TW202428779A

TW202428779A - 組合物

Info

Publication number: TW202428779A
Application number: TW112134793A
Authority: TW
Inventors: 横山大志; 能谷敦子; 尹鉉軫
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2022-09-14
Filing date: 2023-09-13
Publication date: 2024-07-16

Abstract

本發明係關於一種組合物，其包含聚矽氧烷。

Description

組合物

本發明係關於一種至少包含聚矽氧烷之組合物，較佳係關於一種形成保護層的組合物、用於製造組合物之方法、製造層之方法、層、電子裝置、使用化合物之方法，及使用組合物作為保護層之方法。

US2010 2010/0016488 A1揭示一種用於產生有機矽氧烷聚合物之方法，其包含在水解步驟中使三烷氧基矽烷及四烷氧基矽烷單體水解；及在聚合步驟中藉由使該等水解單體經受有助於聚合之條件進行聚合，以形成有機矽氧烷聚合物；其中該水解步驟在包含具有羥基之有機化合物的反應介質中進行。其亦揭示藉由用於光學及電氣塗層之方法產生之組合物的用途。

專利文獻1. US 2010/0016488 A1

然而，本發明人新近發現仍存在一或多個相當大的問題需要改良，如下文所列：獲得含聚矽氧烷之組合物，較佳為形成保護層的組合物，其展示類似於電子裝置之玻璃基板的改良介電常數，較佳具有最低濁度特性；獲得層或固化組合物，其展示類似於電子裝置之玻璃基板之改良介電常數，較佳具有最低濁度特性；獲得含聚矽氧烷之組合物，較佳為形成保護層的組合物，其使得足夠量之硫醇能夠良好分散於組合物中；獲得層或固化組合物，其中足夠量之硫醇良好分散於該層或固化組合物中；獲得含聚矽氧烷之組合物，較佳為形成保護層的組合物，其使得中溫或較低溫製程能夠於任何基板上，亦即PET、CPI、COP或偏光片上形成層或固化組合物、含聚矽氧烷之組合物的光滑塗層。

本發明人旨在解決上述問題中之一或多者。

隨後，發現所主張之新穎組合物，較佳為形成保護層的組合物，至少包含以下、基本上由以下組成或由以下組成： i) 聚矽氧烷；及 ii) 由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子。該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。

在另一態樣中，本發明係關於一種製造如前述技術方案中任一項之組合物的方法，其至少包含以下步驟： (I ^x) 混合聚矽氧烷；及由化學式(I)表示之化合物。

在另一態樣中，本發明係關於一種藉由或可藉由本發明方法獲得之組合物。

在另一態樣中，本發明係關於一種製造層的方法，其至少包含以下步驟、基本上由以下步驟組成或由以下步驟組成： (I ^Y) 提供本發明之組合物，較佳將本發明之組合物提供於基板、支撐層或電子裝置層上； (II ^Y) 加熱所提供之組合物以形成層，較佳以移除該組合物中之溶劑。

在另一態樣中，本發明係關於一種層，其由本發明之組合物經固化而獲得或藉由本發明之方法獲得。

在另一態樣中，本發明係關於一種至少包含以下、基本上由以下組成或由以下組成之層： i) 由聚矽氧烷製得之聚合物；及 ii) 由化學式(I)表示之化合物。

在另一態樣中，本發明係關於一種電子裝置，其至少包含本發明之層。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種使用化學式(I)之化合物作為含聚矽氧烷之組合物中之介電常數促進劑的方法。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種使用本發明之組合物作為用於電子裝置之形成保護層之組合物的方法。

本發明之其他優點將自以下實施方式變得顯而易見。

術語之定義在本說明書中，除非另外規定，否則符號、單位、縮寫及術語具有以下含義。

在本說明書中，除非另外特別提及，否則單數形式包括複數形式且「一個」或「彼」意謂「至少一個」。在本說明書中，除非另外特別提及，否則概念之元素可由複數個種類表示，且當描述量(例如質量%或莫耳%)時，其意謂該複數個種類的總和。「及/或」包括全部元素之組合且亦包括元素之單獨使用。

在本說明書中，當使用「至」或「-」指示數值範圍時，其包括兩個端點且其單位為共用的。舉例而言，5至25莫耳%意謂5莫耳%或更多及25莫耳%或更少。

在本說明書中，烴意謂包括碳及氫且視情況包括氧或氮的烴。烴基意謂單價或二價或更高價的烴。在本說明書中，脂族烴意謂直鏈、分支鏈或環狀脂族烴，且脂族烴基意謂單價或二價或更高價脂族烴。芳族烴意謂包含芳族環之烴，該芳族環可視情況不僅包含脂族烴基作為取代基，而且可與脂環縮合。芳族烴基意謂單價或二價或更高價芳族烴。此外，芳環意謂包含共軛不飽和環結構之烴，且脂環意謂具有環結構但不包含共軛不飽和環結構之烴。

在本說明書中，烷基意謂藉由自直鏈或分支鏈飽和烴移除任一個氫而獲得的基團且包括直鏈烷基及分支鏈烷基，且環烷基意謂藉由自包含環狀結構之飽和烴移除一個氫而獲得的基團，且在環狀結構中視情況包括直鏈或分支鏈烷基作為側鏈。

在本說明書中，芳基意謂藉由自芳族烴移除任一個氫而獲得的基團。伸烷基意謂藉由自直鏈或分支鏈飽和烴移除任何兩個氫而獲得的基團。伸芳基意謂藉由自芳族烴移除任何兩個氫而獲得之烴基。

