TW202310058A - 半導體結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種半導體結構包括基板、第一氮化物半導體層、第二氮化物半導體層、第三氮化物半導體層、第四氮化物半導體層以及第五氮化物半導體層。第一氮化物半導體層以及第二氮化物半導體層堆疊於基板上。第三氮化物半導體層以及第四氮化物半導體層設置於第二氮化物半導體層之上且位於源極電極以及汲極電極之間，並具有第一P型摻雜。第五氮化物半導體層設置於第三氮化物半導體層之上，具有第二P型摻雜。

Description

半導體結構及其製造方法

本發明係有關於一種半導體結構及其製作方法，特別係有關於一種增強型(Enhancement-mode)高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor，HEMT)之結構及其製作方法。

GaN材料因具有寬能帶間隙及高速移動電子，廣泛應用於高功率半導體結構當中，特別是射頻與功率上的應用。傳統上，高電子移動率電晶體(High Electron Mobility Transistor，HEMT)利用三五族半導體堆疊，在其介面處形成異質接面(heterojunction)。由於異質接面處的能帶彎曲，導帶(conduction band)彎曲深處形成位能井(potential well)，並在位能井中形成二維電子氣(two-dimensional electron gas，2DEG)。

然而高電子遷移率電晶體通常是一個常開型(即，耗盡型(depletion mode))元件。因此，需要施予額外負偏壓才能 關閉元件，除了使用上相對較不方便外，也侷限了元件的使用範圍。為了解決此一問題，目前已有增強型(Enhancement-mode)高電子遷移率電晶體被提出，利用在形成金屬閘極之前，以氟離子轟擊破壞氮化鋁鎵層的晶格結構；或以蝕刻方式在氮化鋁鎵層中形成凹室(recess)，再於凹室底部磊晶具有P型雜質的氮化鎵層之閘極堆疊結構，以達到不需施予額外偏壓即可關閉二維電子氣之常關型(normally-off mode)元件。

然而，上述方法皆有其技術瓶頸。例如，當採用蝕刻製程來形成凹室結構以提升高電子遷移率電晶體的崩潰電壓時，由於蝕刻精準度不易調控，不易將凹室底部的氮化鋁鎵層厚度調控在特定範圍內，常使相同高電子遷移率電晶體元件之間的夾止電壓(pinch-off voltage)產生很大的變異。此外，在凹室中底部磊晶生成具有P型雜質的氮化鎵層需要特殊的磊晶技術，並且非常耗時。再者，由於氟的原子尺寸較小，以氟離子轟擊的高電子遷移率電晶體，在長期高溫高壓操作下，氟離子容易從氮化鋁鎵層中擴散出來，易使增強型高電子遷移率電晶體元件反轉成耗盡型元件，導致整體電路失效。

因此，有需要提供一種先進的增強型高電子遷移率電晶體及其製作方法，來解決習知技術所面臨的問題。

本發明在此提出用以形成增強型高電子遷移率電晶體之半導體結構，透過調整第一頂部氮化物半導體層以及第二頂部氮化物半導體層之厚度以及P型摻雜之濃度，能夠有效的控制形成載子通道之導通電壓且同時增進動態導通電阻的特性。

此外，相較於先前技術中產生凹室所需的蝕刻精準度以及在凹室之底部磊晶具有P型雜質的氮化鎵層所需的特殊磊晶技術，本發明提出之半導體結構之製造方法使用的是一般的磊晶製程以及一般的蝕刻製程，將有效的降低生產成本以及生產時間。相較於先前技術中利用氟離子轟擊的高電子遷移率電晶體所產生之增強型元件反轉為耗盡型元件的問題，由於本發明之半導體結構及其製造方法並未使用氟離子，因此可輕易排除該問題。

有鑑於此，本發明提出一種半導體結構，包括一基板、一第一氮化物半導體層、一第二氮化物半導體層、一第三氮化物半導體層、一第四氮化物半導體層以及一第五氮化物半導體層。上述第一氮化物半導體層設置於上述基板之上。上述第二氮化物半導體層設置於上述第一氮化物半導體層之上，其中上述第二氮化物半導體層之帶隙高於上述第一氮化物半導體層之帶隙。上述一第三氮化物半導體層設置於上述第二氮化物半導體層之上以及一源極電極以及一汲極電極之間，具有一第一P型摻雜。上述第四氮化物半導體層設置於上述第二氮化物半導體層之上且位於上述第三氮化物半導體層以及上述汲極電極之間，具有上述第一P型摻雜。上述第五氮化物半導體層設置於上述第三氮化物半導體層之上，具有一第二P型摻雜。

