TW312011B

TW312011B -

Info

Publication number: TW312011B
Application number: TW085115214A
Authority: TW
Original assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1995-12-11
Filing date: 1996-12-09
Publication date: 1997-08-01
Also published as: CA2191691C; CA2191691A1; EP0779614A1; KR100307345B1; US5912103A; KR970050424A

Description

3i2Gil A7 B7 五、發明説明（經濟部中央標準局員工消費合作社印製本發明係有關於一種相變光學記錄媒體供以光來寫入及讀取資訊，特別是K一種相變光學記錄媒體。此供記錄資訊的相變光學記錄媒體利用光線，特別是雷射光的非輻射所產生的一種材料的非晶形狀態晶形狀態間的可逆結構變化（相變），此一棰相變光學記錄媒體可有一高資訊處理率及高記錄容量。結果，已經在搜尋一種在實際運用上具有已寫上的資訊的高速消除及重寫效能的柑變光學記錄媒體。為實現此目的，基本上要有穩定重複改寫操作，改寫意即在已寫上的資訊被消除時，於先前已寫上的資訊寫上新的資訊，最好是可能的消除及寫入的次數要高。一種相變光學記錄媒體是一種商業上可用的可重寫光碟，例如一種120 BIB相變光學記錄光碟是商業上可用的，一典型的光碟包含一種多碳酸鹽結構的堆昼結構，K這一次序，一第一透明ZnS. Si〇a介電層，一種GeSbTe相變記錄層，一第二透明ZnS . Si〇a介電層，一種A1合金反射層及UV處理有機樹脂塗層。此等级的消除及重寫的重複耐用性的商業上可用的光碟是實際上可接受的，但從產品的可靠性的觀點仍裔要再改進此重複耐用性。但從產品的產生的觀點也需要再改進此消除及重寫的重後耐用性，因為耐用性被產品的條件如濺射條件所大量影響。再者，因為一現在正發展的高密度改寫碟片使用痕跡邊緣記錄方法，記錄層由於重複改寫而變質駸重影響信號 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 五、發明説明（2 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製品質而且重寫的重複耐用性很重要。已知重複改寫特性被記錄層及保護層材料的各種性質所影W，因此Μ下的材料例如已發展為保護層的材料：非氧化物如氣化AL、氖化Si、MgF·及A1F3，氧化物如Si〇a、、AU〇3、2]*〇8及1>1〇!1，硫颶化物如ZnS ，硫羼化物及氧化物的混合如2115*51〇8混合物及類似物。將這些材料用已知的方法Μ—薄膜沈積並當作保護層用，但所獲得的碟片不能重複改寫足夠多次。本發明目檫是改進Κ上的重複耐用性。一相變光學記錄媒體的保護層必須具有極佳熱阻及機械性質，因為考廉在寫入及消除時的熱及機械負荷，而且也必須在儲存光學媒體時有一保護記錄層的功能，因此從記錄敏感度及重複耐用性的觀點，必須有一低熱導性。一氧化物或気化物保護屬與包含硫屬化物的記錄層間有一弱附著力，結果在高溫及潮濕環境儲存時，此保護層可能剝落或者可能在保護層内形成碎裂，部份由於保護層與記錄層間弱附著力，從雷射光供給記錄餍的熱並未以適當的速率耗散，此記錄的痕跡與材料可能沿一方向的其他痕跡連接，導致消除及改寫重複次數的降低。已有某些方法提出以改進消除及改寫的重複性質，例如日本公開公報<Kokai>第6-139615號報導在一保護層及一反射層間及/或在一保護層及記錄層間的Ala〇3、Ge〇a 、Si〇a、Taa〇e、Ye〇a、或其他類似物的附著層的構造改進消除及改寫的重複次數。日本公開公報（Kokai>第4-14 (請先閲I背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 5 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 312011 A7 _____B7 _ 五、發明説明（3 ) 3937號報導採用具高熱阻及機械性質的陶瓷保護層，改進重複耐用性而且在記錄層兩邊的ZnS固定層改進長時間儲存穩定性。日本公開公報Uokai)第7-307036號主張一種保護層具有包含一低熱導的ZnS及氧化物的混合物的第二保護層與記錄層接觭，以及一高楊氏係數的第三保護層與反射層接觭。這些被認爲提供改進到某棰程度，然而依據發明者調査，在消除及改寫的重複次數的改進並不足夠。依據發明者調査，Μ下的條件必須滿足才能有足夠的消除及改寫重複耐用性：（1)在一附著層及一被熔化並製成非晶形供寫入的碕羼化物記錄層間的濕潤性必須極佳，且附著層必須在重複条露於高溫下不變質。（2)此層必須與其他層有足夠的附著力。（假定由於晶格間隔不規則排列在結晶層間的附箸低，而且在一非晶形層及一結晶層間的附著可能相當高，在此處，”非晶形”這名詞意指經由X 光繞射*此繞設光譜沒有一定的峰值，而具有約5度或更多的半極值全寬的寬譜帶可能存在。> (3)附著層與反射層間的附著必須極佳。在習知技藝中，只考慮附箸®與記錄層間的附著，但附著層舆反射層間的附著常不考廉，這是為什麽不能獲得足夠的消除及改寫重複耐用性的理由之 —* Ο 而且，因為過多的雷射功率可能讓重複耐用性變質，此附著層及保護層的熱導係數必須夠小，Μ便在實際光碟媒體要求的低雷射功率下有一足夠的記錄敏感度。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁)