在本說明書中，當聚合物具有複數個類型的重複單元時，此等重複單元共聚合。此等共聚合為交替共聚合、無規共聚合、嵌段共聚合、接枝共聚合或任何此等共聚合之混合中之任一者。

在本說明書中，攝氏度用作溫度單位。舉例而言，20℃、20度意謂20攝氏度。

根據本發明，在一個態樣中，較佳為形成保護層之組合物之組合物至少包含以下、基本上由以下組成或由以下組成： i) 聚矽氧烷；及 ii) 由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子。該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。

組合物在本發明之一較佳實施例中，組合物之固體內容物之介電常數(ε _r)為3.5或更高及7或更低，其較佳為3.9或更高至6.5，更佳為4.0或更高，其較佳為6.5或更低，更佳為6或更低。較佳地，自實現組合物及所得層之高介電常數的觀點而言，組合物之固體內容物之該介電常數(ε _r)係藉由以下方法量測。

根據本發明，組合物之固體內容物之該介電常數(ε _r)係藉由以下方法量測。

1) 樣本製備及介電常數量測將該組合物塗佈於選自Al、Si或Mo之導電晶圓上；使用Ag或Al，藉由濺鍍或氣相沉積，將電極安置於所塗組合物上以形成樣本：藉由將針式探測器分別附接至導電晶圓之表面及所塗組合物上之頂部電極，量測樣本之介電常數。

2) 量測條件；介電常數係藉由LCR儀錶(E4980A，Agilent (Korea)/6440B，Toyo technical (Japan))量測，其中在室溫下施加特定範圍之頻率(50~1 MHz)且讀出LCR儀錶中指示之電容。介電常數值係藉由以下方程式計算：C=KA/d (C=電容，K=介電常數，A=電極之有效面積，d=電極之間的距離)。

ii) 式 (I) 之化合物根據本發明，可使用由化學式(I)表示之任何公開可用的化合物。

咸信此類化合物在膜表面中及/或膜表面上形成二維結構且提供較高介電常數，及/或此類化合物藉由有效的強氫鍵結共軛而規則地配向。

較佳地，化合物之分子量(Mw)為250或更小，較佳在30至250範圍內，更佳在100至200範圍內。

咸信上述分子量可實現式(I)之化合物於聚矽氧烷中之分散度改良及與聚矽氧烷之良好相容性。且其可使得組合物及自組合物獲得之層的濁度值較低。

在本發明之一較佳實施例中，以組合物中之聚矽氧烷之總量計，式(I)之化合物之總量在0.01至40重量%範圍內，其較佳在0.1至20重量%範圍內，更佳在0.5至5.0重量%範圍內。

咸信，以組合物中之聚矽氧烷之總量計，化合物之上述總量可實現式(I)之化合物於組合物及所得層中之分散性的進一步改良，以及自組合物獲得之層之較低濁度值，以及組合物及所得層之類似於玻璃基板之介電常數之最佳高值。

根據本發明，式(I)之Z ^X1較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H或OR ^x3； R ^x2為H或OR ^x3； R ^x3為H、具有1至3個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺組成之群的單價金屬陽離子，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺；較佳地，該化合物為選自以下之側氧基碳酸：三角酸(deltic acid)、方形酸(squaric acid)、克酮酸(croconic acid)、玫棕酸(rhodizonic acid)或七角酸(heptagonic acid)，該側氧基碳酸較佳為方形酸或克酮酸；側氧基碳酸衍生物，該側氧基碳酸衍生物較佳為3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮(方形酸二乙酯)；3,4-二丁氧基-3-環丁烯-1,2-二酮(方形酸二丁基酯)、克酮酸二鈉鹽、玫棕酸二鉀；順丁烯二酸酐或其中之任一者之組合。

i) 聚矽氧烷根據本發明，可使用任何公開可用的聚矽氧烷。較佳地，聚矽氧烷包含化學式(I ^a)之重複單元。 (I ^a) 其中 R ^Ia為氫、C _1-30(較佳為C _1-10)直鏈、C _3-30(較佳為C _3-10)分支鏈或環狀飽和或不飽和之脂族烴基或芳族烴基，該脂族烴基及該芳族烴基各自未經取代或經氟、羥基或烷氧基取代，且在該脂族烴基及該芳族烴基中，亞甲基未經置換，或一或多個亞甲基經氧基、亞胺基或羰基置換，其限制條件為R ^Ia既不為羥基亦不為烷氧基。

在此，上述亞甲基亦包括末端甲基。

此外，上文所描述的「經氟、羥基或烷氧基取代」意謂直接鍵結於脂族烴基及芳族烴基中之碳原子的氫原子經氟、羥基或烷氧基置換。在本說明書中，上述內容適用於其他類似描述。

在本發明之更佳實施例中，在由式(I ^a)表示之重複單元中，R ^Ia包括例如(i)烷基，諸如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基及癸基，(ii)芳基，諸如苯基、甲苯基及苯甲基，(iii)氟烷基，諸如三氟甲基、2,2,2-三氟乙基及3,3,3-三氟丙基，(iv)氟芳基，(v)環烷基，諸如環己基，(vi)具有胺基或醯亞胺結構之含氮基團，諸如異氰酸根及胺基，及(vii)具有環氧結構，諸如縮水甘油基或丙烯醯基結構或甲基丙烯醯基結構的含氧基團。其較佳為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及苯基。其中R ^Ia為甲基的化合物較佳，因為其原料容易獲得，其在固化後之膜硬度高且其具有高化學抗性。此外，其中R ^Ia為苯基的化合物較佳，因為其增加聚矽氧烷於溶劑中之溶解度且固化薄膜變得幾乎不可能破裂。