根據本發明之一實施例，半導體結構更包括一閘極電極以及一第二汲極電極。上述閘極電極設置於上述第五氮化物半導體層之上，且與上述第五氮化物半導體層直接接觸。上述第二汲極電極設置於上述第四氮化物半導體層之上，且與上述第四氮化物半導體層直接接觸，其中上述第二汲極電極係與上述汲極電極相鄰且相互電性連接，其中上述源極電極以及上述汲極電極係與上述第二氮化物半導體層直接接觸。

根據本發明之一實施例，上述第二P型摻雜之濃度係不小於上述第一P型摻雜之濃度。

根據本發明之一實施例，上述第三氮化物半導體層以及第四氮化物半導體層具有一第一厚度，其中上述第五氮化物半導體層具有一第二厚度，其中上述第二厚度不小於上述第一厚度。

根據本發明之一實施例，上述第一氮化物半導體層包括GaN，其中上述第二氮化物半導體層包括Al _xGa _1-xN，且0＜x＜=1。

根據本發明之一實施例，上述第三氮化物半導體層以及上述第四氮化物半導體層包括具有上述第一P型摻雜之Al _yGa _1-yN，且0≤y≤1，其中上述第五氮化物半導體層包括具有上述第二P型摻雜之Al _zGa _1-zN，且0≤z≤1。

本發明更提出一種半導體結構之製造方法，包括提供一基板；於上述基板之上形成一第一氮化物半導體層；於上述第一氮化物半導體層之上形成一第二氮化物半導體層，其中上述第二氮化物半導體層之帶隙高於上述第一氮化物半導體層之帶隙；於上述第二氮化物半導體層之上形成一第一頂部氮化物半導體層，其中上述第一頂部氮化物半導體層具有一第一P型摻雜；於上述第一頂部氮化物半導體層之上形成一第二頂部氮化物半導體層，其中上述第二頂部氮化物半導體層具有一第二P型摻雜；於上述第二頂部氮化物半導體層之上形成一閘極電極；利用上述閘極電極作為一蝕刻罩幕，蝕刻上述第二頂部氮化物半導體層而形成一第五氮化物半導體層，其中上述閘極電極係與上述第五氮化物半導體層直接接觸；以及蝕刻上述第一頂部氮化物半導體層而形成一第三氮化物半導體層以及一第四氮化物半導體層，且露出上述第一頂部氮化物半導體層，其中上述第五氮化物層係堆疊於上述第三氮化物半導體層之上。

根據本發明之一實施例，製造方法更包括於上述第二氮化物半導體層之上形成一源極電極以及一汲極電極，其中上述源極電極以及上述汲極電極係位於上述第三氮化物半導體層以及上述第四氮化物半導體層之相異兩側；以及於上述第四氮化物半導體層之上形成一第二汲極電極，其中上述第二汲極電極係與上述第四氮化物半導體層直接接觸，且上述汲極電極以及上述第二汲極電極相鄰且相互電性連接。

根據本發明之一實施例，上述第二P型摻雜之濃度係不小於上述第一P型摻雜之濃度，且其中上述第一氮化物半導體層包括GaN，上述第二氮化物半導體層包括Al _xGa _1-xN，0＜x＜=1，上述第一頂部氮化物半導體層包括具有上述第一P型摻雜之Al _yGa _1-yN，且0≤y≤1，上述第二頂部氮化物半導體層包括具有上述第二P型摻雜之Al _zGa _1-zN，且0≤z≤1。

根據本發明之一實施例，上述第二頂部氮化物半導體層之厚度不小於上述第一頂部氮化物半導體層之厚度。

以下針對本揭露一些實施例之元件基底、半導體裝置及半導體裝置之製造方法作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本揭露一些實施例之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單清楚描述本揭露一些實施例。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露一些實施例，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。

此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。

在此，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。

能理解的是，雖然在此可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來敘述各種元件、組成成分、區域、層、及/或部分，這些元件、組成成分、區域、層、及/或部分不應被這些用語限定，且這些用語僅是用來區別不同的元件、組成成分、區域、層、及/或部分。因此，以下討論的一第一元件、組成成分、區域、層、及/或部分可在不偏離本揭露一些實施例之教示的情況下被稱為一第二元件、組成成分、區域、層、及/或部分。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。

