離子植入用罩幕25。其 次，使用普通的雛子植入法，在基片2之表面上注入Κ型雑 質離子（磷離子、砷離子等）Μ形成源捶•汲極匾域3。之 後，剌雛離子植入用罩幕25。 此時，離子植入用罩幕25,在至少覆董基片2上之未 形成源極•汲極區域3的部分下形成，吼時形成使不致溢 出於臢24上。结果，源極•汲極區域3之位置，可依膜24 之側壁（亦即，浮動閛極霣極5、6之孅部）而規定。 步骤5(參閲第lllMeMe’）；係使用热氧化法或 LPCVD法或合併使用該等方法，在上述步«中所形成的元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) 44 39387 ,1T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7 五、發明説明（45) 件之全面上，形成由氧化矽膜所構成的隧道絕緣膜10。如 此，被積靥邊的各缍緣膜8、10及各絕緣膜9、10#各別予 以一應化。 步骤6(參閲第11圈（f)(f’）；係在上述步《所形成的 元件之全面上，形成構成控制閛極霣極7之摻雜多晶矽臢 26 〇 另外，在各摻轅多晶矽_21、26之形成方法中具有以 下者。 方法1;在使用LPCVD法W形成多晶矽膜之際，在原料 氣內混入包含雜霣之氣«。 方法2;在使用LPCVD法Μ形成非摻雜的多晶矽膜之後 ，在多晶矽膜上形成雑質擴散源層（P0C13等），並使，雜 質由該雜質擴散源曆擴散至多晶矽膜上。 方法3;在使用LPCVD法Μ形成非摻雜的複晶矽腠之後 ，植入雄質離子。 步》7(參閱第12_(g)U*));係Κ上述步«所形成的 元件之全面上塗佈光阻劑後，使用普通的微影技術，Μ形 成用以形成各浮動閛極霣極5、Β及控制Μ檯霣槿7的牲刻 用罩幕27。 步》8(參閲第12HI(h)(h’）>;藉由便用触刻用罩幕 27之異向性蝕刻法，一面控制蝕刻氣體而一面同時蝕刻摻 雑多晶矽膜26、隧道絕緣膜10、絕緣膜9及臢24。藉由， 即可從摻繡多晶矽膜26形成控制閛欏霣極7,由_24形成 各浮動閛極電極5、6。_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~~ 45 39387 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 五、發明説明（46) 接著，當剌離触刻用罩幕27時.即可完成記憶單元陣 列 1 0 2 ° 如以上所詳述，若依據本實施形態，即可獲得以下之 作用及功效。 [1] 記憶單元1具有二個浮動閛極電極5、6,而各浮動 閛槿霣極5、6被並置在夾於二俚源極•汲極B域3之通道 區域4上。又，各浮動閛極霣極5、6,係共有一個控制閛 極霣極7。接著，一個記憶單元1,係可在每一個各浮動閜 檯«極5、6上記憧單元1位元之資料，且可合計記憧2位元 之賁料。 因而，在同一設計規則中，若依據記憶單元1,則與 習知的記憶單元201相比，可將每一個1位元之基片上的占 有面積約縮小66»。亦即，若依據記憶單元1，則匹配堆 叠閛極型記憧單元之高積Μ化即成為可能。 [2] 藉由排列於列方向之各記憶覃元1的控制閛極霣極 7,即可形成共通的字線VL1〜WLn。亦即，排列於列方向 之各記憧單元1的控制閛極霣極7係不舍被分離而逋鱭蓍。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 因而，可完全規避習知技術中之前述（1)的問題。 [3] 藉由上述[2],由於無需考處各浮動Μ極霣極5、6 及控制閛極«極7之重叠尺寸精度，所玟可完全規避習知 技術中之《述（2)的問匾。 [4] 在本實豳形態之前述步驟8中，鞴由一面控制触刻 氣艚而一面同時蝕刻摻雑多晶矽臢26、隧道缍緣膜10、涵 緣膜9及膜24,由摻雄複晶矽膜26中形成控制Μ極霣極7· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） 46 39387 附件 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8a 7.20 年/V Π五、發明説明（47 ) 由膜24中形成各浮動閜極霣極5、6。 [5] 在記憶單元陣列102中，鞴由排列在行方向之各記 憧單元1的源極•汲極區域3,即可形成共通的位元線BL1 〜BLn。因此，在記憧單元陣列102中，無必要形成如習知 的記憧器軍元陣列302之位元線接黏214。 [6] 藉由上述[4][5],本實施形態之記憶單元陣列102 .與習知形態之記憧器單元陣列302相較，構造簡單且容 易製造。 [7] 使用記憧單元1之快閃EEPR0H101,由於設有選擇 11,所Μ有在各個記憶單元1上理[擇其本身的功能，亦即， 在消除動作時由浮動W極轚極5、6抽出轚荷之際即使過度 抽出霣荷，亦可依選擇W11使通道區域4呈截止狀態。因 而，藉由選擇霣晶ϋ 1 2即可控制記憶單元1之専通•截止 狀態，且不致造成通度消除問題。亦即，藉由設在記憶單 元1之內部的選擇«晶《12,即可邐擇該記憧單元本身之 導通•截止狀態。 [8] 在寫入動作中，為了使髄存在記憧單元1之浮動閘 植霣極5、6上的霣荷量逋當化，不僅使消除狀態及寫入狀 態之2值（=1位元）記憧在記憶單元1內，僅需應用使之記憧 3值以上的技術（多值記僮技術）即可。亦即，在多值記憧 技術中，在寫入動作時藉由精密控制記憶單元之浮動藺極 霣極的電位而正確控制寫人狀應之作業係必要而不可缺少 者。若利用該浮動閜極霣極之«位的控制技術，則在寫人 動作時即可容易使鱅存在記憧蓽元1之浮動W橱«S5、6mrr A7 B7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS > A4規格（210X297公釐） 47 (修正頁） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（48 ) 内的霣荷量缠當化。 [9] 在寫入動作中，為防止通寫入狀態，而使記憶單 元1β(·)之源極•汲極區域3M位元線BLn + l)We©設低於 10V。因此，快閃EEPR0M101之霣灌霣壓即使在低霣壓化為 3.3V的情況，因充«泵之負載變輕，所以可容易對應低« 壓化。 相對於此，在習知的記憧單元201中，寫入動作中之 源極匾域203的電位被設定為12V。因此，快MEEPR0M301 之霣源霣壓為3.3V的情況時，即較難使用充霣泵生成供給 至源極區域203之電懕（ = 12V),且由於對該霣壓之生成被 要求特別的霣路，所Μ霣路構成畲變成較複雑。 [10] 記憶單元1之通道區域4的長度，係變成較習知之 記憧單元201的通道匾域205畏。因此，通道區域4之耐壓， 會高於通道區域205之酎麽。结果，在寫入動作中，賁料 變成較難寫人於已遵擇之記慵單元1Μ外的記憧單元1之各 浮動閜極電極5、6內，鞴此可更加確實獲得前述之寫入動 作的作用及功效。 [11] 在鱭出動作中，在箱由感測放大器110檢澜記憶 單元1之單元電流lr值之際，僅需應用多值記慵即可。亦 即，在多值記憧技術中，在讀出動作時精密檢拥單元«潦 之作業係必要而不可缺少者。若利用該單元霱流之檢測技 術，則在讀出動作時即可精密檢測單元霣流lr之值。 [12] 在寫入動作中，將《存在記憶單元1之浮動W極 電極5、6內的霣荷量設定成較少，即不致成為通度寫入狀 Γ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0 X 297公釐） 48 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（49) 態。因此，在消除動作中，由各浮動閘極電極5、6朝控制 閛極霣極7側抽出的電子量會變少。 [13] 在記憧單元1之各浮動W極電極5、6的上部形成 有突起部5a、6a。在消除動作中，各浮動閛衡霣極5、6的 霣子，舍由突起部5a、6a飛出而移動至控制閛極II極7上 Ο 相對於此，習知的記慵單元201,在潸餘動作中，浮 動W極霣極206中之霣子，僅由一涸突起部206a中飛出而 移動至控制閘極電極207上。 因而，若雠存在各浮動閛槿霣極5、6上之霣荷1相同 時，則由一個突起部飛出的霣子量，即畲變成記憧單元1 之霣子量較記憶單元201者少。 [14] 輅由上述[12][13],即可減少通通険道絕緣膜10 之霣子量。 在習知技術中，起因於消除動作時通通隧道缍緣膜 210的霣子，會有使記憶單元201之動作壽命變短的間題。 亦即，隧道絕錄膜210在習知技術之前述步驟4形成初 期，會形成起因於自然氧化臢或構造遷移層等不完全的氧 化矽•。在該不完全的氧化矽_上，不僅會结合成完全的 氧化矽膜之0-Si-0,而且會包含有不採用O-Si-O之形式的 憑空雄（dangling bond)。 亦即，由習知技術之前述步驟3移行至步» 4之期間， 由於浮動閛極霣極206之側鑒部被曝霣在含有氧的外氣中， 所Μ在浮動閛槿霣棰206之侧壁部的表面舍形成自然氧化 ,1Τ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 49 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 50 ) 1 膜 0 在 該 白 然 氧 化 膜上 ,包含有不採用0- S i -0 之 形式的懸 1 1 空 鍵 〇 又 9 由 多 晶 矽膜 所構成的浮動閛極 «極206、與由 1 1 氣 化 矽 膜 所 構 成 的 隧道 絕緣膜210之境界部分上存在著構 1 1 請 1 1 造 m 移 曆 0 在 該 構 造遷 移曆上，容易發生 不採用 0-S i -0之 先 R/] 1 I 讀 1 形 式 的 懸 空 鐽 〇 背 1 之 1 如 刖 述 般 9 在 消除 動作時，如第22圓 (c)之箭號B所示 注 意 1 I 9 浮 動 閜 極 電 槿 206中之霣子會抽出至控制閛極罨極207側 事 項 再 1 1 I 9 而 可 進 行 記 憶 於 記憧 單元201内的資料之消除 >此時， 填 寫 Γ 本 I 由 於 霣 子 通 通 包 含 不完 全的氧化矽膜之睹 道猪緣 膜 210， 頁 1 1 所 Μ 在 m 道 絕 緣 m 210上胞加有大應力。 1 1 因 此 f 笛 反 覆 寫入 動作及消除動作時 ，則藉 由在消除 1 | 動 作 時 施 加 在 m 道 絕緣 膜210上之應力，即可在不完全的 訂 I 氧 化 矽 膜 中 形 成 電 子阱 。該霣子畊，會阻 礙由浮 動閜極電 1 1 I 極 206朝控制閘極霣極207之霣子的移動。 因而， 不完全的 1 1 I 氧 化 矽 膜 中 之 霣 子 阱亦 會《著寫入次數及 消除次 數（亦即， 1 1 資 料 之 重 寫 次 數 )之壜加而壜加，且不足Μ抽出浮動閘極 霣 極 206中之霣子 ) 1 1 结 果 $ 欲 tt 加 記慵 單元201中的實料之重寫次數/3變 1 I 得 相 當 困 難 9 且 有 記憧 單元201之動作壽命變短的問a。 1 1 I 接 蕃 » 當 記 憧 單 元 201之動作壽命變短時、， 快閃 EEPR0M301 1 1 之 動 作 壽 命 亦 會 變 短0 1 1 相 對 於 此 » 在 本實 豳形戆中，由於可 減少通 邊》道鳐 1 1 緣 膜 10 之 霣 子 量 » 所Κ 可增加記憧單元201中之資料的重 1 1 寫 次 數 〇 结 果 > 可 增畏 記憧單元1之動作 壽命， 且亦可埔 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 5 0 3 9 387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（51 ) 長快閃EEPR0M101之動作壽命。 笛二奮嫌形糖 Μ下，係按照式具«說明本發明之第二資胞形態。 另外，在本實施形態中，與第一實施形態相同的構成構件 係使用相同的鼸號且省略其詳细說明。 第13圏係顯示本實施形態之快閃EEPR0M120的要部構 成0 在本實嫌形態中，與第6 所示之第一實施形態的快 閃EEPR0M101不同處只有Μ下數點。 [1] 在記憶單元陣列102中，可分麯排列在列方向之各 記憶單元1的源極•汲極區域3。 [2] 在記憶單元陣列102中，藉由排列在行方向之各記 憧單元1的源極•汲極匾域3,可在每一個排列在列方向 之各記懂單元1上形成已獨立的位元線BL1〜BLn。 亦即，可分雛記慵單元1·(·)所連接的位元線BLb、.與 記憧單元1·(·-1)所連接的位元線BLb-Ι。又，可分離記憧 單元1β(·)所連接的位元線BLn + 1、與記憶單元lm(m + l)所 連接的位元線B L * + 2。 若依據如此構成的本實施形態，則加上第一實施形態 之作用及功效即可獲得Μ下的作用及功p。 第一實腌形戆，在讀出動作中，對應已被選揮的記憶 單元1·(·)Κ外之各記憶單元1之源極♦汲極«域3的各 位元線（BL1…Βί·-1, Βί· + 2…BLn)即使被設為開放狀態， 充放霣流亦會在該各位元線上流動。因此，在該各位元線 *1T Γ. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 51 39387 A7 B7 五、發明説明（52) 完全被充放《之後不出現時，即無法以感测放大器no正 確檢拥記憧單元11(B)的單元«流lr之值。亦即，只要呈 開放吠態之各位元埭的充放霣所需的時間，醸有若干但卻 有使謓出動作之速度降低之虡。 相對於此，本實施形態，係在每一個排列在列方向之 各記憧單元1上設有已獨立的位元線BL1〜BLn。因此，對 應已被選擇的記憶單元1·(·)Μ外之各記憶單元1之源極 •汲播區域3的各位元線（BL1…BLn-1, BU + 2…BLn)即使 被設為開放狀態，充放電涑亦不會在該各位元狼上潦動。 因而，若依據本實施形態，則可防止起因於如第一實雎形 態之位元線BL1〜BLn之充放電霣流而造成讀出動作之速度 降低的情形，且可實現高速的讀出動作。 又，本實施形戆，由於在每一個排列在列方向之各記 憶單元1上設有已獨立的位元線BL1〜BLn,所以可在每一 .個已被理擇的記憶單元1上進行消除動作。 第三奮撫形獯 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) K下，係按照黼式具«說明本發明之第三實施形態。 另外，在本實施形態中，與第二實腌形態相同的構成構件 係使用相同的圃虢且省略其詳细說明。 第14鼷係顧示本實施形態之快閃EEfR0M130的要部構 成0 在本資施形態中，與第二實施形態的快閃EEPR0M120 不同處僅有K下數點。 [1]記憧簞元W列102,傈對應各位元嫌BLL〜BLn,在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 52 39387 A7 B7 五、發明説明（53) 列方向分剌成複數個單元塊102a〜102z。亦即，單元塊 102·,係依被連接於各位元嬢BL«-3〜BLn-1的各記憶單元 1而構成者。又，單元塊102η,係依被達接於各位元線 BL·〜BL* + 2的各記憧單元1而構成者。亦即，各單元塊 102a〜102z係各別具備三條的位元線BL1〜BLn。 [2] 在各單元塊102a〜102z中，可藉由排列在行方向 之各記憶單元1的源極•汲極區域3,形成共通的位元媒 Ο [3] 在各別的單元塊102a〜102z中，可分雕排列在列 方向之各記憧單元1的源極•汲極區域3 。又，在相鄰的 單元塊102a〜102z中，可分離排列在行方向之各記憶單元 1的源極•汲極區域3,且可形成各別的位元線。亦即， 在各單元塊102β,102η中，可分離對應已玀立之各位元線 BLn-Ι、BLn的灌極•汲極區域3。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，各記憧單元1·(·)、1·(· + 1)係被連接在共通的 位元埭BL麗+ 1上，而各記憶單元1·(·-2)、1ι»(·-1)係被連 接在共通的位元線BLb-2上。接著，可分鐮記憧單元1·(·) 所連接的位元線BLn、記憶單元1·(·-1)所連接的位元線 B L 1 - 1 0 若依據如此所構成的本實施形態，@加上第一資施形 態之作用及功效即可獲得以下的作用及功效。 第二實施形態，雖然讀出動作之速度變成較快，但是 在記憧單元陣列102全«中，由於在每一儸排列於列方向 之各記憧犟元1上形成對應巳獮立之位元線的源極•汲檯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 53 39387 A7 B7 五、發明説明（54) 區域3,所Μ記檐單元陣列102的面積會變大。 相對於此，本實施形態係在相鄰的單元塊102a〜102ζ 中，可分離排列在行方向之各記憧單元1的源極♦汲極區 域3,且形成各別的位元線。亦即，在相同的單元塊102a 〜102z中，與第一實腌形態相同，》由排列在行方向之各 記憧單元1的灌極•汲極區域3,即可形成對應共通的位 元鎳之源極•汲極區域3。因此，若依據本實施形態，則 較第二實施形態，可鎢小記憶單元陣列102之面積。 但是，本實雎形態，充放霣霣流會在連接於輿已被邐 擇的記憶單元1η(·)相鄰接之記憶單元liU + Ι)的位元線 BL» + 2上流動。