TW202343117A - 窄邊框反射式顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

窄邊框反射式顯示裝置包含驅動電路基板、薄膜電晶體陣列基板、前面板疊構、導電線、蓋板以及封膠。薄膜電晶體陣列基板位在驅動電路基板上。薄膜電晶體陣列基板位在驅動電路基板與前面板疊構之間。導電線電性連接驅動電路基板與薄膜電晶體陣列基板。蓋板位在前面板疊構上。封膠包圍驅動電路基板、薄膜電晶體陣列基板、前面板疊構以及導電線。

Description

窄邊框反射式顯示裝置
本揭露是有關於一種具有窄邊框的反射式顯示裝置。
現今顯示裝置中的驅動方式需要藉由覆晶薄膜製程將軟性電路板以及驅動積體電路(IC)與TFT基板電性連接。然而,軟性電路板的彎折區以及用於接合軟性電路板的接合墊皆使得顯示裝置的邊框區的尺寸難以縮減。此外,穿戴視的顯示裝置的外型需求多變,上述的製造方式難以符合具有任意形狀的顯示裝置的需求。
有鑑於此,如何提供一種可解決上述問題的顯示裝置,仍是本領域努力研發的目標。
本揭露之一技術態樣為一種窄邊框反射式顯示裝置 。
在本揭露一實施例中,窄邊框反射式顯示裝置包含驅動電路基板、薄膜電晶體陣列基板、前面板疊構、導電線、蓋板以及封膠。薄膜電晶體陣列基板位在驅動電路基板上。薄膜電晶體陣列基板位在驅動電路基板與前面板疊構之間。導電線電性連接驅動電路基板與薄膜電晶體陣列基板。蓋板位在前面板疊構上。封膠包圍驅動電路基板、薄膜電晶體陣列基板、前面板疊構以及導電線。
在本揭露一實施例中,蓋板具有面對驅動電路基板的第一表面,且驅動電路基板於第一表面上的垂直投影位在第一表面的範圍內。
在本揭露一實施例中,薄膜電晶體陣列基板包含顯示區與環繞顯示區的周邊區,顯示區與周邊區之間具有交界,蓋板具有邊緣。於俯視圖中,薄膜電晶體陣列基板的交界在蓋板上的垂直投影至蓋板的邊緣的距離小於2.5毫米。
在本揭露一實施例中,薄膜電晶體陣列基板還包含多個第一導電墊,驅動電路基板還包含多個第二導電墊,且導電線分別電性連接第一導電墊與第二導電墊。
在本揭露一實施例中,驅動電路基板具有面對薄膜電晶體陣列基板的第二表面,第一導電墊位在第二表面上,且第一導電墊圍繞薄膜電晶體陣列基板。
在本揭露一實施例中,薄膜電晶體陣列基板具有面對前面板疊構的第三表面,第二導電墊位在第三表面上,且第二導電墊圍繞前面板疊構。
在本揭露一實施例中,薄膜電晶體陣列基板的材料包含保護層、聚醯亞胺薄膜與位在保護層與聚醯亞胺薄膜之間的黏著層。
在本揭露一實施例中,薄膜電晶體陣列基板的材料包含玻璃。
在本揭露一實施例中,驅動電路基板的材料包含保護層、聚醯亞胺薄膜與位在保護層與聚醯亞胺薄膜之間的黏著層。
在本揭露一實施例中,驅動電路基板的材料包含玻璃。
在本揭露一實施例中,驅動電路基板具有面對薄膜電晶體陣列基板的第二表面,窄邊框反射式顯示裝置還包含軟性電路板與晶片,其中軟性電路板(Flexible Printed Circuit board,FPC)接合於驅動電路基板的第二表面上,且晶片接合於軟性電路板上。
在本揭露一實施例中,蓋板具有面對驅動電路基板的第一表面,且於俯視圖中,軟性電路板與晶片於蓋板的第一表面上的垂直投影位在第一表面的範圍內。
在本揭露一實施例中,驅動電路基板具有背對薄膜電晶體陣列基板的第四表面,驅動電路基板為印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)或者軟性電路板,且窄邊框反射式顯示裝置還包含接合於驅動電路基板的第四表面上的晶片。
在本揭露一實施例中,封膠包圍且覆蓋驅動電路基板的側表面。
在上述實施例中,透過堆疊薄膜電晶體陣列基板與驅動電路基板,並藉由導電線電性連接分佈於邊框區的第一導電墊以及第二導電墊,可使軟性電路板無需接合在薄膜電晶體陣列基板上。換句話說,邊框區的寬度僅需考慮第一導電墊以及第二導電墊之間的間距即可,因此可縮減窄邊框反射式顯示裝置的邊框區的寬度。此外,邊框區的形狀可根據顯示區的形狀而定,因此窄邊框反射式顯示裝置可具有客製化的形狀。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說,在本發明部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。且為了清楚起見,圖式中之層和區域的厚度可能被誇大,並且在圖式的描述中相同的元件符號表示相同的元件。
第1圖為根據本揭露一實施例的窄邊框反射式顯示裝置100的上視圖。第2圖為沿著第1圖中的線段2-2'的剖面圖。同時參照第1圖及第2圖。第2圖左邊的邊框區BR,為具有導電線140的電性連接區之圖示,右邊的邊框區BR為軟性電路板180接合區之圖示。窄邊框反射式顯示裝置100包含驅動電路基板110、薄膜電晶體(Thin film transistor,TFT)陣列基板120、前面板疊構(Front panel laminate,FPL)130、導電線140、蓋板150以及封膠160。薄膜電晶體陣列基板120位在驅動電路基板110上,前面板疊構130位在薄膜電晶體陣列基板120上。薄膜電晶體陣列基板120位在驅動電路基板110與前面板疊構130之間。導電線140電性連接驅動電路基板110與薄膜電晶體陣列基板120。蓋板150位在前面板疊構130上。封膠160包圍驅動電路基板110、薄膜電晶體陣列基板120、前面板疊構130以及導電線140,且封膠160位在蓋板150與驅動電路基板110之間以及蓋板150與薄膜電晶體陣列基板120之間。封膠160包圍且覆蓋驅動電路基板110的一側表面1101。
同時參照第1圖及第2圖。蓋板150的面積大於驅動電路基板110的面積。蓋板150具有邊緣1002,且蓋板150的邊緣1002即為窄邊框反射式顯示裝置100的邊緣。也就是說,蓋板150的面積也大於薄膜電晶體陣列基板120的面積以及前面板疊構130的面積。
參照第2圖。蓋板150具有面對驅動電路基板110的第一表面1502。驅動電路基板110於第一表面1502上的垂直投影位在第一表面1502的範圍內。薄膜電晶體陣列基板120與前面板疊構130於第一表面1502上的垂直投影位在第一表面1502的範圍內。換句話說,驅動電路基板110、薄膜電晶體陣列基板120、前面板疊構130、導電線140以及封膠160在垂直方向Y上與蓋板150完全重疊。
參照第2圖。窄邊框反射式顯示裝置100還包含另一黏著層170,位在驅動電路基板110與薄膜電晶體陣列基板120之間。黏著層170為雙面膠,配置以黏合驅動電路基板110與薄膜電晶體陣列基板120。黏著層170的材料可為有機材料或無機材料。
參照第2圖。在本實施例中,窄邊框反射式顯示裝置100為可撓式的反射式顯示裝置。驅動電路基板110與薄膜電晶體陣列基板120具有可撓性。驅動電路基板110包含聚醯亞胺薄膜112、保護層114以及黏著層116。黏著層116位在保護層114與聚醯亞胺薄膜112之間。黏著層116配置以黏合保護層114與聚醯亞胺薄膜112。舉例來說,窄邊框反射式顯示裝置100為鐘錶,驅動電路基板110中整合了應用於鐘錶的系統組件,例如馬達、電池等。
薄膜電晶體陣列基板120包含聚醯亞胺薄膜122、保護層124以及黏著層126。黏著層126位在保護層124與聚醯亞胺薄膜122之間。黏著層126配置以黏合保護層124與聚醯亞胺薄膜122。薄膜電晶體陣列基板120還包含形成在聚醯亞胺薄膜122上的閘極、汲極/源極、絕緣層以及像素電極等結構(圖未示)。
前面板疊構130中包含顯示介質層132、透明導電膜134以及光學膠層136。透明導電膜134位在顯示介質層132與光學膠層136之間。顯示介質層132例如為電子墨水層。
驅動電路基板110的保護層114以及薄膜電晶體陣列基板120的保護層124配置以提供聚醯亞胺薄膜112與聚醯亞胺薄膜122支撐力。保護層114、124的材料可包含不鏽鋼、鈦合金、陶瓷材料或是玻璃等,但本揭露不以此為限。保護層114、124具有可撓性,且保護層114、124的硬度大於等於玻璃的硬度。舉例來說,保護層114、124可以是厚度約為0.1毫米的玻璃。驅動電路基板110的黏著層116以及薄膜電晶體陣列基板120的黏著層126為雙面膠。黏著層116、126的材料可為有機材料或無機材料。
第3圖為第1圖中的窄邊框反射式顯示裝置100省略蓋板150與封膠160後的上視圖。同時參照第2圖與第3圖。薄膜電晶體陣列基板120具有顯示區AA與環繞顯示區AA的周邊區PA。薄膜電晶體陣列基板120的顯示區AA與周邊區PA之間具有交界1204。驅動電路基板110的面積大於薄膜電晶體陣列基板120的面積,且薄膜電晶體陣列基板120的面積大於前面板疊構130的面積。如第1圖與第2圖所示,交界1204在蓋板150上的垂直投影至蓋板150的邊緣1002的範圍為窄邊框反射式顯示裝置100的邊框區BR。
同時參照第2圖與第3圖。驅動電路基板110還包含多個第一導電墊118,薄膜電晶體陣列基板120還包含多個第二導電墊128。導電線140分別電性連接第一導電墊118與第二導電墊128。驅動電路基板110具有面對薄膜電晶體陣列基板120的第二表面1102。第一導電墊118位在第二表面1102上。薄膜電晶體陣列基板120在驅動電路基板110上的垂直投影與第一導電墊118無重疊。第一導電墊118圍繞薄膜電晶體陣列基板120。薄膜電晶體陣列基板120具有面對前面板疊構130的第三表面1202。第二導電墊128位在第三表面1202上。前面板疊構130在薄膜電晶體陣列基板120上的垂直投影與第二導電墊128無重疊。第二導電墊128圍繞前面板疊構130。
參照第2圖,窄邊框反射式顯示裝置100還包含軟性電路板(Flexible Printed Circuit board,FPC)180與晶片182。軟性電路板180接合於驅動電路基板110的第二表面1102上,且晶片182接合於軟性電路板180上。薄膜電晶體陣列基板120透過導電線140以及軟性電路板180與晶片182電性連接以驅動窄邊框反射式顯示裝置100。軟性電路板180彎折至驅動電路基板110的下方。軟性電路板180與晶片182於蓋板150的第一表面1502上的垂直投影位在第一表面1502的範圍內。換句話說,軟性電路板180無突出於蓋板150的邊緣1002。
除此之外,軟性電路板180的彎折區BD位在薄膜電晶體陣列基板120的下方,且軟性電路板180在薄膜電晶體陣列基板120的垂直投影與周邊區PA重疊。因此,軟性電路板180的彎折區BD不會佔據薄膜電晶體陣列基板120外側的空間。此外,上述的設計無需設置明顯突出的接合區於薄膜電晶體陣列基板120的第三表面1202上以接合軟性電路板180。因此,上述的配置可縮減薄膜電晶體陣列基板120的周邊區PA的寬度。
在一些實施例中,一部份的軟性電路板180在薄膜電晶體陣列基板120的垂直投影可與顯示區AA重疊。由於驅動電路基板110位在薄膜電晶體陣列基板120下方,軟性電路板180的設計並不影響顯示區AA的顯示效果。
在第3圖中,僅示例性地繪示一部份的導電線140。第一導電墊118與第二導電墊128的尺寸大小以及間距並不限於第3圖中的態樣。在一些實施例中,可設置虛設的導電墊,且虛設的導電墊不與導電線電性連接。
在本實施例中,第一導電墊118與第二導電墊128平均地分佈於窄邊框反射式顯示裝置100的邊框區BR。換句話說,第一導電墊118與第二導電墊128圍繞顯示區AA。如第3圖所示,在本實施例中,第一導電墊118的分布範圍接近環形(例如,330度)。軟性電路板180的設置位置是位在窄邊框反射式顯示裝置100的上方,但本揭露不以此為限。舉例來說,在其他實施例中,第一導電墊118的分布範圍較小(例如,180度),則軟性電路板的設置位置可位在不具有第一導電墊118的任一位置。
根據上述可知,透過堆疊薄膜電晶體陣列基板120與驅動電路基板110,並藉由導電線140電性連接分佈於邊框區BR的第一導電墊118以及第二導電墊128,可使軟性電路板180無需接合在薄膜電晶體陣列基板120上。換句話說,邊框區BR的寬度僅需考慮第一導電墊118以及第二導電墊128之間的間距即可,因此可縮減窄邊框反射式顯示裝置100的邊框區BR的寬度。以第1圖的實施例為例,交界1204至蓋板150的邊緣1002於徑向上的距離D1小於2.5毫米,也就是窄邊框反射式顯示裝置100的邊框區BR的寬度小於2.5毫米。換句話說,藉由上述的配置,本揭露的窄邊框反射式顯示裝置100可具有窄邊框。
參照第2圖。在本實施例中,蓋板150的第一表面1502至薄膜電晶體陣列基板120的第三表面1202之間的厚度T約小於0.255毫米。交界1204至前面板疊構130的側壁的距離D2大約為0.5毫米,前面板疊構130的側壁至驅動電路基板110的側壁的距離D3大約為1.8毫米。
第4圖為根據本揭露另一實施例的窄邊框反射式顯示裝置100a的剖面圖。第4圖的剖面位置與第2圖中所示的剖面位置相同。窄邊框反射式顯示裝置100a與窄邊框反射式顯示裝置100大致相同,其差異在於窄邊框反射式顯示裝置100a為不可撓的顯示裝置。薄膜電晶體陣列基板120a具有基板122a。驅動電路基板110a與薄膜電晶體陣列基板120a的基板122a的材料為玻璃。舉例來說,玻璃的厚度大約為0.5毫米至0.7毫米。上述的結構尺寸僅為示例,並非用以限制本揭露。
窄邊框反射式顯示裝置100a與窄邊框反射式顯示裝置100具有相同的技術功效,於此不再贅述。
第5圖為沿著第1圖中的線段5-5的剖面圖。窄邊框反射式顯示裝置100在第5圖中的所示的位置中不具有第一導電墊118、第二導電墊128以及導電線140。在此區域中,窄邊框反射式顯示裝置100包含設置於顯示介質層132與封膠160之間的銀漿190。銀漿190配置以電性連接透明導電膜134與薄膜電晶體陣列基板120上的引腳。
交界1204至顯示介質層132的側壁的距離D4大約為0.6毫米。前面板疊構130的側壁至顯示介質層132的側壁的距離D5大約為0.7毫米。前面板疊構130的側壁至驅動電路基板110的側壁的距離D6大約為1.2毫米。上述的結構尺寸僅為示例,並非用以限制本揭露。
第6圖為沿著第1圖中的線段6-6的剖面圖。窄邊框反射式顯示裝置100在第6圖中的所示的位置中不具有第一導電墊118、第二導電墊128以及導電線140。在此區域中,交界1204至前面板疊構130的側壁的距離D7大約為1.3毫米。前面板疊構130的側壁至驅動電路基板110的側壁的距離D6大約為1.2毫米。上述的結構尺寸僅為示例,並非用以限制本揭露。
根據前述第2圖、第5圖以及第6圖中所示的結構尺寸可知,根據不同區域的結構配置,交界1204與邊緣1002之間的距離D1皆可縮減至小於2.5毫米。此外,邊框區BR的形狀可根據顯示區AA的形狀而定。根據上述可知,本揭露的窄邊框反射式顯示裝置可具有客製化的形狀,且具有小於2.5毫米的邊框區BR。
第7A圖至第7D圖為根據本揭露一些實施例的窄邊框反射式顯示裝置的上視圖。第7A圖至第7D圖中分別為窄邊框反射式顯示裝置100b、100c、100d與100e的上視圖。如圖中所示,窄邊框反射式顯示裝置的顯示區AA可具有任意的形狀,且邊框區BR可根據顯示區AA的形狀而定。
第8圖為根據本揭露另一實施例的窄邊框反射式顯示裝置100f的剖面圖。窄邊框反射式顯示裝置100f與第2圖所示的窄邊框反射式顯示裝置100具有相同的剖面位置,其中右側的邊框區BR於第8圖中省略。窄邊框反射式顯示裝置100f與窄邊框反射式顯示裝置100大致相同,其差異在於窄邊框反射式顯示裝置100f的驅動電路基板110c為印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)或者軟性電路板。驅動電路基板110c具有背對薄膜電晶體陣列基板120的第四表面1104。在本實施例中,窄邊框反射式顯示裝置110f的晶片182接合於驅動電路基板110c的第四表面1104上。晶片182在薄膜電晶體陣列基板120上的垂直投影可與顯示區AA以及/或者周邊區PA重疊,並不影響顯示區AA的顯示效果。換句話說,窄邊框反射式顯示裝置100f相當於是將窄邊框反射式顯示裝置100中的驅動電路基板110、軟性電路板180整合為驅動電路基板110c。藉由這樣的設計,可使得窄邊框反射式顯示裝置100f更加輕薄短小。此外,這樣的設計可省略覆晶薄膜(Chip on Film,COF)製程,使得窄邊框反射式顯示裝置100f的製程更為簡潔。窄邊框反射式顯示裝置100f與窄邊框反射式顯示裝置100具有相同的技術功效,於此不再贅述。本發明另外實施例中,晶片182也可接合於驅動電路基板110c的第二表面1102上。
第9圖為根據本揭露另一實施例的窄邊框反射式顯示裝置100g的剖面圖。窄邊框反射式顯示裝置100g與第2圖所示的窄邊框反射式顯示裝置100具有相同的剖面位置,其中右側的邊框區BR於第9圖中省略。窄邊框反射式顯示裝置100g與窄邊框反射式顯示裝置100f大致相同,其差異在於窄邊框反射式顯示裝置100g為不可撓的顯示裝置。換句話說,窄邊框反射式顯示裝置100g的薄膜電晶體陣列基板120a具有基板122a,且基板122a的材料為玻璃。窄邊框反射式顯示裝置100g與窄邊框反射式顯示裝置100f具有相同的技術功效,於此不再贅述。
綜上所述,薄膜電晶體陣列基板透過導電線以及軟性電路板與晶片電性連接以驅動窄邊框反射式顯示裝置。因此,無需設置明顯突出的接合區於薄膜電晶體陣列基板上以接合軟性電路板。上述的配置可縮減薄膜電晶體陣列基板的周邊區的寬度。本揭露透過堆疊薄膜電晶體陣列基板與驅動電路基板,並藉由導電線電性連接分佈於邊框區的第一導電墊以及第二導電墊,可使軟性電路板無需接合在薄膜電晶體陣列基板上。換句話說,邊框區的寬度僅需考慮第一導電墊以及第二導電墊之間的間距即可,因此可縮減窄邊框反射式顯示裝置的邊框區的寬度。此外,邊框區的形狀可根據顯示區的形狀而定,因此窄邊框反射式顯示裝置可具有客製化的形狀。
雖然本發明已以實施方式揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,100a,100b,100c,100d,100e,100f,100g:窄邊框反射式顯示裝置 1002:邊緣 110,110a,110c:驅動電路基板 1101:側表面 1102:第二表面 1104:第四表面 112,122:聚醯亞胺薄膜 114,124:保護層 116,126:黏著層 118:第一導電墊 120,120a:薄膜電晶體陣列基板 1202:第三表面 1204:交界 122a:基板 128:第二導電墊 130:前面板疊構 132:顯示介質層 134:透明導電膜 136:光學膠層 140:導電線 150:蓋板 1502:第一表面 160:封膠 170:黏著層 180:軟性電路板 182:晶片 190:銀漿 AA:顯示區 PA:周邊區 BR:邊框區 BD:彎折區 D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7:距離 2-2’,5-5,6-6:線段 Y:垂直方向 T:厚度
第1圖為根據本揭露一實施例的窄邊框反射式顯示裝置的上視圖。 第2圖為沿著第1圖中的線段2-2的剖面圖。 第3圖為第1圖中的窄邊框反射式顯示裝置省略蓋板與封膠後的上視圖。 第4圖為根據本揭露另一實施例的窄邊框反射式顯示裝置的剖面圖。 第5圖為沿著第1圖中的線段5-5的剖面圖。 第6圖為沿著第1圖中的線段6-6的剖面圖。 第7A圖至第7D圖為根據本揭露一些實施例的窄邊框反射式顯示裝置的上視圖。 第8圖為根據本揭露另一實施例的窄邊框反射式顯示裝置的剖面圖。 第9圖為根據本揭露另一實施例的窄邊框反射式顯示裝置的剖面圖。
100:窄邊框反射式顯示裝置
1002:邊緣
110:驅動電路基板
1101:側表面
1102:第二表面
1104:第四表面
112,122:聚醯亞胺薄膜
114,124:保護層
116,126:黏著層
118:第一導電墊
120:薄膜電晶體陣列基板
1202:第三表面
1204:交界
128:第二導電墊
130:前面板疊構
132:顯示介質層
134:透明導電膜
136:光學膠層
140:導電線
150:蓋板
1502:第一表面
160:封膠
170:黏著層
180:軟性電路板
182:晶片
AA:顯示區
PA:周邊區
BR:邊框區
BD:彎折區
D1,D2,D3:距離
Y:垂直方向
T:厚度
2-2’:線段

Claims (14)

  1. 一種窄邊框反射式顯示裝置,包含: 一驅動電路基板; 一薄膜電晶體陣列基板,位在該驅動電路基板上; 一前面板疊構,其中該薄膜電晶體陣列基板位在該驅動電路基板與該前面板疊構之間; 複數個導電線,電性連接該驅動電路基板與該薄膜電晶體陣列基板; 一蓋板,位在該前面板疊構上;以及 一封膠,包圍該驅動電路基板、該薄膜電晶體陣列基板、該前面板疊構以及該些導電線。
  2. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該蓋板具有面對該驅動電路基板的一第一表面,且該驅動電路基板於該第一表面上的垂直投影位在該第一表面的範圍內。
  3. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該薄膜電晶體陣列基板包含一顯示區與環繞該顯示區的一周邊區,該顯示區與該周邊區之間具有一交界,且該蓋板具有一邊緣,且其中於一俯視圖中,該薄膜電晶體陣列基板的該交界在該蓋板上的垂直投影至該蓋板的該邊緣的距離小於2.5毫米。
  4. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該薄膜電晶體陣列基板還包含複數個第一導電墊,該驅動電路基板還包含複數個第二導電墊,且該些導電線分別電性連接該些第一導電墊與該些第二導電墊。
  5. 如請求項4所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該驅動電路基板具有面對該薄膜電晶體陣列基板的一第二表面,該些第一導電墊位在該第二表面上,且該些第一導電墊圍繞該薄膜電晶體陣列基板。
  6. 如請求項4所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該薄膜電晶體陣列基板具有面對該前面板疊構的一第三表面,該些第二導電墊位在該第三表面上,且該些第二導電墊圍繞該前面板疊構。
  7. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該薄膜電晶體陣列基板的材料包含一保護層、一聚醯亞胺薄膜與位在該保護層與該聚醯亞胺薄膜之間的一黏著層。
  8. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該薄膜電晶體陣列基板的材料包含玻璃。
  9. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該驅動電路基板的材料包含一保護層、一聚醯亞胺薄膜與位在該保護層與該聚醯亞胺薄膜之間的一黏著層。
  10. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該驅動電路基板的材料包含玻璃。
  11. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,還包含一軟性電路板與一晶片,其中該驅動電路基板具有面對該薄膜電晶體陣列基板的一第二表面,該軟性電路板(Flexible Printed Circuit board,FPC)接合於該驅動電路基板的該第二表面上,且該晶片接合於該軟性電路板上。
  12. 如請求項11所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該蓋板具有面對該驅動電路基板的一第一表面,且於一俯視圖中,該軟性電路板與該晶片於該蓋板的該第一表面上的垂直投影位在該第一表面的範圍內。
  13. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該驅動電路基板具有背對該薄膜電晶體陣列基板的一第四表面,該驅動電路基板為印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)或者軟性電路板,且該窄邊框反射式顯示裝置還包含接合於該驅動電路基板的該第四表面上的一晶片。
  14. 如請求項1所述之窄邊框反射式顯示裝置,其中該封膠包圍且覆蓋該驅動電路基板的一側表面。
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