6 512011 5 五、發明説明（4 ) 從這些要求，Μ上習知技薛中的報告及主張也可考廉如下：日本公開公報（Kokai)第6-139615號採用一氧化物附著層，一含硫羼元素記錄層被認為與氧化物有低親和力，而且因此與氧化物附著層沒有足夠的附著力，卽使如果一氧化物附著層與一非熔化記錄層間的附著力是極佳的，一氧化物附著層與一瑢化記錄層間的濕潤性在寫入過程是低的，導致記錄層的熔化材料的排斥及流動Μ及導致碟片的重複耐用性不足。亦假定此重複耐用性不足的理由之一是缺乏考盧保護層的熱阻，其由於重附加熱而使重複耐用性變質，引起保護層結晶的變化。日本公開公報（Kokai)第4-143937號報導一種具高機械性質的陶瓷保護層改進重複耐用性，然而陶瓷保護層不被認為與反射層具有足夠的附著力*而且也不認為保護層具熱傳導。再者，一具有厚度僅50 tin的ZnS固定層可改進長時間儲存穩定性但並沒有改進重複耐用性的效果，由於重複加熱使結晶變化的緣故。經濟部中央標準局員工消費合作社印策 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 日本公開公報（Kokai)第7-307036號使用一具高楊氏係數的保護層與反射層接觸，但不考盧被反射層與保護層間的附著力，而且也不認為與記錄層接觸的保護層及記錄層間具有足夠的濕潤性。一硫羼化物如ZnS與氧化物如Si02的混合物保護層，有一低熱導並且改進重複耐用性至某種程度（日本公開公報（Kokoku)第 4-74785號）。JPP’785提到一包含 ZnS 保本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7 五、發明説明（5 A7 B7 護層的媒體極佳的初始特性但極差的消除及改寫重複耐用性，而且加入Si〇a至ZnS改進耐用性的理由不清楚，但認為加入Si02使塗層非晶形並減低熱導，其改進一光學活性層或一記錄層由於供給雷射功率而溫度上升的效率。依據 JPP’036 ，ZnS與硫羼元素合金如GeSbTe的記錄層有一極佳初始附著力，但因為由於重複消除及寫入使結晶粒成長而有極差的耐用性，其中描述加入Si〇a使塗層成非晶形而改進重複耐用性。然而，依據本發明者調査，只有一 ZnS*Si〇a層並未提供一足夠改寫重複耐用性，理由考處如下；加入Si 〇3對碕屬元素合金如GeSbTe的記錄層的濕潤性不利，對改進重複耐用性並不是較好的，亦即，加在2!^*51〇3混合層的 Si 〇a數童必須以仔細的平衡來決定而且它的公差範圍很窄，不僅使生產率降低也是未能有足夠的重複耐用性的原因 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

