TW202339965A - 抗靜電膜 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種抗靜電膜及保護膜，即便抗靜電層之膜厚薄，於加熱乾燥步驟後仍可抑制霧度之上升，且表面電阻率低。 一種積層聚酯膜，於基材中至少單面積層有抗靜電層，抗靜電層至少含有導電性高分子及三聚氰胺系交聯劑，三聚氰胺系交聯劑係由亞胺基型甲基化三聚氰胺樹脂、羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂、全醚型甲基化三聚氰胺樹脂或亞胺基／羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂中至少一種所構成。

Description

抗靜電膜
本發明係關於一種抗靜電膜及於抗靜電膜積層有黏著層之保護膜，尤其係關於光學構件(例如，有機EL或液晶顯示器之組成構件)等保護膜。
於基材膜積層有黏著層之膜作為光學構件等之製造步驟中各構件之保護膜來使用。保護膜經由黏著層貼附於作為被黏著體之各構件，且發揮了如下作用：抑制各構件之加工或於運送時損傷或附著污漬。作為可用於這些保護膜之基材膜，可使用至少於單面積層有抗靜電層之抗靜電膜。積層抗靜電層之目的在於，防止於保護膜附著垃圾或灰塵等異物、或抑制將保護膜自被黏著體剝離時所產生的靜電。(參照專利文獻1)
作為抗靜電膜，提案有含有作為抗靜電劑之PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)；聚(3,4-乙烯二氧噻吩))：PSS(polystyrene sulfonic acid；聚(4-苯乙烯磺酸))之抗靜電膜。(參照專利文獻2) [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開2018／012545。 [專利文獻2]日本特開2018-172473號公報。
[發明所欲解決之課題]
具有抗靜電層之保護膜用作為光學構件等之保護膜，尤其用於顯示器之組成構件之加工步驟。近年來，越來越多地用於有機EL顯示器(尤其是OLED顯示器)之構件之加工步驟。為了將保護膜貼合於光學構件，於保護膜中至少單面設置有黏著層，於積層該黏著層之步驟中包含加熱乾燥步驟。
例如，這樣於保護膜積層黏著層的情形時，有時會因加熱乾燥步驟導致析出寡聚物、霧度上升且膜的外觀變差。伴隨著保護膜之霧度上升而辨識性降低，在將保護膜貼合於被黏著體之狀態下難以檢查外觀而成為課題。
本發明中針對前述保護膜之課題，提供一種抗靜電膜及保護膜，即便抗靜電層之膜厚薄，於加熱乾燥步驟後仍可抑制霧度之上升，且表面電阻率低。 [用以解決課題之手段]
亦即，本發明由以下構成而成。 [1]一種積層聚酯膜，係於基材中至少單面積層有抗靜電層，前述抗靜電層至少含有導電性高分子及三聚氰胺系交聯劑，前述三聚氰胺系交聯劑包含選自亞胺基型甲基化三聚氰胺樹脂、羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂、全醚型甲基化三聚氰胺樹脂或亞胺基／羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂中至少一種。 [2]於一態樣中，其中前述三聚氰胺系交聯劑之重量平均聚合度為2.5以下。 [3]於一態樣中，其中前述積層聚酯膜在經140℃加熱10分鐘後之霧度為3%以下。 [4]於一態樣中，其中前述抗靜電層之表面電阻率為2[logΩ/□]至7[logΩ/□]。 [5]於一態樣中，其中前述抗靜電層中含有乙炔系界面活性劑。 [6]於一態樣中，係於聚酯膜中至少單面積層有黏著層之保護膜。 [發明功效]
根據本發明，提供一種於聚酯膜中至少單面積層有具有寡聚物嵌段性之抗靜電層的抗靜電膜，藉此可提供一種保護膜，係即便將於本抗靜電膜積層有黏著層之保護膜貼合於被黏著體的情形時亦可檢查外觀，並在剝離時抑制剝離帶電或異物附著。
本發明之積層聚酯膜(亦有單純稱作抗靜電膜的情形)係於聚酯膜中至少單面積層有抗靜電層的積層聚酯膜。此外，亦可將黏著層積層於抗靜電膜之單面而作為保護膜來使用。 例如，本發明之積層聚酯膜在於黏著層積層步驟中加熱乾燥的情形時，可抑制保護膜之霧度上升，將保護膜貼合於被黏著體的情形時，亦能檢查外觀。
以下，針對本發明進行詳細說明。
[聚酯膜] 本發明中用作為基材之聚酯膜主要是由聚酯樹脂構成之膜。此處，「主要是由聚酯樹脂構成之膜」意指由含有聚酯樹脂50質量%以上之樹脂組成物所形成之膜；與其他聚合物摻合之情形時，意指含有聚酯樹脂50質量%以上；與其他單體共聚之情形時，意指含有聚酯之重複結構單元50莫耳%以上。較佳為聚酯膜於構成膜之樹脂組成物中，含有聚酯樹脂90質量%以上、更佳為含有95質量%以上、進而更佳為含有100質量%。
