TW202323593A - 易碎性電沉積銅 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種高純度電沉積銅，其係由銅及不可避免雜質組成者，純度為6 N以上，以雜質形式含有之Ag為0.2 ppm以下，所含有之粒徑為0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物為20000個/g以下，電沉積截面之平均粒徑處於40～400 μm之範圍，電沉積截面之最大粒徑處於300～2700 μm之範圍，電沉積面之平均粒徑處於25～150 μm之範圍，電沉積面之最大粒徑處於100～450 μm之範圍，藉由該高純度電沉積銅，可抑制凸起物產生，且同時破碎性優異。

Description

易碎性電沉積銅

本發明係關於一種易碎性電沉積銅。

作為用於生產半導體之Cu系靶之原料，對於高純度銅之要求逐年提高。為Cu系靶之原料的高純度銅，除要求高純度以外，還要求不產生被稱為粒子（particle）之微小夾雜物，即所謂無粒子化。於高純度銅之生產中，由於必須經過銅之電沉積過程，故對於該電沉積銅之製造技術之要求逐年提高。

若提高電流密度以提高電沉積銅之生產性，則於電沉積銅之表面會產生許多被稱為凸起物之突起部分。若該凸起物產生並生長，則有電場之形成變得不均勻，發生意想不到之電氣短路之虞，因此對於電沉積而言並不理想。因此，使用有機物系添加劑進行電沉積銅之表面之平滑化，以防止產生此凸起物。

又，所獲得之電沉積銅於其後受到破碎或溶解處理，成型為成為Cu系靶之原料的鑄錠。

專利文獻1記載了一種粒徑0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物減少至10,000個/g以下之高純度銅。專利文獻1指出，係使電解銅進一步溶解而獲得該高純度銅。

專利文獻2記載了一種具有特定之微晶尺寸及配向指數之高純度電解銅。專利文獻2指出，藉由將由聚乙二醇與聚乙烯醇（PVA）之混合物組成之添加劑添加至電解液，以滿足特定條件之電流密度進行電解而獲得。

專利文獻3記載了一種使用添加有鹽酸之硫酸系電解液來製造低銀含量電解銅之方法。專利文獻3指出，將氫溴酸添加至電解液以除去銀離子。但是，用以平滑化之有機物系添加劑未添加至電解液中，專利文獻3之電沉積銅很可能多次產生了凸起物。

專利文獻4則記載了一種於硝酸銅溶液中進行電解純化時，於電沉積銅表面不會產生亞硝酸氣體之高純度銅之製造方法。專利文獻4指出，藉由在電解液中添加規定量氫鹵酸，而抑制了亞硝酸氣泡之產生。但是，用以平滑化之有機物系添加劑未添加至電解液中，專利文獻4之電沉積銅很可能多次產生了凸起物。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利4620185號公報 [專利文獻2]日本專利6714909號公報 [專利文獻3]日本專利5010535號公報 [專利文獻4]日本專利3102177號公報

[發明所欲解決之課題]

就抑制電沉積銅產生凸起物之觀點而言，使用有機物系添加劑之有效性極大。而且，就操作穩定之觀點而言，抑制電沉積銅產生凸起物之價值極大。

另一方面，若根據本發明人之研究可知，於電沉積銅之製造中，若將有機物系添加劑添加至電解液中來使用，則所獲得之電沉積銅之強度提高，破碎性變差。

通常，所獲得之電沉積銅由於其後會受到破碎或溶解處理，成型為成為Cu系靶之原料的鑄錠，因此破碎性變差會降低生產性。除此以外，若破碎性變差，則為了破碎，還必須使用金屬製破碎器具，且破碎操作會導致雜質混入之機會增加，而增大了產生粒子之風險。即，即便剛獲得之電沉積銅的特性優異，破碎性差之電沉積銅亦會在成為Cu系靶之原料前，因破碎步驟而失去優異之特性。

因此，本發明之目的在於提供一種於抑制凸起物產生之同時，破碎性優異的高純度電沉積銅。 [解決問題之技術手段]

本發明人經潛心研究後，結果發現藉由下述手段，能夠實現上述目的，而完成了本發明。

因此，本發明包括以下之（1）。 （1） 一種高純度電沉積銅，其係由銅及不可避免雜質組成者， 純度為6 N以上， 以雜質形式含有之Ag為0.2 ppm以下， 所含有之粒徑為0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物為20000個/g以下， 電沉積截面之平均粒徑處於40～400 μm之範圍， 電沉積截面之最大粒徑處於300～2700 μm之範圍， 電沉積面之平均粒徑處於25～150 μm之範圍， 電沉積面之最大粒徑處於100～450 μm之範圍。 [發明之效果]

