TW202418343A

TW202418343A - 電漿操作期間的處理站電壓調變

Info

Publication number: TW202418343A
Application number: TW112122359A
Authority: TW
Inventors: 大衛弗倫奇; 崎山幸紀
Original assignee: 美商蘭姆研究公司
Priority date: 2022-06-16
Filing date: 2023-06-15
Publication date: 2024-05-01

Abstract

本文中的諸多實施例係關於電漿操作期間之處理站電壓調變的系統、設備、及方法。在某些實施例中，系統包含：製程腔室；可操作地耦接至製程腔室之無供電電極的至少一可變電抗元件；以及控制器。在某些實施例中，控制器係配置以判定關聯於一或更多組件的一或更多目標電壓。可將控制器配置以基於一或更多目標電壓判定至少一可變電抗元件的值。可將控制器配置以致使至少一可變電抗元件具有判定值，其中致使至少一可變電抗元件具有判定值乃致使關聯於製程腔室之一或更多組件的一或更多電壓朝一或更多目標電壓移動。

Description

電漿操作期間的處理站電壓調變

本揭示內容係關於調變製程腔室電壓的系統及方法，特別係關於電漿操作期間之處理站電壓調變的系統、設備、及方法。

例如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、原子層蝕刻(ALE)、或與以上相似的電漿為基操作常在包括兩電極的電漿反應器中進行，兩電極係配置以在電極之間的區域中維持電漿。當提供RF信號至兩電極中的供電電極時，可點燃及/或維持電漿。

本文所提供之先前技術說明係為了大體上呈現所揭示內容之脈絡。在此先前技術章節中所敘述之範圍內的本案列名之發明人的成果、以及在申請時可能不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本揭示內容之先前技術。

本文中揭示電漿操作期間之處理站電壓調變的系統、設備、及方法。

在某些實施例中，提供系統。系統可包含：配置以用於執行包含電漿為基操作之半導體製造製程的製程腔室；可操作地耦接至製程腔室之無供電電極的至少一可變電抗元件；以及控制器。於電漿為基操作的執行期間或之前，可將控制器配置以判定關聯於製程腔室之一或更多組件的一或更多目標電壓。可將控制器配置以至少部分地基於一或更多目標電壓判定至少一可變電抗元件的值。可將控制器配置以致使至少一可變電抗元件具有判定值，其中致使至少一可變電抗元件具有判定值乃致使關聯於製程腔室之一或更多組件的一或更多電壓朝一或更多目標電壓移動。

在某些範例中，製程腔室的無供電電極包含製程腔室的噴淋頭，且其中至少一可變電抗元件係電連接至噴淋頭或配置在噴淋頭中。

在某些範例中，製程腔室的無供電電極係製程腔室的台座，其中至少一可變電抗元件係電連接至或係配置在製程腔室的台座中。

在某些範例中，致使關聯於製程腔室之一或更多組件的一或更多電壓朝一或更多目標電壓移動乃降低製程腔室內寄生電漿的可能性。

在某些範例中，一或更多目標電壓的至少其中之一係關聯於製程腔室之無供電噴淋頭的電壓。

在某些範例中，系統進一步包含配置以支托正在進行半導體製造製程之晶圓的台座，且其中一或更多目標電壓的至少其中之一係位於靠近晶圓之靜止位置處的電壓。在某些範例中，致使至少一可變電抗元件具有判定值乃致使位於靠近晶圓之靜止位置處的電壓顯著低於在致使至少一可變電抗元件具有判定值之前於該處的電壓。在某些範例中，系統進一步包含可操作地耦接至台座的射頻(RF)產生器。

在某些範例中，至少一可變電抗元件包含可變電容器。在某些範例中，系統進一步包含可操作地耦接至可變電容器的步進馬達，且其中控制器係配置以藉由致動步進馬達而致使可變電容器具有判定值。在某些範例中，基於與無供電電極相關聯的電感判定可變電容器的值。

在某些範例中，至少一可變電抗元件包含可變電感器。

在某些範例中，至少一可變電抗元件包含配置以提供不同頻率之不同電抗的網路。在某些範例中，不同頻率包含：DC、複數RF驅動頻率、一或更多RF驅動頻率的複數諧波、或以上之任意組合。

在某些範例中，至少一可變電抗元件包含可更換的硬體元件。

在某些範例中，電漿操作係電漿為基蝕刻操作或電漿為基沉積操作。

在某些範例中，提供方法。方法可包含於製程腔室內電漿為基操作的執行期間或之前，判定關聯於製程腔室之一或更多組件的一或更多目標電壓，製程腔室包含無供電電極。方法可包含判定可操作地耦接至無供電電極的至少一可變電抗元件的值。方法可包含致使至少一可變電抗元件具有判定值，其中致使至少一可變電抗元件具有判定值乃致使關聯於製程腔室之一或更多組件的一或更多電壓朝一或更多目標電壓移動。

在某些範例中，判定至少一可變電抗元件的值包含使用一或更多目標電壓作為查找表之鍵值以識別致使關聯於一或更多組件之一或更多電壓落入一或更多目標電壓之預定範圍內的至少一可變電抗元件之值。

在某些範例中，基於製程腔室之至少一部分的電路模型判定至少一可變電抗元件的值，其中電路模型包括至少一可變電抗元件。在某些範例中，電路模型包含關聯於在製程腔室中形成之電漿的一或更多電路元件。在某些範例中，關聯於電漿的一或更多電路元件包含表示電漿電阻的電阻器以及表示關聯於電漿鞘之電容的電容器。在某些範例中，至少一可變電抗元件包含可變電容器，且其中電路模型包含串聯耦合至表示無供電電極電感之電感器的可變電容器。在某些範例中，將可變電容器的值判定為致使關聯於可變電容器之阻抗實質上消除關聯於表示無供電電極電感之電感器之阻抗的值。

在某些範例中，無供電電極包含製程腔室的台座。

在某些範例中，至少一可變電抗元件包含可變電感器。

在某些範例中，至少部分地基於依據由光學感測器捕捉之光學資料判定的電漿特性來判定至少一可變電抗元件的值。

在某些範例中，至少部分地基於依據在製程腔室之一或更多區域或RF功率傳輸系統內量測的電功率、電壓、電流、及/或RF信號(一或多)之相位測量所判定的電漿特性來判定至少一可變電抗元件的值。

在某些範例中，至少部分地基於依據在供電電極或無供電電極的一或更多者上量測的DC偏壓信號所判定的電漿特性來判定至少一可變電抗元件的值。

在某些範例中，至少部分地基於依據製程腔室中之電性電漿診斷所判定的電漿特性來判定至少一可變電抗元件的值。

術語

在本說明書各處使用下列術語：

術語「半導體晶圓」、「晶圓」、「基板」、「晶圓基板」及「部分製造積體電路」係可互換地使用。本技術領域之通常技藝人士了解術語「部分製造積體電路」可指在其上積體電路製造的許多階段之任何階段期間的矽晶圓。在半導體裝置產業中使用的晶圓或基板通常具有200 mm、或300 mm、或450 mm的直徑。除了半導體晶圓之外，可利用所揭示實施例的其他工件包括諸多物件，例如印刷電路板、磁性記錄媒體、磁性記錄感測器、鏡子、光學元件、顯示裝置或組件，例如像素化顯示裝置的背板、平板顯示器、微型機械裝置等等。工件可具有諸多形狀、尺寸、及材料。