在本發明之一較佳實施例中，本發明中使用之聚矽氧烷可進一步包含由式(l ^b)表示之重複單元： (I ^b) 其中 R ^Ib為藉由自具有胺基、亞胺基及/或羰基之含氮及/或含氧環脂族烴化合物移除複數個氫而獲得的基團。

在式(lb)中，R ^Ib較佳為藉由自較佳具有亞胺基及/或羰基之含氮脂族烴環、更佳含有氮作為成員之5員或6員環移除複數個氫，較佳兩個或三個氫而獲得的基團。例如，藉由自哌啶、吡咯啶或三聚異氰酸酯移除兩個或三個氫而獲得之基團。R ^Ib與包括於複數個重複單元中的Si彼此連接。

在本發明之一較佳實施例中，本發明中使用之聚矽氧烷可進一步包含由式(I ^c)表示之重複單元： (I ^c)

當由式(I ^b)及(I ^c)表示之重複單元之混合比率高時，與溶劑及添加劑之相容性降低，且膜應力增加，使得有時容易產生裂縫。因此，以聚矽氧烷之重複單元之總數目計，其較佳為40莫耳%或更低，更佳為20莫耳%或更低。

根據本發明，在一些實施例中，本發明中使用之聚矽氧烷可進一步包含由式(I ^d)表示之重複單元： (I ^d) 其中 R ^Id各自獨立地表示氫、C _1-30(較佳為C _1-10)直鏈、C _3-30(較佳為C _3-10)分支鏈或環狀飽和或不飽和之脂族烴基或芳族烴基；該脂族烴基及該芳族烴基各自未經取代或經氟、羥基或烷氧基取代，且在該脂族烴基及該芳族烴基中，亞甲基未經置換或經氧基、醯亞胺或羰基置換。

在由式(I ^d)表示之重複單元中，R ^Id包括例如(i)烷基，諸如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基及癸基，(ii)芳基，諸如苯基、甲苯基及苯甲基，(iii)氟烷基，諸如三氟甲基、2,2,2-三氟乙基及3,3,3-三氟丙基，(iv)氟芳基，(v)環烷基，諸如環己基，(vi)具有胺基或醯亞胺結構之含氮基團，諸如異氰酸根及胺基，及(vii)具有環氧結構，諸如縮水甘油基或丙烯醯基結構或甲基丙烯醯基結構的含氧基團。其較佳為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及苯基。其中R ^Id為甲基的化合物較佳，因為其原料容易獲得，其在固化後之膜硬度高且其具有高化學抗性。此外，其中R ^Id為苯基的化合物較佳，因為其增加聚矽氧烷於溶劑中之溶解度且固化薄膜變得幾乎不可能破裂。

藉由具有上式(I ^d)之重複單元，可使根據本發明之聚矽氧烷部分地具有線性結構。

然而，由於耐熱性降低，故線性結構部分少為較佳。特定言之，以聚矽氧烷之重複單元之總數目計，式(I ^d)之重複單元較佳為30莫耳%或更低、更佳為5莫耳%或更低。不具有式(I ^d)之重複單元(0莫耳%)亦為本發明之一個態樣。

聚矽氧烷進一步包含化學式(I ^e)之重複單元。 (I ^e) 其中 R ^Ie為具有1至5個碳原子之直鏈烷基、具有3至7個碳原子之分支鏈烷基，其中該直鏈烷基或該分支鏈烷基之一或多個非鄰接CH ₂基團可經C=CH2、C=O或OH置換，或具有1至5個碳原子之該直鏈烷基或具有3至7個碳原子之分支鏈烷基之末端CH ₃基團可經C=CH ₃置換，R ^Ie較佳為具有1至4個碳原子之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之分支鏈烷基，其更佳為具有3至5個碳原子之分支鏈烷基，其更佳為具有3個碳原子之分支鏈烷基，更佳地，具有1至5個碳原子之該直鏈烷基或具有3至7個碳原子之該分支鏈烷基中之至少一個CH ₂基團經C=CH ₂置換，或具有1至5個碳原子之該直鏈烷基或具有3至7個碳原子之該分支鏈烷基之末端CH ₃基團可經C=CH ₃置換，R ^Ie更佳為C=CH ₃或C=CH ₂-CH ₃，最佳地，該化學式(I ^e)為或； ma各自獨立地為1至6之整數，其較佳為2至5之整數，其更佳為3。

咸信此類經丙烯酸官能取代之矽氧烷聚合物可產生較高介電常數。換言之，含有式(I ^e)之重複單元的矽氧烷聚合物可產生較高介電常數。作為含有式(Ie)之重複單元的矽氧烷聚合物，較佳可使用公開可用的矽氧烷聚合物。諸如來自Torey fine chemical之矽氧烷聚合物、來自Merck之矽氧烷聚合物，

本發明中使用之聚矽氧烷可含有兩種或更多種類型之上文所提及之重複單元。舉例而言，其可含有三種類型之重複單元，其具有其中R ^Ia為甲基或苯基的由式(Ia)表示之重複單元，及由式(I ^c)表示之重複單元。

另外，根據本發明之組合物中使用之聚矽氧烷較佳具有矽烷醇。本文中，矽烷醇係指其中OH基團直接鍵結於聚矽氧烷之Si骨架之矽烷醇及其中羥基直接連接至包含諸如上式(I ^a)至(I ^d)之重複單元的聚矽氧烷中之矽原子的矽烷醇。亦即，矽烷醇藉由使上式(I ^a)至(I ^d)中的-O0.5H鍵結至-O0.5-而構成。聚矽氧烷中矽烷醇之含量視合成聚矽氧烷之條件而變化，例如單體之混合比率、反應催化劑之類型及其類似者。

