TW202425116A

TW202425116A - 基板處理系統及基板處理方法

Info

Publication number: TW202425116A
Application number: TW112140340A
Authority: TW
Inventors: 中島幹雄; 梅﨑翔太; 林田貴大
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2022-11-01
Filing date: 2023-10-23
Publication date: 2024-06-16

Abstract

本發明提供基板處理系統及基板處理方法，以處理流體穩定地處理晶圓。本發明的一態樣之基板處理系統，具備處理流體供給裝置、基板處理裝置、供給管線、及溫度測定部。處理流體供給裝置，供給調整為給定溫度之處理流體。基板處理裝置，以從處理流體供給裝置供給之處理流體處理基板。供給管線，連接在處理流體供給裝置與基板處理裝置之間。溫度測定部，於供給管線中，測定處理流體的溫度及供給管線的溫度中之至少一方。

Description

基板處理系統及基板處理方法

本發明之實施形態係關於一種基板處理系統及基板處理方法。

過去，已知一種基板處理裝置，於作為基板的半導體晶圓(下稱晶圓)等之表面形成用於防止乾燥的液膜，使此等形成有液膜的晶圓與超臨界狀態之處理流體接觸而施行乾燥處理(例如參考專利文獻1)。 [習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特許第7109328號公報

[本發明所欲解決的問題]

本發明提供一種能夠以處理流體穩定地處理晶圓之技術。 [解決問題之技術手段]

本發明的一態樣之基板處理系統，具備處理流體供給裝置、基板處理裝置、供給管線、及溫度測定部。處理流體供給裝置，供給調整為給定溫度之處理流體。基板處理裝置，以從該處理流體供給裝置供給之該處理流體處理基板。供給管線，連接在該處理流體供給裝置與該基板處理裝置之間。溫度測定部，於該供給管線中，測定該處理流體的溫度及該供給管線的溫度中之至少一方。 [本發明之效果]

依本發明揭露之內容，則能夠以處理流體穩定地處理晶圓。

以下，參考添附圖式，詳細地說明本案所揭露之基板處理系統及基板處理方法的實施形態。另，本發明並未受限於以下所示的實施形態。此外，圖式僅為示意，須留意各要素之尺寸關係、各要素之比例等，皆存在與現實不同的情況。進一步，於圖式彼此之間中，亦存在包含彼此之尺寸關係或比率不同的部分之情況。

過去，已知一種基板處理裝置，於作為基板的半導體晶圓(下稱晶圓)等之表面形成用於防止乾燥的液膜，使此等形成有液膜的晶圓與超臨界狀態之處理流體接觸而施行乾燥處理。

另一方面，於此等基板處理裝置中將複數片晶圓連續進行乾燥處理時，存在有處理開始後的第1片晶圓與第2片以後的晶圓成為不同之處理狀態的情況。

因而，解決上述問題、能夠以處理流體穩定地處理晶圓之技術的實現受到期待。

＜基板處理裝置的構成＞首先，針對實施形態之基板處理裝置1的構成，參考圖1並予以說明。圖1係顯示實施形態之基板處理裝置1的構成例之圖。另，以下內容中，為了使位置關係明確化而定義彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，使Z軸正方向為鉛直向上之方向。

如圖1所示，基板處理裝置1，具備搬出入站2及處理站3。搬出入站2與處理站3鄰接設置。

搬出入站2，具備載具載置部11及搬運部12。於載具載置部11，載置有將複數片半導體晶圓W(以下亦稱作「晶圓W」)以水平狀態收納的複數載具C。

搬運部12，與載具載置部11鄰接設置。於搬運部12之內部，配置搬運裝置13與傳遞部14。

搬運裝置13，具備將晶圓W固持之晶圓固持機構。此外，搬運裝置13，可進行往水平方向與鉛直方向的移動、及以鉛直軸為中心的迴旋，使用晶圓固持機構在載具C與傳遞部14之間進行晶圓W的搬運。

處理站3，與搬運部12鄰接設置。處理站3，具備搬運區塊4及複數個處理區塊5。

搬運區塊4，具備搬運區15及搬運裝置16。搬運區15，例如為沿著搬出入站2及處理站3的並排方向(X軸方向)延伸之直方體狀的區域。於搬運區15，配置搬運裝置16。

搬運裝置16，具備將晶圓W固持之晶圓固持機構。此外，搬運裝置16，可進行往水平方向與鉛直方向的移動、及以鉛直軸為中心的迴旋，使用晶圓固持機構在傳遞部14與複數個處理區塊5之間進行晶圓W的搬運。

複數個處理區塊5，於搬運區15之兩側中與搬運區15鄰接配置。具體而言，複數個處理區塊5，配置在與搬出入站2及處理站3的並排方向(X軸方向)呈正交之方向(Y軸方向)中的搬運區15之一方側(Y軸正方向側)及另一方側(Y軸負方向側)。

此外，雖未圖示，但複數個處理區塊5，沿著鉛直方向配置為多層(例如3層)。此外，配置於各層的處理區塊5與傳遞部14之間的晶圓W之搬運，係藉由配置於搬運區塊4的1台搬運裝置16而施行。另，複數個處理區塊5之層數並未限定為3層。

各處理區塊5，具備液體處理單元17、乾燥單元18、及供給單元19。乾燥單元18為處理腔室之一例。

液體處理單元17，施行將晶圓W之圖案形成面即頂面清洗的清洗處理。此外，液體處理單元17，施行於清洗處理後的晶圓W之頂面形成液膜的液膜形成處理。關於液體處理單元17的構成將於後述內容說明。

乾燥單元18，對液膜形成處理後的晶圓W施行超臨界乾燥處理。具體而言，乾燥單元18，藉由使液膜形成處理後的晶圓W與超臨界狀態之處理流體(以下亦稱作「超臨界流體」)接觸，而使同晶圓W乾燥。關於乾燥單元18的構成將於後述內容說明。

供給單元19，對乾燥單元18供給處理流體。具體而言，供給單元19，具備：供給機器群，包含流量計、流量調整器、背壓閥、加熱器等；以及殼體，收納供給機器群。於本實施形態中，供給單元19，作為處理流體將CO ₂供給至乾燥單元18。關於供給單元19的構成將於後述內容說明。

此外，於供給單元19，連接供給處理流體的處理流體供給裝置70(參考圖4)。於實施形態中，處理流體供給裝置70，作為處理流體將CO ₂供給至供給單元19。關於此處理流體供給裝置70的細節將於後述內容說明。

