TW202338047A - 導電粒子、電路連接用接著膜及其製造方法以及連接結構體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種導電粒子P，其係電路連接用接著膜用導電粒子P，該導電粒子P具備導電性母粒子31及被覆該母粒子31的表面之子粒子32，當藉由SEM以30000倍的倍率觀察而求得之子粒子32的粒子半徑及粒子直徑分別設為r X及d X、將該粒子直徑d X的平均值亦即子粒子32的平均粒徑設為d Y時，由下述式（1）求得之子粒子32的不規則度大於2.0。 不規則度=D/r Y×100 （1） [式（1）中，r Y表示直徑等於d Y的虛擬球的半徑，D表示子粒子32的粒子半徑r X與前述虛擬球的半徑r Y的絕對差的平均值。]

Description

導電粒子、電路連接用接著膜及其製造方法以及連接結構體及其製造方法
本發明有關一種導電粒子、電路連接用接著膜及其製造方法、以及連接結構體及其製造方法。
以往，例如，作為用於液晶顯示器與載帶封裝（TCP）的連接、柔性印刷配線基板（FPC）與TCP的連接或FPC與印刷配線板的連接之接著材料，使用接著劑中分散有導電粒子之電路連接用接著膜（例如，各向異性導電性接著膜）。又，亦在將半導體矽晶片安裝於基板之情況下，進行將半導體矽晶片直接安裝於基板上之所謂的玻璃覆晶封裝（Chip On Glass：COG）來代替以往的引線接合，其中亦使用電路連接用接著膜（例如，各向異性導電性接著膜）。其中，「各向異性導電性」係指，在加壓方向上導電，在非加壓方向上操持絕緣性。
近年來，隨著電子設備的發展，配線的高密度化及電路的高功能化在發展。其結果，要求連接電極之間的間隔窄的連接結構體，連接構件的凸塊電極亦逐漸被小面積化。為了在小面積化的凸塊連接中獲得穩定的電連接，需要足夠數量的導電粒子介在於凸塊電極與基板側的電路電極之間。
對此，研究了藉由對電路連接用接著膜內的導電粒子施加磁力而使處於凝聚狀態的導電粒子彼此分離並提高相鄰的電極間的絕緣性及導電粒子的捕捉性（對置的電極間的連接性）之方法。例如，在專利文獻1中，提出了藉由向電路連接用接著膜的厚度方向施加磁場而使導電粒子彼此分離之方法。
[專利文獻1]日本特開2015-167186號公報
本發明人等研究了不藉由上述專利文獻1中記載之方法來提高相鄰的電極間的絕緣性及導電粒子的捕捉性（對置的電極間的連接性）之方法。
本發明的主要目的為提供一種能夠提高連接結構體中的相鄰的電極間的絕緣性及導電粒子的捕捉性之電路連接用接著膜用導電粒子、使用了該導電粒子之電路連接用接著膜及其製造方法、以及使用該電路連接用接著膜而獲得之連接結構體及其製造方法。
本發明在幾個方面提供下述[1]～[15]。
[1]一種導電粒子，其係電路連接用接著薄膜用導電粒子， 前述導電粒子具備導電性母粒子及被覆該母粒子的表面之子粒子，當藉由SEM以30000倍的倍率觀察而求得之前述子粒子的粒子半徑及粒子直徑分別設為r X及d X、將該粒子直徑d X的平均值亦即前述子粒子的平均粒徑設為d Y時，由下述式（1）求得之前述子粒子的不規則度大於2.0。 不規則度=D/r Y×100   （1） [式（1）中，r Y表示直徑等於d Y的虛擬球的半徑，D表示前述子粒子的粒子半徑r X與前述虛擬球的半徑r Y的絕對差的平均值。]
[2]如[1]所述之導電粒子，其中 被前述子粒子被覆之前述母粒子的表面的被覆率為30.0%以上。
[3]如[1]或[2]所述之導電粒子，其中 被前述子粒子被覆之前述母粒子的表面的被覆率的C.V.值為25.0%以下。
[4]如[1]至[3]之任一項所述之導電粒子，其中 藉由SEM以30000倍的倍率觀察而求得之前述子粒子的平均粒徑為200～400nm。
[5]如[1]至[4]之任一項所述之導電粒子，其中 在形成由前述導電粒子構成之膜時，該膜的表面相對於水的接觸角成為85～115°。
[6]如[1]至[5]之任一項所述之導電粒子，其中 前述子粒子含有聚合物，前述聚合物包含含有極性基之單體作為單體單元。
[7]如[6]所述之導電粒子，其中 前述含有極性基之單體包含選自由（甲基）丙烯酸及其鹽、苯乙烯磺酸及其鹽、含有（甲基）丙烯醯基之磷酸單酯及其鹽、含有（甲基）丙烯醯基之環氧單體、含有（甲基）丙烯醯基之羧酸酯以及含有（甲基）丙烯醯基之烷氧基矽烷及其水解物組成的組中的至少一種。
[8]如[6]或[7]所述之導電粒子，其中 以前述聚合物中所包含之單體單元的總量為基準，前述聚合物中作為單體單元而包含之前述含有極性基之單體的含量為9.0～15.0莫耳%。
[9]如[6]至[8]之任一項所述之導電粒子，其中 前述聚合物包含非芳香族交聯性單體及非交聯性單體作為單體單元。
[10]如[9]所述之導電粒子，其中 前述非芳香族交聯性單體為具有可以具有醚鍵之烴鏈及與該烴鏈鍵結之複數個（甲基）丙烯醯氧基之多官能（甲基）丙烯酸酯單體。
[11]如[9]或[10]所述之導電粒子，其中 前述非交聯性單體為甲基丙烯酸酯。
[12]如[6]至[11]之任一項所述之導電粒子，其中 前述聚合物為乳化聚合物。
[13]一種電路連接用接著膜，其具備包含接著劑成分及[1]至[12]之任一項所述之導電粒子之導電性接著劑層。
[14]一種連接結構體，其具備：第1構件，具有第1電極；第2構件，具有第2電極；及連接部，配置於前述第1構件及前述第2構件之間且將前述第1電極及前述第2電極相互電連接，前述連接部包含[13]所述之電路連接用接著膜的固化物。
[15]一種連接結構體之製造方法，其包括如下步驟：將具有第1電極之第1構件及具有第2電極之第2構件以在前述第1構件與前述第2構件之間介在[13]所述之電路連接用接著薄膜之狀態下進行熱壓接，將前述第1電極與前述第2電極相互電連接。 [發明效果]
依本發明能夠提供一種能夠提高連接結構體中的相鄰的電極間的絕緣性及導電粒子的捕捉性之電路連接用接著膜用導電粒子。又，依本發明，能夠提供一種使用了前述導電粒子之電路連接用接著膜及其製造方法。又，依本發明，能夠提供一種使用前述電路連接用接著膜而獲得之連接結構體及其製造方法。
本說明書中，使用「～」表示之數值範圍表示將記載於「～」前後之數值分別作為最小值及最大值而包含之範圍。在本說明書中階段性記載之數值範圍中，某階段的數值範圍的上限值或下限值，能夠替換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。又，在本說明書中所記載之數值範圍中，其數值範圍的上限值或下限值可以替換為實施例中所示出之值。又，個別記載之上限值及下限值能夠任意組合。又，本說明書中，「（甲基）丙烯酸酯」係指，丙烯酸酯及與其對應之甲基丙烯酸酯中的至少一者。「（甲基）丙烯醯基」等其他類似表述中亦相同。又，「（聚）」係指「聚」的前綴存在和不存在之這兩種情況。又，「A或B」只要包含A及B中的任一者即可，亦可以包含兩者。又，以下例示之材料只要沒有特別指定，則可以單獨使用1種，亦可以組合2種以上來使用。在組成物中相當於各成分之物質存在複數個之情況下，只要沒有特別指定，組成物中的各成分的含量則表示於組成物中存在之該複數個物質的合計量。
以下，依據情況參閱圖示對本發明的實施形態進行詳細說明。其中，本發明並不限定於以下實施形態。
＜導電粒子＞ 圖1係表示一實施形態的導電粒子之示意剖面圖。導電粒子P為用於電路連接用接著膜之導電粒子，具備導電性母粒子31及被覆該母粒子31的表面之子粒子32。其中，本說明書中，導電性係指非絕緣性，絕緣性係指藉由粉末電阻測定裝置而測定之電阻值大於1.0E+09Ω。另外，作為電路連接用接著膜的特殊的製造方法，已知包括對包含接著劑成分及導電粒子之膜中的該導電粒子施加外力（例如，磁力）而使該導電粒子分散之步驟（施加外力步驟）之電路連接用接著膜之製造方法，但本實施形態的導電粒子P能夠較佳地用於如上所述的所謂的「外力分散型電路連接用接著膜」以外的電路連接用接著膜。
在本實施形態的導電粒子P中，子粒子32的不規則度大於2.0。其中，不規則度係表示相對於相同程度粒徑的真球的變形程度之指標，當藉由SEM以30000倍的倍率觀察而求得之子粒子的粒子半徑及粒子直徑分別設為r X及d X、將該粒子直徑d X的平均值亦即子粒子32的平均粒徑設為d Y時，由下述式（1）求得。 不規則度=D/r Y×100   （1） [式（1）中，r Y表示直徑等於d Y的虛擬球的半徑，D表示前述子粒子的粒子半徑r X與前述虛擬球的半徑r Y的絕對差的平均值。]
由於上述導電粒子P具備具有上述範圍的不規則度之子粒子32，因此在用作電路連接用接著膜用的導電粒子時，發揮能夠提高連接結構體中的相鄰的電極間的絕緣性及導電粒子的捕捉性之效果。在製造電路連接用接著膜時，一般使用以SP值（Hildebrand的溶解度參數）為8.5～10.0的有機溶劑作為溶劑之塗布液（糊劑），當將具有這種SP值之有機溶劑（例如，丙酮、甲乙酮、乙酸乙酯、甲苯等）用作該塗布液的溶劑時上述子粒子32帶來的效果顯著，該溶劑為甲乙酮時尤為顯著。
能夠獲得上述效果之原因推測如下。首先，上述子粒子32的不規則度大係指，子粒子32為極性高的有機粒子或有機-無機混合粒子。該等粒子對SP值為8.5～10.0的有機溶劑的親和性高，可以說在塗布液中容易膨潤。另一方面，認為如下：在如上所述的導電粒子中，子粒子對上述塗布液中的溶劑（有機溶劑）的親和性越高，亦即子粒子越容易在塗布液中膨潤，則導電粒子的位阻越增加，基於史托克斯（Stokes）的沉降定理式，塗布液中的導電粒子的沉降速度變慢，因此導電粒子顯示更高的分散性。又，由於使用於電路連接用接著膜之接著劑成分（樹脂等）通常使用對溶劑具有高親和性者，因此子粒子對上述塗布液中的溶劑（有機溶劑）的親和性高之情況下，具有該子粒子對接著劑成分的親和性亦高之傾向。因此，認為藉由連接時的安裝壓力而接著劑成分流動時，不易引起自凝聚，並且容易與接著劑成分一起從電極間被排除。推測依該等原因可獲得上述效果。