此矽烷醇之含量可藉由定量紅外吸收光譜量測評估。指派至矽烷醇(SiOH)之吸收帶在紅外吸收光譜中呈現為峰值處於900±100 cm ^- ¹範圍內的吸收帶。當矽烷醇之含量高時，此吸收帶之強度增加。

咸信矽烷醇高度殘留的矽氧烷聚合物有效地將式(I)之化合物很好地分散於組合物/所得膜中。

在本發明中，為了定量評估矽烷醇含量，指派給Si-0之吸收帶之強度用作參考。峰值在1100 ± 100 cm ^-1範圍內的吸收帶用作指派給Si-O之峰。矽烷醇含量可相對地藉由S2/S1比率評估，該比率為指派給SiOH之吸收帶之積分強度S2與指派給Si-O之吸收帶之積分強度SI的比率。在本發明中，S2/S1比率較佳為0.003至0.15，更佳為0.01至0.10。

考慮到紅外吸收光譜中之雜訊而測定吸收帶之積分強度。在聚矽氧烷之典型紅外吸收光譜中，確認指派給Si-OH的具有900 ± 100 cm ^-1範圍內之峰的吸收帶及指派給Si-0的具有1100 ± 100 cm ^-1範圍內之峰的吸收帶。此等吸收帶之積分強度可在考慮到基線的情況下(其中考慮了雜訊及其類似者)以面積形式量測。附帶言之，有可能的是，指派給Si-OH之吸收帶之底部與指派給Si-0之吸收帶之底部重疊；然而，在此情況下，將對應於光譜中兩個吸收帶之間的最小點的波數設定為其邊界。上述情況適用於另一吸收帶之底部與指派給Si-OH或Si-O之吸收帶之底部重疊的情況。

本發明中使用之聚矽氧烷之質量平均分子量不受特定限制。然而，分子量越高，塗層特性往往改良越多。另一方面，分子量越低，受限制的合成條件越少，使得合成容易，且難以合成具有極高分子量之聚矽氧烷。出於此等原因，自有機溶劑中之溶解度之觀點出發，聚矽氧烷之質量平均分子量通常為500至25,000，且較佳為1,000至20,000。本文中，質量平均分子量意謂就聚苯乙烯而言之質量平均分子量，其可藉由凝膠滲透層析基於聚苯乙烯量測。

如上文所陳述，較佳可使用屬於以上定義的公開可用之聚矽氧烷，例如，如WO 2021/099236 A1、EP 3717966 B1中所描述。

溶劑在本發明之一較佳實施例中，自改良處理、塗佈、在串排時或在製造層時組合物之塗佈的角度來看，組合物可進一步包含溶劑。或自提供無溶劑組合物之角度來看，以組合物之聚矽氧烷之總量計，組合物含有5重量%或更低之溶劑，較佳地，組合物不含有任何溶劑。

較佳地，該溶劑係選自由以下組成之群之一或多個成員：丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇二乙酸酯、二甘醇單己醚及3-甲氧基丙酸甲酯、甲基異丁基酮、甲基乙基酮，胺型溶劑較佳選自以下組成之群之一或多個成員：N-甲基吡咯啶酮(NMP)、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺(DMA)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)、六甲基磷醯三胺(HMPA)、乙腈，其更佳為N-甲基吡咯啶酮(NMP)或3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺。

咸信，以上所選溶劑具有良好的與組合物之相容性、沸點、黏度及/或蒸汽壓，從而實現適合於低溫製造層的組合物之更佳處理，及/或實現容易之製造。

咸信胺型溶劑，較佳為非質子極性溶劑，較佳選自由以下組成之群之一或多個成員：N-甲基吡咯啶酮(NMP)、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺(DMA)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)、六甲基磷醯三胺(HMPA)、乙腈，其更佳為N-甲基吡咯啶酮(NMP)或3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺；可改良式(I)之化合物於聚合物組合物中及/或所得層中之分散性。

因此，在本發明之一較佳實施例中，該溶劑含有至少一種選自由以下組成之群之一或多個成員的胺型溶劑：N-甲基吡咯啶酮(NMP)、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺(DMA)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)、六甲基磷醯三胺(HMPA)、乙腈，該胺型溶劑較佳為N-甲基吡咯啶酮(NMP)或3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺。

較佳地，該溶劑可進一步含有選自由以下組成之群之一或多個成員的另一溶劑：丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇二乙酸酯、二甘醇單己醚及3-甲氧基丙酸甲酯、甲基異丁基酮、甲基乙基酮及γ-丁內酯。

在本發明之一較佳實施例中，以聚矽氧烷之總量計，溶劑之總量為0至300重量%。當組合物含有溶劑時，較佳為0.1至150重量%，更佳為10至90重量%。

添加劑在本發明之一些實施例中，組合物視情況可進一步包含一或多種添加劑。此類添加劑可選自由以下組成之群之一或多個成員：例如界面活性劑、黏著促進劑、矽烷偶合劑、熱酸產生劑、熱鹼產生劑、可交聯單體及聚合起始劑。較佳可使用公開可用的添加劑，如EP 3717966 A1或WO 2021/099236 A1中所描述。由於該添加劑對於本發明並非必選，故以聚矽氧烷之總量計，組合物中或層中之添加劑之量較佳為5重量%或更低，更佳為1重量%或更低。組合物及/或自組合物獲得之層可不含有任何該等添加劑。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種製造本發明之組合物的方法，其至少包含以下步驟、基本上由以下步驟組成或由以下步驟組成： (I ^x) 混合聚矽氧烷；及由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，其較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子。該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。

