TW312791B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW312791B
TW312791B TW085111645A TW85111645A TW312791B TW 312791 B TW312791 B TW 312791B TW 085111645 A TW085111645 A TW 085111645A TW 85111645 A TW85111645 A TW 85111645A TW 312791 B TW312791 B TW 312791B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vii
supply
transmission line
point
road
Prior art date
Application number
TW085111645A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW312791B publication Critical patent/TW312791B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1057Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits

Description

經濟部中央標準局負工消費合作社印製 U 上 a? B7 _ . — - 一 --- 五、發明説明(i ) 發明背景 1 .發明領域 本發明關於一種半導體記憶裝置’尤指—種不必便用_ 料傅輸電JM,藉由使ff料傅輸線铝壓變化縮滅至最小旳资 料傅輸铝路。 本發明係以韓國第33822/1995號申請案爲基礎,於 此合倂爲參考資料。 2 .相關習知技術描述 利用目前在此領域中的進步可以一直製造較高密度及較 高容Μ的積體半導體記憶體裝獄。然而,當積體電路的密 度及容Μ持紹增加時,降低半铅體記憶裝置之操作功率 付很m要。總減半導體記憶裝操作功率的代表性方法是 降低資料傳輸線的ΐβ流消耗,於Ilisakazu Kotain等所出版的 ISSCC 1994 PP142-143,名稱爲 “A 256 Mb Dram v.ith 100 MHZ Serial I/O ports fbr storage of Moving Pictures”,的文章中曾描述此種方法.。上述使用 高微分傳輸電路(cUffiM'entialtransfbr circuit) S丨丨F的習知踅路於此將 參照圆一而簡要描述。ί路於此將參照圖一而簡要描述。 參照_ 一之習知半導體記憶裝置用之资料傅輸電路的電 路圖,當资料驅_器10的一對的資料端或一資料線對 RD/RDB,就是半導體記憶裝置之感測放大器的感測位元 2 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公楚) Γ%先閱讀、背面之注意事项再填寫本耳」 t衣 五、
線對,被預先充茁於邏姒G狀態時,·個A狀態的平衡# 號被輸人。W此’负料傅輸線對D B / I) D B開始處於个衡# 態常N Μ 0 S ΐί!品體Μ 7導M ( t u r η ο η )。丫| :丨ΐίί述的1、:衡狀奴 屮,如災负料線R D及R D Β與个衡巩號E Q J!;中·汽的電位續 成邏#彳低吧位,丨丨.如果·傅輪脈波P S丨從邏街低狀態變成 Α狀態,汲桦分別迚接1( fi料傅輸線D Β與D Β Β的Ν Μ 0 S笟 品體Μ丨,Μ 2的共源桦迚接點Ν丨經丨丨| Ν Μ 0 S VII品體Μ 5的汲 源桦通ΪΠ l(U變成與第·供應屯源屯Μ,就W接地祀位V s s ,相卜彳肀位。此時,汲恤分別迚接节fi料傅輸線D Β與D Β Β 的N Μ 0 S ;rll ,沾體Μ 3,Μ /1的共源極迚接點N 2的道位升G卡經 山Ν Μ 0 S VII以!肥Ν 6之通逍供應的内部供應V[1源说應V I N T L 丫K丨:述的怙況屮,假設fi料傅輸線R D與R D B屮的行料 線R D B變成邏#.丨“低”狀態(W · ff料線R D足//:補资料線 收維持/K邏#丨“ A ”咿位)’ _桦迚接令资料線R D的N Μ 0 S VII品體ΜΙ,Μ4導通(turn on)’ liu刚極迚接令ft料線 R I) B 的 N Μ 0 S V[| Αΰ 體 Μ 2,Μ 3 關 |jfj ( t u r η 〇 f f )。