TW202337673A - 製造封裝膜之方法 - Google Patents

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柳在說
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Abstract

本案係關於製造封裝膜之方法，以及使用彼製造有機電子裝置之方法，其提供製造可形成能阻擋水分或氧從外部流入有機電子裝置的結構、以及可確保有機電子裝置之長期可靠度的封裝膜之方法。

Description

製造封裝膜之方法
本案係關於製造封裝膜之方法。
有機電子裝置(OED)意指包含使用電洞及電子產生電荷之交流電流的有機材料層之裝置，及其實例可包括光伏打裝置、整流器、發射器及有機發光二極體(OLED)等。
在上述有機電子裝置當中之有機發光二極體(OLED)比起現有光源具有較低功率消耗及較快反應速度，以及有利於使顯示裝置或照明設備薄型化。此外，OLED具有空間利用率，因而預期可應用於涵蓋各種可攜裝置、監視器、筆記型電腦及電視之各種不同領域。
在OLED之商業化及應用擴展中，最重要的問題為耐用性問題。OLED中所包括之有機材料及金屬電極等非常容易因外部因素諸如水分而氧化。因此，需要具有最大化水分障壁性質之封裝膜。
[技術問題]
本案提供製造可形成能阻擋水分或氧從外部流入有機電子裝置的結構、以及可確保有機電子裝置之長期可靠度的封裝膜之方法。
本案之技術問題不限於上述技術問題，熟習本領域之人士由以下說明將清楚暸解未提及的其他技術問題。 [技術方案]
本發明可經歷各種修改以及可具有各種實例，其中具體實例將於圖式中說明以及詳細描述。然而，此無意將本發明限制於具體實施態樣，應暸解其包括本發明精神及範圍中所包括之全部修改、等效物、及替代物。
當指稱元件諸如層、區或基板係存在於另一組件「上」時，可理解其可直接存在於另一元件上，或者其間亦可存在中間元件。
本案中所使用之術語僅用以描述具體實例，其無意限制本發明。除非另外明白指示，否則單數詞語包括複數詞語。於本案中，應暸解術語諸如「包含」或「具有」意在指定存在說明書中所述之特徵、數目、步驟、操作、組件、部件、或其組合，但其不排除一或多個其他特徵、或事先存在或添加數目、步驟、操作、組件、部件或其組合的可能性。
除非另外界定，否則本文中所使用之所有術語(包括技術或科學術語)具有與本發明相關領域具有通常知識者之人士一般暸解的相同意思。術語(諸如常用字典中所界定者)應解釋為具有與相關技術之上下文中的意思一致之意思，除非本案中明確定義，否則其不應解釋為理想或過於正式的意思。
本案係關於製造封裝膜之方法。封裝膜可施加以密封或封裝例如有機電子裝置，諸如OLED。
於本說明書中，術語「有機電子裝置」意指具有包含使用彼此相對的電極對之間的電洞及電子產生電荷的交流電流之有機材料層的結構之物件或裝置，及其實例可包括但不限於光伏打裝置、整流器、發射器及有機發光二極體(OLED)等。於本案之一實例中，有機電子裝置可為OLED。
於本案之一實施態樣中，封裝膜之製造方法可包含藉由單一步驟混合封裝樹脂及水分吸附劑來製備無溶劑型封裝組成物之步驟。
此處，無溶劑型意指實質上不包括溶劑或溶劑係以0.1 wt%或更少、或0.01 wt%或更少之量包括於總封裝組成物中。即，封裝組成物包含99 wt%或更多、或100 wt%之固體含量，其中，本案提供能僅以具有99 wt%或更多、或100 wt%之固體含量之原料而無分別的溶劑來形成膜之封裝膜。
此外，以單一步驟混合封裝樹脂及水分吸附劑意指封裝樹脂及水分吸附劑係同時引入其中，或在任一者引入之後立刻、於至少5分鐘或3分鐘內、或於100秒內將另一者持續引入其中，以及調配之。即，其不同於使用溶劑等溶解水分吸附劑以製備分別的混合物，以及分開混合其中溶解有水分吸附劑之混合物與樹脂或其中溶解有樹脂之溶液以製備密封材料組成物的方法。
OLED之封裝膜的關鍵挑戰之一係藉由最大化水分障壁性質來確保長期可靠度。為了確保水分障壁性質，封裝膜必須包含能移除穿透封裝膜之水分或濕度的水分吸附劑。為了最大化水分障壁性質，尤其是，水分吸附劑必須充分分散於組成物中。此處，分散意指粒子未經歷聚集，諸如形成團塊，以及係均勻散布之狀態，其中，若分散良好，則粒子可呈一一分開之狀態。
以往，為了製備封裝組成物，藉由將封裝樹脂溶解於溶劑中來製備溶劑型樹脂溶液，以及將其中使用分散劑將水分吸附劑分散於溶劑中之混合物引入樹脂溶液，由此採用其中調配樹脂及水分吸附劑之形成塗布液體的方法，因此需要二或更多個步驟以形成塗布液體。即，為了提高水分吸附劑之分散性，必須使用分別的分散劑諸如有機酸，但因塗布液體之高黏度特性，即使使用分別的分散劑時，水分吸附劑之分散性改善亦有限制。此外，當使用溶劑形成混合物時，即使之後進行溶劑乾燥程序，溶劑仍留在膜內部，從而存在因一些未揮發之溶劑造成有機電子元件損壞的問題。因此，因封裝層係於使用藉由以單一步驟混合封裝樹脂及水分吸附劑的無溶劑型封裝組成物時透過下述擠出製造，本案可提供能有效確保長期可靠度同時使水分吸附劑之分散性最大化的有機電子元件。
於一實例中，製備封裝組成物之步驟可在高溫條件下進行，以及作為一實例，其可於50℃或更高之溫度以及5巴或更高之壓力進行。溫度可高於樹脂之熔點，以及作為一實例，其可為60℃或更高、70℃或更高、80℃或更高、90℃或更高、100℃或更高、110℃或更高、120℃或更高、125℃或更高、130℃或更高、135℃或更高、140℃或更高、145℃或更高、或150℃或更高，其中，溫度之上限可適當地調整至引入封裝組成物的組分不會熱分解之溫度，但作為一實例，其可為200℃或更低、或180℃或更低。此外，壓力可為7巴或更高、10巴或更高、13巴或更高、15巴或更高、17巴或更高、或20巴或更高，以及壓力之上限可根據目的而適當地調整，但作為一實例，其可為30巴或更低。雖然不受此限制，但作為一實例，製備封裝組成物之步驟可為藉由將封裝組成物置入捏合機器諸如捏合機或Banbury混合機(Banbury)而捏合，以及50℃或更高之溫度及5巴或更高之壓力可為捏合機器內部之溫度或壓力。如上述，於本案中，由於封裝組成物之製備步驟係於特定溫度或更高溫度進行，封裝組成物中之組分係經熔融捏合，從而進一步改善水分吸附劑之分散性，以及組成物中的組分之間的相容性係優異的，從而亦可顯示用於擠出程序之可加工性為優異的。
於一實施態樣中，根據本案之封裝膜之製造方法可包含藉由將上述製備之封裝組成物轉移至擠出機，以及以90℃或更高之溫度混練及擠出該封裝組成物來製備封裝層的步驟。
於製備封裝層之步驟中的擠出溫度可意指擠出機之內部溫度、或模製溫度。此處，擠出機之內部溫度可意指於擠出機中藉由螺桿以排出部件方向移動時在其中摻合從捏合機器轉移至擠出機之封裝組成物的區段之溫度。此外，模製溫度係指安裝於擠出機之排出部件的模製部分之溫度，作為一實例，其可意指T型模之溫度。模製溫度可意指於藉由模製部件呈膜之形式射出且模製之區段中的溫度。
