TW202348608A

TW202348608A - 用於含有矽氮烷化合物的含矽封裝膜的組合物及使用其製備含矽封裝膜的方法

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Publication number: TW202348608A
Application number: TW112113102A
Authority: TW
Inventors: 權容熙; 任永宰; 全相勇; 卞泰錫; 李相贊; 李相益
Original assignee: 南韓商Ｄｎｆ有限公司
Priority date: 2022-04-08
Filing date: 2023-04-07
Publication date: 2023-12-16
Also published as: WO2023195691A1

Abstract

本發明提供一種含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物、及使用其製備含矽封裝膜的方法，其係藉由阻隔水分和氧來防止有機發光二極體的劣化。

Description

用於含有矽氮烷化合物的含矽封裝膜的組合物及使用其製備含矽封裝膜的方法

以下揭露關於一種含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物及使用其製備含矽封裝膜的方法。

有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode；OLED)具有諸如低功耗、輕便、簡單、視野廣和快速反應等特點，且因為它可應用到可撓性顯示器，已經被應用於諸如智慧型手機、平板電腦等智慧型終端機。

目前，OLED裝置的技術發展過程中仍存在一些問題，其限制OLED裝置產業化的進程，且該裝置的使用壽命正成為其中最重要的問題。OLED裝置的使用壽命一方面與所選擇的有機材料的性能和壽命有關，另一方面與OELD裝置的封裝方法有關。這是因為OLED裝置中的有機物和負極容易與水分和氧發生反應。特別是，由於在裝置中使用具有厚度為幾十奈米的活性金屬作為負極，即使微量水分或氧，金屬也會完全地反應，且這些材料的物理特性和性能會降低或損失，結果使裝置失去其功能。因此，藉由改善裝置的封裝效果，將裝置的各個功能層與周圍環境中的水分和氧隔離開，對於裝置的使用壽命具顯著重要。

傳統的OLED裝置封裝的方法是在基板上製作電極和各自功能層，然後藉由使用具有優異化學穩定性、緻密性和電絕緣性的基板作為裝置的覆蓋板來保護裝置。根據相關技術的方法所使用的玻璃基板，不僅容易造成黏合劑破裂或斷裂，而且不能滿足可撓性效果的要求。另外，在玻璃基板的情況下，玻璃基板所佔用的空間較大，不符合OLED裝置輕薄化的趨勢。

作為一種新穎的封裝製程，已應用薄膜封裝(TFE)技術，且此技術是一種無間隙封裝方法的類型，其藉由形成具有緻密結構的薄膜來實現封裝區域中裝置的物理保護。在根據相關技術的無機層薄膜封裝結構中，由於雜質可能會形成針孔，水分和氧可能會從中滲透，且包括具有優異可撓性性能的聚合物膜的有機薄膜對阻隔水分和氧的能力不良。因此，已經對於可解決上述問題的具有低雜質含量和對阻隔水分和氧具有優異能力的封裝膜進行研究。

[先前技術] [專利文獻] 專利文件1：韓國專利公開號10-2016-0146525 A。專利文件2：韓國專利公開號10-2015-0066734 A。

本發明之實施例係關於提供一種含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物、以及製備含矽封裝膜的方法，其係使用該組合物藉由阻隔水分和氧來防止有機發光二極體的劣化。

在一個一般態樣中，一種用於含矽封裝膜的組合物，包含由以下化學式1表示之矽氮烷化合物： [化學式1] 在化學式1中， R ¹為C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基或C6-C12芳基； R ²和R ³各自獨立地為氫、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基、C6-C12芳基、C1-C7鹵烷基或鹵素；及 X為鹵素。

較佳地，在化學式1中，R ¹可為C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C6環烷基或C6-C12 芳基，且R ²和R ³各自獨立地為氫、C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C6環烷基、C6-C12芳基、C1-C5鹵烷基或鹵素。

根據本發明之示例性實施例，矽氮烷化合物可由以下化學式2表示： [化學式2] 在化學式2中， R ¹¹為C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基或C6-C12芳基； R ¹²為氫、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基、C6-C12芳基、C1-C7鹵烷基或鹵素；及 X為鹵素。