液體處理單元17、乾燥單元18、及供給單元19，沿著搬運區15(亦即沿著X軸方向)並排。液體處理單元17、乾燥單元18、及供給單元19中的液體處理單元17，配置在最接近搬出入站2之位置；供給單元19，配置在最遠離搬出入站2之位置。

如此地，各處理區塊5，分別具備各一個液體處理單元17、乾燥單元18、及供給單元19。亦即，於基板處理裝置1，設置相同數量的液體處理單元17、乾燥單元18、及供給單元19。

此外，乾燥單元18，具備施行超臨界乾燥處理的處理區18a、以及施行搬運區塊4與處理區18a之間的晶圓W之傳遞的傳遞區18b。此等處理區18a及傳遞區18b，沿著搬運區15並排。

具體而言，處理區18a及傳遞區18b中的傳遞區18b，配置在較處理區18a更接近液體處理單元17側。亦即，於各處理區塊5，將液體處理單元17、傳遞區18b、處理區18a、及供給單元19，沿著搬運區15依所述順序配置。

如圖1所示，基板處理裝置1，具備控制裝置6。控制裝置6例如為電腦，具備控制部7與儲存部8。

控制部7，包含具有CPU(Central Processing Unit, 中央處理器)、ROM(Read Only Memory, 唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory, 隨機存取記憶體)、輸出入埠等之微電腦與各種電路。此等微電腦的CPU，讀取並實行儲存在ROM之程式，藉此實現搬運裝置13與16、液體處理單元17、乾燥單元18、及供給單元19等的控制。

另，此等程式，儲存在可由電腦讀取之記錄媒體，亦可從該記錄媒體安裝至控制裝置6的儲存部8。作為可由電腦讀取之記錄媒體，例如具有：硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

儲存部8，例如係藉由RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等半導體記憶體元件，或硬碟、光碟等記憶裝置而實現。

在如同上述地構成之基板處理裝置1，首先，使搬出入站2的搬運裝置13，從載置於載具載置部11之載具C將晶圓W取出，將取出的晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14的晶圓W，藉由處理站3的搬運裝置16從傳遞部14取出，往液體處理單元17搬入。

往液體處理單元17搬入的晶圓W，藉由液體處理單元17施行了清洗處理及液膜形成處理後，藉由搬運裝置16從液體處理單元17搬出。從液體處理單元17搬出的晶圓W，藉由搬運裝置16往乾燥單元18搬入，藉由乾燥單元18施行乾燥處理。

將藉由乾燥單元18施行乾燥處理後的晶圓W，藉由搬運裝置16從乾燥單元18搬出，載置於傳遞部14。而後，載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W，藉由搬運裝置13往載具載置部11之載具C返回。

＜液體處理單元的構成＞接著，針對液體處理單元17的構成，參考圖2並予以說明。圖2係顯示液體處理單元17的構成例之圖。液體處理單元17，例如構成為藉由旋轉清洗將晶圓W逐片清洗的單片式清洗裝置。

如圖2所示，液體處理單元17，藉由在形成處理空間之外側腔室23內配置的晶圓固持機構25，將晶圓W幾近水平地固持，藉由使此晶圓固持機構25繞鉛直軸旋轉而使晶圓W旋轉。

而後，液體處理單元17，使噴嘴臂26進入旋轉的晶圓W之上方，從設置在此等噴嘴臂26的前端部之藥液噴嘴26a以預先決定的順序供給藥液或沖洗液，藉此施行晶圓W頂面的清洗處理。

此外，於液體處理單元17，在晶圓固持機構25之內部亦形成藥液供給路25a。而藉由從此等藥液供給路25a供給的藥液或沖洗液，將晶圓W之底面亦予以清洗。

清洗處理，例如，在一開始施行以係鹼性藥液的SC1液(氨與過氧化氫溶液的混合液)進行之微粒與有機性汙染物質的去除。接著，施行以係沖洗液的去離子水(DeIonized Water：以下亦稱作「DIW」)進行之沖洗清洗。

接著，施行以係酸性藥液的稀氫氟酸水溶液(Diluted HydroFluoric acid：以下亦稱作「DHF」)進行之自然氧化膜的去除，接著，施行以DIW進行之沖洗清洗。

上述各種藥液，受到外側腔室23、配置在外側腔室23內之內側杯體24所承擋，從設置在外側腔室23的底部之排液口23a，或設置在內側杯體24的底部之排液口24a排出。進一步，外側腔室23內的環境氣體，從設置在外側腔室23的底部之排氣口23b排氣。

液膜形成處理，在清洗處理中之沖洗處理後施行。具體而言，液體處理單元17，使晶圓固持機構25旋轉，並將液體狀態的IPA(Isopropyl Alcohol, 異丙醇)(以下亦稱作「IPA液體」)供給至晶圓W之頂面及底面。藉此，將殘留在晶圓W之兩面的DIW置換為IPA。而後，液體處理單元17，緩緩地停止晶圓固持機構25之旋轉。

液膜形成處理結束後的晶圓W，維持其頂面形成有IPA液體之液膜的狀態，藉由設置在晶圓固持機構25之未圖示的傳遞機構傳遞至搬運裝置16，從液體處理單元17搬出。

於晶圓W上形成之液膜，防止在晶圓W的從液體處理單元17往乾燥單元18之搬運中、或往乾燥單元18之搬入動作中，因晶圓W頂面的液體蒸發(氣化)所造成之圖案崩塌。

＜乾燥單元的構成＞接著，針對乾燥單元18的構成，參考圖3並予以說明。圖3係乾燥單元18的構成例之示意立體圖。

乾燥單元18，具有本體31、固持板32、及蓋構件33。於殼體狀之本體31，形成用於將晶圓W搬出入的開口部34。固持板32，將處理對象即晶圓W於水平方向固持。蓋構件33，支持此固持板32，並在晶圓W搬入至本體31內時將開口部34密閉。

本體31，例如為在內部形成有可收納直徑300mm的晶圓W之處理空間的容器，於其壁部設置供給埠35、36及排出埠37。供給埠35、36及排出埠37，分別與用於使超臨界流體於乾燥單元18流通的供給流路及排出流路連接。

供給埠35，於殼體狀之本體31中，連接至與開口部34為相反側的側面。此外，供給埠36，連接至本體31的底面。進一步，排出埠37，連接至開口部34的下方側。另，於圖3雖圖示2個供給埠35、36與1個排出埠37，但供給埠35、36或排出埠37之數量並無特別限定。

此外，於本體31的內部，設置流體供給頭38、39，及流體排出頭40。此外，於流體供給頭38、39，將複數個供給口沿著此等流體供給頭38、39之長邊方向並排形成；於流體排出頭40，將複數個排出口沿著此等流體排出頭40之長邊方向並排形成。

流體供給頭38，與供給埠35相連接，於殼體狀之本體31內部中，在與開口部34為相反側的側面鄰接設置。此外，於流體供給頭38並排形成之複數個供給口，朝向開口部34側。

流體供給頭39，與供給埠36相連接，設置在殼體狀之本體31內部的底面之中央部。此外，於流體供給頭39並排形成之複數個供給口，朝向上方。

流體排出頭40，與排出埠37相連接，於殼體狀之本體31內部中，與開口部34側的側面鄰接，且設置在較開口部34更下方。此外，於流體排出頭40並排形成之複數個排出口，朝向上方。

流體供給頭38、39，將超臨界流體供給至本體31內。此外，流體排出頭40，將本體31內之超臨界流體往本體31的外部引導而排出。另，在經由流體排出頭40排出至本體31的外部之超臨界流體，含有由晶圓W的表面溶入至超臨界狀態之超臨界流體的IPA液體。

於此等乾燥單元18內，形成在晶圓W上的圖案之間的IPA液體，藉由與高壓狀態(例如16MPa)之超臨界流體接觸，而緩緩地溶解於超臨界流體，圖案之間緩緩地置換為超臨界流體。而最終，圖案之間僅由超臨界流體填滿。

而後，在從圖案之間去除了IPA液體後，藉由將本體31內部的壓力由高壓狀態減壓至大氣壓，而使CO ₂由超臨界狀態轉變為氣體狀態，使圖案之間僅由氣體占據。如此地將圖案之間的IPA液體去除，完成晶圓W之乾燥處理。

此處，超臨界流體，黏度較液體(例如IPA液體)更小，且將液體溶解的能力亦高，除此之外，在與超臨界流體處於平衡狀態的液體或氣體之間不存在界面。藉此，在使用了超臨界流體的乾燥處理中，可不受到表面張力之影響地使液體乾燥。因此，依實施形態，則可抑制在進行乾燥處理時圖案倒塌的情形。

另，在實施形態，顯示使用IPA液體作為用於防止乾燥的液體，使用超臨界狀態之CO ₂作為處理流體的例子，但作為用於防止乾燥的液體亦可使用IPA以外的液體，作為處理流體亦可使用超臨界狀態之CO ₂以外的流體。

＜基板處理系統的構成＞接著，針對實施形態之基板處理系統S的構成，參考圖4及圖5並予以說明。圖4係顯示實施形態之基板處理系統S的系統全體之構成例的圖。另，以下所示之基板處理系統S的各部，可藉由控制部7控制。

基板處理系統S，具備處理流體供給源60、處理流體供給裝置70、及基板處理裝置1。處理流體供給裝置70，將從處理流體供給源60供給之處理流體供給至基板處理裝置1。

如圖4所示，基板處理裝置1，具有複數個乾燥單元18及複數個供給單元19，藉由經由對應的供給單元19供給之處理流體，在乾燥單元18內處理晶圓W(參考圖5)。

處理流體供給源60與複數個乾燥單元18之間，藉由處理流體供給管線61而連接，經由此等處理流體供給管線61，從處理流體供給源60將處理流體供給至複數個乾燥單元18。

處理流體供給管線61，具有第1供給管線62、複數條第2供給管線63(參考圖5)、複數條第3供給管線64、及複數條第4供給管線65。第3供給管線64為供給管線之一例，第4供給管線65為另一供給管線之一例。

第1供給管線62，從處理流體供給源60將處理流體供給至處理流體供給裝置70。此外，第1供給管線62，在處理流體供給裝置70內分支為複數條第2供給管線63。

第2供給管線63、第3供給管線64、及第4供給管線65，依所述順序串聯連接，從處理流體供給裝置70，經由供給單元19而將處理流體供給至乾燥單元18。

第2供給管線63，位於處理流體供給裝置70內。第3供給管線64，連接在處理流體供給裝置70與基板處理裝置1之間。第4供給管線65，位於基板處理裝置1內。

圖5係顯示實施形態之基板處理系統S的配管構成之一例的圖。如圖5所示，處理流體供給裝置70，具有處理流體供給管線61。此等處理流體供給管線61，包含第1供給管線62及複數條(圖中為2條)第2供給管線63。

於第1供給管線62，以處理流體供給源60為基準，從上游側起依序設置閥66、止回閥67、合流部71、複數個(圖中為2個)合流部72、過濾器73、冷凝器74、貯存槽75、泵76、分支部77。此外，於第1供給管線62，以分支部77為基準，從上游側起依序設置壓力感測器78、分支部79。

閥66為調整處理流體的流通之開(ON)與閉(OFF)的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側之止回閥67，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側之止回閥67。止回閥67，防止第1供給管線62內之處理流體往止回閥67的上游側逆流。

合流部71，使第1供給管線62與後述返回管線90合流。合流部72，使第1供給管線62與後述返回管線100合流。

另，於第1供給管線62中，從處理流體供給源60供給氣體狀態之處理流體。進一步，從複數條返回管線100返回第1供給管線62的液體狀態之處理流體，藉由從返回管線90返回第1供給管線62之高熱的氣體狀態之處理流體，由液體狀態轉變為氣體狀態。藉此，使氣體狀態之處理流體流入過濾器73。

過濾器73，例如為氣體過濾器，將在第1供給管線62內流通的氣體狀態之處理流體過濾，除去處理流體所包含的異物。藉由以此等過濾器73將處理流體內的異物除去，可抑制在進行使用了超臨界流體之晶圓W的乾燥處理時於晶圓W表面產生微粒之情形。

冷凝器74，例如與未圖示的冷卻水供給部相連接，可使冷卻水與氣體狀態之處理流體熱交換。藉此，冷凝器74，將在第1供給管線62內流通的氣體狀態之處理流體冷卻，生成較室溫更低之給定溫度(例如15(℃)程度)的液體狀態之處理流體。

貯存槽75，貯存在冷凝器74生成之低溫的液體狀態之處理流體。泵76，將貯存在貯存槽75之低溫的液體狀態之處理流體，往第1供給管線62之下游側壓送。從分支部77，分支出後述返回管線90。

壓力感測器78，測定在第1供給管線62流通之處理流體的壓力。從分支部79，分支出複數條(圖中為2條)第2供給管線63。

於各第2供給管線63，以分支部79為基準，各自從上游側起依序設置孔口80、分支部81、壓力感測器82。孔口80，降低在第2供給管線63流通之低溫的液體狀態之處理流體的流速，調整壓力。

從分支部81，分支出返回管線100。壓力感測器82，測定在第2供給管線63流通之處理流體的壓力。

返回管線100，使在第2供給管線63流通的液體狀態之處理流體，返回第1供給管線62的合流部72。如此地，藉由以返回管線100使處理流體返回上游側，而增加可過濾的次數，可改善去除異物的性能。

於返回管線100，以分支部81為基準，從上游側起依序設置背壓閥101、閥102。

背壓閥101，構成為在返回管線100的一次側壓力超過設定壓力之情況，調整閥開度而使流體往二次側流動，藉此將一次側壓力維持為設定壓力。另，背壓閥101的閥開度及設定壓力，可藉由控制部7(參考圖1)隨時變更。

閥102為調整處理流體的流通之開與閉的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側的合流部72，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側的合流部72。

而後，從返回管線100返回的液體狀態之處理流體，返回至第1供給管線62的合流部72。另，從合流部72返回的液體狀態之處理流體，藉由從合流部71返回而在第1供給管線62流通之高熱的氣體狀態之處理流體，由液體狀態轉變為氣體狀態。

從第1供給管線62的分支部77分支之返回管線90，使在第1供給管線62流通的液體狀態之處理流體，返回第1供給管線62的合流部71。如此地，藉由以返回管線90使處理流體返回上游側，而增加可過濾的次數，可改善去除異物的性能。

於返回管線90，以分支部77為基準，從上游側起依序設置螺旋加熱器91、背壓閥92、閥93。螺旋加熱器91，捲繞於返回管線90，將在此等返回管線90流通的液體狀態之處理流體加熱，生成超臨界狀態之處理流體。

背壓閥92，構成為在返回管線90的一次側壓力超過設定壓力之情況，調整閥開度而使流體往二次側流動，藉此將一次側壓力維持為設定壓力。

此外，背壓閥92，將在返回管線90流通的超臨界狀態之處理流體減壓，生成氣體狀態之處理流體。另，背壓閥92的閥開度及設定壓力，可藉由控制部7隨時變更。

閥93為調整處理流體的流通之開與閉的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側的合流部71，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側的合流部71。

而後，使在背壓閥92生成之高溫的氣體狀態之處理流體，經由閥93而返回第1供給管線62的合流部71。

藉由至此之前說明的處理流體供給裝置70，經由第2供給管線63、第3供給管線64、及第4供給管線65，向複數個供給單元19供給低溫的液體狀態之處理流體。亦即，在實施形態，並非以氣體狀態或超臨界狀態，而係以液體狀態將處理流體從處理流體供給裝置70供給至基板處理裝置1。

藉此，即便處理流體供給裝置70與各乾燥單元18的距離，亦即各第3供給管線64的長度有所差異，仍可減少因此等長度之差異而導致的缺陷。

控制部7，將從第2供給管線63、第3供給管線64及第4供給管線65向供給單元19供給之處理流體的壓力，藉由壓力感測器82而測定，並藉由背壓閥101的閥開度而控制。控制部7，例如藉由提高背壓閥101的一次側之設定壓力，而使向供給單元19供給之處理流體的壓力上升。

此外，控制部7，例如藉由降低背壓閥101的一次側之設定壓力，而使向供給單元19供給之處理流體的壓力降低。

同樣地，控制部7，將從第1供給管線62向複數條第2供給管線63供給之處理流體的壓力，藉由壓力感測器78而測定，並藉由背壓閥92的閥開度而控制。此外，控制部7，適當地控制背壓閥92的閥開度，俾使壓力感測器78之測定值成為一定。

此外，在實施形態，於泵76與背壓閥92之間中，藉由螺旋加熱器91使處理流體由液體狀態相變化為超臨界狀態。亦即，泵76，與可成為閉狀態的閥41或背壓閥92之間，並未以非壓縮性的液體狀態之處理流體填滿，而係使一部分成為壓縮性的超臨界狀態之處理流體。

藉此，於第1供給管線62中，即便為將非壓縮性的液體狀態之處理流體以泵76送出的情況，仍可藉由超臨界狀態的部位吸收此等泵76所產生之脈動。因此，依實施形態，則可降低在將液體狀態之處理流體以泵76送出時此等泵76所產生之脈動的影響。

於基板處理裝置1中，將在第4供給管線65流通之處理流體供給至乾燥單元18，從乾燥單元18經由排出管線50排出至外部。

於基板處理裝置1內的第4供給管線65，從上游側起依序設置閥41、孔口42、加熱器43與溫度感測器44、閥45、過濾器46。

閥41為調整處理流體的流通之開與閉的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側的孔口42，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側的孔口42。

孔口42，達到「降低在第4供給管線65流通之低溫的液體狀態之處理流體的流速，調整壓力」之效果。

加熱器43，將在第4供給管線65流通的液體狀態之處理流體加熱，生成超臨界狀態之處理流體。溫度感測器44，檢測在加熱器43生成的超臨界狀態之處理流體的溫度。

閥45為調整處理流體的流通之開與閉的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側的過濾器46，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側的過濾器46。

過濾器46，將在第4供給管線65內流通的超臨界狀態之處理流體過濾，除去處理流體所包含的異物。藉由以此等過濾器46將處理流體內的異物除去，可抑制在進行使用了超臨界流體之晶圓W的乾燥處理時於晶圓W表面產生微粒之情形。

於乾燥單元18，設置溫度感測器47。此等溫度感測器47，檢測充填於乾燥單元18內之處理流體的溫度。

於排出管線50，從上游側起依序設置壓力感測器51、閥52、流量計53、背壓閥54。壓力感測器51，測定在排出管線50流通之處理流體的壓力。另，壓力感測器51經由排出管線50而與乾燥單元18直接連結，因而以壓力感測器51測定出之處理流體的壓力，為與乾燥單元18中之處理流體的內部壓力略相等之值。

閥52為調整處理流體的流通之開與閉的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側的排放部DR，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側的排放部DR。流量計53，測定在排出管線50流通之處理流體的流量。

背壓閥54，構成為在排出管線50的一次側壓力超過設定壓力之情況，調整閥開度而使流體往二次側流動，藉此將一次側壓力維持為設定壓力。另，背壓閥54的閥開度及設定壓力，可藉由控制部7隨時變更。

此處，於基板處理裝置1的乾燥單元18中，將晶圓W逐片連續處理之情況，在處理開始後的第2片以後的晶圓W，係將低溫的液體狀態之處理流體連續地供給至加熱器43，藉由此等加熱器43轉變為超臨界狀態之處理流體。而後，藉由將此等超臨界狀態之處理流體供給至乾燥單元18，而施行晶圓W的乾燥處理。

另一方面，在處理開始後的第1片晶圓W，係藉由在緊接處理開始前呈閉狀態的閥41，將滯留在第3供給管線64的液體狀態之處理流體供給至加熱器43。此滯留在第3供給管線64的液體狀態之處理流體，由於在滯留時溫度上升至室溫，故密度較低溫時成為更小。

因此，在藉由與第2片晶圓W相同之配方條件以加熱器43加熱而供給至乾燥單元18的情況，由於在加熱器43內流通之處理流體的密度不同，故導致對於第1片晶圓W之處理流體的溫度、壓力之特性(behavior)，與第2片以後的晶圓W不同。

藉此，第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，存在有在乾燥處理後成為不同處理狀態的情況。

因而，在實施形態，如圖5所示，於第3供給管線64設置溫度感測器110。溫度感測器110為溫度測定部之一例。

控制部7，例如在將晶圓W搬入至乾燥單元18之前，以溫度感測器110測定第3供給管線64內之處理流體的溫度及第3供給管線64本身的溫度中之至少一方。

而後，在以溫度感測器110測定出的溫度，與在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度相同之情況(例如第2片以後的晶圓W之情況)，控制部7，以遵循基準配方之處理條件將處理流體供給至乾燥單元18。

另一方面，在以溫度感測器110測定出的溫度，與在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度不同之情況(例如第1片晶圓W之情況)，控制部7，自基準配方變更處理條件，而後將處理流體供給至乾燥單元18。

例如，控制部7，在以溫度感測器110測定出的溫度為20(℃)以上之情況，自基準配方變更處理條件，而後將處理流體供給至乾燥單元18。

此一情況，例如，控制部7，藉由調整背壓閥101的閥開度，而將經由第2供給管線63及第3供給管線64供給至第4供給管線65之處理流體的壓力，設定為較遵循基準配方之處理條件更高。

藉此，可使在加熱器43內流通的液體狀態之處理流體的密度一致。因此，即便在以溫度感測器110測定出的溫度與在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度不同之情況，於第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，仍可使處理流體的溫度、壓力之特性一致。

因此，依實施形態，則可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，在實施形態，亦可藉由使控制部7調整加熱器43的輸出，而將以此加熱器43加熱之處理流體的溫度，由遵循基準配方之處理條件變更。

藉此，可使從加熱器43供給至乾燥單元18的超臨界狀態之處理流體的密度一致。因此，即便在以溫度感測器110測定出的溫度與在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度不同之情況，於第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，仍可使處理流體的溫度、壓力之特性一致。

此外，在實施形態，控制部7，宜在將晶圓W搬入至乾燥單元18之前，以溫度感測器110測定溫度。藉此，可預先掌握第3供給管線64內之處理流體的溫度、第3供給管線64本身的溫度，故可順暢地實施其後之晶圓W的乾燥處理。

另，本發明之技術，並未限定於在將晶圓W搬入至乾燥單元18之前以溫度感測器110測定溫度的情況，亦可在將晶圓W搬入至乾燥單元18時，或在將晶圓W搬入至乾燥單元18之後，以溫度感測器110測定溫度。

＜變形例1＞接著，針對實施形態的各種變形例，參考圖6～圖11並予以說明。圖6係顯示實施形態的變形例1之基板處理系統S的配管構成之一例的圖。

如圖6所示，在變形例1之基板處理系統S，使處理流體供給裝置70及第3供給管線64的構成與上述實施形態不同。因而，之後的例子中，對於與已說明的實施形態等同樣之部位賦予相同符號，將詳細的說明省略。

具體而言，在變形例1，於第3供給管線64設置分支部120。此分支部120，例如位於第3供給管線64中之基板處理裝置1附近。

此外，從分支部120，分支出返回管線130。返回管線130為溫度維持機構之一例。返回管線130，在返回管線100中的位於背壓閥101之上游側的合流部104合流。

於返回管線130，設置閥131。閥131為調整處理流體的流通之開與閉的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側的合流部104，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側的合流部104。

於返回管線100中的合流部104之上游側，設置有閥103。閥103為調整處理流體的流通之開與閉的閥，在開狀態下處理流體流通至下游側的合流部104，在閉狀態下處理流體並未流通至下游側的合流部104。

另，在變形例1，亦可設置上述實施形態中在第3供給管線64設置之溫度感測器110。

圖7為顯示實施形態的變形例1之基板處理系統S的動作之一例的圖，其係說明施行晶圓W的乾燥處理時之處理流體的流動之圖。

如同圖7之粗虛線所示，在變形例1，於施行晶圓W的乾燥處理時，使藉由泵76壓送出之低溫的液體狀態之處理流體，經由第2供給管線63及第3供給管線64，到達至第4供給管線65的閥41。

進一步，於施行晶圓W的乾燥處理時，將閥41控制為開狀態，故處理流體經由第4供給管線65而供給至乾燥單元18。

此外，在變形例1，使液體狀態之處理流體經由返回管線90而返回至合流部71。此外，由於閥103控制為開狀態，故液體狀態之處理流體從分支部81經由返回管線100而返回至合流部72。另，此時，由於返回管線130的閥131控制為閉狀態，故處理流體並未在返回管線130流通。

如圖7所示，在變形例1，於施行晶圓W的乾燥處理時，由於低溫的液體狀態之處理流體持續在第3供給管線64流通，故在第3供給管線64中，未發生因滯留而導致之處理流體的溫度上升。

圖8為顯示實施形態的變形例1之基板處理系統S的動作之一例的圖，其係說明使乾燥單元18處於待機狀態而未施行晶圓W之乾燥處理的情況之處理流體的流動之圖。

在乾燥單元18處於待機狀態的情況，如同圖8之粗虛線所示，使藉由泵76壓送出之低溫的液體狀態之處理流體，經由第2供給管線63及第3供給管線64，到達至第3供給管線64的分支部120。

另一方面，由於乾燥單元18處於待機狀態，故基板處理裝置1的閥41控制為閉狀態，液體狀態之處理流體並未流入第4供給管線65。

另一方面，在變形例1，藉由將返回管線130的閥131控制為開狀態，而可使到達至第3供給管線64的分支部120之低溫的液體狀態之處理流體，經由返回管線130及返回管線100而返回至合流部72。另，此時，將返回管線100的閥103控制為閉狀態。

