TW202341326A - 基板處理裝置 - Google Patents

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金井隆宏
土持鷹彬
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日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置，抑制在基板的處理中在處理液保持部與基板之間產生的熱氣和新搬入至處理室的基板的表面接觸。本發明具有：保持部，對搬入至處理室的基板進行保持；旋轉體，使基板旋轉；供給機構，向基板的表面供給處理液，並對供給至基板的表面的處理液供給沖洗液；處理液保持部，與由保持部保持的基板的表面相向地設置，且直徑比基板大；升降機構，使處理液保持部在接近形成於基板的表面的處理液的液膜的處理位置與從基板的表面離開的退避位置之間升降；加熱部，對供給至由保持部保持的基板的表面的處理液進行加熱；以及去除部，從經加熱的處理液與對經加熱的處理液供給的沖洗液中將在處理液保持部與基板之間產生的熱氣去除。

Description

基板處理裝置
本發明是有關於一種基板處理裝置。
已知有利用硫酸過氧化氫混合物（Sulfuric Peroxide Mixture，SPM）（將硫酸與過氧化氫水混合而成的混合液）等具有強氧化力的處理液將形成於半導體晶片等基板的表面的抗蝕劑去除的基板處理裝置。此種基板處理裝置包括與基板的表面相向地設置的處理液保持部。處理液保持部對從供給機構供給的處理液進行保持。在處理液保持部設置有對處理液進行加熱的加熱器。由此，基板處理裝置向基板供給高溫的處理液，將形成於基板表面的抗蝕劑剝離。
處理液保持部不僅在向基板供給處理液之前對處理液進行加熱，而且在向基板供給處理液之後也對處理液進行加熱，並維持在高溫。因此，如專利文獻1所示，處理液保持部的直徑比基板大，且以覆蓋基板的整個面的方式設置。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2011/090141號
[發明所要解決的問題] 在基板處理的工序中，對於供給至基板的高溫的處理液，為了將所述處理液從基板沖掉，而供給常溫的沖洗液。此時，由於處理液與沖洗液的溫度差，沖洗液被急劇地加熱而沸騰，在基板的整個面上產生大量的熱氣。此外，所述熱氣大部分是在蒸氣化後冷卻的沖洗液的熱氣，但也包含處理液的熱氣。處理液成為在供給至基板時覆蓋基板的液膜，從所述液膜產生的蒸氣冷卻而成為熱氣。在配置有基板處理裝置的處理室中，通常從設置於處理室的頂棚的風機過濾單元（Fan Filter Units，FFU）產生下降流，因此此種熱氣向處理室的下方流動，並通過以包圍基板的方式設置的杯部而排氣至外部。
然而，如上所述，若直徑比基板大的處理液保持部以覆蓋基板的方式設置，則下降流被遮擋，處理液保持部與基板之間充滿熱氣，並滯留。此種熱氣不會通過下降流而向處理室的下方流動，因此有不會通過杯部而排氣至外部之虞。若在此狀態下搬入新的基板（未處理的基板），則有時所滯留的熱氣與所述基板接觸，熱氣中所含的處理液的成分會以顆粒的形式附著於基板的表面。即使在附著有顆粒的狀態下利用處理液進行基板處理，也有無法完全將顆粒去除，導致基板的品質不良之虞。
本發明的實施方式的目的在於提供一種基板處理裝置，抑制在基板的處理中在處理液保持部與基板之間產生的熱氣與新搬入至處理室的基板的表面接觸。 [解決問題的技術手段]
實施方式的基板處理裝置具有：保持部，對搬入至處理室的基板進行保持；旋轉體，使由所述保持部保持的所述基板旋轉；供給機構，向由所述保持部保持的所述基板的表面供給處理液，並對供給至所述基板的表面的所述處理液供給沖洗液；處理液保持部，與由所述保持部保持的所述基板的表面相向地設置，且直徑比所述基板大；升降機構，使所述處理液保持部在接近形成於所述基板的表面的所述處理液的液膜的處理位置與離開所述基板的表面的退避位置之間升降；加熱部，對供給至由所述保持部保持的所述基板的表面的處理液進行加熱；以及去除部，從經加熱的所述處理液與對經加熱的所述處理液供給的沖洗液中將在所述處理液保持部與所述基板之間產生的熱氣去除。 [發明的效果]
通過本發明的實施方式，提供一種基板處理裝置，可抑制在基板的處理中在處理液保持部與基板之間產生的熱氣與新搬入至處理室的基板的表面接觸。
[結構] 以下，參照附圖對本發明的實施方式（以下，也稱為「本實施方式」）進行說明。基板處理裝置1是對基板W進行保持並使其旋轉，同時向基板W的表面供給處理液，對基板W進行處理的裝置。成為處理對象的基板W例如是圓形的矽制的半導體晶片。如圖1所示，基板處理裝置1具有：旋轉體10、保持部20、杯部30、供給部40、去除部50、檢測部60。另外，在基板處理裝置1連接有對基板處理裝置1的各部進行控制的控制裝置70。此外，在以下的說明中，將抵抗重力的方向設為上，將遵循重力的方向設為下，但並不限定基板處理裝置1的設置方向。
基板處理裝置1例如配置於處理室。在處理室的頂棚設置有超低穿透率空氣過濾器（Ultra Low Penetration Air Filter，ULPA Filter）等過濾器F。在處理室內部，通過經由過濾器F而設置的未圖示的供氣口，從上方朝向下方產生下降流。下降流從在後述的杯部30的底部開口的排氣口V穿過與排氣口V連通的排氣管P而排氣至外部。具體而言，排氣管P與設置有基板處理裝置1的工廠的排氣設備連接。由此，下降流穿過排氣管P而排氣至外部。
旋轉體10通過具有馬達12的旋轉機構13，以旋轉軸A為中心能夠旋轉地設置於未圖示的設置面或固定基座11上，所述固定基座11固定於設置面上所設置的台架。旋轉體10為一端被工作台10a堵塞的圓筒形狀。工作台10a是直徑比基板W大的圓形的面，且與由保持部20保持的基板W空開間隔地相向。
保持部20是與工作台10a平行且空開間隔地對基板W進行保持的構件，且設置於旋轉體10。即，保持部20設置成能夠通過旋轉體10旋轉。保持部20沿著工作台10a的周圍等間隔地設置有六個。各保持部20具有轉動構件21、保持構件22、驅動機構23。
如圖2所示，轉動構件21是沿著基板W的周圍等間隔地配置有六個的圓柱形狀的構件。轉動構件21設置成能夠以與旋轉體10的旋轉軸A平行的軸為中心轉動。轉動構件21的頂面從工作台10a露出。
保持構件22以向上方突出的方式設置於從各轉動構件21的頂面的轉動中心偏心的位置。保持構件22與轉動構件21為相同數量，設置有六個。保持構件22具有傾斜面22a與卡盤銷22b。傾斜面22a是以從旋轉體10的中心側朝向外周緣變高的方式傾斜的面，隨著轉動構件21的轉動，而供基板W的緣部相接。卡盤銷22b是保持構件22的頭頂，且為設置於傾斜面22a的上端的圓柱形狀的突起。卡盤銷22b在側面具有供基板W的緣部嵌入的縮頸。
保持構件22隨著轉動構件21的轉動，而在通過與基板W的緣部相接來對基板W進行保持的保持位置（參照圖2的（A））與通過遠離基板W的緣部而將基板W打開的打開位置（參照圖2的（B））之間移動。在本實施方式中，最終通過六個卡盤銷22b與基板W的緣部相接來握持基板W。
驅動機構23通過使轉動構件21轉動，而使保持構件22在保持位置與打開位置之間移動。驅動機構23具有驅動軸231、小齒輪232、大齒輪233。驅動軸231是在轉動構件21的與頂面為反的一側和轉動構件21的轉動軸同軸地設置的圓柱形狀的構件。
小齒輪232是設置於驅動軸231的與轉動構件21為相反側的端部的扇形齒輪。大齒輪233是對應於小齒輪232間歇地形成有齒輪槽的齒輪。大齒輪233設置成通過使旋轉體10旋轉的旋轉機構13而與旋轉體10同軸地旋轉自如。大齒輪233以與小齒輪232對應的間隔，在周向上以規定間隔形成有六個凸部，在各凸部的前端外周面形成有與小齒輪232嚙合的齒輪槽。
大齒輪233被未圖示的彈簧等施力構件向圖2的（A）中箭頭α所示的旋轉方向（逆時針方向）施力。由此，小齒輪232被向箭頭β1所示的順時針方向施力，因此，轉動構件21與小齒輪232的轉動聯動，卡盤銷22b向旋轉體10的中心方向移動，並維持在與基板W抵接的保持位置。此外，在基板處理時，在維持所述保持位置的狀態下，轉動構件21、驅動軸231、卡盤銷22b、小齒輪232、大齒輪233與旋轉體10一起旋轉。
另外，大齒輪233通過未圖示的止擋機構阻止旋轉。在大齒輪233的旋轉被阻止的狀態下，如圖2的（B）所示，當使旋轉體10向箭頭γ方向旋轉時，與旋轉被阻止的大齒輪233嚙合的小齒輪232向箭頭β2所示的逆時針方向轉動。由此，轉動構件21轉動，因此，卡盤銷22b向遠離基板W的緣部的方向移動，而來到打開位置。
杯部30是接收從旋轉的基板W飛散的處理液的圓筒形狀的構件，且以包圍旋轉體10及保持部20的方式設置。即，杯部30以包圍由保持部20保持的基板W的方式設置。杯部30的上方開口，以使由保持部20保持的基板W露出。另外，杯部30的上部向徑向的內側傾斜。杯部30包括未圖示的升降機構，例如設置成能夠上升以接收處理液，而且能夠下降以不妨礙搬入、搬出基板W。杯部30所接收的處理液順著杯部30的內側流動，從設置於杯部30的底部的未圖示的配管排出。另外，在杯部30的底部設置有所述排氣口V，對在處理室內部產生的下降流進行排氣。如此，杯部30接收從基板W飛散的處理液並排出，對處理室內部的下降流進行排氣。
供給部40是向基板W的表面、即在由保持部20保持的基板W中與工作台10a側為相反側的面供給處理液的構件，且設置於旋轉體10及保持部20的上方。供給部40具有：供給機構41、處理液保持部42、升降機構43、加熱部44。
供給機構41是供給多種處理液或沖洗液的機構。本實施方式的供給機構41例如供給碳酸水、純水（去離子水（deionized water，DIW））、硫酸、過氧化氫水。另外，供給機構41通過同時供給硫酸與過氧化氫水，將為兩者的混合液的SPM作為處理液來供給。以下，特別是將SPM稱為處理液，特別是將過氧化氫水稱為沖洗液。供給機構41具有：處理液槽41a、輸送管41b、處理液供給管41c、流量調整閥41d、流量計41e。
處理液槽41a是儲存各個處理液的容器。在各處理液槽41a，輸送管41b並聯地與處理液供給管41c結合。處理液供給管41c的前端部與由保持部20保持的基板W相向。由此，儲存於各處理液槽41a的處理液經由輸送管41b及處理液供給管41c而供給至基板W的表面。在各輸送管41b，設置有對處理液的流量進行調整的流量調整閥41d、以及對處理液的流量進行測量的流量計41e。
處理液保持部42是直徑比基板W大的圓形，且通過在周緣部形成向與旋轉體10相反的一側立起的壁而呈盆形形狀。處理液保持部42的外底面與基板W相向。在處理液保持部42形成有供處理液供給管41c的前端插通並向基板W側露出的噴出口42a、以及供後述的去除部50的輸送管51的前端插通並向基板W側露出的噴出口42b。噴出口42a設置於從處理液保持部42的中心軸偏心的位置。所述位置成為可向基板W的表面中心供給處理液的位置。
升降機構43是使處理液保持部42向相對於基板W接近/分離的方向移動的機構。作為升降機構43，例如能夠應用氣缸、滾珠絲杠機構等使處理液保持部42沿與旋轉體10的旋轉軸A平行的方向移動的各種機構。升降機構43使處理液保持部42在處理位置與退避位置之間升降。處理位置是處理液保持部42的與基板W相向的一側的面接近形成於基板W的表面的處理液的液膜的位置。退避位置是處理液保持部42的與基板W相向的一側的面從基板W的表面離開，以便可對基板處理裝置1進行基板W的搬入、搬出的位置。
加熱部44具有設置於處理液保持部42的與和基板W相向的面為相反側的面的加熱器441，利用加熱器441將從供給機構41供給至基板W的表面的處理液加熱至例如180℃～200℃。由此，從形成於基板W的表面的處理液的液膜產生蒸氣，所述蒸氣冷卻，在處理液保持部42與基板W之間產生熱氣。加熱器441為圓形的片狀。在加熱器441，形成有供處理液供給管41c插通的貫通孔441a、以及供後述的去除部50的前端插通的貫通孔441b。
此外，當利用供給機構41對利用加熱器441在基板W的表面加熱的處理液供給常溫、例如25℃的沖洗液時，沖洗液被急劇地加熱而沸騰，從而蒸發，進而，所述蒸發的沖洗液冷卻，由此從基板W的整個面在供給部40的處理液保持部42與基板W之間產生大量的熱氣。在以下的說明中，將所述熱氣與由所述處理液的液膜產生的熱氣也統稱為熱氣M。熱氣M充滿並滯留於處理液保持部42與基板W之間。
去除部50是將滯留於處理液保持部42與基板W之間的熱氣M去除的構件。去除部50具有輸送管51、氣體供給機構52。輸送管51的一端插通至處理液保持部42以及加熱部44，並以向基板W側露出的方式設置。即，在處理液保持部42的基板W側設置有輸送管51的開口51a。輸送管51的另一端與氣體供給機構52連接。氣體供給機構52向輸送管51送出N 2或空氣等氣體G，並從開口51a供給氣體G。由此，去除部50從開口51a對熱氣M供給氣體G，並將熱氣M從處理液保持部42與基板W之間趕出。
檢測部60例如是光電感測器等感測器，對熱氣M進行檢測。此外，本實施方式的光電感測器以投光部與受光部為一體的反射型感測器進行說明。檢測部60以光軸朝向處理液保持部42與基板W之間的空間的方式，設置於保持部20的側方且為不妨礙杯部30的升降動作的位置。檢測部60朝向處理液保持部42與基板W之間的空間照射紅外線等光，並對處理液的熱氣M進行檢測。檢測部60將檢測到熱氣M的情況發送至後述的控制裝置70。
此外，用來設置檢測部60的位置並不限於保持部20的側方。例如，可設置於處理室的壁面，也可設置於杯部30的傾斜的上部。另外，也可設置於未圖示的擺動臂。在此情況下，檢測部60設置成能夠通過擺動臂在杯部30與處理液保持部42之間移動。
進而，檢測部60也可以例如朝向杯部30的內側照射紅外線的方式設置，以便不僅對處理液保持部42與基板W之間產生的熱氣M進行檢測，而且還對從處理液保持部42與基板W之間漏出的熱氣M進行檢測。並不限於此，檢測部60的設置位置只要是可對從處理液保持部42與基板W之間漏出的熱氣M進行檢測的位置即可。
控制裝置70與基板處理裝置1連接，為了實現基板處理裝置1的功能，具有執行程式的處理器、存儲程式或動作條件等各種資訊的記憶體、驅動各元件的驅動電路。即，控制裝置70對旋轉體10、保持部20、供給部40、去除部50、檢測部60等進行控制。另外，控制裝置70具有輸入資訊的輸入裝置、顯示資訊的顯示裝置。
[作用] 接著，對利用基板處理裝置1的基板處理進行說明。將搭載於搬送機器人的機械手的基板W搬入至處理液保持部42與旋轉體10之間，其緣部由保持部20的卡盤銷22b支撐，由此保持於旋轉體10的工作台10a上。
繼而，旋轉體10以比較低的規定速度（例如，50 rpm左右）旋轉。由此，基板W與保持部20一起以所述規定速度旋轉。即，旋轉體10使保持部20所保持的基板W旋轉。而且，處理液保持部42定位於所述退避位置，供給機構41從處理液供給管41c向基板W的表面供給碳酸水。當向旋轉的基板W的表面供給碳酸水時，所述碳酸水朝向基板W的外周依次移動，因此基板W的表面的帶電量下降，放電得到抑制。此外，朝向基板W的外周流出的處理液從卡盤銷22b的間隙排出至外部。
接著，供給機構41停止碳酸水的供給。進而，處理液保持部42下降以定位於所述處理位置。在處理液保持部42定位於處理位置的狀態下，供給機構41向處理液保持部42與基板W的表面之間的間隙供給SPM。具體而言，從各處理液槽41a同時供給硫酸與過氧化氫水，在處理液供給管41c內部將兩者混合而成為SPM。當將硫酸與過氧化氫水混合時，由於化學反應而發熱，因此在處理液供給管41c內部，SPM成為高溫。將此種高溫的SPM供給至基板W。此時，處理液保持部42的與基板W相向的一側的面接近形成於基板W的表面的SPM的液膜，因此供給至處理液保持部42與基板W的表面之間的SPM被設置於處理液保持部42的加熱器441加熱，進一步成為高溫。
如此，當向旋轉的基板W的表面連續地供給SPM時，所述SPM朝向基板W的外周依次移動，由此基板W的表面的碳酸水被SPM置換，同時通過SPM所具有的卡羅酸的強氧化力將形成於基板W的表面上的抗蝕劑去除。此時，形成於基板W的表面的高溫的SPM的液膜被加熱器441加熱而進一步成為高溫，從而蒸氣化。通過所述蒸氣化的SPM冷卻而成為熱氣M，充滿處理液保持部42與基板W之間。從經加熱的處理液產生的熱氣M通過與基板W相向地設置的處理液保持部42而不易受到在處理室內部產生的下降流的影響，因此滯留於處理液保持部42與基板W之間。
接著，供給機構41停止硫酸的供給，向處理液保持部42與基板W的表面之間的間隙供給作為沖洗液的過氧化氫水。由此，殘留於基板W的表面上的SPM中的硫酸成分在與作為沖洗液而供給的過氧化氫水反應的同時被沖掉，由此可防止硫酸成分殘留於基板W的表面上。當向旋轉的基板W的表面供給過氧化氫水時，所述過氧化氫水朝向基板W的外周依次移動，由此基板W的表面的SPM被過氧化氫水置換。此時，高溫的SPM被加熱器441加熱而進一步成為高溫，因此與常溫的過氧化氫水的溫度差變大，在基板W的整個面上產生大量的熱氣M。如此，從對經加熱的處理液供給的沖洗液中產生的大量的熱氣M充滿處理液保持部42與基板W之間。此外，此處，常溫的過氧化氫水被加熱器441加熱而產生的物質也包含於熱氣M中。熱氣M通過與基板W相向地設置的處理液保持部42而不易受到在處理室內部產生的下降流的影響，因此滯留於處理液保持部42與基板W之間。然後，處理液保持部42停止過氧化氫水的供給。
接著，檢測部60朝向在處理液保持部42與基板W之間產生的熱氣M照射紅外線等光。如上所述，檢測部60可朝向處理液保持部42與基板W之間的空間照射紅外線，也可朝向熱氣M漏出的杯部30的內側照射紅外線。檢測部60將檢測到熱氣M的情況發送至控制裝置70。
接著，控制裝置70使去除部50的氣體供給機構52工作。由此，去除部50從輸送管51的開口51a供給氣體G，以從定位於處理位置的處理液保持部42與基板W之間的狹窄的空間擠出熱氣M的方式將熱氣M趕出。被趕出的熱氣M向在處理室內部產生的下降流流動，從設置於杯部30的底部的排氣口V穿過與排氣口V連通的排氣管P而排氣至外部。此外，檢測部60當不再檢測到熱氣M時，將未檢測到熱氣M的情況發送至控制裝置70。在此情況下，控制裝置70對去除部50的氣體供給機構52進行控制，停止氣體G的供給。
最後，處理液保持部42上升至離開基板W的退避位置，從噴出口42a向處理液保持部42與基板W的表面之間的間隙供給純水。當向旋轉的基板W的表面供給純水時，所述純水朝向基板W的外周依次移動，由此將基板W的表面的過氧化氫水沖掉。然後，當經過規定的清洗時間時，處理液保持部42停止純水的供給。
其後，將搬送機器人的機械手插入至基板W的下方，將保持部20的卡盤銷22b對基板W的保持打開，利用搬送機器人的機械手搬出基板W。當搬出基板W時，搬入接下來進行處理的基板。如此，在本實施方式中，在將新的基板（未處理的基板）搬入至處理室之前，利用去除部50進行熱氣M的去除。
[效果] （1）本實施方式的基板處理裝置1具有：保持部20，對搬入至處理室的基板W進行保持；旋轉體10，使由保持部20保持的基板W旋轉；供給機構41，向由保持部20保持的基板W的表面供給處理液，並對供給至基板W的表面的處理液供給沖洗液；處理液保持部42，與由保持部20保持的基板W的表面相向地設置，且直徑比基板W大；升降機構43，使處理液保持部42在接近形成於基板W的表面的處理液的液膜的處理位置與從基板W的表面離開的退避位置之間升降；加熱部44，對供給至由保持部20保持的基板W的表面的處理液進行加熱；杯部30，以包圍由保持部20保持的基板W的方式設置，接收從基板W飛散的處理液並排出，對處理室內部的下降流進行排氣；以及去除部50，從經加熱的處理液與對經加熱的處理液供給的沖洗液中將在處理液保持部42與基板W之間產生的熱氣M去除。
在現有的基板處理裝置中，若在搬出基板後熱氣還滯留於處理液保持部與基板之間，則有污染為了接下來進行處理而搬入的基板的表面之虞。另一方面，在本實施方式的基板處理裝置1中，可利用去除部50將在處理液保持部42與基板W之間產生的熱氣M去除。由此，可抑制熱氣M附著於為了接下來進行處理而搬入的基板的表面，污染所述基板的表面的可能性。圖3的（A）表示如以往那樣在熱氣滯留的狀態下搬入的基板的污染度，圖3的（B）表示利用本實施方式的去除部50將熱氣M去除後搬入的基板的污染度。如對圖3的（A）及圖3的（B）進行比較而明確那樣，在利用去除部50將熱氣M去除的情況下，接下來搬入的基板的污染度大幅降低。
（2）本實施方式的去除部50具有對在處理液保持部42與基板W之間產生的熱氣M供給氣體G的氣體供給機構52。在現有的基板處理裝置中，被處理液保持部遮擋，熱氣M不易在處理室內部的下降流中排氣。另一方面，本實施方式的去除部50利用氣體供給機構52從處理液保持部42與基板W之間將熱氣M趕出，因此可使熱氣M隨著處理室內部的下降流而從排氣管P排氣。
（3）本實施方式的基板處理裝置1具有對熱氣M進行檢測的檢測部60，去除部50在檢測到熱氣M的情況下將熱氣M去除。由此，例如在處理液與沖洗液的溫度差小、不產生熱氣M的工序等中，可節省使去除部50工作的時間，因此可提高製造效率。
[變形例] 本實施方式並不限定於如上所述的形態。例如，去除部50的輸送管51的根數不限於一根。如圖4所示，也可使多根輸送管51插通至供給部40。由此，在供給部40與基板W之間的空間中，均勻地供給氣體G，可效率良好地將熱氣M排出，因此可縮短去除熱氣M所需的時間。此外，在圖4中，為了便於說明，簡化了各部的圖示。
另外，所述實施方式的去除部50具有供給氣體G的氣體供給機構52，但不限於此。如圖5所示，也可具有氣體抽吸機構53來代替氣體供給機構52。氣體抽吸機構53與氣體供給機構52同樣地，設置於輸送管51的另一端。氣體抽吸機構53是包括未圖示的負壓源等的排氣機構，從輸送管51對在供給部40與基板W之間產生的熱氣M進行抽吸。氣體抽吸機構53與排氣管P連接，將所抽吸的熱氣M從排氣管P排氣。由此，可在不依賴於處理室內部的下降流的情況下將熱氣M去除。另外，在如上所述那樣插通多根輸送管51的情況下，也可與此相應地設置多個氣體抽吸機構53。此外，在圖5中，為了便於說明，簡化了各部的圖示。
另外，去除部50具有氣體供給機構52以及氣體抽吸機構53，也可並用兩者來將熱氣M去除。在此情況下，可使兩根輸送管51插通至供給部40，在其中一者設置氣體供給機構52，在另一者設置氣體抽吸機構53。另外，如圖6所示，也可以從側方夾著基板W的方式設置一對噴嘴54A、54B來代替輸送管51。噴嘴54A、噴嘴54B設置於不妨礙杯部30的升降動作、處理液保持部42的升降動作、檢測部60的檢測的位置。在噴嘴54A、噴嘴54B的一端設置有開口54a。開口54a朝向供給部40與基板W之間的空間而設置。在噴嘴54A的另一端設置有氣體供給機構52，在噴嘴54B的另一端設置有氣體抽吸機構53。
通過使氣體供給機構52與氣體抽吸機構53同時工作，從噴嘴54A供給的氣體G將熱氣M向噴嘴54B側趕出，噴嘴54B對熱氣M進行抽吸排氣。另外，所述變形例的動作是在處理液保持部42定位於退避位置時進行。即，在所述實施方式中，在去除部50將熱氣M去除後，處理液保持部42定位於退避位置，但在所述變形例中，在處理液保持部42定位於退避位置後，氣體供給機構52與氣體抽吸機構53運行。具體而言，在處理液保持部42定位於退避位置後，通過被供給純水，熱氣M以基板W為中心向周圍擴散。通過檢測部60檢測到所述擴散的熱氣M，氣體供給機構52與氣體抽吸機構53運行，從而將熱氣M去除。另一方面，在處理液保持部42未定位於退避位置的情況下，即使由檢測部60檢測到熱氣M，也可控制成氣體供給機構52與氣體抽吸機構53不運行。此外，在圖6中，為了便於說明，簡化了各部的圖示。
另外，也可僅設置噴嘴54A來代替一對噴嘴54A、54B。在此情況下，如圖7所示，也可在潔淨室的壁面設置與排氣管P連通的排氣口Q、以及能夠將排氣口Q開閉的開閉器R。排氣口Q例如在隔著基板W與噴嘴54A相向的位置開口。開閉器R由氣缸或馬達驅動，設置成能夠將排氣口Q開閉。與設置所述一對噴嘴54A、54B的情況同樣地，處理液保持部42定位於退避位置後，通過使氣體供給機構52與開閉器R同時工作，從噴嘴54A供給的氣體G可從供給部40與基板W之間將熱氣M趕出，並從排氣口Q排氣。此外，在圖7中，為了便於說明，簡化了各部的圖示。
所述實施方式的檢測部60設為投光部與受光部成為一體的反射型檢測部，但並不限於此。作為檢測部60，也可採用投光部與受光部成為分體的透射型的檢測部。在此情況下，投光部與受光部可以從側面夾著基板W的上方的空間的方式設置。另外，檢測部60不限於光電感測器，也可設為照相機等攝像部。在此情況下，將攝像部所獲取的拍攝圖像發送至控制裝置70，在控制裝置70中，只要判定拍攝圖像中是否映出熱氣M即可。
進而，也可省略檢測部60。在此情況下，只要與產生熱氣M的時機、例如供給過氧化氫水的時機、或處理液保持部42定位於退避位置後供給純水的時機一致地使去除部50運行即可。另外，在使去除部50運行後，在經過了規定的時間的情況下，可使去除部50自動地停止。規定的時間例如是在去除部50的動作開始後，搬出處理結束的基板W，接下來搬入基板為止的時間。
所述實施方式的多種處理液是從供給機構41的處理液供給管41c供給，但不限於此。例如，也可從去除部50的輸送管51供給。例如，也可在輸送管51的另一端分為兩股，在其中一者設置氣體供給機構52，在另一者設置處理液槽41a、輸送管41b、流量調整閥41d、流量計41e。由此，例如可從輸送管51供給氣體G與純水此兩者。
另外，除了設置供給機構41之外，也可設置與供給機構41同樣地包括處理液槽或處理液供給管等的其他供給機構。由此，例如也可從供給機構41供給SPM，從其他供給機構供給過氧化氫水與純水作為沖洗液。在此情況下，其他供給機構的處理液供給管也與處理液供給管41c、輸送管51同樣地插通至處理液保持部42。
[其他實施方式] 以上，對本發明的實施方式及各部的變形例進行了說明，但所述實施方式或各部的變形例是作為一例而提示，並不意圖限定發明的範圍。所述的這些新穎的實施方式能夠以其他的各種形態來實施，可在不脫離發明主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。這些實施方式或其變形包含在發明的範圍或主旨內，並且包含在申請專利範圍所記載的發明中。
1:基板處理裝置 10:旋轉體 10a:工作台 11:固定基座 12:馬達 13:旋轉機構 20:保持部 21:轉動構件 22:保持構件 22a:傾斜面 22b:卡盤銷 23:驅動機構 30:杯部 40:供給部 41:供給機構 41a:處理液槽 41b、51:輸送管 41c:處理液供給管 41d:流量調整閥 41e:流量計 42:處理液保持部 42a、42b:噴出口 43:升降機構 44:加熱部 50:去除部 51a、54a:開口 52:氣體供給機構 53:氣體抽吸機構 54A、54B:噴嘴 60:檢測部 70:控制裝置 231:驅動軸 232:小齒輪 233:大齒輪 441:加熱器 441a、441b:貫通孔 A:旋轉軸 F:過濾器 G:氣體 M:熱氣 P:排氣管 Q:排氣口 R:開閉器 V:排氣口 W:基板 α、β1、β2、γ:箭頭
圖1是表示實施方式的基板處理裝置的結構的圖。 圖2是表示圖1的基板處理裝置的保持部的動作的平面圖。 圖3是對現有技術與實施方式的基板的污染度進行比較的圖。 圖4是表示變形例的去除部的結構的圖。 圖5是表示另一變形例的去除部的結構的圖。 圖6是表示另一變形例的去除部的結構的圖。 圖7是表示另一變形例的去除部的結構的圖。
1:基板處理裝置
10:旋轉體
10a:工作台
11:固定基座
12:馬達
13:旋轉機構
20:保持部
21:轉動構件
22:保持構件
22a:傾斜面
22b:卡盤銷
30:杯部
40:供給部
41:供給機構
41a:處理液槽
41b、51:輸送管
41c:處理液供給管
41d:流量調整閥
41e:流量計
42:處理液保持部
42a、42b:噴出口
43:升降機構
44:加熱部
50:去除部
51a:開口
52:氣體供給機構
60:檢測部
70:控制裝置
441:加熱器
441a、441b:貫通孔
A:旋轉軸
F:過濾器
G:氣體
M:熱氣
P:排氣管
V:排氣口
W:基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，具有： 保持部，對搬入至處理室的基板進行保持； 旋轉體，使由所述保持部保持的所述基板旋轉； 供給機構，向由所述保持部保持的所述基板的表面供給處理液，並對供給至所述基板的表面的所述處理液供給沖洗液； 處理液保持部，與由所述保持部保持的所述基板的表面相向地設置，且直徑比所述基板大； 升降機構，使所述處理液保持部在接近形成於所述基板的表面的所述處理液的液膜的處理位置與離開所述基板的表面的退避位置之間升降； 加熱部，對供給至由所述保持部保持的所述基板的表面的所述處理液進行加熱；以及 去除部，從經加熱的所述處理液與對經加熱的所述處理液供給的所述沖洗液中將在所述處理液保持部與所述基板之間產生的熱氣去除。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述去除部具有氣體供給機構，所述氣體供給機構對在所述處理液保持部與所述基板之間產生的所述熱氣供給氣體。
  3. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述去除部具有氣體抽吸機構，所述氣體抽吸機構對在所述處理液保持部與所述基板之間產生的所述熱氣進行抽吸。
  4. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述去除部具有： 氣體供給機構，對在所述處理液保持部與所述基板之間產生的所述熱氣供給氣體；以及 氣體抽吸機構，對在所述處理液保持部與所述基板之間產生的所述熱氣進行抽吸。
  5. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 具有對所述熱氣進行檢測的檢測部， 所述去除部在由所述檢測部檢測到所述熱氣的情況下將所述熱氣去除。
  6. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中， 具有對所述熱氣進行檢測的檢測部， 所述去除部在檢測到所述熱氣的情況下將所述熱氣去除。
  7. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中， 具有對所述熱氣進行檢測的檢測部， 所述去除部在檢測到所述熱氣的情況下將所述熱氣去除。
  8. 如請求項1至請求項7中任一項所述的基板處理裝置，其中， 所述去除部在所述處理液保持部定位於所述處理位置的狀態下，將在所述處理液保持部與所述基板之間產生的所述熱氣去除。
  9. 如請求項1至請求項7中任一項所述的基板處理裝置，其中， 所述去除部在所述處理液保持部定位於所述退避位置的狀態下，將在所述處理液保持部與所述基板之間產生的所述熱氣去除。
  10. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中， 所述去除部在將新的基板搬入至所述處理室之前，將所述熱氣去除。
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