TW202432339A - 脫模膜及半導體封裝體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種脫模膜，其依序具備脫模層、抗靜電層及基材；前述脫模層之平均厚度大於0.1µm；且，以雷射顯微鏡測定脫模膜之與前述硬化性樹脂相接面之表面之凹凸，並求出前述凹凸之法向量與前述脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)的表面角度分布時，10~35°範圍之存在分率(Φ)為0.12以上。該脫模膜可在以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部的半導體封裝體之製造中使用。

Description

脫模膜及半導體封裝體之製造方法
本發明涉及一種脫模膜及半導體封裝體之製造方法。
半導體封裝體具有用以保護半導體元件之樹脂密封部。樹脂密封部之形成常廣泛使用熱硬化性環氧樹脂等之硬化性樹脂。 半導體元件之密封法已知有所謂的壓縮成形法及轉注成形法，該等方法係將安裝有半導體元件之基板配置於模具之模槽內，並於模槽內填充硬化性樹脂而形成樹脂密封部。在該等密封法中，通常為了防止樹脂密封部與模具之固著，會在模具之模槽面配置脫模膜。在該情況下，脫模膜表面形狀會轉印至樹脂密封部表面。
又，為了確保後續追蹤，而於經密封之半導體封裝體表面以雷射標記標記出製造商名、製品名、批次編號等識別資訊。標記部之視辨性若差，有時會發生製造商及使用者無法識別製品等之不良情況。
在所述狀況下，例如專利文獻1中提出了一種脫模膜，其具備表面平滑性(Ra)為0.1~0.5µm且凹凸平均間隔(RSm)為90~125µm之表面狀態。若使用該脫模膜，非標記部與標記部之對比便會變大，從而標記部之視辨性優異。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-179593號公報
發明欲解決之課題 然而，於半導體封裝體表面若有傷痕、髒污等，則有時在外觀品質這點上會造成問題。由使所述小傷痕等不顯眼的觀點來看，會進行將半導體封裝體之表面稍微粗化做成緞面，而非做成鏡面。若如專利文獻1提高非標記部與標記部之對比，便有容易使非標記部之傷痕等變得顯眼，從而外觀品質降低之傾向。又，有時亦會因該傷痕等造成錯誤讀取識別資訊。
又，近年來，半導體元件之線寬日益窄化，從而以前本不構成問題之少量靜電所致之ESD(Electro-Static Discharge；靜電放電)會容易引發半導體元件之絕緣崩潰。使用脫模膜密封半導體元件來製造半導體封裝體時，會在使硬化性樹脂硬化而形成樹脂密封部後，從樹脂密封部剝離脫模膜。在該剝離時亦要求抑制ESD。
本揭示中，提供：一種脫模膜，其具有優異之抗靜電性及從半導體封裝體脫模之脫模性，且可形成雷射標記視辨性優異之半導體封裝體表面；以及，一種使用該脫模膜之半導體封裝體之製造方法。
用以解決課題之手段 用以達成上述課題之具體手段如下。 ＜1＞一種脫模膜，依序具備脫模層、抗靜電層及基材； 前述脫模層之平均厚度大於0.1µm；且 以雷射顯微鏡測定前述脫模膜中之前述脫模層側表面之凹凸，並求出前述凹凸之法向量與前述脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)的表面角度分布時，10~35°範圍之存在分率(Φ)為0.12以上。 ＜2＞如＜1＞之脫模膜，其中前述基材之至少一面的算術平均高度Sa為0.9µm以上。 ＜3＞如＜2＞之脫模膜，其中前述抗靜電層側之前述基材表面的算術平均高度Sa為1.2µm以上。 ＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項之脫模膜，其中前述脫模層中之粒子含有率為25體積%以下。 ＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項之脫模膜，其中前述基材包含氟樹脂。 ＜6＞如＜5＞之脫模膜，其中前述氟樹脂包含乙烯-四氟乙烯共聚物。 ＜7＞如＜1＞至＜6＞中任一項之脫模膜，其中前述脫模層側表面之表面電阻率為1×10 7~1×10 11Ω/□。 ＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項之脫模膜，其在製造半導體封裝體時係配置於硬化性樹脂與模具面之間。 ＜9＞如＜8＞之脫模膜，其中前述脫模膜中之前述脫模層側表面係與前述硬化性樹脂相接。 ＜10＞一種半導體封裝體之製造方法，該半導體封裝體具有半導體元件及密封前述半導體元件且由硬化性樹脂形成之樹脂密封部，該製造方法如下： 於模具之模槽內配置具備前述半導體元件之基板，並於前述模具之未配置前述基板之模槽面，將具備脫模層、抗靜電層及基材之如＜1＞至＜9＞中任一項之脫模膜，以前述脫模層側表面朝向前述模槽內之空間之方式配置， 於前述模槽內填充前述硬化性樹脂，使前述硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成密封前述半導體元件之樹脂密封部。
發明效果 根據本揭示，可提供：一種脫模膜，其具有優異之抗靜電性及從半導體封裝體脫模之脫模性，且可形成雷射標記視辨性優異之半導體封裝體表面；以及，一種使用該脫模膜之半導體封裝體之製造方法。
以下，詳細說明本揭示之實施形態。惟，本揭示不受以下實施形態所限。以下實施形態中，其構成要素(亦包含要素製程等)除了有特別明示之情形外，並非必要。關於數值及其範圍亦同，並非用以限制本揭示者。 本揭示中所謂「步驟」之用語中，不僅包含獨立於其他步驟之步驟，即便在無法與其他步驟明確區別之情況下，若能達成該步驟之目的，則亦包含該步驟。 本揭示中使用「~」表示之數值範圍中，係將記載於「~」前後之數值分別作為最小值及最大值來包含。 本揭示中階段性記載之數值範圍中，在一個數值範圍中記載的上限值或下限值，亦可置換成其他階段性記載之數值範圍的上限值或下限值。又，本揭示中記載之數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值亦可置換成實施例中所示之值。 本揭示中，各成分中亦可包含有複數種相當於其之物質。當組成物中存在複數種相當於各成分之物質時，各成分之含有率或含量只要沒有特別說明，則意指存在於組成物中之該複數種物質之合計的含有率或含量。 本揭示中，相當於各成分之粒子中亦可包含有複數種粒子。當組成物中存在複數種相當於各成分之粒子時，各成分之粒徑只要沒有特別說明，則意指關於存在於組成物中之該複數種粒子之混合物的值。 本揭示中所謂「層」之用語中，在觀察存在有該層之區域時，除了形成於該區域整體之情形外，還包含僅形成於該區域之一部分之情形。 一邊參照圖式一邊進行說明時，本揭示不受圖式所限。圖式中之構件的大小係概念性質者，構件間之大小的相對關係不受此所限。
「(甲基)丙烯酸酯」係丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯之總稱。 「丙烯酸系聚合物」係具有以(甲基)丙烯酸酯為主體之單元的聚合物。丙烯酸系聚合物中所含之以(甲基)丙烯酸酯為主體之單元可為1種亦可為2種以上。丙烯酸系聚合物亦可進一步具有以(甲基)丙烯酸酯為主體之單元以外之以其他單體為主體之單元。 本揭示中，以單體為主體之單元有時會於單體名附上單元來表示，例如表示為乙烯單元等。
本揭示中，「雷射標記視辨性」係指在自動可視化檢查(Automatic Visualization Inspection(AVI))中之辨識性。在AVI中，係針對以特定角度對半導體封裝體表面之水平面入射之光利用位於90°之檢測器檢測來作為亮度。
本揭示中，算術平均高度Sa係遵循ISO-25178-2：2012進行測定。測定係使用雷射顯微鏡，環境溫度係設為23~25℃。
＜脫模膜＞ 本揭示之脫模膜依序具備脫模層、抗靜電層及基材；前述脫模層之平均厚度大於0.1µm；且，以雷射顯微鏡測定前述脫模膜中之前述脫模層側表面之凹凸，並求出前述凹凸之法向量與前述脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)的表面角度分布時，10~35°範圍之存在分率(Φ)為0.12以上。
藉由設為上述構成，而具有優異之抗靜電性及從半導體封裝體脫模之脫模性，且可形成雷射標記視辨性優異之半導體封裝體表面，吾等推測理由如下，惟本發明不受下述推測所限。
由抑制ESD的觀點來看，於脫模膜中設有抗靜電層時，為了提升與密封樹脂之脫模性，多會進一步於抗靜電層上賦予脫模層。該脫模層若過薄，對樹脂密封部之脫模性便容易不足。 本揭示之脫模膜從與硬化性樹脂相接之側起依序具備脫模層、抗靜電層及基材，藉此抗靜電性優異，且因前述脫模層之平均厚度大於0.1µm，故能確保脫模性。
又，本揭示之脫模膜在以雷射顯微鏡測定脫模層側表面(脫模膜中之與基材相對而存在脫模層之側的表面；以下亦表記為「第1面」)之凹凸，並求出凹凸之法向量與脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)的表面角度分布時，10~35°範圍之存在分率(Φ)為0.12以上。 此外，對具有凹凸表面之基材藉由塗敷形成抗靜電層及脫模層而製作出脫模膜時，表面凹凸之角度的性狀會在塗敷前後變化。由於塗敷液容易蓄積在基板之凹部，因此若藉由塗敷而於基材上形成各層，則在塗敷前後之變化會有凹部表面之角度較凸部更平緩的傾向。因視辨性會受凹凸表面整體之表面形狀影響，故利用該製造方法製作之本揭示之脫模膜宜控制基材之表面粗度與抗靜電層及脫模層之平均厚度，將凹部及凸部整體之表面形狀最佳化，而以結果來說係藉由將10~35°範圍之存在分率(Φ)設為0.12以上，藉此使雷射標記視辨性提升。
首先，針對存在分率(Φ)之求算方法進行說明。 使用雷射顯微鏡並遵循ISO-25178-2：2012，在環境溫度23~25℃下，以X座標、Y座標皆為刻度0.25µm測定脫模膜之表面形狀。針對所得X座標、Y座標、Z座標(高度)之數據，使用MATLAB(註冊商標) R2022b surfnorm函數求出在各點上之凹凸的法向量。並求出各點之凹凸的法向量與脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)，以刻度0.1°進行直方圖化，求出表面角度分布。於圖1顯示表面角度分布之例。在圖1之表面角度分布之圖表中，相對於所有角度0~90°之總面積，求出角度(θ)為10~35°範圍所占之面積比率作為10~35°範圍之存在分率(Φ)。
在此，使用圖2，針對脫模膜在第1面表面之凹凸之法向量與脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)進行說明。如圖2所示，在脫模膜30上，具有凹凸32之主面S的法線N與凹凸32之法向量L所形成之角度為θ。主面S係相對於脫模膜之厚度方向朝垂直方向延伸之面，主面S的法線N亦可說是脫模膜之厚度方向。
從而，10~35°範圍之存在分率(Φ)意指脫模膜表面之凹凸之法向量相對於脫模膜主面之法線所具有之角度中，10~35°角度所佔之比率。 例如，從脫模膜之上部、亦即脫模膜主面之法線方向觀測光時，關於相對於脫模膜主面之法線以20°角度入射之光，係觀測在角度(θ)為10°之面被反射者。又，關於相對於脫模膜主面之法線方向以70°角度入射之光，係觀測在角度(θ)為35°之面被反射者。 因此，角度(θ)為10~35°時，相對於脫模膜主面之法線方向以20~70°角度入射之光會朝脫模膜主面之法線方向反射，而變得容易從脫模膜上部視辨該光。 脫模膜表面之凹凸形狀會轉印至半導體封裝體表面。於半導體封裝體表面會形成將脫模膜表面之凹凸形狀反轉後的形狀，而半導體封裝體表面之凹凸之法向量與半導體封裝體表面之水平面之法線所形成的角度係與脫模膜表面之對應處的角度(θ)相同。因此，吾等認為半導體封裝體表面之光的易視辨度與脫模膜表面之光的易視辨度一致。 並且，本發明人等在實驗上發現，脫模膜中之角度(θ)10~35°範圍之存在分率(Φ)若為0.12以上，則在利用具備相對於半導體封裝體表面之水平面位於90°之檢測器的AVI進行檢查時，於半導體封裝體表面進行雷射標記而得之印字的視辨性優異。
10~35°範圍之存在分率(Φ)為0.12以上，由維持雷射標記視辨性、同時使半導體封裝體表面之樹脂流動痕跡(流痕)或封裝體表面之傷痕不顯眼的外觀品質的提升的觀點來看，宜為0.14以上，較宜為0.15以上。 且，由更提高雷射標記視辨性的觀點來看，10~35°範圍之存在分率(Φ)宜為0.66以下，較宜為0.65以下，更宜為0.64以下。
本揭示之脫模膜可舉在製造半導體封裝體時配置於硬化性樹脂與模具面之間來使用之例。宜配置成脫模膜中之脫模層側之面(第1面)與硬化性樹脂相接。在半導體封裝體之製造中，係於模具內配置半導體元件，並以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部。
(基材) 構成基材之材質(包含之組成)無特別限制，可應用用於脫模膜之樹脂等公知之物。以基材中使用之樹脂來說，由脫模膜從密封後之模具脫離之脫模性優異這點來看，宜包含具有脫模性之樹脂。具有脫模性之樹脂意指僅由該樹脂構成之層具有脫模性的樹脂。 具有脫模性之樹脂可列舉：氟樹脂、聚甲基戊烯、對排聚苯乙烯、聚環烯烴、聚矽氧橡膠、聚酯彈性體、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、無延伸尼龍等。由從模具脫模之脫模性、在密封時之模具溫度(例如180℃)下之耐熱性、可承受硬化性樹脂之流動及加壓力之強度、在高溫下之延伸率等這些點來看，宜為氟樹脂、聚甲基戊烯、對排聚苯乙烯、聚環烯烴等，以脫模性優異這點來看，尤宜為氟樹脂。亦即，基材宜包含氟樹脂。該等樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
基材中所含之所有樹脂中之氟樹脂之含有率宜為80質量%以上，較宜為90質量%以上，更宜為95質量%以上，尤宜為99質量%以上，亦可為100質量%。 由脫模性及耐熱性優異這點來看，氟樹脂宜為氟烯烴系聚合物。氟烯烴系聚合物係一具有以氟烯烴為主體之單元的聚合物。氟烯烴系聚合物亦可更具有以氟烯烴為主體之單元以外的其他單元。
氟烯烴可列舉：四氟乙烯(以下亦稱為「TFE」)、氟乙烯、二氟亞乙烯、三氟乙烯、六氟丙烯、三氟氯乙烯等。氟烯烴可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 氟烯烴系聚合物可列舉：乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯-全氟(烷基乙烯基醚)共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯-二氟亞乙烯共聚物(THV)等。氟烯烴系聚合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 由高溫下之延伸率較大這點來看，氟烯烴系聚合物尤宜為ETFE。ETFE係一具有TFE單元與乙烯單元(以下亦稱為「E單元」)之共聚物。亦即，基材中所含之氟樹脂宜為ETFE。
ETFE除了TFE單元及E單元外，亦可具有以第3單體為主體之單元。第3單體可單獨使用1種，亦可併用2種以上。第3單體可舉具有氟原子之單體與不具有氟原子之單體。
具有氟原子之單體可舉下述單體(a1)~(a5)。 單體(a1)：碳數2或3之氟烯烴類。 單體(a2)：以X(CF 2) nCY=CH 2(惟，X、Y各自獨立為氫原子或氟原子，n為2~8之整數)表示之氟烷基乙烯類。 單體(a3)：氟乙烯基醚類。 單體(a4)：含官能基之氟乙烯基醚類。 單體(a5)：具有脂肪族環結構之含氟單體。
單體(a1)可列舉：氟乙烯類(三氟乙烯、二氟亞乙烯、氟乙烯、三氟氯乙烯等)、氟丙烯類(六氟丙烯(以下亦稱為「HFP」)、2-氫五氟丙烯等)等。
單體(a2)宜為n為2~6之單體，尤宜為n為2~4之單體。又，以X為氟原子且Y為氫原子之單體亦即(全氟烷基)乙烯尤佳。 單體(a2)之具體例可舉下述化合物。 CF 3CF 2CH=CH 2、 CF 3CF 2CF 2CF 2CH=CH 2((全氟丁基)乙烯；以下亦稱為「PFBE」)、 CF 3CF 2CF 2CF 2CF=CH 2、 CF 2HCF 2CF 2CF=CH 2、 CF 2HCF 2CF 2CF 2CF=CH 2等。
單體(a3)之具體例可舉下述化合物。此外，下述中屬二烯之單體為可環化聚合之單體。 CF 2=CFOCF 3、 CF 2=CFOCF 2CF 3、 CF 2=CFO(CF 2) 2CF 3(全氟(丙基乙烯基醚)；以下亦稱為「PPVE」)、 CF 2=CFOCF 2CF(CF 3)O(CF 2) 2CF 3、 CF 2=CFO(CF 2) 3O(CF 2) 2CF 3、 CF 2=CFO(CF 2CF(CF 3)O) 2(CF 2) 2CF 3、 CF 2=CFOCF 2CF(CF 3)O(CF 2) 2CF 3、 CF 2=CFOCF 2CF=CF 2、 CF 2=CFO(CF 2) 2CF=CF 2等。
單體(a4)之具體例可舉下述化合物。 CF 2=CFO(CF 2) 3CO 2CH 3、 CF 2=CFOCF 2CF(CF 3)O(CF 2) 3CO 2CH 3、 CF 2=CFOCF 2CF(CF 3)O(CF 2) 2SO 2F等。
單體(a5)之具體例可舉：全氟(2,2-二甲基-1,3-二氧呃)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二氧呃、全氟(2-亞甲基-4-甲基-1,3-二氧環戊烷)等。
不具有氟原子之單體可舉下述單體(b1)~(b4)。 單體(b1)：烯烴類、 單體(b2)：乙烯酯類、 單體(b3)：乙烯基醚類、 單體(b4)：不飽和酸酐。 單體(b1)之具體例可舉丙烯、異丁烯等。 單體(b2)之具體例可舉乙酸乙烯酯等。 單體(b3)之具體例可舉乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚等。
單體(b4)之具體例可舉馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐、5-降𦯉烯-2,3-二甲酸酐等。
由容易調整結晶度這點、在高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強伸度優異這點來看，第3單體宜為單體(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯，較宜為HFP、PPVE、CF 3CF 2CH=CH 2、PFBE，更宜為PFBE。
在ETFE中，TFE單元與E單元之莫耳比(TFE單元/E單元)宜為80/20~40/60，較宜為70/30~45/55，尤宜為65/35~50/50。TFE單元/E單元在前述範圍內時，ETFE之耐熱性及機械強度優異。 相對於構成ETFE之總單元之合計(100莫耳%)，ETFE中以第3單體為主體之單元的比率宜為0.01~20莫耳%，較宜為0.10~15莫耳%，尤宜為0.20~10莫耳%。以第3單體為主體之單元的比率在前述範圍內時，ETFE之耐熱性及機械強度優異。
以第3單體為主體之單元包含PFBE單元時，相對於構成ETFE之總單元之合計(100莫耳%)，PFBE單元的比率宜為0.5~4.0莫耳%，較宜為0.7~3.6莫耳%，尤宜為1.0~3.6莫耳%。PFBE單元之比率在前述範圍內時，會提升在高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強伸度。
ETFE之熔點宜為190℃以上，較宜為200℃以上，更宜為210℃以上，尤宜為220℃以上。 ETFE之熔點的上限無特別限定，例如為270℃。 ETFE之熔點在所述範圍時，脫模膜容易具有優異之在高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強伸度。 「熔點」意指以示差掃描熱量測定(DSC)法測得之對應熔解峰最大值的溫度。 ETFE之熔融流速(MFR)宜為2~40g/10分鐘，較宜為3~30g/10分鐘，尤宜為5~20g/10分鐘。 ETFE之MFR在所述範圍時，脫模膜在高溫下之延伸率變大，從而容易具有優異之對模具的順應性。 ETFE之MFR係遵循ASTM D3159在荷重49N、297℃下所測定之值。
基材亦可更含有樹脂以外之其他成分。 其他成分可舉例如滑劑、抗氧化劑、抗靜電劑、塑化劑、脫模劑等。以不易污染模具這點來看，基材中之其他成分之含有率宜為5質量%以下，較宜為1質量%以下，更宜為0.5質量%，尤宜為0質量%(不包含)。
由使使用脫模膜獲得之半導體封裝體表面之傷痕不顯眼的外觀品質的提升及抑制半導體封裝體之密封步驟中膜在模具表面上之皺痕的觀點來看，基材表面之至少一面的算術平均高度Sa宜為0.9µm以上，較宜為1.1µm以上，更宜為1.2µm以上。由半導體封裝體表面之雷射標記視辨性的觀點來看，基材之至少一面的算術平均高度Sa宜為2.7µm以下，較宜為2.6µm以下，更宜為2.5µm以下。 由雷射標記視辨性、及使半導體封裝體表面之樹脂流動痕跡(流痕)及封裝體表面之傷痕不顯眼的外觀品質的提升的觀點來看，第1面側(抗靜電層側)之基材表面的算術平均高度Sa宜為0.05µm以上，較宜為0.9µm以上，更宜為1.2µm以上，尤宜為1.4µm以上，極宜為1.5µm以上。 由雷射標記視辨性的觀點來看，第1面側之基材表面的算術平均高度Sa宜為2.7µm以下，較宜為2.6µm以下，更宜為2.5µm以下。
又，由抑制半導體封裝體之密封步驟中膜在模具表面上之皺痕及從模具脫模之脫模性的觀點來看，脫模膜中之脫模層側之表面(脫模膜中之與脫模層相對而存在基材之側的表面；以下亦表記為「第2面」)側之基材表面的算術平均高度Sa宜為0.03µm以上，較宜為0.05µm以上，更宜為0.1µm以上。 由抑制半導體封裝體之密封步驟中膜在模具表面上之皺痕的觀點來看，第2面側之基材表面的算術平均高度Sa宜為0.9µm以上，較宜為1.2µm以上，更宜為1.3µm以上，尤宜為1.5µm以上。由半導體封裝體表面之雷射標記視辨性的觀點來看，第2面側之基材表面的算術平均高度Sa宜為2.7µm以下，較宜為2.6µm以下，更宜為2.5µm以下。第2面側之基材表面的算術平均高度Sa若為前述上限值以下，第2面側之基材表面的形狀便不易影響半導體封裝體表面。 此外，第2面側之基材表面的算術平均高度Sa可小於0.03µm，可為0.02µm以下，亦可為鏡面。
基材表面的算術平均高度Sa亦可在使用甲基乙基酮從脫模膜分別去除脫模層、抗靜電層及其他層後進行測定。
基材中，算術平均高度Sa為0.9µm以上之表面形狀可為複數個凸部及凹部中之至少一者呈無規分布的形狀，亦可為複數個凸部及凹部中之至少一者呈規則排列的形狀。複數個凸部之形狀可相同亦可互異。又，複數個凸部之大小可相同亦可互異。複數個凹部之大小可相同亦可互異。
凸部可舉延伸於脫模膜表面上之長條凸狀、散布於脫模膜表面上之突起等，凹部則可舉延伸於脫模膜表面上之長條溝槽、散布於脫模膜表面上之孔等。 凸狀或溝槽之形狀可舉直線、曲線、彎折形狀等。在脫模膜表面上，亦可為複數個凸狀或溝槽平行存在形成條紋狀。凸狀或溝槽之與長邊方向正交之方向的剖面形狀可舉三角形(V字形)等多邊形、半圓形等。 突起或孔之形狀可舉三角錐形、四角錐形、六角錐形等多角錐形、圓錐形、半球形、多面體形、其他各種不定形等。
具有算術平均高度Sa為0.9µm以上之表面的基材之製造方法無特別限定，可利用公知之製造方法。可舉例如以熱加工將原模之凹凸轉印至樹脂膜表面之方法，由生產性這點來看，宜為下述方法(i)、(ii)等，尤宜為方法(ii)。
方法(i)使樹脂膜通過2支輥件之間，將形成於輥件表面之凹凸連續轉印至樹脂膜。 方法(ii)使從擠製機之壓模擠出的樹脂通過2支輥件之間將該樹脂成形為膜狀，同時將形成於輥件表面之凹凸連續轉印至該膜狀之樹脂表面。
將2支輥件中之1支製成表面具有凹凸之輥件(以下亦稱為模具輥)，且將另1支製成不具凹凸之輥件，藉此製造單面具有凹凸之基材。將2支輥件皆製成模具輥，藉此能製造兩面具有凹凸之基材。此外，2支輥件中之1支通常具有加壓樹脂膜之功能，被稱為壓抵輥。使用表面不具凹凸之輥件時，通常將不具凹凸之輥件作為冷卻輥，2支輥件皆為模具輥時，則將其中1支作為冷卻輥。此外，表面不具凹凸之輥件亦意指具有可形成實質上平滑之面之表面的輥件。
模具輥表面之凹凸係反轉基材之特定凹凸後的形狀，其係與形成於半導體封裝體之樹脂密封部表面之凹凸相同的形狀。 於模具輥表面形成凹凸之方法可舉切削、蝕刻等方法。 又，為橡膠捲覆輥時，藉由在捲覆於表面之橡膠片材中摻混粒子，可獲得表面具有凹凸之模具輥。此時，可藉由摻混在橡膠片材中之粒子的大小來調整粗度之深度方向、亦即Sa。為樹脂捲覆輥時亦可以相同方法來調整Sa。
在方法(i)、(ii)中，除了輥件表面之凹凸外，還可藉由調整加工速度、基材用樹脂之熔體流動速率(MFR；melt flow rate)、輥件之按壓、壓模與輥件之距離等，來調整基材表面之算術平均高度Sa。
基材之平均厚度宜為35~100µm，較宜為35~75µm。基材之厚度為35µm以上時，脫模膜容易具有優異之脫模性。基材之厚度為75µm以下時，脫模膜可輕易變形，從而模具順應性優異。基材之厚度為100µm以下時，脫模膜之處置(例如在捲對捲之處置)容易，於一邊拉伸脫模膜一邊將其配置成覆蓋模具之模槽時，不易產生皺痕。
基材之平均厚度係遵循ISO 4591：1992(JIS K7130：1999之B1法，利用質量法測定從塑膠膜或片材採取之試料之厚度之測定方法)來測定。此時，亦可在使用甲基乙基酮從脫模膜分別去除脫模層、抗靜電層及其他層後，測定基材之平均厚度。
(抗靜電層) 抗靜電層若具有抗靜電機能，材質便無特別限制。抗靜電層宜包含抗靜電劑。抗靜電劑可舉離子液體、導電性聚合物、金屬離子傳導型鹽、導電性金屬氧化物等。 所謂導電性聚合物係一種電子會順著聚合物之骨架(聚合物(polymer)骨架)移動、擴散的聚合物。導電性聚合物可列舉例如：聚苯胺系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚對伸苯系聚合物、聚吡咯系聚合物、聚噻吩系聚合物、聚乙烯咔唑系聚合物等。 金屬離子傳導型鹽可舉例如鋰鹽化合物等。 導電性金屬氧化物可舉例如氧化錫、摻錫氧化銦、摻銻氧化錫、摻磷氧化錫、銻酸鋅、氧化銻等。
抗靜電層宜包含樹脂黏結劑。抗靜電層包含樹脂黏結劑與抗靜電劑時，宜於樹脂黏結劑中分散有抗靜電劑。 樹脂黏結劑宜為具有可承受密封步驟中之熱(例如180℃)之耐熱性者，可列舉例如：丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、胺甲酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、三氟氯乙烯-乙烯醇共聚物、四氟乙烯-乙烯醇共聚物等。
樹脂黏結劑亦可業經交聯。樹脂黏結劑若業經交聯，耐熱性便優於未經交聯之情況。 所述樹脂黏結劑可舉含羧基之(甲基)丙烯酸聚合物、含羥基之丙烯酸聚合物等。關於交聯劑，當為含羧基之丙烯酸聚合物時，可舉多官能吖𠰂化合物、多官能環氧化合物等，而當為含羥基之丙烯酸聚合物時，可舉多官能異氰酸酯化合物等。
抗靜電層之表面電阻率宜為1×10 10Ω/□以下，較宜為1×10 9Ω/□以下。抗靜電層之表面電阻率的下限值無特別限制，亦可為1×10 7Ω/□以上。 抗靜電層中之抗靜電劑的含量係以抗靜電層之表面電阻率成為上述範圍之方式來適當設定。
由維持脫模性且同時降低脫模膜之第1面之表面電阻率的觀點來看，抗靜電層之平均厚度宜為0.05~3µm，較宜為0.05~2µm。 抗靜電層之平均厚度及後述脫模層之平均厚度的測定方法無特別限定。 例如，關於抗靜電層之平均厚度及後述脫模層之平均厚度，可使用甲基乙基酮從脫模膜分別去除脫模層及抗靜電層並測定在去除各層前後之質量後，使用經減少之質量與各層之密度來求出。 又，關於抗靜電層之平均厚度及後述脫模層之平均厚度，亦可使用聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)觀察脫模膜之剖面來求出。在FIB-SEM中，可從層間之對比差異來判斷層之邊界，從而可測定各層之厚度。該測定可在隨機選出之30處進行，而當確認有表面凹凸時則係至少在從凹部至凸部之間30處進行，並將測定結果平均而求出各層之平均厚度。 此外，利用FIB-SEM進行剖面觀察時，當抗靜電層與脫模層之對比沒有差異而不易辨別層之邊界時，可使用掃描穿透型電子顯微鏡(STEM-EDX)，藉由抗靜電層(尤其是抗靜電層中所含之抗靜電劑)及脫模層中特徵性元素之有無來辨別層之邊界。
抗靜電層之形成方法無特別限定，宜為將抗靜電層用組成物塗敷於基材之一面上並乾燥的方法。塗敷法可使用公知之各種濕式塗佈法，可舉例如凹版塗佈法、模塗法、棒塗法等。乾燥溫度及時間係根據液態介質之種類、含量等來適當調整。
抗靜電層用組成物除了抗靜電劑外，亦可包含其他成分。其他成分可舉溶劑、水等液態介質。抗靜電層用組成物之固體成分量係鑑於塗敷性而適當調整。 由提高潤濕性的觀點來看，在塗敷抗靜電層用組成物前，宜對基材表面進行電暈處理。電暈處理宜以使依循ISO8296：1987(JIS K6768：1999)所得之濕潤張力成為40mN/m以上之方式來實施。
(脫模層) 脫模層若為具有脫模性之層，材質便無限定。脫模層可具有黏著性，亦可不具有黏著性。 脫模層宜包含含羥基之丙烯酸系聚合物與多官能異氰酸酯化合物的反應硬化物。
含羥基之丙烯酸系聚合物所具有之羥基係能與多官能異氰酸酯化合物中之異氰酸酯基進行反應的交聯官能基。 含羥基之丙烯酸系聚合物之羥值宜為1~100mgKOH/g，尤宜為29~100mgKOH/g。 羥值係藉由JIS K0070：1992中規定之方法來測定。
含羥基之丙烯酸系聚合物可具有羧基，亦可不具有羧基。羧基與羥基同樣地係能與多官能異氰酸酯化合物中之異氰酸酯基進行反應的交聯官能基。 含羥基之丙烯酸系聚合物之酸值宜為0~100mgKOH/g，尤宜為0~30mgKOH/g。 酸值與羥值同樣地係藉由JIS K0070：1992中規定之方法來測定。
含羥基之丙烯酸系聚合物之交聯官能基當量(羥基與羧基之合計當量)為2,000g/莫耳以下，宜為500~2,000g/莫耳，尤宜為600~1,000g/莫耳。 「羥基與羧基之合計當量」意指含羥基之丙烯酸系聚合物中羥基與羧基之合計每莫耳之質量。
交聯官能基當量相當於交聯點間分子量，係影響交聯後之彈性模數(反應硬化物之彈性模數)的物性值。交聯官能基當量為2,000g/莫耳以下時，反應硬化物之彈性模數會充分變高，從而脫模層對樹脂密封部之脫模性、對半導體晶片、源極電極或密封玻璃之剝離性優異。又，交聯官能基當量為2,000g/莫耳以下時，能抑制往樹脂密封部之移動(殘膠)。
含羥基之丙烯酸系聚合物之質量平均分子量(Mw)宜為10萬~120萬，較宜為20萬~100萬，尤宜為20萬~70萬。質量平均分子量為10萬以上時，對樹脂密封部之脫模性、對半導體晶片、源極電極或密封玻璃之再剝離性會更優異。質量平均分子量為120萬以下時，對半導體晶片、源極電極或密封玻璃之密著性會更優異。 含羥基之丙烯酸系聚合物之質量平均分子量係藉由使用用已知分子量之標準聚苯乙烯試料作成的檢量曲線，以凝膠滲透層析法進行測定而獲得之以聚苯乙烯換算之值。
含羥基之丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)宜為20℃以下，尤宜為0℃以下。Tg若為前述範圍之下限值以上，即便成為低溫，脫模層仍能展現充分之可撓性，而容易與基材剝離。 Tg之下限值無特別限制，在前述分子量範圍中宜為-60℃以上。 本揭示中，Tg意指以示差掃描熱量測定(DSC)法測定之中間點玻璃轉移溫度。
多官能異氰酸酯化合物為具有2個以上異氰酸酯基之化合物，宜為具有3~10個異氰酸酯基之化合物。 多官能異氰酸酯化合物可列舉例如：六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、甲苯二異氰酸酯(TDI)、二苯甲烷二異氰酸酯(MDI)、萘二異氰酸酯(NDI)、聯甲苯胺二異氰酸酯(TODI)、異佛酮二異氰酸酯(IPDI)、二甲苯二異氰酸酯(XDI)、三苯甲烷三異氰酸酯、參(異氰酸酯基苯基)硫代磷酸酯等。又，可舉該等多官能異氰酸酯化合物之三聚異氰酸酯體(三聚物)或縮二脲體、該等多官能異氰酸酯化合物與多元醇化合物之加成物等。 以藉由三聚異氰酸酯環結構之平面性使反應硬化物(脫模層)顯現高彈性模數這點來看，多官能異氰酸酯化合物宜具有三聚異氰酸酯環。 具有三聚異氰酸酯環之多官能異氰酸酯化合物可舉：HDI之三聚異氰酸酯體(三聚異氰酸酯型HDI)、TDI之三聚異氰酸酯體(三聚異氰酸酯型TDI)、MDI之三聚異氰酸酯體(三聚異氰酸酯型MDI)等。
脫模層亦可包含其他成分。其他成分可舉例如交聯觸媒(例如，胺類、金屬化合物、酸等)、補強性填料、著色性染料、顏料、抗靜電劑等。 抗靜電劑亦可使用在抗靜電層中所列舉者。
交聯觸媒在以多官能異氰酸酯化合物作為交聯劑時，若為能對含羥基之丙烯酸系共聚物與交聯劑之反應(胺甲酸酯化反應)作為觸媒發揮功能之物質即可，可使用一般之胺甲酸酯化反應觸媒，可舉例如三級胺等胺系化合物、有機錫化合物、有機鉛化合物、有機鋅化合物等有機金屬化合物等。三級胺可舉三烷基胺、N,N,N',N'-四烷基二胺、N,N-二烷基胺醇、三乙二胺、嗎福林衍生物、哌𠯤衍生物等。有機錫化合物可舉二烷基錫氧化物、二烷基錫之脂肪酸鹽、亞錫之脂肪酸鹽等。
交聯觸媒宜為有機錫化合物，尤宜為二辛錫氧化物、二月桂酸二辛錫、月桂酸二丁錫、二月桂酸二丁錫。又，可使用二烷基乙醯丙酮錫錯合物觸媒，其係藉由使二烷基錫酯與乙醯丙酮在溶劑中進行反應並合成，而具有對二烷基錫1原子配位有乙醯丙酮2分子之結構者。 相對於含羥基之丙烯酸系聚合物100質量份，交聯觸媒之使用量宜為0.01~0.5質量份。
脫模層亦可含有粒子。可藉由該粒子來調整在脫模膜之第1面之10~35°範圍之存在分率(Φ)。又，亦可使用表面具有凹凸結構之基材後再進一步使脫模層中含有粒子，以調整在脫模膜之第1面之10~35°範圍之存在分率(Φ)。此外，使用表面具有凹凸結構之基材時，脫模層亦可不含粒子。
脫模層中含有之粒子的材質無特別限制，例如可為有機粒子，亦可為無機粒子。 有機粒子可舉丙烯酸樹脂粒子、聚烯烴樹脂粒子、聚苯乙烯樹脂粒子、聚丙烯腈樹脂粒子、聚矽氧樹脂粒子等。 無機粒子可舉氧化矽粒子、氧化鋁粒子等。
粒子之平均粒徑宜為2.0µm以上，較宜為2.5µm以上，更宜為3.0µm以上。在所述情況下，可使形成之樹脂密封部之樹脂流動痕跡(流痕)不顯眼。 且，粒子之平均粒徑宜為10µm以下，較宜為7.5µm以下，更宜為5µm以下。在所述情況下，容易抑制粒子從脫模層之脫離。
脫模層包含粒子時，由使形成之樹脂密封部之樹脂流動痕跡(流痕)不顯眼的觀點來看，脫模層中之粒子之含有率宜為3.0體積%以上，較宜為3.9體積%以上，更宜為5.0體積%以上。由使粒子從脫模層之脫離容易抑制的觀點來看，脫模層中之粒子之含有率宜為25體積%以下，較宜為20體積%以下，更宜為16.5體積%以下。 又，使用表面具有凹凸結構之基材時，由使粒子從脫模層之脫離容易抑制的觀點來看，脫模層中之粒子之含有率宜為16.5體積%以下，較宜為10體積%以下，更宜為4.9體積%以下，亦可為0體積%、亦即不含粒子。
粒子之含有率例如可藉由以掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察脫模層之剖面，按每單位體積之樹脂粒子的比率來算出。詳細而言，可利用以下方法算出。 首先，以SEM觀察對象脫模層之剖面，並測定該剖面中之任意面積(以下亦稱為「對象面積」)中所含之樹脂粒子之數量及粒徑。並且，根據上述對象面積來設定任意體積(以下亦稱為「對象體積」)，並算出該對象體積中所含之樹脂粒子之數量。進而，根據樹脂粒子之粒徑，算出每個樹脂粒子之體積。然後，從算出之樹脂粒子之數量及每個樹脂粒子之體積算出對象體積中所含之樹脂粒子之總體積，並將該樹脂粒子之總體積除以對象體積，藉此可算出對象脫模層中所含之樹脂粒子的體積含有率。
由脫模膜之脫模性的觀點來看，脫模層之平均厚度大於0.1µm，宜為0.15µm以上，較宜為0.17µm以上，更宜為0.2µm以上。因脫模層之厚度大於0.1µm，故能確保脫模性。 且，由脫模膜之抗靜電性的觀點來看，脫模層之厚度宜為2.3µm以下，較宜為2.2µm以下，更宜為2.1µm以下。脫模層之厚度為2.3µm以下時，抗靜電性會更優異。
脫模層之形成方法宜為下述方法：將包含脫模層之各成分與液態介質的脫模層用組成物塗敷於抗靜電層上並乾燥。塗敷法可使用公知之各種濕式塗佈法，可舉例如凹版塗佈法、模塗法、棒塗法等。乾燥溫度及時間係根據液態介質之種類、含量等來適當調整。
(其他層) 脫模膜亦可具有其他層。其他層可設於基材層與抗靜電層之間、或抗靜電層與脫模層之間，可設於基材層之與抗靜電層相反之側，亦可設於脫模層之與抗靜電層相反之側。例如，其他層亦可為脫模膜之第1面。 其他層可舉例如氣體障壁層、著色層等。該等層可單獨使用任一種，亦可併用2種以上。其他層之平均厚度分別宜為0.05~3µm，較宜為0.05~2µm。
(脫模膜之各物性) 脫模膜之第1面之算術平均高度Sa宜為1.0µm以上，較宜為1.1µm以上。在所述情況下，因形成之樹脂密封部之樹脂流動痕跡(流痕)不顯眼而為佳。 又，脫模層中不含粒子時，脫模膜之第1面之算術平均高度Sa宜為2.3µm以下，較宜為2.2µm以下，更宜為2.1µm以下。在所述情況下，使用脫模膜形成之半導體封裝體表面的雷射標記視辨性會更優異。 脫模層中包含粒子時，脫模膜之第1面之算術平均高度Sa宜為3.0µm以下，較宜為2.9µm以下，更宜為2.7µm以下。在所述情況下，雷射標記視辨性會更優異。
脫模膜之第1面之表面電阻率宜為1×10 11Ω/□以下，較宜為2×10 10Ω/□以下。在所述情況下，能有效防止剝離時之放電所造成之半導體晶片的破壞。脫模膜之第1面之表面電阻率的下限值無特別限制，亦可為1×10 7Ω/□以上。 表面電阻率係遵循IEC 60093、雙環電極法進行測定。
脫模膜之第1面之靜電位宜為|0~50|V，較宜為|0~30|V，更宜為|0~25|V。靜電位係以表面電位計來測定。
＜半導體封裝體之製造方法＞ 本揭示之半導體封裝體之製造方法係製造半導體封裝體之方法，該半導體封裝體具有半導體元件及密封前述半導體元件且由硬化性樹脂形成之樹脂密封部，該製造方法如下：於模具之模槽內配置具備前述半導體元件之基板，並於前述模具之未配置前述基板之模槽面，將具備脫模層、抗靜電層及基材之本揭示之脫模膜，以前述脫模層側之面朝向模具之模槽內之空間之方式配置，於前述模槽內填充前述硬化性樹脂，使前述硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成密封前述半導體元件之樹脂密封部。
本揭示之半導體封裝體之製造方法除了使用本揭示之脫模膜外，還可採用公知之製造方法。例如，樹脂密封部之形成方法可舉壓縮成形法及轉注成形法，而此時使用之裝置可使用公知之壓縮成形裝置或轉注成形裝置。製造條件亦可與公知之半導體封裝體之製造方法中之條件為相同條件。 以下，關於代表例，係針對壓縮成形法及轉注成形法一邊參照圖一邊進行說明，惟本揭示之半導體封裝體之製造方法不受該等圖所限。又，以下說明中，顯示所謂的MAP-BGA形狀之半導體封裝體作為半導體封裝體之一例，惟半導體封裝體之形狀不受此限。
圖3~4係示意地說明壓縮成形法之概略的剖面圖。 圖3所示壓縮成形法係使用具有固定上模20、模槽底面構件22及配置於模槽底面構件22周緣之框狀可動下模24的模具。於固定上模20形成有真空排氣孔(省略圖示)，該真空排氣孔係用以藉由抽吸基板10與固定上模20之間之空氣來將基板10吸附於固定上模20。又，於模槽底面構件22形成有真空排氣孔(省略圖示)，該真空排氣孔係用以藉由抽吸脫模膜30與模槽底面構件22之間之空氣來將脫模膜30吸附於模槽底面構件22。
於可動下模24上以覆蓋模槽底面構件22之上表面的方式配置脫模膜30。此時，脫模膜30係使第1面朝向上側(與模槽底面構件22方向為相反方向)而配置。 脫模膜30係從捲出輥(省略圖示)輸送並被捲取輥(省略圖式)捲取。脫模膜30係被捲出輥及捲取輥拉伸，因此其係在被拉伸之狀態下被配置於可動下模24上。
另外，透過模槽底面構件22之真空排氣孔(省略圖示)進行真空抽吸，將模槽底面構件22之上表面與脫模膜30之間的空間減壓，而將脫模膜30拉伸並使其變形，從而使其真空吸附於模槽底面構件22之上表面。並且，緊固配置於模槽底面構件22周緣之框狀可動下模24，從全方向拉伸脫模膜30使其呈緊張狀態。 此外，根據脫模膜30在高溫環境下之強度、厚度、由模槽底面構件22之上表面與可動下模24之內側側面所形成之凹部形狀的不同，脫模膜30不一定與模槽面密著。在真空吸附階段中，如圖3所示，脫模膜30與模槽面之間亦可殘留有些許空隙。
如圖3所示，將硬化性樹脂40以灑佈器(省略圖示)適量填充於模槽26內之脫模膜30上。 又，另外，透過固定上模20之真空排氣孔(省略圖示)進行真空抽吸，使安裝有複數個半導體晶片12之基板10真空吸附於固定上模20之下表面。 硬化性樹脂40可使用用於製造半導體封裝體之各種硬化性樹脂。宜為環氧樹脂、聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂，尤宜為環氧樹脂。
接著，如圖4所示，在已將硬化性樹脂40填充於模槽26內之脫模膜30上的狀態下，使模槽底面構件22及可動下模24上升而與固定上模20合模。 接著，如圖5所示，僅使模槽底面構件22上升並同時加熱模具使硬化性樹脂40硬化，以密封半導體晶片12。
藉由使模槽底面構件22上升後之壓力，填充於模槽26內之硬化性樹脂40會被進一步壓入模槽面。藉此，脫模膜30會被拉伸而變形，從而與模槽面密著。因此，能形成形狀與模槽26之形狀對應的樹脂密封部。此時，脫模膜30之第1面的凹凸會被轉印至樹脂密封部表面。
然後，打開固定上模20、模槽底面構件22及可動下模24，並取出整批密封體。 將整批密封體脫模，並且將脫模膜30之使用完畢部分輸送至捲取輥(省略圖示)，且將脫模膜30之未使用部分從捲出輥(省略圖示)送出。
將從模具內取出之整批密封體的基板10及樹脂密封部以使複數個半導體晶片12分離之方式切斷(單片化)，而獲得具有基板10、至少1個半導體晶片12及密封半導體晶片12之樹脂密封部的單片化密封體。單片化可以公知之方法進行，可舉例如切塊(dicing)法。
以雷射標記將任意資訊打印於所得單片化密封體之樹脂密封部的上表面(與脫模膜30之第1面相接之面)而獲得半導體封裝體。 使用本揭示之脫模膜製造之半導體封裝體在以雷射標記將文字進行打印後，該文字之視辨性優異。
圖6~11係示意地說明轉注成形法之概略的剖面圖。 在圖6所示轉注成形法中，係使用具有上模50與下模52之模具。在上模50中形成有形狀與樹脂密封部14之形狀對應的模槽54、及將硬化性樹脂40引導至模槽54之凹狀樹脂導入部60。在下模52中形成有設置搭載有半導體晶片12之基板10的基板設置部58、及配置硬化性樹脂40之樹脂配置部62。又，於樹脂配置部62內設置有柱塞64，該柱塞64係將硬化性樹脂40向上模50之樹脂導入部60推出。
如圖7所示，將脫模膜30配置成覆蓋上模50之模槽54。脫模膜30宜配置成覆蓋模槽54及樹脂導入部60整體。脫模膜30係被捲出輥(省略圖示)及捲取輥(省略圖示)拉伸，因此其係在被拉伸之狀態下以覆蓋上模50之模槽54的方式來配置。
然後，如圖8所示，透過形成於上模50之模槽54外部的溝槽(省略圖示)進行真空抽吸，將脫模膜30與模槽面56之間的空間、及脫模膜30與樹脂導入部60之內壁之間的空間減壓，而將脫模膜30拉伸並使其變形，從而使其真空吸附於上模50之模槽面56。
接著，如圖9所示，將安裝有複數個半導體晶片12之基板10設置於基板設置部58並將上模50與下模52合模，而將複數個半導體晶片12配置於模槽54內之預定位置。又，於樹脂配置部62之柱塞64上預先配置硬化性樹脂40。硬化性樹脂40可舉與壓縮成形法中所舉之硬化性樹脂40相同之物。
之後，如圖10所示，將下模52之柱塞64向上推並透過樹脂導入部60將硬化性樹脂40填充至模槽54內。接著，加熱模具使硬化性樹脂40硬化，而形成密封複數個半導體晶片12之樹脂密封部14。 藉由於模槽54內填充硬化性樹脂40，脫模膜30會被樹脂壓力進一步壓入模槽面56側，且被拉伸而變形藉此密著於模槽面56。因此，能形成形狀與模槽54之形狀對應的樹脂密封部14。
如圖11所示，從模具取出整批密封體1A。此時，硬化性樹脂40在樹脂導入部60內硬化而成之硬化物19，係在附著於整批密封體1A之樹脂密封部14的狀態下與整批密封體1A一同從模具取出。因此，切除附著於取出之整批密封體1A的硬化物19，而獲得整批密封體1A。
將所得之整批密封體1A的基板10及樹脂密封部14以使半導體晶片12分離之方式切斷(單片化)，而獲得具有基板10、至少1個半導體晶片12及密封半導體晶片12之樹脂密封部的單片化密封體。之後，與壓縮成形法相同。 在使用本揭示之脫模膜的半導體封裝體之製造方法中，可形成雷射標記視辨性優異之半導體封裝體表面。
＜半導體封裝體＞ 使用本揭示之脫模膜並藉由本揭示之半導體封裝體之製造方法所製造之半導體封裝體若為經整批密封及分離(singulation)而製造者即可，可舉例如密封方式為MAP(Moldied Array Packaging；模製陣列封裝)方式或WL(Wafer Lebel packaging；晶圓級封裝)方式之半導體封裝體等。 使用本揭示之脫模膜製造之半導體封裝體具有雷射標記視辨性優異的表面。
實施例 以下將列舉實施例及比較例詳細說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。 例1~27中，例1~13、23~27為實施例，例14~22為比較例。 各例中所使用之評估方法及材料顯示如下。
[評估方法] (厚度) 基材之平均厚度(µm)係遵循ISO 4591：1992(JIS K7130：1999之B1法，利用質量法測定從塑膠膜或片材採取之試料之厚度之測定方法)來測定。 抗靜電層及脫模層之平均厚度(µm)係使用甲基乙基酮從脫模膜去除各層，並在去除各層前後測定質量後，使用質量減少量與各層之密度來求出。
(算術平均高度Sa) 根據JIS B0601：2013(ISO 4287：1997，Amd.1：2009)測定基材之兩面及脫模膜之第1面(與硬化性樹脂相接之面)的算術平均高度Sa。測定係使用Olympus公司製雷射顯微鏡(LEXT OLS 4000)，環境溫度係設為23~25℃。測定試樣係貼附於金屬基板上，排除了測定試樣本身之大幅傾斜的影響。雷射顯微鏡之主要設定條件設為如下。
物鏡：MPLAPON50LEXT(倍率：50倍，開口數：0.95，液浸類型：空氣，機械鏡筒長：∞，蓋玻璃厚度：0，視野數：FN18) 光學變焦倍率：1倍 掃描模式：XYZ高精度 讀取影像尺寸[像素數]：寬259µm×長259µm[1024×1024] DIC：關 多層：關 雷射強度：100 偏移(offset)：0 共焦水準(confocal level)：0 光束徑光圈：關 影像平均：1次 雜訊降低：開 亮度不均校正：開 光學雜訊濾波器：開 截止：無(λc、λs、λf均無) 濾波器：高斯(Gaussian)濾波器 雜訊去除：測定前處理 傾斜校正：不實施
(表面角度分布) 在與測定算術平均高度Sa相同之條件下，遵循ISO-25178-2：2012，使用Olympus公司製雷射顯微鏡(LEXT OLS 4000)測定脫模膜之第1面的表面形狀。改變測定處，且測定之次數設為12次。 針對以X座標、Y座標皆為刻度0.25µm所得之在各點之X座標、Y座標、Z座標(高度)的數據，使用MATLAB(註冊商標) R2022b surfnorm函數求出在各點之凹凸的法向量。求出各點之凹凸之法向量與脫模膜主面之法線所形成之角(θ)，以刻度0.1°進行直方圖化，求出表面角度分布。表面角度分布中，相對於所有角度0~90°之總面積，求出角度(θ)為10~35°範圍所占之面積比率作為10~35°範圍之存在分率(Φ)。
(表面電阻率) 脫模膜之第1面(與硬化性樹脂相接之面)的表面電阻率(Ω/□)係遵循IEC 60093、雙環電極法進行測定。測定機器係使用超高電阻計R8340(Advantec公司製)，並使用RESISTIVITY・CHAMBER 12704A作為電極，在施加電壓500V、施加時間1分鐘下進行測定。
(脫模性) 於13cm×13cm之第一不鏽鋼板上疊合13cm×13cm×厚度100µm之鋁箔(JIS H4000：2006之AIN30P)。於其上，疊合已從10cm×12cm挖去8cm×10cm之厚度125µm的聚醯亞胺膜(UPILEX 125S，宇部興產公司製)作為分隔件。再於前述聚醯亞胺膜之上述挖去部分適量灑佈半導體密封用環氧樹脂(Sumikon EME G770H typeF ver.GR(Sumitomo Bakelite Co., Ltd.製))作為硬化性樹脂。於其上載置裁切成13cm×13cm之脫模膜，該脫模膜係在事先去除靜電後以第1面與硬化性樹脂接觸之方式來載置。最後疊合13cm×13cm之第二不鏽鋼板。
將按以上程序製作之試樣利用壓機在溫度180℃、壓力1MPa、時間3分鐘下加壓。從壓機取出後，將整體放置於180℃之加熱板上並去除第二不鏽鋼板後，以人的手耗時5秒將脫模膜剝離。剝離性之評估基準如下。 A(良好)：可輕易剝離。 B(不良)：無法整面剝離。
(帶電性) 針對脫模性評估為A之試樣，在剝離後迅速測定脫模膜之第1面的靜電位。使用表面電位計MP-520-1(Midori Anzen Co., Ltd.製)作為靜電位之測定機器，並將脫模膜與測定端子之距離固定為3cm。測定值係將1V之位數四捨五入而求得(裝置之測定上限為2,000V)。帶電性之評估基準如下。 A(良好)：|0~30|V B(可)：大於|30|V且在|50|V以下 C(不良)：大於|50|V
(殘膠) 針對脫模性評估為A之試樣，在剝離後利用光學顯微鏡(倍率100倍)觀察於硬化樹脂之硬化物表面有無來自脫模膜之轉印物。殘膠之評估基準如下。 A(良好)：未於硬化物表面確認到轉印物。 B(不良)：有於硬化物表面確認到轉印物。
(雷射標記視辨性評估) ＜密封體之製作＞ 用於評估雷射標記視辨性之密封體係使用各例之膜作為脫模膜，使用半導體密封用環氧樹脂(Sumikon EME G770H typeF ver.GR(Sumitomo Bakelite Co., Ltd.製))作為硬化性樹脂，並使用轉注成形裝置(G-LINE Manual System，APIC YAMADA CORPORATION)作為密封裝置，按以下程序製作。
將模具溫度設定為175℃，以捲對捲方式設置70mm×230mm之銅製引線框架及寬190mm之脫模膜捲材。將引線框架配置於下模後，將脫模膜真空吸附至上模並合模後，注入硬化性樹脂。加壓5分鐘後，打開模具並取出經密封之封裝體。 此外，關於在上述之脫模性評估中為B之膜，在打開模具時密封樹脂之硬化物與脫模膜之一部分未脫模而發生分離異常，脫模性評估為A之膜則未發生分離異常。
＜雷射標記＞ 對雷射標記層形成變色圖案(印字文字)，係使用KEYENCE公司製之波長1064nm之雷射標記器(製品名：MD-X1000)進行。雷射標記條件係設為打印次數：1次、掃描速度：1000mm/秒、頻率：100kHz、雷射功率：20%、印字粗度：0.3mm、線數：5、焦點可變：-20。印字文字係採用10個文字之英文字母(ABCDEFGHIJ)，且以1個文字之高度2.0mm、寬度1.5mm及文字間隔0.5mm來打印。對依上述方式製作出之雷射標記部(經打印之文字)進行視辨性之評估。
＜標記部之視辨性＞ 對50個利用雷射標記打印出之10個文字之英文字母(ABCDEFGHIJ)的封裝體進行評估，並對所有封裝體、亦即對500個文字實施讀取試驗。視辨性之評估基準如下。 A(良好)：讀取所有500個文字，讀取率得100%。 B(可)：無法讀取1個或2個文字，讀取率得99.8或99.6%。 C(不良)：無法讀取3個以上文字，讀取率得99.4%以下。
此外，所謂可讀取係指讀取分數為80~99之情形，且將低於80評估為無法讀取。用於讀取分數之評估係使用KEYENCE公司製之高速・高容量彈性影像處理系統。此外，若可在以下條件下實施，則評估所使用之裝置無限定，該條件為：將紅色LED之入射角度設定為相對於封裝體表面之水平面呈20°至70°，且檢測相機相對於封裝體水平面呈直角。下述基本條件係重現了在代表性雷射視辨性評估裝置中、例如在KLA公司製ICOS元件檢查裝置CI-9X50及CI-G10中所採用之條件。
・測定機材 高容量控制器：XG-X2700 16倍速2100萬像素黑白相機：CA-H2100M 4/3吋50mm透鏡：CA-LHE50(焦點深度±2.5mm) 圓拱型紅色照明Φ152：CA-DDR15 應用程式：XG-X2000Series Ver.2.2
・測定條件 每個數據之測定面積：6.48µm×6.48µm(42µm 2) 試樣與透鏡間之距離：以暫時距離170mm一邊監控非標記部之亮度一邊求出顯示最大亮度之位置，並從該位置縮短1.0mm。 將圓拱型紅色LED照明設置成對封裝體表面之入射角度成為20°至70°，並將相機設置於封裝體表面之垂直方向上。相機感光度設為3.0，快門速度設為20毫秒，照明亮度設為511，灰階設為14。此外，透鏡之光圈值設為2.8。
・讀取分數 以應用程式XG-X2000Series Ver.2.2內之OCR2求出視辨性之讀取分數。事先將視辨性無問題之良品之10個文字A、B、C、D、E、F、G、H、I、J(文字尺寸：長2.0mm、寬1.5mm、文字間隔0.5mm)登錄在能適當放入文字之四角形區域中，之後對經雷射標記於各封裝體試樣上之文字進行讀取。 從所登錄之良品之文字與封裝體表面之文字的比較中求出讀取分數(讀取分數以99最佳)。
(非標記部之亮度) 以與雷射標記視辨性評估相同方法製作密封體，針對該密封體之亮度則使用上述KEYENCE公司製之高速・高容量彈性影像處理系統來實施。除了將測定面積設為1.5mm×16mm=24mm 2外，在與視辨性評估相同條件下進行。亮度係以0至255之範圍的數值表示，0係對應為暗側，255係對應為亮側。將測定面積分割成1區塊：6.48µm×6.48µm，並測定各區塊的亮度。因此，亮度係以測定面積內之亮度分布來求算。從所得測定面積內之亮度分布求出平均值作為平均亮度。此外，得出雷射標記部之平均亮度為160。
[使用材料] (基材) ・ETFE膜：使用下述之ETFE(1)或ETFE(2)來製作ETFE膜。ETFE膜之製作方法係記載在各例中。 ETFE(1)：Fluon(註冊商標) ETFE C-88AXP(AGC公司製) ETFE(2)：Fluon(註冊商標) LM-ETFE LM-720AP(AGC公司製)
・PMP(聚甲基戊烯)膜：Mitsui Chemicals Tohcello, Inc.(股)製：X-88BMT4，厚度50µm之雙面壓花型(各表面之算術平均高度Sa為2.5µm、1.4µm) ・PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜：使用UNITIKA(股)製：S-38(LS)、厚度38µm之雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯膜，並進行噴砂即所謂的砂墊(sand mat)處理，以於膜單面形成凸凹。各表面之算術平均高度Sa得1.6µm及0.1µm。
・SPS(對排聚苯乙烯)膜：將XAREC(註冊商標)142ZE(出光興產公司製)饋給至具備有T型模之擠製機中，將其牽引至鏡面金屬輥之間並同時往膜之行進方向及與行進方向正交之方向延伸，而製膜出厚50µm之膜。擠製機及T型模之溫度設為270℃，冷卻輥之溫度設為100℃，延伸溫度設為115℃，延伸倍率在行進方向及與行進方向正交之方向均設為3.3倍，延伸速度設為500%/分鐘。又，在延伸步驟後在215℃下進行熱處理。進一步進行噴砂即所謂的砂墊處理，以於膜單面形成凸凹。各表面之算術平均高度Sa得1.9µm及0.1µm。
在各個膜中，對算術平均高度Sa高之面側施行電暈處理，以使依循ISO8296：1987(JIS K6768：1999)所得之濕潤張力達40mN/m以上。兩表面之算術平均高度Sa相同時，係對單表面施行電暈處理。
(抗靜電層液) 混合含丙烯酸樹脂之聚噻吩系導電性聚合物分散液(ARACOAT(註冊商標)AS601D(固體成分4質量%，荒川化學工業公司製))10質量份、及多官能吖𠰂化合物硬化劑(ARACOAT(註冊商標)CL910(固體成分10質量%，荒川化學工業公司製))1質量份。按成為各例之固體成分濃度之方式將所得混合物以異丙醇/甲苯/水=50/40/10(質量比)之混合溶劑稀釋，而獲得抗靜電層液。此外，在後述抗靜電層形成後抗靜電層本身的表面電阻率得7×10 7Ω/□。
(脫模層液) ・脫模層液(1)：混合Nissetsu(註冊商標) KP2562[NIPPON CARBIDE INDUSTRIES CO., INC.製，固體成分35質量%，含羥基之(甲基)丙烯酸聚合物(羥值70mgKOH/g，交聯官能基當量801g/莫耳)]100質量份、Nissetsu(註冊商標) CK157[(NIPPON CARBIDE INDUSTRIES CO., INC.製，固體成分100質量%，3官能異氰酸酯化合物(三聚異氰酸酯型六亞甲基二異氰酸酯)]6質量份、及Nissetsu(註冊商標)CK-939(NIPPON CARBIDE INDUSTRIES CO., INC.製，固體成分0.5質量%，二月桂酸二辛錫之乙醯丙酮溶液)21質量份。按成為各例之固體成分濃度之方式將所得混合物以乙酸乙酯稀釋，而獲得脫模層液。
・脫模層液(2-1)：於脫模層液(1)之以乙酸乙酯之溶劑稀釋前的混合物中，進一步追加作為樹脂粒子之TAFTIC FH-S005(東洋紡公司製，商品名，丙烯酸粒子，平均粒徑5µm)10質量份並混合，以乙酸乙酯稀釋使固體成分濃度成為26質量%，而獲得脫模層液。此外，由所述脫模層液形成之脫模層中所含之丙烯酸粒子的含有率相當於16.9體積%。 ・脫模層液(2-2)：除了將TAFTIC FH-S005之量變更成2質量份外，以與脫模層液(2-1)相同程序進行而獲得脫模層液。此外，由所述脫模層液形成之脫模層中所含之丙烯酸粒子的含有率相當於3.9體積%。
・脫模層液(3-1)：於脫模層液(1)之以乙酸乙酯之溶劑稀釋前的混合物中，進一步追加作為樹脂粒子之SUNSPHERE H-31(AGC Si-Tech公司製，氧化矽粒子，平均粒徑3µm)10質量份並混合，以乙酸乙酯稀釋使固體成分濃度成為20質量%，而獲得脫模層液。此外，由所述脫模層液形成之脫模層中所含之氧化矽粒子的含有率相當於11.9體積%。 ・脫模層液(3-2)：將SUNSPHERE H-31(AGC Si-Tech(股)，商品名，氧化矽粒子，平均粒徑3µm)之量變更成3.5質量份，除這點外以與脫模層液(3-1)相同程序進行而獲得脫模層液。此外，由所述脫模層液形成之脫模層中所含之氧化矽粒子的含有率相當於4.5體積%。
[例1] 將ETFE(1)饋給至擠製機中，利用模唇開度調整成可使膜之厚度成為50µm之擠製機在320℃下進行熔融擠製，使用2支表面形成有凹凸之原模輥，調整製膜速度後進行牽引，而製造出兩表面具有凹凸結構的ETFE膜。兩表面之算術平均高度Sa分別得2.5µm、2.5µm。並且，對ETFE膜之單表面施行電暈處理。 於ETFE膜之經施行電暈處理之面，使用凹版塗佈機塗敷固體成分濃度4.0質量%之抗靜電層液並乾燥，而形成厚度0.25µm之抗靜電層。塗敷係使用Φ100mm×250mm寬之格子150#-深度40µm輥件作為凹版，以直接凹版方式來進行，且塗敷速度設為4m/分鐘。乾燥係使其在100℃下通過輥支撐乾燥爐以風量15m/秒進行1分鐘。 於抗靜電層上利用凹版塗佈機塗敷固體成分濃度13質量%之脫模層液(1)並乾燥，而形成厚度1.0µm之脫模層。塗敷係使用Φ100mm×250mm寬之格子150#-深度40µm輥件作為凹版，以直接凹版方式來進行。乾燥係使其在100℃下通過輥支撐乾燥爐以風量為19m/秒進行1分鐘。之後，在40℃、120小時之條件下進行養護而獲得脫模膜。
[例2] 以與例1相同方式進行，惟，變更原模輥之其中一者並調整製膜速度，製造兩表面之算術平均高度Sa分別為1.9µm、1.3µm之ETFE膜後，於算術平均高度Sa較高側之表面施行電暈處理，並進一步使用固體成分濃度3.2質量%之抗靜電層液來形成抗靜電層，從而獲得脫模膜。
[例3] 以與例2相同方式進行，惟，使用ETFE(2)作為樹脂並調整製膜速度，製造厚度為60µm且兩表面之算術平均高度Sa分別為2.0µm、1.4µm之ETFE膜後，於膜之算術平均高度Sa較高側之表面施行電暈處理，並進一步使用固體成分濃度4.0質量%之抗靜電層液來形成抗靜電層，接著使用固體成分濃度16質量%之脫模層液(1)來形成脫模層，從而獲得脫模膜。
[例4] 以與例2相同方式進行，惟，調整製膜速度而製造兩表面之算術平均高度Sa分別為1.7µm、1.7µm之ETFE膜後，於經施行電暈處理之面上使用固體成分濃度2.4質量%之抗靜電層液來形成抗靜電層，接著使用固體成分濃度29質量%之脫模層液(1)來形成脫模層，從而獲得脫模膜。
[例5] 以與例1相同方式進行，惟，不使用原模輥之其中一者並調整製膜速度，製造兩表面之算術平均高度Sa分別為1.6µm、小於0.05µm之ETFE膜後，於算術平均高度Sa較高側之表面施行電暈處理，並進一步形成抗靜電層及脫模層，從而獲得脫模膜。
[例6] 以與例3相同方式進行，惟，使用固體成分濃度6.9質量%之抗靜電層液及固體成分濃度10質量%之脫模層液(1)，而獲得脫模膜。
[例7] 以與例6相同方式進行，惟，使用固體成分濃度2.6質量%之脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例8] 以與例3相同方式進行，惟，調整製膜速度，製造膜之厚度為70µm且兩表面之算術平均高度Sa分別為1.4µm、1.0µm之ETFE膜後，於算術平均高度Sa較高側之表面施行電暈處理，並進一步使用固體成分濃度5.0質量%之抗靜電層液來形成抗靜電層，接著使用固體成分濃度2.5質量%之脫模層液(1)來形成脫模層，從而獲得脫模膜。
[例9] 以與例8相同方式進行，惟，使用固體成分濃度5.6質量%之脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例10] 以與例8相同方式進行，惟，使用固體成分濃度7.2質量%之脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例11] 以與例1相同方式進行，惟，使用PMP膜來取代ETFE膜而獲得脫模膜。
[例12] 以與例1相同方式進行，惟，使用PET膜來取代ETFE膜，並使用固體成分濃度7.8質量%之脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例13] 以與例12相同方式進行，惟，使用SPS膜來取代ETFE膜而獲得脫模膜。
[例14] 以與例8相同方式進行，惟，使用固體成分濃度4.2質量%之抗靜電層液及固體成分濃度1.3質量%之脫模層液(1)，而獲得脫模膜。
[例15] 以與例1相同方式進行，惟，調整製膜速度，製造兩表面之算術平均高度Sa分別為1.6µm、1.6µm之ETFE膜，並使用固體成分濃度31質量%之脫模層液(1)，而獲得脫模膜。
[例16] 以與例3相同方式進行，惟，使用固體成分濃度6.9質量%之抗靜電層液及固體成分濃度36質量%之脫模層液(1)，而獲得脫模膜。
[例17] 以與例8相同方式進行，惟，使用固體成分濃度31質量%之脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例18] 以與例5相同方式進行，惟，使用固體成分濃度1.6質量%之抗靜電層液來形成抗靜電層，接著使用固體成分濃度20質量%之脫模層液(1)來形成脫模層，從而獲得脫模膜。
[例19] 以與例8相同方式進行，惟，不形成抗靜電層及脫模層而獲得脫模膜。
[例20] 以與例1相同方式進行，惟，不形成脫模層而獲得脫模膜。
[例21] 以與例3相同方式進行，惟，不形成脫模層而獲得脫模膜。
[例22] 以與例8相同方式進行，惟，不形成脫模層而獲得脫模膜。
[例23] 以與例5相同方式進行，惟，使用脫模層液(2-1)來取代脫模層液(1)，於算術平均高度Sa較低之表面側施行電暈處理，並且形成抗靜電層及脫模層，從而獲得脫模膜。
[例24] 以與例1相同方式進行，惟，使用脫模層液(2-1)來取代脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例25] 以與例1相同方式進行，惟，使用脫模層液(2-2)來取代脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例26] 以與例1相同方式進行，惟，使用脫模層液(3-1)來取代脫模層液(1)而獲得脫模膜。
[例27] 以與例1相同方式進行，惟，使用脫模層液(3-2)來取代脫模層液(1)而獲得脫模膜。
針對例1~27之脫模膜、使用該等脫模膜製作之密封體及經雷射標記之密封體進行上述評估。將結果列示於表1~3。
[表1]
[表2]
[表3]
如上述結果所示，例1~13及23~27之脫模膜係具備脫模層、抗靜電層及基材，脫模層之平均厚度大於0.1µm，且在第1面表面之10~35°範圍的存在分率(Φ)為0.12以上之例，其等例之脫模性及抗靜電性優異。又，使用例1~13及23~27之脫模膜所製造的密封體已抑制住因半導體封裝體表面之樹脂流動痕跡(流痕)或封裝體表面之傷痕造成之亮度異常，並且具有雷射標記視辨性優異之表面。
關於視辨性之一特徵，雷射標記部與非標記部之平均亮度之差若大則會產生對比，而改善視辨性。由上述評估結果可知，以對比變大的觀點來看，非標記部之平均亮度宜為100以下，更宜為95以下。另一方面可知，在非標記部中因封裝體表面之樹脂流動痕跡(流痕)或封裝體表面之傷痕而在一部分表面發生亮度變高之現象的話，會造成讀取率降低，因此非標記部之平均亮度宜為55以上，更宜為60以上。
吾等已詳細且參照特定實施態樣說明了本發明，但顯然熟知此項技藝之人士可在不脫離本發明精神與範圍下施予各種變更或修正。本申請案係立基於2023年2月3日提申之日本專利申請案(日本特願2023-015583)，並在此將其內容納入作為參考。
產業上之可利用性 本揭示之脫模膜具有優異之抗靜電性及從半導體封裝體脫模之脫模性，且可形成雷射標記視辨性優異之半導體封裝體表面。使用本揭示之脫模膜，可製造具有雷射標記視辨性優異之表面的半導體封裝體。
1A:整批密封體 10:基板 12:半導體晶片;半導體元件 14:樹脂密封部 19:硬化物 20:固定上模 22:模槽底面構件 24:可動下模 26,54:模槽 30:脫模膜 32:脫模膜表面之凹凸;凹凸 40:硬化性樹脂 50:上模 52:下模 56:模槽面 58:基板設置部 60:樹脂導入部 62:樹脂配置部 64:柱塞 L:法向量 N:法線 S:主面 θ:角度 Φ:存在分率
圖1係說明表面角度分布及10~35°範圍之存在分率(Φ)的圖。 圖2係針對脫模膜表面之凹凸之法向量與脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)進行說明的圖。 圖3係一剖面圖，其示意地說明壓縮成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖4係一剖面圖，其示意地說明壓縮成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖5係一剖面圖，其示意地說明壓縮成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖6係一剖面圖，其示意地說明轉注成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖7係一剖面圖，其示意地說明轉注成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖8係一剖面圖，其示意地說明轉注成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖9係一剖面圖，其示意地說明轉注成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖10係一剖面圖，其示意地說明轉注成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。 圖11係一剖面圖，其示意地說明轉注成形法之概略作為本揭示之半導體封裝體之製造方法之一例。
(無)

Claims (10)

  1. 一種脫模膜，依序具備脫模層、抗靜電層及基材； 前述脫模層之平均厚度大於0.1µm；且 以雷射顯微鏡測定前述脫模膜中之前述脫模層側表面之凹凸，並求出前述凹凸之法向量與前述脫模膜主面之法線所形成之角度(θ)的表面角度分布時，10~35°範圍之存在分率(Φ)為0.12以上。
  2. 如請求項1之脫模膜，其中前述基材之至少一面的算術平均高度Sa為0.9µm以上。
  3. 如請求項2之脫模膜，其中前述抗靜電層側之前述基材表面的算術平均高度Sa為1.2µm以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之脫模膜，其中前述脫模層中之粒子含有率為25體積%以下。
  5. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述基材包含氟樹脂。
  6. 如請求項5之脫模膜，其中前述氟樹脂包含乙烯-四氟乙烯共聚物。
  7. 如請求項1或2之脫模膜，其中前述脫模層側表面之表面電阻率為1×10 7~1×10 11Ω/□。
  8. 如請求項1或2之脫模膜，其在製造半導體封裝體時係配置於硬化性樹脂與模具面之間。
  9. 如請求項8之脫模膜，其中前述脫模膜中之前述脫模層側表面係與前述硬化性樹脂相接。
  10. 一種半導體封裝體之製造方法，該半導體封裝體具有半導體元件及密封前述半導體元件且由硬化性樹脂形成之樹脂密封部，該製造方法如下： 於模具之模槽內配置具備前述半導體元件之基板，並於前述模具之未配置前述基板之模槽面，將具備脫模層、抗靜電層及基材之如請求項1或2之脫模膜，以前述脫模層側表面朝向前述模槽內之空間之方式配置， 於前述模槽內填充前述硬化性樹脂，使前述硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成密封前述半導體元件之樹脂密封部。
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