從實現導電粒子P的更高的分散性之觀點考慮，上述子粒子32的不規則度可以為2.3以上、2.5以上、2.7以上或3.0以上。從子粒子的製造穩定性及對母粒子的吸附穩定性的觀點考慮，不規則度可以為5.0以下、4.5以下或4.0以下。不規則度能夠藉由子粒子的構成材料來調整，例如，能夠藉由含有極性基之單體（具有乙烯性不飽和基之烷氧基矽烷等）的添加量等來調整。
依據上述導電粒子P，子粒子成為間隔件，因此亦可獲得在薄膜形成前後不易產生導電粒子的結合及凝聚之效果。又，子粒子32具有絕緣性之情況下，亦可獲得即使在連接時假設導電粒子彼此連接亦能夠確保絕緣性之效果。另外，由於在對置的電極之間，子粒子32從母粒子31的表面脫離，因此即使在子粒子32具有絕緣性之情況下，亦能夠確保連接可靠性。
（母粒子） 母粒子31為具有導電性之粒子。作為母粒子31，例如，能夠使用由金、銀、鈀、釕、銥、鎳、鎢、鉬、銅、錫、焊料等金屬構成之金屬粒子、由導電碳構成之導電碳粒子等。如圖1所示，母粒子31可以為具備絕緣性核（core）粒子31a及被覆核粒子31a之導電性被覆層（殼）31b之核殼粒子。在該等之中，藉由將核粒子31a設為能夠彈性變形之粒子而能夠在連接時使導電粒子彈性變形，從而可獲得導電粒子的捕捉性高且能夠降低對電極等的負載之效果，從該觀點考慮，核殼粒子為較佳。
核殼粒子的核粒子31a可以為包含絕緣性玻璃、陶瓷、塑膠等之粒子。核粒子31a較佳為絕緣性有機核粒子。有機核粒子為由有機化合物（例如，塑膠）構成之粒子，通常包含40質量%以上的有機化合物。作為構成有機核粒子之有機化合物，可以舉出丙烯酸單體的聚合物亦即丙烯酸樹脂、烯烴單體的聚合物亦即烯烴樹脂等。作為丙烯酸單體，例如，可以舉出烷基（甲基）丙烯酸酯、鏈烷二醇二（甲基）丙烯酸酯等。作為烯烴單體，可以舉出乙烯、丙烯、異丁烯、丁二烯等。
核粒子31a可以為硬粒子，亦可以為軟粒子。核粒子31a的較佳硬度（彈性模數）依據用途而不同。在室溫（例如，25℃）下壓縮核粒子31a而使其變形20%時之彈性模數（壓縮彈性模數、以下稱為「20%K值」）可以為0.5～40.0GPa，亦可以為1.0～10.0GPa或10.0～25.0GPa。20%K值能夠使用Fisher Scope HM2000（FISCHER INSTRUMENTS K.K.製造），藉由以下方法測定。 1）在室溫（20～27℃）下，將粒子試樣配置於載玻片上，並向粒子的中心方向施加重量。 2）在50秒鐘內施加50mN的重量的同時對粒子試樣變形20%時的壓縮變形彈性模數（K20、20%K值）進行測定之後，依據下述式計算。 K20（壓縮變形彈性模數）=（3/√2）×F20×S20 -3/2×R -1/2F20：使粒子變形20%所需之負載（N） S20：變形20%時的粒子的變形量（m）
核粒子31a為球形為較佳。核粒子31a的平均粒徑例如為1.5～10.0μm，可以為2.0～5.0μm或5.0～10.0μm。該平均粒徑為藉由濕式流動式粒度分析儀（Spectris公司製造之FPIA-3000S）測定之平均粒徑。
作為構成被覆層31b之材料，可以為金屬或導電碳。被覆層31b為金屬層（包含金屬作為構成材料之層）為較佳。金屬層可以由例如金、銀、銅、鉑、鋅、鐵、鈀、釕、銥、鎳、錫、鉻、鈦、鋁、鈷、鍺、鎘、鎢、鉬等金屬構成，除此以外，亦可以由包含ITO、焊料等金屬化合物等之材料構成。作為金屬層的構成材料，從耐腐蝕性等觀點考慮，使用鎳、鈀或金為較佳。金屬層將金屬或金屬化合物包含95.0質量%以上為較佳。從賦予導電性及硬度之觀點考慮，金屬層可以包含碳奈米管、碳黑等碳化合物。具備作為被覆層31b之金屬層之核殼粒子例如能夠藉由在核粒子的表面利用濺射、電鍍（例如，無電鍍）等方法來形成金屬層之方法而獲得。
被覆層31b可以為單層結構，亦可以為由複數個層構成之積層結構。單層結構之情況下，從成本、導電性及耐腐蝕性的觀點考慮，被覆層31b包含鎳為較佳。
從提高對置電極間的導電可靠性的觀點考慮，被覆層31b的厚度可以為70nm以上，亦可以為100nm以上或150nm以上。從容易獲得源自核粒子的效果之觀點考慮，被覆層31b的厚度可以為150nm以下、170nm以下或200nm以下。被覆層31b的厚度為藉由使導電粒子分散於鑄造用樹脂中鑄造來製作鑄造試樣之後，使用離子銑削（Ion milling）等進行鑄造試樣的表面研磨以使粒子的剖面露出，並且使用SEM藉由觀察該粒子的剖面而測定之5處厚度的平均值。
母粒子31的表面可以平滑，但具有凹凸為較佳。又，母粒子31為球形為較佳。母粒子31的平均粒徑例如為1.7～10.5μm，可以為2.0～5.5μm或5.5～10.5μm。該平均粒徑為藉由濕式流動式粒度分析儀（Spectris公司製造之FPIA-3000S）測定之平均粒徑。
（子粒子） 子粒子32例如為包含有機化合物作為構成材料之微粒（有機微粒），較佳為包含絕緣性有機化合物作為構成材料之微粒。子粒子32可以為包含有機化合物及無機化合物之微粒（有機-無機混合微粒）。子粒子32為絕緣性微粒為較佳，絕緣性有機微粒為更佳。
從容易獲得上述不規則度之觀點及確保與母粒子的鍵結點並提高子粒子被覆母粒子的被覆率之觀點考慮，子粒子32較佳為包含含有極性基之單體作為單體單元之聚合物。這種聚合物具有源自含有極性基之單體之極性基。該聚合物可以為均聚物，亦可以為共聚物。
作為極性基，例如，除了矽烷醇基、羧基、胺基、羥基、磺酸基、氰基、環氧基、磷酸基等官能基以外，亦可以舉出藉由水解而產生該等極性基之官能基（烷氧基甲矽烷基）。環氧基可以作為縮水甘油基的一部分而包含。
從容易獲得上述不規則度子粒子之觀點考慮，作為含有極性基之單體具有（甲基）丙烯醯基或苯乙烯基之單體為較佳。作為具有（甲基）丙烯醯基之含有極性基之單體，可較佳地使用選自由（甲基）丙烯酸及其鹽、含有（甲基）丙烯醯基之磷酸單酯及其鹽、含有（甲基）丙烯醯基之環氧單體、含有（甲基）丙烯醯基之羧酸酯以及、含有（甲基）丙烯醯基之烷氧基矽烷及其水解物組成的組中的至少一種。作為具有苯乙烯基之含有極性基之單體，苯乙烯磺酸及其鹽為較佳。
作為（甲基）丙烯酸的鹽及苯乙烯磺酸的鹽，例如，可以舉出（甲基）丙烯酸鈉、苯乙烯磺酸鈉等鈉鹽。
作為含有（甲基）丙烯醯基之磷酸單酯，例如，可以舉出單（2-羥基乙基（甲基）丙烯酸酯）磷酸酯等。單（2-羥基乙基（甲基）丙烯酸酯）磷酸酯可以作為與其他成分的混合物來提供。
作為含有（甲基）丙烯醯基之環氧單體，例如，可以舉出縮水甘油基（甲基）丙烯酸酯、3,4-環氧（甲基）丙烯酸環己酯等。
作為含有（甲基）丙烯醯基之羧酸酯，可以舉出（甲基）丙烯醯氧乙基琥珀酸酯、（甲基）丙烯醯氧乙基鄰苯二甲酸酯、（甲基）丙烯醯氧丙基鄰苯二甲酸酯等。
作為含有（甲基）丙烯醯基之烷氧基矽烷，例如，可以舉出3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等。從進一步降低子粒子的不規則度之觀點考慮，使用二甲氧基矽烷為較佳。
從進一步降低子粒子的不規則度之觀點考慮，上述聚合物中的源自含有極性基之單體之單元越少越佳。從這種觀點考慮，上述聚合物中作為單體單元而包含之含有極性基之單體的含量以聚合物中所包含之單體單元的總量為基準，可以為15.0莫耳%以下，亦可以為12.0莫耳%以下。從進一步提高子粒子的不規則度之觀點考慮，上述聚合物中的源自含有極性基之單體之單元越多越佳。從這種觀點考慮，上述聚合物中作為單體單元而包含之含有極性基之單體的含量以聚合物中所包含之單體單元的總量為基準，可以為9.0莫耳%以上，亦可以為12.0莫耳%以上。從該等觀點考慮，上述聚合物中作為單體單元而包含之含有極性基之單體的含量以聚合物中所包含之單體單元的總量為基準，可以為9.0～15.0莫耳%、9.0～12.0莫耳%或12.0～15.0莫耳%。
上述聚合物可以包含非芳香族交聯性單體和非交聯性單體作為單體單元。在該情況下，非芳香族交聯性單體及非交聯性單體中的一者或兩者可以具有極性基。其中，上述聚合物中所包含之非交聯性單體的一部分為含有極性基之單體之情況下，能夠穩定地合成子粒子32，具有粒徑的控制亦變得容易之傾向。
非芳香族交聯性單體表示不包含芳香族烴基且包含2個以上交聯性基團之單體。作為交聯性基團，例如，可以舉出包含乙烯基、（甲基）丙烯醯基等乙烯性不飽和基之基團。（甲基）丙烯醯基可以為（甲基）丙烯醯氧基的一部分。
作為非芳香族交聯性單體，從適當地提高不規則度之觀點考慮，包含可以具有醚鍵之烴鏈及與該烴鏈鍵結之複數個交聯性基團之多官能單體為較佳，包含可以具有醚鍵之烴鏈及與該烴鏈鍵結之複數個（甲基）丙烯醯氧基之多官能（甲基）丙烯酸酯單體為更佳。作為具有醚鍵之烴鏈，例如，可以舉出（聚）氧乙烯鏈（EO鏈）、（聚）氧丙烯鏈（PO鏈）等（聚）氧化烯鏈。具有醚鍵之烴鏈為（聚）氧化烯鏈之情況下，構成（聚）氧化烯鏈之氧化烯的數量較佳為1～4。從防止子粒子的不規則度變得過高之觀點考慮，可以較佳地使用選自由具有氧乙烯的數量為1～4的EO鏈之二（甲基）丙烯酸酯及具有氧丙烯的數量為1～4的PO鏈之二（甲基）丙烯酸酯組成的組中的至少一種。
作為非芳香族交聯性單體，具體而言，可以舉出二乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、四丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、乙氧基化三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二（甲基）丙烯醯氧基丙烷、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、丁二烯、異戊二烯等共軛二烯等。該等單體可以單獨使用，亦可以併用2種以上。