W 此,ff 料俾輸線D B的吧位N M 0 S VH品體M 1,M 3分別導通與關閉时 改變卡接地?11位V s s,liil fi料傅輸線I) B B的窄位N Μ 0 S 111品 體Μ 2,M彳分別關丨別與導通l(U改%8节内部供應饱Μ V I N T L。 於此狀態,如果接收傅輸十:资料傅輸線對D B / D B B之 料川的搾制脈波P S 2 B從邏|i.i ,4狀態改變爲邏軺低狀態,藉 此操作· ff料接收端丨2,源恤迚接乍笫:供應屯跶,即供 應屯赠V c c,的P Μ 0 S VII品體Μ 8導通。常P Μ 0 S VII品體Μ 8導 Λ 7 Β7 五、發明説明() 許先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 通,1¾桦分別迚接ΐ fi料傅輸線D B與D B B的P Μ 0 S屯品體 Μ 9,Μ丨0的源桦被輪人供應VII Μ V c c。此時,施加給Ρ Μ 0 S VII品體Μ 9,Μ丨0削椒的屯贈學位W小Μ的,1L W此,Ρ Μ 0 S VII品體Μ 9,Μ丨0丨1心+ Μ的Μ逍禮VII係數。/H L1稀狀態, 料傅輪線D B的?[1 Μ準位比资料#輸線D B B的屯跶叩位低 ,丨L W此,Ρ Μ 0 S VH Μ體Μ 9的Μ逍導Vil係數比Ρ Μ 0 S馆乩體 Μ I 0 » W此,Ρ Μ 0 S VII品體Μ 9,Μ丨0的汲極點的VII應點 t. Ν 3,Μ分別變成㈧部供應Vli Μ準位V I N T L與接地屯Μ擎位 V s s 。如见輸川點Ν 3被拉G ΐ邏極# Ui狀態,Ν Μ 0 S屯(沾 體Μ丨5被導通Π. W此,割丨Ν 4的VII Μ被拉低节接地VII位V s s 。W此,如災接收资料的傅輸脈波P S 2 Β從邏#| Α狀態被改 變节邏f彳低狀態,反相器I N V 1的輸丨|丨"ί能被拉A节邏|U A 狀態,liij) 乂扣器i N V 2的輸出"丨能被拉低令邏齪低狀態,或 呵能足+ Μ狀態。作叫 '的結構屮,常接收料的控制脈 波 PS2BW 處於邏 |U Α 狀態,N Μ 0 S VII 品體 Μ 1 1,Μ 1 2,Μ 1 3 分別沒Μ以便對點Ν 3,Ν /1 Κ{先充Vll 1(接地Vtl Μ準位V s s, 妆執行/卜衡操作。 經濟部中矢標率苟S工.:消費合作社印袈 W -方ifu,战然丨t彳』的丨·結構之Μ知fi料傅輸HI路# f 只爲fi料傅輸線川之内部供應VII M V 1 N τ l以便窄化资料傅 輸線對】)B / D Β Β的VII m變化,U將難以降低品區域,收 IL產π品)V内妃β内部供應屯Μ V I N T L線的問Μ。 發叨綜合説叨 B7 五、發明説明(」) 4先閱清'背面之注意_項再填{$,;本頁 丨入丨此,本發叨之· I丨的/1:捉供·柯f導體記憶装内,藉 山+使jl] fi料傅輸Μ來降低fi料傅輸線的變化刖能降低 fi料傅輸屯路的功中沿耗。 本發Ψ]之Ί丨的YK捉供·稱能夠/f: A速以低屯Μ吧位 傅輪fi料的ff料傅輸νϋ路。 Γ 爲迮成id @及κ它|丨的,本案捉供·柿卞;體,;d憶裝 i;‘'(之ΐΐ料傅輸屯路,U心-輸人ff料之资料線對,輸出 點對,以及· ff料傅輸線對H11路乜括:笫·及笫:感 測點;川以於該ff料傅輸線對之汛號//:補丨丨、ϊ,預先充?11該 fi料傅輸線對节 m •供應νϋ Μ收改變該ff料傅輸線對之 rn •成第:ff料傅輸線之附抗的νϋ;路;嗶位侦測VII m供應 焚内,川以Μ應經山·第:VII桦輸人的傅輸脈波而供應該 ^ _及第:感測點之Μ先充屯屯Μ令該ff料傅輸線對之該 t. 访·及笫:fi料傅輸線;拉焚的,川以拉A該輸出點對 令· m :供應νϋ擎位;以及ff料侦測紫旳,山複數Μ 0 S屯 體糾成,源即極分別迪接节該輸川點對之沈;·與第: 輸出點,K汲桦分別迚接节該第·與第:感測點,lilj几控 制_分別迚接节,¾ m :及m •輸川點,收感测以便放人,¾ m •及访:感測點之屯μ變化。 經濟郎中t標牟局:K:L>flffr^fttl·.f 岡式簡切説叨 本案忪藉卜_列IW丨式及,Γ卩細説叨,伸灯-深人/解,]!;屮 钔Μ的儿件給f相的標號:
木:¾¾ 用巾网围家:.丨ί系i CNS、Λ4Η'.格1 '!ii K 經濟郎中失標祗局Μ」消費泠作社印$ A 7 B7 五、發明説明() 第.N :係Μ知記憶裝旳使川之负料傅輪笛路之茁路阀 第:Ν :係本發叨肀衿體彳l!憶裝朽使川之咨料傅輸市路 之Vli路卩、1'丨, 笫〔Μ :係解釋木發叨负料俾輸迤作川之操作時脈叫; 访1儿丨Ν :係木發叨个·巧體1 Μ彳:w、侦川之访:ΐί施例 料傅輸饱路之屯路㈣° 較仆丨Ϊ施例詐細説叨
Ift丨:炎尔Γ半導體y位焚旳之巧料傅蝓谌路的VII路N, 於該結稱中灼料丨"丨應.控制脈波的輸入耐從.對资料傅輸 端R I) / R D B成fi料線對R D / R D B傅輸’收丨L小―侦川傅輪行料 川之额外的傅輸屯贼° IH-丨·:係解釋本發叨行料傅輸'啦路川之操作丨丨、丨脈丨1Wf丨。 如岡:所小,如災资料驅_器的$料線R D,R D B :片作 邏祖丨“ A”狀態的位機(s Land by)校式被輪人,fi料線 對R I) / R D B的邏#ί “ β ”狀態汛號被輸人N M 0 s甫品體 Μ 2丨,Μ 2 2的丨i,W构°然後’ N Μ 〇 S 'iii从體Μ 2丨,Μ 2 2的汲恤述 接个:ff料傅輸線對D B / D Β Β的個別傅輸線D B,D Β β ’丨丨.从源 椒被迚接乍茁.供應也喊’即接地沿位V s s °丨人丨此’如火 邏個丨“rt”狀態汛號被輸人.作料線R D,R D B ’ N M 0 S屯品 體M 2 I , M 2 2導通’丨丨.W此’行料傅輸線對D B / D β B的吧位 請先閲讀f面之注意事項再4寫私頁〕 • II汀 t A 7 __B? 五、發明説明(/ ) F先閱清·背面之注意夢項再填寫本頁 个ill彳被ίίί先充ΐίί令接地屯位V s s,如丨ft丨.(所A。於此持機 狀態,傅輸脈波p s丨在第:邏巾if狀態被蝓人,就w邏往} “ 低”狀態,如N 所小。如災傅輸脈波P S UK邏彳ii丨“低” 狀態被輸人,則分別與fi料傅輸線D B,D B B之·述接的 N Μ 0 S屯品f!i Μ 2 3,Μ 2 4饩關閉。此阽,n Μ 0 S VU品體 、-a t. 經濟部中央螵嗥馬gv 一消費合作社印裂 Μ 2 3,Μ 2 4的汲極I占,卯访·及第:感测點Ν I,Ν 2被預先充 VII卡供應VII赠V c c的.肀咿位。詳細地説,如采第:供應 ηι Μ,即供應νίΐ Μ V c c,被捉供給如叫:所术之屯路,作 供應V[1 Μ V c c與蝓出點Ν 3,Ν /]之丨⑴:桦體迚接(^ 〇 1 d ^ c ο η n c c t c d )的Ρ Μ 0 S Vil丨V,體Μ 2 7,Μ 2 8導通。丨人1此,輸出 點Ν 3,Ν 4的學位被ffi先充'ill令VII赠V c c V t ρ準位(此處的 V t p 係 P Μ 0 S VII 品體 Μ 2 7,Μ 2 8 的臨界 VII M ( t h r c s h ο 1 d voltage))-如丨〔所小-’ lili丨W極分別迪接卞:輪出點 N 3,N /1的Ν Μ 0 S Vli ,Vi僻Μ 2 5,Μ 2 6控通,餅此維持第.及第 :感測點Ν I,Ν 2於ΚΙ先充说个:Vcc VLp Vtn的狀態。 於此待機狀態,如见ff料傅輪線R D,R 1) B中心·-万w從 邏f丨A狀態改變节邏祖丨低狀態,例如,如果資料線R丨)B如 丨〔所小般地變成邏收丨低準位,N Μ 0 S VII品體Μ 2 1維持/H冷 Μ狀態,liij Ν Μ 0 S VII品體Μ 2 2關閉。/1: W Μ狀狀態,傅輸脈 波P S 1如Ν ·:所小般從邏軺低狀態改變令邏㈣尚狀態, Ν Μ 0 S Ί11 爬Μ 2 3及Μ 2 4丨叫應邏f i 狀態的傅輸脈波p S j |iu 沿ϊώ 。如災Ν Μ 0 S Hi心,ffi;; Μ 2 3Μ 2 /1導i〇i ,沈;-及第\感測 點N丨,N 2分別被迚接节fi料傅輸線ΐ、ί ]) B / 1) B B之笫.與第 :fi料傅輸線丨)B,I) B B。所以,如果傅輸脈波p s 1從邏船 B7 ~~·· ________________五'發明説明(7 ) 經濟部中失標卑局Μ 4消貧合作;-^¾ 低狀態改變节邏#:丨0狀態,供應祀丨咕V c C綷山第.及笫 P Μ 0 S VII品體Μ 2 3,Μ 2 4之源汲桦通逍流人倘別的料傅輸 線 D B , I) B B » 然後,迚接节ff料傅蝓線對D B / I) B B的第.N M 〇 S窀品 體Μ 2丨被冯通,丨丨.诏Ν Μ 0 S Vii品體Μ 2 2被關閉。|人丨此,倘 別的fi料傅輸線D B及D B B的屯位於YI1流流過後被Ν μ 〇 S屯 品體Μ 2 3,Μ 2彳改變,然後經過.ffi定的丨丨、ΪΊίίΙ叫隔。也就足 説在fi料傅輸線D Β與D Β Β之丨⑴成/丨(祀位及。例如,资料 傅輸線D B的νίί位經山沒通的N Μ 0 S VII品肥Μ 2丨的汲源通逍 被放VII ΐ接地范位V s s,W |ίΐ丨被拉低节接笫地'祀位V s s咿 位,如叫〔所小,lilj ff料傅輸線D B B U心.