TW202541663A - 具有可選陽極區域及陰極區域之光電子裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

已開發出一種新穎的電隔離架構，該架構允許容易地設計光電子裝置系統中的基於NMOS電晶體之相關聯背板電路。由於光電子裝置及其相關聯電路之尺寸非常小，因此當PMOS電晶體用於更高解析度光電子裝置系統之背板中時，PMOS電晶體之效能限制更為顯著。經由電學非活性p型隔離區域提供電隔離，該電學非活性p型隔離區域使得個別陰極能夠電分離，以實現用於與NMOS電晶體一起使用之靈活裝置設計。藉由消除不同光電子裝置之間的電串擾及寄生電流來進一步提高效率。陰極之新穎電隔離另外使得能夠在單個晶圓上容易地實現高解析度被動矩陣陣列。

Description

具有可選陽極區域及陰極區域之光電子裝置及其製造方法

此技術係關於光電子裝置內之光電子元件之電隔離。

諸如習知發光二極體(LED)或光電偵測器的光電子裝置中之元件及基於此類元件之陣列之裝置由在半導體生長及處理期間組態之各種主動層組成。此等主動層習知上包括富電子n型區域、富電洞p型區域及在n型區域與p型區域之間的多量子井(MQW)區域。MQW區域由因合金化而具有較小能帶間隙的多個個別量子井組成，該等量子井定位於較高能帶間隙材料之間。較小能帶間隙量子井限制電子及電洞以有利於再結合，以實現光發射(在LED之情況下)或偵測器對光之吸收。舉例而言，對於基於III-N材料系統之LED或光電二極體，銦通常與氮化鎵(GaN)以不同的量合金化以縮小量子井之帶隙。

包含LED之光電子裝置通常用於顯示器中。近年來，由於與現有LCD及OLED替代方案相比亮度增強且功率要求降低，100 µm以下的LED (稱為微型LED)已變得有利於在新興顯示技術中使用。顯示技術中使用之LED及微型LED或光電子感測器中之偵測器元件通常連接至控制電路以產生功能顯示器或偵測器。

習知上，此等元件電連接至通常稱為背板控制電路或電子裝置或簡稱為背板之事物中的基於Si之控制電路。背板通常在單獨晶圓上，但在某些架構中可與發射器或偵測器元件共用材料系統。當所有主動層共用共同材料系統時，此類架構稱為單片。將尤其微型LED或偵測器光電子元件與背板連接可採取不同形式，諸如但不限於預製元件大量轉移印刷於Si或玻璃背板基板上，或預成形LED或偵測器陣列直接基板結合至背板。除了連接性管理之外，諸如近眼AR顯示器及微型偵測器的愈來愈小之裝置的日益普及亦對背板提出更嚴格之效能要求。

因此，隨著市場轉向更高解析度及其他效能要求，尤其關於微型LED顯示器，與大量轉移印刷相關聯之成本及良率問題已成為材料障礙，且裝置開發者愈來愈多地轉向將預製陣列直接結合至Si或替代背板上。将此等基板直接結合之主要優點為藉由避免與個別預製微型LED或偵測器大量轉移至單獨基板上相關聯之放置精度限制而提供的更高解析度及良率。遺憾的係，更高解析度直接結合之一些方法涉及與許多商業晶圓代工廠(commercial foundry)不相容之材料及/或製程步驟，因此需要專用的、專門的晶圓代工廠操作，該等操作增加製造成本。

另外，存在已久之光電子裝置設計愈來愈不足以為功能LED顯示器或偵測器陣列提供最佳效能能力，該等功能LED顯示器或偵測器陣列具有可超過每吋數千個像素之更高解析度以及長度及寬度可僅為幾毫米之外形尺寸。此類顯示器極大地受益於更高的再新率，更高的再新率可能需要光電子裝置控制電路中的更高效能之電晶體。此等壓力將隨著解析度水準增加而增大，且裝置元件及相關聯背板兩者之較小尺寸進一步挑戰存在已久的傳統光電子裝置設計。

