TW202311466A - 黏著帶 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種黏著帶，其晶片零件之剝離性能優異，且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留。本發明係一種黏著帶，其係具有黏著劑層之黏著帶，上述黏著劑層含有A-B-A型嵌段共聚物、及交聯劑，該A-B-A型嵌段共聚物含有：具有源自芳香族乙烯基單體之結構之嵌段A、及具有源自(甲基)丙烯酸系單體之結構之嵌段B，上述嵌段B含有：源自含交聯性官能基之單體之結構，且上述黏著劑層之拉伸彈性模數為0.008 MPa以上2 MPa以下。

Description

黏著帶
本發明係關於一種黏著帶。
於半導體元件之製造步驟中，有時會將配置於黏著劑層上之多個晶片零件轉印於驅動電路基板上。 例如，微型LED顯示器係下述顯示裝置，即每一個構成像素之晶片為微細之發光二極體（LED，Light Emitting Diode）晶片，且該微型LED晶片自發光而顯示影像。微型LED顯示器之對比度高，響應速度快，又，由於不需要於液晶顯示器、有機EL顯示器等中使用之彩色濾光片等原因而亦可薄型化，因此作為下一代顯示裝置而受到關注。於微型LED顯示器中，呈平面狀且高密度地鋪滿多個微型LED晶片。
於此種微型LED顯示器等半導體元件之製造步驟中，例如，使於黏著劑層上配置有多個晶片零件之轉印用積層體與驅動電路基板相對向，使晶片零件自轉印用積層體剝離，進行與驅動電路基板之電性連接（轉印步驟）。
作為使晶片零件自轉印用積層體剝離之方法，例如已知自轉印用積層體之支持體之背面聚焦於黏著劑層而照射雷射光之方法（例如專利文獻1）。此種方法亦稱為雷射剝蝕（laser ablation）。又，亦已知下述方法：將熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等摻合於黏著劑層，藉由轉印用積層體與驅動電路基板之熱壓接而使熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等熱膨脹，藉此，因黏著劑層之變形而導致接著面積減少，從而使晶片零件剝離（例如專利文獻2、3）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2019-138949號公報 專利文獻2：日本特開2019-15899號公報 專利文獻3：日本特開2003-7986號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，以往之剝離晶片零件之方法存在由於晶片零件之剝離不良而導致難以良率較佳地轉印晶片零件之問題。 又，於使用以往之黏著劑層進行雷射剝蝕之情形時，亦存在黏著劑層之殘渣會附著於晶片零件之問題。即，即便本身能藉由雷射剝蝕使晶片零件剝離，但於晶片零件剝離時，黏著劑層可能會被撕裂，黏著劑層之殘渣可能會附著於晶片零件。為了防止殘渣之附著，例如考慮到提高黏著劑層之交聯度（凝膠分率），但由於僅單純地提高黏著劑層之交聯度（凝膠分率）會導致晶片零件變得難以剝離，故而難以同時提高晶片零件之剝離性能及晶片零件上之糊劑殘留抑制效果。
本發明之目的在於提供一種黏著帶，其晶片零件之剝離性能優異，且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留。 [解決課題之技術手段]
本發明1係一種黏著帶，其係具有黏著劑層之黏著帶，上述黏著劑層含有A-B-A型嵌段共聚物、及交聯劑，該A-B-A型嵌段共聚物含有：具有源自芳香族乙烯基單體之結構之嵌段A、及具有源自(甲基)丙烯酸系單體之結構之嵌段B，上述嵌段B含有：源自含交聯性官能基之單體之結構，且上述黏著劑層之拉伸彈性模數為0.008 MPa以上2 MPa以下。
本發明2係如本發明1之黏著帶，其中，上述黏著劑層之斷裂強度為1 MPa以上。
本發明3係如本發明1或2之黏著帶，其中，上述黏著劑層之凝膠分率為70重量%以上。
本發明4係如本發明1、2或3之黏著帶，其中，上述黏著劑層具有球（sphere）狀之相分離結構。
本發明5係如本發明1、2或3之黏著帶，其中，上述黏著劑層具有圓筒（cylinder）狀之相分離結構。
本發明6係如本發明1、2、3、4或5之黏著帶，其中，上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述嵌段A之含量為1重量%以上40重量%以下。
本發明7係如本發明1、2、3、4、5或6之黏著帶，其中，上述交聯劑為環氧系交聯劑或異氰酸酯系交聯劑。
本發明8係如本發明1、2、3、4、5、6或7之黏著帶，其中，上述(甲基)丙烯酸系單體含有：具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體，且上述A-B-A型嵌段共聚物中，源自上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量為40重量%以上。
本發明9係如本發明1、2、3、4、5、6、7或8之黏著帶，其中，上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述嵌段B之玻璃轉移溫度為-30℃以上0℃以下。
本發明10係如本發明1、2、3、4、5、6、7、8或9之黏著帶，其中，上述A-B-A型嵌段共聚物之重量平均分子量為10萬以上。
本發明11係如本發明1、2、3、4、5、6、7、8、9或10之黏著帶，其中，上述黏著劑層進而含有於常溫為液態之增黏劑。
本發明12係如本發明1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11之黏著帶，其中，上述黏著劑層之厚度為3 μm以上30 μm以下。 以下對本發明進行詳細說明。
本發明人等對於在具有黏著劑層之黏著帶中，使用含有特定之A-B-A型嵌段共聚物、及交聯劑之黏著劑層，並將黏著劑層之拉伸彈性模數調整為特定範圍進行了研究。本發明人等發現，若為此種黏著帶，則即便於藉由雷射剝蝕使晶片零件剝離之情形時，亦可提高晶片零件之剝離性能，且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留，從而完成了本發明。
此處，圖1示出以示意的方式表示藉由雷射剝蝕使配置於黏著劑層上之晶片零件剝離之步驟之一例的剖視圖。於圖1所示之步驟中，在積層於支持體5上之黏著劑層4上配置有晶片零件1，藉由自雷射光照射裝置8照射之雷射光8a使晶片零件1剝離，進行晶片零件1與驅動電路基板7之電性連接（轉印步驟）。黏著劑層4可為具有基材之雙面黏著帶。又，支持體與黏著劑層之積層體9亦可為將支持體5作為基材之單面黏著帶。 再者，於此種步驟中，若將雷射光8a照射至黏著劑層4，則黏著劑層4之照射有雷射光8a之部分會發生變形。更詳細而言，若將雷射光8a照射至黏著劑層4，則黏著劑層4之分子會因熱量而被切斷，從而低分子化，會瞬間蒸發或藉由變得高溫而昇華，因此，黏著劑層4之照射有雷射光8a之部分會發生變形。藉此，可使晶片零件1剝離。藉由使用雷射光8a，可於極小之範圍內引發晶片零件1之剝離，因此，即便於排列有例如微型LED晶片等極小之晶片零件之情形時，亦可使晶片零件1單獨且以較高之剝離性能剝離。
