TW202307383A - 基於超臨界流體的乾燥裝置及方法 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種基於超臨界流體的乾燥裝置，包括：上罩；底座，設置於上罩下方，且適於與上罩沿豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密201:密封圈閉腔室；基板托盤，設置於底座上，用於承載基板；第一流體供應管，設置於上罩頂壁，用於向密閉腔室內部供應超臨界流體，使得密閉腔室由大氣壓狀態達到超臨界狀態；擾流板，設置在第一流體供應管下方；第二流體供應管，設置於上罩的第一側壁，用於向密閉腔室內部供應超臨界流體；流體排出管，設置於上罩的第二側壁。採用本發明能夠將密閉腔室內部空間達到最小化，節省了超臨界流體的用量，降低使用成本。

Description

基於超臨界流體的乾燥裝置及方法

本發明關於半導體器件製造技術領域，具體關於一種基於超臨界流體的乾燥裝置及方法。

在積體電路製造過程中，晶圓等基板的濕法工藝是影響產品良率的重要工藝過程。目前的濕法工藝，一般將進行濕法刻蝕或清洗的晶圓固定於晶圓卡盤上，並使得晶圓在晶圓卡盤的帶動下旋轉，通過噴布濕法藥液對晶圓表面進行工藝處理。在進行濕法刻蝕或清洗工藝結束後，需要對基板進行乾燥處理。

目前，傳統的乾燥工藝大多採用氮氣或者異丙醇（IPA）對基板進行乾燥處理。然而，在基板的乾燥處理過程中，採用氮氣對基板進行乾燥處理，很容易將基板上的精細圖案結構吹倒，導致基板損壞。而且採用氮氣和IPA對基板進行乾燥處理，附著在基板表面的IPA在蒸發的過程中由於其表面張力，易造成基板上的精細圖案結構由於IPA的表面張力而塌陷，進而導致基板被損壞。

為了避免基板在乾燥過程中被損壞，採用了基於表面張力為零的超臨界流體的乾燥工藝，將IPA覆蓋在基板表面，通過超臨界流體對基板表面的IPA進行置換，使得基板表面被超臨界流體覆蓋。繼而，表面張力為零的超臨界流體揮發，不會導致基板上精細圖案塌陷，從而避免了基板被損壞。

中國專利申請號200710108454.0於2007年6月14日公開一種乾燥裝置，是採用基板從上方進入腔室後形成密閉腔室且從密閉腔室的側邊將超臨界流體注入密閉腔室中，使得基板所處環境達到超臨界狀態，在超臨界狀態下對基板進行乾燥處理。另一中國專利申請號201711066490.5於2017年11月2日公開一種乾燥裝置採用基板從側邊進入腔室後形成密閉腔室且從密閉腔室的底部和另一側邊將超臨界流體注入密閉腔室，對基板進行乾燥處理。

然而，上述兩種乾燥裝置從上方或側方將基板裝入密閉腔室存在著工藝效率低、密閉腔室內部空間大導致超臨界流體使用量大等問題。

因此，有必要提出一種新的基於超臨界流體的乾燥裝置及方法，來解決上述問題。

鑒於以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在於提供一種基於超臨界流體的乾燥裝置及方法，用於解決現有技術中超臨界流體的乾燥處理工藝中傳統乾燥裝置工藝效率低、密閉腔室內部空間大導致超臨界流體使用量大的問題。

為達到上述目的及其它相關目的，本發明提供了一種基於超臨界流體的乾燥裝置，包括： 上罩； 底座，設置於上罩下方，且適於與上罩沿豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密閉腔室； 基板托盤，設置於底座上，用於承載基板； 第一流體供應管，設置於上罩頂壁，用於向密閉腔室內部供應超臨界流體，使得密閉腔室由大氣壓狀態達到超臨界狀態； 擾流板，設置於第一流體供應管下方； 第二流體供應管，設置於上罩的第一側壁，用於向超臨界狀態的密閉腔室內部供應超臨界流體，以對密閉腔室內部的基板進行乾燥處理； 流體排出管，設置於上罩的第二側壁。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，擾流板與基板之間的間隙小於設定值。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，設定值為0~10mm。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，上罩的第一側壁上均勻水平分佈有多個第一通孔，且多個第一通孔與第二流體供應管連通，用於超臨界流體通過多個第一通孔均勻進入密閉腔室內部。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，上罩的第一側壁上還設置有第一空腔，且第一空腔底面與基板的上表面平行，用於從第一通孔通入的超臨界流體通過第一空腔後均勻分佈於基板的上表面。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，第一通孔為圓錐孔。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，上罩的第二側壁上均勻水平分佈有多個第二通孔，且多個第二通孔與流體排出管連通。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，上罩的第二側壁上還設置有第二空腔，且第二空腔底面與基板的上表面平行。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，第二通孔為圓錐孔。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，第二流體供應管的管道直徑大於第一流體供應管的管道直徑。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，上罩固定不動，底座適於沿豎直方向向上運動，以閉合成密閉腔室。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，底座固定不動，上罩適於沿豎直方向向下運動，以閉合成密閉腔室。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，上罩上設置有鎖扣，用於上罩與底座相對運動閉合成密閉腔室時，卡住底座，以鎖住密閉腔室。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，上罩的外觀形狀為方形罩，底座為方形板，密閉腔室的中空部分為圓形腔室。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，超臨界流體為超臨界二氧化碳。