扣定的屯位, 該.ffi 定的’ill 位山流過访N Μ 0 S ili I1,,', Μ 2 4 * jr. vli ^ C 2 2,C 2 /1及j!;線VII組R 2的'll!柯丨丨1:決定,如㈣:所小。 如果ff料傅輸線對I) B /】)B B的VII位於傅輸脈波p s丨被致 能爲邏lUiWj狀態丨ί、ϊ如岡·:所小般地被改變,產/丨:./f: N Μ 0 S V[1 心,爬Μ 2 3,Μ 2 4之通逍導Vli係数之I⑴的及興,Π. W此,第-及ίΒ :感測點N丨,N 2的位被改變。換句品説,N Μ 0 S ?[| iVi體Μ 2 3的汲构擎位餅!丨丨-扣先被充'41 .节接地Vtl位V s s的 狀態被拉低令邏祖:丨低狀態,刖N Μ 0 S屯二腮Μ 2彳的汲桦準位 鉛山iUi Ν Μ 0 S屯品體Μ 2 2關丨別阽的.ffi定咿位的資料傅輸線 D Β Β |ίι丨維持/!.: Vil素吧位V c c V t p V L η。如果第.感測點 Ν丨的吧位如丨:所述般地被拉低,與Ν Μ 0 S V[1品體Μ 2 5的汲 恤迚接的笫.輸出點Ν 3被拉羝爲邏银ί低擎位,而控制桦迚 接令第·輪出點Ν 3的Ν Μ 0 S VL!品體Μ 2 6關閉。丨人丨此,笫: (請先閱讀坪而之注意事項再填寫本頁)
經濟郎中史標皁"只-消费^阼社卬製 Λ 7 Β7 _____________^---------—-----------------—---" 五、發明説明(") 輸出點Μ鉛⑴作供Μ ?ii刚ν c c興® :輸出點Ν彳之問.:極體 迚接(d 〇 i d c c ο η n c c t e d )的p M 〇 s祀品體μ 2 8 [f|j維持在 邏fU.?;狀態’ W lilj與^料線對R D /R D B的訊號輸人狀態匹 配以改變舛輸出狀態’如㈣(所小’並傅輸訊號。 丨人丨此,U彳f如N :所小之結構的本發明的资料傅輸祀路 uj-以不治使川额外的資料俾輸祀贴來傅輸咨料。如前所述 之W施例’常資料傅輸對R D / R D B的资料線R D B從邏收丨A 狀態改變爲邏樹低^状態特’我們1 2 3丨以知逍’介力:補资料 輪人卟,輸川點N 2 2,N 2 3的結災經山與前血所描述之扣Μ 柷β liij作供應屯赠V c c與接地屯位狀態被接收。 Ν丨叫炎小木發叨笫:竹施例之亇沒體記憶裝旳之fi料傅 輸屯路’它外丨丨.心A .范路川以對岡:所小之ff料俾輸 線對D B / D B B预先充VII。介:IWI : ’爲Γ對笫·及第·_貪料 傅輸線D B,D D B預先允祖节接地VII位V s s,被接收乍從外 邰接收fi料的0料線對R丨> / R D B的负料及彳補資料應该於 邏f U);狀態被輸人,如此N M 0 S屯品體M 2丨,Μ 2 2 nj以被沒 Μ。丨人1此,U心岡丨儿丨結惝之木發叨负料俾輸屯路丨:要Υη _ 決U柯限制。 額外迚接於ff料仲:輪線】)β與丨)Β Β之問的汨先充屯路 乜扒:倘Ν Μ 0 S屯品f:丨3 0,3 2 ’ 源即桦分別迚接节接地 屯位V s s丨iij· jl:汲恤分別地接令第.與Φ .拉料傅輸線 I) B,I) B B,K.削桦輸人怕先充祀脈波P ff B u iUi m先充Vli Vii路的ft料傅輸祀路與n :所小之屯路述 作力式相η,並執ί】:额外的充屯運作以便於茁先充屯枰制 (请先閱讀背而之,注意事項再填、:"本頁)
1 2 · —.V.— . , _________ ______ , , , . - .. —V—·*——* ———— 3 本纸法尺度:8;:]屮阐㈣家德涑i ΓΝΗ )人4风格门公续 Λ 7 Β7 五、發明説明(j) 脈波P 〇於邏tl β狀態輸人卟使资料傅輸線對D B / D B B預 先充Vli卡接地屯位V s s。此预先充屯搾制脈波P ff B U竹與 υίί述傅輸脈波P S 1扣反的相位,如岡i的時序阏所不。 如1¾'所述,木發叨"丨以降低fi料傅輸的功牛:消耗,藉山 縮減ff料線的變化l(U +必使川傅輸资料川的額外功韦供應 ,Μ畤藉|丨|降低fi料傅輸VII路的K、j'扼竹效地衍到度秸 體化。 本發叨妆+受限於前述特定竹施例,liu應定義於所附屮 ,沾冉利範|/ί丨。 (讀先閱讀疔而之注意事項辱填寫表頁 " 經濟部中史漂.準局Μ二消f合作社印製 10 本紙張 度適用t內無冢標隼:rNS ; A“i現格;川)' 公蝥

Claims (1)