J

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製本發明的目的是要解決以上問題且提供一相變光學記錄媒體，具有改進保護層及記錄層間的附箸力而不會有塗層剝落、碎裂形成及記錄層流動。本發明的相變光學記錄媒醱屬於一種利用光照或光束掃描使記錄層相變來處理資訊的寫入、讀取及/或消除的媒體*該記錄媒體有基礎建構包含一基片、一第一保護層、一記錄層、一附著層、一第二保護層及一反射層*該第一及第二保護層為透明非晶形介霣層，該記錄層唯一硫屬元素合金羼層，該附著層唯一硫化物結晶層，而且具有10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 8

SiSGil A7 B7 五、發明説明（6 ) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製到30nm的厚度，該反射層為一結晶合金層，主要包含鋁。第1圖係本發明的相變光學記錄媒體的橫截面圖。由本發明者依據上述考康所作的有力調査結果，發現採用典型為ZnS的硫化物附著餍的薄片結構具有不超遇30 nm的厚度K及一典型為2!^«5丨〇8的保護層提供一足夠的重複耐用性，而讓附著層與記錄層有一最大濕潤性，亦即使塗層本身的熱阻及塗層與彼此間具競爭性或不一致的記錄層的親和力兩者同時成爲可能，一般如此認為》因為例如ZnS層的厚度不超過30nm，如上所述，由於重複加熱使結晶成長可被忽略或比實際問題水平小。再者，假如ZnS 層的厚度不超過30nm，此層應力不大而且層的剝落及碎裂形成不會發生，因此在此建構中，附著層及保護層間的附箸力Μ及保護層及A1合金反射層間的附著力是同時不錯的，此可由結合結晶附著層、非晶形保護層及結晶反射層方便地逹成。亦卽在本發明中，一晶形層及一非晶形層的層疊或接觸提供足夠的附著力，而兩結晶層的層疊可能由於晶格空間不規則排列引起剝落，除非兩結晶層的晶格空間完全相同。在本發明的相變光學記錄媒髓中，利用一種與含硫屬元素作為一附著層的記錄層有高附箸力的碕化物，提供一種沒有層的剝落、記錄層的碎裂形成或流動的光學記錄媒體》但附著層的厚度必須在10到30πβ的範圍。假如附著層的厚度小於lOna，記錄層及保護層間的附箸力便不夠，而且改進消除及寫入重複耐用性的效果便沒有意義。假如該 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 9 五、發明説明（7 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印策層的厚度大於30nm，則由於重複改寫使層晶鱧粒成長出現如前述的層的變質。而且假如該層的厚度超過30mn，該層的應力變大，不利地頃向發生層的剝落及碎裂形成以及導致媒體沒有適當的敏感度或反射率。在本發明的含硫屬元素記錄層最好是一主要包含Ge、 Sb及Te具極佳重複消除及寫入特性的記錄層，此處一主要包含Ge、Sb及Te的記錄層意指Ge、Sb及Te的總數置是90% 的原子或更多，依據記錄層。此記錄層最好是有5到40nm 的厚度，更好是20到30ηπι。假如此層的厚度小於5 nm，不能獲得足夠的記錄特性，假如此層的厚度大於40nai，記錄的敏感度可能不夠，或者記錄層頃向於流動導致重複耐用性的變質。與最好是包含Ge、Sb及Te塗層的含硫屬元素的記錄層接»的附著層是一具有10到30nm厚度的碕化物結晶層，作為一硫化物層需要與記錄層有足夠的附著力，此硫化物包含ZnS及PbS ，但ZnS特別好，因為它有極佳的透明性及與記錄層的附著力，附著層的厚度應該在10到30πβ的範圍。假如附著層的厚度小於10Ι1Β，改進附著力的效果便不夠，而且假如該層的厚度大於30nm，則重複耐用性變壊。此保護層是一透明非晶形狀態的介電層，有適當的折射率，典型為1·8至2.6,此處”非晶形狀態層”這一名稱意指該層在Μ X光繞射方法當作晶體分析方法的繞射光譜圖中沒有一定的繞射峰值，但具有全寬半棰值約5度或更多的寬譜帶出現在Μ 2Θ為橫軸的繞射光譜圖中。Μ附著層 (請先閲请背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ -Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 的非晶形狀態，與硫化物附著層的附著力及與A1反射層的附著力兩者皆極佳。此一保護層可K是一種材料，其中約 10至30其耳％的氧化物如Si〇a、GeOe、SnOa及Ina〇3或氦化物如Si3N4被加至結晶體金屬硫屬化物如ZnS、ZnSe、 ZnTe、PbS 及 PbTe。特別地，主要包含被加入氧化物的ZnS的一種材料是較佳的，因為它有很好的透明度，有小的層應力及與附著層有極佳的附箸力，再者假如上述的氧化物為Si 〇a，使它成為非晶狀的效果不錯，熱條件小且材料花費低，而且因此是特別好的選擇。此處加入ZnS的Si〇a的數量最好是12至35¾冥耳，而且特別大約20 %莫耳的Si 〇8作為保護層是最有效的，假如 Si〇a的數量比12¾莫耳小，使它成爲非晶狀的效果小且層應力大，假如Si 〇a的數Μ比35 %冥耳大，不利地折射率變小，記錄敏感度降低且重寫耐用性變壊。在約20%其耳的 Si 〇a，從光學性質的觀點此保護層是最具有效的記錄敏感度且重複改寫耐用性。對第一保護層而言，保護層最好有50到250 nm的厚度，對第二保護層而言，最好是5到100 nm的厚度。假如第一保護層有比50ηιι小的厚度，則供給記錄層的熱破壞基片，假如第一保護層有比250 nm大的厚度，足夠的熱不會傳給記錄層而且記錄特性低。假如第二保護層有比50nm小的厚度，則給記錄層的熱很容易經反射層而耗散且記錄敏感度變得不足，假如第二保護層有比100 na大的厚度，則給本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) μλ. 、1Τ 11