但是，在其他的位元線（BL1…BLb-1, BL» + 3…BLn)上由於無充放電霣潦流動，所Μ若與第一實 豳形相較，則可進行高速的讀出動作。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，本實腌形態，在連接於已被選擇之一條字線VL1 〜WLn上的各記憶單元1之中，可僅就已被選擇之任意的 單元塊102a〜102z内之所有的記憶單元1進行消除動作。 例如，可僅躭單元塊102a内的各記憶單元1β(β-2)、1·(·-1)進行消除動作，而不就連接相同的字媒WLb之其他的記 憶單元1進行消除動作。又，可僅就各單元塊102·、102η 内的記憶單元 1·(·-2)、1β(ι-1)、1β(β)、1β(β + 1)進行消 除動作，而不就連接相同的字嬢VL·之其他的記憧犟元1 進行消除動作。 笛四奮廉形戆 以下，係按照式具«說明本發明之第四實施形戆。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 54 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（55) 另外，在本實施形態中，與第一實施形態相同的構成構件 係使用相同的臞號且省略其詳细說明。 第15圖係顧示本實施形態之快閃EEPR0M140的要部構 成0 在本實腌形態中，與第6 _所示之第一實雎形態的快 閃EEPR0M101不同處僅有下數點。 [1] 記憧單元》列102,係對應各字線WL1〜WLn,在行 方向分割成複數個單元塊102α〜102ω。亦即，單元塊 102 λ ,係依被連接於各字埭VLb-1〜WLb的各記憧單元1 而構成者。又，單元塊102 W ,係依被連接於各字線VLi« + 1〜WLn + 2的各記憶簞元1而構成者。 [2] 在各記憶單元陣列102c(〜102ω中，可藉由排列 在行方向之各記憶單元1的源極•汲捶區域3,形成共通 的位元線BLsl〜BLsn〇 [3] 配置有與各局部短路位元線BLs丨〜BLsn平行的各 廣域位元線BU1〜BLgn。廣域位元媒BU1〜BLgn,係由含 有高熔點金鼷之各種金靨構成的配線靥所形成。 [4] 在各單元塊102α〜102ω中，各局部短路位元媒 BLs丨〜BLsn與各廣域位元線BLgl〜BUn,係适通M0S霣晶 «141而連接。又，在各單元塊102α〜：102ω中，設在每 一個各局部短路位元線BLsl〜BLsn上的各M0S電晶髓141之 閘極，係連接在共通的閘極嬢G1〜Gn上。 亦即，在單元塊102λ中，設在每一個各局部短路位 元嫌BLsl〜BLsn上的各M0S電晶Μ141之閛極，係連接在共 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 55 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（56) 通的閛極線G·上。又，在單元塊102w中，設在每一個各 局部短路位元镍BLsl〜BLsn上的各MOS電晶體141之閘極， 係連接在共通的閛播嬢Gi + Ι上。 [5]各閘極線G1〜Gn係連接在列解碣器103上。列解碼 器103,係在任意的單元塊102α〜102ω内之字媒WL1〜 VLn被理！擇時，理擇對應該單元塊102α〜102ω的閜極線 G1〜Gn。结果，連接被選擇的閛極線G1〜Gn之各M0S霣晶 «141會圼専通狀態，且脅連接各局部短路位元線BLsl^ BLsn與各廣域位元線BLgl〜BLgn。 亦即，在單元塊102λ內的各字媒之任一個被遘揮時， 閛極線G·即可被選擇。又，在單元塊102w內的各字嬢之 任一個被選擇時，鬮極媒Gb + Ι即可被薄擇。 若依據如此構成的本實施形態，則依各記憧單元1之 源極•沒極匾域3所形成的各局部短路位元線BLsl〜BLsn ,每一個♦獮立設在各單元塊102«〜102α>上。因此，各 局部短路位元線BLsl〜BLsn之長度，會變成較第一實施形 態之位元線BL1〜BLn之長度為短。又，各局部短路位元線 BLsl〜BLsn,係形成由金屬配線層形成的廣域位元線 BLg 1〜BLgn所打底的構造。 因而，由於各局部短路位元線BLs 1(〜BLsn之靜《容量 畲減少，且各局部短路位元埭BLsl〜BLsn之充放霣所霈的 時間變短，所以可加快讀出動作的速度。 另外，上述各實腌形戆亦可如下變更，即使該情況亦 可獲得同樣的作用及功效。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 56 39387 ---------ft—— f' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 57 (1)在第- -實施形態之寫入動作中， 係將儲存在記憧 單 元 1 之 浮 動 閘 極 霣 播 5 、6内 的 電 荷 量 設 定 成 較 多 9 以形 成 遇 度 寫 入 狀 態 0 但 是 在 記 憶 單 元 li (B )之浮動閘極霣極6 上寫入資 科 之 際 % 當 浮 動 閛 極 霣 檯 5 已 形 成 通 度 寫 入 狀 態 而 浮動 閘 極 霣 極 5 正 下 方 之 通 道 區 域 4 形 成 完 全 的 截 止 狀 態 時， 單 元 霣 流 1 v 即 不 會 在 灌 極 « 汲 檯 區 域 3b 3a 間 流 動 0 因 此 9 在 此 情 況 時 » 為 使 一 定 的 漏 霣 m 在 浮 動 Μ 極霣 極 5 -6正 下 方 的 通 道 區 域 4 上 流 動 9 即 可 預 先 設 定 各 浮動 閛 極 霣 檯 5 * 6之 閘 極 長 度 或 基 片 2 之 雜 質 濃 度 的 至 少 一方 〇 如 此 » 即 使 浮 動 閜 極 霣 極 5 6 變 成 過 度 寫 入 狀 態 > 亦可 藉 由 漏 % 流 而 獲 得 必 要 的 單 元 電 流 1 w 〇 然 而 ， 當 記 憶 單 元 1 微 细 化 時 » 各 浮 動 閜 極 霣 槿 5 ' 6 之 閘 極 長 度 亦 會 随 之 變 小 9 且 漏 霣 流 變 得 容 易 在 通 道 區域 4 流 動 〇 亦 即 t 在 通 道 匾 域 4 上 涑 遇 一 定 的 漏 轚 流 Μ 替代 將 浮 動 m 極 霣 極 5 ‘ 6形 成 遇 度 寫 入 狀 態 的 方 法 f 可 說 較使 記 憶 單 元 1 撤 细 化 的 情 況 有 效 0 (2)在第三實施形態中， 係將各單元塊102 a 〜1 0 2 Z所 具 備 的 位 元 線 BL 1 〜BLn 之 數 量 設 在 四 條 Μ 上 0 (3)第五實施形態係姐合第二實施形（態及第四實施形 態 予 Κ 賁 施 0 第 16 _ 係 顬 示 該 情 況 之 快 聞 EEPR0M150的要 部 構 成 0 在 此 情 況 時 » 鞴 由 各 實 施 形 態 之 相 乘 作 用 t 即可 謀 求 讀 出 動 作 之 更 加 高 速 化 0 (4)第六資施形態係姐合第三實施形態及第四實施形 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 57 39387 請 先 閱 讀 背 ιδ 意 事 項 再 填 寫 本 頁 B7 五、發明説明（58 ) 態予Μ實施。第17_係顯示該情況之快閃EEPR0M160的要 部構成。在此情況時，藉由各實施形態之相乘作用，即可 謀求讀出動作之更加高速化。另外，在此情況中，依二個 記憶單元1所共有的局部短路位元線（BLsb-2、BLsb + 1等） ,亦可透遇MOS霣晶》而連接在廣域位元線（第17H中處線 )上。 (5) 第18匾為用以說明第七實施形態之作用之記憶單 元陣列102的局部截面圈。該第七實腌形態與第一實施形 態之相異處，僅在於未設置突起部5a、6a之點。 在本第七實施形態中，其寫入動作及讚出動作係輿第 一實施形態相同。在消除動作中，各浮動閛極«棰5、6中 之電子，係由浮動閜極電極5、6之側面或上角部飛出而移 動至控制閛極霣極7侧，Μ便通通隧道絕緣膜10之較薄的 部分。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有闥製造本第七實施形態之記憧單元陣列，在第9圖（ a)中，係形成氧化矽膜以替代氮化矽臢22,其係使用普通 的微影技術及蝕刻技術，Μ加工該氧化矽賸及構成浮動閛 極霣極5、6的膜24(此情況之独刻用軍幕，係使用與第9 画（a)所示的触刻用軍幕之圈案相反者）。之後，進行與第 10_ (d)M後相同的步驟。 、 在本第t實腌形態中，如上所述，與第一實施形態相 較，可不需要第9圔（b)所示之步驟，而可謀求步驊數之簡 略化。 (6) 將各閛極涵嫌膜8、10,置換成Μ氧化矽、氮氧化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 58 39387 A7 B7 五、發明説明（59) 矽、氮化矽中之至少一個作為主成份的其他絕緣膜。對於 該絕緣膜之形成，只要使用熱氧化法、熱氮化法、热氧氰 化法、CVD法中之至少一種方法即可。又，置換成雇叠複 數層該等相異之絕緣腆的構造。 (7)將各閛極霣槿5〜7之材質，各別置換成摻雜多晶 矽K外的導«性材料（非晶矽、單晶矽、含高熔點金属之 各種金颺、金層矽化物等）。 另外，在記憶單元1b(b)之浮動閛極電捶5上寫入資枓 的情況，對應源極•汲極區域3b之位元線BLb + Ι係透通設 於感測放大器110内的定霣流源110a而接地，而對應源極 •汲極匾域3a的位元線BL·之電位被設為10V。就其他的電 位條件而言，係與在記憶單元1·(·)之浮動W極電槿6上寫 入資料的情況相同。 因而，該寫入動作，係就被選擇的一個記憶單元1而， 言可在其每一届浮動閜極霣極5、6上進行。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (b)讀出動作（參閲第5画及第6圃）係躭記憧單元1β(·) 被邐擇，而該記憧單元lmU)之各浮動閘極罨榷5、6之中， 由浮動閜極霣極6讚出實料的情況予以說明。 對應記憶單元lnU)之源極•汲極區域3a的位元線 BL·之電位係被設為3V。 、 對應記憶單元1»(b)之源極•汲極區域3b的位元嬢 BL* + 1之«位係被設為0V。 又，對應被遘擇的記憶單元1ι(Β) K外之各記植單元 1的灌極•汲極區域3之各位元線（位元镍BL1…BLb-1, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 59 39387 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（6Q) BLi + 2-BLn),係被設為開啟狀態。 對應記憶單元1η(·)之控制閘極霣極7的字線VL·之電 位係被設為4V。又對應被選擇的記憶單元1β(·)以外之各 記憶單元1的控制閛極S極7之各字線（字線WL1…WLi + 1, WLb + 2... BLn)之電位係被設為0V〇 1 極 元源 單通 憶透 記由 在藏 時 中 極 汲 提閹 可動 即浮 , 在 合存 耦雔 之與 量 容果 霣结 靜。 極 霣 極 閘 動 述 後 如 相 ο 荷 電 存 # 方 上下 & 6«| 槿 δ 浮 霣極之 極 閜 此 因 3 PB 3 β 域霣 匾極 向 流
，於極 控極 正 存通 δ ^ 0 0 ^ 在源 tL. n *1— VI I 域浮霣 區升極 被 a 3 域 區 極 汲 極 源 極 霣 橱 閜 動 浮 與 3a動極 3V的 為間 設之 5 V 3 近 接 位 霣 之 5 極 霣 極 閛 浮 闞 無 荷 霣 無 有 之 上 5 髄 會 不 ο II上 期 6 狀極 通霣 導極 成 W 變動 會浮 4 - 域之 區 — 狀 道 i 除 通丨 之 方 下 消 於 處 前 如 此 荷 霣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 極 閛 動 浮 之 態 狀 入 寫 於 處 般 成 述I,變 霣 極0 動 浮 之 態 狀 除 消 於 處 而一的 會 因 4 方 會 4 域 區 道 下 正 6 電 極 閘 制 區 極 汲 0 狀 入 寫 於 處 而 態 狀 通 導 態 狀 止 截 近 接 成 變 舍 4 域 區 道 通 時 V 4 加 施 上 7 3 極域 流 電 元 單 之 極 汲 樯 源 由 閘 動 浮 在 況 情 的 態 狀 入 寫 於 處 於 大 況 情 的 態 狀 除 消 於 處 6 該 測 檢 ο 1X 1X 器 大 放 测 感 用 利 由 薄 動 浮 之 /f\ a 1A 元 單 憶 記 在 憶 記 出 讀 可 值 I’料 值 二 Γ 的 1上 流6J 電極 元、« 單閜 器 極 i 大 放 ΰ f 測 閛極感 動霣將 浮極可 之M亦 態動， 狀浮況 除之情 消態此 將吠 ， ， 入外 如寫另 例將。 極 作！ 源 當 ο 在 值 Γ 接 料作連 寅當10 的值I tr\ 料 賣 出 讀 行 進 汲 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） 60 39387 A7 B7 五、發明説明（61) 極區域3b俩，Μ檢拥單元霣流U。 另外，由記憧單元1β(»)之浮動閛極電極5中讀出資料 的情況，對應源極•汲極區域3b的位元線BLb + Ι之霣位被 設為3V,而對應源極•汲極區域3a的位元線BL·之霣位被 設為0V。就其他的霣位件或開啟狀態而言，係與由記憶單 元lm(·)之浮動閛極霣極6中謓出資料的情況相同。 亦即，就被選擇的記憧單元1·(η)而言，使消除狀態 之資料值「lj及寫入狀態之賁料值「0」的2值（=1位元） 記憧在其各浮動W極電極5、6之任一方，就可譲出其資料 值。 (c)消除動作（參閲第7·或第8睡） 躭記憶於連接字線VL·之所有的記憶單元1之各浮動阐 極轚捶5、6的資料被消除的情況加以說明。 所有的位元線BL1〜BLn之霣位係被設為0V。 字線WL·之霣位係被設為15V。又，字埭tfLuW外的各 字線（VL1…WLm + 1, WLb + 2…WLn)之霣位係被設為OV。 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當比較各源極•源極區域3a、3b及基片2與各浮動閛 極霣極5、6之間的靜電容ft、及控制閘極電極7與各浮励 閜槿電極5、6之間的靜霣容量時，則Μ前者為懕倒性的大 。亦即，各浮動閘極電極5、6,係強力^各源極•汲極區 域3a、3b及基片2相縞合。因此，即使控制閛極霣極7變成 15V,各源極•汲極匾域3a、3b變成0V,各浮動閛極電極 5、6之霣位亦不致由0V起大幅變化，而控制閛極«極7與 各浮動閛極霣極5、6之霣位差畲變大，控制閘槿霣槿7與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 61 39387 A7 B7 五、發明説明（62) 各浮動閜極霣極5、6之間發生高電埸。 结果，FN険道電流會流動，如第7H之箭號D所示，各 浮動閜極霣極5、6中之電子會抽出至控制閛槿霣極7側， 且進行被記憶於各記憶單元1內的資料之消除。 此時，由於舍在各浮動W極電播5、6上形成突起部5a 、6a,所以各浮動閛極霣極5、6中之霣子會由突起部5a、 6a飛出而移動至控制閜極電極7供。因而，電子之移動乃 變得很容易，且可有效抽出各浮動閘極電極5、6中之電子 Ο 另外，藉由同時遵擇複數個字線WL1〜WLn,即可對連 接該各字線之所有的記憶單元1進行消除動作。如此將記 憧單元陣列102分割成每一傾複數组之字媒WL1〜WLn的任 意之塊且Μ該各塊單位進行資料之消除的消除動作，即稱 為塊消除。 其次，按照第9匾〜第12圔依序說明記慵單元陣列 102之製造方法。另外，在第9画〜第12圆中，（a)〜（h)係 各別為（a ' ) (h ’）之Y-Y線截面圖。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 步驟1(參閲第9圔（a)(a·));係使用L0C0S法，在基片 2上形成場絕緣鼷13。其次，在基片2上之場絕緣膜13未 被形成的部分（元件區域）上，使用热氧g法形成由氧化矽 膜所構成的閛槿絕缘鎮8。接著，在K極絕緣縝8上形成構 成浮動閘極霣播5、6的摻雜多晶矽膜21。接著，使用 LPCVD法，在摻雑多晶矽_21之全面上形成氮化矽R22。 其次，在氮化矽膜22之全面上塗佈光阻劑後，使用普通的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 62 3 9387 A7 _B7 五、發明説明（63) 微影技術，形成用Μ形成與源極•汲極區域3平行之浮動 閛極霣極5、6的蝕刻用罩幕23。 步驟2(參閲第9H(b)(b'));藉由使用蝕刻用罩幕23 之異向性蝕刻法，蝕刻氮化矽膜22。接著，剝離蝕刻用罩 幕23。其次，使用LOCOS法，將被触刻邊的氮化矽膜22當 作氧化用罩幕K氧化摻雑多晶矽縝21,藉以形成絕緣膜9 。此時，絕緣_9的端部舍侵入氮化矽膜22之鳙部上，而 可形成鳥嘴效應9a。 步》3(參閲第10H(c)(c’）；除去氮化矽膜22。其次， 藉由將絕緣膜9當作蝕刻用單幕使用的異向性蝕刻法，蝕 刻摻雜多晶矽膜21以形成構成浮動閛極電極5、6的膜24。 