如本文中所使用的「半導體裝置製造操作」係於半導體裝置之製造期間所執行的操作。通常，整體製造製程包括多個半導體裝置製造操作，每一半導體裝置製造操作係在其各自的半導體製造工具中執行，例如電漿反應器、電鍍單元、化學機械平坦化工具、濕蝕刻工具、及以上之相似者。半導體裝置製造操作的類別包括消減製程以及材料添加製程，消減製程例如蝕刻製程及平坦化製程，材料添加製程例如沉積製程(例如，物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積、電化學沉積、無電鍍沉積)。在蝕刻製程的脈絡中，基板蝕刻製程包括蝕刻遮罩層之製程，或者更常包括蝕刻在先沉積於基板表面上及/或以其他方式駐留在基板表面上之任何材料層的製程。如此蝕刻製程可蝕刻基板中的層之堆疊。

「製造設備」係指於其中發生製造製程的設備。製造設備通常具有工件於處理期間駐留在其中的製程腔室。通常，當在使用中時，製造設備執行一或更多半導體裝置製造操作。用於半導體裝置製造的製造設備之範例包括沉積反應器以及消減製程反應器，沉積反應器例如電鍍單元、物理氣相沉積反應器、化學氣相沉積反應器、及原子層沉積反應器，消減製程反應器例如乾蝕刻反應器(例如，化學及/或物理蝕刻反應器)、濕蝕刻反應器、及灰化器。電漿操作期間的處理站電壓調變

例如電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、原子層蝕刻(ALE)、或與以上相似的電漿為基操作常在包括兩電極的電漿反應器中進行，兩電極係配置以在電極之間的區域中維持電漿。當提供RF信號至兩電極中的供電電極時，可點燃及/或維持電漿。固定至電漿反應器之牆的兩電極中之無供電電極可在相對低的RF頻率下有效地DC接地。然而，在較高的RF頻率下，無供電電極可能相對於電漿反應器之牆產生電壓。此電壓可具有對於反應器內電漿的不利影響，例如在除了兩電極之間區域以外的反應器之區域中造成寄生電漿。對於電漿的不利影響可能產生對於例如半導體製造操作的不可預測及/或不利情況，像是沉積層中的不均勻性、蝕刻層中的不均勻性等等。

本文揭示用於在電漿操作的執行期間及/或之前調變製程腔室之處理站之諸多區域處電壓的技術。在某些實施方式中，判定每一者關聯於處理站之組件的一或更多目標電壓。可為其判定目標電壓的示例性處理站之組件包括處理站的噴淋頭(例如，其中目標電壓係跨噴淋頭之電壓)、處理站的台座(例如，其中目標電壓係在靠近台座之頂面或上表面之區域中晶圓於處理期間駐留的地方)、或以上之相似者。在某些實施方式中，可將一或更多可變電抗元件調諧至驅使處理站電壓朝向一或更多目標電壓的值。可在配方中指定目標電壓(例如，針對特定步驟或部分的配方)。舉例而言，靠近台座之上表面之區域的目標電壓可為最小化台座下寄生電漿的值。

應留意的是，可將一或更多可變電抗元件可操作地耦接至處理站的無供電電極。例如，在其中提供RF信號至用作為供電電極之台座的案例中，可將一或更多可變電抗元件可操作地耦接至用作為無供電電極的噴淋頭。作為另一範例，在其中噴淋頭係供電電極的案例中，可將一或更多可變電抗元件可操作地耦接至台座。

在某些實施例中，可使用查找表判定將驅使電壓朝向一或更多目標電壓的一或更多可變電抗元件之值。例如，可提供一或更多目標電壓作為查找表之鍵值，而從可能驅使電壓接近或實質上匹配一或更多目標電壓的查找表之值中識別出可變電抗元件的值。在某些實施方式中，可至少部分地基於處理站中電漿的接近即時或盛行電漿特性來判定一或更多可變電抗元件的值。在某些實施方式中，電漿特性可基於例如來自定位以捕捉處理站內電漿之影像的光學感測器的光學資料。在某些實施方式中，可基於與製程腔室設備相關聯或在製程腔室設備內任何區域處(或於任意多個區域處)量測的電功率、電壓、電流、及/或一或更多RF信號之相位測量來判定電漿特性。在某些實施方式中，可基於在供電電極及/或無供電電極上量測的DC偏壓信號來判定電漿特性。在某些實施方式中，可基於在製程腔室中運行的電性電漿診斷來判定電漿特性。請留意，在某些實施例中，可基於以上所述技術中一或更多者的組合來判定電漿特性。

應理解的是，用於執行電漿操作的配方可包含諸多製程條件，例如用以產生或維持電漿的RF信號、製程氣體、流速、壓力、溫度、或以上之相似者。這些製程條件可能反過來影響處理站之諸多區域處的電壓。例如，如同以下將連結圖2及圖3更詳細說明的內容，電漿特性可影響跨噴淋頭及/或靠近台座的電壓，其中電漿特性係由製程條件駕馭。據此，可將本文所述技術用以在針對特定配方步驟設定其他製程條件之後調變電壓。換言之，關聯於處理站之無供電電極的可變電抗元件於調變電壓的使用可引進可在已設定製程條件之後被調諧的額外變數。

圖1顯示被表示為基板處理設備100的製造工具。可將設備100配置以用於使用任意數量的製程在半導體基板上或上方沉積膜。例如，設備100可特別適用於執行PECVD、ALD、或ALE。

圖1的處理設備100可採用在內部容積中具有單一基板夾持具108(例如，台座)之製程腔室的單一處理站102，可藉由真空泵118將內部容積維持在真空下。流體耦接至製程腔室的噴淋頭106及氣體輸送系統101可允許例如膜前驅物、以及載氣及/或吹淨氣體及/或製程氣體、二次反應物等等的輸送。

在圖1中，氣體輸送系統101包括用於摻合及/或調節製程氣體以用於至噴淋頭106之輸送的混合容器104。一或更多混合容器入口閥120可控制製程氣體至混合容器104的導入。可將特定反應物於汽化及後續輸送至製程腔室的處理站102之前以液體形式儲存。圖1的實施方式包括用於汽化待供應至混合容器104之液體反應物的汽化點103。在某些實施方式中，汽化點103可包括加熱液體注射模組。在某些其他的實施方式中，汽化點103可包括加熱汽化器。在又其他的實施方式中，可從處理站中排除汽化點103。在某些實施方式中，可提供汽化點103之上游的液體流量控制器以控制用於汽化及至處理站102之輸送的液體之質量流量。

