TW202319235A - 光學積層體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠抑制與使用環境相應之反射色相變化之光學積層體。本發明之光學積層體具備：包含偏光元件之偏光板、及經由黏著劑層而貼合於上述偏光板之相位差層，上述相位差層為液晶化合物之配向固化層，23℃下之上述黏著劑層之剪切儲存模數G'為0.2 MPa以下。

Description

光學積層體
本發明係一種光學積層體。
近年來，以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置(例如，有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)為代表之圖像顯示裝置正在急速普及。於圖像顯示裝置中，代表性而言使用有具備偏光板及相位差層之光學積層體。又，為了實現光學積層體之薄型化，有時使用液晶化合物之配向固化層作為相位差層。作為此種光學積層體，例如已知有一種經由紫外線硬化型接著劑而於偏光板貼合有液晶化合物之配向固化層的附相位差層之偏光板(例如專利文獻1)。然而，若於圖像顯示裝置中採用此種附相位差層之偏光板，則存在反射色相隨著圖像顯示裝置之使用環境而發生變化之問題。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2021-63975公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述先前之課題而完成者，其主要目的在於提供一種能夠抑制與使用環境相應之反射色相變化之光學積層體。 [解決問題之技術手段]
本發明之實施方式之光學積層體具備：包含偏光元件之偏光板、及經由黏著劑層而貼合於上述偏光板之視認側之相反側之相位差層，上述相位差層為液晶化合物之配向固化層，23℃下之上述黏著劑層之剪切儲存模數G'為0.2 MPa以下。 於一實施方式中，上述黏著劑層之厚度為5 μm以下。 於一實施方式中，上述相位差層之厚度未達上述偏光元件之厚度。 於一實施方式中，23℃下之上述黏著劑層之剪切儲存模數G'為0.1 MPa以下。 於一實施方式中，上述偏光元件之厚度為8 μm以下。 於一實施方式中，上述相位差層顯示出逆波長色散特性，且作為λ/4板發揮作用，上述相位差層之遲相軸與上述偏光元件之吸收軸所成之角度為42°～48°。 [發明之效果]
根據本發明之實施方式，能夠實現能夠抑制與使用環境相應之反射色相變化之光學積層體。
以下，對本發明之代表性實施方式進行說明，但本發明並不限定於該等實施方式。
(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」為面內折射率最大之方向(即，遲相軸方向)之折射率，「ny」為於面內與遲相軸正交之方向(即，進相軸方向)之折射率，「nz」為厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」為於23℃下用波長λnm之光測得之膜之面內相位差。例如，「Re(450)」為於23℃下用波長450 nm之光測得之膜之面內相位差。Re(λ)係將膜之厚度設為d(nm)時，藉由式：Re＝(nx－ny)×d而求得。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」為於23℃下用波長λnm之光測得之膜之厚度方向之相位差。例如，「Rth(450)」為於23℃下用波長450 nm之光測得之膜之厚度方向之相位差。Rth(λ)係將膜之厚度設為d(nm)時，藉由式：Rth＝(nx－nz)×d而求得。 (4)Nz係數 Nz係數係藉由Nz＝Rth/Re而求得。 (5)角度 於本說明書中，言及角度時，只要無特別聲明，則該角度包含順時針方向及逆時針方向這兩個方向之角度。
A.光學積層體之整體構成 圖1係本發明之一實施方式之光學積層體之概略剖視圖。圖示例之光學積層體1具備：包含偏光元件21之偏光板2、及經由黏著劑層4而貼合於偏光板2之視認側之相反側之相位差層3。換言之，光學積層體1自光學積層體1之視認側起依序具備：偏光板2、黏著劑層4、及相位差層3。相位差層3係液晶化合物之配向固化層。於本說明書中，「配向固化層」係指液晶化合物於層內沿特定方向配向且其配向狀態固定之層。再者，「配向固化層」係包含使液晶單體硬化所得之配向硬化層之概念。23℃下之黏著劑層4之剪切儲存模數G'為0.20 MPa以下，較佳為0.15 MPa以下，更佳為0.10 MPa以下，代表性而言為0.01 MPa以上，較佳為0.05 MPa以上。 黏著劑層之剪切儲存模數G'可依據下述實施例中記載之方法進行測定。 關於相位差層，代表性而言，折射率特性顯示出nx＞ny＝nz之關係。再者，「ny＝nz」不僅包括ny與nz完全相等之情況，亦包括實質上相等之情況。因此，於不損害本發明之效果之範圍內，可存在ny＞nz或ny＜nz之情況。 於相位差層為液晶化合物之配向固化層之情形時，能夠使相位差層之nx與ny之差顯著大於非液晶材料，故能夠顯著減小用於獲得所需之面內相位差之相位差層之厚度。其結果，能夠實現光學積層體(結果為圖像顯示裝置)之薄型化。然而，若將包含液晶化合物之配向固化層之相位差層用於光學積層體，則於偏光板根據光學積層體之使用環境而發生尺寸變化時，存在偏光板之尺寸變化對相位差層造成影響而使光學積層體之反射色相變化增大之情況。相對於此，若為如上所述之構成，則由於位於偏光板與相位差層之間之黏著劑層之剪切儲存模數G'為上述上限以下，故能夠降低偏光板之尺寸變化對相位差層造成之影響，能夠抑制光學積層體之反射色相變化。
於本發明之一實施方式中，光學積層體1具備位於相位差層3之與視認側相反之側之黏著劑層5。以下，將位於偏光板2與相位差層3之間之黏著劑層4設為第1黏著劑層4，將相對於相位差層3位於第1黏著劑層4之相反側之黏著劑層5設為第2黏著劑層5以作區別。光學積層體1可藉由第2黏著劑層5而貼附於圖像顯示面板。較佳為第2黏著劑層5之與相位差層3相反之側之表面暫時黏有剝離膜(未圖示)直至將光學積層體1供於使用。藉由暫時黏有剝離膜，能夠保護第2黏著劑層，並能夠使光學積層體形成卷。
於本發明之一實施方式中，偏光板2具備：偏光元件21、配置於偏光元件21之視認側之第1保護層22、及配置於偏光元件21之與視認側相反之側之第2保護層23。第1保護層22及第2保護層23各者代表性而言經由任意之適當之接著層(接著劑層、黏著劑層：未圖示)而貼合於偏光元件21。第2保護層23位於偏光元件21與第1黏著劑層4之間，壓敏接著於第1黏著劑層4。再者，偏光板2亦可不具備第2保護層23。於此情形時，偏光元件21壓敏接著於第1黏著劑層4。
偏光元件21之厚度代表性而言為1 μm以上，較佳為3 μm以上，代表性而言為15 μm以下，較佳為12 μm以下，進而較佳為10 μm以下，特佳為8 μm以下。若偏光元件之厚度為上述上限以下，則可謀求光學積層體之薄化，並且能夠抑制與使用環境相應之偏光板之尺寸變化，能夠穩定地抑制光學積層體之反射色相變化。