作為參考，如本文所用，術語「陽極」係指元件(無論是發射器抑或偵測器)中之主動p型層或區域。相反，術語「陰極」係指元件(無論是發射器抑或偵測器)中之主動n型區域。在習知LED及偵測器之生長中，由於結構之生長差異、較高電阻及不同生長溫度要求，p型陽極層在n型陰極之後生長。高電阻係由於p型摻雜劑習知上具有增加之電離能(諸如在GaN中摻雜Mg之情況下)而產生，從而排除了用作共有層。在MQW區域之較低溫度生長之後，亦必須生長頂層以避免高溫損壞MQW區域。在n型陰極及MQW區域之後生長p-GaN陽極提供最高之裝置效能，因為在之後生長之薄p型層使溫度及電阻兩者之負面影響最小化。該裝置受益於使用低電阻n型層作為每一裝置所共有之連續陰極。利用此方法，諸如微型LED之光電子裝置依賴於將裝置連接至經由p型陽極區域驅動之相關聯控制電路。此習知設計要求背板電路通常限於在顯示器驅動電路中使用p型金屬氧化物半導體(PMOS)電晶體，諸如用於主動矩陣電路之p型組態。

N型金屬氧化物半導體(NMOS)電晶體雖然提供更高之電效能，但尚未在微型LED背板電路中得到有效利用。此組態尚未像典型光電子裝置中那般基於習知裝置架構來製造。

習知p型組態僅需要用於每一微型LED之獨特陽極，而陰極由於習知LED結構而為共有的。由此，採用PMOS電晶體及p型電路來驅動高解析度微型LED。遺憾的係，與組態於n型主動矩陣或其他電路中之NMOS電晶體相比，PMOS電晶體具有限制，諸如較慢的切換速度、較大的尺寸、增加的功率消耗、有限的驅動能力、增加的設計複雜性及減小的雜訊容限。

為更高解析度光電子裝置之每一元件(諸如微型LED或偵測器元件)構造獨特陰極極難利用習知結構來達成。陰極習知上為n型區域，該n型區域在光電子裝置結構之其餘部分之前生長於基板上，此歸因於稍後之陽極生長限於較低溫度。此類裝置之陰極通常經設計為幾微米厚，以實現低電阻及改良之晶體品質。陰極通常亦與可能在其下方之任何緩衝區域共用電導率。因此，蝕刻穿過p型陽極、MQW區域、n型陰極及任何緩衝區域直至基板以為每一元件之陰極提供完全電隔離的方法由於處理缺陷、大的垂直高度差及較低之陣列解析度而在商業上係不可行的。

共陰極設計亦負面地影響其他形式之光電子陣列(稱為被動矩陣陣列)，該等光電子陣列不依賴於對每一次像素之直接電路控制。被動矩陣陣列通常用於需要小面積之應用中。被動矩陣僅利用經由列/行至光電子元件之外部輸入，從而實現簡化之方法。被動矩陣為每一陽極分別系至一列/行且每一陰極分別系至一行/列之陣列。歸因於習知LED或偵測器生長結構中之n型區域為共有的，所有陰極系在一起且無法形成為單獨行/列。此在很大程度上排除了將高解析度被動矩陣陣列用於微型LED或微型偵測器。

諸如偵測器之非LED光電子裝置具有更大靈活性，因為通常利用NMOS及PMOS電晶體兩者之混合組態。然而，偵測器電路組態之選擇仍受共陰極組態之限制，其中通常無法有效地利用最佳的高效能設計。共陰極亦對陣列中偵測器靈敏度之可調整性施加約束。

因此，如上文所論述，諸如微型LED或偵測器之光電子裝置中缺乏可獨特定址之陰極為實現許多高解析度及高效能裝置之主要阻礙，其限制了選擇，且產生某種程度之犧牲，該犧牲對於大規模商業產品而言係非理想的。

此技術之實例係關於包括多個光電子發射器或偵測器元件之光電子裝置，該等光電子發射器或偵測器元件在連接至外部控制電路方面具有獨特靈活性。除了陰極區域之外，此類裝置亦包括陽極區域、MQW區域，及所有元件共有之電學非活性p型隔離區域。電學非活性p型隔離區域之使用允許裝置中之每一元件(無論經由陰極及/或陽極)獨立地連接至相關聯電源電路或下游背板電路。

在此技術之實例中，術語「電學非活性p型隔離區域」係指光電子裝置結構內之區域，該區域經摻雜以具有過量電洞，從而使該區域變為p型的。此區域在光電子裝置中之元件之操作中在功能上係電學非活性的，且相對於基板之正交方向，位於元件中之至少一個陰極下方。該區域充當電絕緣隔離區域，該電絕緣隔離區域將光電子裝置中之每一元件之陰極與其他元件在實體上及電學上分離，與其中共陰極由所有此類元件共用之習知組態形成對比。