SiSGli A7 B7 五、發明説明（9 經濟部中央標準局員工消費合作社印製記錄層的熱不會耗散出去且記錄層容易變質。本發明的反射層主要包含鋁，此名稱”主要包含鋁”意味至少有90 %鋁原子在反射層中，假如未提供此反射層， C/N則低，鋁是較好的因為它有高的反射率，極佳的耐蝕性（因此給予媒體儲存穩定性），而且材料花費低。添加物如Cr、Ta、Ti、Au或類似物可加入Μ降低含鋁反射層的熱傳導，特別地從耐蝕觀點Cr也是極佳的。因此，一反射層主要包含A1及Cr，亦即包含90¾原子或更多的A1及Cr的總量會較佳。然而，假如添加物的數量太高，反射率便大量降低而且與A1的反射層比較時記錄敏感度變得太高，因此，應選擇此材料及添加物以便提供極佳的平衡效果。特別地，加入的Cr數童1至5¾原子，從反射率及熱傳導係數的觀點，特別是約3¾原子最有效果。反射層的厚度最好是30到250 nm，假如層的厚度比30 η«小，耐蝕降低，假如層的厚度比250 ms大，記錄敏感度變低。基片典型是Μ塑膠至裂成，一種多碳酸鹽基片極佳因爲比較其它塑膠，其有極好的機械性質及低的吸濕性。一種樹脂層可Μ在反射層上形成Κ保護媒體隔離環境，此樹脂保護層可Μ用紫外線可處理的樹脂如環氧樹脂、丙烯酸鹽、甲基丙烯酸鹽及類似物。在塑膠基片上的媒體依序包含第一保護層、記錄層、附著層、第二保護層、反射層及樹脂保護層。從第一保護本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ29"/公釐） (請先閱请背面之注意事項再填寫本頁)

