TW202402764A - 銦化合物、包含其的含銦薄膜沉積用組合物及用於製造含銦薄膜之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種新穎銦化合物、製備前述銦化合物之方法、包含前述銦化合物的含銦薄膜沉積用組合物、及使用前述銦組合物來製造含銦薄膜之方法，且藉由使用前述方法，可在經改善及穩定的沉積速率下製造含有均勻組分之高品質含銦薄膜。

Description

銦化合物、包含其的含銦薄膜沉積用組合物及用於製造含銦薄膜之方法
下文揭示內容係關於一種新穎銦化合物、製備前述銦化合物之方法、包含前述銦化合物的含銦薄膜沉積用組合物、及使用前述組合物來製造含銦薄膜之方法。
已在低功耗、高解析度、及高可靠性之目標下開發下一代顯示器。為了達成此目標，需要具有高電荷遷移率之薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)材料。
薄膜用於各種重要應用諸如半導體裝置製造及奈米技術中。這些應用包括例如導電膜、高折射率光學塗層、防腐塗層、光催化自清潔玻璃塗層、生物相容性塗層、場效應電晶體(field effect transistor，FET)中之閘極介電絕緣膜、介電電容器層、電容器電極、閘電極、黏著性擴散阻擋層、積體電路等。薄膜亦用於微電子應用中，諸如用於動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory，DRAM)應用之高k介電氧化物，及用於紅外偵測器及非依電性鐵電隨機存取記憶體(non-volatile ferroelectric random access memory，NV-FeFAMs)中之鐵電鈣鈦礦。微電子組件之持續小型化增加使用此等介電薄膜之需求。
先前，非晶矽用於薄膜電晶體，但是最近，使用具有比矽更高電荷遷移率並且比多晶矽更容易在較低溫度下處理的金屬氧化物。作為這些金屬氧化物，使用添加諸如銦及鋅之不同類型之金屬原子的材料，並且金屬氧化物薄膜藉由諸如濺鍍、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)、脈衝雷射沉積(pulsed laser deposition，PLD)、及化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)之過程來製造。
銦由於其極好透明性及電導性而廣泛地用於透明電極。當含銦(In)金屬薄膜藉由使用濺鍍靶之濺鍍來形成時，均勻地調整薄膜之組合物存在限制，因為所沉積薄膜之組合物由濺鍍靶確定。另外，很難在大面積沉積期間保持薄膜之均勻組合物及厚度，從而使得很難獲得均勻膜性質。另外，當膜藉由化學氣相沉積(CVD)而不是濺鍍來製造時，先前使用的諸如三甲基銦(CAS NO. 3385-78-2)之銦前驅物主要為固體，因此在蒸氣壓力控制及均勻膜之可重現性方面存在問題。具體而言，大多數銦(In)前驅物在250℃或更高之高溫下熱分解，使得難以獲得高品質薄膜，並且在大面積沉積期間，獲得具有均勻厚度及恆定多組分組合物之薄膜亦存在限制。
因此，需要開發在高溫下具有優異熱穩定性並且均勻沉積的高品質銦前驅物。
[先前技術文獻] [專利文獻] 專利文件1：韓國專利註冊第10-2328782號。 專利文件2：韓國專利註冊第10-1953893號。
本發明之實施例針對提供具有經改善之物理及化學性質的新穎銦化合物及其製備方法。
本發明之另一實施例針對提供包含新穎銦化合物的具有高揮發性之含銦薄膜沉積用組合物。
本發明之另一實施例針對提供使用含銦薄膜沉積用組合物來製造表現出經改善之沉積速率的均勻含銦薄膜之方法。
在一個一般態樣中，提供一種由下式1表示之銦化合物： [式1] 其中， R 1至R 8各自獨立地為氫、C 1-C 7烷基、C 2-C 7烯基、C 2-C 7炔基、C 6-C 12芳基、C 6-C 12芳基C 1-C 7烷基、C 3-C 10環烷基、或C 1-C 7烷氧基。
銦化合物可具有250至500℃之熱分解溫度，並且式1中之R 1至R 8可各自獨立地為氫、C 1-C 5烷基、C 2-C 5烯基、C 2-C 5炔基、或C 1-C 5烷氧基，並且更具體而言，式1中之R 1至R 8可各自獨立地為氫或C 1-C 4烷基。
根據本發明之一實施例之銦化合物可選自以下化合物： 。
在另一個一般態樣中，提供一種含銦薄膜沉積用組合物，其包含如上所述之銦化合物。含銦薄膜沉積用組合物可進一步包含鎵前驅物及鋅前驅物。
在另一個一般態樣中，提供一種用於製造含銦薄膜之方法，前述方法包括：步驟a)升高安裝於腔室中之基材之溫度；步驟b)將根據本發明之一實施例之含銦薄膜沉積用組合物注射和吸附至其溫度升高之基材；及步驟c)藉由將反應氣體注射至含銦薄膜沉積用組合物吸附之基材來製造含銦薄膜。
反應氣體可為選自由以下組成之群的任何一者或兩者或兩者以上：氧(O 2)、臭氧(O 3)、蒸餾水(H 2O)、過氧化氫(H 2O 2)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N 2O)、二氧化氮(NO 2)、氨(NH 3)、氮(N 2)、肼(N 2H 4)、胺、二胺、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO 2)、飽和或不飽和C 1至C 12烴、氫(H 2)、氬(Ar)、及氦(He)。
另外，步驟a)中之基材之溫度可為200至600℃。
在下文，根據本發明之銦化合物、包含前述銦化合物之含銦薄膜沉積用組合物、及使用前述組合物來製造含銦薄膜之方法將詳細描述。
除非上下文另外指示，否則本文使用之單數形式意欲亦包括複數形式。
另外，本文使用之數值範圍包括下限、上限及彼範圍內之所有值、自所定義範圍之形式及寬度邏輯導出之增量、所有雙重定義值、及以不同形式來定義之數值範圍之上限及下限的所有可能組合。除非在本文中另外特別定義，否則可能由於實驗誤差或捨入值而導致出現的在數值範圍以外之值亦包括於所定義數值範圍中。
如本文使用，術語「包含」為具有與諸如「包括」、「含有」、「具有」、或「以…為特徵」之表述相等之含義的「開放性」描述，並且不排除未進一步列舉的要素、材料、或過程。
如本文使用，「烷基」係指具有1至7個碳原子，及較佳1至5個碳原子的直鏈或支鏈非環狀烴。另外，在另一態樣中，烷基可具有1至3個碳原子。
如本文使用，「烯基」係指具有至少一個碳-碳雙鍵的飽和直鏈或支鏈無環烴，並且其實例包括但是不限於-乙烯基、-烯丙基、-1-丁烯基、-2-丁烯基、-異丁烯基、-1-戊烯基、-2-戊烯基、-3-甲基-1-丁烯基、-2-甲基-2-丁烯基、-2,3-二甲基-2-丁烯基、-1-己烯基、-2-己烯基、-3-己烯基、-1-庚烯基、-2-庚烯基、及-3-庚烯基。這些烯基可視需要經取代。烯基包括具有順式及反式取向，或替代地，E及Z取向的基團。
如本文使用，「炔基」係指具有至少一個碳-碳三鍵的飽和直鏈或支鏈無環烴，並且其實例包括但是不限於乙炔基、丙炔基、丁炔基、丁二炔基、戊炔基、戊二炔基、己炔基、己二炔基、及其異構物。
如本文使用，「環烷基」係指含有碳及氫原子並且不具有碳-碳多鍵的單環或多環飽和環。環烷基之實例包括但不限於環丙基、環丁基、環戊基、環己基、及環庚基。環烷基可視需要經取代。
如本文使用，「鹵素」係指氟、氯、溴、或碘。
如本文使用，「芳基」係指含有5至12個環原子之碳環芳香族基團。代表性實例包括但不限於苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、四氫萘基、茚基、薁基等。此外，芳基包括藉由伸烷基或伸烯基，或亦藉由選自B、O、N、C(=O)、P、P(=O)、S、S(=O) 2及Si原子之一或多個雜原子來連接的一或多個碳環芳香族基團。
如本文使用，「烷氧基」係指-O-(烷基)，包括-OCH 3、-OCH 2CH 3、-O(CH 2) 2CH 3、-O(CH 2) 3CH 3、-O(CH 2) 4CH 3、-O(CH 2) 5CH 3、及其類似基團，其中烷基如上文定義。
本發明中描述之碳原子之數目不包括取代基之碳原子之數目。例如，C 1-C 7烷基係指具有1至7個碳原子之烷基，其不包括烷基之取代基之碳原子之數目。
在下文，詳細描述本發明。除非另外定義，否則本文使用之技術術語及科學術語具有彼等熟習本發明所屬之技術者理解之一般含義，並且不必要地模糊本發明之要旨的已知功能及組態之描述在以下描述中省去。
本發明提供一種由下式1表示之銦化合物： [式1] 其中， R 1至R 8各自獨立地為氫、C 1-C 7烷基、C 2-C 7烯基、C 2-C 7炔基、C 6-C 12芳基、C 6-C 12芳基C 1-C 7烷基、C 3-C 10環烷基、或C 1-C 7烷氧基。
銦化合物可具有250至500℃、較佳300至450℃、及更佳300至400℃之熱分解溫度。
另外，銦化合物可由於其較高揮發性及經改善之蒸氣壓力而呈現出較高沉積速率，並且為具有經改善之熱穩定性的化合物，具有優異儲存穩定性，並且可更容易處理。
在根據本發明之一實施例之銦化合物中，式1中之R 1至R 8可各自獨立地為氫、C 1-C 5烷基、C 2-C 5烯基、C 2-C 5炔基、或C 1-C 5烷氧基。具體而言，式1中之R 1至R 8可各自獨立地為氫或C 1-C 4烷基，並且更具體而言，式1中之R 1至R 8可各自獨立地為氫或C 1-C 3烷基。
根據本發明之一實施例之銦化合物可由下式11表示： [式11] 其中， R 1至R 5各自獨立地為氫、C 1-C 7烷基、C 2-C 7烯基、C 2-C 7炔基、C 6-C 12芳基、C 6-C 12芳基C 1-C 7烷基、C 3-C 10環烷基、或C 1-C 7烷氧基。
式11中之R 1至R 5可各自獨立地為氫、C 1-C 5烷基、C 2-C 5烯基、C 2-C 5炔基、或C 1-C 5烷氧基。具體而言，式11中之R 1至R 5可各自獨立地為氫或C 1-C 4烷基，並且更具體而言，式11中之R 1至R 5可各自獨立地為氫或C 1-C 3烷基。
根據本發明之一實施例之銦化合物可選自以下化合物： 。
具體而言，根據一實施例之銦化合物可選自以下化合物： 。
根據本發明之一實施例的製備藉由以下式1表示之銦化合物之方法可包括使藉由以下式2表示之化合物與藉由以下式3表示之化合物反應： [式1] [式2] [式3] 其中， R 1至R 8各自獨立地為氫、C 1-C 10烷基、C 3-C 10烯基、C 3-C 10炔基、C 6-C 20芳基、C 6-C 20芳基C 1-C 10烷基、C 3-C 20環烷基、或C 1-C 10烷氧基；及 X為鹵素。
