TW202308180A - 磊晶結構及微型發光元件 - Google Patents

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Abstract

一種磊晶結構，包括一量子井結構、一第一型半導體層以及一第二型半導體層。量子井結構具有彼此相對的一上表面與一下表面，且包括交替堆疊的至少一量子井層與至少一量子阻障層。量子井層中包括至少一圖案化層，且圖案化層包括多個幾何圖案。第一型半導體層配置於量子井結構的下表面上。第二型半導體層配置於量子井結構的上表面上。

Description

磊晶結構及微型發光元件
本發明是有關於一種半導體結構，且特別是有關於一種磊晶結構及具有此磊晶結構的微型發光元件。
一般來說，當磊晶結構生長在傾斜結晶面上時，可抑制來自長晶的貫通錯位（misfit and threading dislocation），藉此獲得較高的發光效率。然而，製作傾斜結晶面時，必須先中斷磊晶程序，以透過額外的曝光及顯影程序，來製作出氮化矽（SixNy）光罩（mask）供選擇性磊晶成長。此外，上述的步驟僅可製作單一層量子井層，且最後需要形成厚度至少為250奈米至500奈米的P型半導體層，來使磊晶結構的表面達到平坦化。
本發明提供一種磊晶結構，其具有較佳的良率與品質。
本發明還提供一種微型發光元件，其包括上述的磊晶結構，具有良好的光電特性及可靠度。
本發明的磊晶結構，其包括一量子井結構、一第一型半導體層以及一第二型半導體層。量子井結構具有彼此相對的一上表面與一下表面，且包括交替堆疊的至少一量子井層與至少一量子阻障層。量子井層中包括至少一圖案化層，且圖案化層包括多個幾何圖案。第一型半導體層配置於量子井結構的下表面上。第二型半導體層配置於量子井結構的上表面上。
在本發明的一實施例中，上述的量子井層中包括至少一連續層。圖案化層中的銦摻雜濃度與連續層中的銦摻雜濃度的比值介於0.1至3.5。
在本發明的一實施例中，上述的圖案化層中的銦摻雜濃度介於4%至50%，而連續層中的銦摻雜濃度介於15%至25%。
在本發明的一實施例中，上述的圖案化層與連續層中的一者鄰近第一型半導體層，而圖案化層與連續層中的另一者鄰近第二型半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的幾何圖案中的至少二個具有不同的尺寸。
在本發明的一實施例中，上述的圖案化層更包括多個連接部，而每一連接部位於相鄰兩幾何圖案之間，且每一連接部至少連接相鄰兩幾何圖案。
在本發明的一實施例中，上述的圖案化層包括多個圖案化層，且每一圖案化層中的幾何圖案至少部分彼此分離。相鄰兩圖案化層中的幾何圖案呈至少部分呈錯位排列。
在本發明的一實施例中，上述的圖案化層中的至少二層的幾何圖案的分布密度不同。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構還包括一緩衝層，配置於量子井結構的下表面與第一型半導體層之間。緩衝層包括至少一結構化層，且結構化層包括多個幾何結構。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構還包括至少一V型缺陷，存在於量子井結構內。
在本發明的一實施例中，上述的每一幾何圖案的尺寸與V型缺陷的尺寸的比值小於等於0.1。
在本發明的一實施例中，上述的幾何圖案的數量大於V型缺陷的數量。
在本發明的一實施例中，上述的V型缺陷的數量與幾何圖案的數量的比值小於等於0.1。
在本發明的一實施例中，上述的第一型半導體層具有一表面，量子井結構的下表面鄰近表面。幾何圖案於表面上的正投影面積與表面的面積的比值大於0.25。
在本發明的一實施例中，上述的每一幾何圖案具有一高度，而量子井結構具有一厚度，高度與厚度的比值大於等於0.1且小於等於0.5。
在本發明的一實施例中，上述以俯視觀之，任兩相鄰的幾何圖案之間最大間距小於等於0.5微米。
在本發明的一實施例中，上述的量子井層包括兩量子井層，且相鄰兩量子井層之間的一垂直間距介於2.5奈米至50奈米。
在本發明的一實施例中，上述的每一量子阻障層的一第一厚度大於等於1/2的圖案化層的一第二厚度。
在本發明的一實施例中，上述的第二型半導體層的厚度大於等於10奈米且小於200奈米。