上述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，底座與基板托盤一體成型。

本發明還提供了一種基於超臨界流體的乾燥方法，，包括以下步驟： 步驟S1：將待乾燥的基板放置於基板托盤上，使底座與上罩在豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密閉腔室； 步驟S2：通過第一流體供應管從密閉腔室的上方供應超臨界流體，且流體繞過第一流體供應管下方的擾流板後從基板的側面到達基板的上表面，使得密閉腔室達到超臨界狀態後，停止從密閉腔室上方供應超臨界流體； 步驟S3：通過第二流體供應管從密閉腔室的第一側供應超臨界流體，對基板進行乾燥處理； 步驟S4：乾燥處理完成後，關閉第二流體供應管，降低密閉腔室的內部壓力，並將超臨界流體變為氣體通過流體排出管從密閉腔室的第二側排出密閉腔室； 步驟S5：待密閉腔室的內部壓力達到大氣壓狀態時，將密閉腔室打開並取出基板。

上述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，在步驟S5中取出基板之前，對步驟S2至S4進行多次循環操作。

上述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，第二流體供應管從密閉腔室第一側供應超臨界流體的流速角度與基板的上表面平行。

上述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，流體排出管排出的超臨界流體的流速角度與基板的上表面平行。

上述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，第二流體供應管供應超臨界流體的流量大於第一流體供應管供應超臨界流體的流量。

本發明還提供了一種清洗乾燥設備，包括： 基板裝載埠，用於放置基板； 緩存裝置； 前端機械手，用於在基板裝載埠和緩存裝置之間傳送基板； 清洗腔室，用於對基板進行清洗處理； 基於超臨界流體的乾燥裝置，用於對清洗後的基板進行乾燥處理；該乾燥裝置包括： 上罩； 底座，設置於上罩下方，且適於與上罩沿豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密閉腔室； 基板托盤，設置於底座上，用於承載基板； 第一流體供應管，設置於上罩頂壁，用於向密閉腔室內部供應超臨界流體，使得密閉腔室由大氣壓狀態達到超臨界狀態； 擾流板，設置於第一流體供應管下方； 第二流體供應管，設置於上罩的第一側壁，用於向超臨界狀態的密閉腔室內部供應超臨界流體，對密閉腔室內部的基板進行乾燥處理； 流體排出管，設置於上罩的第二側壁； 工藝機械手，用於在緩存裝置、清洗腔室和乾燥裝置之間傳送基板。

上述的清洗乾燥設備，其中，乾燥裝置為多個，對稱排列在工藝機械手的兩側；清洗腔室為多個，設置於乾燥裝置上方或下方，且與乾燥裝置一一對應。

上述的清洗乾燥設備，其中，乾燥裝置的個數為六個，且工藝機械手兩側各設置有三個乾燥裝置；清洗腔室為六個，與乾燥裝置一一對應。

上述的清洗乾燥設備，其中，乾燥裝置排列在工藝機械手的第一側；清洗腔室排列在工藝機械手的第二側；乾燥裝置與清洗腔室一一對應。

上述的清洗乾燥設備，其中，清洗腔室用於單片清洗或者槽式清洗。

上述的清洗乾燥設備，其中，清洗腔室包括如下的一個或多個用於槽式清洗的結構：化學液清洗槽、快速去離子水沖洗槽、IPA槽和翻轉IPA潤濕機構。

上述的清洗乾燥設備，其中，乾燥裝置為多個，在工藝機械手的第一側沿豎直方向上分佈為多層；清洗腔室為多個，在工藝機械手的第二側沿豎直方向上分佈為多層。

上述的清洗乾燥設備，其中，乾燥裝置為六個，且六個乾燥裝置在工藝機械手的第一側沿豎直方向上分佈為兩層；清洗腔室為六個，且六個清洗腔室在工藝機械手的第二側沿豎直方向上分佈為兩層。