作為聚酯樹脂，材料並無特別限定，可使用二羧酸成分與二醇成分聚縮合而形成之共聚物、或亦可使用聚酯樹脂之摻合樹脂。作為二羧酸成分，例如可列舉：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2,5-萘二甲酸、2,6-萘二甲酸、1,4-萘二甲酸、1,5-萘二甲酸、二苯甲酸、二苯氧乙烷二羧酸、二苯基碸羧酸、蒽二羧酸、1,3-環戊烷二羧酸、1,3-環己烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸、六氫鄰苯二甲酸、六氫間苯二甲酸、丙二酸、二甲基丙二酸、丁二酸、3,3-二乙基丁二酸、戊二酸、2,2-二甲基戊二酸、己二酸、2-甲基己二酸、三甲基己二酸、庚二酸、壬二酸、二體酸、癸二酸、辛二酸及十二碳二羧酸等。
作為構成聚酯樹脂之二醇成分，例如可列舉：乙二醇、丙二醇、六亞甲二醇、新戊二醇、1,2-環己烷二甲醇、1,4-環己烷二甲醇、癸二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷、雙(4-羥基苯基)碸等。
構成聚酯樹脂之二羧酸成分與二醇成分可分別使用1種或2種以上。此外，可適當地添加偏苯三甲酸等其他酸成分或三羥甲基丙烷等其他羥基成分。
作為聚酯樹脂，具體而言，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等，在這些聚酯樹脂中，從物性與成本的平衡來看，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯。
為了改善聚酯膜之滑動性、捲取性等之操作(handling)性，亦可使膜中含有惰性粒子，但若是用於光學用途等情形時，較佳為聚酯膜實質不含有粒子。於聚酯膜不含粒子的情形時，較佳為以在線塗佈所設置的塗層中含有粒子。藉由於聚酯膜不含粒子且於塗層含有粒子，透明性上升且變得容易檢查外觀等，故而較佳。
本發明所使用之聚酯膜之霧度較佳為3%以下。更佳為2.5%以下，進而更佳為2.0%以下。若為1.5%以下則極佳。若為3%以下，則可在將保護膜貼合於被黏著體之狀態下檢查外觀等故而較佳，特佳為光學用途之構件為被黏著體的情形。
本發明所使用之聚酯膜之表面的區域表面平均粗糙度(Sa)較佳為1nm至40nm之範圍，更佳為1nm至30nm。進而更佳為1nm至10nm。本發明所使用之聚酯膜之表面的最大突起高度(P)較佳為2μm以下，更佳為1.5μm以下。進而更佳為0.8μm以下。若Sa為40nm以下、P為2μm以下，則積層黏著層並捲取為輥狀時，沒有使黏著性表面變粗糙的風險，故而較佳。
本發明中聚酯膜之厚度並無特別限定，較佳為12μm至188μm之範圍。更佳為18μm至125μm，進而更佳為25μm至100μm。若為12μm以上，則作為保護膜與被黏著體貼合時，產生皺褶的疑慮變低，若為188μm以下，則於成本面而言有利。
成為基材之聚酯膜可為單層，亦可為積層兩種以上之層的聚酯膜。此外，只要在能發揮本發明之功效的範圍內，可視需要於膜中含有各種添加劑。作為添加劑，例如可列舉：抗氧化劑、耐光劑、抗膠凝劑、有機潤濕劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、界面活性劑等。膜為積層結構的情形時，較佳為視需要對應各層的功能含有添加劑。
聚酯膜例如可藉由如下方法獲得：將前述聚酯樹脂以熔融擠出、澆鑄滾筒進行冷卻硬化成為膜狀而形成膜。作為本發明之聚酯膜，可為未延伸膜、延伸膜中任一種，但從機械強度或耐化學品性等耐久性的觀點來看，較佳為延伸膜。於聚酯膜為延伸膜之情形時，聚酯膜的拉伸方法並無特別限定，可採用縱向單軸拉伸法、橫向單軸拉伸法、縱橫逐步雙軸延伸、縱橫同步雙軸延伸法等。
為了提高聚酯膜之表層與密接性上升層的密接性，可進行錨塗層、電暈處理、電漿處理、火焰處理等表面處理。設置錨塗層的情形時，從成本等觀點來看，較佳為進行在線塗佈。
[抗靜電層] 本發明之抗靜電膜必須於聚酯膜中至少單面積層抗靜電層。抗靜電層可僅積層於單面，亦可積層於雙面。藉由積層抗靜電層，即便於積層黏著層作為保護膜使用的情形時，亦能抑制黏著層與被黏著體之剝離帶電、異物之附著，故而較佳。
抗靜電層係含有導電性高分子與三聚氰胺系交聯劑且硬化而成之層。此種組成物亦有被稱作抗靜電層形成用組成物的情形。
抗靜電層之積層手段並無特別限定，可使用塗佈法、真空蒸鍍法、貼合等已知的方法，但從成本的觀點而言，較佳為藉由塗佈含有抗靜電劑之塗液來設置。