第1黏著劑層4之厚度代表性而言為2 μm以上，較佳為5 μm以上，更佳為8 μm以上，進而較佳為10 μm以上，代表性而言為20 μm以下，較佳為15 μm以下。第1黏著劑層4之厚度可未達偏光元件21之厚度，亦可為偏光元件21之厚度以上。第1黏著劑層4之厚度相對於偏光元件21之厚度(第1黏著劑層4之厚度/偏光元件21之厚度)代表性而言為0.3以上，較佳為0.4以上，更佳為0.8以上，代表性而言為2.0以下，較佳為1.5以下。若第1黏著劑層之厚度為上述下限以上，則能夠穩定地抑制偏光板之尺寸變化對相位差層之影響。若第1黏著劑層之厚度為上述上限以下，則可謀求光學積層體之薄化。
相位差層3代表性而言作為λ/4板發揮作用。相位差層3之厚度可設定為具有作為λ/4板之適當之功能。相位差層3之厚度可未達偏光元件21之厚度，亦可為偏光元件21之厚度以上。相位差層3之厚度較佳為未達偏光元件21之厚度。若相位差層3之厚度未達偏光元件21之厚度，則可謀求光學積層體之進一步薄化。相位差層3之厚度代表性而言為1 μm～5 μm，較佳為3 μm以下。相位差層3之厚度相對於偏光元件21之厚度(相位差層3之厚度/偏光元件21之厚度)代表性而言為0.1以上，較佳為0.2以上，代表性而言為1.5以下，較佳為未達1.0，更佳為0.8以下。
以下，對光學積層體之構成元件進行說明。
B.偏光板 B-1.偏光元件 偏光元件21可採用任意之適當之偏光元件。例如，形成偏光板2之樹脂膜可為單層樹脂膜，亦可為兩層以上之積層體。形成偏光元件21之樹脂膜包含二色性物質。作為二色性物質，例如可例舉：碘、有機染料等。二色性物質可單獨使用或組合使用。於二色性物質中，較佳可例舉碘。
作為由單層樹脂膜構成之偏光元件之具體例，可例舉對PVA(polyvinyl alcohol，聚乙烯醇)系樹脂膜實施碘染色處理及延伸處理(代表性而言為單軸延伸)所得者。上述碘染色例如可藉由將PVA系膜浸漬於碘水溶液中而進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3～7倍。延伸可於染色處理後進行，亦可一面染色一面進行。又，亦可於延伸後進行染色。視需要對PVA系樹脂膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如藉由於染色前將PVA系樹脂膜浸漬於水中進行水洗，不僅可將PVA系膜表面之污垢或結塊抑制劑洗淨，而且可使PVA系樹脂膜膨潤而防止染色不均等。
作為使用積層體所得之偏光元件之具體例，可例舉使用如下積層體所得的偏光元件：樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體、或者樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體。關於使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體所得的偏光元件，例如可藉由如下方式製得：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材，使其乾燥，於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；對該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本發明之一實施方式中，較佳為於樹脂基材之單側形成包含鹵化物及聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層。代表性而言，延伸包括將積層體浸漬於硼酸水溶液中進行延伸。進而，延伸可視需要進而包括：於硼酸水溶液中進行延伸前，使積層體於高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸。此外，於本發明之一實施方式中，較佳為將積層體供至乾燥收縮處理，該乾燥收縮處理係一面沿長度方向進行搬送一面進行加熱，藉此於寬度方向上收縮2%以上。代表性而言，本實施方式之製造方法包括對積層體依序實施空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸，即便於熱塑性樹脂上塗佈PVA時，亦能夠提高PVA之結晶性，能夠達成較高之光學特性。又，同時於事前提高PVA之配向性，藉此，於隨後之染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時，能夠避免PVA之配向性降低或溶解等問題，能夠達成較高之光學特性。進而，於將PVA系樹脂層浸漬於液體中之情形時，與PVA系樹脂層不含鹵化物之情形相比，能夠抑制聚乙烯醇分子之配向混亂及配向性降低。藉此，能夠提高經由染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中進行之處理步驟而得之偏光元件之光學特性。進而，藉由乾燥收縮處理，使積層體於寬度方向上收縮，藉此能夠提高光學特性。所得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為偏光元件之保護層)，亦可自樹脂基材/偏光元件之積層體將樹脂基材剝離並於該剝離面上積層與目的相應之任意之適當保護層而使用。此種偏光元件之製造方法之詳情例如記載於日本專利特開2012-73580公報、日本專利第6470455號中。該等公報之全部記載以參考之形式引用至本說明書中。
偏光元件21較佳為包含兩層以上之積層體，更佳為包含樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體。
偏光元件21較佳為於波長380 nm～780 nm中之任一波長下顯示出吸收二色性。偏光元件21之單體透過率例如為41.5%～46.0%，較佳為43.0%～46.0%，更佳為44.5%～46.0%。偏光元件21之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。
