TW317691B - - Google Patents

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Description

五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 坊術頜诚 本發明有闞一種可靠又經濟之半専 琎明昔醤 最近在半導體元件之領域中的發展 半導體元件應用的範圍也持鑛地在擴 體元件核心之半導體晶片發展的同時 裝也有了重要的進展。 例如，已經有人為改進公用電話之 安全性和增加其方便性作了如像磁卡 人辨識證件、及火車乘車卡等不同的 這類的積體電路（1C)卡之特激為包 電路板、安裝於電路板上的半導體晶 類的選擇性電子零件、一作為電路板 裝置、以及”資訊處理手冊”（Shadan Gakkai 譯，KK Ohm出版，1990年 5月 2-304頁）中所描述的覆罩電路板外般 如園8中所示有闞1C结構，已知堪 半導體晶片黏貼到卡的基板1上，而 Η 〇 j i n Joho Denshi Shori T s u s h i n 1 990年5月25日第一版，第33頁）中所 半導體晶片之連接端子與電路基板的 在此所考慮之半iff晶片的厚度是 ，而半導體晶片的抗彎折性不高所Μ 導髓晶片的壓力。 -3- 體總成。 有驚人的進展，而 展。在被視為半導 ，半導體元件的封 預先付費電話卡的 、像駕照之類的個 建議。 括具一専體電路旳 片、諸如電容器之 接收或傳输信號的 Hojin Joho Shori 30日第一販，第30 V 可Μ藉壓焊劑10將 Μ ” 1C卡"（Shadan 譯，KK Ohii出版， 描述的壓焊劑11將 連接端子接在一起 大約2 0 0到4 0 0撤米 需要控制施加於半
I.-----------裝------訂-----1— 線-r------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 317691 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( > ) 1 I 如 同 在 曰 本 專 利 公 開 (Κ 〇 k ai)申請案號第3 -872 99號 的 1 I 專 利 中 掲 示 9 已 知 可 利 用 製 備 包 括 了 一 傾 極 薄 大 型 積 體 1 電 路 的 1C模 組 製 造 I C卡 以 便 在 兀 整 保 留 驅 動 元 件 的 同 r—v 1 I 時 降 低 其 厚 度 9 且 將 此 一 1C模 組 安 裝 在 包 裝 表 面 所 提 供 請 1 1 的 凹 處 〇 將 極 薄 的 大 型 積 體 電 路 IC模 組 安 裝 在 相 當 厚 的 閲 讀 背 ! j 電 路 基 板 上 t&f 有 一 基 本 的 困 難 9 亦 即 很 容 易 受 到 I C卡 電 之 1 1 路 基 板 因 為 彎 折 形 變 而 施 加 於 大 型 積 體 電 路 晶 片 前 後 表 意 I 事 1 面 的 伸 張 及 壓 縮 整 力 致 損 壞 的 事 實 9 使 得 薄 的 大 型 積 體 項 再 1 電 路 缺 乏 可 靠 度 Ο 填 寫 本 1 裝 另 外 在 曰 本 專 利 公 開 (Κ 〇 k a i )申請案號第7 -9 92 67號 的 頁 1 I 專 利 中 提 議 將 薄 的 I C 置 於 I c卡 厚 度 的 中 央 部 分 以 解 決 以 1 1 上 的 困 難 〇 如 圖 9 中 所 示 * 根 據 此 _· 技 術 將 半 導 體 晶 Η 1 2 安 裝 在 印 刷 電 路 板 1 上 I 而 半 導 體 晶 片 之 連 接 端 子 與 1 1 印 刷 電 路 板 的 連 接 端 子 % 曝 露 在 同 __ 個 平 面 上 9 且 半 導 訂 | 體 晶 Η 之 連 接 端 子 與 印 刷 電 路 板 的 連 接 端 子 之 間 是 以 刷 1 1 印 其 上 的 導 電 黏 劑 1 2 達 成 相 互 的 電 性 連 接 Ο 1 I 然 而 9 根 據 將 半 導 體 晶 片 安 裝 在 印 刷 電 路 板 上 9 而 半 1 1 導 體 晶 片 之 連 接 端 子 與 印 刷 電 路 板 的 連 接 端 子 俗 曝 露 在 1 線 同 個 平 面 上 9 且 半 導 體 晶 Η 之 連 接 % _子 與 印 刷 電 路 板 1 的 連 接 端 子 之 間 是 以 刷\争 其 上 的 導 電 % 逹 成 相 互 電 性 i I 連 接 请 樣的· » 通 常 當 I C卡 受 到 彎 折 形 變 持 壓 力 會 有 1 ! 