本發明還提供了一種清洗乾燥設備，包括： 基板裝載埠，用於放置基板； 緩存裝置； 前端機械手，用於在基板裝載埠和緩存裝置之間傳送基板； 清洗腔室，用於對基板進行清洗處理； 基於超臨界流體的乾燥裝置，用於對清洗後的基板進行乾燥處理； 工藝機械手，用於在緩存裝置、清洗腔室和乾燥裝置之間傳送基板； 其中，乾燥裝置為多個，對稱排列在工藝機械手的兩側； 清洗腔室為多個，設置於乾燥裝置上方或下方，且與乾燥裝置一一對應。

本發明還提供了一種清洗乾燥設備，包括： 基板裝載埠，用於放置基板； 緩存裝置； 前端機械手，用於在基板裝載埠和緩存裝置之間傳送基板； 清洗腔室，用於對基板進行清洗處理； 基於超臨界流體的乾燥裝置，用於對清洗後的基板進行乾燥處理； 工藝機械手，用於在緩存裝置、清洗腔室和乾燥裝置之間傳送基板； 其中，乾燥裝置排列在工藝機械手的第一側；清洗腔室排列在工藝機械手的第二側；乾燥裝置與清洗腔室一一對應。

上述的清洗乾燥設備，其中，乾燥裝置為多個，在工藝機械手的第一側沿豎直方向上分佈為多層；清洗腔室為多個，在工藝機械手的第二側沿豎直方向上分佈為多層。

上述的清洗乾燥設備，其中，清洗腔室用於單片清洗或者槽式清洗。

上述的清洗乾燥設備，其中，清洗腔室包括如下的一個或多個用於槽式清洗的結構：化學液清洗槽、快速去離子水沖洗槽、IPA槽和翻轉IPA潤濕機構。

如上所述，相對於現有技術，本發明提出的基於超臨界流體的乾燥裝置及方法，具有以下有益效果： 1.本發明提供的基於超臨界流體的乾燥裝置中，通過將基板放置在底座上，使底座和上罩相對運動形成密閉腔室，能夠使得密閉腔室的內部空間達到最小化，節省了超臨界流體的用量，降低使用成本。 2.本發明提供的基於超臨界流體的乾燥裝置中，通過在第一流體供應管和基板之間設置擾流板，避免通過第一流體供應管直接對基板表面噴射超臨界流體而將基板表面的IPA吹落，從而對基板造成損壞。 3.本發明提供的基於超臨界流體的乾燥裝置中，在上罩側壁均勻設置多個第一通孔和第二通孔，分別與第二流體供應管和流體排出管連通，增大了第二流體供應管和流體排出管的流通效率，有效提升了對基板乾燥處理的工藝效率。 4.本發明提供的基於超臨界流體的乾燥裝置中，在上罩側壁設置分別與第一通孔和第二通孔連通的第一空腔和第二空腔，並使得第一空腔和第二空腔與基板的上表面平行，使得第一通孔通入的超臨界流體能夠通過第一空腔均勻地分佈在基板的上表面，乾燥工藝過程中的超臨界流體和乾燥處理後密閉腔室內的流體通過第二空腔和第二通孔快速排出密閉腔室外，提高了超臨界流體乾燥工藝的工藝速率，有效提升了對基板乾燥處理的工藝效率。

以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地瞭解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基於不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。

請參閱圖1A至圖11。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發明的基本構想，雖圖示中僅顯示與本發明中有關的組件而非按照實際實施時的元件數目、形狀及尺寸繪製，其實際實施時各元件的形態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其元件佈局形態也可能更為複雜。

實施例一

請參閱圖1A至圖8B，本實施例一提供了一種基於超臨界流體的乾燥裝置，用於對清洗後的基板 w進行乾燥處理；在本實施例1中，清洗後的基板 w表面覆蓋有一層IPA。

如圖1A至圖4所示，該基於超臨界流體的乾燥裝置包括：上罩1；底座2，設置於上罩1的下方，底座2與上罩1可沿豎直方向相對運動，以閉合成一耐壓的密閉腔室120；基板托盤3，設置於底座2上，用於承載基板 w；當上罩1和底座2閉合成密閉腔室120後，基板 w處於密閉腔室120內部，以對表面覆蓋有IPA的基板 w進行乾燥處理；第一流體供應管4，設置於上罩1的頂壁，用於向密閉腔室120內部供應超臨界流體，乾燥流體的不斷加入使得密閉腔室120內部不斷升壓，直至密閉腔室120升壓至乾燥流體的臨界壓力以上而達到超臨界狀態；擾流板5，設置在第一流體供應管4的下方，且位於第一流體供應管4和基板 w之間，使得從第一流體供應管4進入的超臨界流體繞過擾流板5後從基板 w的側面到達基板 w的上表面，有效地緩衝了超臨界流體的衝力，避免了過大流量的超臨界流體直接噴射到基板 w的上表面而將基板 w表面的IPA吹落；第二流體供應管6，設置於上罩1的第一側壁，用於向超臨界狀態的密閉腔室120內部供應超臨界流體，使得超臨界流體與基板 w表面覆蓋的IPA進行置換，對密閉腔室120內部的基板 w的表面進行乾燥處理；流體排出管7，設置於上罩1的第二側壁。