B-2.第1保護層及第2保護層 第1保護層22及第2保護層23各者可藉由可用作偏光元件21之保護層之任意之適當之膜而形成。作為成為該膜之主成分之材料之具體例，可例舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂；聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系等環烯烴系；聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等透明樹脂等。又，亦可例舉：(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、矽酮系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。再者，「(甲基)丙烯酸系樹脂」係指丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂。此外，例如亦可例舉：矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529公報(WO01/37007)所記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有側鏈具有經取代或未經取代之亞胺基之熱塑性樹脂、及側鏈具有經取代或未經取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組合物，例如可例舉：具有包含異丁烯及N-甲基馬來醯亞胺之交替共聚物、以及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。
第1保護層22及第2保護層23可包含(甲基)丙烯酸系樹脂。作為(甲基)丙烯酸系樹脂，例如可使用具有戊二醯亞胺結構之(甲基)丙烯酸系樹脂。具有戊二醯亞胺結構之(甲基)丙烯酸系樹脂例如記載於日本專利特開2006-309033公報、日本專利特開2006-317560公報、日本專利特開2006-328329公報、日本專利特開2006-328334公報、日本專利特開2006-337491公報、日本專利特開2006-337492公報、日本專利特開2006-337493公報、日本專利特開2006-337569公報、日本專利特開2007-009182公報、日本專利特開2009-161744公報、日本專利特開2010-284840公報中。該等記載以參考形式引用至本說明書中。 第1保護層22較佳為包含環烯烴系樹脂，更佳為包含聚降𦯉烯系樹脂。第2保護層23較佳為包含纖維素系樹脂，更佳為包含三乙醯纖維素系樹脂。
第1保護層22及第2保護層23各者之厚度代表性而言為300 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為5 μm～80 μm，進而較佳為10 μm～60 μm。再者，於經實施表面處理之情形時，第1保護層22及第2保護層23各者之厚度為包括表面處理層之厚度在內之厚度。
C.相位差層 相位差層3係為了對圖像顯示裝置(代表性而言為有機EL顯示裝置)賦予抗反射特性而設置。相位差層3相對於第1黏著劑層4位於與偏光板2相反之側。相位差層3壓敏接著於第1黏著劑層4。如上所述，關於相位差層3，代表性而言，折射率特性顯示出nx＞ny＝nz之關係。相位差層3之面內相位差Re(550)較佳為100 nm～190 nm，更佳為110 nm～170 nm，進而較佳為120 nm～160 nm。
相位差層3之Nz係數較佳為0.9～1.5，更佳為0.9～1.3。藉由滿足此種關係，可獲得具有非常優異之反射色相之圖像顯示裝置。
於本發明之一實施方式中，相位差層3顯示出相位差值根據測定光之波長而變大之逆波長色散特性。於此情形時，相位差層3之Re(450)/Re(550)較佳為0.8以上且未達1，更佳為0.8以上0.95以下。若為此種構成，則能夠實現非常優異之抗反射特性。
相位差層3之遲相軸與偏光元件21之吸收軸所成之角度較佳為40°～50°，更佳為42°～48°，進而較佳為約45°。若角度處於此種範圍內，則藉由如上所述將相位差層作為λ/4板，可獲得具有非常優異之抗反射特性之圖像顯示裝置。
如上所述，相位差層3為液晶化合物之配向固化層。於本發明之一實施方式中，相位差層3包含棒狀液晶化合物。棒狀液晶化合物以沿相位差層3之遲相軸方向排列之狀態配向(水平配向)。作為棒狀液晶化合物，例如可例舉液晶聚合物及液晶單體。液晶化合物較佳為可聚合。若液晶化合物可聚合，則藉由使液晶化合物配向後進行聚合，能夠使液晶化合物之配向狀態固定。
作為液晶化合物之配向固化層之相位差層3可使用包含可聚合之液晶化合物(聚合性液晶化合物)之組合物而形成。於本說明書中，組合物中所含之聚合性液晶化合物係指具有聚合性基且具有液晶性之化合物。聚合性基意指參與聚合反應之基，較佳為光聚合性基。此處，光聚合性基係指可利用自光聚合起始劑產生之活性自由基或酸等而參與聚合反應之基。
液晶性之表現可為熱致型，亦可為溶致型。又，液晶相之構成可為向列型液晶，亦可為層列型液晶。就容易製造之觀點而言，較佳為液晶性為熱致型之向列型液晶。
於一實施方式中，相位差層3係使用包含下述式(1)所表示之液晶化合物之組合物而形成。 L 1-SP 1-A 1-D 3-G 1-D 1-Ar-D 2-G 2-D 4-A 2-SP 2-L 2(1)
L 1及L 2各自獨立地表示一價有機基，L 1及L 2中之至少一者表示聚合性基。一價有機基包含任意之適當之基。作為L 1及L 2中之至少一者所示之聚合性基，可例舉：自由基聚合性基(可自由基聚合之基)。自由基聚合性基可使用任意之適當之自由基聚合性基。較佳為丙烯醯基或甲基丙烯醯基。就聚合速度快、生產性提高之觀點而言，較佳為丙烯醯基。甲基丙烯醯基亦可同樣地用作高雙折射性液晶之聚合性基。
SP 1及SP 2各自獨立地表示單鍵、直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基、或構成碳數1～14之直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基之1個以上之-CH 2-被-O-取代而成之二價連結基。作為碳數1～14之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，較佳可例舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基及伸己基。
A 1及A 2各自獨立地表示脂環式烴基或芳香族環取代基。A 1及A 2較佳為碳數6以上之芳香族環取代基或碳數6以上之伸環烷基環。
D 1、D 2、D 3及D 4各自獨立地表示單鍵或二價連結基。具體而言，D 1、D 2、D 3及D 4表示單鍵、-O-CO-、-C(=S)O-、-CR 1R 2-、-CR 1R 2-CR 3R 4-、-O-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CR 3R 4-、-CO-O-CR 1R 2-、-O-CO-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CO-CR 3R 4-、-CR 1R 2-CO-O-CR 3R 4-、-NR 1-CR 2R 3-、或-CO-NR 1-。其中，D 1、D 2、D 3及D 4中之至少一者表示-O-CO-。其中，較佳為D 3為-O-CO-，更佳為D 3及D 4為-O-CO-。D 1及D 2較佳為單鍵。R 1、R 2、R 3及R 4各自獨立地表示氫原子、氟原子、或碳數1～4之烷基。