12

SlSQix 五、發明説明（10 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 層至反射層這些層可Μ連續沈積，而且如果需要用真空沈積条统如濺射条統。此附著層要求與記錄層接觸且反射層面的保護層接觸，這是因為由於重複改寫的變質被記錄層與反射層間的界面的狀態（剝落等等）影堪很大，一放入在記錄層與第一保護層間的附著層很難有所要的效果且有時讓耐用性變質。考慮此的一個理由是第一保護層及附著層的總厚度變得太大，層應力變得太大且光學性質的平衡變得不好。依據本發明的相變光學記錄媒體，此重複消除及寫入或改寫的操作可供作一長時間的穩定處理。範例範例1至5及比較範例1至3 製造柑變光學記錄媒體具有結構：一透明基片（1)/一第一透明介電保護層（2)/—記錄層（3>/—附著層（4}/一第二透明介電保護層（5)/—反射層（6)/—(IV處理的樹脂保護層（7)，除了比較範例1的媒體沒有一附著層（4)。此使用的透明基片（1)是一基片用作為一 1.5G位元組容童相變媒體（130 ma直徑相變光學碟片媒體配合一個由 Matsushita Electric Industry Co. ,Ltd.所售的光驅動 LF-7300J1使用）。此基片是一多碩酸鹽且有一軌距1.2 w »及約〇. 6 w b的凹槽宽度，在此凹槽進行記錄。此第一透明介電保護層（2)是一非晶形ZnS-SiOa層 (ZnS:Si0» = 80:20原子）具有170 η·的厚度。此記錄層 (3>是一 GeaSbaTee合金層具25η*的厚度。此附著層（4> 本紙法尺度適用中國國家標隼（CNS) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

