TW202417241A - 附導電層之膜及膜天線用積層膜 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種適合減少導電層中之傳輸損失，並且抑制膜間之貼附之附導電層之膜及膜天線用積層膜。
本發明之附導電層之膜X沿厚度方向H依序具備抗靜電層11、膜基材10(氟樹脂膜基材)、及導電層12。抗靜電層11相較於膜基材10具有更大之相對介電常數。抗靜電層11與導電層12之間之動摩擦係數為1.5以下。
Description
本發明係關於一種附導電層之膜及膜天線用積層膜。
作為膜狀之天線，已知有膜天線。膜天線例如具備基材膜、及於該膜上圖案化之導電層。關於與此種膜天線相關之技術，例如記載於下述專利文獻1。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-211517號公報
[發明所欲解決之問題]
業界正在推進藉由天線收發之電波之高頻化。例如，作為5G通信用之電波，期望毫米波頻段之高頻電波。又，電波越高頻化，則通過天線(於膜天線中為圖案化之導電層)之電波之收發時之傳輸損失越大。為減少此種傳輸損失，考慮使用氟樹脂膜作為膜天線之基材膜。傳輸損失中包括介電損失及導體損失，介電損失與基材之相對介電常數之1/2次方成正比。由於氟樹脂之相對介電常數非常小，因此利用具備氟樹脂製之基材膜之膜天線，可減少介電損失而減少傳輸損失。
具備氟樹脂膜作為基材膜之膜天線可藉由於具備氟樹脂膜及其上之導電層之附導電層之氟樹脂膜中，對導電層進行圖案化而製造。導電層氟樹脂膜例如可藉由於輥對輥方式中，於氟樹脂膜上形成導電層而製造。
然而，若為附導電層之氟樹脂膜之輥體，則於徑向相鄰之附導電層之氟樹脂膜間容易貼附。其原因在於，於該膜間，除由表面平滑性而引起之貼附以外，還容易產生由靜電作用引起之貼附。本發明者等人得出此種見解。容易產生由靜電作用引起之貼附之理由如下。
捲繞附導電層之氟樹脂膜時，於在徑向相鄰之附導電層之氟樹脂膜間，氟樹脂膜表面與導電層表面以微米尺度摩擦。藉此，產生自導電層向相對介電常數非常小之氟樹脂膜之電子移動。因此，氟樹脂膜表面帶負電，導電層表面帶正電(摩擦帶電)。其結果為，於徑向相鄰之附導電層之氟樹脂膜中之氟樹脂膜表面與導電層表面之間藉由靜電作用而貼附。
本發明提供一種適合減少導電層中之傳輸損失，並且抑制膜間之貼附之附導電層之膜及膜天線用積層膜。
[解決問題之技術手段]
本發明[1]包括一種附導電層之膜，其係沿厚度方向依序具備抗靜電層、氟樹脂膜基材、及導電層者，上述抗靜電層相較於上述氟樹脂膜基材具有更大之相對介電常數，上述抗靜電層與上述導電層之間之動摩擦係數為1.5以下。
本發明[2]包括如上述[1]記載之附導電層之膜，其中上述抗靜電層之相對介電常數為2.2以上。
本發明[3]包括如上述[1]或[2]記載之附導電層之膜，其中上述導電層為金屬層。
本發明[4]包括如上述[3]記載之附導電層之膜，其中上述金屬層包含選自由銅、銀、鋁及鎳所組成之群中之至少一種作為主金屬。
本發明[5]包括如上述[1]至[4]中任一項記載之附導電層之膜，其中上述抗靜電層為紫外線硬化型樹脂之硬化物層。
本發明[6]包括如上述[1]至[5]中任一項記載之附導電層之膜，其中上述氟樹脂膜基材與上述導電層之間進而具備硬化樹脂層。
本發明[7]包括一種膜天線用積層膜，其具備如上述[1]至[6]中任一項記載之附導電層之膜。
[發明之效果]
如上所述，本發明之附導電層之膜具備氟樹脂膜基材。氟樹脂之相對介電常數非常小。因此，附導電層之膜適合減少上述介電損失而減少傳輸損失。又，如上所述，附導電層之膜沿厚度方向依序具備抗靜電層、氟樹脂膜基材、及導電層，抗靜電層相較於氟樹脂膜基材具有更大之相對介電常數。利用此種附導電層之膜，可於捲繞該膜之狀態下，避免氟樹脂膜基材(相對介電常數非常小)之表面與導電層之表面摩擦。此種附導電層之膜適合抑制由靜電作用引起之上述貼附。此外，如上所述，附導電層之膜之抗靜電層與導電層之間之動摩擦係數為1.5以下。此種附導電層之膜適合於捲繞之狀態下，減少抗靜電層之表面與導電層之表面之摩擦。該摩擦之減少有助於抑制自導電層向抗靜電層之電子移動，因此有助於抑制由靜電作用引起之上述貼附。因此，本發明之附導電層之膜適合減少導電層中之傳輸損失，並且抑制膜間之貼附。
本發明之膜天線用積層膜具備如上所述之附導電層之膜。因此，膜天線用積層膜適合減少導電層中之傳輸損失，並且抑制膜間之貼附。
如圖1所示，本發明之一實施方式之附導電層之膜X具備膜基材10、抗靜電層11、及導電層12。具體而言，附導電層之膜X沿厚度方向H依序具備抗靜電層11、膜基材10、及導電層12。附導電層之膜X沿與厚度方向H正交之方向(面方向)擴展。又，附導電層之膜X具有第1最表面Xa、及與該第1最表面Xa為相反側之第2最表面Xb。此種附導電層之膜X例如為用於製作膜天線之膜天線用積層膜。
膜基材10為確保附導電層之膜X之強度之基材。膜基材10具有第1面10a、及與該第1面10a為相反側之第2面10b。
膜基材10為具有可撓性之氟樹脂膜基材。作為膜基材10(氟樹脂膜基材)之材料，例如可例舉聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)、四氟乙烯與全氟烷氧基乙烯醚之共聚物(PFA)、四氟乙烯與六氟丙烯之共聚物(FEP)、及乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)。該等材料可單獨使用，亦可併用兩種以上。作為膜基材10之材料，較佳為使用PFA、FEP、或ETFE。
膜基材10之相對介電常數小於抗靜電層11之相對介電常數。就減少導電層12中之電波通過時之介電損失之觀點而言，膜基材10之相對介電常數較佳為未達2.5，更佳為2.3以下，進而較佳為2.1以下。膜基材10之相對介電常數例如為1.5以上、1.7以上、或1.9以上。膜基材10之相對介電常數之測定方法如後關於實施例所述。
就確保附導電層之膜X之強度之觀點而言，膜基材10之厚度較佳為20 μm以上，更佳為50 μm以上，進而較佳為80 μm以上。就確保輥對輥方式中之膜基材10之操作性之觀點而言，膜基材10之厚度較佳為300 μm以下，更佳為200 μm以下，進而較佳為150 μm以下。
膜基材10之第1面10a及/或第2面10b可進行表面改質處理。作為表面改質處理，例如可例舉電暈處理、電漿處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、及偶合劑處理。
抗靜電層11配置於膜基材10之第1面10a側。於本實施方式中，抗靜電層11配置於第1面10a上。即，於本實施方式中，抗靜電層11與第1面10a相接。又，抗靜電層11於與膜基材10為相反側具有表面11a。表面11a為附導電層之膜X之其中一個最表面(第1最表面Xa)。
抗靜電層11為防止膜基材10之表面10a之帶電之層，具有相較於膜基材10更大之相對介電常數。就抑制於附導電層之膜X之輥體中由抗靜電層11與導電層12之摩擦引起之電子移動之觀點而言，抗靜電層11之相對介電常數較佳為2.2以上，更佳為2.5以上，進而較佳為2.7以上。就減少導電層12中之電波通過時之介電損失之觀點而言，抗靜電層11之相對介電常數較佳為5以下，更佳為4以下，進而較佳為3.5以下。抗靜電層11之相對介電常數之測定方法如後關於實施例所述。又，就抑制於附導電層之膜X之輥體中由抗靜電層11與導電層12之摩擦引起之電子移動之觀點而言，膜基材10與抗靜電層11之相對介電常數之差較佳為0.5以上，更佳為0.8以上，進而較佳為1以上。
抗靜電層11為硬化性樹脂組合物(第1硬化性樹脂組合物)之硬化物。硬化性樹脂組合物含有硬化性樹脂。即，抗靜電層11含有硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，例如可例舉聚酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂(丙烯酸胺基甲酸酯樹脂除外)、胺基甲酸乙酯樹脂(丙烯酸胺基甲酸酯樹脂除外)、醯胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂、及三聚氰胺樹脂。該等硬化性樹脂可單獨使用，亦可併用兩種以上。就確保抗靜電層11之抗靜電性及確保高硬度之觀點而言，作為硬化性樹脂，較佳為使用選自由丙烯酸胺基甲酸酯樹脂及丙烯酸樹脂所組成之群中之至少一種。
又，作為硬化性樹脂，例如可例舉紫外線硬化型樹脂及熱固型樹脂。就無需高溫加熱便可硬化故有助於提高附導電層之膜X之製造效率之觀點而言，作為硬化性樹脂，較佳為紫外線硬化型樹脂。於硬化性樹脂組合物中之硬化性樹脂為紫外線硬化型樹脂之情形時，抗靜電層11為紫外線硬化型樹脂之硬化物層。
硬化性樹脂組合物可含有粒子。即，抗靜電層11可含有粒子。抗靜電層11含有粒子可較佳地減少附導電層之膜X之輥體中之抗靜電層11之表面與導電層12之表面之摩擦。於硬化性樹脂組合物除作為硬化性樹脂之紫外線硬化型樹脂以外還含有粒子之情形時，抗靜電層11為含有粒子之紫外線硬化型樹脂之硬化物層。作為粒子，例如可例舉無機氧化物粒子及有機粒子。作為無機氧化物粒子之材料，例如可例舉二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、及氧化銻。作為有機粒子之材料，例如可例舉聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸乙酯、丙烯酸系樹脂-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、及聚碳酸酯。作為粒子，較佳為使用無機氧化物粒子，更佳為使用二氧化矽粒子及/或氧化鋯粒子。
就減少附導電層之膜X之輥體中之抗靜電層11之表面與導電層12之表面之摩擦之觀點而言，粒子之平均粒徑(D50)較佳為20 nm以上，更佳為25 nm以上，進而較佳為30 nm以上。就確保附導電層之膜X之第1最表面Xa之平滑性之觀點而言，粒子之平均粒徑較佳為200 nm以下，更佳為150 nm以下，進而較佳為120 nm以下，尤佳為100 nm以下。粒子之平均粒徑(D50)為體積基準之粒度分佈中之中值粒徑(自小徑側起體積累積頻度達到50%之粒徑)，例如基於藉由雷射繞射散射法而獲得之粒度分佈來求出(關於其他粒子之平均粒徑亦同樣)。
就減少附導電層之膜X之輥體中之抗靜電層11之表面與導電層12之表面之摩擦之觀點而言，抗靜電層11(第1硬化性樹脂組合物)中之粒子之含量每硬化性樹脂100質量份較佳為1質量份以上，更佳為5質量份以上，進而較佳為8質量份以上。就確保附導電層之膜X之第1最表面Xa之平滑性之觀點而言，抗靜電層11中之粒子之含量每硬化性樹脂100質量份較佳為30質量份以下，更佳為20質量份以下，進而較佳為12質量份以下。
就減少附導電層之膜X之輥體中之抗靜電層11之表面與導電層12之表面之摩擦之觀點而言，表面11a之表面粗糙度Ra(基於JIS B 0601-2001之算術平均表面粗糙度)較佳為1 nm以上，更佳為3 nm以上，進而較佳為5 nm以上。就確保附導電層之膜X之第1最表面Xa之平滑性之觀點而言，表面11a之表面粗糙度Ra較佳為20 nm以下，更佳為15 nm以下，進而較佳為12 nm以下。
就確保抗靜電層11之抗靜電性之觀點而言，該抗靜電層11之厚度較佳為0.1 μm以上，更佳為0.3 μm以上，進而較佳為0.5 μm以上，尤佳為0.8 μm以上。就附導電層之膜X之薄型化之觀點而言，抗靜電層11之厚度較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下，進而較佳為3 μm以下。
導電層12配置於膜基材10之第2面10b側。於本實施方式中，導電層12配置於第2面10b上。即，於本實施方式中，導電層12與第2面10b相接。又，導電層12於與膜基材10為相反側具有表面12a。表面12a為附導電層之膜X之另一個最表面(第2最表面Xb)。
導電層12為由導電材料形成之層。作為導電材料，例如可例舉金屬及金屬氧化物。作為金屬，例如可例舉銅、銀、鋁、鎳、鉻、鐵、鈦、及該等之合金。作為金屬氧化物，例如可例舉銦錫複合氧化物(ITO)、銦鋅複合氧化物(IZO)、及銻錫複合氧化物(ATO)。就確保較高之導電性之觀點而言，導電層12較佳為金屬層，更佳為包含選自由銅、銀、鋁、及鎳所組成之群中之至少一種作為主金屬，進而較佳為包含銅作為主金屬。
就導電層12之低電阻化之觀點而言，導電層12之厚度較佳為50 nm以上，更佳為100 nm以上，進而較佳為150 nm以上，尤佳為180 nm以上。就抑制附導電層之膜X之翹曲之觀點而言，導電層12之厚度較佳為500 nm以下，更佳為300 nm以下，進而較佳為250 nm以下。
於附導電層之膜X中，就減少附導電層之膜X之輥體中之抗靜電層11之表面與導電層12之表面之摩擦之觀點而言，抗靜電層11與導電層12之間之動摩擦係數為1.5以下，較佳為1.0以下，更佳為0.8以下，進而較佳為0.6以下。就抑制附導電層之膜X之輥體之鬆弛之觀點而言，動摩擦係數較佳為0.1以上。具體而言，該動摩擦係數為抗靜電層11之表面11a與導電層12之表面12a之間之動摩擦係數。此種動摩擦係數之測定方法如後關於實施例所述。作為抗靜電層11與導電層12之間之動摩擦係數之調整方法，例如可例舉調整抗靜電層11之表面粗糙度。作為抗靜電層11之表面粗糙度之調整方法，例如可例舉對抗靜電層11之表面進行電漿處理，及於抗靜電層11中調配粒子。作為抗靜電層11與導電層12之間之動摩擦係數之調整方法，亦可例舉調整抗靜電層11及/或導電層12之表面彈性模數。
於輥對輥方式中，附導電層之膜X例如以如下方式製造。
首先，如圖2A所示，準備膜基材10。
首先，如圖2B所示，於膜基材10之第1面10a上形成抗靜電層11。抗靜電層11可藉由於第1面10a上塗佈上述第1硬化性樹脂組合物而形成塗膜後，使該塗膜硬化而形成。於第1硬化性樹脂組合物含有紫外線硬化型樹脂之情形時，藉由紫外線照射使塗膜硬化。於第1硬化性樹脂組合物含有熱固型樹脂之情形時，藉由加熱使上述塗膜硬化。
繼而，如圖2C所示，於膜基材10之第2面10b上形成導電層12。具體而言，藉由濺鍍法於第2面10b上成膜導電材料而形成導電層12。以此方式形成之導電層12為濺鍍膜。濺鍍法對於形成表面12a之凹凸得到抑制之導電層12而言較佳。因此，導電層12為濺鍍膜對於在導電層12中抑制表面12a之凹凸而減少電波通過時之導體損失(導電層之表面凹凸越大，則該導電層之電波通過時之導體損失越大)而言較佳。
可以如上方式製造附導電層之膜X。
如圖3所示，附導電層之膜X亦可於膜基材10與導電層12之間進而具備硬化樹脂層13。於圖3所示之附導電層之膜X中，硬化樹脂層13配置於膜基材10之第2面10b側，且於本變化例中與第2面10b相接。又，導電層12於本變化例中與硬化樹脂層13相接。此種硬化樹脂層13例如為用於使導電層12之表面12a不易形成擦傷之硬塗層。
硬化樹脂層13為硬化性樹脂組合物(第2硬化性樹脂組合物)之硬化物。第2硬化性樹脂組合物含有硬化性樹脂。作為硬化性樹脂，例如可例舉關於抗靜電層11如上所述之硬化性樹脂。就確保硬化樹脂層13之高硬度之觀點而言，作為硬化性樹脂，較佳為使用選自由丙烯酸胺基甲酸酯樹脂及丙烯酸樹脂所組成之群中之至少一種。又，作為硬化性樹脂，例如可例舉紫外線硬化型樹脂及熱固型樹脂。就無需高溫加熱便可硬化故有助於提高附導電層之膜X之製造效率之觀點而言，作為硬化性樹脂，較佳為紫外線硬化型樹脂。於第2硬化性樹脂組合物中之硬化性樹脂為紫外線硬化型樹脂之情形時，硬化樹脂層13為紫外線硬化型樹脂之硬化物層。
第2硬化性樹脂組合物可含有粒子。即，硬化樹脂層13可含有粒子。作為粒子，例如可例舉關於抗靜電層11如上所述之粒子。於第2硬化性樹脂組合物除作為硬化性樹脂之紫外線硬化型樹脂以外還含有粒子之情形時，硬化樹脂層13為含有粒子之紫外線硬化型樹脂之硬化物層。
就於導電層12中呈現充分之耐摩擦性之觀點而言，硬化樹脂層13之厚度較佳為0.1 μm以上，更佳為0.3 μm以上，進而較佳為0.5 μm以上，尤佳為0.8 μm以上。就附導電層之膜X之薄型化之觀點而言，硬化樹脂層13之厚度較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下，進而較佳為3 μm以下。
硬化樹脂層13之導電層12側之表面可進行表面改質處理。作為表面改質處理，例如可例舉電暈處理、電漿處理、臭氧處理、底塗處理、輝光處理、及偶合劑處理。
圖3所示之附導電層之膜X可藉由如下方式製造：於在膜基材10之第2面10b上形成導電層12前形成硬化樹脂層13，並在該硬化樹脂層13上形成導電層12。硬化樹脂層13可藉由如下方式形成：於在膜基材10之第2面10b上塗佈第2硬化性樹脂組合物而形成塗膜後，使該塗膜硬化。於第2硬化性樹脂組合物含有紫外線硬化型樹脂之情形時，藉由紫外線照射使上述塗膜硬化。於第2硬化性樹脂組合物含有熱固型樹脂之情形時，藉由加熱使上述塗膜硬化。
可藉由於附導電層之膜X(圖1，圖3)中，將導電層12圖案化為規定之天線形狀來製造膜天線。於膜天線中，電波越高頻化，則通過天線(經圖案化之導電層12)之電波之收發時之傳輸損失越大。傳輸損失中包括介電損失及導體損失，介電損失與膜基材10之相對介電常數之1/2次方成正比。
如上所述，附導電層之膜X具備氟樹脂膜基材作為膜基材10。氟樹脂之相對介電常數非常小。因此，附導電層之膜X適合減少導電層12中之介電損失而減少傳輸損失。
又，如上所述，附導電層之膜X沿厚度方向H依序具備抗靜電層11、膜基材10、及導電層12，抗靜電層11相較於膜基材10具有更大之相對介電常數。利用此種附導電層之膜X，可於捲繞該膜之輥體中，避免膜基材10(相對介電常數非常小)之表面10a與導電層12之表面12a摩擦。此種附導電層之膜X適合抑制於輥體中第1最表面Xa與第2最表面Xb因靜電作用而貼附。就抑制於附導電層之膜X之輥體中由抗靜電層11與導電層12之摩擦而引起之電子移動之觀點而言，抗靜電層11之相對介電常數較佳為2.2以上，更佳為2.5以上，進而較佳為2.7以上。
此外，如上所述，附導電層之膜X之抗靜電層11與導電層12之間之動摩擦係數為1.5以下。此種附導電層之膜X適合減少輥體中抗靜電層11之表面11a與導電層12之表面12a之摩擦。於附導電層之膜X之輥體中，該摩擦之減少有助於抑制自導電層12向抗靜電層11之電子移動，因此有助於抑制第1最表面Xa與第2最表面Xb因靜電作用而貼附。
如上所述，附導電層之膜X適合減少導電層12中之傳輸損失，並且抑制膜間之貼附。
[實施例]
關於本發明，以下示出實施例進行具體說明。然而，本發明並不限定於實施例。又，以下記載之調配量(含量)、物性值、參數等具體數值可替代為記載於上述「實施方式」中之與該等對應之調配量(含量)、物性值、參數等之上限(定義為「以下」或「未達」之數值)或下限(定義為「以上」或「超過」之數值)。
[實施例1]
於氟樹脂膜基材(品名「AF-0100B1」，全氟烷氧基烷烴，厚度100 μm，大金工業公司製造)之其中一面(第1面)塗佈硬化性組合物C1而形成塗膜。硬化性組合物C1含有紫外線硬化型胺基甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂(品名「Aicatron Z844L」，Aica公司製造)100質量份(樹脂分量)、二氧化矽粒子(品名「CSZ9281」，平均一次粒徑30 nm，CIK NanoTek公司製造)10質量份、及作為溶劑之甲基異丁基酮。繼而，使氟樹脂膜基材上之塗膜乾燥後，藉由紫外線照射使該塗膜硬化，形成厚度1 μm之抗靜電層。以如上方式製作附抗靜電層之氟樹脂膜基材(第1樹脂層形成步驟)。
繼而，藉由濺鍍法於附抗靜電層之氟樹脂膜基材之第2面(與第1面為相反側之面)上形成厚度200 nm之Cu層作為導電層(導電層形成步驟)。於濺鍍法中，使用輥對輥方式之濺鍍成膜裝置(捲取式之DC磁控濺鍍裝置)。濺鍍成膜裝置具備可使作為工件膜之附抗靜電層之氟樹脂膜基材沿長度方向移行並實施成膜製程之成膜室。濺鍍成膜之條件如下。
對成膜室內進行真空排氣直至濺鍍成膜裝置之成膜室內之極限真空度達到0.9×10
－ 4Pa後，向成膜室內導入作為濺鍍氣體之Ar，使成膜室內之氣壓為0.4 Pa。將裝置內之工件膜之移行速度設為3.0 m/分鐘。將作用於工件膜之移行方向之張力(移行張力)設為200 N/m。作為靶，使用Cu靶。作為用於對靶施加電壓之電源，使用DC電源。將DC電源之輸出設為78.3 kW。將靶上之水平磁場強度設為40 mT。將成膜溫度(供形成Cu層之工件膜之溫度)設為40℃。
以如上方式製作實施例1之長條之附導電層之膜(採用輥之形態)。實施例1之附導電層之膜沿厚度方向依序具備抗靜電層(厚度1 μm，含有二氧化矽粒子)、氟樹脂膜基材(厚度100 μm)、及Cu層(厚度200 nm)。於實施例1之附導電層之膜中，抗靜電層中與氟樹脂膜基材為相反側之表面為第1最表面，Cu層中與氟樹脂膜基材為相反側之表面為第2最表面。
[實施例2]
除下述以外，以與實施例1之附導電層之膜同樣之方式製作實施例2之附導電層之膜。於第1樹脂層形成步驟與導電層形成步驟之間，於附抗靜電層之氟樹脂膜基材之第2面上形成硬塗層，於導電層形成步驟中，於硬塗層上形成導電層。硬塗層形成步驟具體如下。
首先，於附抗靜電層之氟樹脂膜基材之第2面(與第1面為相反側之面)塗佈硬化性組合物C2而形成塗膜。硬化性組合物C2含有紫外線硬化型胺基甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂(品名「Aicatron Z844L」，Aica公司製造)100質量份(樹脂分量)、二氧化矽粒子(品名「CSZ9281」，平均一次粒徑30 nm，CIK NanoTek公司製造)10質量份、及作為溶劑之甲基異丁基酮。繼而，使氟樹脂膜基材上之塗膜乾燥後，藉由紫外線照射使該塗膜硬化，形成厚度1 μm之硬塗層。
實施例2之附導電層之膜(採用輥之形態)沿厚度方向依序具備抗靜電層(厚度1 μm，含有二氧化矽粒子)、氟樹脂膜基材(厚度100 μm)、硬塗層(厚度1 μm)、及Cu層(厚度200 nm)。於實施例2之附導電層之膜中，抗靜電層中與氟樹脂膜基材為相反側之表面為第1最表面，Cu層中與氟樹脂膜基材為相反側之表面為第2最表面。
[比較例1]
除未實施第1樹脂層形成步驟以外，以與實施例1之附導電層之膜同樣之方式製作比較例1之附導電層之膜。比較例1之附導電層之膜(採用輥之形態)沿厚度方向依序具備氟樹脂膜基材(厚度100 μm)、及Cu層(厚度200 nm)。於比較例1之附導電層之膜中，氟樹脂膜基材中與Cu層為相反側之表面為第1最表面，Cu層中與氟樹脂膜基材為相反側之表面為第2最表面。
[比較例2]
除未實施第1樹脂層形成步驟以外，以與實施例2之附導電層之膜同樣之方式製作比較例2之附導電層之膜。比較例2之附導電層之膜(採用輥之形態)沿厚度方向依序具備氟樹脂膜基材(厚度100 μm)、硬塗層(厚度1 μm)、及Cu層(厚度200 nm)。於比較例2之附導電層之膜中，氟樹脂膜基材中與硬塗層為相反側之表面為第1最表面，Cu層中與硬塗層為相反側之表面為第2最表面。
[比較例3]
除下述以外，以與實施例1之附導電層之膜同樣之方式製作比較例3之附導電層之膜。於第1樹脂層形成步驟中，使用硬化性樹脂組合物C3來代替硬化性樹脂組合物C1。除不含有二氧化矽粒子以外，硬化性樹脂組合物C3與硬化性樹脂組合物C1相同。
比較例3之附導電層之膜沿厚度方向依序具備硬化樹脂層(厚度1 μm)、氟樹脂膜基材(厚度100 μm)、及Cu層(厚度200 nm)。於比較例3之附導電層之膜中，硬化樹脂層中與氟樹脂膜基材為相反側之表面為第1最表面，Cu層中與氟樹脂膜基材為相反側之表面為第2最表面。
＜相對介電常數＞
測定上述氟樹脂膜基材之相對介電常數(第1測定)。具體而言，首先，自氟樹脂膜基材切下測定用之試樣片(60 mm×60 mm)。繼而，將氟樹脂膜基材配置於主電極與對電極之間(用兩電極夾持)。作為主電極及對電極，分別使用鋁電極(品名「SE-70」，厚度5 mm，安藤電氣公司製造)。並且，於21℃及相對濕度55%之環境下，藉由測定裝置(品名「precision LCR meter HP-4284A」，安捷倫科技公司製造)，基於容量法測定規定頻率(1 kHz、10 kHz、100 kHz)下之試樣片之相對介電常數。對試樣片(氟樹脂膜基材)測定之100 kHz下之相對介電常數為2.1(將值示於表1中之比較例1、2欄)。
另一方面，測定上述抗靜電層之相對介電常數(第2測定)。具體而言，首先，於作為對電極之Cu膜(厚度100 μm)上形成作為試樣片之抗靜電層。除使用Cu膜來代替氟樹脂膜基材以外，其形成方法與如上關於實施例1中之第1樹脂層形成步驟所述相同。繼而，於對電極(Cu膜)上之抗靜電層上配置作為主電極之鋁電極(SE-70)。並且，與如上關於第1測定所述同樣地測定試樣片之相對介電常數。對試樣片(抗靜電層)測定之100 kHz下之相對介電常數為2.7(將值示於表1中之比較例1、2欄)。
又，測定上述硬化樹脂層之相對介電常數(第3測定)。具體而言，首先，於作為對電極之Cu膜(厚度100 μm)上形成作為試樣片之硬化樹脂層。除使用Cu膜來代替氟樹脂膜基材以外，其形成方法與如上關於比較例3中之第1樹脂層形成步驟所述相同。繼而，於對電極(Cu膜)上之抗靜電層上配置作為主電極之鋁電極(SE-70)。並且，與如上關於第1測定所述同樣地測定試樣片之相對介電常數。對試樣片(硬化樹脂層)測定之100 kHz下之相對介電常數為2.7(將值示於表1中之比較例3欄)。
＜動摩擦係數＞
測定實施例1、2及比較例1～3之各附導電層之膜中之第1最表面與第2最表面之間之動摩擦係數。具體如下。
首先，自附導電層之膜切下第1試樣膜(100 mm×100 mm)及第2試樣膜(100 mm×100 mm)。繼而，將第1試樣膜設置於自動摩擦摩耗解析裝置(型號「TSf－503」，協和界面科學製造)之固定台。具體而言，以第1試樣膜之第2最表面露出之方式，將第1試樣膜之第1最表面側經由雙面膠帶固定於固定台。繼而，將第2試樣膜設置於該裝置之可動台(與固定台對向)。具體而言，以第2試樣膜之第1最表面露出之方式，將第2試樣膜之第2最表面側經由雙面膠帶固定於可動台。並且，藉由該裝置使第1試樣膜之第2最表面與第2試樣膜之第1最表面面接觸，並使第1、第2試樣膜沿面方向相對移動，藉此測定兩表面間之動摩擦係數。於本測定中，將相對移動速度(相對於固定台之可動台之移動速度)設為1.7 mm/秒，將移動距離設為30 mm，將作用於兩表面間之負載設為200 g。將其結果示於表1。
＜密接性＞
調查實施例1、2及比較例1～3之各附導電層之膜(寬度1000 mm×長度100m)之輥體中之膜間有無貼附。具體而言，自附導電層之膜之輥體將附導電層之膜全長捲出。於捲出作業中，若為實施例1、2之各附導電層之膜之輥體，則不會產生貼附而可藉由膜自重自輥體將附導電層之膜捲出。與此相對，若為比較例1～3之各附導電層之膜之輥體，則產生貼附而未能藉由膜自重自輥體將附導電層之膜捲出。比較例1～3之自各附導電層之膜之輥體之捲出需要用手對膜施加張力。如上所述，於實施例1、2之各附導電層之膜中未產生貼附，與此相對，於比較例1～3之各附導電層之膜中產生貼附。將該等結果示於表1。
[表1]
| 表1 | ||||||
| 實施例1 | 實施例2 | 比較例1 | 比較例2 | 比較例3 | ||
| 第2最表面 | 種類 | Cu | Cu | Cu | Cu | Cu |
| 第1最表面 | 種類 | 抗靜電層 | 抗靜電層 | 氟樹脂膜基材 | 氟樹脂膜基材 | 硬化樹脂層 |
| 相對介電常數(100 kHz) | 2.7 | 2.7 | 2.1 | 2.1 | 2.7 | |
| 動摩擦係數 | 0.52 | 0.62 | 0.31 | 0.40 | 2.41 | |
| 貼附 | 無 | 無 | 有 | 有 | 有 |
10:膜基材(氟樹脂膜基材)
10a:第1面
10b:第2面
11:抗靜電層
11a:表面
12a:表面
12:導電層
13:硬化樹脂層
H:厚度方向
X:附導電層之膜
Xa:第1最表面
Xb:第2最表面
圖1係本發明之附導電層之膜之一實施方式之剖面模式圖。
圖2A至圖2C表示圖1所示之附導電層之膜之製造方法之一例。圖2A表示準備步驟，圖2B表示第1硬化樹脂層形成步驟，圖2C表示導電層形成步驟。
圖3係本發明之附導電層之膜之一變化例之剖面模式圖。
10:膜基材(氟樹脂膜基材)
10a:第1面
10b:第2面
11:抗靜電層
11a:表面
12a:表面
12:導電層
H:厚度方向
X:附導電層之膜
Xa:第1最表面
Xb:第2最表面
Claims (7)
- 一種附導電層之膜，其係沿厚度方向依序具備抗靜電層、氟樹脂膜基材、及導電層者， 上述抗靜電層相較於上述氟樹脂膜基材具有更大之相對介電常數， 上述抗靜電層與上述導電層之間之動摩擦係數為1.5以下。
- 如請求項1之附導電層之膜，其中上述抗靜電層之相對介電常數為2.2以上。
- 如請求項1之附導電層之膜，其中上述導電層為金屬層。
- 如請求項3之附導電層之膜，其中上述金屬層包含選自由銅、銀、鋁及鎳所組成之群中之至少一種作為主金屬。
- 如請求項1之附導電層之膜，其中上述抗靜電層為紫外線硬化型樹脂之硬化物層。
- 如請求項1至5中任一項之附導電層之膜，其中上述氟樹脂膜基材與上述導電層之間進而具備硬化樹脂層。
- 一種膜天線用積層膜，其具備如請求項1至6中任一項之附導電層之膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022-095288 | 2022-06-13 | ||
| JP2022095288A JP2023181904A (ja) | 2022-06-13 | 2022-06-13 | 導電層付フィルムおよびフィルムアンテナ用積層フィルム |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202417241A true TW202417241A (zh) | 2024-05-01 |
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ID=89085085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112116380A TW202417241A (zh) | 2022-06-13 | 2023-05-03 | 附導電層之膜及膜天線用積層膜 |
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- 2022-06-13 JP JP2022095288A patent/JP2023181904A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP2023181904A (ja) | 2023-12-25 |
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