聚合物中作為單體單元而包含之非芳香族交聯性單體的含量（交聯度）以聚合物中所包含之單體單元的總量為基準，可以為0.1～1.0質量%，亦可以為0.1～0.5質量%或0.5～1.0質量%。非芳香族交聯性單體的含量為1.0質量%以下之情況下，容易抑制聚合時的凝聚。非芳香族交聯性單體的含量為0.1質量%以上之情況下，交聯度不充分，從而難以在有機溶劑中發生溶解。
非交聯性單體係指包含1個聚合性基之後單體。作為聚合性基，例如，可以舉出包含乙烯基、（甲基）丙烯醯基等乙烯性不飽和基之基團。
作為非交聯性單體，例如，可以舉出（i）苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、間乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、對正丁基苯乙烯、對第三丁基苯乙烯、對正己基苯乙烯、對正辛基苯乙烯、對正壬基苯乙烯、對正癸基苯乙烯、對正十二基苯乙烯、對甲氧基苯乙烯、對苯基苯乙烯、對氯苯乙烯、3,4-二氯苯乙烯等苯乙烯或其衍生物、（ii）丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正辛基、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸硬脂酸酯、丙烯酸2-氯乙酯、丙烯酸苯酯、α-氯丙烯酸甲酯、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸正丁基、 甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸正辛酯、甲基丙烯酸十二烷基酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸硬脂酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等（甲基）丙烯酸酯、（iii）乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、丁酸乙烯酯等乙烯基酯、（iv）N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咔唑、N-乙烯基吲哚、N-乙烯基吡咯啶酮等N-乙烯基化合物、（v）氟乙烯、偏二氟乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯、丙烯酸三氟乙酯、丙烯酸四氟丙酯等含有氟烷基之（甲基）丙烯酸酯、（vi）3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等具有（甲基）丙烯醯基之烷氧基矽烷等。該等可以單獨使用1種或組合2種以上來使用。
非交聯性單體可以為不包含芳香族烴基的非芳香族非交聯性單體。從絕緣性、對薄膜的分散性、易合成性及成本的方面考慮，非交聯性單體可以為（甲基）丙烯酸酯等具有烴基之單體。非交聯性單體為甲基丙烯酸酯為較佳。
組合使用2種以上的非交聯性單體之情況下，組合使用不具有官能基之非交聯性單體和具有官能基之單體為較佳。作為具有官能基的單體，使用（vi）對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等烷氧基矽烷為較佳。由於這種烷氧基矽烷藉由水解而產生矽烷醇基，因此，具有提高對子粒子的基於後述之表面處理劑的表面處理性之傾向。
聚合物中作為單體單元而包含之非交聯性單體的含量以聚合物中所包含之單體單元的總量為基準，可以為50～70質量%，亦可以為50～60質量%或60～70質量%。非交聯性單體的含量為50質量%以上之情況下，子粒子容易成為更柔軟的粒子，具有能夠進一步提高所獲得之連接結構體的導電電阻之傾向。非交聯性單體的含量為70質量%以下之情況下，具有子粒子的耐溶劑性更優異之傾向，並且容易成為比較硬且具有彈性的子粒子。
作為合成子粒子32之方法，可以舉出沉澱聚合、乳化聚合等，其中，從不規則度的控制、粒徑控制、合成的簡便性等觀點考慮，乳化聚合為較佳。亦即，子粒子32為乳化聚合物為較佳。
在乳化聚合法中，藉由一邊攪拌由單體及水性介質構成之乳狀液一邊加熱來進行聚合。例如，能夠藉由將單體添加至水性介質中並用分散劑等進行乳化之方法、將單體添加至水性介質中並機械地（例如，藉由均質器、超音波處理器、納米器等微細乳化機）分散之方法等來獲得乳狀液。攪拌速度可以在100～500rpm（轉/分鐘）的範圍。聚合溫度可以在40～90℃的範圍。聚合時間可以在2～24小時的範圍。所有單體的濃度相對於水性介質可以為1～30質量%。
作為使用於乳化聚合之水性介質，可以舉出水、水與水溶性溶劑（例如，低級醇）的混合介質等。從防止意料之外的單體溶解於介質之觀點考慮，水性介質可以為水。
上述乳狀液中可以依據需要添加聚合起始劑。可以預先將聚合起始劑和單體進行混合之後，將所獲得之混合物分散於水性介質中，亦可以將聚合起始劑和單體分別分散於水性介質。聚合起始劑例如為自由基聚合起始劑。作為自由基聚合起始劑，可以舉出過氧化苯甲醯、第三丁基苯甲酸酯、過二硫酸鉀、1,1-偶氮雙（環己烷-1-腈）、2,2-偶氮偶氮二異丁腈、2,2’-偶氮雙[N-（2-羧乙基）-2-甲基丙脒]等。該等化合物可以使用作為水合物而提供者。聚合起始劑相對於所有單體100質量份，可以在0.1～7.0質量份的範圍內使用。
上述乳狀液可以包含陰離子系、陽離子系、非離子系、兩性離子系等界面活性劑作為乳化液。
作為陰離子系界面活性劑，可以舉出油酸鈉、蓖麻油鉀等脂肪酸油、月桂基硫酸鈉、月桂基硫酸銨、月桂基硫酸三乙醇胺等烷基硫酸酯鹽、十二烷基苯磺酸鈉等烷基苯磺酸鹽、烷基萘磺酸鹽、烷磺酸鹽、二辛基磺基琥珀酸鈉等二烷基磺基琥珀酸鹽、鏈烯基琥珀酸酯鹽（二鉀鹽）、烷基磷酸酯鹽、萘磺酸福馬林縮合物、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸酯鹽、聚氧乙烯月桂基醚硫酸鈉等聚氧乙烯烷基醚硫酸鹽、聚氧乙烯烷基硫酸酯鹽等。
作為陽離子系界面活性劑，可以舉出月桂胺乙酸鹽、硬脂胺乙酸脂等烷基胺鹽、月桂基三甲基氯化銨等四級銨鹽等。作為兩性離子系界面活性劑，可以舉出月桂基二甲基氧化胺、磷酸酯系、亞磷酸酯系界面活性劑等。
上述界面活性劑可以單獨或組合2種以上來使用。從聚合時的分散穩定性的觀點考慮，使用陰離子系界面活性劑為較佳。
子粒子32的形狀可以為球體、扁平、紅細胞狀（碗形）、半圓形等，球體形狀為較佳。
子粒子32的粒徑可以小於母粒子31的粒徑。從子粒子對母粒子31的吸附性的觀點考慮，藉由SEM（掃描式電子顯微鏡）以30000倍的倍率觀察而求出之子粒子32的平均粒徑相對於母粒子31的粒徑之比可以為8.0～20.0。上述粒徑之比可以為10.0以上，亦可以為15.0以下。另外，上述比的具體測定方法示於實施例中。
藉由SEM（掃描式電子顯微鏡）以30000倍的倍率觀察而求得之子粒子32的平均粒徑較佳為200～400nm。當上述平均粒徑為200nm以上時，子粒子32作為間隔件的功能容易顯現。當上述平均粒徑為400nm以下時，子粒子32變得不易從母粒子31脫落。從上述觀點考慮，上述平均粒徑可以為300nm以上，亦可以為370nm以下。另外，上述平均粒徑的具體測定方法示於實施例中。
基於子粒子32的母粒子31的表面的被覆率較佳為30.0%以上。被覆率在這種範圍之情況下，由於母粒子31的未被被覆之部分成為接合點且防止或抑制導電粒子彼此結合，因此更不易引起短路導致的不良，並且具有導電粒子的分散性進一步提高之傾向。從相同的觀點考慮，上述被覆率可以為50.0%以上。上述被覆率的上限值例如為60.0%。亦即，上述被覆率可以為30.0～60.0%。其中，上述被覆率為複數個導電粒子的被覆率的平均，並且為對藉由SEM（掃描式電子顯微鏡）以5000倍的倍率觀察導電粒子而獲得之SEM圖像進行分析而求得之面積比率。上述被覆率的具體測定方法示於實施例中。
上述被覆率的C.V.（Coefficient of Variation：變異係數）值較佳為25.0%以下。這種C.V.值的情況下，由於難以存在被覆過於不充分的粒子，因此難以產生由上述導電粒子彼此結合引起之不良。從相同的觀點考慮，上述C.V.值可以為20.0%以下或15.0%以下。上述C.V.值的下限值例如為8.0%。亦即，上述C.V.值可以為8.0～25.0%。其中，被覆率的C.V.值為被覆率的標準偏差除以上述被覆率（平均值）而得之值。
子粒子32可以經由高分子電解質而附著於母粒子31。對高分子電解質進行後述。
可以對子粒子32進行表面處理。例如，子粒子32的表面可以被矽酮寡聚物被覆。矽酮寡聚物的重量平均分子量為500～4000為較佳。矽酮寡聚物具有後述之高分子電解質或與導入到子粒子之官能基反應之官能基為較佳。作為這種官能基，可以舉出矽烷醇基、縮水甘油基、羧基、胺基、異氰酸酯基等。其中，矽烷醇基或縮水甘油基為較佳。另外，在被覆子粒子之矽酮寡聚物中，上述官能基可以為與高分子電解質、導入到子粒子之官能基等反應之狀態。
子粒子32的表面處理方法並無特別限定，藉由在加溫氮氛圍氣中攪拌成為子粒子32之粒子（例如，微粒）的分散液，並且混合矽酮寡聚物的5～100質量%溶液並進行攪拌來處理之方法較簡便。