[導電性高分子] 本發明之導電性高分子為可賦予抗靜電性之高分子，可使用陽離子性化合物等之利用離子傳導之高分子、π電子共軛系導電性高分子等。於低濕度下的抗靜電性之方面來看，較佳為使用π電子共軛系導電性高分子。此外，π電子共軛系導電性高分子並不依存於空氣中之水分且能以高水準維持抗靜電機能，所以能在保護膜之各種使用環境中均具有良好之抗靜電機能，故而較佳。 此外，於不損及本發明之導電性高分子所發揮之功效的範圍內，可併用抗靜電劑。作為抗靜電劑，可為本發明之導電性高分子以外的陽離子性化合物等之利用離子傳導之高分子、π電子共軛系導電性高分子，可使用界面活性劑、氧化矽化合物、導電性之金屬化合物。
作為π電子共軛系導電性高分子，可列舉：包含苯胺或苯胺之衍生物作為構成單元之苯胺系高分子、包含吡咯或吡咯之衍生物作為構成單元之吡咯系高分子、包含乙炔或乙炔之衍生物作為構成單元之乙炔系高分子、包含噻吩或噻吩之衍生物作為構成單元之噻吩系高分子等。若是想要得到高透明性，則較佳為作為π電子共軛系導電性高分子不含有氮原子，其中從透明性的方面來看，較佳為包含噻吩或噻吩之衍生物作為構成單元之噻吩系高分子，尤佳為聚伸烷基二氧噻吩二醇。作為聚伸烷基二氧噻吩二醇，可列舉：聚乙烯二氧噻吩、聚丙烯二氧噻吩、聚(乙烯／丙烯)二氧噻吩等。
再者，包含噻吩或噻吩之衍生物作為構成單元之噻吩系高分子，為了進一步提升抗靜電性可以添加摻雜劑，例如可相對於包含噻吩或噻吩之衍生物作為構成單元之噻吩系高分子100質量份，調配0.1質量份以上至500質量份以下之摻雜劑。調配過多的情形時，電子移動變得困難，故有抗靜電機能降低的問題，反之，調配過少的情形時，有對溶媒的分散性低的問題。作為此種摻雜劑，可列舉：LiCl、R 1-30COOLi(R 1-30：碳數為1以上至30以下之飽和烴基)、R 1-30SO 3Li、R 1-30COONa、R 1-30SO 3Na、R 1-30COOK、R 1-30SO 3K、四乙胺基、I 2、BF 3Na、BF 4Na、HClO 4、CF 3SO 3H、FeCl 3、7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷(TCNQ)、Na 2B 10Cl 10、酞青素、紫質、麩胺酸、烷基磺酸鹽、聚苯乙烯磺酸Na(K、Li)鹽、苯乙烯／苯乙烯磺酸Na(K、Li)鹽共聚物、聚苯乙烯磺酸陰離子、苯乙烯磺酸／苯乙烯磺酸陰離子共聚物等。
本發明中抗靜電層中所含之導電性高分子相對於抗靜電層中之全固體含量100質量%，較佳為含有5質量%以上，更佳為含有10質量%以上。再者，使用π電子共軛系導電性高分子作為抗靜電劑的情況下，使用前述摻雜劑的情形時，本案所規定之π電子共軛系導電性高分子之抗靜電層中之含量為導電性高分子與前述摻雜劑的合計量。 藉由含有此種量的抗靜電劑，可賦予良好之抗靜電性。
本發明中抗靜電層中所含之導電性高分子相對於抗靜電層中之全固體含量100質量%，較佳為50質量%以下，更佳為40質量%以下。再者，使用π電子共軛系導電性高分子作為抗靜電劑的情況下，使用前述摻雜劑的情形時，本案所規定之π電子共軛系導電性高分子之抗靜電層中之含量為導電性高分子與前述摻雜劑的合計量。 藉由以此種量含有抗靜電劑，可以不引起導電性高分子與三聚氰胺系交聯劑的交互作用，塗液不易凝集、抗靜電層之缺點少且保持高透明性。
[三聚氰胺系交聯劑] 本發明中，為了於抗靜電層形成交聯結構，抗靜電層係含有三聚氰胺系交聯劑而形成。藉由含有三聚氰胺系交聯劑，提高耐久性且即便於高溫高濕度條件下處理的情形時，抗靜電機能之降低亦能得到抑制，故而較佳。為了提高抗靜電層之交聯密度，較佳為提高三聚氰胺系交聯劑之反應性。關於反應性高之三聚氰胺系交聯劑將於後文說明。此外，為了促進交聯反應，可視需要適當地使用觸媒等。
作為本發明中抗靜電層所使用之三聚氰胺系交聯劑並無特別限定，可使用一般的三聚氰胺系交聯劑，但較佳為將三聚氰胺與甲醛縮合而得，且1分子中分別具有1個以上之三嗪環、以及1個以上之羥甲基及／或烷氧基甲基。具體而言，較佳為對將三聚氰胺與甲醛縮合而得的羥甲基三聚氰胺衍生物與作為低級醇之甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等進行脫水縮合反應而醚化之化合物等。作為羥甲基化三聚氰胺衍生物，例如可列舉：單羥甲基三聚氰胺、二羥甲基三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、四羥甲基三聚氰胺、五羥甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺。可使用1種，亦可使用2種以上。
為了提高三聚氰胺系交聯劑之反應性，且提高抗靜電層之交聯密度，較佳為使用1分子中具備更多交聯點的羥甲基型甲基化三聚氰胺或六烷氧基甲基三聚氰胺，更佳為使用反應性更優異的六烷氧基甲基三聚氰胺，特佳為使用六甲氧基甲基三聚氰胺。此時，所謂六羥甲基三聚氰胺係指下述式(a)中、X為羥甲基(-CH 2-OH)的化合物。所謂六烷氧基甲基三聚氰胺係指於羥甲基三聚氰胺衍生物使用醇進行脫水縮合反應的化合物，X為(-CH 2-OR、R為碳數1至4之烷基)的化合物。所謂六甲氧基甲基三聚氰胺係指X為(-CH 2-OMe)的化合物。
