309660 g； 五、發明説明（，） 葙明背暑 1.路明領城 本發明有Μ—種薄膜電晶體陣列，且特別地·有闞一 種使用於主動矩陣液晶面板中之薄膜電晶體（TFT)。 2 .翌用抟術說明 參照第5團與第6圓說明根據習用技術之一種使用TFT 陣列之液晶顯示元件。第5圈係一部分其上形成液晶顕 示元件之平面讕，而第6鼷係取沿著第5圖之線B- B之 截面圈。 於一使用薄膜霣晶β (TFT)為主動元件之主動矩陣液 晶面板中，使用—可於約3001C (300攝氐度）之相當低之溫 度形成之非結晶矽氧化物（a-Si:H) _或類似物為此TFT 之通道曆102 。當光線進入其係主動區之此通道曆之中 時，載體產生於此通道層102中，而當此電晶體闢閉（off) 時，此等載體造成一漏電流而增加了閫閉霣流。此關閉 霉流之坩加，導致顯示器等等之不規則而大大地惡化了 主動矩陣液晶顬示器之顬示器品霣。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，一般而言，藉由提供於對面基體上之黑色矩陣 層122來遮蔽TFT之光媒，但此係於一種如在一投射式顯 示元件中所見到之強光之條件下，卻存在一問鼯即入射 光102由於TFT中使用之金屬_與黑色矩陣曆122間之反 射而迂酒進入通道曆102之中，如第6 _中由線141之所 示 〇 另一方面，由於為了改菩光線實用效率而要求使孔徑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 _ B7 五、發明説明（> ) 效率較高，故期望製作較小之黑色矩陣曆122或去除此 黑色矩陣曆122 。於此情況中，需要遮蔽在此陴列基《 上之光埭Μ防止當入射光線進來時，闞閉霣流之增加。 所Μ, —光蔽瞋105被提供於此TFT之上。 此结構之液晶面板由胞加一 «埸於玻璃基體1〇〇上所 K置之像素霣極106與其對面配置於玻璃基«120上之m 極121之間，來控制液晶130之狀態以開啟（on)與闞閉（ off)傳輸於此之光線。 此液晶面板之製程將描述於下文中。於一由鉻（Cr), A1 (鋁）等等之金靨膜所構成之Μ極電檯在玻璃基體 上被製作圖案之後，一閘極絕緣膜11 4, 一由本質半専體 非结晶矽（下文稱為” a-SiU)”）所構成之通道曆102, — 由η型半導體非結晶矽（下文稱為"a-SiUO”）所構成之 接觸層107依序地形成於此玻璃基體100之上。然後·一 洩極電極1 0 3 ,—源極«極1 0 4 ,—由路，鋁等等之金鼷膜 所構成之影像信號線112, Μ及一像素電極106形成於此 玻璃基體100之上，而其後，形成一被動膜（Passivation fil»)115 Μ及接著形成一光蔽瞑101而作成一 TFT陣列之 基體。於對面基體側中，一相對電極121形成於另一坡 璃基傾120之上。最後，定位M (orientation filns)( 未圈示）分別地形成於TFT陣列基體及對面基體上。然後 ,轨行定位通程於此睹定位膜。於一封合鼷案形成於其 上之後，諸基體相互叠曆且使硬化，液晶130被注入於 此等基體之間，然後，封合此注入孔。因而，完成一液 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 309660 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) 晶面板。 液晶顬示元件則藉由加上一僱極化層，一驅動霣路， 一外般等等於此液晶面板而製成。 然而，於此液晶面板中，一由鉻等等之金靨膜所構成 之黑色矩陣曆122配置於對面之基體上Μ改菩顯示器之 品質。 形成閜極電極101Μ自掃描信號線U1分支出來Μ及形 成洩極電極103Μ連接於一影像信號線112。亦即，如園 示，一圔案被形成使得掃描信號線U1與影像信號線112 可相互垂直交叉且彼此絕緣。一 TFT被配置於此相交部 分之上，«極電極101連接於掃描信號媒111,以及洩極 電極連接於影像信號媒112 。