本揭露一些實施例可配合圖式一併理解，本揭露實施例之圖式亦被視為本揭露實施例說明之一部分。需了解的是，本揭露實施例之圖式並未以實際裝置及元件之比例繪示。在圖式中可能誇大實施例的形狀與厚度以便清楚表現出本揭露實施例之特徵。此外，圖式中之結構及裝置係以示意之方式繪示，以便清楚表現出本揭露實施例之特徵。

在本揭露一些實施例中，相對性的用語例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「頂部」、「底部」等等應被理解為該段以及相關圖式中所繪示的方位。此相對性的用語僅是為了方便說明之用，其並不代表其所敘述之裝置需以特定方位來製造或運作。而關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。

本發明的實施例係揭露半導體裝置之實施例，且上述實施例可被包含於例如微處理器、記憶元件及/或其他元件之積體電路(integrated circuit, IC)中。上述積體電路也可包含不同的被動和主動微電子元件，例如薄膜電阻器(thin-film resistor)、其他類型電容器例如，金屬-絕緣體-金屬電容(metal-insulator-metal capacitor, MIMCAP)、電感、二極體、金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistors, MOSFETs)、互補式MOS電晶體、雙載子接面電晶體(bipolar junction transistors, BJTs)、橫向擴散型MOS電晶體、高功率MOS電晶體或其他類型的電晶體。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以了解也可將半導體裝置使用於包含其他類型的半導體元件於積體電路之中。

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之半導體結構之剖面圖。如第1圖所示，半導體結構100包含基板110。在一些實施例中，基板110可為整塊的(bulk)半導體基板或包含由不同材料形成的複合基板，並且可以將基板110摻雜(例如，使用P型或N型摻質)或不摻雜。在一些實施例中，基板110可包含半導體基板、玻璃基板或陶瓷基板，例如矽基板、矽鍺基板、碳化矽、氮化鋁基板、藍寶石(Sapphire)基板、前述之組合或類似的材料，但本發明實施例並非以此為限。在一些實施例中，基板110可包含絕緣體上覆半導體(semiconductor-on-insulator，SOI)基板，其係經由在絕緣層上設置半導體材料所形成。

如第1圖所示，半導體結構100亦包含緩衝層120。在一些實施例，緩衝層120設置在基板110上方。緩衝層120之功用係為減少基板110與之後形成的氮化物半導體層所產生的應變。緩衝層120可例如為一AlN晶核層及AlGaN過渡層之組合。緩衝層120可減小基板110以及之後形成的氮化物半導體層之間晶格錯差所造成缺陷。

如第1圖所示，半導體結構100亦包含第一氮化物半導體層130以及形成於第一氮化物半導體層130上方之第二氮化物半導體層140。根據本發明之一實施例，第一氮化物半導體層130以及第二氮化物半導體層140係為具有不同能帶隙(band gap)的材料層，且第二氮化物半導體層140之帶隙係高於第一氮化物半導體層130之帶隙。

根據本發明之一些實施例，第一氮化物半導體層130以及第二氮化物半導體層140係由週期表上第III-V族的元素所形成的化合物所構成，然而，第一氮化物半導體層130以及第二氮化物半導體層140彼此在組成上是不同的。根據本發明之一些實施例，第一氮化物半導體層130包括GaN層，第二氮化物半導體層140包括Al _xGa _1-xN層，其中0＜x＜=1。第一氮化物半導體層130與第二氮化物半導體層140彼此直接接觸。由於第一氮化物半導體層130以及第二氮化物半導體層140具有不同能帶隙(band gap)，因此在第一氮化物半導體層130以及第二氮化物半導體層140之間的界面形成一異質接面(heterojunction)。

第一氮化物半導體層130可使用含鎵的前驅物以及含氮的前驅物，藉由金屬有機化學氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)磊晶長成。含鎵的前驅物可包括三甲基鎵(trimethylgallium，TMG)、三乙基鎵(triethylgallium，TEG)、或其他合適的化學品；含氮的前驅物包括氨(ammonia，NH ₃)、叔丁胺(tertiarybutylamine，TBAm)、苯肼(phenyl hydrazine)或其他合適的化學品。然而，本發明實施例並非以此為限。第一氮化物半導體層130也可由其他沉積製程所形成，例如氫化物氣相磊晶法(HVPE)、分子束磊晶法(MBE)、其他適合之方法或前述之組合所形成。

如第1圖所示，第二氮化物半導體層140磊晶成長在第一氮化物半導體層130之上方。第二氮化物半導體層140可由沉積製程所形成，例如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、氫化物氣相磊晶法(HVPE)、分子束磊晶法(MBE)、其他適合之方法或前述之組合所形成。舉例來說，第二氮化物半導體層140可使用含鋁的前驅物、含鎵的前驅物以及含氮的前驅物，藉由有機金屬氣相磊晶法(MOCVD)磊晶長成。含鋁的前驅物包含三甲基鋁(trimethylaluminum，TMA)、三乙基鋁(triethylaluminum，TEA)、或其他合適的化學品；含鎵的前驅物包含三甲基鎵(TMG)、三乙基鎵(TEG)或其他合適的化學品；含氮的前驅物包含氨(NH ₃)、叔丁胺(TBAm)、苯肼(phenyl hydrazine)或其他合適的化學品。然而，本發明實施例並非以此為限。

第一氮化物半導體層130與第二氮化物半導體層140之間的能帶差異(band gap discontinuity)與壓電效應(piezo-electric effect)在第一氮化物半導體層130與第二氮化物半導體層140之間的界面附近產生具有高移動傳導電子的載子通道130A，此載子通道130A稱為二維電子氣(two-dimensional electron gas，2-DEG)，其形成載子通道於第一氮化物半導體層130與第二氮化物半導體層140的界面上。根據本發明之一些實施例，由於半導體結構100係為增強型電晶體，因此載子通道130A係為不連續。

根據本發明之一些實施例，如第1圖所示，半導體結構100更包括利用第一頂部氮化物半導體層150所形成之第三氮化物半導體層151以及第四氮化物半導體層152。第三氮化物半導體層151以及第四氮化物半導體層152皆設置於第二氮化物半導體層140之上，其中第一頂部氮化物半導體層150具有第一P型摻雜且具有第一厚度D1。換句話說，第三氮化物半導體層151以及第四氮化物半導體層152皆具有第一P型摻雜以及第一厚度D1。根據發明之一些實施例，第一P型摻雜包括鎂(Mg)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鋅(Zn)等可形成P型氮化物材料。根據本發明之許多實施例，第一頂部氮化物半導體層150包括P型Al _yGa _1-yN，且0≤y≤1。換句話說，第一頂部氮化物半導體層150可包括P型氮化鎵層(當y=0)，也可包括P型AlN(當y=1)，亦可包括P型Al _yGa _1-yN(當0＜y＜1)。

根據本發明之一些實施例，如第1圖所示，半導體結構100更包括利用第二頂部氮化物半導體層160所形成之第五氮化物半導體層161，且第五氮化物半導體層161係設置於第三氮化物半導體層151之上，其中第二頂部氮化物半導體層160具有第二P型摻雜以及第二厚度D2。根據發明之一些實施例，第二P型摻雜包括鎂(Mg)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鋅(Zn)等可形成P型氮化物材料。根據本發明之一實施例，第二頂部氮化物半導體層160包括P型Al _zGa _1-zN層，其中0≤z≤1。換句話說，第二頂部氮化物半導體層160可包括P型氮化鎵層(當z=0)，也可包括P型AlN(當z=1)，亦可包括P型Al _zGa _1-zN(當0＜z＜1)。

根據本發明之一實施例，第二厚度D2係不小於第一厚度D1，第二P型摻雜之濃度係不小於第一P型摻雜之濃度。換句話說，第二頂部氮化物半導體層160之P型摻雜濃度係高於或等於第一頂部氮化物半導體層150之P型摻雜濃度，並且第二頂部氮化物半導體層160之第二厚度D2係大於或等於第一頂部氮化物半導體層150之第一厚度D1。

根據本發明之一些實施例，如第1圖所示，半導體結構100更包括汲極電極171、源極電極172以及第二汲極電極173。汲極電極171以及源極電極172係設置於第二氮化物半導體層140之上且分別位於第三氮化物半導體層151以及第四氮化物半導體層152之相異兩側，其中汲極電極171以及源極電極172係直接接觸第二氮化物半導體層140。第二汲極電極173係形成於第四氮化物半導體層152之上且與第四氮化物半導體層152直接接觸。汲極電極171係與第二汲極電極173相鄰，並且汲極電極171係與第二汲極電極173相互電性連接。

根據本發明之一些實施例，汲極電極171、源極電極172以及第二汲極電極173的材料可包括導電材料，例如金屬、金屬矽化物、其他合適的材料或前述材料之組合。金屬可包括金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、前述之組合、前述之合金或前述之多層。然而，本發明實施例並非以此為限。根據本發明之一些實施例，汲極電極171以及源極電極172係與第二氮化物半導體層140形成歐姆接觸(Ohmic contact)，第二汲極電極173係與第四氮化物半導體層152形成歐姆接觸。根據本發明之另一些實施例，第二汲極電極173亦可與第四氮化物半導體層152形成蕭特基接觸。

根據本發明之一些實施例，如第1圖所示，半導體結構100更包括閘極電極174。閘極電極174係設置於第五氮化物半導體層161之上且與第五氮化物半導體層161直接接觸。在一些實施例中，閘極電極174的材料可與汲極電極171、源極電極172以及第二汲極電極173的材料相同或相似，在此不多加贅述。根據本發明之一些實施例，閘極電極174與第五氮化物半導體層161係形成蕭特基接觸(Schottky-contact)。根據本發明之另一些實施例，閘極電極174與第五氮化物半導體層161係形成歐姆接觸。

根據本發明之一些實施例，如第1圖所示，半導體結構100係形成增強型高電子遷移率電晶體，第三氮化物半導體層151、第五氮化物半導體層161以及閘極電極174係形成增強型高電子遷移率電晶體之閘極堆疊結構180，第四氮化物半導體層152、汲極電極171以及第二汲極電極173係形成增強型高電子遷移率電晶體之汲極端，源極電極172係形成增強型高電子遷移率電晶體之源極端，其中汲極電極171以及源極電極172分別位於閘極電極174以及第二汲極電極173之相異兩側，且汲極電極171以及第二汲極電極173相鄰。根據本發明之一些實施例，位於汲極電極171以及閘極電極174之間的第四氮化物半導體層152以及第二汲極電極173係用以提升增強型高電子遷移率電晶體之動態導通電阻(dynamic on-resistance)之特性。

根據本發明之一些實施例，第五氮化物半導體層161之第二厚度D2以及第二P型摻雜之濃度係用以提高第三氮化物半導體層151下方(即，高電子遷移率電晶體之閘極堆疊結構180之下方)之載子通道130A之導通臨界電壓，使得閘極堆疊結構180下方之載子通道130A在不施加電壓的情況下能夠達到完全空乏(fully depletion)，進而完全截止載子通道130A。根據本發明之一些實施例，第四氮化物半導體層152之第一厚度D1以及第一P型摻雜之濃度係用以調整第四氮化物半導體層152下方(即，高電子遷移率電晶體之第二汲極電極173之下方)之載子通道130A之導通臨界電壓，使得第四氮化物半導體層152下方之載子通道130A只能夠達到部分空乏(partial depletion)，以增進半導體結構100所形成之增強型高電子遷移率電晶體的元件特性。

第2A圖至第2D圖係顯示根據本發明之一實施例所述示之半導體結構之製造方法之剖面示意圖。參照第2A圖，提供基板110。接著，可在基板110上方形成緩衝層120，以緩解基板110與緩衝層120之上的膜層之間的晶格差異，提升磊晶品質。在一些實施例中，緩衝層120的材料可包含III-V族化合物半導體材料，例如III族氮化物。舉例來說，緩衝層120的材料可包含氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、類似的材料或前述之組合，但本發明實施例並非以此為限。在一些實施例中，緩衝層120可透過沉積製程所形成，例如化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、分子束磊晶(MBE)、液相磊晶(LPE)、類似的製程或前述之組合，但本發明實施例並非以此為限。在一些實施例中，緩衝層120可包含摻雜的碳或鐵。

如第2A圖所示，可在緩衝層120上方形成第一氮化物半導體層130。在一些實施例中，第一氮化物半導體層130的材料可包含一或多種III-V族化合物半導體材料，例如III族氮化物。在一些實施例中，第一氮化物半導體層130的材料可包括氮化鎵(GaN)。第一氮化物半導體層130可由沉積製程所形成，例如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、氫化物氣相磊晶法(HVPE)、分子束磊晶法(MBE)、其他適合之方法或前述之組合所形成。舉例來說，第一氮化物半導體層130可使用含鎵的前驅物以及含氮的前驅物，藉由金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)磊晶長成。含鎵的前驅物可包括三甲基鎵(trimethylgallium，TMG)、三乙基鎵(triethylgallium，TEG)、或其他合適的化學品；含氮的前驅物包括氨(ammonia，NH3)、叔丁胺(tertiarybutylamine，TBAm)、苯肼(phenyl hydrazine)或其他合適的化學品。然而，本發明實施例並非以此為限。

