TW202328336A - 發泡體、發泡膜及積層膜 - Google Patents

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明石達樹
六田充輝
田中佳典
西村浩之
近藤勇史
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日商寶理塑膠贏創有限公司
日商井上股份有限公司
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Abstract

課題 本發明提供一種絕緣性及耐熱性優異之發泡體等。 解決手段 本發明係一種發泡體等，其含有聚醚醚酮及聚醚醯亞胺，且前述聚醚醚酮之質量相對於前述聚醚醯亞胺之質量之比為50/50至87/13。

Description

發泡體、發泡膜及積層膜
本發明係關於一種發泡體、發泡膜及積層膜。
以往，作為印刷基板用發泡體，例如使用有以規定比率含有結晶熔融溫度、玻璃轉移溫度、液晶轉變溫度中之至少一者為260℃以上之(a)成分、與玻璃轉移溫度為230℃以下之作為非晶性樹脂之(b)成分的發泡體（例如專利文獻1）。
另外，印刷基板用發泡體通常為膜狀，也就是發泡膜。
此外，發泡膜係以單層作為印刷基板使用，或使用發泡膜與導電箔積層而成之積層膜作為印刷基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-303247號公報
[發明欲解決之問題]
對於下一代移動通訊系統（例如第5代移動通訊系統(5G)、第6代移動通訊系統(6G)等），會需求傳輸損失較以往更小之印刷基板。即，會需求絕緣性較以往更優異之印刷基板。
另外，印刷基板上之焊接以往主要使用有鉛焊料，但近年來主要使用無鉛焊料。
無鉛焊料之熔點高於有鉛焊料之熔點，因此會需求耐熱性優異之印刷基板。
因此，對於印刷基板用發泡體及印刷基板用發泡膜，會要求優異之絕緣性及耐熱性。
另外，並不限於印刷基板之用途，對於其他用途，亦會需求絕緣性及耐熱性優異之發泡體及發泡膜。
然而，對於絕緣性優異且耐熱性亦優異之發泡體及發泡膜，至今為止尚未進行充分研究。
因此，本發明之課題在於提供一種絕緣性及耐熱性優異之發泡體及發泡膜、以及具有由該發泡膜形成之層之積層膜。 [解決問題之手段]
本發明之第一發明關於一種發泡體，其含有聚醚醚酮及聚醚醯亞胺，且 前述聚醚醚酮之質量相對於前述聚醚醯亞胺之質量之比為50/50至87/13。
較佳為相對介電係數為2.4以下。
本發明之第二發明關於一種發泡體，其含有聚醚醚酮及聚醚醯亞胺，且 相對介電係數為2.4以下。
較佳為前述聚醚醚酮之質量相對於前述聚醚醯亞胺之質量之比為50/50以上。
較佳為發泡倍率為1.3倍以上。
本發明之第三發明關於一種發泡膜，其由前述發泡體形成，且 厚度為50 µm以上500 µm以下。
較佳為前述厚度為100 µm以上300 µm以下。
本發明之第四發明關於一種積層膜，其係積層2層以上而成之積層膜，且 具有由前述發泡膜形成之層。 [發明效果]
根據本發明，可提供絕緣性及耐熱性優異之發泡體及發泡膜、以及具有由該發泡膜形成之層之積層膜。
以下，一邊參照隨附圖式，一邊對本發明之一實施方式進行說明。
另外，各實施方式中之各構成及它們之組合等為一例，可於不脫離本發明之主旨之範圍內適當進行構成之附加、省略、替換及其他變更。本發明並不由實施方式限定，僅由申請專利範圍限定。
另外，本說明書中所揭示之各種態樣亦可與本說明書中所揭示之其他任意特徵組合。
關於作為本實施方式之第1實施方式及第2實施方式之發泡體及發泡膜，舉例發泡體為印刷基板用發泡膜之情況來進行說明。 ＜第1實施方式之發泡體及發泡膜＞
首先，對作為第1實施方式之發泡體之發泡膜進行說明。
第1實施方式之發泡體含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)。
前述聚醚醚酮(PEEK)之質量相對於前述聚醚醯亞胺(PEI)之質量之比為50/50至87/13。
第1實施方式之發泡體由含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)之聚合物組成物形成。
另外，第1實施方式之發泡體藉由利用加熱使發泡性聚合體發泡而獲得。
前述發泡性聚合體係使聚合體含浸壓縮氣體或超臨界流體而成之發泡性聚合體。
前述聚合體由前述聚合物組成物形成。
前述聚醚醚酮(PEEK)由下述式(1)表示。另外，下述式(1)之n為2以上之正整數。
前述聚醚醚酮(PEEK)之數量平均分子量只要可製作所需形狀之發泡體，則並無特別限定，例如為5,000以上（例如5,000至1,000,000），較佳為8,000以上（例如10,000至500,000），進一步較佳為15,000以上（例如20,000至100,000）。
另外，第1實施方式中，數量平均分子量係指採用使用有氯仿溶析液之凝膠滲透層析儀(GPC)根據聚苯乙烯換算分子量分佈所測定出者。作為該GPC中之管柱，只要使用適於測定前述分子量之管柱即可。
前述聚醚醚酮(PEEK)之熔融黏度（剪切速率：1000sec -1，溫度：400℃）較佳為0.05kNsm -2以上，更佳為0.10kNsm -2以上。
另外，前述聚醚醚酮(PEEK)之熔融黏度（剪切速率：1000sec -1，溫度：400℃）較佳為0.50kNsm -2以下，更佳為0.45kNsm -2以下。
另外，第1實施方式中，熔融黏度係利用JIS K7199:1999(ISO11443:1995)「塑膠-利用毛細管流變儀及狹縫模流變儀之塑膠之流動特性試驗方法」中之毛細管模（方法A）進行測定。
前述聚醚醚酮(PEEK)之熔體體積流動速率(MVR)（溫度：380℃，負重：5 kg）較佳為5至200 cm 3/10min，更佳為10至30 cm 3/10min。
另外，第1實施方式中，熔體體積流動速率(MVR)係依據ISO1133進行測定。
前述聚醚醯亞胺(PEI)由下述式(2)表示。另外，下述式(2)之m為2以上之正整數。
前述聚合物組成物可於無損本發明之效果之範圍內含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)以外之其他聚合物。
作為其他聚合物，例如可舉例為：聚醚酮(PEK)、聚芳酮(PAK)、聚苯硫醚(PPS)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、全芳香族聚酯(PE)、聚碸(PSF)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚碸(PES)、聚碳酸酯(PC)、改質聚苯醚（改質PPE）、聚苯碸(PPSU)等。
另外，前述聚合物組成物可於無損本發明之效果之範圍內含有添加劑。
作為前述添加劑，例如可舉例為：無機填充材、熱穩定劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、成核劑、著色劑、潤滑劑、阻燃劑等。
作為前述無機填充材，例如可舉例為：滑石、雲母、黏土、玻璃、氧化鋁、二氧化矽、氮化鋁、氮化矽等。
前述聚合物組成物含有合計較佳為50質量%以上、更佳為70質量%以上、進一步較佳為80質量%以上、尤佳為90質量%以上之前述聚醚醚酮(PEEK)及前述聚醚醯亞胺(PEI)。
前述聚醚醚酮(PEEK)之質量相對於前述聚醚醯亞胺(PEI)之質量之比為50/50至87/13，較佳為60/40至85/15，更佳為70/30至80/20。
第1實施方式之發泡體之發泡倍率較佳為1.30倍以上，更佳為1.40倍以上。
第1實施方式之發泡體之發泡倍率以大為宜，但例如為10倍以下，具體為6.0倍以下。
另外，發泡體之發泡倍率係將「作為發泡前之狀態之後述聚合體之比重」除以「作為發泡後之狀態之發泡體之比重」所得的值。
