TW202331412A - 在中心處具有ｕｖ阻隔件的氣體分配板 - Google Patents
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Abstract
一種用於處理基板之裝置可包括氣體分配板，而包括上部板及下部板及在上部板及下部板之間的實心盤。上部板及下部板之各者具有中心區域及圍繞中心區域的外部區域，中心區域為實心的且外部區域具有複數個通孔。上部板及下部板沿著中心軸同軸地對準，中心軸延伸通過上部板的中心區域的中心及下部板的中心區域的中心。實心盤與上部板及下部板同軸地對準。實心盤配置成阻隔紫外線輻射穿透通過實心盤。
Description
本揭露案的實施例大致關於用於處理基板之裝置，且更特定而言，關於阻隔紫外線（UV）輻射穿透至基板的裝置。
在半導體製造工業中使用的基板通常經清潔以移除非所欲的材料，例如污染物或在處理期間於基板上產生的其他非所欲的粒子。基板可包括半導體晶圓、腔室部件、光遮罩或類似者。
光阻在半導體晶圓製作中使用以傳送電路圖案至晶圓上。一旦施加光阻圖案，則於再次使用光遮罩之前必須從光遮罩移除剩餘的光阻。某些光阻移除可在半導體晶圓上發生。範例光阻移除應用包括後金屬蝕刻、後聚合物蝕刻、後介電蝕刻、後植入及光刻回工。
氣體電漿剝離為從半導體晶圓移除光阻的一種方式。然而，發明人已觀察到某些氣體電漿剝離元件及方法將半導體晶圓暴露至作為氣體電漿剝離的產物發射的UV輻射。UV輻射可損傷半導體晶圓。
因此，發明人已提供改良的裝置用於處理基板。
此處提供用於處理基板之裝置。在某些實施例中，一種用於處理基板之裝置包括氣體分配板，而包括上部板及下部板及在上部板及下部板之間的實心盤。上部板及下部板之各者具有中心區域及圍繞中心區域的外部區域。中心區域為實心的且外部區域具有複數個通孔。上部板及下部板沿著中心軸同軸地對準，中心軸延伸通過上部板的中心區域的中心及下部板的中心區域的中心。實心盤與上部板及下部板同軸地對準。實心盤配置成阻隔紫外線輻射穿透通過實心盤。
而且，在某些實施例中，一種用於處理基板之裝置包括氣體分配板，而包括第一板，具有中心區域及圍繞中心區域的外部區域，及與第一板的中心區域對準的實心盤。第一板的中心區域為實心的且外部區域具有複數個通孔。第一板配置成准許紫外線輻射穿透通過中心區域及外部區域。實心盤配置成阻隔紫外線輻射穿透通過實心盤。
在某些實施例中，一種用於處理基板之裝置包括基板處理腔室，而包括遠端電漿源，具有在縱軸四周置中的出口孔，清潔腔室，與出口孔流體連通，及支撐件，佈置於清潔腔室中，且從出口孔縱向分隔開。支撐件配置成在清潔腔室中支撐基板。而且，基板處理腔室包括氣體分配板，在出口孔及支撐件之間縱向分隔開，且以對縱軸橫向的方向延伸橫跨出口孔及支撐件。氣體分配板包括上部板及下部板，其各者具有中心區域及圍繞中心區域的外部區域，其中中心區域為實心的且外部區域包括複數個通孔。上部板及下部板沿著縱軸同軸地對準，縱軸延伸通過上部板的中心區域及下部板的中心區域。而且，氣體分配板包括實心盤，佈置於上部板及下部板之間。實心盤與上部板及下部板同軸地對準。實心盤配置成阻隔紫外線輻射穿透通過實心盤。
以下說明本揭露案的其他及進一步實施例。
此處提供用於處理基板之處理腔室的實施例。在實施例中，處理腔室配置成清潔基板以移除非所欲的粒子或殘留物。基板可為例如半導體晶圓、光遮罩或類似者。在光遮罩的範例中，光阻可遺留在基板上。氣體電漿剝離為移除光阻的一種方式。分解的殘留物可接著從處理腔室的內部空間移除。氣體電漿剝離的一個副產物可為UV輻射，而可損傷基板。
第1圖根據本揭露案的至少某些實施例，描繪具有處理腔室102用於裝載及處理基板（未顯示）的處理工具100的部分剖面視圖。處理腔室102界定內部空間103，其中定位基板支撐件104。基板支撐件104顯示為平坦平台（平台105）的形式，藉由處理腔室102支撐。平台105配置成在處理腔室102的內部空間103中以對縱軸106橫向的實質上水平位置支撐基板（未顯示）。如第1圖中所顯示，縱軸106可延伸通過基板支撐件104的中心。