根據此技術之其他實例，光電子裝置經組態以提供用於為每一發射器或偵測器元件設計獨特陰極區域及陽極區域以及連接的系統及方法。在一個實例中，電學非活性p型電隔離區域、陰極、MQW區域及陽極形成於共有基板上，其中隔離區域為裝置中之每一元件提供實體及電學分離。產生該結構之層，使得陰極、MQW區域及陽極對於共有p型電隔離區域上之每一發射器或偵測器而言可為獨特的。發射器或偵測器元件可被製作成充當例如顯示器或偵測器之裝置陣列，該等裝置陣列可視情況使用多種技術電連接至控制電晶體背板。

如本文所定義之光電子裝置包含複數個光電子元件，其中該等元件中之每一者在該裝置中彼此在實體上及電學上間隔開且位於所有元件所共有之電學非活性隔離區域上。主動層在隔離區域上方按相鄰次序包含：陰極區域；MQW區域，該MQW區域位於陰極區域之一部分上面；及陽極區域，該陽極區域位於MQW區域上面。

一種用於製造光電子裝置之方法，該光電子裝置包含複數個光電子元件，其中該等元件中之每一者在該裝置中彼此間隔開，該方法包括提供裝置中之所有元件所共有之電學非活性隔離區域。在該電學非活性隔離區域上面形成n型(陰極)區域。在陰極區域之一部分上面形成用於該等元件中之每一者的單獨MQW區域，以允許陰極區域容易地連接至外部控制電路。在用於該等元件中之每一者的MQW區域中之每一者上面形成單獨p型(陽極)區域。替代地，首先在電學非活性隔離區域上面生長連續n型(陰極)區域、MQW區域及p型(陽極)區域。可採用習知半導體製造製程，其中執行後續選擇性蝕刻以便在分離之n型(陰極)區域上形成隔離之p型(陽極)區域及MQW區域。

此技術提供若干優點，包括電效率、經由陰極或替代地若較佳則經由陽極連接至背板電路的靈活性、更好的容錯性、更好的熱管理，以及實現新穎的單片被動矩陣裝置。此等益處可有效地用於許多不同應用中，諸如顯示器、商業照明、通訊、偵測器等。具體而言，此技術之實例提供一種隔離方法以使得能夠使用更高效能的NMOS電路，以及實現高解析度單片被動矩陣陣列。單片在本文被定義為在同一晶圓內使用的同一InGaN/GaN、III-N或其他材料系統。

本申請案主張2024年3月14日提出申請之美國臨時專利申請案第63/565,158號之權益，該申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。

在圖1(a)中圖解說明習知生長堆疊之實例。如例如本文所用，術語「主動」用於指示n型或p型區域在光電子元件或裝置之操作中電接合。

如本文所用，術語陰極係指光電子元件之主動n型區域，且術語陽極係指主動p型區域。此等可基於所要功能以多種替代組態來連接。替代組態在實例中描述。

在圖1(a)中，生長堆疊包括陰極2、陽極6及多量子井(MQW)區域4，以上各者全部在共有基板1上。生長堆疊可包含多種材料，諸如，例如AlGaN、GaN、InGaN、AlInGaP。共有基板1可為但不限於矽、GaN、GaAs或藍寶石之選擇。陰極2通常包含一或多個層，諸如緩衝層，其可具有不同水準之有效n型電導率。

更具體地參考圖1(a)，陰極2習知上為共用的，如在諸如偵測器或LED之光電子裝置之製造中。歸因於與製造隔離溝槽相關聯之挑戰，使用由所有元件共用之共陰極2係習知的，該等隔離溝槽通常需要穿過材料向下至基板1進行相對較深之蝕刻以在電學上及機械上隔離個別裝置。

MQW區域4形成為與陰極2接觸。MQW區域4包含多個個別量子井，該等量子井與周圍材料相比具有不同材料組成及較小能帶。舉例而言，常見MQW可包含由GaN障壁圍繞的InGaN。取決於如何結構化及利用裝置，可針對應用，諸如光電偵測器或LED之應用，分別自MQW區域4吸收或發射光。