噴淋頭106可操作以朝向在處理站的基板112分配製程氣體及/或反應物(例如，膜前驅物)，可藉由噴淋頭上游的一或更多閥(例如，閥120、120A、105)控制製程氣體及/或反應物的流動。在圖1描繪的實施方式中，將基板112描繪為位於噴淋頭106下方並顯示為駐留在台座108上。噴淋頭106可包括任何合適的形狀並可包括任何合適數量及配置的埠以用於分配製程氣體至基板112。在涉及二或更多處理站的某些實施方式中，氣體輸送系統101包括噴淋頭上游的閥或其他流量控制結構而可獨立地控制至每一處理站之製程氣體及/或反應物的流動，以便允許氣體流動至一處理站同時阻止氣體流動至第二處理站。再者，可將氣體輸送系統101配置以獨立地控制輸送至多站設備中每一處理站的製程氣體及/或反應物，使得提供至不同處理站的氣體成分不相同；例如，相同時間下處理站之間的氣體成分之分壓可各不相同。

在圖1的實施方式中，將氣體容積107描繪為位在噴淋頭106下方。在某些實施方式中，可上升或下降台座108以將基板112曝露至氣體容積107及/或變化氣體容積107的大小。有時將台座108與噴淋頭106之間的間隔稱為「間隙」。可選地，可於部分的沉積製程期間下降及/或上升台座108以調變氣體容積107內的製程壓力、反應物濃度等。將噴淋頭106及台座108描繪為電氣耦合至RF信號產生器114及匹配網路116以將功率耦合至電漿產生器。因而，噴淋頭106可用作為將射頻功率耦合至處理站102中的電極。可在任何合適的RF功率位準下操作RF信號產生器114及匹配網路116而可操作以形成具有所需之自由基物種、離子、及電子成分的電漿。此外，RF信號產生器114可提供具有多個頻率成分的RF功率，例如低頻成分(例如，小於約2 MHz)以及高頻成分(例如，大於約2 MHz)。在某些實施方式中，使用系統控制器中適當的硬體及/或適當的機器可讀指令來控制電漿點燃及維持條件，系統控制器可經由輸入/輸出控制指令的序列提供控制指令。

如以上連結圖1所述的內容，處理站可包括噴淋頭及台座，而可將噴淋頭及台座的每一者視為電極。如以上所述，可將RF信號施加至電極的其中之一，例如台座。在如此範例中，可將噴淋頭視為無供電電極。可將噴淋頭視為具有在本文中通常稱為 L _shd 的電感。噴淋頭電感通常可在10 nH至50 nH的範圍內。由於噴淋頭電感，關聯於噴淋頭的阻抗(在本文中通常稱為 Z _shd )係 Z _shd = jwL _shd 。在相對低的RF頻率下，噴淋頭電感對於關聯於噴淋頭之阻抗的影響可為可忽略的影響。據此，跨噴淋頭電壓亦可為可忽略的。換言之，在相對低的RF頻率下，噴淋頭係可有效地DC接地從而具有與腔室相同的電位。然而，在較高的RF頻率下(例如，20 MHz以上、30 MHz以上、40 MHz以上等等)，關聯於噴淋頭的阻抗可能增加，從而造成相對於腔室之跨噴淋頭電壓(在本文中通常稱為 V _shd )的相應增加。應理解的是，在其中施加RF信號至噴淋頭的案例中，可將台座視為無供電電極。相似於以上關於其中噴淋頭係無供電電極之案例中於較高RF頻率下跨噴淋頭產生之電壓所述的內容，在其中台座係無供電電極的案例中電壓可能跨台座產生。

可將包括台座、噴淋頭的反應器之組件以及維持在台座與噴淋頭之間的電漿表示為電阻器、電感器、及/或電容器的等效電路。特別是，等效電路可為串聯RLC電路。於其中台座係供電電極的案例中，RLC電路可包括電氣耦合至代表台座饋電硬體之電感器的RF信號產生器、代表維持在台座與噴淋頭間之電漿的串聯電容器及電阻器、以及代表噴淋頭的電感器。如以上所討論的，跨噴淋頭之電壓( V _Shd )可被施加至台座之RF信號的特性影響。於台座之頂部處的電壓(在本文中通常稱為 V _ped )亦可被RF信號的特性影響，台座之頂部相應於進行處理中之基板係定位於其上的台座之表面。再者，因為電路元件係串聯耦接，跨噴淋頭之電壓( V _Shd )亦可影響台座之頂部處的電壓( V _ped )。據此，不期望的跨噴淋頭之電壓(例如，起因於噴淋頭之電感)可能造成台座之表面處的不期望電壓變化，而可能反過來造成反應器內電漿條件的不期望變化。例如，反應器中跨諸多組件的如此不期望電壓變化可能造成寄生電漿。作為更特定的範例，如此寄生電漿可包括噴淋頭與牆壁之間的電漿、於台座之一部分下方的電漿、或其他相似者。再者，如此不期望電壓變化可能產生正於反應器內進行處理之晶圓上的不期望製造影響，例如不均勻沉積、不均勻蝕刻、或其他相似者。應理解的是，於其中供電電極係噴淋頭且其中無供電電極係台座的案例中，可將RF信號產生器電氣耦合至代表噴淋頭的電感器。

圖2顯示描繪依據某些實施例使用台座作為供電電極之反應器之組件的示意圖，該些組件係以等效電路元件表示之。如所繪示的內容，藉由電流源204表示RF產生器202。如以上連結圖1所述的內容，可將RF信號產生器202配置以於一或更多頻率下提供RF信號，包括低頻(例如，約2 MHz)及/或高頻(例如，2 MHz以上)。RF信號產生器202係電氣耦合至台座206。藉由電感器208(稱為 L _ped )表示台座的桿。如圖2中所示，在本文中通常將台座206之頂部處的電壓稱為 V _ped 。電漿210當存在時係維持在台座206與噴淋頭216之間。可藉由串聯的電容器212(在本文中通常稱為 C _plasma )及電阻器214(在本文中通常稱為 R _plasma )表示電漿210。一般而言， R _plasma 表示電漿板電阻，且 C _plasma 表示電漿鞘電容。當固定至反應器之牆(如同習知設定)時的噴淋頭216係藉由電感器220(在本文中稱為 L _Shd )表示之，電感器220係反過來耦接至地面(即，處理站牆)。有時將此配置稱為「接地噴淋頭配置」。如圖2中所示，跨噴淋頭之電壓 V _Shd 對應於電感器220之未接地節點處的電壓。

在某些實施方式中，可使用可變電抗元件調節關聯於處理站的一或更多電壓。可變電抗元件的範例包括可變電容器、可變電感器、以及藉由經不同電抗元件提供不同頻率之不同電抗而可允許不同頻率下(例如，於DC、於RF驅動頻率下之諧波、及/或多個RF驅動頻率)之不同行為的網路。在某些實施例中，可將可變電抗元件可操作地耦接至處理站的無供電電極。例如，於其中台座係處理站之供電電極的案例中，可將可變電抗元件可操作地耦接至噴淋頭。作為另一範例，於其中噴淋頭係供電電極的案例中，可將可變電抗元件可操作地耦接至台座。

