TW202416373A - 被處理物之處理方法、處理液、電子元件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

課題在於提供一種對包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層的蝕刻量優異且處理後的金屬層表面的平坦性亦優異的被處理物之處理方法。本發明的被處理物之處理方法具有：製程1，使具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物與第1處理液接觸而形成金屬氧化層；及製程2，使包含金屬氧化層之被處理物與第2處理液接觸而去除金屬氧化層，第1處理液包含有機溶劑和氧化劑，第2處理液包含水。

Description

被處理物的處理方法、處理液、電子元件的製造方法
本發明係有關一種被處理物之處理方法、處理液及電子元件之製造方法。
在電子元件的微細化發展的過程中，在電子元件製造程序中，高效率且高精度地實施去除基板上的不用的金屬含有物之蝕刻處理之需求高漲。
作為如上所述之方法，在專利文獻1中記載有如下方法，其為形成金屬互連層之方法，包括：在基板上形成鉬層之製程；在鉬層上形成遮蔽層之製程；對遮蔽層進行圖案化而使鉬層的一部分露出之製程；用氧修飾鉬層的露出之部分而形成鉬層的氧化鉬部分之製程；及從基板去除氧化鉬部分之製程。
[專利文獻1]日本特表2022-509816號公報
本發明人等對專利文獻1中所記載之方法進行苦心探討，發現了實施去除氧化鉬之製程之後露出之金屬層表面的平坦性有改善的餘地。 蝕刻處理後的金屬層表面的平坦性高為較佳。 又，從製造效率的觀點而言，蝕刻處理方法一般要求蝕刻量優異。
於是，本發明的課題在於提供一種適用於具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物時，蝕刻量優異且處理後的金屬層表面的平坦性亦優異的被處理物之處理方法。又，本發明的課題還在於提供一種用於被處理物的處理之處理液及包括上述處理方法之電子元件之製造方法。
為了解決上述課題，本發明人等進行苦心探討之結果，發現了藉由以下的構成能夠解決課題。
〔1〕一種被處理物之處理方法，其具有： 製程1，使具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物與第1處理液接觸而形成金屬氧化層；及 製程2，使包含上述金屬氧化層之被處理物與第2處理液接觸而去除上述金屬氧化層，其中 上述第1處理液包含有機溶劑和氧化劑， 上述第2處理液包含水。 〔2〕如〔1〕所述之被處理物之處理方法，其中 上述有機溶劑的含量相對於上述第1處理液的總質量為80質量%以上。 〔3〕如〔1〕或〔2〕所述之被處理物之處理方法，其中 上述有機溶劑的相對介電常數為50以下。 〔4〕如〔1〕至〔3〕之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 上述有機溶劑的相對介電常數為3～20。 〔5〕如〔1〕至〔4〕之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 上述有機溶劑包含選自包括酯溶劑、醚溶劑及胺溶劑之群組中之至少一種。 〔6〕如〔1〕至〔5〕之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 上述有機溶劑包含選自包括乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇二乙醚、四氫呋喃及吡啶之群組中之至少一種。 〔7〕如〔1〕至〔6〕之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 上述第1處理液包含水，上述水的含量相對於上述第1處理液的總質量為0.001～20.0質量%。 〔8〕如〔7〕所述之被處理物之處理方法，其中 上述水的含量相對於上述第1處理液的總質量為0.1～10.0質量%。 〔9〕如〔1〕至〔8〕之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 上述氧化劑包含選自包括醌化合物及氫醌之群組中之至少一種。 〔10〕如〔1〕至〔9〕之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 上述氧化劑包含選自包括1,2-苯醌、1,4-苯醌、氫醌、1,4-萘醌、泛醌及蒽醌之群組中之至少一種。 〔11〕如〔1〕至〔10〕之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 重複實施上述製程1及上述製程2。 〔12〕一種處理液，其適用於具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物， 前述處理液包含有機溶劑和氧化劑， 上述有機溶劑的含量相對於上述處理液的總質量為80質量%以上。 〔13〕一種電子元件之製造方法，其包括〔1〕至〔11〕之任一項所述之被處理物之處理方法。 [發明效果]
依據本發明，能夠提供一種適用於具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物時，金屬層的蝕刻量優異且處理後的金屬層表面的平坦性亦優異的被處理物之處理方法。又，依據本發明，還能夠提供一種用於被處理物的處理之處理液及電子元件之製造方法。
以下，對本發明進行詳細敘述。 以下所記載之構成要件的說明有時依據本發明的代表性實施態樣而進行，但本發明並不限於這樣的實施態樣。
以下示出本說明書中的各記載的含義。 在本說明書中，使用“～”表示之數值範圍係指將記載於“～”前後之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。 又，在本說明書中，在某一成分存在兩種以上之情況下，該成分的“含量”係指該等兩種以上的成分的合計含量。
在本說明書中，“ppm”係指“parts-per-million（10 -6），百萬分之一”，“ppb”係指“parts-per-billion（10 -9），十億分之一”。 在本說明書中，只要沒有特別指定，則“室溫”為25℃。
本發明的被處理物之處理方法（以下，亦稱為“本處理方法”）具有：製程1，使具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物與第1處理液接觸而形成金屬氧化層；及製程2，使包含金屬氧化層之被處理物與第2處理液接觸而去除金屬氧化層，上述第1處理液包含有機溶劑和氧化劑，上述第2處理液包含水。
藉由本發明的被處理物之處理方法具有上述構成而能夠解決本發明的課題之原因尚不明確，但本發明人等推測如下。 再者，獲得效果之機制並不受下述推測的限制。換言之，即使在藉由下述以外的機制獲得效果之情況下，亦包括在本發明的範圍內。 第1處理液中所包含之氧化劑使被處理物的金屬層中所包含之金屬氧化，從而在金屬層表面形成金屬氧化層。此時，由於第1處理液中所包含之有機溶劑的金屬氧化層的溶解能力低，因此可抑制製程1中的金屬氧化層的去除。亦即，金屬氧化層的形成及去除藉由製程1及製程2逐次進行，因此可抑制製程1中的未意圖的過度的蝕刻及/或面內的蝕刻量的偏差。其結果，推測利用包含金屬氧化層的溶解能力高的水之第2處理液實施去除被處理物表面的金屬氧化層之製程2之後，露出之金屬層表面的平坦性優異。 以下，將實施本發明的處理方法之後的金屬層表面的平坦性亦簡稱為“平坦性”。又，將蝕刻量及平坦性中的至少一者更優異亦稱為“本發明的效果更優異”。 以下，對各製程進行說明。
[製程1] 本處理方法具有：製程1，使具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物與第1處理液接觸而形成金屬氧化層。 以下，對在製程1中使用之材料（被處理物及第1處理液）及步驟進行說明。
〔被處理物〕 本發明的被處理物只要具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種（以下，亦稱為“特定金屬”。）之金屬層，則不受特別限制。作為被處理物，例如可以舉出具有上述金屬層之基板。 再者，當基板具有金屬層時，金屬層所存在之部位例如可以為基板的表面和背面、側面及溝槽內等中的任一者。又，當基板具有金屬層時，不僅包括在基板的表面上直接具有金屬層之情況，亦包括在基板上介隔其他層而具有金屬層之情況。 金屬層可以僅配置於基板單側的主面，亦可以配置於基板兩側的主面。金屬層可以配置於基板的主面的整個面上，亦可以配置於基板的主面的一部分。