其中，在第一流體供應管4打開時，隨著超臨界流體的供應，密閉腔室120內部的空氣和流體通過流體排出管7排出密閉腔室120，使得密閉腔室120內部的空氣全部被置換為流體，並不斷增加超臨界流體的供應量，使得密閉腔室120內部的壓力升高至臨界壓力以上，密閉腔室120內部達到超臨界狀態後，關閉第一流體供應管4，停止從密閉腔室120上方供應超臨界流體。

第二流體供應管6打開時，超臨界流體對密閉腔室120內部的基板進行乾燥處理，此時，流體排出管7排出的流體為超臨界流體。

乾燥處理結束後，第二流體供應管6關閉，密閉腔室120內部的流體通過流體排出管7不斷排出，降低了密閉腔室120的內部壓力，使得密閉腔室120內部的超臨界流體變為氣體，通過流體排出管7排出密閉腔室120。

通過將基板 w放置在底座2上，使底座2和上罩1相對運動形成密閉腔室120，能夠使得密閉腔室120的內部空間達到最小化，節省了超臨界流體的用量，降低使用成本。

其中，如圖1A至圖2B所示，通過在第一流體供應管4和基板 w之間設置擾流板5，避免通過第一流體供應管4供應的超臨界流體直接噴射到基板 w的上表面，防止基板表面的IPA被吹落。

擾流板5與基板 w之間的間隙小於設定值；其中，設定值為0~10mm；在本實施例1中，最優選的設定值為2mm，為了使密閉腔室120的內部空間進一步縮小，該設定值可以設置的更小，例如1mm。擾流板5與基板 w之間的間隙越小，密閉腔室120的內部空間則越小，超臨界流體在密閉腔室120內部與基板 w表面上的IPA置換的效率越高，從而有效地提高了基板 w表面乾燥處理的工藝效率的同時，節省了超臨界流體的用量，進而降低了使用成本。

如圖1A和圖1B所示，底座2與上罩1沿豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密閉腔室120；其中，在本實施例1中，上罩1保持固定不動，底座2沿豎直方向向上運動，以閉合成耐壓的密閉腔室120。在一個實施例中，基板托盤3與底座2可以一體成型。

其中，如圖1A、圖1B和圖2A所示，上罩1上設置有鎖扣110，用於上罩1與底座2相對運動閉合成密閉腔室120時，卡住底座2，以鎖住該密閉腔室120，從而增強密閉腔室120耐壓性。在其他實施例中，也可以在底座2上設置鎖扣，以鎖住密閉腔室120。

如圖1A和圖1B所示，在本實施例1中，上罩1的外觀形狀為方形罩，底座2為方形板，密閉腔室120的中空部分為圓形，用於容納基板 w和基板托盤3。將密閉腔室120的中空部分設置為圓形，可以縮小密閉腔室120的內部空間，節省了超臨界流體的用量，降低了使用成本。

如圖1A、圖1B和圖2A所示，第二流體供應管6的管道直徑大於第一流體供應管4的管道直徑，使得第二流體供應管6通入的超臨界流體的流量大於第一流體供應管4通入的超臨界流體的流量。第一流體供應管4供應小流量的超臨界流體，保證了第一流體供應管4緩慢通入超臨界流體時不會將基板表面的IPA吹落。第二流體供應管6供應較大流量的超臨界流體，加快了第二流體供應管6供應超臨界流體的效率，進一步提升了超臨界流體乾燥工藝的速度，提高了超臨界流體對基板 w進行乾燥處理的工藝效率。

如圖2B至圖3所示，上罩1的第一側壁上均勻水平分佈有多個第一通孔101，且第一通孔101與第二流體供應管6連通，超臨界流體通過該多個第一通孔101均勻進入密閉腔室120內部，使得超臨界流體能夠快速均勻地進入密閉腔室120，有效加快了超臨界流體的供應效率，進一步提升了超臨界流體乾燥工藝的速度，提高了基板 w表面乾燥處理的工藝效率。