如此地，在變形例1，藉由設置返回管線130，即便為乾燥單元18處於待機狀態之情況，仍可於第3供給管線64中維持低溫的液體狀態之處理流體的流通狀態。

藉此，可抑制液體狀態之處理流體滯留在第3供給管線64的情形，因而於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使位於第3供給管線64之處理流體的溫度一致。

因此，依變形例1，則於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使處理流體的溫度、壓力之特性一致，故可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，在變形例1，宜使返回管線130，連接至第3供給管線64中之基板處理裝置1附近。亦即，在變形例1，宜使分支部120位於第3供給管線64中之基板處理裝置1附近。

藉此，在乾燥單元18處於待機狀態的情況，可使位於第3供給管線64之大部分的液體狀態之處理流體藉由返回管線130返回，故可抑制位於第3供給管線64之大部分的液體狀態之處理流體滯留的情形。

亦即，在變形例1，於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使位於第3供給管線64之處理流體的溫度高精度地一致。

因此，依變形例1，則於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使處理流體的溫度、壓力之特性高精度地一致，故可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行更穩定的乾燥處理。

＜變形例2＞圖9係顯示實施形態的變形例2之基板處理系統S的配管構成之一例的圖。如圖9所示，在變形例2之基板處理系統S，使分支部120位於基板處理裝置1內的第4供給管線65，而非第3供給管線64。

具體而言，在變形例2，使分支部120位於第4供給管線65中的閥41之上游側。

藉此，亦與上述變形例1同樣地，藉由設置返回管線130，即便為乾燥單元18處於待機狀態之情況，仍可於第3供給管線64中維持低溫的液體狀態之處理流體的流通狀態。

亦即，在變形例2，可抑制低溫的液體狀態之處理流體滯留在第3供給管線64的情形，因而於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使位於第3供給管線64之處理流體的溫度一致。

因此，依變形例2，則於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使處理流體的溫度、壓力之特性一致，故可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，在變形例2，藉由使分支部120位於基板處理裝置1內的第4供給管線65，而可在乾燥單元18處於待機狀態的情況，使位於第3供給管線64之全部的液體狀態之處理流體藉由返回管線130返回。

藉此，可抑制位於第3供給管線64之全部的液體狀態之處理流體滯留的情形，因而於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使位於第3供給管線64之處理流體的溫度高精度地一致。

因此，依變形例2，則於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使處理流體的溫度、壓力之特性高精度地一致，故可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行更穩定的乾燥處理。

＜變形例3＞圖10係顯示實施形態的變形例3之基板處理系統S的配管構成之一例的圖。如圖10所示，在變形例3之基板處理系統S，使分支部120位於第4供給管線65中的加熱器43與閥45之間。

亦即，在變形例3，可抑制低溫的液體狀態之處理流體滯留在第3供給管線64的情形，因而於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使位於第3供給管線64之處理流體的溫度一致。

因此，依變形例3，則於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使處理流體的溫度、壓力之特性一致，故可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，在變形例3，藉由使分支部120位於基板處理裝置1內的第4供給管線65，而可在乾燥單元18處於待機狀態的情況，使位於第3供給管線64之全部的液體狀態之處理流體藉由返回管線130返回。

因此，依變形例3，則於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使處理流體的溫度、壓力之特性高精度地一致，故可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行更穩定的乾燥處理。

另，在變形例3，在乾燥單元18處於待機狀態的情況，將閥41控制為開狀態而非閉狀態，將閥45控制為閉狀態。

＜變形例4＞在至此之前說明的變形例1～3中，雖顯示使用返回管線130作為維持第3供給管線64中之處理流體的溫度之溫度維持機構的例子，但本發明並未限定於此等例子。

圖11係顯示實施形態的變形例4之基板處理系統S的配管構成之一例的圖。如圖11所示，在變形例4之基板處理系統S，作為維持第3供給管線64中之處理流體的溫度之溫度維持機構，設置將第3供給管線64冷卻之冷卻機構140。

此冷卻機構140例如為急冷器，位於覆蓋第3供給管線64周圍之位置。冷卻機構140，將位於第3供給管線64之處理流體的溫度維持為給定溫度(在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度)。

藉此，於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，亦可使位於第3供給管線64之處理流體的溫度一致。

因此，依變形例4，則於處理開始後的第1片晶圓W與第2片以後的晶圓W，可使處理流體的溫度、壓力之特性一致，故可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

實施形態之基板處理系統S，具備處理流體供給裝置70、基板處理裝置1、供給管線(第3供給管線64)、及溫度測定部(溫度感測器110)。處理流體供給裝置70，供給調整為給定溫度之處理流體。基板處理裝置1，以從處理流體供給裝置70供給之處理流體處理基板(晶圓W)。供給管線(第3供給管線64)，連接在處理流體供給裝置70與基板處理裝置1之間。溫度測定部(溫度感測器110)，於供給管線(第3供給管線64)中，測定處理流體的溫度及供給管線(第3供給管線64)的溫度中之至少一方。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，實施形態之基板處理系統S，更具備控制各部之控制部7。此外，控制部7，在以溫度測定部(溫度感測器110)測定出的溫度與給定溫度不同之情況，自基準配方，變更從處理流體供給裝置70供給之處理流體的壓力及在基板處理裝置1內加熱之處理流體的溫度中之至少一方。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，於實施形態之基板處理系統S中，控制部7，在基板(晶圓W)搬入至基板處理裝置1內的處理腔室(乾燥單元18)之前，以溫度測定部(溫度感測器110)測定溫度。藉此，可順暢地實施晶圓W的乾燥處理。

此外，實施形態之基板處理系統S，具備處理流體供給裝置70、基板處理裝置1、供給管線(第3供給管線64)、及溫度維持機構(返回管線130、冷卻機構140)。處理流體供給裝置70，供給調整為給定溫度之處理流體。基板處理裝置1，以從處理流體供給裝置70供給之處理流體處理基板(晶圓W)。供給管線(第3供給管線64)，連接在處理流體供給裝置70與基板處理裝置1之間。溫度維持機構(返回管線130、冷卻機構140)，將在供給管線(第3供給管線64)流通之處理流體的溫度維持為給定溫度。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，於實施形態之基板處理系統S中，溫度維持機構，係使在供給管線(第3供給管線64)流通之處理流體返回至處理流體供給裝置70的返回管線130。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，實施形態之基板處理系統S，更具備控制各部之控制部7。此外，控制部7，在基板(晶圓W)未搬入至基板處理裝置1內的處理腔室(乾燥單元18)之情況，使在供給管線(第3供給管線64)流通之處理流體藉由返回管線130返回至處理流體供給裝置70。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，於實施形態之基板處理系統S中，返回管線130，連接至供給管線(第3供給管線64)中之基板處理裝置1附近。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行更穩定的乾燥處理。

此外，於實施形態之基板處理系統S中，基板處理裝置1，具有處理腔室(乾燥單元18)、另一供給管線(第4供給管線65)、及閥41。處理腔室(乾燥單元18)，處理基板(晶圓W)。另一供給管線(第4供給管線65)，連接在供給管線(第3供給管線64)與處理腔室(乾燥單元18)之間。閥41，設置於另一供給管線(第4供給管線65)之上游側。此外，返回管線130，連接至另一供給管線(第4供給管線65)中的閥41之上游側。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行更穩定的乾燥處理。

此外，於實施形態之基板處理系統S中，基板處理裝置1，具有處理腔室(乾燥單元18)、另一供給管線(第4供給管線65)、及加熱部(加熱器43)。處理腔室(乾燥單元18)，處理基板(晶圓W)。另一供給管線(第4供給管線65)，連接在供給管線(第3供給管線64)與處理腔室(乾燥單元18)之間。加熱部(加熱器43)，設置於另一供給管線(第4供給管線65)，將處理流體加熱。此外，返回管線130，連接至加熱部(加熱器43)之下游側。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行更穩定的乾燥處理。

此外，於實施形態之基板處理系統S中，處理流體供給裝置70，將較室溫更低的液體狀態之處理流體供給至基板處理裝置1；基板處理裝置1，以超臨界狀態之處理流體處理基板(晶圓W)。藉此，即便複數條第3供給管線64的長度有所差異，仍可減少因此等長度之差異而導致的缺陷。

＜基板處理的順序＞接著，針對實施形態之基板處理的順序，參考圖12及圖13並予以說明。圖12係顯示實施形態之基板處理的處理順序之流程圖。

在實施形態之基板處理中，首先，使控制部7控制溫度感測器110，測定第3供給管線64的溫度，此處為第3供給管線64內之處理流體的溫度及第3供給管線64本身的溫度中之至少一方(步驟S101)。

而後，在以溫度感測器110測定出的溫度，與給定溫度(在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度)並無不同之情況(步驟S102、No)，控制部7，讀入基準配方(步驟S103)。

另一方面，在以溫度感測器110測定出的溫度，與給定溫度(在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度)不同之情況(步驟S102、Yes)，控制部7，變更基準配方(步驟S104)。

接著，控制部7，控制基板處理裝置1等，將形成有IPA液體之液膜的晶圓W，搬入至乾燥單元18(步驟S105)。

接著，控制部7，控制處理流體供給裝置70、基板處理裝置1等，將超臨界狀態之處理流體供給至乾燥單元18(步驟S106)。而後，控制部7，在乾燥單元18施行晶圓W的乾燥處理(步驟S107)。

最後，控制部7，將乾燥處理結束後的晶圓W從乾燥單元18搬出(步驟S108)，結束一連串之基板處理。

圖13係顯示實施形態的變形例1～4之基板處理的處理順序之流程圖。

在變形例1～4之基板處理中，首先，使控制部7控制返回管線130、冷卻機構140等，將第3供給管線64內之處理流體的溫度維持為給定溫度(在處理流體供給裝置70生成的液體狀態之處理流體的溫度)(步驟S201)。

接著，控制部7，讀入基準配方(步驟S202)。而後，控制部7，控制基板處理裝置1等，將形成有IPA液體之液膜的晶圓W，搬入至乾燥單元18(步驟S203)。

接著，控制部7，控制處理流體供給裝置70、基板處理裝置1等，將超臨界狀態之處理流體供給至乾燥單元18(步驟S204)。而後，控制部7，在乾燥單元18施行晶圓W的乾燥處理(步驟S205)。

最後，控制部7，將乾燥處理結束後的晶圓W從乾燥單元18搬出(步驟S206)，結束一連串之基板處理。

實施形態之基板處理方法，包含處理流體供給步驟(步驟S106)、基板處理步驟(步驟S107)、及溫度測定步驟(步驟S101)。處理流體供給步驟(步驟S106)，供給調整為給定溫度之處理流體。基板處理步驟(步驟S107)，以藉由處理流體供給步驟(步驟S106)供給之處理流體處理基板(晶圓W)。溫度測定步驟(步驟S101)，於供給管線(第3供給管線64)中，測定處理流體的溫度及供給管線(第3供給管線64)的溫度中之至少一方。供給管線(第3供給管線64)，連接在施行處理流體供給步驟(步驟S106)的處理流體供給裝置70與施行基板處理步驟(步驟S107)的基板處理裝置1之間。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

此外，實施形態之基板處理方法，包含處理流體供給步驟(步驟S204)、基板處理步驟(步驟S205)、及溫度維持步驟(步驟S201)。處理流體供給步驟(步驟S204)，供給調整為給定溫度之處理流體。基板處理步驟(步驟S205)，以藉由處理流體供給步驟(步驟S204)供給之處理流體處理基板(晶圓W)。溫度維持步驟(步驟S201)，於供給管線(第3供給管線64)中，將流通之處理流體的溫度維持為給定溫度。供給管線(第3供給管線64)，連接在施行處理流體供給步驟(步驟S204)的處理流體供給裝置70與施行基板處理步驟(步驟S205)的基板處理裝置1之間。藉此，可從處理開始後的第1片晶圓W起，以處理流體施行穩定的乾燥處理。

以上，雖針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並未受到上述實施形態所限定，若未脫離其意旨則可於其中進行各種變更。例如，在上述實施形態，雖針對第1供給管線62分支為2條第2供給管線63之例子予以顯示，但本發明並未限定於此等例子，亦可使第1供給管線62分支為3條第2供給管線63。此外，第1供給管線62亦可不分支為複數條第2供給管線63。

應知曉本次揭露之實施形態，其全部觀點僅為例示而非用於限制本發明。實際上，上述實施形態可藉由各式各樣的形態具體實現。此外，上述實施形態，亦可在未脫離添附之發明申請專利範圍及其意旨的範疇內，以各式各樣的形態進行省略、置換、變更。