本發明之黏著帶係具有黏著劑層之黏著帶。 上述黏著劑層含有A-B-A型嵌段共聚物、及交聯劑，該A-B-A型嵌段共聚物含有：具有源自芳香族乙烯基單體之結構之嵌段A、及具有源自(甲基)丙烯酸系單體之結構之嵌段B。再者，此處(甲基)丙烯酸係指丙烯酸或甲基丙烯酸。 藉由使上述黏著劑層含有上述A-B-A型嵌段共聚物、及上述交聯劑，容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數、斷裂強度、凝膠分率等調整為後述範圍，使得本發明之黏著帶成為晶片零件之剝離性能優異、且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留者。
上述A-B-A型嵌段共聚物係含有具有剛性結構之嵌段A（以下亦稱為「硬鏈段」）、及具有柔軟結構之嵌段B（以下亦稱為「軟鏈段」）之共聚物。 上述A-B-A型嵌段共聚物之兩個嵌段不易相容，該A-B-A型嵌段共聚物具有上述嵌段A凝集而形成之球狀島散佈於上述嵌段B之海中之不均勻相分離結構、或上述嵌段A凝集而形成之圓筒狀結構散佈於上述嵌段B之海中之不均勻相分離結構。亦將此種球狀島散佈之相分離結構稱為球狀之相分離結構，且亦將圓筒狀結構散佈之相分離結構稱為圓筒狀之相分離結構。並且，藉由使該等相分離結構成為模擬交聯點，可對上述A-B-A型嵌段共聚物賦予橡膠彈性，因此容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數、斷裂強度、凝膠分率等調整為後述範圍。 上述A-B-A型嵌段共聚物較佳為A-B-A型三嵌段共聚物。
上述嵌段A並無特別限定，只要具有剛性結構即可，亦可除了上述源自芳香族乙烯基單體之結構以外，進而具有例如源自具有環狀結構之化合物、側鏈取代基較短之化合物等之結構。上述嵌段B亦可於不失去本發明之效果之範圍內具有源自除上述(甲基)丙烯酸系單體以外之單體之結構。
上述嵌段A中，作為上述芳香族乙烯基單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、氯苯乙烯等。該等芳香族乙烯基單體可單獨使用，亦可併用兩種以上。其中，就進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能、且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留之方面而言，較佳為苯乙烯。再者，於本說明書中，源自芳香族乙烯基單體之結構係指如下述通式（1）或（2）所示之結構。
Figure 02_image001
於通式（1）及（2）中，R 1表示具有芳香環之取代基。作為具有芳香環之取代基R 1，可列舉：苯基、甲苯基、氯苯基等。
上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述源自芳香族乙烯基單體之結構之含量並無特別限定，較佳為1重量%以上30重量%以下。藉由使上述源自芳香族乙烯基單體之結構之含量為上述範圍，可將上述黏著劑層之拉伸彈性模數及斷裂強度調整為更佳之範圍。上述源自芳香族乙烯基單體之結構之含量之更佳之下限為5重量%，進而較佳之下限為8重量%，尤佳之下限為10重量%，更佳之上限為28重量%，進而較佳之上限為25重量%，尤佳之上限為20重量%。
上述嵌段B中，上述(甲基)丙烯酸系單體可為單一之單體，亦可使用複數種單體。再者，本說明書中，源自(甲基)丙烯酸系單體之結構係指如下述通式（5）或（6）所示之結構。
Figure 02_image003
通式（5）及（6）中，R 3表示側鏈。作為側鏈R 3，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、戊基、己基、環己基、庚基、辛基、異辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基、月桂基、硬脂基、異硬脂基、異莰基等。
作為上述(甲基)丙烯酸系單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯、(甲基)丙烯酸異莰酯等。該等(甲基)丙烯酸系單體可單獨使用，亦可併用兩種以上。其中，基於平衡晶片零件之剝離性能與晶片零件上之糊劑殘留抑制效果之觀點考慮，較佳為(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯，進而較佳為丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸月桂酯。再者，於本說明書中，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述源自(甲基)丙烯酸系單體之結構之含量並無特別限定，只要可發揮本發明之效果即可，較佳為30重量%以上99重量%以下。上述源自(甲基)丙烯酸系單體之結構之含量更佳為40重量%以上95重量%以下，進而較佳為50重量%以上90重量%以下。
其中，上述(甲基)丙烯酸系單體較佳為含有：具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體。 藉由使上述(甲基)丙烯酸系單體含有上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體，可將上述黏著劑層之拉伸彈性模數調整為更佳之範圍。作為上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯。尤佳為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯。
上述A-B-A型嵌段共聚物中，源自上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量並無特別限定，可為0重量%，較佳之下限為35重量%。若源自上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量為35重量%以上，則可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能。源自上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量之更佳之下限為40重量%。 源自上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量之上限並無特別限定，基於抑制晶片零件上之糊劑殘留之觀點考慮，較佳之上限為70重量%，更佳之上限為60重量%。
上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述嵌段B之玻璃轉移溫度並無特別限定，較佳為-30℃以上0℃以下。藉由使上述嵌段B之玻璃轉移溫度為上述範圍，而即便於轉印具有突起之晶片零件、或小尺寸之晶片零件之情形時，亦可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。上述嵌段B之玻璃轉移溫度之更佳之下限為-28℃，進而較佳之下限為-25℃，更佳之上限為-5℃，進而較佳之上限為-10℃。 再者，嵌段B之玻璃轉移溫度例如可藉由使用示差掃描熱量計（TA Instruments公司製造、Hitachi High-Tech Science公司製造等）等進行測定而求出。更具體而言，可使用在氮氣環境下、升溫速度為10℃/min之條件利用示差掃描熱量計（例如Hitachi High-Tech Science公司製造，SII Exstar 6000/DSC 6220）對A-B-A型嵌段共聚物進行測定時於第二次運行（2nd run）中獲得之值。再者，獲得源自嵌段A之峰及源自嵌段B之峰，將低溫側之峰作為源自嵌段B之峰，而確定嵌段B之玻璃轉移溫度。