子粒子32在甲乙酮中的平均粒徑相對於在水中的平均粒徑之比（以下，稱為「膨潤比」。）可以超過1.15且1.30以下。其中，水中的平均粒徑及甲乙酮中的平均粒徑為藉由雷射衍射式粒度分布測定而求得之粒度分布中的累積值50%（體積基準）下的粒徑。子粒子32的上述膨潤比大於1.15的情況下，子粒子32藉由甲乙酮而膨潤。上述膨潤比大於1.15的子粒子32具有不僅藉由甲乙酮，亦藉由SP值與甲乙酮相近的有機溶劑（例如，丙酮、乙酸乙酯、甲苯等）而膨潤之傾向。從變得容易獲得上述效果之觀點考慮，上述膨潤比可以為1.17以上或1.20以上。從子粒子的製造穩定性及對母粒子的吸附穩定性的觀點考慮，上述膨潤比可以為1.25以下或1.20以下。從該等觀點考慮，上述膨潤比可以超過1.15且1.25以下、超過1.15且1.20以下、1.17～1.30、1.17～1.25、1.17～1.20、1.20～1.30或1.20～1.25。
從獲得導電電阻及絕緣電阻更優異之連接結構體之觀點考慮，具備在以上說明之母粒子31和子粒子32之導電粒子P的表面適當地具有親水性為較佳。具體而言，當形成由導電粒子P構成之膜時，該膜的表面相對於水的接觸角成為85～115°為較佳。上述接觸角可以成為90°以上或100°以上。上述接觸角可以成為110°以下或105°以下。與使用了導電粒子P之電路連接用接著膜的表面（導電性接著劑層的表面）相對於水的接觸角相比，上述接觸角比其不要大15°以上為較佳。上述接觸角能夠藉由實施例中記載之方法來測定。
上述導電粒子P藉由成為子粒子之粒子（例如，微粒）被覆成為母粒子之導電性粒子而獲得。從排除粒子彼此凝聚之觀點考慮，作為被覆方法，使用如下所述之方法為較佳。
首先，使用具有特定官能基之化合物處理成為母粒子31之導電性粒子的表面。
導電性粒子在表面具有金層或鈀層之情況下，可以使用具有選自由巰基、硫醚基及二硫醚基組成的組中的至少一種基團及選自由羥基、羧基、烷氧基及烷氧基羰基組成的組中的至少一種基團之化合物進行處理。藉由用這種化合物來處理導電性粒子，巰基、硫醚基或二硫醚基與金或鈀形成配位鍵，因此能夠在導電性粒子上賦予羥基、羧基、烷氧基或烷氧基羰基。作為這種化合物，可以舉出巰基乙酸、2-巰基乙醇、巰基乙酸甲酯、巰基琥珀酸、硫代甘油、半胱胺酸等。
導電性粒子在表面具有鎳層之情況下，可以使用具有選自由巰基、硫醚基或二硫醚基、羧基、矽烷醇基、羥基及含氮基組成的組中的至少一種基團及選自由羥基、羧基、烷氧基及烷氧基羰基組成的組中的至少一種基團之化合物進行處理。藉由用這種化合物來處理導電性粒子，矽烷醇基、羥基或含氮基形成與鎳的牢固的鍵，因此能夠在導電性粒子上賦予羥基、羧基、烷氧基或烷氧基羰基。作為這種化合物，可以舉出羧基苯并三唑等。
作為使用上述化合物處理導電性粒子之方法，例如，可以舉出用甲醇、乙醇等有機溶劑製備巰基乙酸、羧基苯并三唑等化合物的10～100mmol/l溶液，並且使導電性粒子在其溶液中分散之方法。
接著，可以用微粒來被覆處理後的導電性粒子。pH在中性區域之情況下，具有羥基、羧基、烷氧基、烷氧基羰基等之導電性粒子的表面電位（zeta電位）為負。另一方面，具有羥基之微粒的表面電位亦通常為負。由於難以用表面電位為負的粒子被覆表面電位為負的粒子的周圍，因此經由高分子電解質並用微粒被覆導電性粒子之方法為較佳。
經由高分子電解質用微粒被覆導電性粒子之方法例如，包括：（1）將經處理之導電性粒子分散於高分子電解質溶液中，使高分子電解質吸附於導電性粒子的表面之步驟；及（2）將吸附有高分子電解質之導電性粒子分散於微粒的分散溶液中，使微粒吸附於在高分子電解質的表面之步驟。
在實施上述方法時，可以參考逐層積層法（Layer-by-Layer assembly）。逐層積層法為由G.Decher等人在1992年發表之形成有機薄膜之方法（Thin Solid Films，210/211，p831（1992））。
藉由使高分子電解質吸附於導電性粒子的表面之後，或使微粒吸附於高分子電解質的表面之後，能夠使用溶劑沖洗來沖洗掉剩餘的高分子電解質或微粒。作為所使用之溶劑，可以舉出水、醇、丙酮等。
作為高分子電解質，能夠使用在水溶液中電離且在主鏈或側鏈包含具有電荷之官能基之高分子。這種高分子電解質為聚陽離子為較佳。作為聚陽離子，可使用如聚胺類等那樣能夠帶正電荷者。具體而言，可以舉出聚乙烯亞胺（PEI）、聚烯丙胺鹽酸鹽（PAH）、聚二烯丙基二甲基氯化銨（PDDA）、聚乙烯基吡啶（PVP）、聚賴胺酸、聚丙烯醯胺及包含該等中的至少一種以上之共聚物等。在高分子電解質中，聚乙烯亞胺（PEI）的電荷密度高且鍵結力強。
從避免電遷移及腐蝕之觀點考慮，高分子電解質可以為不包含鹼金屬（Li、Na、K、Rb、Cs）離子、鹼土類金屬（Ca、Sr、Ba、Ra）離子及鹵化物離子（氟離子、氯離子、溴離子、碘離子）者。
高分子電解質可以為能夠溶解於水或醇等有機溶劑者。高分子電解質的分子量可以為1000～200000。當分子量為1000以上時，導電粒子的分散性變得充分，具有不易凝聚之傾向。
高分子電解質溶液為將高分子電解質溶解於水和水溶性有機溶劑的混合溶劑中而成者。作為水溶性的有機溶劑，例如，可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丙酮、二甲基甲醯胺、乙腈。溶液中的高分子電解質的濃度可以為0.001～10質量%。高分子電解質溶液的pH並無特別限定。
藉由使用該高分子電解質，能夠提高上述被覆率及上述被覆率的C.V.值。其結果，即使電極間隔為窄間距，亦容易確保絕緣性，變得容易進一步降低電連接之電極間的連接電阻。
還能夠藉由調整高分子電解質的種類、分子量、濃度等，來調整上述被覆率及被覆率的C.V.值。具體而言，使用了聚乙烯亞胺等電荷密度高的高分子電解質之情況下，具有被子粒子被覆之被覆率變高的傾向，使用聚二烯丙基二甲基氯化銨等電荷密度低的高分子電解質之情況下，具有被子粒子被覆之被覆率變低之傾向。又，高分子電解質的分子量大的情況下，具有被子粒子被覆之被覆率變高的傾向，高分子電解質的分子量小的情況下，具有被子粒子被覆之被覆率變低的傾向。
用微粒被覆導電性粒子之後，還能夠藉由進行加熱乾燥來強化子粒子與母粒子的鍵結。加熱溫度可以為60～120℃，加熱時間可以在60～180分鐘的範圍。加熱溫度為60℃以上時或加熱時間為60分鐘以上時，不易引起加熱乾燥時的子粒子的剝離。加熱溫度為120℃以下時或加熱時間為180分鐘以下時，不易引起加熱乾燥時的母粒子的變形。
可以藉由矽烷偶合劑、矽酮等表面處理劑對導電粒子P進行表面處理。
＜電路連接用接著膜＞ 圖2係表示含有上述導電粒子P（以下，簡稱為「導電粒子P」）之電路連接用接著膜的一實施形態之示意剖面圖。如同圖所示，電路連接用接著膜11具備剝離薄膜12及由分散有導電粒子P之接著劑層構成之導電性接著劑層13。電路連接用接著膜11可以不具備剝離薄膜12。又，雖未圖示，但電路連接用接著膜11可以在導電性接著劑層13上進一步具備由未分散有導電粒子P之接著劑層構成之絕緣性接著劑層。以下，為了便於說明，有時將不具有剝離薄膜之電路連接用接著膜亦稱為電路連接用接著膜11。另外，構成導電性接著劑層之接著劑成分本身具有絕緣性。
剝離薄膜12例如由聚對酞酸乙二酯（PET）、聚乙烯、聚丙烯等形成。剝離薄膜12可以含有任意填充劑。又，可以對剝離薄膜12的表面實施脫模處理、電漿處理等處理。
導電性接著劑層13包含接著劑成分及導電粒子P。其中，接著劑成分係指接著劑層中所包含之成分中有助於接著性的成分。接著劑成分例如具有熱固性。
接著劑成分較佳為主要包含可溶於SP值為8.5～10.0的有機溶劑之成分。亦即，作為接著劑成分而包含之成分中，含有比率最高的成分對上述SP值的有機溶劑具有可溶性為較佳。具體而言，後述之單體及薄膜形成材料中的一者或兩者對上述SP值的有機溶劑具有可溶性為更佳。其中，對有機溶劑「具有可溶性」係指，在25℃的該有機溶劑中溶解50質量%以上。
接著劑成分例如包含單體（聚合性化合物）、固化劑（聚合起始劑等）及薄膜形成材料。接著劑成分具有熱固性之情況下，單體藉由熱量而與固化劑反應來固化。
單體只要係具有聚合性之化合物即可，可以為低分子化合物，亦可以為高分子化合物。例如，單體可以為寡聚物。單體可以單獨使用1種，亦可以混合2種以上來使用。作為單體，可以併用低分子化合物和高分子化合物，亦可以併用非聚合物和聚合物。
單體例如為陽離子聚合性化合物。陽離子聚合性化合物例如具有環氧基、氧環丁烷基、乙烯醚基等陽離子聚合性基。以下，將具有該等聚合性基之陽離子聚合性化合物分別稱為環氧化合物、氧雜環丁烷化合物、乙烯基醚化合物。從固化時的交聯密度變高的觀點考慮，陽離子聚合性化合物具有2個以上陽離子聚合性基為較佳。
作為環氧化合物，可以舉出縮水甘油醚型環氧化合物、脂環式環氧化合物等。
縮水甘油醚型環氧化合物為具有縮水甘油醚基之化合物。作為縮水甘油醚型環氧化合物，例如，可以舉出：由環氧氯丙烷和雙酚化合物（雙酚A、雙酚F等）衍生之雙酚型環氧樹脂；聚縮水甘油醚；甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧化合物；聯苯二縮水甘油醚、縮水甘油烷基異氰脲酸酯、聚縮水甘油甲基丙烯酸酯、縮水甘油甲基丙烯酸酯及能夠與其共聚合之乙烯基單體的共聚物等。縮水甘油醚型環氧化合物可以單獨使用1種，亦能夠併用複數種。
脂環式環氧化合物為具有脂環式環氧基之化合物。作為脂環式環氧化合物，例如，可以舉出藉由氧化含有環己烯環之化合物或含有環戊烯環之化合物而獲得之含有環己烯氧化物或環戊烯氧化物之化合物。作為脂環式環氧化合物的具體例，可以舉出2-（3,4-環氧環己基-5,5-螺-3,4-環氧）環己烷-甲二㗁烷、3,4-環氧-1-甲基環己基-3,4-環氧-1-甲基己烷羧酸酯、3,4-環氧-3-甲基環己基甲基-3,4-環氧-3-甲基環己烷羧酸酯、3,4-環氧-5-甲基環己基甲基-3,4-環氧-5-甲基環己烷羧酸酯、3,4-環氧-6-甲基環己基羧酸酯、3,4-環氧環己基甲基-3,4-環氧環己烷羧酸酯、6-甲基-3,4-環氧環己基甲基-6-甲基-3,4-環氧環己烷羧酸酯、亞乙基雙（3,4-環氧環己烷羧酸酯）、二環戊二烯二環氧化物、雙（3,4-環氧環己基甲基）己二酸酯、亞甲基雙（3,4-環氧環己烷）等。脂環式環氧化合物可以單獨使用1種，亦能夠併用複數種。
