TW202337889A - 有機半導體混合物及其有機光電元件 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種有機半導體混合物及包含其之有機光電元件，該有機半導體混合物中之n型有機半導體化合物具有一新穎之化學結構設計，使得該混合物具有良好之熱穩定性，並更有利於減少批次生產時造成之性質差異。該有機半導體混合物適用於如OPV等有機光電元件，使用時可提供良好之能量轉換效率。

Description

有機半導體混合物及其有機光電元件
本發明係關於一種有機半導體混合物、特別是一種有機半導體混合物及其有機光電元件。
近年來，為了製造更通用、成本更低之電子元件，對於有機半導體化合物（Organic Semiconducting Compound，OSC）之需求日增，此一現象係因有機半導體化合物與傳統半導體材料相比，其吸光範圍廣、光吸收係數大且具有可調控結構，其吸光範圍、能階及溶解度皆可以依照目標需求做調整，另外有機材料在元件製作上具有低成本、可撓曲性、毒性較低及可大面積生產之優點，使有機光電材料在各個領域都具有良好之競爭性。
此類化合物之應用範圍十分廣泛，包含有機場效應電晶體（Organic field-effect transistor，OFET）、有機發光二極體（Organic light-emitting diode，OLED）、有機光探測器（Organic photodetector，OPD）、有機光伏（Organic photovoltaic，OPV）電池、傳感器、存儲元件和邏輯電路之各種元件或組件中。其中有機半導體材料於上述應用之各元件或組件中，通常以薄層之形式存在，其厚度約為50 nm至1 μm。
上述之有機光伏電池為光感測元件之一種屬於受光元件，其原理為元件受光照射後，電子激發躍遷至高能階形成自由移動電子，再經由電路傳輸形成電流。其結構一般包含一組電極和一主動層（或稱光敏層）設置於電極之間。其中，有機光伏電池中之主動層材料係直接影響元件效能，因此扮演重要角色，而其材料可分為供體與受體兩部分。
供體材料方面常見之材料包含有機聚合物、低聚物或小分子單元，各具有其性質優勢。小分子材料有利於合成與純化，且適用於蒸鍍方式成膜，材料也相對穩定；而聚合物之熱穩定度和機械性質較佳，適合以濕式製程進行加工，因此目前頗受業界青睞。而此類有機聚合物之聚合單體由於在聚合物主鏈上形成交替之單鍵—雙鍵共軛連結，因而具有本徵導電性質。現今以發展D-A型之共軛聚合物為主流，藉由其聚合物中多電子單元與缺電子單元間交互作用而形成之推—拉電子效應，可用來調控聚合物之能階與能隙。
而搭配之受體材料通常為具有高導電度之富勒烯衍生物，其吸光範圍大約在400-600 nm，此外亦包含石墨烯、金屬氧化物或量子點等，或是近年來逐漸興起之非富勒烯有機化合物及其衍生物等。其中非富勒烯受體，Non-Fullerene Acceptors (NFAs)，因其可調控的吸光範圍，以及高的吸光效率，在目前光電材料的發展上已經取代富勒烯，成為一個重要的里程碑；使用非富勒烯搭配聚合物在有機太陽能電池領域已經可以達到＞18%的效率。
儘管如此，非富勒烯受體化合物早期之發展頗為困難，因為對其化合物型態之控制不易，因此其功率轉換效率偏低，且吸光波段及能階之範圍有其侷限，使得整體供體、受體材料搭配上受限。不過，自2015年起關於非富勒烯受體之眾多研究，使其PCE有顯著之提昇而成為具有競爭力之選擇。此一改變主要歸因於合成方式進步、材料設計策略改進等原因，而先前為了富勒烯型受體而發展出之廣泛供體材料也間接為非富勒烯受體化合物之研發產生助益。且富勒烯受體在使用時未必能和所欲之供體材料有良好搭配，因此發展出非富勒烯受體化合物來取代傳統之富勒烯受體在主動層材料之突破上十分重要。
非富勒烯受體化合物材料發展，主要以多電子中心搭配兩側缺電子單元形成結構為A-D-A模式之分子，其中D通常由為苯環及噻吩組成之分子，A則通常為氰基茚酮（IC）衍生物。另一類結構則為A’-D-A-D-A’模式，作為中心之缺電子單元常使用含硫原子之分子以加強其表現。
然而非富勒烯受體化合物於實際應用時仍有待改善之處。例如當有機太陽能電池要商業化時，必須有良好的熱穩定性，而非富勒烯受體之熱穩定性較差，且目前高效率的非富勒烯小分子，因為高結晶性的特質，在加熱後往往會造成非富勒烯繼續排列堆疊，而產生相變化甚至嚴重的相分離，進而導致效率的降低。在先前文獻也提及包含此類化合物之元件效率會隨著加熱而降低。
為提升非富勒烯的熱穩定性，其研究方向之一為使用非富勒烯與噻吩共聚而形成非富勒烯聚合物（又稱為P(非富勒烯)）。使用非富勒烯聚合物可同時具有非富勒烯的吸光效率，也可以獲得較好的熱穩定性以及機械性質，但同時也會遇到合成上的穩定性以及再現性的問題，並且也可能會有聚合物間相容性的問題，導致元件效率較差。
目前有文獻指出，增加分子量及鏈長，可以提高分子的熱轉換溫度並且降低吸收光譜在加熱後的改變。
但是非富勒烯聚合物之使用上仍有問題尚待克服，其一為非富勒烯聚合物聚合生產時難以避免出現不同生產批次間之差異，其次為在全聚合物光伏電池系統中可能存在聚合物供體和聚合物受體間相容性差的問題，同樣會造成效率降低。有先前研究提及使用非富勒烯聚合物時可能會發生較嚴重的相分離而使效率較差，以及較高聚合物量的受體聚合物材料會和聚合物供體材料有較差的相容性，而造成較低的元件效率。同時合成非富勒烯聚合物批次與批次間的差異，可能會造成最後的元件不僅效率較差，也沒有再現性。
因此，尋求一種有機半導體混合物以達改善在合成上的再現性以及與其他材料間的相容性問題，降低生產批次間之差異造成之效能落差，更重要的是同時解決非富勒烯在加熱後因為膜面熱穩定性差而造成的元件效率降低的的問題，為目前本類材料研發的重要目的。
鑒於上述對於現今材料不足處之問題，本發明之目的為提供一種有機半導體混合物，以克服先前技術中有機半導體材料之缺點，及提供一或多個上述有利特性，特別是良好之加工性和利於使用溶液加工法大規模製造。
本發明之另一目的，為提供一種有機光電元件，其中該元件包含本發明之有機半導體混合物，具有優異之熱穩定性以及良好之能量轉換效率。
為了達到上述之目的，本發明提供一種有機半導體混合物，其包含一p型有機半導體化合物，和一n型有機半導體化合物。其中，該p型有機半導體化合物為包含至少一種受體單元和至少一種供體單元之共軛聚合物，且該n型有機半導體化合物具有如式I之結構： 式I 其中SP 1為選自由乙烯基、苯環、推電子基團、經取代或未經取代之具5至20個環原子之單環雜芳基以及經取代或未經取代之具5至20個環原子之多環雜芳基組成之群組之一者； Ar 0-Ar 3係具5至35個環原子之經取代之多環稠環雜芳基；A 0-A 3為具5至20個環原子之雜芳基，為單環或多環，且係包含至少1個拉電子基團；B 0-B 7為選自由乙烯基、苯環、推電子基團、經取代或未經取代之具5至20個環原子之單環雜芳基以及經取代或未經取代之具5至20個環原子之多環雜芳基組成之群組之一者；E 0-E 3為具5至20個環原子之雜芳基，為單環或多環，其包含至少1個拉電子基團，且與SP 1定義不同；a、b、c、d為0或1，且a+b+c+d ≥ 2；以及m、n、o、p、q、r、s、t為0、1或2。
為了達到上述之另一目的，本發明係提供一種含有上述有機半導體混合物之有機光電元件，其係包含一基板；一電極模組，其係設置於基板之上，該電極模組包含一第一電極和一第二電極；以及一主動層，設置於該第一電極和該第二電極之間，該主動層之材料係包含至少一種如請求項1所述之混合物；其中該第一電極和該第二電極之至少一者為透明或半透明。
為使　貴審查委員對本發明之特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以實施例及配合說明，說明如後：
本發明之有機半導體混合物中包含一n型有機半導體化合物和一p型有機半導體化合物；其中該n型有機半導體化合物係以一中心單元SP 1連接至少2個非富勒烯單體，以形成一具有複數個非富勒烯單體之結構，可兼具非富勒烯的吸光效率，獲得較好的熱穩定性以及機械性質，也可避免如使用聚合物型受體時之相分離或和其他聚合物之相容性問題。
本發明之有機半導體混合物成分之製備可基於發明所屬技術領域中具有通常知識者已知且描述於文獻中的方法達成，將會進一步於實施例中說明。
如上述之有機半導體混合物中，該n型半導體化合物具有如式I之結構： 式I 其中SP 1為選自由乙烯基、苯環、推電子基團、經取代或未經取代之具5至20個環原子之單環雜芳基以及經取代或未經取代之具5至20個環原子之多環雜芳基組成之群組之一者； Ar 0-Ar 3係具5至35個環原子之經取代之多環稠環雜芳基；A 0-A 3為具5至20個環原子之雜芳基，為單環或多環，且係包含至少1個拉電子基團；B 0-B 7為選自由乙烯基、苯環、推電子基團、經取代或未經取代之具5至20個環原子之單環雜芳基以及經取代或未經取代之具5至20個環原子之多環雜芳基組成之群組之一者；E 0-E 3為具5至20個環原子之雜芳基，為單環或多環，其包含至少1個拉電子基團，且與SP 1定義不同；；a、b、c、d為0或1，且a+b+c+d ≥ 2；以及m、n、o、p、q、r、s、t為0、1或2。
本文中所用之術語「推電子基團」應理解為將電子傳遞給另一化合物、或同化合物之另一基團之原子基團。術語「拉電子基團」應理解為從另一化合物、或從同化合物之另一基團中接受電子之原子基團。該些定義可參照International Union of Pure and Applied Chemistry, Compendium of Chemical Technology, Gold Book, Version 3.0.1., page 477和480。另外，本發明中使用之拉電子基團，可為本領域之一般知識者熟知之基團，較佳為選自鹵素、羰基、 氰基、羧酸基、硝基、或酯基。
其中，該n型有機半導體化合物式I中之基團SP 1，較佳係選自以下群組之一者：
其中W 0及W 1為O、S、Se、或Te； z為選自0~5之整數； Ar 4為具5至20個環原子之芳基或雜芳基，其為單或多環，隨意地含有稠合環，且未經取代或經至少1個鹵素原子取代； R 0係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
式I化合物中之基團SP 1，更佳係選自以下群組之一者：
式I化合物中之基團Ar 0、Ar 1、Ar 2及Ar 3，較佳係選自以下群組之一者：
其中W 2及W 3係選自O、S、Se、或Te； U係選自N、C或Si； R 1及R 2係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、C3~C30之經酮基取代之烷基、C1-C30之經芳香環取代之烷基、和C1-C30之經雜芳香環取代之烷基組成之群組之一者。
式I化合物中之基團Ar 0、Ar 1、Ar 2及Ar 3，更佳係選自以下群組之一者：
式I化合物中之基團A 0、A 1、A 2及A 3，較佳係選自以下群組之一者：
其中R 3係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
式I化合物中之基團B 0-B 7，較佳係選自以下群組之一者：
其中W 4、及W 5係選自O、S、Se、或Te； z係選自0~5之整數； Ar 5為具5至20個環原子之芳基或雜芳基，其為單或多環，隨意地含有稠合環，且未經取代或經至少1個鹵素原子取代； R 4係選自係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
式I化合物中之基團B 0-B 7，更佳係選自以下群組之一者：
式I化合物中之基團E 0-E 3，較佳係下群組之一者：
R 5係選自係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
本文所述之有機半導體混合物中，該p型有機半導體化合物為包含至少一種受體單元和至少一種供體單元之共軛聚合物。較佳地，該p型有機半導體化合物具有如式II之結構： 式II 其中A-1, A-2係具5至35個環原子之經取代或未經取代之多環雜芳基，且為拉電子基團， W 6係選自O、S或Se， z係選自0~5之整數， 其中Ar 6、Ar 7為具5至20個環原子之芳基或雜芳基，其為單或多環，隨意地含有稠合環，且未經取代或經至少1個鹵素原子取代； R 6、R 7係選自係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者；以及 m+n=1, 0＜m≤1, 0≤n＜1。
式II化合物中之基團A-1，較佳係選自以下群組之一者：
其中W 7、W 8、及W 9係選自O、S、Se或Te；以及 R 8、R 9、R 10係各自獨立地選自由氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
式II化合物中之基團A-2，較佳係選自以下群組之一者：
其中W 10、W 11、及W 12係選自O、 S、 Se、 Te R 11、R 12、R 13係各自獨立地選自由氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
該p型有機半導體化合物較佳係選自以下重複單元群組之一者：
其中R 6– R 12係各自獨立地選自由氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者；以及 m + n = 1，且0 ＜ m ≤ 1，0 ≤ n ＜ 1。
以下實施例係說明本發明之有機半導體混合物成分之示例與合成方式： 合成中間物I-1:
100 mL 雙頸瓶放入100 ℃烘箱烘烤30分鐘，取氯仿(chloroform) 除氣30分鐘備用。取I-0 (1.00 g, 0.678 mmol)，IC-Br (2-[5(6)-Bromo-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene]malononitrile) (0.370 g, 1.354 mmol, 2 equiv.)，IC-2Cl  (2-(5,6-Dichloro-3-oxo-2,3-dihydro-1H-inden-1-ylidene)malononitrile) (0.356 g, 1.354 mmol, 2 equiv.)，與除氣後的 30 mL chloroform 置於100 mL雙頸瓶並通入氬氣。1 mL 吡啶 (pyridine) 加入雙頸瓶中，然後將雙頸瓶浸入60 ℃油鍋反應1小時。反應完畢產物沉澱在 100 mL MeOH中，過濾取固體。固體用丙酮 (acetone)和乙酸乙酯 (ethyl acetate) 洗，以管柱層析法純化，沖提液為甲苯 (Toluene)/庚烷 (Heptane) = 1/2 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮深藍色固體產物。產率：0.558 g, 41.7%。 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 9.17 (d, 2H), 8.85 (s, 1H), 8.79-8.80 (m, 1H), 7.95 (s, 1H), 7.85-7.88 (m, 1H), 7.78-7.80 (m, 1H), 4.75-4.77 (m, 4H), 3.21-3.24 (m, 4H), 2.10-2.11 (m, 2H), 1.88 (s, 4H), 1.57 (s, 4H), 0.83-1.26 (m, 126H). 合成中間物I-2:
100 mL 雙頸瓶放入100 ℃烘箱烘烤30分鐘，chloroform 除氣 30分鐘備用。取I-0 (0.402 g, 0.272 mmol)，IC-Br (0.148 g, 0.543 mmol, 2 equiv.)，IC-2F (0.125 g, 0.543 mmol, 2 equiv.)，與除氣後的 12 mL chloroform 置於100 mL雙頸瓶並通入氬氣。0.41 mL pyridine 加入雙頸瓶中，雙頸瓶浸入60 ℃油鍋反應1小時。反應完畢產物沉澱在 100 mL MeOH中，過濾取固體。固體用acetone和ethyl acetate洗，以管柱層析法純化，沖提液為Toluene/Heptane = 1/2 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮深藍色固體產物。產率：0.245 g, 39.1%。 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 9.13 (s, 2H), 8.80 (s, 1H), 8.51-8.54 (m, 1H), 7.87 (d, 1H), 7.79 (d, 1H), 7.68-7.71 (m, 1H), 4.77-4.78 (m, 4H), 3.19-3.21 (m, 4H), 2.15 (s, 2H), 1.87 (s, 4H), 0.82-1.60 (m, 130H)。 合成中間物I-4:
100 mL 雙頸瓶放入100 ℃烘箱烘烤30分鐘，chloroform 除氣 30分鐘備用。取 I-3 (1.042 g, 0.683 mmol)，IC-Br (0.372 g, 1.366 mmol, 2 equiv.)， IC-2Cl (0.360 g, 1.366 mmol, 2 equiv.)，與除氣後的 16 mL chloroform 置於100 mL雙頸瓶並通入氬氣。0.52 mL pyridine 加入反應瓶中，反應在室溫中進行0.5小時。反應完畢產物沉澱在 50 mL 甲醇 (MeOH) 中，過濾取固體。固體用acetone和ethyl acetate沖洗後，以管柱層析法純化，沖提液為Toluene/Heptane = 2/1 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到灰黑色固體產物。產率：0.231 g, 16.7%。 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 8.79 (s, 1H), 9.74 (s, 1H), 8.48-8.54 (m, 2H), 8.41-8.44 (m, 2H), 7.88 (s, 1H), 7.82-7.85 (m, 1H), 7.70-7.72 (m, 1H), 7.62-7.63 (m, 2H), 7.47-7.55 (m, 2H), 6.94 (s, 8H), 6.81 (s, 16H), 2.52 (t, 32H), 1.52-1.60 (m, 32H), 1.21-1.28 (m, 96H), 0.78-0.82 (m, 48H). 合成中間物I-6:
