TW297134B - - Google Patents
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Description
A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(i ) 本發明乃關於視頻影像顯示範面,特別闞於在一陰極射 線管中之靜電聚焦電餍調變。 發明背景 在陰極射線管中之掃插電子束由於自電子搶至勞幕之距 離之變化,當電子來掃描水平垂直神描時會引起散焦之影 響。此種散焦效應可使用動態聚焦或DF加以改正,即在 DC靜態聚焦電歷:上加上一随偏轉而改變之ac信號電|。 此種動態裝置曾揭示於美國專利5,〇43,638頒給Yamashita 。此AC信號電壓可包含水平頻率抛物線形信號及—垂直 頻率拋物線形信號之和。在一典型動態聚焦系統中,加在 聚焦電極上之DC靜態聚焦電恩是可調的,可爲9 κν β AC信號電壓可能由一電容器耦合至—聚焦電極。此種df 耦合電容器必須有足夠電容以耦合低頻抛物線成分AC信 號電恩至聚焦電極。此外,電容器需要一 15 KV之擊穿電 卷。DF耦合電容器可能密封或與一電阻分愚器容納在一 起,該分壓器產生DC聚焦電壓。DC聚焦電壓可得自高壓 陽極(EHT)供應電壓或大約30KV高壓,或者得自積體高電 壓變I器(IHVT)之1/3抽頭,該變|器產生大約ιοκν之 電屋·。在二種情沉,必須一個大値半琳電阻器,如50ΜΩ 者以限制在EHT跳火到管内之聚焦電極時之電流流動。 圖1説明一典型動態聚焦裝置,其DF信號係得自變壓器 T1中水平及垂直抛物線形信號之和,該信號經由電容器 C3耦合至陰極射線管(CRT)之聚焦柵極FG。在DF耦合電 容器C3,聚焦電壓分壓器100及CRT中之聚焦柵極FG之 -4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i 、νβ 丁 良 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 間之線裝置可能有50 pF之雜散電容如電容器C4。内部管 子結構可能介入分流雜散電容20 pF如C 5所示。因此, AC耦合動態聚焦信號易受到由耦合電容器C3及分流電容 器C4及C5之電容構成之電容性分壓器引起之衰減。 將此等雜散電容予以降至最小並予以控制應極爲理想, 爲達到此目的,將引線從其他導體予以間隔可控制分佈電 容。但此技術不方便,並且在大量生產時亦不實際。此外 ,其可能不完全有效,因其必須將DF耦合電容器C3增加 其値以便降低雜散電容之分壓器作用。但DF耦合電容器 C3之高擊穿電壓需求使其値增加時其尺寸及成本亦大舉 增加。 爲補償由電容分壓器造成之DF信號之衰減,DF信號之 波幅可以増加以補償此衰減。但此可能需要DF信號放大 器是有較高功率能力及較高擊穿電蜃。此外,變壓器T1 可能需要磁心飽和之較高額定値或電暈擊穿位準。 利用一耦合至積髏高電壓變壓器(IHVT)之1/3抽頭之聚 焦分蜃器亦極爲理想,因此種分壓器被廣泛使用並且不需 瓶裝,因此較密封單元之成本低廉。 本發明簡要敘述 根據本發明,一動態聚焦電壓產生電路包含一DC電壓 源耦合至一聚焦電極。一可變電歷_源經由一對同軸導體組 成之電容耦合至聚焦電極。該同轴對外導髖可耦合至該可 變電壓源,同軸對之内導體可耦合至DC電蜃源。 圈説簡要説明 _ -5- 本紙張尺度適用巾轉準(CNS ) 21GX297公着) ^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,va 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(3 ) 圈1説明一簡化典型動態聚焦裝置。 圈2説明簡化之新穎動態聚焦裝置。 圖3説明本發明原理之混合動態聚焦裝置。 詳細敘述 供應一動態聚焦電壓之一方法爲圖1所示之分壓器100 其含可變電阻器R3及電阻器R4而產生一 DC聚焦電壓, 經由電阻器R5饋至聚焦電極FG。AC動態聚焦電壓DF得 自水平驅動放大器10及垂直驅動放大器20。水平驅動信 號經由阻抗HY及電阻器R1婧至變壓器T1,至跨電容器 C2及電阻器R2輸出。垂直驅動電壓跨電容器C1輸出並與 水平驅動電壓相加以產生動態聚焦電壓DF。 動態聚焦電壓DF與DC聚焦電壓經由電容器C3相加。 在陰極射線管(CRT)内發生火花時可能將一高壓加在聚 焦電極上,一或二個火花間隙SG將導電以消耗加在聚焦 極上之電能以保護電路。 在圈1中之裝置中有不可避免之雜散電容如電容器C4及 在聚焦電極内之陰極射線管内之電容如電容器C5。電容 器C4及C5與電容器C3形成一分壓器,其可使加在聚焦電 極FG上之AC電蜃位準降低^ AC電壓降低之問題可增加 C3之値,或增加動態聚焦電|DF之値而予以克服。