[化學式1]
前述(a)中之X可各自相同，亦可不同。此外前述R可各自相同，亦可不同。此外，X亦可為(-H)。
本發明所使用之三聚氰胺系交聯劑較佳為並非單一之化合物，而是為多種化合物之混合體。從三聚氰胺系化合物中之主成分的化合物結構來看，可大致分為亞胺基型(X＝-H)、羥甲基型(X＝-CH 2-OH)、全醚型(X＝-CH 2-OR、R為碳數1至4之烷基)、亞胺基／羥甲基型。 於一態樣中，從反應性之觀點來看，較佳為使用全醚型、羥甲基型，更佳為使用全醚型，最佳為使用全醚型中R為甲基的六甲氧基甲基三聚氰胺(CAS編號3089-11-0)。越使用該六甲氧基甲基三聚氰胺之含有率高的三聚氰胺系化合物，越能製成反應性高且交聯密度高的抗靜電層。
本發明中抗靜電層所使用之三聚氰胺系交聯劑中，較佳為重量平均聚合度為2.5以下，較佳為2.3以下，更佳為2.0以下。若重量平均聚合度為2.5以下，則可與導電性高分子的互溶性良好，此外，可抑制塗液之凝集，形成缺點少的膜。 進而言之，本發明中，若重量平均聚合度為2.5以下，則三聚氰胺系交聯劑所含之單核體之含量變多，可製成反應性優異、交聯密度提高、寡聚物不易析出的抗靜電層，故而較佳。 例如，重量平均聚合度可為1.1以上，亦可超過1.5。
三聚氰胺系交聯劑在三聚氰胺系交聯劑之合成過程中，有時混入含有亞胺基(-NH 2-)的成分、或混入多核體。即便將這些三聚氰胺衍生物混合，只要三聚氰胺系交聯劑之重量平均聚合度在前述範圍內則反應性優異，可各自適當地使用。
本發明之抗靜電層中，三聚氰胺系交聯劑相對於抗靜電層中之全固體含量100質量%，較佳為含有50質量%以上至95質量%以下，更佳為含有55質量%以上至95質量%以下，進而更佳為60質量%以上至95質量%以下。藉著含有三聚氰胺系化合物50質量%以上，抗靜電層可藉由三聚氰胺系化合物之自交聯而得到高交聯密度，由於成為了緻密的抗靜電層而抑制寡聚物析出，故而較佳。此時，由於溶媒或酸觸媒在乾燥過程中大部分被蒸發，因此將抗靜電層之全固體含量視為實質上三聚氰胺系交聯劑與導電性高分子之固體含量的合計值亦沒有問題。
為了提高外觀，本發明之抗靜電層亦能使用界面活性劑。作為界面活性劑並無特別限定，可使用聚矽氧烷系界面活性劑、具有全氟烷基的氟系界面活性劑、或乙炔系界面活性劑等之烴系等。 尤佳為含有乙炔系界面活性劑。藉由含有乙炔系界面活性劑，即便將本抗靜電膜作為保護膜使用的情形時，能夠避免抗靜電膜向所保護之產品的移轉，可減少對最終產品的不良影響。 例如，抗靜電層亦可含有黏合劑樹脂。黏合劑樹脂並無特別限定，較適當為能充分發揮本發明之抗靜電層所具有之機能的黏合劑樹脂。
本發明之抗靜電膜積層有黏著層之保護膜用於光學構件等之製造步驟，因此為了不污染製造步驟，作為亦可用於抗靜電層的界面活性劑，較佳為使用烴系之乙炔系界面活性劑。作為市售的乙炔系界面活性劑之例子，可列舉：Surfynol系列或OLFINE系列(日信化學工業社)。
於抗靜電層中，除了前述以外，在不損及本發明之目的之範圍內，亦可視需要混合滑劑、色素、紫外線吸收劑、矽烷偶合劑等。
抗靜電層中實質上不含聚矽氧烷化合物。 本發明中所謂「實質上不含聚矽氧烷化合物」係定義為以螢光X射線分析定量Si元素時為50ppm以下，較佳為10ppm以下，最佳為偵測極限以下的含量。這是因為即便不主動往抗靜電層中添加聚矽氧烷成分，有時來自外來異物的汙染成分、或者是原料樹脂或膜之製造步驟中附著於產線或裝置的髒污剝離而混入抗靜電層中。 藉由於抗靜電層中實質上不含聚矽氧烷化合物，即便將本抗靜電膜作為保護膜使用的情形時，仍能夠避免抗靜電膜向所保護之產品的聚矽氧烷之移轉，可減少對最終產品的不良影響。
本發明之抗靜電層之膜厚較佳為0.005μm以上至1μm以下。更佳為0.01μm以上至0.5μm以下，進而更佳為0.01μm以上至0.2μm以下。若抗靜電層之膜厚為0.005μm以上，可得到抗靜電劑功效，故而較佳。另一方面，若為1μm以下，著色少且透明性高，故而較佳。
此處，本發明之積層聚酯膜之特徵在於，三聚氰胺系交聯劑至少包含選自亞胺基型甲基化三聚氰胺樹脂、羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂、全醚型甲基化三聚氰胺樹脂或亞胺基／羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂之其中一種。藉由含有這些任一種之三聚氰胺系交聯劑，本抗靜電層之交聯密度變高，即便抗靜電層之膜厚薄，於加熱後霧度上升仍少，可提供一種保護膜，係將本抗靜電膜積層有黏著層之保護膜貼合於被黏著體的情形時仍能檢查外觀，並於剝離時抑制剝離帶電或異物附著。