於第5圖中之平面圖顯示 一半専體瞑10 2, 一洩極霄極1〇3,—源極電極104,—光蔽 膜105,—像素電極106,Μ及一郾接之影像信號線112,惟 省略了其他零件。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 論及使用一主動矩陣液晶面板為投射式顯示元件，光 線從玻璃基Κ120之側邊施加，此基«上係形成相對電 極者。從玻璃基體120之側邊所胞加之光線141由此光線 進入側對面之玻璃基體100之内部面反射且由源極電極 104,洩極電極103等等之金鼸膜反射，然後由黑色矩陣層 122反射之後，结果光線141進入通道層10 2,此層為一主 動區。光蔽_1〇5形成而«由經遮蔽人射光線來抑制醑 閉（off)«流之增加Μ防止顧示器之品質惡化。 躭光遮蔽效應而言，存在一種情況其中此一作為金國 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明（ 4 ) 1 1 膜 之 導 電 性 物 質 或 半 導 體 膜 以 及 一 種 情 況 其 中 絶 緣 樹 1 1 脂 膜 被 使 用 於 一 光 蔽 膜 而 提 供 在 上 述 T F T陣列基體之上。 1 1 論 及 使 用 — 高 度 導 電 性 金 屬 膜 為 一 光 蔽 膜 10 1 , 則 存 在 請 1 先 1 下 逑 之 兩 個 問 題 〇 閱 1 第 一 個 問 題 偽 雜 散 電 容 形 成 於 洩 極 電 極 與 源 極 電 極 之 背 1 I 之 1 間 i 當 存 在 雜 散 電 容 時 9 即 使 TFT 關 閉 > 由 於 在 影 像 注 意 1 I 信 號 線 上 之 信 號 透 過 洩 極 電 極 一 (雜散電容） 一 光 蔽 膜 _ 拳 項 1 I 再 1 (雜散電容） — 源 極 電 極 — 像 素 電 極 而 傳 輸 > 此 雜 散 電 容 填 寫 本 導 致 像 素 電 極 電 壓 之 改 變 因 而 覺 度 不 規 則 且 交 叉 失 真 頁 1 I 發 生 » 因 此 惡 化 了 顯 示 器 之 品 質 〇 1 1 所 以 » 為 了 減 少 雜 散 電 容 i 已 掲 示 有 種 組 合 其 中 由 1 I 金 屬 膜 所 製 成 之 光 蔽 膜 被 分 別 提 供 9 例 如 由 曰 本 未 審 1 訂 査 專 利 公 告 (公開）案 號 第 6 4 -4 2 6 3 4 所 提 出 〇 此 技 術 減 少 1 雜 散 電 容 至 若 干 程 度 « 但 並 非 兀 全 地 〇 1 1 I 第 二 個 問 題 傜 經 電 氣 充 電 之 光 蔽 膜 會 導 致 T FT工作電壓 1 1 改 變 使 顯 示 器 之 不 規 則 性 發 生 〇 因 此 * 為 了 防 止 電 氣 充電 1 1 之 現 象 > -種連接此光蔽膜與- -掃描信號線或- -影像信號 f I 線 之 技 術 已 由 曰 本 未 審 査 專 利 公 告 (公開）案 號 第 6 3 - 1 I 2 7 6 0 31號提 出 〇 钬 而 * 此 技 •UT m 具 __* 問 題 即 比 較 於 未 執 行 1 1 此 種 連 接 之 情 況 9 其 雜 散 電 容 會 增 加 且 惡 化 顯 示 器 之 1 I 品 質 而 無 法 解 決 第 一 個 問 題 〇 1 1 論 及 使 用 . 半 導 體 膜 為 此 光 蔽 膜 時 9 雜 散 電 容 會 變 得 1 1 較 少 » 但 其 遮 蔽 效 應 亦 會 變 得 較 少 於 金 屬 膜 〇 1 I 例 如 ， 於 曰 本 未 審 査 專 利 公 告 (公開）案 號 第 2 - 3 0 8 1 3 1 1 1 3 - 1 2 3 3 2 0 ,4 -8 6 8 0 9 號 中 已 掲 示 之 使 用 ___. 絶 緣 樹 脂 膜 為 1 1 - 6 - 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X29*7公釐） A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 光 蔽 膜 之 技 術 * 但 它 們 具 有 —. 