若根據本發明，能夠製造於抑制凸起物產生之同時，破碎性優異的高純度電沉積銅。該高純度電沉積銅由於強度降低，破碎性優異，故其後之破碎步驟變得容易，且破碎步驟中之雜質混入的風險為最小限度。因此，本發明之高純度電沉積銅之優異特性不會因破碎步驟而喪失，可適用作為Cu系靶之原料。

以下舉具體之實施形態對本發明詳細地進行說明。本發明並不限定於以下所揭示之具體實施形態。

[高純度電沉積銅] 本發明提供一種高純度電沉積銅，其係由銅及不可避免雜質組成者，純度為6 N以上，以雜質形式含有之Ag為0.2 ppm以下，所含有之粒徑0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物例如為20000個/g以下，較佳為15000個/g以下，電沉積截面之平均粒徑處於40～400 μm之範圍，電沉積截面之最大粒徑處於300～2700 μm之範圍，電沉積面之平均粒徑處於25～150 μm之範圍，電沉積面之最大粒徑處於100～450 μm之範圍。

[純度] 於較佳之實施態樣中，高純度電沉積銅之純度例如可為6 N（99.9999質量%）以上。高純度電沉積銅之純度上限並無特別限制，例如可為7 N（99.99999質量%）以下。

[雜質] 於較佳之實施態樣中，作為高純度電沉積銅所含有之雜質，可舉以下之元素及含量（質量ppm）。 Ag：例如0.2 ppm以下，較佳為0.1 ppm以下 Br：例如0.1 ppm以下，較佳為0.05 ppm以下 Cl：例如1 ppm以下，較佳為0.5 ppm以下

[非金屬夾雜物] 於較佳之實施態樣中，關於高純度電沉積銅所含有之非金屬夾雜物，例如粒徑0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物，例如可為20000個/g以下，較佳為15000個/g以下。本發明中之非金屬夾雜物，係指以LPC測定之方式檢測之LPC。非金屬夾雜物可藉由後述實施例中之手段進行測定。非金屬夾雜物之含量下限並無特別限制，例如粒徑0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物可為50個/g以上，或者100個/g以上，或者500個/g以上，或者1000個/g以上。

[電沉積截面] 於較佳之實施態樣中，高純度電沉積銅於電沉積截面所觀察到之平均粒徑，例如可為40～400 μm之範圍，較佳為50～350 μm之範圍，進而較佳為80～300 μm之範圍，進而較佳為100～250 μm之範圍，尤佳為100～200 μm之範圍，或者較佳為80～400 μm之範圍，進而較佳為100～400 μm之範圍，進而較佳為100～300 μm之範圍。

於較佳之實施態樣中，高純度電沉積銅於其電沉積截面所觀察到之最大粒徑，例如可為300～2700 μm之範圍，較佳為450～2500 μm之範圍，進而較佳為450～2000 μm之範圍，進而較佳為450～1500 μm之範圍，進而較佳為450～1000 μm之範圍，或者為300～2000 μm之範圍，進而較佳為300～1500 μm之範圍，進而較佳為300～1000 μm之範圍。

電沉積截面係指將電沉積於陰極板之銅在與陰極板之面的法線方向平行之面切斷而得到的截面。於電沉積截面之平均粒徑及最大粒徑，可藉由後述實施例中之手段進行測定。

[電沉積面] 於較佳之實施態樣中，高純度電沉積銅於其電沉積面所觀察到之平均粒徑，例如可為25～150 μm之範圍，較佳為50～130 μm之範圍，進而較佳為65～115 μm之範圍，尤佳為75～100 μm之範圍。

於較佳之實施態樣中，高純度電沉積銅於其電沉積面所觀察到之最大粒徑，例如可為100～450 μm之範圍，較佳為150～350 μm之範圍，尤佳為200～300 μm之範圍，或者較佳為150～450 μm之範圍，進而較佳為200～450 μm之範圍，尤佳為250～400 μm之範圍。

電沉積面係指電沉積於陰極板之銅與陰極板接觸之面。此電沉積面可藉由自陰極板剝離電沉積銅而加以觀察。於電沉積面之平均粒徑及最大粒徑，可藉由後述實施例中之手段進行測定。