將250毫升三頸瓶、100毫升雙頸瓶及加料管置入100 ℃烘箱烘烤2小時，取出後於真空下冷卻降回室溫。秤取1-bromo-3,5-dihexylbenzene (10.41 g, 32.0 mmol) 加入250毫升三頸瓶，加入無水四氫呋喃 (Tetrahydrofuran，THF) (63 mL) 以磁石攪拌，將2.5M 正丁基鋰 (n-BuLi) (14.4 mL, 36.0 mmol) 加入加料管，將三頸瓶降溫至-30 ℃後，在-30 ℃下緩慢滴入。將反應溫度維持在-30 ℃到-40 ℃區間反應40分鐘。秤取 I-5 (2.123 g, 4.00 mmol) 加入100毫升雙頸瓶，加入dry THF (53 mL) 以磁石攪拌至完全溶解，並將三頸瓶降溫至-30 ℃後，將雙頸瓶內的試劑緩慢打入三頸瓶內，全數加完後，回溫至室溫反應一小時，然後升溫至60 ℃反應18小時。反應完成後，依序緩慢加入醇類及水中止反應至不再冒泡，將溶劑旋乾，以Ethyl acetate/H 2O進行萃取三次，蒐集有機層加入MgSO 4除水，並將溶劑旋乾。將萃取完後的粗產物加入THF (65 mL) 以磁石攪拌至完全溶解，打入四正丁基氯化銨 (Tetrabutylammonium fluoride，TBAF) 溶液 6.4 mL，反應30分鐘。反應完成後，依序緩慢加入醇類及水中止反應至不再冒泡，將溶劑旋乾，以Ethyl acetate/H 2O進行萃取三次，蒐集有機層加入MgSO 4除水，並將溶劑旋乾以管柱層析，沖提液為二氯甲烷 (Dichloromethane)/ 庚烷 (Heptane) = 1/4 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到黃色黏稠液體產物。產率：1.83 g, 35.8%。 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 7.11 (dd, 2H), 6.87 (s, 4H), 6.80 (s, 8H), 6.75 (s, 2H), 6.66 (dd, 2H), 6.08 (dd, 2H), 3.39 (s, 2H), 2.49 (t, 16H), 1.49-1.51 (m, 16H), 1.23-1.27 (m, 48H), 0.83-0.85 (m, 24H). 合成中間物I-7:
將250毫升雙頸瓶A，加入 Amberlyst 15 (6.216 g) 及磁石，加熱100 ℃並抽真空18小時備用，另取250毫升雙頸瓶B，置入100 ℃烘箱烘烤2小時，取出後於真空下冷卻降回室溫。將雙頸瓶A加入無水己烷 (31 mL)，以氬氣除氧30分鐘。秤取I-6 (1.554 g, 1.214 mmol) 加入250毫升雙頸瓶B，再加入無水己烷 (70 mL) 至完全溶解，以氬氣除氧30分鐘。在0 ℃下將雙頸瓶B之溶液打入雙頸瓶A，室溫反應3小時。反應完成後，將粗產物以抽氣過濾去除Amberlyst 15，並蒐集濾液，再將溶劑旋乾得油狀物。以管柱層析法純化，沖提液為Dichloromethane/ Heptane = 1/2 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到橘色固體產物。產率：1.35 g, 89.4%。 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 7.37 (s, 2H), 7.20 (d, 2H), 6.93 (d, 2H), 6.87 (s, 4H), 6.83-8.85 (m, 8H), 2.46 (t, 16H), 1.49-1.50 (m, 16H), 1.25-1.28 (m, 48H), 0.71-0.89 (m, 24H). 合成中間物I-8:
將250毫升三頸瓶及100毫升雙頸瓶置入100 ℃烘箱烘烤2小時，取出後於真空下冷卻降回室溫。秤取I-7 (1.341 g, 1.08 mmol) 加入250毫升三頸瓶，再加入二氯乙烷 (dichloroethane，DCE) (40 mL) 以磁石攪拌，並以氮氣除氧30分鐘。在另一100毫升雙頸瓶中加入無水二甲基甲醯胺(Dimethylformamide, DMF) (4.2 mL, 54.0 mmol, 50 equiv.)，在冰浴下緩慢加入POCl 3(0.6 mL, 6.48 mmol, 6 equiv.) 以磁石攪拌，攪拌30分鐘形成Vilsmeier-Haack試劑，顏色變換為透明-淡黃色。將Vilsmeier-Haack試劑打入三頸瓶中，升溫至60 ℃迴流，反應18小時。反應結束後降回室溫，緩慢加入水中止反應，以Dichloromethane/H 2O進行萃取三次，蒐集機層加入硫酸鎂除水，並將溶劑旋乾。以管柱層析法純化，沖提液為Dichloromethane/Heptane = 1/1。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮黃色固體產物。產率：1.32 g, 94.2%。
1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 9.81 (s, 2H), 7.59 (s, 2H), 7.54 (s, 2H), 6.92 (s, 4H), 6.81 (s, 8H), 2.48 (t, 16H), 1.49-1.52 (m, 16H), 1.25-1.28 (m, 48H), 0.83-0.85 (m, 24H)。 合成中間物I-9與化合物 11:
100 mL 雙頸瓶放入100 ℃烘箱烘烤30分鐘，chloroform 除氣 30分鐘備用。取I-8 (1.295 g, 0.996 mmol)，IC-Br (0.543 g, 1.992 mmol, 2 equiv.) ， IC-2Cl (0.523 g, 1.992 mmol, 2 equiv.)，與除氣後的 40 mL chloroform置於100 mL雙頸瓶並通入氬氣。1.3 mL pyridine 加入雙頸瓶中，然後將雙頸瓶浸入60 ℃油鍋反應1小時。反應完畢產物沉澱在 130 mL 甲醇中，過濾取固體。固體用acetone和ethyl acetate洗，以管柱層析法純化，沖提液為Toluene/Heptane = 2/3 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到暗紅色固體產物。產率：0.482 g, 26.9%。I-9 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 8.88 (s, 2H), 8.82 (s, 1H), 8.53-8.54 (m, 1H), 7.92 (s, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.75-7.71 (m, 3H), 7.68-7.69 (m, 2H), 6.94 (s, 4H), 6.82 (s, 8H), 2.51 (t, 16H), 1.50-1.54 (m, 16H), 1.26-1.30 (m, 48H), 0.82-0.84 (m, 24H)。
也可得到化合物 11 (暗紅色固體產物)，產率：0.285 g, 16.0%。化合物 11 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 8.88 (s, 2H), 8.77 (s, 2H), 7.92 (s, 2H), 7.70-7.73 (m, 4H), 6.94 (s, 4H), 6.82 (s, 8H), 2.49-2.55 (m, 16H), 1.50-1.55 (m, 16H), 1.22-1.32 (m, 48H), 0.82-0.85 (m, 24H)。 合成 化合物 1:
取 I-1 (0.198 g, 0.100 mmol, 2.5 equiv.)，I-10 (47.90 mg, 0.040 mmol)，三(二亞苄基丙酮)二鈀 (Pd 2dba 3) (1.47 mg, 0.0016 mmol, 0.04 equiv.)，與P(Tol) 3) (1.95 mg, 0.0064 mmol, 0.16 equiv.) 置於50 mL雙頸瓶。14.0 mL 除氣 toluene 加入雙頸瓶中，反應浸入115 ℃的油鍋反應18小時。反應完畢產物沉澱在28 mL MeOH 中，過濾取固體。以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 1/2。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮藍黑色固體產物。產率：0.141 g, 79.4%。 1H NMR (500 MHz, d 4-1,1,2,2-tetrachloroethane) δ 9.17-9.22 (m, 6H), 8.78-8.83 (m, 2H), 7.98-8.25 (m, 8H), 7.39-7.45 (m, 2H), 4.82 (s, 8H), 3.29 (s, 8H), 2.96-3.03 (m, 4H), 2.12-2.15 (m, 4H), 0.87-1.98 (m, 298H). 合成 化合物 2:
取 I-1 (0.198 g, 0.100 mmol, 2.5 equiv.)，I-11 (24.70 mg, 0.040 mmol)，Pd 2dba 3(1.47 mg, 0.0016 mmol, 0.04 equiv.)，與P(Tol) 3(1.95 mg, 0.0064 mmol, 0.16 equiv.) 置於50 mL雙頸瓶。14.0 mL 除氣 toluene 加入雙頸瓶中，反應浸入115 ℃的油鍋反應18小時。反應完畢產物沉澱在28 mL MeOH 中，過濾取固體。以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 1/1。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮藍黑色固體產物。產率：0.127 g, 77.9%。 1H NMR (500 MHz, d 4-1,1,2,2-tetrachloroethane) δ 9.12-9.20 (m, 4H), 9.00-9.03 (m, 2H), 8.82 (s, 2H), 7.95-8.01 (m, 6H), 7.47-7.51 (m, 2H), 4.79-4.84 (m, 8H), 4.20-4.23 (m, 2H), 3.26-3.29 (m, 8H), 2.15-2.18 (m, 5H),1.97 (s, 8H), 0.87-1.46 (m, 274H). 合成 化合物 3:
