TW202409355A - 銀電鍍組成物和用於電鍍粗糙無光銀之方法 - Google Patents

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Abstract

銀電鍍組成物沈積具有針狀晶粒結構的粗糙無光銀。粗糙無光銀沈積物能夠與介電材料良好黏附，即使在高相對濕度的環境中。

Description

銀電鍍組成物和用於電鍍粗糙無光銀之方法
本發明關於銀電鍍組成物和用於電鍍粗糙無光銀之方法。更具體地，本發明關於銀電鍍組成物和用於電鍍粗糙無光銀之方法，該粗糙無光銀具有針狀或圓錐狀晶粒結構以改善與介電材料的黏附性。
在半導體裝置的生產中，引線框架用於安裝和加工半導體管芯或晶片。引線框架經由引線框架的引線將晶片電連接到外部裝置。行業記憶體在某些類型的引線框架，如點銀/焊料塗覆的引線框架和預鍍鈀引線框架（PPF）。
常規地，對引線框架基底的表面的全部或一部分施加銀鍍覆。引線框架基底由銅或銅合金製成，以確保與鍵合半導體元件時所使用的金屬線（如金線或銅線）的良好鍵合。為了將存在於由銅或銅合金製成的底層引線框架基底中的銅的不希望的擴散最小化，將銀或銀合金直接形成在由銅或銅合金製成的引線框架基底上，而沒有底塗鍍層如鎳底層。銀或銀合金層可以具有2 µm或更大的厚度，典型地為2.5-3.0 µm。
在將半導體晶片安裝在引線框架基底上，並且在晶片與引線框架基底之間進行鍵合線連接後，用被稱為環氧模塑化合物（EMC）的塑膠模塑化合物來包封半導體晶片以形成封裝件。對於高可靠性要求，引線框架基底與封裝件的EMC之間的良好黏附性係確保積體電路（IC）裝置正常運行的關鍵。封裝件的分層或開裂，和甚至所謂的「爆米花」效應，都會導致裝置故障。
在封裝件的使用壽命期間，環境濕氣可能在EMC與引線框架基底之間的介面處被吸收。裝置內的濕氣吸收和滯留導致濕氣被截留，然後在高溫下汽化。汽化的濕氣施加巨大的內部封裝件應力，這可能導致EMC與引線框架基底介面中的分層。
為了估計給定封裝件的分層趨勢，電子電路互連及封裝協會（IPC）與固態技術協會定義引線框架IC裝置的濕氣敏感性等級（MSL）的標準分類。根據此標準（J-STD-020D），其係IPC和固態技術協會的規範，有8個等級用於表示封裝件的濕氣敏感性。MSL 1對應於無論暴露於濕氣的情況如何也不受分層影響的封裝件，而MSL 5和MSL 6裝置最易於發生濕氣引起的斷裂。為了確保在實際條件下足夠的黏附性，根據J-STD-20 MSL標準來測試引線框架IC封裝件。
將先進電子技術引入汽車的最近趨勢導致汽車半導體的數量穩步增加。與此同時，常規的金線越來越多地被成本更低的銅線代替，以削減半導體封裝成本。然而，銅線的缺點在於其容易被用於改善與引線框架的黏附性的、含有硫原子的添加劑腐蝕。為了滿足汽車電子委員會-Q006（AEC-Q006）中規定的汽車導體可靠性測試的嚴格條件，在回流焊製程中防止EMC與引線框架之間的分層至關重要。此外，在其他領域如5G/電信和存儲中，對MSL-1合規性（濕氣敏感性等級-1、85°C和85%相對濕度持續168小時， J-STD-20）的要求不斷增加。綜上所述，IC封裝件的終端市場需求需要更高的可靠性以及EMC與引線框架基底之間穩健的黏附性。
典型地，大多數引線框架結構的表面由兩種金屬組成，如製成引線框架主體結構的銅或銅合金，以及存在於引線框架主體結構的表面上的銀或銀合金。銀或含銀合金通常對EMC的黏附性較差。為了解決引線框架基底與EMC之間的黏附性，行業中主要關注於銅或銅合金表面。這可以藉由化學蝕刻製程來實現。例如，化學蝕刻製程可以在銅或銅合金表面產生金屬氧化物層以改善黏附性，因為金屬氧化物表面通常比無氧化物的金屬表面表現出對EMC更好的黏附性。除了化學蝕刻製程之外，電化學處理（如藉由向銅或銅合金材料施加陽極電流）可以使表面粗糙化以改善黏附性。
近年來，行業中關注於減小半導體封裝件的尺寸和成本。對需要更輕和更小部件的高密度封裝的需求不斷增加。高密度封裝件進一步損害銅、銅合金與銀或銀合金之間的黏附性，特別是在EMC包封內。因此，引線框架基底與EMC之間的黏附性以及封裝件可靠性，尤其是關於濕氣敏感性，都受到很大損害。
因此，需要一種方法來改善半導體封裝中引線框架與EMC之間的黏附性。
本發明關於一種銀電鍍組成物，其包含銀離子、導電性化合物以及具有下式的化合物： (I)， 其中，R 1為氫或C 1-C 4烷基並且R 2為C 1-C 4烷基或苯基。
本發明進一步關於一種在基材上電鍍粗糙無光銀之方法，該方法包括： a)  提供基材； b)  使基材與包含銀離子、導電性化合物以及具有下式的化合物的銀電鍍組成物接觸： (I)， 其中，R 1為氫或C 1-C 4烷基並且R 2為C 1-C 4烷基或苯基；以及 c)  向銀電鍍組成物和基材施加電流以在基材上電鍍粗糙無光銀沈積物。
本發明進一步關於一種製品，其包含毗連基材的表面的粗糙無光銀層，其中，該粗糙無光銀層具有0.1-0.4 µm的Sa和5%-50%的Sdr。
本發明之銀電鍍組成物能夠在基材上電鍍粗糙無光銀沈積物，使得粗糙無光銀提供與介電材料（例如但不限於環氧模塑化合物（EMC））的良好且可靠的黏附性，即使在相對高濕氣的環境中。本發明之粗糙無光銀能夠在半導體封裝內實現牢固的黏附性以抑制封裝件的分層或破裂以及「爆米花」效應，以防止IC裝置故障。
如整個說明書所使用的，除非上下文另有明確指示，否則縮寫具有以下含義：°C = 攝氏度；g = 克；ppm = 百萬分率；Kg = 千克；L = 升；mL = 毫升；mm = 毫米；cm = 釐米；dm = 分米；μm = 微米；nm = 奈米；DI = 去離子的；A = 安培；ASD = 安培/dm 2= 鍍速；DC = 直流電；N = 牛頓；mN = 毫牛頓；R.O. = 反滲透；R.T. = 室溫；v = 伏特；s = 秒；sec. = 秒；3D = 三維的；rpm = 每分鐘轉數；MSL-1 = 濕氣敏感性等級-1，85°C和85%相對濕度持續168小時；w/o MSL-1 = 沒有MSL處理；w/ MSL-1 = 有MSL處理；C.D. = 電流密度；Ag = 銀；Cu = 銅；以及S = 硫。
術語「毗連」意指直接接觸使得兩個金屬層具有共同介面。縮寫「N」意指牛頓，其係力的SI單位，並且它等於給予一千克質量一米/秒/秒的加速度的力並且等於100,000達因。術語「Ra」意指輪廓粗糙度的算數平均偏差。術語「Sa」意指算數平均高度並且基本上等同於Ra。術語「Sdr」意指對應於表面比的介面擴展面積比，其相關性為Sdr = (表面比 - 1) × 100%。術語「含水的」意指水或水基的，其中可以添加有機溶劑以説明溶解鍍覆組成物或鍍浴中的一種或多種組分。在整個說明書中，術語「組成物」和「浴」可互換使用。在整個說明書中，術語「沈積物」和「層」可互換使用。在整個說明書中，術語「電鍍」、「鍍覆」和「沈積」可互換使用。術語「無光」意指外觀暗淡或沒有光澤，但不是煙狀或霧狀的。術語「半光亮」意指製品的表面具有視覺上薄霧或輕微薄霧外觀，但仍平行地反射光。術語「光亮」意指製品的表面平行地反射光並且具有視覺上清晰的外觀。術語「形態」意指表面或製品的形狀、尺寸、質地或形貌。術語「電介質」意指導電性很差的絕緣材料。術語「薄霧」意指外觀煙狀或霧狀。術語「試樣」意指較大的整體部分，尤其是取樣進行化學分析或其他處理的部分。化學結構中的「--------」意指視需要的共價化學鍵。術語「硫代」意指化學結構中包括-S-或-SH的有機化合物。在整個說明書中，術語「一個/種（a/an）」可以是指單數和複數二者。除非另有說明，否則所有百分比（%）值和範圍指示重量百分比。所有數值範圍皆為包含端值的，並且可按任何順序組合，除了此數值範圍被限制為加起來最高達100%係合乎邏輯的情況之外。
本發明關於銀電鍍組成物，其含有銀離子、導電性化合物、以及具有下式的化合物： (I)， 其中，R 1為氫或C 1-C 4烷基並且R 2為C 1-C 4烷基或苯基，較佳的是，R 1為氫或C 2-C 4烷基並且R 2為C 2-C 4烷基或苯基，更較佳的是，R 1為氫或C 4烷基並且R 2為C 4烷基或苯基。
銀離子源可以藉由銀鹽提供，該等銀鹽例如但不限於鹵化銀（如氯化物、溴化物和氟化物）、葡萄糖酸銀、檸檬酸銀、乳酸銀、硝酸銀、硫酸銀、烷烴磺酸銀、烷醇磺酸銀、氰化鉀銀或其混合物。當使用鹵化銀時，較佳的是，鹵化物為氯化物。較佳的是，銀鹽為氰化鉀銀、硝酸銀、烷烴磺酸銀、或其混合物，更較佳的是，銀鹽為氰化鉀銀、硝酸銀或其混合物。銀鹽通常是可商購的或可藉由文獻中所述之方法製備。較佳的是，銀鹽係易溶於水的。本發明之銀電鍍組成物中不包含出於增亮銀沈積物的目的的合金金屬或金屬。
較佳的是，銀鹽被包含在組成物中以提供至少10 g/L濃度的銀離子，更較佳的是，銀鹽以提供10 g/L至100 g/L量的銀離子濃度的量包含在組成物中，進一步較佳的是，銀鹽以提供20 g/L至80 g/L的銀離子濃度的量包含在組成物中，甚至更較佳的是，銀鹽以提供20 g/L至60 g/L濃度的銀離子的量包含在組成物中，最較佳的是，銀鹽以提供30 g/L至60 g/L的銀離子濃度的量包含在組成物中。
包含在本發明之銀電鍍組成物中的導電化合物包括水溶性鹽以在電鍍銀期間支持銀電鍍組成物中的電流。導電鹽包括但不限於磷酸二氫鉀、磷酸二氫鈉、磷酸鉀、磷酸鈉、磷酸銨、焦磷酸鈉、焦磷酸鉀、焦磷酸銨、硝酸鈉、亞硝酸鹽、檸檬酸鹽、酒石酸鹽、有機酸鹽、無機酸鹽以及一種或多種前述導電鹽的混合物。較佳的是，導電鹽為磷酸二氫鉀、磷酸鉀、磷酸鈉、磷酸銨、硝酸鈉或其混合物。更較佳的是，導電鹽為磷酸二氫鉀、硝酸鈉或其混合物。最較佳的是，導電鹽為磷酸二氫鉀。
可以包含在本發明之銀電鍍組成物中的有機酸包括但不限於乙酸、檸檬酸、丙二酸、芳基磺酸、鏈烷磺酸（如甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸）、芳基磺酸（如苯磺酸、甲苯磺酸、5-磺基水楊酸）。前述酸的鹽也可以包含在本發明之銀電鍍組成物中。
可以包含在本發明之銀電鍍組成物中的無機酸包括但不限於硫酸、胺基磺酸、鹽酸、磷酸、氫溴酸和氟硼酸。前述酸的水溶性鹽也可以包含在本發明之銀電鍍組成物中。可以使用酸及其鹽的混合物。有機酸和無機酸通常皆為可商購的，或者可以藉由文獻中已知之方法製備。
較佳的是，導電化合物以至少50 g/L、更較佳的是從50 g/L至250 g/L、甚至更較佳的是從50 g/L至150 g/L、最較佳的是從80 g/l至125 g/L的量被包含。
具有上式 (I) 的化合物被包含在本發明之銀電鍍組成物中作為粗化劑以提供粗糙無光的銀沈積物。此類化合物較佳的是以至少1 ppm、更較佳的是5-100 ppm、甚至更較佳的是5-50 ppm、最較佳的是5-20 ppm的量被包含在本發明之銀電鍍組成物中。
最較佳的化合物具有下式。 (II) 6-苯胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇， (III) 6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇
視需要，一種或多種緩衝劑和pH調節劑可以被包含在銀電鍍組成物中以維持期望的pH。緩衝劑包括但不限於硼酸、硼酸的鹽（如硼酸二鈉鹽、硼酸鉀鹽、硼酸銨鹽及其混合物）、檸檬酸和檸檬酸的鹽（如鉀鹽、鈉鹽、銨鹽、或其混合物）。
用於調節pH的視需要試劑包括但不限於氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、檸檬酸、檸檬酸的鹽（如檸檬酸鉀、檸檬酸鈉和檸檬酸銨）、磷酸鹽、碳酸鹽、磷酸及其混合物。
較佳的是，緩衝劑和pH調節劑以10 g/L和更大、更較佳的是從15 g/L至100 g/L、甚至更較佳的是從15 g/L至70 g/L的量被包含在銀電鍍組成物中。最較佳的是，硼酸及其鹽可以以15 g/L至25 g/L的量被包含。最較佳的是，pH調節劑可以以30 g/L至70 g/L的量被包含。
較佳的是，本發明之銀電鍍組成物的pH範圍為6-14、更較佳的是7-13、甚至更較佳的是8-12、最較佳的是8-10。
視需要，本發明之銀電鍍組成物包含一種或多種銀錯合劑。此類錯合劑包括但不限於氰化鉀、乙內醯脲、乙內醯脲衍生物（如5,5-二甲基乙內醯脲）、琥珀醯亞胺及其衍生物、馬來醯亞胺及其衍生物、以及菸酸。較佳的銀錯合劑係氰化鉀。
此類銀錯合劑以熟悉該項技術者眾所周知的常規量被包含。較佳的是，銀錯合劑以至少5 g/L、更較佳的是5-100 g/L、甚至更較佳的是5-50 g/L、最較佳的是5-25 g/L的量被包含。
視需要，本發明之銀電鍍組成物可以包含一種或多種常規晶粒細化劑。此類晶粒細化劑可以包括但不限於以下中的一種或多種：硫代蘋果酸、2-巰基琥珀酸、3-巰基-1-丙磺酸、1-[2-(二甲基胺基)乙基]-1H-四唑-5-硫醇、及其鹽。較佳的是，本發明之銀電鍍組成物不包含此類晶粒細化劑。
當晶粒細化劑被包含時，它們可以以5 g/L或更大的量、更較佳的是以10 g/L至100 g/L的量被包含。
在本發明之銀電鍍組成物中，水被包含作為溶劑並且較佳的是為去離子水和蒸餾水中的至少一種，以限制附帶的雜質。
視需要，本發明之銀電鍍組成物可以包含一種或多種有機溶劑以説明將組成物組分溶解在水中。此類有機溶劑包括吡啶、吡啶化合物、或其混合物。較佳的是，此類吡啶化合物由2-吡啶甲醇、3-吡啶甲醇、2-吡啶乙醇、3-吡啶乙醇及其混合物與水結合而組成。較佳的是，當溶劑包括吡啶化合物時，銀電鍍組成物的溶劑由3-吡啶甲醇和水組成。較佳的是，此類化合物以0.1 g/L至2 g/L的量、更較佳的是以0.2 g/L至1 g/L的量、甚至更較佳的是以從0.2 g/L至0.5 g/L的量被包含在本發明之銀電鍍組成物中。
視需要，一種或多種表面活性劑可以被包含在本發明之銀電鍍組成物中。此類表面活性劑包括但不限於離子表面活性劑（如陽離子表面活性劑和陰離子表面活性劑）、非離子表面活性劑、以及兩性表面活性劑。表面活性劑可以以常規量如0.05 g/L至30 g/L被包含。
陰離子表面活性劑的實例係二(1,3-二甲基丁基)磺基琥珀酸鈉、2-乙基己基硫酸鈉、二戊基磺基琥珀酸鈉、月桂基硫酸鈉、月桂基醚硫酸鈉、二烷基磺基琥珀酸鈉和十二烷基苯磺酸鈉。陽離子表面活性劑的實例係季銨鹽，如全氟化的季胺。
其他視需要的添加劑可以包括但不限於整平劑和殺生物劑。此類視需要的添加劑可以以常規量被包含。
較佳的是，銀電鍍組成物由以下項組成：水；視需要吡啶、2-吡啶甲醇、3-吡啶甲醇、2-吡啶乙醇、3-吡啶乙醇、或其混合物；銀離子；抗衡陰離子；導電化合物；具有式 (I) 的化合物；視需要緩衝劑；視需要pH調節劑；視需要酸；視需要晶粒細化劑；視需要表面活性劑；視需要整平劑；視需要殺生物劑並且pH為6-14。
更較佳的是，銀電鍍組成物由以下項組成：水；視需要2-吡啶甲醇、3-吡啶甲醇、2-吡啶乙醇、3-吡啶乙醇、或其混合物；銀離子；抗衡陰離子；導電化合物；選自由以下組成之群組的化合物：6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇、6-胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇及其混合物；視需要硼酸或其鹽；視需要氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨或其混合物；視需要酸；視需要表面活性劑；視需要整平劑；視需要殺生物劑並且pH為7-13。
甚至更較佳的是，銀電鍍組成物由以下組成：水；視需要3-吡啶甲醇；銀離子；抗衡陰離子；導電化合物；選自由以下組成之群組的化合物：6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇、6-胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇及其混合物；視需要硼酸或其鹽；視需要氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨或其混合物；視需要表面活性劑；視需要整平劑；視需要殺生物劑並且pH為8-12。