即，根據本發明之封裝組成物主要係於捏合機中捏合以使水分吸附劑均勻分散，轉移至擠出機，以及其次藉由安裝在擠出機內部之螺桿捏合，因此可進一步改善水分吸附劑之分散程度。
雖然不受此限制，但作為一實例，擠出機可為單螺桿擠出機或雙螺桿擠出機，但以具有優異的生產力及均勻性之雙螺桿擠出機為佳。此外，雙螺桿擠出機中之螺桿的類型或旋轉方向等可根據待引入之成分而適當地選擇。
於一實例中，藉由擠出來製造封裝層之溫度可為100℃或更高、110℃或更高、120℃或更高、125℃或更高、130℃或更高、135℃或更高、140℃或更高、145℃或更高、150℃或更高、155℃或更高、160℃或更高、165℃或更高、170℃或更高、175℃或更高、或180℃或更高，以及溫度之上限可適當地調整至引入封裝組成物的組分不會熱分解之溫度，但作為一實例，其可為200℃或更低、或180℃或更低。作為一實例，擠出機之內部溫度可為140℃或更高，以及模製溫度可為150℃或更高。此外，作為一實例，擠出機之內部溫度與模製溫度之間的差可在50℃或30℃內。於本案中，當擠出機之內部溫度滿足上述範圍時，水分吸附劑可均勻分散在封裝組成物中，以及當模製溫度控制在上述範圍時，可改善膜之性質。
此外，於一實例中，藉由擠出製備封裝層之步驟係在5巴或更高之高壓進行，以使得可將封裝組成物之黏度控制在下述範圍，因此可進一步改善水分吸附劑之分散性。雖然不受此限制，但作為一實例，擠出步驟中之壓力可為6巴或更高、7巴或更高、10巴或更高、11巴或更高、12巴或更高、13巴或更高、14巴或更高、15巴或更高、16巴或更高、17巴或更高、18巴或更高、或20巴或更高，以及壓力之上限可根據上述目的而適當地調整，但作為一實例，可為30巴或更低。
於一實例中，擠出機中之螺桿的旋轉速度可在100至400 rpm、150至350 rpm、170至320 rpm、200至300 rpm或230至270 rpm之範圍。於本案中，藉由使用根據擠出機之螺桿旋轉的強剪力，即使在無溶劑型中，水分吸附劑亦可均勻分散於封裝組成物中。
於一實施態樣中，根據本案之製造方法可進一步包含在擠出之封裝層上進行電子束或UV照射之固化步驟。電子束或UV照射可藉由已知方法進行。
於一實例中，根據製造方法所製造之封裝層為單層，但在封裝層中沿著厚度(深度)方向的水分吸附劑之分布的高斯曲線擬合中，水分吸附劑相對於厚度方向之位置分布(σ值)可為2或更低。
作為一實例，在水分吸附劑之厚度分布的高斯曲線擬合中，水分吸附劑相對於厚度方向之位置分布(σ值)可為1.9或更低、1.8或更低、1.7或更低、1.6或更低、1.5或更低、1.4或更低、1.3或更低、1.2或更低、1.1或更低、1或更低、0.9或更低、0.8或更低、0.7或更低、0.6或更低、0.5或更低、0.4或更低、0.3或更低、0.2或更低、0.15或更低、或0.1或更低，以及下限無明顯限制，但可為0.001或更高。
此處，高斯曲線擬合表示封裝層之厚度的函數，其係如以下方程式1顯示。 [方程式1]
於方程式1中，A及b為與水分吸附劑之絕對量相關的常數，x̅為水分吸附劑相對於厚度方向之平均位置，以及σ為水分吸附劑相對於厚度方向之位置分布。
當在水分吸附劑之厚度分布的高斯曲線擬合中之σ值滿足上述特定範圍時，水分吸附劑可以高含量包括於對應於厚度方向中之封裝膜的中央部分的區中，因此水分吸附性質優異，且同時亦可改善壓感黏著性質。
即，封裝層可包含其中水分吸附劑之濃度沿著厚度方向而不同的第一區、第二區、及第三區，以及封裝層為單層，其不由具有複數層之層合結構所構成，而是單層可視情況視水分吸附劑之濃度而分成數區。作為一實例，構成單層封裝層之第一區、第二區、及第三區具有不同水分吸附劑含量。此時，關於根據水分吸附劑之含量的區劃分，於個別區之界面的水分吸附劑之含量會持續地改變，因此個別區中之界面不一定要明確地區分。
於一實例中，第二區可以高於第一區及第三區之含量包含水分吸附劑。即，第二區可為具有比第一區及第二區更高水分吸附劑含量的區。於此情況下，若第一區及第二區之水分吸附劑含量低於第二區之水分吸附劑含量即足夠，其中，第一區及第二區之水分吸附劑含量可相同或不同。
圖1顯示根據水分吸附劑之含量分成數區之單層封裝層，以及參考圖1，第二區(22)(其為具有高水分吸附劑含量之區)可置入具有低水分吸附劑濃度的第一區(21)與第三區(23)之間。換言之，第一區(21)及第三區(23)(其為具有低水分吸附劑含量之區)分別形成封裝層(11)之最上部分或最下部分，其可位於上或下表面，以及直接接觸待與封裝層之頂部或底部接觸的其他組件。
即，根據本發明，包括於封裝層中之水分吸附劑可以呈粒子形式不均勻分布於封裝層中之狀態存在。此處，分布係與粒子填充空間的方式相關，其為與分散不同的概念。均勻分布狀態意指水分吸附劑在封裝層或封裝膜之任何部分中以相同或實質上相同密度存在的狀態，因此粒子係間隔儘可能地遠以均勻填充空間。
同時，當水分吸附劑係以過量呈均勻分布狀態包括於與有機電子元件接觸之封裝層中時，水分吸附劑亦以過量存在於形成最上部分及/或最下部分之封裝層的上及下表面上，以及於此情況下，封裝層之黏著性能極低，因此可能有有機電子元件之耐用性及可靠度變差的問題。
因此，以往係使用包含至少二或更多封裝層之多層結構作為封裝膜。即，OLED封裝材料必須包含具有水分障壁性質之層作為必要組件以確保優異的水分障壁性質，以及該具有水分障壁性質之層需要具有優異的與上方及/或下方組分之黏著性。審慎考慮分別製造具有具有水分障壁性質之層及具有黏著性質之層，然後將個別層彼此附著以使彼等整合為一的方法。然而，根據上述方法，必須製造複數個層以確保所需之功能，因此可能導致諸如價格提高、程序複雜度、及薄型化效率降低等問題。例如，當將具有多層結構之封裝膜施加於有機電子元件上時，其係經設計以使面向有機電子元件之第一封裝層不包含水分吸附劑，或即使存在時係以少量包含在內，以及位於面向有機電子元件之側的對側上之第二封裝層以大量包含水分吸附劑，從而由與有機電子元件接觸之第一封裝層確保黏著性質，以及由第二封裝層確保水分障壁性質。
然而，根據本案之封裝層在封裝層之厚度(深度)方向的中央部分以高濃度包含水分吸附劑，以及在封裝層之兩表面中以低濃度包含水分吸附劑，由此使水分吸附劑顯示特定分布狀態，以使本案包含單層封裝層，從而能提供具有優異的障壁性質且同時展現適當黏著水準而無分別的壓感性黏著劑層或黏著劑層。因此，本案可提供僅使用單層即能展現水分障壁性質及壓感黏著性質作為優異的性能之封裝膜。