  1. 8 8 8 8 A8CD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 . •柯f導體Μ位装内之fi料傅輸VII路,丨ί彳〗·輸人 fi料之资料線對,·輸川點對,以及· fi料傅輸線對,該 VII路包拈= 迅·及茁:感測點; 川以於該ff料傅輸線對之巩號//:捕時,扣先充屯該ff料 傅輸線對节·第·供應屯Μ妆改變該fi料傅輸線對之笫· 成第:资料傅輸線之附抗的装的; 準位侦测VII Μ供應装巧,.丨|j以Η應經山·笫:vii桦輸人 的俾輸脈波ιίι】供應該m •及m :感測點之Μ先充屯VII Μ令 該行料俾輸線對之該第·及第:fi料俾輸線; 拉紫^,j|j以拉該輸出點對令·第:供應屯擎位; 以及 fi料侦测焚巧,山祝数Μ 0 S VU品體組成,jf;源即桦分別 迚接中該輸川點對之第·與m :輸出點,ii;汲極分別迚接 节,¾第 '與第:感测點,liij K控制Ιΐ彳分別迚接令該第:及 第·輸出點,、收感测以便放人該第·及第:感測點之屯Μ 變化。 2 .如屮砧办利範阐第丨项之fi料傅輸屯路,Κ屮該糾抗變 化焚内乜拈:NMOSVH品體,K源桦 '起迚接节·第·供 應V11M,ji;汲桦分別迚接令,¾第 '及笫:¾料傅輸線,|(u K控制桦分別迚接令该笫·及m : fi料線。 3 .如|丨1 Μ电利範_笫丨m之fi料傅輸VII路,K屮該吧位侦 测m Μ供應装打乜怙N Μ 0 S VII品體,j〔源汲桦M m分別 迚接於該m •及第:fi料傅輸線的料·端邊與第·及第: 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公犛) (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 •"I · A 8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 感測點的β •邊之叫,於經山該搾制桦輸人之 '傅輸脈波 被致能畤捉供该:感測點的屯顺节該fi料傅輸線。 .1 .如Ψ砧冉利範阅第1项之fi料傅輸VII路,ΚΨ該拉灯紫 巧付沾祝数p μ 0 S m體,κ係:桦體迚接(d i 〇 d c c ο η n c c t c d )於Μ讲:供應v[l Μ與该泌·及迅:輸出點 之丨⑴。 5 .如Φ Μ办利範冏诏1 4之仟·项之fi料傅輸VII路,該笫 -供應VII Μ係接地屯Μ Ιίι〗該笫:供應'啦Μ係操作v[l Μ。 6 . •柯卞導體,;ι!憶贤内之fi料傅輸屯路,丨i吖1命人 fi料之fi料線對,_輸出點對,以及'ff料俾輸線對,,¾ VII路包拈: 访 '及笫:感測點; ffi先充VII紫内,川以Μ應·輸人控制脈波,ffi先充VII該 ff料傅輸線射之· m ·及· m :俾輸線节·讯·供應屯μ
    Φ 央
    作 社 m抗變化紫旳,川以常,¾ fi料線對的訊號//:補I丨ΐ變化該 fi料線對之該m '或访:¾料線; 準位侦測屯Μ供應裝朽,jl]以丨"丨應經山·第:H!極輸人 的傅輸脈波Ιίϋ供應該第·及第:感測點之ffi先充屯屯m爷 該ft料傅輸·線對之該第 '及m :¾料傅輸線; 拉a装巧,川以拉a該輸川點對令· m :供應屯準位; 以及 fi料伯測装朽,山祝数Μ 0 S VII品體組成,κ源即極分別 迚接节該輪出點對之第 '與第:輸川點,it汲桦分別迚接 12 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4规格(2!〇Χ297公犛) 、由請專:κ ! .Λ Βλ r':' i;)i- φ 央 局 f 合 作 社 印 令,¾第·與第:感测點,而if;控制閘分別迚接至該笫:及 第 ' 輸⑴點,砬感测以便放人該第·及笫二感測點之ΐίί Μ 毛.ί年.1"匕 〇 7 .如屮請冉利範_第6项之fi料傳輸VII路,其中該阻抗變 化災卩‘Ήϋ拈:Ν Μ 0 S屯品體,κ源桦·起迚接ΐ 一 m ·供應 VII版,κ汲桦分別迚接ii該笫·及第:fi料傅輸線,而Ji; 控制極分別迚接乍該fi料線對之笫·及笫二fi料線。 8 .如屮請冉利範_ m 6成7项之fi料俾輸范路,該第·供應 vii阳係接地vli Μ卯該茁:仍應屯Μ係操作袍Μ。 9 .如屮Μ电利範丨切茁6成7项之fi料傅輸VII路,j!;屮該傅輸 脈波係於,¾控制脈波被岱能畤被改變节致能狀態。 丨().如屮Μ洱利範阅第9项之fi料傅輸VII路,Κ屮該预先充 屯裝β包M : Ν Μ 0 S VII品體,κ源桦·起迚接电-·第·供應 屯岵,](;汲桦分別迚接令該m •及第:fi料傅輸線,ιίυ K ίΐ ί_極分別迪接节,¾控ί問脈波。 丨1 .如ψ站冉利範冏第9项之汽料俾輸Yii路,]I;屮該準位侦 测屯岵供應焚巧乜拈N Μ 0 S VII品體,jl;源汲桦通逍分別迚 接於,¾第·及笫:fi料傅輸線的β ·邊與第·及第:感测 點的付·邊之問,於經ffi該控制極輪入之·俾輸脈波被致 能丨丨ΐ捉供該:感测點的VII Μ半該fi料俾輸線。 丨2 .如屮Μ冉利範阅第9项之fi料傅輸屯路,K屮該拉裝 ίινι': ΐ!ί ίι「ί 祝数 p Μ 0 S vli 品體,jt.係.:極體迪接(diode-connected)於 β第:供應VII Μ與該第_及第:輸出點之冏。 丨3 .如屮Μ冉利範冏第9项之ff料傅輸屯路,該笫 '供應VII 阳係接地屯贼Ιίΐί該笫:供應VII Μ係操作屯赠。 ί F; Μ: 丨之 ;>ί. .f- 13 本紙張尺吃適川巾阐代家標系、(.AS ) .\4規涔..:M0x 2()?公筇
TW085111645A 1995-10-04 1996-09-23 TW312791B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950033822A KR0153602B1 (ko) 1995-10-04 1995-10-04 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW312791B true TW312791B (zh) 1997-08-11

Family

ID=19429134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085111645A TW312791B (zh) 1995-10-04 1996-09-23

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5818266A (zh)
JP (1) JP3627947B2 (zh)
KR (1) KR0153602B1 (zh)
DE (1) DE19640823C2 (zh)
GB (1) GB2306027B (zh)
TW (1) TW312791B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2368434B (en) * 2000-05-05 2003-01-22 Ind Tech Res Inst Transmitter
TW499794B (en) 2000-05-05 2002-08-21 Ind Tech Res Inst Receiver and transmitter for signal transmission
US8149039B1 (en) * 2008-09-30 2012-04-03 Clemson University Integrated picosecond pulse generator circuit
KR101198252B1 (ko) 2010-08-31 2012-11-07 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114190A (ja) * 1985-11-13 1987-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
DE3777111D1 (de) * 1986-11-18 1992-04-09 Siemens Ag Digitalverstaerkeranordnung in integrierten schaltungen.
JPS6410493A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Mitsubishi Electric Corp Charge transfer type sense amplifier
JPH0762955B2 (ja) * 1989-05-15 1995-07-05 株式会社東芝 ダイナミック型ランダムアクセスメモリ
JP3101297B2 (ja) * 1990-03-30 2000-10-23 株式会社東芝 半導体メモリ装置
KR0121777B1 (ko) * 1994-05-23 1997-12-05 김영환 고속 동작용 감지 증폭기

Also Published As

Publication number Publication date