G 1及G 2各自獨立地表示單鍵或脂環式烴基。具體而言，G 1及G 2可表示未經取代或經取代之碳數5～8之二價脂環式烴基。又，構成脂環式烴基之1個以上之-CH 2-可被-O-、-S-或-NH-取代。G 1及G 2較佳為表示單鍵。
Ar表示芳香族烴環或芳香族雜環。Ar例如表示選自由下述式(Ar-1)～(Ar-6)所表示之基所組成之群中之芳香族環。再者，於下述式(Ar-1)～(Ar-6)中，*1表示與D 1之鍵結位置，*2表示與D 2之鍵結位置。 [化1]
Figure 02_image001
於式(Ar-1)中，Q 1表示N或CH，Q 2表示-S-、-O-、或-N(R 5)-。R 5表示氫原子或碳數1～6之烷基。Y 1表示未經取代或經取代之碳數6～12之芳香族烴基、或碳數3～12之芳香族雜環基。
於式(Ar-1)～(Ar-6)中，Z 1、Z 2及Z 3各自獨立地表示氫原子、碳數1～20之一價脂肪族烴基、碳數3～20之一價脂環式烴基、碳數6～20之一價芳香族烴基、鹵素原子、氰基、硝基、-NR 6R 7、或-SR 8。R 6～R 8各自獨立地表示氫原子或碳數1～6之烷基，Z 1及Z 2可互相鍵結而形成環。環可為脂環式、雜環、及芳香族環中之任一者，較佳為芳香環。所形成之環亦可經取代基取代。
於式(Ar-2)及(Ar-3)中，A 3及A 4各自獨立地表示選自由-O-、-N(R 9)-、-S-、及-CO-所組成之群中之基，R 9表示氫原子或取代基。作為R 9所示之取代基，可例舉與上述式(Ar-1)中之Y 1可具有之取代基相同者。
於式(Ar-2)中，X表示氫原子或者未經取代或具有取代基之第14～16族非金屬原子。作為X所表示之第14族～第16族非金屬原子，例如可例舉：氧原子、硫原子、未經取代或具有取代基之氮原子、未經取代或具有取代基之碳原子。作為取代基，可例舉與上述式(Ar-1)中之Y 1可具有之取代基相同者。
於式(Ar-3)中，D 5及D 6各自獨立地表示單鍵、-O-CO-、-C(=S)O-、-CR 1R 2-、-CR 1R 2-CR 3R 4-、-O-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CR 3R 4-、-CO-O-CR 1R 2-、-O-CO-CR 1R 2-、-CR 1R 2-O-CO-CR 3R 4-、-CR 1R 2-CO-O-CR 3R 4-、-NR 1-CR 2R 3-、或-CO-NR 1-。R 1、R 2、R 3及R 4如上所述。
於式(Ar-3)中，SP 3及SP 4各自獨立地表示單鍵、碳數1～12之直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基、或構成碳數1～12之直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基之1個以上之-CH 2-經-O-、-S-、-NH-、-N(Q)-、或者-CO-取代而成之二價連結基，Q表示聚合性基。
於式(Ar-3)中，L 3及L 4各自獨立地表示一價有機基，L 3及L 4以及上述式(1)中之L 1及L 2中之至少一者表示聚合性基。
於式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ax表示具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環所組成之群中之至少一種芳香族環的碳數2～30之有機基。於式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ax較佳為具有芳香族雜環，更佳為具有苯并噻唑環。於式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ay表示氫原子、未經取代或可具有取代基之碳數1～6之烷基、或具有選自由芳香族烴環及芳香族雜環所組成之群中之至少一種芳香族環之碳數2～30之有機基。於式(Ar-4)～(Ar-6)中，Ay較佳為表示氫原子。
於式(Ar-4)～(Ar-6)中，Q 3表示氫原子、或者未經取代或可具有取代基之碳數1～6之烷基。於式(Ar-4)～(Ar-6)中，Q 3較佳為表示氫原子。
此種Ar之中，較佳可例舉上述式(Ar-4)或上述式(Ar-6)所表示之基(原子團)。
液晶聚合物及液晶單體可分別單獨使用，亦可加以組合。關於液晶化合物之具體例，例如記載於日本專利特開2006-163343公報、日本專利特開2006-178389公報、國際公開第2018/123551公報中。該等公報之記載以參考之形式引用至本說明書中。
相位差層3例如可按照以下順序形成。首先，於任意之適當之基材上塗佈配向膜形成用塗佈液，使其乾燥而形成塗佈膜。對該塗佈膜實施摩擦處理，於基材上形成配向膜。作為配向處理，代表性而言可例舉：摩擦處理、光配向處理。配向膜一般包含聚合物材料作為主成分。作為聚合物材料之代表例，可例舉：聚乙烯醇、聚醯亞胺、及該等之衍生物。然後，於配向膜上塗佈包含聚合性液晶化合物之溶液並進行加熱。藉由加熱，去除溶劑並促進液晶化合物之配向。此時，可以一階段進行加熱，亦可改變溫度而以多階段進行加熱。繼而，藉由紫外線照射，使聚合性液晶化合物聚合，使液晶化合物之配向固定化。如此，於基材上(實質上為配向膜上)形成包含液晶化合物之配向固化層之相位差層3。其後，相位差層3經由第1黏著劑層4進行轉印以使偏光元件21之吸收軸與相位差層3之遲相軸所成之角度成為上述範圍。再者，使棒狀液晶化合物配向之方法例如記載於日本專利特開2006-163343公報、日本專利特開2006-178389公報中。該等公報之記載以參考之形式引用至本說明書中。
D.第1黏著劑層 第1黏著劑層4由黏著劑(壓敏接著劑)形成。第1黏著劑層4例如於偏光板之第2保護層上以成為上述厚度之方式塗佈黏著劑而形成。
代表性而言，黏著劑含有(甲基)丙烯酸系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物、矽酮系聚合物或橡膠系聚合物作為基礎聚合物。於使用(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時，黏著劑層例如由含有(甲基)丙烯酸系聚合物之黏著劑形成。
D-1.(甲基)丙烯酸系聚合物 (甲基)丙烯酸系聚合物含有以(甲基)丙烯酸烷基酯為主成分之單體成分(原料單體)之聚合物。換言之，(甲基)丙烯酸系聚合物包含來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。(甲基)丙烯酸烷基酯於成為(甲基)丙烯酸系聚合物之原料之全部單體成分中，較佳為50重量%以上，除該(甲基)丙烯酸烷基酯以外之單體之剩餘部分可任意設定。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