1:基板處理裝置 2:搬出入站 3:處理站 4:搬運區塊 5:處理區塊 6:控制裝置 7:控制部 8:儲存部 11:載具載置部 12:搬運部 13,16:搬運裝置 14:傳遞部 15:搬運區 17:液體處理單元 18:乾燥單元(處理腔室之一例) 18a:處理區 18b:傳遞區 19:供給單元 23:外側腔室 23a:排液口 23b:排氣口 24:內側杯體 24a:排液口 25:晶圓固持機構 25a:藥液供給路 26:噴嘴臂 26a:藥液噴嘴 31:本體 32:固持板 33:蓋構件 34:開口部 35,36:供給埠 37:排出埠 38,39:流體供給頭 40:流體排出頭 41:閥 42:孔口 43:加熱器(加熱部之一例) 44:溫度感測器 45:閥 46:過濾器 47:溫度感測器 50:排出管線 51:壓力感測器 52:閥 53:流量計 54:背壓閥 60:處理流體供給源 61:處理流體供給管線 62:第1供給管線 63:第2供給管線 64:第3供給管線(供給管線之一例) 65:第4供給管線(另一供給管線之一例) 66:閥 67:止回閥 70:處理流體供給裝置 71:合流部 72:合流部 73:過濾器 74:冷凝器 75:貯存槽 76:泵 77:分支部 78:壓力感測器 79:分支部 80:孔口 81:分支部 82:壓力感測器 90:返回管線 91:螺旋加熱器 92:背壓閥 93:閥 100:返回管線 101:背壓閥 102:閥 103:閥 104:合流部 110:溫度感測器(溫度測定部之一例) 120:分支部 130:返回管線(溫度維持機構之一例) 131:閥 140:冷卻機構(溫度維持機構之一例) C:載具 DR:排放部 S:基板處理系統 W:晶圓(基板之一例)

圖1係顯示實施形態之基板處理裝置的構成例之圖。圖2係顯示實施形態之液體處理單元的構成例之圖。圖3係實施形態之乾燥單元的構成例之示意立體圖。圖4係顯示實施形態之基板處理系統的系統全體之構成例的圖。圖5係顯示實施形態之基板處理系統的配管構成之一例的圖。圖6係顯示實施形態的變形例1之基板處理系統的配管構成之一例的圖。圖7係顯示實施形態的變形例1之基板處理系統的動作之一例的圖。圖8係顯示實施形態的變形例1之基板處理系統的動作之一例的圖。圖9係顯示實施形態的變形例2之基板處理系統的配管構成之一例的圖。圖10係顯示實施形態的變形例3之基板處理系統的配管構成之一例的圖。圖11係顯示實施形態的變形例4之基板處理系統的配管構成之一例的圖。圖12係顯示實施形態之基板處理的處理順序之流程圖。圖13係顯示實施形態的變形例1～4之基板處理的處理順序之流程圖。

1:基板處理裝置

18:乾燥單元(處理腔室之一例)

19:供給單元

41:閥

42:孔口

43:加熱器(加熱部之一例)

44:溫度感測器

45:閥

46:過濾器

47:溫度感測器

50:排出管線

51:壓力感測器

52:閥

53:流量計

54:背壓閥

60:處理流體供給源

61:處理流體供給管線

62:第1供給管線

63:第2供給管線

64:第3供給管線(供給管線之一例)

65:第4供給管線(另一供給管線之一例)

66:閥

67:止回閥

70:處理流體供給裝置

71:合流部

72:合流部

73:過濾器

74:冷凝器

75:貯存槽

76:泵

77:分支部

78:壓力感測器

79:分支部

80:孔口

81:分支部

82:壓力感測器

90:返回管線

91:螺旋加熱器

92:背壓閥

93:閥

100:返回管線

101:背壓閥

102:閥

110:溫度感測器(溫度測定部之一例)

C:載具

DR:排放部

S:基板處理系統

W:晶圓(基板之一例)

Claims

一種基板處理系統，包含：處理流體供給裝置，供給調整為給定溫度之處理流體；基板處理裝置，以從該處理流體供給裝置供給之該處理流體處理基板；供給管線，連接在該處理流體供給裝置與該基板處理裝置之間；以及溫度測定部，於該供給管線中，測定該處理流體的溫度及該供給管線的溫度中之至少一方。
如請求項1之基板處理系統，其中，更包含控制各部之控制部；該控制部，在以該溫度測定部測定出的溫度與該給定溫度不同之情況下，自基準配方，變更從該處理流體供給裝置供給之該處理流體的壓力及在該基板處理裝置內受到加熱之該處理流體的溫度中之至少一方。
如請求項2之基板處理系統，其中，該控制部，在該基板被搬入至該基板處理裝置內的處理腔室之前，以該溫度測定部測定溫度。
一種基板處理系統，包含：處理流體供給裝置，供給調整為給定溫度之處理流體；基板處理裝置，以從該處理流體供給裝置供給之該處理流體處理基板；供給管線，連接在該處理流體供給裝置與該基板處理裝置之間；以及溫度維持機構，將在該供給管線流通之該處理流體的溫度維持為該給定溫度。
如請求項4之基板處理系統，其中，該溫度維持機構，係使在該供給管線流通之該處理流體返回至該處理流體供給裝置的返回管線。
如請求項5之基板處理系統，其中，更包含控制各部之控制部；該控制部，在該基板未被搬入至該基板處理裝置內的處理腔室之情況下，使在該供給管線流通之該處理流體藉由該返回管線返回至該處理流體供給裝置。
如請求項5或6之基板處理系統，其中，該返回管線，連接至該供給管線中之該基板處理裝置附近。
如請求項5或6之基板處理系統，其中，該基板處理裝置，包含：處理腔室，處理該基板；另一供給管線，連接在該供給管線與該處理腔室之間；以及閥，設置於該另一供給管線之上游側；該返回管線，連接至該另一供給管線中的該閥之上游側。
如請求項5或6之基板處理系統，其中，該基板處理裝置，包含：處理腔室，處理該基板；另一供給管線，連接在該供給管線與該處理腔室之間；以及加熱部，設置於該另一供給管線，將該處理流體加熱；該返回管線，連接至該加熱部之下游側。
如請求項1至6中任一項之基板處理系統，其中，該處理流體供給裝置，將較室溫更低的液體狀態之處理流體供給至該基板處理裝置；該基板處理裝置，以超臨界狀態之處理流體處理該基板。
一種基板處理方法，包含：處理流體供給步驟，供給調整為給定溫度之處理流體；基板處理步驟，以藉由該處理流體供給步驟供給之該處理流體處理基板；以及溫度測定步驟，於連接在施行該處理流體供給步驟的處理流體供給裝置與施行該基板處理步驟的基板處理裝置之間的供給管線中，測定該處理流體的溫度及該供給管線的溫度中之至少一方。