發泡體之比重（密度）係依據JIS K7112:1999「塑膠-非發泡塑膠之密度及比重之測定方法」之A法（水中置換法）而求出。
另外，聚合體之比重係依據JIS K7112:1999「塑膠-非發泡塑膠之密度及比重之測定方法」之A法（水中置換法）而求出。
另外，聚合體之比重之測定可使用作為獲得發泡體前之狀態之聚合體實施測定，另外，於僅可獲取發泡後之發泡體時，亦可藉由對該發泡體進行熱壓而製作聚合體，使用該聚合體實施測定。
第1實施方式之發泡體之平均氣泡徑較佳為3 µm以下，更佳為5 nm至3 µm，進一步較佳為10 nm至2 µm，尤佳為20 nm至1 µm。
藉由使第1實施方式之發泡體之平均氣泡徑為3 µm以下，而於在作為該發泡體之發泡膜形成複數個通孔，且在複數個通孔填充導電膏時，可抑制填充於一通孔之導電膏通過氣泡而與填充於其他通孔之導電膏接觸，也就是可抑制內部短路。
第1實施方式之發泡體之平均氣泡徑能以如下方式求出。
首先，將發泡體（發泡膜）切斷，利用掃描式電子顯微鏡(SEM)拍攝切斷面之中心附近。然後，於切斷面隨機選擇50個以上之氣泡，求出各氣泡之面積。接著，根據各氣泡之面積，算出假定切斷面上之氣泡為圓形時之各氣泡之直徑。然後，根據各氣泡之直徑求出氣泡之算術平均值，將氣泡之算術平均值作為發泡體之平均氣泡徑。
作為掃描式電子顯微鏡(SEM)，例如可使用日立製作所公司製造之S-4500。另外，求各氣泡之面積時，例如可使用圖像處理軟體。作為該圖像處理軟體，例如可使用Nihon Visual Science公司製造之Image-Pro Plus。
第1實施方式之發泡體之相對介電係數較佳為2.4以下，更佳為2.3以下，進而較佳為2.2以下，特佳為2.1以下，進一步特佳為2.0以下。
藉由使前述相對介電係數為上述值以下，第1實施方式之發泡體之絕緣性提高，其結果，可較佳地用於下一代通信系統之印刷基板。
第1實施方式之發泡體之相對介電係數以儘可能低為宜。
發泡體之相對介電係數係藉由依據ASTM D150「Standard Test Methods for AC Loss Characteristics and Permittivity (Dielectric Constant) of Solid Electrical Insulation」之電極非接觸法以1 MHz進行測定。
例如，發泡體之相對介電係數可使用安裝有介電質試驗治具（Keysight Technologies公司製造之「16451B」）之LCR表（Keysight Technologies公司製造之「E4980A」），藉由電極非接觸法以1 MHz進行測定。
作為第1實施方式之發泡體之發泡膜之厚度較佳為50 µm以上500 µm以下，更佳為100 µm以上300 µm以下。
藉由使前述厚度為50 µm以上500 µm以下，第1實施方式之發泡膜可較佳地用於印刷基板。
另外，藉由使前述厚度為300 µm以下，第1實施方式之發泡膜可尤佳地用於要求薄型化之印刷基板。
第1實施方式之發泡體（發泡膜）係如上所述般構成，接下來對第1實施方式之發泡體（發泡膜）之製造方法進行說明。
第1實施方式之發泡體（發泡膜）之製造方法中，首先，由前述聚合物組成物成形聚合體（聚合物膜）。
作為由聚合物組成物成形聚合物膜之成形方法，可舉例為擠出鑄造成形、壓延成形等。前述擠出鑄造成形可使用T字模。
利用前述擠出鑄造成形之成形溫度為流動起始溫度以上，較佳為「流動起始溫度＋20℃」至430℃之範圍。
然後，藉由使聚合體（聚合物膜）含浸壓縮氣體或超臨界流體，而獲得發泡性聚合體（發泡性聚合物膜）。
作為壓縮氣體或超臨界流體，例如可舉例為：二氧化碳、氮氣(N 2)、氦氣、氬氣、一氧化二氮、乙烯、乙烷、四氟乙烯、全氟乙烷、四氟甲烷、三氟甲烷、1,1-二氟乙烯、氧化三氟胺、順式-二氟化二氮、反式-二氟化二氮、二氟氯化氮、三氘化磷、四氟化二氮、臭氧、膦、亞硝醯氟、三氟化氮、氯化氘、氙氣、六氟化硫、氟甲烷、五氟乙烷、1,1-二氟乙烯、二硼烷、水、四氟肼、矽烷、四氟化矽、四氫化鍺、三氟化硼、碳醯氟、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、氟乙烯等。