該瞑24,係具有使之連讓被配置成與源極•汲極區域3平 行的浮動閛極罨極5之形狀，同時具有使之連鑛被配置成 與源極•汲極區域3平行的浮動W極電極6之形狀。亦即， _24之兩側莖係成為浮動閘槿霣極5、6的兩價壁。此時， 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 由於會在絕緣膜9之端部形成烏嘴效應9a,所以膜24之上 緣部舍沿著烏嘴效應9a之形狀而形成尖銳，而可形成突起 部 5 a、6 a 0 步驟4(參閲第10H(d)(d’））；係在Μ上述步驟所形成 的元件之全面上塗佈光阻劑後，使用普_的微影技術，以 形成用以形成源極•汲槿區域3的鑪子植入用罩幕25。其 次，使用普通的離子植入法，在基片2之表面上注入Ν型雜 質離子（W離子、砷難子等）Μ形成源極•汲極區域3。之 後，剝離離子植入用罩幕25。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 63 38376 A7 B7 五、發明説明（64) fc時，雕子植入用軍幕25,在至少覆蹵基片2上之未 形成源極•汲檯區域3的部分下形成，同時形成使不致溢 出於膜24上。结果，源極•汲極區域3之位置，可依膜24 之側壁（亦即，浮動閛極電極5、6之纗部）而規定。 步驟5(參閲第11圃（e)(e’）；係使用热氧化法或 LPCVD法或合併使用該等方法，在上述步驟中所形成的元 件之全面上，形成由氧化矽膜所構成的除道絕緣膜10。如 此，被積餍通的各絕緣_8、10及各絕緣鷗9、10脅各別予 以一 Μ化。 步驟6 (參闓第11 ( f ) ( f ’）；係在以上述步朦所形成 的元件之全面上，形成構成控制W極霣極7之摻雜多晶矽 膜26。 另外，在各摻雜多晶矽膜21、26之形成方法中具有以 下者。 方法1;在使用LPCVD法Μ形成多晶矽_之際，在原料 氣體内混入包含雜質之氣體。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 方法2;在使用LPCVD法Μ形成非摻雜的多晶矽膜之後 ，在多晶矽膜上形成雜質擴散源層（P0C13等），並使，雜 質由該雑質擴散源蹰掮散至多晶矽膜上。 方法3;在使用LPCVD法Μ形成非摻^的複晶矽膜之後 ，植入雜霣離子。 步驟7(#閲第12SBU)(gM);係以上述步驟所形成的 元件之全面上塗佈光阻劑後，使用眘通的»影技術，Μ形 成用Μ形成各浮動閛極霣極5、6及控制閛極電極7的蝕刻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 64 39387 A7 _B7 五、發明説明（65) 用罩幕27。 步嫌8(參閲第12H(h)(h’））；藉由使用蝕刻用罩幕 27之異向性蝕刻法，一面控制蝕刻氣體而一面同時触刻摻 雜多晶矽膜26、隧道絕緣膜10、絕緣膜9及賴24。藉由， 即可從摻雑多晶矽祺26形成控制閛極霣極7,由膜24形成 各浮動閘槿霣極5、6。 接著，當剝離蝕刻用罩幕27時，即可完成記憧單元陣 列 1 0 2。 如Μ上所詳述，若依據本實施形態，即可獲得Μ下之 作用及功效。 [1] 記憶單元1具有二個浮動閛極霣極5、6，而各浮動 閘極電極5、6被並置在夾於二個湄極•汲極區域3之通道 區域4上。又，各浮動閛槿霣極5、6,係共有一個控制閘 極電極7。接著，一個記憶單元1,係可在每一個各浮動閛 極霣極5、6上記憶單元1位元之資科，且可合計記憶2位元 之資料。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因而，在同一設計規則中，若依據記憧單元1,則與 習知的記憶單元201相比，可將每一個1位元之基片上的占 有面積約嫌小66 % 。亦即，若依據記憶單元1,則匹配堆 叠閛極型記馏犟元之高積體化即成為可@。 [2] 藉由排列於列方向之各記憧單元1的控制W極電檯 7,即可形成共通的字媒VL1〜i/Ln。亦即，排列於列方向 之各記憧單元1的控制閛極«極7係不會被分鐮而連纽著。 因而，可完全規避習知技術中之前述（1)的問颶。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 65 39387 A7 B7 五、發明説明（66) [3] 藉由上述[2],由於無需考慮各浮動閛極霣極5、6 及控制閛極電極7之重叠尺寸精度，所K可完全規遘習知 技術中之前述（2)的問題。 [4] 在本實施形態之前述步驟8中，藉由一面控制蝕刻 氣《而一面同時蝕刻摻雜多晶矽膜26、瞇道絕緣鎮10、絕 緣膜9及贓24,由摻雑複晶矽膜26中形成控制閜極霣極7, 由鼷24中形成各浮動閛極霣極5、6。 [5] 在記憶單元陣列102中，藉由排列在行方向之各記 憧單元1的源極•汲極區域3,即可形成共通的位元線BL1 〜BLn。因此，在記憶單元陣列102中，無有必要形成如習 知的記憶器單元陣列302之位元線接點214。 [6] 藉由上述[4][5],本霣施形態之記憶單元陣列102 ，與習知形態之記憶器單元陣列302相較，構造籣簞且容 易製造。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [7] 使用記憧單元1之快閃EEPR0M101,由於設有選擇 11,所以有在各個記憶單元1上選擇其本身的功能，亦即， 在消除動作時由浮動Μ極電極5、6抽出霣荷之際即使逢度 抽出電荷，亦可依選擇電晶腰12使通道區域4呈截止狀態 。因而，藉由番擇霣晶髓12即可控制記憶單元1之導通· 截止狀態，且不致造成通度消除問題。@即，藉由設在記 憶單元1之内部的選擇®晶《12,即可選揮該記憶單元本 身之等通•截止狀態。 [8] 在寫入動作中，為了使儲存在記憶單元1之浮動閛 捶®槿5、6上的霣荷悬逋當化，不僅使消除狀態及寫入狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 66 39387 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（67) 態之2值（=1位元）記憶在記憧單元1内，僅需懕用使之記憶 3值K上的技術（多值記憶技術）即可。亦即，在多值記憶 技術中，在寫入動作時藉由精密控制記憶單元之浮動閘棰 霣極的霣位而正確控制寫入狀態之作業係必要而不可缺少 者。若利用該浮動Μ極《極之霣位的控制技術，則在寫入 動作時即可容易使雔存在記憶單元1之浮動閘極霣極5、6 内的霣荷量缠當化。 [9] 在寫入動作中，為防止遇度寫入狀態，而使記憶 單元1·(β)之源極•汲極區域3b(位元線BLb + 1)W?|位設低 於10V。因此，快閃EEPR0M101之罨海電K即使在低18懕化 為3.3V的情況，因充霣泵之負載變輕，所Μ可容易對應低 霣懕化。 相對於此，在習知的記憶單元201中，寫入動作中之 源極區域203的霄位被設定為12V。因此，快閃EEPR0M301 之霣源霣懕為3.3V的情況時，即較雞使用充霣泵生成供給 至源極匾域203之電壓（ = 12V),且由於對該霣壓之生成被 要求特別的霣路，所Μ霣路構成會變成較複_。 [10] 記憶單元1之通道區域4的長度，係變成較習知之 記憧單元201的通道區域205長。因此，通道區域4之附壓， 畲高於通道區域205之附壓。结果，在寫、入動作中，資料 變成較難寫入於已理擇之記憶單元1以外的記憶單元1之各 浮動閛極電槿5、6內，藉此可更加確實獲得前述之寫入動 作的作用及功效。 [11] 在讀出動作中，在藉由感測放大器110檢測記憶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） 67 39387 A7 __B7_ 五、發明説明（68) 單元1之單元霣流lr*值之際，僅需應用多值記憧技術即可 。亦即，在多值記憶技術中，在讀出動作時精密檢測單元 霣流之作業係必要而不可缺少者。若利用該單元霣流之檢 澜技術，則在謓出動作時即可精密檢測單元霣流lr之值。 [12] 在寫入動作中，將儲存在記憶單元1之浮動Μ棰 «極5、6内的霣荷S設定成較少，即不致成為逢度寫入狀 態。因此，在消除動作中，由各浮動閜極霣極5、6朝控制 閘極霣極7側抽出的霣子量會變少。 [13] 在記憶單元1之各浮動閛極霣極5、6的上部形成 有突起部5a、6a。在消除動作中，各浮動閘檯霣極5、6的 霣子，會由突起部5a、6a飛出而移動至控制閘極電極7上 0 相對於此，習知的記憶單元201,在消除動作中，浮 動閛極轚極206中之電子，僅由一個突起部206a中飛出而 移動至控制閜極«極207上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因而，若儲存在各浮動閜極電槿5、6上之電荷量相同 時，則由一個突起部飛出的霣子悬，即會變成記憶軍元1 之«子量較記憶單元201者少。 [14] 藉由上述[12][13],即可減少通遇隧道絕緣縝10 之S子最。 （ 在習知技術中，起因於消除動作時通過隧道絕緣贓 210的霣子，會有使記憧單元201之動作壽命變短的間题。 亦即，隧道絕緣膜210在習知技術之前述步鼸4形成初 期，會形成起因於自然氧化贓或構造遷移靥等不完全的氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 68 3 9387 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（69) 化矽膜。在該不完全的氧化矽膜上，不僅會结合成完全的 氧化矽膜之0- Si-O,而且會包含有不採用O-Si-O之形式的 懸空鍵（dangling bond)。 亦即，由習知技術之前逑步驟3移行至步驟4之期間， 由於浮動W極電極206之側壁部被曝®在含有氧的外氣中， 所以在浮動閘極霣極206之側壁部的表面會形成自然氧化 祺。在該自然氧化膜上，包含有不採用0-Si-0之形式的懸 空鍵。又，由多晶矽膜所構成的浮動閛極電極206、輿由 氧化矽_所構成的鼸道维緣膜210之境界部分上存在著構 造遷移層。在該構造遷移曆上，容易發生不採用O-Si-O之 形式的懸空鐽。 如前述般，在消除動作時，如第22画（c)之箭號B所示 ,浮動閜極霣極206中之霣子會抽出至控制閛極霣槿207側 ，而可進行記憶於記憶單元201内的資料之消除。此時， 由於1子通通包含不完全的氧化矽膜之隧道絕緣膜210, 所Μ在陡道絕緣膜210上豳加有大懕力。 因此，當反覆寫入動作及消除動作時，則賴由在消除 動作時施加在隧道絕緣膜210上之應力，即可在不完全的 氧化矽膜中形成電子阱。該電子阱，會阻礙由浮動閘極電 極2 06朝控制閘極《極207之霣子的移動、。因而，不完全的 氧化矽膜中之霣子阱亦畲随著寫入次數及消除次數（亦即， 資料之里寫次數）之增加而增加，且不足以抽出浮動閛極 霣極206中之霣子。 结果，欲增加記憧軍元201中的資料之重寫次數/3變 Γ - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（2丨0Χ297公釐） 69 39387 A7 B7 五、發明説明（70) 得相當困難，且有記憶單元201之動作壽命變短的問題。 接著，當記憶單元201之動作壽命變短時，快閃EEPR0M301 之動作壽命亦翕變短。 相對於此，在本實施形態中，由於可減少通通隧道絕 緣膜10之霣子量，所Μ可增加記憶單元201中之賁料的重 寫次數。结果，可埔長記憶單元1之動作壽命，且亦可增 長快閃EEPR0M101之動作II命。 笛二竇淪形艟 以下，係按照圈式具Η說明本發明之第二實施形態。 另外，在本實施形態中，與第一資施形態相同的構成構件 係使用相同的號且省略其詳细說明。 第13画係顯示本實施形態之快閃EEPR0M120的要部構 成。 在本實施形態中，與第6圏所示之第一實施形態的快 閃EEPR0M101不同處只有Μ下數點。 [1] 在記憶單元陣列102中，可分離排列在列方向之各 記憶單元1的源槿•汲極區域3。 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) [2] 在記憧單元陣列102中，藉由排列在行方向之各記 憶單元1的源槿•汲極區域3,可在每一個排列在列方向 之各記憶單元1上形成已獨立的位元線gU〜BLn。 亦即，可分饑記憶單元1η(·)所連接的位元線BL·、與 記憶單元1β(·-1)所連接的位元線BLb-Ι。又，可分離記憧 單元1ι(·)所連接的位元镍BLn + 1、與記憶單元1Β(Π + 1)所 連接的位元線Βί· + 2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 70 39387 經濟部中央標準局®:工消費合作社印聚 A7 __B7 _ 五、發明説明（71) 若依據如此構成的本實施形懸，則加上第一實施形態 之作用及功效即可獲得κ下的作用及功效。 第一實施形態，在讀出動作中，對應已被壤擇的記憶 單元1·(·)Μ外之各記憶單元1之源極♦汲極區域3的各 位元線（BL1…BLn-1, BLb + 2…BLn)即使被設為開放狀態， 充放轚流亦畲在該各位元線上流動。因此，在該各位元線 完全被充放霄之後不出現時，即無法以感測放大器110正 確檢澜記憶單元1·(β)的單元電流lr之值。亦即，只要圼 開啟狀態之各位元線的充放霣所需的時間，雖有若干但卻 有使讀出動作之速度降低之虡。 相對於此，本實施形態，係在每一個排列在列方向之 各記憶單元1上設有已獨立的位元線BL1〜BLn。因此，對 應已被遘擇的記憶單元la(a)K外之各記憶單元1之源極 •汲極區域3的各位元線（BL1…BLm-1, BLb + 2…BLn)即使 被設為開放狀態，充放霣流亦不會在該各位元線上流動。 因而，若依據本實腌形態，則可防止起因於如第一實施形 態之位元線BL1〜BLn之充放霣霣流而造成謓出動作之速度 降低的情形，且可實現高速的謫出動作。 又，本實施形態，由於在每一涸排列在列方向之各記 憧單元1上設有已獮立的位元線BL丨〜Bfn,所K可在每一 俚已被邐揮的記憶單元1上進行消除動作。 笛三奮豳形脯 以下，係按照圓式具《說明本發明之第三實施形態。 另外，在本資豳形態中，與第二實施形態相同的構成構件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） 71 39 387 A7 _B7 五、發明説明（72) 係使用相同的號且省略其詳细說明。 第14·係顯示本實施形態之快閃EEPR0M130的要部構 成0 在本實施形態中，與第二實施形態的快閃EEPR0M120 不同處僅有以下數點。 [1] 記憶單元陣列102,係對應各位元媒BL1〜BLn,在 列方向分剌成複數個單元塊102a〜102z。亦即，單元塊 102·，係依被連接於各位元線BLb-3〜BLii-Ι的各記憶單元 1而構成者。又，單元塊102η,係依被連接於各位元線 BL·〜BLm + 2的各記憶單元1而構成者。亦即，各單元塊 102a〜102z係各別具備三條的位元線BL1〜BLn。 [2] 在各單元塊102a〜102z中，可藉由排列在行方向 之各記憶單元1的源極•汲極區域3,形成共通的位元線 Ο [3] 在各別的單元塊102a〜102z中，可分離排列在列 方向之各記憶單元1的源極•汲極區域3 。又，在相鄰的 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 單元塊102a〜102z中，可分離排列在行方向之各記憶單元 1的源極♦汲極區域3,且可形成各別的位元媒。亦即， 在各單元塊102β,102η中，可分鐮對應已獨立之各位元線 BI/i-l、BL·的源極•汲極區域3。 、 亦即，各記憶單元1*(β)、1·(· + 1)係被連接在共通的 位元線BL« + 1上，而各記憧單元1β(β-2)、1·(·-1)係被連 接在共通的位元媒BLi-2上。接著，可分離記憶單元1·(·) 所連接的位元線BL·、記憧單元1·(β-1)所連接的位元線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐） 72 39387 A7 __B7 五、發明説明（73) B L η - 1 0 若依據如此所構成的本實施形態，則加上第一實施形 態之作用及功效印可獲得Κ下的作用及功效。 第二實施形態，雖然謓出動作之速度變成較快，但是 在記憧單元陣列102全《中，由於在每一個排列於列方向 之各記愤單元1上形成對應已獮立之位元線的源極•汲極 區域3,所以記憶簞元陣列102的面積會變大。 相對於此，本實施形態係在相鄰的單元塊102a〜102ζ 中，可分離排列在行方向之各記憶單元1的源極•汲極區 域3,且形成各別的位元線。亦即，在相同的單元塊102a 〜102z中，與第一賁施形態相同，藉由排列在行方向之各 記憶單元1的源極•汲極區域3,即可形成對應共通的位 元線之源極•汲極區域3。因此，若依據本實施形態，則 較第二實施形態，可縮小記憶單元陣列102之面積。 但是，本實施形態，充放電霣流翕在連接於與已被選 擇的記憧單元1·(·)相鄰接之記憶單元lm(m + l)的位元線 BLb + 2上流動。但是，在其他的位元線（BL1…BLm-1, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本筲) BLa + 3…BLn)上由於無充放霣ί|流流動，所Μ若與第一實 腌形態相較，則可進行高速的讀出動作。 