本發明之積層聚酯膜之霧度較佳為3.0%以下。更佳為2.0%以下，進而更佳為1.5%以下。若為1.0%以下則極佳。若為3.0%以下，則可在將保護膜貼合於被黏著體之狀態下檢查外觀等故而較佳，特佳為光學用途之構件為被黏著體的情形。霧度可為0，亦可為例如0.1%以上。
本發明之積層聚酯膜在經140℃加熱10分鐘後的霧度較佳為3.0%以下。更佳為2.7%以下，進而更佳為2.4%以下。若為3.0%以下，則可在將保護膜貼合於被黏著體之狀態下檢查外觀等故而較佳，特佳為光學用途之構件為被黏著體的情形。在經140℃加熱10分鐘後的霧度可為0，例如亦可為0.1%以上。不應僅僅侷限於特定理論的解釋，藉由具有本發明之抗靜電層，可得到反應性優異、交聯密度提高、寡聚物不易析出之抗靜電層。結果推測可抑制經140℃加熱10分鐘後的霧度之大幅上升。
例如，將積層聚酯膜在經140℃加熱10分鐘後的霧度減去加熱前之積層聚酯膜的霧度後之Δ霧度值可為-0.2以上至2.5以下，例如可為-0.2以上至1.6以下。藉由Δ霧度值在此種範圍內，可得到寡聚物不易析出的抗靜電層。 藉由形成寡聚物不易析出的抗靜電層，可發揮如下功效：即便於黏著層積層步驟經過加熱乾燥，保護膜之辨識性不易降低，將保護膜貼合於被黏著體的情形時亦能檢查外觀。
本發明之抗靜電層之表面電阻率為7[logΩ／□]以下。更佳為6.5[logΩ／□]以下，進而更佳為6[logΩ／□]以下。藉由將表面電阻率設為7[logΩ／□]以下可抑制對保護膜之靜電，可防止步驟中之異物附著，進而可抑制保護膜之靜電對所保護之產品於電氣面的不良影響。
此外，抗靜電膜之表面電阻率之下限無需特別設定，較佳為2[logΩ／□]以上。若抗靜電膜之表面電阻率未達2[logΩ／□]，則抗靜電層之加工成本增加故而不佳。
本發明所使用之抗靜電膜之總透光率較佳為80%以上。更佳為85%以上，進而更佳為88%以上。若為90%以上則極佳。若為80%以上，則可在將保護膜貼合於被黏著體之狀態下檢查外觀等故而較佳，特佳為光學用途之構件為被黏著體的情形。
抗靜電層較佳為即使以醇擦拭後，表面電阻率變化較佳為1.3倍以下。更佳為1.2倍以下，進而更佳為1.1倍以下。若為1.3倍以下，即便於黏著加工等步驟使用醇，在成為保護膜時仍維持初期之表面電阻率故而較佳。
抗靜電層之表面之區域表面平均粗糙度(Sa)較佳為1nm至40nm之範圍，更佳為1nm至30nm。進而更佳為1nm至10nm。本發明所使用之抗靜電膜之表面之最大突起高度(P)較佳為2μm以下，更佳為1.5μm以下。進而更佳為0.8μm以下。若Sa為40nm以下、P為2μm以下，則積層黏著層並捲取為輥狀時，沒有使黏著性表面變粗糙的風險，故而較佳。
作為於基材膜表面塗佈積層抗靜電層之方法，有將前述抗靜電劑或黏合劑樹脂等分散、熔解於溶媒的塗液，以凹版輥塗法、反向輥塗法、刀塗法、浸塗法、棒塗法、旋塗法進行塗佈方法，適用於導電性組成物的塗佈法並無特別限定。此外，可藉由膜之製造步驟中設置塗佈層之在線塗佈方式、膜製造後設置塗佈層之離線塗佈方式來設置。
作為抗靜電層以前述方法形成抗靜電層的乾燥溫度，通常為60℃以上至150℃以下，較佳為90℃以上至140℃以下。若乾燥溫度為60℃以上，則可為短時間之處理，從提高生產性之觀點較佳。此外，含有交聯劑之情形時，交聯反應充分進行故而較佳。另一方面，若乾燥溫度為150℃以下，可保持膜之平面性故而較佳。
本發明之積層聚酯膜可塗佈黏著劑且硬化以積層黏著層。黏著劑並無特別限定地使用，所得之積層膜用作為保護膜。積層黏著層之面可為抗靜電膜之任一側。使用僅於單面具有抗靜電層之抗靜電膜的情形時，較佳為於與抗靜電膜中積層有黏著層的面為相反面具有抗靜電層。 此外，亦可於本發明之積層聚酯膜中之抗靜電層積層陶瓷胚片、樹脂膜等。 [實施例]
為了詳細說明本發明，以下列舉實施例進行說明，但本發明自不受這些實施例所限定。再者，本發明所使用之評價方法如下所示。
[表面電阻率] 本發明之抗靜電膜表面之表面電阻率係於溫度23℃、濕度55%之條件下調濕24小時後，使用簡易型低電阻率計(日東精工分析科技(股份有限公司)製造之Loresta-AX MCP-T370)來測量表面電阻率，以下述之判定基準進行評價。當表面電阻率超過6[logΩ/□]的情形時，使用表面電阻測試儀(日本Simco(股份有限公司)製造之Work Surface Tester ST-3)來測量。 ◎：表面電阻率為2以上至4以下[logΩ/□] ○：表面電阻率超過4至7以下[logΩ/□] △：表面電阻率超過7[logΩ/□]
[總透光率、霧度] 本發明之膜的總透光率及霧度以JIS K 7136為基準，使用濁度計(日本電色製造之NDH7000II)測量在經140℃加熱10分鐘處理前後之膜。
[耐醇性] 測量使用浸泡在乙醇的拭鏡紙進行往返擦拭膜10次之處理前後的表面電阻值。此外，前述處理後之外觀變化依據下述判定基準進行評價。 ◎：幾乎無變化 〇：有少許變化 △：有變化 ×：抗靜電層產生了染色脫落的程度之變化