此外，於一實例中，本案之封裝層亦可為單層，但不限於此，以及可具有包含至少二或更多封裝層之多層結構。於包含二或更多封裝層之情況下，封裝層可包含於封裝有機電子元件時面向元件之第一封裝層、以及位於面向元件之第一封裝層側的對側之第二封裝層。於一實施態樣中，封裝膜包含至少二或更多封裝層，其中，封裝層可包含於封裝時面向有機電子元件之第一封裝層以及不面向有機電子元件之第二封裝層。此外，當二或更多層構成封裝層時，封裝層之個別層的組成可相同或不同。於一實例中，封裝層可包含封裝樹脂及/或水分吸附劑，以及封裝層可為壓感性黏著劑層或黏著劑層。作為一實例，當封裝膜係施加於有機電子元件時，為面向有機電子元件之封裝層的第一封裝層不包含水分吸附劑，或即使存在時可以水分吸附劑之總重為基準計為5 wt%或更少之少量包含在內，以及下述大量水分吸附劑可包含於第二封裝層中。
於一實例中，封裝層之金屬壓感黏著力可為4,000 gf/in或更大、4,200 gf/in或更大、4,400 gf/in或更大、4,600 gf/in或更大、4,800 gf/in或更大、5,000 gf/in或更大、5,100 gf/in或更大、5,200 gf/in或更大、5,300 gf/in或更大、5,400 gf/in或更大、或5,5 gf/in或更大。即，由於根據本案之封裝膜係如上述沿著厚度方向具有不同水分吸附劑含量，第一區或第三區(其為具有低水分吸附劑含量之區)係位於封裝層之上或下表面，本案之封裝層可具有優異的金屬壓感黏著力。如下述，金屬壓感黏著力為對於可添加至封裝層上之金屬層的壓感黏著力，其中在將於85 ± 5℃及85 ± 10%之恆定溫度及濕度室中靜置30分鐘的封裝膜固定至拉伸機(TA，Texture Analyser)之後，可以張力模式、以25℃之溫度及5 mm/min之拉伸速度進行測量。
於一實例中，如此製備之封裝層可具有以下一般方程式1所測量之60%或更多之凝膠含量。 [一般方程式1] 凝膠含量(%) = A/B × 100
於以上一般方程式1中，B為封裝層樣本之質量，以及A顯示封裝層之未溶解內容物的乾質量，其中，在將樣本浸於60℃之甲苯中24小時，然後透過200目網過濾，未溶解內容物不通過該網。於本說明書中，單元網目可為ASTM標準單元。可藉由將封裝層樣本之質量B設為1g進行測量。凝膠含量可為例如63%或更多、65%或更多、67%或更多、70%或更多、72%或更多、75%或更多、或78%或更多，以及上限可為例如99%或更少、95%或更少、93%或更少、89%或更少、86%或更少、84%或更少、82%或更少、或80%或更少。本案可提供具有優異的固化物理性質以及藉由調整凝膠含量之水分障壁性質及應力吸收性質。
此外，根據本案之封裝層可具有1或更低之酸值。酸值可為例如0.9或更低、0.8或更低、或0.7或更低，以及下限無特別限制，但可為0.1或更高。與水分障壁性質以及係迄今為止一直是問題的有機電子元件中之暗點發生及亮點發生不同，有機電子元件中所產生之白點近來已成為面板瑕疵的主因。藉由確認白點產生之機制係因封裝組成物中存在的有機酸所導致，以及藉由凝膠含量以及封裝層本身之酸值來調整封裝層基質的交聯度，本案可有效抑制白點發生。於一實施態樣中，有機酸呈離子形式到達有機電子元件，於該處因可能部分形成於元件上之龜裂中的定限電壓移位而產生白點。此等技術問題可藉由調整封裝有機電子元件之頂表面的封裝層之酸值及凝膠含量而防止。
此外，根據本案之封裝層於見光區可具有優異的透光率。於一實例中，本案之封裝用組成物於固化後可展現根據JIS K7105標準為80%或更高之透光率。例如，封裝用組成物於可見光區可具有85%或更高、90%或更高、92%或更高、或93%或更高之透光率。本案之封裝層可展現具有優異的透光率之低霧度。於一實例中，封裝組成物於固化後可具有根據JIS K7105標準測量為5%或更低、4%或更低、3%或更低、或1%或更低之霧度。光學性質可為使用UV-Vis光譜儀於550 nm測量者。
此外，於一實例中，於使有機電子元件封裝層固化之後，根據ASTM D 1003標準使用色度測量儀所測量之黃度(ΔYI，黃度指數)值可為1或更低，以及其下限不大幅限制，但可為-2或更高。
於一實例中，當在100℃使用Purge & Trap取樣器(JAI JTD-505III)-GC/MSD系統(Agilent 7890B/5977A)測量儀於封裝層上進行吹掃捕集60分鐘，然後使用氣相層析術質譜法測量總釋氣量時，所測量之釋氣量可少於400 ppm，詳言之，可為300 ppm或更少、200 ppm或更少、100 ppm或更少、90 ppm或更少、80 ppm或更少、70 ppm或更少、50 ppm或更少、30 ppm或更少、20 ppm或更少、或10 ppm或更少。即，當根據本發明之封裝層包含下述組成物時，由封裝層產生之釋氣量微不足道，因此施加封裝層之有機電子元件可具有優異的可靠度。
於一實施態樣中，封裝層可具有30μm或更大至500μm或更小之厚度。本案之封裝層可具有30μm或更大、33μm或更大、35μm或更大、40μm或更大、43μm或更大、45μm或更大、47μm或更大、50μm或更大、52μm或更大、55μm或更大、57μm或更大、或60μm或更大之厚度，以及上限無特別限制，但可為500μm或更小、400μm或更小、300μm或更小、250μm或更小、或200μm或更小。本案可藉由比先前技術增加封裝層之厚度且同時實現所需水準之凝膠含量而使水分障壁性質最大化，以及當在嚴苛環境諸如高溫下發生面板翹曲時，亦可藉由吸收應力而提供具有高可靠度之有機電子裝置。以往，封裝層係藉由將其塗布至某一厚度或更大厚度然後以UV照射彼，但UV不穿透至膜之內部而形成，因而存在固化物理性質明顯降低的問題，以及溶劑留在膜內部，因而存在一些未揮發溶劑及未固化材料損壞有機電子元件的問題。特別是，本案之封裝組成物可藉由密封有機電子元件之頂表面而與有機電子元件之一側直接接觸，其中藉由使用具有下述組成而不包含分別的分散劑之無溶劑型作為封裝組成物，可進一步改善有機電子元件之可靠度，此外，藉由即使在某一厚度或更大厚度下展現經改良之固化比，可實現優異的經固化物理性質以及水分障壁性質及應力吸收。
於一實施態樣中，如圖2所示，根據本案所製造之封裝膜(1)可包含封裝層(11)及基底材料層(12)。封裝膜可密封於基板上所形成之有機電子元件的頂表面。
於一實例中，本案之封裝組成物可包含封裝樹脂。封裝樹脂可為可交聯樹脂或可固化樹脂，以及於一實施態樣中，其可包含烯烴樹脂。
於一實例中，封裝樹脂可具有低於0℃、低於-10℃或低於-30℃、低於-50℃、或低於-60℃之玻璃轉移溫度。下限無特別限制，以及可為-150℃或更高。此處，玻璃轉移溫度可為固化後之玻璃轉移溫度。
於本發明之一實施態樣中，封裝樹脂可為烯烴系樹脂。於一實例中，烯烴系樹脂可為丁烯單體之同元聚合物、藉由共聚丁烯單體與另外的可聚合單體所獲得之共聚物、使用丁烯單體之反應性寡聚物、或其混合物。丁烯單體可包括例如1-丁烯、2-丁烯或異丁烯。於一實例中，烯烴樹脂可包含異丁烯單體作為聚合單元。
可與丁烯單體或衍生物聚合之另外的單體可包括例如異戊二烯、苯乙烯、或丁二烯等。藉由使用共聚物，可維持物理性質，諸如加工性及交聯度，因此於施加至有機電子裝置時可確保黏著劑本身的耐熱性。