另外，藉由式2表示之化合物可藉由使藉由以下式4表示之化合物與藉由以下式5表示之化合物反應來製備： [式4] [式5] 其中， R 1各自獨立地為氫、C 1-C 10烷基、C 3-C 10烯基、C 3-C 10炔基、C 6-C 20芳基、C 6-C 20芳基C 1-C 10烷基、C 3-C 20環烷基、或C 1-C 10烷氧基；及 X為鹵素。
製備藉由式1表示之銦化合物的方法可在習知有機合成中使用之溫度下進行，但是前述溫度可視反應物及起始材料之量而變化，並且較佳為-20至80℃、-10至60℃、及0至40℃。
另外，用於製備方法中之溶劑可為任何常見有機溶劑，且可為但不限於選自由以下組成之群的一者或兩者或兩者以上：己烷、戊烷、二氯甲烷(DCM)、二氯乙烷(DCE)、苯、甲苯、乙腈(MeCN)、硝基甲烷、四氫呋喃(THF)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、及N,N-二甲基乙醯胺(DMA)。
在製備方法中，各反應可在經由NMR確認起始材料完全消耗之後終止，並且反應完成之後，分離及純化化合物之過程可經由習知方法諸如萃取、在減壓下蒸餾溶劑、及管柱層析來進一步執行。
製造銦化合物之方法可在高產率下製造高純度銦化合物並且可為溫和及簡單過程，以使得可促進工業使用。
另外，本發明提供根據一實施例的包含銦化合物的含銦薄膜沉積用組合物。
含銦薄膜沉積用組合物可用於半導體薄膜、及用於顯示器之IGZO薄膜。又，作為含銦薄膜沉積用組合物，根據一實施例之銦化合物可單獨使用，並且可使用銦化合物及選自鎵前驅物及鋅前驅物之一者或兩者的混合物。
具體而言，鎵前驅物可為三甲基鎵(TMG)，且鋅前驅物可為二乙基鋅(DEZ)，但是本發明不限於此。
根據本發明之一實施例的製備含銦薄膜之方法可具有包括不同金屬之多層結構之薄膜形式製造，其中薄膜可藉由按順序沉積含銦薄膜沉積用組合物及另一種金屬之前驅物而具有堆疊結構，或可藉由將含銦薄膜沉積用組合物與另一種金屬之前驅物混合來沉積。
更詳細地，具有多層結構之薄膜可為IGZO(銦/鎵/鋅/氧化物)，且銦:鎵:鋅之原子比可為1:0.1至5:0.1至10，較佳1:0.1至3:0.3至5，及更佳1:1:1。
含銦薄膜沉積用組合物可在沉積過程期間具有恆定蒸氣壓力，以使得薄膜之組合物保持恆定，由此製造具有恆定組分之均勻薄膜。又，含銦薄膜沉積用組合物可在具有均勻膜厚度的同時呈現出優異階梯覆蓋，由此製造甚至在三維裝置中顯示顯著改善性能的薄膜。
具體而言，不同於其他類型之金屬，氧化銦鎵鋅(IGZO)半導體由於其高遷移率、極好均勻性、及非常低洩漏電流特性，作為用於像素密度及低功率螢幕之主動矩陣材料為非常有價值的。
另外，本發明提供一種用於製造含銦薄膜之方法，並且根據一實施例的製造含銦薄膜之方法可包括：步驟a)升高安裝於腔室中之基材之溫度；步驟b)將根據本發明之一實施例之含銦薄膜沉積用組合物注射和吸附至其溫度升高之基材；及步驟c)藉由將反應氣體注射至含銦薄膜沉積用組合物吸附之基材來製造含銦薄膜。
具體而言，步驟a)中之基材之溫度可保持於200至600℃，具體而言250至600℃，並且更具體而言300至500℃。可甚至在諸如上述溫度之較高溫度下沉積含銦薄膜沉積用組合物而不使銦化合物熱分解，由此改善沉積過程之穩定性並且增加生產力。
另外，可藉由減少雜質諸如碳之含量以便製造高品質含銦薄膜，從而製造使用製造含銦薄膜之方法來製造之含銦薄膜。
用於根據一實施例之製造含銦薄膜之方法中之基材可包括但不限於選自由以下組成之群的一種或兩種或兩種以上基材：玻璃、矽、金屬、聚酯(PE)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醚碸(PES)、聚醚醚酮(PEEK)、及聚醯亞胺(PI)。
在用於製造含銦薄膜之方法之步驟b)中，含銦薄膜沉積用組合物可藉由將其添加於不鏽鋼起泡器容器中來使用並且溫度可保持在70至130℃，具體而言80至120℃，並且更具體而言90至110℃。
另外，在步驟b)中，沉積條件可根據所需薄膜之結構或熱特性來調整，並且根據一實施例之沉積條件之實例包括銦化合物、反應氣體及轉移氣體之輸入流動速率、壓力、及RF功率。
作為此等沉積條件之非限制性實例，銦化合物之輸入流動速率可在起泡器類型中、在1至1,000 sccm之範圍內調整，轉移氣體之輸入流動速率可在1至5,000 sccm之範圍內調整，反應氣體之輸入流動速率可在10至5,000 sccm之範圍內調整，並且壓力可在0.1至10托之範圍內調整，但是本發明不限於此。
在製造方法之步驟b)中注射含銦薄膜沉積用組合物時的注射時間可為1至30秒，較佳1至20秒，並且更佳2至10秒，並且在此範圍內，薄膜之厚度之均勻性得以改善，以使得可甚至在具有複雜形狀之基材上製造均勻薄膜。
製造方法之步驟c)中之反應氣體可為但不限於選自由以下組成之群的任何一者或兩者或兩者以上：氧(O 2)、臭氧(O 3)、蒸餾水(H 2O)、過氧化氫(H 2O 2)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N 2O)、二氧化氮(NO 2)、氨(NH 3)、氮(N 2)、肼(N 2H 4)、胺、二胺、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO 2)、飽和或不飽和C 1-C 12烴、氫(H 2)、氬(Ar)、及氦(He)，具體而言，選自由氧(O 2)、臭氧(O 3)、蒸餾水(H 2O)、及過氧化氫(H 2O 2)組成之群的任何一者或兩者或兩者以上，並且更具體而言為氧(O 2)或臭氧(O 3)。
在一實施例中，製造方法中之轉移氣體可為惰性氣體，並且可為選自由氬(Ar)、氦(He)、及氮(N 2)組成之群的任何一者或兩者或兩者以上，並且具體而言為氮(N 2)，但是本發明不限於此。
根據一實施例之製造含銦薄膜之方法可在200至600℃之溫度下，具體而言在250至600℃之溫度下，並且更具體而言在300至500之溫度下執行。
根據一實施例之用於製造含銦薄膜之方法可藉由將步驟b)及步驟c)作為一個循環來重複循環而執行，並且可執行循環直到形成具有所需厚度之薄膜為止，具體而言100至5000個循環，並且更具體而言，500至2000個循環，但是本發明不限於此。
根據一實施例之用於製造含銦薄膜之方法可進一步包括用轉移氣體來執行吹掃，以便在步驟b)之後移除未吸附的組合物並且在步驟c)之後移除反應副產物及殘餘反應氣體。
另外，根據本發明之一實施例的製造含銦薄膜之方法可藉由原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、金屬有機化學氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)、低壓氣相沉積(low pressure vapor deposition，LPCVD)、電漿增強氣相沉積(plasma enhanced vapor deposition，PECVD)、或電漿增強原子層沉積(plasma enhanced atomic layer deposition，PEALD)，及較佳原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)來執行。
藉由根據本發明之一實施例之用於製造含銦薄膜之方法所製造的薄膜為均勻的並且呈現出經改善之沉積速率，並且因此可為具有均勻組合物及優異電氣品質的高品質含銦薄膜。
在下文，根據本發明之銦化合物、包含前述銦化合物之含銦薄膜沉積用組合物、及使用前述組合物來製造含銦薄膜之方法將經由具體實例來詳細描述。
然而，以下實例僅為詳細地描述本發明之參考，並且本發明不限於此並且可以不同形式實施。另外，用於描述本發明之術語僅用於有效地描述特定實施例，並且不意欲限制本發明。
此外，除非另外提及，否則所有實例使用在此項技術中通常已知的處理空氣敏感材料之技術諸如「Schlenk技術」，在惰性氣氛諸如純化氮氣(N 2)或氬氣(Ar)下執行。
[實例1]合成MeIn(Pr) 2NMe
向配備有磁力攪拌器及冷凝器之燒瓶，添加8.5 g (0.35 mol)之Mg及0.45 g (0.003 mol)之I 2，隨後真空乾燥。向其中添加250 mL之THF，並且在將溫度保持於60℃的同時，添加1.52 g (0.014 mol)之溴乙烷及34.13 g (0.185 mol)之MeN(PrCl) 2。在60℃下攪拌8小時之後，將反應終止以合成MeN(PrMgCl) 2。
向配備有磁力攪拌器及冷凝器之燒瓶，添加38.7 g (0.14 mol)之InCl 3，並且添加200 mL之正己烷，隨後在保持10℃的同時進行攪拌。向燒瓶，緩慢添加58.3 mL之MeMgCl (THF中之3.0 M溶液)並且在室溫下攪拌2小時以合成MeInCl 2。在保持10℃的同時，向燒瓶緩慢添加MeN(PrMgCl) 2，在室溫下攪拌8小時，並且確認形成淺灰色沉澱物。將合成混合物過濾之後，溶劑及揮發性副產物在減壓下移除，並且混合物在減壓下(61℃，0.5托)蒸餾以便獲得27 g之呈無色液體狀態之MeIn(Pr) 2NMe (產率：63%)。
1H NMR(400 MHz, C6D6) δ 2.0(m, 4H), 1.8(s, 3H), 1.7(m, 4H), 0.6(m, 4H), -0.1(s, 3H)
圖1示出實例1中製備之MeIn(Pr) 2NMe之TGA分析之結果，自其中可發現實例1之銦化合物具有約120℃下之單一蒸發步驟，並且500℃下之殘餘物質量為0.8%，指示快速蒸發特性及99%或更大之蒸發並且沒有熱分解。自此等結果，可發現實例1之銦化合物具有極好熱穩定性。
另外，圖2示出DSC分析之結果，其中確認約340℃下之吸熱峰。因此，可發現根據本發明之銦化合物甚至在250℃或更大之較高溫度下不熱分解，並且因此具有顯著改善熱穩定性。
[實例2]製造含銦薄膜
使用根據實例1之銦化合物及臭氧(O 3)作為反應氣體，藉由原子層沉積(ALD)來製造含銦薄膜。
將矽基材安裝於沉積腔室內部，並且將基材之溫度保持於350℃下。將實例1中製備之MeIn(Pr) 2NMe饋入不鏽鋼起泡器容器中並且將溫度保持於60℃。
使用氮氣(100 sccm)作為轉移氣體，將饋入化合物注射至沉積腔室中3秒。藉由注射氮氣(500 sccm)5秒來執行吹掃，以便移除保留於沉積腔室中之未吸附化合物。
注射作為反應氣體之臭氧(500 sccm)5秒以便沉積含銦氧化物薄膜。其後，藉由注射氮氣(500 sccm)5秒來執行吹掃以便移除殘餘反應氣體及反應副產物。
藉由以上述過程作為一個循環，執行1000個循環，從而製造含銦氧化物薄膜。作為含銦氧化物薄膜之XPS分析之結果，確認銦含量及氧含量經量測分別為38.4%及58.3%，並且形成實質上高純度氧化銦膜。
因此，根據本發明之一實施例之銦化合物為在液體狀態下之化合物並且具有經改善之熱穩定性、高揮發性、及經改善之蒸氣壓力。因此，當薄膜使用銦化合物來製造時，可形成藉由呈現出均勻及穩定沉積速率而具有較高可靠性的薄膜，提供用於三維裝置之均勻薄膜厚度，及製造顯示銦及氧之優異組成比率的薄膜。
由於根據本發明之新穎銦化合物呈現出經改善之物理及化學性質，因此包含銦化合物的含銦薄膜沉積用組合物具有高揮發性及優異熱穩定性及儲存穩定性。
另外，根據本發明之製備銦化合物之方法可經由溫和及簡單過程在高產率下產生銦化合物，由此促進工業使用。
此外，根據本發明的製造含銦薄膜之方法可藉由使用根據本發明之含銦薄膜沉積用組合物而呈現出經改善及穩定的沉積速率，可提供用於三維裝置之均勻階梯覆蓋，並且可提供具有均勻組分及優異電氣品質的高品質含銦薄膜。
在上文中，雖然本發明藉由具體事項、有限實施例及比較實例來描述，但是其僅為了幫助更全面理解本發明而提供。因此，本發明不限於示範性實施例。彼等熟習本發明所屬技術者根據此說明書可產生各種修改及變化。
因此，本發明之精神不應限於以上提到之實施例，但是請求項及與請求項相等或等效之所有修改意欲落於本發明之範圍及精神內。
無
圖1為示出實例1中製備之銦化合物之TGA分析之結果的示意圖。 圖2為示出實例1中製備之銦化合物之DSC分析之結果的示意圖。

Claims (10)

  1. 一種由下式1表示之銦化合物， [式1] 其中R 1至R 8各自獨立地為氫、C 1-C 7烷基、C 2-C 7烯基、C 2-C 7炔基、C 6-C 12芳基、C 6-C 12芳基C 1-C 7烷基、C 3-C 10環烷基、或C 1-C 7烷氧基。
  2. 如請求項1所述之銦化合物，其中前述銦化合物具有250至500℃之熱分解溫度。
  3. 如請求項1所述之銦化合物，其中式1中之R 1至R 8各自獨立地為氫、C 1-C 5烷基、C 2-C 5烯基、C 2-C 5炔基、或C 1-C 5烷氧基。
  4. 如請求項1所述之銦化合物，其中式1中之R 1至R 8各自獨立地為氫或C 1-C 4烷基。
  5. 如請求項1所述之銦化合物，其中前述銦化合物選自以下化合物： 。
  6. 一種含銦薄膜沉積用組合物，其包含如請求項1至5中任一項所述之銦化合物。
  7. 如請求項6所述之含銦薄膜沉積用組合物，其進一步包含鎵前驅物及鋅前驅物。
  8. 一種用於製造含銦薄膜之方法，其包括以下步驟： 步驟a) 升高安裝於腔室中之基材的溫度； 步驟b) 將如請求項6或7所述之含銦薄膜沉積用組合物注射和吸附至其溫度升高之基材；及 步驟c) 藉由將反應氣體注射至前述含銦薄膜沉積用組合物吸附之前述基材來製造含銦薄膜。
  9. 如請求項8所述之用於製造含銦薄膜之方法，其中前述反應氣體為選自由以下組成之群的任何一者或兩者或兩者以上：氧(O 2)、臭氧(O 3)、蒸餾水(H 2O)、過氧化氫(H 2O 2)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N 2O)、二氧化氮(NO 2)、氨(NH 3)、氮(N 2)、肼(N 2H 4)、胺、二胺、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO 2)、飽和或不飽和C 1至C 12烴、氫(H 2)、氬(Ar)、及氦(He)。
  10. 如請求項8所述之用於製造含銦薄膜之方法，其中在步驟a)中之前述基材之溫度為200至600℃。
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