[破碎性] 於較佳之實施態樣中，本發明之高純度電沉積銅係具備優異破碎性者。本發明之高純度電沉積銅的強度降低，破碎性優異，因此其後之破碎步驟變得容易，且破碎步驟中之雜質混入的風險為最小限度。因此，本發明之高純度電沉積銅的優異特性不會因破碎步驟而喪失，可適用作為Cu系靶之原料。破碎性可藉由後述實施例中之試驗進行確認。

[本發明之較佳態樣] 作為較佳之實施態樣，本發明包括以下之（1）～（6）。 （1） 一種高純度電沉積銅，其係由銅及不可避免雜質組成者， 純度為6 N以上， 以雜質形式含有之Ag為0.2 ppm以下， 所含有之粒徑0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物為20000個/g以下， 電沉積截面之平均粒徑處於40～400 μm之範圍， 電沉積截面之最大粒徑處於300～2700 μm之範圍， 電沉積面之平均粒徑處於25～150 μm之範圍， 電沉積面之最大粒徑處於100～450 μm之範圍。 （2） 如（1）所記載之高純度電沉積銅，其中，電沉積截面之平均粒徑處於50～350 μm之範圍， 電沉積截面之最大粒徑處於450～2500 μm之範圍。 （3） 如（1）～（2）中任一項所記載之高純度電沉積銅，其中，電沉積面之平均粒徑處於65～115 μm之範圍， 電沉積面之最大粒徑處於150～350 μm之範圍。 （4） 如（1）～（3）中任一項所記載之高純度電沉積銅，其中，作為以雜質形式含有之元素，Ag為0.1 ppm以下，Br為0.05 ppm以下，Cl為5 ppm以下。 （5） 如（1）～（4）中任一項所記載之高純度電沉積銅，其中，所含有之粒徑為0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物為15000個/g以下。 （6） 如（1）～（5）中任一項所記載之高純度電沉積銅，其係高破碎性高純度電沉積銅。 [實施例]

以下舉實施例對本發明詳細地進行說明。本發明並不限定於以下例示之實施例。

[實施例1] [電沉積銅之製造] 根據以下之條件，使用電解槽進行電解，製造高純度電沉積銅。 陰極：Ti板 陽極：4 N電解銅 陰極與陽極間之距離：40～60 mm 電解液組成：硝酸銅溶液 電解液中之HBr（添加劑）：以Br濃度達到1～10 mg/L之方式添加HBr 電解液Cu濃度：50～100 g/L 電解液溫度：15～35℃ 電解液pH值：0.8～1.8 電流密度：0.5～1.5 A/dm ²電解時間：240小時

將實施例1中添加至電解液中之添加劑的種類及開始時電解液成分之含量示於表1。PVA為聚乙烯醇。

[表1]

	添加劑	電解液中之含量	添加速度
Cu	Ag	Cl	Br	PVA	PVA
g/L	mg/L	mg/L	mg/L	mg/kg	mg/L･h
實1	HBr	72.0	0.008	10	2	-	-
比1	PVA＋HCl	72.6	0.004	36	-	3.2	0.06
比2	PVA＋HBr	58.4	0.003	21	8	未檢測出	0.05

[電沉積銅之評估] [電沉積銅之品質] 對於實施例1之電沉積銅，雖觀察到產生通常程度之凸起物，但未特別觀察到會發生短路之類的異常生長之凸起物。即，於製造步驟中，充分抑制了凸起物產生。 採集一部分藉由實施例1所獲得之電沉積銅（試樣1），並藉由GDMS（Glow Discharge Mass Spectrometry，輝光放電質譜法）分析含有成分。將所獲得之結果示於表2-1～表2-2。於無特別說明之情形下，各者之含量單位為質量ppm。用不等號記載之值表示未達各自之測定極限值。可知於基於GDMS之測定中，實施例1中所製作之電沉積銅的純度為6 N（99.9999質量%）。將利用GDMS進行過測定中之15個成分示於以下。

[表2-1]

	Na	Al	Si	S	Cl	Ca	Fe	Ni
實1	＜0.005	0.001	＜0.005	0.025	0.2	＜0.005	＜0.001	＜0.001
比1	＜0.005	＜0.001	0.004	＜0.005	5.3	＜0.005	＜0.001	＜0.001
比2	＜0.005	＜0.001	＜0.005	0.003	11.3	＜0.005	＜0.001	＜0.001

[表2-2]

	As	Br	Ag	Sn	Sb	Pb	Bi
實1	＜0.005	＜0.05	0.09	＜0.01	＜0.002	＜0.002	＜0.001
比1	＜0.005	＜0.05	0.08	＜0.01	＜0.002	＜0.002	＜0.001
比2	＜0.005	＜0.05	0.04	＜0.01	＜0.002	＜0.002	＜0.001

[電沉積銅之結晶粒度] 將藉由實施例1所獲得之電沉積銅（試樣1）切割為10～20 mm見方，對電沉積面及電沉積截面分別進行濕式研磨至#1000後，用電解研磨裝置（Struers/LectroPol-5）實施電解研磨及蝕刻。

進行電解研磨及蝕刻後，用光學顯微鏡（Nikon/ECRIPSE MA200）對電沉積面及電沉積截面拍攝組織照片，使用解析軟體（Nikon/NIS-Elements），按照ASTM標準中之ASTM E 112-96進行結晶粒度評估。對於實施例1，觀察倍率設為50倍。於比較例1、2中，由於所觀察之晶粒小，因此考慮到測定之精度，將觀察倍率設為400倍。將結晶粒度評估之結果示於表3。平均粒徑係指拍攝組織照片之視野中之粒徑的平均值，而最大粒徑則是指於拍攝組織照片之視野中所測定之粒徑的最大值。進行組織觀察之樣品係自電沉積之中心附近切下，對電沉積面、電沉積截面各1個樣品中隨機選擇出之2處，於50倍之觀察倍率下觀察2502.6 μm×1779.6 μm之視野，於400倍之觀察倍率下觀察314.2 μm×223.4 μm之視野而進行粒度測定。對於電沉積截面，為了對自電沉積面生長之電沉積物的整個生長方向進行觀察，於電沉積截面中之電沉積中心附近，選擇2處測定位置，並於各測定位置，將自電沉積面至電沉積物之生長方向之前端為止的全長於50倍之觀察倍率下分割為2502.6 μm×1779.6 μm大小之視野，於400倍之觀察倍率下分割為314.2 μm×223.4 μm大小之視野進行拍攝，對拍攝所得之各圖像進行粒度測定。於50倍之觀察倍率下，所分割之視野的個數為2～5個，因此對所有視野進行粒度測定。於400倍之觀察倍率下，所分割之視野的個數達到數十個，因此針對各測定位置，抽取2個視野，並對該視野進行粒度測定。關於視野之抽取，係對於各測定位置，將自電沉積面至電沉積生長前端之間於電沉積生長方向上分為上半部分與下半部分，於自上半部分起避開電沉積生長前端附近且不過度靠近一半之線之處抽取1個代表性視野，於自下半部分起避開陰極板附近且不過度靠近一半之線之處抽取1個代表性視野，藉此對各測定位置抽取2個視野。

[表3]

	最大點應力 (MPa)	平均粒徑 （μm）	最大粒徑 (μm)	LPC (個/g)
抗彎試驗	電沉積截面	電沉積面	電沉積截面	電沉積面
實1	88.4	145.2	92.3	455.2	280.3	14620
比1	266.6	28.6	17.5	141.5	72.4	3910
比2	319.7	21.8	22.4	72.5	135.3	34950

[電沉積銅之LPC分析] 對於藉由實施例1所獲得之電沉積銅（試樣1），按照以下順序進行LPC（Liquid Particle Counter，液體粒子計數器）分析。 取樣5 g電沉積銅，以不會使夾雜物溶解之方式，緩慢地用210 cc之酸進行溶解，進而將其用純水稀釋至500 cc，並取10 cc，用液體中粒子感測器（九州RION股份有限公司）之KS-42C，基於JIS B9925進行測定。

將LPC分析之結果示於表3。該LPC分析係根據裝置之規格來測定粒徑0.5 μm以上20 μm以下之非金屬粒子的分析。

[電沉積銅之抗彎試驗] 對於實施例1所獲得之電沉積銅（試樣1），按照以下順序進行抗彎試驗。 將電沉積銅切割為3×4×35 mm，濕式研磨至#200。用單軸試驗機（A&D）之STB-1225S對所製作之樣品實施抗彎試驗。試驗條件如下。 動作模式：單一動作 動作方向：向下 變形模式：3點彎曲試驗 速度模式：移動速度恆定控制 移動速度：0.5 mm/min 目標負載：5 N 蠕變速度：10 mm/min 保持時間：3 s