陽極6與MQW區域4接觸。陽極6可包括多種不同類型之材料及摻雜濃度，諸如，例如，電子阻擋層。習知上，進行相對較淺蝕刻製程以選擇性地蝕刻穿過陽極6及MQW區域4之部分，以形成具有共陰極2之個別光電子裝置。歸因於在陰極2上增加之電阻率以及為了最小化對MQW區域4之熱損壞，陽極6通常被設計為較薄的。蝕刻穿過陽極6及MQW區域4提供具有獨特陽極之光電子裝置。

相比之下，圖1(b)中所示之例示性新穎結構提供跨裝置中之所有光電子元件所共有的額外的電學非活性p型隔離區域5。電學非活性p型隔離區域5在裝置中之元件之操作中係電學非活性的，僅具有比通過光電子裝置之驅動電流少幾個數量級的小洩漏電流。舉例而言，其可包含GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaP。

舉例而言，基板1可包含矽、GaN、GaAs或藍寶石。緩衝基礎區域3可形成於基板1上，該緩衝基礎區域可包含可經n型摻雜、p型摻雜或非有意摻雜之一或多個層。根據需要包括基礎區域3，以用於使缺陷最小化且更好地匹配晶格常數以用於形成裝置區域。基礎區域3在光電子元件或裝置之功能中並非電學活性的。

電學非活性p型隔離區域5可形成於基礎區域3上，或者若基板1與電學非活性p型隔離區域5兩者之晶格常數可接受地接近且基礎區域3不存在，則電學非活性p型隔離區域形成於基板1上。電學非活性p型隔離區域5用作電隔離區域，該電隔離區域使得能夠形成獨特且獨立之陽極6及陰極2，該等陽極及陰極可在光電子裝置中獨立地進行控制。獨立陽極6及陰極2使得有利電路能夠與每一光電子元件整合以及實現高解析度被動矩陣。陰極2與電學非活性p型隔離區域5相鄰地形成。陰極2可包含n型GaN，但可使用其他類型及/或數量之層或材料。

MQW區域4形成為與陰極區域2接觸。MQW區域4包含多個個別量子井，該等量子井與周圍材料相比具有不同材料組成及較小能帶。舉例而言，MQW區域4可包含由GaN障壁圍繞的InGaN。取決於如何結構化及利用裝置，可針對應用，諸如光電偵測器或LED之應用，分別自MQW區域4吸收或發射光。

陽極6與MQW區域4接觸。陽極6可包含多種不同類型之材料及摻雜濃度，例如包括電子阻擋層。

電學非活性p型隔離區域5與陰極2結合經由形成耗盡區域來提供電隔離。當n型陰極區域2形成於電學非活性p型隔離區域5上時，來自n型陰極區域2之電子被來自電學非活性p型隔離區域5之電洞中和，從而產生耗盡區域。此耗盡區域為具有離子化施體及受體之區域，該等離子化施體及受體已分別施予或接收電子且在兩種單獨摻雜之材料之界面處形成正電荷及負電荷。耗盡區域產生與n型陰極區域2與電學非活性p型隔離區域5之間的持續電子及電洞流相反的電場。耗盡區域由此將n型陰極區域2與電學非活性p型隔離區域5及隨後任何基礎區域3電隔離，從而產生p型區域5之電學非活性及陰極2元件之間的電隔離。使用電學非活性p型隔離區域5可使得能夠在裝置中之每一光電子元件中形成獨特且獨立之陰極區域2，其中可進行選擇性圖案化以圖案化陰極2，使得陰極區域2、MQW區域4及陽極6之元件內的淺的個別島在電學非活性p型隔離區域5上彼此電分離。形成於每一n型陰極2與p型隔離區域5之間的耗盡區域防止裝置中之鄰近元件之間的電流流動。

參考圖2，展示了基於具有共陰極2設計的圖1 (a)之習知結構的先前技術光電子系統之實例的橫截面圖。為了形成裝置陣列，蝕刻或選擇性地生長獨特的陽極6及MQW區域4，以在共陰極2上形成光子元件。陰極2可由多個層組成，該多個層經有意或非有意n型摻雜，且充當每一元件之電操作器的共陰極2及充當自基板生長之機械支撐層。為了提供機械支撐、電效能及降低之缺陷密度，陰極2通常生長為幾微米厚。舉例而言，陰極2可為一微米至八微米厚，使得需要相對較深之蝕刻以便形成獨立陰極。一旦製造好，裝置陣列中之此等光電子元件就受到限制，因為歸因於裝置之共陰極2之性質，必須經由每一陽極6來整合驅動電路。