如圖2B至圖5B所示，上罩1的第一側壁還設置有第一空腔102，第一空腔102與該多個第一通孔101連通。通過多個第一通孔101進入的超臨界流體能夠在第一空腔102內部分散，分散開的超臨界流體能夠更均勻地分佈於基板 w的上表面，避免出現基板 w表面接受超臨界流體不均勻的現象。且如圖5B所示，圖5B為附圖5A中虛線框中的放大示意圖，第一空腔102底面與基板 w的上表面平行，更優選的是第一空腔102底面與基板 w的上表面齊平。這樣，從第一通孔101通入的超臨界流體通過第一空腔102能夠平行作用於基板 w的上表面，節省超臨界流體的用量，避免了超臨界流體的浪費。

在本實施例1中，如圖5B所示，第一通孔101為圓錐孔，且第一通孔101朝向第一空腔102的一端開口較大，用於增大第一通孔101通入的超臨界流體的效率，進一步提高了基板 w表面乾燥處理的工藝速率。

同樣地，如圖2B至圖5B所示，上罩1的第二側壁上均勻水平分佈有多個第二通孔103，且第二通孔103與流體排出管7連通，便於密閉腔室120內的流體能夠通過多個第二通孔103快速地排出密閉腔室120，有效加快了流體的排出速率，進一步提升了超臨界流體乾燥工藝的速度，提高了基板 w表面乾燥處理的工藝效率。

同時，如圖5A所示，上罩1的第二側壁上設置有第二空腔104，且第二空腔104底面與基板 w的上表面平行，更優選的是第二空腔104底面與基板 w的上表面齊平，使密閉腔室120內的流體能夠通過第二空腔104及該多個第二通孔103均勻快速地排出密閉腔室120，加快了超臨界流體乾燥工藝的進程，提高了工藝效率。

在本實施例1中，如圖5B所示，第二通孔103為圓錐孔，且第二通孔103朝向第二空腔104的一端開口較大，用於增大第二通孔103排出的流體的效率，提高了基板 w表面乾燥處理的工藝速率。

在本實施例1中，在上罩1的兩側壁上均勻設置多個第一通孔101和多個第二通孔103，分別與第二流體供應管6和流體排出管7連通，有效增大了第二流體供應管6和流體排出管7的流通效率，使得超臨界流體和處理後的流體分別快速通入和排出密閉腔室120，提高了超臨界流體乾燥工藝的工藝速率，有效提升了基板 w表面乾燥處理的工藝效率。

此外，在本實施例1中，分別設置底面與基板的上表面平行的第一空腔102和第二空腔104，保證了從第一通孔101通入的超臨界流體能夠通過第一空腔102均勻地分佈在基板的上表面，超臨界流體通過第二空腔104從第二通孔103均勻排出，提高了超臨界流體乾燥工藝的工藝速率，有效提升了基板 w表面乾燥處理的工藝效率。

第一空腔102和第二空腔104的厚度（圖中垂直方向尺寸）與擾流板5和基板 w之間的間隙基本一致，當擾流板5和基板 w之間的間隙變小時，可以相應地將第一空腔102和第二空腔104的厚度減小，以縮小密閉腔室120的內部空間，節省超臨界流體的用量，降低使用成本。

如圖1至圖5所示，上罩1與擾流板5之間設置有多個連接件105，用於連接擾流板5和上罩1；在本實施例1中，連接件105有四個，均勻分佈在第一流體供應管4的四周。

如圖6所示，基板托盤3上設置有多個凹槽301，便於多個支撐件9從基板托盤3上取走基板 w或將基板 w裝載在基板托盤3上，凹槽301的個數與支撐件9的個數一一對應。在本實施例中，凹槽301的個數為四個；如圖7B和圖8B所示，支撐件9為四個。

具體地，如圖7A和圖8A所示，四個支撐件9在第一驅動裝置801，例如馬達的作用下托起基板 w，並將基板 w放置於基板托盤3上；如圖7B和圖8B所示，基板 w放置於基板托盤3上後，第二驅動裝置802驅動支撐件9從基板托盤3上的凹槽301處抽離出來。繼而，第三驅動裝置803將底座2沿豎直方向向上頂起，與上罩1閉合成密閉腔室120。而後，將鎖扣110插入底座2下方，使得基板 w處於耐壓密封的密閉腔室120內部，進行後續的乾燥處理。

基板 w乾燥處理結束後，第二驅動裝置802驅動支撐件9插入基板托盤3的凹槽301處使得支撐件9位於基板 w的底部，第一驅動裝置801驅動支撐件9將基板 w托起，從而將基板 w從基板托盤3上取出。在本實施例一中，支撐件9可以為支撐銷或頂針。

如圖7A至圖8B所示，該基於超臨界流體的乾燥裝置還設置有IPA補充機構10，用於基板 w表面覆蓋的IPA無法完全覆蓋基板 w表面時，及時地補充IPA，使得基板 w表面的IPA完全覆蓋基板 w表面，且達到一定厚度。如圖7B和圖8B所示，IPA補充機構10的噴頭1011可旋轉調節，基板 w表面需要補充IPA時，IPA補充機構10的噴頭1011從初始位置旋轉至基板 w上方；IPA補充完畢後，IPA補充機構10的噴頭1011旋轉至初始位置。