將抗彎試驗之結果示於表3。

[電沉積銅之破碎性] 將實施例1所獲得之電沉積銅（試樣1）的一部分切割為20 mm見方而製作成試驗片，進行破碎性試驗。

破碎性試驗係藉由如下方式進行，即，將鑿子放置於試驗片之中央附近，並用錘子以一定的力量反覆敲擊該鑿子，觀察試驗片是否因此而破碎。

基於實施例1之電沉積銅（試樣1）所製作的試驗片，若敲擊10次左右，則龜裂自放置鑿子之部位開始擴展，產生了破裂。

圖1A示出將藉由實施例1所獲得之電沉積銅（試樣1）的一部分切割為20 mm見方而成的試驗片之外觀圖像。圖1B示出因破碎性試驗而破碎之試樣1之試驗片的外觀圖像。

[比較例1] [電沉積銅之製造] 除了變更以下所示之條件以外，其餘皆以與實施例1相同之方式進行電沉積，製作比較例1之高純度電沉積銅。 電解液組成：硝酸銅溶液 HCl（添加劑）：以Cl濃度達到20～40 mg/L之方式添加HCl PVA（添加劑）：以PVA濃度達到0.5～1.5 mg/L之方式添加 電流密度：1.4～2.0 A/dm ²

表1示出比較例1中添加至電解液中之添加劑的種類，及開始時與結束時之電解液成分的含量。

[電沉積銅之評估] 為了評估電沉積銅之品質，採集一部分藉由比較例1所獲得之電沉積銅（試樣2），以與實施例1相同之方式，藉由GDMS分析含有成分。將所獲得之結果示於表2-1～表2-2。比較例1中所製作之電沉積銅的純度為5 N。

關於電沉積銅之結晶粒度，以與實施例1相同之方式，對藉由比較例1所獲得之電沉積銅（試樣2）進行評估。將結晶粒度評估之結果示於表3。

以與實施例1相同之方式，對藉由比較例1所獲得之電沉積銅（試樣2）進行電沉積銅之LPC分析、抗彎試驗。將評估之結果示於表3。

以與實施例1相同之方式，對藉由比較例1所獲得之電沉積銅（試樣2）進行電沉積銅之破碎性評估。

基於比較例1之電沉積銅（試樣2）所製作之試驗片於敲擊20次後，殘留有凹痕，但未產生破裂。

圖2A示出將藉由比較例1所獲得之電沉積銅（試樣2）的一部分切割為20 mm見方而成的試驗片之外觀圖像。圖2B示出未因破碎性試驗而破碎之試樣2之試驗片的外觀圖像。

[比較例2] [電沉積銅之製造] 除了變更以下所示之條件以外，其餘皆以與實施例1相同之方式進行電沉積，製作比較例2之高純度電沉積銅。 電解液組成：硝酸銅溶液 HBr（添加劑）：以Br達到10～10 mg/L之方式添加HBr PVA（添加劑）：以PVA達到0.5～1.5 mg/L之方式添加 電流密度：1.4～2.0 A/dm ²

表1示出比較例2中添加至電解液中之添加劑的種類，及開始時與結束時之電解液成分的含量。

[電沉積銅之評估] 為了評估電沉積銅之品質，採集一部分藉由比較例2所獲得之電沉積銅（試樣3），以與實施例1相同之方式，藉由GDMS對含有成分進行分析。將所獲得之結果示於表2-1～表2-2。比較例2中所製作之電沉積銅的純度為4 N。

關於電沉積銅之結晶粒度，以實施例1相同之方式對比較例2所獲得之電沉積銅（試樣3）進行評估。將結晶粒度評估之結果示於表3。

以與實施例1相同之方式，對藉由比較例2所獲得之電沉積銅（試樣3）進行電沉積銅之LPC分析、抗彎試驗、拉伸試驗。將評估之結果示於表3。

以與實施例1相同之方式，對藉由比較例2所獲得之電沉積銅（試樣3）進行電沉積銅之破碎性評估。

基於比較例2之電沉積銅（試樣3）所製作之試驗片於敲擊20次後，殘留有凹痕，但未破裂。

圖3A示出將藉由比較例2所獲得之電沉積銅（試樣3）的一部分切割為20 mm見方而成的試驗片之外觀圖像。圖3B示出未因破碎性試驗而破碎之試樣3之試驗片的外觀圖像。

[關於評估結果] 藉由實施例1所獲得之電沉積銅在利用上述電解進行製造時，儘管未添加PVA，但於長時間之電解中凸起物之產生被抑制至不會造成任何妨礙之程度。而且，藉由實施例1所獲得之電沉積銅的破碎性優異，藉由使用容易清洗之器具的簡單操作即可加以破碎。藉此，對於藉由實施例1所獲得之電沉積銅，不需要在為了將電沉積銅成型為鑄錠而將其放入坩堝等作業之前，利用切割器具進行切割的作業。即，藉由實施例1所獲得之電沉積銅能夠在原理上避免因利用切割器具進行切割之作業而混入經常易混入之其他金屬元素的機會。