13 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製五、發明説明（η 是結晶ZnS層。此第二透明介電保護層（5)是一層非晶形 ZnS-Si〇a 層（ZnS:Si0a = 80:20 冥耳）具有 20nm 的厚度。此反射餍（6)是一AlCr合金層（Al:Cr = 97:3冥耳）具 100 nm的厚度。此UV處理的樹脂保護層（7)有2 μ m的厚度。此記錄層B)是以磁控濺射在透明基片（1)上形成，所用的濺射裝置是為In-Line Sputter ILC 3102型，由 ANELA公司所造，目檫是8英吋直徑，而且在沈積時基片旋轉。在範例1至5及比較範例1至3中，此附著層（4)的厚度藉由改變濺射時間在0到35nm的範圍變化。使用如此製造的相變光學記錄媒體樣品，寫入、讀取及消除實行如下：此相變光學媒體被放在一光碟_動單元 (由 Matsushita Electric Industry Co·，Ltd·所製的LF-7300J1型驅動器），此媒醱M 2400rPB旋轉。用一具有780 nB波長的半導體雷射，一信號1.5T的改寫重複 200,000次，使用一値峰值功率20mW及偏移功率1〇bW。在 200,000次改寫及觀察再生信號波形之後，使用一譲取功率1.5bW實行讀取。供求值的軌是一靠近编號25500的最內資料區半徑約32·β的一軌。特性或異常性如記錄層的剝落、滾動等等評估如下：發現一種改變或異常性常出現在一信號VF01，1.5Τ信號被重複改寫》而且推斷它是引起層的流的現象，提供此信號VF01部份在連結部份，在緊跟一個由每一碟片磁軌的前凹洞所形成的位址倍號部份（ID部份〉的間隙部份之後，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） :lli· n l·.— n n^n n· 1 (請先閲讀背面之注意事項再填商本頁) 訂 14 五、發明説明（l2 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製此部份（VF01)是一在每一寫入時為同步被改寫的最短記號的一傾部份。此再生信號波形是由一數位示波器Μ電壓縱軸及時間檐軸來觀察，在此情況中，此再生信號波形的振幅在縱軸方向對應雷射光束掃描的雷射材料的非晶形及晶形狀態間的可逆結構變化所導得的反射率差，此描軸是一時間軸對應碟片中的位置。在正常再生信號的情況中，波形是穩定的，顯示一晶形及非晶形狀態間固定電壓（反射率）。假如碟片的記錄層為正常，在重複測試之前及之後便沒有改變。假如層的剝落、碎裂形成或塗層材料由於重複改寫引起的流動，當由示波器觀看再生信號時，再生信號波前便出現異常或改變，一異常峰值出現在一波前*如果該層為正常時應是平的波前。此異常峰值出現靠近間隙部份而且沿時間軸方向移動到一後來的時間位置（碟片旋轉的向後位置），當改寫重複數目增加時。此異常峰值的移動對應在寫入時記錄餍熔化材料的滾動現象，此異常峰值移動的距離被稱作”峰值位移”且當作評估耐用值，亦即由示波器決定以時間單位為W秒做表示，在200,000次改寫之後此異常峰值從間隙部份後端移動的距離用作評估的基礎。此峰值位移越小層的流動越少，亦即越好。當峰值位移的數量比15w秒大時，它是不利的，因爲VF0並不充份實行它的原有功能。在200,000次改寫之後此位元的錯誤率也可評估，此位元的錯誤率是由讚取在一最内圈的資料區的1.5T信號在 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 15 A7 B7 1、發明説明（13 ) 200,000次改寫1.5T信號及4T倍號之後來實行。此1.51^ 號及4T信號是定義為以<2,7>調制記錄方法在寫入的記號間單一頻率的各傾最短及最長信號。此縮寫”T”代表資料位元遇期。第1表係顯示附著層的厚度及在200,000次改寫之後的評估結果。在範例1至5中，沒有看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形變形，由於記錄層的流動而使峰值位移並不大且不超過15W秒，而且此位元錯誤率是並不大且不超過 9/10B ( 9 X 10'8 ) 〇在比較範例1至3中，看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形變形，由於記錄層的流動而使峰值位移很高且超過15 w秒，而且此位元錯誤率很高超過8/10β。第 1 表 m- ml fn^l 1^1^1 v—^1— ftn mfla n^i l>1 -1 Λ i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 身經濟部中央標準局貝工消費合作社印製碟片No.· 附著層的厚度在2X108次後的誶估再生政的變形 (nm) 峰值移位： (μ sec) 位元錯誤率 Co. Ex. 1 -- 20 8/105 有… Co. Ex. 2 5 18 8/105 沒有 Ex. 1 20 4 4/106 有 Ex. 2 10 10 8/106 有 Ex. 3 15 7 6/106 有 Ex. 4 25 10 7/106 有 Ex. 5 30 13 9/106 有 Co. Ex. 3 35 20 8/105 沒有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（14 ) 從顯示在第1表的結果可以看出當附著層的厚度在10 至30nn的範圍時，可獲得極佳的特性，當附著層的厚度小於10na時，保護層及記錄層間的附著力並未增加使得層的剝落、碎裂形成及記錄層的流動發生，而且不能獲得改進改寫的重複耐用性的效果。當附著層的厚度大於30nm時，附著層本身的層應力增加使得層的剝落、碎裂形成及記錄層的流動發生，而且改寫的重複特性並未改進。範例6 一種相變光皋記錄媒體具有結構：一透明基片（1)/一第一透明介電保護層（2)/—記錄層（3)/—附著層（4)/一第二透明介電保護層（5>/—反射層（6)/—UV處理的樹脂保護層（7)如範例1至5所製造的，除了此附著層是結晶的PbS 及有20na的厚度。如在範例1至5中所作的評估。結果，沒有看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形變形，由於記錄層的潦動而使峰值位移如7 «秒一樣小，而且此位元錯誤率如8/10B—樣小。如此，埴些結果與ZnS的附著層的一樣極佳。然而此 PbS層有一點色彩，而且似乎ZnS比PbS還要好。範例7 一種相變光學記錄媒體具有結構：一透明基片（1〉/一第一透明介電保護贗（2〉/一記錄層（3)/—附著層（4)/一第二透明介電保護層（5>/—反射層（6)/—UV處理的樹脂保護層（7>如範例1所製造的，除了此第一及第二保護層是一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 17 五、發明説明（15 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 非晶形的ZnS. SiN，此非晶形的ZnS· SiN是由射頻濺射一 Ar 氣中的 ZnS. SiN 燒結靶（ZnS:Si3N* = 70:30 其耳〉如在範例1至5中所作的評估。結果，沒有看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形變形，由於記錄層的流動而使峰值位移如6 w秒一樣小，而且此位元錯誤率如6/106 —樣小。如此，這些ZnS· SiN的結果與ZnS· SiOe的一樣極佳比較範例4 一種相變光學記錄媒體具有結構：一透明基片（1)/一第一透明介電保護層（2)/—記錄層（3)/—附著層<4>/一第二透明介電保護層<5)/—反射層（6)/—UV處理的樹脂保護層（7)如範例1所製造的>除了此第一保護層是一結晶的 ZnS層具150 nia的厚度Μ及此AlCr合金反射層有一厚度80 nn ° 如在範例1至5中所作的評估。結果，看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形嚴重變形*由於記錄層的流動而使峰值位移與17 w秒一樣大，而且此位元錯誤率與1/104 —樣大。認為是因為此第一保護層是一具有一大的熱傳導的結晶ZnS層，在重複消除及寫入時發生記錄層的結晶粒成長，導致一低的重複耐用性。比較範例5 一種相變光學記錄媒體具有結構：一透明基片（1)/一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