等 中 於 半 導 體 晶 Η 之 建 接 端 子 與 印 刷 電 路 板 的 連 接 端 子 1 I 之 邊 界 上 的 傾 向 3 可 能 導 致 導 電 黏 劑 産 生 破 裂 結 果 是 存 1 1 在 箸 斷 路 的 高 危 險 性 〇 1 I 發 明 槪 1 1 1 鑑 於 習 用 技 術 所 遭 遇 的 困 難 9 本 發 明 之 一 主 要 百 的 1 1 提 供 一 種 能 提 供 高 广可 靠 性 的 電 性 連 接 又 符 合 製 造 之 經 1 | - 4- K 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 振 砸 A7 B7 f 狐 .經濟部中央標準局W：工消費合作社印裝 五 、發明説明 ( ) 1 1 濟 效 益 之 半 導 體 缌 成 〇 ! 1 本 發 明 之 第 二 巨 的 是 提 供 一 種 能 承 受 重 複 的 m 折 形 變 1 | 之 半 導 體 總 成 〇 /·—v 請 1 | 本 發 明 之 第 二 巨 的 是 提 供 種 適 於 I C卡 製 造 之 半 導 體 先 閲 | 1 I Λ 總 成 〇 背 面 之 1 本 發 明 上 述 及 其 它 百 的 可 藉 提 供 —_* 種 半 導 體 總 成 來 注 意 1 I 達 成 9 包 括 ； —* 含 導 體 電 路 之 電 路 板 » 此 導 體 電 路 含 有 事 項 1 | 1 I 連 接 襯 墊 » 在 第 -* 値 表 面 上 提 供 具 備 連 接 端 子 並 安 裝 在 填 寫 本 1 .裝 電 路 板 上 之 半 導 體 晶 片 9 -* 覆 蓋 電 路 板 之 包 裝 9 其 中 頁 s_^· · 1 導 體 電 路 之 連 接 襯 墊 及 半 導 體 晶 片 之 連 接 端 子 配 置 分 布 1 1 關 % 相 互 對 立 的 9 且 其 間 係 以 導 電 壓 焊 劑 相 互 連 接 9 而 1 I 實 質 上 半 導 體 晶 片 的 幾何中性 平 面 和 整 個 半 導 體 總 成 的 幾 1 1 何中性平 面 是 重 合 的 〇 言丁 較 佳 的 9 導 電 的 壓 焊 劑 由 異 向 性 導 電 壓 焊 薄 膜 所 組 成 1 I 的 f 例 如 9 導 體 電 路 可 利 用 屏 幕 印 刷 技 術 將 導 電 * 印 刷 1 1 到 電 路 板 上 Ν 或 選 擇 性 地 將 電 路 板 上 所 形 成 之 諸 如 銅 1 1 箔 之 類 的 金 屬 薄 片 独 刻 而 形 成 〇 此 導 體 電 路 尚 可 至 少 在 線 I 電 路 板 之 一 表 面 上 包 含 一 天 線 電 路 0 1 1 根 據 本 發 明 9 因 為 半 導 體 晶 片 之 連 接 端 子 與 電 路 板 之 1 I 導 體 電 路 傜 置 於 彼 此 相 對 之 位 置 9 連 接 部 件 之 厚 度 可 小 1 | 9 以 及 基 於 配 線 壓 焊 程 序 或 基 於 導電胥印刷 應 用 之 方 法 9 1 1 而 相 反 於 習 知 方 法 1 可 簡 化 電 性 連 接 步 驟 〇 1 1 藉 著 將 大 量 塑 膠 薄 膜 S 塑 膠 薄 Η 、 或 塗 覆 有 導 電 壓 焊 1 劑 之 塑 m 薄 Η 黏 阽 到 電 路 板 的 5- 上 下 表 面 ί 以 便 將 半 導 體 1 1 1 1 1 1 本纸張尺度過用中BW家螵準< CNS ) Λ4说格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 晶Η置於整餹半導體總成之厚度中心點，當總成受到彎 折壓力時使電性連接處之壓力集中呈最小β 此外，藉使用導電Α以用於電路板之導體電路，可 以製造出較以往更為經濟且更平滑的1(：卡。 大致上，由塗覆壓f劑之薄膜所構成之間隔層，較佳 地像黏阽在電路板上，且提供一缺口以容纳半導體晶Η 於其間。此提供了一値方便的裝置以用於界定容納半導 體晶片的凹處而不致於在整個總成的外表平面上造成任 何不規則。