作為構成(甲基)丙烯酸系聚合物之主骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯，可例舉直鏈狀或支鏈狀之烷基碳數1～18者。作為烷基，例如可例舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基、環己基、庚基、2-乙基己基、異辛基、壬基、癸基、異癸基、十二烷基、異肉豆蔻基、月桂基、十三烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或組合使用。烷基之平均碳數較佳為3～10。
(甲基)丙烯酸系聚合物除含有來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，亦可含有來自可與(甲基)丙烯酸烷基酯聚合之共聚單體之結構單元。即，成為(甲基)丙烯酸系聚合物之原料之單體成分除包含(甲基)丙烯酸烷基酯以外，亦可進而包含共聚單體。
作為共聚單體，例如可例舉：含羧基之單體、含羥基之單體、含胺基之單體、含醯胺基之單體、環化聚合性單體、含環氧基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、多官能丙烯酸酯、具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯、乙烯酯類、芳香族乙烯系化合物、二烯類、乙烯醚類、氯乙烯等。共聚單體可單獨使用或組合使用。
於此種共聚單體中，較佳可例舉含有可與下述交聯劑反應之反應性基之含反應性基之單體，更佳可例舉含羧基之單體、含羥基之單體。含反應性基之單體於黏著劑含有下述交聯劑之情形時，成為與交聯劑之反應點。含羧基之單體及含羥基之單體富於與分子間交聯劑之反應性，故適宜用於提高所獲得之黏著劑層之凝聚性或耐熱性。又，就兼具耐久性及二次加工性之方面而言，較佳為含羧基之單體，就提高二次加工性之方面而言，較佳為含羥基之單體。共聚單體於(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體中可單獨使用或組合使用。
含羧基之單體係於其結構中包含羧基且包含(甲基)丙烯醯基、乙烯基等之聚合性不飽和雙鍵之化合物。作為含羧基之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、丁烯酸等。其中，較佳為丙烯酸。(甲基)丙烯酸系聚合物較佳可包含來自含羧基之單體之結構單元，更佳可包含來自(甲基)丙烯酸之結構單元。若(甲基)丙烯酸系聚合物包含來自含羧基之單體之結構單元，則可謀求黏著劑層之黏著特性之提高。
於使用含羧基之單體作為原料單體之情形時，於成為(甲基)丙烯酸系聚合物之原料之全部單體成分中，含羧基之單體之含量通常為0.01重量%以上10重量%以下。
含羥基之單體係於其結構中包含羥基且包含(甲基)丙烯醯基、乙烯基等之聚合性不飽和雙鍵之化合物。作為含羥基之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等。其中，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，更佳為(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯。(甲基)丙烯酸系聚合物較佳可包含來自含羥基之單體之結構單元，更佳可包含來自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯及/或(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯之結構單元。若(甲基)丙烯酸系聚合物包含來自含羥基之單體之結構單元，則可謀求黏著劑層之耐久性之提高。
於使用含羥基之單體作為原料單體之情形時，於成為(甲基)丙烯酸系聚合物之原料之全部單體成分中，含羥基之單體之含量通常為0.01重量%以上10重量%以下。
又，單體成分更佳為含有具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯作為共聚單體。作為具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉(甲基)丙烯酸苄酯。(甲基)丙烯酸系聚合物更佳可包含來自具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯之結構單元，特佳可包含來自(甲基)丙烯酸苄酯之結構單元。 於使用具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯作為原料單體之情形時，於成為(甲基)丙烯酸系聚合物之原料之全部單體成分中，具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯之含量通常為1重量%以上30重量%以下。
(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量Mw例如為20萬～300萬，較佳為100萬～250萬，更佳為120萬～250萬。若重量平均分子量Mw處於此種範圍內，則可獲得耐久性(尤其是耐熱性)優異之黏著劑層。若重量平均分子量Mw超過300萬，則存在發生黏度上升及/或聚合物聚合中之凝膠化之情況。
D-2.交聯劑 黏著劑可含有交聯劑。作為交聯劑，可使用有機系交聯劑、多官能性金屬螯合物等。作為有機系交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑、環氧系交聯劑、亞胺系交聯劑。多官能性金屬螯合物係多價金屬與有機化合物共價鍵結或配位鍵結而成者。於黏著劑為放射線硬化型之情形時，可使用多官能性單體作為交聯劑。交聯劑可單獨使用或組合使用。交聯劑較佳為包含異氰酸酯系交聯劑。
於黏著劑中調配交聯劑時，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物(基礎聚合物)100重量份，交聯劑之調配量通常為0.01重量份～15重量份。於黏著劑中調配異氰酸酯系交聯劑時，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，異氰酸酯系交聯劑之調配量通常為0.01重量份～15重量份，較佳為1.0重量份～10重量份，更佳為2.5重量份～5重量份。於黏著劑中調配過氧化物系交聯劑時，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，過氧化物系交聯劑之調配量通常為0.01重量份～2重量份，較佳為0.1重量份～0.5重量份。若交聯劑(異氰酸酯系交聯劑及過氧化物系交聯劑)之調配比率處於上述範圍內，則於(甲基)丙烯酸系聚合物之原料單體成分中含有含反應性基之單體之情形時，可將下述黏著劑層之彈性模數順暢地調整至所需範圍。