由於代表諸多處理站組件或區域的電路元件(例如，如在圖2中所示及以上連結圖2所述之內容)通常係串聯耦接，故變化可變電抗元件可調節處理站各處的電壓。例如，變化可變電抗元件的電抗可造成關聯於台座之電壓(例如， V _ped ，如在圖2中所示及以上連結圖2所述之內容)及/或跨噴淋頭之電壓(例如， V _shd ，如在圖2中所示及以上連結圖2所述之內容)的改變。

依據某些實施例，圖3顯示描繪圖2之反應器的組件且包括可操作地耦接至噴淋頭(即，圖2之反應器的無供電電極)之可變電抗元件的示意圖。如所繪示的內容，可變電容器302係可操作地耦接至噴淋頭216。藉由調諧可變電容器302，可改變、或調變跨噴淋頭216之電壓( V _shd )以及關聯於台座之電壓( V _ped )。

如上所述，可變電抗元件的調變可造成關聯於處理站之一或更多電壓的電壓改變。一或更多電壓可包括跨噴淋頭之電壓、台座之上部或頂部處的電壓(例如，晶圓於處理期間駐留之處)、或其他相似者。請留意，無論可變電抗元件係可操作地耦接至噴淋頭(例如，於其中台座係供電電極的案例中)、或者可變電抗元件係可操作地耦接至台座(例如，於其中噴淋頭係供電電極的案例中)，皆可發生電壓改變。

應留意的是，一或更多電壓的改變可取決於存在處理站中之電漿的特性。例如，如圖2及圖3中所繪示及以上連結圖2及圖3所述內容，可藉由串聯的電阻器( R _plasma )及電容器( C _plasma )代表電漿。繼續此範例，電漿的特性可影響代表電漿之電阻及/或電容的值。代表電漿之電阻及/或電容的值可反過來影響一或更多電壓的改變。在某些實施方式中， C _plasma 的值可在約200 pF至約1200 pF的範圍之間而可對應於約0.25毫米至約1.5毫米的電漿鞘厚度。在某些實施方式中，可在至少部分取決於與電漿相關聯之電阻( R _plasma )的範圍內調變處理站之特定區域中的電壓。例如，在某些實施例中，在相對於較高電漿電阻(例如，高於約9歐姆、高於約10歐姆、高於約15歐姆、或其他相似者)的相對較低電漿電阻(例如，約0.5歐姆、約1歐姆、約1.5歐姆、約2歐姆、或其他相似者)情況下，較大的電壓改變係有可能的。

圖4A繪示於台座處電壓( V _ped )隨著可操作地耦接至處理站之噴淋頭的可變電容器之變化電抗改變的等高線圖。如所繪示的內容，台座電壓可能夠在約20至100(使用任意電壓單位)的範圍之間變化。圖4A的等高線圖係假定1歐姆的固定電漿電阻並針對諸多電漿特性(如y軸所示)所產生的。x軸繪示可變噴淋頭電容的變化值。請留意，針對給定的電漿電容(例如，1200 pF)，藉由將噴淋頭電容器從100 pF調諧至500 pF而可在動態電壓範圍之間變化台座電壓。

圖4B繪示於噴淋頭處電壓( V _shd )隨著可操作地耦接至噴淋頭的可變電容器之變化電抗改變的等高線圖。換言之，圖4A及4B兩者皆變化可變噴淋頭電容器的電抗，但繪示於處理站之不同區域處(即，圖4A中台座、及圖4B中噴淋頭)電壓的改變。相似於以上連結圖4A所述的內容，圖4B的等高線圖係假定1歐姆的固定電漿電阻並針對諸多電漿特性(如y軸所示)所產生的。x軸繪示可變噴淋頭電容的變化值。請留意，針對給定的電漿電容(例如，1200 pF)，藉由將噴淋頭電容器從100 pF調諧至500 pF而可在動態電壓範圍之間變化噴淋頭電壓。

在某些實施方式中，於電漿操作的執行期間及/或之前，判定關聯於處理站之組件的一或更多目標電壓，於該處理站中正執行或將要執行電漿操作。一或更多目標電壓可關聯於處理站之台座(例如，台座頂部之晶圓於處理期間駐留之處)、處理站之噴淋頭、或其他相似者。電漿操作可為電漿為基蝕刻操作或電漿為基沉積操作。在某些實施例中，可基於在待於處理站實施之配方中指示的目標電壓來判定一或更多目標電壓。在某些實施例中，例如，於其中目標係最小化跨噴淋頭之電壓的案例中，一或更多目標電壓中的一目標電壓可為0伏特、或其他最小電壓。在某些案例中，可於多頻率下為特定組件指定目標電壓，多頻率例如多個RF驅動頻率、多個RF驅動頻率之諧波、DC、或其他相似者。在某些實施方式中，可基於接近即時或盛行電漿特性(例如，於電漿操作的執行期間)的估計來判定特定組件之目標電壓。在某些實施例中，可使用具有導入處理站中之視埠的光學感測器(例如，一或更多攝影裝置)來估計或判定接近即時或盛行電漿特性。

在某些實施例中，可至少部分地基於一或更多目標電壓來判定關聯於處理站之組件的至少一可變電抗元件的值。在某些實施例中，可變電抗元件可為可變電感器及/或可變電容器。在某些實施方式中，可變電抗元件可為電抗元件之網路(例如，多個電抗元件)，使得藉由例如於不同頻率下選擇網路之不同節點而可選擇不同電抗。在某些實施方式中，可變電抗元件可為可在現場容易更換的固定硬體元件。如此固定硬體元件可包括電容器、電感器、或相對低成本及/或容易更換的其他相似者。

在某些實施例中，至少一可變電抗元件係可關聯於處理站的特定組件。該組件可對應於處理站的無供電電極。例如，如以上連結圖3所述的內容，於其中台座係供電電極的案例中，可將至少一可變電抗元件可操作地耦接至噴淋頭。作為另一範例，於其中噴淋頭係供電電極的案例中，可將至少一可變電抗元件可操作地耦接至台座。

在某些實施例中，可使用查找表判定至少一可變電抗元件之值。例如，可使用一或更多目標電壓作為查找表之鍵值以判定將產出相對於現行電壓值更接近一或更多目標電壓之電壓的至少一可變電抗元件之值。應注意的是，在某些案例中，有可能驅使關聯於特定組件的電壓實質上匹配關聯於該組件的目標電壓。例如，電壓可落入關聯於該組件之目標電壓的預定範圍內(例如，+/- 1%、+/- 5%、+/-10%、或其他相似者)。在其他案例中，只有可能驅使關聯於特定組件的電壓相對於與該組件相關聯之現行電壓更接近目標電壓。再者，應注意的是，於其中使用多個目標電壓(例如，噴淋頭之目標電壓及台座之目標電壓)的案例中，可能無法藉由調諧至少一可變電抗元件而匹配多個目標電壓。在如此的案例中，可選擇至少一電抗元件的值而最佳化多個電壓的值。除此之外或可替代地，可選擇至少一電抗元件的值而優先化一或更多目標電壓的子集。舉例而言，於其中目標電壓包括台作電壓及噴淋頭電壓的案例中，於判定至少一可變電抗元件之值時可將一者或另一者優先化以在較少考慮另一組件電壓的情況下驅使被優先化之組件電壓的電壓朝向相應的目標電壓。

於判定至少一可變電抗元件的值之後，可將至少一可變電抗元件調諧或致動以具有判定值。例如，可利用步進馬達以致使至少一可變電抗元件具有判定值。作為更特定的範例，步進馬達可旋轉可變電容器的極板以達到所判定的電抗值。作為另一範例，於其中至少一可變電抗元件包括可變電感器的案例中，可移動或定位螺線管內的固體核心(例如，使用步進馬達)以達到目標電感。

圖5係用於調諧可變電抗元件以調變與其中正執行或將要執行電漿操作之處理站相關聯之電壓的示例性製程500的流程圖。在某些實施方式中，可藉由控制器或是與處理站或與處理站相關聯之製程腔室相關聯的處理器來執行製程500的區塊。在某些實施例中，可用除了圖5所示之順序以外的其他順序執行製程500的區塊。在某些實施方式中，可實質上並行地執行製程500的二或更多區塊。在某些實施方式中，可省略製程500的一或更多區塊。

製程500可藉由於電漿操作的執行期間或之前判定關聯於其中正執行或將要執行電漿操作之處理站之組件的一或更多目標電壓而開始於502。電漿操作可為電漿為基蝕刻操作或電漿為基沉積操作。一或更多電壓可關聯於處理站之噴淋頭、處理站之台座(例如，台座之頂部晶圓於處理期間駐留之處)、或其他相似者。可基於在處理站中正實施或待實施的配方來判定一或更多目標電壓。例如，配方可指定一或更多目標電壓。在某些實施例中，一或更多目標電壓可基於處理站內電漿的盛行電漿特性之判定(例如，於電漿操作的執行期間)。盛行電漿特性可指示電漿均勻性或是處理站內或處理站之區域內的電漿質心位置。在某些實施例中，可基於從處理站之一或更多光學感測器(例如，攝影機感測器)獲得的光學資料判定電漿特性。在某些實施方式中，可判定一或更多目標電壓以將電漿特性修改為朝向所期望或最佳的電漿特性。在某些實施例中，至少一目標電壓可為0，或其他最小的電壓值。例如，可將關聯於處理站之無供電電極的目標電壓於特定頻率下判定為0，使得當達到目標電壓時可將無供電電極視為DC接地。

於504，製程500可至少部分地基於一或更多目標電壓判定關聯於處理站之組件的至少一可變電抗元件之值。例如，如上所述，製程500可使用一或更多目標電壓作為查找表之鍵值以識別出驅使處理站之組件電壓朝向一或更多目標電壓的至少一可變電抗元件之值。在某些實施方式中，可藉由考量關聯於多個組件的多個目標電壓而判定至少一電抗元件之值。除此之外或可替代地，在某些實施方式中，可藉由優先化關聯於處理站之單一組件的一目標電壓而判定至少一電抗元件之值。如上所述，至少一可變電抗元件可包括可變電容器、可變電感器、及/或可針對不同頻率被選擇性調諧的可變電抗網路。至少一可變電抗元件可與處理站的無供電電極相關聯。

於506，製程500可致使至少一可變電抗元件具有判定值，從而致使關聯於處理站之組件的一或更多電壓朝一或更多目標電壓移動。例如，製程500可致使步進馬達致動可變電容器的極板以達到可變電容器的目標電抗。作為另一範例，製程500可致動螺線管內的核心以達到可變電感器的目標電抗。

應注意的是，在某些實施方式中，可多次地循環製程500之區塊。例如，可於配方的每一步驟期間或之前執行製程500。作為另一範例，可在已實施特定製程條件(例如，如配方中所指定的)之後執行製程500以執行製程的進一步調變，即，在已經鎖定或固定其他製程條件之後藉由調變諸多組件的電壓而執行製程的進一步調變。所揭示之計算實施例的脈絡

本文中揭示的某些實施例係關於在電漿操作期間用於調變電壓的計算系統。

可採用具有諸多電腦架構中之任意者的許多型式之電腦系統作為用以實施如本文所述之演算法的所揭示系統。例如，系統可包括在一或更多通用處理器或特別設計處理器上執行的軟體組件，特別設計處理器例如應用特定積體電路(ASICs)或可程式邏輯裝置(例如，現場可程式閘陣列(FPGAs))。再者，可於單一裝置上實施系統或跨多個裝置分佈系統。計算元件的功能可相互合併或進一步拆分成多個子模組。

在某些實施例中，於本文所述技術在適當程式化系統上之產生或執行期間所執行的編碼可以可儲存在非揮發性儲存媒體(例如光碟、快閃儲存裝置、行動硬碟等)中的軟體元件之形式體現，而包括用於製作電腦裝置(例如個人電腦、伺服器、網路設備等)的一些指令。

在一層級中，將軟體元件實施為由程式設計者/開發者準備的一組命令。然而，可藉由電腦硬體執行的模組軟體係使用從特定機器語言指令集中選擇的「機器碼」、或設計至硬體處理器中的「本機指令」提交至記憶體的可執行編碼。機器語言指令集、或本機指令集係已知的且基本上內建於硬體處理器(一或多)中。此為系統及應用軟體與硬體處理器通訊所用的「語言」。每一本機指令係被處理架構識別的離散碼，且離散碼可為算術、定址、或控制功能指定特定暫存器；特定記憶體位置或偏移；以及用於解釋運算元的特定尋址模式。藉由組合這些簡單的本機指令來建立更複雜的操作，這些本機指令係序列地執行、或藉由控制流程指令引導的其他方式執行。

可執行軟體指令與硬體處理器之間的相互關係是結構性的。換言之，指令本身係一系列的符號或數值。它們本質上不傳達任何資訊。係藉由設計處理器預先配置以解釋符號/數值而為指令賦予意義。

可將本文中使用的方法及技術配置以於單一位置處的單一機器上、或於單一位置處的多個機器上、或於多個位置處的多個機器上執行。當採用多個機器時，可針對特定任務而裁製個別機器。例如，可在大的及/或固定的機器上實施需要大編碼區塊及/或顯著處理能力的操作。

此外，某些實施例係關於有形的及/或非暫時性的電腦可讀媒體或電腦程式產品而包括用於執行諸多電腦實行操作的程式指令及/或資料(包括資料結構)。電腦可讀媒體的範例包括但不限於半導體記憶體裝置、相變化裝置、例如磁碟機之磁性媒體、磁帶、例如CD的光學媒體、磁光媒體、以及特別配置以儲存和執行程式指令的硬體裝置，例如唯讀記憶體裝置(ROM)及隨機存取記憶體(RAM)。可藉由終端使用者直接控制電腦可讀媒體或者可藉由終端使用者間接控制媒體。直接控制媒體的範例包括位於使用者設施處的媒體及/或不與其他實體共享的媒體。間接控制媒體的範例包括使用者經由外部網路及/或經由例如「雲端」的提供共享資源之伺服器而可間接存取的媒體。程式指令的範例包括例如由編譯器產出的機器碼以及含有可由電腦使用解釋器執行之高階編碼的檔案兩者。

在諸多實施例中，以電子格式提供在所揭示方法及設備中使用的資料或資訊。如此資料或資訊可包括待於計算中使用的諸多係數、及其他相似者。如本文中所使用的，以電子格式提供的資料或其他資訊係可儲存在機器上並且可在機器之間傳輸的。按例而言，電子格式資料係以數位方式提供並可儲存為在諸多資料結構、清單、資料庫等之中的位元及/或位元組。可以電子、光學等方式來體現資料。

系統軟體通常與電腦硬體及相關聯的記憶體介面接合。在某些實施例中，系統軟體包括操作系統軟體及/或韌體，以及安裝在系統中的任何中間軟體及驅動程式。系統軟體提供電腦的基本非特定任務功能。相比之下，模組及其他應用軟體係用以實現特定任務。用於模組的每一本機指令係儲存在記憶體裝置中並使用數值表示之。

圖6係適用於實施本揭示內容之某些實施例的計算裝置600之範例的方塊圖。例如，裝置600可適用於實施本文所揭示之影像分析邏輯的某些或全部功能。

計算裝置600可包括直接或間接耦合下列裝置的匯流排602：記憶體604、一或更多中央處理單元(CPUs)606、一或更多圖形處理單元(GPUs)608、通訊介面610、輸入/輸出(I/O)埠612、輸入/輸出組件614、功率供應器616、及一或更多演示組件618(例如，一或多顯示器)。除了CPU 606及GPU 608之外，計算裝置600可包括未於圖6中顯示的額外邏輯裝置，例如但不限於影像信號處理器(ISP)、數位信號處理器(DSP)、ASIC、FPGA、或其他相似者。

儘管圖6的諸多區塊係顯示為經由匯流排602與線路連接，但此並非旨在受到限制而只是為了清楚起見。例如，在某些實施例中，可將例如顯示裝置的演示組件618視為I/O組件614(例如，若顯示器係觸控螢幕)。作為另一範例，CPUs 606及/或GPUs 608可包括記憶體(例如，記憶體604可代表除了GPUs 608、CPUs 606、及/或其他組件之記憶體以外的儲存裝置)。換言之，圖6的計算裝置僅為說明性的。並未在如「工作站」、「伺服器」、「筆記型電腦」、「桌上型電腦」、「平板電腦」、「用戶端設備」、「行動裝置」、「手持裝置」、「電子控制單元(ECU )」、「虛擬實境系統」、及/或其他裝置或系統型式的如此類別之間進行區分，因為以上所有都被設想在圖6之計算裝置的範圍內。

匯流排602可代表一或更多匯流排，例如位址匯流排、資料匯流排、控制匯流排、或以上之組合。匯流排602可包括一或更多匯流排型式，例如工業標準架構(ISA)匯流排、延伸工業標準架構(EISA)匯流排、視電標準協會(VESA)匯流排、週邊組件互連(PCI)匯流排、快捷週邊組件互連(PCIe)匯流排，及/或其他型式的匯流排。

記憶體604可包括諸多電腦可讀媒體中的任意者。電腦可讀媒體可為可被計算裝置600存取的任何可用媒體。電腦可讀媒體可包括揮發性與非揮發性媒體、以及可移除式與非可移除式媒體兩者。藉由舉例而非限制的方式，電腦可讀媒體可包含電腦儲存媒體及/或通訊媒體。

電腦儲存媒體可包括以任何方法或技術實施以用於資訊之儲存的揮發性與非揮發性媒體及/或可移除式與非可移除式媒體兩者，資訊例如為電腦可讀指令、資料結構、程式模組、及/或其他資料型式。例如，記憶體604可儲存電腦可讀指令(例如，表示程式(一或多)及/或程式元件(一或多)，像是操作系統)。電腦儲存媒體可包括但不限於RAM、ROM、EEPROM、快閃記憶體或其他記憶體技術、CD-ROM、數位光碟(DVD)或其他光碟儲存器、磁卡、磁帶、磁碟儲存器或其他磁性儲存裝置，或是可用以儲存所需資訊且可被計算裝置600存取的任何其他媒體。如本文中所使用的，電腦儲存媒體本身並不包含信號。

通訊媒體可體現在調變資料信號中的電腦可讀指令、資料結構、程式模組、及/或其他資料型式，通訊媒體例如載波或其他傳輸機制且包括任何資訊傳遞媒體。術語「調變資料信號」可指具有以例如將資訊編碼在信號中的如此方式設定或改變之一或更多自身特徵的信號。藉由舉例而非限制的方式，通訊媒體可包括例如有線網路或直接接線連接的有線媒體，以及例如聲波、RF、紅外線及其他無線媒體的無線媒體。以上之任意者的組合亦應被包括在電腦可讀媒體的範圍內。

可將CPU(s) 606配置以執行電腦可讀指令以控制計算裝置600的一或更多組件去執行本文所述之方法及/或製程中的一或更多者。CPU(s) 606可各自包括能夠同時處理眾多軟體線程的一或更多核心(例如，一、二、四、八、二十八、七十二等)。CPU(s) 606可包括任何型式的處理器並可取決於所實施之計算裝置600的型式而包括不同型式的處理器(例如，針對行動裝置具有較少核心的處理器以及針對伺服器具有較多核心的處理器)。例如，取決於計算裝置600的型式，處理器可為使用精簡指令集計算(RISC)實施的ARM處理器或使用複雜指令集計算(CISC)實施的x86處理器。除了一或更多微處理器或例如算術共處理器的輔助共處理器之外，計算裝置600可包括一或更多CPUs 606。

可藉由計算裝置600將GPU(s) 608用於呈現圖形(例如，3D圖形)。GPU(s) 608可包括能夠同時處理許多軟體線程的眾多(例如，數十、數百、或數千)核心。GPU(s) 608可響應呈現命令(例如，經由主機介面所接收的來自CPU(s) 606之呈現命令)而產生輸出影像之像素資料。GPU(s) 608可包括用於儲存像素資料的圖形記憶體，例如顯示器記憶體。可將顯示器記憶體包括為部分的記憶體604。GPU(s) 608可包括二或更多平行操作的GPUs(例如，經由鏈接)。當相結合時，每一GPU 608可針對輸出影像的不同部分或針對不同輸出影像產生像素資料(例如，第一GPU針對第一影像且第二GPU針對第二影像)。每一GPU 608可包括自己的記憶體或者可與其他GPUs共享記憶體。