將上述嵌段B之玻璃轉移溫度調整為上述範圍之方法並無特別限定，要想將上述嵌段B之玻璃轉移溫度調整為上述範圍，較佳為使上述(甲基)丙烯酸系單體含有成為均聚物時之玻璃轉移溫度為0℃以上之(甲基)丙烯酸酯單體。 藉由使上述(甲基)丙烯酸系單體含有上述成為均聚物時之玻璃轉移溫度為0℃以上之(甲基)丙烯酸酯單體，可將上述黏著劑層之拉伸彈性模數調整為更佳之範圍。作為上述成為均聚物時之玻璃轉移溫度為0℃以上之(甲基)丙烯酸酯單體，例如可列舉：丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸環己酯、丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸異莰酯、甲基丙烯酸苄酯。尤佳為丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯。
上述A-B-A型嵌段共聚物中，源自上述成為均聚物時之玻璃轉移溫度為0℃以上之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量並無特別限定，可為0重量%，較佳之下限為35重量%。若源自上述成為均聚物時之玻璃轉移溫度為0℃以上之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量為35重量%以上，則可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能。源自上述成為均聚物時之玻璃轉移溫度為0℃以上之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量之更佳之下限為40重量%。 源自上述成為均聚物時之玻璃轉移溫度為0℃以上之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量之上限並無特別限定，基於暫時固定晶片零件之觀點考慮，較佳之上限為60重量%，更佳之上限為50重量%。
上述嵌段B含有：源自含交聯性官能基之單體之結構。 藉由使上述嵌段B含有上述源自含交聯性官能基之單體之結構，而上述黏著劑層之凝集力藉由交聯性官能基之交聯而提高，因此可提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留。上述交聯性官能基可交聯亦可不交聯，更佳為交聯。但是，即便保持未經交聯之結構，上述黏著劑層之凝集力亦會藉由官能基間之相互作用而提高，從而可提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留。再者，於本說明書中，源自具有交聯性官能基之單體之結構係指如下述通式（3）或（4）所示之結構。
Figure 02_image005
於通式（3）及（4）中，R 2表示含有至少1個交聯性官能基之取代基。作為交聯性官能基，例如可列舉：羧基、羥基、環氧基、雙鍵、三鍵、胺基、醯胺基、腈基等。再者，含有至少1個交聯性官能基之取代基R 2亦可含有烷基、醚基、羰基、酯基、碳酸酯基、醯胺基、胺酯（urethane）基等作為其構成要素。
上述具有交聯性官能基之單體並無特別限定，例如可列舉：含羧基單體、含羥基單體、含環氧基單體、含雙鍵單體、含三鍵單體、含胺基單體、含醯胺基單體、含腈基單體等。該等具有交聯性官能基之單體可單獨使用，亦可併用兩種以上。其中，就進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能、且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留之方面而言，較佳為選自由含羧基單體、含羥基單體、含環氧基單體、含雙鍵單體、含三鍵單體、及含醯胺基單體所組成之群中之至少一種。 作為上述含羧基單體，可列舉(甲基)丙烯酸等(甲基)丙烯酸系單體。作為上述含羥基單體，可列舉：(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等丙烯酸羥烷基酯或甲基丙烯酸羥烷基酯。作為上述含環氧基單體，可列舉(甲基)丙烯酸環氧丙酯等。作為上述含雙鍵單體，可列舉：(甲基)丙烯酸烯丙酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為上述含三鍵單體，可列舉(甲基)丙烯酸炔丙酯等。作為上述含醯胺基單體，可列舉(甲基)丙烯醯胺等。其中，就進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能、且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留之方面而言，較佳為含羧基單體及含羥基單體。進而，更佳為(甲基)丙烯酸系單體及丙烯酸羥烷基酯，進而較佳為丙烯酸、丙烯酸2-羥基乙酯、及丙烯酸4-羥基丁酯。
再者，除了上述嵌段B以外，上述嵌段A亦可含有上述源自含交聯性官能基之單體之結構。
上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述源自具有交聯性官能基之單體之結構之含量（上述嵌段A中之含量與上述嵌段B中之含量之合計）並無特別限定，較佳為0.1重量%以上30重量%以下。藉由使上述源自具有交聯性官能基之單體之結構之含量為上述範圍，可進一步提高上述黏著劑層之凝集力，進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。上述源自具有交聯性官能基之單體之結構之含量之更佳之下限為0.5重量%，進而較佳之下限為1重量%，更佳之上限為25重量%，進而較佳之上限為20重量%。
上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述嵌段A（硬鏈段）之含量並無特別限定，較佳為1重量%以上40重量%以下。藉由使上述嵌段A之含量為上述範圍，可將上述黏著劑層之拉伸彈性模數調整為更佳之範圍。上述嵌段A之含量之更佳之下限為2重量%，進而較佳之下限為5重量%，尤佳之下限為10重量%。上述嵌段A之含量之更佳之上限為35重量%，進而較佳之上限為30重量%，進而較佳之上限為25重量%，進而更佳之上限為22重量%，尤佳之上限為20重量%。
上述A-B-A型嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）並無特別限定，較佳為5萬以上80萬以下。藉由使上述重量平均分子量為上述範圍，可將上述黏著劑層之拉伸彈性模數調整為更佳之範圍。上述重量平均分子量之更佳之下限為75000，進而較佳之下限為10萬，進而更佳之下限為20萬。上述重量平均分子量之更佳之上限為60萬。 再者，重量平均分子量例如可使用GPC（Gel Permeation Chromatography：凝膠滲透層析）法並藉由標準聚苯乙烯換算而求出。更具體而言，例如，可使用Water公司製造之「2690 Separations Module」作為測定機器，使用昭和電工公司製造之「GPC KF-806L」作為管柱，使用乙酸乙酯作為溶劑，於樣本流量為1 mL/min、管柱溫度為40℃之條件進行測定。
為了獲得上述A-B-A型嵌段共聚物，只要使上述嵌段A及上述嵌段B之原料單體分別於聚合起始劑之存在下進行自由基反應而獲得上述嵌段A及上述嵌段B，之後使兩者反應或共聚即可。又，亦可於獲得上述嵌段A之後，繼續投入上述嵌段B之原料單體而進行共聚。 使用先前公知之方法作為上述進行自由基反應之方法即聚合方法，例如可列舉：溶液聚合（沸點聚合或恆溫聚合）、乳化聚合、懸浮聚合、塊狀聚合等。
