TW379439B - Method of forming a capacitor structure on a silicon substrate in an MOS process - Google Patents

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Description

A7 ___B7__ 五、發明説明（1 ) 本發明之領域： 本發明係關於一種於Μ 0 S製程中在矽基板上之電容 器結構的形成方法，其中隔離用場氧化物區域被形成在基 板的表面之上，並且用以形成閘極區域之閘極氧化物層和 第一多晶较層被沉積於基板的表面之上。 習知技術之說明： 經濟部中央標準局員X消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這樣的方法實際上係已知的，其提供以一標準之 MO S製程來製造積體電路，在標準的MO S製程中，積 體電路之幾種不同的功能區能夠被製作於單一基板上，藉 由不同的石版印刷步驟連同層之沉積、不同區域之氧化、 和植入製程來製造電晶體並且以適當的方式來電連接電晶 體，在這樣的電路中，額外定義之電容器係必須的，該電 容器能夠藉由多晶矽層與當作電介質之置於其間的絕緣層 一起而被實現，爲了生成該電容器結構，第一多晶矽層與 閘極氧化物層被蝕刻而形成閘極區域和該電容器結構之第 一電容器極板，接著，沉積一層絕緣層充當電介質，藉由 石版印刷步驟，在閘極區域中鈾刻掉此絕緣層’第二多晶 矽層然後被沉積並成形而形成電晶體之閘極以及該電容器 結構之第二電容器極板，此方法係複雜的，因爲其需要額 外的處理步驟，譬如像爲該電容器結構攙雜個別的多晶矽 層、更與其相關之遮蔽步驟、另外的熱處理以及蝕刻步驟 等之故，這影響了 Μ 0 S電晶體之電特性’在砂基板之電 晶體區域上實施進一步蝕刻製程尤其另人困擾。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X 297公f ) -4 - B7 五、發明説明^ 本發明之槪述 本發明之 構於矽基板上 目的在於提供在MO S製程中形成電容器結 的較簡單及改良方法。 此目的係藉由上述類型之方法來獲得’該方法包括沉 積一層絕緣層於第一多晶矽層之上而後沉積一層第二多晶 矽層用以形成電容器 第二多晶矽層及該絕緣 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 層以形成該電容器結構之第一電容器極板及電介質、然後 成形該第一多晶矽層及閘極氧化物層以形成該電容器結構 之第二電容器極板及M〇 S電晶體之閘極區域、以及隨後 生成該MO S電晶體等步驟。 依據本發明之方法僅需要一額外之遮蔽步驟以形成電 容器結構，因爲第一多晶矽層直到第二多晶矽層已經被沉 積時才被成形，該二多晶矽層然後能被同時處理，除此之 外，在即將形成MO S電晶體的區域中並不需要實施蝕刻 製程，因爲僅第二多晶矽層從第一多晶矽層上被去除，所 以蝕刻劑並未到達矽基板的表面或沉積於其上之閘極氧化 物層，因此，在電容器結構的形成期間，電晶體的源極和 汲極沒有被影響而使得電晶體之電氣參數並未被改變，完 全以標準的Μ〇S製程來製造MO S電晶體，尤其，透過 適當的攙以雜質來形成源極和汲極區域而對電晶體及電容 器結構形成接觸並且產生電相互連接。 在本發明之較佳實施例中，雜質被植入第一及第二多 晶矽層以產生攙雜’在第一及第二多晶矽層中之雜質藉由 單一退火處理而同時被激活，因此，對電容器結構及進— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 、-0 Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公潑）-5 - Α7 Β7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明p ) 步從第一多晶矽層所形成之像電阻器結構或閘極結構一樣 的多晶矽結構而言激活雜質祇需一退火步驟。 有利的是絕緣層係由矽氮氧化物所構成，此材料具有 其能夠被沉積於不會改變Μ 0 S電晶體之特性的溫度時之 優點，除此之外，其具有良好的隔離特性和高介電常數， 並且易於沉積，如果其它的要求被加諸電容器結構之上， 那麼沉積一層像矽氧化物或矽氧化物層之不同的絕緣層、 矽氮化物、以及矽氧化物也是可能的。 附圖之簡略說明： 本發明現在將參考伴隨之附圖來做更加詳盡的說明， 其中： 圖1至圖5顯示於依據本發明之方法的不同階段後在 MO S元件之矽基板上的電容器結構。 