根據示例性實施例，在化學式1中，X可為Cl。

根據示例性實施例，矽氮烷化合物可為選自以下化合物：。

在另一個一般態樣中，一種用於製備含矽封裝膜的方法包括使用矽氮烷化合物或含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物、及反應氣體沉積含矽封裝膜，矽氮烷化合物係由以下化學式1表示： [化學式1] 在化學式1中， R ¹至R ³和X係如上述所定義。

用於製備含矽封裝膜的方法可進一步包括將由化學式1表示之矽氮烷化合物或含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物吸附到基板上；及將反應氣體注入到基板中，以形成含矽封裝膜。

用於製備含矽封裝膜的方法可進一步包括將由化學式1表示之矽氮烷化合物或含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物、及反應氣體同時注入到基板中，以形成含矽封裝膜。

在用於製備含矽封裝膜的方法中，基板的溫度可為200℃或更低，且反應氣體可為選自以下之一種或兩種或更多種：氧(O ₂)、臭氧(O ₃)、蒸餾水(H ₂O)、過氧化氫(H ₂O ₂)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N ₂O)、二氧化氮(NO ₂)、氨(NH ₃)、氮(N ₂)、肼(N ₂H ₄)、胺、二胺、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO ₂)、C1至C12飽和或不飽和烴、氫(H ₂)、氬(Ar)和氦(He)。

藉由根據本發明之示例性實施例的用於製備含矽封裝膜的方法製造的含矽封裝膜可為氧化矽膜或氮化矽膜，且可具有0.1g/[m ²-天]或更小的水蒸氣穿透率。

其他特徵和態樣將從以下詳細描述、圖式和申請專利範圍中顯而易見。

下文，將詳細描述含有本發明之矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物及使用其製備含矽封裝膜的方法。

除非上下文另有明確說明，否則本發明中使用的單數形式可意欲包括複數形式。

另外，在本發明中使用的數值範圍包括上限和下限及在這些限制內的所有值、邏輯上從定義範圍的形式和跨距導出的增量、所有雙限值、以及以不同形式定義的數值範圍內之上限和下限的所有可能組合。除非在本發明的說明書中另有明確指定，否則由於實驗誤差或四捨五入而可能出現的數值範圍外的值也落在所定義的數值範圍內。

在本發明中所述的表述「包括」意指具有與「包含」、「含有」、「具有」及「特徵在於」等同含義的開放式連接詞，且不排除元素、材料或步驟，其在此不再贅述。

本發明中所述的「烷基」是指直鏈或分支鏈的非環烴，且可具有1至10個碳原子，較佳1至5個碳原子。此外，在另一態樣中，烷基可具有1至3個碳原子。

本發明中所述的「烯基」是指具有至少一個碳-碳雙鍵的直鏈或分支鏈飽和非環烴，包括但不限於乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、異丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、1-庚烯基、2-庚烯基、3-庚烯基、1-辛烯基、2-辛烯基、3-辛烯基、1-壬烯基、2-壬烯基、3-壬烯基、1-癸烯基、2-癸烯基和3-癸烯基。這些烯基可視需要地經取代。烯基包括具有「順式」和「反式」位向，或可選地，「E」和「Z」位向的基團。

本發明所述的「炔基」是指具有至少一個碳-碳三鍵的直鏈或分支鏈飽和非環烴，且包括但不限於乙炔基、丙炔基、丁炔基、丁二炔基、戊炔基、戊二炔基、己炔基、己二炔基及其異構物。

本發明所述的「環烷基」是指含有碳原子和氫原子且不具有碳-碳多鍵的單環或多環飽和環。環烷基包括但不限於環丙基、環丁基、環戊基、環己基和環庚基。環烷基可視需要地經取代。

