TW202307699A - 資料生成方法，帶電粒子束照射裝置及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種高速且正確地進行包含曲線的圖形的像素被覆率計算之資料生成方法，帶電粒子束照射裝置及程式。 按照本發明的一態樣之資料生成方法，係將表現描繪圖樣的形狀的參數曲線並且藉由朝規定方向依序配置的複數個控制點而被定義的該參數曲線，在極值及反曲點的位置分割而生成複數個參數要素，針對各參數要素，從前述複數個控制點抽出一部分的控制點，將抽出的控制點朝前述規定方向依序連結，藉此生成多邊形，計算將帶電粒子束的照射對象以規定尺寸分割出的複數個矩形的劃分區塊區域的各者中由前述多邊形所造成的被覆率，求出前述複數個參數要素與前述複數個劃分區塊區域的四邊之交點，而計算前述描繪圖樣的周緣部的劃分區塊區域的被覆率。

Description

資料生成方法，帶電粒子束照射裝置及電腦可讀取記錄媒體
本發明有關資料生成方法，帶電粒子束照射裝置及電腦可讀取記錄媒體。 [關連申請案]
本申請案以日本專利申請案2021-130792號(申請日：2021年8月10日)為基礎申請案而享受優先權。本申請案藉由參照此基礎申請案而包含基礎申請案的全部的內容。
隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。為了對半導體元件形成期望的電路圖樣，會採用下述手法，即，利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上之高精度的原圖圖樣縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖樣之製作，會使用藉由電子束描繪裝置將阻劑曝光而形成圖樣之所謂的電子束微影技術。
作為電子束描繪裝置，例如已知有利用多射束一口氣照射許多射束，以使產出提升之多射束描繪裝置。該多射束描繪裝置中，例如，從電子槍放出的電子束，通過具有複數個開口之孔徑構件藉此形成多射束，各射束於遮沒板受到遮沒控制。未被遮蔽的射束，藉由光學系統而被縮小，照射至描繪對象的光罩上的期望的位置。
當運用多射束描繪裝置進行電子束描繪的情形下，會對以規定尺寸被劃分區塊的每一像素計算輸入圖形的被覆率，而控制每一射束的照射量。當輸入圖形包含曲線的情形下，藉由近似成多邊形，可相對容易地進行被覆率計算。但，若以高精度進行近似，則近似多邊形的頂點數會增大，而有資料處理需要莫大的時間這一問題。
本發明提供一種高速且正確地進行包含曲線的圖形的像素被覆率計算之資料生成方法，帶電粒子束照射裝置及程式。
按照本發明的一態樣之資料生成方法，係將表現描繪圖樣的形狀的參數曲線並且藉由朝規定方向依序配置的複數個控制點而被定義的該參數曲線，在極值及反曲點的位置分割而生成複數個參數要素，針對各參數要素，從前述複數個控制點抽出一部分的控制點，將抽出的控制點朝前述規定方向依序連結，藉此生成多邊形，計算將帶電粒子束的照射對象以規定尺寸分割出的複數個矩形的劃分區塊區域的各者中由前述多邊形所造成的被覆率，求出前述複數個參數要素與前述複數個劃分區塊區域的四邊之交點，而計算前述描繪圖樣的周緣部的劃分區塊區域的被覆率。
按照本發明的一態樣之資料生成方法，係將表現描繪圖樣的形狀的參數曲線並且藉由朝規定方向依序配置的複數個控制點而被定義的該參數曲線，在極值及反曲點的位置分割而生成複數個參數要素，針對各參數要素，從前述複數個控制點抽出一部分的控制點，將抽出的控制點朝前述規定方向依序連結，藉此生成多邊形，計算將帶電粒子束的照射對象以規定尺寸分割出的複數個矩形的劃分區塊區域的各者中由前述多邊形所造成的被覆率，求出前述複數個參數要素與前述複數個劃分區塊區域的四邊之交點，而計算前述描繪圖樣的周緣部的劃分區塊區域的被覆率。
以下，基於圖面說明本發明之實施形態。實施形態中，說明使用了電子束作為帶電粒子束的一例之構成。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等。