於其中計算裝置600不包括GPU(s) 608的範例中，可將CPU(s) 606用於呈現圖形。

通訊介面610可包括一或更多接收器、傳輸器、及/或收發器而使計算裝置600能夠經由電子通訊網路與其他計算裝置通訊，包括有線及/或無線通訊。通訊介面610可包括組件及功能性以實行經由若干不同網路中之任意者的通訊，像是無線網路(例如，Wi-Fi、Z波、藍牙、藍牙LE、ZigBee等)、有線網路(例如，經由乙太網路通訊)、低功率廣域網路(例如，LoRaWAN、SigFox等)、及/或網際網路。

I/O埠612可使計算裝置600能夠邏輯地耦接至包括I/O組件614、演示組件(一或多)618、及/或其他組件的其他裝置，可將上述組件中的某些組件內建至(例如，整合在其中)計算裝置600中。說明性的I/O組件614包括麥克風、滑鼠、鍵盤、操縱桿、觸控板、衛星天線、掃描器、印表機、無線裝置等。I/O組件614可提供處理使用者產生之空中手勢、語音、或其他生理輸入的自然使用者介面(NUI)。在某些案例中，可將輸入傳輸至適當的網路元件以用於進一步處理。NUI可實施關聯於計算裝置600之顯示器之語音辨識、手寫筆辨識、臉部辨識、生物特徵辨識、螢幕上與鄰近螢幕兩者的手勢辨識、空中手勢、頭部與眼睛追踪、及觸控辯識(如以下更詳細描述的)的任意組合。計算裝置600可包括深度攝影機，例如立體攝影機系統、紅外線攝影機系統、RGB攝影機系統、觸控螢幕技術，以及此些之組合，以用於手勢偵測及辨識。據此，計算裝置600可包括實行動作之偵測的加速度計或陀螺儀(例如，作為部分的慣性量測單元)。在某些範例中，可藉由計算裝置600將加速度計或陀螺儀的輸出用於呈現沉浸式擴增實境或虛擬實境。

功率供應器616可包括固線式功率供應器、電池功率供應器、或以上之組合。功率供應器616可提供功率至計算裝置600以使計算裝置600之組件能夠操作。

演示組件(一或多)618可包括顯示器(例如，監視器、觸控螢幕、電視螢幕、抬頭顯示器(HUD)、其他顯示器型式、或以上之組合)、揚聲器、及/或其他演示組件。演示組件(一或多)618可從其他組件(例如，GPU(s) 608、CPU(s) 606等)接收資料，以及輸出資料(例如，作為影像、視訊、聲音等)。

可在電腦碼或機器可用指令的通常脈絡文中描述本揭示內容，機器可用指令包括由電腦或其他機器執行的例如程式模組之電腦可執行指令，其他機器例如個人資料助理器或其他手持裝置。大體而言，包括常式、程式、物件、組件、資料結構等等的程式模組係指執行特定任務或實施特定抽象資料型式的編碼。可在諸多的系統配置中實現本揭示內容，包括手持裝置、消費性電子產品、通用電腦、更多專長計算裝置等。亦可在其中藉由遠端處理裝置執行任務的分散式計算環境中實現本揭示內容，遠端處理裝置係經由通訊網路鏈結。結論

在說明內容中，提出了眾多具體細節以便提供對於所呈現實施例的透徹理解。可在不具有某些或全部的此些具體細節的情況下實現所揭示的實施例。在其他方面，為了不對所揭示實施例造成不必要地混淆而沒有詳細描述眾所周知的製程操作。儘管係結合具體實施例來描述所揭示的實施例，將可理解的是具體實施例並非旨在限制所揭示的實施例。

除非另有指明，否則本文所揭示的方法操作及裝置特徵涉及在計量學、半導體裝置製造技術、軟體設計與程式設計、及統計學中常用的技術及設備，以上皆在本技術領域的範圍內。

除非本文中另有定義，否則本文中使用的所有技術及科學術語具有與本技術領域中具通常技藝者一般所理解的相同意義。包括本文中所包含之術語的諸多科學詞典對於本領域技術人員而言係眾所周知且可用的。描述了某些方法及材料，但與本文所述內容相似或等同的任何方法及材料在本文所揭示實施例的實現或測試中係可用的。

數值範圍包括定義該範圍的數字。旨在將本說明書各處給出的每一最大數值限制包括每一較低數值限制，就如同如此較低數值限制係明確地寫在本文中一樣。本說明書各處給出的每一最小數值限制將包括每一較高數值限制，就如同如此較高數值限制係明確地寫在本文中一樣。本說明書各處給出的每一數值範圍將包括落在如此較廣數值範圍中的每一較窄數值範圍，就如同如此較窄數值範圍係明確地寫在本文中一樣。

本文中提供的標題並非旨在限制所揭示內容。

除非上下文中另有清楚指明，否則如本文中所使用的單數術語「一(a)」、「一(an)」、及「該(the)」包括複數指稱。除非另有指明，否則如本文中所使用的術語「或」係指非排他性的或。

可將包括處理器、記憶體、指令、常式、模型、或其他組件的諸多計算元件描述或聲稱為「配置以」執行任務或複數任務。在如此情況下，片語「配置以」係用以藉由指示組件包括於操作期間執行任務或複數任務之結構(例如，所儲存之指令、電路等)而內涵結構。如此，單元/電路/組件可謂即使當被指定組件當前不一定可操作時(例如，沒有開啟)仍係配置以執行任務。

與「配置以」語言一起使用的組件可指硬體，例如，電路、儲存可執行以實施操作之程式指令的記憶體等。據此，「配置以」可指藉由軟體及/或韌體(例如，FPGA或執行軟體之通用處理器)操縱的通用結構(例如，通用電路)以用能夠執行所述任務(一或多)的方式進行操作。據此，「配置以」可指一或更多記憶體或儲存用於執行所述任務(一或多)之電腦可執行指令的記憶體元件。如此記憶體元件可包括具有處理邏輯之電腦晶片上的記憶體。在某些情況下，「配置以」亦可包括採用製造製程(例如，半導體製造設施)以製造被採用以實施或執行一或更多任務的裝置(例如，積體電路)。

100:基板處理設備 101:氣體輸送系統 102:處理站 103:汽化點 104:混合容器 105,120A:閥 106:噴淋頭 107:氣體容積 108:台座 112:基板 114:RF信號產生器 116:匹配網路 118:真空泵 120:混合容器入口閥 202:RF產生器 204:電流源 206:台座 208:電感器 210:電漿 212:電容器 214:電阻器 216:噴淋頭 220:電感器 L _ped :表示台座之電感 V _ped :台座處電壓 C _plasma :電漿鞘電容 R _plasma :電漿板電阻 L _Shd :表示噴淋頭之電感 V _Shd :跨噴淋頭之電壓 302:可變電容器 C _Shd :噴淋頭電容 500:製程 502,504,506:步驟 600:計算裝置 602:匯流排 604:記憶體 606:中央處理單元(CPU) 608:圖形處理單元(GPU) 610:通訊介面 612:輸入/輸出(I/O)埠 614:輸入/輸出(I/O)組件 616:功率供應器 618:演示組件