氧雜環丁烷化合物為具有氧環丁烷基之化合物。從固化性進一步優異之觀點考慮，氧雜環丁烷化合物為具有2～6個氧環丁烷基且具有1～6個羥基之脂肪族系化合物或脂環系化合物為較佳。作為氧雜環丁烷化合物，可以舉出1,4-二[（3-氧雜環丁基-正丁氧基）甲基]苯、4,4’-雙[（3-氧雜環丁基-正丁氧基）甲基]聯苯、3-乙基-3｛[（3-乙基氧雜環丁烷-3-基）甲氧基]甲基｝氧雜環丁烷、3-乙基-3-羥甲基氧雜環丁烷、2-乙基己基氧雜環丁烷等。氧雜環丁烷化合物可以單獨使用1種，亦能夠併用複數種。
乙烯基醚化合物為具有乙烯醚基之化合物。作為乙烯基醚化合物，可以舉出1,4-丁二醇二乙烯基醚、環己烷二甲醇二乙烯基醚、二乙二醇二乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚等。乙烯基醚化合物可以單獨使用1種，亦能夠併用複數種。
從導電性接著劑層固化後可獲得進一步優異的物性（玻璃轉移溫度、彈性模數等）之觀點考慮，陽離子聚合性化合物的含量以導電性接著劑層的總質量為基準，可以為10質量%以上或25質量%以上。從能夠抑制固化時的導電性接著劑層的收縮、能夠維持接著力之觀點考慮，陽離子聚合性化合物的含量以導電性接著劑層的總質量為基準，可以為90質量%以下或75質量%以下。另外，本說明書中，導電性接著劑層的總質量係指，構成導電性接著劑層之接著劑組成物的總質量。
單體為陽離子聚合性化合物之情況下，固化劑為陽離子聚合起始劑。接著劑成分具有熱固性之情況下，陽離子聚合起始劑為熱陽離子聚合起始劑。
作為陽離子聚合起始劑，例如，可以舉出鎓鹽。從保存穩定性進一步優異之觀點考慮，在80～250℃的溫度下顯示活性之化合物為較佳，具體而言，選自由苯胺鹽（苯胺鹽化合物）及吡啶鎓鹽（吡啶鎓鹽化合物）組成的組中的至少一種為更佳。
作為苯胺鹽，從降低分解溫度、進一步提高固化性之觀點考慮，N-烷基苯胺鹽、N,N-二烷基苯胺鹽、N,N,N-三烷基苯胺鹽為較佳。作為苯胺鹽的具體例，可以舉出N-芐基-N,N-二甲基苯胺六氟化銻、N-（4-硝基芐基）-N,N-二甲基苯胺六氟化銻、N-（4-甲氧基芐基）-N,N-二甲基苯胺六氟化銻、N-（α-苯基芐基）-N,N-二甲基苯胺六氟化銻、N-（α-甲基芐基）-N,N-二甲基苯胺六氟化銻、N-（1-萘甲基）-N,N-二甲基苯胺六氟化銻、N-肉桂基-N,N-二甲基苯胺六氟化銻、具有取代芐基苯胺陽離子之鎓鹽（例如，K-PURE CXC-1612（King Industries, Inc.製造、抗衡陰離子：SbF 6）、K-PURE CXC-1738（King Industries, Inc.製造、抗衡陰離子：PF 6）、K-PURE CXC-1740（King Industries, Inc.製造、抗衡陰離子：SbF 6）、K-PURE CXC-1741（King Industries, Inc.製造、抗衡陰離子：SbF 6）、K-PURE CXC-1821（King Industries, Inc.製造、抗衡陰離子：B（C 6F 5） 4））等。該等化合物中與氮原子鍵結之芳香環可以未經取代，亦可以具有取代基。作為芳香環具有取代基之苯胺鹽，可以舉出N-（1-萘甲基）-N,N-二甲基（4-溴苯基）苯胺六氟化銻等。
從降低分解溫度、進一步提高固化性之觀點考慮， 作為苯胺鹽，N-芐基-N,N-二烷基苯胺鹽、N-萘甲基-N,N-二烷基苯胺鹽為較佳，N-芐基-N,N-二甲基苯胺鹽、N-萘甲基-N,N-二甲基苯胺鹽為更佳。作為該等苯胺鹽的抗衡陰離子，從提高陽離子聚合反應的反應速度、進一步提高固化性之觀點考慮，SbF 6 -為較佳。
從降低分解溫度、進一步提高固化性之觀點考慮，作為吡啶鎓鹽，N-芐基吡啶鎓鹽、N-萘甲基吡啶鎓鹽、N-肉桂基吡啶鎓鹽為較佳。作為該等吡啶鎓鹽的抗衡陰離子，從提高陽離子聚合反應的反應速度、進一步提高固化性之觀點考慮，SbF 6 -為較佳。作為吡啶鎓鹽的具體例，可以舉出N-芐基吡啶鎓六氟化銻、N-（4-硝基芐基）吡啶鎓六氟化銻、N-（4-甲氧基芐基）吡啶鎓六氟化銻、N-（α-苯基芐基）吡啶鎓六氟化銻、N-（α-甲基芐基）吡啶鎓六氟化銻、N-（1-萘甲基）吡啶鎓六氟化銻、N-肉桂基吡啶鎓六氟化銻等。該等化合物中的吡啶鎓環可以未經取代，亦可以具有取代基。作為吡啶鎓環具有取代基之吡啶鎓鹽，可以舉出N-（α-苯基芐基）-4-氰基吡啶鎓六氟化銻、萘甲基-2-氰基吡啶鎓六氟化銻、肉桂基-2-氰基吡啶鎓六氟化銻等。
從接著劑組成物具有容易充分固化之傾向之觀點考慮，陽離子聚合起始劑的含量相對於陽離子聚合性化合物100質量份為0.05質量份以上為較佳，0.1質量份以上為更佳。從具有提高相溶性之傾向之觀點考慮，陽離子聚合起始劑的含量相對於陽離子聚合性化合物100質量份為30質量份以下為較佳，15質量份以下為更佳。
陽離子聚合起始劑可以單獨使用1種，亦能夠併用複數種。又，為了提高陽離子聚合起始劑的陽離子產生效率及陽離子聚合性化合物的反應率，除了陽離子聚合性化合物及陽離子聚合起始劑以外，還能夠適當使用鏈轉移劑。作為鏈轉移劑，只要為質子性化合物，則並無特別限制，能夠使用公知的化合物。作為鏈轉移劑，例如，能夠使用環己烯二醇、2,3-丁二醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等醇及該等衍生物。
薄膜形成材料為以增稠或提高薄膜形成性為目的而使用之材料，例如聚合物。作為薄膜形成材料，能夠使用聚醯亞胺、聚醯胺、苯氧基樹脂、聚甲基丙烯酸鹽、聚丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯、聚酯、聚酯胺基甲酸酯、聚乙烯醇縮丁醛、SBS（苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物）及其環氧改質體、SEBS（苯乙烯-乙烯 -伸丁基-苯乙烯共聚物）及其改質體、NBR（丙烯腈-丁二烯共聚物）及其氫化體等。該等聚合物可以具有矽氧烷鍵或氟取代基。這種聚合物只要係所混合之樹脂彼此完全相溶之狀態或發生微相分離而成為混濁狀態，則能夠較佳地用作接著劑組成物。薄膜形成材料可以單獨使用1種，亦能夠併用複數種。
從容易提高薄膜形成性之觀點及能夠將影響導電性接著劑層的流動性之熔融黏度設定在寬範圍之觀點考慮，薄膜形成材料的重量平均分子量可以為5000以上，亦可以為10000以上。從與其他成分的相溶性變得良好之觀點考慮，薄膜形成材料的重量平均分子量可以為150000以下，亦可以為80000以下。薄膜形成材料的重量平均分子量能夠藉由使用凝膠滲透層析法（GPC）、並且依據使用標準聚苯乙烯而得之校準曲線進行換算而計算。作為測定條件，例如，能夠使用下述條件。 （測定條件） 裝置：TOSOH CORPORATION製造之GPC-8020 檢測器：TOSOH CORPORATION製造之RI-8020 管柱：Resonac Holdings Corporation製造之Gelpack GL-A-160-S+GL-A150 試樣濃度：120mg/3ml 溶劑：四氫呋喃 注入量：60μl 壓力：30kgf/cm 2流量：1.00ml/min
從導電性接著劑層的流動性及接著性的觀點考慮，薄膜形成材料的含量相對於單體（例如，陽離子聚合性化合物）100質量份，可以為20～320質量份。
導電粒子P的含量以導電性接著劑層的總體積為基準，可以為0.1～30體積%，亦可以為0.1～10體積%。上述含量為0.1體積%以上之情況下，具有進一步提高導電性之傾向。上述含量為30體積%以下之情況下，具有電路的短路抑制效果更顯著之傾向。另外，本說明書中，導電性接著劑層的總體積係指，構成導電性接著劑層之接著劑組成物的總體積。上述的含量（體積%）例如能夠基於導電性接著劑層中所包含之各成分在23℃下的體積來確定。各成分的體積能夠利用比重從質量換算成體積。各成分的體積亦能夠作為將該成分投入到裝有不使該成分溶解或膨潤而使其充分潤濕之溶劑（水、醇等）之量筒等時的體積的增加量來求出。
導電性接著劑層13只要在不損害發明效果之範圍內，可以進一步含有公知的各種添加劑。作為添加劑，例如，可以舉出：無機填充劑；增強劑；著色劑；穩定劑（熱穩定劑、耐候性改進劑等）；體積膨脹劑；以黏度調節劑；萜烯酚共聚物、萜烯樹脂、松香衍生物、脂環族系烴樹脂等為代表之黏著賦予劑；阻燃劑；紫外線吸收劑；抗氧化劑；防變色劑；抗菌劑；抗真菌劑；抗老化劑；抗靜電劑；塑化劑；潤滑劑；發泡劑；脫模劑等。
導電性接著劑層13的厚度例如可以為10～50μm。當導電性接著劑層13為10μm以上時，用作電路連接材料時，電路連接材料能夠良好地填充於電路電極間。當導電性接著劑層13的厚度為50μm以下時，在用作電路連接材料時，能夠抑制電路連接材料從電路電極間流出。
以上說明之電路連接用接著膜11為使用於電路連接之接著膜。電路連接用接著膜11可以具有各向異性導電性，亦可以不具有各向異性導電性。亦即，電路連接用接著膜11可以為各向異性導電性接著膜，亦可以為非各向異性導電性（例如，等方導電性）接著膜。電路連接用接著膜11可以用於將具有第1電極之第1構件及具有第2電極之第2構件以在該第1構件與該第2構件之間介在該電路連接用接著膜11之狀態下進行熱壓接，將該第1電極與該第2電極相互電連接。
＜電路連接用接著膜之製造方法＞ 圖2中示出之電路連接用接著膜11能夠藉由包括如下步驟，亦即，將成為導電性接著劑層13的形成材料之接著劑糊劑W塗布於剝離薄膜12上之步驟（塗布步驟）、及將藉由塗布而獲得之塗膜進行乾燥之步驟之方法來製造。
