TW310340B - - Google Patents

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Description

_B7 _B7 經濟部中央樣率局貝工消费合作社印製 五、發明説明(!) jg爨刺用繾_ 本發明係有_ 一種以例如100V左右之電臛使加速之罨 子擁擊即能夠發光並且不易分解之鳙化物螢光觼。 拽有夕持術 —般的《光顯示器•是在保持高輿空瓖墉的外園體之 内部配置能放出電子的除極K及具有费光黼層的鵰極,使 由除極放出的霣子镳擊鼷極而使费光黼曆發光。 螢光顧示器内使電子加逋的驅動電臞愈离,被霣子插 擊的餐光«暦愈容易分解•為了防止螢光讎之分解•有在 »光*靨表面形成保钃蹰膜之情形·例如在氣化梓萤光» 表面肜成S〖〇2_,則由Si〇2量之壤當控_ •可在從低電壓 到高霣壓之廣範_驅動電饜中•有效防止前述酱光II之分 解。 在萤光顧示器中•為了 _行多種纈色之發光顯示•前 述氧化綷费光黼以外的费光黼也逐灌被採用。例如能夠產 生紅色糸或藍色系荨色光的确化物®光β *即被用於全色 系或多色条之_形賨光顏示器。 但是對硪化物费光讎而宮>_然在其亵面肜成Si〇2膜 *若Μ例如100V左右之裹霣Λ臞加«後之電子加姒鳙_ •則 將發生容易分解之間。鏟化物餐光讎若分解•則在螢光 顧示器的外__内將有鼸礙斕敝*壞些臟礪將附蕃於陰極 而降低陰檯放出電子的眭力。如此將使黌光釀示器的除極 霣流降低而埴成顏示亮度降低騸象提早«生之問麵。此外 >級化物®光黼雖然&齙與氧化_镘光艚併用•但S疏化 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 38 126 ι m m nn Xu ^^^1 ^^^1 - 1^- m m* -T-* nn —I— In I j : ------- at .^n· m·^ --- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 310340 at _B7五、發明説明(2 ) 鋅。 化翮 氧閧 之之 接低 鄭降 在也 蕃性 附特 將生 確發 級之 之身 後本 解禅 分化 則氣 , 成 解造 分 , 若面 體表 光黼 螢光 物螢 播 之 子 電 後 。 逮法 加方 壓埴 霉製 高其 經及 受黼 然光 難费 供物 提化 在硪 的之 目解 之分 明易 發容 本不 也 擊 0 的 黷 制 泱0 面 表 其 在 Μ 是 艚 光0 物。 化者 躐激 之特 項:為 第物 化 範氣 利釔 專之 I 3 請 ο 2 申 Υ 成 形 u V 丨 ,1 物 法於化 方使氣 逭面釔 製表之 其髑3 及光200 0^ 光物 杉 i esr 螢化 物贜 化於 臃布 之塗 項臞 2 液 第之 _ 釔 範懺 利有 «有 諝含 申將 ΜΑς 是 ~
面 表Η 光 酱 物 化 疏 的 成 壤 所 V 激 特 其 為 η 用 作 的 解 分 1 不 而 定 安 醸 輿 Μ 是Κ 推 據暦 物 化 氧 釔 费 物 化 餹 於。 成雛 形Μ 而面 介表 媒« 為光 Η餐 S 物 2 h ο Λη 2 i γ β 的自 高黑 性不 著此 密因 嫌 . 光面 螯表 物« 化光
俐0V (請先Η讀背面之注意事項再填疼本頁) 訂-- 钂濟部中央橾率局貝工消费合作社印装 是解法剥 但分嫌« 瞑易II光 02容Η酱 si然瘠從 成仍从 易 肜撃上極 上_ 板 _ 麵.子碁02 光 1 晶si 餐後结 , 物壤 S 翳 化加ZII粮 磺壓在度 在電% 強 使 _ ί 著 鑲控:捿 將 之下是 人右如但 明左賺, 發OV推膜 ο 2 黎 1 * ο 本以由si UU 1, >ύ 至理 IS 受之形 實與 事« 此光 由螢 . 物 離化 醸得 的法 M無 主以 為所 科, 材离 等性 )s合 cda , 不 izns 子 格 ζηΑ Μ鮪 為 認 之 2 戎 覆蕃 被 S II外 光此 螢。 物麵 鑛易 在容 然即 雖擊 丨 · 此子 因 _ 〇 或 性子 蕃電 接受 高知 到可 也 之Μ 本紙張尺度適用中國國家樣举(0奶>戍4规格(21〇¥ 297公釐> 38 126 B? 