18

Sl^〇n at B7 五、發明説明（16 ) 第一透明介電保護層（2)/—記錄層（3)/—附箸層（4)/一第二透明介電保護層（5>/—反射層〈6〉/—UV處理的樹脂保護層（7>如範例1所製造的，除了此第二保護層是一結晶的 Si〇a層具18ηο的厚度Μ及此AlCr合金反射層有一厚度80nm ，此5102層是由射頻濺射一41'氣中的5丨0!1燒結靶所形成。在Si08中Si對0的比率被認為镉離化學計量比率1:2，但精確的比率不能決定。Si Oa層的透明度極佳而且層的折射率為 1·50。如在範例1至5中所作的評估。結果，看到由於層的剝落或碎裂形成使再生倍號波形駸重變形，由於記錄層的流動而使峰值位移舆16W秒一樣大，而且此位元錯誤率與1/10* —樣大。認為是因為此第二保護層是Si〇e，第二保護層與ZnS 層或AlCr反射層的附著力極差，使得給記錄層的熱不被耗散且耐用性不很好。比較範例6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲瘦背面之注意事項再填寫本頁) 一種相變光學記錄媒體具有結構：一透明基片（1)/一第一透明介電保護層（2)/—記錄層（3>/—附著層（4>/一第二透明介電保謅層（5)/—反射層（6)/—UV處理的樹脂保護層（7)被製造，在記錄層兩供的附著層是一結晶的ZnS層具50nn的厚度，此第一及第二保謅層是非晶形的SiN層，各具有120 nm及20nm的厚度。此記錄層是與範例1相同的 AlCr合金層且具有80nn的厚度。此SiN層是由射頻濺射一 Ar氣中的Si3N*燒結靶所形成。在SiN中Si對N的比率被認本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19 1 Q - 五、發明説明（17 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製為偏離化學計童比率3:4,但精確的比率不能決定。SiN層的透明度極佳而且層的折射率為2.15。如在範例1至5中所作的評估。結果，看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形蔌重變形，由於記錄層的流動而使峰值位移與25#秒一樣大，而且此位元錯誤率與2/10* —樣大。認為在記錄層兩側的厚ZnS層的裝置引起重複耐用性的變質，邸使與比較範例1沒有任何附著層的樣品比較。比較範例7 一種相變光學記錄媒體具有結構：一透明基片（1)/一第一透明介電保護層（2)/—記錄層（3)/—附著層（4)/一第二透明介電保護層（5>/—反射層（6)/— UV處理的樹脂保護層（7)如範例1所製造的，除了此第一及第二保護層是 ZnS . Ya〇3，此附著層是一51〇8層。此ZnS . Ya〇3層是由射頻濺射一 Ar氣中的ZnS· Ya〇3燒結靶（ZnS:Ya03=90:10 % 莫耳）所形成。如在範例1至5中所作的評估。結果，看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形駸重變形，由於記錄層的滾動而使峰值位移與20 w秒一樣大，而且此位元錯誤率與7/108—樣大。認為較低耐用性的理由是在寫入時比起ZnS層，Si0» 層與熔化的GeSbTe記錄層有較差的濕潤性。比較範例8 一種相變光學記錄媒體具有結構：一透明基片（1)/一本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 20 A7 B7