問 颶 即 因 為 光 蔽 m 之 厚 度 1 1 太 厚 参 其 厚 度 控 制 與 圈 案 控 m 之 準 確 度 較 差 1 且 由 其 不 1 | 規 則 之 厚 度 與 1 案 製 作 所 導 致 之 不 規 則 定 位 會 造 成 顯 示 請 1 I 器 之 品 質 惡 化 〇 先 閱 1 I ik 1 | 再 者 » 一 種 已 由日本未審 査 専 利 公 告 (公開） 案 號 第 3 - 27 背 1 I 技 之 1 4028 號 揭 示 9 作 為 抑 制 在 顯 示 面 板 内 部 光 反 射 之 術 之 意 1 I 構 成 • 其 中 光 學 抗 反 射 膜 形 成 於 對 面 之 基 « 上 〇 於 此 事 項 1 I 再 1 1 構 成 中 因 為 光 學 抗 反 射 膜 係 形 成 於 對 面 之 基 體 上 * 所 填 基 體 本 以 存 在 —* 問 颶 即 參 假 如 當 此 TFT 陣 列 基 體 與 此 對 面 頁 1 相 互 叠 曆 而 於 其 間 生 成 滑 動 時 光 線 會 直 接 進 入 通 道 1 1 部 分 之 中 0 且 因 為 需 要 加 寬 光 學 抗 反 射 膜 之 面 積 去 除 1 I 層 暦 滑 動 之 效 應 » 故 與 光 蔽 膜 配 置 於 TFT 陣 列 基 體 上 之 1 1 倩 況 相 比 較 * 其 孔 徑 效 率 降 低 係 無 可 避 免 的 〇 訂 ! 而且 9 __‘ 由 導 電 性 物 質 所 構 成 之 光 吸 收 層 經 由 一 絕 緣 ! | 層 而 配 置 於 膨 像 信 號 線 上 之 結 構 已 揭 示 於 Β 本 未 審 査 專 1 1 利 公 告 (公開） 第 5- 24 1 199 號 〇 然 而 * 此 為 _* 種 用 於 防 止 1 I 由 一 接 線 所 反 射 之 光 線 進 入 像 素 中 而 造 成 假 信 號 之 技 術 Ϊ 1 1 無 法 減 少 Μ 閉 電 流 〇 1 1 明 概 pft 1 | 本 發 明 之 Β 的 係 提 供 — 種 薄 膜 電 晶 饈 陣 列 • 其 防 止 一 ! I 反 射 於 液 晶 面 板 內 部 之 光 線 進 入 通 道 m 9 且 抑 制 由 配 置 1 1 一 導 霄 性 光 蔽 m 於 TFT上所導致雑散堪容之增加 0 1 I 於 根 據 本 發 明 之 薄 祺 霣 晶 Η 中 t . 由 相 同 於 光 蔽 膜 之 1 1 物 質 所 製 成 經 由 絕 緣 曆 配 置 7- 於 半 導 Η 曆 上 之 抗 反 射 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X 297公釐） A7 3 ΰ 3 6 6 Ο Β7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印取 五、發明説明 ( b ) 1 1 m 係 經 由 一 m 緣 m 而 配 置 於 此 薄 m 電 晶 體 之 源 極 極 與 1 1 洩 極 霄 極 上 参 其 中 此 半 導 體 曆 係 —- 薄 膜 霣 晶 Η 之 主 動 1 I 較 佳 地 » 光 蔽 m 與 抗 反 射 膜 係 由 非 结 晶 矽 製 成 倉 且 更 請 1 1 I 佳 地 9 係 彼 此 分 別 地 形 成 〇 先 閲 1 I 1 1 光 蔽 膜 與 抗 反 射 膜 可 由 相 同 之 nan 圖 案 製 作 方 法 由 相 間 背 1 I 之 1 之 層 製 成 〇 意 1 I EL 式 簡 事 項 1 1 再 1 1 第 1 圈 係 本 發 明 之 平 面 nai m 導 第 2 1 係 沿 第 1 圖 之 線 A- A所 取 之 截 面 圓 • 顯 示 本 本 頁 裝 1 發 明 之 第 一 實 施 例 » 1 1 第 3 圖 係 沿 第 1 麵 圔 之 線 A- A所 取 之 截 面 圖 9 顯 示 本 1 I 發 明 之 第 二 實 施 例 t 1 1 第 4 nan 圈 係 沿 第 1 nai 圆 之 媒 A- A所 取 之 截 面 ΠΒΠ 圖 9 顥 示 本 1 丁 1 發 明 之 第 三 實 胞 例 ! 