此外，使用丁烯單體之反應性寡聚物可包含具有反應性官能基之丁烯聚合物。寡聚物可具有範圍在500至5,000g/mol之重量平均分子量。此外，丁烯聚合物可與具有反應性官能基之另外的聚合物偶合。另外的聚合物可為但不限於(甲基)丙烯酸烷酯。反應性官能基可為羥基、羧基、異氰酸基或含氮基團。此外，反應性寡聚物及另外的聚合物可藉由多官能交聯劑交聯，且多官能交聯劑可為選自由下列所組成之群組的至少一者：異氰酸酯交聯劑、環氧交聯劑、氮交聯劑及金屬螯合物交聯劑。
於一實例中，本案之封裝樹脂可包含二烯與含有一個碳-碳雙鍵之烯烴化合物的共聚物。此處，烯烴化合物可包括丁烯等，及二烯可為能與烯烴化合物聚合的單體，及可包括例如異戊二烯或丁二烯等。例如，含有一個碳-碳雙鍵之烯烴化合物與二烯的共聚物可為丁基橡膠。
在封裝層中，樹脂或彈性體組分可具有可使壓感性黏著劑組成物形成膜形的程度之重量平均分子量(Mw)。例如，樹脂或單體可具有約100,000至2,000,000 g/mol、120,000至1,500,000g/mol、150,000至1,000,000 g/mol、200,000至700,000g/mol、230,000至600,000 g/mol、250,000至500,000g/mol、或300,000至470,000 g/mol左右之重量平均分子量。於本說明書中，除非另外指明，否則術語重量平均分子量意指轉化成藉由GPC(凝膠滲透層析術)所測量之標準聚苯乙烯的值，單位為g/mol。然而，樹脂或彈性體不一定具有上述重量平均分子量。例如，在樹脂或彈性體組分之分子量為不足以形成膜的水準之情況中，可將分別的黏合劑樹脂摻合至壓感性黏著劑組成物中。
於一實例中，封裝樹脂可以10 wt%或更多、13 wt%或更多、15 wt%或更多、17 wt%或更多、20 wt%或更多、21 wt%或更多、22 wt%或更多、23 wt%或更多、或24 wt%或更多之量包括於封裝層中，以及其上限可為90 wt%或更少、80 wt%或更少、70 wt%或更少、60 wt%或更少、50 wt%或更少、40 wt%或更少、或30 wt%或更少。封裝樹脂具有良好水分障壁性質，但具有耐熱性耐用性降低的缺點，因此藉由調整封裝樹脂之含量，本案可維持於高溫及高濕度之耐熱性耐用性且同時充分實現樹脂本身的水分障壁性能。
於一實例中，封裝膜可包含水分吸附劑。於本說明書中，術語「水分吸附劑」可意指例如下述透過與穿透封裝膜之水分或濕度的化學反應而能移除水分或濕度之化學反應性吸附劑。
於一實例中，有機酸可存在於水分吸附劑之表面上。通常，水分吸附劑可經分散劑表面處理以良好地分散於組成物中，其中有機酸係存在於水分吸附劑之表面上。由於此有機酸於與元件接觸之封裝層中朝向元件滲透，其會造成OLED面板之白點瑕疵。於本案中，水分吸附劑不包含分散劑或不包含有機酸，因此改善整體封裝組成物之可靠度，從而防止OLED面板瑕疵。
此處，可使用之水分吸附劑可包括例如金屬氧化物、硫酸鹽、或有機金屬氧化物等。具體而言，硫酸鹽之實例可包括硫酸鎂、硫酸鈉或硫酸鎳等，以及有機金屬氧化物之實例可包括辛酸氧化鋁等。此處，金屬氧化物之具體實例可包括五氧化二磷(P 2O 5)、氧化鋰(Li 2O)、氧化鈉(Na 2O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)或氧化鎂(MgO)等；而金屬鹽之實例可包括硫酸鹽，諸如硫酸鋰(Li 2SO 4)、硫酸鈉(Na 2SO 4)、硫酸鈣(CaSO 4)、硫酸鎂(MgSO 4)、硫酸鈷(CoSO 4)、硫酸鎵(Ga 2(SO 4) 3)、硫酸鈦(Ti(SO 4) 2)或硫酸鎳(NiSO 4)；金屬鹵化物，諸如氯化鎂(MgCl 2)、氯化鍶(SrCl 2)、氯化釔(YCl 3)、氯化銅(CuCl 2)、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF 5)、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr 2)、溴化銫(CeBr 3)、溴化硒(SeBr 4)、溴化釩(VBr 3)、溴化鎂(MgBr 2)、碘化鋇(BaI 2)或碘化鎂(MgI 2)；或金屬氯酸鹽，諸如過氯酸鋇(Ba(ClO 4) 2)或過氯酸鎂(Mg(ClO 4) 2)等，但不限於此。作為可含於封裝層中之水分吸附劑，亦可使用上述成分之一或二或更多者。於一實例中，當使用二或更多者作為水分吸附劑時，可使用經煅燒白雲石等。
此種水分吸附劑可視應用而控制至適當大小。於一實例中，水分吸附劑之平均粒徑可控制為100至15000 nm、500 nm至10000 nm、800 nm至8000 nm、1μm至7μm、2μm至5μm、或2.5μm至4.5μm。具有在上述範圍之大小的水分吸附劑因與水分的反應速率不會太快而容易儲存，不會損壞待封裝之元件。於本說明書中，除非另外指明，否則粒徑可意指平均粒徑，及可為藉由已知方法以D50粒徑分析儀所測量者。
水分吸附劑之含量無特別限制，其可考慮所希望之障壁性質而適當地選擇。水分吸附劑可以相對於100重量份之封裝樹脂為90重量份或更多之量包括在內，以及作為一實例，可以在93至800重量份、95至770重量份、97至750重量份、100至730重量份、103至700重量份、105至670重量份、110至650重量份、113至630重量份、115至600重量份、117至570重量份、120至530重量份、123至500重量份、125至480重量份、127至460重量份、130至440重量份、133至420重量份、135至400重量份、137至380重量份、140至360重量份、143至340重量份、145至320重量份、150至300重量份、153至290重量份、155至280重量份、158至270重量份、或160至260重量份之範圍包括在內。即，根據本案之封裝膜可展現與封裝層中之另外組分的優異相容性且同時包含比慣用更大量之水分吸附劑，同時，可藉由即使在無水分吸附劑之分別的分散劑情況下亦展現優異的分散性而實現優異的水分阻擋效果。
於一實例中，封裝膜可進一步包含膠黏劑。膠黏劑可為例如具有70℃或更高之軟化點的化合物，以及於一實施態樣中，可為75℃或更高、78℃或更高、83℃或更高、85℃或更高、90℃或更高、或95℃或更高，以及上限無特別限制，但可為150℃或更低、145℃或更低、140℃或更低、135℃或更低、130℃或更低、或125℃或更低。膠黏劑可為分子結構中具有環狀結構之化合物，其中於環狀結構中之碳原子的數目可在5至15之範圍。碳原子之數目可例如在6至14、7至13、或8至12之範圍。環狀結構可為單環化合物，但不限於此，其可為雙環或三環化合物。膠黏劑亦可為烯烴系聚合物，其中聚合物可為同元聚合物或共聚物。此外，本案之膠黏劑可為氫化化合物。氫化化合物可為部分或完全氫化化合物。此種膠黏劑可具有優異的水分障壁性質以及具有外部應力鬆弛性質，且同時具有與封裝膜中之另外組分的良好相容性。膠黏劑之具體實例可包括氫化萜系樹脂、氫化酯系樹脂或氫化雙環戊二烯系樹脂等。膠黏劑之重量平均分子量可在約200至5,000g/mol、300至4,000g/mol、400至3,000g/mol、或500至2,000g/mol之範圍。膠黏劑之含量可視需要而適當地調整。例如，膠黏劑之含量可以相對於100重量份之封裝樹脂為15重量份至200重量份、20至190重量份、25重量份至180重量份或30重量份至150重量份之比率包括在內。本案可藉由使用特定膠黏劑而提供具有優異的水分障壁性質及外部應力鬆弛性質之封裝膜。
於本案之封裝膜中，封裝層可包含亮點抑制劑。亮點抑制劑可具有藉由密度泛函理論之近似法所計算之0eV或更低之釋氣的吸附能。吸附能之下限無特別限制，但可為-20eV。釋氣之類型無特別限制，但可包括氧、H原子、H 2分子及/或NH 3。由於封裝膜包含亮點抑制劑，本案可防止因有機電子裝置中所產生之釋氣所造成的亮點。
於本案之一實施態樣中，介於亮點抑制劑與造成亮點的原子或分子之間的吸附能可透過根據密度泛函理論之電子結構計算來計算。上述計算可藉由本技術中已知的方法進行。例如，於本案中，於製造其中具有結晶結構之亮點抑制劑的最緊密填充表面係曝露於表面的二維板坯結構之後進行結構最佳化，以及對於造成亮點的分子係吸附於該真空狀態之表面上的結構進行結構最佳化，從這兩個系統之總能差扣除造成亮點的分子之總能所獲得的值係定義為吸附能。就關於各系統之總能計算而言，為GGA (廣義梯度近似，generalized gradient approximation)級數之函數的經修訂PBE函數係用作交換-相關(exchange-correlation)以模擬電子與電子之間的相互作用，所使用之電子動能截止為500eV，且只包括及計算對應於倒易空間之原點的γ點。共軛梯度法係用以最佳化各系統之原子結構，且進行迭代計算直到原子間力為0.01 eV/Å或更低。經由作為市售程式之VASP進行一系列計算。
亮點抑制劑之材料無限制，只要該材料為具有將封裝膜施加至有機電子裝置時防止有機電子裝置面板上之亮點的效果之材料即可。例如，亮點抑制劑可為能吸附以例如作為從沉積於有機電子元件之電極上的氧化矽、氮化矽、或氮氧化矽之無機沉積層所產生的釋氣之氧、H 2氣、氨(NH 3)氣、H +、NH 2+、NHR ­2或NH 2R為例之材料的材料。此處，R可為有機基團，及例如，可以烷基、烯基、炔基等為例，但不限於此。
於一實例中，亮點抑制劑之材料無限制，只要其滿足上述吸附能值即可，其可為金屬或非金屬。亮點抑制劑可包含例如Li、Ni、Ti、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Zn、In、Pt、Pd、Fe、Cr、Si、或其調配物，可包含該材料之氧化物或氮化物，及可為該材料之合金。於一實例中，亮點抑制劑可包含鎳粒子、氧化鎳粒子、氮化鈦、鐵-鈦之以鈦為主的合金粒子、鐵-錳之以錳為主的合金粒子、鎂-鎳之以鎂為主的合金粒子、以稀土為主的合金粒子、碳奈米管、石墨、鋁磷酸鹽分子篩粒子或內消旋矽石粒子。亮點抑制劑可以相對於100重量份之樹脂組分為3至150重量份、6至143重量份、8至131重量份、9至123重量份、10至116重量份、10重量份至95重量份、10重量份至50重量份、或10重量份至35重量份之量包括在內。本案可實現防止有機電子裝置之亮點，同時改善於上述含量範圍之膜的黏著性及耐用性。此外，亮點抑制劑可具有在10nm至30μm、50nm至21μm、105nm至18μm、110nm至12μm、120nm至9μm、140nm至4μm、150nm至2μm、180nm至900nm、230nm至700nm或270nm至400nm之範圍的粒徑。粒度可根據D50粒度分析。藉由包含亮點抑制劑，本案可實現封裝膜之水分障壁性質及耐久可靠度，同時有效率地吸附有機電子裝置中產生的氫。
並且，於一實例中，本案之封裝層可包含與封裝樹脂高度相容且可與該封裝樹脂一起形成特殊交聯結構的活性能源射線可聚合化合物。
例如，本案之封裝層可包含可藉由與該封裝樹脂一起照射活性能源射線而聚合的多官能活性能源射線可聚合化合物。活性能源射線可聚合化合物可意指包含二或更多個能藉由照射活性能源射線而參與聚合反應之官能基的化合物，該官能基係例如含有烯系不飽和雙鍵之官能基，諸如丙烯醯基或甲基丙烯醯基，或諸如環氧基或氧呾基之官能基。
作為多官能活性能源射線可聚合化合物，可使用例如多官能丙烯酸酯(MFA)。
此外，活性能源射線可聚合化合物可以相對於100重量份之封裝樹脂為0.5重量份至10重量份、0.7重量份至9重量份、1重量份至8重量份、1.3重量份至7重量份或1.5重量份至6重量份之量包括在內。本案提供在即使嚴苛條件(諸如在上述範圍之高溫及高濕度)下亦具有優異的耐久可靠度之封裝膜。
可使用可藉由活性能源射線照射而聚合之多官能活性能源射線可聚合化合物而無任何限制。例如，該化合物可包括二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,3-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯(HDDA)、二(甲基)丙烯酸1,8-辛二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,12-十二烷二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸二環戊烷酯、二(甲基)丙烯酸環己烷-1,4-二醇酯、(甲基)二丙烯酸三環癸烷二甲醇酯、二(甲基)丙烯酸二羥甲基二環戊烷酯、新戊二醇改質之二(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、二(甲基)丙烯酸金剛烷酯(admantane di(meth)acrylate)、三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯(TMPTA)、或其混合物。
作為多官能活性能源射線可聚合化合物，可使用例如具有100或更高以及低於1,000g/mol之分子量且含有二或更多個官能基之化合物。包括在多官能活性能源射線可聚合化合物中之環結構可為碳環結構或雜環結構中的任一者；或為單環或多環結構。