上述交聯劑並無特別限定，可根據上述A-B-A型嵌段共聚物中之交聯性官能基之種類進行選擇，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。更具體而言，例如於上述A-B-A型嵌段共聚物中之交聯性官能基為羧基之情形時，作為上述交聯劑，例如可列舉：環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。 其中，就容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數調整為更佳之範圍之方面而言，較佳為環氧系交聯劑及異氰酸酯系交聯劑。
上述交聯劑之含量並無特別限定，可藉由調整上述A-B-A型嵌段共聚物中之交聯性官能基之量、及上述交聯劑之含量，來調整上述黏著劑層之交聯度（凝膠分率）。 上述交聯劑之含量相對於上述A-B-A型嵌段共聚物100重量份，較佳為0.01重量份以上10重量份以下。藉由使上述交聯劑之含量為上述範圍，可使上述A-B-A型嵌段共聚物適度交聯而提高上述黏著劑層之凝集力，進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。上述交聯劑之含量之更佳之下限為0.1重量份，更佳之上限為5重量份，進而較佳之下限為0.15重量份，進而較佳之上限為3重量份。
上述黏著劑層亦可進而含有增黏劑（黏著賦予劑）。 上述增黏劑並無特別限定，雖亦可為於常溫為固態之增黏劑，但較佳為於常溫為液態之增黏劑。藉由使上述黏著劑層含有上述於常溫為液態之增黏劑，而容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數調整為更佳之範圍，因此可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能。再者，常溫係指20℃～25℃，液態係指具有流動性。
上述於常溫為固態之增黏劑並無特別限定，例如可列舉：松香酯樹脂、萜酚樹脂、萜烯樹脂、苯并呋喃樹脂等。 上述於常溫為液態之增黏劑並無特別限定，例如可列舉：液態松香酯、液態萜酚等。
上述於常溫為固態之增黏劑之含量並無特別限定，基於黏著帶之晶片零件之剝離性能之觀點考慮，較佳為於上述黏著劑層中不含該增黏劑。於含有上述於常溫為固態之增黏劑之情形時，相對於上述A-B-A型嵌段共聚物100重量份，較佳為10重量份以下。藉由使上述於常溫為固態之增黏劑之含量為上述範圍，可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能。上述於常溫為固態之增黏劑之含量之更佳之上限為5重量份。 又，上述於常溫為液態之增黏劑之含量並無特別限定，相對於上述A-B-A型嵌段共聚物100重量份，較佳為5重量份以上50重量份以下。藉由使上述於常溫為液態之增黏劑之含量為上述範圍，可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能。上述於常溫為液態之增黏劑之含量之更佳之下限為10重量份，更佳之上限為30重量份。
上述黏著劑層較佳為進而含有紫外線吸收劑。 藉由使上述黏著劑層含有上述紫外線吸收劑，而雷射光之刺激於上述黏著劑層中高效率地轉化為熱量或振動，因此容易發生由雷射剝蝕所引起之上述黏著劑層之變形，黏著帶之晶片零件之剝離性能進一步提高。
上述紫外線吸收劑並無特別限定，例如可列舉：苯并三唑系紫外線吸收劑、羥基苯基三
Figure 111118388-001
系紫外線吸收劑等。又，例如可列舉：甲氧基桂皮酸乙基己酯、甲氧基桂皮酸辛酯、對甲氧基桂皮酸乙基己酯、二乙基胺基羥基苯甲醯苯甲酸己酯、雙乙基己氧基苯酚甲氧基苯基三
Figure 111118388-001
、第三丁基甲氧基二苯甲醯甲烷等。其中，基於在上述黏著劑層中與其他成分之相容性優異之觀點考慮，較佳為苯并三唑系紫外線吸收劑、及羥基苯基三
Figure 111118388-001
系紫外線吸收劑。該等紫外線吸收劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。
上述紫外線吸收劑之含量並無特別限定，相對於上述A-B-A型嵌段共聚物100重量份之較佳之下限為6重量份。若上述紫外線吸收劑之含量為6重量份以上，則可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能。上述紫外線吸收劑之含量之更佳之下限為10重量份，進而較佳之下限為15重量份。 上述紫外線吸收劑之含量之上限並無特別限定，基於確保上述黏著劑層之黏著力之觀點考慮，較佳之上限為30重量份。
上述黏著劑層亦可進而含有發煙二氧化矽（fumed silica）等無機填料。 藉由摻合上述無機填料，能夠提高上述黏著劑層之凝集力，進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。
上述黏著劑層亦可進而含有塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟、微粒子填充劑等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。
上述黏著劑層之拉伸彈性模數之下限為0.008 MPa，上限為2 MPa。 若上述拉伸彈性模數為0.008 MPa以上，則藉由雷射剝蝕使晶片零件剝離時上述黏著劑層不易被撕裂，能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留。若上述拉伸彈性模數為2 MPa以下，則容易發生由雷射剝蝕所引起之上述黏著劑層之變形，黏著帶之晶片零件之剝離性能提高。上述拉伸彈性模數之較佳之下限為0.01 MPa，較佳之上限為0.7 MPa，更佳之下限為0.015 MPa，更佳之上限為0.68 MPa，進而較佳之上限為0.65 MPa。
又，基於即便於轉印具有突起之晶片零件、或小尺寸之晶片零件之情形時，亦可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留之觀點考慮，上述拉伸彈性模數之較佳之下限為0.01 MPa，較佳之上限為2 MPa。基於同樣之觀點考慮，上述拉伸彈性模數之更佳之下限為0.7 MPa，更佳之上限為1.9 MPa，進而較佳之下限為0.8 MPa，進而較佳之上限為1.8 MPa，進而更佳之上限為1.5 MPa。 再者，黏著劑層之拉伸彈性模數例如可由使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造）等，依據JIS K7161：2014，於溫度為23℃、相對濕度為50%之環境下以500 mm/min之拉伸速度拉伸黏著劑層時應變為100%時之應力-應變曲線之斜率來算出。再者，於黏著帶具有基材之情形時，去除基材而製作出僅具有黏著劑層之樣本之後再測定拉伸彈性模數。作為去除基材之方法，為了避免黏著劑層之改質，只要避免採用使用溶劑之處理、伴隨有化學反應之處理、於高溫之處理等即可，並無特別限定。作為具體之方法，可選擇下述方法：將黏著劑層彼此貼合後，選擇適當之溫度及剝離速度進行剝離，藉此將基材與黏著劑層剝離而去除基材之方法；或者對基材進行物理研磨之方法。
上述黏著劑層之斷裂強度並無特別限定，較佳之下限為1 MPa。若上述斷裂強度為1 MPa以上，則藉由雷射剝蝕使晶片零件剝離時上述黏著劑層更不易被撕裂，能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。上述斷裂強度之更佳之下限為1.3 MPa，進而較佳之下限為1.4 MPa。 上述斷裂強度之上限並無特別限定，若上述斷裂強度過高，則上述拉伸彈性模數亦增高，黏著帶之晶片零件之剝離性能降低，故而較佳之上限為10 MPa，更佳之上限為8 MPa，進而較佳之上限為4 MPa，進而更佳之上限為3.1 MPa。 再者，黏著劑層之斷裂強度例如可由使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造）等，依據JIS K7161：2014，於溫度為23℃、相對濕度為50%之環境下以500 mm/min之拉伸速度拉伸黏著劑層時斷裂時之應力來算出。再者，於黏著帶具有基材之情形時，去除基材而製作出僅具有黏著劑層之樣本之後再測定斷裂強度。作為去除基材之方法，為了避免黏著劑層之改質，只要避免採用使用溶劑之處理、伴隨有化學反應之處理、於高溫之處理等即可，並無特別限定。作為具體之方法，可選擇下述方法：將黏著劑層彼此貼合後，選擇適當之溫度及剝離速度進行剝離，藉此將基材與黏著劑層剝離而去除基材之方法；或者對基材進行物理研磨之方法。
上述黏著劑層之凝膠分率並無特別限定，較佳之下限為70重量%。若上述凝膠分率為70重量%以上，則可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。上述凝膠分率之更佳之下限為80重量%。 上述凝膠分率之上限並無特別限定，基於容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數調整為更佳之範圍之觀點考慮，較佳之上限為98重量%，更佳之上限為95重量%。 再者，黏著劑層之凝膠分率可藉由以下方法進行測定。 自黏著帶僅取出黏著劑層（黏著劑組成物）0.1 g，浸漬於乙酸乙酯50 mL，用振盪機於溫度23度、200 rpm之條件振盪24小時。振盪後，使用金屬篩網（網眼#200目），將乙酸乙酯與吸收乙酸乙酯而膨潤之黏著劑組成物分離。將分離後之黏著劑組成物於110℃之條件下乾燥1小時。測定乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組成物重量，使用下述式算出黏著劑層之凝膠分率。 凝膠分率（重量%）＝100×（W 1－W 2）/W 0（W 0：黏著劑組成物之初始重量，W 1：乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組成物重量，W 2：金屬篩網之初始重量）
將上述黏著劑層之拉伸彈性模數、斷裂強度、凝膠分率等調整為上述範圍之方法並無特別限定，例如可列舉如上所述般調整上述A-B-A嵌段共聚物之組成或重量平均分子量（Mw）、上述交聯劑之種類或量之方法等。
上述黏著劑層之相分離結構並無特別限定，較佳為具有球狀之相分離結構。藉由使上述黏著劑層具有球狀之相分離結構，容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數、斷裂強度、凝膠分率等調整為後述範圍，可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。上述黏著劑層之相分離結構可藉由調整上述A-B-A型嵌段共聚物中之各嵌段之比來進行控制。
上述黏著劑層亦可具有圓筒狀之相分離結構。藉由使上述黏著劑層具有圓筒狀之相分離結構，容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數、斷裂強度、凝膠分率等調整為後述範圍，可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。尤其是，於上述黏著劑層具有圓筒狀之相分離結構之情形時，容易將上述黏著劑層之拉伸彈性模數、斷裂強度等調整為相對較大之範圍，即便於轉印具有突起之晶片零件、或小尺寸之晶片零件之情形時，亦可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。 再者，黏著劑層之相分離結構可藉由進行穿透型電子顯微鏡（TEM）觀察來確認，球狀係指微相分離結構為球結構，圓筒狀係指微相分離結構為圓筒結構。
於上述黏著劑層具有球狀之相分離結構之情形時，球狀之相分離結構中之島結構之尺寸並無特別限定，島結構之平均長徑之較佳之下限為5 nm，較佳之上限為100 nm，更佳之下限為10 nm，更佳之上限為50 nm。藉由使上述平均長徑為上述範圍內，可進一步提高黏著帶之晶片零件之剝離性能，且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。 再者，球狀之相分離結構中之島結構之平均長徑可藉由以下方法進行測定。 以5000倍之倍率進行黏著劑層之穿透型電子顯微鏡（TEM）觀察，獲取4.3 μm×4.3 μm區域之觀察影像。針對所獲取之影像，使用影像解析軟體（例如Avizo，ver 2019.4，Thermo Fisher Scientific公司製造等）進行自動二值化。根據經二值化之影像測量各個島結構（暗部）之長徑，將該等之算術平均值作為平均長徑。再者，自動二值化方法之詳細內容係基於已知文獻（「基於判別及最小平方準則之自動閾值選定方法」，大津展之，電子資訊通訊學會期刊D，Vol.J63-D，No.4，pp.349-356）。
上述黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳之下限為3 μm，較佳之上限為200 μm。若上述黏著劑層之厚度為3 μm以上，則可進一步提高黏著帶之晶片零件之保持性能及剝離性能。若上述黏著劑層之厚度為200 μm以下，則能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留。就進一步提高黏著帶之晶片零件之保持性能及剝離性能、且能夠進一步抑制晶片零件上之糊劑殘留之方面而言，上述黏著劑層之厚度之更佳之下限為5 μm，更佳之上限為50 μm。基於同樣之觀點考慮，上述黏著劑層之厚度之進而較佳之下限為10 μm，進而較佳之上限為30 μm，進而更佳之下限為15 μm，進一步較佳之下限為20 μm。
本發明之黏著帶可為具有基材之支持型，亦可為不具有基材之非支持型。於為支持型之情形時，本發明之黏著帶可為僅於基材之單面具有黏著劑層之單面黏著帶，亦可為於基材之兩面具有黏著劑層之雙面黏著帶。於為雙面黏著帶之情形時，只要至少單面為如上所述之黏著劑層即可。兩面之黏著劑層可具有相同之組成，亦可具有不同之組成。
上述基材並無特別限定，作為上述基材之材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚縮醛、聚醯胺、聚碳酸酯、聚苯醚、聚對苯二甲酸丁二酯、超高分子量聚乙烯、對排聚苯乙烯、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、氟樹脂、液晶聚合物等。其中，就耐熱性優異之方面而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯。
上述基材之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm，較佳之上限為188 μm。藉由使上述基材之厚度為上述範圍內，可製成具有適度之塑性而操作性優異之黏著帶。上述基材之厚度之更佳之下限為12 μm，更佳之上限為125 μm。