特別地，藉設置界定於電子零件之半導體晶 Η的外部輪廓與間隔層中指定範圍内缺口外部周圍之間 的縫隙，即可去除原先可能存在於缝隙内的氣泡，並提 供1C卡可靠及平滑的表面。 於本發明中所使用的半導體晶片係愈薄愈好，且可以 是任何一般的型式而沒有特殊限制。 用於甯路板的絶緣材料可以包括諸如，聚碩g鹽薄膜 、聚乙烯薄膜、聚對苯二乙烯薄膜、聚醯亞胺薄膜、PVC 薄膜之類的普通塑膠薄膜或塑膠薄片、或纖維強化的塑 膠薄片。特別是在機械強度與成本考量之下偏愛聚對苯 二乙烯薄膜。已商品化的材料包括達賀爾（Diafoil)(商 品名，達賀爾，赫凱斯待股份有限公司（Diafoil Hoekist KK)),帝人特多龍（Teijin Tetron)薄膜（商品名，帝人 股份有限公司），東洋紡伊斯特（Toyobo Ester)薄膜（商 品名，東洋纺績股份有限公司）等。 在薄膜表面上可以藉使用壓焊劑在以銅質層膜分為層 狀之薄膜上澱積蝕刻阻體而形成一電路導體圖案，再以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------裝------訂------線------J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 317691 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（ r ) 1 1 蝕 刻 去 除 不 需 要 的部 份 銅 質 層 膜 9 或者用替代的方法以 1 1 屏 幕 印 刷 法 在 薄 膜表 面 上 塗 敷 導 電 黏 劑 後 再 固 化 此 黏 劑。 1 | 本 發 明 所 使 用 的導 電 壓 焊 劑 可 包 括 聚 酯 樹 脂 λ 酚 樹 脂 /·-V 請 1 I 或 混 合 了 像 銀 或銅 粒 子 等 導 電 粒 子 的 環 氣 樹 脂 〇 已 商 先 閱 1 \ 讀 i | 品 化 的 材 料 包 含 LS-3 0 1 5、 L S- 1 0 48 Ν 和 ACP- 105 (商品名 背 1 | 之 1 9 朝 曰 化 學 研 究 所股 份 有 限 公 司 所 製 造 ), 及FA- 7 0 5 Α 、 * 1 1 X A -2 2 0 XA4 1 2 x D-7 2 3 S、 和ΧΑ- 2 5 6 Μ (商 品 名 9 藤 倉 化 事 項 1 I 再 1 I 成 股 份 有 限 公 司 所製 造 )〇 4 1 本 Λ 也 可 使 用 異 向 性的 導 電 壓 焊 薄 膜 來 取 代 此 等 導 電 壓 焊 頁 1 1 劑 9 而 雅 妮 桑 (Arisolm)(商品名 9 曰 立 化 成 工 業 股 份 有 1 1 限 公 司 )便是選自該等已商品化的材料。 1 I 可 使 用 於 本 發 明之 壓 焊 劑 包 括 聚 酯 樹 脂 X 酚 樹 脂 、 或 1 1 丙 稀 硝 酸 樹 脂 〇 ττ 1 壓 焊 劑 所 附 箸 的塑 膠 薄 膜 X 塑 膠 薄 Η 或 纖 雄 強 化 的 1 1 塑 膠 薄 片 可 以 提 供屬 於 半 導 體 晶 片 和 電 子 零 件 安 裝 位 置 1 1 的 缺 口 〇 1 每 一 痼 缺 口 之 大小 可 依 半 導 體 晶 Η 或 電 子 零 件 部 件 之 線 I 厚 度 而 選 取 〇 例 如， 當 半 導 體 晶 片 或 電 子 零 件 部 件 的 厚 1 ί 度 傜 1 1 0到2 6 0檝米時 * 半 導 體 晶 η 或 電 子 零 件 部 件 的 外 1 -1 部 輪 廓 與 間 隔 層 中所 形 成 的 缺 Ρ 内 部 輪 廓 之 間 的 縫 隙 較 i I 佳 地 偽 5 0到 5 0 0徹米〇 此外， 當 半 導 體 晶 Η 或 電 子 零 件 部 1 1 件 的 厚 度 為 5 0到 1 10微米持， 該缝隙較佳地俗到1 00 0 1 I 撤 米 9 而 田 半 導 體晶 Η 或 電 子 零 件 部 件 的 厚 度 為 0 . 5到 1 1 5 0微米時 9 該缝隙較佳地彝5 0到 -7- 2 0 0 0微米 〇 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 /—\明説明發 、五