1 I 第 5 ran 國 係 習 用 技 術 之 平 面 面 · 圈· Η 及 1 1 第 6 圔 係 沿 第 5 圈 之 線 B- B所 取 之 __- 截 面 圈 〇 1 I 較 伴 竇 例 說 蓋 奴 I 參 照 第 1 圔 與 第 2 鼷 » 說 明本 元 件 之 構 成 與 製 法 於 下 1 1 文 中 〇 1 1 於 製 作 — W 極 霣 極 101與 由 —* 鉻 (Cr ) 鋁 (A1 ) 等 等 之 金 ! I 鼸 瞋 所 構 成 之 掃 描 信 號 線 之 nm 圈系於 —· 諸 如 玻 璃 基 體 之 透 1 1 明 絕 緣 基 體 100上之後 一 m 極 絕緣膜] L14 , 一 由 本 質 半 1 I 導 Η 非 结 晶 矽 (下文 中稱為 ’a -S i ( I) 所 構 成 之 通 道 層 1 1 102 , Μ及_ 一由 >型半導體 非 ~ 8 结 晶矽 (下 文 中 稱 為 "1 J -S i 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210 X 297公釐） A7 _ B7 五、發明説明（7 ) (n + )")所構成之接觸曆107依序地形成於此玻璃基«100 上。然後，一洩極電極103,—源極霣極104,—由络（Cr) ，鋁（A 1 )等等之所構成之影像信號線11 2 , Μ及一由透明 導霣物質所構成之像素電極106形成於此玻璃基體100之 上。接著，形成一由氮化矽膜等等所構成之被動膜115° 然後，根據本發明，同時形成一光蔽臢105與抗反射多 層膜207及208W製作一 TFT陣列基體。 另一方面，於對面基體側之中.一相對«極121於一 由路（Cr)等之金靨_所構成之黑色矩陣層12 2形成於一玻 璃等之透明絕緣基體120上之後形成於此透明絕緣基體 120之上。 最後，定位膜（未圖示）分別地形成於此TFT陣列基體 與對面基體之上，然後，執行一定位法於此等定位膜，於 形成一密封鼷案於此等定位膜上之後，諸基體相互叠暦 且被硬化，注入液晶130於此等基體之間，然後•密封 此注入孔。因而，完成一液晶面板。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 ---------}衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於此實施例中如園示，光蔽膜105與抗反射膜207及208 係Μ如通道層102之相同a-Si(I)播由電漿CVD法製成，且 此等_相互分別獨立地形成。此等膜被製成300至50nB( 奈米）之厚度K實現光遮蔽能力。 躭使用此主動矩陣液晶面板為投射式顯示元件而言， 光線從玻璃基《120之側邊施加。於此情況中，如第2圏 中所示，從玻璃基體120之側邊所施加之光線140由此光 線進入側對面之玻璃基體100之內部面反射且由源極® 一 9 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（《?) 極104,洩極電極103等等之金画膜反射，然後由黑色矩 陣層122反射之後，结果光線140進人通道層102,此靥為 一主動區。光蔽膜105形成而藉由遮蔽入射光線來抑_ 闞閉（off)鬣流之增加Μ防止顯示器之品質惡化。於此 實施例中，由於光蔽膜105係由a-Si(I)製成，躭使用此 液晶面板為投射式顯示元件而言，此光蔽縝105並不能 完全單獨地吸收朗著通道曆102進入之光線。 因此，會導致光媒反射於面板内部之a-Si(I)所製成 之抗反射膜207及208係與光蔽_105—起配置於源極霄 極104與洩極電極103之上。由於此等瞑，所以可減低面 板内部反射光媒強度，且藉由光蔽膜105可完全地封鎖 朝著通埴蘑102進來之光線。 