金屬層為由金屬構成之層，如上所述，包含特定金屬。更具體而言，構成金屬層之金屬可以舉出特定金屬單體或特定金屬與其他金屬的合金。 作為其他金屬，可以舉出銅（Cu）、鈷（Co）、釕（Ru）、鋁（Al）、鈦（Ti）、鉭（Ta）、銠（Rh）、鉻（Cr）、鉿（Hf）、鋨（Os）、鉑（Pt）、鎳（Ni）、錳（Mn）、鋯（Zr）、鑭（La）及銥（Ir）。 金屬層亦可以為由鉬及鎢形成之合金。
金屬層包含特定金屬作為主成分為較佳。包含特定金屬作為主成分係指，金屬層中所包含之金屬原子中特定金屬原子的含量最多。作為包含特定金屬作為主成分之金屬層，例如可以舉出鉬單體、鎢單體、鉬合金（含量最多的金屬原子為鉬的合金）及鎢合金（含量最多的金屬原子為鎢的合金），鉬單體或鉬合金為較佳，鉬單體為更佳。 在金屬層中作為主成分而包含之特定金屬的含量相對於金屬層的總質量為50～100質量%為較佳，80～100質量%為更佳，95～100質量%為進一步較佳。
被處理物中的金屬層的形態並不受特別限制，例如可以舉出配置成膜狀之形態（含金屬膜）及配置成配線狀之形態（含金屬配線）。 當金屬層為膜狀或配線狀時，其厚度並不受特別限制，根據用途適當選擇即可。膜狀或配線狀的金屬層的厚度為500nm以下為較佳，200nm以下為更佳，50nm以下為進一步較佳。下限並不受特別限制，1nm以上為較佳。
被處理物中的基板的種類並不受特別限制，例如可以舉出半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、等離子體顯示用玻璃基板、FED（Field Emission Display：場發射顯示器）用基板、光盤用基板、磁盤用基板及光磁盤用基板等各種基板。 作為構成半導體基板之材料，例如可以舉出矽、矽鍺及GaAs等第III-V族化合物或該等的任意組合。 基板的大小、厚度、形狀及層結構並不受特別限制，能夠根據期望適當選擇。
當被處理物為半導體基板時，半導體基板可以具有絕緣膜。 被處理物中的絕緣膜並不受特別限制，例如可以舉出包含選自包括氮化矽（SiN）、氧化矽、碳化矽（SiC）、碳氮化矽、碳氧化矽（SiOC）、氮氧化矽及TEOS（四乙氧基矽烷）之群組中之1個以上的材料之絕緣膜。其中，作為上述材料，SiN、TEOS、SiC或SiOC為較佳。又，絕緣膜可以由複數個膜構成。
被處理物除了上述以外還可以具有符合期望的各種層及/或結構。例如，當被處理物為基板時，被處理物可以具有阻擋層、金屬配線、閘極電極、源極電極、汲極電極、絕緣層、強磁性層、積體電路結構及/或非磁性層等構件。
被處理物之製造方法並不受特別限制。 作為在基板上形成上述的絕緣膜及金屬層之方法，只要為在該領域中通常進行之方法，則不受特別限制。 作為形成絕緣膜之方法，例如可以舉出如下方法：藉由對構成半導體基板之晶圓在氧氣存在下進行熱處理來形成矽氧化膜，接著，使矽烷及氨氣流入，並且藉由化學氣相沉積（CVD：Chemical Vapor Deposition）法形成矽氮化膜。 作為在絕緣膜上形成金屬層之方法，例如可以舉出濺射法、物理氣相沉積（PVD：Physical vapor deposition）法、原子層沉積（ALD：Atomic layer deposition）法、化學氣相沉積法及分子束磊晶（MBE：Molecular Beam Epitaxy）法。 又，亦可以介隔既定的遮罩實施上述方法來在基板上形成圖案狀的金屬層。
〔第1處理液〕 第1處理液包含有機溶劑和氧化劑。 第1處理液在與具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物接觸時使金屬層氧化，從而形成金屬氧化層。 以下，對第1處理液的各成分及製造方法進行說明。
＜有機溶劑＞ 第1處理液包含有機溶劑。 有機溶劑只要為在室溫、1個大氣壓下為液體的有機化合物，則不受特別限制。 作為有機溶劑，例如可以舉出酯溶劑、醚溶劑、醇溶劑、胺溶劑、烴溶劑、亞碸溶劑、羧酸溶劑、碸溶劑、酮溶劑、腈溶劑及醯胺溶劑。
從平坦性更優異的觀點而言，有機溶劑的相對介電常數為50以下為較佳，20以下為更佳，15以下為進一步較佳。又，從本發明的效果更優異的觀點而言，有機溶劑的相對介電常數為3以上為較佳。 只要沒有特別指定，則上述相對介電常數為15～30℃下的值。上述相對介電常數在20℃的值在上述範圍內為較佳。 相對介電常數能夠使用“溶劑手冊（第4版）”（Kodansha Ltd.，1982年）中所記載之值。當在上述文獻中沒有記載時，能夠使用藉由公知的方法測定之值。作為公知的相對介電常數測定方法，並不受特別限制，例如能夠使用遵照JIS C2138之方法及日本特開2020-021581號公報的[0022]段落中所記載之方法等。 當組合兩種以上有機溶劑而使用時，各有機溶劑的相對介電常數滿足上述要件為較佳。 又，從蝕刻量優異的觀點而言，有機溶劑與水混合為較佳。 再者，有機溶劑可以包含異構物化合物。
酯溶劑為具有酯鍵（-C（=O）-O-）之有機溶劑。 作為酯溶劑，例如可以舉出乙酸乙酯及乙酸丁酯等乙酸烷基酯、乳酸乙酯等乳酸烷基酯、3-甲氧基丙酸甲酯等烷氧基丙酸烷基酯、二醇酯以及碳酸丙烯酯（Propylene carbonate）、碳酸乙烯酯（Ethylene carbonate）及碳酸二乙酯（Diethyl carbonate）等環狀酯。 二醇酯為二醇的一末端或兩末端的羥基形成酯鍵之化合物，例如可以舉出丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯（PGMEA）及乙二醇單乙醚乙酸酯等二醇單酯以及乙二醇二乙酸酯及丙二醇二乙酸酯（PGDA）等二醇二酯。 作為酯溶劑，乙酸烷基酯、乳酸烷基酯或二醇酯為較佳。
醚溶劑為具有醚鍵（-O-）之有機溶劑，不包括上述酯溶劑及二醇。 作為醚溶劑，例如可以舉出二乙醚、二異丙醚、二丁醚、三級丁基甲醚及環己基甲醚等二烷基醚、二醇醚以及四氫呋喃及1,4-二㗁烷等環狀醚。 二醇醚為二醇的一末端或兩末端的羥基被取代為烷氧基之化合物，例如可以舉出二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、四乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、三乙二醇二乙醚、四乙二醇二乙醚、乙二醇二甲醚及三乙二醇二甲醚等伸烷基二醇二烷基醚以及丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚及三乙二醇單丁醚等伸烷基二醇烷基醚。 作為醚溶劑，二醇醚或環狀醚為較佳，二醇醚或四氫呋喃為更佳，二醇醚為進一步較佳。
醇溶劑為具有羥基之有機溶劑，不包括上述酯溶劑及上述醚溶劑。 作為醇溶劑，例如可以舉出丙醇、異丙醇（IPA）、三級丁醇、甲醇、乙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、2-戊醇、三級戊醇、己醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇（MMB）、3-甲氧基-1-丁醇、1-甲氧基-2-丁醇、烯丙醇、炔丙醇、2-丁烯醇、3-丁烯醇、4-戊烯-2-醇、四氫糠醇、糠醇及苄醇等一元醇以及乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、四乙二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1,3-丙二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇、己二醇、頻哪醇及1,3-環戊二醇等二醇，一元醇為較佳。
胺溶劑為具有胺基且不具有醯胺鍵之有機溶劑，不包括上述酯溶劑、醚溶劑及醇溶劑。 作為胺溶劑，例如可以舉出吡啶、三乙胺及二乙胺。
作為烴溶劑，例如可以舉出己烷、庚烷、戊烷、辛烷、環己烷、甲基環己烷、環戊烷及甲基環戊烷等脂肪族烴溶劑以及甲苯、二甲苯及乙苯等芳香族烴溶劑。