鍰濟部中央橾窣局貝工消t合作社印装 五、發明説明(3 ) 被覆量增加•確化物*光髑興Si〇2*間之杻曲增大,碗化 物费光體表面之结晶性釀蕃Si〇2膜之量增加而劣化,因而 容易分解。 本案發明人基於上述之譌織•經«精心研究之结果完 成與硫化物费光«之密接性良好並且不鳧因受電子或雛子 之摑擊而分解的被覆_之開發。該被覆麵是由形成於MZnS 戎(Zn, Cd)S等為主黼的晡化物螢光《表画之Y2O3膜構成 〇 茲說明在醸化物费光鑛上形成上述被覆顏的方法。係 使用含有丙酸釔(CH3CH2COOY)作為有機釔之腦形成液。更 具嫌言之*是將丙酸釔以鼸酸之溶劑溶解· Μ乙酵稀釋後 作為膜形成液(一般式Y(OR)n· R為焼基)使用。 將前述鎮肜成液塗布於觸述蹑化物蟹光黼表面,於大 氣約150〜4501C,宜為200〜400T:中燒成。结果將在确化 物轚光體表面先肜成Y2O2S _為中間暦後再形成Υ2〇3暦 。疏化物费光黼輿γ2〇3層之間的Y2〇2s膜,被認為是由α 化物费光鱷表面之s__肜成液之成分在燏成ϋ程中進行 反應而生成者。Y202S為安定之物質,可提升礙化物酱光 «與Υ2〇3_之密接性》Y2O2S _上形成的Υ2〇3是非常安定 的物霣•受100V左右之控制1臞加醮後電子插擊也不思分 解。 依上述程序於鐮化物餐光體上形成之Υ2ϋ:3_不鸚剥雛 之事*·已纆使用刮撕澜轼器(scratch tester)it行刮撕 試驗加Μ醣琪。亦邸使用糾撕澜試器_行甜撕試騸畤•在 (請先閱讀背面之注意事項再填w本f ) •Λ *衣-- IV I ΒΒ—ιν mfl 1 本紙張尺度逋用中國國家櫺舉(CNS ) A4规格(210X 297公t ) 38 126 310340 at B7 五、發明説明(4 )
ZnS结晶基板上肜成S‘i〇2膜之澜試數值為30nN>而本實施 例之Y 2 0 3膜則得到5 0 Η之期I試個。 將本實施例中已形成Υ20 3鼷Ζ确化物翬光體寶際装設 於螢光顯示器之陽極顯示部來进行埋鑛通電實_ •结果如 表1所示。供實驗用的實_例中具餚丫2〇3_之_化物螢光 體樣品,是Ml、10、50g/l等三種Υ2〇3禳度之_形成液與 200t: 、400t等兩種燒成邋度互相組合肜成六種搛品。此 外•為了調査郵接醸化物螢光驩之分解埴成的彩響,在實 _例之硫化物费光體的近鰐設置ΖηΟ蕾光髗之顬示部•但 該部分在埋續通«實驄中並来通霉。另外再分別Μ未經膜 複覆之硫化物螢光«Uon-coated)興經Si〇2_被覆之碲化 物轚光體(Si〇2 coated)製成具有譌極顧示部之螢光顧示 管Μ便進行比較。 對實胞例之磺化物餐光鱺讀«電*經過一定時間後 •瀾定作為売度殘存搴數值的«樋電泼值IbM及同一螢光 «的亮度L •並Μ初期值作為100 %表示之。也澜定鄰接 經濟部中央標率局貝工消费合作杜印裝
Zn〇m光髓之顯示部的黼樋電潢值ib及藿光髗之亮度L。測 定係於«續蟪霣1 4 0小時後、4 0 0小時後·反9 0 0小時後it 行。驅動條件為»樋霣臞1201、效寒比1/70。 38 126 --------'衣------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遑用令«國家梂牵(0阳)戍4规格(210父297公釐) B7 五、發明説明(5 ) Μ濟部中央襻率扃負工消费含作杜印装 未鲫 $\〇2tm 1—^ CJ1 «-Μ* · Ο Ο Ο 5δ ο wmm^ 中之Yafe m 1 1 mv ί I-! |200^ ! ! ί m m m m 8 S3 Η··* 2 S 8 2 3 8 ib(«) 靈 脚制靖 >_— ,丨—》 S S ^ ^ ^ (ΜμΑ ^Β··Α 卜丨 Ι«< L(^) 2 ;9 S 3 Β ^ j ib(«) | _______i g 8S 8S 8S 3? g 22 L(«) 8§ B 8 3» 绽宏溴 ib(*) 靈 網雜j働 N-U 笱2 Ν-* Η-* Η-^ =S κ ^ IwA Η·*1^ >_,,《> S卷δ? 1 Li^) _i 2 S <〇«〇<〇 35 〇5 ^3 S 32 S ih(«) g S 8S S S 22 ^ L⑷ 浮沼 2 3S 2 ib(^) I 88¾ |Μ^ (μ···^ ί»·** 2淺S S =3 S Lf^) 壓 4990(H 備 22 © 涅2 8§ ^ 23 S ib㈤ g 3吝 〇ί Si ^ 22茗Θ 1(%)