又，本實施形態，在連接於已被選g之一條字線WL1 〜VLn上的各記憶單元1之中，可僅躭已被遵擇之任意的 單元塊102a〜102z内之所有的記憶單元1進行消除動作。 例如，可僅就單元塊102b内的各記憶單元1b(b-2)、IbU-1)進行消除動作，而不躭連接相同的字線WLb之其他的記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 73 39387 A7 __B7 五、發明説明（74) 憶單元1進行消除動作。又，可僅就各單元塊102·、102η 内的記憶單元1 (腿-2 )、1 β ( - 1 )、1 n (臟）、1道（酿+ 1 )進行消 除動作，而不就連接相同的字線WL·之其他的記憶單元1 進行消除動作。 第四謇淪形應 Μ下，係按照匾式具《說明本發明之第四實施形態。 另外，在本實施形態中，與第一實廉形態相同的構成構件 係使用相同的圓號且省略其詳畑說明。 第15ΒΙ係顯示本實腌形態之快閃EEPR0M140的要部構 成。 在本實施形態中，與第6 所示之第一實施形態的快 閃EEPR0M101不同處僅有Μ下數點。 [1] 記憶單元陣列102,係對應各字線WL1〜WLn,在行 方向分割成複數届單元塊102α〜102ω。亦即，單元塊 102λ,係依被連接於各字線VLn-Ι〜VL»的各記憶單元1 而構成者。又，單元塊102w,係依被連接於各字線WLb + 1〜WLb + 2的各記憶單元1而構成者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [2] 在各記憶單元陣列102ct〜102ω中，可藉由排列 在行方向之各記憶單元1的源極•圾棰區域3,形成共通 的位元線BLsl〜BLsn。 < [3] 配置有與各局部短路位元媒BLsl〜BLsn平行的各 廣域位元線BLg丨〜BLgn。廣域位元線BLgl〜BLgn,係由含 有高熔點金屬之各種金牖構成的配埭層所形成。 [4] 在各單元塊102α〜102<y中，各局部短路位元線 39387 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 74 A7 _B7 五、發明説明（75) BLsl〜BLsn與各廣域位元線BLgl〜BUn,係透過MOS電晶 »141而連接。又，在各單元塊102α〜102ω中，設在每 一個各局部短路位元線BLsl〜BLsn上的各M0S«晶顦141之 閜極，係連接在共通的閘極線G1〜Gn上。 亦即，在單元塊102λ中，設在每一個各局部短路位 元線BLsl〜BLsn上的各MOSS晶髓141之閛極，係埋接在共 通的閛極線Gn上。又，在單元塊102m中，設在每一個各 局部短路位元線BLsl〜BLsn上的各M0S電晶體141之閘棰， 係連接在共通的閜極線Gii + Ι上。 [5]各閛極線G1〜Gn係連接在列解碼器103上。列解碼 器1 0 3，係在任意的單元塊1 0 2 α〜1 0 2 ω内之字線W L 1〜 «Ln被選擇時，選擇對應該單元塊102«〜102ω的閛極線 G1〜Gn。结果，連接被選擇的W棰線G1〜Gn之各MOSil晶 »141會呈導通狀態，且會連接各局部短路位元線BLsl〜 BLsn與各廣域位元線BU1〜BLgn。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，在單元塊102λ内的各字線之任一個被選擇時， 閛槿镍G·即可被選擇。又，在單元塊102/i內的各字媒之 任一個被選擇時，閛極媒Gb + Ι即可被選擇。 若依據如此構成的本實腌形態，則依各記憶單元1之 源棰•沒極區域3所形成的各局部短路、位元線BLsl〜BLsn ,每一個會獨立設在各單元塊102α〜102ω上。因此，各 局部短路位元線BLsl〜BLsn之長度，脅變成較第一實腌形 態之位元線BL1〜BLn之長度為短。又，各局部短路位元線 BLsl〜BLsn,係形成由金羼E線層形成的廣域位元線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐） 75 39387 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明（ 76 ) 1 I BLg 1 BL g η 所 打 底 的 構 造 0 1 1 因 而 * 由 於 各 局 部 短 路 位 元 線 BLs 1 BL s η 之 靜 電 容 量 1 1 舍 減 少 » 且 各 局 部 短 路 位 元 線 BL s 1 BL s η 之 充 放 霣 所 箱 的 1 1 請 1 1 時 間 變 短 $ 所 Η 可 加 快 讀 出 動 作 的 速 度 0 先 Μ 1 | 讀 1 另 外 $ 上 述 各 實 施 形 態 亦 可 如 下 m 更 f 即 使 該 情 況 亦 背 1 之 1 可 獲 得 同 樣 的 作 用 及 功 效 〇 注 意 1 I (1)在第- -實施形態之寫入動作中， 係將髄存在記憧 事 項 1 | 再 I 單 元 1 之 浮 動 閛 極 電 極 5 、6内 的 電 荷 董 設 定 成 較 多 Μ 形 填 寫 Γ 本 古 V— I 成 過 度 寫 入 狀 態 0 Ν^ 1 1 但 是 1 在 記 憶 單 元 1 B ()之浮動Μ極電極6 上寫入資 1 1 料 之 際 1 當 浮 動 閘 極 電 極 5 已 形 成 過 度 寫 入 狀 態 9 而 浮 動 1 1 閛 極 霣 極 5 正 下 方 之 通 道 區 域 4 形 成 完 全 的 截 止 狀 態 時 > 訂 I 單 元 電 流 lw即 不 會 在 源 極 ♦ 汲 極 區 域 3b 3 a 間 流 動 0 1 1 I 因 此 > 在 此 情 況 時 9 為 使 一 定 的 漏 轚 流 在 浮 動 閘 極 霣 1 1 f 極 5 .6正 下 方 的 通 道 區 域 4 上 流 動 1 即 可 預 先 設 定 各 浮 動 1 1 閛 極 霣 極 5、 6 之 閛 槿 長 度 或 基 片 2 之 雑 質 濃 度 的 至 少 —* 方 1 0 如 此 t 即 使 浮 勡 閛 極 罨 槿 5 6 變 成 過 度 寫 入 狀 態 » 亦 可 1 1 薄 由 漏 電 流 而 獲 得 必 要 的 單 元 電 流 1 w 〇 1 I 然 而 9 當 記 憶 單 元 1 微 细 化 時 f 各 浮 動 閛 極 霣 極 5 6 1 1 I 之 閑 槿 長 度 亦 會 m 之 變 小 > 且 漏 霣 流 變 容 易 在 通 道 區 域 1 1 4 滾 動 〇 亦 即 % 在 通 道 區 域 4 上 流 通 — 定 的 漏 罨 流 以 替 代 1 1 將 浮 動 閘 極 電 極 5、 6形 成 通 度 寫 入 狀 態 的 方 法 9 可 說 較 使 1 1 記 憧 單 元 1 微 细 化 的 情 況 有 效 0 1 1 (2)在第三實施形態中， 係將各簞元塊102 a 〜1 0 2 ζ所 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7 6 3 938 7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7 五、發明説明（77) 具備的位元線BL1〜BLn之數量設在四條Μ上。 (3) 第五實施形態係姐合第二實腌形態及第四實施形 態予Μ實施。第16_係顯示該情況之快閃EEPR0M150的要 部構成。在此情況時，藉由各實施形態之相乘作用，即可 謀求謓出動作之更加高速化。 (4) 第六實施形態係姐合第三實施形態及第四實施形 態予Μ實施。第17圓係顧示該情況之快閃EEPROM160的要 部構成。在此情況時，藉由各實施形態之相乘作用，曲可 謀求讀出動作之更加高速化。另外，在此情況中，依二個 記憧單元1所共有的局部短路位元線（BLS»-2、BLSn + l等） ，亦可透通MOS霣晶》而連接在廣域位元線（第17圈中虚線 )上。 (5) 第18圔為用以說明第七實施形態之作用之記憶單 元陣列102的局部截面圈。該第七資施形態與第一實雎形 態之相異處，僅在於未設置突起部5a、6a之點。 在本第七實施形態中，其寫入動作及謓出動作係與第 一實腌形態相同。在消除動作中，各浮動閜極霣極5、6中 之電子，係由浮動閘極電極5、δ之慟面或上角部飛出而移 動至控制閘極霣棰7側，以便通通陡道絕緣膜10之較薄的 部分。 < 有闞製造本第七賁施形態之記憶單元陣列，在第9圖（ a)中，係形成氧化矽膜Κ替代氮化矽膜22,其係使用普通 的微影技術及蝕刻技術，Μ加工該氧化矽膜及構成浮動閜 捶S極5、6的膜24 (此情況之蝕刻用罩幕，係使用與第9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 77 39387 A7 __B7 五、發明説明（78) 圔（a)所示的蝕刻用罩幕之讕案相反者）。之後，進行與第 10圈（d)M後相同的步朦。 在本第七實豳形態中，如上所述，與第一實施形態相 較，可不需要第9_(b)所示之步驟，而可謀求步驟數之簡 略化。 (6) 將各閘極絕緣_8、10,置換成Μ氧化矽、氮氣化 矽、氮化矽中之至少一涸作為主成份的其他絕緣膜。對於 該絕緣膜之形成，只要使用热氧化法、热氮化法、热氧氮 化法、CVD法中之至少一種方法即可。又，置換成層叠複 數暦該等相異之絕緣_的構造。 (7) 將各閛極電極5〜7之材質，各別置換成摻雜多晶 矽以外的導«性材料（非晶矽、單晶矽、含高熔點金靥之 各種金羼、金属矽化物等）。 (8) 將Ρ型單晶矽基片2置換成Ρ型井。 (9) 將Ρ型單晶矽基片2置換成Ν型單晶矽基片或Ν (請先閱请背面之注意事項再填寫本頁) 汲 極 源 成 形 作 供 \»/ 等 0、 « /IV 子 離 霣 雜 型 Ρ 用 使 並 井 型 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Κ 臛 金 成 換。 sf) 等 曆 :物 i b 2 Μ η 砂 U屬 T金^ U ^ «tB 晶 霣線 雑一兀 的位 入域 注廣 而將 %/ 3 ο 11 域 ί 區 極 多 雜 摻 ^rv 科 材 電 導 的 外 元 憧 記 各 在 術 技 懂 記 值 多 用 利 \—/ 11 11 /|\ 對 。 核 料用 資使 的時 上作 K 動 值入 3 寫 憶. 記中 別態 各形 上施 ΛΟ 實 > 5 各 極在 罨2) 極(1 M 動 方 入 寫 0 · 式上 浮 個 1 每 態 形 施 實 各 就 但 明 說 M 予 態 形 施 實 各 就 係 雖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐〉 78 39387 A7 __B7 五、發明説明（79) 所能把握的申請専利範園κ外之技術思想，κ下併記該等 功效。 (甲）一種《晶《,其為如申讅専利範_第1至5項中 任一項之霣晶體，在浮動閜極電極上形成依LOCOS法所形 成的絕緣膜者。 (乙）一種霣晶體陣列之製造方法，其為如申講專利範 園第21項之霣晶艚陣列之製造方法，具備使用LOCOS法在 前述第一専霣膜上形成絕緣祺之步驟者。 若依據上述（甲）（乙），則可在浮動閛極電極上形成突 起部者。 然而，在本說明害中，與本發明之構成有W之構件係 如Μ下所定義者。 (a) 謂半導》基片，並非僅係單晶矽半導«基片，亦 為包含井、單晶矽膜、多晶矽膜、非晶質矽膜、化合物半 導體基片、化合物半導體議者。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (b) 謂導霣膜，並非僅係摻雑多晶矽膜，亦為包含非 晶矽臢、單晶矽膜、含高熔點金雇之各種金羼膜、金靥矽 化物膜等所諝導霣材料膜者。 (c) 謂浮動閘極霣棰及基片之間的靜霣容董，亦為包 含浮動閛極霣極、與形成於基片之源極（•汲槿區域及通道 區域之一方或雙方之間的靜«容Μ者。 (d) 諝在寫入動作中，在一方之浮動閛極霣極上寫入 資料之際為流動必要值的單元電流，而預先設定雠存於另 一方之浮動閘極«極上的電荷量，此情況，亦為包含霣荷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )六4说格（210X297公釐） 79 39387 A7 B7 五、發明説明（8G 量為零者。 荈明夕功放 散 分 少 較 上 性 特 入 寫 在 種一 供 提 可 則 明 發 本 據 依 若 晶 霣 的 單 籣 造 構 且 囲 問 之 除 消 度 通 少 減 化 细 微 予 可 體 分霣 較單 分霣 少的 上簡 少的 較單 性造 較單 上簡 特構 上簡 性造 入且 性造 特構 寫， 特構 入且 在题。入且 寫· 由間列寫， 在題 用之陣在題。 由問 使除應由問法 種之 種消導種之方 一除 一度半 一除造 供消 供ift的供消製 提度。提少元提度之 可過列可減單可遇列 則少陣則 ，憶則少陣 ，減體 ，化記 ，減II 明 ，晶明 细之明 ，晶 發化霣發微成發化電 本细的本予構本细的 據微成據可所據撖成 依予構依 ，體依予構 若可所若散晶若可所 ·» 分霣 ，» 散晶 少的 散晶 明 說 里 篛 之 式 11 第 為 a /|\ 圓 Ί* 第 圓 面 平 部 局 之 態 形 腌 實一 第 為 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 1X 第 園 面 截 0 Y - Y 之 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第第 H 路 霣 塊 方 之 態 形 施 實一 第 為 圓 2 圏 面 截 部 要 的 用 作 之 態 形 施 實一 第 明 說 Μ 用 為 3 路 Μ 部 要 的 用 作 之 態 形 豳 實一 第 明 說 以 用 為 圈 4 第 _ 面 截 部 要 的 用 作 之 態 形 施 實 I 第 明 說 用 為 5 第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 80 39387 A7 B7 五、發明説明（81) 第6圏為用Μ說明第一實施形態之作用的要部霣路圖 〇 第7圖為用以說明第一資施形態之作用的要部截面圖 0 第8圈為用Μ說明第一實施形態之作用的要部霣路圔 0 第9匾（〆）第9圓（b')為用Μ說明第一資施形態之製造 方法的要部平面Η。第9矚（a)第9_ (b)為第9圃（a')第9圔 (b ')之Y-Y線截面圈。 第10麵（c’）第10鼸（d’）為用Μ說明第一實腌形態之製 造方法的要部平面_。第1〇_ (c)第10圔（d)為第10圖U') 第10圔（<Γ )之Y-Y線截面画。 第11圈（c’）第11圈（f’）為用Μ說明第一實腌形態之製 造方法的要部平面。第11圈（e)第11圓（f)為第11麵（e’） 第11B (厂）之Y-Y線截面疆。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第12麵U’）第12圓（h’）為用Μ說明第一實腌形態之製 造方法的要部平面圖。第12圓（g)第12圖（h)為第12画U’） 第12圃（h ')之Y-Y媒截面。 第13_為第二實施形態之要部霣路圃。 第14_為第三實施形戆之要部霣路I·。 第15_為第四實施形態之要部電路_。 第16圓為第五實施形態之要部電路圜。 第17圖為第六實施形態之要部霣路圜。 第18圔為第七實雎形態之要部霣路囫。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 81 39387 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 A7 __B7_ 五、發明説明（82) 第19圈為習知形態之概略截面豳。 第20圖（b)為習知形態之局部平面圈，第20圈（a)為第 12疆（b)之X-X線截面圔。 第21匾為習知形態之方塊電路圔。 第22匾為用Μ說明習知形戆之作用的要部截面圔。 第23_為用Κ說明習知形態之製造方法的要部截面画 Ο 第24·為用以說明習知形態之製造方法的要部截面園 Ο 第25圔為用Μ說明習知形態之製造方法的要部截面画 〇 第26騙為用Μ說明習知形態之作用的要部截面圃。 元伴a雎夕說明 1 記憶軍元（霣晶體） 2 作為半専»基片之單晶矽基板 3 源極•汲極匾域 4 通道匾域 5、6 浮動閜極霣極 5a、6a 突起部 7 控制蘭極霣極 ^ 8 閘極絕緣縝 10 隧道絕緣膜 21 作為第一導霣膜之摻雜多晶矽瞑 24 第一_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 82 39387 A7 B7 五、發明説明（83)
26 作為第二導霣膜之摻雑多晶矽膜 101、120、130、140、150、160 作為非揮發性半専 «記憶器之快閃EEPR0H (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 102 記憶單元陣 列 (霣 晶 體 陣 列 ) 102a〜102z % 102 α 〜1 0 2 ω 單 元 塊 141 作為開闞元 件 之M0S 電 晶 體 WL1〜 wl·〜η η 字 線 BL1〜 BL·〜BL η位 元 線 BLsl〜BLsb〜 BLs η 局 部 短 路 位 元 線 BLgl〜BLga〜 BLg η 廣 域 位 元 線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 83 39387