增加 C3之電容値不甚理想,因爲此電容器必須額定値在聚焦 電壓値以上,約爲10 KV。此種大電容器太大且筇贵。增 加AC動態聚焦電壓DF之値需要較大放大器,其笨重而能 量消耗增加。 -6- 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上衣. ,^- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 圏2顯示本發明之一較佳具體實例。圖2輿圈1相似,除 了 C3被電容器CC取代,CC由二個同軸導體200组成。 内導體將直流自分壓器11〇經由電阻器R5耦合至陰極射 線管之聚焦電極FG,而外導體耦合至動態聚焦電壓DF源 。以此裝置,同軸對導體取代了耦合電容器C3。雜散電 容C4與AC源之輸出電容成並聯,而不與聚焦電極電容 C5並聯。因此,雜散電容C4並不與同軸對形成電容電壓 分壓器,因此能作爲降低焦聚電壓之動態聚焦部分之値之 電容爲聚焦電極本身之電容,如C5所示。由於電容器C5 之値很小,約爲20 pF,在聚焦電極FG之動態聚焦電餍可 保持在適當値而不需動態聚焦電壓之增加値或耦合電容器 C3値之增加。 電容器CC係以同軸導體而製造在DC聚焦線四周以形成 一屏蔽。此屏蔽可爲金屬絕緣帶之形式,如聚酯磁帶,具 有溝線,一織物穿線,一螺旋線簧或其他結構,利用聚焦 線絕緣之介質作爲分布電容器之介質。同軸結構之長度約 爲18吋(46公分),其電容約爲150 pF。如同軸結構之長 度增加,電容亦相對增加,因而進一步降低DF信號之損 失。 阐3爲本發明之另一具體實例,其利用圈2中之原理。 在某些應用中,其需要相當高之動態聚焦電壓,如在多陰 極射線管之應用,由同轴對200所提供之耦合電容値可能 不足。在此情況下,混合裝置可用來作此應用,其由導體 對200與電容器C33成並聯耦合组成。由於使用同軸導體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉M規格(2l〇X297公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ
I A7 B7 五、發明説明(5 ) 對200,可利用一較小値之耦合電容器C33以便提供一足 夠之動態聚焦電壓値,而電容性分壓器之效應亦可降低。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 第84111586號專利申請案 中·名申請專利範絡正本(85年1〇月、六、申請專利範圍 ABCD 正充‘4、孑 -ί . ί· I · 1. -種動態聚焦電壓產生電路,包括: a) — DC電壓源耦合至聚焦電極,及 b) —可變電壓經由一電容耦合至該聚焦電拯, 具有同軸導體對之形式。 乂略 根據申請專利範圍第丨項之電路,其中該同軸對之外導 體耗合至該可變電壓源。 根據申請專利範圍第1項之電路,其中該同軸對之内導 體耦合至該D C電壓源。 .« -I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 2. 3. 4. 根據申請專利範圍第丨項之電路,其中該同輛對之外導 體耦合至該可變電壓源,而同軸對之内導體則耦合至該 D C電壓源。 ° 5. 根據申請專利範圍第!項之電路,包含一耦合至該同軸 對成並聯之第二電容。 6_根據申請專利範圍第5項之電路,其中該第二電容係耦 合至該可變電壓源之輸出及該内導體。 7. 根據申請專利範圍第丨項之電路,其中該可變電壓源以 水平偏轉率變化。 8. 根據申請專利範圍第1項之電路,其中該可變電壓源以 垂直偏轉率變化。 9. 根據申請專利範圍第i項之電路,其中該可變電壓源以 水平及垂直偏轉率變化。 10. 根據申請專利範圍第1項之電路;包括一與該聚焦電極 成串聯之電阻。 11. 根據申請專利範圍第10項之電路,其中該電阻耦合在該 (請先閲讀背面之注意事項存填寫本育 -'裝------訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公费) A8 38 297134_§_ 六、申請專利範圍 電容與聚焦電極之間。 12.根據申請專利範圍第1項之電路,其中該電容包含一由 屏蔽包圍之絕緣線。 13/根據申請專利範圍第1 2項之電路,其中該屏蔽係一金屬 絕緣帶。 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部令央標準局員工消費合作社印製 2 本纸俵尺度適用中國國家標準(CNTS ) Λ4規格(210X 297公釐)
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