參考圖3，圖解說明根據此技術之實例的實例光電子系統100之橫截面圖。例示性光電子系統100併入用於陰極2之電隔離的電學非活性p型隔離區域5，在此組態中，該電學非活性p型隔離區域可例如為幾百奈米厚且以高於1E17/cm³之濃度摻雜。

在此實例中，利用圖1(b)之基礎結構。光電子系統遵循習知製造方法，其中對陽極6及MQW區域4選擇性地圖案化以形成每一獨特光子元件，諸如LED或偵測器。執行額外的選擇性圖案化步驟，使得每一元件中之陰極2與其他元件在實體上及電學上分離，因此在此方面為獨特的，每一元件之陽極6及MQW區域4亦如此。在此例示性裝置中，陰極2厚度與任何緩衝層3分離，在此實例中，緩衝層必要地可為一微米至七微米厚。陰極2可經設計為小於500 nm厚，從而提供低電阻，同時不會過厚到無法針對每一元件容易地進行圖案化及蝕刻。可形成額外金屬觸點，諸如在p型陽極6上之p型觸點8及在n型陰極2上之n型觸點7。舉例而言，用於p型觸點8之常見金屬選擇可包括Ni及Au，而n型觸點7可為Ti、Al、Ni、Au。出於進一步電隔離及保護之目的，可形成介電間隔件9且在表面上進行圖案化。基板或基板區域1、陰極2、經圖案化MQW區域4、經圖案化陽極6、n型觸點7、p型觸點8及介電間隔件9可形成光電子元件，但在一些情況下，基板1可被移除。因此，如此實例中所描述，顏色轉換器18亦形成於基板1及緩衝層3之一部分上面並與用於裝置中之每一光電子元件的MQW區域4對準，但可使用其他組態，諸如，僅舉例而言，在基板1與緩衝層3之間並與用於裝置中之每一光電子元件的MQW區域4對準。另外，在此實例中，光阻擋矩陣元件19位於用於裝置中之每一光電子元件的顏色轉換器18中之每一者之間。

為了呈現完整裝置中之光電子元件之陣列，可將廣泛揭露之額外習知控制電路與每一元件一起使用。使用耦接至光電子元件中之每一者之陰極2或陽極6的此額外控制電路20可經由使用將矽CMOS晶圓結合至光電子元件之預製陣列來提供。舉例而言，若光電子元件為LED，則現在可使用更有利之NMOS驅動電路來控制通過每一LED之電流。再舉例而言，控制電路20可為PMOS控制電路或NMOS與PMOS控制電路之組合，該等NMOS控制電路與PMOS控制電路經由該等元件中之每一者的p型陽極6及n型陰極區域2耦接。

提供經隔離陰極2之電學非活性p型隔離區域5的新穎使用可另外容易地用於形成高解析度被動矩陣陣列。廣泛揭露之被動矩陣陣列不需要與陣列中之每一光電子元件整合的控制電路，而是經由該陣列之列及行來定址。被動矩陣陣列之益處在於設計相對簡單，但對總體尺寸有限制。由於現在形成陰極2需要淺蝕刻，因此實現高解析度被動矩陣光電子陣列。圖2中之陰極2可正交地延伸至平面中以形成具有多個平行光電子元件的行，而陽極6可在橫向上連接，從而形成平行列。為完整光電子被動矩陣裝置形成的列及行可如先前技術中廣泛涵蓋般進行電定址，無論光電子裝置是偵測器抑或發射器。此類被動矩陣陣列可使用或可不使用另一基板來連接列/行末端以實現額外多工及其他驅動功能。

因此，如本文中舉例圖解說明及描述，基於此例示性技術之裝置提供更高的裝置速度、更小的尺寸、降低的功率消耗、降低的複雜性及更大的容錯性，此可有效地用於許多不同的光電子裝置應用中，諸如顯示器、偵測器、通訊等。具體而言，此技術之實例實現用於高解析度LED顯示器及高解析度單片被動矩陣陣列之NMOS電晶體次像素驅動。此技術之實例能夠在沒有與深選擇性隔離圖案化相關聯之困難的情況下提供許多效能益處。

在如此描述了本技術及本發明之基本構思後，前述詳細揭露意欲僅以舉例之方式呈現，且並非進行限制。儘管在本文中沒有明確陳述，但熟習此項技術者將想到且意欲進行各種其他實例更改、改良及修改。此等更改、改良及修改意欲特此提出，且在本技術之精神及範疇內。另外，處理元件或序列之所列舉次序或者數字、字母或其他名稱之使用因此並不意欲限制本發明之範疇。