於本案之一實施態樣中，封裝層可進一步包含自由基引發劑。自由基引發劑可為光引發劑或熱引發劑。光引發劑之具體種類可考慮固化速率及黃化可能性等而適當地選擇。例如，可使用安息香系、羥基酮系、胺基酮系，或氧化膦系光引發劑等，具體而言，可使用安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁醚、安息香異丁醚、苯乙酮、二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙-1-酮、4-(2-羥乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯基酮、對苯基二苯基酮、4,4'-二乙胺基二苯基酮、二氯二苯基酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-三級丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲基9-氧硫𠮿、2-乙基9-氧硫𠮿、2-氯9-氧硫𠮿、2,4-二甲基9-氧硫𠮿、2,4-二乙基9-氧硫𠮿、苄基二甲縮酮、苯乙酮二甲縮酮、對二甲胺基苯甲酸酯、寡[2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]及2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦等。
自由基引發劑可以相對於100重量份之活性能源射線可聚合化合物為0.2重量份至20重量份、0.5至18重量份、1至15重量份、或2重量份至13重量份之比包括在內。因此，可有效引發活性能源射線可聚合化合物之反應且亦可防止因固化後殘留的組分所致之封裝層組成物的物理性質惡化。
除了上述成分之外，視下述封裝膜之應用及製造程序而定，封裝層可包含各種不同添加劑。例如，封裝層可視所期望的物理性質而包含適當含量範圍之可固化材料、交聯劑、填料等。
於一實例中，封裝組成物可具有於170℃以及50s -1之剪切速率下所測量之在1,000至2,000 Pa·s之範圍的黏度，以及作為一實例，黏度之下限可為1,100 Pa·s或更高、1,200 Pa·s或更高、1,300 Pa·s或更高、1,400 Pa·s或更高、或1,500 Pa·s或更高。雖然不限於此，但黏度可為藉由ARES (先進流變擴展系統)所測量之值。如此，即使封裝組成物為高黏度液體，如上述，本案可透過擠出程序而展現水分吸附劑於封裝組成物中之均勻分散性。
於本案之一實施態樣中，根據本案之封裝膜之製造方法可包含進一步包含於封裝層上形成之金屬層的步驟。即，封裝膜可具有其中封裝層及金屬層係層合之結構。本案之金屬層可具有20 W/m K或更高、50 W/m K或更高、60 W/m K或更高、70 W/m K或更高、80 W/m K或更高、90 W/m K或更高、100 W/m K或更高、110 W/m·K或更高、120 W/m·K或更高、130 W/m·K或更高、140 W/m·K或更高、150 W/m·K或更高、200 W/m·K或更高、或210 W/m·K或更高之熱傳導率。熱傳導率之上限無特別限制，其可為800 W/m·K或更低。具有此種高熱傳導率，於金屬層之結合製程時在結合界面產生的熱可更迅速釋放。此外，因高熱傳導率而使有機電子裝置操作期間累積的熱迅速釋放，因而有機電子裝置本身的溫度可保持在較低溫度，以及減少龜裂及瑕疵發生。熱傳導率可在15至30℃之溫度範圍內的任何溫度測量。
此處之術語「熱傳導率」為表示材料能藉由傳導而傳遞熱的能力之程度，其中單位可以W/m·K表示。該單位表示在相同溫度及距離下材料傳遞熱的程度，其意指熱之單位(瓦)對距離之單位(米)與溫度之單位(克耳文)。
於本案之一實施態樣中，封裝膜之金屬層可為透明或不透明的。金屬層可具有3μm至200μm、10μm至100μm、20μm至90μm、30μm至80μm、或40μm至75μm之範圍的厚度。本案藉由控制金屬層之厚度可提供薄膜封裝膜同時實現足夠的熱釋放效應。金屬層可為薄金屬箔或沉積有金屬之聚合物基底材料層。若金屬層為滿足上述熱傳導率且含有金屬之材料，其無特別限制。金屬層可包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物、及其調配物中之任一者。例如，金屬層可包含其中一或多種金屬元素或非金屬元素係添加至一種金屬之合金，及可包含例如不鏽鋼(SUS)。此外，於一實例中，金屬層可包含鐵、鉻、銅、鋁、鎳、氧化鐵、氧化鉻、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、銦錫氧化物、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮及其調配物。金屬層可藉由電解、輥壓、熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、反應性濺鍍、化學氣相沉積、電漿化學氣相沉積或電子迴旋加速共振源電漿化學氣相沉積來沉積。於本案之一實例中，金屬層可藉由反應性濺鍍沉積。
封裝膜可進一步包含基底膜或脫離膜(下文可稱為「第一膜」)，其可具有封裝層係於基底或脫離膜上形成的結構。此外，該結構可進一步包含於金屬層上形成之基底膜、保護膜或脫離膜(下文可稱為「第二膜」)。
可用於本案之第一膜的具體種類無特別限制。於本案中，例如，可使用本領域中之一般聚合物膜作為第一膜。於本案中，例如，作為基底或脫離膜，可使用聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚氯乙烯膜、聚胺甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜或聚醯亞胺膜等。此外，可在本案之基底膜或脫離膜的一側或雙側進行適合之脫模處理。作為基底膜之脫離處理所使用的脫離劑之實例，可使用醇酸系、聚矽氧系、氟系、不飽和酯系、聚烯烴系或蠟系等，其中，基於耐熱性，較佳係使用醇酸系、聚矽氧系或氟系之脫離劑，但不限於此。
於本案中，如上述基底膜或脫離膜(第一膜)之厚度無特別限制，其可視其所施加的應用而適當地選擇。例如，於本案中，第一膜之厚度可為10 μm至500 μm，較佳為20 μm至200 μm左右。若厚度低於10 μm，於製造程序期間容易發生基底膜變形，然而若其超過500 μm，經濟效益低。
本案亦關於有機電子裝置。
如圖2所示，有機電子裝置可包含基板(31)、於基板(31)上所形成之有機電子元件(32)、以及根據上述用於封裝有機電子元件(32)之製造方法所製造之封裝膜。封裝膜可包含封裝層(33)，以及亦可進一步包含金屬層(34)。於此情況下，整體包含封裝層(33)及金屬層(34)之封裝膜可封裝有機電子元件(32)。當封裝膜包含金屬層時，有機電子裝置可依序包含基板(31)、有機電子元件(32)、封裝層(33)、及金屬層(34)。
作為一實例，封裝膜可封裝頂表面，例如，於基板上所形成之有機電子元件的整個上部部分及側表面。封裝膜可包含含有呈交聯或固化狀態之壓感性黏著劑組成物或黏著劑組成物的封裝層。此外，有機電子裝置可藉由密封該封裝層以接觸於基板上所形成之有機電子元件的頂表面而形成。