本發明所述的「鹵素」是指氟、氯、溴或碘。

本發明所述的「鹵烷基」是指其中一個或多個氫原子經鹵素原子取代的烷基。例如，鹵烷基包括-CF ₃、-CHF ₂、-CH ₂F、-CBr ₃、-CHBr ₂、-CH ₂Br、-CCl ₃、-CHCl ₂、-CH ₂CI、-CI ₃、-CHI ₂、-CH ₂I、-CH ₂-CF ₃、-CH ₂-CHF ₂、-CH ₂-CH ₂F、-CH ₂-CBr ₃、-CH ₂-CHBr ₂、-CH ₂-CH ₂Br、-CH ₂-CCl ₃、-CH ₂-CHCl ₂、-CH2-CH ₂CI、-CH ₂-CI ₃、-CH ₂-CHI ₂、-CH ₂-CH ₂I等。此處，烷基和鹵素如上述定義。

本發明所述的「芳基」是指含有5至10個環原子的碳環芳香族基團。其代表性實例包括但不限於苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、四氫萘基、蒽基、茀基、茚基和薁基。此外，芳基是由伸烷基或伸烯基鏈接或由選自B、O、N、C(=O)、P、P(=O)、S、S(=O) ₂和Si的一個或多個雜原子鏈接的碳環芳香族基團。

本發明所述的碳原子數不包括取代基的碳原子數，且例如，C1-C7烷基是指具有1至7個碳原子的烷基，不包括烷基之取代基的碳原子數。

本發明提供一種用於含矽封裝膜的組合物，其包含由以下化學式1表示之的矽氮烷化合物： [化學式1] 在化學式1中， R ¹為C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基或C6-C12芳基； R ²和R ³各自獨立地為氫、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基、C6-C12芳基、C1-C7鹵烷基或鹵素；及 X為鹵素。

由化學式1表示之矽氮烷化合物具有高蒸氣壓。因此，當使用含有其的用於含矽封裝膜的組合物時，可在低溫下製備具有顯著改善沉積速率的封裝膜，且碳和其他雜質的含量低，使得可獲得具有高純度和高耐久性的高品質含矽封裝膜。

具體地，由化學式1表示之矽氮烷化合物係其中兩個矽原子接合至中心氮原子的化合物，在室溫和大氣壓下形成穩定的液態，具有優異的揮發性，在70℃下具有30torr或以上的壓力，且即使在低於100℃的低溫下沉積時也具有顯著高的沉積速度，作為實際實例，僅在90℃下沉積。

此外，當使用由化學式1表示之矽氮烷化合物形成含矽封裝膜時，可獲得優異的內聚性和優異的階梯覆蓋。此外，矽氮烷化合物具有化學式1之結構，使得可容易地形成具有高熱穩定性、低活化能、優異的反應性、由於不產生非揮發性副產物而具有高純度和優異的應力強度的含矽封裝膜。

在示例性實施例中，在化學式1中，R ¹可為C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C6環烷基或C6-C12芳基，且R ²和R ³可各自獨立地為氫、C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C6環烷基、C6-C12芳基、C1-C5鹵代烷基或鹵素。

根據本發明之示例性實施例，在化學式1中，X可為Cl。

根據本發明之示例性實施例，矽氮烷化合物可為選自以下化合物：。

根據本發明之示例性實施例，可藉由有機合成領域中可用的任何方法來製備由化學式1表示之矽氮烷化合物。例如，可藉由使由以下化學式11表示之化合物與由以下化學式12表示之化合物反應來製造由以下化學式1表示之化合物： [化學式1] [化學式11] [化學式12] R ¹-NH ₂在化學式1、化學式11和化學式12中， R ¹為C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基或C6-C12芳基； R ²和R ³各自獨立地為氫、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基、C6-C12芳基、C1-C7鹵代烷基或鹵素；及 X為鹵素。

根據本發明之示例性實施例，用於合成矽氮烷化合物的方法可在-70至10℃下進行1至10小時，且較佳在-50至0℃下進行2至6小時。

本發明提供一種用於製備含矽封裝膜的方法，該方法包括使用矽氮烷化合物或含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物、及反應氣體沉積含矽封裝膜，矽氮烷化合物由以下化學式1表示： [化學式1] 在化學式1中， R ¹至R ³和X係如上述所定義的相同。

具體地，根據本發明之示例性實施例的製備含矽封裝膜的方法可進一步包含：將由化學式1表示之矽氮烷化合物或含有矽氮烷化合物之用於含矽封裝膜的組合物吸附到基板上；及將反應氣體注入到其上吸附有矽氮烷化合物或用於含矽封裝膜的組合物的基板中，以形成含矽封裝膜。在此情況下，具體地，製備含矽封裝膜的方法可進一步包含：將由化學式1表示之矽氮烷化合物或含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物吸附到基板上；吹掃剩餘矽氮烷化合物或含有剩餘矽氮烷化合物的組合物和副產物；將反應氣體注入到基板以形成含矽封裝膜；及吹掃殘留反應氣體和副產物。

此外，根據示例性實施例的含矽封裝膜可將由化學式1表示之矽氮烷化合物或含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物、及反應氣體同時注入到基板中來製備。

在根據本發明之用於製備含矽封裝膜的方法中，使用由化學式1表示之矽氮烷化合物，其在室溫下為液體且具有高揮發性和優異熱穩定性，使得即使在低溫及/或低功率下，也可以高沉積速率製備易於處理且具有優異純度的含矽封裝膜。此外，藉由本發明之製備方法製造的含矽封裝膜可具有優異的耐久性和電學性能，且可防止水分和氧的滲透。

在根據本發明之示例性實施例的用於製備含矽封裝膜的方法中，可藉由本案所屬技術領域中具有通常知識者已知的範圍內的任何方法來沉積含矽封裝膜，較佳地可藉由原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、低壓氣相沉積(LPCVD)、電漿增強氣相沉積(PECVD)或電漿增強原子層沉積(PEALD)，且更具體地，考慮到封裝膜的容易沉積和製造的封裝膜的優異性能，可藉由電漿增強氣相沉積(PECVD)來形成，但本發明不限於此。

此外，在根據本發明之示例性實施例的用於製備含矽封裝膜的方法中，基板的溫度可為200℃或更低，具體地，沉積可在50至200℃下進行，由於用於沉積根據本發明之化學式1的矽氮烷化合物的矽前驅物的極其優異的性質（諸如優異的低溫揮發性和高反應性），位於腔室內部的待沉積之基板的溫度可低於120℃且典型為100℃或更低，且含矽封裝膜的沉積，其包括將根據示例性實施例的矽氮烷化合物供應到待沉積基板所在的腔室中，可在低於100℃的溫度，更具體地，在95℃或更低的低溫下進行。

在本發明之示例性實施例中，用於製備含矽封裝膜的方法中使用的反應氣體可為選自以下之一種或兩種或更多種：氧(O ₂)、臭氧(O ₃)、蒸餾水(H ₂O)、過氧化氫(H ₂O ₂)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N ₂O)、二氧化氮(NO ₂)、氨(NH ₃)、氮(N ₂)、肼(N ₂H ₄)、胺、二胺、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO ₂)、C1至C12飽和或不飽和烴、氫(H ₂)、氬(Ar)和氦(He)，具體地，可為選自以下之一種或兩種或更多種：氧(O ₂)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N ₂O)、二氧化氮(NO ₂)、氨(NH ₃)及氮(N ₂)，且更具體地，可為選自以下之一種或兩種或更多種：氧化亞氮(N ₂O)、二氧化氮(NO ₂)、氨(NH ₃)、氫(Ｈ ₂)及氮(N ₂)，但不限於此。

在根據本發明之示例性實施例的用於製備含矽封裝膜的方法中，矽氮烷化合物和反應氣體可有組織地或彼此獨立地供應。此外，矽氮烷化合物和反應氣體可分別地連續或間斷地供應，且間斷供給可包括脈衝形式。

在根據示例性實施例之用於製備含矽封裝膜的方法中，沉積條件可根據期望的封裝膜的結構或熱特性來調整，且沉積條件的實例包括含有矽氮烷化合物之用於含矽封裝膜的組合物的輸入流量、反應氣體的輸入流量、載氣的輸入流量、壓力和待沉積基板的溫度。作為這些沉積條件的非限制性實例，含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物的輸入流量可為10至1,000cc/min，反應氣體的輸入流量可為1至 10,000cc/min，載氣的輸入流量可為10至10,000cc/min，壓力可為0.5至10torr，且待沉積的基板的溫度可為200℃或更低，具體地，50至200℃，更具體地，50至120℃，且典型地60至100℃，但沉積條件不限於此。此外，在使用電漿增強原子層沉積(PEALD)的情況下，其中反應氣體處於電漿活化狀態，RF功率可為50至1,000W，但不限於此。

藉由根據本發明之示例性實施例的用於製備含矽封裝膜的方法製造的含矽封裝膜可為氧化矽膜或氮化矽膜，且此外，在本案所屬技術領域中具有通常知識者認可的範圍內，可製備出各種高品質的含矽封裝膜。

藉由本發明之用於製備含矽封裝膜的方法製造的含矽封裝膜可使用於保護有機發光二極體免受水分和氧的影響。

藉由本發明之用於製備含矽封裝膜的方法製造的含矽封裝膜可具有0.1g/[m ²-天]或更小的水蒸氣穿透率，較佳地0.05g/[m ²-天]或更小，且更佳地0.015g/[m ²-天]或更小。因此，藉由本發明之製備方法製造的含矽封裝膜具有顯著改善的水分和氧阻擋性能，且因此可防止利用含矽封裝膜的有機發光二極體的壽命下降。

在含矽封裝膜的水蒸氣穿透率的測量中，使用水蒸氣穿透率分析儀(WVTR，MOCON，Aquatran 2)，使用氮氣，且測量水蒸氣穿透率的面積設置為50cm ²。

藉由根據本發明之示例性實施例的用於製備含矽封裝膜的方法製造的封裝膜的結構可為根據其需要覆蓋有機發光二極體的表面及/或側表面。封裝膜的厚度可為5至2,000nm，較佳地200至1,000nm，且更佳地500至800nm。

下文，將參考具體實例更詳細地描述根據本發明之含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物及使用其製備含矽封裝膜的方法。

然而，以下實例僅是用於詳細描述本發明的參考實例，且本發明不限於此，並且可以各種形式實施。此外，本發明中使用的術語僅是為了有效地描述具體的實例，而不是意欲限制本發明。

[製造實例1]

在包括攪拌器和冷凝器的5L高壓反應器中進行真空乾燥之後，加入2L正戊烷，並加入40g(1.29mol)甲胺，同時將內部溫度保持在-40℃。將混合物攪拌30分鐘，然後在保持溫度的同時緩慢加入86.8g(0.86mol)的二氯矽烷。添加完成之後，將混合物攪拌4小時同時將內部溫度保持在-10℃。藉由真空過濾和減壓蒸餾移除鹽和溶劑，以獲得38g的MeN (SiH ₂Cl) ₂(產率：55%)。

¹H NMR(400 MHz, C6D6) δ 2.7(s, 3H), 5.07(s, 4H)

[實例1] 用於封裝膜的氧化矽膜

在使用已知的電漿增強原子層沉積的一般電漿增強原子層沉積設備中，使用製造實例1中製造的矽氮烷化合物評估封裝膜。

氧化亞氮與電漿一起用作反應氣體，且惰性氣體氬氣用作載氣。將其上要形成氧化矽膜的矽晶圓轉移到沉積腔室中並保持在90℃下。使鼓泡式不鏽鋼容器中的製造實例1的矽氮烷化合物在20Torr的蒸氣壓下汽化，使用50sccm的氬氣作為載氣將汽化的矽氮烷化合物轉移到基板上以吸附到基板上，然後使用500sccm的氬氣移除未反應的化合物。使用800sccm的氧化亞氮氣體作為反應氣體和800W的電漿形成氧化矽膜，然後使用500sccm的氬氣移除未反應的化合物。

藉由將上述製程重複一個循環來形成氧化矽膜。使用橢圓偏光儀測量所形成的氧化矽膜的厚度，並確認每單位循環的氧化矽膜的沉積厚度為2.01Å，且在633nm處的折射率為1.47。此外，作為使用X射線光電子能譜的組成分析的結果，確認矽和氧的比率分別為33.5%和66.5%。

為了評估水蒸氣穿透率，將薄膜以700Å沉積在聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜上，然後分析水蒸氣穿透率。結果，確認了1.5x10 ^-3g/[m ²-天]的優異結果。

[實例2] 用於封裝膜的氮氧化物膜

氨與電漿一起用作反應氣體，且惰性氣體氮氣用作載氣。將其上要形成氮化矽膜的矽晶圓轉移到沉積腔室中並保持在90℃下。使鼓泡式不鏽鋼容器中的製造實例1的矽氮烷化合物在20Torr的蒸氣壓下汽化，使用50sccm的氮氣作為載氣將汽化的矽氮烷化合物轉移到基板上以吸附到基板上，然後使用500sccm的氮氣移除未反應的化合物。使用1,000sccm的氨氣作為反應氣體和800W的電漿形成氮化矽膜，然後使用500sccm的氮氣移除未反應的化合物。接著，使用1,000sccm的氮氣和800W的電漿對氮化矽膜進行表面處理，然後使用500sccm的氮氣移除未反應的化合物。

藉由將上述製程重複一個循環來形成氮化矽膜。使用橢圓偏光儀測量所形成的氮化矽膜的厚度，並確認每單位循環的氮化矽膜的沉積厚度為0.82Å，且在633nm處的折射率為1.97。此外，作為使用X射線光電子能譜的組成分析的結果，確認矽和氮的比率分別為43.1%和58.6%。

為了評估水蒸氣穿透率，將薄膜以700Å沉積在聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜上，然後分析水蒸氣穿透率。結果，確認了1x10 ^-4g/[m ²-天]的優異結果。

[實例3] 用於封裝膜的氮化矽膜

在使用已知的電漿增強化學氣相沉積的一般電漿增強化學氣項沉積設備中，使用製造實例1中製造的矽氮烷化合物評估封裝膜。

將其上要形成氮化矽膜的矽晶圓轉移到沉積腔室中並保持在90℃下。使鼓泡式不鏽鋼容器中的製造實例1的矽氮烷化合物在0.1Torr的蒸氣壓下汽化，且使用5sccm的氮氣作為載氣將汽化的矽氮烷化合物轉移到基板上。同時，使用氮氣、氫氣和氨氣作為反應氣體，並使用800W的電漿形成氮化矽膜。詳細的製程條件和結果如表1所示。作為使用X射線光電子能譜的組成分析的結果，確認矽和氮的比率分別為43%和57%。

[實例4至7]

除了僅改變氣體比之外，以與實例3相同的方式沉積氮化矽膜。製程條件和結果如表1所示。

[表1] 使用電漿增強化學氣相沉積的氮化矽膜沉積條件和結果。

實例	用於前驅物轉移的氮	氣體比	沉積時間	橢圓偏光儀分析結果	滲透率	水蒸氣穿透率
氮	氫	氨	厚度	折射率	沉積率
sccm	%	%	%	min	Å	-	Å/min	%	g/(m ²·天)
3	5	30	58	12	3	495	1.86	165	99.8	9.73E-03
5	815	1.86	163	99.3	6.24E-03
7	1,180	1.86	169	98.8	5.00E-05
4	5	60	28	12	5	804	1.8	160	99.1	6.47E-03
5	5	60	37	3	5	796	1.85	198	98.6	5.65E-03
6	5	30	67	3	5	830	1.86	196	98.8	4.62E-03
7	5	30	69	1	4	880	1.88	220	98.3	1.26E-02

參照上述結果，本發明之製造實例1的含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物具有高蒸氣壓且可呈現優異的沉積速率，且由於碳和其他雜質含量低，可製備出具有高純度和高耐用性的高品質含矽封裝膜。根據本發明之示例性實施例的含有作為特定化合物的矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物呈現出優異的揮發性和高反應性，使得可製備可在低溫下沉積且具有更均勻和改善品質的封裝膜。

可理解的是，藉由本發明之製備方法製造的含矽封裝膜由於改善水蒸氣穿透率而具有顯著優異的水分和氧阻隔性能，並且當含矽封裝膜用於有機發光二極體時，預期能用作防止水分和氧滲透並縮短使用壽命的優異材料。

如上所述，當使用本發明之含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物時，即使在低溫製程中，仍可製備具有顯著低含量的碳和其他雜質的高純度封裝膜。

此外，在本發明之製備含矽封裝膜的方法中，使用本發明之含有矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物，使得可製備具有高沉積率和低含量雜質的封裝膜。

因此，根據本發明之製備方法製造的含矽封裝膜藉由阻擋水分和氧來防止有機發光二極體的劣化具有優異的性能。

上文，雖然本發明已經藉由特定事項和有限實例和比較實例進行描述，但是提供它們僅是為了幫助全面理解本發明。因此，本發明不限於前述實例。本案所屬技術領域中具有通常知識者可根據本案說明書對本發明所述者進行各種修改和變化。

因此，本發明的精神不應限於所描述的實例，但申請專利範圍及與申請專利範圍等同或等同的所有修改意欲落入本發明的精神內。

無

無。

Claims

一種用於含矽封裝膜的組合物，前述組合物包括由以下化學式1表示之矽氮烷化合物： [化學式1] 在前述化學式1中， R ¹為C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基或C6-C12芳基； R ²和R ³各自獨立地為氫、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基、C6-C12芳基、C1-C7鹵烷基或鹵素；及 X為鹵素。
如請求項1所述之組合物，其中，在前述化學式1中，R ¹為C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C6環烷基或C6-C12 芳基； R ²和R ³各自獨立地為氫、C1-C5烷基、C2-C5烯基、C2-C5炔基、C3-C6環烷基、C6-C12芳基、C1-C5鹵烷基或鹵素；及 X為鹵素。
如請求項1所述之組合物，其中，前述矽氮烷化合物由以下化學式2表示： [化學式2] 在前述化學式2中， R ¹¹為C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基或C6-C12芳基； R ¹²為氫、C1-C7烷基、C2-C7烯基、C2-C7炔基、C3-C10環烷基、C6-C12芳基、C1-C7鹵烷基或鹵素；及 X為鹵素。
如請求項1所述之組合物，其中，在前述化學式1中，X為Cl。
如請求項1所述之組合物，其中，前述矽氮烷化合物選自以下化合物：。
一種用於製備含矽封裝膜的方法，前述方法包括以下步驟：使用矽氮烷化合物或含有前述矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的組合物、及反應氣體沉積含矽封裝膜，前述矽氮烷化合物係由以下化學式1表示： [化學式1] 在前述化學式1中， R ¹至R ³和X係與如請求項1中所定義的相同。
如請求項6所述之方法，其中，前述方法進一步包括以下步驟：將含有由化學式1表示之前述矽氮烷化合物或用於含矽封裝膜的前述組合物的前驅物吸附到基板上；及將前述反應氣體注入到其上吸附有前述矽氮烷化合物或用於含矽封裝膜的前述組合物的基板中，以形成含矽封裝膜。
如請求項6所述之方法，其中，前述方法進一步包括將由化學式1表示之前述矽氮烷化合物或含有前述矽氮烷化合物的用於含矽封裝膜的前述組合物、及前述反應氣體同時注入到前述基板中，以形成含矽封裝膜。
如請求項6所述之方法，其中，前述反應氣體為選自以下之一種或兩種或更多種：氧(O ₂)、臭氧(O ₃)、蒸餾水(H ₂O)、過氧化氫(H ₂O ₂)、一氧化氮(NO)、氧化亞氮(N ₂O)、二氧化氮(NO ₂)、氨(NH ₃)、氮(N ₂)、肼(N ₂H ₄)、胺、二胺、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO ₂)、C1至C12飽和或不飽和烴、氫(H ₂)、氬(Ar)和氦(He)。
如請求項7所述之方法，其中，前述基板的溫度為200℃或更低。
如請求項6所述之方法，其中，前述含矽封裝膜為氧化矽膜或氮化矽膜。
如請求項6所述之方法，其中，前述含矽封裝膜具有0.1g/[m ²-天]或更小的水蒸氣穿透率。