與由金臑製成之情況相比較，由於光蔽瞑105與抗反 射膜207係由a-Si(I)製成，故可抑制洩極電極103與源 極® «104間雜敗«容之形成，且因為光蔽膜105與抗反 射多曆膜207係相互獨立形成，故更大輻度地滅低了雜 敗電容。 於此方式中，藉透過配置光蔽膜1 〇 5與抗反射_ 2 0 7於 TFT之上來防止入射光線進人通道層102之中，可減少關 閉（off)霣流且因而可改菩液晶顬示器之顯示器品質。 第3圔係本發明液晶顯示元件第二實腌例之截面圈。 其平面匾係相同於第一實豳例。於此實施例中，一第二 光蔽膜209與第二抗反射膜210及212係額外地分別形成 於光蔽膜105與抗反射_207與208之上。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ^^^1 n·^— vm /9 vm .^m ft Bm —Bn mmmtmi ^^^^1 ^^^^1 —h 0¾ 、v'口 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 — -..... ——-- 五、發明説明（9 ) 光蔽_ 105與抗反射膜207及208係由相同於通道JI 102 之a-Si(I> Μ相同於第一實施例之方式製成•而光蔽膜 209與抗反射賴210及212係由a-Si (NO製成，其中一諸如 磷等其為IX 10至20次方原子/立方公分或更高密度之η 型雑質被加入，相類似於接觸層107°而相類似於通道 腰1 0 2與接觸層1 〇 7之情況•形成光蔽膜1 0 5及2 0 9 * W及 抗反射_ 2 0 7及2 1 0與2 0 8及2 1 2係》由電嫌C V D法連鑛地 依序形成。此等光蔽鼸1〇5及209,Μ及此等抗反射賴207 ,208,210及212均透«相同之案製成方法形成。 根據此實豳例，由a-Si(n + )製成之厚度1〇〇至4〇〇nn( 奈米）之光蔽膜209與抗反射鎮210及212係分別地配置於 光蔽瞋105與抗反射W207與208之上。由於在與a-Si(I) 之比較上，此a-Si(n + )於諸如紅光之長波長範園中具有 一較低之透射率，故a-Si(n + >具有在長波長光線中改良 i·^^— ^^^1 i i I i I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 點 0 之 應 效 蔽 屏 光 • 1 示 S 顯a-例之 IgM *兩 述有 上具 地 曆 單 之 示 所 中 匾 4 別第所 分如中 膜 Μ 圔 射可 4 反亦第 抗膜， 與等即 _ 此亦 蔽但。 光),.理 中n+Jt 其i(來 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 與 9 ο 2 膜 蔽經 光線 各光 之於 示由 之 靥 單 | 有 具 膜 il.a-n+射α 與i(s e ) s t I I 抗 之 親 蔽 光 意 滿 人 令 可 化 變 而 光確 射別 入分 據來 根驗 係實 黴由 射藉 透地 進 媒 光 蔽之SKS «ulm )8^¾ 由 單 S内 ^ ^ 0 0^0 * " 81 二--Kd 顯 射述止 反上防 抗如來 與 上 -δ強是 Hii :a之定 ，入 長κ 波蔽 與光 度否 於 _ 射 反 抗 與 道 之中 FT之 卩層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） A7?>09βΒ0_五、發明説明（β ) 品優 器之 示 容 顯霣 之 敗 器 雜 示 間 顯 檯 晶 霉 液 極 了 源 菩 與 改 極 而 霄 因 極 且 洩 流 制 m 抑 閉 有 Μ 具 低 明 降 發 Μ。本 ，質 膜 蔽 光 之 曆 0 導 半 之 作 製 立 獨 互 相 且 別 分 由 。 藉膜 係射 其反 ，抗 點與 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐）