TW202320483A - 積層型電子零件 - Google Patents

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Abstract

本發明之電子零件係具備：積層體；及電感器，其捲繞於與積層方向正交之軸周圍。電感器係包含第1導體層部與2個通孔行。第1導體層部係包含在積層方向上配置於互不相同之位置且並聯連接之2個導體層。第1導體層之面積係大於第2導體層之面積。

Description

積層型電子零件
本發明係關於一種包含電感器之積層型電子零件。
小型行動通訊機器中廣泛使用以下構成：設置在系統及使用頻帶區域不同之數個應用程式中共通使用之天線，且使用分支濾波器將該天線收發之數個信號分離。
一般而言，將第1頻帶區域內之頻率之第1信號、與較第1頻帶區域高之第2頻帶區域內之頻率之第2信號分離之分支濾波器係具備：共通埠、第1信號埠、第2信號埠、設置於自共通埠至第1信號埠之第1信號路徑上之第1濾波器、及設置於自共通埠至第2信號埠之第2信號路徑上之第2濾波器。作為第1及第2濾波器，係例如：使用利用電感器與電容器構成之電感電容(LC，Inductance-Capacitance)共振器。
作為分支濾波器，已知有如臺灣專利申請案公開第201644093A號所揭示，使用包含積層之數個介電層之積層體者。又，作為用於LC共振器之電感器，已知有如臺灣專利申請案公開第201644093A號、臺灣專利申請案公開第201412017A號所揭示，於電感器導體層之兩端分別連接有通孔導體之電感器。臺灣專利申請案公開第201644093A號、臺灣專利申請案公開第201412017A號中，積層有具有相同平面形狀之數個電感器導體層。
構成分支濾波器之積層體係例如依以下方式形成。首先，製作之後成為數個介電層之數個陶瓷坯片。於各陶瓷坯片形成有之後成為數個導體層之數個煅燒前導體層、及之後成為數個通孔之數個煅燒前通孔。接下來，將數個陶瓷坯片積層而製作坯片積層體。接下來，將該坯片積層體切斷而製作煅燒前積層體。接下來，對該煅燒前積層體中之陶瓷與導體藉由低溫共燒步驟進行煅燒而完成積層體。
如臺灣專利申請案公開第201644093A號、臺灣專利申請案公開第201412017A號所揭示之電感器般，於積層有具有相同平面形狀之數個電感器用導體層之情況下，若因陶瓷坯片之偏移等而導致數個電感器用導體層偏移，則電感器之特性將會發生變化。
上述問題並不限於分支濾波器，適用於所有包含電感器之積層型電子零件。
本發明之目的在於，提供一種具備可抑制特性變動之電感器的積層型電子零件。
本發明之積層型電子零件係具備：積層體，其包含積層之數個介電層；及至少1個電感器，其與積層體一體化，且捲繞於與數個介電層之積層方向正交之軸周圍。至少1個電感器係包含第1通孔行、第2通孔行、及連接第1通孔行之一端與第2通孔行之一端之第1導體層部。第1通孔行與第2通孔行之各者係藉由2個以上之通孔串聯連接而構成。第1導體層部係包含在積層方向上配置於互不相同之位置且並聯連接之第1導體層與第2導體層。第1導體層之面積係大於第2導體層之面積。
本發明之積層型電子零件中，第2導體層係自與積層方向平行之一方向觀察時，亦可配置於第1導體層之外緣內側。又，自與積層方向平行之一方向觀察時之第2導體層之形狀，亦可與自與積層方向平行之一方向觀察時之第1導體層之形狀為相似形。又，第1導體層亦可配置於第2導體層與軸之間。
又，本發明之積層型電子零件中，第1導體層與第2導體層之各者亦可包含在與積層方向正交之第1方向延伸之第1部分、及在與積層方向正交之第2方向延伸之第2部分。或者，第1導體層與第2導體層之各者，亦可在與積層方向正交之一方向延伸。
又，本發明之積層型電子零件中，至少1個電感器亦可具備數個電感器。該情況下，數個電感器中之至少1個所包含之第1導體層與第2導體層之各者，亦可包含在與積層方向正交之第1方向延伸之第1部分、及在與積層方向正交之第2方向延伸之第2部分。數個電感器中之其他至少1個所包含之第1導體層與第2導體層之各者，亦可在與積層方向正交之一方向延伸。
又，本發明之積層型電子零件中，至少1個電感器亦可進而包含與第2通孔行之另一端連接之第2導體層部。第2導體層部亦可包含在積層方向上積層之第3導體層與第4導體層。第4導體層之面積亦可大於第3導體層之面積。第4導體層亦可配置於第3導體層與軸之間。
本發明之積層型電子零件中，至少1個電感器之第1導體層部係包含在積層方向上配置於互不相同之位置且並聯連接之第1導體層與第2導體層。第1導體層之面積係大於第2導體層之面積。藉此，根據本發明，可抑制電感器之特性變動。
本發明之其他目的、特徵及利益係可藉由以下之說明而變得十分清楚。
以下，參照圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。首先，參照圖1，對本發明之一實施形態之積層型電子零件(以下，簡稱為電子零件)1之構成之概略進行說明。圖1中，作為電子零件1之例而表示分支濾波器(雙工器)。分支濾波器係具備：第1濾波器10，其選擇性地使第1通帶區域內之頻率之第1信號通過；及第2濾波器20，其選擇性地使較第1通帶區域高之第2通帶區域內之頻率之第2信號通過。
電子零件1係進而具備共通埠2、第1信號埠3、第2信號埠4、連接共通埠2與第1信號埠3之第1信號路徑5、及連接共通埠2與第2信號埠4之第2信號路徑6。第1濾波器10係在電路構成上設置於共通埠2與第1信號埠3之間。第2濾波器20係在電路構成上設置於共通埠2與第2信號埠4之間。第1信號路徑5係自共通埠2經由第1濾波器10到達第1信號埠3之路徑。第2信號路徑6係自共通埠2經由第2濾波器20到達第2信號埠4之路徑。
第1通帶區域內之頻率之第1信號係選擇性地通過設置有第1濾波器10之第1信號路徑5。第2通帶區域內之頻率之第2信號係選擇性地通過設置有第2濾波器20之第2信號路徑6。如此，電子零件1係將第1信號與第2信號分離。
接下來，參照圖1對第1濾波器10之構成之一例進行說明。第1濾波器10係包含電感器L11、L12、L13、及電容器C11、C12、C13、C14、C15、C16。電感器L11、L12係在電路構成上設置於第1信號路徑5上。又，電感器L11係在電路構成上設置於較電感器L12更靠近第1信號埠3之位置。電感器L11之一端係連接於第1信號埠3。電感器L11之另一端係連接於電感器L12之一端。電感器L12之另一端係連接於共通埠2。
電容器C11係與電感器L11並聯連接。電容器C12係與電感器L12並聯連接。電容器C13之一端係連接於電感器L11之一端。電容器C13之另一端係連接於電感器L12之另一端。
電容器C14之一端係連接於電感器L11之一端。電容器C15之一端係連接於電感器L11與電感器L12之連接點。電容器C14、C15之各另一端係連接於電感器L13之一端。電感器L13之另一端係連接於地線。電容器C16係與電感器L13並聯連接。電感器L13係在電路構成上設置於第1信號路徑5與地線之間。
接下來，參照圖2對第2濾波器20之構成之一例進行說明。第2濾波器20係包含電感器L21、L22、及電容器C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31。電容器C21之一端係連接於第2信號埠4。電容器C21之另一端係連接於電容器C22之一端。電容器C22之另一端係連接於電容器C23之一端。電容器C23之另一端係連接於共通埠2。
電容器C24之一端係連接於電容器C21之一端。電容器C24之另一端係連接於電容器C22之另一端。電容器C25之一端係連接於電容器C22與電容器C23之連接點。
電感器L21係在電路構成上設置於第2信號路徑6與地線之間。電感器L21係包含電感器部分211、212。電感器部分211之一端係連接於電容器C21與電容器C22之連接點。電感器部分211之另一端係連接於電感器部分212之一端。電感器部分212之另一端係連接於地線。
電感器L22係在電路構成上設置於第2信號路徑6與地線之間。又，電感器L22係在電路構成上設置於較電感器L21更靠近共通埠2之位置。電感器L22係包含電感器部分221、222。電感器部分221之一端係連接於電容器C25之另一端。電感器部分221之另一端係連接於電感器部分222之一端。電感器部分222之另一端係連接於地線。
電感器L21之電感器部分211與電感器L22之電感器部分221係相互磁耦合。電感器L21之電感器部分212與電感器L22之電感器部分222係相互未磁耦合。
電容器C26係與電感器L21之電感器部分211並聯連接。電容器C27係與電感器L21之電感器部分212並聯連接。電容器C28之一端係連接於電感器部分211之一端。電容器C28之另一端係連接於電感器部分212之另一端。
電容器C29係與電感器L22之電感器部分221並聯連接。電容器C30係與電感器L22之電感器部分222並聯連接。電容器C31之一端係連接於電感器部分221之一端。電容器C31之另一端係連接於電感器部分222之另一端。
接下來，參照圖3，對電子零件1之其他構成進行說明。圖3係表示電子零件1之外觀之立體圖。
電子零件1係進而具備積層體50，該積層體50包含積層之數個介電層與數個導體。積層體50係用於使共通埠2、第1信號埠3、第2信號埠4、電感器L11、L12、L13、L21、L22及電容器C11～C16、C21～C31一體化者。第1濾波器10與第2濾波器20係分別使用數個導體而構成。
積層體50係具有位於數個介電層之積層方向T之兩端之底面50A及上表面50B、以及連接底面50A與上表面50B之4個側面50C～50F。側面50C、50D係相互朝向相反側，側面50E、50F亦相互朝向相反側。側面50C～50F係與上表面50B及底面50A垂直。
此處，如圖3所示，定義X方向、Y方向、Z方向。X方向、Y方向、Z方向係相互正交。本實施形態中，將與積層方向T平行之一方向設為Z方向。又，將與X方向相反之方向設為-X方向，將與Y方向相反之方向設為-Y方向，將與Z方向相反之方向設為-Z方向。
如圖3所示，底面50A係位於積層體50之-Z方向之端。上表面50B係位於積層體50之Z方向之端。底面50A及上表面50B之各者之形狀係於X方向具有較長之矩形形狀。側面50C係位於積層體50之-X方向之端。側面50D係位於積層體50之X方向之端。側面50E係位於積層體50之-Y方向之端。側面50F係位於積層體50之Y方向之端。
自Z方向觀察時之積層體50之平面形狀，即底面50A之形狀(上表面50B之形狀)係長方形。該長方形之長邊係與X方向平行，該長方形之短邊係與Y方向平行。
電子零件1係進而具備設置於積層體50之底面50A之信號端子112、113、114、及連接於地線之接地端子111、115、116、117、118、119。接地端子111係配置於存在底面50A、側面50D及側面50E交叉之位置之角部的附近。信號端子113係配置於存在底面50A、側面50D及側面50F交叉之位置之角部的附近。信號端子114係配置於存在底面50A、側面50C及側面50F交叉之位置之角部的附近。接地端子115係配置於存在底面50A、側面50C及側面50E交叉之位置之角部的附近。
信號端子112係配置於接地端子111與接地端子115之間。接地端子116係配置於接地端子111與信號端子113之間。接地端子117係配置於信號端子113與信號端子114之間。接地端子118係配置於信號端子114與接地端子115之間。接地端子119係配置於底面50A之中央。
信號端子112係與共通埠2對應，信號端子113係與第1信號埠3對應，信號端子114係與第2信號埠4對應。因此，共通埠2、第1信號埠3及第2信號埠4係設置於積層體50之底面50A。
接下來，參照圖4A至圖9B對構成積層體50之數個介電層及數個導體之一例進行說明。該例中，積層體50係具有積層之24層介電層。以下，將該24層介電層自下而上依序稱為第1層至第24層介電層。又，以符號51～74表示第1層至第24層介電層。
圖4A至圖8C中，數個圓係表示數個通孔。於介電層51～72之各者形成有數個通孔。數個通孔係分別藉由在通孔用之孔中填充導體漿料而形成。數個通孔之各者係連接於導體層或其他通孔。
圖4A係表示第1層之介電層51之圖案形成面。於介電層51之圖案形成面形成有端子111～119。圖4B係表示第2層之介電層52之圖案形成面。於介電層52之圖案形成面形成有導體層521、522、523、524、525。
圖4C係表示第3層之介電層53之圖案形成面。於介電層53之圖案形成面形成有導體層531、532、533、534、535、536、537、538、539、5310、5311、5312。導體層531之一端係連接於導體層5311。導體層531之另一端係連接於導體層5312。圖4C中，以點線表示導體層531與導體層5311之交界及導體層531與導體層5312之交界。
圖5A係表示第4層之介電層54之圖案形成面。於介電層54之圖案形成面形成有導體層541、542、543、544、545、546、547、548。導體層541、543係連接於導體層542。圖5B係表示第5層之介電層55之圖案形成面。於介電層55之圖案形成面形成有導體層551、552、553、554。導體層554係連接於導體層553。圖5C係表示第6層之介電層56之圖案形成面。於介電層56之圖案形成面形成有導體層561、562。
圖6A係表示第7層之介電層57之圖案形成面。於介電層57之圖案形成面形成有導體層571、572。導體層572係連接於導體層571。圖6B係表示第8層之介電層58之圖案形成面。於介電層58之圖案形成面未形成導體層。圖6C係表示第9層之介電層59之圖案形成面。於介電層59之圖案形成面形成有導體層591。
圖7A係表示第10層之介電層60之圖案形成面。於介電層60之圖案形成面形成有導體層601。圖7B係表示第11層之介電層61之圖案形成面。於介電層61之圖案形成面未形成導體層。圖7C係表示第12層之介電層62之圖案形成面。於介電層62之圖案形成面形成有導體層621、622。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時之導體層621、622之形狀亦可相同。
圖8A係表示第13層之介電層63之圖案形成面。於介電層63之圖案形成面形成有導體層631、632。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時之導體層631、632之形狀亦可相同。圖8B係表示第14層至第21層之介電層64～71之圖案形成面。於介電層64～71未形成導體層。圖8C係表示第22層之介電層72之圖案形成面。於介電層72之圖案形成面形成有導體層721、722、723、724、725、726、727。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時之導體層722、723、724之形狀亦可相同。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時之導體層726、727之形狀亦可相同。
圖9A係表示第23層之介電層73之圖案形成面。於介電層73之圖案形成面形成有導體層731、732、733、734、735、736、737。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時之導體層732、733、734之形狀亦可相同。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時之導體層736、737之形狀亦可相同。圖9B係表示第24層之介電層74之圖案形成面。於介電層74之圖案形成面形成有由導體層構成之標記741。
圖2所示之積層體50係以第1層之介電層51之圖案形成面成為積層體50之底面50A，第24層之介電層74之與圖案形成面為相反側之面成為積層體50之上表面50B的方式，將第1層至第24層之介電層51～74積層而構成。
圖4A至圖8C所示之數個通孔之各者，於將第1層至第22層之介電層51～72積層時，連接於在積層方向T上重疊之導體層或在積層方向T上重疊之其他通孔。又，圖4A至圖8C所示之數個通孔中，位於端子內或導體層內之通孔係連接於該端子或該導體層。
圖10及圖11係表示將第1層至第24層之介電層51～74積層而構成之積層體50之內部。如圖10及圖11所示，於積層體50之內部積層有圖4A至圖9A所示之數個導體層與數個通孔。再者，圖10及圖11中，省略了標記741。
積層體50係例如將介電層51～74之材料設為陶瓷且藉由低溫共燒法而製作。該情況下，首先，分別製作之後成為介電層51～74之數個陶瓷坯片。於各陶瓷坯片形成有之後成為數個導體層之數個煅燒前導體層、及之後成為數個通孔之數個煅燒前通孔。接下來，將數個陶瓷坯片積層而製作坯片積層體。接下來，將該坯片積層體切斷而製作煅燒前積層體。接下來，將該煅燒前積層體中之陶瓷與導體藉由低溫共燒步驟進行煅燒而完成積層體50。