接著劑糊劑W含有接著劑成分、分散於接著劑成分中之導電粒子P及有機溶劑。接著劑糊劑W例如能夠藉由在有機溶劑中將接著劑成分（單體、固化劑、薄膜形成材料等）和導電粒子P進行攪拌混合、混煉等而使其溶解或分散來製備。有機溶劑例如可以為SP值為8.5～10.0的有機化合物。作為這種有機溶劑，例如，可以舉出丙酮、甲乙酮、乙酸乙酯、甲苯等。
接著劑糊劑W的黏度能夠依據用途、塗布方法等來調整。接著劑糊劑W的黏度可以為10mPa·s～10000mPa·s，從抑制接著劑糊劑W中的配合物的分離及提高相溶性之觀點考慮，可以為50mPa·s～5000mPa·s。從改善電路連接用接著膜11的外觀之觀點考慮，接著劑糊劑W的黏度可以為100mPa·s～3000mPa·s。
接著劑糊劑W的塗敷方法並不限於上述，能夠利用公知的方法。作為塗敷方法，可以舉出旋塗法、輥塗法、棒塗法、浸塗法、微凹版印刷塗布法、簾塗法、模塗法、噴塗法、刮塗法、捏合塗布法、流塗法、網板印刷法、流延法等。在該等中，棒塗法、模塗法、微凹版印刷塗布法等方法適合於電路連接用接著膜11的製作。從薄膜膜厚的精度的觀點考慮，微凹版印刷塗布法尤其較佳。
塗膜的乾燥方法並無特別限定，例如，可以為熱風乾燥。接著劑糊劑W的乾燥溫度例如為20～80℃。藉由塗膜被乾燥而形成導電性接著劑層13。
電路連接用接著膜11進一步具備絕緣性接著劑層之情況下，例如，在形成上述導電性接著劑層13之後，在該導電性接著劑層13上形成絕緣性接著劑層即可。可以藉由將另外製作之絕緣性接著劑層層壓於導電性接著劑層13上而在導電性接著劑層13上形成絕緣性接著劑層，亦可以將成為絕緣性接著劑層的材料之接著劑糊劑塗布於導電性接著劑層13上並進行乾燥而在導電性接著劑層13上形成絕緣性接著劑層。
＜連接結構體＞ 圖3係表示連接結構體的一實施形態之示意剖面圖。如同圖所示，連接結構體1具備：第1構件4，具有第1電極42；第2構件5，具有第2電極52；及連接部6，配置於第1構件4及第2構件5之間，將第1電極42及第2電極52相互電連接。第1構件4及第2構件5配置成第1電極42與第2電極52相互對置。
第1構件4例如為電路構件。第1構件4例如具備第1基板41（例如，電路基板）及形成於第1基板41的主面41a上之第1電極42（例如，電路電極）。另外，在第1基板41的主面41a上，可以依據情況而形成絕緣層（未圖示）。
第2構件5例如為電路構件。第2構件5例如具備第2基板51（例如，電路基板）及形成於第2基板51的主面51a上之第2電極52（例如，凸塊電極）。又，在第2基板51的主面51a上，可以依據情況而形成絕緣層（未圖示）。
作為第1構件4及第2構件5，只要為形成有需要電連接的電極之構件，則並無特別限制。作為形成有電極之構件，能夠使用半導體、玻璃、陶瓷等無機基板；以TCP、FPC、COF等為代表之聚醯亞胺基板；在聚碳酸酯、聚酯、聚醚碸等薄膜上形成有電極之基板；印刷配線板等，並且亦能夠使用該等中的複數個組合。
連接部6為藉由將電路連接用接著膜11固化而成之部分，包含電路連接用接著膜11的固化物。例如，如圖3所示，連接部6含有導電粒子P及電路連接用接著膜11中的導電粒子以外的成分（接著劑成分等）固化而成之絕緣性物質7。連接部6沿著第1構件4的主面41a及第2構件5的主面51a擴展為層狀。
導電粒子P配置於第1電極42與第2電極52之間。該導電粒子P藉由壓接而子粒子32的一部分脫離，並且母粒子31以變形為稍微扁平之狀態與第1電極42及第2電極52接觸。藉此，實現第1電極42與第2電極52之間的電連接。導電粒子P不僅在對置的第1電極42與第2電極52之間，亦可以配置於第1基板41的主面41a與第2基板51的主面51a之間。
＜連接結構體之製造方法＞ 連接結構體1之製造方法例如包括在第1構件4與第2構件5之間以隔著電路連接用接著膜11之狀態將第1構件4與第2構件5進行熱壓接，將第1電極42與第2電極52相互電連接之步驟。以下，參閱圖4，對連接結構體1之製造方法進行說明。
圖4係表示連接結構體1的製造步驟之示意剖面圖。在同圖的例子中，首先，準備第1構件4、電路連接用接著膜11（參閱圖4（a））。
接著，將電路連接用接著膜11配置於第1構件4的主面41a上。電路連接用接著膜11為圖2所示那樣的剝離薄膜12與導電性接著劑層13的積層體之情況下，以將該積層體的導電性接著劑層13側朝向第1構件4之方式，將積層體配置於第1構件4上。
接著，對電路連接用接著膜11沿圖4（a）的箭頭A及B方向加壓，將電路連接用接著膜11臨時連接至第1構件4（參閱圖4（b））。此時，可以加壓的同時加熱。
接著，如圖4（c）所示，在配置於第1構件4上之電路連接用接著膜11上，以第2電極52側朝向第1構件4之方式（亦即，以第1電極42與第2電極52成為對置配置之狀態）進一步配置第2構件5。電路連接用接著膜11積層於支撐體（未圖示）上之情況下，將支撐體剝離之後，將第2構件5配置於電路連接用接著膜11上。
而且，一邊加熱電路連接用接著膜11，一邊沿圖4（c）的箭頭A及B方向加壓。藉此，電路連接用接著膜11被固化，進行了本連接。其結果，獲得了如圖3所示的連接結構體1。
電路連接用接著膜11的加熱溫度為在固化劑中產生聚合活性種且單體（聚合性化合物）的聚合開始之溫度以上為較佳。該加熱溫度例如為80℃～200℃，較佳為100℃～180℃。加熱時間例如為0.1秒鐘～30秒鐘，較佳為1秒鐘～20秒鐘。 [實施例]
以下，使用實施例及比較例，對本發明的內容進行更詳細的說明，但本發明並不限定於以下實施例。
＜製造例1～8＞ （絕緣性微粒1～8的製作） 使用乳化聚合法使表1～3中示出之單體聚合。具體而言，首先，將純水400g加入到合成用燒瓶之後，將表1～3中示出之材料按照表1～3中示出之配合莫耳量一併添加到該燒瓶中。一邊將該些進行攪拌，一邊在70℃下加熱8小時。攪拌速度設為300rpm。藉此，分別製作了絕緣性微粒1～8。
（SEM平均粒徑及不規則度的測定） 使用場發射掃描電子顯微鏡（SU-8020、Hitachi High-Tech Corporation製造），以30000倍的倍率觀察絕緣性微粒1～8，使用XG VisionEditor（KEYENCE CORPORATION製造之圖像分析軟體）分析所獲得之SEM圖像，從而求出絕緣性微粒1～8的使用SEM觀察的平均粒徑（SEM平均粒徑d 1）及不規則度。
具體而言，首先，使絕緣性微粒乾燥之後，獲取了乾燥後的絕緣性微粒的SEM圖像。接著，以JSR Corporation製造之乳膠粒子（CLINTEX系列、粒徑：0.3μm）作為標準樣品，從該SEM圖像中提取1個與該標準樣品相似之粒子。接著，檢測通過所提取之粒子的中心點之直線與該粒子的邊緣上的點的交點10點以上最多36點，求出5個以上最多18個直徑d X（存在於上述直線上的2個上述交點間的距離）及最多36個半徑r X（上述中心點與上述交點的距離）。接著，求出所獲得之直徑d X的平均值d Y，從而求出以d Y作為直徑之虛擬圓（正圓）的半徑r Y（d Y/2）與上述粒子的半徑r X之差的絕對值。將該差的平均值設為粒子的平均變形D，使用平均變形D和虛擬圓的半徑r Y，藉由下述式計算了粒子的不規則度。 不規則度=平均變形D/虛擬圓的半徑r Y×100 對任意提取之100個粒子進行上述操作，將所計算之d Y及不規則度的平均值設為絕緣性微粒1～8的SEM平均粒徑d 1及不規則度。將結果示於表1～3中。
（膨潤比的測定） 測定絕緣性微粒1～8在水中的平均粒徑d 2之後，將絕緣性微粒1～8浸漬於甲乙酮之後，使用超音波頻率40kHz、輸出功率120W的超音波槽處理5分鐘後測定了絕緣性微粒1～8在甲乙酮中的平均粒徑d 3。基於所獲得之平均粒徑d 2及d 3，求出絕緣性微粒1～8的膨潤比（平均粒徑d 3相對於平均粒徑d 2之比d 3/d 2）。以下，示出平均粒徑的具體測定方法。
在溶劑（水或甲乙酮）中，以試樣液的pH成為7.0～8.0之方式，添加0.1～15.0質量%範圍內的測定對象的粒子（絕緣性微粒1～8中的任一個），並進行了分散。接著，藉由雷射衍射式粒度分布儀Microtrac MT3300EXII（MicrotracBEL Corp.製造、產品名稱）在25.0℃下測定了粒度分布。關於折射率的設定，將絕緣性微粒1～6（聚苯乙烯系微粒）的折射率設為1.59，將絕緣性微粒7～8（聚甲基丙烯酸甲酯系微粒）的折射率設為1.49。將所獲得之粒度分布中的累積值50%（體積基準）下的粒徑設為平均粒徑。
（玻璃轉移溫度的測定） 使用示差掃描熱量儀（DSC） Q1000（TA Instruments Japan製造），測定了絕緣性微粒1～8的玻璃轉移溫度（Tg）。將結果示於表1～3中。
[表1]
絕緣性微粒 1 2 3 4
苯乙烯 mmol 280 280 280 280
二乙烯基苯 mmol 8.4 8.4 8.4 8.4
3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷 mmol 2.0 2.0 0 0
甲基丙烯酸鈉 mmol 1.0 1.0 1.0 1.0
過二硫酸鉀 mmol 1.0 1.0 1.0 1.0
月桂基硫酸三乙醇胺30%溶液 mmol 1.2 0.75 1.2 0.75
SEM平均粒徑d 1 nm 310 373 310 370
不規則度 - 1.3 1.3 1.1 1.1
平均粒徑d 2 nm 323 385 320 373
平均粒徑d 3 nm 362 435 367 425
膨潤比 - 1.12 1.13 1.15 1.14
Tg ℃ 115 114 115 115
[表2]
微粒 5 6
苯乙烯 mmol 280 285
二乙烯基苯 mmol 8.4 7.2
丙烯酸丁酯 mmol 0 15.0
3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷 mmol 1.8 1.8