[實施例1] 根據表2所記載之調配量得到抗靜電層塗敷液。 [抗靜電層塗敷液] 水　23.06質量份。 異丙醇　34.59質量份。 導電性聚合物　37.5質量份。 交聯劑A(日本電石工業公司製造之亞胺基型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度為80質量%)　 0.86質量份。 導電助劑　3.0質量份。 界面活性劑(日信化學工業公司製造之EXP.4200，固體含量濃度為75質量%)　0.53質量份。
[抗靜電層之形成] 將所得之抗靜電層塗敷液以濕(wet)膜厚成為7.5μm的方式，使用凹版塗佈機塗敷於厚度為75μm之A4360(CosmoShine(註冊商標)、東洋紡公司製造)之單面，以熱風乾燥爐於140℃乾燥30秒並使抗靜電層塗佈液硬化，從而得到具抗靜電層之聚酯膜。
[實施例2] 除了依照表2的記載變更組成以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[實施例3、實施例4] 以如表2之組成設為交聯劑B(日本電石工業公司製造之羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度為70質量%)以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[實施例5、實施例6] 以如表2之組成設為交聯劑C(日本電石工業公司製造之全醚型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度為70質量%)以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[實施例7] 以如表2之組成設為交聯劑C(日本電石工業公司製造之全醚型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度為70質量%)、以及將界面活性劑設為Dinol 604(日信化學工業公司製造，固體含量濃度為100質量%)以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[實施例8] 以如表2之組成設為交聯劑C(日本電石工業公司製造，全醚型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度70質量%)、界面活性劑設為Surfynol SE-F(日信化學工業公司製造，固體含量濃度為81質量%)以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[實施例9] 以如表2之組成設為交聯劑C(日本電石工業公司製成之全醚型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度為70質量%)、界面活性劑設為67additive(Dow‧Toray公司製造，固體含量濃度為100質量%)以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[實施例10、實施例11] 以如表2之組成設為交聯劑C(日本電石工業公司製造之全醚型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度為70質量%)、黏合劑樹脂設為MD1200(東洋紡公司製造，固體含量濃度為35質量%)、界面活性劑設為Dinol 604以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[實施例12] 以如表2之組成設為交聯劑D(日本電石工業公司製造之亞胺基／羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂，固體含量濃度為70質量%)以外，以與實施例1相同的程序形成抗靜電層。
[比較例2] 以如表2之組成設為交聯劑E(日清紡化學公司製造之碳二亞胺，固體含量濃度為40質量%)以外，以與實施例10相同的程序形成抗靜電層。
[比較例3] 以如表2之組成設為交聯劑F(Baxenden公司製造之嵌段異氰酸酯，固體含量濃度為40質量%)以外，以與實施例10相同的程序形成抗靜電層。
[表1]
編號 類型 重量平均聚合度
A 亞胺基型甲基化 三聚氰胺樹脂 2.4
B 羥甲基型甲基化 三聚氰胺樹脂 1.7
C 全醚型甲基化 三聚氰胺樹脂 1.8
D 亞胺基／羥甲基型 甲基化三聚氰胺樹脂 1.5
[表2A]
基材 抗靜電層厚度 溶媒 導電性高分子 交聯劑 黏合劑樹脂 導電助劑 界面活性劑