取 I-1 (0.198 g, 0.117 mmol, 3.5 equiv.)，I-12 (37.00 mg, 0.033 mmol)，Pd 2dba 3(1.230 mg, 0.0013 mmol, 0.04 equiv.)，與P(Tol) 3(1.627 mg, 0.0053 mmol, 0.16 equiv.) 置於50 mL雙頸瓶。16.0 mL 除氣 toluene 加入雙頸瓶中，反應浸入115 ℃的油鍋反應18小時。反應完畢產物沉澱在32 mL MeOH 中，過濾取固體。以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 3/2。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮藍黑色固體產物。產率：0.053 g, 26.7%。 1H NMR (500 MHz, d 4-1,1,2,2-tetrachloroethane) δ 9.20-9.23 (m, 6H), 8.78-8.82 (m, 6H), 7.99-8.04 (m, 9H), 7.69-7.78 (m, 6H), 7.27-7.41 (m, 6H), 4.82 (s, 12H), 2.16 (s, 6H), 1.95-1.98 (m, 12H), 0.87-1.47 (m, 402H). 合成 化合物 4:
取 I-2 (0.1944 g, 0.10 mmol, 2.5 equiv.)，2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene (16.4 mg, 0.04 mmol)，Pd 2dba 3(1.47 mg, 0.0016 mmol, 0.04 equiv.)，與P(Tol) 3(1.95 mg, 0.0064 mmol, 0.16 equiv.) 置於50 mL雙頸瓶。14.0 mL 除氣 toluene 加入雙頸瓶中，反應浸入115 ℃的油鍋反應18小時。反應完畢產物沉澱在28.0 mL MeOH中，過濾取固體。以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 2/1 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮藍黑色固體產物。產率：0.062 g, 40.7%。 1H NMR (500 MHz, d 4-1,1,2,2-tetrachloroethane) δ 9.22 (s, 4H), 9.08 (s, 2H), 8.57-8.60 (m, 2H), 7.99-8.08 (m, 4H), 7.71-7.74 (m, 2H), 7.66=7.67 (m, 2H), 4.81-4.85 (m, 8H), 3.30-3.32 (m, 8H), 2.15-2.17 (m, 4H), 1.95-2.00 (m, 8H), 0.88-1.63 (m, 268H). 合成 化合物 5:
取 I-4 (0.182 g, 0.09 mmol, 3.0 equiv.)，2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene (12.3 mg, 0.030 mmol)，Pd 2dba 3(1.10 mg, 0.0012 mmol, 0.04 equiv.)，與P(Tol) 3(1.46 mg, 0.0048 mmol, 0.16 equiv.) 置於50 mL雙頸瓶。12.8 mL 除氣 toluene 加入雙頸瓶中，反應浸入115 ℃的油鍋反應18小時。反應完畢產物沉澱在25.6 mL MeOH中，過濾取固體。以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 4/1 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到黑色固體產物。產率：0.085 g, 71.2%。 1H NMR (500 MHz, d 4-1,1,2,2-tetrachloroethane) δ 9.00 (s, 2H), 8.74 (s, 4H), 8.11 (s, 4H), 7.97-8.00 (m, 6H), 7.91-7.93 (m, 8H), 7.61 (s, 4H), 6.95 (s, 8H), 6.85 (s, 16H), 2.56 (t, 32H), 1.57-1.60 (m, 32H), 1.47 (s, 32H), 1.27-1.31 (m, 64H), 0.83-0.88 (m, 48H)。 合成 化合物 6:
取 I-9 (0.180 g, 0.10 mmol, 2.5 equiv.)，2,5-bis(trimethylstannyl)thiophene (16.4 mg, 0.04 mmol)，Pd 2dba 3(1.47 mg, 0.0016 mmol, 0.04 equiv.)，與P(Tol) 3(1.95 mg, 0.0064 mmol, 0.16 equiv.) 置於50 mL雙頸瓶。12.6 mL 除氣 toluene加入雙頸瓶中，反應浸入115 ℃的油鍋反應18小時。反應完畢產物沉澱在25.2 mL MeOH中，過濾取固體。以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 1/1 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到暗紅色固體產物。產率：0.090 g, 63.8%。 1H NMR (500 MHz, d 4-1,1,2,2-tetrachloroethane) δ 9.01 (s, 2H), 8.87 (s, 4H), 8.77 (s, 2H), 7.98-8.04 (m, 2H), 7.95 (s, 4H), 7.82-7.85 (m, 4H), 7.74 (s, 4H), 7.61 (s, 2H), 6.95 (s, 8H), 6.87 (s, 16H), 2.56 (t, 32H), 1.58-1.65 (m, 32H), 1.46 (s, 32H), 1.23-1.30 (m, 64H), 0.80-0.83 (m, 48H). 合成 化合物 7:
取 I-9 (0.180 g, 0.10 mmol, 2.5 equiv.)，2,5-bis(trimethylstannyl)thieno[3,2-b]thiophene (18.6 mg, 0.04 mmol)，Pd 2dba 3(1.47 mg, 0.0016 mmol, 0.04 equiv.)，與P(Tol) 3(1.95 mg, 0.0064 mmol, 0.16 equiv.) 置於50 mL雙頸瓶。12.6 mL 除氣 toluene加入雙頸瓶中，反應浸入115 ℃的油鍋反應18小時。反應完畢產物沉澱在25.2 mL MeOH中，過濾取固體。以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 1/1 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到暗紅色固體產物。產率：0.114 g, 79.7%。 1H NMR (500 MHz, d 4-1,1,2,2-tetrachloroethane) δ 9.01 (s, 2H), 8.87 (s, 4H), 8.77 (s, 2H), 7.94-8.00 (m, 4H), 7.82-7.85 (m, 4H), 7.73-7.78 (m, 8H), 6.95 (s, 8H), 6.84-6.87 (m, 16H), 2.56 (t, 32H), 1.56-1.62 (m, 32H), 1.31-1.37 (m, 96H), 0.84-0.99 (m, 48H). 合成化合物 8 :
100 mL 雙頸瓶放入100 ℃烘箱烘烤30分鐘，chloroform 除氣 30分鐘備用。取I-0 (0.300 g, 0.203 mmol)，IC-2Cl (0.267 g, 1.016 mmol, 5 equiv.)，與除氣後的 9.0 mL chloroform置於100 mL雙頸瓶並通入氬氣。0.3 mL pyridine加入雙頸瓶中，然後將雙頸瓶浸入60 ℃油鍋反應1小時。反應完畢產物沉澱在 30 mL MeOH中，過濾取固體。固體用acetone和ethyl acetate洗，以管柱層析法純化，沖提液為Chloroform/Heptane = 3/1 。收集產物，減壓旋濃去除有機溶劑，真空下乾燥16小時，得到亮深藍色固體產物。產率：0.392 g, 98.2%。 1H NMR (600 MHz, CDCl 3) δ 9.19 (s, 2H), 8.81 (s, 2H), 7.96 (s, 2H), 4.75-4.76 (m, 4H), 3.24 (t, 4H), 2.09-2.11 (m, 2H), 1.88 (s, 4H), 0.81-1.26 (m, 172H).