圖1為實施形態之描繪裝置的概略構成圖。如圖1所示，描繪裝置100具備描繪部150及控制部160。描繪裝置100為多帶電粒子束描繪裝置的一例。描繪部150，具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列板203、遮沒孔徑陣列板204、縮小透鏡205、限制孔徑構件206、對物透鏡207及偏向器208。
在描繪室103內配置XY平台105。在XY平台105上，配置描繪對象之基板101。基板101，例如為光罩底板(mask blanks)或半導體基板(矽晶圓)。此外，在XY平台105上配置位置測定用的鏡210。
控制部160，具有控制計算機110、偏向控制電路130，平台位置檢測器139及記憶部140。描繪資料從外部輸入並被存儲於記憶部140。描繪資料中，定義記述形成於基板101上的圖樣的複數個圖形圖樣的資訊。如後述般，包含曲線的圖形圖樣，是以3次B-平滑曲線定義其形狀。
控制計算機110，具有面積密度算出部111、照射時間算出部112、資料處理部113及描繪控制部114。控制計算機110的各部，可以由電子電路等硬體來構成，亦可由執行該些功能的程式等軟體來構成。或者，亦可由硬體與軟體之組合來構成。
平台位置檢測器139，係對鏡210照射雷射並接收其反射光，藉此以雷射干涉法的原理檢測XY平台105的位置。
圖2為示意成形孔徑陣列板203的構成的概念圖。如圖2所示，在成形孔徑陣列板203，沿縱方向(y方向)及橫(x方向)有複數個開口203a以規定的排列間距形成。各開口203a優選是均形成為相同尺寸形狀的矩形或圓形。電子束200的一部分各自通過該些複數個開口203a，藉此形成多射束20a~20e。
在遮沒孔徑陣列板204，配合成形孔徑陣列板203的各開口203a的配置位置而形成有通過孔。在各通過孔配置由成對的2個電極的組所構成之遮沒器。將遮沒器的2個電極當中的例如一方的電極接地而保持接地電位，將另一方的電極切換接地電位或接地電位以外的電位，藉此切換通過通過孔的射束的偏向的開啟/關閉，而做遮沒控制。當遮沒器不將射束偏向的情形下，射束成為開啟。當遮沒器將射束偏向的情形下，射束成為關閉。像這樣，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列板203的複數個開口203a的多射束當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。
從電子槍201(放出部)放出的電子束200，會藉由照明透鏡202而對成形孔徑陣列板203全體做照明。電子束200，將包含所有開口203a之區域做照明。電子束200通過成形孔徑陣列板203的複數個開口203a，藉此形成例如矩形形狀的複數個電子束(多射束)20a~20e。
多射束20a~20e會通過遮沒孔徑陣列板204的各個相對應之遮沒器內。遮沒器分別將個別通過的電子束當中的設為關閉的射束做遮沒偏向。遮沒器不對設為開啟的射束做遮沒偏向。通過了遮沒孔徑陣列板204的多射束20a~20e，會藉由縮小透鏡205而被縮小，朝向形成於限制孔徑構件206之中心開口行進。
此處，被控制成射束關閉狀態的射束藉由遮沒器而受到偏向，而通過會通過限制孔徑構件206的開口之外的軌道，因此藉由限制孔徑構件206而被遮蔽。另一方面，被控制成射束開啟狀態的射束，不藉由遮沒器而受到偏向，故會通過限制孔徑構件206的開口。像這樣藉由遮沒器的偏向的開啟/關閉來進行遮沒控制，控制射束的關閉/開啟。遮沒孔徑陣列板204，具有作為照射時間控制部的機能，以控制多射束的各射束的照射時間。
限制孔徑構件206，使藉由遮沒孔徑陣列板204的遮沒器而被偏向成為射束開啟狀態之射束通過，將藉由遮沒孔徑陣列板204的遮沒器而被偏向成為射束關閉狀態之射束加以遮蔽。然後，藉由從成為射束開啟開始至成為射束關閉為止所形成之通過了限制孔徑構件206的射束，形成1次份的擊發的多射束。
通過了限制孔徑構件206的多射束，藉由對物透鏡207而被合焦，在基板101上成為期望的縮小率的圖樣像。通過了限制孔徑構件206的各射束(多射束全體)，會藉由偏向器208朝同方向被一齊偏向，照射至基板101上的期望的位置。
當XY平台105連續移動的情形下，至少在對基板101照射射束的期間射束的照射位置會受到偏向器208控制，以便追隨XY平台105的移動。一次所照射之多射束，理想上會成為以成形孔徑陣列板203的複數個開口203a的排列間距乘上上述期望之縮小率而得之間距而並排。
接著，沿圖3所示流程圖說明本實施形態之圖樣描繪方法。圖樣面積密度算出工程(步驟S1)中，面積密度算出部111將射束照射對象的基板101的描繪區域假想分割成複數個網目區域。網目區域的尺寸例如為和1道射束同程度的尺寸，各網目區域成為像素(單位照射區域)。面積密度算出部111，從記憶部140讀出描繪資料，運用描繪資料中定義的圖樣，算出各像素(矩形的劃分區塊區域)的圖樣面積密度(被覆率)ρ，而生成定義著各像素的被覆率的像素圖(pixel map)。像素圖的生成方法後述。
照射時間算出工程(步驟S2)中，照射時間算出部112，對圖樣面積密度ρ乘上基準照射量D0，算出對各像素照射的射束的照射量ρD0。照射時間算出部112，亦可更乘上用來修正鄰近效應等的修正係數。照射時間算出部112，將照射量除以構成多射束的複數個射束各者的電流量，算出前述複數個射束各者的照射時間。
照射時間控制資料生成工程(步驟S3)中，資料處理部113將照射時間資料重排成循著描繪序列的擊發順序，生成照射時間控制資料。
資料傳輸工程(步驟S4)中，描繪控制部114將照射時間控制資料輸出給偏向控制電路130。偏向控制電路130，將照射時間控制資料輸出給遮沒孔徑陣列板204的各遮沒器。
描繪工程(步驟S5)中，描繪控制部114控制描繪部150，令其執行對基板101的描繪處理。遮沒孔徑陣列板204的各遮沒器，基於照射時間控制資料切換射束的開啟/關閉，對每一像素賦予期望的曝光量。
圖4為用來說明描繪動作的概念圖。如圖4所示，基板101的描繪區域80，例如朝向y方向(第1方向)以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域82。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束照射所能夠照射之照射區域(射束陣列)84位於第1個條紋區域82的左端，開始描繪。
在描繪第1個條紋區域82時，使XY平台105朝-x方向移動，藉此便相對地朝+x方向逐漸進行描繪。使XY平台105以規定的速度連續移動。第1個條紋區域82的描繪結束後，使平台位置朝-y方向移動，調整以使得射束陣列84位於第2個條紋區域82的右端。接下來，使XY平台105朝+x方向移動，藉此朝向-x方向進行描繪。
在第3個條紋區域82朝+x方向描繪，在第4個條紋區域82朝-x方向描繪。藉由一面交互地改變方向一面描繪，能夠縮短描繪時間。亦可總是朝向同一方向亦即+x方向或-x方向的其中一者而描繪各條紋區域82。
接著，沿圖5所示流程圖說明面積密度算出部111所做的像素圖生成方法。
面積密度算出部111，從記憶部140讀出描繪資料，將以3次B-平滑曲線定義之欲被描繪的圖形圖樣(描繪圖樣)的曲線變換成3次貝茲曲線(步驟S101)。例如，圖6a所示3次B-平滑曲線被變換成圖6b所示3次貝茲曲線。圖6c示意變換式的例子。
3次貝茲曲線中，如圖7a所示，以4個控制點表現曲線。也就是說，圖6b所示例子中，令4個控制點的組接續而成的圖案係圍繞圖形的周圍。4個控制點當中，開始點與結束點這2個控制點位於曲線上。複數個控制點沿圖形的周圍以繞右或繞左的規定方向依序被定義/配置。
面積密度算出部111，將以4個控制點表現的曲線，在極值及反曲點的位置分割成更精細的貝茲曲線(步驟S102)。反曲點，是成為曲率=(dPx/dt)(dPy2/dt2)-(dPy/dt)(dPx2/dt2)=0的點。極值，是成為dPx/dt=0、dPy/dt=0的點。