DE19640823C2 (de) 2001-02-22
KR970023402A (ko) 1997-05-30
GB2306027A (en) 1997-04-23
GB9620676D0 (en) 1996-11-20
DE19640823A1 (de) 1997-04-10
JPH09153784A (ja) 1997-06-10
GB2306027B (en) 1997-11-26
JP3627947B2 (ja) 2005-03-09
KR0153602B1 (ko) 1998-12-01
US5818266A (en) 1998-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wälchli Co-compounds and natural coordination
TW312791B (zh)
Ng et al. On a new species of freshwater crab, Indochinamonkhinpyae, from northern Myanmar (Crustacea, Brachyura, Potamidae)
Watt et al. On standard definitions
Rao et al. A study of maternal mortality in Madras city
Warkany The role of congenital anomalies in the etiology of chronic diseases
Thomas Fatimah Busu, Ombak bukan biru
Arnold et al. Search for a preparation to prevent venereal disease and pregnancy
Lockhart HAYDEN, ROBERT
GEORGE PIXI shoes making PIXI steps
Loth Cent vies et des poussières by Gisèle Pineau
Stopar Lexical bleaching of the verbal construction fail to x
Torre Archives of Dermatology: A Genealogical Report
Salameh et al. Cohesion and Coherence in the novel The Portrait of a Lady by Henry James.
Young The Literary Tradition of Afro-Uruguay
Crichton Blood Transfusion in Obstetric Haemorrhage
Rissman et al. Physician knowledge of teratology: an assessment of their counseling approach to four standard case scenarios
Andrew Léonard and Léveillée," Montreal After Drapeau"(Book Review)
Hussong Review of Meeting at the Crossroads.
Hutchinson Book Review: Problems in Homosexuality in Corrections (1967)
MacDonald Listening to the Beat of Our Drum: Indigenous Parenting in Contemporary Society
Rekik et al. CASE REPORT: PRENATAL ULTRASOUND DIAGNOSIS OF URACHAL CYST WITH FAVORABLE EVOLUTION
Kiernan et al. A study of behavior-disorder correlations between parents and children.
Field The Stories Women Direct
Binzen A Tale of Two Cities: Politics Invades the Schools in Philadelphia.

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees