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五、發明説明（1 ) Λ7 B7 相關申請案之交互參照〕 下列相關中請案係與本發明同日提中且併入此處供參考 编號 申請案號 申請曰 發明人 一 A-40446 08/315,454 9/30/94 Kulwichi^.^ TI-19674 08/315,725 9/30/94 Tsu等人 下列申請案係相關於本發明： TI-19554 08/283,441 8/01/94 Summerfeit 名稱 使用硼之鈦酸鋇錤 薄膜之改良 藉铒施體摻雜之鈦 酸鋇锶薄膜之改良 高電介質常數材料 電極用之導電非晶 形氮化物障壁層 〔發明領域〕 本發明有關於微電子裝置用之高電介質常數薄膜，且更 特别有關於增進此等薄膜之電介質特性。 ' 〔發明背景〕 動態随機存取記憶體（DRAM)積體電路，例如，係普遍用 於數位電腦中以儲存資料。目前可得之DRAM可於單—晶片 上製造含有超過16百萬記憶單元，各記憶單元大體上包含 一電晶體與一小型電容器連接。於操作中，各電容器可個 别予以充電或放電，以”儲存"一位元資訊。DRAM之動態係 意謂充電之記憶單元必須周期地予以更新或再充電以保持 資料之完整性；否則，充電之記憶單元會快速地（通常在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — ———— i I I I 裝 I I I 訂 I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟郎中央捸窣局員工消費合作枉印製 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 1秒之幾分之幾内）經由洩漏而放電至不再爲設定之充電 狀態處。 爲有利於構建具有相對應較小記憶單元之64百萬位元、 256百萬位元、1十億位元（Gbit)及更大之dram，吾人需 求可於較小晶片空間中错存必要電荷之電容器結構與材料 ;最有希望之研究途徑之一在於高電介質常數材料（此處 係界定爲具有大於50之電介質常數）之領域。藉酸欽酸鉛 (PZT)、鈇酸鎖、鈇酸银、以及欽酸賴銳'係此等材料之一 杳一般實例。吾人意欲，若此等材料供DRAM及其他微電子 用途時》可形成在電極與基礎結構上（對於任一結構無顯 著傷害）、具有低漏電流特性及長電介質壽命、以及供大 部分用途時在數百萬赫（MHz)至數十億赫（GHz)頻率下具有 高電介質常數。 〔發明概要〕 本發明有關於具有進步特性之妖酸頻及/或錄電介質薄 膜（以下稱爲BST)之製造方法及含有該電介質薄膜之結構。 儘管以前已製成大型BST材料，但當其形成爲薄膜（大體 上小於5微米），即在半導體裝置上時，尚未徹底瞭解此 等材料之特性。吾人已知，未掺雜之大型BST電介質常數 於大約介於0.7微米與1 ·0微米間之中間晶粒尺寸時爲最大 ，且於較小晶粒尺寸時，電介質常數迅速減少（因此具有 相當小晶粒之BST通常係非所欲者）。不幸地，於次微米 微電路（例如DRAM電容器）中之BST應用在BST晶粒尺寸上 有特殊限制。首先，BST薄膜之退火溫度必須大體上保持 尽紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（2丨OX297公釐) I. II 裝 I 訂I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) «δ $ A ή A7 B7 五、發明説明（3 ) 遠低於通常用於燒結大型BST陶瓷之溫度（大髏上小於7〇〇 •C對比於大型BST之典型大於1100·<〇>，以避免損壞下面 之装置結構，從而限制晶粒之晶核成長（nucleation)及生 長動力學（kinetics)。其次，所欲之薄膜厚度可能遠小於 5微米（較佳介於〇.〇5微米與0.1微米之間），且已發現 須要大體上小於BST薄膜厚度一半之中間晶粒尺寸，以控 制電介質之均勻性，例如越過大量電容器，及避免電容器 短路。 於0.7微米至1‘0微米尺寸範圍中之BST晶粒構成至少數 十偬個以鈣鈦礦晶體結構連接之單元晶格（cell) ; (^(^微 米尺寸之小型BST晶粒可能僅含有數千個晶格。較大之晶 粒典型具有少於0.5¾之單元晶格位於其外殼上，而較小之 晶粒則可能具有25¾或更多之單元晶格在其外殼上。吾人 相信，小晶粒因此在晶粒邊界组成上遭受較大之晶格扭曲 及靈敏度。此外，極化程度依BST晶粒尺寸、結晶性及組 成而定，且於如此小型晶粒尺寸加入BST摻雜物之效果難 以預測，因爲其可能不會遵循大型陶瓷所習知者。 今已發現鈥對於由小型（10毫微米至50毫微米中間尺寸） 晶粒組成之薄膜可作爲有益之摻雜物。目前吾人相信，於 大體上小於700¾溫度下退火之薄膜中之鈥溶解度可遠大 於大型陶瓷者。此等薄膜之數種性質不同於陶瓷：晶粒尺 寸遠較小且晶粒表面積遠較大；薄膜於短時間低溫下形成 ’使得離子擴散受限制且熱平衡可能未建立；以及由於未 與基底匹配而存在高應力。令人驚奇地，目前已發現數個 本紙張尺度it用f SU家標準（CNS ) A4規格（21QX 297公楚） I I I I I I 裝 I I I 訂—— I I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 -----— Β7 五、發明説明（4 ) — 百分比之鈥摻雜物對於此小型晶粒BST薄膜可有利地降低 電介質漏洩及/或增加電介質常數。例如，醋酸鈥可加入 一液體先質（precursor)中用於金屬-有機物之分解（metal -organic decomposition，MOD)以形成BST薄膜。此技術 似乎容易地適用於許多型式之BST沉積例如：使用旋轉塗 佈（spin-on)先質之MOD、使用氣相傳輸&m〇d、m〇D化學氣 相沉積、溶膠_凝膠以及減射（sputtering)。 因此，本發明含有一種在微電子裝置上形成鈦酸鋇及/ 或热電介質薄膜之新穎方法。於此方法中，藉由組合元素 鈦、鈦以及至少鋇及/或錤之一者之化合物，以製備先質 ，較佳於此先質中使鈥與鈦之莫耳（m〇lar)比介於〇.〇1與 0.05之間。一或更多層此先質可予以沉積或稠密化以形成 一先質薄膜於該裝置上。隨後在小於700·〇溫度（較佳小 於650¾，且更佳小於600¾ )下之含氧環境中將此先質薄 膜退火。此退火形成一電介質薄膜，包含多個摻雜鈥之鈦 酸鋇及/或锶晶粒，較佳具有介於10毫微米與50毫微米間 之中間晶粒尺寸。 此先質可，例如，藉由於一般水溶液中組合醋酸鋇、醋 酸錤、乳酸鈦銨以及硝酸鈥及/或醋酸钬而製備。其他有 機溶劑可予以加入該先質以，例如，調整黏度。所製得之 BST晶粒可自寬廣範園之鋇-锶組合（較佳使晶粒中介於40 %與70%間之鋇-錤晶格位置由鋇佔據）中選擇。此電介質 薄膜可特意地予以構建爲富含鈦；即，此先質中僅93%至 _ 99.1%之鈦可予以集積至BST晶粒中；吾人相信，其餘存在 ' 6 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（2!0Χ297公釐） I I I I I I I I I 裝I I I 訂 I I 1 —線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準扃貝工消費合作社印製 A7 _______B7 7、發明説明（5 ) 於邊界區域者爲氧化鈦。此先質之製備可進一步包含加入 元素鏟之化合物，此使得先質中之鋥與鈥之莫耳比介於 〇.1與1.0之間。 本發明亦包含一種於微電子裝置上形成電容性結構之方 法；此電容性結構大體上具有一電介質疊層安置於第一電 極輿第二電極之間。此方法可包含於基底上形成第一電極 。此方法復包含於第一電極上沉積二或更多薄膜，各薄膜 包含鈦以及至少鋇與锶之一者。此外，至少此薄膜之一另 包含鈥，較佳爲對於鈦之比介於〇·〇1與0.05之間。此方法 又包含於低於700¾溫度之含氧環境中將此薄膜退火。此 相信可形成電介質疊層，包含多個具有鈣鈦礦晶體結構之 晶粒，各晶粒包含鈦、氧以及至少鋇與錤之一者；且，此 等晶粒較佳具有介於10毫微米輿5〇毫微米間之晶粒尺寸。 於退火步驟期間，在電介質疊層之至少一次層中形成摻雜 鈥之晶粒。此方法可進一步包含形成第二電極於此電介質 疊層上。 依據本發明，可於微電子裝置上形成電容性結構。於此 結構中，電介質疊層大體上係安置於具有最外層鉑表面之 第一與第二電極之間。概言之，此電介質疊層包含二或更 多晶粒（且典型爲大量晶粒），具有鈣鈦礦晶體結構及介 於10毫微米與50毫微米間之中間晶粒尺寸，各晶粒包含鈦 、氧以及至少鋇與锶之一者。此電介質疊層之至少一次層 中之晶粒較佳係掺雜鈇。較佳地，此次層中鈥與鈥之比介__ 於0.01與0.05之間。 ----------装------^ίτ—*-----^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺賴财關家標率（cns 公瘦） A7 B7 物148 五、發明説明（6 ) 此摻雜之晶粒可進一步包含鏟，其對於鈥之莫耳比介於 0.1與1.0之間。又，此結構可如前述者製成爲富含鈇。 〔圖式簡要説明〕 本發明所含各種特徵及優點藉由參照下列圈式可有最佳 瞭解，其中： 圖1A-1D顯示依本發明方法製造之電容性結構實施例之 剖面正視國；以及 圈2顯示一電介質疊層製造成具有各種组成之3個BST 層之實施例之剖面片段圖。 〔較佳實施例詳細説明〕 高電介質常數（HDC)材料具有許多微電子應用，例如DRAM 、靜態RAM以及紅外線檢測器。典型地，此等應用使用HDC 材料於電容性結構中，儘管本發明可用以製造具進步特性 之HDC薄膜其並非電容器之一部分。爲討論起見，含有HDC 薄膜之電容性結構係顯示於圖1中。 微電子裝置10之部分結構顯示於圖1^中。此裝置包含半 導體基底12 (例如矽），具有疊置之絶緣層14 (較佳爲二 氧化矽）。第一電極18(較佳爲鉑）係電連接至基底經由 擴散障壁16(例如氮化鈦），此結構係用以防止基底12中 之矽擴散通過電極18且於電極-BST介面處形二氧化矽。 用於薄膜之BST先質溶液可予以製備爲適當之個别先質 例如醋酸鋇、醋酸媳以及乳酸鈦銨之水溶液。個别之先質 較佳係予以過濾（例如至0.2微米程度）以除去可能損害 薄膜整合之微粒。此等個别先質接著予以摻合，且此先質 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I- I — — — —- I I I I I 訂 I— i I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（7 ) A7 B7 夸 平 ΪΤ 票 % h :土 Ρ 溶液之化學計量（即莫耳比〉係調整至所欲BST薄膜之需 求者，例如（Ba〇_67，Sr〇.33)Ti〇3。於此處，溶液典型含 有10%至15%重量之氧化物。 此先質溶液可予以修正加入欽。例如，醋酸鈥及/或硝 酸鈥可加入溶液，使得溶液中鈥與鈦之莫耳比大約爲〇 〇15 。吾人相信，加入計量（B/A=1) BST溶液之鈥可減少漏洩 及/或增進電介質常數。較佳者係補償鈥加入之先質溶液 ，藉由：⑴加入额外之鈦（例如乳酸鈦）至先質溶液以供 鈇之補償；⑵加入一受體摻雜物，例如錳（例如醋酸鏟及 /或硝酸鋥）；或者，⑶組合⑴及⑵。目前已發現此補償 有利於進一步增進上述之電介質特性。 就旋轉塗佈技術之應用而言，先質溶液可予以蒸發以除 去大部分水份。剩餘物可與额外之溶劑（典型之剩餘物與 溶劑之比係1 : 1至1 : 2)例如甲氧基乙醇（EGME，ethylene glycol monomethyl ether)、異丁醇、或甲氧基甲醇 (methoxymethanol)混合以調整黏度及沉積厚度。然後此 先質溶液可經由0.2微米之注射器（Syr jnge)予以過德並旋 轉塗佈（典型爲每分鐘2000至3500轉（rpm)，依所欲薄膜 厚度而定）至含有例如裝置10之晶圓上。 第一先質薄膜20於旋轉塗佈至裝置1〇上後係類示於圈π 中。此薄膜可，例如，予以限制爲Κ)·5〇毫微米之厚度；於 大厚度下’隨後之MOD反應難以完成。典型地，於旋轉塗 佈後，係使用稠密化步驟（例如在80TC至2001〇之氮環境 中）自薄膜20中去除溶劑而有助於防止在薄膜2〇中形成命_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. -訂 A7 B7 五、發明説明（8 ) 穴。其後可施以燒製（firing)(例如在氧環境例如〇2、 N2 0或03中4〇〇·0至500¾下，較佳爲450*C )，以分解金 屬-有機物而進一步將薄膜20稠密化。 藉由上述之方法，第二先質薄膜22 (於此實例中係相同 之先質）於旋轉塗佈及稠密化後係顯示在圖1C中。於最後 之退火前，可增加數種更多先質薄膜以得到所欲之厚度。 最後之退火溫度範園大體上自550·〇至70(TC (較佳小於 650eC，更佳爲小於60〇eC，若未受限於非晶形BST之晶核 成長溫度），且退火係於氧環境例如02、N2 〇或〇3中實 施例。於此退火期間，鈣鈦礦相（phase)之BST晶體於非晶 形？ST薄膜中形成晶核並生長至ίο毫微木與5〇毫微米之典型尺 寸。於此處，並不十分明瞭BST薄膜中之鈥摻雜物之特定 分佈；吾人相信，在此溫度及小晶粒尺寸下形成之薄膜可 承受遠較大型BST爲高之缺陷濃度，而無鈥沉澱至第二相。 電介質薄膜24,顯示於圖1D中，係具有鈥摻雜物之結晶 BST薄膜。此薄膜係自先質薄膜20及22所形成，上述先質 薄膜必然於退火期間緊密結合（一些BST晶體係形成爲含 有來自該薄膜二者之材料）。爲完成裝置10之電容器結構 ，第二（例如頂部〉電極26 (較佳爲鉑）可予以沉積在電 介質薄膜24上。於沉積電極26後，較佳可將裝置10後追火 (post-anneal)(例如在5501〇之氧中1小時），以除去可 能於BST-第二電極介面中所吸收之水份。 於類似於圈1構造之結構上實施電容性測量之實驗資料 係予以提出。大約100至150毫微米厚度及20毫微米晶粒尺 -10 - (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) Γ 適 I度 尺 張 紙 I本 準 橾 家 |釐 公 B7 五、發明説明（9 ) 寸之MOD BST電介質薄膜24係沉積在一具有鉑頂層及Zr〇2 障壁層16之電極18上。此ZrO 2障壁係非導電者，且較佳 於例如DRAM應用中可由導電障壁如TiN所取代。第二鉑電 極26係沉積在薄膜24上以形成大約1 〇〇〇〇平方微米面積之 電容器。此結構在一測試晶圓上重覆許多次。一系列測試 晶圓予以製備，其使用具有鈥之計量BST先質溶液，以鈦 及/或链予以補償，在三種掺雜等級下加入；對各晶圓上 數種電容性結構實施測量，施加1.6伏直流偏壓及1〇〇仟赫 、10毫伏振盪器信號且在25·(〇溫度下。各晶圓之此等測量 予以平均並與未摻雜之BST晶圓測量比較而得到表1之資 料。 表 1 BST摻雜物 電介質常數 漏電流 (所有 B/A=l) (安培/平方公分） 未摻雜 220 1.0Χ 10-3 0.6% 鈥 330 1.Οχ 10-5 1.5% 鈥 350 1.3Χ 10-9 0.5%鈥+0.1%鋥 350 1.8Χ 10-7 此等特定結果顯示鈥掺雜之所有等級在電介質常數上較 未摻雜之BST增加至少50%。同時，該測試等級之鈥摻雜較 未摻雜之BST減少10 2至10 6因子之漏電流。儘管未全然 瞭解，但於此小晶粒薄膜中加入窄範園（例如0.3至3莫耳 % >之鈥濃度明顯地降低電介質漏洩，同時增強電介質常 數。尤其，此等結果亦證明’具有相當小等級補償性鏟摻 -11 - ____\______ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠 如148 A7 _______B7_ 五、發明説明（1〇 ) 雜之鈥摻雜顯得有益於達成此等電介質增進。 一種進步之電介質結構可形成爲圖2中顯示者。此結構 顯示電介質薄膜24包含三個個别（但無必要不同）之次層 32、34及36。利用例如此處描述之m〇D沉積成層技術，可 使用具有不同成分比之先質形成此結構。例如，可由退火 時形成（Bao.67, Sr〇.33)Ti03晶粒之化學計量配合少量 或無接·雜物材料而沉積次層34。此一次層具有接近室溫之 居里點（Curie point)，從而使電介質常數最大（但具有 大電介質漏我値）。然而，可，例如，由形成具有15%欽 接雜物之BST (可能具有不同於層34之Ba-Sr比）之化學計 量两沉積次層32及36’其於此等實驗中產生顯著增進之漏 淺特徵。 若可使用薄次層32及36控制漏洩，則此電容性結構可， 例如，使用相當厚之次層34。於退火期間，可發生一些層 之交互混合，使得就此特定實例而言，可存在緩變過渡 (graded transition)區域介於相鄰次層32、34及36間， 具有類似之緩變鈦濃度。此疊層結構隨後可予以視爲具有 進步電介質特性之單一電介質薄膜。 本發明之詮釋並非受限於此處描述之特定實例，因其被 視爲例示性，而非限制性。儘管於上述詳細説明中描述特 定材料及方法，但存在許多其他可行者。例如，電極可由 Pt、Pd、Rh、Au、Ir、Ru02、TaSiN、TiSiN或此等合金 所製成。障壁層16可另由例如ZrN、HfN、TaSiN或TiSiN所一 製成。此處討論之電容性結構之形狀係爲例示者，因爲本 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） ----------1------1T------# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本S·) A7 ______—_B7__ 五、發明説明（U) 發明可應用於廣泛種類之HDC電容器結構。該等電介質次 層可予以交換，使得含有鈇之次層夾在二未含鈇次層之間 。類似地，可使用各類型之一次層，或者可使用總數超過 三層之次層。同樣地，電極與電介質之形成順序可不同於 上述者（例如可於一BST層形成後形成二電極），於此情 況則可使用其他上述未提及之電極材料（例如低溶點）。 富含鈦之先質，其亦可於邊界區域中形成氧化之鈦，係包 含於本發明中。具掺雜物薄膜沉積方法之BST並未受限於 MOD，而含有CVD例如MOCVD、電漿增強之CVD以及物理氣相 沉積例如錢射。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公廣）
In I I I n 裝 I 訂I I I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 1. 種於微電子裝置上形成妖酸鎖及/或錄電介質薄膜之 方法，上述方法包含： (a) 藉由组合元素鈦、鈥及至少鋇與錤之一者之化合物 以製備先質，使得上述先質中鈥與鈦之莫耳比介於 〇.與〇.〇5之間； (b) 沉積並稠密化上述先質之一或更多層，以於上述装 置上形成先質薄膜；以及 (〇在小於700·〇溫度之含氧環境中將上述先質薄膜退 火，從而形成上述電介質薄膜包含多個摻雜鈇之鈦酸 鋇及/或锶晶粒，上述晶粒具有介於1〇毫微米（nm)與 50毫微米間之中間尺寸，從而鈥之加入增加上述電介 質溥膜之電介質常數且減少上迷電介質薄膜之電.介質 漏電流。 2. 如申請專利範团第J項之方法，其中製備先質之步驟復 包含將上述化合物與元素鋥之化合物組合，使得上述先 質中鏟與鈥之莫耳比介於0.1與1.0之間。 3. 如申請專利範園第1項之方法，其中介於9狀與99抓間 之上述鈦係納入上述晶粒中，而其餘鈦則位於晶粒邊界 處。 4·如申請專利範園第1項之方法，其中晶粒中介於40%與 70%間之鋇-锶晶格位置由鋇佔據。 5·如申請專利範園第1項之方法，其中追火步驟發生在小 於 650·(〇 處。 6·如申請專利範園第1項之方法，其中追火步驟發生在小 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（2!〇Χ297公釐） ---------^-- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) l·訂_Γ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標隼局員工消f合作社印製 六、申請專利範圍 於600eC處。 7.如申請專利範園第1項之方法，其中製備先質之步驟包含 乳酸鈦銨、綃酸鈇及/或醋酸鈥、以及至少醋酸鋇與醋 酸锶之一者於一般水溶液中。 8'.如申請專利範園第7項之方法，其中水溶液復包含有機 溶劑。 9.一種於微電子裝置上形成電容性結構之方法，上述電容 性結構具有電介質疊層安置介於第一電極與第二電極之 間，上述方法包含： (a) 形成上述第一電極於一基底上； (b) 沉積二或更多層薄膜於上述第一電極上，上述薄膜 包含鈦及至少鋇與锶之一者，至少上述薄膜之一者復 包含鈥其對於鈦之莫耳比介於0.01與0.05之間； (c) 在低於700¾溫度之含氡環境中將上述薄膜退火， 從而形成上述電介質疊層包含多個具有鈣鈦礦晶體結 構之晶粒，上述晶粒包含鈦、氧及至少鋇與銳'之一者 並具有介於10毫微米與50毫微米間之中間晶粒尺寸， 上述電介質疊層之至少一次層中之晶粒係摻雜之晶粒 且復包含鈇；以及 (d) 形成第二電極於上述電介質疊層上。 10·如申請專利範園第9項之方法，其中介於93%與99.9% 間之上述鈇係納入上述晶粒中，而其餘欽則包含氧化之 鈦並存在於上述邊界區域中。 11.如申請專利範園第9項之方法，其中至少包含鈇之薄 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210x297公漦） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. —訂 線 8 »0- 1 7 ABCD 經濟部中央榇隼局員-Χ.消費合作、社印製 、申請專利範圍 膜之一者復包含錳，使得於上述退火步驟後，上述掺雜 之晶粒復包含鋥其對於鈥之莫耳比介於0.1與1.0之間。 12. —種電容性結構於微電子装置上，上述電容性結構包 含： (a) 第一與第二導電性電極，上述電極具有最外層鎖表 面； (b) 電介質疊層安置於上述最外層鉑表面之間，上述電 介質疊層包含具有鈣鈦礦晶體結構，之二或更多個晶粒 ’各晶粒包含鈦、氧及至少鋇與锶之一者，上述晶粒 具有介於10毫微米與50毫微米間之中間尺寸；以及 (c) 至少上述電介質疊層之一次層具有上述晶粒其係接 雜之晶粒，上述摻雜之晶粒復包含鈥且具有介於〇 〇1 與〇.〇5間之鈥與鈦之莫耳比，從而鈥之加入增進上迷 電介質疊層之電介質常數且減少上述電介質疊層之漏 電流。 13. 如申請專利範固第12項之結構，其中掺雜之晶粒復包 含錳其對於鈥之莫耳比介於;為0之間。 14. 如申請專利範園第包含氧化之鈇在上 述邊界區域中介於上述電介質疊層之至少一部分中之上 逑晶粒間，上述氧化之鈦包含上述電介質曼層中含有全 部鈦之0.1%與7%之間。' / 玷·如申請專利範圍第12項之_%丨其中晶粒係大约安置 爲二或更多次層介於第一與第二電極之間，上述相鄰次 層具有不同之鋇對於锶之相對濃度。 - 16 - 通用中國國家橾隼（CNS > Α4規格（210X297公釐 ---------裝------^訂I、-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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