如第2A圖所示，可在第一氮化物半導體層130上方形成第二氮化物半導體層140。在一些實施例中，第二氮化物半導體層140的材料可包含一或多種III-V族化合物半導體，例如，III族氮化物。在一些實施例中，第二氮化物半導體層140的材料可包括氮化鋁鎵(AlGaN)。在一些實施例中，第二氮化物半導體層140可具有摻雜物，例如N型摻質或P型摻質。第二氮化物半導體層140可由沉積製程所形成，例如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、氫化物氣相磊晶法(HVPE)、分子束磊晶法(MBE)、其他適合之方法或前述之組合所形成。舉例來說，第二氮化物半導體層140可使用含鋁的前驅物、含鎵的前驅物以及含氮的前驅物，藉由有機金屬氣相磊晶法(MOCVD)磊晶長成。含鋁的前驅物包含三甲基鋁(trimethylaluminum，TMA)、三乙基鋁(triethylaluminum，TEA)、或其他合適的化學品；含鎵的前驅物包含三甲基鎵(TMG)、三乙基鎵(TEG)或其他合適的化學品；含氮的前驅物包含氨(NH 3)、叔丁胺(TBAm)、苯肼(phenyl hydrazine)或其他合適的化學品。然而，本發明實施例並非以此為限。

根據本發明之一些實施例，第一氮化物半導體層130包括GaN層，第二氮化物半導體層140包括Al _xGa _1-xN層，其中0＜x＜=1。此外，第二氮化物半導體層140之帶隙高於第一氮化物半導體層130之帶隙。

在一些實施例中，如第2A圖所示，可在第二氮化物半導體層140上方形成第一頂部氮化物半導體層150。在一些實施例中，第一頂部氮化物半導體層150的材料包括以P型摻雜的Al _yGa _1-yN，且0≤y≤1。換句話說，第一頂部氮化物半導體層150可包括P型氮化鎵層(當y=0)，也可包括P型AlN(當y=1)，更可包括P型Al _yGa _1-yN(當0＜y＜1)。

第一頂部氮化物半導體層150可例如透過磊晶成長製程在第二氮化物半導體層140上沉積摻雜的化合物半導體材料所形成，但本發明實施例並非以此為限。根據發明之一些實施例， P型摻雜包括鎂(Mg)、鈹(Be)、鈣(Ca)、鋅(Zn)等可形成P型氮化物材料。根據本發明之一實施例，第一頂部氮化物半導體層150具有第一厚度D1以及第一P型摻雜。

在一些實施例中，如第2A圖所示，可在第一頂部氮化物半導體層150上方形成第二頂部氮化物半導體層160。在一些實施例中，第二頂部氮化物半導體層160的材料包括以P型摻雜的Al _zGa _1-zN，其中0≤z≤1。換句話說，第二頂部氮化物半導體層160可包括P型氮化鎵層(當z=0)，也可包括P型AlN(當z=1)，更可包括P型Al _zGa _1-zN(當0＜z＜1)。第二頂部氮化物半導體層160可例如透過磊晶成長製程在第一頂部氮化物半導體層150上沉積化合物半導體材料所形成，但本發明實施例並非以此為限。

根據本發明之一實施例，第二頂部氮化物半導體層160具有第二厚度D2，其中第二厚度D2係不小於第一厚度D1，且第二P型摻雜之濃度係不小於第一P型摻雜之濃度。亦即，第二頂部氮化物半導體層160之第二厚度D2係大於或等於第一頂部氮化物半導體層150之第一厚度D1，第二頂部氮化物半導體層160之P型摻雜濃度係高於或等於第一頂部氮化物半導體層150之P型摻雜濃度。

根據本發明之其他實施例，除了依序將緩衝層120、第一氮化物半導體層130、第二氮化物半導體層140、第一頂部氮化物半導體層150以及第二頂部氮化物半導體層160形成於基板110上方之外，亦可提供具有上述半導體層之磊晶晶圓片(Epitaxial Wafer)，以利縮短製程步驟。