以下將在極值及反曲點的位置分割出的貝茲曲線稱為貝茲要素。例如，圖7a所示貝茲曲線，包含各1個極大值、極小值及反曲點，因此如圖7b所示，被分割成4個貝茲要素B1~B4。
如圖7c所示，各貝茲要素成為朝X方向及Y方向單調增加或單調減少的曲線要素。
圖8a和圖6b為相同圖，示意在極值及反曲點的位置分割之前的貝茲曲線。圖8b示意分割後的貝茲曲線(貝茲要素)。
接著，針對複數個貝茲要素的各者，從複數個控制點抽出一部分的控制點，將抽出的控制點循著原本的定義順序(沿圖形的周圍繞右或繞左的順序)以直線連結，生成多邊形(以下稱“內部多邊形”)(步驟S103)。本實施形態中，抽出各貝茲要素的開始點及結束點，生成內部多邊形。例如，將圖8b所示各貝茲要素的開始點及結束點循著定義順序連結，藉此生成如圖8c所示般的內部多邊形。
將內部多邊形藉由以往周知的手法分割成三角形(步驟S104)。未必一定要是三角形，亦可以運用梯形分割。
運用將內部多邊形分割出的三角形，算出由內部多邊形所造成的各像素的被覆率(面積密度)，生成第1像素圖(步驟S105)。
基於連結開始點與結束點的線段的斜率、以及開始點及結束點以外的控制點相對於線段的行進方向位於左右哪一邊，而將各貝茲要素分類成圖9a所示8種類的類型(步驟S106)。
將各貝茲要素旋轉/反轉，使其成為圖9b所示基本貝茲要素(步驟S107)。
對每一像素，判定像素的交界線與基本貝茲要素的曲線是否交叉(步驟S108)。如圖10所示，解貝茲曲線與表示像素交界的直線組合而成的3次方程式，求得交點。例如，求得圖11所示般的交點P1、P2。此時，當在像素的左邊L或底邊B有交點的情形下，其餘的交點存在於上邊T或右邊R。當左邊L及底邊B沒有交點的情形下，此像素中不存在交點。每1個像素，交點最多有2點。考量此一事實，可效率良好地進行交叉判定。
交叉判定亦可如圖12所示，將曲線上的t=0至t=1為止以Δt區隔，在各位置算出曲線上的座標，對於欲求出交點的像素交界的座標值，基於在Δt以內而超過的點t i、及前1個的點t i-1之值，藉由線性內插計算而算出。此時，內插計算是基於各者的座標值而針對t進行。這裡，每一Δt的座標計算亦可使用GPU等的執行緒而平行地進行。
當像素的交界線與貝茲要素的曲線交叉的情形下，如圖13所示，將像素內分成三角形部(A1，A3)及曲線扇部(A2)，計算各自的面積。曲線扇部的面積是藉由線積分求得，其將與像素之交點訂為範圍。
將三角形部與曲線扇部的各者的面積相加，計算像素的被覆率，生成第2像素圖(步驟S109)。這裡算出的被覆率，為在圖形(描繪圖樣)的周緣部(外周部)的像素的被覆率。另，當貝茲要素相對於內部多邊形的線位於內側的情形下，將算出的被覆率乘上-1。
對第2像素圖進行和步驟S107中進行的旋轉/反轉的相反操作，再與步驟S105中生成的第1像素圖相加，生成第3像素圖(步驟S110)。照射時間算出部112算出對各像素照射的射束照射量時會使用此第3像素圖。
像這樣，按照本實施形態，將貝茲曲線在極值及反曲點分割成精細的貝茲曲線(貝茲要素)，因此將各像素與貝茲要素之交點設為最多2點，交點計算及被覆率計算變得容易，能夠高速且正確地進行像素被覆率計算。
當不利用按照上述實施形態的手法的情形下，貝茲曲線(參數曲線)依曲線的次數不同，可能有和劃分區塊區域(像素)的1邊交叉複數次、或和3邊以上交叉的情形，需要考量各式各樣的交叉的方式而求出被覆率，造成處理量增加。另一方面，若如上述實施形態般將參數曲線在極值及反曲點分割，則分割後的曲線要素會成為朝一方向單調地增加或減少的形狀。因此，當曲線要素和劃分區塊區域的交界的4邊(右邊、上邊、左邊、下邊)相交的情形下，交叉次數成為2次，且和相異的邊交叉。因此，曲線要素與劃分區塊區域的交界之交叉方法被單純化，被覆率計算變得容易，能夠削減處理量。此外，比起以往的多邊形近似所做的被覆率計算，應處理的要素數少，並且不需近似，因此能夠高速且正確地進行被覆率計算。