本發明的微型發光元件，其包括一磊晶結構、一第一型電極以及一第二型電極。磊晶結構包括一量子井結構、一第一型半導體層以及一第二型半導體層。量子井結構具有彼此相對的一上表面與一下表面，且包括交替堆疊的至少一量子井層與至少一量子阻障層。量子井層中包括至少一圖案化層，且圖案化層包括多個幾何圖案。第一型半導體層配置於量子井結構的下表面上。第二型半導體層配置於量子井結構的上表面上。第一型電極配置於磊晶結構上，且與第一型半導體層電性連接。第二型電極配置於磊晶結構上，且與第二型半導體層電性連接。
基於上述，在本發明的磊晶結構中，量子井層中包括至少一圖案化層，且圖案化層包括多個幾何圖案。藉由這些幾何圖案的設置，可使本發明的磊晶結構具有應力調節及長波長發光的功效。再者，圖案化層亦可有效地減少壓電效應，以降低內建電場並減少界面應力，使圖案化層中摻雜物（如銦含量）提升，進而維持晶體品質。而量子井層亦可因圖案化層的加入，使量子井層中摻雜物（如銦含量）提升。此外，透過圖案化層的設置，第二型半導體層的厚度無需太厚，即可使磊晶結構具有較平坦的表面。因此，本發明的磊晶結構具有較佳的良率與品質，而採用本發明的磊晶結構的微型發光元件，則可具有良好的光電特性及可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本發明的實施例描述微型發光元件（例如微型發光二極體（Micro LED））的結構，使之準備好拾取及轉移到接收基板。接收基板可例如為顯示基板或具其他具線路的基板，但不以此為限。
圖1是依照本發明的一實施例的一種磊晶結構的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，磊晶結構100包括一第一型半導體層110、一量子井結構120以及一第二型半導體層130。量子井結構120具有彼此相對的一上表面S1與一下表面S2，且包括交替堆疊的至少一量子井層與至少一量子阻障層。此處，量子井結構120具體化為一多重量子井結構，且包括交替堆疊的多個量子井層與多個量子阻障層（示意地繪示五層量子阻障層124）。特別是，量子井層中包括至少一圖案化層122，且圖案化層122包括多個幾何圖案123。此處，量子井層具體化為四層圖案化層122，與量子阻障層124呈交替堆疊，但不以此為限。量子井結構120例如是氮化鎵（GaN）/氮化銦鎵（InGaN）多重量子井結構、氮化鋁鎵（AlGaN）/氮化銦鎵（InGaN）多重量子井結構、氮化鋁鎵（AlGaN）/氮化鎵（GaN）多重量子井結構或氮化銦鎵鋁（AlInGaN）/氮化銦鎵（InGaN）多重量子井結構。於未繪示出的實施例中，量子井結構也可以單一量子井結構。
再者，本實施例的第一型半導體層110配置於量子井結構120的下表面S2上，而第二型半導體層130配置於量子井結構120的上表面S1上。此處，第一型半導體層110例如是N型半導體層，而第二型半導體層130例如是P型半導體層，但不以此為限。
詳細來說，請再參考圖1，在本實施例中，每一圖案化層122中的幾何圖案123彼此分離，且相鄰兩圖案化層122中的幾何圖案123呈對位排列。也就是說，圖案化層122具體化為非連續性地圖案化層。於未繪示出的實施例中，每一圖案化層122中的幾何圖案123也可以部分彼此分離。以剖面觀之，每一幾何圖案123例如是金字塔型圖案，但不以此為限。於其他實施例中，幾何圖案123的剖面形狀亦可微波浪狀圖案或鋸齒狀圖案，此仍屬於本發明所欲保護的範圍。請再參考圖1，每一幾何圖案123具有一高度H，而量子井結構120具有一厚度T，較佳地，高度H與厚度T的比值大於等於0.1且小於等於0.5。每一量子阻障層124的一第一厚度T1大於等於1/2的圖案化層122的一第二厚度T2。此處，第一厚度T1為任兩相鄰圖案化層122間的量子阻障層124的最小間距。較佳地，第一厚度T1小於第二厚度T2。此外，相鄰兩量子井層（即圖案化層122）之間的一最大垂直間距D，較佳地，介於2.5奈米至50奈米。若最大垂直間距D小於2.5奈米，則應力調節效果不佳；反之，若最大垂直間距D大於50奈米，則會造成磊晶晶體品質不佳。
如圖1所示，本實施例的第一型半導體層110具有一表面C，而量子井結構120的下表面S2鄰近表面C。較佳地，幾何圖案123於表面C上的正投影面積與表面C的面積的比值大於0.25，可有較佳的應力調節功能。此外，本實施例的第二型半導體層130的厚度T3例如是大於等於10奈米且小於200奈米。此處，第二型半導體層130且直接接觸量子井結構120，第二型半導體層130例如是一氮化鎵(GaN)層，相較於現有技術中以透過額外的曝光及顯影程序，來製作出氮化矽（SixNy）光罩（mask）供選擇性磊晶成長，量子井結構後續接續磊晶過程須採用厚度至少為250奈米至500奈米的P型半導體層來達到平坦化磊晶結構的表面而言，本實施例的第二型半導體層130的厚度T3明顯較薄至少可以縮減一半以上的厚度，且可迅速使界面平整，可降低整體磊晶結構100的厚度。
