TW202407844A - 具有護罩之處理腔室淨洗板及台座屏蔽系統 - Google Patents

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峨山 拉朱 達瓦德
維娜亞卡拉迪 古拉伯
安德魯 保羅 愛普
拉维 為朗基
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Abstract

揭示關於包含護罩之淨洗板的範例。護罩有助於避免在多站處理腔室中站之間的串擾。一範例提供包含處理腔室的處理工具，處理腔室包含複數站。處理工具亦包含具有面向腔室表面的淨洗板。淨洗板進一步包含配置以容納複數站之製程氣體出口的複數切口。淨洗板進一步包含圍繞複數切口中之第一切口之周邊的至少一部分配置的護罩。護罩遠離面向腔室表面延伸。淨洗板進一步包含形成在面向腔室表面及護罩中的複數淨洗氣體孔。

Description

具有護罩之處理腔室淨洗板及台座屏蔽系統
本揭示內容係關於處理工具及用於處理基板之方法，特別係關於處理工具中的處理腔室淨洗板。
半導體裝置製造製程可涉及材料沉積、圖案化、及移除的許多步驟以於基板上形成積體電路。可使用諸多方法以選擇性地沉積材料至基板上。一範例為化學氣相沉積。化學氣相沉積製程涉及在處理腔室內的基板上方流動一或更多前驅物氣體。腔室中的條件係受控以致使前驅物氣體在基板表面上反應及/或分解，從而形成膜。
提供此發明內容以用簡化的形式介紹以下進一步在實施方式中描述的些許概念。此發明內容並非旨在識別申請專利範圍標的之主要特徵或基本特徵，亦非旨在用以限制申請專利範圍標的之範圍。再者，申請專利範圍標的並不限於解決本揭示內容之任何部分中提及的任何或所有缺失的實施方式。
揭示關於包含護罩之淨洗板的範例。護罩有助於避免在多站處理腔室中站之間的串擾。一範例提供包含處理腔室的處理工具，處理腔室包含複數站。處理工具亦包含具有面向腔室表面的淨洗板。淨洗板進一步包含配置以容納複數站之製程氣體出口的複數切口。淨洗板進一步包含圍繞複數切口中之第一切口之周邊的至少一部分配置的護罩。護罩遠離面向腔室表面延伸。淨洗板進一步包含形成在面向腔室表面及護罩中的複數淨洗氣體孔。
在某些如此的範例中，護罩係第一護罩，且處理工具包含至少部分地圍繞複數切口中之第二切口之周邊配置的第二護罩。
在某些如此的範例中，複數淨洗氣體孔可替代地或額外地包含圖案，且其中該圖案於護罩之邊緣處中斷。
在某些如此的範例中，護罩可替代地或額外地遠離面向腔室表面延伸介於0.10吋與0.25吋間之範圍內的一距離。
在某些如此的範例中，護罩可替代地或額外地係配置以容納移送環的一或更多插片。
在某些如此的範例中，處理腔室可替代地或額外地包含四站。
在某些如此的範例中，處理工具進一步包含位於複數站之其中一站的台座、在處理腔室之底面上方支托台座的台座支架、以及台座屏蔽系統，台座屏蔽系統包含圍繞台座支架配置的側屏蔽、支托側屏蔽的底部屏蔽、以及輻射屏蔽，底部屏蔽包含配置以調整側屏蔽傾斜度及側屏蔽高度之一或更多者的複數調整器，底部屏蔽進一步包含一或更多開口，輻射屏蔽係配置以吸收從台座放射之熱並從處理腔室轉移要移除的熱，輻射屏蔽包含穿過底部屏蔽之一或更多開口延伸的一或更多腳墊。可替代地或額外地，在某些如此的範例中，側屏蔽係圍繞台座配置，且處理工具進一步包含淨洗氣體出口以將淨洗氣體流入至少部分地由側屏蔽包圍的空間中。可替代地或額外地，在某些如此的範例中，處理工具進一步包含由底部屏蔽支托的複數升降銷，且其中底部屏蔽的複數調整器係進一步配置以調整升降銷高度及相對於台座角度之升降銷角度中的一或更多者，其中輻射屏蔽包含配置以容納複數升降銷的複數切口。
在某些如此的範例中，處理腔室可替代地或額外地包含化學氣相沉積工具。
另一範例提供用於處理工具中之處理腔室的淨洗板。淨洗板包含面向腔室表面。淨洗板進一步包含配置以容納處理工具之相應製程氣體出口的切口。淨洗板進一步包含圍繞切口之周邊的至少一部分配置的護罩。護罩從面向腔室表面延伸。淨洗板進一步包含形成在面向腔室表面及護罩中的複數淨洗氣體孔。
在某些如此的範例中，淨洗板包含單一本體。
在某些如此的範例中，淨洗板係可替代地或額外地由鋁形成。
在某些如此的範例中，護罩係第一護罩，且淨洗板包含圍繞複數第二切口配置的第二護罩。
在某些如此的範例中，複數淨洗氣體孔可替代地或額外地包含圖案，且該圖案於護罩之邊緣處中斷。
在某些如此的範例中，護罩可替代地或額外地遠離面向腔室表面延伸介於0.10吋與0.25吋間之範圍內的一距離。
在某些如此的範例中，淨洗板可替代地或額外地包含第二、第三、及第四切口。
在某些如此的範例中，護罩可替代地或額外地包含配置以容納移送環之一或更多插片的一或更多凹口。
在某些如此的範例中，淨洗板可替代地或額外地係配置以用於化學氣相沉積工具之沉積腔室。
另一範例提供在處理工具之處理腔室內處理複數基板的方法。處理腔室包含複數站以及相應的複數製程氣體出口。處理腔室進一步包含淨洗板。淨洗板包含配置以容納複數製程氣體出口的複數切口。方法包含於第一站之第一基板上方流動第一前驅物氣體。方法進一步包含於第二站之第二基板上方流動第二前驅物氣體。方法進一步包含經由貫穿淨洗板之面向腔室表面形成的淨洗孔流動淨洗氣體。方法進一步包含經由貫穿淨洗板之護罩形成的淨洗孔流動淨洗氣體。護罩係圍繞複數切口中之第一切口之周邊的至少一部分配置。
在某些如此的範例中，護罩係第一護罩，且方法進一步包含經由在淨洗板之第二護罩中形成的淨洗孔流動淨洗氣體。第二護罩係至少部分地圍繞複數切口中之第二切口的一部分配置。
在某些如此的範例中，處理複數基板的方法可替代地或額外地進一步包含額外方法，額外方法包含執行化學氣相沉積製程。
在某些如此的範例中，方法可替代地或額外地進一步包含於流動第一前驅物氣體之後將第一基板移送至第二站，以及於流動第二前驅物氣體之後將第二基板移送至第三站。
亦揭示關於用以保護基板處理工具之台座系統的台座屏蔽系統之範例。一範例提供基板處理工具，基板處理工具包含處理腔室、基板加熱器、及配置在處理腔室內的台座系統。台座系統包含台座以及配置以在處理腔室之底面上方支托台座的台座支架。基板處理工具進一步包含台座屏蔽系統。台座屏蔽系統包含圍繞台座支架配置的側屏蔽。台座屏蔽系統進一步包含支托側屏蔽的底部屏蔽，底部屏蔽包含配置以調整側屏蔽傾斜度及側屏蔽高度之一或更多者的複數調整器，底部屏蔽進一步包含一或更多開口。台座屏蔽系統進一步包含配置以吸收從台座放射之熱並從處理腔室轉移要移除的熱的輻射屏蔽，輻射屏蔽包含穿過底部屏蔽之一或更多開口延伸的一或更多腳墊。
在某些如此的範例中，側屏蔽係圍繞台座配置。
在某些如此的範例中，基板處理工具額外地或可替代地進一步包含淨洗氣體出口以將淨洗氣體流入至少部分地由側屏蔽包圍的空間中。
在某些如此的範例中，基板處理工具額外地或可替代地進一步包含由底部屏蔽支托的複數升降銷。
在某些如此的範例中，底部屏蔽的複數調整器額外地或可替代地係進一步配置以調整升降銷高度及相對於台座角度之升降銷角度的一或更多者。
在某些如此的範例中，輻射屏蔽額外地或可替代地包含配置以容納複數升降銷的複數切口。
在某些如此的範例中，基板處理工具額外地或可替代地包含化學氣相沉積工具。
在某些如此的範例中，側屏蔽與底部屏蔽額外地或可替代地係整合的。
在某些如此的範例中，側屏蔽額外地或可替代地包含鋁。
另一範例提供用於基板處理工具的台座屏蔽系統。台座屏蔽系統包含配置以圍繞基板處理工具之台座系統之台座支架放置的側屏蔽。台座屏蔽系統進一步包含配置以支托側屏蔽的底部屏蔽。底部屏蔽包含配置以調整側屏蔽傾斜度及側屏蔽高度之一或更多者的複數調整器，底部屏蔽進一步包含一或更多開口。台座屏蔽系統進一步包含配置以吸收從台座支架及台座放射之熱的輻射屏蔽。輻射屏蔽包含配置以穿過底部屏蔽之一或更多開口延伸的一或更多腳墊。
在某些如此的範例中，底部屏蔽係配置以支托複數升降銷。
在某些如此的範例中，底部屏蔽的調整器額外地或可替代地係進一步配置以調整升降銷高度及相對於台座角度之升降銷角度的一或更多者。
在某些如此的範例中，複數升降銷額外地或可替代地包含三或更多升降銷且底部屏蔽的調整器係進一步配置以調整相對於台座表面的升降銷平面度。
在某些如此的範例中，輻射屏蔽額外地或可替代地進一步包含配置以容納複數升降銷的複數切口。
在某些如此的範例中，側屏蔽與底部屏蔽額外地或可替代地係整合的。
在某些如此的範例中，側屏蔽額外地或可替代地包含鋁。
另一範例提供調整處理工具的方法，處理工具包含處理化學品出口、台座系統、及台座屏蔽系統。台座系統包含台座及台座支架。台座屏蔽系統包含底部屏蔽、圍繞台座配置且由底部屏蔽支托的側屏蔽、以及包含穿過底部屏蔽中一或更多開口延伸之一或更多腳墊的輻射屏蔽。方法包含調整台座相對於處理化學品出口的傾斜角度。方法進一步包含調整於底部屏蔽上的一或更多調整器以調整側屏蔽相對於台座的位置。
在某些如此的範例中，方法進一步包含在調整台座的傾斜角度之前對處理工具之處理腔室施加真空。