化合物及聚矽氧烷之詳細說明(包括較佳量)指示於上文章節ii)式(I)之化合物及i)聚矽氧烷中。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種藉由或可藉由上文所描述之製造組合物之方法獲得的組合物。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種製造層的方法，其至少包含以下步驟、基本上由以下步驟組成或由以下步驟組成： (I ^Y) 提供本發明之組合物，較佳將本發明之組合物提供於基板、支撐層或電子裝置層上； (II ^Y) 加熱所提供之組合物以形成層，較佳以移除該組合物中之溶劑，該加熱較佳在60至140℃範圍內、更佳在80至130℃範圍內之溫度下進行。 (III ^Y) 視情況用紫外(UV)光輻照所提供之組合物以固化。

根據本發明，該UV光為具有250-450 nm範圍內之峰值光波長的光。

在另一態樣中，本發明進一步係關於本發明之組合物藉由固化而獲得的層或藉由上述製造層之方法獲得的層。較佳地，該層為電氣裝置之保護層。較佳地，該固化為熱固化及/或UV光固化。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種至少包含以下、基本上由以下組成或由以下組成之層： i) 由聚矽氧烷製得之聚合物；及由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，其較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子。該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。

式(I)之化合物及聚矽氧烷之詳細說明(包括較佳量)指示於上文章節ii)式(I)之化合物及i)聚矽氧烷中。

在本發明之一較佳實施例中，層之固體內容物的介電常數(ε _r)為3.5或更高及7或更低，其較佳為3.9或更高至6.5，更佳為4.0或更高，其較佳為6.5或更低，更佳為6或更低。其較佳在3.5至7範圍內，其更佳在3.6至6.5範圍內，甚至更佳在4至6範圍內。

咸信，當層用作裝置(亦即電子裝置，諸如OLED、LCD)之保護層時，層之固體內容物的上述介電常數(ε _r)實現層之觸控靈敏度改良，類似於玻璃基板。

層之介電常數係如上文於 組合物章節中所描述而量測。

在本發明之一較佳實施例中，層之濁度值小於100%，其較佳在0.01至10%範圍內，更佳在0.1至5%範圍內。

根據本發明，該濁度值係使用具有積分球之濁度量測系統(NDH-7000，Nippon Denshoku，Japan，光源白色LED 3W，波長範圍380~780 nm)於空氣中在室溫下量測。樣本厚度介於2 μm與700 μm之間。特定言之，其為700 μm。

.用於透射率及濁度量測之積分球之示意圖，總透射率( T _T ) T _T= T _P+ T _D ，濁度( H) H =T _D/T _T 。

平行透射率( T _P )係藉由量測與樣本在球體中之位置相對的位置處之光強度而測定，且總透射率( T _T )，包括繞射光透射率( T _D )及 T _P ，係使用方程式 T _T = T _P + T _D 藉由量測穿過樣本之光而獲得。樣本中之光散射度，亦即濁度( H)定義為 H= T _D / T _T 。量測透射率及濁度。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種電子裝置，其至少包含本發明之層，較佳地，該電子裝置包含光調變層或發光層，較佳地，該層置於電子裝置之最外表面上。更佳地，其為電子裝置之光提取側(檢視側)。較佳地，該電子裝置不包含護罩玻璃基板且使用層代替護罩玻璃基板來實現具有良好接觸靈敏度，較佳具有較低濁度值的無護罩玻璃之電子裝置。