7-7 A B 會則 能 ， 可時 面小 表圍 卡範 的的 後定 成指 完較 ，隙 時缝 大該 圍若 範 〇 的性 。 定則難 指規困 較不分 隙的十 縫大會沭 該很將簡 若現位式 出定圖 示圖圖 所係係 12 3 圖圖圖 明部 發之 本成 據總 根之 係
1X IX 示 所 2 圖 及 ; 圖 圖 面 面 平 截 ·，之 之圖層 例面隔 施平間 實分之 截 例 施 實 1 另 之 似 類 1* 圖 與 之 明 發 本 據 根 偽 示 所 ·, 圖圖 面 之 例 施 實 一 又 之 似 類 圖 與 之 明 發 本 據 根 僳 示 所 5 圖 圖面 截 6 7 8 9 圖圖圖圖 圖 ;面 圖平 面之 平面 面表 表 一 前另 板板 路路 ε Β 之之 5 5 圔圖 及 以 圖 ; 面 圖截 面之 截例 之實 例術 實技 術用 技習 用一 習另 係係 小 最 的 忍 容 能 度 厚 Η 晶 體 導 半 和 徑 半 線 曲 沭 偽。詳 示圖例 所僳旃 10關奮 圖之佳 值較 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. ,ιτ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 例圖 施如 實 示 所 之 2 圖 和 有 容份 電股 和所 1C究 /1\ 2 研 H學 晶化 俗 子 Ε 它 其 與 體 導 半 的 厚 米 徹 劑 黏 gB 導 名 品 商 有 印 在 貼 黏 \/ 造 0 A3 所 司 公 限 ιρπτ 曰的 } 4 朝！ 路 i ιροτ 成表 刻的 1 膜板 薄路 箔電 銅於 將置 地 7 性片 擇薄 選層 由隔 藉間 以之 可 〇〇 也口 。缺 上具 面 ， 表 4 之路 1 IpOT 板刷 路印 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210Χ297公釐） 86·?· A7 B7 » 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 五、發明説明 (7 ▼) 1 i 面 上 〇 圖 3 之 所 示 係 間 隔 層 7 的 平 面 画。 缺 口 8 的 尺 寸 1 1 I 是 為 了 界 定 在 每 —* 個 晶 片 周 圍 的 縫 隙 為50到 2000 微 米 〇 1 1 在 此 實 拖 例 中 間 隔 層 薄 片 7 包 括 了 25微 米 厚 之 聚 對 笨 /-V 請 1 先 1 二 乙 烯 薄 瞑 72 上 面 且 塗 覆 25微 米 厚 的壓 焊 劑 薄 膜 71 閲 讀 I 及 未 示 於 圖 中 之 1 微 米 厚 的 基 礎 薄 膜。 此 外 9 外 殼 5 背 面 之 ! 含 125 撤 米 厚 之 聚 對 苯 二 乙 烯薄 膜 52上鍍 了 20微 米 厚 的 « 注 意 古 1 I 壓 焊 劑 層 膜 51並 扮 演 一 上 蓋 • 且 藉 使 用叠 層 來 叠 曆 於 間 事 項 再 1 1 隔 層 薄 片 7 上 Ο 一 旦 完 成 叠 層 程 序 » 此一 晶 片 就 置 於 1C % 寫 本 1 1 卡 上 516微米厚的電中性平面裡 ，換句話說， 半導體晶 頁 Ns--· 1 I 片 2 實 質 上 係 被 置 於 1C卡 厚 度 的 中 央 部分 〇 因 為 受 到 1C 1 1 卡 鼙 折 形 變 而 產 生 的 伸 長 及 壓 縮 壓 力 .係 與 到 電 中 性 平 1 1 面 之 距 離 成 線 性 增 加 之 比 例 ， 因 此 實 質上 半 導 體 晶 片 2 1 訂 並 未 感 受 到 伸 張 及 壓 縮 壓 力 〇 若 此 —- 1C卡 德 成 實 質 上 是 1 均 勻 的 9 則 所 界 定 的 電 中 性 平 面 就 可 K是 一 個 幾 何 的 中 1 1 性 平 面 9 就 如 在 機 械 領，域 中 所 熟 知 的 ,若 於 1C卡 结 構 於 1 I 幾 何 的 中 性 平 面 上 存 在 著 任 何 的 不 對 稱性 9 則 此 一 幾何中 1 1 性 平 面 就 會 白 幾 何 的 中 性 平 面 偏 離 〇 沐 1 實 施 例 2 1 1 如 圖 4 之 所 示 9 於 實 施 例 1 之 1C卡 的上 下 兩 個 表 面 上 1 » 叠 曆 —. 