1:基板2:陰極3:基礎區域4:MQW區域5:電學非活性p型隔離區域6:陽極7:n型觸點8:p型觸點9:介電間隔件18:顏色轉換器19:光阻擋矩陣元件20:控制電路100:光電子系統

圖1(a)為先前技術光電子裝置生長堆疊之實例的橫截面圖；圖1(b)為包括電學非活性p型隔離區域之光電子生長堆疊之實例結構的橫截面圖；圖2為基於具有共陰極之習知結構的先前技術光電子裝置陣列之實例的橫截面影像；及圖3為併入了電學非活性p型隔離區域之實例光電子裝置陣列的橫截面影像。

Claims (16)

1. 一種光電子裝置，該光電子裝置包含複數個光電子元件，該等元件中之每一者在該裝置中彼此在實體上及電學上間隔開且自所有該等元件所共有之一電學非活性隔離區域開始按相鄰次序進一步包含：一n型陰極區域；一MQW區域，該MQW區域位於該n型陰極區域之一部分上面；及一p型陽極區域，該p型陽極區域位於該MQW區域上面。
2. 如請求項1之光電子裝置，該光電子裝置進一步包含控制電路，該控制電路耦接至該等元件中之每一者的該p型陽極區域或該n型陰極區域中之一者。
3. 如請求項2之光電子裝置，其中該控制電路包含經由該等元件中之每一者之該n型陰極區域耦接的NMOS控制電路。
4. 如請求項1之光電子裝置，其中該電學非活性隔離區域包含一電學非活性p型隔離區域。
5. 如請求項1之光電子裝置，該光電子裝置進一步包含在該電學非活性隔離區域之一表面上面的一緩衝基礎區域或一基板區域中之至少一者，該表面與該等元件中之每一者的該n型陰極區域及該p型陽極區域相對定位。
6. 如請求項1之光電子裝置，其中該等光電子元件各自包含一LED。
7. 如請求項6之光電子裝置，其中該等光電子元件中之每一者進一步包含：一顏色轉換器，該顏色轉換器在該電學非活性隔離區域之一部分上面並與該MQW區域對準；及一光阻擋矩陣，該光阻擋矩陣位於用於該等光電子元件之該等顏色轉換器中之每一者之間。
8. 如請求項1之光電子裝置，其中該等光電子元件各自包含一光吸收偵測器。
9. 一種用於製造一光電子裝置之方法，該光電子裝置包含複數個光電子元件，其中該等元件中之每一者在該裝置中彼此在實體上及電學上間隔開且在所有該等元件所共有之一電學非活性隔離區域上方且自該電學非活性隔離區域開始按相鄰次序各自包含：一n型陰極區域；一MQW區域，該MQW區域位於該n型陰極區域之一部分上面；及一p型陽極區域，該p型陽極區域位於該MQW區域上面，該方法包含：提供所有該等元件所共有之該電學非活性隔離區域；在該電學非活性隔離區域上面形成該n型陰極區域；在該n型陰極區域上面形成用於該等元件中之每一者的該MQW區域中之一單獨MQW區域；及在用於該等元件中之每一者的該等MQW區域中之每一者上面形成該p型陽極區域中之一單獨p型陽極區域。
10. 如請求項9之方法，該方法進一步包含：將控制電路單獨地耦接至該等元件中之每一者的該p型陽極區域或該n型陰極區域中之一者。
11. 如請求項10之方法，其中該控制電路包含耦接至該n型陰極區域之NMOS控制電路。
12. 如請求項9之方法，其中該電學非活性隔離區域包含一電學非活性p型隔離區域。
13. 如請求項9之方法，該方法進一步包含：在該電學非活性隔離區域的與該等元件相對之一表面上面形成一緩衝基礎區域或一基板區域中之至少一者。
14. 如請求項9之方法，其中該等光電子元件各自包含一LED。
15. 如請求項14之方法，該方法進一步包含：在該電學非活性隔離區域之一部分上面形成一顏色轉換器，該顏色轉換器與用於該等元件中之每一者的該MQW區域對準；及在用於該等元件之該等顏色轉換器中之每一者之間形成一光阻擋矩陣。
16. 如請求項9之方法，其中該等光電子元件各自包含一光吸收偵測器。