作為壓縮氣體或超臨界流體，較佳為二氧化碳、氮氣、一氧化二氮、乙烯、乙烷、四氟乙烯、全氟乙烷、四氟甲烷、三氟甲烷、1,1-二氟乙烯。
作為壓縮氣體或超臨界流體，尤佳為二氧化碳、氮氣、氦氣、氬氣。
就抑制聚合體（聚合物膜）之變形之觀點而言，使聚合體（聚合物膜）含浸壓縮氣體或超臨界流體之溫度較佳為聚合體（聚合物膜）之玻璃轉移溫度以下。
使聚合體（聚合物膜）含浸壓縮氣體或超臨界流體之時間雖亦根據聚合體（聚合物膜）之厚度等而不同，但較佳為5分鐘以上，更佳為30分鐘以上。
另外，就生產性之觀點而言，使聚合體（聚合物膜）含浸壓縮氣體或超臨界流體之時間較佳為48小時以下，更佳為24小時以下，進一步較佳為12小時以下。
然後，藉由對前述發泡性聚合體（發泡性聚合物膜）進行加熱，使含浸之壓縮氣體或超臨界流體氣化，而獲得發泡體（發泡膜）。該加熱於非加壓下實施。
作為前述加熱所使用之裝置，例如可舉例為：熱風循環式熱處理爐、熱壓機、油浴、鹽浴等。
加熱溫度較佳為150℃至350℃，更佳為170℃至250℃。
加熱時間只要以發泡完成之時間進行設定即可。
較佳為藉由在使聚合體（聚合物膜）中含浸之壓縮氣體或含浸之超臨界流體氣化後，將已發泡之發泡性聚合體（發泡性聚合物膜）冷卻至室溫附近為止，而獲得發泡體（發泡膜）。
另外，較佳為於將已發泡之發泡性聚合體（發泡性聚合物膜）冷卻至室溫附近為止後，對發泡性聚合體（發泡性聚合物膜）進行加熱使其結晶化，而獲得發泡體（發泡膜）。
第1實施方式之發泡體係以上述方式構成，因此具有以下之優點。
第1實施方式之發泡體含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)。
前述聚醚醚酮(PEEK)之質量相對於前述聚醚醯亞胺(PEI)之質量之比為50/50至87/13。
聚醚醚酮(PEEK)之熔點高於聚醚醯亞胺(PEI)之玻璃轉移溫度。
第1實施方式之發泡體藉由含有聚醚醚酮(PEEK)，而耐熱性優異。
尤其是第1實施方式之發泡體中，聚醚醚酮(PEEK)之質量相對於聚醚醯亞胺(PEI)之質量之比為50/50以上，即，第1實施方式之發泡體含有大量聚醚醚酮(PEEK)，藉此第1實施方式之發泡體之耐熱性更進一步優異。
發泡體係藉由利用加熱使發泡性聚合物組成物發泡而獲得。
另外，如上所述，聚醚醚酮(PEEK)之熔點高於聚醚醯亞胺(PEI)之玻璃轉移溫度。
第1實施方式之發泡體中，聚醚醚酮(PEEK)之質量相對於聚醚醯亞胺(PEI)之質量之比為85/15以下，即，發泡體之製作所使用之發泡性聚合物組成物含有較多聚醚醯亞胺(PEI)，藉此若對該發泡性聚合物組成物進行加熱以使該發泡性聚合物組成物發泡，則該發泡性聚合物組成物易於變得柔軟，該發泡性聚合物組成物變得易於發泡。另外，聚醚醯亞胺(PEI)與聚醚醚酮(PEEK)之相溶性優異，基於此，該發泡性聚合物組成物亦變得易於發泡。其結果，所獲得之發泡體之發泡倍率變高。
另外，空氣之相對介電係數較含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)之聚合物低，聚醚醚酮(PEEK)與聚醚醯亞胺(PEI)之相對介電係數為相同程度。因此，藉由使含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)之發泡體之發泡倍率高，該發泡體之相對介電係數會變低。
藉此，由於第1實施方式之發泡體之發泡倍率高，因此第1實施方式之發泡體之相對介電係數變低。
此外，聚醚醚酮(PEEK)之吸濕性低，因此可抑制水分所導致之絕緣性下降。
因此，第1實施方式之發泡體之絕緣性優異。
根據以上，第1實施方式之發泡體之絕緣性及耐熱性優異。 ＜第2實施方式之發泡體及發泡膜＞