層 塗 覆 20微 米 厚 的 壓 焊 劑 層 膜51 之 另 一 75微 米 1 1 厚 之 聚 對 笨 二 乙 烯 薄 膜 52 f 而 製 成 一 516微米厚的1C卡。 1 I 如 此 一 來 ， 於 此 例 中 » 外 殻 5 包 括 了 一對 上 層 膜 52和 一 1 1 單 一 下 層 膜 52 〇 1 I 實 胞 例 3 - 9- 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 25>7公嫠） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 317691 A7 B7 五、發明説明（沒） 和施例2類似，於實豳例1之1C卡的上下兩届表面上 ,叠層一層塗覆20撤米厚的壓焊劑層膜51之另一 188微 米厚之聚對苯二乙烯薄膜52,而製成一 742微米厚的1C卡。 實施例4 使用30微米厚的晶片2取代實施例1中50微米厚的晶 片，且使用由聚對苯二乙烯薄膜製成之50微米厚的間隔 層7製造一 346微米厚的1C卡。 實施例5 如圖4之所示，於實施例4之1C卡的上下兩個表面上 ,叠層一層塗覆20微米厚的壓焊劑層膜51之另一 75微米 厚之聚對苯二乙烯薄膜52,而製成一 536微米厚的1C卡。 實施例6 和實施例5類似，於實施例4之1C卡的上下兩個表面 上，叠層一層塗覆20微米厚的壓焊劑層瞑51之另一 188 微米厚之聚對笨二乙烯薄膜52,而製成一 762微米厚的 1C卡。 實施例7 使用100撤米厚的晶片2取代實施例1中的晶片，且 使用100微米厚之聚對苯二乙烯薄膜72所構成的間隔層 薄片7製造一涸346微米厚的1C卡。缺口 8係提供使得 界定在每一個可包括積體電路及其它電子零件的晶片2 周圍的縫隙為50到1000微米。 實施例8 如圖4之所示，於實施例7之1C卡的上下兩涸表面上 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公嫠） ----r---Γ---.丨裝------訂------.線--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（<?) ,蠱層一曆塗覆20撤米厚的壓焊劑層膜51之另一 75微米 厚之聚對苯二乙烯薄膜52,而製成一 586微米厚的1C卡。 實施例9 和實施例8類似，於實施例7之1C卡的上下兩涸表面 上，叠層一層塗覆20微米厚的壓焊劑層膜51之另一 188 微米厚之聚對苯二乙烯薄膜52,而製成一 812微米厚的 1C卡。 實施例10 使用200微米厚的晶片2取代實施例1中的晶片，且 使用188撤米厚之聚對笨二乙烯薄膜72所構成的間隔層 薄片7製造一個496微米厚的1C卡。缺口 8係提供使得 界定在每一個可包括積體電路及其它電子零件的晶片2 周圍的鏠隙為50到500微米。 實施例11 如圖4之所示，於實施例10之1C卡的上下兩涸表面上 ,叠層一層塗覆20撤米厚的壓焊劑層膜51之另一 75微米 厚之聚對苯二乙烯薄膜52,而製成一 686撖米厚的1C卡。 實施例12 和實施例1類似，於實施例10之1C卡的上下兩個表面 上，叠層一層塗覆20微米厚的壓焊劑層膜51之另一 188 微米厚之聚對苯二乙烯薄膜52,而製成一 912微米厚的 1C卡。 實施例13 使用500撤米厚的晶H2取代實施例1中的晶片，且使 -11- 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----Γ------^------、訂------Φ-!----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 A7 B7 五、發明説明（、。） 用500微米厚之聚對苯二乙烯薄膜72所構成的間隔層薄 片7製造一涸796微米厚的1C卡。 實施例14 如圖4之所示，於實施例13之1C卡的上下兩個表面上 ,叠層一層塗覆20微米厚的壓焊劑層膜51之另一 75微米 厚之聚對苯二乙烯薄膜52，而製成一986微米厚的1C卡。 實施例15 和實施例14類似，於實施例10之1C卡的上下兩涸表面 上，叠層一層塗覆20微米厚的壓焊劑層膜51之另一 188 微米厚之聚對苯二乙烯薄膜52,而製成一 1212微米厚的 1C卡。 