本發明之黏著帶之用途並無特別限定，本發明之黏著帶由於晶片零件之剝離性能優異，且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留，故而適宜用於如圖1所示之藉由雷射剝蝕使配置於黏著劑層上之晶片零件剝離之步驟。 上述晶片零件並無特別限定，例如可列舉Mini LED晶片、微型LED晶片、影像感測器之光學晶片等，尤佳為微型LED晶片。
使用本發明之黏著帶之晶片零件之轉印方法並無特別限定，例如可列舉下述晶片零件之轉印方法等，該方法包括：將晶片零件配置於本發明之黏著帶之黏著劑層上之步驟、以及照射雷射光而使上述晶片零件剝離之步驟。又，使用本發明之黏著帶之電子機器零件之製造方法亦無特別限定，例如可列舉包括如上所述之晶片零件之轉印方法之電子機器零件之製造方法等。根據該等方法，能夠以較佳之良率轉印晶片零件，且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種晶片零件之剝離性能優異、且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留之黏著帶。
以下，列舉實施例而更加詳細地對本發明之態樣進行說明，但本發明並非僅限於該等實施例。
（實施例1） （1）A-B-A型嵌段共聚物之製備 將1,6-己二硫醇0.902 g、二硫化碳1.83 g、及二甲基甲醯胺11 mL投入至二口燒瓶，於25℃加以攪拌。歷時15分鐘向其滴加三乙胺2.49 g，於25℃攪拌3小時。繼而，歷時15分鐘滴加甲基-α-溴苯基乙酸2.75 g，於25℃攪拌4小時。其後，向反應液添加萃取溶劑（正己烷：乙酸乙酯＝50：50）100 mL及水50 mL進行分液萃取。將第1次及第2次分液萃取中獲得之有機層進行混合，依序用1 M鹽酸50 mL、水50 mL、飽和鹽水50 mL洗淨。向洗淨後之有機層添加硫酸鈉並進行乾燥，之後將硫酸鈉過濾，用蒸發器對濾液進行濃縮，去除有機溶劑。利用矽膠管柱層析法對所獲得之濃縮物進行純化，藉此獲得RAFT劑。
將苯乙烯（St）15重量份、丙烯酸（AAc）2重量份、RAFT劑1.9重量份、及2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)（ABN-E）0.2重量份投入至二口燒瓶中，用氮氣對燒瓶內進行置換，同時升溫至85℃。其後，於85℃攪拌6小時，進行聚合反應（第一階段反應）。 反應結束後，向燒瓶內投入正己烷4000重量份並加以攪拌，使反應物沈澱，之後將未反應之單體及RAFT劑過濾，於70℃對反應物進行減壓乾燥，從而獲得共聚物（嵌段A）。
將含有丙烯酸丁酯（BA）81重量份、丙烯酸（AAc）2重量份、ABN-E 0.058重量份、及乙酸乙酯50重量份之混合物、以及上文中獲得之共聚物（嵌段A）投入至二口燒瓶，用氮氣對燒瓶內進行置換，同時升溫至85℃。其後，於85℃攪拌6小時，進行聚合反應（第二階段反應），從而獲得含有由嵌段A及嵌段B形成之嵌段共聚物之反應液。 採取反應液之一部分，向其中投入正己烷4000重量份並加以攪拌，使反應物沈澱，之後將未反應之單體及溶劑過濾，於70℃對反應物進行減壓乾燥，從而獲得A-B-A型嵌段共聚物。 針對所獲得之A-B-A型嵌段共聚物，藉由GPC法測定重量平均分子量，結果為25萬。再者，使用Water公司製造之「2690 Separations Module」作為測定機器，使用昭和電工公司製造之「GPC KF-806L」作為管柱，使用乙酸乙酯作為溶劑，於樣本流量為1 mL/min、管柱溫度為40℃之條件進行測定。
又，針對所獲得之A-B-A型嵌段共聚物，使用在氮氣環境下、升溫速度為10℃/min之條件下利用示差掃描熱量計（Hitachi High-Tech Science公司製造，SII Exstar 6000/DSC 6220）進行測定時於第二次運行（2nd run）中獲得之值，求出嵌段B之玻璃轉移溫度。再者，獲得源自嵌段A之峰及源自嵌段B之峰，將低溫側之峰作為源自嵌段B之峰，而確定嵌段B之玻璃轉移溫度。
（2）黏著帶之製造 以固形物成分率成為35%之方式將所獲得之A-B-A型嵌段共聚物溶解於乙酸乙酯。相對於A-B-A型嵌段共聚物100重量份，添加Tetrad C（三菱瓦斯化學公司製造）1重量份作為環氧系交聯劑，添加Tinuvin 928（BASF Japan公司製造）8重量份作為紫外線吸收劑，進而充分地進行攪拌，從而獲得黏著劑溶液。 使用敷料器，以乾燥皮膜之厚度成為20 μm之方式將所獲得之黏著劑溶液塗佈於作為基材之經電暈處理且厚度為50 μm之PET膜上，於110℃乾燥3分鐘。其後，於40℃加熱固化48小時，從而獲得黏著帶。
（3）黏著劑層之拉伸彈性模數之測定 針對黏著帶之黏著劑層，由使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），依據JIS K7161：2014，於溫度為23℃、相對濕度為50%之環境下以500 mm/min之拉伸速度進行拉伸時應變為100%時之應力-應變曲線之斜率算出拉伸彈性模數。
（4）黏著劑層之斷裂強度之測定 針對黏著帶之黏著劑層，由使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），依據JIS K7161：2014，於溫度為23℃、相對濕度為50%之環境下以500 mm/min之拉伸速度進行拉伸時斷裂時之應力算出斷裂強度。
（5）黏著劑層之凝膠分率之測定 自黏著帶僅取出黏著劑層（黏著劑組成物）0.1 g，浸漬於乙酸乙酯50 mL，用振盪機於溫度23度、200 rpm之條件振盪24小時。振盪後，使用金屬篩網（網眼#200目），將乙酸乙酯與吸收乙酸乙酯而膨潤之黏著劑組成物分離。將分離後之黏著劑組成物於110℃之條件下乾燥1小時。測定乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組成物重量，使用下述式算出黏著劑層之凝膠分率。 凝膠分率（重量%）＝100×（W 1－W 2）/W 0（W 0：黏著劑組成物之初始重量，W 1：乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組成物重量，W 2：金屬篩網之初始重量）
（6）黏著劑層之相分離結構之確認 藉由與實施例及比較例相同之方法僅製作黏著劑層。對黏著劑層進行修剪而獲得小片，用2%鋨酸水溶液於60℃將該小片染色12小時，之後將其洗淨。使用冷凍切片機（LEICA公司製造，ULTRACUT FC7），於小片溫度-100℃之溫度沿黏著劑層之厚度方向進行切割，裁切出厚度未達100 nm之切片。將裁切出之切片放置於鋪有支持膜之片狀篩網上，製成測定樣本。 對於所獲得之測定樣本，使用透射電子顯微鏡（JEOL公司製造，JEM-2100），以5000倍之倍率進行觀察，確認相分離結構，結果為具有球狀之相分離結構。
（實施例2～17） 將A-B-A型嵌段共聚物之組成、增黏劑之種類或量、或者交聯劑之種類或量如表1～2所示般進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。作為增黏劑，使用ME-GH（荒川化學工業公司製造）作為液態（於常溫為液態）之增黏劑，使用YS POLYSTER G-150（Yasuhara Chemical公司製造）作為非液態（於常溫為固態）之增黏劑A，且使用PENSEL D-135（荒川化學工業公司製造）作為非液態（於常溫為固態）之增黏劑B。再者，於實施例5～7中，藉由延長聚合反應之時間，而製備重量平均分子量更大之A-B-A型嵌段共聚物。
又，表中之字母符號分別為下述成分之簡稱。 St：苯乙烯 AAc：丙烯酸 BA：丙烯酸丁酯 2-EHA：丙烯酸2-乙基己酯 LA：丙烯酸月桂酯 MA：丙烯酸甲酯 2-HEA：丙烯酸2-羥基乙酯
（比較例1） 使用以下述方式製備之(甲基)丙烯酸系聚合物代替A-B-A型嵌段共聚物，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
（(甲基)丙烯酸系聚合物之製備） 向具備溫度計、攪拌機、冷凝管之反應器加入乙酸乙酯52重量份，進行氮氣置換，之後加熱反應器，開始回流。乙酸乙酯沸騰30分鐘後，投入偶氮二異丁腈0.08重量份作為聚合起始劑。歷時1小時30分鐘向其中均勻且緩慢地滴加丙烯酸丁酯（BA）98重量份、及丙烯酸（AAc）2重量份，進行反應。滴加結束30分鐘後，添加偶氮二異丁腈0.1重量份，進而進行5小時聚合反應，向反應器內添加乙酸乙酯進行稀釋，同時進行冷卻，藉此獲得(甲基)丙烯酸系聚合物之溶液。
（比較例2～3及5～6） 如表2所示般變更A-B-A型嵌段共聚物之組成，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
（比較例4） 使用表2所示之苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯（SEBS）嵌段共聚物（Dynaron 8300，JSR公司製造）代替A-B-A型嵌段共聚物，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著帶。
＜評價＞ 針對實施例及比較例中所獲得之黏著帶進行以下評價。將結果示於表1～2。
（1）180°黏著力之測定 用乙醇將厚度為2 mm之SUS板之表面洗淨，並將其充分乾燥。將預先切割成寬25 mm、長10 cm之黏著帶與SUS板重疊，使2 kg之輥往返一次，藉此獲得測定用樣本。 針對所獲得之測定用樣本，進行下述剝離試驗，即，使用自動立體測圖儀（島津製作所公司製造），依據JIS Z0237：2009，於溫度為23℃、相對濕度為50%之環境下以300 mm/min之拉伸速度沿180°方向剝離黏著帶，測定180°黏著力（N/25 mm）。
（2）雷射剝蝕評價 （2-1）晶片零件之剝離性能（晶片尺寸為500 μm×500 μm見方） 將所獲得之黏著帶貼合於排列有10個Si晶片（500 μm×500 μm見方，厚度為50 μm）之晶圓之Si晶片側之面。其後，藉由剝離晶圓，而將Si晶片配置於黏著帶上。使用半導體固態雷射，自黏著帶之基材側向各Si晶片照射輸出為4 W、4 KHz之365 nm之雷射光，從而將Si晶片自黏著帶剝離。 將能夠使10個Si晶片全部剝離之情形記為「◎」，將能夠剝離8～9個之情形記為「○」，將能夠剝離之Si晶片為7個以下之情形記為「×」，對晶片零件之剝離性能進行評價。
（2-2）糊劑殘留（晶片尺寸為500 μm×500 μm見方） 對晶片零件之剝離性能進行評價之後，藉由顯微鏡觀察自黏著帶剝離之Si晶片之表面，確認有無糊劑殘留。將完全不存在糊劑殘留之情形記為「◎」，將晶片零件之表面中未達20%之面積存在糊劑殘留之情形記為「○」，將晶片零件之表面中20%以上之面積存在糊劑殘留之情形記為「×」，對糊劑殘留進行評價。
（2-3）小尺寸之晶片零件之剝離性能（晶片尺寸為30 μm×40 μm見方） 針對實施例12～17中所獲得之黏著帶，對小尺寸之晶片零件之剝離性能進行評價。 將所獲得之黏著帶貼合於排列有10個Si晶片（30 μm×40 μm見方，厚度為10 μm）之晶圓之Si晶片側之面。其後，藉由剝離晶圓，而將Si晶片配置於黏著帶上。使用半導體固態雷射，自黏著帶之基材側向各Si晶片照射輸出為4 W、4 KHz之365 nm之雷射光，從而將Si晶片自黏著帶剝離。 將能夠使10個Si晶片全部剝離之情形記為「◎」，將能夠剝離8～9個之情形記為「○」，將能夠剝離之Si晶片為7個以下之情形記為「×」，對晶片零件之剝離性能（小晶片）進行評價。
（2-4）糊劑殘留（晶片尺寸為30 μm×40 μm見方） 對小尺寸之晶片零件之剝離性能進行評價之後，藉由顯微鏡觀察自黏著帶剝離之Si晶片之表面，確認有無糊劑殘留。將完全不存在糊劑殘留之情形記為「◎」，將晶片零件之表面中未達20%之面積存在糊劑殘留之情形記為「○」，將晶片零件之表面中20%以上之面積存在糊劑殘留之情形記為「×」，對糊劑殘留進行評價。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11
黏著劑層[重量份] A-B-A型嵌段共聚物[重量份] 嵌段A （硬鏈段） St 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15
AAc 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
嵌段B （軟鏈段） BA 81 81 41 20 81 81 20 20 41 41 20
2-EHA - - 40 61 - - 61 61 - - 61
LA - - - - - - - - 40 40 -
MA - - - - - - - - - - -
AAc 2 2 2 2 2 2 2 - 2 - 2
2-HEA - - - - - - - 2 - 2 -
乙烯-丁烯 - - - - - - - - - - -
液態增黏劑 - - - - - 20 - - - - -
非液態增黏劑A - - - - - - - - - - 20
非液態增黏劑B - - - - - - - - - - -
交聯劑 1 1.25 1 1 1.25 0.5 1 3 1 1 1
紫外線吸收劑 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
交聯劑之種類 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 異氰酸酯系（Coronate L） 環氧系（Tetrad C） 異氰酸酯系（Coronate L） 環氧系（Tetrad C）
A-B-A型嵌段共聚物之Mw[萬] 25 25 22 31 54 54 45 29 34 33 31
嵌段B之玻璃轉移溫度[℃] -52 -52 -60 -64 -52 -52 -64 -65 -40 -40 -64
拉伸彈性模數[MPa] 0.40 0.45 0.24 0.18 0.37 0.19 0.17 0.12 0.03 0.01 0.58
斷裂強度[MPa] 2.0 1.9 1.5 1.4 3.1 1.1 1.8 1.0 1.1 1.4 1.4
凝膠分率[重量%] 90 92 89 88 92 72 88 80 66 72 82
相分離結構 球狀 球狀 球狀 球狀 球狀 球狀 球狀 球狀 球狀 球狀 球狀
評價 180°黏著力[N/25 mm] 2.5 1.6 2.7 2.8 4.3 1.7 4.5 3.2 2.3 0.75 4.5
500 μm×500 μm見方 剝離性能 ○ ○ ○ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
糊劑殘留 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ○ ○ ◎ ◎
[表2]
   實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6
黏著劑層[重量份] A-B-A型嵌段共聚物 [重量份] 嵌段A （硬鏈段） St 15 21 15 15 31 31 - 15 48 9 15 38
AAc 2 2 2 2 2 2 - 2 2 - 2 2