在另一態樣中，本發明進一步係關於一種使用本發明之組合物作為用於電子裝置之形成保護層之組合物，較佳使用組合物代替該電子裝置之上玻璃基板的方法。

較佳實施例1. 一種組合物，較佳為形成保護層之組合物，其至少包含以下、基本上由以下組成或由以下組成： i) 聚矽氧烷；及 ii) 由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子。該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。 2. 如實施例1之組合物，其中該化合物之分子量(Mw)為250或更低，較佳在30至250範圍內，更佳在100至200範圍內。 3. 如實施例1或2之組合物，其中以該組合物中之聚矽氧烷之總量計，該式(I)之化合物之總量在0.01至40重量%範圍內，其較佳在0.1至20重量%範圍內，更佳在0.3至5.0重量%範圍內。 4. 如前述實施例中任一項之組合物，其中該組合物之固體內容物的介電常數(ε _r)為3.5或更高及7或更低，其較佳為3.9或更高至6.5，更佳為4.0或更高，其較佳為6.5或更低，更佳為6或更低。較佳地，該組合物之固體內容物的該介電常數(ε _r)係藉由以下方法量測： 1) 樣本製備及介電常數量測將該組合物塗佈於選自Al、Si或Mo之導電晶圓上；使用Ag或Al，藉由濺鍍或氣相沉積，將電極安置於所塗組合物上以形成樣本：藉由將針式探測器分別附接至導電晶圓之表面及所塗組合物上之頂部電極，量測樣本之介電常數。 2) 量測條件；介電常數係藉由LCR儀錶(E4980A，Agilent (Korea)/6440B，Toyo technical (Japan))量測，其中在室溫下施加特定範圍之頻率(50~1 MHz)且讀出LCR儀錶中指示之電容。介電常數值係藉由以下方程式C=KA/d (C=電容，K=介電常數，A=電極之有效面積，d=電極之間的距離)計算 5.如前述實施例中任一項之組合物， Z ^X1係選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H或OR ^x3； R ^x2為H或OR ^x3； R ^x3為H、具有1至3個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺組成之群的單價金屬陽離子，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺；較佳地，該化合物為選自以下之側氧基碳酸：三角酸、方形酸、克酮酸、玫棕酸或七角酸，該側氧基碳酸較佳為方形酸或克酮酸；側氧基碳酸衍生物，該側氧基碳酸衍生物較佳為3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮(方形酸二乙酯)；3,4-二丁氧基-3-環丁烯-1,2-二酮(方形酸二丁基酯)、克酮酸二鈉鹽、玫棕酸二鉀；順丁烯二酸酐或其中之任一者之組合。 6. 如前述實施例中任一項之組合物，其中該聚矽氧烷包含化學式(I ^a)之重複單元： (I ^a) 其中 R ^Ia為氫、C _1-30(較佳為C _1-10)直鏈、C _3-30(較佳為C _3-10)分支鏈或環狀飽和或不飽和之脂族烴基或芳族烴基，該脂族烴基及該芳族烴基各自未經取代或經氟、羥基或烷氧基取代，且在該脂族烴基及該芳族烴基中，亞甲基未經置換，或一或多個亞甲基經氧基、亞胺基或羰基置換，其限制條件為R ^Ia既非羥基，亦非烷氧基。 7. 如前述實施例中任一項之組合物，其中該聚矽氧烷包含化學式(I ^b)之重複單元： (I ^b) 其中 R ^Ib為藉由自具有胺基、亞胺基及/或羰基之含氮及/或含氧環脂族烴化合物移除複數個氫而獲得的基團。 R ^Ib較佳為藉由自較佳具有亞胺基及/或羰基之含氮脂族烴環、更佳含有氮作為成員之5員或6員環移除複數個氫，較佳兩個或三個氫而獲得的基團。例如，藉由自哌啶、吡咯啶或三聚異氰酸酯移除兩個或三個氫而獲得之基團。R ^Ib與包括於複數個重複單元中的Si彼此連接。 8. 如前述實施例中任一項之組合物，其中該聚矽氧烷包含化學式(I ^c)之重複單元： (I ^c)。 9. 如前述實施例中任一項之組合物，其中該聚矽氧烷包含化學式(I ^d)之重複單元： (I ^d) 其中 R ^Id各自獨立地表示氫、C _1-30(較佳為C _1-10)直鏈、C _3-30(較佳為C _3-10)分支鏈或環狀飽和或不飽和之脂族烴基或芳族烴基；該脂族烴基及芳族烴基各自未經取代或經氟、羥基或烷氧基取代，且在該脂族烴基及該芳族烴基中，亞甲基未經置換或經氧基、醯亞胺或羰基置換。 10. 如前述實施例中任一項之組合物，其中該聚矽氧烷包含化學式(I ^e)之重複單元： (I ^e) 其中 R ^Ie為具有1至5個碳原子之直鏈烷基、具有3至7個碳原子之分支鏈烷基，其中該直鏈烷基或該分支鏈烷基之一或多個非鄰接CH ₂基團可經C=CH2、C=O或OH置換，或具有1至5個碳原子之該直鏈烷基或具有3至7個碳原子之分支鏈烷基之末端CH ₃基團可經C=CH ₃置換，R ^Ie較佳為具有1至4個碳原子之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之分支鏈烷基，其更佳為具有3至5個碳原子之分支鏈烷基，其更佳為具有3個碳原子之分支鏈烷基，更佳地，具有1至5個碳原子之該直鏈烷基或具有3至7個碳原子之該分支鏈烷基中的至少一個CH ₂基團經C=CH ₂置換，或具有1至5個碳原子之該直鏈烷基或具有3至7個碳原子之該分支鏈烷基之末端CH ₃基團可經C=CH ₃置換，R ^Ie更佳為C=CH ₃或C=CH ₂-CH ₃，最佳地，該化學式(I ^e)為或； ma各自獨立地為1至6之整數，其較佳為2至5之整數，其更佳為3。 11. 如前述實施例中任一項之組合物，該組合物進一步包含添加劑。 12. 如前述實施例中任一項之組合物，其進一步包含溶劑。較佳地，該溶劑係選自由以下組成之群之一或多個成員：丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇二乙酸酯、二甘醇單己醚及3-甲氧基丙酸甲酯、甲基異丁基酮、甲基乙基酮，胺型溶劑較佳選自由以下組成之群之一或多個成員：N-甲基吡咯啶酮(NMP)、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺(DMA)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、二甲亞碸(DMSO)、乙腈，其更佳為N-甲基吡咯啶酮(NMP)或3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺。 13. 一種製造如前述實施例中任一項之組合物的方法，其至少包含以下步驟、基本上由以下步驟組成或由以下步驟組成： (I ^x) 混合聚矽氧烷；及由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳地選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子。該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。 14. 一種組合物，其藉由或可藉由如實施例13之方法獲得。 15. 一種製造層的方法，其至少包含以下步驟： (I ^Y) 提供如實施例1至12及14中任一項之組合物，較佳將該組合物提供於基板、支撐層或電子裝置層上； (II ^Y) 加熱所提供之組合物以形成層，較佳以移除該組合物中之溶劑，該加熱較佳在60至140℃範圍內、更佳在80至130℃範圍內之溫度下進行。 16. 一種層，其由如實施例1至12及14中任一項之組合物經固化而獲得或藉由實施例15之方法獲得。較佳地，該層為電氣裝置之保護層。較佳地，該固化為熱固化。 17. 一種層，其至少包含： i) 由聚矽氧烷製得之聚合物；及 ii) 由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子。該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。 18. 如實施例16或17之層，其中該層之固體內容物的介電常數(ε _r)為3.5或更高及7或更低，其較佳為3.9或更高至6.5，更佳為4.0或更高，其較佳為6.5或更低，更佳為6或更低。其較佳在3.5至7範圍內，其更佳在3.6至6.5範圍內，甚至更佳在4至6範圍內。 19. 如實施例16至18中任一項之層，其中該層之濁度值小於100%，其較佳在0.01至10%範圍內，更佳在0.1至5%範圍內。其中該濁度值係使用具有積分球之濁度量測系統(NDH-7000，Nippon Denshoku，Japan，光源白色LED 3W，波長範圍380~780 nm)於空氣中在室溫下量測。 .用於透射率及濁度量測之積分球之示意圖，總透射率( T _T ) T _T= T _P+ T _D ，濁度( H) H =T _D/T _T 。平行透射率( T _P )係藉由量測與樣本在球體中之位置相對的位置處之光強度而測定，且總透射率( T _T )，包括繞射光透射率( T _D )及 T _P ，係使用方程式 T _T = T _P + T _D 藉由量測穿過樣本之光而獲得。樣本中之光散射度，亦即濁度( H)定義為 H= T _D / T _T 。量測透射率及濁度。 20. 一種電子裝置，其至少包含如實施例16至19中任一項之層，較佳地，該電子裝置包含光調變層或發光層，較佳地，該層置放於電子裝置之最外表面上。更佳地，其為電子裝置之光提取側(檢視側)。 21. 一種使用化學式(I)之化合物作為含聚矽氧烷之組合物中之介電常數促進劑的方法。 22. 一種使用如實施例1至12及14中任一項之組合物作為用於電子裝置之形成保護層之組合物，較佳使用組合物代替該電子裝置之上玻璃基板的方法。