於本案之一實施態樣中，有機電子元件可包含一對電極、至少含有發光層之有機層、及鈍化膜。具體而言，有機電子元件可包含第一電極層、於第一電極層上形成且至少含有發光層之有機層，以及於有機層上形成之第二電極層，以及可包含用於保護第二電極層及有機層上之電極的鈍化膜。第一電極層可為透明電極層或反射電極層，以及第二電極層亦可為透明電極層或反射電極層。更具體而言，有機電子元件可包含於基板上所形成之透明電極層、於透明電極層上形成且至少含有發光層之有機層，以及於有機層上形成之反射電極層。
此處，有機電子元件可為例如有機發光元件。
鈍化膜可包含無機膜及有機膜。於一實施態樣中，無機膜可為選自由下列所組成之群組的一或多種金屬氧化物或氮化物：Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn及Si。無機膜可具有0.01μm至50μm、0.1μm至20μm、或1μm至10μm之厚度。於一實例中，本案之無機膜可為不含摻雜劑之無機材料，或可為含有摻雜劑之無機材料。可摻雜之摻雜劑可為選自由下列所組成之群組的一或多種元素：Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co及Ni、或該元素之氧化物，但不限於此。有機膜與至少含有發光層之有機層的分別在於其不包括發光層，以及可為含有環氧化合物之有機沉積層。
無機膜或有機膜可藉由化學氣相沉積(CVD)形成。例如，作為無機膜，可使用氮化矽(SiNx)。於一實例中，用作無機膜之氮化矽(SiNx)可沉積至0.01μm至50μm之厚度。於一實例中，有機膜可具有範圍在2μm至20μm、2.5μm至15μm、及2.8μm至9μm之厚度。
本案亦提供製造有機電子裝置之方法。製造方法可包含將由該製造方法所獲得之封裝膜施加至其上形成有機電子元件之基板，以覆蓋有機電子元件。此外，該製造方法可包含固化封裝膜之步驟。封裝膜之固化步驟可意指封裝層之固化，其可於封裝膜覆蓋有機電子元件之前或之後進行。
於本說明書中，術語「固化」可意指本發明之壓感性黏著劑組成物透過加熱或UV照射程序等形成交聯結構，以製成壓感性黏著劑形式。或者，其可意指黏著劑組成物係經固化(solidified)且附著作為黏著劑。
具體而言，有機電子元件可藉由諸如真空蒸鍍或濺鍍之方法於用作基板之玻璃或聚合物膜上形成透明電極，於透明電極上形成由例如電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層等所構成的發光有機材料層，然後於其上進一步形成電極層來形成。隨後，放置封裝膜之封裝層以覆蓋經歷上述製程之基板的有機電子元件之頂表面。 [發明之效果]
本案提供製造可形成能阻擋水分或氧從外部流入有機電子裝置的結構、以及可確保有機電子裝置之長期可靠度的封裝膜之方法。
然而，本發明之效果不限於上述效果，以及熟習本領域之人士由以下敘述將清楚暸解另外的效果。
下文茲透過根據本發明之實施例及非根據本發明之比較例更詳細描述本發明，但本發明範圍不限於以下實施例。 實施例 1
將100重量份之丁基橡膠樹脂(Mw：410,000g/mol，玻璃轉移溫度：-65℃)、100重量份之膠黏樹脂(SU525，軟化點：125℃，Kolon)、3重量份之多官能丙烯酸酯(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯，Miwon)、1重量份之光引發劑(Irgacure 651，Ciba)、及200重量份之CaO置入設為150℃及20巴之壓力捏合機，然後捏合約30分鐘以製備具有於170℃黏度為1500Pa·s且剪切速率為50s -1之封裝組成物。
將封裝組成物轉移至設為180℃之溫度以及250 rpm之螺桿旋轉速度的雙螺桿擠出機 (SM Platek之TEK30)以進行混練，以及使用安裝於雙螺桿擠出機之T型模以160℃之溫度及20巴之壓力擠出，以製備具有50 μm之厚度的膜形封裝層。封裝膜係藉由以1.5 J/cm 2紫外線照射封裝層而製造。 實施例 2
封裝層係以與實施例1相同方式製備，但T型模之溫度係設為170℃。 實施例 3
封裝層係以與實施例1相同方式製備，但將T型模之溫度設為180℃。 比較例 1
將100重量份之丁基橡膠樹脂(Mw：410,000g/mol)、100重量份之膠黏樹脂(SU525，熔點：125℃，Kolon)、3重量份之多官能丙烯酸酯(三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯，Miwon)、1重量份之光引發劑(Irgacure 651，Ciba)及200重量份之CaO摻合至600重量份之甲苯中，以及將分散劑(油酸)以相對於100重量份之CaO為0.5重量份的量進一步引入其中，以及充分混合以製備具有40 wt%之固體含量的溶液。
將溶液塗布於脫離PET上，於烘箱中以120℃乾燥，然後以1.5 J/m 2紫外線照射以製造封裝膜。 比較例 2
封裝層係以與實施例1相同方式製備，但將雙螺桿擠出機之溫度設為120℃。 比較例 3
封裝層係以與實施例1相同方式製備，但將T型模之溫度設為120℃。 比較例 4
封裝層係以與實施例1相同方式製備，但將T型模之壓力設為10巴。 比較例 5
封裝層係以與實施例1相同方式製備，但水分吸附劑係以80重量份包括在內。
根據下列用於實施例及比較例中所製造之封裝膜的測量條件及方法之物理性質係彙總於下表1。 實驗例 1 - 凝膠含量測量
由實施例及比較例之封裝膜製備大小為50 mm × 50 mm之試樣，以及每一封裝膜試樣取0.3至0.4 g之封裝膜(初始重量：A)，並將封裝膜浸入70 g於60℃之甲苯中3小時。之後，凝膠部分係以200網目金屬絲網(金屬絲網之重量：M)過濾，然後於烘箱中以125℃乾燥1小時。在測量凝膠與金屬絲網之合計重量(G)之後，計算不通過網的封裝膜之未溶解內容物的乾質量(B=G-M)、及根據以下一般方程式1之凝膠含量(單位：%)。 [一般方程式1] 凝膠含量(單位：%) = B/A × 100
於以上一般方程式1中，A表示封裝膜試樣之初始質量，而B表示封裝膜之未溶解內容物的乾質量，其中於將封裝膜試樣浸入70 g於60℃之甲苯中24小時，然後透過200網目(孔徑200 μm)網過濾，未溶解內容物不通過該網。 實驗例 2 - 膨脹指數之測量
將一定量之根據實施例或比較例的各封裝膜入瓶中，填充甲苯，並儲存24小時以獲得溶膠-凝膠溶液。之後，凝膠樣本之重量(X)係在使用200網目(孔徑200 μm)從溶膠-凝膠溶液分離彼之後立刻測量。所獲得之凝膠樣本係於烘箱中以80℃乾燥12小時，以及於乾燥之後立刻測量凝膠樣本之重量(Y)。膨脹指數係根據以下一般方程式2使用上述值計算。 [一般方程式2] 膨脹指數 = 在從溶膠-凝膠溶液分離之後立刻之凝膠樣本的重量(X) / 乾燥之後立刻之凝膠樣本的重量(Y) 實驗例 3 - 儲存彈性模數之測量
將根據實施例或比較例之各封裝膜層合至厚度為600 μm以獲得試樣，以及以ARES (先進流變擴展系統，TA之ARES-G2)之Temp Sweep模式使用平行板對試樣進行測量。具體而言，在30至100℃之溫度範圍中以對於試樣為0.1%之應變比施加15.0 rad/s之應變後所測量的儲存彈性模數當中，顯示於50℃之溫度的值。 實驗例 4 - 水分滲透距離之測量