接下來，對第2實施方式之發泡體及發泡膜進行說明。
另外，省略與第1實施方式重複之說明，且第2實施方式中未特別說明者設為與第1實施方式中已說明者為相同內容。
作為第2實施方式之發泡體之發泡膜含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)。
第2實施方式之發泡體之相對介電係數為2.4以下。
第2實施方式之發泡體之相對介電係數較佳為2.3以下，更佳為2.2以下，進而較佳為2.1以下，特佳為2.0以下。
前述聚醚醚酮(PEEK)之質量相對於前述聚醚醯亞胺(PEI)之質量之比較佳為50/50至87/13，更佳為60/40至85/15，進一步較佳為70/30至80/20。
第2實施方式之發泡體係以上述方式構成，因此具有以下之優點。
第2實施方式之發泡體含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)。
第2實施方式之發泡體之相對介電係數為2.4以下。
聚醚醚酮(PEEK)之熔點高於聚醚醯亞胺(PEI)之玻璃轉移溫度。
第2實施方式之發泡體藉由含有聚醚醚酮(PEEK)，而耐熱性優異。
第2實施方式之發泡體藉由使相對介電係數為2.4以下，而成為絕緣性優異者。
發泡體係藉由利用加熱使發泡性聚合物組成物發泡而獲得。
另外，如上所述，聚醚醚酮(PEEK)之熔點高於聚醚醯亞胺(PEI)之玻璃轉移溫度。
藉由第2實施方式之發泡體之製作所使用之發泡性聚合物組成物含有聚醚醯亞胺(PEI)，若對該發泡性聚合物組成物進行加熱以使該發泡性聚合物組成物發泡，則該發泡性聚合物組成物易於變得柔軟，該發泡性聚合物組成物變得易於發泡。另外，聚醚醯亞胺(PEI)與聚醚醚酮(PEEK)之相溶性優異，基於此，該發泡性聚合物組成物亦變得易於發泡。其結果，所獲得之發泡體之發泡倍率變高。
另外，空氣之相對介電係數較含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)之聚合物低，聚醚醚酮(PEEK)與聚醚醯亞胺(PEI)之相對介電係數為相同程度。因此，藉由使含有聚醚醚酮(PEEK)及聚醚醯亞胺(PEI)之發泡體之發泡倍率高，該發泡體之相對介電係數會變低。
因此，藉由第2實施方式之發泡體含有聚醚醯亞胺(PEI)，易於提高發泡倍率，其結果，易於使相對介電係數降低為2.4以下。
此外，聚醚醚酮(PEEK)之吸濕性低，因此可抑制水分所導致之絕緣性下降。
因此，第2實施方式之發泡體之絕緣性優異。
根據以上，第2實施方式之發泡體之絕緣性及耐熱性優異。 ＜積層膜＞
本實施方式之積層膜係積層2層以上而成之積層膜。
本實施方式之積層膜具有由本實施方式之發泡膜形成之第1層。
另外，本實施方式之積層膜具有由導電箔形成之第2層。
前述導電箔例如由銅等形成。
前述第1層與前述第2層可藉由熱融著而黏接，另外亦可經由黏接劑而黏接。
第2層亦可形成有導電性電路。
可利用減成法（蝕刻）、加成法（鍍覆）、印模法（模具）、導體印刷法（導電膏）等公知之方法於第2層形成導電性電路。
另外，本發明之發泡體、發泡膜及積層膜可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種變更。
本實施方式之發泡體係用於印刷基板，但本發明之發泡體例如亦可為被覆電線之絕緣膜。
另外，本實施方式之發泡體為發泡膜，但本發明之發泡體例如亦可為筒狀。 [實施例]
接下來，舉出實施例及比較例對本發明更具體地進行說明。另外，本發明並不受該等實施例任何限定。 （材料）