處理工具100亦包括從基板支撐件104縱向分隔開的遠端電漿源108。遠端電漿源108配置成供應電漿自由基至處理腔室102的內部空間103。遠端電漿源108具有與縱軸106及基板支撐件104同軸的出口孔110。出口孔110與處理腔室102及內部空間103流體連通。藉由遠端電漿源108發射的UV輻射可離開通過出口孔110至內部空間103中。
處理腔室102具有在出口孔110及基板支撐件104之間縱向分隔開的凸緣112。如以下將更詳細說明，凸緣112配置成在出口孔110及基板支撐件104之間以縱向分隔開的關係支撐氣體分配板114，且以對縱軸106實質上橫向（+/-10度）的方向延伸橫跨出口孔110及基板支撐件104。
氣體分配板114可包括上部板116及下部板118。上部板116具有中心（例如，圓形）區域116a及圍繞中心區域116a的外部（例如，環狀）區域116b。下部板118具有中心（例如，圓形）區域118a及圍繞中心區域118a的外部（例如，環狀）區域118b。中心區域116a、118a為實心的，且外部區域116b、118b分別包括複數個通孔116c、118c用於輸送氣體。上部板116及下部板118配置用於沿著縱軸106同軸地對準，縱軸106延伸通過上部板116的中心區域116a及下部板118的中心區域118a。中心區域116a、118a可具有相同的尺寸及形狀（例如，圓形），外部區域116b、118b可具有相同的尺寸及形狀（例如，環狀），且複數個通孔116c、118c可具有相同的尺寸、形狀（例如，圓形）及圖案。上部板116的通孔116c配置成與下部板118的通孔118c對準，以促進氣體流動通過氣體分配板114。
上部板116及下部板118可以UV可穿透材料製成，例如石英（例如，GE 124熔融的石英）。除了UV可穿透之外，亦可對其抗性選擇此等材料以消滅在上部板116及下部板118的表面上的殘留物。
氣體分配板114亦可包括實心盤122。在第1、2及3圖中所顯示的實施例中，實心盤122佈置於上部板116及下部板118之間。實心盤122可包覆在上部板116及下部板118之間。若實心盤122以例如可消滅自由基的鋁的材料製成，包覆實心盤122可避免實心盤122消滅自由基。
實心盤122可配置成沿著縱軸106與上部板116及下部板118同軸地對準。實心盤122配置成阻隔UV輻射穿透通過實心盤122。舉例而言，實心盤可以UV阻隔材料形成，例如黑石英（HBQ®100，Heraeus Holding GmbH, Hanau, Germany註冊的商標）、低電阻矽（電阻小於0.01 ohm-cm）或鋁。
如第2圖中所顯示，當氣體分配板114連接至處理腔室102的凸緣112時，實心盤122可投射在出口孔110的面積上，且縱向地佈置於出口孔110及基板支撐件104之間，使得引導朝向基板支撐件104藉由出口孔110發射的UV輻射可藉由實心盤122阻隔，以保護藉由基板支撐件104支撐的基板（未顯示）避免暴露至UV輻射。
實心盤122具有的面積可等於或大於出口孔110的面積，使得實心盤122的面積完全投射橫跨或覆蓋出口孔110的面積。舉例而言，在實施例中，實心盤122及出口孔110可為圓形的，且實心盤122可具有比出口孔110的直徑更大10%至15%的直徑。而且，實心盤122可具有等於或大於上部板116的中心區域116a及/或下部板118的中心區域118a的面積。實心盤122可經尺寸設計，使得實心盤122不會覆蓋在上部板116中的任何通孔116c及在下部板118中的任何通孔118c。在某些實施例中，實心盤122具有約2.5英吋的直徑及約0.03英吋的厚度。
如第3圖中所顯示，上部板116可具有平面的上部表面124且具有平面的下部表面126。上部板116的中心區域116a及外部區域116b可為共平面，且界定下部表面126。而且，下部板118可具有平面的上部表面128且具有平面的下部表面130。當上部板116及下部板118與實心盤122組合時，如第2圖中所顯示，上部板116的下部表面126可與下部板118的上部表面128接觸。盤容納凹槽132可界定於下部板118的上部表面128的中心區域118a中。盤容納凹槽132配置成容納且支撐實心盤122的至少一部分。在第3圖中所顯示的實施例中，盤容納凹槽132具有足夠的深度，使得實心盤122的上部表面134齊平於或凹陷低於下部板118的上部表面128。在某些實施例中，上部板116可在上部板116的下部表面126中界定凹槽（未顯示），以完全容納實心盤122。而且，在某些實施例中，上部板116在下部表面126中可具有凹槽（未顯示）且在上部表面128中可具有凹槽（未顯示），使得兩個凹槽一起界定單一腔體用於保持實心盤122。
如第3圖中所顯示，上部板116具有在上部板116的外部區域116b四周延伸的周圍凸緣136。周圍凸緣136具有縱向部分136a及從縱向部分136a延伸的橫向部分136b，使得周圍凸緣136具有大致L形的剖面。如第2圖中所顯示，周圍凸緣136的橫向部分136b配置成容納處理腔室102的凸緣112的保持溝槽113。
如第3圖中所顯示，周圍凸緣136的縱向部分136a具有從上部板116的下部表面126縱向地延伸的內部表面138。內部表面138及上部板116的下部表面126界定板容納凹槽140，如第2圖中所顯示，配置成以嵌套的配置容納下部板118。在某些實施例中，如第2圖中所顯示，當下部板118容納在板容納凹槽140中時，周圍凸緣136的橫向部分136b的下部表面142配置成與下部板118的下部表面130共平面。而且，下部板118具有在下部板118的外部區域118b四周延伸的周圍邊緣144。如第2圖中所顯示，當下部板118容納在板容納凹槽140中時，周圍邊緣144可與周圍凸緣136的縱向部分136a的內部表面138接合。
第2圖中所顯示的氣體分配板114可藉由將實心盤122放置於盤容納凹槽132中且接著將上部板116覆蓋且放置在下部板118上而組合，使得下部板容納在板容納凹槽140中。
儘管以上導向本揭露案的實施例，可衍生本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基本範疇。舉例而言，儘管以上所述的氣體分配板114包括複數個板（上部板及下部板），在其他實施例中，氣體分配板可僅具有一個板，配置成保持類似實心盤122的實心、UV阻隔盤。而且，在其他實施例中，氣體分配板完全以UV阻隔材料的單一板形成，例如黑石英或低電阻矽。
100:處理工具
102:處理腔室
103:內部空間
104:基板支撐件
105:平台
106:縱軸
108:遠端電漿源
110:出口孔
112:凸緣
113:保持溝槽
114:氣體分配板
116:上部板
116a:中心區域
116b:外部區域
116c:複數個通孔
118:下部板
118a:中心區域
118b:外部區域
118c:複數個通孔
122:實心盤
124:上部表面
126:下部表面
128:上部表面
130:下部表面
132:盤容納凹槽
134:上部表面
136:周圍凸緣
136a:縱向部分
136b:橫向部分
138:內部表面
140:板容納凹槽
142:下部表面
144:周圍邊緣
以上簡要概述且以下更詳細討論的本揭露案的實施例，可藉由參考在隨附圖式中描繪的本揭露案的圖示實施例而理解。然而，隨附圖式僅圖示本揭露案的通常實施例，且因此不應考量為範疇之限制，因為本揭露案可認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據本揭露案的至少某些實施例，描繪具有處理腔室的處理工具的部分剖面視圖。
第2圖描繪連接至第1圖中描繪的處理工具的氣體分配板及UV阻隔盤安排。
第3圖描繪在第2圖中描繪的氣體分配板及UV阻隔盤安排的放大視圖。
為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照規模繪製，且為了清楚可簡化。一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
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Claims (20)