如圖1A至圖6所示，底座2上還設置有多個密封圈201，用於底座2與上罩1相對運動閉合成密閉腔室120時，密封住密閉腔室120。

如圖1A、圖1B和圖2所示，該基於超臨界流體的乾燥裝置還包括加熱器11，設置在上罩1的外周，用於對密閉腔室120、第一流體供應管4和第二流體供應管6進行加熱，使得整個密閉腔室120在基板 w乾燥處理時達到臨界溫度以上。

在本實施例1中，超臨界流體為超臨界二氧化碳。

實施例二 請參閱圖1A至圖8B，本實施例二還提供了一種基於超臨界流體的乾燥裝置，與實施例一相比，區別在於： 如圖1A和圖1B所示，底座2與上罩1沿豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密閉腔室120；其中，保持底座2固定不動，上罩1沿豎直方向向下運動，以閉合成耐壓的密閉腔室120。 本實施例的其他設置與實施例一相同，此處不再贅述。

實施例三

請參閱圖1A至圖8B，本實施例三還提供了一種基於超臨界流體的乾燥方法，該基於超臨界流體的乾燥方法是基於上述實施例一或二中的基於超臨界流體的乾燥裝置實現的，該乾燥方法包括以下步驟。

S1：多個支撐件9在第一驅動裝置801的作用下托起待乾燥的基板 w，並將基板 w放置於基板托盤3上。放置好基板 w後，支撐銷9從基板托盤3上的凹槽301處抽離出來。繼而，使底座2與上罩1在豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密閉腔室120，使得基板 w處於密閉腔室120內部。對密閉腔室120、第一流體供應管4和第二流體供應管6進行加熱，使密閉腔室120內部達到臨界溫度以上。

S2：通過第一流體供應管4從密閉腔室120的上方向密閉腔室120內部供應超臨界流體，且流體從密閉腔室120的上方繞過第一流體供應管下方的擾流板5後從基板 w的側面到達基板 w的上表面，超臨界流體的不斷加入使得密閉腔室120內部不斷升壓，直至密閉腔室120升壓至臨界壓力以上而使密閉腔室120達到超臨界狀態，待密閉腔室120達到超臨界狀態後，停止通過第一流體供應管4從密閉腔室120上方供應超臨界流體。

S3：通過第二流體供應管6從密閉腔室120的第一側向超臨界狀態的密閉腔室120內部供應超臨界流體，對基板 w進行乾燥處理。

其中，第二流體供應管6通入的超臨界流體的流量大於第一流體供應管4通入的超臨界流體的流量。

同時，如圖3至圖5B所示，第二流體供應管6依序通過與其連通的多個第一通孔101和第一空腔102，從密閉腔室120的第一側供應超臨界流體，且第一空腔102出口處超臨界流體的流速角度與基板 w的上表面保持平行；超臨界流體依序通過第二空腔104、多個第二通孔103和流體排出管7從密閉腔室120的第二側排出，且第二空腔104排出的超臨界流體的流速角度與基板 w的上表面平行，節省了超臨界流體的用量，避免了超臨界流體的浪費。

S4：乾燥處理完成後，關閉第二流體供應管6，停止從密閉腔室120的第一側供應超臨界流體，並降低密閉腔室120的內部壓力，將超臨界流體變為氣體，通過流體排出管7從密閉腔室120的第二側排出密閉腔室120。

S5：待密閉腔室120的內部壓力達到大氣壓狀態時，使上罩1和底座2在豎直方向相對運動，以打開密閉腔室120，並採用支撐件9從基板托盤3的凹槽301處將基板 w托起，取出基板 w。

其中，在步驟S5中取出基板之前，可以根據工藝需求對步驟S2至S4進行多次循環操作，以對密閉腔室120內的基板 w進行充分地乾燥處理。

如圖4至圖5B所示，超臨界流體變為氣體依序通過第二空腔104、多個第二通孔103和流體排出管7從密閉腔室120的第二側排出，有效提高了流體排出管7的排出速率，提升了基板 w進行乾燥處理的工藝效率。