接下來，參照圖4A至圖15，對電感器L11、L12、L13、L21、L22之構成進行詳細說明。圖12至圖15係表示積層體50之內部之一部分之側視圖。圖12係表示自側面50D側觀察到之積層體50之內部之一部分，且主要係表示電感器L11、L12、L13。圖13係表示自側面50E側觀察到之積層體50之內部之一部分，且主要係表示電感器L12、L13、L22。圖14係表示自側面50C側觀察到之積層體50之內部之一部分，且主要係表示電感器L21、L22。圖15係表示自側面50F側觀察之積層體50之內部之一部分，且主要係表示電感器L11、L21。
電感器L11、L12、L13、L21、L22係分別與積層體50一體化。如下所述，電感器L11、L12、L21、L22之各者係包含數個通孔行。數個通孔行之各者係藉由在積層方向T排列之2個以上之通孔行串聯連接而構成。
首先，對電感器L11之構成進行說明。如圖12及圖15所示，電感器L11係捲繞於與積層方向T正交之方向平行之軸A11周圍。本實施形態中，尤其是軸A11在與Y方向平行之方向延伸。
又，電感器L11係包含於軸A11周圍捲繞未滿1圈之1個導體部分。電感器L11之導體部分係包含導體層部11C1(參照圖10及圖11)。導體層部11C1係在與X方向平行之方向具有較長之形狀。導體層部11C1係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由4個通孔而並聯連接之導體層721、731(參照圖8C及圖9A)。導體層721、731之各者係在與X方向平行之方向延伸。
電感器L11之導體部分係進而包含2個通孔行11T1與2個通孔行11T2(參照圖10及圖11)。於導體層部11C1之長度方向之一端附近之部分係並聯連接有2個通孔行11T1。於導體層部11C1之長度方向之另一端附近之部分係並聯連接有2個通孔行11T2。
接下來，對電感器L12之構成進行說明。如圖12及圖13所示，電感器L12係捲繞於與積層方向T正交之方向平行之軸A12周圍。本實施形態中，尤其是軸A12在與X方向平行之方向延伸。又，電感器L12係包含分別於軸A12周圍捲繞未滿1圈之導體部分L12A、L12B、L12C；將導體部分L12A、L12B串聯連接之連接部分L12D；及將導體部分L12B、L12C串聯連接之連接部分L12E。
導體部分L12A、L12B、L12C係分別包含導體層部12C1、12C2、12C3(參照圖10及圖11)。導體層部12C1、12C2、12C3之各者係在與Y方向平行之方向具有較長之形狀。
導體層部12C1係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層722、732(參照圖8C及圖9A)。導體層部12C2係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層723、733(參照圖8C及圖9A)。導體層部12C3係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層724、734(參照圖8C及圖9A)。導體層722～724、732～734之各者係在與Y方向平行之方向延伸。
導體部分L12A係進而包含通孔行12T1、12T2(參照圖10及圖11)。通孔行12T1係連接於導體層部12C1之長度方向之一端附近之部分。通孔行12T2係連接於導體層部12C1之長度方向之另一端附近之部分。
導體部分L12B係進而包含通孔行12T3、12T4(參照圖10及圖11)。通孔行12T3係連接於導體層部12C2之長度方向之一端附近之部分。通孔行12T4係連接於導體層部12C2之長度方向之另一端附近之部分。
導體部分L12C係進而包含通孔行12T5、12T6(參照圖10及圖11)。通孔行12T5係連接於導體層部12C3之長度方向之一端附近之部分。通孔行12T6係連接於導體層部12C3之長度方向之另一端附近之部分。
連接部分L12D係連接導體部分L12A之通孔行12T2與導體部分L12B之通孔行12T3。又，連接部分L12D係包含導體層部12C4(參照圖10)。導體層部12C4係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層621、631(參照圖7C及圖8A)。
連接部分L12E係連接導體部分L12B之通孔行12T4與導體部分L12C之通孔行12T5。又，連接部分L12E係包含導體層部12C5(參照圖10)。導體層部12C5係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層622、632(參照圖7C及圖8A)。
圖5A及圖5B所示之導體層542、552係在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由3個通孔而並聯連接。導體層542、552係連接電感器L11之導體部分之通孔行11T3、11T4與電感器L12之導體部分L12A之通孔行12T1。
接下來，對電感器L13之構成進行說明。電感器L13係捲繞於與積層方向T平行之軸A13周圍。電感器L13係由導體層531(參照圖4C)構成。
接下來，對電感器L21之構成進行說明。如圖14及圖15所示，電感器L21係捲繞於與積層方向T正交之方向平行之軸A21周圍。本實施形態中，尤其是軸A21在與Y方向平行之方向延伸。
又，電感器L21係包含於軸A21周圍捲繞未滿1圈之1個導體部分。電感器L21之導體部分係包含導體層部21C1(參照圖10及圖11)。導體層部21C1係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層725、735(參照圖8C及圖9A)。導體層725、735之各者係包含在X方向延伸之第1部分、及在Y方向延伸之第2部分。
電感器L21之導體部分係進而包含通孔行21T1、21T2(參照圖10及圖11)。通孔行21T1係連接於導體層部21C1之長度方向之一端附近之部分。通孔行21T2係連接於導體層部21C1之長度方向之另一端附近之部分。
電感器L21係進而包含導體層部21C2、21C3(參照圖11)。導體層部21C1係連接通孔行21T1之一端與通孔行21T2之一端。導體層部21C2係連接於通孔行21T1之另一端，且以接近通孔行21T2之另一端之方式延伸。導體層部21C3係連接於通孔行21T2之另一端，且以接近通孔行21T1之另一端之方式延伸。
導體層部21C2係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層561、571(參照圖5C及圖6A)。導體層部21C3係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之導體層544、553(參照圖5A及圖5B)。
導體層部21C1、21C2及通孔行21T1、21T2係構成電感器L21之電感器部分211。導體層部21C3係構成電感器L21之電感器部分212。導體層部21C3(導體層544、553)係經由導體層526、5310(參照圖4B及圖4C)及數個通孔而連接於接地端子117。
接下來，對電感器L22之構成進行說明。如圖13及圖14所示，電感器L22係捲繞於與積層方向T正交之方向平行之軸A22周圍。本實施形態中，尤其是軸A22在與Y方向平行之方向延伸。又，電感器L22係包含分別於軸A22周圍捲繞未滿1圈之導體部分L22A、L22B、及將導體部分L22A、L22B串聯連接之連接部分L22C。
導體部分L22A、L22B係分別包含導體層部22C1、22C2(參照圖10及圖11)。導體層部22C1、22C2之各者係在與X方向平行之方向具有較長之形狀。
導體層部22C1係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由4個通孔而並聯連接之導體層726、736(參照圖8C及圖9A)。導體層部22C2係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由4個通孔而並聯連接之導體層727、737(參照圖8C及圖9A)。導體層726、727、736、737之各者係在與X方向平行之方向延伸。
導體部分L22A係進而包含2個通孔行22T1與2個通孔行22T2(參照圖10及圖11)。於導體層部22C1之長度方向之一端附近之部分係並聯連接有2個通孔行22T1。於導體層部22C1之長度方向之另一端附近之部分係並聯連接有2個通孔行22T2。
導體部分L22B係進而包含2個通孔行22T3與2個通孔行22T4(參照圖10及圖11)。於導體層部22C2之長度方向之一端附近之部分係並聯連接有2個通孔行22T3。於導體層部22C2之長度方向之另一端附近之部分係並聯連接有2個通孔行22T4。
連接部分L22C係連接導體部分L22A之2個通孔行22T2與導體部分L22B之2個通孔行22T3。又，連接部分L22C係包含導體層部22C3(參照圖10及圖11)。導體層部22C3係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由4個通孔而並聯連接之導體層591、601(參照圖6C及圖7A)。
導體部分L22A係構成電感器L22之電感器部分221。導體部分L22B係構成電感器L22之電感器部分222。導體部分L22B係在電路構成上設置於導體部分L22A與地線之間。導體部分L22B之2個通孔行22T4係經由導體層525、539(參照圖4B及圖4C)及數個通孔而連接於接地端子115、118。
接下來，對電容器C11～C16、C21～C31與圖4A至圖9B所示之積層體50之內部之構成要素的對應關係進行說明。電容器C11係藉由圖4B至圖5A、圖8C及圖9A所示之導體層521、532、541、551、及該等導體層之間之介電層52、53、54而構成。電容器C12係藉由圖7C、圖8A、圖8C及圖9A所示之導體層621、622、631、632、722～724、732～734、及該等導體層之間之介電層62、72而構成。電容器C13藉由導體層721～724、731～734而構成。
電容器C14係藉由圖4C所示之導體層5311、532而構成。電容器C15係藉由導體層5311、圖5A所示之導體層542、及該等導體層之間之介電層53而構成。電容器C16係藉由圖4C及圖5A所示之導體層5312、543、及該等導體層之間之介電層53而構成。
電容器C21係藉由圖4C及圖5A所示之導體層533、545、及該等導體層之間之介電層53而構成。電容器C22係藉由圖4C、圖5A及圖5C所示之導體層534、545、及該等導體層之間之介電層53而構成。電容器C23係藉由圖4C及圖5A所示之導體層535、546、及該等導體層之間之介電層53而構成。電容器C24係藉由導體層533、534而構成。電容器C25係藉由圖4C、圖5A及圖5C所示之導體層536、546、547、及該等導體層之間之介電層53而構成。
電容器C26係藉由圖5C、圖6A、圖8C及圖9A所示之導體層561、571、725、735、及該等導體層之間之介電層56、72而構成。電容器C27係藉由圖5A及圖5B所示之導體層544、553、及該等導體層之間之介電層54而構成。電容器C28係藉由圖5B及圖6A所示之導體層554、572、及該等導體層之間之介電層55、56而構成。
電容器C29係藉由圖6C、圖7A、圖8C及圖9A所示之導體層591、601、726、736、及該等導體層之間之介電層59、72而構成。電容器C30係藉由導體層591、601、圖8C及圖9A所示之導體層727、737、及該等導體層之間之介電層59、72而構成。電容器C31係藉由圖4C及圖5A所示之導體層537、548、及該等導體層之間之介電層53而構成。
接下來，參照圖10至圖17對本實施形態之電子零件1之結構上之特徵進行說明。圖16及圖17係表示圖10及圖11所示之積層體50之內部之一部分之俯視圖。
如圖10至圖15所示，電感器L12係相對於電感器L11而配置於與積層方向T正交之一方向、即-Y方向之前端。電感器L21與電感器L22係分別相對於電感器L11與電感器L12而配置於與積層方向T正交之一方向、即-X方向之前端。
圖12及圖15中，由附上符號S11之虛線包圍之區域係表示包含軸A11並且由電感器L11包圍的空間。又，圖12及圖13中，由附上符號S12之虛線包圍之區域係表示包含軸A12並且由電感器L12包圍的空間。又，圖14及圖15中，由附上符號S21之虛線包圍之區域係表示包含軸A21並且由電感器L21包圍的空間。又，圖13及圖14中，由附上符號S22之虛線包圍之區域係表示包含軸A22並且由電感器L22包圍之空間。
圖15中，由附上符號S11之虛線包圍之區域，亦係將空間S11垂直投影於與軸A11垂直之假想平面(XZ平面)而得之區域。以下，將該區域稱為空間S11之投影區域。空間S11之投影區域之面積係相當於電感器L11之開口面積。
又，圖12中，由附上符號S12之虛線包圍之區域，亦係將空間S12垂直投影於與軸A12垂直之假想平面(YZ平面)而得之區域。以下，將該區域稱為空間S12之投影區域。空間S12之投影區域之面積係相當於電感器L12之開口面積。
又，圖15中，由附上符號S21之虛線包圍之區域，亦係將空間S21垂直投影於與軸A21垂直之假想平面(XZ平面)而得之區域。以下，將該區域稱為空間S21之投影區域。空間S21之投影區域之面積係相當於電感器L21之開口面積。
又，圖13中，由附上符號S22之虛線包圍之區域，亦係將空間S22垂直投影於與軸A22垂直之假想平面(XZ平面)而得之區域。以下，將該區域稱為空間S22之投影區域。空間S22之投影區域之面積係相當於電感器L22之開口面積。
如圖12及圖15所示，空間S11之投影區域之面積係大於空間S12之投影區域。又，如圖12及圖15所示，空間S21之投影區域之面積係大於空間S12之投影區域。又，如圖12及圖13所示，空間S22之投影區域之面積係大於空間S12之投影區域。
又，如圖13及圖15所示，空間S21之投影區域之面積與空間S22之投影區域之面積互不相同。本實施形態中，尤其是空間S21之投影區域之面積大於空間S22之投影區域之面積。又，空間S21之投影區域之積層方向T上之尺寸係大於空間S22之投影區域之積層方向T上之尺寸。
電感器L11係以自與軸A11平行之一方向(Y方向)觀察時，空間S11之一部分與空間S12之至少一部分重疊之方式配置。
電感器L12係以自與軸A12平行之一方向(X方向)觀察時，空間S12之至少一部分與空間S22重疊之方式配置。又，電感器L12係以軸A12與積層體50之底面50A之長邊(上表面50B之長邊)平行之方式配置。
電感器L13係以軸A13不與空間S11、S21、S22交叉而與空間S12交叉之方式配置。換言之，電感器L13係以自Z方向觀察與電感器L12重疊之方式配置。電感器L12與電感器L13之間，具體而言係導體層531(參照圖4C)與導體層621、622(參照圖7C)之間，未介存用於構成電容器之電容器用導體層。
電感器L21係以自與軸A21平行之一方向(Y方向)觀察時，空間S21之一部分與空間S22之至少一部分重疊之方式配置。換言之，電感器L22係以自與軸A22平行之一方向(Y方向)觀察時，空間S22之至少一部分與空間S21之一部分重疊之方式配置。
電感器L21之導體層部21C3係配置於電感器L21之導體層部21C1與底面50A之間。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，導體層部21C3係以橫切信號端子114之方式延伸。又，電感器L21係與接地端子117電連接。電感器L22係與接地端子115、118電連接。
電感器L22係包含：導體部分L22A，其構成電感器L22之電感器部分221；導體部分L22B，其構成電感器L22之電感器部分222；及連接部分L22C，其串聯連接導體部分L22A、L22B。導體部分L22A(電感器部分221)係與電感器L21中構成電感器L21之電感器部分211之導體層部21C1、21C2及通孔行21T1、21T2磁耦合。
圖17中係表示構成電感器L11之導體層部11C1之2個導體層721、731。如圖17所示，導體層721之面積係大於導體層731之面積。導體層731係自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，配置於導體層721之外緣內側。自Z方向觀察時之導體層731之形狀係與自Z方向觀察時之導體層721之形狀為相似形。導體層721係配置於導體層731與軸A11之間。
關於導體層721、731之上述說明亦適用於導體層72x、73x之組(x係2以上且7以下之整數)。若將關於導體層721、731之上述說明中之導體層721、731分別置換為導體層72x、73x，則成為關於導體層72x、73x之說明。再者，於說明構成電感器L12之導體層72x、73x之組之情況下，上述說明中之軸A11係置換為軸A12。又，於說明構成電感器L21之導體層725、735之組之情況下，上述說明中之軸A11係置換為軸A21。又，於說明構成電感器L22之導體層72x、73x之組之情況下，上述說明中之軸A11係置換為軸A22。
圖16中係表示構成電感器L12之導體層部12C4之2個導體層621、631。如圖16所示，導體層631之面積係大於導體層621之面積。導體層621係自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，配置於導體層631之外緣內側。自Z方向觀察時之導體層621之形狀係與自Z方向觀察時之導體層631之形狀為相似形。導體層631係配置於導體層621與軸A12之間。
關於導體層621、631之上述說明，亦適用於導體層622、632之組、導體層561、571之組、導體層543、553之組、及導體層591、601之組。若將關於導體層621、631之上述說明中之導體層621、631分別置換為導體層622、632，則成為關於導體層622、632之說明。
又，若將關於導體層621、631之上述說明中之導體層621、631分別置換為導體層561、571或導體層543、553，將關於導體層621、631之上述說明中之軸A12置換為軸A21，則成為關於導體層561、571或導體層543、553之說明。
又，若將關於導體層621、631之上述說明中之導體層621、631分別置換為導體層591、601，將關於導體層621、631之上述說明中之軸A12置換為軸A22，則成為關於導體層591、601之說明。
接下來，表示本實施形態之電子零件1之特性之一例。圖18係表示共通埠2與第1信號埠3之間之通過衰減特性、即第1濾波器10之通過衰減特性之特性圖。圖19係表示共通埠2與第2信號埠4之間之通過衰減特性、即第2濾波器20之通過衰減特性之特性圖。圖18及圖19中，橫軸係表示頻率，縱軸係表示衰減量。
圖18中，符號91係表示藉由電感器L11而形成之衰減極，符號92係表示藉由電感器L12而形成之衰減極。電感器L12係於第1濾波器10之通過衰減特性中，在較第1通帶區域為高區域側形成衰減極92。電感器L11於第1濾波器10之通過衰減特性中，在第1通帶區域與衰減極92之間形成衰減極91。亦即，於第1濾波器10之通過衰減特性中，電感器L11形成之衰減極91較電感器L12形成之衰減極92更靠近第1通帶區域。
圖19中，符號93係表示藉由電感器L21而形成之衰減極，符號94係表示藉由電感器L22而形成之衰減極。電感器L21係於第2濾波器20之通過衰減特性中，在第2通帶區域之低區域側形成衰減極93。電感器L22係於第2濾波器20之通過衰減特性中，在衰減極93與第2通帶區域之間形成衰減極94。亦即，於第2濾波器20之通過衰減特性中，電感器L22形成之衰減極94係較電感器L21形成之衰減極93更靠近第2通帶區域。
以下，對電感器L11、L12、L13、L21、L22各自之電感與Q值之一例進行說明。一例中，電感器L11之電感係0.8 nH。電感器L11之Q值係125。電感器L12之電感係3.4 nH。電感器L12之Q值係113。電感器L13之電感係0.81 nH。電感器L13之Q值係53。電感器L21之電感係1.5 nH。電感器L21之Q值係73。電感器L22之電感係2.0 nH。電感器L22之Q值係127。
接下來，對本實施形態之電子零件1之作用及效果進行說明。本實施形態中，電感器L21之導體層部21C1係包含2個導體層725、735。如上所述，於積層體50之製造過程中，對陶瓷坯片進行積層，該陶瓷坯片形成有之後成為數個導體層之數個煅燒前導體層、與之後成為數個通孔之數個煅燒前通孔。若因陶瓷坯片或數個煅燒前導體層等之偏移而導致導體層725與導體層735相互偏移，則電感器L21之特性發生變化。
相對於此，本實施形態中，導體層725之面積係大於導體層735之面積。因此，即便導體層735相對於導體層725相對地偏移，自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，導體層735整體或大部分亦不會自導體層725露出。藉此，根據本實施形態，可抑制由導體層725與導體層735相互偏移引起之電感器L21之特性變動。
關於上述導體層725、735之說明，亦適用於導體層72x、73x之組(x係1以上且4以下之整數或6或者7)、導體層621、631之組、導體層622、632之組、導體層561、571之組、導體層543、553之組、及導體層591、601之組。因此，根據本實施形態，可抑制因陶瓷坯片或數個煅燒前導體層等之偏移引起的第1濾波器10及第2濾波器20各自之特性變動，其結果，可抑制電子零件1之特性變動。
此處，將自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時之導體層之形狀稱為導體層之平面形狀。自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，構成各導體層部之2個導體層中面積較大之導體層，亦可為自面積較小之導體層於所有方向(與XY平面平行之方向)上露出5～500 μm之平面形狀。
以下，參照第1至第3模擬之結果對本實施形態之效果進行說明。首先，對調查電感器L21之電感變動所得的第1模擬之結果進行說明。第1模擬中，使用本實施形態中之電感器L21之模型與第1比較例之電感器之模型。第1比較例之電感器之構成除了導體層部21C1以外，與電感器L21之構成相同。第1比較例之電感器係包含比較例之導體層部來代替導體層部21C1。比較例之導體層部係包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由2個通孔而並聯連接之第1導體層與第2導體層。第2導體層係相對於第1導體層位於Z方向之前端。
第1模擬中，第1及第2導體層之各者之平面形狀係與本實施形態中的導體層735之平面形狀相同。亦即，比較例之導體層部中，積層有相同平面形狀之導體層。
第1模擬中，以電感器L21之電感成為1.452 nH之方式設計電感器L21，以第1比較例之電感器之電感成為1.444 nH之方式設計第1比較例之電感器。此處，於導體層之平面形狀中，將導體層之與長度方向正交之方向之尺寸稱為導體層之寬度。第1模擬中，將電感器L21之導體層725之寬度設為225 μm，將電感器L21之導體層735之寬度設為175 μm。又，將第1及第2導體層之各者之寬度設為225 μm。
第1模擬中，求出使導體層735在X方向、-X方向、Y方向及-Y方向分別偏移15 μm時之電感器L21之電感。又，第1模擬中，求出使第2導體層在X方向、-X方向、Y方向及-Y方向分別偏移15 μm時之第1比較例之電感器之電感。
將第1模擬之結果示於表1及表2。表1係表示藉由第1模擬而得之電感之值(單位nH)。表2係表示使導體層735與第2導體層分別在X方向、-X方向、Y方向及-Y方向偏移時之電感自設計值之變動量。再者，第1模擬與下述第2模擬中，將藉由模擬而得之電感與設計值之電感之差除以設計值之電感而得的值以百分率表示之值設為變動量。表1及表2中，「第1比較例」與「L21」係分別表示第1比較例之電感器之模型與電感器L21之模型。又，表1及表2中，「X方向」、「-X方向」、「Y方向」及「-Y方向」係表示使導體層735或第2導體層偏移之方向。 [表1]
   設計值 X方向 -X方向 Y方向 -Y方向
第1比較例 1.444 1.452 1.462 1.442 1.454
L21 1.452 1.450 1.453 1.448 1.452
[表2]
   X方向 -X方向 Y方向 -Y方向
第1比較例 0.5% 1.2% -0.1% 0.7%
L21 -0.1% 0.1% -0.2% 0.0%
根據表2，電感器L21與第1比較例之電感器相比，電感變動量之絕對值變小。
接下來，對調查電感器L12之電感變動之第2模擬之結果進行說明。第2模擬中，使用本實施形態中之電感器L12之模型與第2比較例之電感器之模型。第2比較例之電感器之構成除了導體層部12C1、12C2、12C3以外，與電感器L12之構成相同。第2比較例之電感器係包含3個上述比較例之導體層部來代替導體層部12C1～12C3。第2模擬中，比較例之導體層部之第1及第2導體層之各者之形狀，係與本實施形態中之導體層732之平面形狀相同。