圖1係依據某些實施例之示例性設備的示意圖。

圖2係依據某些實施例將配置以用於電漿操作之設備的組件表示為等效電路元件的示意圖。

圖3係繪示依據某些實施例用於調變處理站之電壓的可變電抗元件之使用的示意圖。

圖4A及4B係顯示依據某些實施例之示例性可變電容器對電壓之影響的繪圖。

圖5係依據某些實施例使用可變電抗元件調變電壓之示例性製程的流程圖。

圖6呈現可用以實施本文所述特定實施例的示例性電腦系統。

202:RF產生器

204:電流源

206:台座

208:電感器

210:電漿

212:電容器

214:電阻器

216:噴淋頭

220:電感器

302:可變電容器

L _ped:表示台座之電感

V _ped:台座處電壓

C _plasma:電漿鞘電容

R _plasma:電漿板電阻

L _Shd:表示噴淋頭之電感

V _Shd:跨噴淋頭之電壓

C _Shd:噴淋頭電容

Claims

一種基板處理系統，包含：一製程腔室，配置以用於執行包含一電漿為基操作的一半導體製造製程；至少一可變電抗元件，可操作地耦接至該製程腔室的一無供電電極；及一控制器，配置以：於該電漿為基操作的執行期間或之前，判定關聯於該製程腔室之一或更多組件的一或更多目標電壓；至少部分地基於該一或更多目標電壓判定該至少一可變電抗元件的一值；以及致使該至少一可變電抗元件具有判定的該值，其中致使該至少一可變電抗元件具有判定的該值的操作致使關聯於該製程腔室之該一或更多組件的一或更多電壓朝該一或更多目標電壓移動。
如請求項1之系統，其中該製程腔室的該無供電電極包含該製程腔室的一噴淋頭，且其中該至少一可變電抗元件係電連接至該噴淋頭或係配置在該噴淋頭中。
如請求項1之系統，其中該製程腔室的該無供電電極係該製程腔室的一台座，其中該至少一可變電抗元件係電連接至或係配置在該製程腔室的該台座中。
如請求項1至3中任一項之系統，其中致使關聯於該製程腔室之該一或更多組件的該一或更多電壓朝該一或更多目標電壓移動的操作降低該製程腔室內寄生電漿的可能性。
如請求項1至3中任一項之系統，其中該一或更多目標電壓的至少其中之一係關聯於該製程腔室的一無供電噴淋頭的一電壓。
如請求項1至3中任一項之系統，進一步包含一台座，該台座係配置以支托正在進行該半導體製造製程的一晶圓，且其中該一或更多目標電壓的至少其中之一係位於靠近該晶圓之一靜止位置的一位置處的一電壓。
如請求項6之系統，其中致使該至少一可變電抗元件具有判定的該值的操作致使位於靠近該晶圓之該靜止位置的該位置處的該電壓顯著低於在致使該至少一可變電抗元件具有判定的該值之前於該位置處的一電壓。
如請求項6之系統，進一步包含可操作地耦接至該台座的一射頻(RF)產生器。
如請求項1至3中任一項之系統，其中該至少一可變電抗元件包含一可變電容器。
如請求項9之系統，進一步包含可操作地耦接至該可變電容器的一步進馬達，且其中該控制器係配置以藉由致動該步進馬達而致使該可變電容器具有判定的該值。
如請求項9之系統，其中基於與該無供電電極相關聯的一電感判定該可變電容器的值。
如請求項1至3中任一項之系統，其中該至少一可變電抗元件包含一可變電感器。
如請求項1至3中任一項之系統，其中該至少一可變電抗元件包含配置以提供不同頻率之不同電抗的一網路。
如請求項13之系統，其中該不同頻率包含：DC、複數RF驅動頻率、一或更多RF驅動頻率的複數諧波、或以上之任意組合。
如請求項1至3中任一項之系統，其中該至少一可變電抗元件包含一可更換硬體元件。
如請求項1至3中任一項之系統，其中該電漿操作係依電漿為基蝕刻操作或一電漿為基沉積操作。
一種用於調變製程腔室之電壓的方法，該方法包含：於一製程腔室內一電漿為基操作的執行期間或之前，判定關聯於該製程腔室之一或更多組件的一或更多目標電壓，該製程腔室包含一無供電電極；判定可操作地耦接至該無供電電極的至少一可變電抗元件的一值；致使該至少一可變電抗元件具有判定的該值，其中致使該至少一可變電抗元件具有判定的該值的步驟致使關聯於該製程腔室之該一或更多組件的一或更多電壓朝該一或更多目標電壓移動。
如請求項17之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中判定該至少一可變電抗元件的該值的步驟包含使用該一或更多目標電壓作為一查找表之鍵值以識別致使關聯於該一或更多組件的該一或更多電壓落入該一或更多目標電壓之一預定範圍內的該至少一可變電抗元件的該值。
如請求項17或18中任一項之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中基於該製程腔室之至少一部分的一電路模型判定該至少一可變電抗元件的該值，其中該電路模型包括該至少一可變電抗元件。
如請求項19之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中該電路模型包含關聯於在該製程腔室中形成之一電漿的一或更多電路元件。
如請求項20之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中關聯於該電漿的該一或更多電路元件包含表示一電漿電阻的一電阻器以及表示關聯於一電漿鞘之一電容的一電容器。
如請求項19之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中該至少一可變電抗元件包含一可變電容器，且其中該電路模型包含串聯耦合至一電感器的該可變電容器，該電感器表示該無供電電極的一電感。
如請求項22之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中將該可變電容器的值判定為致使關聯於該可變電容器之一阻抗實質上抵消關聯於表示該無供電電極之該電感的該電感器之一阻抗的一值。
如請求項17或18中任一項之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中該無供電電極包含該製程腔室的一台座。
如請求項17或18中任一項之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中該至少一可變電抗元件包含一可變電感器。
如請求項17或18中任一項之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中至少部分地基於依據由一光學感測器捕捉之光學資料判定的電漿特性來判定該至少一可變電抗元件的該值。
如請求項17或18中任一項之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中至少部分地基於依據在下列中量測的一個以上RF信號之電功率、電壓、電流、及/或相位測量所判定的電漿特性來判定該至少一可變電抗元件的該值：該製程腔室的一或更多區域；一RF功率傳輸系統；或以上之任意組合。
如請求項17或18中任一項之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中至少部分地基於依據在一供電電極或該無供電電極的一或更多者上量測的DC偏壓信號所判定的電漿特性來判定該至少一可變電抗元件的該值。
如請求項17或18中任一項之用於調變製程腔室之電壓的方法，其中至少部分地基於依據該製程腔室中之電性電漿診斷所判定的電漿特性來判定該至少一可變電抗元件的該值。