最較佳的是，銀電鍍組成物由以下組成：水；視需要3-吡啶甲醇；銀離子；抗衡陰離子；導電化合物；選自由以下組成之群組的化合物：6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇、6-胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇及其混合物；視需要硼酸或其鹽；視需要氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨或其混合物；視需要表面活性劑；視需要整平劑；視需要殺生物劑並且pH為8-10。
本發明之銀電鍍組成物可以用於在各種基材上沈積粗糙無光銀層。較佳的是，在其上沈積有粗糙無光銀層的基材包含銅和銅合金層。此類銅合金層包括但不限於黃銅和青銅。較佳的是，本發明之銀電鍍組成物用於鍍覆毗連銅和銅合金層的粗糙無光銀層。較佳的是，此類銅和銅合金層被包含在引線框架製造和IC半導體封裝中。較佳的是，將粗糙無光銀層毗連銀打底層電鍍，該銀打底層毗連引線框架基底或基材的銅或銅合金。此類銀打底層較佳的是範圍為10-20 nm。藉由使用常規銀電鍍浴或藉由無電鍍銀金屬浴將銀打底層毗連銅或銅合金沈積。被稱為環氧模塑化合物的介電材料用於包覆具有銀層以及銅或銅合金的引線框架，以完成引線框架和IC半導體封裝件。包含本發明之粗糙無光銀層的IC封裝件能夠與環氧模塑化合物良好黏附以防止模塑化合物分層，並且可以預期具有MSL-1合規性（濕氣敏感性等級-1，85°C和85%相對濕度持續168小時， J-STD-20）。
本發明之銀電鍍組成物可以在從室溫至70°C、較佳的是從30°C至60°C、更較佳的是從40°C至60°C的溫度下電鍍。銀電鍍組成物較佳的是在電鍍期間處於連續攪拌下。
本發明之銀電鍍方法包括提供基材、提供銀電鍍組成物、以及使基材與銀電鍍組成物接觸，如藉由將基材浸入組成物中或者用組成物噴塗基材。用常規的整流器施加電流，其中基材用作陰極，並且存在對電極或陽極。陽極可以是任何用於電鍍銀以毗連基材的表面進行沈積的常規可溶或不可溶陽極。
用於電鍍粗糙無光銀的電流密度的範圍可以為5 ASD或更高。較佳的是，電流密度的範圍為從10 ASD至180 ASD、進一步較佳的是從20 ASD至150 ASD、甚至更較佳的是從100 ASD至150 ASD。較佳的是，使用高電流密度來鍍覆銀以獲得期望的粗糙無光銀沈積物。
本發明之銀電鍍組成物能夠沈積粗糙無光且均勻的銀層。沈積物的銀含量大於或等於99金屬基%銀。
粗糙無光銀層具有較佳的是0.1-0.4 µm、更較佳的是0.2-0.3 µm的Sa，以及較佳的是5%-50%、更較佳的是25%-30%的Sdr。可以使用熟悉該項技術者已知的用於測量表面粗糙度的常規方法和設備測量銀層的Sa和Sdr。一種方法係使用Olympus 3D雷射顯微鏡-LEXT OLS5000-LAF（從奧林巴斯美洲科學事業公司（Olympus Scientific Solutions Americas）可獲得）。可以用50×物鏡放大倍數在例如256 µm × 256 µm的表面區域上掃描表面粗糙度。
粗糙無光銀沈積物具有針狀或針尖狀結構，其中峰高的範圍為1-4 µm，並且峰底的直徑為0.2-0.4 µm。此類參數可以使用Olympus 3D雷射顯微鏡-LEXT OLS5000-LAF測量。可以使用熟悉該項技術者眾所周知的其他方法和設備。
較佳的是，粗糙無光銀層的厚度範圍為0.1 µm或更大。進一步較佳的是，粗無光銀層具有0.1 µm至10 µm、更較佳的是從0.5 µm至5 µm、甚至更較佳的是從2 µm至4 µm、最較佳的是從2 µm至3 µm的厚度範圍。厚度可以藉由熟悉該項技術者已知的常規方法測量。例如，可以使用從伊利諾州紹姆堡寶曼公司（Bowman，Schaumburg，IL）可獲得的Bowman Series P X射線螢光計（XRF）測量銀層的厚度。XRF可以使用來自寶曼公司（Bowman）的純銀厚度標準進行校準。
包括以下實例以進一步說明本發明，但是不旨在限制其範圍。 實例1 紐扣剪切試驗（Button Shear Test）
提供多個具有0.27 dm × 0.06 dm × 2面的尺寸的銅試件以提供每個試件的面積為0.032 dm 2。使用Olympus 3D雷射顯微鏡-LEXT OLS5000-LAF確定銅試件的Sa和Sdr。Sa的範圍為0.076-0.085 µm。平均值為0.08 µm。Sdr的範圍為1.26%-1.49%。平均值為1.40%。
根據表1和表2中所述之程序將銅試件的試樣粗糙化。 [表1]
組分 量
CIRCUBOND™處理180C 1 140 mL/L
CIRCUBOND™處理180B 1 1.6 mL/L
35%過氧化氫 25 mL/L
DI水 至一升
1CIRCUBOND™產品從羅門哈斯電子材料有限公司（Rohm and Haas Electronic Materials LLC）可獲得。 [表2]
操作參數 條件
溫度 35°C-39°C
浸漬時間 1分鐘
攪動 攪拌
後處理 DI水沖洗
使用Olympus 3D雷射顯微鏡-LEXT OLS5000-LAF測量經粗糙化的銅試件的Sa和Sdr。Sa值的範圍為0.199-0.242 µm，其中平均值為0.218 µm。Sdr值的範圍為18.5%-23.9%，其中平均值為20.7%。
將第二試樣和第三試樣從常規銀鍍浴中電鍍銀層，或用下述本發明之銀電鍍浴來電鍍無光粗糙銀層。銅試件的第四試樣既不被粗糙化也不被銀電鍍。 [表3] 銅試件上的製程金屬化
步驟 # 製程 化學浴 濃度 電流（電流密度） 溫度 時間
1 電清潔 1 Ronaclean™ GP-300 60 g/L 4-6 v 60°C 30秒
2 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
3 活化 2 Actronal™ 988溶液 100 g/L --- R.T. 5秒
4 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
5 銀打底 氰化銀鉀和氰化鉀水溶液 分別為2.4 g/L和100 g/L 0.2 A（1.5 ASD） R.T. 20秒
6 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
7 藉由噴射式鍍覆機進行銀鍍覆 Silverjet 3220 SE和 粗糙無光銀 參見表4-5 2.56 A（100 ASD） 60°C 3.0秒
8 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
9 乾燥 藉由熱風槍 --- --- --- ---
1Ronaclean™ GP-300溶液從羅門哈斯電子材料有限公司可獲得。 2Actronal™ 988溶液從羅門哈斯電子材料有限公司可獲得。 3Silverjet™ 220 SE銀電鍍浴和產品從羅門哈斯電子材料有限公司可獲得。
將銀打底層電鍍在銅試件上，其厚度為0.1-0.2 µm。用Bowman Series P X射線螢光計（XRF）測量銀打底層的厚度。在1 L塑膠容器中使用不溶性不銹鋼陽極進行銀鍍覆。 [表4]（本發明） 粗糙無光銀浴
組分 量
氰化銀鉀（銀離子） 74 g/L（40 g/L）
硼酸 25 g/L
氫氧化鉀 54 g/L
磷酸二氫鉀 100 g/L
6-苯胺基-1,3,5-三𠯤-二硫醇 10 ppm
水 至1升
銀電鍍在9-9.5的pH下進行。使用用於高速銀鍍覆的噴射式鍍覆機（金川機電有限公司（Kam Tsuen Mechanical & Electrical Ltd.）的1010點鍍機（Spot Plating Machine））。銀層具有2.5-3 µm的厚度，如使用從伊利諾州紹姆堡寶曼公司可獲得的Bowman Series P X射線螢光計（XRF）所測量的。XRF使用來自寶曼公司的純銀厚度標準進行校準。 [表5]（常規浴） 半光亮銀浴（Silverjet™ 220 SE 4）
組分 量
氰化銀鉀（銀離子） 74 g/L（40 g/L）
Silverjet™補充溶液（導電性鹽 + 緩衝劑） 500 mL/L
Silverjet™調理劑（表面活性劑） 0.5 mL/L
Silverjet™ 220增亮劑（晶粒細化劑） 5 mL/L
Silverjet™特殊添加劑（抗浸漬劑） 5 mL/L
水 至1升
4Silverjet™ 220 SE半光亮銀浴和產品從羅門哈斯電子材料有限公司可獲得。該配製物不含化合物6-苯胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇和6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇。
銀電鍍在9-9.5的pH下進行。銀層具有2.5-3 µm的厚度，如使用Bowman Series P X射線螢光計（XRF）所測得的。XRF使用來自寶曼公司的純銀厚度標準進行校準。
測量來自兩種類型的銀電鍍浴中的每一種的銀層的Sa和Sdr。使用Olympus 3D雷射顯微鏡-LEXT OLS5000-LAF（從奧林巴斯美洲科學事業公司可獲得）分析表面粗糙度。用50×物鏡放大倍數在256 µm × 256 µm的表面區域上掃描表面粗糙度。
從Silverjet™ 220 SE銀電鍍浴中鍍覆的半光亮銀層具有的Sa值範圍為0.09-0.12 µm並且Sdr值範圍為0.5%-1.7%。 圖 1係用Zeiss顯微鏡在5000X下拍攝的、來自經銀鍍覆的試件之一的銀層表面的SEM。
相比之下，銅試件上的從本發明之銀電鍍浴中鍍覆的銀表面的Sa值範圍為0.15-0.3 µm並且Sdr範圍為12%-30%。 圖 2係用Zeiss顯微鏡在5000X下拍攝的、來自經銀鍍覆的試件之一的銀層表面的SEM。與 圖 1的銀表面相比， 圖 2的銀表面具有粗糙和針尖狀形態。本發明之銀電鍍浴具有比從常規銀鍍浴中鍍覆的銀層明顯更粗糙的銀沈積物。
然後，用模塑化合物EME塗覆所有試件，該模塑化合物係環氧樹脂（5%-10%）、酚醛樹脂（1%-5%）、無定形二氧化矽A（70%-80%）、無定形二氧化矽B（5%-10%）和炭黑（0.1%-1%）的混合物。將模塑化合物模塑成紐扣形狀，並在常規烘箱中在175°C下固化120秒。然後將紐扣形模塑化合物的試件在175°C下模後固化4小時。將試件冷卻至室溫。使用SH-221型ESPEC臺式溫濕度箱，將一半具有紐扣形模塑物的試件暴露於濕氣敏感性等級-1，85°C和85%相對濕度下持續168小時。將試件放置在箱中的不銹鋼籃中，並設置為在85°C和85%相對濕度下持續168小時（7天）。然後將試件從箱中取出並在周圍環境中乾燥。
然後對所有試件進行紐扣剪切測試。紐扣剪切測試條件如下： a)  剪切設備：從諾信公司（Nordson）可獲得的4000 Multipurpose Bondtester b)  筒狀物：DAGE-4000-DG100KG c)  紐扣高度：3 mm d)  紐扣直徑：3 mm e)  剪切高度：紐扣的20% = 600 µm f)  剪切速度：85 µm/s g)  溫度：室溫
經銀鍍覆的銅試件、經粗糙化的銅以及未粗糙化的銅的紐扣剪切測試的結果在下表6中。 [表6]
處理 粗糙無光 Ag 剪切力 常規 Ag 剪切力 粗糙 Cu 剪切力 未經處理的 Cu 剪切力
w/o MSL-1 31.3 Kg 19.6 Kg 25.5 Kg 26 Kg
w/MSL-1 27 Kg 16.5 Kg 23.1 Kg 20.4 Kg
剪切力的差異% -13.7% -15.8% -9.4% -21.5%
對於處理w/o MSL-1，粗糙無光銀的剪切力為31.3 Kg，而常規銀的剪切力為19.6 kg。增量為 (31.3 Kg - 19.6 Kg)/19.6 Kg × 100% = 59.7%。對於處理w/MSL-1，粗糙無光銀的剪切力為27 Kg，而常規銀的剪切力為16.5 Kg。增量為 (27 Kg - 16.5 Kg)/16.5 Kg × 100% = 63.6%。結果示出，從粗糙無光銀浴中鍍覆的粗糙無光銀比從常規銀浴中鍍覆的銀具有高且改善的模塑剪切力。對於w/o MSL-1的情況，粗糙無光銀的剪切力具有幾乎60%的改善的模塑剪切力。對於MSL-1的情況，本發明之粗糙無光銀的剪切力具有63.6%的改善的模塑剪切力。粗糙無光銀的剪切力也高於粗糙銅表面和未經處理的銅表面的剪切力。
雖然在MSL-1處理粗糙無光銀後黏附性降低，但是其仍高於常規銀沈積物、經粗糙化的銅表面以及未經處理的銅表面。粗糙無光銀增強模塑材料與銀表面塗層之間的黏附性，即使在高濕氣環境下。 實例2 在高電鍍速度下的銀層的粗糙度分析
提供多個尺寸為0.27 dm × 0.25 dm的C194銅試件。C194試件係一種用於形成引線框架的半導體材料。C194試件由銅（≥ 97%）、鐵（2.1%-2.6%）、磷（0.015%-0.15%）和鋅（0.05%-0.2%）組成。試件上的銀鍍覆面積為0.0256 dm 2（0.16 dm × 0.16 dm）。 [表7] 銅試件上的製程金屬化
步驟 # 製程 化學浴 濃度 電流（電流密度） 溫度 時間
1 電清潔 Ronaclean™ GP-300 60 g/L 4-6 v 60°C 30秒
2 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
3 活化 Actronal™ 988溶液 100 g/L --- R.T. 5秒
4 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
5 銀打底（0.2-0.3 µm） 氰化銀鉀、和氰化鉀水溶液 分別為2.4 g/L和100 g/L 0.2 A（1.5 ASD） R.T. 20秒
6 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
7 藉由噴射式鍍覆機進行含水銀鍍覆 參見表8 參見表8 3.84 A（150 ASD） 4.61 A（180 ASD） 60°C    2.0秒 1.8秒
8 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
9 乾燥 （藉由熱風槍） --- --- --- ---
[表8] 含水銀電鍍浴
組分 對照浴 1 對照浴 2 本發明浴 1 本發明浴 2 本發明浴 3 本發明浴 4
氰化銀鉀（Ag+） 74 g/L （40 g/L） 74 g/L （40 g/L） 74 g/L （40 g/L） 74 g/L （40 g/L） 74 g/L （40 g/L） 74 g/L （40 g/L）
硼酸 50 g/L 50 g/L 50 g/L 50 g/L 50 g/L 50 g/L
氫氧化鉀 22 g/L 31 g/L 22 g/L 22 g/L 31 g/L 31 g/L
硝酸鉀 -------- -------- 80 g/L 80 g/L -------- --------
磷酸二氫鉀 -------- -------- -------- -------- 50 g/L 50 g/L
6-苯胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-硫醇 -------- -------- 10 ppm -------- 10 ppm --------
6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇 -------- -------- -------- 10 ppm -------- 10 ppm
水 至1L 至1L 至1L 至1L 至1L 至1L
該等浴的pH為9-9.5。如以上實例1中用噴射式鍍覆機進行電鍍。對照浴1和本發明浴1-2在150 ASD下鍍覆，並且對照浴2和本發明浴3-4在180 ASD下鍍覆。將半光亮銀沈積物鍍覆在用對照浴1和對照浴2鍍覆的銅試件上。將粗糙無光銀沈積物鍍覆在用本發明浴1-4鍍覆的銅試件上。銀沈積物的厚度為2.5-3 µm。
使用Olympus 3D雷射顯微鏡-LEXT OLS5000-LAF測量表面粗糙度，如上文實例1所述。經鍍覆的試件的Sa和Sdr值在下表中。 [表9] 粗糙度分析
浴 電流密度（ ASD ） Sa Sdr
對照1 150 0.168 15.8%
對照1 180 0.294 30%
對照2 150 0.157 14.7%
對照2 180 0.290 29.4%
本發明1 150 0.225 21.5%
本發明1 180 0.37 38%
本發明2 150 0.21 19.6%
本發明2 180 0.418 39.6%
本發明3 150 0.233 24%
本發明3 180 0.36 39.6%
本發明4 150 0.277 31.8%
本發明4 180 0.415 43.4%
粗糙度分析的結果示出，當在150 ASD和180 ASD的電流密度下鍍覆時，從本發明之浴中鍍覆的銀沈積物具有比從對照或常規銀浴中鍍覆的銀沈積物明顯更粗糙的表面。 實例3
用於含有硫醇有機化合物作為粗化劑的銀電鍍浴的赫爾槽試驗（Hull Cell Test）
提供多個具有尺寸為10 cm × 7.5 cm、鍍覆面積為10 cm × 5 cm的黃銅面板，用於在具有電流密度範圍為20-50 ASD的赫爾槽中進行銀電鍍。黃銅面板根據下表10中描述的製程進行處理用於鍍覆並且進行銀電鍍。 [表10]
步驟 # 製程 化學浴 濃度 電流（電流密度） 溫度 時間
1 電清潔 Ronaclean™ GP-300 60 g/L 4 v 60°C 30秒
2 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
3 活化 硫酸溶液 10% --- R.T. 10秒
4 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
5 銀打底（0.2-0.3 µm） 氰化銀鉀或氰化鉀 2.4 g/L或100 g/L 2 A（1.3 ASD） R.T. 20秒
6 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
7 藉由噴射式鍍覆機進行含水銀鍍覆 參見表11 參見表11 10 A 60°C    15秒   
8 沖洗 R.O.水 --- --- R.T. 5秒
9 乾燥 （藉由熱風槍） --- --- --- ---
[表11] 含水銀電鍍浴
組分 濃度
氰化銀鉀[Ag+] 111 g/L [60 g/L]
硝酸鉀 80 g/L
硼酸 50 g/L
氫氧化鉀 22 g/L
硫醇化合物（粗化劑） 5 ppm或10 ppm
水 至1L
[表12] 赫爾槽銀電鍍參數
參數 量
赫爾槽電流密度 20-50 ASD
電流 10 A
鍍覆時間 15秒
鍍覆溫度 60°C
攪動 藉由攪拌棒攪拌520 rpm
鍍浴pH 9-9.5
銀層厚度 2.5-3 µm
在將面板用銀鍍覆並乾燥後，用肉眼檢查面板外觀。看起來半光亮至光亮和朦朧的銀層指示基本上光滑的表面。看起來無光或暗淡的銀層指示基本上粗糙的表面。鍍覆結果在表13中揭露。 [表13]
浴＃ 硫醇化合物 硫醇化合物為 5 ppm 的銀外觀 硫醇化合物為 10 ppm 的銀外觀
0 無（對照） 半光亮（無化合物） 半光亮（無化合物）
1（本發明） 6-苯胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇 無光 無光
2（本發明） 6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇 無光 無光
3（對比） 4(5)-咪唑 二硫羧酸 光亮 光亮
4（對比） 雙(羧甲基)三硫代碳酸鹽 半光亮至光亮 半光亮至光亮
5（對比） 2-巰基苯并噻唑 薄霧至半光亮 薄霧至半光亮
6（對比） 5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇 半光亮 半光亮
7（對比） 2,5-二巰基-1,3,4-噻二唑 半光亮 半光亮
8（對比） N,N-二甲基二硫代胺基甲酸-鈉-鹽 半光亮 不可用
9（對比） 2-硫脲嘧啶 光亮 光亮
10（對比） 1-烯丙基-2-硫脲 光亮帶 光亮帶
11（對比） 1-苯基-2-硫脲 光亮帶 光亮帶
12（對比） 二苯基硫卡巴腙 薄霧至半光亮 薄霧至半光亮
13（對比） 2-巰基苯并咪唑 半光亮 半光亮
14（對比） 2-巰基-1-甲基咪唑 半光亮 半光亮
15（對比） 4,5-二胺基-6-羥基-2-巰基嘧啶 半光亮 半光亮
16（對比） 2-硫代巴比妥酸 半光亮 半光亮
17（對比） 1H-1,2,4-三唑-3-硫醇 半光亮 半光亮
18（對比） 3-胺基-1,2,4-三唑-5-硫醇 半光亮 半光亮
19（對比） 5-巰基-1H-四唑-1-甲磺酸 二鈉鹽 半光亮 半光亮
20（對比） 5-巰基-(1H)-四氮唑乙酸 鈉鹽 半光亮 半光亮
21（對比） 5-巰基-1-甲基四唑 （5-巰基-1-甲基-1H-四唑） 半光亮 半光亮
22（對比） 1-(4-羥基苯基)-1H-四唑-5-硫醇 半光亮 半光亮
23（對比） 5-(3-吡啶基)-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇 半光亮 半光亮
24（對比） 2-巰基-5-苯并咪唑磺酸 鈉二水合物 半光亮 半光亮
25（對比） 2-胺基噻唑 半光亮 半光亮
只有包含6-苯胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇和6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇的銀電鍍浴提供了基本上粗糙的無光銀沈積物。
無
[ 圖 1]係用Zeiss顯微鏡在5000X下拍攝的、用常規銀電鍍浴進行電鍍的半光亮銀層之SEM。
[ 圖 2]係用Zeiss顯微鏡在5000X下拍攝的、用本發明之銀電鍍浴進行電鍍的無光粗糙銀層之SEM。
無

Claims (17)

  1. 一種銀電鍍組成物，其包含銀離子、導電性化合物以及具有下式的化合物： (I)， 其中，R 1為氫或C 1-C 4烷基並且R 2為C 1-C 4烷基或苯基。
  2. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其中，該化合物選自由以下組成之群組：6-(二丁基胺基)-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇、6-苯胺基-1,3,5-三𠯤-2,4-二硫醇及其混合物。
  3. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其中，該化合物的量為至少1 ppm。
  4. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其中，該導電性化合物包括磷酸二氫鉀、磷酸鉀、磷酸鈉、磷酸銨、硝酸鈉、有機酸、無機酸或其混合物。
  5. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其進一步包含緩衝劑。
  6. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其進一步包含pH調節劑。
  7. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其進一步包含銀錯合劑。
  8. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其進一步包含選自吡啶和吡啶化合物的有機溶劑。
  9. 如請求項8所述之銀電鍍組成物，其中，該吡啶化合物包括2-吡啶甲醇、3-吡啶甲醇、2-吡啶乙醇、3-吡啶乙醇、及其混合物。
  10. 如請求項1所述之銀電鍍組成物，其中，該銀電鍍組成物的pH為6-14。
  11. 一種用於在基材上電鍍粗糙無光銀之方法，該方法包括： a)  提供該基材； b) 使該基材與如請求項1所述之銀電鍍組成物接觸；以及 c)  向該銀電鍍組成物和基材施加電流以在該基材上電鍍粗糙無光銀沈積物。
  12. 如請求項11所述之方法，其中，該粗糙無光銀沈積物包含0.1-0.4 µm的Sa和5%-50%的Sdr。
  13. 如請求項11所述之方法，其中，該粗糙無光銀沈積物具有針狀結構，其包括1-4 µm的峰高和0.2-0.4 µm的峰底。
  14. 如請求項11所述之方法，其中，電流密度為5 ASD和更大。
  15. 如請求項14所述之方法，其中，該電流密度為10 ASD至180 ASD。
  16. 一種製品，其包含毗連基材的表面的粗糙無光銀層，其中該粗糙無光銀層具有0.1-0.4 µm的Sa和5%-50%的Sdr。
  17. 如請求項16所述之製品，其中，該基材的表面為銅或銅合金。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4247372A (en) 1978-08-29 1981-01-27 Learonal, Inc. Silver plating
US4614568A (en) 1983-06-14 1986-09-30 Nihon Kogyo Kabushiki Kaisha High-speed silver plating and baths therefor
ATE513066T1 (de) 2008-10-13 2011-07-15 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur verbesserung der haftung zwischen silberoberflächen und harzmaterialien
JP6209996B2 (ja) * 2014-03-11 2017-10-11 住友金属鉱山株式会社 金属材の表面処理方法
JP6736719B1 (ja) 2019-03-28 2020-08-05 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用部品、リードフレーム及び半導体素子搭載用基板
KR20220062087A (ko) * 2019-09-16 2022-05-13 바스프 에스이 착화제를 포함하는 주석-은 합금 전기도금용 조성물
US11242609B2 (en) * 2019-10-15 2022-02-08 Rohm and Hass Electronic Materials LLC Acidic aqueous silver-nickel alloy electroplating compositions and methods
US20230003624A1 (en) * 2019-11-25 2023-01-05 Jfe Steel Corporation Method of extracting precipitate and/or inclusion, method of quantitative analysis of precipitate and/or inclusion, electrolyte, and method of producing replica sample

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