藉由貝茲曲線的分割而生成的複數個貝茲要素，能夠使用作為平行處理的單位。例如，能夠有效地使用GPU中的平行演算，可達成高速處理。
上述實施形態中，說明了變換成3次貝茲曲線的例子，但次數不限定於3。
上述實施形態中，說明了輸入圖形以B-平滑表現的例子，但只要能夠變換成貝茲曲線，亦可將以其他參數曲線表現的圖形訂為輸入資料。
亦可以貝茲曲線以外的其他參數曲線進行上述的處理。將參數曲線在極值及反曲點的位置分割而生成複數個參數要素。將各參數要素中包含的複數個控制點當中的至少1個依序以線連結而生成內部多邊形。求出複數個參數要素與像素交界的交點而計算在圖形的周緣部的像素被覆率，依其以及由內部多邊形所造成的像素被覆率來求得各像素的被覆率。
上述實施形態中，說明了對基板描繪圖樣的描繪裝置，但亦可適用於檢查裝置等的對對象物照射射束的其他照射裝置。此外，上述實施形態中，說明了運用多射束一次照射多數個射束的多射束照射裝置，但針對對照射對象基板照射1道射束的單射束照射裝置亦適用同樣的手法。
控制計算機110的至少一部分可藉由硬體來構成，亦可藉由軟體來構成。當藉由軟體構成的情形下，亦可將實現控制計算機110的至少一部分功能之程式存放於軟碟或CD-ROM等記錄媒體，並令電腦讀入以執行。記錄媒體，不限定於磁碟或光碟等可裝卸者，亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄媒體。
此外，亦可將實現控制計算機110的至少一部分功能之程式，透過網際網路等通訊線路(亦包含無線通訊)來發佈。又，亦可將同程式加密、或施以調變、或在壓縮的狀態下透過網際網路等有線線路或無線線路，或是存放於記錄媒體來發佈。
另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由上述實施形態中揭示的複數個構成要素的適宜組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
100:描繪裝置 110:控制計算機 111:面積密度算出部 112:照射時間算出部 113:資料處理部 114:描繪控制部
[圖1]為本發明的實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。 [圖2]為成形孔徑陣列板的平面圖。 [圖3]為說明描繪方法的流程圖。 [圖4]為說明描繪動作的圖。 [圖5]為說明像素圖生成方法的流程圖。 [圖6a]為示意B-平滑曲線的例子的圖，[圖6b]為示意貝茲曲線的例子的圖，[圖6c]為示意變換式的圖。 [圖7a]為示意貝茲曲線的例子的圖，[圖7b]為示意貝茲曲線的分割例的圖，[圖7c]為示意貝茲要素的例子的圖。 [圖8a]為示意貝茲曲線的例子的圖，[圖8b]為示意貝茲曲線的分割例的圖，[圖8c]為示意內部多邊形的例子的圖。 [圖9a]為示意貝茲要素的分類例的圖，[圖9b]為示意貝茲基本要素的例子的圖。 [圖10]為說明交點算出方法的數式。 [圖11]為示意交點的例子的圖。 [圖12]為說明交點算出方法的圖。 [圖13]為示意像素被覆率的算出例的圖。
20a~20e:多射束
100:描繪裝置
101:基板
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:XY平台
110:控制計算機
111:面積密度算出部
112:照射時間算出部
113:資料處理部
114:描繪控制部
130:偏向控制電路
139:平台位置檢測器
140:記憶部(描繪資料)
150:描繪部
160:控制部
200:電子束
201:電子槍
202:照明透鏡
203:成形孔徑陣列板
204:遮沒孔徑陣列板
205:縮小透鏡
206:限制孔徑構件
207:對物透鏡
208:偏向器
210:鏡

Claims (12)

