TW202347433A - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

在基板處理裝置(100)中，控制部(102)係基於第一流量計(112b)的測量結果算出從第一成分液體供給部(112)經由第一配管(112a)被供給至儲留槽(116)之第一成分液體的第一供給量，基於第二流量計(114b)的測量結果算出從第二成分液體供給部(114)經由第二配管(114a)被供給至儲留槽(116)之第二成分液體的第二供給量；以及在成分液體供給期間中基於第一供給量以及第二供給量來控制第一成分液體供給部(112)以及第二成分液體供給部(114)，成分液體供給期間為下述兩個期間中的至少一個期間，第一種期間為第一成分液體供給部(112)經由第一配管(112a)供給第一成分液體之期間，第二種期間為第二成分液體供給部(114)經由第二配管(114a)供給第二成分液體之期間。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係有關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。
已知有一種用以處理基板之基板處理裝置。基板處理裝置係適合使用於半導體基板的處理。典型而言，基板處理裝置係使用處理液來處理基板。
例如，會有使用混合了複數種成分液體的混合液作為處理液之情形。在此種情形中，為了均勻地處理複數片基板，檢討將混合槽內的混合液的濃度維持成固定(專利文獻1)。於專利文獻1記載了一種基板處理裝置，係為了生成固定濃度的處理液，以供給至氫氟酸(hydrofluoric acid)與純水的混合槽之時間成為相同之方式控制流量。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-275569號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，即使是專利文獻1的基板處理裝置，亦會有經過控制的流量會變動之情形。在此種情形中，無法適當地調整儲留槽內的混合液的濃度。
本發明有鑑於上文所說明的課題而研創，目的在於提供一種能夠迅速地控制供給至儲留槽的成分液體之基板處理裝置以及基板處理方法。 [用以解決課題的手段]
本發明的實施形態之一為一種基板處理裝置，係具備：第一成分液體供給部，係經由第一配管供給第一成分液體；第一流量計，係測量前述第一成分液體於前述第一配管流動的流量；第二成分液體供給部，係經由第二配管供給第二成分液體；第二流量計，係測量前述第二成分液體於前述第二配管流動的流量；儲留槽，係儲留混合了從前述第一成分液體供給部所供給的前述第一成分液體以及從前述第二成分液體供給部所供給的前述第二成分液體的混合液；基板處理單元，係藉由從前述儲留槽所供給的前述混合液來處理基板；濃度感測器，係偵測前述儲留槽內的前述混合液中的對象成分的濃度；以及控制部，係基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部；前述控制部係構成為：基於前述第一流量計的測量結果算出從前述第一成分液體供給部經由前述第一配管被供給至前述儲留槽之前述第一成分液體的第一供給量；基於前述第二流量計的測量結果算出從前述第二成分液體供給部經由前述第二配管被供給至前述儲留槽之前述第二成分液體的第二供給量；以及在成分液體供給期間中基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部，前述成分液體供給期間為下述兩個期間中的至少一個期間，第一種期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體之期間，第二種期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體之期間。
在實施形態之一中，前述控制部係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量以及於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量中的至少一者。
在實施形態之一中，前述第一成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量之閥；前述第二成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量之閥；前述控制部係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部的前述閥以及前述第二成分液體供給部的前述閥中的至少一者的開放度。
在實施形態之一中，前述控制部係在成分液體非供給期間中，基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部，前述成分液體非供給期間為前述第一成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第一成分液體且前述第二成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第二成分液體之期間。
在實施形態之一中，前述控制部係在整個第一供給期間算出前述第一供給量且在整個第二供給期間算出前述第二供給量，前述第一供給期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管將前述第一成分液體供給至前述儲留槽之期間，前述第二供給期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管將前述第二成分液體供給至前述儲留槽之期間。
在實施形態之一中，前述控制部係以下述方式控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部：在開始前述第一供給期間之前，前述第一成分液體係經由前述第一配管流動；在結束前述第一供給期間之後，前述第一成分液體係經由前述第一配管流動；在開始前述第二供給期間之前，前述第二成分液體係經由前述第二配管流動；在結束前述第二供給期間之後，前述第二成分液體係經由前述第二配管流動。
在實施形態之一中，前述控制部係以下述方式控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部：前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時開始，且前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時結束。
在實施形態之一中，前述控制部係以下述方式控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部：使前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時開始，且使前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時停止。
在實施形態之一中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量所算出的前述儲留槽內的前述混合液中的前述對象成分的濃度之算出濃度與藉由前述濃度感測器所偵測到的前述濃度之間的差值比臨限值還大之情形中，前述控制部係停止驅動前述第一成分液體供給部、前述第二成分液體供給部以及前述基板處理單元。
在實施形態之一中，前述第一成分液體係包含氫氟酸，前述第二成分液體係包含稀釋液。
本發明的實施形態之一為一種基板處理方法，係包含：第一成分液體供給部係經由第一配管對儲留槽供給第一成分液體之工序；第一流量測量工序，係測量前述第一成分液體於前述第一配管流動的流量；第二成分液體供給部係經由第二配管對儲留槽供給第二成分液體之工序；第二流量測量工序，係測量前述第二成分液體於前述第二配管流動的流量；儲留在前述儲留槽中混合了在用以供給前述第一成分液體之工序中所供給的前述第一成分液體以及在用以供給前述第二成分液體之工序中所供給的前述第二成分液體的混合液；在基板處理單元中藉由從前述儲留槽所供給的前述混合液來處理基板之工序；藉由濃度感測器偵測前述儲留槽內的前述混合液所含有的對象成分的濃度之工序；偵測控制工序，係基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部；基於前述第一流量測量工序的測量結果算出從前述第一成分液體供給部經由前述第一配管被供給至前述儲留槽之前述第一成分液體的第一供給量之工序；基於前述第二流量測量工序的測量結果算出從前述第二成分液體供給部經由前述第二配管被供給至前述儲留槽之前述第二成分液體的第二供給量之工序；以及算出控制工序，係在成分液體供給期間中基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部，前述成分液體供給期間為下述兩個期間中的至少一個期間，第一種期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體之期間，第二種期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體之期間。
在實施形態之一中，前述算出控制工序係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量以及於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量中的至少一者。
在實施形態之一中，前述第一成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量之閥；前述第二成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量之閥；前述算出控制工序係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部的前述閥以及前述第二成分液體供給部的前述閥中的至少一者的開放度。
在實施形態之一中，前述偵測控制工序係在前述第一成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第一成分液體且前述第二成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第二成分液體之期間中，基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部。
在實施形態之一中，在用以算出前述第一供給量之工序中，在整個第一供給期間算出前述第一供給量，前述第一供給期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管將前述第一成分液體供給至前述儲留槽之期間；在用以算出前述第二供給量之工序中，在整個第二供給期間算出前述第二供給量，前述第二供給期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管將前述第二成分液體供給至前述儲留槽之期間。
在實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步地包含：第一成分液體前置供給工序，係在開始前述第一供給期間之前，前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體；第一成分液體後續供給工序，係在結束前述第一供給期間之後，前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體；第二成分液體前置供給工序，係在開始前述第二供給期間之前，前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體；以及第二成分液體後續供給工序，係在結束前述第二供給期間之後，前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體。