Claims (1)
- 附件二 典年 H3 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 第 86119479號 専 利 申 誧 案 串 請 専 利 範 画 修 正 本 (88年7月 20曰 ) 1 . 一 種 霣 晶 β » 其 為 共 有 — 個 控 制 閘 槿 電 極 t 且 在 半 導 基 片 所 形 成 的 二 涸 源 極 • 汲 極 區 域 間 之 通 道 區 域 上 具 供 有 並 置 的 二 届 浮 動 Μ 極 霣 極 t 前 述 浮 動 閛 極 轚 極 與 半 導 基 片 之 間 的 靜 霣 容 1 » 係 予 設 定 成 較 前 述 浮 動 閛 極 電 極 與 控 制 閜 極 霣 極 之 閜 的 靜 電 容 量 為 大 者 〇 2 ♦ — 種 電 晶 « » 其 為 具 備 有 ： 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 形 成 於 半 導 « 基 片 上 » * 通 道 區 域 > 被 夾 於 前 述 第 — 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 間 9 第 — 及 第 二 浮 動 閜 極 轚 極 透 邊 Μ 極 絕 錄 m 而 被 並 置 在 前 述 通 道 區 域 上 以 及 控 制 閛 槿 霣 極 $ m 逢 絕 緣 膜 被 形 成 於 前 逑 第 一 及 第 二 浮 動 閜 極 電 極 上 > 且 依 第 — 及 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 而 共 有 者 • 9 其 中 刖 述 第 — 浮 動 閛 極 霣 極 係 被 配 置 在 第 源 極 _ 汲 極 匾 域 的 附 近 • 而 前 述 第 二 浮 動 閛 極 電 極 係 被 配 置 在 第 二 源 極 署 汲 極 匾 域 的 附 近 9 前 述 第 一 或 第 二 之 浮 動 閛 極 霣 極 與 半 導 tt 基 片 之 間 的 m 電 容 ft 9 係 予 設 定 成 較 前 述 第 — 或 第 二 之 浮 動 閜 極 電 極 與 控 m 閘 極 霣 槿 之 間 的 靜 霣 容 ft 為 大 者 〇 3 .— 種 霣 晶 Η 參 其 為 具 備 有 • • 本紙張尺度適用中國國家棵準（CNS)A4規格（210X297公董） 附件二 典年 H3 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 第 86119479號 専 利 申 誧 案 串 請 専 利 範 画 修 正 本 (88年7月 20曰 ) 1 . 一 種 霣 晶 β » 其 為 共 有 — 個 控 制 閘 槿 電 極 t 且 在 半 導 基 片 所 形 成 的 二 涸 源 極 • 汲 極 區 域 間 之 通 道 區 域 上 具 供 有 並 置 的 二 届 浮 動 Μ 極 霣 極 t 前 述 浮 動 閛 極 轚 極 與 半 導 基 片 之 間 的 靜 霣 容 1 » 係 予 設 定 成 較 前 述 浮 動 閛 極 電 極 與 控 制 閜 極 霣 極 之 閜 的 靜 電 容 量 為 大 者 〇 2 ♦ — 種 電 晶 « » 其 為 具 備 有 ： 第 一 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 形 成 於 半 導 « 基 片 上 » * 通 道 區 域 > 被 夾 於 前 述 第 — 及 第 二 源 極 • 汲 極 區 域 之 間 9 第 — 及 第 二 浮 動 閜 極 轚 極 透 邊 Μ 極 絕 錄 m 而 被 並 置 在 前 述 通 道 區 域 上 以 及 控 制 閛 槿 霣 極 $ m 逢 絕 緣 膜 被 形 成 於 前 逑 第 一 及 第 二 浮 動 閜 極 電 極 上 > 且 依 第 — 及 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 而 共 有 者 • 9 其 中 刖 述 第 — 浮 動 閛 極 霣 極 係 被 配 置 在 第 源 極 _ 汲 極 匾 域 的 附 近 • 而 前 述 第 二 浮 動 閛 極 電 極 係 被 配 置 在 第 二 源 極 署 汲 極 匾 域 的 附 近 9 前 述 第 一 或 第 二 之 浮 動 閛 極 霣 極 與 半 導 tt 基 片 之 間 的 m 電 容 ft 9 係 予 設 定 成 較 前 述 第 — 或 第 二 之 浮 動 閜 極 電 極 與 控 m 閘 極 霣 槿 之 間 的 靜 霣 容 ft 為 大 者 〇 3 .— 種 霣 晶 Η 參 其 為 具 備 有 • • 本紙張尺度適用中國國家棵準（CNS)A4規格（210X297公董） H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 形 區 通 及極 捶 S 之設霣 備 之。動由，« 浮霣 上 極 透 一電 源被二予槿 具w«者浮會域極二热 片 汲 · 第極 一 係第係 W 中。JM極i-潦區閜第成 基 · 極及逑 W 第捶或，制 其者 1閘 電極動與變 0 極 霣以前動 在電 一悬控 ，部Η擇B元汲浮域而 導 源 極·，於浮 置極第容與«起Η遵£r單•二區子 半 二 W 上成二 配閛逑霣極 晶突8f成在，極第道霄 在 第 動域形第 被動前靜霣 霣的 Μ 構中際源輿通速 ， 及 浮 S 被及 係浮，的極 之部其 Μ 其之一域述加 域 一 二道膜 一 極二近闢蘭 項上».,1,料第£前且 匾 第 第通緣第 電第附之動 一之βΗ上 U 資向極在· 0 述 及述絕依 極述的片浮。任槿Ρ域Η入流汲，埸 汲 Μ 一前ie且 阐前域基之者項霣«SS 寫域 •合 « • 於 第在透， 動而匾H二大i3極U道U而區極糲高 檯 夾 之置*上 浮，極導第為1IW19通2ί荷極源之生 源 被 狀並極極 一近汲半或量第動第在第電汲二ft發 二 ， 形被 *霣 第附 •與 一 容圃浮園置圈入· 第容藺 第•，域 寸而極極 述的極檯第電範述範配範植極述霣之 及造區 尺臢閜閘；前域濛 《述靜利前利被利上源前靜槿 一 構道.，一 緣制動者中匾二極前的專於専係專極二邊的電 第稱通間同糴控浮有其極第閘較間請成讅分請 《第透藺極 對 之 棰 二共 汲在勡成之申形申部申極述由之 Μ 成 域 W 第而 •置浮定極如被如一如閛前鞴極動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公SD 2 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 形 區 通 及極 捶 S 之設霣 備 之。動由，« 浮霣 上 極 透 一電 源被二予槿 具w«者浮會域極二热 片 汲 · 第極 一 係第係 W 中。JM極i-潦區閜第成 基 · 極及逑 W 第捶或，制 其者 1閘 電極動與變 0 極 霣以前動 在電 一悬控 ，部Η擇B元汲浮域而 導 源 極·，於浮 置極第容與«起Η遵£r單•二區子 半 二 W 上成二 配閛逑霣極 晶突8f成在，極第道霄 在 第 動域形第 被動前靜霣 霣的 Μ 構中際源輿通速 ， 及 浮 S 被及 係浮，的極 之部其 Μ 其之一域述加 域 一 二道膜 一 極二近闢蘭 項上».,1,料第£前且 匾 第 第通緣第 電第附之動 一之βΗ上 U 資向極在· 0 述 及述絕依 極述的片浮。任槿Ρ域Η入流汲，埸 汲 Μ 一前ie且 阐前域基之者項霣«SS 寫域 •合 « • 於 第在透， 動而匾H二大i3極U道U而區極糲高 檯 夾 之置*上 浮，極導第為1IW19通2ί荷極源之生 源 被 狀並極極 一近汲半或量第動第在第電汲二ft發 二 ， 形被 *霣 第附 •與 一 容圃浮園置圈入· 第容藺 第•，域 寸而極極 述的極檯第電範述範配範植極述霣之 及造區 尺臢閜閘；前域濛 《述靜利前利被利上源前靜槿 一 構道.，一 緣制動者中匾二極前的專於専係專極二邊的電 第稱通間同糴控浮有其極第閘較間請成讅分請 《第透藺極 對 之 棰 二共 汲在勡成之申形申部申極述由之 Μ 成 域 W 第而 •置浮定極如被如一如閛前鞴極動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公SD 2 H3 在憧 可記 而及 内入 極寫 電可 瘙而 M進 動， 浮荷 二霣 第存 述髗 前極。 至罨者 入極料 植閛資 被動之 由浮荷 _ 二 霣 再第該 . 述應 子前對 動 浮二 第 述 前 在 中 其 f0 A 霣 之 項 2 第 圓 範 利 專 謫 申 如 極極 源源 1 二 單第 述述 前前 , 在 際， 之地 料接 賁而 入源 寫流 而霣 荷定 電通 入透 植可 上域 槿 S 霣極 極汲 阐 · 上第 極述 霣前 極由 閜畲 制流 控電 述元 前單 在， , 屋 壓霣 電二 1 第 第的 加低 施懕 上 《 域 一 區第 極較 汲加 • 嫌 透間 由之 藉極 , 電 域極 匾閘 極動 汲浮 .二 槿第 源與 _ 域 第區 向植 流汲 域· 區極 極源 汲 二 . 第 檯述 源前二a 的發入 間含植 之間被 棰之由 罨槿» 極電再 閘極， 動閛子 浮動霣 二浮热 第二成 升第變 提與而 可域子 即區霣 合道速 糲通加 之述且 量前， 容在場 霣，電 靜位高 的霣生 極料 M資 動之 浮荷 二 電 第該 述應 前對 在憧 可記 而及 内入 槿寫 霣可 極而 閘進 動 . 浮荷 二 霣 第存 述儲 前極 至霣 極霣 M極 動閜 浮動 1 浮 第一 輿第 域升 區提 極可 汲雖 • 合 瘡耩 源之 一 量 第容 述霣 前靜 邊的 透間 由之 藉極 ，« 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 热 入 植 法 無 上 質 實 故 低 0 較者 位上 電槿 其 《 因極 但閘 . 動 位浮 霣 一 的第 間至 之子 欏霣 際 之 枓 責 入 寫 而 荷 第霣 疆入 範植 利上 専極 請電 申極 如 S 8 « 晶 電 之 項 動 浮二 第 述 前 在 中 其 寫 料 寅 將 於 為 ,« 動的 流存 值儲 流所 霣上 元極 單霣 的極 要M 必重 使浮 際一 之第 極述 霣前 極在 閛定 動設 浮先。 二預者 «tffM 入而荷 單 述 前 整0 由0 中 其 9 II 黑 霣 之 項 6 第 範 利 專 請 申 如 9 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )A4规格（210 X 297公董）3 H3 在憧 可記 而及 内入 極寫 電可 瘙而 M進 動， 浮荷 二霣 第存 述髗 前極。 至罨者 入極料 植閛資 被動之 由浮荷 _ 二 霣 再第該 . 述應 子前對 動 浮二 第 述 前 在 中 其 f0 A 霣 之 項 2 第 圓 範 利 專 謫 申 如 極極 源源 1 二 單第 述述 前前 , 在 際， 之地 料接 賁而 入源 寫流 而霣 荷定 電通 入透 植可 上域 槿 S 霣極 極汲 阐 · 上第 極述 霣前 極由 閜畲 制流 控電 述元 前單 在， , 屋 壓霣 電二 1 第 第的 加低 施懕 上 《 域 一 區第 極較 汲加 • 嫌 透間 由之 藉極 , 電 域極 匾閘 極動 汲浮 .二 槿第 源與 _ 域 第區 向植 流汲 域· 區極 極源 汲 二 . 第 檯述 源前二a 的發入 間含植 之間被 棰之由 罨槿» 極電再 閘極， 動閛子 浮動霣 二浮热 第二成 升第變 提與而 可域子 即區霣 合道速 糲通加 之述且 量前， 容在場 霣，電 靜位高 的霣生 極料 M資 動之 浮荷 二 電 第該 述應 前對 在憧 可記 而及 内入 槿寫 霣可 極而 閘進 動 . 浮荷 二 霣 第存 述儲 前極 至霣 極霣 M極 動閜 浮動 1 浮 第一 輿第 域升 區提 極可 汲雖 • 合 瘡耩 源之 一 量 第容 述霣 前靜 邊的 透間 由之 藉極 ，« 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 热 入 植 法 無 上 質 實 故 低 0 較者 位上 電槿 其 《 因極 但閘 . 動 位浮 霣 一 的第 間至 之子 欏霣 際 之 枓 責 入 寫 而 荷 第霣 疆入 範植 利上 専極 請電 申極 如 S 8 « 晶 電 之 項 動 浮二 第 述 前 在 中 其 寫 料 寅 將 於 為 ,« 動的 流存 值儲 流所 霣上 元極 單霣 的極 要M 必重 使浮 際一 之第 極述 霣前 極在 閛定 動設 浮先。 二預者 «tffM 入而荷 單 述 前 整0 由0 中 其 9 II 黑 霣 之 項 6 第 範 利 專 請 申 如 9 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )A4规格（210 X 297公董）3 H3 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 元霣潦值與植入热《子至第二浮動閘極霣極上之時間 • Μ譎整被雔存在前述第二浮動Μ槿霣極上之霣荷量 ，並將被儲存在前述第二浮動閛極霣極上之電荷ft設 定成較少以使之不致變成通度寫入狀態者。 10. 如申請專利範國第6項之電晶霾，其中鞴由調整前述單 元《流值與植入热《子至第二浮動閘槿霣極上之時間 • Μ調整被儲存在前述第二浮動閜棰霣極上之霣荷量 •並將被雔存在前述第二浮動閛極霣棰上之電荷量設 定成較多Κ使之變成遘度寫入狀態•且為可在前述第 一浮動W極《極正下方之通道區域上潦動對應前述單 元«潦值之漏轚流*而需預先設定前述第一浮動W極 «極之Μ極長度或基片之雜霣濺度的至少其中一方者 〇 11. 如申請專利範園第2項之電晶體，其中藉由适通前述第 一源極•汲極S域與第一浮動閜極霣槿之間的靜電容 第 有區域憧 W 容有區閘 之道區記 U 電之道動 槿通極被 ^靜檯通浮 霣之汲出 ί 的 «之二 S 極方 •讀 間極方第 閛下極Μ之閛下述 動正源值。ΨΜ極動正前 浮極一 流~者 霣浮極之 1 霣第霣值 槿 一 霣態 第極述元料Η.閘第極狀 述閛前單資 U 動述閛除 前動由之之 浮前動消 於浮於域極 U 1 於浮於 存一基區 《 第存 一 處 餘第且極極2^與雔第且 被使，汲Μ第域被使· 與而態 •動匯區與而態 則，狀極浮範檯則，狀 ,U 通源二 利汲，闞通 合無導 二第専 •合無専 耦荷成第述講福耦荷成 之電變向前申源之霣變 量無域流於如 一量無域 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS)A4规格（210X297公金）4 H3 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 元霣潦值與植入热《子至第二浮動閘極霣極上之時間 • Μ譎整被雔存在前述第二浮動Μ槿霣極上之霣荷量 ，並將被儲存在前述第二浮動閛極霣極上之電荷ft設 定成較少以使之不致變成通度寫入狀態者。 10. 如申請專利範國第6項之電晶霾，其中鞴由調整前述單 元《流值與植入热《子至第二浮動閘槿霣極上之時間 • Μ調整被儲存在前述第二浮動閜棰霣極上之霣荷量 •並將被雔存在前述第二浮動閛極霣棰上之電荷量設 定成較多Κ使之變成遘度寫入狀態•且為可在前述第 一浮動W極《極正下方之通道區域上潦動對應前述單 元«潦值之漏轚流*而需預先設定前述第一浮動W極 «極之Μ極長度或基片之雜霣濺度的至少其中一方者 〇 11. 如申請專利範園第2項之電晶體，其中藉由适通前述第 一源極•汲極S域與第一浮動閜極霣槿之間的靜電容 第 有區域憧 W 容有區閘 之道區記 U 電之道動 槿通極被 ^靜檯通浮 霣之汲出 ί 的 «之二 S 極方 •讀 間極方第 閛下極Μ之閛下述 動正源值。ΨΜ極動正前 浮極一 流~者 霣浮極之 1 霣第霣值 槿 一 霣態 第極述元料Η.閘第極狀 述閛前單資 U 動述閛除 前動由之之 浮前動消 於浮於域極 U 1 於浮於 存一基區 《 第存 一 處 餘第且極極2^與雔第且 被使，汲Μ第域被使· 與而態 •動匯區與而態 則，狀極浮範檯則，狀 ,U 通源二 利汲，闞通 合無導 二第専 •合無専 耦荷成第述講福耦荷成 之電變向前申源之霣變 量無域流於如 一量無域 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS)A4规格（210X297公金）4 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 寫會二極況第 極閛汲而於一處，霣方述態區除基 《 於域第閘情述 汲制 •合存第，荷存下前狀極消以極 處@向動之前 •控檯耦儲述戆電髄正之止汲於所明 而道流浮態於 極述源之被前吠存有槿態截 •處，動 , 通域二狀憶 筋源前.