用於本發明之n型有機半導體化合物實施例如表一： 表一   本發明之n型有機半導體化合物實施例
化合物1
化合物2
化合物3
化合物4
化合物5
化合物6
化合物7
化合物8
化合物9
化合物10
化合物11
另外，用於本發明之p型有機半導體化合物實施例如表二： 表二   本發明之p型有機半導體化合物實施例
聚合物1
聚合物2
聚合物3
接著，請參考第1A圖，其為本發明之第1實施方式，該有機光電元件10係包含：一基板100，一電極模組110以及一主動層120，其中，該電極模組110設置於該基板100之上，該電極模組110包含一第一電極112和一第二電極114，該主動層120設置於該第一電極112及該第二電極114之間，且該第一電極112介於該基板100和該主動層120之間，該第二電極114位於該主動層120之上。
其中，本實施方式之該主動層120係包含本發明之有機半導體混合物，且該第一電極112和該第二電極114之至少一者為透明或半透明。
而當本發明之有機半導體混合物要進行加工操作時，係先需要加入一或多個具有電荷傳輸、半導體性、導電、光導、電洞阻擋及電子阻擋特性之一或多個的小分子化合物及/或聚合物，混合製備成第一組成物。
更進一步地，本發明之有機半導體混合物可與一或多個有機溶劑(較佳溶劑為脂肪族烴、氯化烴、芳香族烴、酮類、醚類及其混合物，如甲苯、鄰二甲苯、對二甲苯、1,3,5-三甲基苯或1,2,4-三甲基苯、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃)，混合並製備成第二組成物。
本發明之有機半導體混合物亦可用於如本文描述之裝置中的圖案化有機半導體化合物層。對於現代微電子應用，一般所欲為生產小結構或圖案以降低成本(更多裝置/單元面積)，及電力消耗。包括本發明之有機半導體混合物之薄層圖案化可例如由微影術、電子束蝕刻技術或雷射圖案化進行。
對於電子或光電裝置中用作為薄層，本發明之有機半導體混合物可由任何適當方法沉積。裝置之液態塗佈比真空沉積技術更好。而由本發明之有機半導體混合物可以使數個液態塗佈技術之使用變得可行。
較佳沉積技術包括，但非限制，浸塗、旋轉塗佈、噴墨印刷、噴嘴印刷、凸版印刷、網版印刷、凹版印刷、刮刀塗佈、輥印刷、反向輥印刷、平版印刷術印刷、乾式平版印刷術印刷、快乾印刷、網路印刷(web printing)、噴塗、簾塗佈、刷塗、狹縫式塗佈(slot-dye coating)或移印。
因此，本發明亦提供包含該有機半導體混合物或由其所組成之第一組成物或第二組成物之有機光電元件。該些有機光電元件係包含：一基板；一電極模組，其係設置於基板之上，該電極模組包含一第一電極和一第二電極；以及一主動層，設置於該第一電極和該第二電極之間，該主動層之材料係包含至少一種如本發明之有機化合物；其中該第一電極和該第二電極之至少一者為透明或半透明。
在本發明之第2實施方式中，請參見第1B圖，該有機光電元件10係包含：一基板100，一電極模組110以及一主動層120，其中，該電極模組110設置於該基板100之上，該電極模組110包含一第一電極112和一第二電極114，該主動層120設置於該第一電極112及該第二電極114之間，且該第二電極114介於該基板100和該主動層120之間，該第一電極112位於該主動層120之上。
上述之基板100，較佳為使用具有機械强度、熱强度且具有透明性的玻璃基板或透明性軟性基板，其中透明性軟性基板材質可為：聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯基丁醛、尼龍、聚醚醚酮、聚碸、聚醚碸、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚氟乙烯、四氟乙烯-乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚醯亞胺等。
上述之第一電極112，較佳為使用具有透明性的銦氧化物、錫氧化物等的金屬氧化物及其摻雜鹵素的衍生物(Fluorine-Doped Tin Oxide，FTO)、或是複合金屬氧化物的銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)等。
上述之第二電極114，為金屬氧化物、金屬(銀、鋁、金)、導電聚合物、碳基導體、金屬化合物、或由上述材料交替組成之導電薄膜。
較佳地，該有機光電元件10之該主動層120包含至少一種n型有機半導體化合物，且該n型有機半導體化合物為如本發明之有機半導體化合物，以及至少一種p型有機半導體化合物。
更佳地，該有機光電元件10之n型有機半導體化合物係如上列表一之化合物1至化合物11：
在本發明之第3實施方式中，參見第1C圖，其中該有機光電元件10之各元件順序係同於本發明之第1實施方式，並進一步包含：一第一載子傳遞層130，設置於該第一電極112和該主動層120之間；以及一第二載子傳遞層140，設置於該第二電極114和該主動層120之間。
在本發明之第4實施方式中，參見第1D圖，其中該有機光電元件10之各元件順序係同於本發明之第1實施方式，並進一步包含：一第一載子傳遞層130，設置於該第二電極114和該主動層120之間；以及一第二載子傳遞層140，設置於該第一電極112和該主動層120之間。
在本發明之第5實施方式中，參見第1E圖，其中該有機光電元件10之各元件之順序係同於本發明之第2實施方式，並進一步包含：一第一載子傳遞層130，設置於該第二電極114和該主動層120之間；以及一第二載子傳遞層140，設置於該第一電極112和該主動層120之間。
在本發明之第6實施方式中，參見第1F圖，其中該有機光電元件10之各元件之順序係同於本發明之第2實施方式，並進一步包含：一第一載子傳遞層130，設置於該第一電極112和該主動層120之間；以及一第二載子傳遞層140，設置於該第二電極114和該主動層120之間。
在前述之第3至第6實施方式中，該第一載子傳遞層可選自共軛聚合物電解質，例如PEDOT：PSS；或聚合物酸，例如聚丙烯酸酯；或共軛聚合物，例如聚三芳基胺（PTAA）；或絕緣聚合物，例如納菲薄膜、聚乙烯亞胺或聚苯乙烯磺酸鹽；或聚合物摻雜金屬氧化物，該些金屬氧化物係例如MoO x, NiO x, WO x, SnO x；或有機小分子化合物，例如N,N'-二苯基-N,N' -雙（1-萘基）（1,1'-聯苯）-4,4'-二胺（NPB）、N,N'-二苯基-N,N'-（3-甲基苯基）-1,1'-聯苯- 4,4'-二胺（TPD）；或上述一或多種材料的組合。
在前述之第3至第6實施方式中，該第二載子傳遞層可選自共軛聚合物電解質，例如聚乙烯亞胺；共軛聚合物，例如聚[3-(6-三甲基銨己基)噻吩]、聚(9,9) -雙(2-乙基己基-芴)-b-聚[3-(6-三甲基銨己基) 噻吩]或聚[(9,9-雙(3’-(N,N-二甲基氨基)丙基)-2, 7-芴)-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)]、有機小分子化合物，例如三(8-喹啉基)-鋁(III)(Alq 3)、4,7-二苯基- 1,10-菲咯啉；金屬氧化物，例如ZnOx，摻鋁的ZnO（AZO）、TiOx或其奈米顆粒；鹽，例如LiF、 NaF、CsF、CsCO 3；胺，例如伯胺、仲胺或叔胺。
為說明本發明之有機半導體化合物應用於有機光電元件後帶來之功效改良，將製備包含本發明之有機半導體化合物之有機光電元件進行性質測試和功效表現，該些測試結果如下： 光譜熱穩定性量測