在實施形態之一中，在用以算出前述第一供給量之工序以及用以算出前述第二供給量之工序中，前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時開始，且前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時結束。
在實施形態之一中，使在前述第一成分液體前置供給工序中前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與在前述第二成分液體前置供給工序中前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時開始，且使在前述第一成分液體後續供給工序中前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與在前述第二成分液體後續供給工序中前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時停止。
在實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步地包含下述工序：在基於前述第一供給量以及前述第二供給量所算出的前述儲留槽內的前述混合液中的前述對象成分的濃度之算出濃度與藉由前述濃度感測器所偵測到的前述濃度之間的差值比臨限值還大之情形中，停止驅動前述第一成分液體供給部、前述第二成分液體供給部以及前述基板處理單元。
在實施形態之一中，在供給前述第一成分體液體之工序中，前述第一成分液體係包含氫氟酸；在供給前述第二成分體液體之工序中，前述第二成分液體係包含稀釋液。 [發明功效]
依據本發明，能迅速地控制被供給至儲留槽的成分液體。
以下，參照圖式說明本發明的基板處理裝置以及基板處理方法的實施形態。此外，圖中針對相同或者相當的部分附上相同的元件符號且不重複說明。此外，為了容易理解本發明，在說明書中會有記載彼此正交的X軸、Y軸以及Z軸之情形。典型而言，X軸以及Y軸係與水平方向平行，Z軸係與鉛直方向平行。
首先，參照圖1說明本發明的基板處理裝置100的實施形態。圖1係本實施形態的基板處理裝置100的示意性的俯視圖。
基板處理裝置100係處理基板W。基板處理裝置100係以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及洗淨中的至少一者之方式處理基板W。
基板W係作為半導體基板來使用。基板W係包含半導體晶圓。例如，基板W為略圓板狀。在此，基板處理裝置100係逐片地處理基板W。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備複數個基板處理單元10、處理液櫃110、處理液箱120、複數個裝載埠(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR、中心機器人(center robot)CR以及控制裝置101。控制裝置101係控制裝載埠LP、索引機器人IR以及中心機器人CR。控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。
裝載埠LP係分別層疊並收容複數片基板W。索引機器人IR係在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與基板處理單元10之間搬運基板W。基板處理單元10係分別對基板W噴出處理液並處理基板W。處理液係包含藥液、洗淨液、去除液以及／或者撥水劑。處理液櫃110係收容處理液。此外，處理液櫃110亦可收容氣體。
具體而言，複數個基板處理單元10係形成複數個塔TW(在圖1中為四個塔TW)，複數個塔TW係以俯視觀看時圍繞中心機器人CR之方式配置。各個塔TW係包含上下地層疊的複數個基板處理單元10(在圖1中為三個基板處理單元10)。處理液箱120係分別與複數個塔TW對應。處理液櫃110內的流體係經由某個處理液箱120被供給至與處理液箱120對應的塔TW所含有的全部的基板處理單元10。此外，處理液櫃110內的氣體係經由任一個處理液箱120被供給至與處理液箱120對應的塔TW所含有的全部的基板處理單元10。
在基板處理裝置100中，於設置有中心機器人CR以及基板處理單元10的區域與設置有處理液櫃110的區域之間配置有交界壁。
典型而言，處理液櫃110係具有用以調製處理液之儲留槽(筒槽(tank))。處理液櫃110係可具有一種類的處理液用的儲留槽，亦可具有複數種類的處理液用的儲留槽。此外，處理液櫃110亦可具有用以使處理液流通之泵、閥以及／或者過濾器。
控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。藉由控制裝置101，基板處理單元10係處理基板W。
控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係具有處理器(processor)。控制部102係具有例如中央處理運算器(亦即CPU(Central Processing Unit；中央處理單元))。或者，控制部102亦可具有泛用的運算器。
記憶部104係記憶資料以及電腦程式。資料係包含處方資料(recipe data)。處方資料係包含用以顯示複數個處方之資訊。複數個處方係分別規定基板W的處理內容以及處理順序。
記憶部104係包含主記憶裝置以及輔助記憶裝置。主記憶裝置係例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置係例如為半導體記憶體以及／或者硬碟機(Hard Disk Drive)。記憶部104亦可包含可移媒體(removable media)。控制部102係執行記憶部104所記憶的電腦程式並執行基板處理動作。
接著，參照圖2說明本實施形態的基板處理裝置100中的基板處理單元10。圖2係基板處理裝置100中的基板處理單元10的示意圖。
基板處理單元10係具備腔室(chamber)11、基板保持部20以及處理液供給部30。腔室11係收容基板W。基板保持部20係保持基板W。
腔室11為具有內部空間之略箱形狀。腔室11係收容基板W。在此，基板處理裝置100為用以逐片地處理基板W之葉片型，於腔室11逐片地收容基板W。基板W係被收容至腔室11內並在腔室11內被處理。於腔室11收容有基板保持部20以及處理液供給部30各者的至少一部分。
基板保持部20係保持基板W。基板保持部20係以將基板W的上表面(表面)Wa朝向上方並將基板W的背面(下表面)Wb朝向鉛直下方之方式水平地保持基板W。此外，基板保持部20係以保持著基板W的狀態使基板W旋轉。例如，於基板W的上表面Wa設置了形成有凹部(recess)的層疊構造。基板保持部20係在保持著基板W的狀態下直接使基板W旋轉。
例如，基板保持部20亦可為用以夾持基板W的端部之夾持式。或者，基板保持部20亦可具有用以從背面Wb保持基板W之任意的機構。例如，基板保持部20亦可為真空式。在此情形中，基板保持部20係使屬於非器件(non-device)形成面之基板W的背面Wb的中央部吸附於上表面，藉此水平地保持基板W。或者，基板保持部20亦可組合用以使複數個夾具銷(chuck pin)接觸至基板W的周端面之夾持式與真空式。
例如，基板保持部20係包含自轉基座(spin base)21、夾具(chuck)構件22、軸件(shaft)23、電動馬達24以及殼體(housing)25。夾具構件22係設置於自轉基座21。夾具構件22係夾持基板W。典型而言，於自轉基座21設置有複數個夾具構件22。
軸件23為中空軸。軸件23係沿著旋轉軸Ax於鉛直方向延伸。於軸件23的上端結合有自轉基座21。基板W係被配置於自轉基座21的上方。
自轉基座21為圓板狀，用以水平地支撐基板W。軸件23係從自轉基座21的中央部朝下方延伸。電動馬達24係對軸件23賦予旋轉力。電動馬達24係使軸件23於旋轉方向旋轉，藉此以旋轉軸Ax作為中心使基板W以及自轉基座21旋轉。殼體25係圍繞軸件23以及電動馬達24。
處理液供給部30係對基板W供給處理液。典型而言，處理液供給部30係對基板W的上表面Wa供給處理液。處理液供給部30的至少一部分係被收容於腔室11內。
處理液供給部30係對基板W的上表面Wa供給處理液。處理液亦可包含所謂的藥液。藥液係包含氫氟酸。例如，氫氟酸係可被加熱至40℃以上至70℃以下，亦可被加熱至50℃以上至60℃以下。然而，氫氟酸亦可不被加熱。此外，藥液亦可包含水或者磷酸。
再者，藥液亦可包含過氧化氫水。此外，藥液亦可包含SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫水混合液(ammonia-hydrogen peroxide))、SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液；亦即鹽酸過氧化氫水混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture))或者王水(濃鹽酸與濃硝酸的混合物)等。
或者，處理液亦可包含所謂的洗淨液(清洗(rinse)液)。例如，洗淨液亦可包含去離子水(DIW；deionized water)、碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水或者還原水(氫水)中的任一者。
處理液供給部30係包含配管32、噴嘴34以及閥36。噴嘴34係對基板W的上表面Wa噴出處理液。噴嘴34係連接於配管32。從供給源對配管32供給處理液。閥36係將配管32內的流路打開以及關閉。噴嘴34係較佳為構成能夠相對於基板W移動。
閥36係調節配管32的流路。閥36係調節配管32的開放度，並調整被供給至配管32的處理液的流量。具體而言，閥36係包含：閥本體(valve body)(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(actuator)(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。
噴嘴34亦能夠移動。噴嘴34係能藉由被控制部102控制的移動機構而於水平方向以及／或者鉛直方向移動。此外，須注意為了避免圖式過於複雜，於本說明書中省略了移動機構。
基板處理單元10係進一步具備罩杯(cup)80。罩杯80係回收從基板W飛散的處理液。罩杯80係升降。例如，罩杯80係在整個處理液供給部30對基板W供給處理液之期間於鉛直上方上升至基板W的側方為止。在此情形中，罩杯80係回收藉由基板W的旋轉而從基板W飛散的處理液。此外，當處理液供給部30對基板W供給處理液之期間結束時，罩杯80係從基板W的側方朝鉛直下方下降。
如上所述，控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係控制基板保持部20、處理液供給部30以及／或者罩杯80。在一例中，控制部102係控制電動馬達24、閥36以及／或者罩杯80。
本實施形態的基板處理裝置100係適合使用於製作設置有半導體的半導體元件。典型而言，在半導體元件中於基材上層疊有導電層以及絕緣層。基板處理裝置100係在半導體元件的製造時適合使用於導電層以及／或者絕緣層的洗淨以及／或者加工(例如蝕刻、特性變化等)。
此外，在圖2所示的基板處理單元10中，處理液供給部30係能夠將一種類的處理液供給至基板。然而，本實施形態並未限定於此。處理液供給部30亦可供給複數種類的處理液。例如，處理液供給部30亦可將用途不同的複數種類的處理液依序供給至基板W。或者，處理液供給部30亦可將用途不同的複數種類的處理液同時地供給至基板W。
接著，參照圖1至圖3說明本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成。圖3為顯示本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。
如圖3所示，基板處理裝置100係具備第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114、儲留槽116、配管117以及濃度感測器118。第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114、儲留槽116以及濃度感測器118皆配置於處理液櫃110內。