  1. 一種資料生成方法，係 將表現描繪圖樣的形狀的參數曲線並且藉由朝規定方向依序配置的複數個控制點而被定義的該參數曲線，在極值及反曲點的位置分割而生成複數個參數要素， 針對各參數要素，從前述複數個控制點抽出一部分的控制點，將抽出的控制點朝前述規定方向依序連結，藉此生成多邊形， 計算將帶電粒子束的照射對象以規定尺寸分割出的複數個矩形的劃分區塊區域的各者中由前述多邊形所造成的被覆率， 求出前述複數個參數要素與前述複數個劃分區塊區域的四邊之交點，而計算前述描繪圖樣的周緣部的劃分區塊區域的被覆率。
  2. 如請求項1記載之資料生成方法，其中，前述參數曲線為貝茲曲線。
  3. 如請求項2記載之資料生成方法，其中，將前述貝茲曲線在極值及反曲點的位置分割而生成複數個貝茲要素， 從前述複數個貝茲要素的各者中包含的複數個控制點，抽出開始點及結束點，將抽出的前述開始點及結束點朝前述規定方向依序以直線連結而生成前述多邊形。
  4. 如請求項1記載之資料生成方法，其中，運用前述參數要素與前述劃分區塊區域的四邊之交點，將前述劃分區塊區域內分成三角形部及曲線扇部，將前述三角形部的面積與前述曲線扇部的面積相加，計算此劃分區塊區域的被覆率。
  5. 一種電腦可讀取記錄媒體，係存儲程式，該程式令電腦執行： 將表現描繪圖樣的形狀的參數曲線並且藉由朝規定方向依序配置的複數個控制點而被定義的該參數曲線，在極值及反曲點的位置分割而生成複數個參數要素之步驟； 針對各參數要素，從前述複數個控制點抽出一部分的控制點，將抽出的控制點朝前述規定方向依序連結，藉此生成多邊形之步驟； 計算將帶電粒子束的照射對象以規定尺寸分割出的複數個矩形的劃分區塊區域的各者中由前述多邊形所造成的被覆率之步驟； 求出前述複數個參數要素與前述複數個劃分區塊區域的四邊之交點，而計算前述描繪圖樣的周緣部的劃分區塊區域的被覆率之步驟。
  6. 如請求項5記載之電腦可讀取記錄媒體，其中，前述參數曲線為貝茲曲線。
  7. 如請求項6記載之電腦可讀取記錄媒體，其中，前述程式，令電腦執行： 將前述貝茲曲線在極值及反曲點的位置分割而生成複數個貝茲要素之處理； 從前述複數個貝茲要素的各者中包含的複數個控制點，抽出開始點及結束點，將抽出的前述開始點及結束點朝前述規定方向依序以直線連結而生成前述多邊形之處理。
  8. 如請求項5記載之電腦可讀取記錄媒體，其中，前述程式，令電腦執行：運用前述參數要素與前述劃分區塊區域的四邊之交點，將前述劃分區塊區域內分成三角形部及曲線扇部，將前述三角形部的面積與前述曲線扇部的面積相加，計算此劃分區塊區域的被覆率。
  9. 一種帶電粒子束照射裝置，具備： 照射部，對對象物上照射帶電粒子束； 控制部，將表現描繪圖樣的形狀的參數曲線並且藉由朝規定方向依序配置的複數個控制點而被定義的該參數曲線，在極值及反曲點的位置分割而生成複數個參數要素，針對各參數要素，從前述複數個控制點抽出一部分的控制點，將抽出的控制點朝前述規定方向依序連結，藉此生成多邊形，計算將前述帶電粒子束的照射對象以規定尺寸分割出的複數個矩形的劃分區塊區域的各者中由前述多邊形所造成的被覆率，求出前述複數個參數要素與前述複數個劃分區塊區域的四邊之交點，而計算前述描繪圖樣的周緣部的劃分區塊區域的被覆率，基於前述被覆率算出各劃分區塊區域的照射量，控制前述照射部使得成為算出的照射量。
  10. 如請求項9記載之帶電粒子束照射裝置，其中，前述參數曲線為貝茲曲線。
  11. 如請求項10記載之帶電粒子束照射裝置，其中，前述控制部， 將前述貝茲曲線在極值及反曲點的位置分割而生成複數個貝茲要素， 從前述複數個貝茲要素的各者中包含的複數個控制點，抽出開始點及結束點，將抽出的前述開始點及結束點朝前述規定方向依序以直線連結而生成前述多邊形。
  12. 如請求項9記載之帶電粒子束照射裝置，其中，前述控制部，運用前述參數要素與前述劃分區塊區域的四邊之交點，將前述劃分區塊區域內分成三角形部及曲線扇部，將前述三角形部的面積與前述曲線扇部的面積相加，計算此劃分區塊區域的被覆率。
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