在某些如此的範例中，方法額外地或可替代地進一步包含將淨洗氣體導入至少部分地被側屏蔽圍繞的空間中。
在某些如此的範例中，調整一或更多調整器額外地或可替代地包含調整螺釘、凸輪、齒條與小齒輪、水平儀、活塞、或楔子中的一或更多者。
術語「調整器」大體上表示能夠調整底部屏蔽相對於下方表面之位置之高度的底部屏蔽之組件，下方表面例如為處理腔室的底面。示例性的調整器可包括螺釘、凸輪、齒條與小齒輪、水平儀、活塞、或楔子中的一或更多者。
術語「原子層沉積」大體上表示其中以一或更多個別層的方式在基板上形成膜的製程，其藉由序列地保形吸附前驅物至基板並反應所吸附前驅物以形成膜層。ALD製程的範例包含電漿增強ALD(PEALD)及熱ALD(TALD)。PEALD利用反應性氣體之電漿以促進吸附至基板之前驅物成為基板上之膜的化學轉換。TALD使用熱以促進吸附至基板之前驅物成為基板上之膜的化學轉換。
術語「底部屏蔽」大體上表示支托側屏蔽及/或一或更多升降銷的台座屏蔽系統中之組件。
術語「處理腔室之底面」大體上表示定義處理腔室之下方內部邊界的表面。
術語「化學氣相沉積」大體上表示用以藉由在致使前驅物氣體(一或多)反應以在基板表面上形成膜的條件下於基板上方流動一或更多前驅物氣體而在基板上沉積膜的製程。
術語「化學氣相沉積工具」大體上表示配置以執行化學氣相沉積的處理工具。
術語「切口」大體上表示配置以容納製程氣體出口的淨洗板中之特徵。可將切口形成在淨洗板的邊緣。亦可將切口形成在淨洗板的內部。
術語「腳墊」大體上表示配置以經由底部屏蔽中開口向下延伸的輻射屏蔽之結構特徵。
術語「指標盤(indexing plate)」大體上表示可在站之間旋轉基板的多站處理工具中之基板移送機構。
術語「升降銷」大體上表示配置以經由台座中相應孔洞延伸以在當升降銷之上端的高度升高至台座表面之高度上方時於台座表面上方支托基板的結構。
術語「升降銷切口」大體上表示配置以容納一或更多升降銷的輻射屏蔽中之結構。
術語「升降銷高度」大體上表示從處理腔室之底面至升降銷之上端的距離。
術語「升降銷角度」大體上表示升降銷之長軸之方向相對於台座支架之長軸之方向的角度。
術語「升降銷平面度」大體上表示在藉由三或更多升降銷之上端所定義之平面與台座表面之間平面性的程度。
術語「升降銷孔」大體上表示用以容納升降銷的台座中開口。
術語「台座」大體上表示配置以支托處理腔室內基板的結構。台座可包括用於支托及/或夾持基板的任何合適結構，例如卡盤。
術語「台座系統」大體上表示包括台座及台座支架的系統。
術語「台座支架」大體上表示配置以支托台座的支托柱。在某些範例中，台座支架係配置以調整台座相對於處理化學品出口的傾斜角度。
術語「台座屏蔽系統」大體上表示配置以至少部分地保護台座系統免於受處理腔室中處理環境影響的系統。台座屏蔽系統可包含底部屏蔽、側屏蔽、及輻射屏蔽。在諸多範例中，底部屏蔽與側屏蔽可為整合的或分開的。
術語「台座」大體上表示配置以支托處理腔內基板的結構。台座可包括用於支托及/或夾持基板的任何合適結構，例如卡盤。
術語「台座系統」大體上表示包括台座及台座支架的系統。
術語「台座支架」大體上表示配置以支托台座的支托柱。在某些範例中，台座支架係配置以調整台座相對於處理化學品出口的傾斜角度。
術語「台座屏蔽系統」大體上表示配置以至少部分地保護台座系統免於受處理腔室中處理環境影響的系統。台座屏蔽系統可包含底部屏蔽、側屏蔽、及輻射屏蔽。在諸多範例中，底部屏蔽與側屏蔽可為整合的或分開的。
術語「製程氣體出口」及「處理化學品出口」大體上表示配置以於化學製程期間將製程化學品或製程化學混合物引導至基板上的出口。噴淋頭及噴嘴係製程氣體及製程化學品出口的範例。術語「噴淋頭」大體上表示包含跨區域分佈之複數孔洞的製程化學品出口。
術語「製程腔室」大體上表示在其中於基板上執行化學及/或物理製程的殼體。示例性的化學製程包括化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、及乾蝕刻製程。
術語「處理工具」及「基板處理工具」大體上表示包括處理腔室以及配置以實行待於處理腔室中進行之處理之其他硬體的機構。術語「淨洗氣體」大體上表示用以從至少部分的製程腔室中移除處理氣體的任何合適氣體，例如惰性氣體。淨洗氣體可用於在多站處理工具中將處理站彼此隔離。
術語「淨洗氣體」大體上表示用以從製程腔室中移除至少部分的處理化學品的任何合適氣體，例如惰性氣體。示例性的淨洗氣體包括氮(N 2)、氬(Ar)、氖(Ne)、及氦(He)。
術語「淨洗氣體出口」大體上表示淨洗氣體經其導入處理腔室中位置的出口。
術語「淨洗板」大體上表示定義處理腔室殼體之至少一部分的結構，並且包含淨洗氣體可經其流動至處理腔室中的孔洞。術語「淨洗孔」可表示配置以用於淨洗氣體流動的淨洗板中之任何孔洞。術語「面向腔室表面」大體上表示淨洗板面向處理腔室之內部的表面。
術語「輻射屏蔽」大體上表示配置以吸收從處理腔室內台座系統放射之熱並傳導熱以從處理腔室中移除的結構。輻射屏蔽包含一或更多腳墊以將熱移送至處理腔室中的另一結構。在某些範例中，腳墊可將熱移送至處理腔室的底面。
術語「墊片」大體上表示可被放置在升降銷與下方表面之間的結構，下方表面例如底部屏蔽。
術語「護罩」大體上表示從淨洗板之面向腔室表面延伸以抑制製程氣體在處理腔室中從一製程站朝一或更多其他製程站之遷移的任何結構。
術語「側屏蔽」大體上表示圍繞台座支架放置且配置以協助保護台座系統免於受處理腔室條件影響的結構。側屏蔽可藉由底部屏蔽支托及/或與底部屏蔽整合。
術語「站」大體上表示在處理工具中於基板上執行化學及/或物理製程之處的位置。
術語「基板」大體上表示可在處理工具之處理腔室中的站進行處理的任何物件。
術語「基板加熱器」大體上表示配置以於處理期間加熱基板的加熱器。在某些範例中，可將基板加熱器合併至台座中。
術語「基板夾持具」大體上表示配置以用於支托基板及/或夾持基板之移送環的結構。範例包括台座及卡盤。
術語「移送環」大體上表示配置以於在處理站之間移送的期間夾持基板的結構。
術語「單一本體」大體上表示單件結構而不具有藉由熔接、黏合劑、或緊固件形成的接合。
如以上所提及的，基板上積體電路的製造涉及材料添加、圖案化、修改、及移除的許多個別步驟。例如，可使用化學氣相沉積以在基板表面上沉積具諸多成分的膜。化學氣相沉積涉及在致使前驅物氣體(一或多)於基板上反應及/或分解的條件下將基板曝露至一或更多反應性前驅物氣體。
通常在受控氣體環境下於處理腔室中執行化學氣相沉積。某些處理工具可包含位在相同處理腔室中的多站。如此配置允許多個基板待被平行地處理。此可有助於達成相對於具單站之處理腔室更高的產能。
處理腔室內的不同站可平行地執行不同化學製程。然而，於不同站平行地執行不同化學製程可能造成處理氣體於製程站間之遷移的風險。可將製程站之間處理氣體的如此遷移稱為「串擾」。在某些情況下，站之間的串擾可能造成污染正在生長之膜的風險。
為了協助防止站之間處理氣體的遷移，可在站之間引導淨洗氣體的流動。例如，處理腔室可包含淨洗板。淨洗板可包含配置以在站之間引導淨洗氣體之流動的複數孔洞。淨洗氣體流動隔離站點的處理環境。淨洗氣體可從淨洗板朝向在處理腔室之底部中的腔室排氣埠流動並藉由真空抽氣系統移除之。以此方式，可隨著淨洗氣體朝向排氣埠的流動而抽出未反應的前驅物氣體及反應產物。
然而，某些處理環境可能造成淨洗氣體及製程氣體(反應物及/或產物)朝向排氣埠之所需流動模式的短暫中斷。據此，為了在如此環境中提供對串擾的進一步防止，揭示關於包含一或更多護罩之淨洗板之使用的範例。簡言之，處理腔室的淨洗板包含配置以容納處理腔室內複數製程氣體出口的複數切口。針對至少其中一切口，護罩係圍繞切口之周邊的至少一部分配置。護罩從淨洗板的面向腔室表面延伸進入處理腔室。護罩因而有助於將前驅物氣體及/或反應產物從相應的製程氣體出口導向排氣埠、並遠離其他處理站。再者，淨洗板包含配置以在製程站之間引導淨洗氣體之流動的複數淨洗孔。如本文所揭示之包含淨洗孔及一或更多護罩之淨洗板的使用可有助於降低處理工具之站點間串擾的風險。儘管本文在上下文中描述的是化學氣相沉積工具，但可在任何其他合適的處理工具中使用如本文所揭示的包含護罩之淨洗板。範例包括原子層沉積工具、電漿蝕刻工具、及原子層蝕刻工具。
圖1顯示可用以平行地處理多個基板的示例性處理工具100(例如，多站處理工具)的示意圖。圖1繪示處理腔室106內的第一站102A及第二站102B。在某些範例中，處理工具100包含化學氣相沉積工具且處理腔室106包含沉積腔室。第一站102A及第二站102B係配置以將基板曝露至一或更多前驅物氣體，例如作為部分的化學氣相沉積。處理工具100進一步可包含圖1中未顯示的額外站點。在某些範例中，處理工具100包含四站。然而，可使用任何合適數量的站。