D-3.含反應性官能基之矽烷偶合劑 黏著劑可含有含反應性官能基之矽烷偶合劑。關於含反應性官能基之矽烷偶合劑，反應性官能基代表性而言為除酸酐基以外之官能基。作為除酸酐基以外之官能基，例如可例舉：環氧基、巰基、胺基、異氰酸基、異氰尿酸酯基、乙烯基、苯乙烯基、乙醯乙醯基、脲基、硫脲基、(甲基)丙烯酸基、雜環基、及該等之組合。含反應性官能基之矽烷偶合劑可單獨使用或組合使用。
於黏著劑中調配含反應性官能基之矽烷偶合劑時，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，含反應性官能基之矽烷偶合劑之調配量通常為0.001重量份以上5重量份以下。
D-4.添加劑 黏著劑可含有(甲基)丙烯酸系低聚物及/或離子性化合物。又，黏著劑可含有添加劑。作為添加劑之具體例，可例舉：著色劑、顏料等粉體、染料、界面活性劑、塑化劑、黏著性賦予劑、表面潤滑劑、調平劑、軟化劑、抗氧化劑、防老化劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、無機或有機填充劑、金屬粉、粒狀、箔狀物。又，於可控範圍內，可採用添加有還原劑之氧化還原系統。又，黏著劑可包含具有反應性基(例如反應性矽烷基)之聚醚化合物。添加劑之種類、數量、組合、含量等可根據目的進行適當設定。相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份，添加劑之含量較佳為5重量份以下，更佳為3重量份以下，進而較佳為1重量份以下。
E.第2黏著劑層 第2黏著劑層5配置於相位差層3之與視認側相反之側。第2黏著劑層5之厚度代表性而言為10 μm以上，較佳為14 μm以上，代表性而言為20 μm以下，較佳為17 μm以下。第2黏著劑層5由黏著劑(壓敏接著劑)形成。第2黏著劑層5例如於任意之適當之隔離膜上以成為上述厚度之方式塗佈黏著劑而形成，其後，自隔離膜轉印至相位差層3。黏著劑係如與第1黏著劑層相關之上述D項中之說明。第2黏著劑層5可由與第1黏著劑層4相同之黏著劑形成，亦可由不同之黏著劑形成。
F.其他光學功能層 光學積層體1可進而包含其他光學功能層。光學積層體1中可設置之光學功能層之種類、特性、數量、組合、配置位置等可根據目的進行適當設定。例如，光學積層體1可進而具有導電層或附導電層之各向同性基材(均未圖示)。代表性而言，導電層或附導電層之各向同性基材設置於相位差層3與第2黏著劑層5之間。於設置有導電層或附導電層之各向同性基材之情形時，光學積層體適用於在圖像顯示單元與偏光板之間組裝有觸控感測器之所謂內部觸控面板型輸入顯示裝置。又，光學積層體1可進而包含其他相位差層。其他相位差層之光學特性(例如，折射率特性、面內相位差、Nz係數、光彈性係數)、厚度、配置位置等可根據目的進行適當設定。
G.圖像顯示裝置 上述A項～F項所記載之光學積層體適用於圖像顯示裝置。因此，本發明之一實施方式亦包含使用此種光學積層體之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可例舉：液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置。代表性而言，本發明之實施方式之圖像顯示裝置於其視認側具備上述A項～F項所記載之光學積層體。圖像顯示裝置包含圖像顯示面板。圖像顯示面板包含圖像顯示單元。再者，存在將圖像顯示裝置稱為光學顯示裝置之情況，存在將圖像顯示面板稱為光學顯示面板之情況，存在將圖像顯示單元稱為光學顯示單元之情況。 實施例
以下，藉由實施例具體地對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。再者，各特性之測定方法如下所述。
(1)剪切儲存模數G'測定 剪切儲存模數(23℃)可藉由以下方法進行評價。 首先，準備由下述黏著劑PSA(Pressure Sensitive Adhesive，壓敏黏著劑)1或PSA2形成之測定用樣品(黏著劑層)。測定用樣品之形狀為圓盤狀。測定用樣品之底面直徑為8 mm，厚度為2 mm。測定用樣品可將積層有複數層黏著劑層之積層體沖裁成圓盤狀而成。然後，對測定用樣品進行動態黏彈性測定。動態黏彈性測定例如可使用TA Instruments公司製造之ARES-G2。根據動態黏彈性測定之結果，可特定出黏著劑層於23℃下之儲存模數G'。再者，動態黏彈性測定之條件如下所述。 ▪ 測定條件 頻率：1 Hz 變形模式：扭轉 測定溫度：-70℃～150℃ 升溫速度：5℃/分鐘
(2)反射色相變化測定(Δa *b *) 將各實施例及各比較例之光學積層體貼合於玻璃板，藉由分光測色計CM-26d(柯尼卡美能達製造)測定初始之反射色相，於80℃下投入500小時。500小時後取出樣品，測定耐久性後之反射色相。根據初始及500小時後之反射色相資料算出Δa *b *。
1.偏光板之製備 1-1.具有厚度12 μm之偏光元件之偏光板P1 將厚度30 μm之聚乙烯醇(PVA)系樹脂膜(可樂麗公司製造，製品名「PE3000」)之長條卷利用輥延伸機以於長度方向上成為5.9倍之方式沿長度方向進行單軸延伸，並同時實施膨潤、染色、交聯、洗淨處理，最後實施乾燥處理，藉此製作厚度12 μm之偏光元件。 具體而言，膨潤處理係一面以20℃之純水進行處理一面延伸至2.2倍。其次，染色處理係以所得之偏光元件之單體透過率成為45.0%之方式一面於碘濃度經調整之碘與碘化鉀之重量比為1：7的30℃之水溶液中進行處理一面延伸至1.4倍。進而，交聯處理係採用2階段之交聯處理，第1階段之交聯處理係一面於40℃之溶解有硼酸及碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.2倍。將第1階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量設為5.0重量%，將碘化鉀含量設為3.0重量%。第2階段之交聯處理係一面於65℃之溶解有硼酸及碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.6倍。將第2階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量設為4.3重量%，將碘化鉀含量設為5.0重量%。又，洗淨處理係於20℃之碘化鉀水溶液中進行處理。將洗淨處理之水溶液之碘化鉀含量設為2.6重量%。最後，乾燥處理係於70℃下乾燥5分鐘而獲得偏光元件。 經由紫外線硬化型接著劑，於所得之偏光元件之表面貼合作為第1保護層之環烯烴系樹脂膜(厚度：25 μm)。具體而言，以硬化型接著劑之總厚度成為約1 μm之方式進行塗佈，並使用滾壓機進行貼合。其後，自環烯烴系樹脂膜側照射UV(ultraviolet，紫外線)光線而使接著劑硬化。繼而，將作為第2保護層之三乙醯纖維素系樹脂膜(厚度：25 μm)與上述同樣地貼合於偏光元件中之與第1保護層相反之側之表面。 藉此，獲得具有環烯烴系樹脂膜(第1保護層)/偏光元件/三乙醯纖維素系樹脂膜(第2保護層)之構成之偏光板P1。