- 一種氣體分配板，包含： 一上部板及一下部板，其各者具有一中心區域及圍繞該中心區域的一外部區域，該中心區域為實心的且該外部區域具有複數個通孔，該上部板及該下部板沿著一中心軸同軸地對準，該中心軸延伸通過該上部板的該中心區域的一中心及該下部板的該中心區域的一中心；及 一實心盤，佈置於該上部板及該下部板之間，該實心盤與該上部板及該下部板同軸地對準，該實心盤配置成阻隔紫外線輻射穿透通過該實心盤。
- 如請求項1所述之氣體分配板，其中該實心盤包覆在該上部板及該下部板之間。
- 如請求項1所述之氣體分配板，其中該下部板的該中心區域界定一凹槽，該凹槽配置成容納該實心盤的至少一部分。
- 如請求項1至3任一項所述之氣體分配板，其中該上部板具有一周圍凸緣，在該上部板的該外部區域四周延伸，該周圍凸緣配置用於容納一清潔腔室的一保持溝槽。
- 如請求項4所述之氣體分配板，其中該上部板的該中心區域及該外部區域為共平面的且界定一下部表面，且該周圍凸緣從該下部表面軸向延伸而界定配置成容納該下部板的一凹槽。
- 如請求項5所述之氣體分配板，其中該下部板具有一周圍邊緣，在該下部板的該外部區域四周延伸，當該下部板容納在該凹槽中時，該周圍邊緣配置成接合該周圍凸緣。
- 如請求項1至3任一項所述之氣體分配板，其中該上部板配置成准許紫外線輻射穿透通過該上部板的該中心區域及該外部區域，且該下部板配置成准許紫外線輻射穿透通過該下部板的該中心區域及該外部區域。
- 如請求項7所述之氣體分配板，其中上部板及該下部板以石英形成。
- 如請求項1至3任一項所述之氣體分配板，其中該實心盤以黑石英形成。
- 如請求項1至3任一項所述之氣體分配板，其中該實心盤以矽或鋁形成。
- 如請求項1至3任一項所述之氣體分配板，其中該上部板的該複數個通孔與該下部板的該複數個通孔對準。
- 一種氣體分配板，包含： 一第一板，具有一中心區域及圍繞該中心區域的一外部區域，該中心區域為實心的且該外部區域具有複數個通孔，該第一板配置成准許紫外線輻射穿透通過該中心區域及該外部區域；及 一實心盤，與該第一板的該中心區域對準，該實心盤配置成阻隔紫外線輻射穿透通過該實心盤。
- 如請求項12所述之氣體分配板，其中該實心盤佈置於該第一板的一上部表面或一下部表面上。
- 如請求項12所述之氣體分配板，其中該實心盤完全延伸橫跨該第一板的該中心區域，且並未覆蓋該第一板的該外部區域。
- 如請求項12所述之氣體分配板，其中該第一板以石英形成。
- 如請求項12所述之氣體分配板，其中該實心盤以黑石英、矽或鋁之至少一者形成。
- 如請求項12至16任一項所述之氣體分配板，進一步包含一第二板，具有一中心區域及圍繞該中心區域的一外部區域，該中心區域為實心的且該外部區域具有複數個通孔， 其中該實心盤佈置於該第一板及該第二板之間，且 其中該第一板的該中心區域及該第二板的該中心區彼此對準且與該實心盤對準。
- 一種基板處理腔室，包含： 一遠端電漿源，具有一出口孔，在一縱軸四周置中； 一清潔腔室，與該出口孔流體連通； 一支撐件，佈置於該清潔腔室中，且從該出口孔縱向分隔開，該支撐件配置成在該清潔腔室中支撐一基板；及 一氣體分配板，在該出口孔及該支撐件之間縱向分隔開，且以對該縱軸橫向的一方向延伸橫跨該出口孔及該支撐件，該氣體分配板包含： 一上部板及一下部板，其各者具有一中心區域及圍繞該中心區域的一外部區域，該中心區域為實心的且該外部區域具有複數個通孔，該上部板及該下部板沿著該縱軸同軸地對準，該縱軸延伸通過該上部板的該中心區域及該下部板的該中心區域；及 一實心盤，佈置於該上部板及該下部板之間，該實心盤與該上部板及該下部板同軸地對準，該實心盤配置成阻隔紫外線輻射穿透通過該實心盤。
- 如請求項18所述之基板處理腔室，其中該實心盤具有一面積，該面積等於或大於該出口孔的一面積。
- 如請求項18所述之基板處理腔室，其中該實心盤以黑石英、矽及鋁之至少一者形成。
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