實施例16 參照圖5至圖7 ,其中相對應於前述實豳例的部件將 K相同數字標示，將由18微米厚的導電層膜組成的天線 電路41放在75微米厚的聚對苯二乙烯薄膜之兩個表面上 而形成印刷電路板1 ，而50微米厚的半導體晶片和電容 晶片4a和4b,刖是MAnisoU之商品名在市場上銷售的 異向性導電薄膜安裝在印刷電路板1之上，而形成1C卡 的功能部件。 於每一側之75微米厚的聚對苯二乙烯薄膜上長成天線 線圈41和42,而分別靥於上下表面的兩個線圈，是透過 事先在電路板1上某些部份指定的貫穿孔43和44而互相 連接在一起。 在此一功能部件、一對覆罩層膜52上，將三個由塗覆 -12- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ---------------I裝------訂-----丨線丨>- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（u ) 24微米厚的壓焊劑之75微米和188微米厚之聚對苯二乙 烯薄膜所構成的間隔層薄膜71,分別叠層在總成的上下 兩涸表面上，Μ便在叠層程序之後形成一涸474微米厚 的1C卡。 實施例17 使用一對由250和125微米厚的取代實施例16中分別為 188微米厚的上層覆罩和75微米厚的下層覆罩聚對苯二 乙烯薄膜所構成的覆罩層膜51,而取得一 574微米厚的 1C卡。 實施例18 125微米厚的聚對苯二乙烯薄膜，取代實施例16中75 微米的厚薄膜以改進印刷程序。以兩個分別是75微米和 188微米厚的覆罩層膜51為上罩薄膜、Μ及用一個125微 米厚的薄膜取代75微米厚的薄膜成為下覆罩薄膜，Μ製 造一 720撤米厚的1C卡。 實施例19 於實施例10和13中ί ^EL-K>500_米的情況下，於1C 卡表面所產生的表面不規則性會超過100微米，其中K係 晶片的尺寸，而L則是間隔層薄片7之缺口 8的尺寸。 這類不規則性會造成内部鏠隙尺寸的過度膨脹，而藉由 L-K<500微米粒調整後可降到80撤米或W下。 實施例20 於實施例7中，在L-K> 1 000微米的情況下，於1C卡表 面所產生的表面不規則性會超過100微米。這類不規則 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----1------- I裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ) 1 1 性 會 造 成 内 部 縫 隙 大 小 的 過 度 膨 脹 * 而 在 藉 由 L- K<1000 —> 1 1 | 微 米 的 調 整 後 可 降 到 80微 米 或 以 下 〇 1 1 實 施 例 21 /«—V 請 1 I 先 1 於 實 施 例 4 中 9 在 L- Κ>2000微 米 的 情 況 下 » 於 1C卡 表 閲 讀 1 面 所 產 生 的 表 面 不 規 則 性 會 超 過 100微米c 這類不規則性 背 1 1 之 1 f 會 造 成 内 部 縫 隙 大 小 的 過 度 膨 脹 > 而 在 藉 由 L- 1U2000微 注 意 i 1 米 的 調 後 降 钭私)橄 半 或 Μ 下 〇r 事 項 再 1 Μ 此 製 備 的 1C卡 受 到 彎 折 形 變 之 下 测 試 其 電 性 連 接 的 填 寫 本 裝 1 可 靠 度 〇 在 某 些 情 況 下 可 Μ 看 到 實 體 上 的 損 壊 但 是 __- 頁 1 I 個 50微 米 厚 的 1C卡 在 脅 折 曲 線 半 徑 為 2 . 5到5微 米 時 不 致 1 1 產 生 任 何 電 性 斷 路 » -個100微 米 厚 的 1C卡 在 m 折 曲 線 半 1 1 徑 為 10到 15徹 米 時 不 致 產 生 任 何 電 性 斷 路 > —- 個 2JI^ 微 1 - - 訂 米 厚 的 1C卡 在 彎 折 曲 線 半 徑 為 25到 30微 米 時 不 致 產 生 任 1 何 電 性 斷 路 〇 圖 10 之 所 示 即 是 在 實 施 例 1 安 排 下 實 驗 所 1 1 得 之 曲 線 半 徑 和 半 導 體 晶 片 厚 度 能 容 忍 的 最 小 值 的 闞 係 1 1 園 〇 1 1 為 了 比 較 * 根 據 曰 本 公 開 專 利 串 請 案 號 第 7- 99267號 線 | 的 專 利 中 提 的 方 法 製 備 1C卡 f 亦 即 基 於 半 導 體 晶 片 之 ! 