一量與而通髄則霣狀近極極大浮 態之區第入記 二在第容其，導未極槿入接源電為二 狀方極述寫被 第，述霣 · 闞成並 《Μ 寫會二 S 況第 通下汲前於出 述壓前靜位無變極極動於域第M情述 導正· 於處謓 前霣通的霣荷舍霣_ 浮處區向動之前 成極極由較 Μ ’在四透間的霣域極動二 而道流浮態於 變 《源，成值。 ，第由之間無區閘浮第，通域 二狀镰 會極一流變流者 屋的藉極之有道動二述態之區第入記 域閛第 《況霣值 《低 ，《 極之通浮第前狀方極述寫被 β 動述元情元料 i 三壓壓極霣極之二述之通下汲前於出 道浮前犟之單資 2 第電霣Μ極«方第前態導正 •於處謓 通 二 由之態該之第加三 五動Μ極下述之狀成極極由較 Μ 之第，域狀於極園施第第浮動閛正前態除變霣源· 成值。 方述態 Μ 除基霣範上較加 一浮動極之狀消會極一潦變流者 下前狀極消以極利域加豳第一浮霣態入於域閛第電況霣值 正之止汲於所閜專區腌上與第一極狀寫處 S 動述元情元料 植態截 •處，動請極上植域升第閛除於且道浮前單之單賁 電狀近槿極大浮申汲域霣區提述動消處，通二 由之態該之 «入接源霣為二如 •區植極可前浮於而荷之第，域狀於極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公董） 5 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 寫會二極況第 極閛汲而於一處，霣方述態區除基 《 於域第閘情述 汲制 •合存第，荷存下前狀極消以極 處@向動之前 •控檯耦儲述戆電髄正之止汲於所明 而道流浮態於 極述源之被前吠存有槿態截 •處，動 , 通域二狀憶 筋源前.一量與而通髄則霣狀近極極大浮 態之區第入記 二在第容其，導未極槿入接源電為二 狀方極述寫被 第，述霣 · 闞成並 《Μ 寫會二 S 況第 通下汲前於出 述壓前靜位無變極極動於域第M情述 導正· 於處謓 前霣通的霣荷舍霣_ 浮處區向動之前 成極極由較 Μ ’在四透間的霣域極動二 而道流浮態於 變 《源，成值。 ，第由之間無區閘浮第，通域 二狀镰 會極一流變流者 屋的藉極之有道動二述態之區第入記 域閛第 《況霣值 《低 ，《 極之通浮第前狀方極述寫被 β 動述元情元料 i 三壓壓極霣極之二述之通下汲前於出 道浮前犟之單資 2 第電霣Μ極«方第前態導正 •於處謓 通 二 由之態該之第加三 五動Μ極下述之狀成極極由較 Μ 之第，域狀於極園施第第浮動閛正前態除變霣源· 成值。 方述態 Μ 除基霣範上較加 一浮動極之狀消會極一潦變流者 下前狀極消以極利域加豳第一浮霣態入於域閛第電況霣值 正之止汲於所閜專區腌上與第一極狀寫處 S 動述元情元料 植態截 •處，動請極上植域升第閛除於且道浮前單之單賁 電狀近槿極大浮申汲域霣區提述動消處，通二 由之態該之 «入接源霣為二如 •區植極可前浮於而荷之第，域狀於極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公董） 5 經濟部中央標準局貝工福利委員會印製 H3 14. 如申請專利範丽第2項之«晶β ·其中在前述第一及第 二霣極•汲極匾域上施加第六電壓，在前述控制閛極 霣極上豳加較第六電Κ高的第t «懕·鞴由強力耦合 前述第一及第二源癉•汲極E域之第一及第二浮動W 極《極*由於前述第一及第二浮動閘極霣極之霣位不 致由第六霣壓起大隳變化•前述控制閜極霣極與第一 及第二浮動閛極霣極之«位差舍變大，且在前述控制 閜極電極與第一及第二浮動W極霣棰之間畲發生高電 埸•而會流動FN»道霣流，所以前述第一及第二浮動 Μ極霣極中之«子會抽出至控制閘極霣極側，且可消 除被記憧於前述第一及第二浮動閛極霣槿上之資料。 15. 如申請專利範園第14項之轚晶體，其中在前述第一及 第二浮動閛極霄極中之霣子抽出至控制閘極電極側之 際，電子即食由前述各浮動閛極霣槿之上部所形成的 突起部飛出而移動至控制Μ極罨植供者。 表的極閛前被.，於 片上汲動將内者列 基片 •浮，狀播排。 體基槿儸線陣霣被者 導》 源二字矩極内域 半導述該 ••該閘狀區 有半前於者在制陣極 具該於位極接控矩汲 , 、位及電連各述 · Η域且、極通之前極 晶區上橱閜共 « 在源： 電極 _ 霣制且晶接各有 含汲緣極控 · 霣連之含 包· 絕閛之狀個通«包 其極該動通陣數共晶其 , 源在浮共矩禊別霣 ， 列個置個的成的各個列 陣二 並二曆置向，數 _ «的被的上配方嬢複« 晶成、間之«列元的晶 電形 層 之，極晶淤位向霣 種所緣域電電列及方種 1 面缍 8 極述排Μ行 一 * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公») β 經濟部中央標準局貝工福利委員會印製 H3 14. 如申請專利範丽第2項之«晶β ·其中在前述第一及第 二霣極•汲極匾域上施加第六電壓，在前述控制閛極 霣極上豳加較第六電Κ高的第t «懕·鞴由強力耦合 前述第一及第二源癉•汲極E域之第一及第二浮動W 極《極*由於前述第一及第二浮動閘極霣極之霣位不 致由第六霣壓起大隳變化•前述控制閜極霣極與第一 及第二浮動閛極霣極之«位差舍變大，且在前述控制 閜極電極與第一及第二浮動W極霣棰之間畲發生高電 埸•而會流動FN»道霣流，所以前述第一及第二浮動 Μ極霣極中之«子會抽出至控制閘極霣極側，且可消 除被記憧於前述第一及第二浮動閛極霣槿上之資料。 15. 如申請專利範園第14項之轚晶體，其中在前述第一及 第二浮動閛極霄極中之霣子抽出至控制閘極電極側之 際，電子即食由前述各浮動閛極霣槿之上部所形成的 突起部飛出而移動至控制Μ極罨植供者。 表的極閛前被.，於 片上汲動將内者列 基片 •浮，狀播排。 體基槿儸線陣霣被者 導》 源二字矩極内域 半導述該 ••該閘狀區 有半前於者在制陣極 具該於位極接控矩汲 , 、位及電連各述 · Η域且、極通之前極 晶區上橱閜共 « 在源： 電極 _ 霣制且晶接各有 含汲緣極控 · 霣連之含 包· 絕閛之狀個通«包 其極該動通陣數共晶其 , 源在浮共矩禊別霣 ， 列個置個的成的各個列 陣二 並二曆置向，數 _ «的被的上配方嬢複« 晶成、間之«列元的晶 電形 層 之，極晶淤位向霣 種所緣域電電列及方種 1 面缍 8 極述排Μ行 一 * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公») β H3 霣晶《•具僙半導*基片上所形成的第一及第二 源極•汲《S域、被夾於前述第一及第二源極•汲極 匾域之間的通道區域、透遢閛極絕緣臢被並置在前述 通道區域上的第一及第二浮動Μ植電極、及透逢絕緣 膜而形成於前述第一及第二浮動閜極霣極上·依第一 及第二浮動閘極霣極而共有的控制閛極霣極，且前述 第一浮動閜極《極係被配置在第一源極•汲極匾域之 附近*而前述第二浮勡閜極霣極係被配置在第二源極 •汲極區域之附近者； 字線*將前述電晶»每置成矩陣狀，且共通連接 在該矩陣狀内被排列於列方向的複數個霣晶《之各控 制閛極霣極者；Μ及 位元線，各別共通連接在前述矩陣狀內被排列於 行方向的禊數届霣晶tt之各源極·汲極區域者。 18. —種霣晶》陣列•其包含有： 霣晶臞*具備有在半導體基片上形成對稱構造之 第一及第二源極•汲極區域、被夾於前述第一及第二 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 而第及而被動.，接 膜及一極係浮者連 緣 | 第電槿 二近通 絕第述極轚第附共 極的前閛極述之且 閛狀於動閜前域 ， 通形成浮動而區狀 透寸形二浮 * 極陣 、 尺被第 一 近汲矩 域一膜及第附 •成 匾同緣一述之槿置 道之絕第前域灏配 通上ii依且 S 二 體 的域透，.極第晶 間區及上極汲在 m 之道、極 《 · 置述 域通極霣極極配前 區述霣極 s 源被將 極前極閜制一係， 汲在M動控第槿級 • 置動浮的在 《字 極並浮二 有置極 源被二第共配蘭 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS )A4規格（210 X 297公瘦）7 H3 霣晶《•具僙半導*基片上所形成的第一及第二 源極•汲《S域、被夾於前述第一及第二源極•汲極 匾域之間的通道區域、透遢閛極絕緣臢被並置在前述 通道區域上的第一及第二浮動Μ植電極、及透逢絕緣 膜而形成於前述第一及第二浮動閜極霣極上·依第一 及第二浮動閘極霣極而共有的控制閛極霣極，且前述 第一浮動閜極《極係被配置在第一源極•汲極匾域之 附近*而前述第二浮勡閜極霣極係被配置在第二源極 •汲極區域之附近者； 字線*將前述電晶»每置成矩陣狀，且共通連接 在該矩陣狀内被排列於列方向的複數個霣晶《之各控 制閛極霣極者；Μ及 位元線，各別共通連接在前述矩陣狀內被排列於 行方向的禊數届霣晶tt之各源極·汲極區域者。 18. —種霣晶》陣列•其包含有： 霣晶臞*具備有在半導體基片上形成對稱構造之 第一及第二源極•汲極區域、被夾於前述第一及第二 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 而第及而被動.，接 膜及一極係浮者連 緣 | 第電槿 二近通 絕第述極轚第附共 極的前閛極述之且 閛狀於動閜前域 ， 通形成浮動而區狀 透寸形二浮 * 極陣 、 尺被第 一 近汲矩 域一膜及第附 •成 匾同緣一述之槿置 道之絕第前域灏配 通上ii依且 S 二 體 的域透，.極第晶 間區及上極汲在 m 之道、極 《 · 置述 域通極霣極極配前 區述霣極 s 源被將 極前極閜制一係， 汲在M動控第槿級 • 置動浮的在 《字 極並浮二 有置極 源被二第共配蘭 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS )A4規格（210 X 297公瘦）7 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 _H3_ 在該矩W狀内被排列於列方向的禊數儷電晶β之各控 剌閜極霣檯者；Μ及 位元嬢，各別共通連接在前述矩陣狀内被排列於 行方向的複數個霣晶體之各源極·汲極區域者。 19.如申請専利範顯第16至18項任一項之霣晶«陣列，其 中可分離被排列於前述列方向之各霣晶_的源極•汲 極匾域，且可形成玀立於每一涸依被排列於行方向之 各«晶«的源極·汲極區域而被排列在列方向之各電 晶《上的位元嬅者。 其塊極於汲之。其塊極}各邊 其者 . 元源列 •向者，元源rt, 透 •部 列單之排檯方線列單之ho嬢係 列起 陣個«被源行元陣個HS 元線 陣突 艚數晶離的的位體數晶ak位元Η的 晶複霣分髖中的晶複轚00域位 晶部 霣成各可晶塊別霄成各(1廣域 霣上 之剌的，電元各之割的路有廣 之之 項分向線各單成項分向短設各 項極 一被方元之鄹形一被方部烺與 一霣 任向行位向相以任向行局元線 任 S 項方之的方於域項方之的位元 項明 18列中通列列匾18行中通路位18動 至在塊共述排槿至在塊共短路 至浮 16係元成前被汲16係元成部短 。16述 第列單形之II•第列單形局部者第前 園陣各可中分播画陣各可各局接Η於 範'« 於而塊可源範«於而應各連範成 利晶列域元且的利晶列域對之而利形 専霣排區單，體專霣排匾 •中件專有 讅述被極的域晶請述被極線塊元請脔 申前依汲別區霣申前依汲元元U申具 如中， •各極各如中 ， •位單開如中 • » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )Α4規格（210X 297公f) 8 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 _H3_ 在該矩W狀内被排列於列方向的禊數儷電晶β之各控 剌閜極霣檯者；Μ及 位元嬢，各別共通連接在前述矩陣狀内被排列於 行方向的複數個霣晶體之各源極·汲極區域者。 19.如申請専利範顯第16至18項任一項之霣晶«陣列，其 中可分離被排列於前述列方向之各霣晶_的源極•汲 極匾域，且可形成玀立於每一涸依被排列於行方向之 各«晶«的源極·汲極區域而被排列在列方向之各電 晶《上的位元嬅者。 其塊極於汲之。其塊極}各邊 其者 . 元源列 •向者，元源rt, 透 •部 列單之排檯方線列單之ho嬢係 列起 陣個«被源行元陣個HS 元線 陣突 艚數晶離的的位體數晶ak位元Η的 晶複霣分髖中的晶複轚00域位 晶部 霣成各可晶塊別霄成各(1廣域 霣上 之剌的，電元各之割的路有廣 之之 項分向線各單成項分向短設各 項極 一被方元之鄹形一被方部烺與 一霣 任向行位向相以任向行局元線 任 S 項方之的方於域項方之的位元 項明 18列中通列列匾18行中通路位18動 至在塊共述排槿至在塊共短路 至浮 16係元成前被汲16係元成部短 。16述 第列單形之II•第列單形局部者第前 園陣各可中分播画陣各可各局接Η於 範'« 於而塊可源範«於而應各連範成 利晶列域元且的利晶列域對之而利形 専霣排區單，體專霣排匾 •中件專有 讅述被極的域晶請述被極線塊元請脔 申前依汲別區霣申前依汲元元U申具 如中， •各極各如中 ， •位單開如中 • » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )Α4規格（210X 297公f) 8 _ H3_ ο 23. 如申請專利箱園第16至18項任一項之霣晶體陣列，其 中前述控制明極之一部分係配置在通道區域上，以構 成邐揮W極者。 24. 如申請專利範圃第17項之電晶臞陣列，其中在前述第 二浮動閛極霄極上植入«荷而寫入資料之際，單元霣 流畲由前述第二源極•汲極區域流向第一源極•汲極 區域，藕由透逢前述第二源極·汲極厘域輿第二浮動 Μ植霣橱之間的靜電容量之耦合，會在前述通道區域 及第二浮動閛極電極之間發生高霣場，且加速霣子而 變成热《子•再鞴由被植入至前述第二浮動閛極轚極 内而可在前述第二浮動阐極《極髄存轚荷•進而可寫 入及記憧對應該電荷之賁料者。 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 25. 如申請專利範園第17項之《晶體陣列，其中在前述第 二浮動閛極《S上植入«荷而寫入資料之際•前述第 一源極•汲檯區域可透過定霣流源而接地，在前述第 二源極•汲極匾域上施加第一霣屋，在前述控制閜槿 «S上廉加較第一 «壓低的第二《壓，單元罨潦脅由 前述第二源極•汲極區域流向第一源極•汲極區域， _由透過前述第二源槿•汲極區域及第二浮動閛極電 槿之間的_ «容量之耩合即可提升第二浮動Μ極霣極 之間的霣位，在前述通道區域輿第二浮動閜槿霣極之 閜會發生高18場•且加速霣子而變成热霣子•再薄由 被植入至前述第二浮動閛極«極内而可在前述第二浮 動閜極電槿鏞存霣荷•進而可寫入及記憧對應該霣荷 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )Α4規格（21〇Χ 297公龙) 9 _ H3_ ο 23. 如申請專利箱園第16至18項任一項之霣晶體陣列，其 中前述控制明極之一部分係配置在通道區域上，以構 成邐揮W極者。 24. 如申請專利範圃第17項之電晶臞陣列，其中在前述第 二浮動閛極霄極上植入«荷而寫入資料之際，單元霣 流畲由前述第二源極•汲極區域流向第一源極•汲極 區域，藕由透逢前述第二源極·汲極厘域輿第二浮動 Μ植霣橱之間的靜電容量之耦合，會在前述通道區域 及第二浮動閛極電極之間發生高霣場，且加速霣子而 變成热《子•再鞴由被植入至前述第二浮動閛極轚極 内而可在前述第二浮動阐極《極髄存轚荷•進而可寫 入及記憧對應該電荷之賁料者。 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 25. 如申請專利範園第17項之《晶體陣列，其中在前述第 二浮動閛極《S上植入«荷而寫入資料之際•前述第 一源極•汲檯區域可透過定霣流源而接地，在前述第 二源極•汲極匾域上施加第一霣屋，在前述控制閜槿 «S上廉加較第一 «壓低的第二《壓，單元罨潦脅由 前述第二源極•汲極區域流向第一源極•汲極區域， _由透過前述第二源槿•汲極區域及第二浮動閛極電 槿之間的_ «容量之耩合即可提升第二浮動Μ極霣極 之間的霣位，在前述通道區域輿第二浮動閜槿霣極之 閜會發生高18場•且加速霣子而變成热霣子•再薄由 被植入至前述第二浮動閛極«極内而可在前述第二浮 動閜極電槿鏞存霣荷•進而可寫入及記憧對應該霣荷 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )Α4規格（21〇Χ 297公龙) 9 之 資 料 t » 由 η 邊 前 述 第 — 源 極 • 汲 瘇 區 域 與 第 一 浮 動 Μ 槿 電 極 之 間 的 靜 電 容 量 之 耦 合 濉 可 提 升 第 一 浮 動 閛 槿 霣 極 之 間 的 霣 位 » 但 是 因 其 霣 位 較 低 所 Μ 實 質 上 無 法 植 入 热 霣 子 至 第 一 浮 動 閛 極 霣 極 上 者 〇 26 .如 申 請 專 利 範 鼷 第 17項 之 霣 晶 Η 陣 列 t 其 中 在 前 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 上 植 入 霣 荷 而 寫 入 資 料 之 際 > 為 於 將 資 料 寫 入 第 二 浮 動 蘭 極 霣 極 之 際 使 必 要 的 單 元 電 流 值 流 動 * 而 需 預 先 設 定 在 前 述 第 一 浮 動 閛 槿 電 極 上 所 儲 存 的 電 荷 量 者 0 27 .如 串 請 専 利 範 _ 第 24項 之 霣 晶 體 陣 列 > 其 中 薄 由 諝 整 前 述 單 元 霣 流 值 與 植 入 熱 電 子 至 第 二 浮 動 極 霣 極 上 之 時 間 > 諝 整 被 雠 存 在 前 述 第 二 浮 動 Μ 槿 轚 極 上 的 電 荷 董 並 將 被 雔 存 在 前 述 第 二 浮 動 η 極 霣 極 上 的 電 荷 量 設 定 成 較 少 以 使 之 不 致 變 成 過 度 寫 入 狀 態 者 〇 28 .如 串 講 專 利 範 麵 第 24項 之 霣 晶 體 陣 列 其 中 藉 由 調 整 前 述 單 元 霣 流 值 與 植 入 热 子 至 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 上 之 時 間 Μ 讕 整 被 雔 存 在 前 述 第 二 浮 動 閜 槿 霣 極 上 的 轚 荷 量 並 將 被 儲 存 在 前 述 第 二 浮 動 閛 極 電 棰 上 的 轚 荷 量 設 定 成 較 多 以 使 之 變 成 逢 度 寫 入 狀 態 9 且 為 可 在 前 述 第 一 浮 動 閛 極 霣 極 正 下 方 之 通 道 區 域 上 流 動 對 應. 前 述 單 元 霣 流 值 之 漏 電 流 9 而 需 預 先 設 定 前 述 第 — 浮 動 閜 極 霣 極 之 η 極 長 度 或 基 片 之 m 霣 m 度 的 至 少 其 中 一 方 者 〇 29 . 如 甲 請 専 利 範 圃 第 17 項 之 霣 晶 Η 陣 列 9 其 中 藉 由 透 逢 前 述 第 一 源 檯 • 汲 極 匾 域 與 第 一 浮 動 閛 極 霣 植 之 間 的 本紙張尺度適用中B國家楳準（CNS)A4規格（210X297公«) ^ 〇 之 資 料 t » 由 η 邊 前 述 第 — 源 極 • 汲 瘇 區 域 與 第 一 浮 動 Μ 槿 電 極 之 間 的 靜 電 容 量 之 耦 合 濉 可 提 升 第 一 浮 動 閛 槿 霣 極 之 間 的 霣 位 » 但 是 因 其 霣 位 較 低 所 Μ 實 質 上 無 法 植 入 热 霣 子 至 第 一 浮 動 閛 極 霣 極 上 者 〇 26 .如 申 請 專 利 範 鼷 第 17項 之 霣 晶 Η 陣 列 t 其 中 在 前 述 第 二 浮 動 閘 極 霣 極 上 植 入 霣 荷 而 寫 入 資 料 之 際 > 為 於 將 資 料 寫 入 第 二 浮 動 蘭 極 霣 極 之 際 使 必 要 的 單 元 電 流 值 流 動 * 而 需 預 先 設 定 在 前 述 第 一 浮 動 閛 槿 電 極 上 所 儲 存 的 電 荷 量 者 0 27 .如 串 請 専 利 範 _ 第 24項 之 霣 晶 體 陣 列 > 其 中 薄 由 諝 整 前 述 單 元 霣 流 值 與 植 入 熱 電 子 至 第 二 浮 動 極 霣 極 上 之 時 間 > 諝 整 被 雠 存 在 前 述 第 二 浮 動 Μ 槿 轚 極 上 的 電 荷 董 並 將 被 雔 存 在 前 述 第 二 浮 動 η 極 霣 極 上 的 電 荷 量 設 定 成 較 少 以 使 之 不 致 變 成 過 度 寫 入 狀 態 者 〇 28 .如 串 講 專 利 範 麵 第 24項 之 霣 晶 體 陣 列 其 中 藉 由 調 整 前 述 單 元 霣 流 值 與 植 入 热 子 至 第 二 浮 動 閛 極 霣 極 上 之 時 間 Μ 讕 整 被 雔 存 在 前 述 第 二 浮 動 閜 槿 霣 極 上 的 轚 荷 量 並 將 被 儲 存 在 前 述 第 二 浮 動 閛 極 電 棰 上 的 轚 荷 量 設 定 成 較 多 以 使 之 變 成 逢 度 寫 入 狀 態 9 且 為 可 在 前 述 第 一 浮 動 閛 極 霣 極 正 下 方 之 通 道 區 域 上 流 動 對 應. 前 述 單 元 霣 流 值 之 漏 電 流 9 而 需 預 先 設 定 前 述 第 — 浮 動 閜 極 霣 極 之 η 極 長 度 或 基 片 之 m 霣 m 度 的 至 少 其 中 一 方 者 〇 29 . 如 甲 請 専 利 範 圃 第 17 項 之 霣 晶 Η 陣 列 9 其 中 藉 由 透 逢 前 述 第 一 源 檯 • 汲 極 匾 域 與 第 一 浮 動 閛 極 霣 植 之 間 的 本紙張尺度適用中B國家楳準（CNS)A4規格（210X297公«) ^ 〇 _H3_ 靜霣容量之耦合》則可輿被《存於前述第一浮動閛極 霣極之有無霣荷無醐•而使第一浮動閛極霣極正下方 之通道S域變成導通狀態•且基於由前述第一源播· 汲極區域流向第二源極•汲極區域之單元霣流值Μ謓 出被記憧於前述第二浮動閘極《極之賁料值者。 30. 如申讁専利範國第17項之霣晶Η陣列·其中藉由透過 前述第一源極•汲極區域與第一浮動閛極轚槿之間的 靜霣容量之糴合·則可與被雠存於前述第一浮動閛極 霣極之有無«荷無闞•而使第一浮動閛極霣極正下方 之通道匾域變成専通狀態，且處於消除狀態之前述第 二浮動K極霣極正下方之通道區域會變成導通狀態· 而處於寫入狀態之前述第二浮動閘極«極正下方之通 道匾域會接近截止狀態，由前述第一源極•汲極區域 潦向第二源極•汲極區域的單元轚流*由於前述第二 浮動閛檯霣極處於消除狀態之情況變成較處於寫入狀 戆之情況為大，所以基於該單元霣流值以讀出被記憧 於前述第二浮動閛極電極之賁料值者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 31. 如申請専利範園第17項之霣晶_陣列·其中在前述第 一源槿•汲極區域上胞加第三霣極，在前逑第二涯極 •汲極區域上施加較第三霣壓低的第四霣懕·在前述 控制閛槿霣極上豳加第五霣懕，鞴由适遇前述第一源 極·汲極區域輿第一浮動閛極霣極之間的靜霣容量之 耩合即可提升第一浮動«極«極之間的«位，其可與 被雠存於前述第一浮動閛檷霣極之有無霣荷無U，而 前述第一浮動Μ極電極正下方之通道區域會變成導通 本紙張尺度適用中躅躅家標準（CNS)A4规格（210 X 297公瘦) ~ _H3_ 靜霣容量之耦合》則可輿被《存於前述第一浮動閛極 霣極之有無霣荷無醐•而使第一浮動閛極霣極正下方 之通道S域變成導通狀態•且基於由前述第一源播· 汲極區域流向第二源極•汲極區域之單元霣流值Μ謓 出被記憧於前述第二浮動閘極《極之賁料值者。 30. 如申讁専利範國第17項之霣晶Η陣列·其中藉由透過 前述第一源極•汲極區域與第一浮動閛極轚槿之間的 靜霣容量之糴合·則可與被雠存於前述第一浮動閛極 霣極之有無«荷無闞•而使第一浮動閛極霣極正下方 之通道匾域變成専通狀態，且處於消除狀態之前述第 二浮動K極霣極正下方之通道區域會變成導通狀態· 而處於寫入狀態之前述第二浮動閘極«極正下方之通 道匾域會接近截止狀態，由前述第一源極•汲極區域 潦向第二源極•汲極區域的單元轚流*由於前述第二 浮動閛檯霣極處於消除狀態之情況變成較處於寫入狀 戆之情況為大，所以基於該單元霣流值以讀出被記憧 於前述第二浮動閛極電極之賁料值者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 31. 如申請専利範園第17項之霣晶_陣列·其中在前述第 一源槿•汲極區域上胞加第三霣極，在前逑第二涯極 •汲極區域上施加較第三霣壓低的第四霣懕·在前述 控制閛槿霣極上豳加第五霣懕，鞴由适遇前述第一源 極·汲極區域輿第一浮動閛極霣極之間的靜霣容量之 耩合即可提升第一浮動«極«極之間的«位，其可與 被雠存於前述第一浮動閛檷霣極之有無霣荷無U，而 前述第一浮動Μ極電極正下方之通道區域會變成導通 本紙張尺度適用中躅躅家標準（CNS)A4规格（210 X 297公瘦) ~ H3 狀戆•處於消除狀態之前述第二浮動閛極霣檯並未雔 存罨箱•而《於寫入狀應之前述第二浮動閘極轚槿則 有黼存霣荷•且處於消除吠戆之前述第二浮動閛極轚 極正下方之通道匾域會變成導通狀態，而處於寫入狀 態之前述第二浮動閛極《極正下方之通道區域會接近 截止狀態•由前述第一源極•汲極匾域流向第二源極 •汲極區域的單元罨流，由於前述第二浮動閘極霣極 處於消除狀態之情況變成較處於較少狀態之情況為大 *所Μ基於該單元霣流值以讀出被記憶於前述第二浮 動閛極霣極之賁料值者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 32. 如申_專利範國第17項之《晶《陣列，其中在前述第 一及第二源極•汲極區域上腌加第六霣極*在前述控 制閛極霣極施加較第六霣壓高的第七霣壓•藉由強力 耦合前述第一及第二源極•汲極區域之第一及第二浮 動閛極電極•由於前述第一及第二浮動閛極霣極之霣 位不致由第六轚壓起大幅變化·前述控制閘極電槿與 第一及第二浮動Μ極電極之霣位差會變大*且在前述 控制W極«槿與第一及第二浮動閛極霣極之間會發生 高«場，而會流動FH雄道《流*所Κ前述第一及第二 浮動閛極電極中之電子會抽出至控制閘極霣棰側*且 可消除被記憧於前述第一及第二浮動閘極電極上之資 料〇 33. 如申請專利範麵第32項之霣晶臞陣列，其中在前述第 一及第二浮動Μ極霣極中之霣子抽出至控制閘檯霣檯 供之際，電子即舍由前述各浮動Μ極霣極之上部所形 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )Α4規格（210 X 297公爱) H3 狀戆•處於消除狀態之前述第二浮動閛極霣檯並未雔 存罨箱•而《於寫入狀應之前述第二浮動閘極轚槿則 有黼存霣荷•且處於消除吠戆之前述第二浮動閛極轚 極正下方之通道匾域會變成導通狀態，而處於寫入狀 態之前述第二浮動閛極《極正下方之通道區域會接近 截止狀態•由前述第一源極•汲極匾域流向第二源極 •汲極區域的單元罨流，由於前述第二浮動閘極霣極 處於消除狀態之情況變成較處於較少狀態之情況為大 *所Μ基於該單元霣流值以讀出被記憶於前述第二浮 動閛極霣極之賁料值者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 32. 如申_專利範國第17項之《晶《陣列，其中在前述第 一及第二源極•汲極區域上腌加第六霣極*在前述控 制閛極霣極施加較第六霣壓高的第七霣壓•藉由強力 耦合前述第一及第二源極•汲極區域之第一及第二浮 動閛極電極•由於前述第一及第二浮動閛極霣極之霣 位不致由第六轚壓起大幅變化·前述控制閘極電槿與 第一及第二浮動Μ極電極之霣位差會變大*且在前述 控制W極«槿與第一及第二浮動閛極霣極之間會發生 高«場，而會流動FH雄道《流*所Κ前述第一及第二 浮動閛極電極中之電子會抽出至控制閘極霣棰側*且 可消除被記憧於前述第一及第二浮動閘極電極上之資 料〇 33. 如申請專利範麵第32項之霣晶臞陣列，其中在前述第 一及第二浮動Μ極霣極中之霣子抽出至控制閘檯霣檯 供之際，電子即舍由前述各浮動Μ極霣極之上部所形 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )Α4規格（210 X 297公爱) H3 其 列 〇 陣 者腰 側晶 棰電 «之 槿項 閛 I 制任 控項 至18 動至 移16 而第 出 飛範 部利 起専 突請 的申 成如 接而 連，ΝΟ 被極D-置霄AN 配極的 驪 Μ 成 串動而 係浮鑲 中各元 之位 η的 晶通 « 共 各接 之連 線賺 字並 的用 通採 共係 述路 前霣 於其 者 成 構 型 電 入 植 上 極 電 極 閛 動 浮 在， 由者 贛作 為動 , 入 器寫 憶之 記料 Η資 導行 半進 種 Μ 一 荷 極曆 汲緣 .0 極該 瀛在 個置 二 並 的被 成、 形靥 所緣 面絕 表的 片上 基片 «基 導Η 半導 含半 包該 其、 域 電制 極控 W 之 動通 浮共 俩的 二 靥 釣上 ra-之 之極 域霣 區極 極閛 汲動 . 浮 極俚 源二 述該 前於 ， 於位槿 位及霣 且、槿 上 s W 至 出 抽。 荷者 霣作 之動 極除 電消 極之 閜料 動資 浮行 述進 前以 於上 入極 植電 被極 將閜 由制 鞴控 述 前 霣 入 植 上 極 霣 極 閛 鼢 浮 在. 由者 鞴作 為動 , 入 器寫 憧之 記料 « 賨 導行 半進 種 K I 荷 • 之 極域 源區 二極 第汲 及· 一 極 第源 的 二 成第 形及 所一 上第 片述 基前 «於 導夾 半被 含 、 包域 其匾 極 汲 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 上成 域形 區而 道膜 通緣 述絕 前通 在透 置及 並以 被、 _ 極 緣 9 絕極 MIM 透動 、浮 域 二 區第 道及 通一 的第 間的 浮於 二 入 第植 及被 1 將 第由 依鶫 上槿 播竃 電捶 槿閘 閜制 動控 浮的 二 有 第共 及而 1 極 第霣 述'S 前閛 於動 上 極 極 閘 制 控 述 前 至 出 抽。 荷者 «作 之動 極除 霣消 極之 閘料 動資 浮行 述進 前以 « 入 植 上 極 極 M 動 浮 在 由 賴 為 器 懷 記 II 導 半 種 張 紙 本 )A S N C Γ\ 準 國 國 中 用 適 97 H3 其 列 〇 陣 者腰 側晶 棰電 «之 槿項 閛 I 制任 控項 至18 動至 移16 而第 出 飛範 部利 起専 突請 的申 成如 接而 連，ΝΟ 被極D-置霄AN 配極的 驪 Μ 成 串動而 係浮鑲 中各元 之位 η的 晶通 « 共 各接 之連 線賺 字並 的用 通採 共係 述路 前霣 於其 者 成 構 型 電 入 植 上 極 電 極 閛 動 浮 在， 由者 贛作 為動 , 入 器寫 憶之 記料 Η資 導行 半進 種 Μ 一 荷 極曆 汲緣 .0 極該 瀛在 個置 二 並 的被 成、 形靥 所緣 面絕 表的 片上 基片 «基 導Η 半導 含半 包該 其、 域 電制 極控 W 之 動通 浮共 俩的 二 靥 釣上 ra-之 之極 域霣 區極 極閛 汲動 . 浮 極俚 源二 述該 前於 ， 於位槿 位及霣 且、槿 上 s W 至 出 抽。 荷者 霣作 之動 極除 電消 極之 閜料 動資 浮行 述進 前以 於上 入極 植電 被極 將閜 由制 鞴控 述 前 霣 入 植 上 極 霣 極 閛 鼢 浮 在. 由者 鞴作 為動 , 入 器寫 憧之 記料 « 賨 導行 半進 種 K I 荷 • 之 極域 源區 二極 第汲 及· 一 極 第源 的 二 成第 形及 所一 上第 片述 基前 «於 導夾 半被 含 、 包域 其匾 極 汲 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 上成 域形 區而 道膜 通緣 述絕 前通 在透 置及 並以 被、 _ 極 緣 9 絕極 MIM 透動 、浮 域 二 區第 道及 通一 的第 間的 浮於 二 入 第植 及被 1 將 第由 依鶫 上槿 播竃 電捶 槿閘 閜制 動控 浮的 二 有 第共 及而 1 極 第霣 述'S 前閛 於動 上 極 極 閘 制 控 述 前 至 出 抽。 荷者 «作 之動 極除 霣消 極之 閘料 動資 浮行 述進 前以 « 入 植 上 極 極 M 動 浮 在 由 賴 為 器 懷 記 II 導 半 種 張 紙 本 )A S N C Γ\ 準 國 國 中 用 適 97 H3 荷以進行實料之寫入動作者， 第汲在閛動的 至 ，起 及 •置動浮有 出 器突 一極並浮二共 抽。憧的 第源被二第而 荷者記部 之二而 第及極 霣作H上 造第膜及 ί 霣， 之動導之 構及緣 一第棰 極除半植 稱 I 絕第述Μ霣消之電 對第槿的前動 檯之項槿 成述閘狀於浮 閛料一閜 形前逢形成二 動賣任動 上於透寸形第 浮行項浮 片夾、尺被及 述進37各 基被域 一膜一 前Μ.至述 β、 區同緣第 於上35前 導域道之絕依 入極第於 半匾通上» 且，植霣園成 在極的域透，極被極範形 含汲間區及上霣將 W 利有 包 •之道、極植由制專備 其檯域通極霣閜 _ 控請具 。 源區述霣極制 述申中者 二極前極 S 控 前如其部 經濟部中央標準局貝工福利委員會印製 ,Μ 述元汲浮® 子 《可 器， 前單· 二道霣極而 憧上 在，極第通速閘進 記域 中際源與述加動， 體區 其之 一域前且浮荷 導道 ，料第區在，二 霣 半通 器資向極會場第存 之在 億入潦汲，霣述雔 項置 記寫域 •合高前極。 一配«而匾極耦生至電者 任係 等荷極源之發入極料 項分 半霣汲二量間植Μ賁 37部 之入 •第容之被動之 至一 項植槿述 《極由浮荷 35之36上源前靜 s«二« 第極。第極二 通的極再第該 園閜者圍霣第透間閜 * 述應 範制捶範極述由之動子前對 利控阐利閘前藉槿浮霣在憧 専述揮専動由，霣二热可記 誧前邇謫浮畲域檯.第成而及 申中成申二流區閘與變内入 如其構如第霣極動域而極寫 *· 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS )A4規格（210X 297公St) 14 H3 荷以進行實料之寫入動作者， 第汲在閛動的 至 ，起 及 •置動浮有 出 器突 一極並浮二共 抽。憧的 第源被二第而 荷者記部 之二而 第及極 霣作H上 造第膜及 ί 霣， 之動導之 構及緣 一第棰 極除半植 稱 I 絕第述Μ霣消之電 對第槿的前動 檯之項槿 成述閘狀於浮 閛料一閜 形前逢形成二 動賣任動 上於透寸形第 浮行項浮 片夾、尺被及 述進37各 基被域 一膜一 前Μ.