種類 厚度 水 異丙醇 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份
[μm] [nm] 質量份 質量份 [%] [%] [%] [%] [%]
實施例1 A4360 75 113 23.06 34.59 導電性高分子 1.2 37.5 A 80 1.31 NMP 100 3 EXP.4200 75 0.53
實施例2 A4360 75 84 27.22 40.83 導電性高分子 1.2 28.1 A 80 0.86 NMP 100 2.3 EXP.4200 75 0.53
實施例3 A4360 75 113 22.99 34.48 導電性高分子 1.2 37.5 B 70 0.98 NMP 100 3 EXP.4200 75 0.53
實施例4 A4360 75 84 27.19 40.78 導電性高分子 1.2 28.1 B 70 1.13 NMP 100 2.3 EXP.4200 75 0.53
實施例5 A4360 75 113 22.99 34.48 導電性高分子 1.2 37.5 C 70 1.5 NMP 100 3 EXP.4200 75 0.53
實施例6 A4360 75 84 27.19 40.78 導電性高分子 1.2 28.1 C 70 1.13 NMP 100 2.3 EXP.4200 75 0.53
實施例7 A4360 75 84 27.22 40.83 導電性高分子 1.2 28.1 C 70 1.13 NMP 100 2.3 Dinol 604 100 0.40
[表2B]
基材 抗靜電層厚度 溶媒 導電性高分子 交聯劑 黏合劑樹脂 導電助劑 界面活性劑
種類 厚度 水 異丙醇 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份 種類 固體含量濃度 質量份
[μm] [nm] 質量份 質量份 [%] [%] [%] [%] [%]
實施例8 A4360 75 84 27.18 40.77 導電性高分子 1.2 28.1 C 70 1.13 NMP 100 2.3 Surfynol SE-F 81 0.49
實施例9 A4360 75 84 27.22 40.83 導電性高分子 1.2 28.1 C 70 1.13 NMP 100 2.3 67additive 100 0.40
實施例10 A4360 75 84 27.09 40.64 導電性高分子 1.2 28.1 C 70 0.80 MD1200 35 0.64 NMP 100 2.3 Dinol 604 100 0.40
實施例11 A4360 75 84 27.00 40.49 導電性高分子 1.2 28.1 C 70 0.56 MD1200 35 1.13 NMP 100 2.3 Dinol 604 100 0.40
實施例12 A4360 75 84 27.19 40.78 導電性高分子 1.2 28.1 D 70 1.13 NMP 100 2.3 EXP.4200 75 0.53
比較例1 A4360 75 84 26.85 40.28 導電性高分子 1.2 28.1 E 40 1.41 MD1200 35 0.64 NMP 100 2.3 Dinol 604 100 0.40
比較例2 A4360 75 84 26.85 40.28 導電性高分子 1.2 28.1 F 40 1.41 MD1200 35 0.64 NMP 100 2.3 Dinol 604 100 0.40
[表3A]
基材 固體含量濃度 導電性高分子 交聯劑 黏合劑樹脂 表面電阻率 光學特性 耐醇性
種類 厚度 [%] 種類 相對於固體含量之比例[%] 種類 相對於固體含量之比例[%] 種類 相對於固體含量之比例[%] 加熱前 加熱後 Δ霧度 表面電阻值  [logΩ/□] 外觀
[μm] [logΩ/□] 評價 總透光率 [%] 霧度 [%] 總透光率 [%] 霧度 [%] 未處理 處理後 評價
實施例1 A4360 75 1.5 導電性高分子 30 A 70 5.1 〇 89.4 1.1 89.4 0.9 -0.2 5.2 5.3 ◎
實施例2 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 A 70 6.3 〇 88.7 1.2 88.8 1.5 0.3 6.4 6.6 ◎
實施例3 A4360 75 1.5 導電性高分子 30 B 70 3.9 ◎ 89.6 1.1 89.6 1.7 0.6 4.1 4.1 ◎
實施例4 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 B 70 4.1 〇 90.4 1.2 90.3 2.7 1.5 4.2 4.4 〇