作為上述以外的其他溶劑，例如可以舉出二甲基亞碸等亞碸溶劑、甲酸、乙酸及丙酸等羧酸溶劑、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、1-甲基-2-吡咯啶酮、2-吡咯酮（Pyrrolidinone）、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、ε-己內醯胺、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺及六甲基磷酸三醯胺等醯胺溶劑、環丁碸、3-甲基環丁碸及2,4-二甲基環丁碸等碸溶劑、丙酮、二甲酮（丙酮）、環丁酮、環戊酮、環己酮、甲基乙基酮（2-丁酮）、5-己烷二酮、甲基異丁基酮、1,4-環己烷二酮、1,3-環己烷二酮及環己酮等酮溶劑以及乙腈等腈溶劑。
作為有機溶劑，酯溶劑、醚溶劑或胺溶劑為較佳，酯溶劑或二醇醚為更佳。 其中，作為有機溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、四氫呋喃、吡啶、異丙醇或三級丁醇為較佳，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、四氫呋喃或吡啶為更佳，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚、四乙二醇二甲醚或二乙二醇二乙醚為進一步較佳。
有機溶劑可以單獨使用一種，亦可以組合兩種以上而使用。 從本發明的效果更優異的觀點而言，有機溶劑的含量相對於第1處理液的總質量為80質量%以上為較佳，85質量%以上為更佳，90質量%以上為進一步較佳。作為上限，未達100質量%，99.9質量%以下為較佳，99.0質量%以下為更佳。
＜氧化劑＞ 第1處理液包含氧化劑。 氧化劑只要為具有使特定金屬氧化之功能之化合物，則不受特別限制，例如可以舉出醌化合物、氫醌及過氧化氫，醌化合物或氫醌為較佳。 氧化劑的分子量為30～1500為較佳，80～1500為更佳，100～1500為進一步較佳。
醌化合物為具有醌骨架之化合物。 醌化合物所具有之環結構可以為單環及縮環中的任一者。 作為醌化合物，例如可以舉出1,4-苯醌、1,2-苯醌、1,4-萘醌、泛醌、蒽醌、甲基苯醌（Toluquinone）、二甲基-1,4-苯醌、四氯醌（Chloranil）及四氧嘧啶（Alloxan）。
作為其他氧化劑，例如可以舉出氫醌、單過硫酸及二過硫酸等過硫化物、氯酸、過氯酸、亞氯酸、次氯酸、碘化物、過碘化物、碘酸及過碘酸等氧化鹵化物、過硼酸、過乙酸及過苯甲酸等過氧酸、硝酸、亞硝酸、硫酸以及該等的鹽。 又，作為氧化劑，可以舉出過氧化氫、過碳酸鹽、過錳酸鹽、過氧二硫酸銨、硝酸鈰銨等鈰化合物及鐵氰化鉀等鐵氰化物。
其中，作為氧化劑，1,4-苯醌、氫醌、1,2-苯醌、1,4-萘醌、泛醌或蒽醌為較佳，1,4-苯醌、氫醌、1,2-苯醌或1,4-萘醌為更佳。
氧化劑可以單獨使用一種，亦可以組合兩種以上而使用。 氧化劑的含量相對於第1處理液的總質量為0.01～20.0質量%為較佳，0.1～10.0質量%為更佳，0.5～7.5質量%為進一步較佳。
＜水＞ 第1處理液可以包含溶劑。 第1處理液中所包含之水為不對被處理物產生壞影響者即可。 其中，蒸餾水、去離子水（DIW：De Ionized Water）及純水（超純水）等實施了淨化處理之水為較佳，從對半導體基板的影響更少的觀點而言，純水（超純水）或DIW為更佳。
從蝕刻量優異的觀點而言，水的含量相對於第1處理液的總質量為0.0001質量%以上為較佳，0.001質量%以上為更佳，0.1質量%以上為進一步較佳，從平坦性優異的觀點而言，相對於第1處理液的總量為20.0質量%以下為較佳，15.0質量%以下為更佳，10.0質量%以下為進一步較佳。
＜其他成分＞ 第1處理液可以包含上述以外的其他成分。作為其他成分，例如可以舉出酸性化合物及鹼性化合物。又，作為其他成分，還可以舉出用於有機溶劑的合成之原料、合成有機溶劑時的副產物、金屬成分及粗大粒子。
（酸性化合物） 酸性化合物為在水溶液中顯示出酸性（pH未達7.0）之化合物，不包括上述氧化劑。 作為酸性化合物，可以舉出無機酸及有機酸。 作為無機酸，可以舉出鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、氫溴酸及氫氟酸。 作為有機酸，可以舉出鄰苯二甲酸、琥珀酸、順丁烯二酸、丙二酸、草酸、酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、苯甲酸及乳酸等羧酸以及對甲苯磺酸、苯磺酸及甲磺酸等磺酸。
酸性化合物可以單獨使用一種，亦可以組合兩種以上而使用。 酸性化合物的含量相對於處理液的總質量為0.01～10質量%為較佳，0.1～5質量%為更佳。
（鹼性化合物） 鹼性化合物為在水溶液中顯示出鹼性（pH超過7.0）之化合物。 作為鹼性化合物，可以舉出鹼性無機化合物及鹼性有機化合物。 作為鹼性無機化合物，例如可以舉出氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化銫等鹼金屬氫氧化物、氫氧化鈣、氫氧化鍶及氫氧化鋇等鹼土金屬氫氧化物以及氨。 作為鹼性有機化合物，例如可以舉出氧化胺、硝基、亞硝基、肟、酮肟、醛肟、內醯胺、異腈類、脲、胺化合物及四級銨鹽。
鹼性化合物可以單獨使用一種，亦可以組合兩種以上而使用。 鹼性化合物的含量相對於處理液的總質量為0.001～10質量%為較佳，0.01～5質量%為更佳。
（金屬成分） 第1處理液可以包含金屬成分。 作為金屬成分，可以舉出金屬粒子及金屬離子。例如，當稱為金屬成分的含量時，表示金屬粒子及金屬離子的合計含量。組成物可以包含金屬粒子及金屬離子中的任一者，亦可以包含兩者。
作為金屬成分中所包含之金屬原子，例如可以舉出選自包括Ag、Al、As、Au、Ba、Ca、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Ga、Ge、K、Li、Mg、Mn、Mo、Na、Ni、Pb、Sn、Sr、Ti、Zn及Zr之群組中之金屬原子。 金屬成分可以單獨包含一種金屬原子，亦可以包含兩種以上。 金屬成分可以為特意地添加者、不可避免地包含於第1處理液的各成分中者以及在第1處理液的製造、儲存及/或移送時不可避免地包含者中的任一者。 金屬粒子可以以單體、合金及金屬與有機物締合之形態中的任一形態存在。
當第1處理液包含金屬成分時，金屬成分的含量相對於第1處理液的總質量為0.01質量ppt～10質量ppm的情況較多，0.1質量ppt～1質量ppm為較佳，0.1質量ppt～100質量ppb為更佳。 第1處理液中的金屬成分的種類及含量能夠藉由ICP-MS（感應耦合電漿質譜分析：Single Nano Particle Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry（單奈米粒子感應耦合電漿質譜分析））法來測定。 在ICP-MS法中，將作為測定對象之金屬成分的含量與其存在形態無關地進行測定。因此，作為測定對象之金屬粒子與金屬離子的合計質量被定量為金屬成分的含量。 在ICP-MS法的測定中，例如能夠使用Agilent Technologies Japan,Ltd製造，Agilent 8800三重四極ICP-MS（感應耦合電漿質譜分析：inductively coupled plasma mass spectrometry，半導體分析用，選項#200）及Agilent 8900、以及PerkinElmer Co., Ltd.製造之NexION350S。
（粗大粒子） 第1處理液可以包含粗大粒子，但其含量低為較佳。 粗大粒子係指在將粒子的形狀視為球體時的直徑（粒徑）為0.1μm以上的粒子。 第1處理液中所包含之粗大粒子為在原料中以雜質形式包含之塵土、塵埃、有機固體物質及無機固體物質等粒子以及在第1處理液的製備中以污染物形式被帶入之塵土、塵埃、有機固體物質及無機固體物質等粒子，最終在第1處理液中未溶解而以不溶性粒子的形式存在者對應於此。
第1處理液實質上不包含粗大粒子為更佳。實質上不包含粗大粒子係指粒徑0.1μm以上的粒子的含量在每1mL的第1處理液中為10000個以下，5000個以下為較佳。下限為在每1mL的第1處理液中為0個以上為較佳，0.01個以上為更佳。 存在於第1處理液中之粗大粒子的含量能夠利用將雷射作為光源之光散射式液中粒子測定方式中的市售的測定裝置在液相中進行測定。 作為粗大粒子的去除方法，例如可以舉出後述之過濾等純化處理。
＜製造方法＞ 第1處理液之製造方法並不受特別限制，能夠使用公知的製造方法。 第1處理液例如能夠藉由混合上述各成分來製造。例如，可以舉出將氧化劑、有機溶劑及根據需要的其他任意成分依序添加到容器之後，進行攪拌來混合之方法。當將各成分添加到容器時，可以一次添加，亦可以分複數次添加。
在第1處理液的調液中使用之攪拌裝置及攪拌方法中，作為攪拌機或分散機，使用公知的裝置即可。作為攪拌機，例如可以舉出工業用混合器、移動式攪拌器、機械攪拌器及磁攪拌器。作為分散機，例如可以舉出工業用分散器、均化器、超音波分散器及珠磨機。
第1處理液的調液製程中的各成分的混合及後述之純化處理以及所製造之處理液的保管在40℃以下進行為較佳，在30℃以下進行為更佳。又，作為下限，5℃以上為較佳，10℃以上為更佳。藉由在上述溫度範圍內進行第1處理液的調液、處理及/或保管，能夠長期穩定地保持性能。
對用於對第1處理液進行調液之原料中的任一種以上或調液後的第1處理液進行純化處理為較佳。作為純化處理，例如可以舉出蒸餾、離子交換及過濾（Filtering）等公知的方法。
作為純化處理的方法，例如可以舉出將原料通液至離子交換樹脂或RO膜（Reverse Osmosis Membrane：逆滲透膜）等之方法、原料的蒸餾及過濾。 作為純化處理，可以組合複數個上述純化方法來實施。例如，對原料進行通液至RO膜之1次純化之後，可以實施通液至由陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂或混床型離子交換樹脂形成之純化裝置之2次純化。 又，純化處理可以實施複數次。
包括第1處理液的製造、容器的開封及清洗、第1處理液的填充等之操作、處理分析以及測定全部都在無塵室中進行為較佳。無塵室滿足14644-1無塵室基準為較佳。滿足ISO（國際標準化機構）等級1、ISO等級2、ISO等級3及ISO等級4中的任一者為較佳，滿足ISO等級1或ISO等級2為更佳，滿足ISO等級1為進一步較佳。
〔製程1的步驟〕 製程1為使被處理物與第1處理液接觸之製程。 使被處理物與第1處理液接觸之方法並不受特別限制，能夠使用公知的方法。例如，可以舉出在放入罐中之第1處理液中浸漬被處理物之方法、將第1處理液噴霧到被處理物上之方法、使第1處理液在被處理物上流過之方法及該等的任意組合。 進而，為了進一步增進第1處理液的氧化能力，可以使用機械式攪拌方法。 作為機械式攪拌方法，例如可以舉出使處理液在被處理物上循環之方法、使第1處理液在被處理物上流過或噴霧之方法及用超音波或兆音波攪拌第1處理液之方法。
被處理物與第1處理液的接觸時間能夠適當調整，10秒鐘～20分鐘為較佳，1分鐘～15分鐘為更佳，3分鐘～15分鐘為進一步較佳。 處理時的第1處理液的溫度為20～75℃為較佳，20～60℃為更佳。
藉由上述處理，金屬層的深度方向上的一部分被氧化而形成金屬氧化層。亦即，藉由實施上述處理，形成金屬層與金屬氧化層的積層。 金屬氧化層中所包含之材料取決於金屬層中所包含之材料，當金屬層包含鉬時，金屬氧化層包含鉬氧化物，當金屬層包含鉬合金時，金屬氧化層包含鉬合金的氧化物，當金屬層包含鎢時，金屬氧化層包含鎢氧化物，當金屬層包含鎢合金時，金屬氧化層包含鎢合金的氧化物。
藉由製程1形成之金屬氧化層的厚度並不受特別限制，0.1～30nm為較佳，0.2～10nm為更佳。
[製程2] 本處理方法具有使藉由包含製程1形成之金屬氧化層之被處理物與第2處理液接觸而去除金屬氧化層之製程2。 以下，對在本製程中使用之第2處理液及步驟進行說明。
〔第2處理液〕 第2處理液包含水。 第2處理液去除被處理物中所包含之、藉由製程1形成之金屬氧化層而使金屬層露出。 從平坦性的觀點而言，第2處理液對金屬氧化層的溶解能力高且對金屬層的溶解能力低為較佳。
＜水＞ 第2處理液包含水。 第2處理液中所包含之水為不對被處理物產生壞影響者即可。 其中，蒸餾水、DIW及純水（超純水）為較佳，從對半導體的影響及成本上的觀點而言，DIW或純水為更佳，DIW為進一步較佳。
水的含量相對於第2處理液的總質量為90質量%以上為較佳，95質量%以上為更佳，99質量%以上為進一步較佳，100質量%以上特佳。
＜其他成分＞ 第2處理液可以包含其他成分。作為其他成分，例如可以舉出酸性化合物、鹼性化合物、有機溶劑、防腐劑及界面活性劑。
（酸性化合物） 作為酸性化合物，可以舉出在第1處理液中舉出之化合物，鹽酸、硝酸或硫酸為較佳。 酸性化合物的含量相對於處理液的總質量為0.1～10.0質量%為較佳，1.0～5.0質量%為更佳。
（鹼性化合物） 作為鹼性化合物，可以舉出在第1處理液中舉出之化合物，氫氧化鈉、氫氧化鉀或氨為較佳。 鹼性化合物的含量相對於處理液的總質量為0.1～10.0質量%為較佳，1.0～5.0質量%為更佳。
（有機溶劑） 作為有機溶劑，可以舉出在第1處理液中舉出之有機溶劑。 有機溶劑與水以任意的比率混合為較佳。 有機溶劑的含量相對於第2處理液的總質量為0.01～20.0質量%為較佳，0.1～10.0質量%為更佳，1.0～5.0質量%為進一步較佳。
（防腐劑） 防腐劑為抑制在製程2中露出之金屬層的過度蝕刻之化合物。 作為防腐劑，並不受特別限制，例如可以舉出唑化合物、吡𠯤化合物、嘧啶化合物、吲哚化合物、吲𠯤化合物、吲唑化合物、喹啉化合物、吡咯化合物及㗁唑化合物，唑化合物為較佳。 唑化合物為包含至少1個氮原子且包含具有芳香族性之雜5員環之化合物。 作為唑化合物，例如可以舉出咪唑化合物、吡唑化合物、噻唑化合物、三唑化合物及四唑化合物。
作為唑化合物，能夠援用國際公開第2021/166571號的[0046]～[0050]段落中所記載之化合物，該等內容被編入本說明書中。
（界面活性劑） 作為界面活性劑，只要為在1個分子中具有親水性基和疏水性基（親油基）之化合物，則不受特別限制，例如可以舉出陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑及非離子性界面活性劑。
作為陰離子性界面活性劑，例如可以舉出具有磷酸酯基之磷酸酯系界面活性劑、具有磺基之磺酸系界面活性劑、具有膦酸基之膦酸系界面活性劑、具有羧基之羧酸系界面活性劑及具硫酸酯基之硫酸酯系界面活性劑。
作為陰離子性界面活性劑，例如能夠援用國際公開第2022/044893號的[0116]段落及[0123]段落中所記載之化合物，該等內容被編入本說明書中。
作為陽離子性界面活性劑，例如可以舉出烷基吡啶鎓系界面活性劑及烷基胺系界面活性劑。
作為非離子性界面活性劑，例如可以舉出酯型非離子性界面活性劑、醚型非離子性界面活性劑、酯醚型非離子性界面活性劑及烷醇胺型非離子性界面活性劑，醚型非離子性界面活性劑為較佳。
作為非離子性界面活性劑，例如能夠援用國際公開第2022/044893號的[0126]段落中所記載之化合物，該等內容被編入本說明書中。
（金屬成分） 第2處理液可以包含金屬成分。 上述金屬成分的定義、第2處理液中的金屬成分的含量的較佳態樣及測定方法與上述之第1處理液相同。
（粗大粒子） 第2處理液可以包含粗大粒子，但其含量低為較佳。 上述粗大粒子的定義、第2處理液中的粗大粒子的含量的較佳態樣及測定方法與上述之第1處理液相同。
〔製程2的步驟〕 製程2為使具有製程1中所得到之金屬氧化層之被處理物與第2處理液接觸之製程。 使被處理物與第2處理液接觸之方法並不受特別限制，能夠使用公知的方法。例如，能夠使用在製程1中舉出之接觸方法。
被處理物與第2處理液的接觸時間能夠適當調整，10秒鐘～10分鐘為較佳，20秒鐘～5分鐘為更佳。 處理時的第2處理液的溫度為20～75℃為較佳，20～60℃為更佳。
本處理方法重複實施製程1及製程2為較佳。 藉由重複實施製程1及製程2，能夠高精確度地控制藉由本處理方法去除之金屬層的蝕刻量的總量。 當交替重複實施製程1和製程2時，所實施之製程1及製程2的次數（循環數）為2次以上為較佳，3次以上為更佳，從平坦性優異的觀點而言，20次以下為較佳，10次以下為更佳，8次以下為進一步較佳。
[其他製程] 本處理方法可以具有上述的製程以外的其他製程。
〔第1沖洗製程〕 本處理方法可以在製程1與製程2之間具有使製程1中所得到之被處理物與第1沖洗液接觸並進行沖洗處理之第1沖洗製程。 藉由實施本製程，能夠去除殘留於製程1中所得到之被處理物的表面之第1處理液的成分。
第1沖洗液只要為不對被處理物產生壞影響者，則不受特別限制，有機溶劑為較佳。 作為有機溶劑，能夠較佳地使用在第1處理液中使用之有機溶劑。 用作第1沖洗液之有機溶劑可以與第1處理液中所包含之有機溶劑相同，亦可以不同，但與第1處理液中所包含之有機溶劑混合為較佳。 有機溶劑可以單獨使用一種，亦可以組合兩種以上而使用。
使第1沖洗液與被處理物接觸之方法並不受特別限制，能夠使用公知的方法。例如，能夠使用在使第1處理液與被處理物接觸之方法中舉出之方法。
第1沖洗液與被處理物的接觸時間並不受特別限制，例如5秒鐘～10分鐘為較佳，10秒鐘～5分鐘為更佳。 處理時的第1沖洗液的溫度並不受特別限制，15～75℃為較佳，20～55℃為更佳。
〔第2沖洗製程〕 本處理方法可以在製程2之後具有使製程2中所得到之被處理物與第2沖洗液接觸並進行沖洗處理之第2沖洗製程。
作為第2沖洗液，例如可以舉出水（較佳為DIW）、甲醇、乙醇、IPA、N-甲基吡咯酮、γ-丁內酯、二甲基亞碸、乳酸乙酯及丙二醇單甲醚乙酸酯，DIW為較佳。
使第2沖洗液與被處理物接觸之方法並不受特別限制，例如同樣能夠使用在第1沖洗製程中舉出之方法。
第2沖洗液與被處理物的接觸時間並不受特別限制，例如5秒鐘～10分鐘為較佳，10秒鐘～5分鐘為更佳。 處理時的第2沖洗液的溫度並不受特別限制，15～75℃為較佳，20～55℃為更佳。
〔乾燥製程〕 本處理方法根據需要可以具有實施乾燥處理之乾燥製程。 實施乾燥製程之時間點並不受特別限制，但在實施製程2之後實施為較佳。 又，當實施複數次製程1及製程2時，至少在最後進行之製程2之後實施為較佳。
乾燥處理的方法並不受特別限制，例如可以舉出旋轉乾燥、乾燥氣體在基板上的流動、基於基板的加熱機構（例如，加熱板及紅外線燈）之加熱、IPA（異丙醇）蒸汽乾燥、馬蘭哥尼（Marangoni）乾燥、諾塔哥尼（Rotagoni）乾燥及該等的組合。 乾燥時間只要根據在製程中使用之處理液或沖洗液適當調整即可，例如為30秒鐘～數分鐘左右。
本處理方法可以具有上述以外的製程。 作為上述以外的製程，例如可以舉出日本特開2019-061978號公報的[0021]段落等中所記載之被覆膜形成製程及[0022]段落等中所記載之雷射照射製程，該等內容被編入本說明書中。
本處理方法在電子元件之製造方法中實施為較佳。 又，本處理方法可以與在電子元件之製造方法中進行之製程組合而實施。 作為在電子元件之製造方法中進行之製程，例如可以舉出金屬配線、閘極結構、源極結構、汲極結構、絕緣層、強磁性層及/或非磁性層等各結構的形成製程（層形成、蝕刻、CMP及變成等）、阻劑（Resist）的形成製程、曝光製程及去除製程、熱處理製程、清洗製程以及檢查製程。
本處理方法用於配置於基板上之金屬層配線或襯墊的回向蝕刻（Recess etching）為較佳。藉此，能夠去除金屬配線的一部分來形成凹部。
再者，本處理方法的適用對象例如可以為NAND、DRAM（Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取記憶體）、SRAM（Static Random Access Memory：靜態隨機存取記憶體）、ReRAM（Resistive Random Access Memory：電阻式隨機存取記憶體）、FRAM（註冊商標）（Ferroelectric Random Access Memory：鐵電式隨機存取記憶體）、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻式隨機存取記憶體）或PRAM（Phase change Random Access Memory：相變化記憶體），亦可以為邏輯電路或處理器。 [實施例]
以下，依據實施例對本發明進行進一步詳細的說明。 以下的實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等只要不脫離本發明的主旨，則能夠適當進行變更。因此，本發明的範圍不應藉由以下所示之實施例進行限定性解釋。
[處理液的調液] 將下述所示之成分以下述表所示之既定的配方進行混合，並充分攪拌，藉此分別調液出了在各試驗的各製程中使用之處理液及沖洗液。再者，只要沒有特別記載，則處理液中的有機溶劑及水的含量為去除記載有含量之成分後的餘量，當沒有記載其他成分時，為100%。 在以下所示之各處理液中使用之各原料使用高純度等級，並且進一步事先進行蒸餾、離子交換、過濾或該等的組合來進行了純化。
＜溶劑＞ ·乙酸丁酯（相對介電常數5.01，酯溶劑） ·乙酸乙酯（相對介電常數6.02，酯溶劑） ·甲酸（相對介電常數58.5） ·二甲基亞碸（相對介電常數48.9） ·N-甲基-2-吡咯啶酮（相對介電常數32.0） ·1-丙醇（相對介電常數22.2，醇溶劑） ·異丙醇（相對介電常數18.3，醇溶劑） ·三級丁醇（相對介電常數11.4，醇溶劑） ·乳酸乙酯（相對介電常數13.1，酯溶劑） ·吡啶（相對介電常數12.3，胺溶劑） ·四氫呋喃（相對介電常數7.58，醚溶劑） ·二乙二醇二乙醚（相對介電常數7.23，醚溶劑） ·二乙二醇二甲醚（相對介電常數5.97，醚溶劑） ·丙二醇單甲醚（相對介電常數12.3，醚溶劑） ·丙二醇單甲醚乙酸酯（相對介電常數8.3，酯溶劑） ·甲苯（相對介電常數2.24） ·環己烷（相對介電常數2.05） ·己烷（相對介電常數1.89） ·DIW：去離子水（相對介電常數78.3） ·1質量%鹽酸水溶液 ·1質量%硝酸水溶液 ·1質量%氨水溶液 ·5質量%鹽酸水溶液 ·1質量%NaOH水溶液
＜氧化劑＞ ·1,4-苯醌 ·氫醌 ·1,2-苯醌 ·1,4-萘醌 ·泛醌 ·蒽醌 ·過氧化氫
[蝕刻處理] 作為被處理物，準備了在12英寸矽晶圓（直徑：300mm）的其中一個表面上藉由CVD法形成有金屬鉬（Mo）層之基板。Mo層的厚度設為30nm。
〔實施例A1～A26〕 藉由向所得到之被處理物表面供給10分鐘調整在25℃之各實施例的第1處理液來形成了金屬氧化層（製程1）。 接著，藉由向被處理物表面在室溫供給30秒鐘各實施例的第1沖洗液來實施了沖洗處理（第1沖洗製程）。 接著，藉由向被處理物表面供給1分鐘調整在25℃之各實施例的第2處理液來去除了金屬氧化層（製程2）。
〔實施例A27～A29、比較例A2〕 使用表所示之各種溶液（第1處理液、第1沖洗液及第2處理液），進而，實施製程2之後，藉由向被處理物表面在室溫供給30秒鐘各實施例或比較例的第2沖洗液來實施了沖洗處理（第2沖洗製程），除此以外，實施了與實施例A1～A26相同的處理。
〔比較例A1〕 使用表所示之各種溶液（第1處理液及第2處理液），並且未實施第1沖洗製程，除此以外，實施了與實施例A1～A26相同的處理。再者，在比較例A1中所使用之第1處理液中不包含氧化劑。
〔比較例A3〕 使用表所示之各種溶液（第1處理液及第1沖洗液），並且未實施製程2，除此以外，實施了與實施例A1～A26相同的處理。
〔實施例B1～B40、B46～B49〕 使用表所示之各種溶液，並且實施了3循環與實施例A1～A26相同的處理（製程1、第1沖洗製程及製程2）。
〔實施例B41～B45、比較例B2〕 使用表所示之各種溶液，並且實施了3循環與實施例A27～29及比較例A2相同的處理（製程1、第1沖洗製程、製程2及第2沖洗製程）。
〔比較例B1〕 實施了3循環與比較例A1相同的處理。
〔比較例B3〕 實施了3循環與比較例A3相同的處理。
〔實施例C1～C23〕 使用實施例A27中所記載之處理液及沖洗液，在下述表4中所記載之條件下實施了各製程。
[評價] 〔蝕刻量〕 使用薄膜評價用螢光X射線分析裝置（XRF，Rigaku Corporation製造，AZX-400）測定上述蝕刻處理前後的鉬層的厚度，根據處理前後的厚度的差分計算出了蝕刻量。 再者，上述蝕刻量為每1循環的蝕刻量。 當實施2循環以上製程1及製程2時，藉由將處理前的厚度與所有循環結束後的鉬層的厚度的差分求出的總蝕刻量除以循環數來計算出了每1循環的蝕刻量。
按照下述評價標準評價了所得到之蝕刻量。 A：30Å以上 B：15Å以上且未達30Å C：5Å以上且未達15Å D：未達5Å
〔平坦性〕 使用原子力顯微鏡（AFM：Atomic Force Microscope，Hitachi High-Tech Corporation製造，NanoNaviReal）對處理後的被處理物的表面進行測定，計算出了表面粗糙度Ra。 當實施了2循環以上製程1及製程2時，測定了所有循環結束後的表面粗糙度。
按照下述評價標準，根據所得到之表面粗糙度Ra的值評價了平坦性。 A：未達0.5nm B：0.5nm以上且未達0.7nm C：0.7nm以上且未達1.0nm D：1.0nm以上且未達1.2nm E：1.2nm以上
[結果] 在表1～4中示出各處理液的組成、製程的條件及評價結果。
[表1]
第1處理液 第1沖洗液 第2處理液 第2沖洗液 評價
溶劑 DIW 氧化劑 蝕刻量 平坦性
種類 相對介電常數 含量 （質量%） 含量 （質量%） 種類 含量 （質量%）
實施例A1 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例A2 乙酸乙酯 6.02 94.5 0.5 氫醌 5.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例A3 乙酸乙酯 6.02 98.5 0.5 1,2-苯醌 1.0 二乙二醇二乙醚 DIW - A A
實施例A4 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-萘醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例A5 乙酸乙酯 6.02 94.5 0.5 泛醌 5.0 乙酸乙酯 DIW - B A
實施例A6 乙酸丁酯 5.01 94.5 0.5 蒽醌 5.0 二乙二醇二乙醚 DIW - B A
實施例A7 乙酸丁酯 5.01 99.4 0.1 過氧化氫 0.5 乙酸丁酯 DIW - A D
實施例A8 1-丙醇 22.2 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 1-丙醇 DIW - A D
實施例A9 異丙醇 18.3 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 異丙醇 DIW - A C
實施例A10 三級丁醇 11.4 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 三級丁醇 DIW - A C
實施例A11 乳酸乙酯 13.1 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乳酸乙酯 DIW - A A
實施例A12 二乙二醇二乙醚 7.23 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 二乙二醇二乙醚 DIW - A A
實施例A13 乙酸乙酯 6.02 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例A14 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例A15 二乙二醇二甲醚 5.97 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 二乙二醇二乙醚 DIW - A A
實施例A16 丙二醇單甲醚乙酸酯 8.30 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚乙酸酯 DIW - A A
實施例A17 環己烷 2.05 98.999 0.001 1,4-苯醌 1.0 環己烷 DIW - B C
實施例A18 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 二乙二醇二乙醚 DIW - A A
實施例A19 乙酸乙酯 6.02 96.0 3.0 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例A20 丙二醇單甲醚 12.3 94.0 5.0 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A A
實施例A21 丙二醇單甲醚 12.3 89.0 10.0 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A A
實施例A22 丙二醇單甲醚 12.3 84.0 15.0 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A B
實施例A23 乙酸丁酯 5.01 94.5 0.5 1,4-苯醌 5.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例A24 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 異丙醇 DIW - A A
實施例A25 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例A26 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 環己烷 DIW - A A
實施例A27 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 1質量%鹽酸水溶液 DIW A A
實施例A28 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 1質量%硝酸水溶液 DIW A A
實施例A29 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 1質量%氨水溶液 DIW A A
比較例A1 乙酸丁酯 5.01 99.5 0.5 - - - DIW - D C
比較例A2 DIW 78.3 94.5 0.5 氫醌 5.0 DIW 1質量%鹽酸水溶液 DIW C E
比較例A3 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 - - D C
[表2]
第1處理液 第1沖洗液 第2處理液 第2沖洗液 評價
溶劑 DIW 氧化劑 蝕刻量 平坦性
種類 相對介電常數 含量 （質量%） 含量 （質量%） 種類 含量 （質量%）
實施例B1 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B2 乙酸乙酯 6.02 94.5 0.5 氫醌 5.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例B3 乙酸乙酯 6.02 98.5 0.5 1.2-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例B4 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-萘醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B5 乙酸乙酯 6.02 94.5 0.5 泛醌 5.0 乙酸乙酯 DIW - B A
實施例B6 乙酸丁酯 5.01 94.5 0.5 蒽醌 5.0 乙酸丁酯 DIW - B A
實施例B7 乙酸丁酯 5.01 99.4 0.1 過氧化氫 0.5 乙酸丁酯 DIW - A D
實施例B8 甲酸 58.5 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 甲酸 DIW - A D
實施例B9 二甲基亞碸 48.9 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 二甲基亞碸 DIW - A D
實施例B10 N-甲基-2-吡咯啶酮 32.0 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 N-甲基-2-吡咯啶酮 DIW - A D
實施例B11 1-丙醇 22.2 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 1-丙醇 DIW - A D
實施例B12 異丙醇 18.3 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 異丙醇 DIW - A C
實施例B13 三級丁醇 11.4 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 三級丁醇 DIW - A C
實施例B14 乳酸乙酯 13.1 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乳酸乙酯 DIW - A A
實施例B15 吡啶 12.3 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 吡啶 DIW - A B
實施例B16 四氫呋喃 7.58 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 四氫呋喃 DIW - A B
實施例B17 二乙二醇二乙醚 7.23 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 二乙二醇二乙醚 DIW - A A
實施例B18 乙酸丁酯 6.02 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例B19 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B20 二乙二醇二甲醚 5.97 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 二乙二醇單甲醚 DIW - A A
實施例B21 丙二醇單甲醚 12.3 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A A
實施例B22 丙二醇單甲醚乙酸酯 8.3 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚乙酸酯 DIW - A A
實施例B23 甲苯 2.24 98.95 0.05 1,4-苯醌 1.0 甲苯 DIW - B C
實施例B24 環己烷 2.05 98.999 0.001 1,4-苯醌 1.0 環己烷 DIW - B C
實施例B25 己烷 1.89 98.999 0.001 1,4-苯醌 1.0 己烷 DIW - B C
實施例B26 乙酸丁酯 5.01 98.9999 0.0001 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - C A
實施例B27 乙酸乙酯 6.02 98.999 0.001 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - B A
實施例B28 乙酸丁酯 5.01 98.9 0.1 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B29 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B30 乙酸乙酯 6.02 96.0 3.0 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - A A
[表3]
第1處理液 第1沖洗液 第2處理液 第2沖洗液 評價
溶劑 DIW 氧化劑 蝕刻量 平坦性
種類 相對介電常數 含量 （質量%） 含量 （質量%） 種類 含量 （質量%）
實施例B31 丙二醇單甲醚 12.3 94.0 5.0 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A A
實施例B32 丙二醇單甲醚 12.3 89.0 10.0 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A A
實施例B33 丙二醇單甲醚 12.3 84.0 15.0 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A B
實施例B34 乙酸丁酯 12.3 79.0 20.0 1,4-苯醌 1.0 丙二醇單甲醚 DIW - A C
實施例B35 乙酸丁酯 5.01 97.5 0.5 1,4-苯醌 2.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B36 乙酸丁酯 5.01 94.5 0.5 1,4-苯醌 5.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B37 乙酸丁酯 5.01 89.5 0.5 1,4-苯醌 10.0 乙酸丁酯 DIW - A B
實施例B38 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 異丙醇 DIW - A A
實施例B39 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸乙酯 DIW - A A
實施例B40 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 環己烷 DIW - A A
實施例B41 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 1質量%鹽酸水溶液 DIW A A
實施例B42 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 1質量%硝酸水溶液 DIW A A
實施例B43 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 1質量%氨水溶液 DIW A A
實施例B44 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 5質量%鹽酸水溶液 DIW A A
實施例B45 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 5質量%NaOH水溶液 DIW A A
實施例B46 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 氫醌 0.9 0.1 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B47 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1,4-萘醌 0.8 0.2 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B48 乙酸丁酯 乙酸乙酯 5.01 6.02 90.0 8.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
實施例B49 乙酸乙酯 二乙二醇二乙醚 6.02 12.3 50.0 48.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 DIW - A A
比較例B1 乙酸丁酯 5.01 99.5 0.5 - - - DIW - D C
比較例B2 DIW 78.3 94.5 0.5 氫醌 5.0 DIW 1質量%鹽酸水溶液 DIW C E
比較例B3 乙酸丁酯 5.01 98.5 0.5 1,4-苯醌 1.0 乙酸丁酯 - - D C
[表4]
製程1 第1沖洗製程 製程2 第2沖洗製程 循環數 （次） 評價
處理時間 （分鐘） 溫度 （℃） 處理時間 （分鐘） 溫度 （℃） 處理時間 （分鐘） 溫度 （℃） 處理時間 （分鐘） 溫度 （℃） 蝕刻量 平坦性
實施例C1 10.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C2 5.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C3 1.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 3 B A
實施例C4 5.0 25 0.5 25 2.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C5 5.0 25 0.5 25 5.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C6 5.0 25 0.5 25 0.5 25 0.5 25 3 A A
實施例C7 5.0 25 - - 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C8 5.0 25 1.0 25 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C9 5.0 25 5.0 25 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C10 5.0 25 0.5 25 1.0 25 1.0 25 3 A A
實施例C11 5.0 25 0.5 25 1.0 25 5.0 25 3 A A
實施例C12 1.0 50 0.5 25 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C13 5.0 50 0.5 25 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C14 5.0 25 5.0 25 1.0 50 0.5 25 3 A A
實施例C15 1.0 50 0.5 25 1.0 50 0.5 25 3 A A
實施例C16 5.0 25 0.5 50 1.0 25 0.5 25 3 A A
實施例C17 5.0 25 0.5 50 1.0 25 0.5 50 3 A A
實施例C18 5.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 1 A A
實施例C19 5.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 5 A A
實施例C20 5.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 7 A A
實施例C21 5.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 10 A B
實施例C22 1.0 25 0.5 25 1.0 25 0.5 25 5 B A
實施例C23 1.0 50 0.5 25 1.0 25 0.5 25 5 A A
根據上述表所示之結果確認到，本發明的處理方法的蝕刻量及處理後的被處理物表面的平坦性優異。
根據實施例A1～A7及實施例B1～B7的比較確認到，當氧化劑為醌化合物或氫醌時，平坦性更優異，當氧化劑為1,4-苯醌、氫醌、1,2-苯醌或1,4-萘醌時，蝕刻量進一步優異。 根據實施例A8～A17及實施例B8～B25的比較確認到，當有機溶劑的相對介電常數為50以下時，平坦性更優異，當為3.0～20.0時，本發明的效果進一步優異。 又，根據實施例A8～A17及實施例B8～B25的比較確認到，當有機溶劑為醚溶劑、酯溶劑或胺溶劑時，本發明的效果更優異，當為酯溶劑或二醇醚時，本發明的效果進一步優異。 根據實施例A19～A22及實施例B26～B34的比較確認到，當第1處理液中的水的含量相對於第1處理液的總質量為0.001～15.0質量%時，本發明的效果更優異，當為0.1～10.0質量%時，本發明的效果進一步優異。 根據實施例A1及A23以及實施例B1及B35～B37的比較確認到，當第1處理液中的氧化劑的含量相對於第1處理液的總質量為7.5質量%以下時，平坦性更優異。 根據實施例C1～C3的比較確認到，當製程1的處理時間為3分鐘以上時，蝕刻量更優異。 根據實施例C18～C21的比較確認到，當循環數為1～8次時，平坦性更優異。
作為第1處理液中的有機溶劑及第1沖洗液，使用了四乙二醇二甲醚，除此以外，實施了與實施例A15相同的處理及評價，其結果，得到了與實施例A15等同的結果。 進而，作為第1處理液中的有機溶劑第1沖洗液，使用了四乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚或二丙二醇二甲醚，除此以外，實施了與實施例B20相同的處理及評價，其結果，得到了與實施例B20等同的結果。
無。

Claims (13)

  1. 一種被處理物之處理方法，其具有： 製程1，使具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物與第1處理液接觸而形成金屬氧化層；及 製程2，使包含前述金屬氧化層之被處理物與第2處理液接觸而去除前述金屬氧化層，其中 前述第1處理液包含有機溶劑和氧化劑， 前述第2處理液包含水。
  2. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述有機溶劑的含量相對於前述第1處理液的總質量為80質量%以上。
  3. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述有機溶劑的相對介電常數為50以下。
  4. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述有機溶劑的相對介電常數為3～20。
  5. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述有機溶劑包含選自包括酯溶劑、醚溶劑及胺溶劑之群組中之至少一種。
  6. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述有機溶劑包含選自包括乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇二乙醚、四氫呋喃及吡啶之群組中之至少一種。
  7. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述第1處理液包含水，前述水的含量相對於前述第1處理液的總質量為0.001～20.0質量%。
  8. 如請求項7所述之被處理物之處理方法，其中 前述水的含量相對於前述第1處理液的總質量為0.1～10.0質量%。
  9. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述氧化劑包含選自包括醌化合物及氫醌之群組中之至少一種。
  10. 如請求項1所述之被處理物之處理方法，其中 前述氧化劑包含選自包括1,2-苯醌、1,4-苯醌、氫醌、1,4-萘醌、泛醌及蒽醌之群組中之至少一種。
  11. 如請求項1至請求項10之任一項所述之被處理物之處理方法，其中 重複實施前述製程1及前述製程2。
  12. 一種處理液，其適用於具有包含選自包括鉬及鎢之群組中之至少一種之金屬層之被處理物， 前述處理液包含有機溶劑和氧化劑， 前述有機溶劑的含量相對於前述處理液的總質量為80質量%以上。
  13. 一種電子元件之製造方法，其包括請求項1至請求項11之任一項所述之被處理物之處理方法。
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JPWO2005019499A1 (ja) * 2003-08-20 2006-10-19 ダイキン工業株式会社 金属変質層の除去液及び金属変質層の除去方法
JP2012222066A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法及び処理装置
JP6425342B2 (ja) * 2014-12-26 2018-11-21 富士フイルム株式会社 エッチング液、これを用いたエッチング方法および半導体基板製品の製造方法
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