第2模擬中，以電感器L12之電感成為3.289 nH之方式設計電感器L12，以第2比較例之電感器之電感成為3.274 nH之方式設計第2比較例之電感器。又，第2模擬中，將電感器L12之導體層722、723、724之各者之寬度設為246 μm，將電感器L12之導體層732、733、734之各者之寬度設為196 μm。又，將第1及第2導體層之各者之寬度設為246 μm。
第2模擬中，求出使導體層722、723、724之各者在X方向、-X方向、Y方向及-Y方向分別偏移15 μm時之電感器L12之電感。又，第2模擬中，求出使3個導體層部之各者之第2導體層在X方向、-X方向、Y方向及-Y方向分別偏移15 μm時之第2比較例之電感器之電感。
將第2模擬之結果示於表3及表4。表3係表示藉由第2模擬而得之電感之值(單位nH)。表4係表示使導體層722、723、724與第2導體層分別在X方向、-X方向、Y方向及-Y方向偏移時之電感自設計值之變動量。表3及表4中，「第2比較例」與「L12」係分別表示第2比較例之電感器之模型與電感器L12之模型。 [表3]
   設計值 X方向 -X方向 Y方向 -Y方向
第2比較例 3.274 3.283 3.272 3.285 3.282
L12 3.289 3.289 3.282 3.296 3.288
[表4]
   X方向 -X方向 Y方向 -Y方向
第2比較例 0.3% -0.1% 0.3% 0.2%
L12 -0.0% -0.2% 0.2% -0.1%
根據表4得知，電感器L12與第2比較例之電感器相比，電感器變動量之絕對值變小。
自第1及第2模擬之結果可理解，相較於包含積層有相同平面形狀之導體層之導體層部的電感器，根據本實施形態，可抑制因導體層之偏移所引起之電感器之特性變動。
再者，根據表2及表4得知，第1比較例之電感器之電感變動量與第2比較例之電感器相比變大。亦即，相較於如第1比較例之電感器及電感器L12般包含平面形狀為直線狀之導體層部之電感器，如第1比較例之電感器及電感器L21般包含平面形狀為L字狀之導體層部之電感器中，導體層偏移時之電感變動量變大。認為其原因在於，平面形狀為L字狀之導體層部中，藉由導體層部而連接之2個通孔行之最短路徑因導體層之偏移而大幅變化。因此，包含平面形狀為L字狀之導體層部之電感器中，更顯著地發揮本實施形態之效果。
關於包含上述平面形狀為L字狀之導體層部之電感器之說明，亦適用於包含平面形狀為U字狀之導體層部之電感器、包含平面形狀捲成螺旋狀之導體層部之電感器。
接下來，對調查電子零件1之特性變動之第3模擬之結果進行說明。第3模擬中，使用與本實施形態之電子零件1對應之實施例之模型、及比較例之電子零件之模型。比較例之電子零件之構成除了電感器L11、L12、L21、L22中所包含之各導體層部以外，與電子零件1之構成相同。比較例之電子零件係包含上述比較例之導體層部作為各導體層部。各導體層部中所包含之第1及第2導體層之各者之平面形狀，與該導體層部所對應之本實施形態中之導體層部中所包含的2個導體層中面積較小之導體層之平面形狀相同。
第3模擬中，求出使介電層23在X方向、-X方向、Y方向及-Y方向分別偏移15 μm時之第1濾波器10與第2濾波器20之各者之頻率特性變動。此處，於第1濾波器10之頻率特性中，將自第1通帶區域增大頻率時衰減量成為-10 dB之頻率稱為第1頻率。又，於第2濾波器20之頻率特性中，將自第2通帶區域減少頻率時衰減量成為-10 dB之頻率稱為第2頻率。第3模擬中，求出第1頻率之變動量作為第1濾波器10之頻率特性變動。具體而言，將介電層23之偏移量設為0 μm時之第1頻率設為基準頻率，求出藉由第3模擬而得之第1頻率與基準頻率之差除以基準頻率而得之值以百分率表示之值的絕對值作為第1頻率之變動量。又，第3模擬中，與第1頻率之變動量同樣地，求出第2頻率之變動量作為第2濾波器20之頻率特性變動。
將第3模擬之結果示於表5及表6。表5係表示藉由第3模擬而得之第1頻率之變動量。表6係表示藉由第3模擬而得之第2頻率之變動量。表5及表6中，「比較例」與「實施例」係分別表示比較例之電子零件之模型與實施例之模型。又，表5及表6中，「X方向」、「-X方向」、「Y方向」及「-Y方向」係表示使介電層23偏移之方向。 [表5]
   X方向 -X方向 Y方向 -Y方向 平均值
比較例 0.021% 0.058% 0.004% 0.004% 0.022%
實施例 0.028% 0.009% 0.002% 0.002% 0.011%
[表6]
   X方向 -X方向 Y方向 -Y方向 平均值
比較例 0.032% 0.087% 0.045% 0.042% 0.051%
實施例 0.044% 0.016% 0.014% 0.005% 0.020%
根據表5及表6得知，本實施形態之電子零件1與比較例之電子零件相比，第1頻率之變動量與第2頻率之變動量變小。自第3模擬之結果可理解，根據本實施形態，可抑制第1濾波器10及第2濾波器20之各者之特性變動，其結果，可抑制電子零件1之特性變動。
接下來，對本實施形態之其他效果進行說明。本實施形態中，相當於電感器L11之開口面積之空間S11之投影區域之面積，係大於相當於電感器L12之開口面積之空間S12之投影區域之面積。亦即，本實施形態中，相當於電感器L12之開口面積之空間S12之投影區域之面積，係小於相當於電感器L11之開口面積之空間S11之投影區域之面積。藉此，可於電感器L12附近形成用於配置其他電感器之空間。本實施形態中，於上述空間配置電感器L13。如上所述，電感器L13係以軸A13不與空間S11交叉而與空間S12交叉之方式配置。本實施形態中，進而電感器L11、L12、L13係分別捲繞於與互不相同之方向平行之軸周圍。本實施形態中，尤其是軸A11、A12、A13相互正交。由此，根據本實施形態，可抑制電感器L11、L12、L13間之電磁場耦合，並且可將電子零件1小型化。
又，本實施形態中，電感器L11係以自與軸A11平行之一方向觀察時，空間S11之一部分與空間S12之至少一部分重疊之方式配置。藉此，相較於空間S11與空間S12不相互重疊之情況，根據本實施形態，可將電子零件1小型化。
又，根據本實施形態，第1濾波器10係包含電感器L11、L12、L13。根據本實施形態，可藉由電感器L11、L12、L13之上述特徵而使積層體50內之第1濾波器10之區域變小，其結果，可將電子零件1小型化。
又，本實施形態中，相當於電感器L12之開口面積之空間S12之投影區域之面積，係小於相當於電感器L22之開口面積之空間S22之投影區域之面積。本實施形態中，進而電感器L12、L13、L22係分別捲繞於與互不相同之方向平行之軸周圍。本實施形態中，尤其是軸A12、A13、A22相互正交。由此，根據本實施形態，可抑制電感器L12、L13、L22間之電磁場耦合，並且可將電子零件1小型化。
又，本實施形態中，電感器L12係以自與軸A12平行之一方向觀察時，空間S12之一部分與空間S22之至少一部分重疊之方式配置。藉此，相較於空間S12與空間S22不相互重疊之情況，根據本實施形態，可將電子零件1小型化。
又，本實施形態中，電感器L12與電感器L13之間未介存電容器用導體層。藉此，相較於電感器L12與電感器L13之間介存電容器用導體層之情況，根據本實施形態，可將電子零件1小型化。
又，本實施形態中，第1濾波器10係包含電感器L12、L13，第2濾波器20係包含電感器L22。根據本實施形態，可藉由電感器L12、L13、L22之上述特徵而使第1濾波器10與第2濾波器20相接近，其結果，可將電子零件1小型化。
此外，由於相當於電感器L12之開口面積之空間S12之投影區域之面積較小，因此電感器L12之電感比較小。相對於此，本實施形態中，電感器L12係包含分別於軸A12周圍捲繞未滿1圈之導體部分L12A、L12B、L12C。亦即，本實施形態中，電感器L12係於軸A12周圍捲繞約3圈。藉此，根據本實施形態，可使電感器L12之電感變大。又，根據本實施形態，可使電感器L12之與軸A12平行之方向(與X方向平行之方向)之尺寸變大。藉此，根據本實施形態，可使用於配置電感器L13之空間變大。
又，本實施形態中，電感器L12係以軸A12與積層體50之底面50A之長邊(上表面50B之長邊)平行之方式配置。藉此，根據本實施形態，可在與軸A12平行之方向上配置其他電感器，具體而言可配置電感器L22，並且於軸A12周圍將電感器L12捲繞數圈。