五、發明説明（IS 第一透明介電保護層（2)/—記錄層（3)/—附著層（4)/一第二透明介電保護層（5)/—反射層（6)/—UV處理的樹脂保護層（7)如範例1所製造的，除了此第一及第二保護層是結晶的Ala〇3層各具有120 nm及30na的厚度，此記錄層是一具有25nn的厚度的GeSbTe層，此附著層是一具有15nm的厚度的ZnS層且此反射層是具有90nm厚度的AlCr層。此Ala〇3 層是由射頻濺射一 Ar及0a(l %的0a)混合氣中的Ala〇3燒結靶所形成。如在範例1至5中所作的評估。結果，看到由於層的剝落或碎裂形成使再生信號波形殺重變形，由於記錄層的滾動而使峰值位移並不很好但不比15W秒差，而且此位元錯誤率與8/10#—樣大。認爲記錄層的流動被柑對地預防，但發生在結晶層及 AlCr層間的剝落使得再生信號波形駸重變形。從Μ上結果證實藉由提供一硫化物附著層，其在一含硫颶元素記錄層及在反射層邊的保護層間有適當厚度，結合一透明非晶形介電材料的保護層，便可獲得極佳的消除及寫入（改寫）重褀耐用性。 (請先閲—背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 21 A7 B7 五、發明説明（19 元件標號對照表 1 透明基片 2 第一透明介電保護層 3 記錄層 4 附箸層 5 第二透明介電保護層 6 反射層 7 UV處理的樹脂保護層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

J 訂經濟部中央標準局員工消費合作社印策本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 22

Claims

312011 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1. 一捶相變光學記錄媒體，其中資訊的寫入、讚取及/ 或消除是利用光照使記錄層相變來處理，該記錄媒體包含：一種基片；一種在該基片上形成的非晶形介電材料第一透明保讃層；一種在該第一透明保護層上形成的碇屬元素合金記錄層；一種在該記錄層上形成的附著層，該附著層是一結晶硫化物且具有10到30ΠΒ的厚度；一種在該附箸層上形成的非晶形介電材料第二透明保護層；Μ及一種在該第二透明保護層上形成的反射層，該反射層是一結晶合金，主要包含鋁。 2·如申請專利範圍第1項之相變光學記錄媒體，其中該等第一及第二透明保護層包含ZnS加上12至35%其耳的Si02*該第一透明保護層具有50到250 η·的厚度，該第二透明保護層具有5到100 nm的厚度，該附著層為ZnS。 3. 如申請專利範圍第1項之柑變光學記錄媒醱，其中該記錄層主要包含Ge、Sb及Te且有5到40nm的厚度。 4. 如申請專利範围笫2項之相變光學記錄媒醱，其中該記錄層主要包含Ge、Sb及Te且有5到40ηιι的厚度。 5. 如申請專利範圍第2項之相變光學記錄媒體，其中該 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;土冬· 、1T 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 23 3i20ii A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍反射層主要包含A1及Cr且有30到250 nm的厚度。 6. 如申請專利範圍第3項之相變光學記錄媒體，其中該反射層主要包含A1及Cr且有30到250 nm的厚度。 7. 如申請專利範圍第4項之相變光學記錄媒體，其中該反射層主要包含A1及Cr且有.30到250 na的厚度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) J 、1T_ 經濟部中央榡準局員工消費合作社印I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 24