元件對照表 1 矽基板 2 井 3 場氧化物區域 4 區域 5 區域 6 閘極氧化物層 7 第一多晶矽層 8 絕緣層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公f ) -6- A7 B7 五、 9 發明説明f ) 第二多晶矽層 10 遮罩層 11 第一電容器極板 12 電介質 13 遮罩層 14 第二電容器極板 15 電阻器結構 16 閜極區域 17 源極和汲極區域 18 電容器結構 較佳實施例之詳細說明： (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 、1Τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖1顯示形成具第二導電型式之井2於其中之具第一 導電型式的矽基板1，在矽基板1的表面上所形成之場氧 化物區域3爲形成不同的MO S電晶體提供介於電分離區 域之間的隔離，如果矽基板1爲具有P型的導電性，該井 2則將具有η型的導電性，使得Ρ Μ ◦ S能夠被形成在那 裡，由在該場氧化物區域3中之缺口所定義的區域5係爲 了 NMOS的形成，具有場氧化物區域3之矽基板1的表 面被提供具有一層被第一多晶矽層7所覆蓋之閘極氧化物 層6，該多晶矽層7能夠以例如磷離子利用像在Μ 0 S技 術中所普遍使用之植入技術而被攙入雜質，該閘極氧化物 層6及第一多晶矽層7提供形成閘極區域於區域4及5之 中的服務。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210Χ297公釐）-7- F37 五、發明説明P ) 如在圖2中所顯示，以一層絕緣層8覆蓋該第一多晶 矽層7 ’而在絕緣層8之上沉積一層第二多晶矽層9 ’該 絕緣層8可以係一氧化物層、一像氧化物一氮化物序列之 層結構、或一氮氧化物層，該第一多晶矽層7、絕緣層8 、以及第二多晶矽層9提供形成電容器結構1 8之服務， 該第二多晶矽層9能夠以離子，特別是磷離子，利用像在 MO S技術中所普遍使用之植入技術而被激活，其後接著 將在第一及第二多晶矽層7及9中之雜質激活的退火製程 ，藉此雜質被容納於其晶格點之中。 經濟部中央標準局員-^消費合作社印製 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3顯示該第二多晶砂層9及絕緣層8如何藉由一遮 罩層10而被成形而分別形成電容器結構18之第一電容 器極板1 1及電介質1 2，這是形成電容器結構除了 M〇S製程以外唯一所需的遮蔽步驟，該MO S製程在此 被用來產生PMO S及NMO S電晶體，像第二多晶矽層 9之遮蔽、蝕刻、以及攙以雜質等等之必要的處理步驟在 Μ 0 S電晶體被形成之前被實施，使得電晶體的電氣特性 不會被這些步驟所影響，而且，額外的蝕刻步驟，特別是 蝕刻掉在區域4及5中的絕緣層8被實施於第一多晶矽層 7之上而不直接在矽基板1上，使得區域4及5不被蝕刻 所影響。 然後，如在圖4中所顯不，第一多晶砂層7藉由另一 遮罩層13而被成形以形成電容器結構之第二電容器極板 1 4、電阻器結構1 5、以及Μ 0 S電晶體的閘極區域， 其次，藉由像攙雜退火一樣的標準之MO S製程來形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X^97公潑) ~ Α7 Β7 五、發明説明f ) M〇S電晶體的源極和汲極區域1 7，在該源極和汲極區 域的形成之後，遮罩層1 3被去除，在此情況下’ MOS 結構被顯示於圖5中，在那之後，對Μ 0 S電晶體、電阻 器結構1 5、以及電容器結構1 8之接觸被形成，而且導 電性相互連接的路徑被沉積。 (請先閱讀背面之注意事項再填(¾本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2丨Ο X 29?公釐）-9 -

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1 . 一種於MO S製程中在矽基板上之電容器結構的 形成方法，其中 隔離用場氧化物區域被形成於基板的表面之上， 而用以形成閘極區域之閘極氧化物層與第一多晶矽層 被沉積於場氧化物區域之上， 其特徵在於 用以形成電容器結構之一絕緣層而後一第二多晶矽層 被沉積於第一多晶矽層之上， 該第二多晶矽層及該絕緣層被成形而形成該電容器結 構的第一電容器極板和電介質， 然後該第一多晶砂層及該閘極氧化物層被成形而形成 該電容器結構的第二電容器極板和MO S電晶體的閫極區 域，以及 隨之而後，MO S電晶體被生成。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其特徵在於雜質 被植入第一及第二多晶砂層以產生攙雜情形，並且祇實施 一次退火處理以激活在該第一及第my!中之雜質。 3 . 請專利範圍fel的方法’其 特徵在於該絕緣層係由矽氮氧化物所做的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -10 -
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