1 連 接 端 子 與 電 路 板 之 連 接 端 子 係 曝 露 在 同 一 平 面 上 並 1 ! 藉 著 刷 印 於 其 上 的 導 電 黏 劑 達 成 相 互 電 性 埋 接 〇 使 用 的 1 I 材 料 與 實 施 例 1 中 所 用 的 完 全 相 同 〇 根 據 這 類 1C卡 的 測 1 I 試 结 果 9 於 相 同 範 圍 的 彎 折 形 變 下 有 百 分 之 二 十 到 四 十 1 1 的 情 況 會 發 生 電 性 斷 路 t 此 證 明 了 根 據 此 項 發 明 所 製 成 1 I 的 1C之 卡 電 性 埋 接 的 可 靠 性 確 實 獲 得 改 進 〇 因 此 根 據 此 1 1 I 14 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） B7 明 説明發 效 限 濟 局 經 不 程 並 製 明 高 發 具 本 又 但 性 ， 靠 例 可 範 度 個 高 一 具 是 係 只 置 例 裝 施 的 實 成 的 製 述 所 上 明。然 發的雖 項益 此 離。 偏正 不修 在或 可變 者改 術作 技例 項腌 此實 悉類 热這 地對 然下 顯構 很架 ，及 例神 施精 實之 此明 於發 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠）

Claims (1)

  1. 317691 of A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第85107935¾「半導體總成_ι專利案 (86年7月2日修正） Λ申請專利範圍： 1. 一種半導體總成，包括··含有一導體電路之一電路板 (1),該導髏電路含有連接襯墊；於其第一個表面上 具備連接端子並安裝在該電路板上之一半導體晶Η (2) ;覆蓋電路板之一外殼（5);其中該導體電路之連接端 子與該半導體晶Η連接端子配置鼷偽相對的，且其間 係由導電壓焊劑相互連接，而實質上該半導體晶Μ之 幾何中性平面與該半導髏總成之整個幾何中性平面偽 重合。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體總成，其中該壓焊劑 傺由異向性導電壓焊薄膜所組成。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體總成，其中該導體電 路偽將導電蕾印刷到該電路板上而形成。 4. 如申請專利範圍第1項之半導醱總成，其中該導體電 路藉選擇性地蝕刻該電路板上之金屬薄Μ而形成。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體總成，其中該導體電 路尚包括至少形成在該電路板一表面上之天線電路（ 41,42)〇 6. 如申請專利範圍第1項之半導體總成，其中尚一由塗 覆壓焊劑之薄膜所構成之間隔層（7),通常僳黏貼在 該電路板之表面上，且該薄膜提供一缺口（8)以容納 -1- 2 ---------V----裝------訂"·-----^------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） *經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8斤、申請專利範圍 該半導醱晶Η於其中。 7. 如申_專利範匾第6項之半導體總成，其中介於該半 導體晶Η輪廓與該缺口外圍邊界間之缝除要足夠小， 以避免在發展該總成時産生無法接受之表面不規則性。 8. 如申請專利範圍第1項之半導體總成，其中介於該半 導體晶Η輪廓與該缺口外圍邊界間之縫隙要足夠小， 使得L-K<2000撤米，其中L偽該缺口的尺寸，而Κ則 是對應晶片之尺寸。 9. 如申請專利範圍第1項之半導體總成，其中該外殼包 含置於該電路板上之塑膠薄膜。 10. 如申請專利範圍第1項之半導體總成，其中該半導體 晶Η之厚度不超過200微米。 ------------裝------訂------------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS )八4说格（210X 297公* )
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