實施例四

請參閱圖9A和圖9B，本實施例四還提供了一種清洗乾燥設備，該清洗乾燥設備包括：基板裝載埠001，用於放置基板 w；緩存裝置002；前端機械手005，用於在基板裝載埠001和緩存裝置002之間傳送基板 w；清洗腔室003，用於對基板 w進行清洗處理；上述實施例一或實施例二中公開的基於超臨界流體的乾燥裝置004，用於對清洗後的基板 w進行乾燥處理；如圖1A至圖8B所示，該基於超臨界流體的乾燥裝置004包括：上罩1；底座2，設置於上罩1的下方；底座2與上罩1可沿豎直方向相對運動，以閉合成一耐壓的密閉腔室120；基板托盤3，設置於底座2上，用於承載基板 w；當上罩1和底座2閉合成密閉腔室120後，基板 w處於密閉腔室120內部；第一流體供應管4，設置於上罩1的頂壁，用於向密閉腔室120內部供應超臨界流體，超臨界流體的不斷加入使得密閉腔室120內部不斷升壓，直至密閉腔室120升壓至從第一流體供應管4向密閉腔室120內部供應的流體的臨界壓力以上而使流體達到超臨界狀態；擾流板5，設置在第一流體供應管4下方，且位於第一流體供應管4和基板 w之間，使得從第一流體供應管4進入的超臨界流體繞過擾流板5後從基板 w的側面到達基板 w的上表面，有效地緩衝了超臨界流體的衝力，避免了過大流量的超臨界流體直接噴射到基板 w的上表面；第二流體供應管6，設置於上罩1的第一側壁，用於向超臨界狀態的密閉腔室120內部供應超臨界流體，對密閉腔室120內部的基板 w的表面進行乾燥處理；流體排出管7，設置於上罩1的第二側壁；工藝機械手006，用於在緩存裝置002、清洗腔室003和乾燥裝置004之間傳送基板 w。

具體地，前端機械手005從基板裝載埠001取出待清洗的基板 w放置於緩存裝置002中；工藝機械手006將待清洗的基板 w從緩存裝置002中取出，放置於清洗腔室003，對基板 w進行清洗處理；清洗處理結束後，工藝機械手006從清洗腔室003中取出清洗後的基板 w，並放置於上述實施例一或實施例二中的支撐件9上，通過支撐件9將清洗後的基板 w放置於基板托盤3上，對清洗後的基板 w進行乾燥處理；乾燥處理結束後，工藝機械手006從支撐件9上取走乾燥後的基板 w，並放置於緩存裝置002中，再由前端機械手005從緩存裝置002中取出放置於基板裝載埠001。

其中，如圖9A所示，基於超臨界流體的乾燥裝置004為多個，對稱排列在工藝機械手006的兩側；如圖9B所示，清洗腔室003為多個，設置於乾燥裝置004下方，且與乾燥裝置004一一對應。

在本實施例四中，乾燥裝置004為六個，清洗腔室003為六個；如圖9A所示，六個乾燥裝置004沿工藝機械手006對稱設置，使得工藝機械手006兩側各為三個乾燥裝置004，且清洗腔室003與乾燥裝置004一一對應；如圖9B所示，乾燥裝置004設置於與之對應的清洗腔室003上方，且乾燥裝置004上方還設置有多個第一管道系統007，用於向乾燥裝置004內部供應超臨界流體，清洗腔室003下方設置有多個第二管道系統008，用於向清洗腔室003內部供應化學液。

本實施例四提供的清洗乾燥設備，將乾燥裝置004設置於清洗腔室003上方，便於工藝機械手006將清洗後的基板直接向上移動至乾燥裝置004內部，加快了工藝速率的同時，避免了基板表面上的IPA滴流。

實施例五 請參閱圖9A和圖9C，本實施例五還提供了一種清洗乾燥設備，與實施例四相比，區別在於： 如圖9A所示，基於超臨界流體的乾燥裝置004為多個，對稱排列在工藝機械手006的兩側；如圖9C所示，清洗腔室003為多個，設置於乾燥裝置004上方，且與乾燥裝置004一一對應。 在本實施例五中，如圖9C所示，乾燥裝置004為六個，清洗腔室003為六個，且分別對應位於六個乾燥裝置004的上方；如圖9A所示，六個乾燥裝置004沿工藝機械手006對稱設置，使得工藝機械手006兩側各為三個乾燥裝置004，且清洗腔室003與乾燥裝置004一一對應。 在本實施例五中，將乾燥裝置004設置於清洗腔室003下方，便於工藝機械手006將清洗後的基板 w直接向下移動至乾燥裝置004內部。 本實施例的其他設置與實施例四相同，此處不再贅述。