接著，如第2B圖所示，在第二頂部氮化物半導體層160之上方形成閘極電極174，並且以閘極電極174作為蝕刻罩幕，且以第一頂部氮化物半導體層150作為蝕刻停止層，藉以圖形化第二頂部氮化物半導體層160而在閘極電極174之下方形成第五氮化物半導體層161。此外，第一頂部氮化物半導體層150因此而暴露在外。

根據本發明之一些實施例，閘極電極174的材料可包括導電材料，例如金屬、金屬矽化物、其他合適的材料或前述材料之組合。金屬可包括金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、前述之組合、前述之合金或前述之多層。然而，本發明實施例並非以此為限。根據本發明之一些實施例，閘極電極174係與第二頂部氮化物半導體層160形成歐姆接觸。根據本發明之一些實施例，閘極電極174係與第二頂部氮化物半導體層160形成蕭特基接觸。

接著，如第2C圖所示，對第一頂部氮化物半導體層150進行圖形化，並以第二氮化物半導體層140作為蝕刻停止層，而在閘極電極174以及第五氮化物半導體層161之下方形成第三氮化物半導體層151，並形成第四氮化物半導體層152。

隨後，如第2D圖所示，在第三氮化物半導體層151以及第四氮化物半導體層152之相異兩側，形成汲極電極171以及源極電極172，其中汲極電極171以及源極電極172係與第二氮化物半導體層140直接接觸，汲極電極171係與第二汲極電極173相鄰且相互電性連接。根據本發明之一實施例，汲極電極171以及源極電極172係與第二氮化物半導體層140形成歐姆接觸。

如第2D圖所示，透過第一氮化物半導體層130與第二氮化物半導體層140之間不同能帶隙所引發之自發性極化及壓電極化效應，於第一氮化物半導體層130與第二氮化物半導體層140之間的異質界面上形成載子通道130A。此外，在不施加任何電壓的情況下，載子通道130A係於第三氮化物半導體層151之下方截止。

根據本發明之一些實施例，半導體結構100係形成增強型高電子遷移率電晶體，第三氮化物半導體層151、第五氮化物半導體層161以及閘極電極174係形成增強型高電子遷移率電晶體之閘極堆疊結構180，第四氮化物半導體層152、汲極電極171以及第二汲極電極173係形成增強型高電子遷移率電晶體之汲極端，源極電極172係形成增強型高電子遷移率電晶體之源極端。根據本發明之一些實施例，第四氮化物半導體層152以及第二汲極電極173係用以提升增強型高電子遷移率電晶體之動態導通電阻(dynamic on-resistance)之特性。

本發明在此提出用以形成增強型高電子遷移率電晶體之半導體結構，透過調整第一頂部氮化物半導體層以及第二頂部氮化物半導體層之厚度以及P型摻雜之濃度，能夠有效的控制形成載子通道之導通臨界電壓且同時增進動態導通電阻的特性。

此外，相較於先前技術中產生凹室所需的蝕刻精準度以及在凹室之底部磊晶具有P型雜質的氮化鎵層所需的特殊磊晶技術，本發明提出之半導體結構之製造方法使用的是一般的磊晶製程以及一般的蝕刻製程，將有效的降低生產成本以及生產時間。相較於先前技術中利用氟離子轟擊的高電子遷移率電晶體所產生之增強型元件反轉為耗盡型元件的問題，由於本發明之半導體結構及其製造方法並未使用氟離子，因此可輕易排除該問題。

雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露一些實施例之揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露一些實施例使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

100:半導體結構 110:基板 120:緩衝層 130:第一氮化物半導體層 130A:載子通道 140:第二氮化物半導體層 150:第一頂部氮化物半導體層 151:第三氮化物半導體層 152:第四氮化物半導體層 160:第二頂部氮化物半導體層 161:第五氮化物半導體層 171:汲極電極 172:源極電極 173:第二汲極電極 174:閘極電極 180:閘極堆疊結構 D1:第一厚度 D2:第二厚度

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之半導體結構之剖面圖；以及 第2A圖至第2D圖係顯示根據本發明之一實施例所述示之半導體結構之製造方法之剖面示意圖。

100:半導體結構

110:基板

120:緩衝層

130:第一氮化物半導體層

130A:載子通道

140:第二氮化物半導體層

150:第一頂部氮化物半導體層

151:第三氮化物半導體層

152:第四氮化物半導體層

160:第二頂部氮化物半導體層

161:第五氮化物半導體層

171:汲極電極

172:源極電極

173:第二汲極電極

174:閘極電極

180:閘極堆疊結構

D1:第一厚度

D2:第二厚度

Claims (10)