本發明之技術效果本發明提供以下技術效果中之一或多者：獲得含聚矽氧烷之組合物，較佳為形成保護層之組合物，其展示類似於電子裝置之玻璃基板的改良介電常數，較佳具有最低濁度特性；獲得層或固化組合物，其展示類似於電子裝置之玻璃基板之改良介電常數，較佳具有最低濁度特性；獲得含聚矽氧烷之組合物，較佳為形成保護層之組合物，其使得足夠量之硫醇能夠良好分散於組合物中；獲得層或固化組合物，其中足夠量之硫醇良好分散於該層或固化組合物中；獲得含聚矽氧烷之組合物，較佳為形成保護層之組合物，其使得中溫或較低溫製程能夠於任何基板上，亦即PET、CPI、COP或偏光片上形成層或固化組合物、含聚矽氧烷之組合物的光滑塗層。

工作實例以下工作實例提供本發明之描述，以及其製造之詳細描述。然而，本發明不限於此等工作實例。

工作實例 1 ：混合樣本製備在丙二醇單甲醚乙酸酯及N-甲基吡咯啶酮(NMP)之混合物存在下，以聚矽氧烷之總量計，將來自Merck之由以下化學式表示的聚矽氧烷聚合物與0.5重量% (樣本1-1)、1重量% (樣本1-2)及2重量% (樣本1-3)之作為式(I)之化合物之方形酸混合(該矽氧烷聚合物及式(I)之化合物之總重量:溶劑混合物=3:7)。在混合上述化合物之後，藉由旋轉塗佈將其分別塗佈於經Al沉積之矽晶圓上以獲得樣本。隨後，在120℃固化製程下蒸發溶劑混合物以獲得樣本1-1 (0.5重量%之方形酸)、樣本1-2 (1重量%之方形酸)及樣本1-3 (2重量%之方形酸)。 a:b:c:d=2:4:3:1

工作實例 2 至 4：混合樣本製備除了使用下文列出的化合物代替方形酸以外，以與工作實例1中所描述之相同方式執行工作實例2至4。隨後在各工作實例中獲得含有0.5重量%化合物之樣本(樣本2-1、3-1、4-1)、含有1重量%化合物之樣本(樣本2-2、3-2、4-2)及含有2重量%化合物之樣本(樣本2-3、3-3、4-3)。

-工作實例1至4中所用之由化學式(I)表示之化合物比較實例1：不使用含硫醇化合物工作實例1：方形酸工作實例2：3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮工作實例3：克酮酸工作實例4：順丁烯二酸酐

比較實例 1 ：參考樣本製備以與工作實例1中所描述相同之方式製備參考樣本，但其中不添加式(I)之化合物/式(I)之化合物不與矽氧烷聚合物混合，並且使用以下聚合物作為矽氧烷聚合物。隨後獲得參考樣本1。 n=0.5、m=0.4、l=0.1

比較實例 2 ：參考樣本製備以與工作實例1中所描述相同之方式製備參考樣本，但其中不添加式(I)之化合物/式(I)之化合物不與矽氧烷聚合物混合。隨後獲得參考樣本2。

工作實例 5 ：來自工作實例1至4及比較實例1之樣本之介電常數的量測介電常數係藉由LCR儀錶(E4980A，Agilent (Korea)/6440B，Toyo technical (Japan))量測，其中在室溫下施加特定範圍之頻率(50~1 MHz)且讀出LCR儀錶中指示之電容。介電常數值係藉由以下方程式C=KA/d (C=電容，K=介電常數，A=電極之有效面積，d=電極之間的距離)計算

下表1展示量測之結果。表1：

樣本名稱	式(I)之化合物	化合物之重量%	介電常數
參考樣本1	無化合物	0	3.40
參考樣本2	無化合物	0	3.50
樣本1-1	方形酸	0.5	3.94
樣本1-2	方形酸	1	3.92
樣本1-3	方形酸	2	4.04
樣本2-1	3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮	0.5	4.28
樣本2-2	3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮	1	4.30
樣本2-3	3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮	2	4.37
樣本3-1	克酮酸	0.5	4.04
樣本3-2	克酮酸	1	4.24
樣本3-3	克酮酸	2	4.37
樣本4-1	順丁烯二酸酐	0.5	4.04
樣本4-2	順丁烯二酸酐	1	4.24
樣本4-3	順丁烯二酸酐	2	4.37