實施例5 A4360 75 1.5 導電性高分子 30 C 70 3.8 ◎ 90.0 1.2 89.9 1.4 0.2 4.0 4.1 ◎
實施例6 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 C 70 3.9 ◎ 90.7 1.3 90.5 2.2 0.9 4.1 4.2 ◎
實施例7 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 C 70 4.0 ◎ 90.3 1.2 90.2 1.3 0.1 4.1 4.3 ◎
[表3B]
　 基材 固體含量濃度 導電性高分子 交聯劑 黏合劑樹脂 表面電阻率 光學特性 耐醇性
種類 厚度 [%] 種類 相對於固體含量之比例[%] 種類 相對於固體含量之比例[%] 種類 相對於固體含量之比例[%] 加熱前 加熱後 Δ霧度 表面電阻值  [logΩ/□] 外觀
[μm] [logΩ/□] 評價 總透光率 [%] 霧度 [%] 總透光率 [%] 霧度 [%] 未處理 處理後 評價
實施例8 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 C 70 　 　 4.0 ◎ 90.6 1.3 90.5 1.1 -0.2 4.1 4.2 ◎
實施例9 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 C 70 　 　 4.0 ◎ 90.4 1.1 90.3 1.3 0.2 4.1 4.1 ◎
實施例10 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 C 50 MD1200 20 3.9 ◎ 90.6 1.2 90.6 1.3 0.1 4.1 4.1 ◎
實施例11 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 C 35 MD1200 35 3.8 ◎ 90.8 1.0 90.6 2.0 1.0 4.0 11.3 △
實施例12 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 D 70 　 　 4.4 〇 90.5 1.3 90.2 4.0 2.7 4.4 4.6 〇
比較例 1 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 E 50 MD1200 20 3.9 ◎ 90.8 1.5 90.7 4.4 2.9 4.0 10.5 ×
比較例2 A4360 75 1.1 導電性高分子 30 F 50 MD1200 20 3.8 ◎ 90.6 1.2 90.5 3.5 2.3 4.0 4.4 △
應認為本次所揭示之實施型態與實施例中的內容均為例示，而非用以限制本發明。本發明之範圍並非依據前述之實施型態，而是根據申請範圍所示，且意指包含與申請範圍均等的意義、以及範圍內中所有的變更。
實施例所得之本發明之積層聚酯膜，藉由提供一種積層有抗靜電層之抗靜電膜，該抗靜電層即便於聚酯膜中至少單面加熱後霧度仍低，並提供一種保護膜，係在將本抗靜電膜積層於黏著層且作為保護膜使用的情形時，仍能檢查外觀，並抑制剝離時之剝離帶電或異物附著。
由於比較例1、比較例2不含三聚氰胺系交聯劑，故而得到如下之膜：加熱後之霧度落在本發明之範圍外，且於抗靜電層之相反面加工黏著層時之加熱乾燥步驟中，寡聚物析出更多。 [產業可利用性]
本發明係關於一種抗靜電膜及於抗靜電膜積層有黏著層之保護膜，尤其係關於光學構件(例如，有機EL或液晶顯示器之組成構件)等保護膜。

Claims (6)

  1. 一種積層聚酯膜，係於基材中至少單面積層有抗靜電層； 前述抗靜電層含有導電性高分子及三聚氰胺系交聯劑； 前述三聚氰胺系交聯劑包含選自亞胺基型甲基化三聚氰胺樹脂、羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂、全醚型甲基化三聚氰胺樹脂或亞胺基／羥甲基型甲基化三聚氰胺樹脂中至少一種。
  2. 如請求項1所記載之積層聚酯膜，其中前述三聚氰胺系交聯劑之重量平均聚合度為2.5以下。
  3. 如請求項1所記載之積層聚酯膜，其中前述積層聚酯膜在經140℃加熱10分鐘後之霧度為3%以下。
  4. 如請求項1所記載之積層聚酯膜，其中抗靜電層之表面電阻率為2[logΩ/□]至7[logΩ/□]。
  5. 如請求項1所記載之積層聚酯膜，其中抗靜電層中含有乙炔系界面活性劑。
  6. 一種保護膜，係於如請求項1至5中任一項所記載之積層聚酯膜中至少單面積層有黏著層。
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