S (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中_國家橾準(€奶)戍4规格(210乂297公釐) 38 126 310340 鍾濟部中央梯率扃貝工消费合作杜印装 A 7 B7五、發明説明(6 ) 由表1之结果顯而可知•在任一條件下本案資豳例Μ Υ2〇3鎮被穰之硪化物蠆光黼__示出比来經本案資豳例 之_被覆之醸化物蜃光« (noit-coated)或經Si〇2親被覆之 贜化物螢光體(Si〇2 coated)!!有更優越的發光狀態。 此外,鄱接之Ζ η 0留光髓之發光吠戆》也比1於未Μ 本蒹實腌例之_被覆之碲化物费光體Uon-coated)或經 Si〇2瞋被覆之醸化物螢光«(SiO coated)附近的ZnO镊光 體為佳。 由Μ上實驗结果譫明•本菜實豳例之硪化物螢光髓因 為有Υ2〇3膜被覆•所Μ受到100V左右控_電懕加速後電子 之撞擊時幾乎不會分解·本身的發光亮度也不會降低。亦 即硫化物轚光鼸之亮度殘存寒可提高·壽命也能延畏。再 者由於本身不易分解•所Μ不會對鄭接ΖΖηΟ餐光《造成 不良影響。 級明夕姓益 本發明之鐮化榭餐光髗由於在其表面形成Ϊ2〇 3之釔氣 化物靥•所Μ受霣子擁擊時不湯分解、亮度殘存寒提高、 使用II命也有所改菩。此外•也不會對鄹嫌之ΖηΟ餐光嫌 等造成不良影響。 ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .1 策-- I訂-- ^—vuc nn 本紙張尺度通用中國國家樣準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 3 8 12 6

Claims (1)

  1. 310340 /X /L· :t H3 丨附 w y 第35103425號專利申讅案 申請專利範園修正本 (8 6年4月2 2日) 1 . 一種硫化物螢光體,其表面上形成有Y 2 0 3之釔氧化物 層為待歡者: 2 . 一種硫化物螢光體之製造方法.將有機釔與乙醯基丙 酮反應而得的反應生成物經醇類稀櫸而得的膜形成液( 一般式Υ ( 0 R ) η .其中R為低级烷基丨塗布於碕化物螢光 體表面、再將之於1 5 0〜4 5 0 t、燒成而使硫化物螢光體 表面形成 Υ 2 0 3之釔氣化物層為待擻者。 吒濟.邵中央標準局:3rv-.*rf利妾:ΏΓ會印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CN S ) A4規格2K) X 297公金) 310340 皇 申請曰期 ... η ' 3 rl 案 號 /T V ϋ 5 ^ 類 別 ^>1 '7^. : ; (以上各糊由本局填姑) 310340 A?氟. C 畫 Λ«ΐι 爲麄 〇〇-12. 2 4 附 件 經濟部中央橾率扃貝工消费合作社印ft 第 85103425» 專利申讅案 =名稱 wit 中 文 英 文 姓 名 國 籍 瞄化物鷲光_及其製缠方法 SULFIDE FLUORESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MAKING THE SAMI (1)满畑忠 (2)漘水則夫 (3)三平昭蹲 曰本· L 裝 發明 住、居所 姓 名 (名稱) 國 籌 (1) (2>(3>地址闻 日本千葉縣茂臞市大芝629番地 «Μ«子工窠株式会社内 曰商·《葉電子工業股份有《公司 曰本_ 訂II I ίI 線 三、申請人 住、居所 (事務所) 代表人 姓 名 日本_千蕖縣茂颶市大芝629番地 细矢Η 本紙张尺度適用中國_家襟率(匚阽>八4规格(2丨0父297公着>】 38126
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