簡言之，在本實施例的磊晶結構100中，量子井結構120具體化為多重量子井結構，且量子井層具體化為圖案化層122，且圖案化層122包括多個幾何圖案123。藉由這些幾何圖案123的設置，可使本實施例的磊晶結構100具有應力調節及長波長發光的功效，且透過這些幾何圖案123的設計，因而能長成多個量子井層和多個量子阻障層124，有較佳的發光效果。再者，圖案化層122亦可有效地減少壓電效應，以降低內建電場並減少界面應力，使圖案化層122中摻雜物（如銦含量）提升，進而維持晶體品質。而量子井層120亦可因圖案化層122的加入，使量子井層120中摻雜物（如銦含量）提升。此外，透過圖案化層122的設置，第二半導體層130的厚度T3無需太厚，即可使磊晶結構100具有較平坦的表面。因此，本實施例的磊晶結構100具有較佳的良率與品質，而採用此磊晶結構100的微型發光元件10，則可具有良好的光電特性及可靠度。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2A至圖2J是本發明的多個實施例的多個磊晶結構的剖面示意圖。首先，請同時參考圖1以及圖2A，本實施例的磊晶結構100a與圖1的磊晶結構100相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120a中的量子井層中包括一層圖案化層122a以及三層連續層126，且量子阻障層124與圖案化層122a及連續層126交替堆疊。此處，圖案化層122a鄰近第一型半導體層110，而連續層126鄰近第二型半導體層130，藉此設置來應力調變，而增加量子井結構120a的發光效率。此外，在本實施例中，量子井層的材質例如是氮化銦鎵，而圖案化層122a中的銦摻雜濃度與連續層126中的銦摻雜濃度的比值介於0.1至3.5，可有較佳的應力調節功能和磊晶晶體品質。此處，圖案化層122a中的銦摻雜濃度介於4%至50%，而連續層126中的銦摻雜濃度介於15%至25%，過少發光效率較差，過多會增加磊晶結構生長時的缺陷。
接著，請同時參照圖1以及圖2B，本實施例的磊晶結構100b與圖1的磊晶結構100相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120b中的量子井層中包括一層圖案化層122b以及三層連續層126，且量子阻障層124與連續層126及圖案化層122b交替堆疊。此處，連續層126鄰近第一型半導體層110，而圖案化層122b鄰近第二型半導體層130，藉此設置來使量子井結構120b發出長波長的光。此外，在本實施例中，量子井層的材質例如是氮化銦鎵，而圖案化層122b中的銦摻雜濃度與連續層126中的銦摻雜濃度的比值介於0.1至3.5，可有較佳的應力調節功能和磊晶晶體品質。此處，圖案化層122b中的銦摻雜濃度介於4%至50%，而連續層126中的銦摻雜濃度介於15%至25%，過少發光效率較差，過多會增加磊晶結構生長時的缺陷。
接著，請同時參照圖1以及圖2C，本實施例的磊晶結構100c與圖1的磊晶結構100相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120c中的量子井層為四層圖案化層122c，而每一圖案化層122c除了幾何圖案123c之外，還包括多個連接部125c，其中每一連接部125c位於相鄰兩幾何圖案123c之間，且每一連接部125c連接相鄰兩幾何圖案123c。也就是說，圖案化層122c具體化為連續地圖案化層，可有較佳的應力調節功能。但於未繪示出的實施中，連接部也可以僅連接部分相鄰兩幾何圖案。
接著，請同時參照圖1以及圖2D，本實施例的磊晶結構100d與圖1的磊晶結構100相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120d中的量子井層為四層圖案化層122d1、122d2、122d3、122d4，其中相鄰兩圖案化層122d1、122d2、122d3、122d4中的幾何圖案123d呈至少部分錯位排列，可有效阻擋磊晶過中的差排密度。在未繪示出的實施例中，相鄰兩圖案化層中的幾何圖案呈完全錯位排列，可全面有效阻擋磊晶過中的差排密度。