至述 β、 區同緣第 於上35前 導域道之絕依 入極第於 半匾通上» 且，植霣園成 在極的域透，極被極範形 含汲間區及上霣將 W 利有 包 •之道、極植由制專備 其檯域通極霣閜 _ 控請具 。 源區述霣極制 述申中者 二極前極 S 控 前如其部 經濟部中央標準局貝工福利委員會印製 ,Μ 述元汲浮® 子 《可 器， 前單· 二道霣極而 憧上 在，極第通速閘進 記域 中際源與述加動， 體區 其之 一域前且浮荷 導道 ，料第區在，二 霣 半通 器資向極會場第存 之在 億入潦汲，霣述雔 項置 記寫域 •合高前極。 一配«而匾極耦生至電者 任係 等荷極源之發入極料 項分 半霣汲二量間植Μ賁 37部 之入 •第容之被動之 至一 項植槿述 《極由浮荷 35之36上源前靜 s«二« 第極。第極二 通的極再第該 園閜者圍霣第透間閜 * 述應 範制捶範極述由之動子前對 利控阐利閘前藉槿浮霣在憧 専述揮専動由，霣二热可記 誧前邇謫浮畲域檯.第成而及 申中成申二流區閘與變内入 如其構如第霣極動域而極寫 *· 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS )A4規格（210X 297公St) 14 H3 41. 如申請専利範匯第36項之半導體記憶器，其中在前述 第二浮動閜極《極上植入電荷而寫入資料之際•前述 第一源極•汲極區域可透邊定電流源而接地•在前述 第二源極·汲極匾域上施加第一 «饜，在前述控制閜 極«極上豳加較第一 «壓低的第二《壓，單元霣流會 由前述第二源極•汲極Μ域流向第一源極•汲植區域 ，藉由透逢前述第二源極•汲極匾域與第二浮動閘極 «極之間的靜霣容量之耩合即可提升第二浮動閜極電 槿之間的霣位，在前述通道區域與第二浮動閛極罨極 之間舍發生高霣場•且加速霣子會變成熱霣子*再藉 由被植入至前述第二浮動閛極電極內而可在前述第二 浮動閛極霣極餘存轚荷，進而可寫入及記憧對應該電 荷之賁料，藉由透通前述第一源檯•汲槿區域與第一 浮動閛極轚極之間的靜電容董之耩合雖可提升第一浮 動閛槿霣極之間的霣位，但是因其《位較低所Μ實質 上無法植入热*子至第一浮動閛槿轚極上者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 42. 如申講專利範園第36項之半導記憧器•其中在前逑 第二浮動W極霣極上植入霣荷而寫入資料之際，為將 資料寫入第二浮動閛極《極之際使必要的單元霣流值 流動，而需預先設定在前述第一浮動閛櫳罨極上所儲 存的«荷量者。 • •二 43. 如申誧専利範園第40項之半導鱷記憧器，其中藉由調 整前述單元霣流值輿植入熱霣子至第二浮動閛極霣極 上的時間·以讕整被鹪存在前述第二浮動Μ極霣極上 的霄荷ft *並將被儲存在前述第二浮動閜極霣極上的 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公爱)~~~ H3 41. 如申請専利範匯第36項之半導體記憶器，其中在前述 第二浮動閜極《極上植入電荷而寫入資料之際•前述 第一源極•汲極區域可透邊定電流源而接地•在前述 第二源極·汲極匾域上施加第一 «饜，在前述控制閜 極«極上豳加較第一 «壓低的第二《壓，單元霣流會 由前述第二源極•汲極Μ域流向第一源極•汲植區域 ，藉由透逢前述第二源極•汲極匾域與第二浮動閘極 «極之間的靜霣容量之耩合即可提升第二浮動閜極電 槿之間的霣位，在前述通道區域與第二浮動閛極罨極 之間舍發生高霣場•且加速霣子會變成熱霣子*再藉 由被植入至前述第二浮動閛極電極內而可在前述第二 浮動閛極霣極餘存轚荷，進而可寫入及記憧對應該電 荷之賁料，藉由透通前述第一源檯•汲槿區域與第一 浮動閛極轚極之間的靜電容董之耩合雖可提升第一浮 動閛槿霣極之間的霣位，但是因其《位較低所Μ實質 上無法植入热*子至第一浮動閛槿轚極上者。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 42. 如申講專利範園第36項之半導記憧器•其中在前逑 第二浮動W極霣極上植入霣荷而寫入資料之際，為將 資料寫入第二浮動閛極《極之際使必要的單元霣流值 流動，而需預先設定在前述第一浮動閛櫳罨極上所儲 存的«荷量者。 • •二 43. 如申誧専利範園第40項之半導鱷記憧器，其中藉由調 整前述單元霣流值輿植入熱霣子至第二浮動閛極霣極 上的時間·以讕整被鹪存在前述第二浮動Μ極霣極上 的霄荷ft *並將被儲存在前述第二浮動閜極霣極上的 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公爱)~~~ H3 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 。 諝極上的可對一其 透間閛下極M透間閛下述態之區 者由罨極上為動第少 由之動正源值。由之動正前狀方極 態藉 S «極且流述至 薄極浮極一流者藉極浮槿之通下汲 狀中 W 槿罨·上前的 中霣一轚第霄值中S1 霣態導正· 入其»閘極態域定度 其極第極述元料其極第極狀得極極 寫，浮動 W 狀區設瀰 ，閘述閜前單資，閛述閜除變霣源 度器二浮動入道先質 器動前動由之之器動前動消會極一 遘憧第二浮寫通預雜 憶浮於浮於域極惕浮於浮於域閛第 成記至第二度之需之 記一存一基匾 «記一 存一處@動述 變 _ 子述第通方而片 體第髄第且極棰«第儲第且道浮前 致導 《前述成下，基 導與被使，汲閛導與被使，通二由 不半热在前變正流或 半域與而態 •動半域與而態之第· 之之入存在之極電度 之區可，狀極浮之區可，狀方述態 使項植餹存使電漏長 項槿則H通源二項極則M通下前狀 M40輿被餹 Μ槿之極36汲，無導二第36汲，無導正之止 少第值整被多閜值閛 第 •合荷成第述第 •合荷成極態截 較園潦調將較動流之極耩電變向前 _極耩霣變電吠近 成範霣以並成浮霣極 範源之無域流於範源之無域檯入接 定利元·，定一元霣。利一量有區域憶利 一 量有區閘寫會 設専單間 Μ 設第單極者專第容之道區記專第容之道動於域 量請述時荷量述述閛方謫述電極通極被謫述«極通浮處6 荷申前的竃荷前前動 一 申前靜霣之汲出申前靜霣之二而道 霣如整上的 《在應浮中如過的極方 •讓如ift的檯方第•通 ·. 本紙張尺度適用中a國家揉準（CNS )A4規格（210 X 297公爱) 16 H3 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 。 諝極上的可對一其 透間閛下極M透間閛下述態之區 者由罨極上為動第少 由之動正源值。由之動正前狀方極 態藉 S «極且流述至 薄極浮極一流者藉極浮槿之通下汲 狀中 W 槿罨·上前的 中霣一轚第霄值中S1 霣態導正· 入其»閘極態域定度 其極第極述元料其極第極狀得極極 寫，浮動 W 狀區設瀰 ，閘述閜前單資，閛述閜除變霣源 度器二浮動入道先質 器動前動由之之器動前動消會極一 遘憧第二浮寫通預雜 憶浮於浮於域極惕浮於浮於域閛第 成記至第二度之需之 記一存一基匾 «記一 存一處@動述 變 _ 子述第通方而片 體第髄第且極棰«第儲第且道浮前 致導 《前述成下，基 導與被使，汲閛導與被使，通二由 不半热在前變正流或 半域與而態 •動半域與而態之第· 之之入存在之極電度 之區可，狀極浮之區可，狀方述態 使項植餹存使電漏長 項槿則H通源二項極則M通下前狀 M40輿被餹 Μ槿之極36汲，無導二第36汲，無導正之止 少第值整被多閜值閛 第 •合荷成第述第 •合荷成極態截 較園潦調將較動流之極耩電變向前 _極耩霣變電吠近 成範霣以並成浮霣極 範源之無域流於範源之無域檯入接 定利元·，定一元霣。利一量有區域憶利 一 量有區閘寫會 設専單間 Μ 設第單極者專第容之道區記專第容之道動於域 量請述時荷量述述閛方謫述電極通極被謫述«極通浮處6 荷申前的竃荷前前動 一 申前靜霣之汲出申前靜霣之二而道 霣如整上的 《在應浮中如過的極方 •讓如ift的檯方第•通 ·. 本紙張尺度適用中a國家揉準（CNS )A4規格（210 X 297公爱) 16 ___H3_ 域流向第二«(極•汲極E域之單元霣流，由於前述第 二浮動閜極«極處於消除狀戆之情況變成較處於寫入 狀軀之情況為大•所Μ基於該單元竃流值以讀出被記 憶於前述第二浮動閛檯«播之資料值者。 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 47. 如申請專利範函第36項之半導β記憧器，其中在前述 第一源極•汲極區域上施加第三霣壓，在前逑第二源 極•汲極區域上施加較第三霣壓低的第四電懕，在前 述控制閛極«極上施加第五電壓，藉由透逢前述第一 源極•汲槿S域與第一浮動Μ槿電極之間的靜轚容量 之耦合即可提升第一浮動閛槿霣槿之間的電位，其與 被儲存於前述第一浮動閛極霣極之有無霣荷無醐，而 前述第一浮動W極霣極正下方之通道匾域畲變成導通 狀態，處於消除狀態之前述第二浮動閛極霣極並未儲 存霣荷，而處於寫入狀態之前逑第二浮動閛極霣極則 有艙存«荷，且處於消除狀態之前述第二浮動閜極霣 極正下方之通道區域會變成導通狀態，而處於寫入狀 態之前述第二浮動閘極轚極正下方之通道區域畲接近 截止狀態，由前述第一源槿•汲橱逼域潦向第二源極 •汲極區域之單元電流，由於前述第二浮動_槿電極 處於消除狀態之情況變成較處於寫入狀態之情況為大 ，所Μ基於該單元《流值以讀出被記憧於前述第二浮 動阐毪霣槿之賁料值者。 48. 如申請専利範匪第36項之半導«記憧器，其中在前述 第一及第二源槿•汲極區域上施加第六霣壓，在前述 控制闊籀霣植上嫌加較第六電壓高的第七霣壓，_由 本紙張尺度適用中困困家標準（CNS)A4規格（210X297公») ? ___H3_ 域流向第二«(極•汲極E域之單元霣流，由於前述第 二浮動閜極«極處於消除狀戆之情況變成較處於寫入 狀軀之情況為大•所Μ基於該單元竃流值以讀出被記 憶於前述第二浮動閛檯«播之資料值者。 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 47. 如申請專利範函第36項之半導β記憧器，其中在前述 第一源極•汲極區域上施加第三霣壓，在前逑第二源 極•汲極區域上施加較第三霣壓低的第四電懕，在前 述控制閛極«極上施加第五電壓，藉由透逢前述第一 源極•汲槿S域與第一浮動Μ槿電極之間的靜轚容量 之耦合即可提升第一浮動閛槿霣槿之間的電位，其與 被儲存於前述第一浮動閛極霣極之有無霣荷無醐，而 前述第一浮動W極霣極正下方之通道匾域畲變成導通 狀態，處於消除狀態之前述第二浮動閛極霣極並未儲 存霣荷，而處於寫入狀態之前逑第二浮動閛極霣極則 有艙存«荷，且處於消除狀態之前述第二浮動閜極霣 極正下方之通道區域會變成導通狀態，而處於寫入狀 態之前述第二浮動閘極轚極正下方之通道區域畲接近 截止狀態，由前述第一源槿•汲橱逼域潦向第二源極 •汲極區域之單元電流，由於前述第二浮動_槿電極 處於消除狀態之情況變成較處於寫入狀態之情況為大 ，所Μ基於該單元《流值以讀出被記憧於前述第二浮 動阐毪霣槿之賁料值者。 48. 如申請専利範匪第36項之半導«記憧器，其中在前述 第一及第二源槿•汲極區域上施加第六霣壓，在前述 控制闊籀霣植上嫌加較第六電壓高的第七霣壓，_由 本紙張尺度適用中困困家標準（CNS)A4規格（210X297公») ? H3 強力糴合前述第一及第二源極•汲極g域之第一及第 二浮動闸極電極，由於前述第一及第二浮動閛極霣ft 之«位不致由第六«壓起大轎變化，前述控制閛極電 極與第一及第二浮動明極霣極之«位差會變大•且在 前述控制閛極霣槿與第一及第二浮動閛極電極之間畲 發生高霣埸，而會涑動FN»道霣流，所Μ前述第一及 第二浮動閛極«極中之«子會抽出至控制閑極電極供 *且可消除被記懂於前述第一及第二浮動閜槿霣極上 的寅料。 49. 如申請專利範釀第48項之半導》記憧器，其中在前述 第一及第二浮動閛極霣植中之霣子抽出至控制閛極電 極側之際，霣子即會由前述各浮動閜極電極之上部所 形成的突起部飛出而移動至控制閛極電極傷者。 50. —種«晶艚陣列之製造方法•其為具備有： 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 在半導《基片上形成閛極絕緣膜的步嫌，該步驟 係在製造霣晶體陣列之際進行者，而該霣晶髓陣列， 係使具有在半等腰基片上透邊閜極絕緣膜而形成的第 一及第二源極•汲極區域、被夾於第一及第二源極. 汲極匾域之間的通道區域、被並置於通道區域上之第 一及第二浮動閘極電極、在第一及第二浮動Μ極霣極 上透遘«道絕緣膜而形成，且依第一及第二浮動閛極 霣極而共有之控制閜極霣極的霣晶體配置構成複數個 矩陣狀，且依被排列於行方向之各電晶Μ的源槿•汲 極區域而形成共通之位元嬢者； 在閛極涵緣膜上形成第一導霣臢的步嫌； 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )Α4規格（210 X 297公董) 18 H3 強力糴合前述第一及第二源極•汲極g域之第一及第 二浮動闸極電極，由於前述第一及第二浮動閛極霣ft 之«位不致由第六«壓起大轎變化，前述控制閛極電 極與第一及第二浮動明極霣極之«位差會變大•且在 前述控制閛極霣槿與第一及第二浮動閛極電極之間畲 發生高霣埸，而會涑動FN»道霣流，所Μ前述第一及 第二浮動閛極«極中之«子會抽出至控制閑極電極供 *且可消除被記懂於前述第一及第二浮動閜槿霣極上 的寅料。 49. 如申請專利範釀第48項之半導》記憧器，其中在前述 第一及第二浮動閛極霣植中之霣子抽出至控制閛極電 極側之際，霣子即會由前述各浮動閜極電極之上部所 形成的突起部飛出而移動至控制閛極電極傷者。 50. —種«晶艚陣列之製造方法•其為具備有： 經濟部中央標準局貝工福利委貝會印製 在半導《基片上形成閛極絕緣膜的步嫌，該步驟 係在製造霣晶體陣列之際進行者，而該霣晶髓陣列， 係使具有在半等腰基片上透邊閜極絕緣膜而形成的第 一及第二源極•汲極區域、被夾於第一及第二源極. 汲極匾域之間的通道區域、被並置於通道區域上之第 一及第二浮動閘極電極、在第一及第二浮動Μ極霣極 上透遘«道絕緣膜而形成，且依第一及第二浮動閛極 霣極而共有之控制閜極霣極的霣晶體配置構成複數個 矩陣狀，且依被排列於行方向之各電晶Μ的源槿•汲 極區域而形成共通之位元嬢者； 在閛極涵緣膜上形成第一導霣臢的步嫌； 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )Α4規格（210 X 297公董) 18 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 第 極狀間以 道 二 二二50列 其 之 源 形極子 隧 第 第第 第陣 ， 檯 之的霣離 成 成 由及 園 η 列 霣 膜間極霣 形 形 ，一 範晶 陣。 極 一極閘雜 上 上 _第 利電«者 閛 第霣動入 面 面 緣成 専的 晶成 動 與極浮植 全 全 絕形 讅造 霣構 浮 成閜 二上 之 之 道臢 申製 之所 成 置動第面.，件 件 隧一 如而 項JV 構 配浮及表驟元 元 及第 依法 一一 成 於二一之步的 的 _ 由 用方 任同 形 讀第第片的成 成 霣， 使造 項由 Μ 連及為基域形 形 導極。為製18係 膜 之一成Η區而 而 二霣者其之。至線 性 使第壁導極朦 驟及第極糠，列者16字 « 有的側半汲步 步以刻閜步器陣列第及 導 具行兩在 •述 •，述：蝕制之憶Η陣圈極 一 ； 係平之且域上R上驟時控極記晶器範 《 第骤_ 域 _ ，區用步用步同成霣 » 霣憶利極 刻步一區 I 壁極利的利的由形極専之記專飓 鱸的第極第供源在 _ 在膜 _膜閜半載為請制 膜 汲而兩成 緣 霣 霣動種記作申控 一 ·* 的形 絕 導 導浮一項Κ如，中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公») 19 H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 第 極狀間以 道 二 二二50列 其 之 源 形極子 隧 第 第第 第陣 ， 檯 之的霣離 成 成 由及 園 η 列 霣 膜間極霣 形 形 ，一 範晶 陣。 極 一極閘雜 上 上 _第 利電«者 閛 第霣動入 面 面 緣成 専的 晶成 動 與極浮植 全 全 絕形 讅造 霣構 浮 成閜 二上 之 之 道臢 申製 之所 成 置動第面.，件 件 隧一 如而 項JV 構 配浮及表驟元 元 及第 依法 一一 成 於二一之步的 的 _ 由 用方 任同 形 讀第第片的成 成 霣， 使造 項由 Μ 連及為基域形 形 導極。為製18係 膜 之一成Η區而 而 二霣者其之。至線 性 使第壁導極朦 驟及第極糠，列者16字 « 有的側半汲步 步以刻閜步器陣列第及 導 具行兩在 •述 •，述：蝕制之憶Η陣圈極 一 ； 係平之且域上R上驟時控極記晶器範 《 第骤_ 域 _ ，區用步用步同成霣 » 霣憶利極 刻步一區 I 壁極利的利的由形極専之記專飓 鱸的第極第供源在 _ 在膜 _膜閜半載為請制 膜 汲而兩成 緣 霣 霣動種記作申控 一 ·* 的形 絕 導 導浮一項Κ如，中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公») 19
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