使用Hitachi UH5700紫外光/可見光/近紅外光光譜儀偵測樣品之吸收光譜。其中，樣品溶液的製備方式為化合物 1:D1、化合物 2:D1、化合物 3:D1、化合物 8:D1 = 1.2:1，總濃度為11 mg/mL在含有0.5% 1-氯萘 (1-chloronaphthalene) 的氯仿 (chloroform)中進行製備。化合物 4:D1、化合物 9:D1 = 1.2:1 ，總濃度為11 mg/mL在氯仿 (chloroform)中進行製備，使用比例為化合物 5:D2、化合物 10:D2 = 1.2:1 ，總濃度為20 mg/mL在氯仿 (chloroform)中進行製備，使用比例為化合物 6:D3、化合物 7:D3、化合物 11:D3 = 1.2:1，總濃度為20 mg/mL在鄰二甲苯( o-xylene)中進行製備。
上述樣品配置完成後，以玻璃當作基材，用旋轉塗佈之方式塗佈於玻璃上形成約100 nm的薄膜，於100℃烤乾1分鐘，隨後進行固態薄膜之吸收光譜量測。
在旁邊備置加熱板，升溫至40℃ ，薄膜在40℃下烤5分鐘，薄膜拿起降溫後再測量吸收光譜，然後再升溫到下個溫度(60 ℃)，再烤五分鐘，薄膜拿起降溫後再測量光譜，一直重複步驟到光譜開始發生重大變化的溫度 (或是最高溫220℃)。然後比較各個混合物薄膜的光譜改變量。 [有機光電元件的製備及測試]
使用具有薄層電阻、以預圖案化的銦錫氧化物 (indium tin oxide，ITO)塗覆之玻璃作為基板。依序在中性清潔劑、去離子水、丙酮及異丙醇中超音波震盪處理，在每個步驟中清洗15分鐘。用UV-ozone清潔器進一步處理洗滌過之基材15分鐘。將ZnO旋轉塗佈在ITO基板上，然後在空氣中在150℃下烘烤20分鐘。在所選的溶劑中製備主動層溶液（P型材料：N型材料重量比為1:1.2) (總固含量及使用溶劑如下表)。為了完全溶解聚合物，主動層溶液應在加熱板上在100℃下攪拌至少3小時。隨後將溶液置於室溫冷卻後進行塗佈。之後混合膜在所選溫度下退火5分鐘 (如下表) ，然後傳送至蒸鍍機中。在3x10 -6Torr之真空度下，沉積三氧化鉬之薄層（8 nm）作為載子傳輸層以及銀薄層（100 nm）作為外電極。使用太陽光模擬器（具有AM1.5G濾光器之氙燈，100 mW cm -2）在空氣中及室溫下以1000 W/m 2的AM1.5G光強度下量測有機光電元件J-V特性。此處用於校正光強度之校正電池乃採用具有KG5濾波片的標準矽二極體，並於使用前先經過第三方校正。此實驗使用Keithley 2400 source meter 儀器紀錄J-V特性。電池面積為4 mm 2, 並由金屬遮罩對準有機光電元件進行面積定義。上述之有機光電元件的結構為glass/ITO/ZnO/ATL/MoO 3/Ag。其中，有機光電元件的主動層配方及退火溫度如表一。 表一   有機光電元件實施例的主動層配方及退火溫度
N 型材料 P型材料 總固含量 使用溶劑 退火溫度 (℃)
化合物 1 D1 11 mg/mL 氯仿 (chloroform) + 0.5% 1-氯萘 (1-chloronaphthalene) 120
化合物 2
化合物 3
化合物 8
化合物 4 氯仿 (chloroform) 100
化合物 9
化合物 5 D2 20 mg/mL 氯仿 (chloroform) 80
化合物 10
化合物 6 D3 20 mg/mL 鄰二甲苯 ( o-xylene) 80
化合物 7
化合物 11
[有機光電元件熱穩定性的量測]
有機光電元件的製備及測試
使用具有薄層電阻、以預圖案化的銦錫氧化物 (indium tin oxide，ITO)塗覆之玻璃作為基板。依序在中性清潔劑、去離子水、丙酮及異丙醇中超音波震盪處理，在每個步驟中清洗15分鐘。用UV-ozone清潔器進一步處理洗滌過之基材15分鐘。將ZnO旋轉塗佈在ITO基板上，然後在空氣中在150℃下烘烤20分鐘。在所選的溶劑中製備主動層溶液（P型材料：N型材料重量比為1:1.2) (總固含量及使用溶劑如下表)。為了完全溶解聚合物，主動層溶液應在加熱板上在100℃下攪拌至少3小時。隨後將溶液置於室溫冷卻後進行塗佈。之後混合膜退火5分鐘 ，然後在蒸鍍前對試片做鍛烤 (退火及鍛烤溫度如下表) ，完成鍛烤後傳送至蒸鍍機中。在3x10 -6Torr之真空度下，沉積三氧化鉬之薄層（8 nm）作為載子傳輸層以及銀薄層（100 nm）作為外電極。使用太陽光模擬器（具有AM1.5G濾光器之氙燈，100 mW cm -2）在空氣中及室溫下以1000 W/m 2的AM1.5G光強度下量測有機光電元件J-V特性。此處用於校正光強度之校正電池乃採用具有KG5濾波片的標準矽二極體，並於使用前先經過第三方校正。此實驗使用Keithley 2400 source meter 儀器紀錄J-V特性。電池面積為4 mm 2 ，並由金屬遮罩對準有機光電元件進行面積定義。上述之有機光電元件的結構為：glass/ITO/ZnO/ATL/MoO 3/Ag。其中，有機光電元件的主動層配方，退火溫度，及鍛烤溫度如表二。 表二   有機光電元件實施例的主動層配方，退火溫度，及鍛烤溫度
N 型材料 P型材料 總固含量 使用溶劑 退火溫度 (℃) 鍛烤溫度 (℃)
化合物 1 D1 11 mg/mL 氯仿 (chloroform) + 0.5% 1-氯萘 (1-chloronaphthalene) 120 180
化合物 2
化合物 3
化合物 8
化合物 4 氯仿 (chloroform) 100 140
化合物 9
化合物 5 D2 20 mg/mL 氯仿 (chloroform) 80 160
化合物 10
化合物 6 D3 20 mg/mL 鄰二甲苯 ( o-xylene) 80 120 160
化合物 7
化合物 11
使用不同鍛烤溫度處理主動層薄膜來探討材料穩定度: 從室溫開始，一直測量到200℃。
實驗結果顯示，化合物 1/D1與化合物2/D1的光譜不會隨著溫度增加而有圖形上的改變（見第2A圖與第2B圖），表示具有較好的混合物薄膜熱穩定性；化合物 3/D1雖然光譜在130度也會產生一些改變，但在140℃後維持相同圖形，並無連續性的改變（見第2C圖）。
比較例結果中，化合物 8/D1在120℃後就一直持續有小幅度的光譜改變，一直連續到200℃（見第2D圖），顯示化合物 8/D1的混合物薄膜在加熱過程中一直不斷產生改變，也顯示比較例化合物 8/D1的薄膜熱穩定性較化合物 1/D1、化合物 2/D1、與 化合物 3/D1差。製備時之退火溫度為120℃ 5 分鐘，鍛烤溫度為180℃ 30分鐘。 表三   有機光電元件實施例之效能測試和膜面狀況
N 型材料 P 型材料 退火 : 120 ℃ 5 min 鍛烤 : 180 ℃ 30 min V oc (V) J sc (mA/cm 2) FF (%) PCE (%) PCE avg (%) PCE/PCE 無鍛烤 膜面狀況
平滑表面 顆粒/霧面
化合物 8 D1 V X 0.91 21.08 60.88 11.65 11.32 - V
V V 0.87 4.76 30.58 1.28 1.03 9.1% V
化合物 1 V X 0.96 20.87 60.40 12.13 11.80 - V
V V 0.94 20.28 64.29 12.33 12.10 102.5% V
化合物 2 V X 0.96 18.08 58.71 10.15 9.97 - V