1-2.具有厚度5 μm之偏光元件之偏光板P2 作為熱塑性樹脂基材，使用長條狀且Tg(glass transition temperature，玻璃轉移溫度)約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯膜(厚度：100 μm)，並對樹脂基材之單面實施電暈處理。 於以9：1混合有聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改性PVA(日本合成化學工業公司製造，商品名「GOHSEFIMER」)之PVA系樹脂100重量份中添加碘化鉀13重量份，將所得者溶解於水中，製備PVA水溶液(塗佈液)。 於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液，於60℃下進行乾燥，藉此，形成厚度13 μm之PVA系樹脂層，製作積層體。 使所得之積層體於130℃之烘箱內沿縱向(長度方向)單軸延伸至2.4倍(空中輔助延伸處理)。 繼而，將積層體浸漬於液溫40℃之不溶化浴(相對於水100重量份調配4重量份之硼酸所得之硼酸水溶液)中30秒(不溶化處理)。 繼而，於液溫30℃之染色浴(相對於水100重量份，以1：7之重量比調配碘與碘化鉀所得之碘水溶液)中，一面以最終所得之偏光元件之單體透過率(Ts)成為所需之值之方式調整濃度一面浸漬60秒(染色處理)。 繼而，於液溫40℃之交聯浴(相對於水100重量份，調配3重量份之碘化鉀及5重量份之硼酸所得之硼酸水溶液)中浸漬30秒(交聯處理)。 其後，一面將積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%、碘化鉀濃度5重量%)中，一面於周速不同之輥間沿縱向(長度方向)以總延伸倍率成為5.5倍之方式進行單軸延伸(水中延伸處理)。 其後，將積層體浸漬於液溫20℃之洗淨浴(相對於水100重量份，調配4重量份之碘化鉀所得之水溶液)中(洗淨處理)。 其後，一面於保持於約90℃之烘箱中進行乾燥，一面與表面溫度保持於約75℃之SUS製加熱輥接觸(乾燥收縮處理)。 以此方式於樹脂基材上形成厚度約5 μm之偏光元件。 經由紫外線硬化型接著劑，於所得之偏光元件之表面(與樹脂基材為相反側之面)貼合作為第1保護層之環烯烴系樹脂膜(厚度：25 μm)。具體而言，以硬化型接著劑之總厚度成為約1 μm之方式進行塗佈，並使用滾壓機進行貼合。其後，自環烯烴系樹脂膜側照射UV光線而使接著劑硬化。繼而，將樹脂基材剝離，於該剝離面與上述同樣地貼合作為第2保護層之三乙醯纖維素系樹脂膜(厚度：25 μm)。 藉此，獲得具有環烯烴系樹脂膜(第1保護層)/偏光元件/三乙醯纖維素系樹脂膜(第2保護層)之構成之偏光板P2。
2.相位差層之製備 2-1.液晶化合物之配向固化層R1 將式(I)所表示之化合物55重量份、式(II)所表示之化合物25重量份、及式(III)所表示之化合物20重量份添加至環戊酮(CPN)400重量份中之後，加溫至60℃，攪拌而使該等溶解。其後，使上述化合物之溶液恢復至室溫，向上述化合物之溶液中添加Irgacure 907(巴斯夫日本公司製造)3重量份、MEGAFAC F-554(DIC公司製造)0.2重量份、及對甲氧基苯酚(MEHQ)0.1重量份，進一步攪拌。攪拌後之溶液透明且均勻。以0.20 μm之膜濾器對所得之溶液進行過濾，獲得聚合性組合物。 又，使用旋轉塗佈法，將配向膜用聚醯亞胺溶液塗佈於厚度0.7 mm之玻璃基材，於100℃下乾燥10分鐘後，於200℃下焙燒60分鐘，藉此，獲得塗膜。藉由市售之摩擦裝置對所得之塗膜進行摩擦處理，形成配向膜。 繼而，藉由旋轉塗佈法，於基材(實質上為配向膜)塗佈以上獲得之聚合性組合物，於100℃下乾燥2分鐘。使所得之塗佈膜冷卻至室溫後，使用高壓水銀燈，以30 mW/cm 2之強度照射30秒紫外線，獲得液晶化合物之配向固化層R1。液晶化合物之配向固化層R1之面內相位差Re(550)為130 nm。又，液晶化合物之配向固化層R1之Re(450)/Re(550)為0.851，顯示出逆波長色散特性。液晶化合物之配向固化層R1可作為λ/4板發揮作用。 [化2]
Figure 02_image003
[化3]
Figure 02_image005
2-2.相位差膜 於包含2個具備攪拌葉及控制於100℃之回流冷卻器之立式反應器的批次聚合裝置中，添加雙[9-(2-苯氧基羰基乙基)茀-9-基]甲烷29.60重量份(0.046 mol)、異山梨酯(ISB)29.21重量份(0.200 mol)、螺二醇(SPG)42.28重量份(0.139 mol)、碳酸二苯酯(DPC)63.77重量份(0.298 mol)、及作為觸媒之乙酸鈣一水合物1.19×10 -2重量份(6.78×10 -5mol)。對反應器內進行減壓、氮氣置換後，藉由熱媒進行加溫，於內溫達到100℃之時間點開始攪拌。升溫開始40分鐘後使內溫達到220℃，以保持該溫度之方式進行控制，同時開始減壓，達到220℃後歷時90分鐘達到13.3 kPa。將作為聚合反應之副產物之苯酚蒸氣導入至100℃之回流冷卻器中，使苯酚蒸氣中所含之若干量單體成分返回到反應器中，將未冷凝之苯酚蒸氣導入至45℃之冷凝器中進行回收。向第1反應器中導入氮氣，暫時複壓至大氣壓之後，將第1反應器內之低聚物化之反應液移至第2反應器中。繼而，開始第2反應器內之升溫及減壓，歷時50分鐘達到內溫240℃、壓力0.2 kPa。其後，進行聚合直至達到規定之攪拌動力。於達到規定動力之時間點向反應器中導入氮氣實施複壓，將所生成之聚酯碳酸酯系樹脂擠出至水中，切割線料而獲得顆粒。 使所得之聚酯碳酸酯系樹脂(顆粒)於80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠出機(東芝機械公司製造，機筒設定溫度：250℃)、T型模頭(寬200 mm，設定溫度：250℃)、冷卻輥(設定溫度：120～130℃)及卷取機之膜製膜裝置，製作厚度70 μm之長條狀樹脂膜。使所得之長條狀樹脂膜沿寬度方向以延伸溫度150℃、延伸倍率2倍進行延伸，獲得厚度41 μm之相位差膜R2。所得之相位差膜R2之Re(550)為143 nm，Re(450)/Re(550)為0.82，Nz係數為1.3。相位差膜R2可作為λ/4板發揮作用。