PEEK：聚醚醚酮（Daicel-Evonik公司製造之VESTAKEEP（註冊商標）1000G、VESTAKEEP（註冊商標）2000G、VESTAKEEP（註冊商標）3300G、VESTAKEEP（註冊商標）L4000G、VESTAKEEP（註冊商標）5000G） PEI：聚醚醯亞胺（SABIC公司製造之ULTEM1000） PEKK：聚醚酮酮（山東凱盛公司製造之Kstone PEKK6A114） PPSU：聚苯碸（BASF公司製造之UltrasonP3010） 另外，聚醚醚酮(PEEK)之熔體體積流動速率(MVR)為如下。 VESTAKEEP（註冊商標）1000G：150 cm 3/10min VESTAKEEP（註冊商標）2000G：70 cm 3/10min VESTAKEEP（註冊商標）3300G：20 cm 3/10min VESTAKEEP（註冊商標）L4000G：12 cm 3/10min VESTAKEEP（註冊商標）5000G：7 cm 3/10min （實施例、比較例）
將PEEK及其他樹脂以表1所示之比率（質量份）進行預混合，使用雙軸擠出機（φ：25 mm，L/D：40），於料缸溫度380℃、螺桿轉速200 rpm之條件下進行熔融混練，而獲得樹脂組成物。
利用熱壓機於380℃、60 MPa之條件下將該樹脂組成物壓縮成形，而製作下述表1之比重及厚度之聚合物膜。
將該聚合物膜放入壓力容器（設定溫度：100℃），於該壓力容器內以二氧化碳(CO 2)或氮氣(N 2)加壓1至2小時，而使該聚合物膜含浸超臨界流體狀態之二氧化碳(CO 2)或氮氣(N 2)。
另外，加壓時之壓力（錶壓）於使用二氧化碳(CO 2)時設為20 MPa，於使用氮氣(N 2)時設為70 MPa。
然後，將壓力容器之洩漏閥全開放，以1 MPa/sec之減壓速度釋放壓力容器內之壓力，自壓力容器內取出發泡性聚合物膜。
之後，利用設為規定溫度（發泡溫度：下述表1中所記載之溫度）之熱板將發泡性聚合物膜加熱1分鐘使其發泡。
接著，將已發泡之發泡性聚合物膜之表面冷卻，而獲得下述表1之比重及厚度之發泡膜。
另外，對於實施例1之發泡膜，將發泡膜切斷，利用掃描式電子顯微鏡(SEM)拍攝切斷面。將照片倍率不同之照片示於圖1至圖3。 （結晶化溫度）
對於含浸超臨界流體前之樹脂組成物（4.5至10.0 mg），使用示差掃描熱量測定裝置（SII NanoTechnology股份有限公司製造之X-DSC7000），於30℃保持1分鐘後，以升溫速度20℃/min進行升溫，於410℃保持1分鐘後，以冷卻速度10℃/min進行冷卻並測定熱量。然後，將冷卻過程中最初獲得之熱量之峰值溫度作為結晶化溫度。 （發泡倍率）
利用上述方法求出實施例及比較例之發泡膜之發泡倍率。
發泡倍率示於下述表1。
［表1］
材料 超臨界流體 發泡溫度(℃) 聚合物膜之比重(-) 發泡膜之比重(-) 發泡倍率(-) 聚合物膜之厚度(µm) 發泡膜之厚度(µm) 結晶化溫度(℃)
PEEK PEEK以外之聚合物
型號 質量份 材料 質量份
實施例1 3300G 80 PEI 20 CO 2 250 1.28 0.90 1.42 270 290 284
實施例2 CO 2 230 1.28 0.85 1.51 260 290
實施例3 CO 2 200 1.28 0.75 1.71 280 320
實施例4 CO 2 200 1.28 0.73 1.75 280 330
實施例5 CO 2 350 1.28 0.34 3.76 300 450
實施例6 CO 2 1.28 0.28 4.51 200 310
實施例7 70 30 CO 2 1.28 0.61 2.10 200 250 281
實施例8 60 40 CO 2 1.28 0.25 5.04 200 330 270
實施例9 80 20 CO 2 200 1.28 0.65 1.97 200 240 284
實施例10 1000G 80 20 CO 2 260 1.28 0.64 2.00 200 240 292
實施例11 2000G 80 20 CO 2 1.28 0.64 2.00 200 240 291
實施例12 L4000G 80 20 CO 2 1.28 0.64 2.00 200 240 285