第一站102A包含第一基板夾持具110A以及安置在處理腔室106之第一井114A內的第一基板夾持具支架112A。第一站102A進一步包含與第一前驅物氣體源118A流體連接的第一製程氣體出口116A。第一前驅物氣體源118A係配置以提供一或更多前驅物氣體至第一製程氣體出口116A。第一基板夾持具110A於處理期間支托第一基板120A。在某些範例中，第一基板夾持具110A可支托夾持第一基板120A的移送環。可將第一基板夾持具支架112A配置以升高和降低第一基板夾持具110A，例如用以調整第一基板夾持具110A與第一製程氣體出口116A之間的間隙。
相似地，第二站102B包含第二基板夾持具110B以及安置在第二井114B內的第二基板夾持具支架112B。第一站102B進一步包含與第二前驅物氣體源118B流體連接的第二製程氣體出口116B。第二前驅物氣體源118B係配置以提供一或更多前驅物氣體至第二製程氣體出口116B。第二基板夾持具110B於第二站102B在處理期間支托第二基板120B。在某些範例中，第二基板夾持具110B可支托夾持第二基板120B的移送環。可將第二基板夾持具支架112B配置以升高和降低第二基板夾持具110B。
處理腔室106進一步包含淨洗板130。淨洗板130包含切口以容納第一製程氣體出口116A及第二製程氣體出口116B。處理工具100進一步包含淨洗氣體源132，淨洗氣體源132包含可經由形成在淨洗板130中的淨洗氣體孔導入處理腔室106中的淨洗氣體(藉由淨洗氣體流動箭號133及相似箭號指示)。在所描繪的範例中，淨洗板130包含形成處理腔室106之頂部邊界的頂板。在其他範例中，淨洗板可在處理腔中具有任何其他合適的位置及/或定向。
可經由包含一或更多排氣埠136A至B的排氣系統134排空處理腔室106。在所描繪的範例中，第一站102A包含第一排氣埠136A。相似地，第二站102B包含第二排氣埠136B。
處理腔室106進一步包含配置以在站之間移送基板的指標盤138。可將指標盤138配置以將基板120A至B從相應的基板夾持具110A至B抬升。在某些範例中，可將指標盤配置以抬升夾持基板120A至B的移送環。在抬升基板120A至B之後，指標盤138旋轉以將基板120A至B推進至各自的下一站。
處理工具100進一步包含配置以控制處理工具100以執行製程循環的控制器150。例如，控制器150係可控地連接至閥152A、152B、及154以控制製程循環期間與製程循環之間的製程氣體流動及淨洗氣體流動。控制器150亦可控地連接至排氣系統134。控制器150可控制閥152A、152B、154及排氣系統134以控制處理腔室106內的壓力與氣體成分。控制器150亦可控制基板夾持具支架112A、112B以升高和降低基板。控制器150進一步可控制指標盤138以在站之間移送基板。控制器150額外地可控制圖1中未顯示的其他組件，例如基板夾持具加熱器、氣體管線加熱器、基板移送機器人、裝載鎖、及/或任何其他合適的組件。
於基板處理期間，控制器150控制閥152A以於第一站102A的第一基板120A上方流動來自第一前驅物氣體源118A的一或更多前驅物氣體。同樣地，控制器150控制閥152B以於第二站102B的第二基板120B上方流動來自第二前驅物氣體源118B的一或更多前驅物氣體。
如以上所提及的，可將不同前驅物氣體提供至第一製程氣體出口116A及第二製程氣體出口116B。因而，為了協助防止串擾，控制器150控制閥154以將淨洗氣體流經淨洗板130中的淨洗孔。淨洗板130包含至少部分地圍繞容納第一製程氣體出口116A之切口安置的第一護罩160A。第一護罩160A可藉由將前驅物氣體及/或反應產物的流動從第一製程氣體出口116A導向第一排氣埠136A而協助防止第一站102A與第二站102B之間的串擾。即使當瞬時狀態擾亂正常流動模式時，此舉亦可有助於維持所需的氣體流動模式。在某些範例中，淨洗板130可包含用於相應複數站的複數護罩。例如，如於160B處所指示的，淨洗板130可包含至少部分地圍繞容納第二製程氣體出口116B之切口安置的第二護罩160B。在其他範例中，可省略第二護罩160B。
圖2示意性地顯示包含具護罩之淨洗板的示例站200的側視圖。在某些範例中，站200可代表圖1中的第一站102A及/或第二站102B。站200包含基板夾持具202及安置在井205中的基板夾持具支架204。移送環206係圍繞基板夾持具202上的基板208安置。在其他範例中，當可藉由直接處置基板的機器人移送基板時，可省略移送環。站200進一步包含具有切口211以容納製程氣體出口212的淨洗板210。製程氣體出口212係配置以於基板208上方分佈前驅物氣體或前驅物氣體混合物。站200進一步包含將井205與鄰近站(例如，站216或站218)分隔的牆214。
淨洗板210包含從淨洗板210的面向腔室表面222延伸以協助防止串擾的護罩220。在某些範例中，淨洗板210包含包括護罩220的單一本體。可機械加工、鑄造、或以任何其他合適的方式形成如此淨洗板。在其他範例中，可經由熔接、緊固件、黏合劑、及/或其他合適的連接將護罩220併入淨洗板210中。淨洗板210可包含任何合適的材料。例如，淨洗板210可由金屬(例如，鋁或耐蝕鋼)或陶瓷形成。如以上所討論的，在缺乏護罩220的情況下，如同藉由箭號224A及224B所繪示的，可能有殘餘前驅物氣體及/或反應產物朝其他站遷移的風險。反之，如同藉由箭號228A及228B所繪示的，護罩220有助於將前驅物氣體導向井205中的排氣埠226。
在此範例中，如同藉由淨洗氣體流動箭號234及相似箭號所指示的，淨洗氣體孔係形成在護罩220中。雖然在圖2中未顯示，但淨洗氣體亦可經由淨洗孔流經淨洗板210的其他區域。以下更詳細地描述示例性的淨洗孔配置。
在某些範例中，護罩220可從面向腔室表面222延伸夠遠而當將基板夾持具202與製程氣體出口212定位以進行基板處理時，護罩220的下表面230係在移送環206的上表面232之下。在其他範例中，可將護罩220配置以從面向腔室表面222延伸較少的距離。在某些範例中，護罩220從面向腔室表面222延伸出在介於0.10吋與0.25吋間之範圍內的距離。在其他範例中，護罩可從面向腔室表面222延伸任何其他合適的距離。
如以上所提及的，處理腔室可具有任何合適數量的站。圖3顯示用於包括四製程站之處理腔室之示例性組件300的分解圖。所繪示的組件包括腔室底座302、包含切口306A至D的淨洗板304、指標盤308、製程氣體出口310A至D、及基板夾持具312A至D。
淨洗板304係配置以定義處理腔室的上邊界。淨洗板304包含安置在面向腔室表面318上的護罩316。護罩在圖3的視角中被隱藏。然而，藉由淨洗板304之相對表面上的虛線示意性地指示護罩位置。護罩316係圍繞切口306C的周邊配置。淨洗板304進一步包含形成在面向腔室表面318與護罩316中的淨洗孔以用於將淨洗氣體流入處理腔室中。為清晰起見而在圖3中省略淨洗孔，但於以下更詳細地描述之。儘管圖3繪示圍繞一切口安置的護罩，但在其他範例中可將護罩圍繞二或更多切口安置。
在某些範例中，藉由例如移送環320的移送環夾持基板。在如此範例中，指標盤308係配置以移動相應的移送環。於指標期間，可降低基板夾持具312A至D、及/或可經由主軸322升高指標盤308，以將移送環從相應的基板夾持具中抬升。然後指標盤308可旋轉以推進移送環及相應基板。然後，可下降指標盤308及/或可上升基板夾持具312A至D以將基板安置在基板夾持具312A至D上以進行製程循環。可將淨洗板304的護罩316配置以容納包括插片328的移送環320，如以下所述。
圖4至6顯示可在四站處理腔室中使用以協助防止站之間串擾的示例性淨洗板。首先，圖4描繪包含護罩402之示例性淨洗板400的仰視圖。在某些範例中，護罩402可為單一護罩。護罩402係位在淨洗板400的面向腔室表面上。淨洗板400包含複數切口404A至D。可將每一切口配置以容納各別的製程氣體出口。護罩402係圍繞切口404之周邊的一部分配置。在某些範例中，淨洗板400係配置以用於化學氣相沉積工具的沉積腔室。
如以上所提及的，淨洗板400可包含單一本體。在如此範例中，可機械加工、鑄造、或以其方式將淨洗板400形成為單件。在其他範例中，護罩402可包含從淨洗板400之平面部406分離的物件。在如此範例中，可將護罩402以任何合適的方式耦接至淨洗板400的平面部406。範例可包括熔接、一或更多緊固件、及/或合適的黏合劑。淨洗板400可包含任何合適的材料，例如鋁、耐蝕鋼、或陶瓷。
圖5描繪另一示例性淨洗板的仰視圖。淨洗板500包含配置以容納相應複數製程氣體出口的複數切口502A至D。淨洗板500進一步包含分別部分地圍繞切口502A至D配置的護罩504A至D。在其他範例中，可將護罩圍繞任何合適數量之切口的周邊配置。在某些範例中，淨洗板500係配置以用於化學氣相沉積工具的沉積腔室。淨洗板500可包含任何合適的材料，例如鋁、耐蝕鋼、或陶瓷。
圖6顯示另一示例性淨洗板600。淨洗板600包含具有凹口604以容納移送環的護罩602。在所描繪的範例中，護罩602包含三個凹口604以容納相應的移送環之插片。在其他範例中，護罩可具有不同數量的凹口以容納不同的移送環構造。在某些範例中，淨洗板600係配置以用於化學氣相沉積工具的沉積腔室。淨洗板600可包含任何合適的材料，例如鋁、耐蝕鋼、或陶瓷。
如以上所提及的，淨洗板可包含淨洗氣體可流經其中以協助維持於不同處理站之分離處理環境的淨洗孔。圖7顯示包含淨洗孔702之示例性淨洗板700的放大視圖。淨洗板700可代表本文所述之示例性淨洗板中的任意者。在所描繪的範例中，淨洗孔702延伸穿過淨洗板700之平面部704及穿過護罩706兩者。在某些範例中，淨洗孔702可以形成在可協助實現相對均勻淨洗的圖案中。在如此範例中，可在護罩706的邊緣708處中斷圖案。例如，淨洗孔702的圖案可於710處放置淨洗孔。如若710係位於邊緣708處，則可於710處省略淨洗孔。為了可製造性及/或避免擾亂所需的淨洗流動模式，可於護罩邊緣處省略淨洗孔。儘管圖7中的範例描繪淨洗孔的規律圖案，但可使用任何合適的淨洗孔之規律或不規律配置。可以任何合適的方式形成淨洗孔702。例如，可將淨洗孔702機械加工至淨洗板700中。
圖8顯示用於在單一處理腔室中處理多個基板的示例性方法800的流程圖，單一處理腔室例如為本文所述的示例性處理腔室。方法800可代表化學氣相沉積製程、或任何其他合適的製程。可藉由處理工具的控制器控制方法800，例如處理工具100的控制器150。
於802，方法800包含於第一站之第一基板上方流動來自第一製程氣體出口的第一前驅物氣體或氣體混合物。於804，方法800進一步包含於第二站之第二基板上方流動來自第二製程氣體出口之不同的第二前驅物氣體或氣體混合物。再者，在某些範例中，於806，方法800包含於第三站之第三基板上方流動來自第三製程氣體出口的第三前驅物氣體或氣體混合物。第三前驅物氣體或氣體混合物可與第一或第二氣體或氣體混合物相同，或者可不同。在某些範例中，處理腔室可包含額外的站。如此，在某些範例中，於808，方法800包含於第N站之第N基板上方流動來自第N製程氣體出口的第N前驅物氣體。
繼續，於810，方法800包含將淨洗氣體流經穿過淨洗板之一或更多護罩形成的淨洗孔。如上所述，護罩包含從淨洗板之面向腔室表面延伸的結構。可將護罩至少部分地圍繞容納第一製程氣體出口或第二製程氣體出口之切口的周邊配置。在某些範例中，複數切口可具有護罩。包括護罩之淨洗板的使用可藉由引導氣體遠離其他站並朝向排氣埠而協助防止處理腔室的站之間的串擾。在某些範例中，淨洗板包含含有護罩的單一本體。在某些範例中，於812，方法800包含將淨洗氣體流經形成在淨洗板之面向腔室表面中的淨洗孔。在某些範例中，於814，方法800進一步包含經由排氣系統將淨洗氣體流出處理腔室。
在某些範例中，於816，方法800進一步包含將第一基板移送至第二站以及將第二基板移送至第三站。在某些範例中，於818，方法800包含經由移送環及指標盤移送基板。在其他範例中，可藉由直接處置而非經由移送環移送基板。
藉由在包含具有護罩之淨洗板的處理腔室內處理基板，本文所揭示的範例可有助於減少站之間串擾的風險。因而，所揭示的範例可促進在於不同站使用不同化學品的單一處理腔室內之多個基板的處理。
除了串擾之外，沉積系統中亦可能發生其他問題。如上所述，通常在受控氣體環境下於處理腔室中執行化學氣相沉積與原子層沉積製程。可經由處理化學品出口將處理化學品導入處理腔室中。例如，可經由放置在基板上方的噴淋頭導入處理化學品。可藉由包含台座及台座支架的台座系統支托基板。於處理期間，基板可停放在台座的頂面上。在某些範例中，台座可包含配置以加熱基板的基板加熱器。台座支架可包含例如配置以上升及下降台座與基板的柱體。再者，穿過台座中之升降銷孔延伸的升降銷可協助於移送期間支托基板。例如，當下降台座時，升降銷可在台座上方支托基板以促進使用機器人的基板移送。
處理環境可涉及處理腔室內部分真空的施加。此舉可致使例如淨洗板之腔室頂板中一定程度的翹曲。翹曲可導致例如噴淋頭之處理化學品出口之表面相對於台座之表面的輕微傾斜。為了補償此影響，可傾斜台座而使得當處理腔室在處理壓力下時基板與處理化學品出口幾近於平行。
除了低壓以外，處理環境亦可涉及高溫(例如，＞ 300 ºC)以及處理化學品的存在。如此處理環境可能造成處理腔室內結構的磨損。例如，基板加熱器可藉由處理化學品的輻射、傳導、及/或對流而加熱台座支架與其他結構。再者，處理化學品的沉積可能在例如台座之背面、台座支架、以及升降銷孔內的台座系統表面上發生。使用升高的溫度可能促進在如此表面上的化學品沉積。隨著時間過去，高溫及/或化學品沉積之積聚可能導致台座支架上的應力。對如此問題進行校正的維護工作可能係勞力密集及/或高成本的。
保護台座系統免受溫度及/或處理化學品影響的一選項係圍繞台座支架及台座安置屏蔽。然後可將淨洗氣體流經台座支架與屏蔽之間的空間以減少台座支架上的化學品沉積。然而，如此屏蔽的使用可能帶來挑戰。例如，某些處理環境可包含400ºC至500ºC之範圍內的溫度。在如此環境下，屏蔽溫度可能大於300ºC。如此，使用在300ºC以上可能出現脫氣及扭曲的金屬合金(例如，鋁6061)可能係不可行的。亦可使用陶瓷屏蔽以避免扭曲及脫氣。然而，陶瓷可能產生額外的成本。調整台座屏蔽以匹配台座之傾斜亦可能係困難的。此外，屏蔽的使用可能使升降銷調整複雜化，因為在沒有移除屏蔽的情況下可能無法接觸到升降銷及墊片。
據此，揭示關於用於在基板處理工具之處理腔室中使用的台座屏蔽系統之範例。如以下更詳細描述的，所揭示的範例可有助於保護台座系統免受例如高溫及/或化學品沉積之處理環境的影響。
簡言之，台座屏蔽系統包含側屏蔽、底部屏蔽、及輻射屏蔽。底部屏蔽係配置在處理腔室之底面上的台座之下。側屏蔽係圍繞台座支架配置並且藉由底部屏蔽支托。底部屏蔽包含配置以調整側屏蔽高度及/或側屏蔽傾斜度的調整器。側屏蔽至少部分地包圍可使用淨洗氣體淨洗之台座下方的空間。如此，側屏蔽可協助保護台座系統及升降銷免受處理環境的影響。輻射屏蔽包含穿過底部屏蔽中開口延伸的腳墊以接觸處理腔室中的另一結構而進行熱轉移。輻射屏蔽係配置以吸收從台座系統放射的熱並傳導熱以從處理腔室中移除之。例如，可將熱從腳墊轉移至處理腔室的底面。
依據本揭示內容的台座屏蔽系統因而可有助於減輕台座系統上處理環境的不利影響。所揭示的示例性台座屏蔽系統可以足夠的效率傳導台座系統中的熱以允許使用較不昂貴的鋁合金來取代陶瓷。例如，當基板加熱器被加熱至約500ºC時，側屏蔽溫度可仍在300ºC以下。此可避免於較高溫下在某些鋁合金中可能發生的脫氣及/或扭曲。
在詳細討論這些範例之前，圖9示意性地顯示示例性處理工具900。處理工具900係為配置以平行處理多個基板的多站處理工具。圖9繪示處理腔室904內的第一處理站902A及第二處理站902B。第一處理站902A及第二處理站902B的每一者係配置以將基板曝露至一或更多處理化學品。處理工具900進一步可包含圖9中未顯示的額外站點。在其他範例中，處理工具可包含單一處理站。在某些範例中。處理工具900包含配置以執行化學氣相沉積的化學氣相沉積工具。在某些範例中。處理工具900可替代地或額外地可包含配置以執行原子層沉積的原子層沉積工具。
第一處理站902A包含第一台座908A以及安置在處理腔室904之第一井912A內的第一台座支架910A。第一處理站902A進一步包含圍繞第一台座支架910A配置的第一台座屏蔽系統914A。第一台座屏蔽系統914A可至少部分地包圍第一台座支架910A周圍及第一台座908A下方的第一空間915A。以下更詳細地描述適合用以作為第一台座屏蔽系統914A的示例性台座屏蔽系統的細節。
第一處理站902A進一步包含與處理化學品源(一或多)918流體連接的第一處理化學品出口916A。可將處理化學品源(一或多)918配置以提供處理化學品至第一處理化學品出口916A。在某些範例中，可將處理化學品源(一或多)918配置以提供處理化學品的混合物。
第一台座908A於處理期間支托第一基板920A。第一台座支架910A係配置以上升及下降第一台座908A以例如調整第一台座908A與第一處理化學品出口916A之間的間隙。可將第一台座支架910A進一步配置以調整第一台座908A的傾斜度。
第一台座908A可包含升降銷(為清晰起見於圖9中省略)可穿過其中延伸的升降銷孔。下降第一台座908A可致使升降銷穿過升降銷孔延伸以支托第一基板920A。上升第一台座908A可致使升降銷縮回。
相似地，第二處理站902B包含第二台座908B以及安置在第二井912B內的第二台座支架910B。第二台座支架910B係配置以上升及下降第二台座908B。亦可將第二台座支架910B配置以調整第二台座908B的傾斜度。第二處理站902B進一步包含圍繞第二台座支架910B配置的第二台座屏蔽系統914B。第二台座屏蔽系統914B可至少部分地包圍第二台座支架910B周圍及第二台座908B下方的第二空間915B。以下更詳細地描述適合用以作為第二台座屏蔽系統914B的示例性台座屏蔽系統的細節。
第二處理站902B進一步包含與處理化學品源(一或多)918流體連接的第二處理化學品出口916B。可將處理化學品源(一或多)918配置以提供一或更多處理化學品至第二處理化學品出口916B。在某些範例中，可將不同的處理化學品源與第二處理化學品出口916B流體連接。此舉可允許將不同的處理化學品導入第一處理站902A及第二處理站902B中。
處理腔室904進一步包含頂板922、第一處理化學品出口916A、及第二處理化學品出口916B。處理工具900進一步包含淨洗氣體源924，淨洗氣體源924包含可經由形成在頂板922中的淨洗氣體孔被導入處理腔室904中的淨洗氣體。處理工具900進一步包含淨洗氣體源926，淨洗氣體源926包含可經由淨洗氣體出口928A被導入第一空間915A中以及經由淨洗氣體出口928B被導入第二空間915B中的淨洗氣體。淨洗氣體可經由台座屏蔽系統與台座支架之間的間隙流入空間中。在某些範例中，可將相同的淨洗氣體源用於淨洗氣體源924及淨洗氣體源926。
如上所述，處理腔室904內的下降壓力可能造成頂板922之一定程度的翹曲。這可能導致當處理腔室904在真空下時一定程度的第一處理化學品出口916A之傾斜及/或第二處理化學品出口916B之傾斜。因而，如上所述，可將第一台座支架910A配置以允許第一台座908A之傾斜角度的調整。此舉可允許當處理腔室904在真空下時將第一台座908A調整為與第一處理化學品出口916A適當地平行。同樣地，可調整第二台座支架910B的傾斜度使得第二基板920B與第二處理化學品出口916B適當地平行。
可藉由包含一或更多排氣埠936A至B的排氣系統934排空處理腔室904。在所描繪的範例中，第一處理站902A包含第一排氣埠936A。相似地，第二處理站902B包含第二排氣埠936B。
處理工具900可進一步包含未在圖9中描繪的其他組件。例如，處理工具900可包含配置以在第一處理站902A與第二處理站902B之間移送基板的基板移送系統。
處理工具900進一步包含配置以控制處理工具900以執行製程循環的控制器950。例如，控制器950係可控地連接至閥952A、952B、954、及956以控制製程循環期間與製程循環之間的處理化學品流動及淨洗氣體流動。控制器950亦可控地連接至排氣系統934。控制器950可控制閥952A、952B、954、956及排氣系統934以控制處理腔室904內的壓力與氣體成分。控制器950亦可控制第一台座支架910A及第二台座支架910B以上升、降低、及/或傾斜第一台座908A及第二台座908B。控制器950進一步可控制一或更多加熱器加熱第一基板920A及/或第二基板920B。控制器950額外地可控制圖9中未顯示的其他組件，例如氣體管線加熱器、液體冷卻元件、基板移送機器人、裝載鎖、及/或任何其他合適的組件。
圖10示意性地顯示示例性處理腔室1000的橫截面側視圖。處理腔室1000包含台座系統1001及台座屏蔽系統1002。處理腔室904係處理腔室1000的範例。台座系統1001包含藉由台座支架1004支托的台座1003。台座支架1004係配置以上升及下降台座1003。如以下所述，台座支架1004係進一步配置以調整台座1003相對於處理化學品出口的傾斜角度。
台座1003係配置以支托在台座表面1007上的基板1006。台座1003包含配置以加熱基板1006的基板加熱器1008。在某些範例中，基板加熱器1008係配置以加熱至350 ºC至550 ºC之範圍內的溫度。在其他範例中，可省略基板加熱器。
處理腔室1000進一步包含配置以至少部分地保護台座系統1001免受處理腔室1000內處理環境之影響的台座屏蔽系統1002。台座屏蔽系統1002包含側屏蔽1010、底部屏蔽1012、及輻射屏蔽1014。
側屏蔽1010係圍繞台座支架1004配置並且藉由底部屏蔽1012支托。例如，側屏蔽1010至少部分地包圍可讓淨洗氣體流動經過(藉由流動箭號1018及相似箭號指示)的台座1003下方空間1016。如此，側屏蔽1010可藉由至少部分地阻擋處理化學品進入空間1016之流動而抑制台座1003及台座支架1004上的化學品沉積。在諸多範例中，側屏蔽1010與底部屏蔽1012可為整合的或可為分離的。在某些範例中，側屏蔽1010包含鋁及/或鋁合金。
底部屏蔽1012包含諸多調整器。顯示兩調整器，調整器1020A與調整器1020B。每一調整器能夠調整底部屏蔽相對於下方表面之位置的高度。例如，調整器1020A能夠調整高度1021A且調整器1020B能夠調整高度1021B。如以下關於圖11A至11C更詳細討論的，配置複數調整器以調整側屏蔽高度、側屏蔽傾斜度、升降銷高度、及升降銷角度中的一或更多者。可適用於作為底部屏蔽1012中各調整器的示例性調整器包括螺釘、凸輪、齒條與小齒輪、水平儀、活塞、楔子、以及以上之二或更多者的組合。在某些範例中，底部屏蔽可包含三個調整器。在其他範例中，可使用任何其他合適數量的調整器。可從底部屏蔽1012之上側中的相應開口接取調整器1020A及1020B。
底部屏蔽1012係進一步配置以支托複數升降銷，例如升降銷1022。升降銷1022穿過台座1003內的升降銷孔1024延伸使得升降銷1022的上端可支托基板1006。當升降銷1022的上端被升高至台座表面1007的高度之上時，升降銷1022可支托基板1006。例如，可上升台座1003使得升降銷1022經由升降銷孔1024縮回並藉由台座1003支托基板1006。同樣地，可下降台座1003使得基板1006係藉由複數升降銷支托。在某些範例中，複數升降銷包含包括升降銷1022的三個升降銷。在其他範例中，可使用任何其他合適數量的升降銷。升降銷可包含任何合適的材料。範例包括鋁、藍寶石、耐蝕鋼、及陶瓷。
在圖10中，藉由配置在底部屏蔽1012之凹部1028內的墊片1026支托升降銷1022的下端。墊片1026可為可移除的使得使用者可將墊片1026更換為具不同厚度的另一墊片。墊片可包含任何合適的材料，例如鋁、藍寶石、耐蝕鋼、或陶瓷。在其他範例中，墊片及/或凹部可為可選的。在其他範例中，可省略如此墊片。
如以上所討論的，可上升及下降台座1003。為了避免當上升台座時升降銷1022被向上拉，升降銷1022可包含法碼1030。在其他範例中，可省略法碼1030。
底部屏蔽1012進一步包含一或更多開口以容納輻射屏蔽1014的腳墊。例如，開口1034係配置以容納腳墊1036。在某些範例中，底部屏蔽可具有三到六個開口。在其他範例中，底部屏蔽可包含此範圍外之數量的開口。
底部屏蔽1012可於相對少的點接觸處理腔室1000的底面1040，例如三點。如此，從底部屏蔽1012至下方表面可能幾乎沒有熱傳導。因而，輻射屏蔽1014係配置以吸收從台座系統1001放射的熱，並傳導熱以從處理腔室1000移除之。輻射屏蔽1014包含包括腳墊1036的一或更多腳墊以將熱移送至處理腔室中的另一結構。一或更多腳墊穿過底部屏蔽1012中的開口延伸。例如，腳墊1036穿過開口1034延伸並且與底面1040熱聯通。如同藉由箭號1046所描繪的，腳墊1036可將熱傳導至底面1040以從台座系統1001移除熱。在某些範例中，底面1040係主動冷卻的，例如藉由將液體流經底面1040下方的通道。在某些範例中，腳墊可將熱傳導至處理腔室1000內的另一結構，例如與製程腔室之底面分離的散熱器。
如以上所提及的，可將依據本揭示內容的台座屏蔽系統配置以促進側屏蔽位置及/或升降銷位置相對於台座之位置的調整。圖11A至11C示意性地顯示處理工具之處理腔室內示例性屏蔽系統1100的調整。屏蔽系統1100包含側屏蔽1102、支托側屏蔽的底部屏蔽1104、及輻射屏蔽1106。處理腔室包含傾斜至以角度θ表示之傾斜角度1110的處理化學品出口1108。如此傾斜可在例如當處理腔室於下降壓力下時由於頂板922(例如，處理腔室頂板)之翹曲而發生。所描繪之處理化學品出口1108之傾斜的幅度係為了清晰起見而誇大之。
處理工具包含藉由台座支架1114支托的台座1112。處理工具進一步包含穿過相應的台座1112之升降銷孔1122A及升降銷孔1122B延伸的升降銷1120A及升降銷1120B。
由於處理化學品出口1108的傾斜，台座1112與處理化學品出口1108沒有平行，而可能影響膜沉積。
因而，如上所述，可將台座傾斜調整為與處理化學品出口傾斜對準。如圖11B中所描繪的，將台座支架1114及台座1112調整至傾斜角度1110。因此，台座1112與處理化學品出口1108幾近於平行。
一旦傾斜台座1112，升降銷1120A與升降銷1120B即未與台座1112對準。例如，如圖11B中所示，升降銷1120A、1120B的上端未與台座1112之表面對準。如此一來，升降銷1120A、1120B可能會於台座1112的下降期間卡住及/或斷裂。
側屏蔽1102也未與台座1112對準。因此，間隙1124A可能變得較寬而允許處理化學品進入台座1112下方的空間。據此，間隙1124B可能變得較窄。這可能中斷淨洗氣體的流動。如此，調整台座之傾斜而沒有調整側屏蔽可能將台座系統曝露至處理環境。
據此，使用底部屏蔽1104的一或更多調整器調整底部屏蔽1104的位置。於1130A及1130B顯示示例性的調整器。如圖11C中所示，調整器1130A係經調整以增加在底部屏蔽1104的第一位置與處理腔室的底面1134之間的間隙1132A。據此，調整器1130B係經調整以減少在底部屏蔽1104的第二位置與底面1134之間的間隙1132B。每一調整器1130A、1130B可使用任何合適的調整機構。範例包括螺釘、凸輪、齒條與小齒輪、水平儀、活塞、楔子、或以上之任意二或更多者的任意組合。儘管在圖11A至11C中描繪兩調整器，但底部屏蔽1104可包含任何合適數量的調整器。例如，藉由使用三個調整器，底部屏蔽1104可用作為三腳架並藉此可獨立地調整三個調整器以控制三腳架的高度及傾斜度。由於調整的結果，側屏蔽1102係傾斜至幾乎等同於傾斜角度1110的角度。在某些範例中，亦可在底面1134上的X-Y平面中調整屏蔽系統1100的位置，而可有助於實現間隙1124A與1124B之間的相似性。
亦藉由調整器1130A及調整器1130B調整升降銷1120A、1120B的位置。如圖11C中所描繪的，藉由調整調整器1130A增加間隙1132A同時亦藉由調整調整器1130B減少間隙1132B，如此具有上升升降銷1120A之升降銷高度、下降升降銷1120B之升降銷高度、及調整兩升降銷之角度的效果。於圖11A至11C所描繪的範例中，升降銷高度表示從底面1134至升降銷之上端的距離。升降銷角度的調整可有助於對準升降銷1120A與升降銷孔1122A以及對準升降銷1120B與升降銷孔1122B。如此一來，此舉可協助避免升降銷於台座上升/下降期間受損傷或卡住。
此外，可相對於台座1112之表面調整升降銷平面度而使得升降銷1120A、1120B的上端與台座1112之表面幾近於平齊。於此，升降銷平面度表示在藉由二或更多升降銷(包括升降銷1120A及升降銷1120B)之上端定義的平面與台座1112的表面之間的平面性之程度。如圖11C中所描繪的，當下降台座1112時，升降銷1120A、1120B可一起接觸放置在台座1112之頂部上的基板。
對於使用者而言，相較於例如升降銷長度之調整或墊片之調整的其他方法，藉由調整調整器1130A至B而調整升降銷高度及升降銷平面度可更加方便。例如，移除屏蔽以接近墊片及升降銷、調整墊片及升降銷、而後放回屏蔽可能係勞力密集的。相比之下，例如藉由扭轉螺釘而調整調整器1130A至B對使用者而言可能係相對快速的。在其他範例中，可使用墊片以獨立於調整器1130A至B地調整升降銷之高度。
如圖11C中所示，當調整底部屏蔽1104時，輻射屏蔽1106的腳墊1140A、1140B維持與底面1134接觸。腳墊1140A、1140B穿過底部屏蔽1104中的開口1142A、1142B延伸。如此，輻射屏蔽1106沒有隨著底部屏蔽1104傾斜。因而，當調整底部屏蔽1104時，輻射屏蔽1106可經由腳墊1140A、1140B傳導熱以進行處理腔室中熱之移除。
圖12示意性地顯示配置以用於在台座屏蔽系統中使用的示例性側屏蔽1200。側屏蔽1200係圖10之側屏蔽1010或圖11A至11C之側屏蔽1102的範例。可將側屏蔽1200圍繞台座系統的台座支架配置以幫助保護台座系統免受處理環境影響。可藉由底部屏蔽支托側屏蔽1200。在某些範例中，側屏蔽可與底部屏蔽整合。
側屏蔽1200包含近似圓柱的形狀。在其他範例中，側屏蔽可包含任何其他合適的形狀。側屏蔽1200包含具有緊固件孔1204的凸緣1202。凸緣1202可協助將熱從側屏蔽1200移送至支托側屏蔽1200的底部屏蔽。可經由緊固件孔1204插入例如螺釘的緊固件以協助將側屏蔽1200固定至底部屏蔽。
在某些範例中，側屏蔽1200包含鋁及/或鋁合金。如以上所討論的，包含高於300 ºC之溫度的處理環境可能導致金屬合金(例如，鋁6061)的脫氣而可能使金屬合金變形、損傷、及/或弱化。然而，本文所揭示的範例可提供於處理環境下之側屏蔽的相對較低溫度。例如，在一實驗中，基板加熱器係加熱至500 ºC，而測量側屏蔽溫度係低於225 ºC。如此，本文所揭示的範例可提供包含相較於陶瓷可較不昂貴之金屬合金(例如，像是鋁6061的鋁合金)之側屏蔽的使用。在其他範例中，側屏蔽1200可包含任何其他合適的材料。範例包括耐蝕鋼或陶瓷。
圖13示意性地顯示配置以用於在台座屏蔽系統中使用的示例性底部屏蔽1300。底部屏蔽1300係圖10之底部屏蔽1012或圖11A至11C之底部屏蔽1104的範例。底部屏蔽1300係配置以支托側屏蔽，例如側屏蔽1010、側屏蔽1102、或側屏蔽1200。如圖13中所描繪的，底部屏蔽1300包含三個調整器1302A至C。在其他範例中，底部屏蔽可包含任何其他合適數量的調整器。示例性的調整器可包括螺釘、凸輪、齒條與小齒輪、水平儀、活塞、楔子、或此些結構之二或更多者的任意組合。在某些範例中，調整器可包含鎖固機構以鎖固調整器並防止移動。例如，調整器可包含調整螺釘及鎖固螺釘。在如此範例中，當處於上鎖位置時，鎖固螺釘可部分地覆蓋或以其他方式阻擋調整螺釘。當鎖固螺釘處於解鎖位置時調整螺釘係可調整的，而當鎖固螺釘處於上鎖位置時調整螺釘係不可調整的。
底部屏蔽1300進一步包含可與相應的側屏蔽之緊固件孔對準的緊固件孔1304以利於側屏蔽至底部屏蔽1300的附接。範例包括側屏蔽1200的緊固件孔1204。例如，螺紋穿過緊固件孔1204及緊固件孔1304的螺釘可用以將側屏蔽1200固定至底部屏蔽1300。在其他範例中，可使用任何合適的緊固件。範例包括夾具及螺栓。在進一步的範例中，可省略緊固件。例如，底部屏蔽可包含配置以容納側屏蔽的溝槽並藉由摩擦力夾持側屏蔽。
底部屏蔽1300進一步包含配置以支托相應複數升降銷的複數特徵部1306A至C。在某些範例中，可將特徵部1306A至C配置以防止升降銷位移。例如，特徵部1306A至C可為升降銷可停留在其中的凹部。在某些範例中，可將特徵部1306A至C配置以容納法碼及/或升降銷組件。例如，法碼可至少部分地停留在凹部內。再者，於某些範例中，可在特徵部中放置墊片使得墊片係配置在升降銷與底部屏蔽1300之間。返回參考圖10，凹部1028係可容納墊片以支托升降銷之特徵部的範例。
如以上所討論的，可將調整器1302A至C配置以調整升降銷高度、升降銷角度、側屏蔽高度、及側屏蔽傾斜度中的一或更多者。可一起調整調整器1302A至C以上升及下降底部屏蔽1300。再者，藉由傾斜底部屏蔽1300，可將調整器1302A至C用以相對於台座調整側屏蔽傾斜度及升降銷角度。
底部屏蔽1300進一步包含包括開口1308及開口1310的複數開口。開口1308係位於底部屏蔽1300的中央附近並且係配置以容納台座系統的台座支架。亦可將開口1308配置以允許淨洗氣體經由開口1308圍繞台座支架流動。開口1310係位於底部屏蔽1300的邊緣附近並且係配置以容納輻射屏蔽的腳墊。底部屏蔽1300包含配置以容納腳墊的六個開口。然而，在其他範例中，底部屏蔽可包含任何合適數量的開口以容納任何合適數量的腳墊。開口可包含任何合適的形狀及尺寸。再者，於某些範例中可將一開口配置以容納二或更多腳墊。
如上所述，在某些範例中，側屏蔽及底部屏蔽可為整合的。圖14顯示包含側屏蔽部1402及底部屏蔽部1404的示例性整合底部與側屏蔽1400。整合底部與側屏蔽1400進一步包含包括配置以調整側屏蔽傾斜度及側屏蔽高度之一或更多者而包括調整器1406的一或更多調整器。整合底部與側屏蔽1400進一步包含配置以容納輻射屏蔽之腳墊而包括開口1408的一或更多開口。整合底部與側屏蔽1400亦包含配置以容納一或更多升降銷而包括特徵部1410的一或更多特徵部。可以例如熔接的任何合適方式接合側屏蔽部1402與底部屏蔽部1404。在某些範例中，可將整合底部與側屏蔽1400機械加工、鑄造或以其他方式形成為單一部件。再者，於某些範例中，整合底部與側屏蔽1400包含鋁及/或鋁合金。
圖15顯示示例性輻射屏蔽1500的俯視示意圖。輻射屏蔽1500係圖10之輻射屏蔽1014或圖11A至11C之輻射屏蔽1106的範例。輻射屏蔽1500包含由虛線指示的六個腳墊1502A至F。圖16顯示顯現輻射屏蔽1500之底部的輻射屏蔽1500之透視圖。如在圖16中所見到的，輻射屏蔽1500的腳墊1502A至F向下延伸。當與底部屏蔽一起使用時，腳墊1502A至F穿過底部屏蔽中的開口向下延伸，例如穿過底部屏蔽1300的開口1310。輻射屏蔽1500係配置以吸收來自台座系統的熱。再者，腳墊1502A至F係配置以傳導熱以進行處理腔室中熱之移除。在某些範例中，腳墊1502A至F可包含具相對高導熱率的材料，例如銅。在其他範例中，可使用任何其他合適的材料。儘管在圖15至16中描繪的範例包含六個腳墊，但輻射屏蔽可包含任何合適數量的腳墊。再者，腳墊可具有任何合適的形狀。
輻射屏蔽1500進一步包含配置以容納台座系統之台座支架的開口1504。亦可將開口1504配置以允許淨洗氣體經由開口1504圍繞台座支架流動。輻射屏蔽1500進一步包含配置以容納一或更多升降銷的複數切口1506A至C。例如，切口1506A可容納升降銷穿過輻射屏蔽1500延伸以藉由底部屏蔽(例如，於底部屏蔽1300的特徵部1306A)被支托。同樣地，切口1506B可容納第二升降銷。切口1506C可容納第三升降銷。
如以上所提及的，可調整台座屏蔽系統以實現並維持與台座系統的適當對準。例如，可在處理工具的製造或維護期間調整台座屏蔽系統。
圖17顯示調整台座屏蔽系統的示例性方法1700。基板處理工具的台座系統包含台座及台座支架。基板處理工具的台座屏蔽系統包含側屏蔽、底部屏蔽、及輻射屏蔽。於1702，方法1700包含調整台座相對於處理化學品出口的傾斜角度。如上所述，真空的施加可能造成處理腔室之頂板的翹曲而導致處理化學品出口的傾斜。因而，於1704調整台座的傾斜角度可包含在調整台座的傾斜角度之前施加真空至處理工具的處理腔室。
於1706，方法1700進一步包含調整於台座屏蔽系統之底部屏蔽上的一或更多調整器以調整側屏蔽相對於台座的位置。在某些範例中，於1708，調整一或更多調整器包含調整螺釘、凸輪、齒條與小齒輪、水平儀、活塞、或楔子中的一或更多者。在某些範例中，於1710，調整一或更多調整器可包含調整側屏蔽的高度。在某些範例中，於1712，調整一或更多調整器可包含調整側屏蔽的傾斜。再者，在某些範例中，於1714，調整一或更多調整器可包含調整藉由底部屏蔽支托的一或更多升降銷的升降銷高度。並且，在某些範例中，於1716，調整一或更多調整器可包含調整相對於台座之表面的升降銷平面度。
將理解的是，在某些範例中，可在處理工具的相同處理站中使用所揭示之台座屏蔽系統及淨洗板的範例。所揭示的示例性台座屏蔽系統可幫助保護台座免於受到例如高溫及處理氣體的環境影響。再者，所揭示的示例性淨洗板可幫助防止多站工具的站之間的串擾。
在某些範例中，可將本文所述的方法及製程綁定至一或更多計算裝置的計算系統。特別是，可將如此方法及製程實施為電腦應用程式或服務、應用程式介面(API)、程式館、及/或其他電腦程式產品。
圖18示意性地顯示可實行以上所述方法及製程中之一或更多者的計算系統1800的非限制性範例。以簡化的形式顯示計算系統1800。計算系統1800可採下列形式：一或更多個人電腦、工作站、與晶圓處理工具整合的電腦、及/或網路可存取伺服器電腦。
計算系統1800包括邏輯機1802及儲存機1804。計算系統1800可選地可包括顯示子系統1806、輸入子系統1808、通信子系統1810、及/或未在圖18中顯示的其他組件。控制器150及950係計算系統1800的範例。
邏輯機1802包括配置以執行指令的一或更多實體裝置。例如，可將邏輯機配置以執行為一或更多應用程式、服務、程式、例行程序、程式庫、物件、組件、資料結構、或其他邏輯基本結構之部分的指令。可實施如此指令以執行任務、實施資料型式、轉換一或更多組件之狀態、實現技術效果、或以其他方式達到所期望的結果。
邏輯機可包括配置以執行軟體指令的一或更多處理器。額外地或可替代地，邏輯機可包括配置以執行硬體或韌體指令的一或更多硬體或韌體邏輯機。邏輯機的處理器可為單核心或多核心，並可將在處理器上執行的指令配置以用於序列的、平行的、及/或分散式的處理。可將邏輯機的個別組件可選地分散在二或更多分離裝置中，分離裝置係可位於遠端及/或配置以用於協調處理。可藉由配置在雲端運算配置中的可遠端存取、連網之計算裝置來虛擬化和執行邏輯機的實施態樣。
儲存機1804包括配置以保持可藉由邏輯機執行以實施本文所述方法及製程之指令1812的一或更多實體裝置。當實施如此方法及製程時，可轉換儲存機1804的狀態以例如保持不同的資料。
儲存機1804可包括可移除及/或內建裝置。儲存機1804可包括光學記憶體(例如，CD、DVD、HD-DVD、藍光磁碟等)、半導體記憶體(例如，RAM、EPROM、EEPROM等)、及/或磁記憶體(例如，硬碟機、軟碟機、磁帶機、MRAM等)，或其他者。儲存機1804可包括揮發性、非揮發性、動態、靜態、讀/寫、唯讀、隨機存取、順序存取、位置可定址、檔案可定址、及/或內容可定址裝置。
將理解的是，儲存機1804包括一或更多實體裝置。然而，本文所述之指令的實施態樣可替代地可藉由在有限持續時間內不由實體裝置保持的通信媒體(例如，電磁訊號、光訊號等)傳播。
可將邏輯機1802與儲存機1804的實施態樣一起整合為一或更多硬體邏輯組件。如此硬體邏輯組件可包括例如現場可程式邏輯閘陣列(FPGAs)、程式及應用特定積體電路(PASIC/ASICs)、程式及應用特定標準產品(PSSP/ASSPs)、單晶片系統(SOC)、及複雜可程式邏輯元件(CPLDs)。
當被包括在內時，顯示子系統1806可用以呈現由儲存機1804保持之資料的視覺表現。此視覺表現可採取圖形化使用者介面(GUI)的形式。由於本文描述的方法及製程改變由儲存機保持的資料，且因而轉換儲存機的狀態，故可同樣地轉換顯示子系統1806的狀態以視覺地表現底層資料中的變化。顯示子系統1806可包括利用幾乎任何型式之技術的一或更多顯示裝置。可將如此顯示裝置與邏輯機1802及/或儲存機1804在共享殼體中相結合，或者如此顯示裝置可為週邊顯示裝置。
當被包括在內時，輸入子系統1808可包含一或更多使用者輸入裝置或與之介面接合，使用者輸入裝置例如為鍵盤、滑鼠、或觸控螢幕。在某些範例中，輸入子系統可包含選定自然用戶輸入(NUI)組件或與之介面接合。如此組件可為整合的或週邊的，並且可在板上或板外處置輸入動作的轉換及/或處理。示例性的NUI組件可包括用於語音及/或語音識別的麥克風，以及用於機器視覺及/或手勢識別的紅外、彩色、立體、及/或深度相機。
當被包括在內時，可將通信子系統1810配置以將計算系統1800與一或更多其他計算裝置通信地耦接。通信子系統1810可包括與一或更多不同通信協定相容的有線及/或無線通信裝置。作為非限制性的範例，可將通信子系統配置以用於經由無線電話網路、或有線或無線區域或廣域網路進行通信。在某些範例中，通信子系統可允許計算系統1800經由例如網際網路的網路發送訊息至其他裝置及/或從其他裝置接收訊息。
將理解的是，本文所述的配置及/或方法本質上係示例性的，並且不應將此些具體範例或範例視為限制性的，因為許多變化係有可能的。本文所述的具體例行事務或方法可代表任意數量之處理策略中的一或更多者。如此，可按照所繪示及/或描述之序列、按照其他序列、平行地、或加以省略地執行所繪示及/或描述的諸多動作。同樣地，上述製程的順序可加以變化。
本揭示內容之標的包括諸多製程、系統及配置、及本文所揭示之其他特徵、功能、動作、及/或性質、以及上述之任意者與全部者之同等內容的所有新穎及非顯而易見的組合和子組合。
100:處理工具 102A:第一站 102B:第二站 106:處理腔室 110A:第一基板夾持具 110B:第二基板夾持具 112A:第一基板夾持具支架 112B:第二基板夾持具支架 114A:第一井 114B:第二井 116A:第一製程氣體出口 116B:第二製程氣體出口 118A:第一前驅物氣體源 118B:第二前驅物氣體源 120A:第一基板 120B:第二基板 130:淨洗板 132:淨洗氣體源 133:淨洗氣體流動箭號 134:排氣系統 136A:第一排氣埠 136B:第二排氣埠 138:指標盤 150:控制器 152A,152B,154:閥 160A:第一護罩 160B:第二護罩 200:站 202:基板夾持具 204:基板夾持具支架 205:井 206:移送環 208:基板 210:淨洗板 211:切口 212:製程氣體出口 214:牆 216,218:鄰近站 220:護罩 222:面向腔室表面 224A,224B,228A,228B:箭號 226:排氣埠 230:護罩的下表面 232:移送環的上表面 234:淨洗氣體流動箭號 300:組件 302:腔室底座 304:淨洗板 306A,306B,306C,306D:切口 308:指標盤 310A,310B,310C,310D:製程氣體出口 312A,312B,312C,312D:基板夾持具 316:護罩 318:面向腔室表面 320:移送環 322:主軸 328:插片 400,500,600,700:淨洗板 402,504A,504B,504C,504D,602,706:護罩 404A,404B,404C,404D,502A,502B,502C,502D:切口 406,704:淨洗板的平面部 604:凹口 702:淨洗孔 708:護罩的邊緣 710:淨洗板的某處 800:方法 802,804,806,808,810,812,814,816,818:步驟 900:處理工具 902A:第一處理站 902B:第二處理站 904:處理腔室 908A:第一台座 908B:第二台座 910A:第一台座支架 910B:第二台座支架 912A:第一井 912B:第二井 914A:第一台座屏蔽系統 914B:第二台座屏蔽系統 915A:第一空間 915B:第二空間 916A:第一處理化學品出口 916B:第二處理化學品出口 918:處理化學品源(一或多) 920A:第一基板 920B:第二基板 922:頂板 924,926:淨洗氣體源 928A,928B:淨洗氣體出口 934:排氣系統 938A,938B:排氣埠 950:控制器 952A,952B,954,956:閥 1000:處理腔室 1001:台座系統 1002:台座屏蔽系統 1003:台座 1004:台座支架 1006:基板 1007:台座表面 1008:基板加熱器 1010:側屏蔽 1012:底部屏蔽 1014:輻射屏蔽 1016:台座下方空間 1018:流動箭號 1020A,1020B:調整器 1021A,1021B:高度 1022:升降銷 1024:升降銷孔 1026:墊片 1028:凹部 1030:法碼 1034:開口 1036:腳墊 1040:處理腔室的底面 1046:箭號 1100:屏蔽系統 1102:側屏蔽 1104:底部屏蔽 1106:輻射屏蔽 1108:處理化學品出口 1110:傾斜角度 θ:角度 1112:台座 1114:台座支架 1120A,1120B:升降銷 1122A,1122B:升降銷孔 1130A,1130B:調整器 1124A,1124B,1132A,1132B:間隙 1134:處理腔室的底面 1140A,1140B:腳墊 1142A,1142B:開口 1200:側屏蔽 1202:凸緣 1204:緊固件孔 1300:底部屏蔽 1302A,1302B,1302C:調整器 1304:緊固件孔 1306A,1306B,1306C:特徵部 1308,1310:開口 1400:整合底部與側屏蔽 1402:側屏蔽部 1404:底部屏蔽部 1406:調整器 1408:開口 1410:特徵部 1500:輻射屏蔽 1502A,1502B,1502C,1502D,1502E,1502F:腳墊 1504:開口 1506A,1506B,1506C:切口 1700:方法 1702,1704,1706,1708,1710,1712,1714,1716:步驟 1800:計算系統 1802:邏輯機 1804:儲存機 1806:顯示子系統 1808:輸入子系統 1810:通信子系統 1812:指令
圖1顯示在處理腔室內包含複數站的示例性處理工具。
圖2顯示包含具護罩之淨洗板的示例站的側面示意圖。
圖3示意性地顯示示例性四站處理腔室之選定組件的分解圖。
圖4示意性地顯示包含圍繞切口之一部分定位之護罩的示例性淨洗板的仰視圖。
圖5示意性地顯示包含複數護罩之示例性淨洗板的仰視圖。
圖6示意性地顯示包含具有凹口以容納移送環之護罩的示例性淨洗板的仰視圖。
圖7示意性地顯示形成在淨洗板中之淨洗孔的示例性圖案。
圖8顯示用於在多站處理腔室中處理基板的示例性方法的流程圖。
圖9示意性地顯示包含位於處理腔室內之複數台座系統及相應之複數台座屏蔽系統的示例性處理工具。
圖10顯示處理腔室內之示例性台座屏蔽系統之橫截面的示意圖。
圖11A至11C示意性地顯示台座與台座屏蔽系統相對於處理化學品出口的調整。
圖12顯示配置以在台座屏蔽系統中使用的示例性側屏蔽。
圖13顯示配置以在台座屏蔽系統中使用的示例性底部屏蔽。
圖14顯示示例性整合的側屏蔽與底部屏蔽。
圖15顯示配置以在台座屏蔽系統中使用的示例性輻射屏蔽的俯視圖。
圖16顯示圖15之輻射屏蔽的仰視圖。
圖17顯示用於調整包含台座系統及台座屏蔽系統之處理工具的示例性方法的流程圖。
圖18顯示示例性計算系統的方塊圖。
100:處理工具
102A:第一站
102B:第二站
106:處理腔室
110A:第一基板夾持具
110B:第二基板夾持具
112A:第一基板夾持具支架
112B:第二基板夾持具支架
114A:第一井
114B:第二井
116A:第一製程氣體出口
116B:第二製程氣體出口
118A:第一前驅物氣體源
118B:第二前驅物氣體源
120A:第一基板
120B:第二基板
130:淨洗板
132:淨洗氣體源
133:淨洗氣體流動箭號
134:排氣系統
136A:第一排氣埠
136B:第二排氣埠
138:指標盤
150:控制器
152A,152B,154:閥
160A:第一護罩
160B:第二護罩

Claims (20)

  1. 一種處理工具，包含： 一處理腔室，包含： 複數站，及 一淨洗板，包含： 一面向腔室表面， 複數切口，配置以容納該複數站的一製程氣體出口， 一護罩，圍繞該複數切口中的一第一切口之周邊的至少一部分配置，該護罩遠離該面向腔室表面延伸，及 複數淨洗氣體孔，形成在該面向腔室表面及該護罩中。
  2. 如請求項1之處理工具，其中該護罩係一第一護罩，且該處理工具進一步包含至少部分地圍繞該複數切口中的一第二切口之周邊配置的一第二護罩。
  3. 如請求項1之處理工具，其中該複數淨洗氣體孔包含一圖案，且其中該圖案於該護罩的一邊緣處中斷。
  4. 如請求項1之處理工具，其中該護罩係配置以容納一移送環的一或更多插片。
  5. 如請求項1之處理工具，進一步包含位於該複數站之其中一站的一台座、在該處理腔室之一底面上方支托該台座的一台座支架、以及一台座屏蔽系統，該台座屏蔽系統包含： 一側屏蔽，圍繞該台座支架配置， 一底部屏蔽，支托該側屏蔽，該底部屏蔽包含配置以調整一側屏蔽傾斜度及一側屏蔽高度之一或更多者的複數調整器，該底部屏蔽進一步包含一或更多開口，及 一輻射屏蔽，配置以吸收從該台座放射之熱並自該處理腔室轉移要移除的該熱，該輻射屏蔽包含穿過該底部屏蔽的該一或更多開口延伸的一或更多腳墊。
  6. 如請求項5之處理工具，其中該側屏蔽係圍繞該台座配置，且該處理工具進一步包含一淨洗氣體出口以將淨洗氣體流入至少部分地由該側屏蔽包圍的一空間中。
  7. 如請求項5之處理工具，進一步包含由該底部屏蔽支托的複數升降銷，且其中該底部屏蔽的該複數調整器係進一步配置以調整升降銷高度及相對於台座角度之升降銷角度中的一或更多者，其中該輻射屏蔽包含配置以容納該複數升降銷的複數切口。
  8. 一種用於處理工具中之處理腔室的淨洗板，該淨洗板包含： 一面向腔室表面； 一切口，配置以容納該處理工具的一相應製程氣體出口； 一護罩，圍繞該切口之周邊的至少一部分配置，該護罩從該面向腔室表面延伸；及 複數淨洗氣體孔，形成在該面向腔室表面及該護罩中。
  9. 如請求項8之淨洗板，其中該淨洗板包含一單一本體。
  10. 如請求項8之淨洗板，其中該淨洗板係由鋁形成。
  11. 如請求項8之淨洗板，其中該護罩係一第一護罩，且該淨洗板進一步包含圍繞一第二切口配置的一第二護罩。
  12. 如請求項8之淨洗板，其中該複數淨洗氣體孔包含一圖案，該圖案於該護罩的一邊緣處中斷。
  13. 如請求項8之淨洗板，其中該護罩遠離該面向腔室表面延伸介於0.10吋與0.25吋間之範圍內的一距離。
  14. 如請求項8之淨洗板，進一步包含第二、第三、及第四切口。
  15. 如請求項8之淨洗板，其中該護罩包含配置以容納一移送環之一或更多插片的一或更多凹口。
  16. 如請求項8之淨洗板，其中該淨洗板係配置以用於一化學氣相沉積工具的一沉積腔室。
  17. 一種在處理工具的處理腔室內處理複數基板的方法，該處理腔室包含複數站以及相應的複數製程氣體出口，該處理腔室進一步包含一淨洗板，該淨洗板包含每一者係配置以容納該複數製程氣體出口中之一製程氣體出口的複數切口，所述處理該複數基板的方法包含： 在一第一站的一第一基板上方流動一第一前驅物氣體； 在一第二站的一第二基板上方流動一第二前驅物氣體； 經由貫穿該淨洗板的一面向腔室表面形成的淨洗孔流動一淨洗氣體；以及 經由貫穿該淨洗板的一護罩形成的淨洗孔流動該淨洗氣體，該護罩係圍繞該複數切口中的一第一切口之周邊的至少一部分配置。
  18. 如請求項17之處理複數基板的方法，其中該護罩係一第一護罩，且該方法進一步包含經由在該淨洗板的一第二護罩中形成的淨洗孔流動該淨洗氣體，該第二護罩係至少部分地圍繞該複數切口中的一第二切口的一部分配置。
  19. 如請求項17之處理複數基板的方法，其中處理該複數基板的該方法進一步包含一額外方法，該額外方法包含： 執行一化學氣相沉積製程。
  20. 如請求項17之處理該複數基板的方法，進一步包含於流動該第一前驅物氣體之後將該第一基板移送至該第二站，以及於流動該第二前驅物氣體之後將該第二基板移送至一第三站。
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