TW202413704A

TW202413704A - 排氣構造、排氣系統、處理裝置及半導體裝置的製造方法

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Publication number: TW202413704A
Application number: TW112119687A
Authority: TW
Inventors: 坂田雅和; 高橋良輔
Original assignee: 日商國際電氣股份有限公司
Priority date: 2022-09-16
Filing date: 2023-05-26
Publication date: 2024-04-01

Abstract

具備：將處理室的氛圍排氣的排氣管；設於前述排氣管，檢測前述排氣管內的壓力的壓力檢測部；具有接收來自前述壓力檢測部的信號進行動作的開關部、及防止向前述排氣管的逆流的閥部，並從前述排氣管分歧的分歧管。

Description

排氣構造、排氣系統、處理裝置及半導體裝置的製造方法

本揭示係有關於排氣構造、排氣系統、處理裝置及半導體裝置的製造方法。

半導體裝置的製造工程中使用的基板處理裝置(以下也稱為半導體製造裝置)中，例如在一台設置數十台流量控制器，該等流量控制器的有效率的設定作業記載於以下專利文獻1。另一方面，設於排氣系統的流量控制器的設定作業，在後段的泵及閥在顧客範圍的情形等，因為有難以確認真空狀態的情形，有未發現閥為閉，對排氣系統的配管供應氣體而排氣配管成為過加壓的情形。如此，除了一般進行反應容器內的過加壓保護(專利文獻2)以外，排氣配管的過加壓保護成為必要。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：國際公開第2019-186654號專利文獻2：國際公開第2005-050725號

[發明所欲解決的問題]

本揭示提供保護排氣系統的配管的過加壓的構造。 [解決問題的手段]

根據本發明的一態樣，提供一種構造，具備：將處理室的氛圍排氣的排氣管；設於前述排氣管，檢測前述排氣管內的壓力的壓力檢測部；及具有接收來自前述壓力檢測部的信號進行動作的開關部、及防止向前述排氣管的逆流的閥部，並從前述排氣管分歧的分歧管。 [發明的效果]

根據本揭示，能夠保護排氣系統的配管的過加壓。

以下，參照圖式說明關於本揭示的一態樣。此外，以下說明中使用的圖式，都只是示意者，圖式中所示的各要素的尺寸的關係、各要素的比例等，未必與現實一致。又，複數圖式的相互間也一樣，各要素的尺寸的關係、各要素的比例等未必一致。又，複數圖式的相互間，實質相同的要素附加相同符號，各要素最早登場的圖式中進行該要素的說明，以後的圖式中若沒有特別必要則省略其說明。說明書中若沒有特別表示，各要素不限於一個，存在複數也可以。

(處理爐) 圖1說明關於本實施形態中適用的基板處理裝置的處理爐42。本實施形態中，基板處理裝置，為作為半導體裝置(裝置)的製造方法中的製造工程的一工程實施熱處理等的基板處理工程的縱型基板處理裝置(以下稱為處理裝置)。

處理爐42具備反應管41。反應管41例如由石英(SiO ₂)或碳化矽(SiC)等具有耐熱性的非金屬材料構成，成為上端部閉塞且下端部開放的圓筒狀。

反應管41的筒內形成處理室34。處理室34中，作為基板保持體(基板保持具)的晶舟30從下方插入，藉由晶舟30保持於水平姿勢的作為基板的晶圓14在鉛直方向多段整列的狀態下被收容。收容於處理室34的晶舟30，藉由旋轉機構43使旋轉軸44旋轉，能以保持處理室34的氣密，並搭載複數晶圓14的狀態旋轉。

在反應管41的下方，與該反應管41以同心圓狀配設歧管45。歧管45，例如由不銹鋼等的金屬材料構成，成為上端部及下端部開放的圓筒狀。藉由該歧管45，反應管41從下端部側縱向被支持。亦即，形成處理室34的反應管41經由歧管45在鉛直方向直立，構成處理爐42。歧管45的下端部，在圖未示的晶舟升降機上升時，藉由密封蓋46氣密密封。歧管45的下端部與密封蓋46之間，設置將處理室34氣密密封的O形環等封裝構件46a。

又，在歧管45，分別連接用來對處理室34導入原料氣體及淨化氣體等的氣體導入管47、及用來將處理室34的氣體(氛圍)排氣的排氣管48。

在反應管41的外周，與反應管41以同心圓狀配置作為加熱手段(加熱機構)的加熱單元49。加熱單元49，以處理室34在全體成為均勻或預定的溫度分佈的方式，進行對處理室34的加熱。

圖2表示包含輸出入裝置31及控制部32的控制系統的一構造例。控制器260至少包含輸出入裝置31、及控制部32。

控制部32，作為具備CPU(Central Processing Unit)260a、RAM(Random Access Memory)260b、記憶裝置260c、I/O端口260d的電腦構成。RAM260b、記憶裝置260c、I/O端口260d，經由內部匯流排260e，與CPU260a能夠進行資料交換。

作為演算部的CPU260a，讀出來自記憶裝置260c的控制程式並執行，因應來自輸出入裝置31的操作指令的輸入等從記憶裝置260c讀出檔案。又，將從接收部285輸入的設定值、與記憶於記憶裝置260c的檔案或控制資料進行比較/演算，能夠算出演算資料。又，RAM260b，作為將由CPU260a讀出的程式、演算資料、處理資料等暫時保持的記憶體區域(工件區域)構成。

記憶裝置260c，例如以快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等構成。記憶裝置260c內，包含控制基板處理裝置的動作的控制程式或各種檔案、從各感測器檢出的資料等，又，以可讀出的方式儲存在到設定對晶圓14的處理所用的製程配方為止的過程中產生的演算資料及處理資料等。各種檔案，包含記載因應配方編集用的編集畫面及設定用的設定畫面等的畫面檔案、因應氣體種切換複數開關使用的調整對象部件的調整用的序列、基板處理的順序及條件等的製程配方、用以搬送晶圓14的配方等。

輸出入裝置31的操作畫面中，分別顯示以與在初始化使用的條件相同的條件作成調整用序列的編集畫面、及選擇調整對象的部件的選擇畫面。例如，作為觸控面板等構成的輸出入裝置31，可連接外部記憶裝置262。再來，在控制器260，能通過接收部285連接網路263。這表示控制器260也能夠連接在網路263上存在的主機電腦等的上位裝置。因此，若輸出入裝置31存在於網路263上則能與控制器260連接。亦即，輸出入裝置31，不限於上述實施形態而在從基板處理裝置遠離的處所也可以。

以下，也有將包含該製程配方及控制程式等的各檔案單總稱為程式的情形。此外，在本說明書中使用程式這個詞時，有僅包含製程配方單體的情形、僅包含控制程式單體的情形、或包含該等兩者的情形。

此外，控制器260，不限於作為專用的電腦構成的情形，作為泛用的電腦構成也可以。例如，準備儲存上述程式的外部記憶裝置262，使用該外部記憶裝置262在泛用的電腦安裝程式等，能夠構成本實施形態中的控制器260。外部記憶裝置262，例如，包含磁帶、可撓性磁碟及硬碟等磁碟、CD及DVD等光碟、MO等磁光碟、或USB記憶體及記憶卡等半導體記憶體等。

用來向電腦供應程式的手段，不限於經由外部記憶裝置262供應的情形。例如，使用網路263(網際網路或專用線路)等通信手段也可以、不經由外部記憶裝置262供應程式也可以。

又，記憶裝置260c及外部記憶裝置262，作為電腦可讀取的記錄媒體構成。以下，也將該等單總稱為記錄媒體。此外，在本說明書中使用記錄媒體這個詞時，有僅包含記憶裝置260c單體的情形、僅包含外部記憶裝置262單體的情形、或包含該等兩者的情形。

接著，使用本實施形態的基板處理裝置，作為半導體裝置製造的一工程，關於進行對晶圓14的處理的情形的動作順序，參照圖1及圖2說明。

(盒搬送工程) 在基板處理裝置進行對晶圓14的處理的情形，首先在盒載台載置收容複數片晶圓14的盒。接著，藉由盒搬送裝置20將盒從盒載台移載至旋轉盒棚。

(晶圓供應工程) 之後，藉由盒搬送裝置20，將載置於旋轉盒棚的盒搬送至盒開啟器。接著，藉由盒開啟器將盒蓋打開，藉由基板片數檢測器檢測收容於盒中的晶圓14的片數。

(搬入前移載工程) 打開盒蓋後，接著配置於移載室內的基板移載機28從盒將晶圓14取出。接著，將從盒取出的未處理狀態的晶圓14，移載至與基板移載機28相同位於移載室內的晶舟30。亦即，基板移載機28，在移載室內，進行向處理室34搬入前的晶舟30裝填未處理狀態的晶圓14的晶圓進料動作。藉此，晶舟30，以將複數片晶圓14在鉛直方向分別形成間隔的層積狀態保持。

(搬入工程) 晶圓進料動作後，藉由晶舟升降機的升降動作，將保持複數片未處理狀態的晶圓14的晶舟30搬入處理室34(晶舟負載)。亦即，使晶舟升降機動作，將保持未處理狀態的晶圓14的晶舟30，從移載室向處理室34搬入。藉此，密封蓋46，成為經由封裝構件46a將歧管45的下端密封的狀態。

(處理工程) 晶舟負載後，對搬入處理室34的晶舟30保持的未處理狀態的晶圓14，進行預定的處理。具體上，使用排氣管48進行排氣，處理室34成為所期望的壓力(真空度)。接著，使用加熱單元49進行對處理室34的加熱，同時使旋轉機構43動作而使晶舟30旋轉，伴隨之也使晶圓14旋轉。再來，藉由氣體導入管47向處理室34內供應原料氣體及淨化氣體等。藉此，在保持於晶舟30的未處理狀態的晶圓14的表面，例如進行利用熱所致的分解反應及化學反應等的薄膜形成。

向晶圓14的表面的薄膜形成結束後，停止加熱單元49的加熱，使處理完狀態的晶圓14的溫度降溫至預定溫度。接著，若經過預先設定的時間，停止向處理室34的氣體供應，同時開始向該處理室34的不活性氣體的供應。藉此，將處理室34內以不活性氣體置換，並使處理室34的壓力恢復至常壓。又，處理室34的常壓恢復中或常壓恢復後，也使旋轉機構43所致的晶舟30旋轉停止。

(搬出工程) 之後，藉由晶舟升降機的升降動作，使密封蓋46下降並使歧管45的下端開口，同時將保持處理完狀態的晶圓14的晶舟30從歧管45的下端向處理室34外搬出(晶舟卸載)。

(搬出後移載工程) 待機的晶舟30的晶圓14冷卻至預定溫度(例如室溫程度)後，配置於移載室內的基板移載機28，從晶舟30進行晶圓14的脫裝。接著，將從晶舟30脫裝後的處理完狀態的晶圓14，搬送至載置於盒開啟器的空盒進行收容晶圓卸除動作。之後，藉由盒搬送裝置20，將收容處理完狀態的晶圓14的盒，向旋轉盒棚或盒載台上搬送。藉此，基板處理裝置所致的基板處理工程的一連處理動作結束。

圖3示出本實施形態中使用的基板處理裝置的排氣系統的一構造例。此外，將圖3所示的包圍在一點鏈線內的部分稱為排氣方塊75。

如圖3所示，在作為主排氣線的排氣管48，從上游側依序設置作為壓力檢出部的壓力感測器51、作為壓力檢測部的壓力開關52、作為第1開關部的閘閥55、調整閥35、作為壓力檢測部的壓力開關53、經由伸縮體36a作為排氣裝置的真空泵36。圖式中，壓力開關52、53也有記載成「PS」、真空泵36也有記載成「PUMP」的情形。再來，在真空泵36的二次側(下游側)，設置作為第2開關部的閘閥56。壓力感測器51為檢出處理室34的壓力的壓力檢出器。壓力開關52為檢出處理室34的壓力是否超過大氣壓的第1壓力開關。閘閥55為將排氣管48內的流路遮斷的遮斷閥。調整閥35為作為壓力調整器的APC(Auto Pressure Controller)閥。壓力開關53為檢出調整閥35的下游側的排氣管48內的壓力是否超過大氣壓的第2壓力開關。伸縮體36a為蛇腹形狀能伸縮的可撓性配管。真空泵36將處理室34減壓。閘閥56為使排氣停止的遮斷閥。

閘閥55，在使調整閥35及閘閥56的閥為開狀態且使真空泵36作動的狀態下將閥進行開關，能夠進行處理室34的真空排氣及真空排氣停止。又，調整閥35，在使調閘閥55及閘閥56的閥為開狀態，且使真空泵36作動的狀態下將閥進行開關，能夠進行處理室34的真空排氣及真空排氣停止。調整閥35，在使閘閥55及閘閥56為開狀態且使真空泵36作動的狀態下，基於由壓力感測器51檢出的壓力資訊調節閥開度，能夠調整處理室34的壓力。

又，以從比調整處理室34的壓力的調整閥35(閘閥55)還上游側的排氣管48分歧的方式，設置作為保護處理室34的過加壓的大氣壓開放線(過加壓保護線)的排氣管61。在排氣管61，設置接收來自壓力開關52的信號，從閉狀態向開狀態動作的閥52b、及作為用以逆流防止的閥部的檢查閥CV，排氣管61連通至外部排氣(圖3中記載成「Exhaust」)為止。

又，以將閘閥55與調整閥35迂迴的方式，設置用以將處理室34慢慢排氣的作為慢排氣線的枝管57，在枝管57設置作為第4開關閥的空氣閥門57a。

接著，以從比調整處理室34的壓力的調整閥35還下游側的排氣管48分歧的方式，設置作為釋放線(過加壓保護線)的分歧管62。在分歧管62，設置接收來自壓力開關53的信號，設置從閉狀態向開狀態動作的作為第3開關部的閥53b、及作為用以逆流防止的閥部的檢查閥CV，分歧管62與排氣管61連接。

又，從閘閥55與閘閥56之間的排氣管48(具體上為比在調整處理室34的壓力的調整閥35還下游側且比真空泵36還上游側的排氣管48)分歧的方式，設置上述分歧管62、及作為淨化氣體線的淨化管58。淨化管58在上游側，連接至作為不活性氣體源的氮(N ₂)氣體源(圖3中記載成「N ₂」)33。接著，淨化管58，從上游側設置作為流量控制器的MFC(Mass Flow Controller)1，設置成以能夠與閥53b、閘閥55及閘閥56的狀態無關的方式，導入經由閥2進行流量控制後的不活性氣體。此外，在淨化管58設置將圖未示的不活性氣體加熱的加熱部。

如此，本實施形態中，具有具備將處理室34的氛圍排氣的排氣管48、設於排氣管48檢測排氣管48內的壓力的壓力開關53、及分歧管62的排氣管構造。其中，分歧管62，具有接收來自壓力開關53的信號進行動作的閥53b、及防止向排氣管48的逆流的檢查閥CV。藉由該排氣管構造，能夠保護排氣配管(排氣系統的配管)的過加壓。

本實施形態中，壓力開關53檢出預先設定的壓力(例如大氣壓)後，接收來自壓力開關53的信號而閥53b從閉狀態成為開狀態。再來，分歧管62與排氣管61連接。藉由該構造，因為能夠將排氣管48的氛圍經由閥53b向排氣管61排氣，能夠保護排氣配管(排氣系統的配管)的過加壓。

本實施形態中，包含分歧管62及壓力開關53的上述排氣管構造，設於閘閥55(調整閥35)與閘閥56(真空泵36)之間的排氣管48。此時，因為接收來自壓力開關53的信號而閥53b從閉狀態成為開狀態，排氣管48內的壓力在變得比大氣壓還高(成為過加壓)前，能使排氣管48的氛圍流至分歧管62。藉此，能夠不使伸縮體36a變形，而將排氣管48的氛圍釋放至分歧管62，能夠保護排氣配管(排氣系統的配管)的過加壓。再來，因為沒有將伸縮體36a變形的部件交換之必要，能夠抑制部件交換等的維護所致的裝置運轉率的降低。

從前，即便以伸縮體36a吸收過加壓，最終因為有維護(例如伸縮體36a的交換)的必要，有裝置運轉率降低的懸念。不過，本實施形態中，藉由以分歧管62使閘閥55(調整閥35)與閘閥56(真空泵36)之間的排氣管48內的氣體(或氣體狀者，例如空氣)逸至分歧管62，能夠保護排氣管48內的過加壓。藉此，因在排氣管48內成為過加壓前從分歧管62排氣，不會使伸縮體36a變形。因此，若是輕微的理由(例如閘閥56為閉)，解除因排氣管48的過加壓引起的錯誤時，能夠不需要維護使處理持續。因此，能夠抑制裝置運轉率的降低。

又，本實施形態中，能夠在成為閘閥55(調整閥35)與閘閥56(真空泵36)之間的排氣管48內的過加壓前從分歧管62排氣。因此，降低了向調整閥35的過加壓造成的影響。例如，能夠抑制調整閥35破損的懸念。又，不限於伸縮體36a，關於構成真空泵36的部件也一樣期待過加壓所致的影響的降低效果。

又，本實施形態中，更設置與排氣管48連接，能對該排氣管48供應預定氣體(例如不活性氣體)的淨化管58。分歧管62與淨化管58雖都與排氣管48連接，但因為分離則能夠期待從淨化管58供應至排氣管48的淨化氣體所致的淨化效果。又，淨化管58，設置於比分歧管62還下游側較佳，能夠期待更淨化的效果。

接著，示出對應圖4的控制部32與各MFC1之間的診斷序列之一例。MFC為複數的情形，控制部32對各個被指定的MFC，實施該調整序列。

調整開始時，將真空泵36設為開啟，將閘閥55設為閉，進行排氣管48內的真空吸引。該等全依照來自控制部32的數位I/O指示。

(S21)本步驟中，控制部32，同時發送將調整對象的MFC1的開關切換成N ₂氣體的指示，將MFC1的開關切換成N ₂氣體。這是為了以N ₂氣體進行成為初始診斷檢查的基準的初始化。其中，開關是指複數氣體對應的MFC的1個氣體的登錄編號。藉由該開關的切換，MFC能夠控制從預先複數登錄的氣體之中設定成指定的編號的氣體。此外，原本是N ₂氣體專用的MFC、或指定N ₂氣體的情形，該步驟省略也可以。

(S22)(S21)結束後，繼續將MFC1的流量作為第1流量以成為預先決定的預定流量的方式進行調整，預定時間經過後，再將診斷對象的MFC的流量以成為第2流量(流量0)的方式進行調整。具體上，以來自控制部32的指示，將N ₂氣體源33作為開啟，將閥2作為開。例如，在MFC1設定流量20%。MFC1，使用不活性氣體的係數，以MFC1內的流量換算用壓力感測器的值為基礎，調整閥的開度進行流量控制，控制成為流量20%。此外，如此將MFC1控制成預定流量，以預定流量例如等待10秒等的預定時間也可以，又收束在預定流量後馬上設定成流量0。例如，進行複數次設定流量20%、40%、60%、80%、100%也可以。

(S23)控制部32，進行預定時間待機確認作為部件檢查的初始診斷檢查的結束(MFC的流量為0)。此外，因為能夠預先預測成為流量0的時間，將MFC1的流量從第2流量(流量0)經過預定時間後作為部件檢查結束也可以。如此，控制部32，將對象MFC1內的閥設為閉(或者調整成為設定流量0%)，確認收束成流量0的部件檢查結束時(收束時間)。

(S24)控制部32，從MFC1同時取得部件檢查結果資訊(例如時間)。MFC1，將預定的流量(流量0)作為觸發取得檢查結果資訊(診斷結果資訊)，與初始化資訊比較。又，MFC1將預定的時間作為觸發輸出檢查結果資訊也可以。具體上，控制部32，取得在0流量收束、或者3秒等預定的時間經過後作為檢查結果資訊，表示壓力變化的壓力、到達流量0的時間或者收束的時間、溫度等。

控制部32，在取得到的部件檢查結果資訊，例如到達時間未收於預先設定的時間範圍的情形，產生警告，進行預定的錯誤處理同時使診斷流程結束。例如，該部件檢查錯誤產生的情形，與新的MFC交換後，同樣進行從上述S21到S24的調整(初始診斷檢查)。

此外，圖4中，將該開關的切換藉由控制部32執行，但以人工(手動)切換也可以。根據本實施形態，裝置立起時，能夠縮短調整對象部件(MFC1)的初期不良的掌握所花費的時間。

其中，為了進行MFC1的調整作業(S21～S24)，因為預先解除閥連鎖，淨化管58，以將進行流量控制後的不活性氣體，能夠與閥53b、閘閥55及閘閥56的狀態無關係地導入的方式設置。因此，藉由設於淨化管58的MFC1進行流量控制的不活性氣體，能夠在閥53b、閘閥55及閘閥56為閉狀態下，經由閥2導入排氣管48內的流路。

閘閥56，例如配置於從真空泵36遠離的位置。因此，假設即便閘閥56為閉狀態，因在MFC1的調整作業(S21～S24)使用的不活性氣體流量並不多，對MFC1的調整作業(S21～S24)沒有影響。

在調整作業花費時間的情形，例如在預先設定的時間未收束於預定流量或流量0的情形，會在不知不覺中大量地流通不活性氣體。此時，會有在比閘閥55還下游側，比閘閥56還上游側的排氣管48內的壓力成為過加壓的情形。

因此，藉由上述MFC1的調整作業(S21～S24)，即便比閘閥55還下游側的排氣管48成為過加壓狀態，根據本實施形態，壓力開關53檢出排氣管48內的壓力為大氣壓以上，使閥53b從閉狀態成為開狀態。藉此，因為閥53b成為開，能夠使排氣管48內的氛圍從分歧管62逸至排氣管61。因此，因為能夠抑制該排氣管48的過加壓對伸縮體36a造成的影響，能夠降低為了交換而進行維護所致的設定作業的時間浪費。

其中，本實施形態中的設定作業，除了構成上述排氣線的部件的初始診斷檢查以外，包含基板處理裝置的框體等的設置作業、電設備的配線作業、氣體供應線及排氣線的連接作業。設定作業，除了構成氣體供應線的部件的初始診斷檢查等的動作檢查(部件檢查)作業以外，還包含執行用來將收納於基板收納容器(盒)的晶圓14搬送至處理室34的配方的搬送檢查作業、執行將處理室34減壓至預定的壓力的減壓洩漏檢查配方的洩漏檢查作業。接著，上述搬送檢查作業，具有在晶舟30裝填晶圓14的作業也可以。再來，包含執行將構成處理室34的反應管41進行退火的配方空烤作業，該空烤作業，不只是晶圓14也未將晶舟30裝填於處理室34，以比在處理室34處理的溫度還高的溫度執行。此外，為了縮短設定作業時間，能夠將該等搬送檢查作業與空烤作業並行執行。

如此，根據上述實施形態，如圖5所示，因排氣側的配管(排氣管48)成為過加壓而伸縮體36a膨脹，力在箭頭的方向作用，能夠事先防止壓倒真空泵36的事故。

(其他實施形態) 以上，雖具體說明本揭示的實施形態，但本揭示不限於上述各實施形態，在不逸脫其要旨的範圍內能進行各種變更。

又，上述實施形態中，作為不活性氣體，說明關於使用N ₂氣體之例，但不限於此，使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等稀有氣體也可以。但是，此時有準備稀有氣體源的必要。

又，例如，作為基板處理裝置進行的處理，是成膜處理、形成氧化膜、氮化膜的處理、形成包含金屬的膜的處理也可以。再來，不管基板處理的具體內容，不只是成膜處理等上述處理，也能夠適用退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、光蝕刻處理等其他基板處理。

再來，本揭示也能夠適用其他基板處理裝置，例如退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、乾燥裝置、加熱裝置、利用電漿的處理裝置等的其他基板處理裝置。又，本揭示混在該等裝置也可以。

又，本實施形態中，雖說明關於半導體製程，但本揭示不限於此。例如，對液晶裝置的製造工程、太陽能電池的製造工程、發光裝置的製造工程、玻璃基板的處理工程、陶瓷基板的處理工程、導電性基板的處理工程等的基板處理也能夠適用本揭示。

此外，某實施形態的構造的一部分也可以置換成其他實施形態的構造，此外，某實施形態的構造也可以加入其他實施形態的構造。又，有關各實施形態的構造的一部分，也可以進行其他構造的追加、刪除、置換。

48:排氣管 53:壓力開關(壓力檢測部) 53b:閥(開關部) 62:分歧管 CV:檢查閥(閥部)

[圖1]表示本揭示的一態樣中適用的基板處理裝置的處理爐的一構造例的圖。 [圖2]表示本揭示的一態樣中適用的基板處理裝置的控制模組的一構造例的區塊圖。 [圖3]表示本揭示的一態樣中適用的基板處理裝置的排氣系統的一構造例的圖。 [圖4]說明本揭示的一實施形態中適用的構成基板處理裝置的部件的調整用序列的圖。 [圖5]表示排氣系統的過加壓狀態對裝置的影響的一例的圖。

1:MFC

2:閥

33:N₂氣體源

34:處理室

35:調整閥

36:真空泵

36a:伸縮體

41:反應管

48:排氣管

51:壓力感測器

52:壓力開關

52b:閥

53:壓力開關(壓力檢測部)

53b:閥(開關部)

55:閘閥

56:閘閥

57:枝管

57a:空氣閥門

58:淨化管

61:排氣管

62:分歧管

75:排氣方塊

CV:檢查閥(閥部)

Claims

一種排氣構造，具備：將處理室的氛圍排氣的排氣管；設於前述排氣管，檢測前述排氣管內的壓力的壓力檢測部；及具有接收來自前述壓力檢測部的信號進行動作的開關部、及防止向前述排氣管的逆流的閥部，並從前述排氣管分歧的分歧管。
如請求項1記載的排氣構造，其中，前述壓力檢測部檢出預先設定的壓力時，前述開關部從閉狀態成為開狀態。
如請求項1記載的排氣構造，其中，前述壓力檢測部，檢出大氣壓。
如請求項1記載的排氣構造，其中，設置與前述排氣管連接，能對前述排氣管供應氣體的淨化管；前述分歧管，連接於從與前述淨化管連接的排氣管的部位遠離的位置。
如請求項4記載的排氣構造，其中，前述淨化管，設於比前述分歧管還下游側。
如請求項4記載的排氣構造，更具有：設於比與前述淨化管連接的排氣管的部位還更上游側的前述排氣管，能夠遮斷與前述處理室的連通的第1開關部。
如請求項4記載的排氣構造，更具有：設於比與前述淨化管連接的排氣管的部位還更下游側的前述排氣管，能夠停止前述排氣管內的排氣的第2開關部。
如請求項6記載的排氣構造，更具有：以從比前述第1開關部還上游側的前述排氣管分歧的方式設置的排氣管；前述分歧管，與前述排氣管連接。
如請求項1記載的排氣構造，其中，在前述排氣管，更設置調整前述處理室的壓力的調整閥；前述壓力檢測部，連接至比前述調整閥還更下游側的前述排氣管。
如請求項1記載的排氣構造，更具有：在連接前述分歧管的排氣管的部位的下游側，能夠將前述處理室減壓的排氣裝置。
如請求項7記載的排氣構造，其中，更設置能夠將前述處理室減壓的排氣裝置；前述第2開關部，設於前述排氣裝置的下游側。
如請求項4記載的排氣構造，其中，前述淨化管，具有能夠加熱前述氣體的加熱部。
如請求項6記載的排氣構造，更具備：控制前述氣體的流量的流量控制器；前述淨化管，在前述第1開關部與前述開關部分別為閉狀態下，藉由前述流量控制器將進行流量控制後的前述氣體供應至前述排氣管。
如請求項7記載的排氣構造，更具備：控制前述氣體的流量的流量控制器；前述淨化管，在前述第2開關部與前述開關部分別為閉狀態下，藉由前述流量控制器將進行流量控制後的前述氣體供應至前述排氣管。
如請求項13或請求項14記載的排氣構造，其中，流經前述流量控制器的前述氣體的流量，從預先設定的預定流量在預定時間內收束成0。
一種排氣系統，具備：如請求項1記載的排氣構造；前述排氣管內的壓力超過大氣壓時，能夠控制前述壓力檢測部與前述開關部，開放前述開關部的控制部。
一種處理裝置，具有：排氣構造；該排氣構造，具備：將處理室的氛圍排氣的排氣管；設於前述排氣管，檢測前述排氣管內的壓力的壓力檢測部；及具有接收來自前述壓力檢測部的信號進行動作的開關部、及防止向前述排氣管的逆流的閥部，並從前述排氣管分歧的分歧管。
一種半導體裝置的製造方法，具有利用具備將處理室的氛圍排氣的排氣管；設於前述排氣管，檢測前述排氣管內的壓力的壓力檢測部；及具有接收來自前述壓力檢測部的信號進行動作的開關部、及防止向前述排氣管的逆流的閥部，並從前述排氣管分歧的分歧管的排氣構造，將前述處理室排氣，同時處理基板的基板處理工程。