甲基丙烯酸鈉 mmol 2.7 2.7
苯乙烯磺酸鈉 mmol 0.18 0.18
過二硫酸鉀 mmol 3.0 3.0
SEM平均粒徑d 1 nm 316 320
不規則度 - 2.5 4.0
平均粒徑d 2 nm 317 313
平均粒徑d 3 nm 385 395
膨潤比 - 1.21 1.25
Tg ℃ 115 114
[表3]
微粒 7 8
甲基丙烯酸甲酯 mmol 300 300
二乙二醇二甲基丙烯酸酯 mmol 15.0 15.0
甲基丙烯酸縮水甘油酯 mmol 45.0 45.0
單（甲基丙烯酸-2-羥基乙酯）磷酸酯 mmol 1.0 1.0
2,2’-偶氮雙[N-（2-羧乙基）-2-甲基丙脒]4水合物 mmol 1.5 1.5
月桂基硫酸三乙醇胺30%溶液 mmol 0.05 0.03
SEM平均粒徑d 1 nm 305 370
不規則度 - 2.3 2.7
平均粒徑d 2 nm 318 393
平均粒徑d 3 nm 389 487
膨潤比 - 1.22 1.24
Tg ℃ 130 131
表1～3中示出之材料的詳細內容為如下。 （非交聯性單體） •苯乙烯：FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造 •丙烯酸丁酯：FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造 •甲基丙烯酸甲酯：MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.製造 •甲基丙烯酸縮水甘油酯：FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造 •3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷：Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製造、產品名稱：KBM-502 •3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷：Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製造、產品名稱：KBM-503 •甲基丙烯酸鈉：Sigma-Aldrich Co. LLC製造 •苯乙烯磺酸鈉：FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造 •單（甲基丙烯酸-2-羥基乙酯）磷酸酯：JOHOKU CHEMICAL CO.,LTD製造、產品名稱：JAMP-514 （交聯性單體） •二乙烯基苯：NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.製造、產品名稱：二乙烯基苯（DVB-960） •二乙二醇二甲基丙烯酸酯：Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.製造 （自由基聚合起始劑） •過二硫酸鉀：FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造 •2,2’-偶氮雙[N-（2-羧乙基）-2-甲基丙脒]4水合物：FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造、產品名稱：VA-057 （乳化液） •月桂基硫酸三乙醇胺30%溶液：Kao Corporation製造、產品名稱：Emar TD
＜比較例1～4及實施例1～4＞ （導電粒子1～8的製作） [母粒子1的製作] 準備了由具有2個丙烯醯基之單體（2官能丙烯酸單體）的聚合物構成之平均粒徑3.0μm的塑膠粒子。塑膠粒子的硬度依據在室溫（25℃）下壓縮而粒子變形20%時的彈性模數（以下，稱為「20%K值」）進行評價之後結果，20%K值為2.0GPa。
在上述塑膠粒子的表面上，使用無電鍍法進行鍍鎳，形成了厚度100nm的鎳金屬層。藉此，獲得了由塑膠粒子及被覆塑膠粒子的表面之鎳金屬層構成之導電性母粒子1（粒徑：約3.1μm）。另外，鎳金屬層的厚度為藉由使粒子分散於鑄造用樹脂中鑄造來製作鑄造試樣，研磨所獲得之鑄造試樣的表面而使粒子的剖面露出，使用SEM（Hitachi High-Tech Science Corporation製造之SU-8020）觀察該粒子的剖面而測定之5處的厚度的平均值。
[矽酮寡聚物1的製作] 在具備了攪拌裝置、電容器及溫度計之玻璃燒瓶中加入配合了3-縮水甘油醚丙基三甲氧基矽烷118g及甲醇5.9g之溶液。在該玻璃燒瓶中，進一步添加活性白土5g及蒸餾水4.8g之後，在75℃下攪拌一定時間，從而獲得了重量平均分子量1300的矽酮寡聚物1。所獲得之矽酮寡聚物1為作為與羥基反應之末端官能基而具有甲氧基或矽烷醇基者。在所獲得之矽酮寡聚物1的溶液中加入甲醇，製備了固體成分20質量%的處理液。另外，矽酮寡聚物1的重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法（GPC）法測定並使用標準聚苯乙烯的校準曲線進行換算來計算。以下，示出GPC的條件。 -GPC條件 裝置：TOSOH CORPORATION製造之GPC-8020 檢測器：TOSOH CORPORATION製造之RI-8020 管柱：Resonac Holdings Corporation製造之Gelpack GL-A-160-S+GL-A150 試樣濃度：120mg/3ml 溶劑：四氫呋喃 注入量：60μl 壓力：30kgf/cm 2流量：1.00ml/min
[導電粒子1～8的製作] 將巰基乙酸8mmol溶解於甲醇200ml而製作了反應液。接著，將10g的母粒子1加入到上述反應液中，使用三一電機和直徑45mm的攪拌葉片，在室溫下攪拌2小時，藉此進行了母粒子1的表面處理（第1處理）。接著，從攪拌後的液體中取出處理後的粒子，用甲醇清洗之後，使用孔徑3μm的膜過濾器（Nihon Millipore K.K.製造）進行了過濾。藉此，獲得了10g在表面具有羧基之粒子（粒子1A）。
接著，用甲醇稀釋重量平均分子量70000的30質量%聚乙烯亞胺水溶液（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製造），獲得了0.1質量%聚乙烯亞胺水溶液及0.01質量%聚乙烯亞胺水溶液。在製作導電粒子1～6及8時，使用了0.1質量%聚乙烯亞胺水溶液，在製作導電粒子7時，使用了0.01質量%聚乙烯亞胺水溶液。
接著，將上述粒子1A 10g加入到0.1質量%聚乙烯亞胺水溶液或0.01質量%聚乙烯亞胺水溶液，在室溫下攪拌15分鐘，藉此進行了粒子1A的表面處理（第2處理）。接著，從攪拌後的液體中取出處理後的粒子，使用孔徑3μm的膜過濾器（Nihon Millipore K.K.製造）進行了過濾。將過濾後的粒子加入到甲醇450g中，在室溫下攪拌5分鐘之後，從該甲醇中取出粒子，使用孔徑3μm的膜過濾器（Nihon Millipore K.K.製造）進行過濾，在上述膜過濾器上，用450g的甲醇清洗了2次。藉此，去除未吸附於粒子1A之聚乙烯亞胺，獲得了被含有胺基之聚合物被覆之粒子（粒子1B）。
接著，用矽酮寡聚物1處理絕緣性微粒1～8，製備了表面具有含有縮水甘油基之寡聚物之微粒（微粒1A～8A）的甲醇分散液。
接著，用甲乙酮浸漬了上述粒子1B之後，在該液體中投入微粒1A～8A的甲乙酮分散液，從而獲得了將絕緣性微粒1～8中的任一個作為子粒子之導電粒子。此時，甲乙酮分散液的投入量設為藉由子粒子（包含未吸附的子粒子）完全被覆母粒子的表面所需的充分量。
接著，使用將聚（二甲基二甲氧基矽烷）（重量平均分子量Mw：800～1200）溶解於IPA（異丙醇）而成之溶液（固體成分濃度：3.0質量%）315g處理所獲得之導電粒子並進行清洗，藉此進行了導電粒子表面的疏水化。其後，在真空狀態下，在100℃、90分鐘的條件下進行加熱乾燥，藉此製作了導電粒子1～8。
（評價1） [被覆率及其C.V.值的測定] 藉由以下方法進行了導電粒子1～8的被覆率及其C.V.值的測定。首先，使用場發射掃描電子顯微鏡（SU-8020、Hitachi High-Tech Corporation製造），以5000倍的倍率觀察導電粒子而獲得了SEM圖像。接著，使用XG VisionEditor（KEYENCE CORPORATION製造之圖像分析軟體），進行了SEM圖像的二值化處理。接著，從二值化處理後的SEM圖像中提取1個導電粒子，將該導電粒子的外周圓的半徑作為直徑的圓（與外周圓同心圓狀的圓）作為測定圓，求出測定圓的面積S 1及表示存在於測定圓內之絕緣性微粒之部分的面積的合計S 2，藉由以下式計算所提取之粒子的被覆率（子粒子被覆母粒子的被覆率）。 被覆率（%）=S 2/S 1×100 對任意提取之100個導電粒子進行該操作，將所計算之100個導電粒子的被覆率進行平均以作為導電粒子1的被覆率。又，上述式計算之被覆率的標準偏差除以上述平均值而求出被覆率的C.V.值。
[粒徑的測定] 藉由以下方法求出了導電粒子1～8中的子粒子的平均粒徑及子粒子的平均粒徑相對於母粒子的粒徑之比。在一個導電粒子中，測定5個子粒子的粒徑，將該等的平均作為該導電粒子中的子粒子的平均粒徑。又，依據所獲得之測定值，求出子粒子的平均粒徑相對於母粒子的粒徑之比。對25個導電粒子重複進行上述測定，求出子粒子的平均粒徑及子粒子的平均粒徑相對於母粒子的粒徑之比的平均值（25個的平均值），將該等作為導電粒子1～8中的子粒子的平均粒徑及子粒子的平均粒徑相對於母粒子的粒徑之比。