1. 一種半導體結構，包括： 一基板； 一第一氮化物半導體層，設置於上述基板之上； 一第二氮化物半導體層，設置於上述第一氮化物半導體層之上，其中上述第二氮化物半導體層之帶隙高於上述第一氮化物半導體層之帶隙； 一第三氮化物半導體層，設置於上述第二氮化物半導體層之上以及一源極電極以及一汲極電極之間，具有一第一P型摻雜； 一第四氮化物半導體層，設置於上述第二氮化物半導體層之上且位於上述第三氮化物半導體層以及上述汲極電極之間，具有上述第一P型摻雜；以及 一第五氮化物半導體層，設置於上述第三氮化物半導體層之上，具有一第二P型摻雜。
2. 如請求項1之半導體結構，更包括： 一閘極電極，設置於上述第五氮化物半導體層之上，且與上述第五氮化物半導體層直接接觸；以及 一第二汲極電極，設置於上述第四氮化物半導體層之上，且與上述第四氮化物半導體層直接接觸，其中上述第二汲極電極係與上述汲極電極相鄰且相互電性連接，其中上述源極電極以及上述汲極電極係與上述第二氮化物半導體層直接接觸。
3. 如請求項1之半導體結構，其中上述第二P型摻雜之濃度係不小於上述第一P型摻雜之濃度。
4. 如請求項1之半導體結構，其中上述第三氮化物半導體層以及第四氮化物半導體層具有一第一厚度，其中上述第五氮化物半導體層具有一第二厚度，其中上述第二厚度不小於上述第一厚度。
5. 如請求項1之半導體結構，其中上述第一氮化物半導體層包括GaN，其中上述第二氮化物半導體層包括Al _xGa _1-xN，且0＜x＜=1。
6. 如請求項1之半導體結構，其中上述第三氮化物半導體層以及上述第四氮化物半導體層包括具有上述第一P型摻雜之Al _yGa _1-yN，且0≤y≤1，其中上述第五氮化物半導體層包括具有上述第二P型摻雜之Al _zGa _1-zN，且0≤z≤1。
7. 一種半導體結構之製造方法，包括： 提供一基板； 於上述基板之上形成一第一氮化物半導體層； 於上述第一氮化物半導體層之上形成一第二氮化物半導體層，其中上述第二氮化物半導體層之帶隙高於上述第一氮化物半導體層之帶隙； 於上述第二氮化物半導體層之上形成一第一頂部氮化物半導體層，其中上述第一頂部氮化物半導體層具有一第一P型摻雜； 於上述第一頂部氮化物半導體層之上形成一第二頂部氮化物半導體層，其中上述第二頂部氮化物半導體層具有一第二P型摻雜； 於上述第二頂部氮化物半導體層之上形成一閘極電極； 利用上述閘極電極作為一蝕刻罩幕，蝕刻上述第二頂部氮化物半導體層而形成一第五氮化物半導體層，其中上述閘極電極係與上述第五氮化物半導體層直接接觸；以及 蝕刻上述第一頂部氮化物半導體層而形成一第三氮化物半導體層以及一第四氮化物半導體層，且露出上述第一頂部氮化物半導體層，其中上述第五氮化物層係堆疊於上述第三氮化物半導體層之上。
8. 如請求項7之製造方法，更包括： 於上述第二氮化物半導體層之上形成一源極電極以及一汲極電極，其中上述源極電極以及上述汲極電極係位於上述第三氮化物半導體層以及上述第四氮化物半導體層之相異兩側；以及 於上述第四氮化物半導體層之上形成一第二汲極電極，其中上述第二汲極電極係與上述第四氮化物半導體層直接接觸，且上述汲極電極以及上述第二汲極電極相鄰且相互電性連接。
9. 如請求項7之製造方法，其中上述第二P型摻雜之濃度係不小於上述第一P型摻雜之濃度，且其中上述第一氮化物半導體層包括GaN，上述第二氮化物半導體層包括Al _xGa _1-xN，0＜x＜=1，上述第一頂部氮化物半導體層包括具有上述第一P型摻雜之Al _yGa _1-yN，且0≤y≤1，上述第二頂部氮化物半導體層包括具有上述第二P型摻雜之Al _zGa _1-zN，且0≤z≤1。
10. 如請求項7之製造方法，其中上述第二頂部氮化物半導體層之厚度不小於上述第一頂部氮化物半導體層之厚度。

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