V V 0.95 16.76 63.21 10.03 9.86 98.9% V
化合物 3 V X 0.94 10.87 53.97 5.50 5.41 - V
V V 0.92 9.97 61.20 5.60 5.48 101.3% V
從有機光電元件結果得知，比較例化合物 8/D1 的混合物在一開始只有退火沒有鍛烤的時候初始效率可到達11.32%，但在有鍛烤的有機光電元件效率從11.32%下降到1.03%，顯示混合物薄膜在作為有機光電元件之主動層時經過加熱會產生相的變化而造成有機光電元件效率的下降；反觀實施例化合物 1/D1、化合物 2/D1、與 化合物 3/D1，在鍛烤180℃ 30分鐘後，不管有機光電元件初始效率為何，都可以維持在有機光電元件的初始效率 95%以上，顯示實施例化合物 1/D1、化合物 2/D1、與化合物 3/D1的混合物相較於比較例化合物 8/D1 的混合物具有更好的熱穩定性。
另外，使用不同鍛烤溫度處理主動層薄膜來探討材料穩定度: 從室溫開始，一直測量到160℃。其實驗結果顯示在比較例（化合物 9/D1）在加熱140℃ 5分鐘後就有明顯的圖譜變化（見第3A圖），而化合物 4/D1的光譜在加熱160℃ 5分鐘後才開始有圖形上的小幅度的改變（見第3B圖），顯示化合物 9/D1的薄膜熱穩定性較化合物 4/D1差，其結果如表四所示。 表四   有機光電元件實施例之效能測試和膜面狀況
N型材料 P型材料 退火: 100℃ 5 min 鍛烤: 140℃ 30 min V oc(V) Jsc (mA/cm 2) FF (%) PCE (%) PCE avg.(%) PCE/PCE 無鍛烤 膜面狀況
平滑表面 顆粒/霧面
化合物 9 D1 V X 0.89 20.65 66.27 12.20 12.07 - V
V V 0.89 8.94 50.11 3.98 3.58 30% V
化合物 4 V X 0.96 18.43 53.53 9.53 9.33 - V
V V 0.95 18.62 53.32 9.45 9.13 98% V
從鍛烤140℃ 30分鐘後所製成的有機光電元件外觀來看，實施例化合物 4/D1的混合物薄膜在鍛烤後的膜面外觀光滑完整；反觀比較例 化合物 9/D1的混合物薄膜作為主動層薄膜，在鍛烤後膜面為不光滑霧面，電極也反白，顯示膜面的狀態已經與未鍛烤不同。
從有機光電元件結果得知，比較例化合物 9/D1 在一開始只有退火沒有鍛烤的時候初始效率可到達12.07%，但在有鍛烤的有機光電元件效率從12.07%下降到3.58%，顯示混合物薄膜在作為有機光電元件主動層時經過加熱會產生相的變化而造成有機光電元件效率的下降；反觀實施例化合物 4/D1在只退火未鍛烤時初始效率為9.33%，而在鍛烤140℃ 30分鐘後，可以維持在有機光電元件的初始效率 98%，顯示化合物 4/D1的混合物相較於比較例化合物 9/D1的混合物具有更好的熱穩定性。
實驗結果中，作為比較例之化合物 10/D2在加熱100℃ 5分鐘後就有明顯且連續的圖譜變化（見第4A圖），而化合物 5/D2的光譜在加熱到160℃ 5分鐘後都沒有明顯光譜圖形的變化（見第4B圖），顯示比較例的薄膜熱穩定性較化合物 5/D2差，其結果如表五所示。 表五   有機光電元件實施例之效能測試和膜面狀況
N型材料 P型材料 退火: 80℃ 5 min 鍛烤: 160℃ 30 min V oc(V) J sc(mA/cm 2) FF (%) PCE (%) PCE avg.(%) PCE/PCE 無鍛烤 膜面狀況
平滑表面 顆粒/霧面
化合物 10 D2 V X 0.64 23.17 58.03 8.68 8.58 - V
V V 0.65 18.56 63.85 7.68 7.33 85% V
化合物 5 V X 0.70 16.38 48.52 5.53 5.49 - V
V V 0.70 18.02 53.67 6.78 6.68 122% V
從有機光電元件結果得知，比較例化合物10/D2在一開始只有退火沒有鍛烤的時候初始效率可到達8.58%，但在有鍛烤的有機光電元件效率從8.58%下降到7.33%，顯示混合物薄膜在作為有機光電元件主動層時經過加熱會產生相的變化而造成元件效率的下降；反觀實施例化合物5/D2在只退火未鍛烤時初始效率為5.49%，而在鍛烤160℃ 30分鐘後，元件效率反而增加至初始效率的122%，顯示實施例化合物5/D2的混合物比比較例化合物10/D2的混合物不只具有更好的熱穩定性，實施例化合物5/D2的混合物在製成有機光電元件時也更適合高溫製程。
使用不同鍛烤溫度處理主動層薄膜來探討材料穩定度:從室溫開始，一直測量到160℃。實驗結果顯示，作為比較例之化合物11/D3在100℃後就一直有明顯且連續的變化，一直連續到160℃（見第5A圖），而作為實施例之化合物6/D3與化合物7/D3的光譜不會隨著溫度增加而有圖形上的改變（見第5B、5C圖），表示具有較好的混合物薄膜熱穩定性。顯示化合物11/D3的混合物薄膜在加熱過程中一直不斷產生改變，也顯示化合物11/D3的薄膜熱穩定性較實施例化合物6/D3、與化合物7/D3差，其結果如表六所示。 表六   有機光電元件實施例之效能測試和膜面狀況
N 型材料 P 型材料 退火 : 80 ℃ 5 min 鍛烤 : 120 ℃ 30 min 鍛烤 : 160 ℃ 30 min V oc (V) J sc (mA/cm 2) FF (%) PCE (%) PCE avg. (%) PCE/PCE 無鍛烤 膜面狀況
平滑表面 顆粒/霧面
化合物 11 D3 V X X 0.90 16.11 69.08 9.98 9.86 - V
V V X 0.89 12.27 60.27 6.60 6.53 66% V
V X V 0.88 9.17 50.35 4.08 4.04 41% V
化合物 6 V X X 0.96 14.00 62.22 8.33 8.23 - V
V V X 0.94 13.80 65.00 8.48 8.33 101% V
V X V 0.95 9..28 50.61 4.48 4.39 53% V
化合物 7 V X X 0.96 14.31 64.69 8.80 8.68 - V
V V X 0.95 15.13 65.84 9.48 9.28 107% V
V X V 0.94 14.62 67.59 9.28 9.05 104% V
從元件結果得知，比較例化合物11/D3在一開始只有退火沒有鍛烤的時候初始效率可到達9.86%，但以120℃鍛烤30分鐘後的元件效率下降至6.53%，而以160℃鍛烤30分鐘後的比較例化合物11/D3元件效率下降至4.04%，顯示混合物薄膜在作為元件主動層時經過加熱會產生相的變化而造成元件效率的下降，並且鍛烤溫度越高下降越多；反觀實施例化合物6/D3在只退火未鍛烤時初始效率為8.23%，而在以120℃鍛烤30分鐘後，元件效率無明顯降低，可以維持在初始效率的101%；但實施例化合物6/D3在以160℃鍛烤30分鐘後元件效率開始下降至無鍛烤的元件的53%。與比較例化合物11/D3相比，實施例化合物6/D3還是具有更好的熱穩定性。
實施例化合物7/D3在只退火未鍛烤時初始效率為8.68%，而不管以120℃鍛烤30分鐘或以160℃鍛烤30分鐘後，元件效率無降低，甚至增加至初始效率的107%，顯示實施例化合物7/D3的混合物比比較例化合物11/D3的混合物不只具有更好的熱穩定性，實施例化合物7/D3的混合物在製程元件時也更適合高溫製程。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