[接觸角的測定] 藉由以下方法測定了導電粒子1～8相對於水的接觸角。首先，在玻璃板的表面貼附了雙面膠帶（產品名稱：Hibon 11-583（Resonac Holdings Corporation製造）、寬度10.0mm、長度76.0mm、厚度0.14mm）。接著，在雙面膠帶上配置導電粒子1.0g，以雙面膠帶的表面整體被導電粒子被覆之方式（盡可能在導電粒子間不產生間隙之方式），將導電粒子展開到雙面膠帶上。接著，藉由吹氣（產品名稱：Air Duster AHSze300、AIR WATER SOL INC.、噴射時間：30秒鐘）去除了堆積在雙面膠帶上之多餘的導電粒子。藉此，獲得了由玻璃、雙面膠帶及由導電粒子形成之膜構成之積層體。將該積層體作為接觸角測定用試驗片。
接著，使用上述試驗片，按照JIS R 3257（1999）「基板玻璃表面的濕潤性試驗方法」6項記載之靜態法測定了相對於水的接觸角。具體而言，使用Kyowa Interface Science Co., Ltd製造之接觸角計「DM-701」，在試樣片的由導電粒子形成之膜上滴加了純水6μL。測定了滴加後經過2000ms之後的接觸角。將上述操作以7～10mm的間隔進行合計10次（10處），求出所獲得之數值的平均值。將該平均值作為導電粒子的接觸角。另外，上述接觸角的測定在室溫（25℃）下進行。
[表4]
   比較例 實施例
1 2 3 4 1 2 3 4
導電粒子 1 2 3 4 5 6 7 8
母粒子 1 1 1 1 1 1 1 1
子粒子 1 2 3 4 5 6 7 8
被覆率（%） 50.1 45.9 49.7 47.8 38.9 36.4 37.8 35.6
被覆率的C.V.值（%） 6.1 6.4 5.7 6.5 15.6 13.4 12.1 13.4
子粒子的平均粒徑（nm） 323 385 320 373 317 313 328 393
子粒子的平均粒徑相對於母粒子的粒徑之比 10.0 8.44 10.16 8.71 10.25 10.38 9.91 8.27
接觸角（°） 134.0 133.3 136.7 135.3 110.3 106.0 100.0 98.9
（電路連接用接著膜的製作） 將熱陽離子聚合起始劑亦即K-PURE CXC-1821（King Industries, Inc.製造、抗衡陰離子：B（C 6F 5） 4））、脂環式環氧化合物（產品名稱GT401、Daicel Corporation製造）、氧雜環丁烷化合物（產品名稱OXT-121、TOAGOSEI CO., LTD.製造）及苯氧基樹脂（產品名稱YP-70、Tohto Kasei Co., Ltd.製造）進行了混合。各成分的混合比（質量比）設為5:25:25:50（熱陽離子聚合起始劑:脂環式環氧化合物:氧雜環丁烷化合物:苯氧基樹脂）。又，將導電粒子以8體積%的量進行配合分散而獲得了接著劑組成物。此時，作為導電粒子，分別使用了上述導電粒子1～8。又，作為溶劑，使用了甲乙酮。
接著，使用塗敷裝置，在厚度40μm的PET（聚對酞酸乙二酯）薄膜上塗布上述接著劑組成物，藉由在70℃下進行5分鐘的熱風乾燥而獲得了接著劑層的厚度為20μm的電路連接用接著膜1～8。
（評價2） [導電粒子捕捉性及絕緣性的評價] （1）連接結構體的製作 使用比較例1～4及實施例1～4中所獲得之電路連接用接著膜製作了連接結構體。具體而言，首先，作為第1構件，準備了具有配置有兩列沿直線排列之凸塊電極之結構之IC晶片（外形：0.9mm×20.3mm、厚度：0.3mm、凸塊電極的大小：75μm×12μm（粒子捕捉數評價用）或100μm×12μm（絕緣性評價用）、凸塊電極間距離：24μm、凸塊電極的厚度：8μm、凸塊電極配置：第2列的凸塊電極配置於相對於第1列的凸塊電極的中心沿IC晶片的長度方向偏離12μm之位置，第1列的凸塊電極與第2列的凸塊電極的間隔為25μm）。又，作為第2構件，準備了在玻璃基板（Corning Incorporated Co.,Ltd.製造：#1737、外形：38mm×28mm、厚度：0.3mm）的表面形成了ITO的配線圖案（圖案寬度：19μm、電極間空間：5μm）之配線基板。
接著，將電路連接用接著膜切成2×20mm的大小，從PET薄膜轉印到上述第2構件。接著，施加負載80MPa（凸塊面積換算），在130℃下加熱並加壓5秒鐘，藉此將第1構件隔著上述電路連接用接著膜安裝於第2構件上。藉此，獲得了連接結構體。另外，以與上述相同的步驟，針對各比較例及各實施例製作了複數個連接結構體。
（2）導電粒子捕捉性的評價 藉由光學顯微鏡測定比較例1～4及實施例1～4的連接結構體中的在凸塊電極與電路電極之間捕捉之導電粒子的數（粒子捕捉數），依據每1個凸塊電極的粒子捕捉數（粒子捕捉數/凸塊電極數）及其C.V.值評價了導電粒子捕捉性。將結果示於表5中。
（3）絕緣性的評價 基於依據絕緣電阻值被判定為絕緣電阻不良之連接結構體的比例（絕緣電阻不良率）進行了絕緣性的評價。連接電阻值如下測定：在設置於連接結構體端部之端子上連接絕緣電阻測定裝置的端子，對連接結構體施加50V的電壓一併測定了絕緣電阻。絕緣電阻測定儀顯示之絕緣電阻值為1.0E+09Ω以下時判定為絕緣電阻不良。比較例1～4及實施例1～4均以N（所評價之連接結構體數）=10進行上述判定評價，計數絕緣電阻不良之連接結構體，計算了絕緣電阻不良率。將結果示於表5中。
[表5]
   比較例 實施例
1 2 3 4 1 2 3 4
電路連接用接著膜 1 2 3 4 5 6 7 8
導電粒子 1 2 3 4 5 6 7 8
粒子捕捉數（pcs） 6.24 6.35 6.11 6.36 6.40 5.95 6.55 6.35
粒子捕捉數的C.V.值（%） 14.0 13.7 13.0 14.2 13.4 14.7 14.8 14.5
絕緣電阻不良率（%） 100.0 90.0 100.0 90.0 40.0 40.0 10.0 10.0
1:連接結構體 4:第1構件 5:第2構件 6:連接部 42:第1電極 52:第2電極 11:電路連接用接著膜 13:導電性接著劑層 31:母粒子 32:子粒子 P:導電粒子
圖1係表示本發明之導電粒子的一實施形態之示意剖面圖。 圖2係表示本發明之電路連接用接著膜的一實施形態之示意剖面圖。 圖3係表示本發明之連接結構體的一實施形態之示意剖面圖。 圖4係表示圖3中示出之連接結構體的製造步驟之示意剖面圖。
P:導電粒子
31:母粒子
31a:核粒子
31b:被覆層
32:子粒子

Claims (15)

  1. 一種導電粒子，其係電路連接用接著膜用導電粒子， 前述導電粒子具備導電性母粒子及被覆該母粒子的表面之子粒子， 當藉由SEM以30000倍的倍率觀察而求得之前述子粒子的粒子半徑及粒子直徑分別設為r X及d X、將該粒子直徑d X的平均值亦即前述子粒子的平均粒徑設為d Y時，由下述式（1）求得之前述子粒子的不規則度大於2.0， 不規則度=D/r Y×100   （1） 式（1）中，r Y表示直徑等於d Y的虛擬球的半徑，D表示前述子粒子的粒子半徑r X與前述虛擬球的半徑r Y的絕對差的平均值。
  2. 如請求項1所述之導電粒子，其中 被前述子粒子被覆之前述母粒子的表面的被覆率為30.0%以上。
  3. 如請求項1或請求項2所述之導電粒子，其中 被前述子粒子被覆之前述母粒子的表面的被覆率的C.V.值為25.0%以下。
  4. 如請求項1至請求項3之任一項所述之導電粒子，其中 藉由SEM以30000倍的倍率觀察而求得之前述子粒子的平均粒徑為200～400nm。
  5. 如請求項1至請求項4之任一項所述之導電粒子，其中 在形成由前述導電粒子構成之膜時，該膜的表面相對於水的接觸角成為85～115°。
  6. 如請求項1至請求項5之任一項所述之導電粒子，其中 前述子粒子含有聚合物，前述聚合物包含含有極性基之單體作為單體單元。
  7. 如請求項6所述之導電粒子，其中 前述含有極性基之單體包含選自由（甲基）丙烯酸及其鹽、苯乙烯磺酸及其鹽、含有（甲基）丙烯醯基之磷酸單酯及其鹽、含有（甲基）丙烯醯基之環氧單體、含有（甲基）丙烯醯基之羧酸酯以及含有（甲基）丙烯醯基之烷氧基矽烷及其水解物組成的組中的至少一種。
  8. 如請求項6或請求項7所述之導電粒子，其中 以前述聚合物中所包含之單體單元的總量為基準，前述聚合物中作為單體單元而包含之前述含有極性基之單體的含量為9.0～15.0莫耳%。
  9. 如請求項6至請求項8之任一項所述之導電粒子，其中 前述聚合物包含非芳香族交聯性單體及非交聯性單體作為單體單元。
  10. 如請求項9所述之導電粒子，其中 前述非芳香族交聯性單體為具有可以具有醚鍵之烴鏈及與該烴鏈鍵結之複數個（甲基）丙烯醯氧基之多官能（甲基）丙烯酸酯單體。
  11. 如請求項9或請求項10所述之導電粒子，其中 前述非交聯性單體為甲基丙烯酸酯。
  12. 如請求項6至請求項11之任一項所述之導電粒子，其中 前述聚合物為乳化聚合物。
  13. 一種電路連接用接著膜，其具備包含接著劑成分及請求項1至請求項12之任一項所述之導電粒子之導電性接著劑層。
  14. 一種連接結構體，其具備：第1構件，具有第1電極；第2構件，具有第2電極；及連接部，配置於前述第1構件及前述第2構件之間且將前述第1電極及前述第2電極相互電連接， 前述連接部包含請求項13所述之電路連接用接著膜的固化物。
  15. 一種連接結構體之製造方法，其包括如下步驟：將具有第1電極之第1構件及具有第2電極之第2構件以在前述第1構件與前述第2構件之間介在請求項13所述之電路連接用接著膜之狀態下進行熱壓接，將前述第1電極與前述第2電極相互電連接。
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