又，本實施形態中，電感器L11、L12係在電路構成上設置於第1信號路徑5上，電感器L13係在電路構成上設置於第1信號路徑5與地線之間。電感器L13與電感器L11、L12相比， Q值亦可較小。如上所述，一例中，電感器L11之Q值係125，電感器L12之Q值係113，電感器L13之Q值係53。本實施形態中，將較佳為Q值比較大之電感器L11、L12設為捲繞於與積層方向T正交之軸周圍之電感器，將Q值亦可比較小之電感器L13設為捲繞於與積層方向T平行之軸周圍之電感器。而且，將Q值亦可比較小之電感器L13配置於形成在電感器L12附近之空間。
又，本實施形態中，電感器L21係以自與軸A21平行之一方向(Y方向)觀察時，空間S21之一部分與空間S22之至少一部分重疊之方式配置。換言之，電感器L22係以自與軸A22平行之一方向(Y方向)觀察時，空間S22之至少一部分與空間S21之一部分重疊之方式配置。本實施形態中，尤其是軸A21與軸A22平行。因此，本實施形態中，電感器L21、L22係以電感器L21之開口與電感器L22之開口相互對向，且自Y方向觀察時電感器L21與電感器L22重疊之方式配置。
此處，考慮調整電感器L21與電感器L22之間之磁耦合。例如，藉由使電感器L21、L22之一者在X方向或-X方向偏移，可調整磁耦合。然而，若如此，則會於積層體50內產生浪費之空間，電子零件1之平面形狀(自Z方向觀察到之形狀)變大。
相對於此，本實施形態中，使空間S21之投影區域之面積與空間S22之投影區域之面積互不相同。藉此，根據本實施形態，可於不使電感器L21、L22之一者在X方向或-X方向偏移之情況下調整磁耦合。
此外，為了調整空間S21之投影區域之面積，而考慮使電感器L21之積層方向T之尺寸變大。該情況下，自積層體50之底面50A至電感器L21之距離變小。若於電感器L21之附近設置接地端子，則有於電感器L21與接地端子間產生雜散電容而無法獲得所需特性之顧慮。
相對於此，本實施形態中，電感器L21係包含：導體層部21C2，其連接於通孔行21T1之另一端，且以接近通孔行21T2之另一端之方式延伸；及導體層部21C3，其連接於通孔行21T2之另一端，且以接近通孔行21T1之另一端之方式延伸。根據本實施形態，藉由導體層部21C2、21C3之至少一者，而自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，電感器L21能以不與接地端子重疊之方式配置。本實施形態中，尤其是自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，導體層部21C3係以橫切信號端子114之方式延伸。藉此，根據本實施形態，可使電感器L21之積層方向T之尺寸變大而調整空間S21之投影區域之面積。
綜上所述，根據本實施形態，可調整電感器L21、L22間之電磁場耦合，並且可將電子零件1小型化。
又，本實施形態中，電子零件1係具備：第2濾波器20，其包含電感器L21、L22；及第1濾波器10，其不包含電感器L21、L22。為了使第1濾波器10與第2濾波器20之間之隔離度變大，而考慮在第1濾波器10與第2濾波器20夾持之位置設置接地端子。本實施形態中，導體層部21C3係連接於接地端子117，該接地端子117設置於第1濾波器10與第2濾波器20夾持之位置。亦即，根據本實施形態，可使第1濾波器10與電感器L21之間之隔離度變大，並且可藉由導體層部21C3而使電感器L21連接於接地端子117。
又，本實施形態中，電感器L22係包含導體部分L22A、L22B。導體部分L22A係與電感器L21磁耦合。亦即，本實施形態中，電感器L22之一部分與電感器L21磁耦合。根據本實施形態，如上述般藉由構成電感器，可調整電感器L21與電感器L22之間之磁耦合。
又，本實施形態之電感器L11中，於導體層部11C1之長度方向之兩端附近之部分係分別並聯連接有2個通孔行。又，電感器L22中，於導體層部22C1之長度方向之兩端附近之部分係分別並聯連接有2個通孔行，於導體層部22C2之長度方向之兩端附近之部分係分別並聯連接有2個通孔行。
又，電感器L12中，於導體層部12C1之長度方向之兩端附近之部分係分別連接有1個通孔行，於導體層部12C2之長度方向之兩端附近之部分係分別連接有1個通孔行，於導體層部12C3之長度方向之兩端附近之部分係分別連接有1個通孔行。又，電感器L21中，於導體層部21C1之長度方向之兩端附近之部分係分別連接有1個通孔行。
如上所述，本實施形態之電感器L11、L22之各者中，於導體層部之一端並聯連接有數個(2個)通孔行。藉此，根據本實施形態，可使電感器L11、L22之各者之Q值變大。
另一方面，本實施形態之電感器L12、L21之各者中，於導體層部之一端連接有1個通孔行。藉此，相較於在所有電感器L11、L12、L21、L22中將數個通孔行並聯連接於導體層部之一端之情況，根據本實施形態，可使電子零件1變小。
再者，第1濾波器10中，較佳為使形成最接近第1通帶區域之衰減極91之電感器L11之Q值較大。又，第2濾波器20中，較佳為使形成最接近第2通帶區域之衰減極94之電感器L22之Q值較大。本實施形態中，根據此種觀點，於電感器L11、L22之各者中，將數個(2個)通孔行並聯連接於導體層部之一端而使電感器L11、L22之各者之Q值變大。
又，本實施形態中，電感器L12係相對於電感器L11配置於-Y方向之前端，電感器L21與電感器L22係分別相對於電感器L11與電感器L12配置於-X方向之前端。亦即，本實施形態中，電感器L11、L12係排列成一行，電感器L21、L22係在與電感器L11、L12不同之位置排列成一行。藉此，相較於電感器L11、L22排列成一行，且電感器L12、L21在與電感器L11、L22不同之位置排列成一行之情況，根據本實施形態，可使積層體50內產生之浪費之空間變小，其結果，可將電子零件1小型化。
綜上所述，根據本實施形態，可使電感器L11、L22之各者之Q值變大，並且可將電子零件1小型化。
又，本實施形態中，捲繞電感器L11之軸A11與捲繞電感器L22之軸A22係相互平行。本實施形態中，尤其是軸A11、A22均在與Y方向平行之方向延伸。又，於電感器L11、L22之各者中，導體層部係於X方向具有較長之形狀。因此，相較於軸A11與軸A22相互正交之情況，根據本實施形態，可使積層體50之Y方向之尺寸變小。
又，本實施形態中，與軸A12平行之方向及與軸A22平行之方向係相互正交。本實施形態中，尤其是與軸A12平行之方向係與X方向平行之方向，與軸A22平行之方向係與Y方向平行之方向。又，本實施形態中，電感器L12於與X方向平行之軸A12周圍捲繞約3圈。如上所述，於電感器L22中，導體層部係於X方向具有較長之形狀。因此，相較於軸A22與X方向平行，且電感器L22之導體層部具有於X方向較短之形狀之情況，根據本實施形態，可使將電感器L12於軸A12周圍捲繞數圈時產生之浪費之空間變小。 [變形例]
接下來，參照圖20A及圖20B，對本實施形態之電子零件1之變形例進行說明。變形例中，第22層之介電層72之構成與圖8C所示之例不同。圖20A係表示變形例中之第22層之介電層72之圖案形成面。於圖20A所示之介電層72之圖案形成面形成有導體層1721來代替圖8C所示之導體層721。
又，變形例中，第23層之介電層73之構成與圖9A所示之例不同。圖20B係表示變形例中之第23層之介電層73之圖案形成面。於圖20B所示之介電層73之圖案形成面形成有導體層1731來代替圖9A所示之導體層731。
2個導體層1721、1731係構成電感器L11之導體層部11C1(參照圖10及圖11)。導體層1721、1731係於積層方向T上配置於互不相同之位置且藉由4個通孔而並聯連接。導體層1721、1731之各者係包含在X方向延伸之第1部分與在Y方向延伸之2個第2部分。
導體層1721之面積係大於導體層1731之面積。導體層1731係自與積層方向T平行之一方向(Z方向)觀察時，配置於導體層1721之外緣內側。自Z方向觀察時之導體層1731之形狀，係與自Z方向觀察時之導體層1721之形狀為相似形。導體層1721係配置於導體層1731與軸A11(參照圖11及圖15)之間。
再者，本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種變更。例如，第1濾波器10及第2濾波器20之各者所包含之電感器之數量亦可為3個以上。
又，軸A11與軸A12亦可以90°以外之角度交叉。同樣地，軸A21與軸A22亦可以90°以外之角度交叉。