由以上結果可知，包含本發明之有機半導體混合物之有機光電元件，較包含比較例之化合物者具有更佳之熱穩定性，適合高溫製程，故本發明實為一具有新穎性、進步性及可供產業上利用者，應符合我國專利法專利申請要件無疑，爰依法提出發明專利申請，祈　鈞局早日賜准專利，至感為禱。
10:有機光電元件 100:基板 110:電極模組 112:第一電極 114:第二電極 120:主動層 130:第一載子傳遞層 140:第二載子傳遞層
第1A-1F圖：其為本發明之有機光電元件之結構示意圖； 第2A-2D圖：其為本發明之有機光電元件之實驗結果圖表； 第3A-3B圖：其為本發明之有機光電元件之實驗結果圖表； 第4A-4B圖：其為本發明之有機光電元件之實驗結果圖表；以及 第5A-5C圖：其為本發明之有機光電元件之實驗結果圖表。
10:有機光電元件
100:基板
110:電極模組
112:第一電極
114:第二電極
120:主動層

Claims (15)

  1. 一種有機半導體混合物，其包含一n型有機半導體化合物和一p型有機半導體化合物； 其中，該p型有機半導體化合物為包含至少一種受體單元和至少一種供體單元之共軛聚合物，且該n型半導體化合物具有如式I之結構： 式I 其中SP 1為選自由乙烯基、苯環、推電子基團、經取代或未經取代之具5至20個環原子之單環雜芳基以及經取代或未經取代之具5至20個環原子之多環雜芳基組成之群組之一者； Ar 0-Ar 3係具5至35個環原子之經取代之多環稠環雜芳基； A 0-A 3為具5至20個環原子之雜芳基，為單環或多環，且係包含至少1個拉電子基團； B 0-B 7為選自由乙烯基、苯環、推電子基團、經取代或未經取代之具5至20個環原子之單環雜芳基以及經取代或未經取代之具5至20個環原子之多環雜芳基組成之群組之一者； E 0-E 3為具5至20個環原子之雜芳基，為單環或多環，且係包含至少1個拉電子基團，且與SP 1定義不同； a、b、c、d為0或1，且a+b+c+d ≥ 2；以及 m、n、o、p、q、r、s、t為0、1或2。
  2. 如第1項所述之有機半導體混合物，其中該n型有機半導體化合物之SP 1係選自以下群組之一者：
    其中W 0及W 1為O、S、Se、或Te； z為選自0~5之整數； Ar 4為具5至20個環原子之芳基或雜芳基，其為單環、多環或稠合環結構，且未經取代或經至少1個鹵素原子取代； R 0係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
  3. 如第1項所述之有機半導體混合物，其中該n型有機半導體化合物之Ar 0、Ar 1、Ar 2及Ar 3係選自以下群組之一者：
    其中W 2及W 3係選自O、S、Se、或Te； U係選自N、C或Si； R 1及R 2係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、C3~C30之經酮基取代之烷基、C1-C30之經芳香環取代之烷基、和C1-C30之經雜芳香環取代之烷基組成之群組之一者。
  4. 如第1項所述之有機半導體混合物，其中該n型有機半導體化合物之A 0、A 1、A 2及A 3係選自以下群組之一者：
    其中R 3係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
  5. 如第1項所述之有機半導體混合物，其中該n型有機半導體化合物之B 0-B 7係選自以下群組之一者；
    其中W 4、及W 5係選自O、S、Se、或Te； z係選自0~5之整數； Ar 5為具5至20個環原子之芳基或雜芳基，其為單環、多環或稠合環結構，且未經取代或經至少1個鹵素原子取代； R 4係選自係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
  6. 如第1項所述之有機半導體混合物，其中該n型有機半導體化合物之E 0-E 3係選自以下群組之一者：
    R 5係選自係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
  7. 如第1項所述之有機半導體混合物，其中該p型有機半導體化合物具有如式II之結構： 式II 其中A-1, A-2係具5至35個環原子之經取代或未經取代之多環雜芳基，且為拉電子基團， W 6係選自O、S或Se， z係選自0~5之整數， 其中Ar 6、Ar 7為具5至20個環原子之芳基或雜芳基，其為單環、多環或稠合環結構，且未經取代或經至少1個鹵素原子取代； R 6、R 7係選自係選自氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者；以及 m+n=1, 0＜m≤1, 0≤n＜1。
  8. 如第7項所述之有機半導體混合物，其中該p型有機半導體化合物之基團A-1係選自以下群組之一者：
    其中W 7、W 8、及W 9係選自O、S、Se或Te；以及 R 8、R 9、R 10係各自獨立地選自由氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
  9. 如第7項所述之有機半導體混合物，其中該p型有機半導體化合物之基團A-2係選自以下群組之一者：
    其中W 10、W 11、及W 12係選自O, S, Se, Te R 11、R 12、R 13係各自獨立地選自由氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者。
  10. 如第1項所述之有機半導體混合物，其中該p型有機半導體化合物係選自以下群組之一者：
    其中R 6– R 12係各自獨立地選自由氫原子、鹵素、氰基、C1~C30之直鏈烷基、C3~C30之支鏈烷基、C1~C30之矽烷基、C2~C30之酯基、C1~C30之烷氧基、C1~C30之烷硫基、C1~C30之鹵代烷基、C2~C30之烯基、C2~C30之炔基、C2~C30之經氰基取代之烷基、C1~C30之經硝基取代之烷基、C1~C30之經羥基取代之烷基、和C3~C30之經酮基取代之烷基組成之群組之一者；以及 m + n = 1，且0 ＜ m ≤ 1，0 ≤ n ＜ 1。
  11. 一種有機光電元件，其係包含： 一基板； 一電極模組，其係設置於基板之上，該電極模組包含一第一電極和一第二電極；以及 一主動層，設置於該第一電極和該第二電極之間，該主動層之材料係包含至少一種如請求項1所述之有機半導體混合物； 其中該第一電極和該第二電極之至少一者為透明或半透明。
  12. 如請求項11所述之有機光電元件，其中該第一電極、該主動層以及該第二電極係由下而上依序設置於該基板上。
  13. 如請求項11所述之有機光電元件，其中該第二電極、該主動層以及該第一電極係由下而上依序設置於該基板上。
  14. 如請求項11所述之有機光電元件，其係進一步包含： 一第一載子傳遞層，設置於該第一電極和該主動層之間；以及 一第二載子傳遞層，設置於該第二電極和該主動層之間。
  15. 如請求項11所述之有機光電元件，其係進一步包含： 一第一載子傳遞層，設置於該第二電極和該主動層之間；以及 一第二載子傳遞層，設置於該第一電極和該主動層之間。
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