藉由比較例1及比較例2所獲得之電沉積銅在利用上述電解進行製造時，藉由添加PVA，於長時間之電解中將凸起物之產生抑制至不會成為任何妨礙之程度。然而，藉由比較例1及比較例2所獲得之電沉積銅的破碎性差，藉由使用容易清洗之器具的簡單操作並無法加以破碎。因此，對於藉由比較例1及比較例2所獲得之電沉積銅，需要在為了將電沉積銅成型為鑄錠而將其放入坩堝等作業之前，利用切割器具進行切割之作業。即，藉由比較例1及比較例2所獲得之電沉積銅，無法避免因利用切割器具進行切割之作業而混入經常易混入之其他金屬元素的機會。

藉由本案發明所獲得之電沉積銅係在抑制較大凸起物產生之同時，為高純度且夾雜物少之電沉積銅，且同時為強度低而破碎性良好之電沉積銅的原因雖不詳，但本發明人認為是否係藉由如下方式實現，即於電解液添加氫鹵酸且同時調整電解條件，將電沉積截面之晶粒控制在規定之粒徑範圍內，同時將電沉積面之晶粒亦控制在規定之粒徑範圍內。即，本發明人認為，是否是若添加PVA等有機物系添加劑，則所獲得之電沉積銅的組織變得微細，可有效抑制凸起物產生，另一方面，破碎性降低。而且，本發明人認為，為了良好之破碎性及充分抑制凸起物產生，特別重要之因素為針對電沉積截面及電沉積面這兩面，將晶粒之平均粒徑及最大粒徑控制在特定之範圍內。 [產業上之可利用性]

本發明提供一種於抑制凸起物產生之同時，破碎性優異的高純度電沉積銅。本發明係產業上有用之發明。

無

[圖1A]係將藉由實施例1所獲得之電沉積銅（試樣1）之一部分切割為50 mm見方而成的試驗片其外觀之圖像。 [圖1B]係因破碎性試驗而破碎之試樣1之試驗片其外觀的圖像。 [圖2A]係將藉由比較例1所獲得之電沉積銅（試樣2）之一部分切割為50 mm見方而成的試驗片其外觀之圖像。 [圖2B]係未因破碎性試驗而破碎之試樣2之試驗片其外觀的圖像。 [圖3A]係將藉由比較例2所獲得之電沉積銅（試樣3）之一部分切割為50 mm見方而成的試驗片其外觀之圖像。 [圖3B]係未因破碎性試驗而破碎之試樣3之試驗片其外觀的圖像。

Claims (6)

1. 一種高純度電沉積銅，其係由銅及不可避免雜質組成者， 純度為6 N以上， 以雜質形式含有之Ag為0.2 ppm以下， 所含有之粒徑為0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物為20000個/g以下， 電沉積截面之平均粒徑處於40～400 μm之範圍， 電沉積截面之最大粒徑處於300～2700 μm之範圍， 電沉積面之平均粒徑處於25～150 μm之範圍， 電沉積面之最大粒徑處於100～450 μm之範圍。
2. 如請求項1之高純度電沉積銅，其中，電沉積截面之平均粒徑處於50～350 μm之範圍， 電沉積截面之最大粒徑處於450～2500 μm之範圍。
3. 如請求項1之高純度電沉積銅，其中，電沉積面之平均粒徑處於65～115 μm之範圍， 電沉積面之最大粒徑處於150～350 μm之範圍。
4. 如請求項1之高純度電沉積銅，其中，作為以雜質形式含有之元素，Ag為0.1 ppm以下，Br為0.05 ppm以下，Cl為5 ppm以下。
5. 如請求項1之高純度電沉積銅，其中，所含有之粒徑為0.5 μm以上20 μm以下之非金屬夾雜物為15000個/g以下。
6. 如請求項1至5中任一項之高純度電沉積銅，其係高破碎性高純度電沉積銅。

Images