3.黏著劑層之製備 3-1.(甲基)丙烯酸系聚合物(A) 於具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管及冷卻器之四口燒瓶中，添加丙烯酸丁酯(BA)79.9重量份、丙烯酸苄酯(BzA)15.0重量份、丙烯酸(AA)5.0重量份及丙烯酸4-羥基丁酯(HBA)0.1重量份。然後，相對於BA、AA及HBA之混合物100重量份，添加作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(AIBN)0.1重量份，一面緩慢攪拌一面導入氮氣，使燒瓶內經氮氣置換後，將燒瓶內之液溫保持於55℃左右，進行聚合反應7小時。然後，向所得之反應液中添加乙酸乙酯，將固形物成分濃度調整為12重量%，獲得(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之溶液。(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量(Mw)為220萬。
3-2.黏著劑(黏著劑組合物)PSA1～PSA3 以相對於(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之固形物成分100重量份之添加比率成為表2所示之值之方式，於(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之溶液中混合交聯劑(B)(東曹公司製造，商品名「Coronate L」)及含反應性官能基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造，商品名「KBM-403」)，獲得溶劑型黏著劑(黏著劑組合物)PSA1～PSA3。 [表1]
表1
黏著劑 (甲基)丙烯酸系聚合物(A) [重量份] 交聯劑(B) [重量份] 矽烷偶合劑 [重量份] 彈性模數 [Mpa]
PSA1 100 4 0.1 0.14
PSA2 100 2.5 0.1 0.08
PSA3 100 2.0 0.1 0.10
然後，於作為剝離面經矽酮處理之剝離膜的厚38 μm之PET膜(三菱化學聚酯膜公司製造，MRF38)之剝離面，塗佈所獲得之黏著劑PSA1～PSA3各者後，利用設定為規定溫度之空氣循環式恆溫烘箱乾燥規定時間，形成具有表2所示之厚度之黏著劑層(黏著片)。由黏著劑PSA1或PSA2形成之黏著劑層為第1黏著劑層，由黏著劑PSA3形成之黏著劑層為第2黏著劑層。黏著劑之塗佈係使用噴注式塗佈機。黏著劑層(黏著片)形成時之乾燥條件係以155℃、80秒形成。
[實施例1及2] 經由由黏著劑PSA1形成之第1黏著劑層，於偏光板P1貼合相位差層(液晶化合物之配向固化層R1)。具體而言，使由黏著劑PSA1形成且具有表2所示之厚度之第1黏著劑層自剝離膜轉印至第2保護層之與視認側相反之側之表面。 其後，使相位差層(液晶化合物之配向固化層R1)與第1黏著劑層接觸而貼合於偏光板P1。此時，進行調整以使相位差層(液晶化合物之配向固化層R1)之遲相軸相對於偏光元件之吸收軸構成45°之角度。又，使由黏著劑PSA3形成之第2黏著劑層自剝離膜轉印至相位差層。 藉由以上，獲得具有偏光板/第1黏著劑層/相位差層/第2黏著劑層之構成之光學積層體。將光學積層體所具備之各層之厚度、及形成第1黏著劑層之黏著劑之剪切儲存模數G'示於表2中。又，將光學積層體供於上述反射色相變化測定。將其結果示於表2中。
[實施例3] 將由黏著劑PSA1形成之第1黏著劑層變更為由上述黏著劑PSA2形成之第1黏著劑層，除此以外，與實施例2同樣地獲得光學積層體。
[實施例4] 將偏光板P1變更為上述偏光板P2，除此以外，與實施例1同樣地獲得光學積層體。
[比較例1] 將黏著劑PSA1變更為紫外線硬化型接著劑，將接著劑層之厚度設為1 μm，除此以外，與實施例1同樣地獲得具有偏光板/接著劑層/相位差層/第2黏著劑層之構成之光學積層體。
[參考例1] 將液晶化合物之配向固化層R1變更為相位差膜R2，除此以外，與實施例2同樣地獲得光學積層體。 [表2]
表2
No. 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 比較例1 參考例1
厚度[μm] 偏光板 第1保護層 25 25 25 25 25 25
偏光元件 12 12 12 5 12 12
第2保護層 25 25 25 25 25 25
第1黏著劑層 (或接著劑層) 5 12 12 5 1 12
相位差層 3 3 3 3 3 41
第2黏著劑層 15 15 15 15 15 15
第1黏著劑層之彈性模數G'[MPa] 0.14 0.14 0.08 0.14 17 0.14
Δa*b* 1.2 1.1 0.8 0.8 2.3 1.0
[評價] 根據表2可知，若相位差層為液晶化合物之配向固化層，則與相位差層為樹脂之延伸膜(參考例1)之情形相比，可謀求光學積層體之薄化。又，即便相位差層為液晶化合物之配向固化層，藉由使第1黏著劑層之剪切儲存模數G'為0.2 MPa以下，仍可獲得能夠降低隨環境而發生之偏光板之尺寸變化對相位差層之影響、能夠抑制光學積層體之反射色相變化的光學積層體。 [產業上之可利用性]
本發明之光學積層體適宜用於圖像顯示裝置(代表性而言為液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置)。
1:光學積層體 2:偏光板 3:相位差層 4:第1黏著劑層 5:第2黏著劑層 21:偏光元件 22:第1保護層 23:第2保護層
圖1係本發明之一實施方式之光學積層體之概略剖視圖。
1:光學積層體
2:偏光板
3:相位差層
4:第1黏著劑層
5:第2黏著劑層
21:偏光元件
22:第1保護層
23:第2保護層

Claims (6)

  1. 一種光學積層體，其具備： 包含偏光元件之偏光板、及 經由黏著劑層而貼合於上述偏光板之視認側之相反側之相位差層， 上述相位差層為液晶化合物之配向固化層， 23℃下之上述黏著劑層之剪切儲存模數G'為0.2 MPa以下。
  2. 如請求項1之光學積層體，其中上述黏著劑層之厚度為5 μm以上。
  3. 如請求項1或2之光學積層體，其中上述相位差層之厚度未達上述偏光元件之厚度。
  4. 如請求項1至3中任一項之光學積層體，其中23℃下之上述黏著劑層之剪切儲存模數G'為0.1 MPa以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之光學積層體，其中上述偏光元件之厚度為8 μm以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之光學積層體，其中上述相位差層顯示出逆波長色散特性，且作為λ/4板發揮作用， 上述相位差層之遲相軸與上述偏光元件之吸收軸所成之角度為42°～48°。
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