嵌段B （軟鏈段） BA 20 75 41 41 65 65 98 83 48 - - 58
2-EHA 61 - - - - - - - - - 41 -
LA - - - - - - - - - - 40 -
MA - - 40 40 - - - - - - - -
AAc 2 2 2 2 2 2 2 - 2 - 2 2
2-HEA - - - - - - - - - - - -
乙烯-丁烯 - - - - - - - - - 91 - -
液態增黏劑 - - - - - - - - - - - -
非液態增黏劑A - - - - - - - - - - - -
非液態增黏劑B 20 - - - - - - - - - - -
交聯劑 1 1.25 0.25 1 0.25 0.5 20 20 20 - 1 1
紫外線吸收劑 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
交聯劑之種類 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C） - 環氧系（Tetrad C） 環氧系（Tetrad C）
A-B-A型嵌段共聚物之Mw[萬] 31 15 25 25 10 10 80 25 25 23 22 25
嵌段B之玻璃轉移溫度[℃] -64 -52 -25 -25 -52 -52 -53 -55 -51 -50 -49 -52
拉伸彈性模數[MPa] 0.33 0.69 0.86 1.8 1.0 1.9 0.12 0.14 4.22 0.68 0.006 2.5
斷裂強度[MPa] 1.5 4.35 10.86 11.12 14.19 10.83 0.5 2.5 4.5 3.5 0.8 18.22
凝膠分率[重量%] 86 91 88 92 42 88 88 52 88 0 89 82
相分離結構 球狀 球狀 球狀 球狀 圓筒狀 圓筒狀 球狀 球狀 層狀 球狀 球狀 層狀
評價 180°黏著力[N/25 mm] 4.2 2.9 0.60 0.30 0.32 0.22 3.7 11.2 1.5 6.1 1.2 0.15
500 μm×500 μm見方 剝離性能 ◎ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × × ○ ×
糊劑殘留 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ × × ○ ○ × ○
30 μm×40 μm見方 剝離性能 ○ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ - - - - - -
糊劑殘留 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ - - - - - -
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種晶片零件之剝離性能優異、且能夠抑制晶片零件上之糊劑殘留之黏著帶。
1:晶片零件 1a:電極 4:黏著劑層 5:支持體 7:驅動電路基板 7a:電極 8:雷射光照射裝置 8a:雷射光 9:支持體與黏著劑層之積層體
[圖1]係示意性表示藉由雷射剝蝕使配置於黏著劑層上之晶片零件剝離之步驟之一例的剖視圖。

Claims (12)

  1. 一種黏著帶，其係具有黏著劑層之黏著帶，且特徵在於： 上述黏著劑層含有A-B-A型嵌段共聚物、及交聯劑，該A-B-A型嵌段共聚物含有：具有源自芳香族乙烯基單體之結構之嵌段A、及具有源自(甲基)丙烯酸系單體之結構之嵌段B， 上述嵌段B含有：源自含交聯性官能基之單體之結構， 上述黏著劑層之拉伸彈性模數為0.008 MPa以上2 MPa以下。
  2. 如請求項1之黏著帶，其中，上述黏著劑層之斷裂強度為1 MPa以上。
  3. 如請求項1或2之黏著帶，其中，上述黏著劑層之凝膠分率為70重量%以上。
  4. 如請求項1、2或3之黏著帶，其中，上述黏著劑層具有球狀之相分離結構。
  5. 如請求項1、2或3之黏著帶，其中，上述黏著劑層具有圓筒狀之相分離結構。
  6. 如請求項1、2、3、4或5之黏著帶，其中，上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述嵌段A之含量為1重量%以上40重量%以下。
  7. 如請求項1、2、3、4、5或6之黏著帶，其中，上述交聯劑為環氧系交聯劑或異氰酸酯系交聯劑。
  8. 如請求項1、2、3、4、5、6或7之黏著帶，其中，上述(甲基)丙烯酸系單體含有：具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體，且 上述A-B-A型嵌段共聚物中，源自上述具有碳數為8以上之烷基之(甲基)丙烯酸酯單體之結構之含量為40重量%以上。
  9. 如請求項1、2、3、4、5、6、7或8之黏著帶，其中，上述A-B-A型嵌段共聚物中，上述嵌段B之玻璃轉移溫度為-30℃以上0℃以下。
  10. 如請求項1、2、3、4、5、6、7、8或9之黏著帶，其中，上述A-B-A型嵌段共聚物之重量平均分子量為10萬以上。
  11. 如請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9或10之黏著帶，其中，上述黏著劑層進而含有於常溫為液態之增黏劑。
  12. 如請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11之黏著帶，其中，上述黏著劑層之厚度為3 μm以上30 μm以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4572006B2 (ja) * 1998-12-08 2010-10-27 日東電工株式会社 粘着剤組成物およびその製造方法と粘着シ―ト類
JP2002241451A (ja) * 2000-12-15 2002-08-28 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 樹脂組成物及びその用途
JP6943431B2 (ja) * 2016-11-07 2021-09-29 協立化学産業株式会社 相溶組成物、接着剤組成物、複合構造物並びに複合構造物の製造方法及び解体方法、チップの表面加工方法並びに複合体の製造方法
JP2018098225A (ja) * 2016-12-07 2018-06-21 住友ベークライト株式会社 粘着テープ
WO2020032163A1 (ja) * 2018-08-08 2020-02-13 東亞合成株式会社 粘着剤組成物とその用途
KR20210063316A (ko) * 2018-09-21 2021-06-01 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 양면 점착 테이프
JP7348729B2 (ja) * 2019-02-15 2023-09-21 積水化学工業株式会社 粘着テープ
CN113302250B (zh) * 2019-04-24 2023-02-17 积水化学工业株式会社 粘合带
JP7256333B2 (ja) * 2020-11-13 2023-04-11 積水化学工業株式会社 電子部品の製造方法、表示装置の製造方法、及び、支持テープ

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