如上表1所展示，式(I)之化合物，較佳用於樣本1至4中之化合物顯著增大聚矽氧烷組合物之介電常數。且咸信其可有助於無玻璃電子裝置(諸如無觸控玻璃OLED概念)之觸摸靈敏度。

Claims

一種組合物，較佳為形成保護層之組合物，其至少包含： i) 聚矽氧烷；及 ii) 由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子，該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。
如請求項1之組合物，其中該化合物之分子量(Mw)為250或更低。
如請求項1或2之組合物，其中以該組合物中之聚矽氧烷之總量計，該化合物之總量在0.01至40重量%範圍內。
如前述請求項中任一項之組合物，其中該組合物之固體內容物的介電常數(ε _r)為3.5或更高及7或更低，其較佳為3.9或更高至6.5，更佳為4.0或更高，其較佳為6.5或更低，更佳為6或更低。
如前述請求項中任一項之組合物，Z ^X1係選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H或OR ^x3； R ^x2為H或OR ^x3； R ^x3為H、具有1至3個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺組成之群的單價金屬陽離子，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺；較佳地，該化合物為選自以下之側氧基碳酸(oxocabonic acid)：三角酸(deltic acid)、方形酸(squaric acid)、克酮酸(croconic acid)、玫棕酸(rhodizonic acid)或七角酸(heptagonic acid)，該側氧基碳酸較佳為方形酸或克酮酸；側氧基碳酸衍生物，該側氧基碳酸衍生物較佳為3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮(方形酸二乙酯)；3,4-二丁氧基-3-環丁烯-1,2-二酮(方形酸二丁基酯)、克酮酸二鈉鹽、玫棕酸二鉀；順丁烯二酸酐或其中之任一者之組合。
如前述請求項中任一項之組合物，其中該聚矽氧烷包含化學式(I ^a)之重複單元： (I ^a) 其中 R ^Ia為氫、C _1-30(較佳為C _1-10)直鏈、C _3-30(較佳為C _3-10)分支鏈或環狀飽和或不飽和之脂族烴基或芳族烴基，該脂族烴基及該芳族烴基各自未經取代或經氟、羥基或烷氧基取代，且在該脂族烴基及該芳族烴基中，亞甲基未經置換，或一或多個亞甲基經氧基、亞胺基或羰基置換，其限制條件為R ^Ia既非羥基、亦非烷氧基。
如前述請求項中任一項之組合物，其中該聚矽氧烷包含化學式(I ^b)之重複單元： (I ^b) 其中 R ^Ib為藉由自具有胺基、亞胺基及/或羰基之含氮及/或含氧環脂族烴化合物移除複數個氫而獲得的基團； R ^Ib較佳為藉由自較佳具有亞胺基及/或羰基之含氮脂族烴環、更佳含有氮作為成員之5員或6員環移除複數個氫，較佳兩個或三個氫而獲得的基團，例如自哌啶、吡咯啶或三聚異氰酸酯移除兩個或三個氫而獲得的基團，R ^Ib與包括於複數個重複單元中的Si彼此連接。
如前述請求項中任一項之組合物，其進一步包含溶劑。
一種製造如前述請求項中任一項之組合物的方法，其至少包含以下步驟： (I ^x) 混合聚矽氧烷；及由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子，該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。
一種製造層的方法，其至少包含以下步驟： (I ^Y) 提供如請求項1至8中任一項之組合物； (II ^Y) 加熱所提供之該組合物以形成層，較佳以移除該組合物中之溶劑，該加熱較佳在60至140℃範圍內、更佳在80至130℃範圍內之溫度下進行。
一種層，其由如請求項1至8中任一項之組合物經固化而獲得或藉由如請求項10之方法獲得。
一種層，其至少包含： i) 由聚矽氧烷製得之聚合物；及 ii) 由以下化學式(I)表示之化合物，其較佳為介電常數促進劑，較佳用於含聚矽氧烷之組合物， (I) 其中 Z ^X1係選自由以下組成之群：直接鍵、CH ₂、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O)O、(C=O) ₃、(C=O) ₂O、(C=O) ₂CH ₂及C=O(CH ₂) ₂，其較佳選自直接鍵、C=O、O、(C=O) ₂、(C=O) ₃； n為0或1； R ^x1為H、D或OR ^x3； R ^x2為H、D或OR ^x3； R ^x3為H、D、具有1至5個碳原子之未經取代或經取代之直鏈烷基、具有3至5個碳原子之未經取代或經取代之分支鏈烷基或選自由Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Rb ⁺、Cs ⁺、Fr ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺、Ti ⁺、Pd ⁺、Ni ⁺、Mn ⁺、Cr ⁺、V ⁺組成之群的單價金屬陽離子，該單價金屬陽離子較佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺、Cu ⁺、Ag ⁺、Au ⁺，其更佳為Na ⁺、Li ⁺、K ⁺。
如請求項11或12之層，其中該層之固體內容物的介電常數(ε _r)為3.5或更高及7或更低，其較佳為3.9或更高至6.5，更佳為4.0或更高，其較佳為6.5或更低，更佳為6或更低，其較佳在3.5至7範圍內，其更佳在3.6至6.5範圍內，甚至更佳在4至6範圍內。
如請求項11至13中任一項之層，其中該層之濁度值小於100%。
一種電子裝置，其至少包含如請求項11至14中任一項之層。