TW202319579A - 原子層沉積設備和裝置 - Google Patents

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奧利 佩卡 蘇霍寧
馬蒂 馬利拉
派克 索尼寧
米科 泰尼
馬庫斯 博松
帕西 梅里萊寧
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芬蘭商班尼克公司
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Abstract

本發明關於一種配置成在一批次製程中同時處理多個基板的原子層沉積設備(1)，原子層沉積設備(1)具有一真空室(20)、及配置於真空室(20)內部之一反應室(10)。反應室(10)包括一支持部件(11)及一外蓋部件(12)，上述支持部件係用於支持在反應室(10)內部設置之一基板架(40)，上述外蓋部件係用於形成一外殼，上述外殼圍繞在支持部件(11)處設置之基板架(40)。原子層沉積設備(1)更包括一傳導加熱器(30)，配置至反應室(10)；傳導加熱器(30)係配置成提供熱能至反應室(10)內部之基板架(40)中設置的基板。本發明亦關於一種具有在反應室(10)內部之一基板架(40)的裝置。

Description

原子層沉積設備和裝置
本發明關於一種原子層沉積設備，且更明確地關於一種如獨立請求項1之前言的原子層沉積設備。
本發明又關於一種用於處理多個基板之裝置，且更明確地關於一種如獨立請求項14之前言的裝置。
在傳統的原子層沉積設備中，配置於真空室內部之反應室係以使用反射器之輻射加熱器加熱，以避免過量的廢熱到真空室中，上述真空室係一外部腔室。由於真空環境，將因為在真空條件下，呈一巢套室(nested chamber)配置之真空室與反應室之間的空間中沒有空氣循環，使熱無法在上述室之間有效地傳遞。除非源頭溫度遠高於目標體溫度，否則經由輻射之熱傳並非十分有效的傳熱方式。另一方面，以技術方式保持高的加熱器溫度並不明智。透過輻射將熱能從加熱器傳遞至反應室係緩慢的方法，且損失至上述外部腔室之能量亦較高。
本發明之一目的係提供一種有效之方式，將熱提供至反應室，使得熱均等地傳遞至設於反應室內部之基板架中的基板。
本發明之目的係藉一種以獨立請求項所陳述特徵之原子層沉積設備和裝置達成。本發明之較佳具體實施例係在附屬請求項中揭露。
本發明係以在放置於反應器中之基板的附近提供熱能給上述基板使得無廢熱生成之構想為基礎。這係藉一種配置成在一批次製程中同時處理多個基板的原子層沉積設備達成，上述原子層沉積設備具有一真空室、及配置於上述真空室內部之一反應室。上述反應室包括一支持部件及一外蓋部件，上述支持部件係用於支持在上述反應室內部設置之一基板架，上述外蓋部件係用於形成一外殼，上述外殼圍繞在上述支持部件處設置之上述基板架。上述原子層沉積設備更包括一傳導加熱器，其配置至上述反應室；上述傳導加熱器係配置成提供熱能至上述反應室內部之上述基板架中設置的基板。
上述傳導加熱器係配置成，經由上述反應室之結構中的傳導而提供熱。上述基板架係固持上述基板於上述基板架處，使得無任何基板直接接觸上述反應室。另一方面，上述基板架係與上述反應室接觸。
依據本發明之原子層沉積設備包括上述傳導加熱器意指，上述原子層沉積設備包括配置至上述反應室中之一或多個傳導加熱器。上述傳導加熱器配置至上述反應室意指，上述傳導加熱器係配置於上述反應室上、上述反應室中、或上述反應室內。這意指上述傳導加熱器可與上述反應室之外表面結合配置，可與上述反應室之內表面結合配置、即配置在上述反應室內部之一反應空間中、或在形成上述反應室之一結構內。
上述反應室包括分離地配置之上述外蓋部件及上述支持部件、即彼此無連續接觸之分離部件。上述支持部件具有一層架支持件，上述層架支持件係配置成固持上述基板架於上述支持部件上。上述基板架包括相疊或並排配置之多個基板支持件。
依據本發明，上述傳導加熱器係配置至上述支持部件。當上述傳導加熱器配置至上述支持部件時，其將上述反應室內部之熱能提供至藉上述外蓋部件圍繞之上述反應空間。熱能之分布因此來自一方向、平均地產生熱。
依據本發明，上述傳導加熱器係配置至上述外蓋部件。替代性地、或除上述傳導加熱器配置於上述支持部件中之先前具體實施例以外，上述傳導加熱器可因此配置於上述外蓋部件中。上述傳導加熱器配置至外蓋部件者，將因熱能來自圍繞上述基板架之結構，而提供更有效的方式來加熱上述反應空間及上述基板架中之基板。
上述傳導加熱器可譬如為一電阻加熱器。
上述傳導加熱器係配置成直接接觸上述支持部件或上述外蓋部件，以達高效率的熱傳。
在本發明之一些具體實施例中，上述傳導加熱器係配置於上述反應室之一結構內部。
在本發明之一些具體實施例中，上述傳導加熱器係埋置於上述反應室之一結構內部。上述埋置的傳導加熱器係作為上述反應室之上述結構的整合一體部分，且直接接觸上述結構。上述傳導加熱器可模製於上述結構內部。
依據本發明，上述傳導加熱器包括配置於上述反應室之一結構內部的一熱元件。上述熱元件可譬如為一熱板(hot plate)，上述熱板係配置於上述結構內部且將熱傳導至上述結構之表面。
上述熱元件可為一熱板，上述熱板具有埋置於上述熱板內部之一加熱器元件、諸如電阻加熱器。
依據本發明，上述傳導加熱器包括埋置於上述反應室之一結構內部的一熱元件。上述埋置的熱元件係作為上述反應室之上述結構的整合一體部分，且直接接觸上述結構。上述熱元件可模製於上述結構內部。
依據本發明，上述支持部件係配置成形成上述反應室之一基底而使上述基板架設於上述基底上，及上述熱元件係配置於上述反應室之上述基底內部。換言之，上述熱元件係埋置至上述反應室之上述基底、在上述基底結構內部，上述基板架係放置於上述基底結構上。上述熱元件藉此將熱傳導至在上述反應空間之側邊上的上述基底之表面，且因此將設立於上述反應空間中之上述基底上的上述基板架上所配置之複數個基板加熱。
依據本發明，形成上述外殼之上述外蓋部件包括複數個反應器側壁及一反應器蓋頂，及上述熱元件係設於上述反應器蓋頂內部。替代性地，形成上述外殼之上述外蓋部件包括複數個反應器側壁及一反應器蓋頂，且上述熱元件係設於上述反應器側壁內部。替代性地，形成上述外殼之上述外蓋部件包括複數個反應器側壁及一反應器蓋頂，且上述熱元件係設於上述反應器側壁及上述反應器蓋頂內部。
換言之，上述熱元件可設置至上述外蓋部件，在上述蓋頂結構內部、或上述側壁結構內部、或上述蓋頂結構及上述側壁結構二者內部。上述熱元件可埋置至上述外蓋部件，使其延伸通過整個上述外蓋部件，平均地提供熱分布至藉上述外蓋部件圍繞之上述反應空間。
依據本發明，上述熱元件係設於上述反應室之上述基底內部及上述反應器蓋頂內部，或替代性地，上述熱元件係設於上述反應室之上述基底內部及上述反應器側壁內部，或替代性地，上述熱元件係設於上述反應室之上述基底內部及上述反應器蓋頂內部及上述反應器側壁內部。替代性地，上述熱元件係與上述反應室之上述基底結合設置及與上述反應器蓋頂結合設置，或替代性地，上述熱元件係與上述反應室之上述基底結合設置及與上述反應器側壁結合設置，或替代性地，上述熱元件係與上述反應室之上述基底結合設置及與上述反應器蓋頂結合設置及在上述反應器側壁內部。替代性地，上述熱元件係設於上述反應室之上述基底內部及與上述反應器蓋頂結合設置，或替代性地上述熱元件係設於上述反應室之上述基底內部及與上述反應器側壁結合設置，或替代性地，上述熱元件係設於上述反應室之上述基底內部及與上述反應器蓋頂結合設置及與上述反應器側壁結合設置。替代性地，上述熱元件係與上述反應室之上述基底結合設置及設於上述反應器蓋頂內部，或替代性地，上述熱元件係與上述反應室之上述基底結合設置及設於上述反應器側壁內部，或替代性地，上述熱元件係與上述反應室之上述基底結合設置及設於上述反應器蓋頂內部及設於上述反應器側壁內部。上述熱元件亦可配置於上述反應室之上述基底內部或與上述反應室之上述基底結合配置，使得上述反應器側壁具有在上述反應器側壁內部或與上述反應器側壁結合之一熱元件，及/或上述反應器蓋頂具有在上述反應器蓋頂內部或與上述反應器蓋頂結合之一熱元件。
在一些具體實施例中，上述反應室包括一加熱器空腔，上述加熱器空腔具有一空腔空間。上述空腔空間係藉上述空腔空間之複數個內表面界定。
上述加熱器空腔係設置至上述反應室之一結構、或與上述反應室之上述結構結合設置。
在一些具體實施例中，上述加熱器空腔係設於上述反應室之上述結構內部。
在一些其他具體實施例中，上述反應室包括上述熱元件，且上述加熱器空腔係設置至上述熱元件。上述熱元件又與上述反應室之上述結構結合設置、或設於上述反應室之上述結構內部。
上述傳導加熱器係配置於上述加熱器空腔內部。緣是，上述傳導加熱器係配置成加熱上述空腔空間及/或上述空腔空間內部。
在一些具體實施例中，上述傳導加熱器係以鬆配合(loose fit)配置於上述加熱器空腔內部。鬆配合意指，上述傳導加熱器係配置於上述加熱器空腔內部，使得上述傳導加熱器與上述加熱器空腔之上述內表面中至少一者之間有空間或間隙。是以，上述傳導加熱器係配置成，與上述加熱器空腔之上述內表面中至少一者分隔。這容許上述傳導加熱器在上述加熱器空腔內部之熱膨脹，使得上述傳導加熱器之上述熱膨脹不致傳遞至上述反應室之上述結構。是以，因上述傳導加熱器之熱膨脹所致的上述反應室之上述結構的熱膨脹可被避免或最小化。
在一些具體實施例中，上述傳導加熱器係配置於上述反應室之上述加熱器空腔內部。
在一些具體實施例中，上述加熱器空腔係配置於上述反應室之上述結構內部，上述傳導加熱器係配置於上述反應室之上述加熱器空腔內部。
在又一些具體實施例，上述傳導加熱器包括上述熱元件，且上述熱元件係配置於上述反應室之上述加熱器空腔內部。
在更一些具體實施例中，上述加熱器空腔係配置於上述反應室之上述結構內部，上述傳導加熱器包括上述熱元件，且上述熱元件係配置於上述反應室之上述加熱器空腔內部。
在一些具體實施例中，上述支持部件係配置成形成上述反應室之上述基底而使上述基板架設於上述基底上。上述加熱器空腔係設置至上述反應室之上述基底部分。
在一些其他具體實施例中，上述支持部件係配置成形成上述反應室之上述基底而使上述基板架設於上述基底上。上述加熱器空腔係設於上述反應室之上述基底部份內部。
在一些具體實施例中，形成上述外殼之上述外蓋部件包括複數個反應器側壁及一反應器蓋頂。上述加熱器空腔係設置至上述反應器蓋頂、或上述加熱器空腔係設於上述反應器蓋頂內部。
在一些其他具體實施例中，形成上述外殼之上述外蓋部件包括複數個反應器側壁及一反應器蓋頂。上述熱元件係設置至上述反應器側壁、或上述熱元件係設於上述反應器側壁內部。
在又一些具體實施例中，形成上述外殼之上述外蓋部件包括複數個反應器側壁及一反應器蓋頂。上述熱元件係設置至上述反應器側壁及上述反應器蓋頂、或上述熱元件係設於上述反應器側壁及上述反應器蓋頂內部。
在一些具體實施例中，上述加熱器空腔之上述內表面係以吸熱材料至少部分地覆蓋、或設有一吸熱材料層，以增加對上述反應室之結構的熱傳。
在一些具體實施例中，上述吸熱材料可為以碳化物為基礎之材料，或為一具有高熱傳導率之金屬、諸如鋁。
依據本發明，上述支持部件與上述外蓋部件一起形成上述反應室，使得上述外蓋部件與上述支持部件配置成可彼此相對地在上述反應室之一開啟位置與上述反應室之一閉合位置之間移動。上述反應室因此可開啟，使得上述外蓋部件移動離開上述支持部件、或上述支持部件移動離開上述外蓋部件、或上述支持部件與上述外蓋部件二者移動離開彼此。上述外蓋部件、或上述支持部件、或上述外蓋部件及上述支持部件二者之移動方向係較佳地呈垂直。上述原子層沉積設備更包括一升降機(lifter)，上述升降機係連接至上述反應室且配置成使上述外蓋部件在上述反應室之上述開啟位置與上述閉合位置之間移動。替代性地，上述原子層沉積設備更包括一升降機，上述升降機係連接至上述反應室且配置成使上述支持部件在上述反應室之上述開啟位置與上述閉合位置之間移動。替代性地，上述原子層沉積設備更包括至少一升降機，上述至少一升降機係連接至上述反應室且配置成使上述外蓋部件及/或上述支持部件在上述反應室之上述開啟位置與上述閉合位置之間移動。上述升降機係連接至上述反應室之上述外蓋部件，且配置成使上述外蓋部件相對於上述反應室之上述支持部件沿垂直方向移動，上述支持部件係配置成在上述真空室內部呈固定不動。替代性地，上述升降機係連接至上述反應室之上述支持部件，且配置成使上述支持部件相對於上述反應室之上述外蓋部件沿垂直方向移動，上述外蓋部件係配置成在上述真空室內部呈固定不動。上述升降機係從上述真空室外側延伸通過上述真空室而至上述反應室。
依據本發明，上述外蓋部件係相對於上述支持部件以可移動式配置，且上述熱元件係設置至上述外蓋部件。替代性地，上述外蓋部件係相對於上述支持部件以可移動式配置，且上述熱元件係設置至上述支持部件。替代性地，上述外蓋部件係相對於上述支持部件以可移動式配置，且上述熱元件係設置至上述外蓋部件及上述支持部件。上述熱元件藉此埋置至上述反應室之可動部件、即上述反應室之上述外蓋部件，或埋置至上述反應室之固定不動部件、即上述反應室之上述支持部件，或埋置至上述反應室之可動部件及固定不動部件二者。
依據本發明，上述支持部件係相對於上述外蓋部件以可移動式配置，且上述熱元件係設置至上述支持部件。替代性地，上述支持部件係相對於上述外蓋部件以可移動式配置，且上述熱元件係設置至上述外蓋部件。替代性地，上述支持部件係相對於上述外蓋部件以可移動式配置，且上述熱元件係設置至上述外蓋部件及上述支持部件。上述熱元件藉此埋置至上述反應室之可動部件、即上述反應室之上述支持部件，或埋置至上述反應室之固定不動部件、即上述反應室之上述外蓋部件，或埋置至上述反應室之可動部件及固定不動部件二者。
依據本發明，上述反應室包括一熱傳導材料，使得來自與上述反應室結合配置之上述傳導加熱器的熱能，傳遞至上述反應室之上述反應空間。上述傳導加熱器之上述熱元件係埋置於上述反應室之結構中，使得圍繞上述熱元件之上述傳導材料將熱能高效率地傳遞至上述基板架設置所在之上述反應空間。
一種依據本發明在一批次製程中同時處理多個基板的裝置，上述原子層沉積設備具有一真空室、及配置於上述真空室內部之一反應室、以及配置於上述反應室內部以用於在一原子層沉積過程期間支持基板之一基板架，上述反應室包括一傳導加熱器，上述傳導加熱器配置成提供熱能至設於上述反應室內部上述基板架處之基板。換言之，上述裝置包括一真空室、配置於上述真空室內部之一反應室、及配置於上述反應室內部之一基板架。上述反應室包括一傳導加熱器，上述傳導加熱器具有一熱元件，上述熱元件係埋置至上述反應室之結構。
依據本發明，上述反應室包括一支持部件及一外蓋部件，上述支持部件係用於支持上述基板架，上述外蓋部件係用於形成一外殼，上述外殼圍繞在上述支持部件處設置之上述基板架。上述支持部件與上述外蓋部件係彼此相對地以可移動式配置，且上述傳導加熱器係配置至可動配置部件、或上述傳導加熱器係配置至固定不動配置部件、或上述傳導加熱器係配置至可動配置部件及至固定不動配置部件二者。換言之，上述反應室可開啟，使得上述外蓋部件移動離開上述支持部件、或上述支持部件移動離開上述外蓋部件、或上述支持部件與上述外蓋部件二者移動離開彼此。上述外蓋部件、或上述支持部件、或上述外蓋部件及上述支持部件二者之移動方向係較佳地呈垂直。上述原子層沉積設備更包括一升降機，上述升降機係連接至上述可動部件或上述多個可動部件。
上述熱元件可設置至上述支持部件，上述支持部件係形成上述反應室之一基底而使上述基板架放置於上述基底上，或者替代性地，上述熱元件可設置至上述外蓋部件，上述外蓋部件係圍繞在上述反應室內部設置之上述基板架。
上述裝置包括如以上描述之原子層沉積設備。
本發明之優點在於，藉由與上述反應室結合使用傳導加熱器，將使加熱器之額定功率及數量最小化。亦，由於傳導加熱器係加熱至接近上述反應室目標溫度之遠較低溫度，因此傳遞至圍繞上述反應室之上述真空室的輻射廢熱將最小化。
第1圖顯示一原子層沉積設備1，包括一真空室20，真空室20內部具有一反應室10。反應室10包括一支持部件11及一外蓋部件12，一起形成反應室10，反應室10內部具有一反應空間。本發明之裝置亦包括一基板架40，設於反應室10內部。一傳導加熱器30係配置至反應室10，以提供熱能至設於反應室10內部之基板架40中的複數個基板。傳導加熱器30可在任何位置設置至反應室10之結構。第1圖顯示出配置至支持部件11及至外蓋部件12之傳導加熱器30，但後續圖式顯示出傳導加熱器30可僅設置至外蓋部件12、或僅至支持部件11。
第2圖顯示原子層沉積設備1，具有真空室20及反應室10，如結合第1圖描述的。在本具體實施例中，傳導加熱器30係與外蓋部件12結合配置，使得傳導加熱器30之一熱元件31係配置於外蓋部件12之蓋頂內部、即反應器蓋頂內部。外蓋部件12係配置成，相對於支持部件11可動，使得支持部件11是固定不動的，及外蓋部件12係配置成垂直地移動離開支持部件11以提供一開啟的反應室10，且朝支持部件11垂直地移動以提供一閉合的反應室10。基板架40係設於保持固定不動之支持部件11上。一升降機50係配置成，從真空室20外側延伸通過真空室20而至反應室10，且連接至反應室10之外蓋部件12，以提供外蓋部件12相對於支持部件11之垂直移動。
第3圖顯示原子層沉積設備1，具有真空室20及反應室10，如結合第1圖描述的。在本具體實施例中，傳導加熱器30係與外蓋部件12結合配置，使得傳導加熱器30之熱元件31配置於外蓋部件12之側壁內部。原子層沉積設備1可包括多個傳導加熱器，設於外蓋部件12之一側壁內部或多個側壁內部。外蓋部件12係配置成相對於支持部件11可動，使得支持部件11是固定不動的，及外蓋部件12係配置成垂直地移動離開支持部件11以提供一開啟的反應室10，且朝支持部件11垂直地移動以提供一閉合的反應室10。基板架40係設於保持固定不動之支持部件11上。一升降機50係配置成，從真空室20外側延伸通過真空室20而至反應室10，且連接至反應室10之外蓋部件12，以提供外蓋部件12相對於支持部件11之垂直移動。
第4圖顯示原子層沉積設備1之又一具體實施例，具有真空室20及反應室10，如結合第1圖描述的。在本具體實施例中，傳導加熱器30係配置至外蓋部件12，使得上述熱元件延伸通過整個上述外蓋部件，平均地提供熱分布至藉外蓋部件12圍繞之上述反應空間。熱元件31可分離地設於上述反應器蓋頂及上述反應器側壁中，或熱元件31可埋置於外蓋部件12中而在上述蓋頂及上述側壁二者中延伸。傳導加熱器30係提供至可動的外蓋部件12，上述可動的外蓋部件係藉連接至外蓋部件12之升降機50移動。
第5圖顯示原子層沉積設備1之更一具體實施例，具有真空室20及反應室10，如結合第1圖描述的。在本具體實施例中，上述可動部件係支持部件11，上述支持部件11具有與其連接之升降機50。傳導加熱器30係設置至上述支持部件，使得熱元件31埋置至支持部件11。
第6圖顯示一具體實施例，其中反應室10包括一支持部件11及一外蓋部件12，一起形成反應室10，反應室10內部具有一反應空間15。上述外蓋部件包括複數個側壁14及一蓋頂13。本發明之裝置亦包括一基板架40，設於反應室10內部。
反應室10之結構設有一加熱器空腔35作為加熱器空腔空間。加熱器空腔35係設置至反應室10之支持部件11。傳導加熱器30係配置於加熱器空腔35內部。
如第6圖中顯示，傳導加熱器30係以鬆配合配置於加熱器空腔35之加熱器空腔空間內部。
在第6圖之具體實施例中，傳導加熱器30包括配置於加熱器空腔35內部之一電阻加熱器。
在一替代性具體實施例中，傳導加熱器30包括配置於加熱器空腔35內部之一熱元件31。
傳導加熱器30係配置至反應室10，以提供熱能至設於反應室10內部之基板架40中的複數個基板。
加熱器空腔35及傳導加熱器30可在任何位置設置至反應室10之結構。
第6圖顯示出配置至支持部件11、且在支持部件11內部之加熱器空腔35。傳導加熱器30更配置於加熱器空腔35內部。
第7圖顯示出配置至反應室10之外蓋部件12的加熱器空腔35。反應室10之側壁14設有加熱器空腔35，且上述傳導加熱器係配置於側壁14之加熱器空腔35內部。傳導加熱器31係配置於側壁14之加熱器空腔35內部。反應室10之蓋頂13亦設有加熱器空腔35，且上述傳導加熱器係配置於蓋頂13之加熱器空腔35內部。傳導加熱器31係配置於蓋頂13之加熱器空腔35內部。
如第7圖中顯示，側壁14之加熱器空腔35及蓋頂13之加熱器空腔35係作為分離的加熱器空腔，且設有分離或共同的(複數個)傳導加熱器30。
在一替代性具體實施例中，側壁14之加熱器空腔35及蓋頂13之加熱器空腔35係一共同加熱器空腔，且設有傳導加熱器30。共同加熱器空腔35可在側壁14中及蓋頂13中延伸。本發明已參考圖式中顯示之範例描述於上。然而，本發明絕不局限於以上範例，而可在申請專利範圍之範疇內變化。
1:原子層沉積設備 10:反應室 11:支持部件 12:外蓋部件 13:蓋頂 14:側壁 15:反應空間 20:真空室 30:傳導加熱器 31:熱元件 35:加熱器空腔 40:基板架 50:升降機
本發明係藉由參考隨附圖式之特定具體實施例作詳細說明，其中 第1圖顯示依據本發明之一原子層沉積設備和裝置； 第2圖顯示依據本發明之一原子層沉積設備和裝置； 第3圖顯示依據本發明之一原子層沉積設備和裝置； 第4圖顯示依據本發明之一原子層沉積設備和裝置； 第5圖顯示依據本發明之一原子層沉積設備和裝置； 第6圖及第7圖顯示依據本發明之原子層沉積設備和裝置。
無
1:原子層沉積設備
10:反應室
11:支持部件
12:外蓋部件
20:真空室
30:傳導加熱器
31:熱元件
40:基板架

Claims (16)

  1. 一種配置成在一批次製程中同時處理多個基板的原子層沉積設備(1)，該原子層沉積設備(1)具有一真空室(20)、及配置於該真空室(20)內部之一反應室(10)，其中該反應室(10)包括： 一支持部件(11)，用於支持在該反應室(10)內部設置之一基板架(40)，及 一外蓋部件(12)，用於形成一外殼，該外殼圍繞在該支持部件(11)處設置之該基板架(40)， 該原子層沉積設備(1)更包括： 一傳導加熱器(30)，配置至該反應室(10)；該傳導加熱器(30)係配置成提供熱能至該反應室(10)內部之該基板架(40)中設置的複數個基板。
  2. 如請求項1之原子層沉積設備(1)，其中該傳導加熱器(30)係配置至該支持部件(11)。
  3. 如請求項1或2之原子層沉積設備(1)，其中該傳導加熱器(30)係配置至該外蓋部件(12)。
  4. 如請求項1至3中任一項之原子層沉積設備(1)，其中： 該傳導加熱器(30)係配置於該反應室(10)之一結構內部，或 該傳導加熱器(30)係埋置於該反應室(10)之材料內部，或 該傳導加熱器(30)包括配置於該反應室(10)之一結構內部的一熱元件(31)，或 該傳導加熱器(30)包括埋置於該反應室(10)之材料內部的一熱元件(31)。
  5. 如請求項4之原子層沉積設備(1)，其中該支持部件(11)係配置成形成該反應室(10)之一基底而使該基板架(40)設於該基底上，及 該熱元件(31)係配置於該反應室(10)之該基底內部。
  6. 如請求項4或5之原子層沉積設備(1)，其中形成該外殼之該外蓋部件包括複數個反應器側壁及一反應器蓋頂，及 該熱元件係設於該反應器蓋頂內部，或 該熱元件係設於該等反應器側壁內部，或 該熱元件係設於該等反應器側壁及該反應器蓋頂內部。
  7. 如請求項1至3中任一項之原子層沉積設備(1)，其中： 該反應室(10)包括一加熱器空腔(35)，且該傳導加熱器(30)係配置於該反應室(10)之該加熱器空腔(35)內部，或 該反應室(10)包括一加熱器空腔(35)，該加熱器空腔配置於該反應室(10)之一結構內部，且該傳導加熱器(30)係配置於該反應室(10)之該加熱器空腔(35)內部，或 該反應室(10)包括一加熱器空腔(35)，該傳導加熱器(30)包括一熱元件(31)，且該熱元件(31)係配置於該反應室(10)之該加熱器空腔(35)內部，或 該反應室(10)包括一加熱器空腔(35)，該加熱器空腔配置於該反應室(10)之一結構內部，該傳導加熱器(30)包括一熱元件(31)，且該熱元件(31)係配置於該反應室(10)之該加熱器空腔(35)內部。
  8. 如請求項7之原子層沉積設備(1)，其中該支持部件(11)係配置成形成該反應室(10)之一基底而使該基板架(40)設於該基底上，及其中： 該加熱器空腔(35)係設置至該反應室(10)之該基底部分，或 該加熱器空腔(35)係設於該反應室(10)之該基底部分內部。
  9. 如請求項7或8之原子層沉積設備(1)，其中形成該外殼之該外蓋部件(12)包括複數個反應器側壁(14)及一反應器蓋頂(13)，及其中 該加熱器空腔(35)係設置至該反應器蓋頂，或 該加熱器空腔(35)係設置於該反應器蓋頂內部，或 該熱元件係設置至該等反應器側壁，或 該熱元件係設置於該等反應器側壁內部，或 該熱元件係設置至該等反應器側壁及該反應器蓋頂，或 該熱元件係設置於該等反應器側壁及該反應器蓋頂內部。
  10. 如請求項1至9中任一項之原子層沉積設備(1)，其中該支持部件(11)與該外蓋部件(12)一起形成該反應室(10)，使得該外蓋部件(12)與該支持部件(11)配置成可彼此相對地在該反應室(10)之一開啟位置與該反應室(10)之一閉合位置之間移動。
  11. 如請求項10之原子層沉積設備(1)，其中該外蓋部件(12)係相對於該支持部件(11)以可移動式配置，及 該傳導加熱器(30)或該熱元件(31)係設置至該外蓋部件(12)，或 該傳導加熱器(30)或該熱元件(31)係設置至該支持部件(11)，或 該傳導加熱器(30)或該熱元件(31)係設置至該支持部件(11)及該外蓋部件(12)二者。
  12. 如請求項10之原子層沉積設備(1)，其中該支持部件(11)係相對於該外蓋部件(12)以可移動式配置，及 該傳導加熱器(30)或該熱元件(31)係設置至該支持部件(11)，或 該傳導加熱器(30)或該熱元件(31)係設置至該外蓋部件(12)，或 該傳導加熱器(30)或該熱元件(31)係設置至該支持部件(11)及該外蓋部件(12)二者。
  13. 如請求項1至12中任一項之原子層沉積設備(1)，其中該反應室(10)包括一熱傳導材料，使得來自與該反應室(10)結合配置之該傳導加熱器(30)的熱能，傳遞至該反應室(10)之反應空間。
  14. 一種用於在一批次製程中同時處理多個基板的裝置，該裝置包括一原子層沉積設備(1)，該原子層沉積設備具有一真空室(20)、及配置於該真空室(20)內部之一反應室(10)、以及配置於該反應室(10)內部以用於在一原子層沉積過程期間支持複數個基板之一基板架(40)，其中該反應室(10)包括一傳導加熱器(30)，該傳導加熱器配置成提供熱能至設於該反應室(10)內部該基板架(40)處之複數個基板。
  15. 如請求項14之裝置，其中該反應室(10)包括一支持部件(11)及一外蓋部件(12)，該支持部件係用於支持該基板架(40)，該外蓋部件係用於形成一外殼，該外殼圍繞在該支持部件(11)處設置之該基板架(40)， 該支持部件(11)與該外蓋部件(12)係彼此相對地以可移動式配置，及 該傳導加熱器(30)係配置至可動配置的部件，或 該傳導加熱器(30)係配置至固定不動配置的部件，或 該傳導加熱器(30)係配置至可動配置的部件及至固定不動配置的部件二者。
  16. 如請求項14或15之裝置，其中該裝置包括如請求項1至10中任一項之原子層沉積設備。
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