又，於電感器L11、L22之各者中，亦可於導體層部之一端並聯連接3個以上之通孔行。
又，於電感器L11、L12、L21、L22之各者中，導體層部亦可包含在積層方向T上配置於互不相同之位置且並聯連接之3個以上之導體層。於導體層部包含3個導體層之情況下，3個導體層中面積最小之導體層亦可介存於其他2個導體層之間。或者，導體層部亦可由1個導體層構成。
基於以上說明，顯然能夠實施本發明之各種態樣或變形例。因此，於申請專利範圍之均等範圍內，亦能夠以上述最佳形態以外之形態來實施本發明。
1:積層型電子零件 2:共通埠 3:第1信號埠 4:第2信號埠 5:第1信號路徑 6:第2信號路徑 10:第1濾波器 11C1:導體層部 11T1,11T2,12T1,12T2,12T3,12T4,12T5,12T6,21T1,21T2,22T1,22T2,22T3,22T4:通孔行 12C1,12C2,12C3,12C4,12C5,21C1,22C1,22C2,22C3:導體層部 20:第2濾波器 50:積層體 50A:底面 50B:上表面 50C,50D,50E,50F:側面 52,53,54,55,56,57,58,59,60,61,62,63,64,65,66,67,68,69,70,71,72,73,74:介電層 91,92,93,94:衰減極 111,115,116,117,118,119:接地端子 112,113,114:信號端子 211,212,221,222:電感器部分 521,522,523,524,525,526,531,532,533,534,535,536,537,538,539,541,542,543,544,545,546,547,548,549,551,552,553,554,561,562,571,572,591,601,621,622,631,632,721,722,723,724,725,726,727,731,732,733,734,735,736,737,1721,1731,5310,5311,5312:導體層 741:標記 A11,A12,A13:軸 C11,C12,C13,C14,C15,C16,C21,C22,C23,C24,C25,C26,C27,C28,C29,C30,C31:電容器 L11,L12,L13,L21,L22:電感器 L12A,L12B,L12C:導體部分 L12D,L12E:連接部分 S11,S12:符號 T:積層方向 X,Y,Z:方向
圖1係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之電路構成之電路圖。
圖2係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之電路構成之電路圖。
圖3係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之外觀之立體圖。
圖4A至圖4C係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第1層至第3層之介電層之圖案形成面之說明圖。
圖5A至圖5C係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第4層至第6層之介電層之圖案形成面之說明圖。
圖6A至圖6C係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第7層至第9層之介電層之圖案形成面的說明圖。
圖7A至圖7C係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第10層至第12層之介電層之圖案形成面之說明圖。
圖8A係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第13層之介電層之圖案形成面之說明圖。
圖8B係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第14層至第21層之介電層之圖案形成面之說明圖。
圖8C係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第22層之介電層之圖案形成面之說明圖。
圖9A及圖9B係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體中的第23層及第24層之介電層之圖案形成面之說明圖。
圖10係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體之內部之立體圖。
圖11係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之積層體之內部之立體圖。
圖12係表示圖10及圖11所示之積層體之內部之一部分之側視圖。
圖13係表示圖10及圖11所示之積層體之內部之一部分之側視圖。
圖14係表示圖10及圖11所示之積層體之內部之一部分之側視圖。
圖15係表示圖10及圖11所示之積層體之內部之一部分之側視圖。
圖16係表示圖10及圖11所示之積層體之內部之一部分之俯視圖。
圖17係表示圖10及圖11所示之積層體之內部之一部分之俯視圖。
圖18係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件中的共通埠與第1信號埠之間之通過衰減特性之特性圖。
圖19係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件中的共通埠與第2信號埠之間之通過衰減特性之特性圖。
圖20A及圖20B係表示本發明之一實施形態之積層型電子零件之變形例之積層體中的第22層及第23層之介電層之圖案形成面之說明圖。
50:積層體
50C,50D,50E,50F:側面
721,722,723,724,725,726,727,731,732,733,734,735,736,737:導體層
X,Y,Z:方向

Claims (10)

  1. 一種積層型電子零件，其特徵在於，具備： 積層體，其包含積層之數個介電層；及 至少1個電感器，其與上述積層體一體化，捲繞於與上述數個介電層之積層方向正交之軸周圍；且 上述至少1個電感器係包含：第1通孔行；第2通孔行；及第1導體層部，其連接上述第1通孔行之一端與上述第2通孔行之一端； 上述第1通孔行與上述第2通孔行之各者係藉由2個以上之通孔串聯連接而構成， 上述第1導體層部係包含在上述積層方向上配置於互不相同之位置且並聯連接之第1導體層與第2導體層， 上述第1導體層之面積係大於上述第2導體層之面積。
  2. 如請求項1之積層型電子零件，其中，上述第2導體層係自與上述積層方向平行之一方向觀察時，配置於上述第1導體層之外緣內側。
  3. 如請求項1之積層型電子零件，其中，自與上述積層方向平行之一方向觀察時之上述第2導體層之形狀，係與自與上述積層方向平行之一方向觀察時之上述第1導體層之形狀為相似形。
  4. 如請求項1之積層型電子零件，其中，上述第1導體層係配置於上述第2導體層與上述軸之間。
  5. 如請求項1之積層型電子零件，其中，上述第1導體層與上述第2導體層之各者係包含：第1部分，其在與上述積層方向正交之第1方向延伸；及第2部分，其在與上述積層方向正交之第2方向延伸。
  6. 如請求項1之積層型電子零件，其中，上述第1導體層與上述第2導體層之各者係在與上述積層方向正交之一方向延伸。
  7. 如請求項1之積層型電子零件，其中，上述至少1個電感器係具備數個電感器。
  8. 如請求項7之積層型電子零件，其中，數個上述電感器中之至少1個所包含之上述第1導體層與上述第2導體層之各者係包含：第1部分，其在與上述積層方向正交之第1方向延伸；及第2部分，其在與上述積層方向正交之第2方向延伸； 數個上述電感器中之其他至少1者中所包含之上述第1導體層與上述第2導體層之各者，係在與上述積層方向正交之一方向延伸。
  9. 如請求項1之積層型電子零件，其中，上述至少1個電感器係進而包含第2導體層部，該第2導體層部連接於上述第2通孔行之另一端， 上述第2導體層部係包含在上述積層方向積層之第3導體層與第4導體層， 上述第4導體層之面積係大於上述第3導體層之面積。
  10. 如請求項9之積層型電子零件，其中，上述第4導體層係配置於上述第3導體層與上述軸之間。
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