第一成分液體供給部112係供給第一成分液體。從第一成分液體供給部112所供給的第一成分液體係流動至儲留槽116並被儲留於儲留槽116。
第二成分液體供給部114係供給第二成分液體。從第二成分液體供給部114所供給的第二成分液體係流動至儲留槽116並被儲留於儲留槽116。
在儲留槽116中，第一成分液體以及第二成分液體係被混合從而成為混合液。混合液係作為基板處理單元10中的處理液而被使用。此外，混合液亦可不包含處於混合狀態的第一成分液體以及第二成分液體。混合液亦可為藉由第一成分液體以及第二成分液體的混合而反應的結果物。
此外，第一成分液體以及第二成分液體中的一者亦可被第一成分液體以及第二成分液體中的另一者稀釋來使用。例如，第一成分液體以及第二成分液體的一者為藥液，第一成分液體以及第二成分液體的另一者為稀釋液。
第一成分液體供給部112係包含第一配管112a、第一流量計112b以及閥112c。從供給源對第一配管112a供給第一成分液體。第一流量計112b係配置於第一配管112a。第一流量計112b係測量於第一配管112a流動的第一成分液體的流量。
閥112c係將第一配管112a內的流路打開以及關閉。閥112c係調節第一配管112a的開放度，並調整被供給至第一配管112a的第一成分液體的流量。具體而言，閥112c係包含：閥本體(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。
閥112c亦可為馬達針閥(motor needle valve)。例如，亦可基於第一流量計112b的測量結果來調整閥112c的開放度，藉此調整於第一配管112a流動的處理液的流量。
第二成分液體供給部114係包含第二配管114a、第二流量計114b以及閥114c。從供給源對第二配管114a供給第二成分液體。第二流量計114b係配置於第二配管114a。第二流量計114b係測量於第二配管114a流動的第二成分液體的流量。
閥114c係將第二配管114a內的流路打開以及關閉。閥114c係調節第二配管114a的開放度，並調整被供給至第二配管114a的處理液的流量。具體而言，閥114c係包含：閥本體(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。
閥114c亦可為馬達針閥。例如，亦可基於第二流量計114b的測量結果來調整閥114c的開放度，藉此調整於第二配管114a流動的處理液的流量。
對儲留槽116供給於第一配管112a流動的第一成分液體。此外，對儲留槽116供給於第二配管114a流動的第二成分液體。因此，在儲留槽116中，第一成分液體以及第二成分液體係被混合。儲留槽116係儲留已將於第一配管112a流動的第一成分液體與於第二配管114a流動的第二成分液體混合的混合液。
配管117係連接儲留槽116以及配管32。詳細而言，配管117係連接儲留槽116以及配管32a至32c。儲留於儲留槽116的混合液係於配管117以及配管32流動並被供給至基板處理單元10。
濃度感測器118係偵測儲留於儲留槽116的混合液內的對象成分的濃度。濃度感測器118亦可偵測第一成分液體內的預定成分的濃度。或者，濃度感測器118亦可偵測第二成分液體內的預定成分的濃度。或者，濃度感測器118亦可偵測混合液內的對象成分的濃度。在一例中，濃度感測器118亦可偵測藉由第一成分液體以及第二成分液體的混合而重新生成的對象成分的濃度。此外，在本說明書中，會有將混合液內的對象成分的濃度簡稱為「混合液的濃度」之情形。
基板處理單元10係包含基板處理單元10a至10c。典型而言，基板處理單元10a至10c係具有相同的形狀以及相同的功能。基板處理單元10a係具有處理液供給部30a。如圖2所示，處理液供給部30a係包含配管32a、噴嘴34a以及閥36a。噴嘴34a係對基板W的上表面Wa噴出處理液。噴嘴34a係連接於配管32a。從供給源對配管32a供給處理液。閥36a係將配管32a內的流路打開以及關閉。較佳為噴嘴34a係構成為能夠相對於基板W移動。
同樣地，基板處理單元10b係具有處理液供給部30b。處理液供給部30b係包含配管32b、噴嘴34b以及閥36b。此外，基板處理單元10c係具有處理液供給部30c。處理液供給部30c係包含配管32c、噴嘴34c、以及閥36c。
在本實施形態的基板處理裝置100中，從用以偵測於第一配管112a的第一成分液體的流量之第一流量計112b的測量結果算出被供給至儲留槽116的第一成分液的供給量；從用以偵測於第二配管114a的第二成分液體的流量之第二流量計114b的測量結果算出被供給至儲留槽116的第二成分液的供給量。因此，在濃度感測器118偵測儲留槽116的混合液的濃度之前，能基於在第一配管112a流動的第一成分液體的供給量以及在第二配管114a流動的第二成分液體的供給量來控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。此外，假設即使濃度感測器118故障，亦能抑制儲留槽116內的混合液的濃度被控制成與期望不符。
此外，在基板處理裝置100中，能在儲留槽116將混合了第一成分液體以及第二成分液體的混合液作為處理液供給至基板處理單元10。
本實施形態的基板處理裝置100係適合使用於製作設置有半導體的半導體元件。典型而言，在半導體元件中於基材上層疊有導電層以及絕緣層。基板處理裝置100係在半導體元件的製造時適合使用於導電層以及／或者絕緣層的洗淨以及／或者加工(例如蝕刻、特性變化等)。
接著，參照圖1至圖4說明本實施形態的基板處理裝置100。圖4為基板處理裝置100的方塊圖。
如圖4所示，控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。控制裝置101係控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20、處理液供給部30以及罩杯80。具體而言，控制裝置101係對索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20、處理液供給部30以及罩杯80發送控制訊號，藉此控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20、處理液供給部30以及罩杯80。
此外，記憶部104係記憶電腦程式以及資料。資料係包含處方資料。處方資料係包含用以顯示複數個處方之資訊。複數個處方係分別規定基板W的處理內容、處理順序以及基板處理條件。控制部102係執行記憶部104所記憶的電腦程式並執行基板處理動作。
控制部102係控制索引機器人IR並藉由索引機器人IR接取並傳遞基板W。
控制部102係控制中心機器人CR並藉由中心機器人CR接取並傳遞基板W。例如，中心機器人CR係接取未處理的基板W並將基板W搬入至複數個腔室11中的任一個腔室11。此外，中心機器人CR係從腔室11接取經過處理的基板W並將基板W搬出。
控制部102係控制基板保持部20，從而控制開始旋轉基板W、變更基板W的旋轉速度以及停止旋轉基板W。例如，控制部102係能控制基板保持部20變更基板保持部20的旋轉速度。具體而言，控制部102係變更基板保持部20的電動馬達24的旋轉速度，藉此能變更基板W的旋轉速度。
控制部102係能控制處理液供給部30的閥36，將閥36的狀態切換成開放狀態或者關閉狀態。具體而言，控制部102係控制處理液供給部30的閥36並將閥36設定成打開狀態，藉此能使於配管32內朝向噴嘴34流動的處理液通過閥36。此外，控制部102係控制處理液供給部30的閥36並將閥36設定成關閉狀態，藉此能使於配管32內朝向噴嘴34流動的處理液停止供給。
控制部102亦可控制罩杯80並使罩杯80相對於基板W移動。具體而言，控制部102係在處理液供給部30對基板W供給處理液之整個期間使罩杯80於鉛直上方上升至基板W的側方為止。此外，當處理液供給部30對基板W供給處理液之期間結束時，控制部102係使罩杯80從基板W的側方朝鉛直下方下降。
藉由執行電腦程式，控制部102係作為第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b發揮作用。第一供給量算出部102a係基於第一流量計112b的測量結果算出於第一配管112a流動並被供給至儲留槽116的第一處理液的供給量。第二供給量算出部102b係基於第二流量計114b的測量結果算出於第二配管114a流動並被供給至儲留槽116的第二處理液的供給量。因此，控制部102係具備第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b。
本實施形態的基板處理裝置100係適合使用於用以形成半導體元件。例如，基板處理裝置100係適合使用於用以處理作為層疊構造的半導體元件來使用的基板W。半導體元件為所謂的3D(three-dimensional；三維)構造的記憶體(記憶裝置)。作為一例，基板W係適合作為NAND(nand gate；反及閘(亦即NOT-AND))型快閃記憶體來使用。
接著，參照圖1至圖5說明本實施形態的基板處理方法。圖5為本實施形態的基板處理方法的流程圖。
如圖5所示，在步驟S110中，開始供給第一成分液體以及第二成分液體。在此，第一成分液體供給部112係經由第一配管112a開始朝儲留槽116供給第一成分液體。此外，第二成分液體供給部114係經由第二配管114a開始朝儲留槽116供給第二成分液體。
控制部102係控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114，將閥112c以及閥114c打開。此外，較佳為預先設定有：在第一成分液體供給部112中對儲留槽116供給之預定的第一成分液體的供給量、在第二成分液體供給部114中對儲留槽116供給之預定的第二成分液體的供給量、以及被供給至儲留槽116之混合液的液量以及濃度。
此外，第一成分液體供給部112開始供給第一成分液體之時序係可與第二成分液體供給部114開始供給第二成分液體之時序相同，亦可與第二成分液體供給部114開始供給第二成分液體之時序不同。此外，第一成分液體供給部112開始供給第一成分液體之時序係可比第二成分液體供給部114開始供給第二成分液體之時序還快，亦可比第二成分液體供給部114開始供給第二成分液體之時序還慢。
在步驟S120中，測量第一成分液體以及第二成分液體的流量。第一流量計112b係測量於第一配管112a流動的第一成分液體的流量。第二流量計114b係測量於第二配管114a流動的第二成分液體的流量。
在步驟S130中，算出第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量。第一供給量算出部102a係基於第一成分液體的流量的測量結果算出第一成分液體的供給量。第二供給量算出部102b係基於第二成分液體的流量的測量結果算出第二成分液體的供給量。
在步驟S140中，基於第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量來控制第一成分液體供給部112以及／或者第二成分液體供給部114。控制部102係基於第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量來控制來自第一成分液體供給部112的第一成分液體的供給以及／或者來自第二成分液體供給部114的第二成分液體的供給。
例如，藉由第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114的至少一者調整第一成分液體的流量以及／或者第二成分液體的流量。控制部102係基於第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量來控制第一成分液體的流量以及／或者第二成分液體的流量。
在一例中，在第一成分液體的供給量比第二成分液體的供給量還少之情形中，控制部102係控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114的至少一者，以使第一成分液體的流量增加以及／或者使第二成分液體的流量減少。例如，控制部102係使第一成分液體供給部112的閥112c的開放度增加以及／或者使第二成分液體供給部114的閥114c的開放度減少。或者，控制部102係控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114的至少一者，以使供給第一成分液體之時間延長以及／或者使供給第二成分液體之時間縮短。例如，控制部102係使第一成分液體供給部112的閥112c打開的時間增加以及／或者使第二成分液體供給部114的閥114c打開的時間減少。當然，控制部102亦可調整第一成分液體供給部112的流量與供給時間以及第二成分液體供給部114的流量與供給時間的任一者。
或者，在第一成分液體的供給量比第二成分液體的供給量還多之情形中，控制部102係控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114的至少一者，以使第一成分液體的流量減少以及／或者使第二成分液體的流量增加。例如，控制部102係使第一成分液體供給部112的閥112c的開放度減少以及／或者使第二成分液體供給部114的閥114c的開放度增加。或者，控制部102係控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114的至少一者，以使供給第一成分液體之時間縮短以及／或者使供給第二成分液體之時間增加。例如，控制部102係使第一成分液體供給部112的閥112c打開的時間減少以及／或者使第二成分液體供給部114的閥114c打開的時間增加。在此情形中，控制部102亦可調整第一成分液體供給部112的流量與供給時間以及第二成分液體供給部114的流量與供給時間的任一者。
或者，在無法將第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量的比率調整在預定的範圍內之情形中，控制部102係停止驅動第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114以及基板處理單元10。
如此，在步驟S140中，基於算出的第一供給量以及第二供給量來控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。在本說明書中，會有將此種控制稱為算出控制工序之情形。
在步驟S150中，判定是否已經完成朝儲留槽116供給成分液體。例如，液量偵測感測器(未圖示)係偵測儲留槽116內的混合液的液量。液量偵測感測器係包含液面感測器。在所偵測到的液量比臨限值還大之情形中，控制部102係判定成已經結束朝儲留槽116供給成分液體。另一方面，在所偵測到的液量為臨限值以下之情形中，控制部102係判定成持續朝儲留槽116供給成分液體。
在已經結束朝儲留槽116供給成分液體之情形中(在步驟S150中為是)，處理係移行至步驟S160。另一方面，在尚未結束朝儲留槽116供給成分液體之情形中(在步驟S150中為否)，處理係返回至步驟S140。在此種情形中，基於第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量來控制第一成分液體供給部112以及／或者第二成分液體供給部114，直至結束朝儲留槽116供給成分液體為止。
在步驟S160中，停止供給第一成分液體以及第二成分液體。在此，第一成分液體供給部112係停止經由第一配管112a朝儲留槽116供給第一成分液體。此外，第二成分液體供給部114係停止經由第二配管114a朝儲留槽116供給第二成分液體。
此外，第一成分液體供給部112停止供給第一成分液體之時序係可與第二成分液體供給部114停止供給第二成分液體之時序相同，亦可與第二成分液體供給部114停止供給第二成分液體之時序不同。此外，第一成分液體供給部112停止供給第一成分液體之時序係可比第二成分液體供給部114停止供給第二成分液體之時序還快，亦可比第二成分液體供給部114停止供給第二成分液體之時序還慢。
在步驟S170中，開始處理基板W。基板處理單元10係使用在儲留槽116中混合了第一成分液體以及第二成分液體的混合液開始處理基板W。處理係移行至步驟S172。
在步驟S172中，判定儲留槽116內的混合液的液量是否比臨限值還多。液量偵測感測器係偵測儲留槽116內的混合液的液量。控制部102係比較儲留槽116內的混合液的液量與臨限值。
在混合液的液量比臨限值還大之情形中(在步驟S172中為是)，處理係移行至步驟S180。另一方面，在混合液的液量為臨限值以下之情形中(在步驟S172中為否)，處理係返回至步驟S110。此時，較佳為控制部102係設定重新被供給至儲留槽116的混合液的液量以及濃度。
在步驟S180中，偵測儲留槽116內的混合液的濃度。濃度感測器118係偵測被儲留於儲留槽116的混合液內的對象成分的濃度。
在步驟S182中，判定混合液的濃度是否處於容許範圍。控制部102係比較對象成分的濃度與記憶於記憶部104的容許範圍。
在混合液的濃度未處於容許範圍內之情形中(在步驟S182中為否)，結束處理。在此種情形中，控制部102係停止驅動第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114以及基板處理單元10。
在混合液的濃度處於容許範圍內之情形中(在步驟S182中為是)，處理係移行至步驟S184。
在步驟S184中，判定是否調整儲留槽116的混合液的濃度。控制部102係判定混合液內的對象成分的濃度是否處於正常範圍內，藉此判定是否調整儲留槽116內的混合液的濃度。例如，在對象成分的濃度處於正常範圍內之情形中，控制部102係判定成不調整儲留槽116內的混合液的濃度。在混合液的濃度未處於正常範圍內之情形中，控制部102係判定成調整儲留槽116內的混合液的濃度。
在判定成不調整對象成分的濃度之情形中(在步驟S184中為否)，處理係移行至步驟S190。另一方面，在判定成調整混合液的濃度之情形中(在步驟S184中為是)，處理係返回至步驟S110。此時，較佳為控制部102係算出重新被供給至儲留槽116的混合液的液量以及濃度。
此外，在步驟S182中以及步驟S184中，基於濃度感測器118所測量的濃度來控制包含第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114的基板處理裝置100。在本說明書中記載有：偵測控制工序，係利用濃度感測器118所測量的濃度進行控制。
在步驟S190中，判定是否結束基板處理。在未結束基板處理之情形中(在步驟S190中為否)，處理係返回至步驟S180。之後，在步驟S180中偵測混合液的濃度。在此，反復地判定混合液的濃度是否處於容許範圍以及是否調整混合液的濃度，直至結束基板處理為止。另一方面，在結束基板處理之情形中(在步驟S190中為是)，結束處理。
如上所述，在本實施形態中，將混合了第一成分液體以及第二成分液體的混合液作為處理液來處理基板W。在本實施形態中，在對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體之期間控制第一成分液體的流量以及／或者第二成分液體的流量。因此，在儲留槽116中混合第一成分液體以及第二成分液體且在濃度感測器118偵測第一成分液體或者第二成分液體中的對象成分相對於混合液之濃度之前，能控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。此外，在未對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體之期間中，基於濃度感測器118所偵測到的濃度來控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。藉此，能高精密度地控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。
接著，參照圖1至圖6說明本實施形態的基板處理裝置100。圖6中的(a)以及圖6中的(c)為顯示第一處理液的流量以及第二處理液的流量的時間變化之圖表，圖6中的(b)為顯示儲留槽116內的混合液的濃度的時間變化之圖表。
在圖6中的(a)中，第一流量計112b係測量第一成分液體的流量Va。在此，為了避免說明過度複雜化，第一成分液體的流量Va係因應閥112c的開閉變化成脈波狀。在此種情形中，當在時間Ta1中打開閥112c時，第一成分液體開始於第一配管112a流動，第一成分液體的流量Va係增加。
另一方面，當在時間Ta2中關閉閥112c中，第一配管112a內的第一成分液體的流動係停止，第一成分液體的流量Va係降低。如此，第一成分液體係在從時間Ta1至時間Ta2為止之整個第一供給期間Pa中於第一配管112a流動。
控制部102係基於第一成分液體的流量Va的時間變化算出第一成分液體的供給量Sa。在本說明書中，會有將第一成分液體的供給量記載成第一供給量Sa之情形。第一供給量算出部102a係基於第一成分液體的流量Va的時間變化算出第一供給量Sa。第一供給量算出部102a係將第一成分液體的流量Va的時間變化予以積分，從而能算出第一供給量Sa。例如，第一供給量算出部102a係將第一成分液體的流量Va累計，藉此能算出第一供給量Sa。
同樣地，第二流量計114b係測量第二成分液體的流量Vb。在此，為了避免說明過度複雜化，第二成分液體的流量Vb係因應閥114c的開閉變化成脈波狀。在此種情形中，當在時間Tb1中打開閥114c時，第二成分液體開始於第二配管114a流動，第二成分液體的流量Vb係增加。
另一方面，當在時間Tb2中關閉閥114c時，第二配管114a內的第二成分液體的流動係停止，第二成分液體的流量Vb係降低。如此，第二成分液體係在從時間Tb1至時間Tb2為止之整個第二供給期間Pb中於第二配管114a流動。
控制部102係基於第二成分液體的流量Vb的時間變化算出第二成分液體的供給量Sb。在本說明書中，會有將第二成分液體的供給量記載成第二供給量Sb之情形。第二供給量算出部102b係基於第二成分液體的流量Vb的時間變化算出第二供給量Sb。第二供給量算出部102b係將第二成分液體的流量Vb的時間變化予以積分，從而能算出第二供給量Sb。例如，第二供給量算出部102b係將第二成分液體的流量Vb累計，藉此能算出第二供給量Sb。
成分液體供給期間P1係包含第一供給期間Pa以及第二供給期間Pb。成分液體供給期間P1為對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體之期間。在此，成分液體供給期間P1係表示下述期間：對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體中的一者後直至對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體中的另一者為止之期間。此外，成分液體供給期間P1亦可在對儲留槽116供給第一成分液體之期間與對儲留槽116供給第二成分液體之期間包含未對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體的任一者之期間。此外，成分液體供給期間P1亦可在對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體中的一者之期間之後包含未對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體的任一者之期間。
此外，在成分液體供給期間P1中對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體中的至少一者。因此，在成分液體供給期間P1中，儲留槽116內的混合液的濃度以及液量中的至少一者係變動。
成分液體非供給期間P2為未對儲留槽116供給第一成分液體以及第二成分液體的任一者之期間。典型而言，成分液體非供給期間P2亦可在第一供給期間Pa以及第二供給期間Pb中較晚結束的一者結束之後立即開始。然而，成分液體非供給期間P2亦可為在第一供給期間Pa以及第二供給期間Pb中較晚結束的一者結束之後經過預定期間後再開始。
此外，第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b係能在成分液體供給期間P1中算出第一供給量以及第二供給量。因此，控制部102係能在成分液體供給期間P1中基於第一供給量以及第二供給量來控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。例如，在第一供給量以及第二供給量從預定的值偏移之情形中，控制部102係能在成分液體供給期間P1中基於第一供給量以及第二供給量來控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。
圖6中(b)為顯示濃度感測器118所測量的儲留槽116內的混合液的濃度之測量結果的時間變化。濃度感測器118所測量的濃度係於成分液體非供給期間P2變化而非於成分液體供給期間P1變化。
如圖6中的(a)與圖6中的(b)的比較所理解般，濃度感測器118係測量儲留槽116內的混合液的濃度。典型而言，從第一配管112a中的第一流量計112b至儲留槽116為止之具有預定的距離，且從第二配管114a中的第二流量計114b至儲留槽116為止之具有預定的距離。此外，在儲留槽116中混合了第一成分液體以及第二成分液體後，直至濃度感測器118測量混合液的濃度為止存在時滯(time lag)。因此，利用第一供給量以及第二供給量，藉此能比藉由濃度感測器118進行測量之方式還要早取得儲留槽116內的混合液的狀況。
此外，在圖6中的(a)中，雖然第一供給期間Pa以及第二供給期間Pb未重疊，然而本實施形態並未限定於此。
如圖6中的(c)所示，第一供給期間Pa以及第二供給期間Pb亦可重疊。例如，第一供給期間Pa亦可在與第二供給期間Pb相同的時序開始，且在與第二供給期間Pb相同的時序結束。在此種情形中，當在時間Tc1中打開閥112c時，第一成分液體開始於第一配管112a流動，從而第一成分液體的流量Va係增加。此外，當在時間Tc1中打開閥112c以及閥114c時，第二成分液體開始於第二配管114a流動，從而第二成分液體的流量Vb係增加。
另一方面，當在時間Tc2中關閉閥112c時，第一配管112a內的第一成分液體的流動係停止，從而第一成分液體的流量Va係降低。此外，當在時間Tc2中關閉閥112c以及閥114c時，第二配管114a內的第二成分液體的流動係停止，從而第二成分液體的流量Vb係降低。
此外，在參照圖1至圖6的說明中，雖然控制部102係主要基於第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量來控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114，然而本實施形態並未限定於此。控制部102亦可基於儲留於儲留槽116內的混合液的液量與濃度、第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量來算出混合液的濃度。
接著，參照圖1至圖7說明本實施形態的基板處理裝置100。圖7為本實施形態的基板處理方法的流程圖。此外，圖7的流程圖係除了將從第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量算出混合液的濃度之點排除之外，與圖5所示的流程圖相同，因此以避免冗長為目的省略重複的說明。
如圖7所示，步驟S110至步驟S130係與圖5的步驟S110至步驟S130相同。在步驟S130之後，處理係移行至步驟S132。
在步驟S132中，算出混合液的濃度。控制部102亦可基於第一供給量以及第二供給量算出追加至儲留槽116的混合液的濃度。能從藉由第一供給量算出部102a所算出的第一供給量以及藉由第二供給量算出部102b所算出的供給量來算出新追加的混合液的濃度。在本說明書中，會有將新追加的混合液的濃度記載成追加算出濃度之情形。
或者，控制部102亦可除了基於追加至儲留槽116的混合液的濃度(追加算出濃度)以及液量之外再基於現在的儲留槽116內的混合液的濃度以及液量，算出追加此次的混合液後的儲留槽116內的混合液的濃度。接著，處理係移行至步驟S140。步驟S140之後係與圖5的步驟S140之後相同。
在本實施形態中，控制部102係能基於藉由第一供給量算出部102a所算出的第一供給量以及藉由第二供給量算出部102b所算出的第二供給量，算出追加至儲留槽116的混合液或者追加至儲留槽116後的混合液的濃度。藉此，能利用用以控制儲留槽116內的混合液之濃度的基準來調整混合液。
接著，參照圖1至圖8說明本實施形態的基板處理裝置100。圖8中的(a)以及(b)為顯示儲留槽116內的混合液的濃度的時間變化之圖表。
如圖8中的(a)所示，濃度係被設定成目標值Gv。理想上，在成分液體供給期間P1中，濃度係被維持在目標值Gv。然而，實際上濃度大多會相對於目標值Gv稍微變動。此外，在成分液體供給期間P1中，目標值Gv本身亦可變化。
對混合液的濃度設定有容許範圍。在此，容許範圍為從下限臨限值Th1至上限臨限值Th2之內。在混合液的濃度比下限臨限值Th1還低之情形中，控制部102係將混合液的濃度判斷成異常，停止驅動基板處理裝置100。此外，在混合液的濃度為上限臨限值Th2以上之情形中，控制部102亦將混合液的濃度判斷成異常，停止驅動基板處理裝置100。反之，在濃度為容許範圍內之情形中(亦即濃度為下限臨限值Th1以上且比上限臨限值Th2還小之情形)，控制部102係持續驅動基板處理裝置100。
例如，下限臨限值Th1以及上限臨限值Th2亦可設定成相對於目標值Gv偏移達至預定的值之值。
此外，對濃度設定了正常範圍。在此，正常範圍為從下限臨限值Tha至上限臨限值Thb之內。在濃度比下限臨限值Tha還低之情形中，控制部102係以濃度上升之方式驅動基板處理裝置100。此外，在濃度為上限臨限值Thb以上之情形中，控制部102係以濃度降低之方式驅動基板處理裝置100。
例如，下限臨限值Tha以及上限臨限值Thb亦可設定成相對於目標值Gv偏移達至預定的值之值。
當被供給至儲留槽116的第一成分液體以及第二成分液體的流量變動時，儲留槽116內的混合液的濃動係變動。例如，當混合液的濃度比下限臨限值Tha還低時，控制部102係變更閥112c的開放度從而使混合液的濃度增加。另一方面，當混合液的濃度變成上限臨限值Thb以上時，控制部102係變更閥112c的開放度從而使混合液的濃度降低。
例如，當混合液的濃度比下限臨限值Tha還低時，控制部102係以第一配管112a的開放度增加之方式控制閥112c。此外，當濃度成為上限臨限值Thb以上時，控制部102係以第一配管112a的開放度降低之方式控制閥112c。此外，在增加閥112c的開放度後濃度返回至目標值Gv之情形中，控制部102亦可以恢復閥112c的開放度之方式控制閥112c。
如圖8中的(b)所示，一併地顯示藉由濃度感測器118測量了追加算出濃度Ca之濃度Cs。如上所述，追加算出濃度Ca係顯示新追加的混合液的濃度。追加算出濃度Ca係時間上比藉由濃度感測器118所測量的濃度Cs還要早變動。因此，能藉由追加算出濃度Ca迅速地掌握被供給至儲留槽116的混合液的狀況。
此外，依據本實施形態，假設從藉由第一供給量算出部102a所算出的第一供給量以及藉由第二供給量算出部102b所算出的第二供給量所算出的濃度如追加算出濃度Ca1般超過上限臨限值Th2之情形中，能迅速地停止驅動第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114以及基板處理單元10。藉此，能抑制基板處理裝置100產生問題。
此外，在利用第一供給量以及第二供給量算出儲留槽116內的混合液中的對象成分的濃度之情形中，較佳為算出的濃度(算出濃度)係與藉由濃度感測器118所偵測到的濃度(偵測濃度)進行比較。例如，在算出濃度與偵測濃度之間的差異比臨限值還大之情形中，控制部102亦可停止驅動第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114以及基板處理單元10。
此外，在圖3所示的基板處理裝置100中，雖然第一配管112a以及第二配管114a彼此分離，然而本實施形態並未限定於此。第一配管112a亦可與第二配管114a連接。此外，在圖3所示的基板處理裝置100中，儲留槽116的混合液亦可在循環路徑中循環。
接著，參照圖1至圖9說明本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成。圖9為顯示本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。圖9的基板處理裝置100係除了將下述幾點排除之外，與圖3所示的基板處理裝置100相同，因此以避免冗長為目的省略重複的說明；排除之點主要為：(1)第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114係分別具有兩種閥；(2)第一配管112a係與第二配管114a連接；(3)濃度感測器118係配置於循環流路；(4)儲留槽116的混合液係能夠循環；(5)處理液供給部係進一步具有流量計；(6)閥36係具有兩種閥。
如圖9所示，基板處理裝置100係具有第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114、儲留槽116以及濃度感測器118。在此，第一成分液體供給部112係供給氫氟酸。此外，第二成分液體供給部114係供給稀釋液。例如，稀釋液係包含水或者去離子水(DIW)。
第一成分液體供給部112係包含第一配管112a、第一流量計112b以及閥112c。第二成分液體供給部114係包含第二配管114a、第二流量計114b以及閥114c。
閥112c係包含供給閥112c1以及流量調整閥112c2。供給閥112c1以及流量調整閥112c2係配置於第一配管112a。供給閥112c1係將第一配管112a開放或者封閉，從而切換成開始對儲留槽116供給第一成分液體或者停止對儲留槽116供給第一成分液體。供給閥112c1係例如為釋放閥(relief valve)。
流量調整閥112c2係調整於第一配管112a流動的第一成分液體的流量。流量調整閥112c2係例如為馬達針閥。
閥114c係包含供給閥114c1以及流量調整閥114c2。供給閥114c1以及流量調整閥114c2係配置於第二配管114a。供給閥114c1係將第二配管114a開放或者封閉，從而切換成開始對儲留槽116供給第二成分液體或者停止對儲留槽116供給第二成分液體。供給閥114c1係例如為釋放閥。
流量調整閥114c2係調整於第二配管114a流動的第二成分液體的流量。流量調整閥114c2係例如為馬達針閥。
基板處理裝置100係具有配管113，配管113係與第一配管112a以及第二配管114a連接。配管113係與第一配管112a的一端以及第二配管114a的一端連接。第一配管112a以及第二配管114a係與配管113的一端連接。
於配管113流動有第一成分液體、第二成分液體以及混合液中的任一者。例如，在打開閥112c且關閉閥114c之情形中，於配管113中流動有第一成分液體。或者，在關閉閥112c且打開閥114c之情形中，於配管113流動有第二成分液體。或者，在打開閥112c以及閥114c雙方之情形中，於配管113流動有混合液。
第一成分液體係經由第一配管112a以及配管113流動至儲留槽116。第二成分液體係經由第二配管114a以及配管113流動至儲留槽116。此外，在第一成分液體以及第二成分液體同時於配管113流動之情形中，於第一配管112a流動的第一成分液體以及於第二配管114a流動的第二成分液體係在配管113中被混合。
在基板處理裝置100中，儲留槽116的混合液係能在循環路徑中循環。配管117的一端係與儲留槽116連接，配管117的另一端係與儲留槽116連接。藉此，混合槽116的混合液係能經由配管117循環。藉由儲留槽116的混合液進行循環，濃度感測器118係能穩定地測量混合液的濃度。濃度感測器118係配置於循環流路。
處理液供給部30係除了具備配管32、噴嘴34、閥36之外還進一步具備流量計38。詳細而言，處理液供給部30a係除了具備配管32a、噴嘴34a、閥36a之外還進一步具備流量計38a。處理液供給部30b係除了具備配管32b、噴嘴34b、閥36b之外還進一步具備流量計38b。處理液供給部30c係除了具備配管32c、噴嘴34c、閥36c之外還進一步具備流量計38c。
閥36a係包含供給閥36a1以及流量調整閥36a2。供給閥36a1以及流量調整閥36a2係配置於配管32a。供給閥36a1係將配管32a開放或者封閉，從而切換成開始對噴嘴34a供給第一成分液體或者停止對噴嘴34a供給第一成分液體。供給閥36a1係例如為釋放閥。流量調整閥36a2係調整於配管32a流動的第一成分液體的流量。流量調整閥36a2係例如為馬達針閥。
同樣地，閥36b係包含供給閥36b1以及流量調整閥36b2。此外，閥36c係包含供給閥36c1以及流量調整閥36c2。
此外，在圖4以及圖9所示的基板處理裝置100中，雖然於第一配管112a流動的第一處理液以及於第二配管114a流動的第二處理液皆被供給至儲留槽116，然而本實施形態並未限定於此。於第一配管112a流動的第一處理液以及於第二配管114a流動的第二處理液亦可被廢棄而不選擇性地被供給至儲留槽116。
接著，參照圖1至圖10說明本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成。圖10為本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。此外，圖10的基板處理裝置100係除了將進一步地具備用以廢棄第一成分液體、第二成分液體以及混合液之廢液機構之點排除之外，具有與圖9所示的基板處理裝置100相同的構成，因此以避免冗長為目的省略重複的說明。
如圖10所示，基板處理裝置100係除了具備第一成分液體供給部112、第二成分液體供給部114、儲留槽116、配管117以及濃度感測器118之外還進一步具備廢液槽119。廢液槽119係配置於處理液櫃110內。
第一成分液體係從第一成分液體供給部112流入至廢液槽119，第二成分液體係從第二成分液體供給部114流入至廢液槽119。
配管113係將第一配管112a與第二配管114a之間的連接點與儲留槽116連通。於配管113配置有閥113a。閥113a係將配管113內的流路打開以及關閉。閥113a係調節配管113的開放度，從而調整於配管113流動的第一成分液體、第二成分液體以及混合液中的任一者的流量。
於配管113連接有配管113d。配管113與配管113d之間的連接部位係位於閥113a的上游側。配管113d係連通配管113以及廢液槽119。於配管113d配置有閥113b。閥113b係將配管113d內的流路打開以及關閉。閥113b係調節配管113d的開放度，從而調整於配管113d流動的第一成分液體、第二成分液體以及混合液中的任一者的流動。
於儲留槽116的底部連接有配管119a。於配管119a配置有閥119b。閥119b係將配管119a內的流路打開以及關閉。配管119a係連通儲留槽116以及廢液槽119。
依據本實施形態，能使第一成分液體、第二成分液體以及混合液選擇性地流入至廢液槽119。
此外，在圖6中的(a)以及圖6中的(c)所示的圖表中，雖然第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb係變化成矩形狀，然而本實施形態並未限定於此。實際上會有下述情形：當使閥112c以及閥114c從關閉狀態變化成打開狀態時，第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb係緩緩地增加。此外，會有下述情形：當使閥112c以及閥114c從打開狀態變化成關閉狀態時，第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb係緩緩地減少。在此種情形中，第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb的變化大的部分亦可不供給至儲留槽116而是廢棄。
接著，參照圖1至圖11說明本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成。圖11中的(a)以及圖11中的(b)為顯示第一處理液以及第二處理液的流量的變化之圖表。
如圖11中的(a)所示，第一成分液體的流量Va係與時間一起變化。在此，第一流量計112b係測量第一成分液體的流量Va。當閥112c打開時，第一成分液體的流量Va係隨著時間一起增加。之後，當閥112c完全地打開時，第一成分液體的流量Va係呈現峰值。在此，第一成分液體的流量Va係變動。之後，當關閉閥112c時，第一成分液體的流量Va係緩緩地減少。
同樣地，第二成分液體的流量Vb係與時間一起變化。在此，第二流量計114b係測量第二成分液體的流量Vb。當閥114c打開時，第二成分液體的流量Vb係隨著時間一起增加。之後，當閥114c完全地打開時，第二成分液體的流量Vb係呈現峰值。在此，第二成分液體的流量Vb係變動。之後，當關閉閥114c時，第二成分液體的流量Vb係緩緩地減少。
此外，如圖11中的(a)所示會有下述情形：即使控制部102打開閥112c，第一成分液體的流量Va亦不會迅速地上升；即使控制部102關閉閥112c，第一成分液體的流量Va亦不會迅速地下降。同樣地，會有下述情形：即使控制部102打開閥114c，第二成分液體的流量Vb亦不會迅速地上升；即使控制部102關閉閥114c，第二成分液體的流量Vb亦不會迅速地下降。
在此種情形中，第一供給量算出部102a亦可在第一成分液體的流量Va超過預定值後作為第一供給量進行計數。此外，第一供給量算出部102a亦可在控制部102輸出用以關閉閥112c之訊號後不作為第一供給量進行計數。
同樣地，第二供給量算出部102b亦可在第二成分液體的流量Vb超過預定值後作為第二供給量進行計數。此外，第二供給量算出部102b亦可在控制部102輸出用以關閉閥112c之訊號後不作為第二供給量進行計數。在此種情形中，亦可與第一供給量算出部102a開始算出供給量之時序同時地，關閉閥113b並打開閥113a。
如圖11中的(b)所示，第一供給量算出部102a係基於第一成分液體的流量Va的時間變化來算出第一供給量Sa。第一供給量算出部102a係在從時間T1至時間T2為止之範圍內將第一成分液體的流量Va的時間變化予以積分，藉此能算出第一供給量Sa。例如，第一供給量算出部102a係將第一成分液體的流量Va累計，藉此能算出第一供給量Sa。
同樣地，第二供給量算出部102b係基於第二成分液體的流量Vb的時間變化來算出第二供給量Sb。第二供給量算出部102b係在從時間T1至時間T2為止之範圍內將第二成分液體的流量Vb的時間變化予以積分，藉此能算出第二供給量Sb。例如，第二供給量算出部102b係將第二成分液體的流量Vb累計，藉此能算出第二供給量Sb。
如此，第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b亦可針對第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb，將從來自某個時間T1的值至另外一個時間T2為止的值作為第一供給量Sa以及第二供給量Sb的算出的根據。
此外，在此種情形中，在閥112c以及閥114c開始打開後至時間T1為止之期間中，於第一配管112a流動的第一成分液體以及於第二配管114a流動的第二成分液體係不會流動至儲留槽116而是流動至廢液槽119。在本說明書中會有將下述狀況稱為預排水(pre-drain)之情形：在供第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b使用於第一供給量Sa以及第二供給量Sb的算出之第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb之前，第一成分液體以及第二成分液體不流動至儲留槽116而是流動至廢液槽119。
典型而言，在預排水時，第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb的變化係較大。因此，較佳為第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b係不將預排水時的第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb計數至第一供給量Sa以及第二供給量Sb。例如，預排水期間為一秒以上至五秒以下。
例如，在預排水中，在時間T1之前，第一成分液體供給部112係將第一成分液體供給至第一配管112a。在本說明書中，會有將第一成分液體供給部112所為的工序稱為第一成分液體前置供給工序之情形。同樣地，在預排水中，在時間T1之前，第二成分液體供給部114係將第二成分液體供給至第二配管114a。在本說明書中，會有將第二成分液體供給部114所為的工序稱為第二成分液體前置供給工序之情形。
此外，從控制部102已經輸出用以關閉閥112c以及閥114c的訊號之時間T2至第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb變成零為止之期間中，於第一配管112a流動的第一成分液體以及於第二配管114a流動的第二成分液體係不會流動至儲留槽116而是流動至廢液槽119。在本說明書中會有將下述狀況稱為後排水(post‐drain)之情形：在供第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b使用於第一供給量Sa以及第二供給量Sb的算出之第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb之後，第一成分液體以及第二成分液體不流動至儲留槽116而是流動至廢液槽119。
典型而言，在後排水時，第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb的變化係較大。因此，較佳為第一供給量算出部102a以及第二供給量算出部102b係不將後排水時的第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb計數至第一供給量Sa以及第二供給量Sb。例如，後排水期間為一秒以上至五秒以下。
例如，在後排水中，在時間T2之後，來自第一成分液體供給部112的第一成分液體係於第二配管114a流動。在本說明書中，會有將第一成分液體從第一成分液體供給部112流動的工序稱為第一成分液體後續供給工序之情形。同樣地，在後排水中，在時間T2之後，來自第二成分液體供給部114的第二成分液體係於第二配管114a流動。在本說明書中，會有將第二成分液體從第二成分液體供給部114流動的工序稱為第二成分液體後續供給工序之情形。
接著，參照圖1至圖12B說明本實施形態的基板處理裝置100中的配管構成。圖12A以及圖12B為本實施形態的基板處理方法的流程圖。此外，圖12A以及圖12B的流程圖係主要除了將進行預排水以及後排水之點排除之外，與圖7所示的流程圖相同，因此以避免冗長為目的省略重複的說明。
如圖12A所示，在步驟S110a中，開始預排水。在此，控制部102係關閉閥113a並打開閥113b。接著，處理係移行至步驟S110。
在步驟S110中，開始供給第一成分液體以及第二成分液體。在此，第一成分液體供給部112係經由第一配管112a開始供給第一成分液體。此外，第二成分液體供給部114係經由第二配管114a開始供給第二成分液體。控制部102係打開第一成分液體供給部112的供給閥112c1以及流量調整閥112c2，並打開第二成分液體供給部114的供給閥114c1以及流量調整閥114c2。藉此，第一成分液體以及第二成分液體係經由配管113d流動至廢液槽119。在此種情形中，較佳為使第一成分液體開始於第一配管112a流動之時序與第二成分液體開始於第二配管114a流動之時序一致。接著，處理係移行至步驟S110b。
在步驟S110b中，測量第一成分液體以及第二成分液體的流量。第一流量計112b係測量於第一配管112a流動的第一成分液體的流量。第二流量計114b係測量於第二配管114a流動的第二成分液體的流量。接著，處理係移行至步驟S110c。
在步驟S110c中，判定第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb是否滿足條件。詳細而言，控制部102係判定第一成分液體的流量Va是否超過臨限值。此外，控制部102係判定第二成分液體的流量Vb是否超過臨限值。
在第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb滿足條件之情形中(在步驟S110c中為是)，處理係移行至步驟S110e。另一方面，在第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb的任一者未滿足條件之情形中(在步驟S110c中為否)，處理係移行至步驟S110d。
在步驟S110d中，基於第一成分液體的流量以及第二成分液體的流量來控制第一成分液體供給部112以及／或者第二成分液體供給部114。例如，在第一成分液體的流量比臨限值還少之情形中，控制部102係以使第一成分液體的流量增加之方式控制第一成分液體供給部112。例如，控制部102係使第一成分液體供給部112的閥112c的開放度增加。
或者，在第二成分液體的流量比臨限值還少之情形中，控制部102係以使第二成分液體的流量增加之方式控制第二成分液體供給部114。例如，控制部102係使第二成分液體供給部114的閥114c的開放度增加。接著，處理係返回至步驟S110c。藉此，控制第一成分液體供給部112以及／或者第二成分液體供給部114，直至第一成分液體的流量Va以及第二成分液體的流量Vb滿足條件為止。
在步驟S110e中，從第一成分液體的流量以及第二成分液體的流量算出於配管113d流動的混合液的濃度。例如，控制部102係基於第一成分液體的流量以及第二成分液體的流量的比率算出於配管113d流動的混合液的濃度。接著，處理係移行至步驟S110f。
在步驟S110f中，判定所算出的濃度(算出濃度)是否滿足條件。例如，控制部102係判定算出濃度是否處於正常範圍內。
在算出濃度滿足條件之情形中(在步驟S100f中為是)，處理係前進至步驟S110h。另一方面，在算出濃度未滿足條件之情形中(在步驟S100f中為否)，處理係前進至步驟S110g。
在步驟S110g中，基於算出濃度來控制第一成分液體供給部112以及／或者第二成分液體供給部114。在一例中，在第一成分液體的流量比第二成分液體的流量還少之情形中，控制部102係以使第一成分液體的流量增加之方式控制第一成分液體供給部112。例如，控制部102係使第一成分液體供給部112的閥112c的開放度增加。
或者，在第一成分液體的流量比第二成分液體的流量還多之情形中，控制部102係以使第二成分液體的流量增加之方式控制第二成分液體供給部114。例如，控制部102係使第二成分液體供給部114的閥114c的開放度增加。接著，處理係返回至步驟S110f。藉此，控制第一成分液體供給部112以及／或者第二成分液體供給部114，直至於配管113d流動的混合液的濃度滿足條件為止。
在步驟S110h中，結束預排水。在此，控制部102係打開閥113a並關閉閥113b。藉此，第一成分液體以及第二成分液體係經由配管113流動至儲留槽116。接著，處理係移行至步驟S120。步驟S120至步驟S150係與圖7相同。
在步驟S150中，判定是否結束朝儲留槽116供給成分液體。例如，用以偵測儲留槽116內的混合液的液量之液量偵測感測器係偵測儲留槽116內的混合液的液量。在所偵測到的液量比臨限值還大之情形中，控制部102係判定成已經結束朝儲留槽116供給成分液體。另一方面，在所偵測到的液量為臨限值以下之情形中，控制部102係判定成持續朝儲留槽116供給成分液體。
在結束朝儲留槽116供給成分液體之情形中(在步驟S150中為是)，處理係移行至步驟S160a。另一方面，在未結束朝儲留槽116供給成分液體之情形中(在步驟S150中為否)，處理係返回至步驟S140。在此種情形中，基於第一成分液體的供給量以及第二成分液體的供給量來控制第一成分液體供給部112以及／或者第二成分液體供給部114，直至結束朝儲留槽116供給成分液體為止。
在步驟S160a中，開始後排水。在此，控制部102係關閉閥113a並打開閥113b。此時，控制部102亦可以關閉第一成分液體供給部112的閥112c以及第二成分液體供給部114的閥114c之方式進行控制。接著，處理係移行至步驟S160。
在步驟S160中，停止第一成分液體以及第二成分液體的流動。在此，停止第一成分液體經由第一配管112a朝儲留槽116供給。此外，停止第二成分液體經由第二配管114a朝儲留槽116供給。
在步驟S160b中，結束後排水。在此，控制部102係關閉閥113a以及閥113b。接著，處理係移行至步驟S170。步驟S170至步驟S190係與圖7相同。
依據本實施形態，在將第一成分液體以及第二成分液體供給至儲留槽116之前以及之後進行預排水以及後排水。藉此，由於避開流量變化大的預排水期間以及後排水期間的影響來進行算出控制，因此能高精密度地控制第一成分液體供給部112以及第二成分液體供給部114。
此外，在圖1以及圖2所示的基板處理裝置100中，基板處理單元10為葉片型，儲留槽116的混合液係被供給至腔室11內的基板W，然而本實施形態並未限定於此。基板處理單元10亦可為批次(batch)型，且儲留槽116的混合液亦可被供給至處理槽。
接著，參照圖13說明本實施形態的基板處理裝置100。圖13為基板處理裝置100的示意圖。
如圖13所示，基板處理裝置100係具備基板處理單元10A至10C作為基板處理單元10。在此，基板處理單元10A至10C為批次型。
基板處理單元10A係具備處理槽40a以及升降機(lifter)50a。處理槽40a係儲留用以處理基板W之處理液。對處理槽40a供給作為處理液的混合液。儲留槽116的混合液係經由配管32a被供給至處理槽40a。
升降機50a係保持基板W。被升降機50a保持之基板W的主表面的法線方向係與水平方向平行。複數片基板W係沿著水平方向排列成一列(row)。複數片基板W係略水平地排列於水平方向。此外，複數片基板W各者的法線係於水平方向延伸。
典型而言，升降機50a係統合地保持複數片基板W。例如，升降機50a係在保持著基板W的狀態下沿著鉛直方向移動至鉛直上方或者鉛直下方。
與基板處理單元10A同樣地，基板處理單元10B係具備處理槽40b以及升降機50b。此外，與基板處理單元10A同樣地，基板處理單元10C係具備處理槽40c以及升降機50c。
依據本實施形態的基板處理裝置100，即使基板處理單元10為批次型，亦能迅速地控制被供給至儲留槽116的成分液體。
此外，在圖13所示的基板處理裝置100中，雖然基板處理單元10為批次型，然而本實施形態並未限定於此。儲留槽116亦可為批次型的處理槽，且亦可兼用為基板處理單元10。
接著，參照圖14說明本實施形態的基板處理裝置100。圖14為基板處理裝置100的示意圖。
如圖14所示，基板處理裝置100係具備儲留槽116作為基板處理單元10。儲留槽116係作為所謂的批次型的處理槽發揮作用。
基板處理裝置100係具備儲留槽116以及升降機60。儲留槽116係儲留用以處理基板W之處理液。對儲留槽116供給作為處理液的混合液。第一成分液體以及第二成分液體係經由第一配管112a、第二配管114a以及配管113被供給至儲留槽116。
升降機60係保持基板W。被升降機60保持之基板W的主表面的法線方向係與水平方向平行。複數片基板W係沿著水平方向排列成一列。複數片基板W係略水平地排列於水平方向。此外，複數片基板W各者的法線係於水平方向延伸。
典型而言，升降機60係統合地保持複數片基板W。例如，升降機60係在保持著基板W的狀態下沿著鉛直方向移動至鉛直上方或者鉛直下方。
依據本實施形態的基板處理裝置100，即使儲留槽116為批次型的處理槽，亦能迅速地控制被供給至儲留槽116的成分液體。
以上已參照圖式說明本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上述實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施。此外，藉由適當地組合上述實施形態所揭示之複數個構成要素，可形成各種發明。例如，亦可將實施形態所示的全部的構成要素中的某幾個構成要素刪除。再者，亦可適當地組合不同的實施形態中的構成要素。為了容易理解本發明，圖式係將各個構成要素主體性且示意性地顯示，且所圖示的各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦會有因為圖式繪製的關係而與實際不同之情形。此外，上述實施形態所示的各個構成要素的材質、形狀、尺寸等係一例，並未特別限定，在未實質性地逸離本發明的功效之範圍內可進行各種變更。 [產業可利用性]
本發明係適合被使用於基板處理裝置以及基板處理方法。
10,10a,10b,10c:基板處理單元 11:腔室 20:基板保持部 21:自轉基座 22:夾具構件 23:軸件 24:電動馬達 25:殼體 30,30a,30b,30c:處理液供給部 32,32a,32b,32c,113,113d,117,119a:配管 34,34a,34b,34c:噴嘴 36,36a,36b,36c,112c,113a,114c,119b:閥 36a1,36b1,36c1,112c1,114c1:供給閥 36a2,36b2,36c2,112c2,114c2:流量調整閥 38,38a,38b,38c:流量計 40a,40c:處理槽 50a,50c,60:升降機 80:罩杯 100:基板處理裝置 101:控制裝置 102:控制部 102a:第一供給量算出部 102b:第二供給量算出部 104:記憶部 110:處理液櫃 112:第一成分液體供給部 112a:第一配管 112b:第一流量計 114:第二成分液體供給部 114a:第二配管 114b:第二流量計 116:儲留槽 118:濃度感測器 119:廢液槽 120:處理液箱 Ax:旋轉軸 Ca,Ca1:追加算出濃度 Cs:濃度 CR:中心機器人 Gv:目標值 IR:索引機器人 LP:裝載埠 Pa:第一供給期間 Pb:第二供給期間 P1:成分液體供給期間 P2:成分液體非供給期間 Sa:供給量(第一供給量) Sb:供給量(第二供給量) S110,S110a,S110b,S110c,S110d,S110e,S110f,S110g,S110h,S120,S130,S132,S140,S150,S160,S160a,S160b,S170,S172,S180,S182,S184,S190:步驟 T1,T2,Ta1,Ta2,Tb1,Tb2,Tc1,Tc2:時間 Th1,Tha:下限臨限值 Th2,Thb:上限臨限值 TW:塔 Va,Vb:流量 W:基板 Wa:上表面 Wb:背面
[圖1]為本實施形態的基板處理裝置的示意圖。 [圖2]為本實施形態的基板處理裝置中的基板處理單元的示意圖。 [圖3]為顯示本實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。 [圖4]為本實施形態的基板處理裝置的方塊圖。 [圖5]為本實施形態的基板處理方法的流程圖。 [圖6]中，(a)以及(c)為顯示第一處理液以及第二處理液的流量的變化之圖表，(b)為顯示儲留槽內的混合液的濃度的時間變化之圖表。 [圖7]為本實施形態的基板處理方法的流程圖。 [圖8]中的(a)以及(b)為顯示儲留槽內的混合液的濃度的時間變化之圖表。 [圖9]為顯示本實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。 [圖10]為顯示本實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。 [圖11]中的(a)以及(b)為顯示第一處理液以及第二處理液的流量的變化之圖表。 [圖12A]為本實施形態的基板處理方法的流程圖。 [圖12B]為本實施形態的基板處理方法的流程圖。 [圖13]為本實施形態的基板處理方法的示意圖。 [圖14]為本實施形態的基板處理方法的示意圖。
S110,S120,S130,S140,S150,S160,S170,S172,S180,S182,S184,S190:步驟

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，係具備： 第一成分液體供給部，係經由第一配管供給第一成分液體； 第一流量計，係測量前述第一成分液體於前述第一配管流動的流量； 第二成分液體供給部，係經由第二配管供給第二成分液體； 第二流量計，係測量前述第二成分液體於前述第二配管流動的流量； 儲留槽，係儲留混合了從前述第一成分液體供給部所供給的前述第一成分液體以及從前述第二成分液體供給部所供給的前述第二成分液體的混合液； 基板處理單元，係藉由從前述儲留槽所供給的前述混合液來處理基板； 濃度感測器，係偵測前述儲留槽內的前述混合液中的對象成分的濃度；以及 控制部，係基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部； 前述控制部係構成為： 基於前述第一流量計的測量結果算出從前述第一成分液體供給部經由前述第一配管被供給至前述儲留槽之前述第一成分液體的第一供給量； 基於前述第二流量計的測量結果算出從前述第二成分液體供給部經由前述第二配管被供給至前述儲留槽之前述第二成分液體的第二供給量；以及 在成分液體供給期間中基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部，前述成分液體供給期間為下述兩個期間中的至少一個期間，第一種期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體之期間，第二種期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體之期間。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量以及於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量中的至少一者。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述第一成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量之閥； 前述第二成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量之閥； 前述控制部係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部的前述閥以及前述第二成分液體供給部的前述閥中的至少一者的開放度。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在成分液體非供給期間中，基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部，前述成分液體非供給期間為前述第一成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第一成分液體且前述第二成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第二成分液體之期間。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在整個第一供給期間算出前述第一供給量且在整個第二供給期間算出前述第二供給量，前述第一供給期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管將前述第一成分液體供給至前述儲留槽之期間，前述第二供給期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管將前述第二成分液體供給至前述儲留槽之期間。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係以下述方式控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部： 在開始前述第一供給期間之前，前述第一成分液體係經由前述第一配管流動； 在結束前述第一供給期間之後，前述第一成分液體係經由前述第一配管流動； 在開始前述第二供給期間之前，前述第二成分液體係經由前述第二配管流動； 在結束前述第二供給期間之後，前述第二成分液體係經由前述第二配管流動。
  7. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係以下述方式控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部：前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時開始，且前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時結束。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係以下述方式控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部：使前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時開始，且使前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時停止。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中基於前述第一供給量以及前述第二供給量所算出的前述儲留槽內的前述混合液中的前述對象成分的濃度之算出濃度與藉由前述濃度感測器所偵測到的前述濃度之間的差值比臨限值還大之情形中，前述控制部係停止驅動前述第一成分液體供給部、前述第二成分液體供給部以及前述基板處理單元。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一成分液體係包含氫氟酸，前述第二成分液體係包含稀釋液。
  11. 一種基板處理方法，係包含： 第一成分液體供給部係經由第一配管對儲留槽供給第一成分液體之工序； 第一流量測量工序，係測量前述第一成分液體於前述第一配管流動的流量； 第二成分液體供給部係經由第二配管對儲留槽供給第二成分液體之工序； 第二流量測量工序，係測量前述第二成分液體於前述第二配管流動的流量； 儲留在前述儲留槽中混合了在用以供給前述第一成分液體之工序中所供給的前述第一成分液體以及在用以供給前述第二成分液體之工序中所供給的前述第二成分液體的混合液； 在基板處理單元中藉由從前述儲留槽所供給的前述混合液來處理基板之工序； 藉由濃度感測器偵測前述儲留槽內的前述混合液所含有的對象成分的濃度之工序； 偵測控制工序，係基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部； 基於前述第一流量測量工序的測量結果算出從前述第一成分液體供給部經由前述第一配管被供給至前述儲留槽之前述第一成分液體的第一供給量之工序； 基於前述第二流量測量工序的測量結果算出從前述第二成分液體供給部經由前述第二配管被供給至前述儲留槽之前述第二成分液體的第二供給量之工序；以及 算出控制工序，係在成分液體供給期間中基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部，前述成分液體供給期間為下述兩個期間中的至少一個期間，第一種期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體之期間，第二種期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體之期間。
  12. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中前述算出控制工序係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量以及於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量中的至少一者。
  13. 如請求項12所記載之基板處理方法，其中前述第一成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第一配管流動的前述第一成分液體的流量之閥； 前述第二成分液體供給部係包含能夠因應開放度調整於前述第二配管流動的前述第二成分液體的流量之閥； 前述算出控制工序係在前述成分液體供給期間中，基於前述第一供給量以及前述第二供給量來控制前述第一成分液體供給部的前述閥以及前述第二成分液體供給部的前述閥中的至少一者的開放度。
  14. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中前述偵測控制工序係在前述第一成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第一成分液體且前述第二成分液體供給部不對前述儲留槽供給前述第二成分液體之期間中，基於前述濃度感測器的偵測結果來控制前述第一成分液體供給部以及前述第二成分液體供給部。
  15. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中在用以算出前述第一供給量之工序中，在整個第一供給期間算出前述第一供給量，前述第一供給期間為前述第一成分液體供給部經由前述第一配管將前述第一成分液體供給至前述儲留槽之期間； 在用以算出前述第二供給量之工序中，在整個第二供給期間算出前述第二供給量，前述第二供給期間為前述第二成分液體供給部經由前述第二配管將前述第二成分液體供給至前述儲留槽之期間。
  16. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中進一步地包含： 第一成分液體前置供給工序，係在開始前述第一供給期間之前，前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體； 第一成分液體後續供給工序，係在結束前述第一供給期間之後，前述第一成分液體供給部經由前述第一配管供給前述第一成分液體； 第二成分液體前置供給工序，係在開始前述第二供給期間之前，前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體；以及 第二成分液體後續供給工序，係在結束前述第二供給期間之後，前述第二成分液體供給部經由前述第二配管供給前述第二成分液體。
  17. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中在用以算出前述第一供給量之工序以及用以算出前述第二供給量之工序中，前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時開始，且前述第一供給期間係與前述第二供給期間同時結束。
  18. 如請求項16所記載之基板處理方法，其中使在前述第一成分液體前置供給工序中前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與在前述第二成分液體前置供給工序中前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時開始，且使在前述第一成分液體後續供給工序中前述第一成分液體供給部所為的前述第一成分液體的供給與在前述第二成分液體後續供給工序中前述第二成分液體供給部所為的前述第二成分液體的供給同時停止。
  19. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中進一步地包含下述工序：在基於前述第一供給量以及前述第二供給量所算出的前述儲留槽內的前述混合液中的前述對象成分的濃度之算出濃度與藉由前述濃度感測器所偵測到的前述濃度之間的差值比臨限值還大之情形中，停止驅動前述第一成分液體供給部、前述第二成分液體供給部以及前述基板處理單元。
  20. 如請求項11或12所記載之基板處理方法，其中在供給前述第一成分體液體之工序中，前述第一成分液體係包含氫氟酸； 在供給前述第二成分體液體之工序中，前述第二成分液體係包含稀釋液。
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