實施例13 5000G 80 20 CO 2 1.28 0.64 2.00 200 240 284
實施例14 3300G 85 15 CO 2 1.28 0.64 2.00 200 240 288
實施例15 75 25 CO 2 1.28 0.64 2.00 200 240 282
實施例16 80 20 N 2 250 1.28 0.66 1.94 100 110 284
實施例17 80 20 N 2 250 1.28 0.76 1.68 50 58 284
實施例18 50 50 CO 2 350 1.28 0.70 1.80 200 220 268
比較例1 90 10 CO 2 260 1.28 1.00 1.28 200 205 290
比較例2 100 - 0 CO 2 350 1.30 1.21 1.07 300 302 292
比較例3 80 PEKK 20 CO 2 350 1.28 1.00 1.28 200 205 291
比較例4 3300G 80 PPSU 20 CO 2 350 1.26 1.04 1.21 200 205 284
比較例5 3300G 40 PEI 60 CO 2 350 1.28 0.74 1.73 200 230 無
比較例6 3300G 30 PEI 70 CO 2 350 1.28 0.45 2.84 200 270 無
（相對介電係數）
利用上述方法求出實施例1至18之發泡膜之相對介電係數。
實施例1至4之發泡膜之相對介電係數示於下述表2。
［表2］
發泡膜之相對介電係數（-）
實施例1 2.3
實施例2 2.2
實施例3 2.0
實施例4 2.0
如前述表1所示，作為實施例1至18之發泡膜之發泡體與作為聚醚醯亞胺(PEI)之量少之比較例1之發泡膜之發泡體、作為未使用聚醚醯亞胺(PEI)之比較例2之發泡膜之發泡體、及作為使用聚醚酮酮(PEKK)或聚苯碸(PPSU)來代替聚醚醯亞胺(PEI)之比較例3、4之發泡膜之發泡體相比，發泡倍率高。
因此，作為實施例1至18之發泡膜之發泡體可以說絕緣性優異。
如前述表2所示，實施例1至4之相對介電係數為2.3以下。另外，實施例5至18之相對介電係數為2.3以下。
如前述表1所示，可測定到構成作為實施例1至18之發泡膜之發泡體的樹脂組成物之結晶化溫度。另一方面，構成作為聚醚醚酮(PEEK)之量少之比較例5、6之發泡膜之發泡體的樹脂組成物之結晶化溫度無法測定到。
因此，可知構成作為實施例1至18之發泡膜之發泡體的樹脂組成物與構成作為比較例5、6之發泡膜之發泡體的樹脂組成物相比結晶性高，即，耐熱性優異。
因此，根據本發明，可提供絕緣性及耐熱性優異之發泡體。
無
[圖1]係實施例1之發泡膜之剖面照片。 [圖2]係實施例1之發泡膜之剖面照片（將圖1放大之照片）。 [圖3]係實施例1之發泡膜之剖面照片（將圖2放大之照片）。

Claims (8)

  1. 一種發泡體，其含有聚醚醚酮及聚醚醯亞胺，且 前述聚醚醚酮之質量相對於前述聚醚醯亞胺之質量之比為50/50至87/13。
  2. 如請求項1之發泡體，其相對介電係數為2.4以下。
  3. 一種發泡體，其含有聚醚醚酮及聚醚醯亞胺，且 相對介電係數為2.4以下。
  4. 如請求項3之發泡體，其中，前述聚醚醚酮之質量相對於前述聚醚醯亞胺之質量之比為50/50以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之發泡體，其發泡倍率為1.30倍以上。
  6. 一種發泡膜，其係由請求項1至5中任一項之發泡體形成，且 厚度為50 µm以上500 µm以下。
  7. 如請求項6之發泡膜，其中，前述厚度為100 µm以上300 µm以下。
  8. 一種積層膜，其係積層2層以上而成之積層膜，且 具有由請求項6或7之發泡膜形成之層。
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