在將實施例及比較例之30 mm × 60 mm的封裝膜靜置於85℃之溫度及85%相對濕度的恆定溫度及濕度室中895小時之後，以顯微鏡測量水分穿透之距離。 實驗例 5 - 金屬壓感黏著力
在75℃之條件下將根據實施例及比較例之各封裝膜熱層合於大小為200 mm × 220 mm之Cu表面上，切成25 mm，然後使用2 Kg滾筒進一步層合於Cu表面上以製備試樣。將試樣靜置於85℃之溫度及85%的恆定溫度及濕度室中30分鐘之後，將其固定至拉伸機，以及在以下測量條件下測量金屬壓感黏著力。 ＜測量條件＞ 測量儀器：質地分析儀(Texture Analyzer) 模式：張力模式 測量溫度：25℃ 拉伸速率：5 mm/min
1:封裝膜 3:有機電子裝置 11,33:封裝層 12:基底材料層 21:第一區 22:第二區 23:第三區 31:基板 32:有機電子元件 34:金屬層
[圖1]為顯示根據本案之一實施例的封裝層之橫斷面圖。 [圖2]為顯示根據本案之一實施例的封裝膜之橫斷面圖。 [圖3]為顯示根據本案之一實施例的有機電子裝置之橫斷面圖。
1:封裝膜
11:封裝層
12:基底材料層

Claims (21)

  1. 一種製造封裝膜之方法，其包含： 藉由以單一步驟混合封裝樹脂及水分吸附劑來製備無溶劑型封裝組成物之步驟；以及 藉由以90℃或更高之溫度擠出該封裝組成物來製備封裝層之步驟。
  2. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 製備該封裝組成物之該步驟係以50℃或更高之溫度以及5巴(bar)或更高之壓力進行。
  3. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 藉由擠出來製備封裝層之該步驟係以5巴或更高之壓力進行。
  4. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該擠出步驟係使用雙螺桿擠出機進行。
  5. 如請求項4之製造封裝膜之方法，其中 該雙螺桿擠出機具有在100至400 rpm之範圍的螺桿旋轉速度。
  6. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝層為單層或包含二或更多封裝層之多層結構。
  7. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝層具有以下一般方程式1所測量之60%或更高之凝膠含量： [一般方程式1] 凝膠含量(%) = A/B × 100 其中，B為該封裝層樣本之質量，以及A顯示該封裝層之未溶解內容物的乾質量，其中，在將該樣本浸於60℃之甲苯中24小時，然後透過200目網過濾，該未溶解內容物不通過該網。
  8. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝樹脂包含烯烴樹脂(olefinic resin)。
  9. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝樹脂以10 wt%或更多之量包括於封裝材料中。
  10. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該水分吸附劑為化學反應性吸附劑。
  11. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該水分吸附劑以相對於100重量份之該封裝樹脂為90重量份或更多之量包括在內。
  12. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝組成物進一步包含膠黏劑(tackifier)。
  13. 如請求項12之製造封裝膜之方法，其中 該膠黏劑以相對於100重量份之該封裝樹脂為15至200重量份之範圍之量包括在內。
  14. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝組成物進一步包含活性能源射線可聚合化合物(active energy ray polymerizable compound)。
  15. 如請求項14之製造封裝膜之方法，其中 該活性能源射線可聚合化合物以相對於100重量份之該封裝樹脂為0.5至10重量份之範圍之量包括在內。
  16. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝組成物進一步包含自由基引發劑。
  17. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中 該封裝組成物具有於170℃及50s -1之剪切速率所測量之在1,000至2,000 Pa·s之範圍的黏度。
  18. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其中，該封裝層係與有機電子元件直接接觸。
  19. 如請求項1之製造封裝膜之方法，其包含在該封裝層上進一步包含金屬層之步驟。
  20. 一種有機電子元件，其包含：基板、於該基板上所形成之有機電子元件、以及用於封裝該有機電子元件之如請求項1之製造方法所製造之封裝膜。
  21. 一種製造有機電子裝置之方法，其包含將如請求項1之封裝膜施加至其上形成有機電子元件之基板，以覆蓋該有機電子元件的步驟。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101233625B1 (ko) * 2011-04-27 2013-02-14 삼성토탈 주식회사 내후 안정성이 향상된 태양전지 봉지재용 ｅｖａ 시트의 제조방법
KR101642592B1 (ko) * 2013-10-30 2016-07-25 주식회사 엘지화학 봉지재 필름
KR101556445B1 (ko) * 2013-10-31 2015-10-02 도레이첨단소재 주식회사 배리어 층을 사용한 태양전지용 봉지재 시트 및 그 제조 방법
EP3683854A4 (en) * 2017-09-29 2020-10-28 LG Chem, Ltd. METHOD FOR ENCAPSULATING AN ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT
KR20210140939A (ko) * 2020-05-14 2021-11-23 주식회사 엘지화학 봉지 필름

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