接著，請同時參照圖2A以及圖2E，本實施例的磊晶結構100e與圖2A的磊晶結構100a相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120e的圖案化層122e中的幾何圖案123e1、123e2、123e3、123e4中的至少二個具有不同的尺寸。此處，幾何圖案123e4的尺寸大於幾何圖案123e3的尺寸，而幾何圖案123e3的尺寸大於幾何圖案123e2的尺寸，且幾何圖案123e2的尺寸大於幾何圖案123e1的尺寸，換句話說，幾何圖案的尺寸非周期性排列，能有效平衡磊晶結構各區的均勻度並兼具應力調節功能。
請先同時參照圖2A以及圖2F，本實施例的磊晶結構100f與圖2A的磊晶結構100a相似，兩者差異在於：在本實施例中，磊晶結構100f還包括至少一V型缺陷P，存在於量子井結構120f內。此處，至少一V型缺陷P由量子井結構120f的上表面S1延伸至第一型半導體層110f。如圖2F所示，V型缺陷P型形成在第二型半導體層130f與量子阻障層124的界面處，從上表面S1往下至第一型半導體層110f，因而穿過圖案化層122f。此處，圖案化層122f中的每一幾何圖案123f的尺寸與V型缺陷P的尺寸的比值小於等於0.5，例如是幾何圖案123f與V型缺陷P的一最大高度。且幾何圖案123f的數量大於V型缺陷P的數量。V型缺陷P的數量與幾何圖案123f的數量比值小於等於0.1，V型缺陷P過多會增加磊晶結構生長時的缺陷。此處，幾何圖案123f的數量具體化為六個，而V型缺陷P的數量具體化為1個，但不以此為限。
請同時參照圖1以及圖2G，本實施例的磊晶結構100g與圖1的磊晶結構100相似，兩者差異在於：在本實施例中，磊晶結構100g還包括一緩衝層140，其中緩衝層140配置於量子井結構120的下表面S2與第一型半導體層110之間。透過設置緩衝層140，使得在磊晶成長過程中，無須額外使用曝光及顯影程序來製作出氮化矽光罩供選擇性磊晶成長，可避免中斷磊晶成長的負面效應。此處，緩衝層140的材質例如是選自氮化鋁鎵（AlGaN）、氮化鎵（GaN）、氮化銦鎵（InGaN）上述至少二者所組成的超晶格結構（superlattice structure）；或者是，氮化銦鎵層、氮化鋁鎵層或氮化鎵層。此外，本實施例的緩衝層140包括至少一結構化層142，且結構化層142包括多個幾何結構143，可增加應力調節。於另一未繪示的實施例中，緩衝層亦可不需有結構化層，此仍屬於本發明所欲保護的範圍。
請同時參照圖2A以及圖2H，本實施例的磊晶結構100h與圖2A的磊晶結構100a相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120h的圖案化層122h以及連續層126呈交錯配置，可提升磊晶晶體品質。較佳的，最靠近第二型半導體層130的量子井層為圖案化層122h，可使後續生長的第二型半導體層130有更佳的磊晶晶體品質。於未繪示出的實施例中，也可以連續層、圖案化層和圖案化層這樣交錯配置，將視實際需求設計。
請同時參照圖1以及圖2I，本實施例的磊晶結構100i與圖1的磊晶結構100相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120i中的量子井層為四層圖案化層122i，而每一圖案化層122i的幾何圖案123i連接在一起。也就是說，本實施例的圖案化層122i具體化為連續地圖案化層，可有較佳的應力調節功能。
請同時參照圖2I以及圖2J，本實施例的磊晶結構100j與圖2I的磊晶結構100i相似，兩者差異在於：在本實施例中，量子井結構120j中的量子井層為四層圖案化層122j，而每一圖案化層122j的部分幾何圖案123j連接在一起。也就是說，本實施例的圖案化層122j具體化為非連續地圖案化層。
圖3A至圖3D是本發明的一實施例的量子井結構的多個圖案化層的俯視示意圖。請同時參照圖1、圖3A、圖3B、圖3C以及圖3D，本實施例的量子井結構與圖1的量子井結構120相似，兩者差異在於：在本實施例中，每一圖案化層122h1、122h2、122h3、122h4中的幾何圖案123h1、123h2、123h3、123h4的分布密度不同。進一步來說，在本實施例中，當幾何圖案123h1的高度（請參考圖1的高度H表示）例如為2.5奈米，而寬度（請參考圖1的寬度W表示）例如為5奈米時，如圖3A所示，幾何圖案123h1的分布密度例如為2x10 11。另一方面，當幾何圖案123h3的高度（請參考圖1的高度H表示）例如為125奈米，而寬度（請參考圖1的寬度W表示）例如為150奈米時，如圖3C所示，幾何圖案123h3的分布密度例如為1x10 10。幾何圖案123h3尺寸愈小時，分度密度可以愈大，經此來調整磊晶時產生的應力。針對不同尺寸和不同光色的磊晶結構具有不同的分布密度，可有效調節應力增加磊晶晶體品質並有較佳的發光均勻度。特別說明的是，當後續磊晶結構經製程而形成如圖4的微型發光元件10時，當微型發光元件10最大寬度小於等於50微米時，幾何圖案123h3的分布密度大於等於1x10 10且小於等於2x10 11可以有較佳的發光效率。此外，以俯視觀之，任兩相鄰的幾何圖案123h1、123h2、123h3之間的最大間距小於等於0.5微米，而能有較佳的應力調節能力。部分幾何圖案123h4之間的間距有呈現零的狀態，意即彼此連接無間距，如圖3D所示。
圖4是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖4，在本實施例中，微型發光元件10包括上述圖1的磊晶結構100、第一型電極200以及第二型電極300。第一型電極200配置於磊晶結構100上，且與第一型半導體層110電性連接。第二型電極300配置於磊晶結構100上，且與第二型半導體層130電性連接。此外，本實施例的微型發光元件10還包括絕緣層400，配置於第二型半導體層130上，其中第一型電極200與第二型電極300位於絕緣層400且分別第一型半導體層110及第二型半導體層130電性連接。意即，本實施例的微型發光元件10具體化為覆晶式微型發光元件。於未繪示出的實施例中，微型發光元件10也可以是垂直式微型發光元件或是水平式微型發光元件。
綜上所述，在本發明的磊晶結構中，量子井層中包括至少一圖案化層，且圖案化層包括多個幾何圖案。藉由這些幾何圖案的設置，可使本發明的磊晶結構具有應力調節及長波長發光的功效。再者，圖案化層亦可有效地減少壓電效應，以降低內建電場並減少界面應力，使圖案化層中摻雜物（如銦含量）提升，進而維持晶體品質。此外，透過圖案化層的設置，第二半導體層的厚度無需太厚，即可使磊晶結構具有較平坦的表面。因此，本發明的磊晶結構具有較佳的良率與品質，而採用本發明的磊晶結構的微型發光元件，則可具有良好的光電特性及可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:微型發光元件 100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j:磊晶結構 110、110f:第一型半導體層 120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120h、120i、120j:量子井結構 122、122a、122b、122c、122d1、122d2、122d3、122d4、122e、122f、122h、122h1、122h2、122h3、122h4、122i、122j:圖案化層 123、123c、123d、123e1、123e2、123e3、123e4、123f、123h1、123h2、123h3、123h4、123i、123j:幾何圖案 124:量子阻障層 125c:連接部 126:連續層 130、130f:第二型半導體層 140:緩衝層 142:結構化層 143:幾何結構 200:第一型電極 300:第二型電極 400:絕緣層 C:表面 D:垂直間距 H:高度 P:V型缺陷 S1:上表面 S2:下表面 T、T1、T2、T3:厚度 W:寬度
圖1是依照本發明的一實施例的一種磊晶結構的剖面示意圖。 圖2A至圖2J是本發明的多個實施例的多個磊晶結構的剖面示意圖。 圖3A至圖3D是本發明的一實施例的量子井結構的多個圖案化層的俯視示意圖。 圖4是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。
100:磊晶結構
110:第一型半導體層
120:量子井結構
122:圖案化層
123:幾何圖案
124:量子阻障層
130:第二型半導體層
C:表面
D:垂直間距
H:高度
S1:上表面
S2:下表面
T、T1、T2、T3:厚度
W:寬度

Claims (20)

  1. 一種磊晶結構，包括： 一量子井結構，具有彼此相對的一上表面與一下表面，且包括交替堆疊的至少一量子井層與至少一量子阻障層，其中該至少一量子井層中包括至少一圖案化層，且該至少一圖案化層包括多個幾何圖案； 一第一型半導體層，配置於該量子井結構的該下表面上；以及 一第二型半導體層，配置於該量子井結構的該上表面上。
  2. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該至少一量子井層中包括至少一連續層，而該至少一圖案化層中的銦摻雜濃度與該至少一連續層中的銦摻雜濃度的比值介於0.1至3.5。
  3. 如請求項2所述的磊晶結構，其中該至少一圖案化層中的銦摻雜濃度介於4%至50%，而該至少一連續層中的銦摻雜濃度介於15%至25%。
  4. 如請求項2所述的磊晶結構，其中該至少一圖案化層與該至少一連續層中的一者鄰近該第一型半導體層，而該至少一圖案化層與該至少一連續層中的另一者鄰近該第二型半導體層。
  5. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該些幾何圖案中的至少二個具有不同的尺寸。
  6. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該至少一圖案化層更包括多個連接部，而各該連接部位於相鄰兩該些幾何圖案之間，且各該連接部至少連接相鄰兩該些幾何圖案。
  7. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該至少一圖案化層包括多個圖案化層，且各該圖案化層中的該些幾何圖案至少部分彼此分離，而相鄰兩該些圖案化層中的該些幾何圖案呈至少部分錯位排列。
  8. 如請求項7所述的磊晶結構，其中該些圖案化層中的至少二層的該些幾何圖案的分布密度不同。
  9. 如請求項1所述的磊晶結構，更包括： 一緩衝層，配置於該量子井結構的該下表面與該第一型半導體層之間，其中該緩衝層包括至少一結構化層，且該至少一結構化層包括多個幾何結構。
  10. 如請求項1所述的磊晶結構，更包括： 至少一V型缺陷，存在於該量子井結構內。
  11. 如請求項10所述的磊晶結構，其中各該幾何圖案的尺寸與該至少一V型缺陷的尺寸的比值小於等於0.5。
  12. 如請求項10所述的磊晶結構，其中該些幾何圖案的數量大於該至少一V型缺陷的數量。
  13. 如請求項12所述的磊晶結構，其中該至少一V型缺陷的數量與該些幾何圖案的數量的比值小於等於0.1。
  14. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該第一型半導體層具有一表面，該量子井結構的該下表面鄰近該表面，該些幾何圖案於該表面上的正投影面積與該表面的面積的比值大於0.25。
  15. 如請求項1所述的磊晶結構，其中各該幾何圖案具有一高度，而該量子井結構具有一厚度，該高度與該厚度的比值大於等於0.1且小於等於0.5。
  16. 如請求項1所述的磊晶結構，其中以俯視觀之，任兩相鄰的該些幾何圖案之間的最大間距小於等於0.5微米。
  17. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該至少一量子井層包括兩量子井層，且相鄰該兩量子井層之間的一垂直間距介於2.5奈米至50奈米。
  18. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該至少一量子阻障層的一第一厚度大於等於1/2的該圖案化層的一第二厚度。
  19. 如請求項1所述的磊晶結構，其中該第二型半導體層的厚度大於等於10奈米且小於200奈米。
  20. 一種微型發光元件，包括： 一磊晶結構，包括： 一量子井結構，具有彼此相對的一上表面與一下表面，且包括交替堆疊的至少一量子井層與至少一量子阻障層，其中該至少一量子井層中包括至少一圖案化層，且該至少一圖案化層包括多個幾何圖案； 一第一型半導體層，配置於該量子井結構的該下表面上；以及 一第二型半導體層，配置於該量子井結構的該上表面上； 一第一型電極，配置於該磊晶結構上，且與該第一型半導體層電性連接；以及 一第二型電極，配置於該磊晶結構上，且與該第二型半導體層電性連接。
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