實施例六 請參閱圖10A和圖10B，本實施例六還提供了一種清洗乾燥設備，與實施例四相比，區別在於： 如圖10A所示，乾燥裝置004為多個，排列在工藝機械手006的第一側；清洗腔室003為多個，排列在工藝機械手006的第二側；乾燥裝置004與清洗腔室003一一對應。其中，多個乾燥裝置004在工藝機械手006的第一側沿豎直方向上分佈為多層；多個清洗腔室003在工藝機械手006的第二側沿豎直方向上分佈為多層。在本實施例五中，如圖10A和圖10B所示，第一側乾燥裝置004為六個，且六個乾燥裝置004在工藝機械手006的第一側沿豎直方向上分佈為兩層；每層乾燥裝置004下方還設置有第一管道系統007，用於向乾燥裝置004內部供應超臨界流體。在圖10B未示的第二側，清洗腔室003為六個，且六個清洗腔室003在工藝機械手006的第二側沿豎直方向上分佈為兩層。 本實施例的其他設置與實施例四相同，此處不再贅述。

實施例七 請參閱圖11，本實施例七還提供了一種清洗乾燥設備，與實施例六相比，區別在於： 乾燥裝置004為多個，排列在工藝機械手006的第一側；清洗腔室003為多個，排列在工藝機械手006的第二側。其中，多個乾燥裝置004在工藝機械手006的第一側沿豎直方向上分佈為多層；多個清洗腔室003在工藝機械手006的第二側沿豎直方向上分佈為多層。

其中，清洗腔室003可以進行單片清洗或者槽式清洗；具體地，如圖11所示，清洗腔室003中用於槽式清洗的結構包括以下的一個或多個：化學液清洗槽0031、快速去離子水沖洗槽（DI-QDR）0032、IPA槽0033和翻轉IPA潤濕機構0034。

其中，化學液清洗槽0031中的化學液可以是HF、DHF、SC、SPM、磷酸和SC2中的任意一種或幾種；且根據工藝的需求，化學液清洗槽0031可以包含多個清洗槽，且每個清洗槽可容納不同的化學液。快速去離子水沖洗槽（DI-QDR）0032用於去除基板表面微粒雜質和殘留的化學藥液，使基板表面保持潔淨。IPA槽0033採用異丙醇（IPA）和水共溶的原理，去除清洗工藝結束後的基板表面的水分。翻轉IPA潤濕機構0034用於將基板從IPA槽0033傳遞到乾燥裝置004的過程中保持基板表面被IPA覆蓋。

具體地，前端機械手005從基板裝載埠001取出待清洗的基板 w放置於緩存裝置002中；工藝機械手006將待清洗的基板 w從緩存裝置002中取出，依序放置於磷酸清洗槽0031、快速去離子水沖洗槽（DI-QDR）0032、IPA槽0033和翻轉IPA潤濕機構0034中，對基板 w進行清洗處理；清洗處理結束後，工藝機械手006從清洗腔室003中取出清洗後的基板 w，並放置於乾燥裝置004中，對清洗後的基板 w進行乾燥處理；乾燥處理結束後，工藝機械手006從乾燥裝置004中取出乾燥後的基板 w，並放置於緩存裝置002中，再由前端機械手005從緩存裝置002中取出放置於基板裝載埠001。

在本實施例七中，乾燥裝置004為六個，且六個乾燥裝置004在工藝機械手006的第一側沿豎直方向上分佈為兩層；清洗腔室003為兩個，且兩個清洗腔室003在工藝機械手006的第二側沿豎直方向上分佈為兩層。

本實施例的其他設置與實施例六相同，此處不再贅述。

實施例八 請參閱圖9A和圖9B，本實施例八還提供了一種清洗乾燥設備，該清洗乾燥設備包括：基板裝載埠001，用於放置基板 w；緩存裝置002；前端機械手005，用於在基板裝載埠001和緩存裝置002之間傳送基板 w；清洗腔室003，用於對基板 w進行清洗處理；基於超臨界流體的乾燥裝置004，用於對清洗後的基板 w進行乾燥處理；工藝機械手006，用於在緩存裝置002、清洗腔室003和乾燥裝置004之間傳送基板 w。

具體地，前端機械手005從基板裝載埠001取出待清洗的基板 w放置於緩存裝置002中；工藝機械手006將待清洗的基板 w從緩存裝置002中取出，放置於清洗腔室003，對基板 w進行清洗處理；清洗處理結束後，工藝機械手006從清洗腔室003中取出清洗後的基板 w，並放置於乾燥裝置004中，對清洗後的基板 w進行乾燥處理；乾燥處理結束後，工藝機械手006從乾燥裝置004中取出乾燥後的基板 w，並放置於緩存裝置002中，再由前端機械手005從緩存裝置002中取出放置於基板裝載埠001。

其中，如圖9A所示，基於超臨界流體的乾燥裝置004為多個，對稱排列在工藝機械手006的兩側；如圖9B所示，清洗腔室003為多個，設置於乾燥裝置004下方，且與乾燥裝置004一一對應。

在本實施例八中，乾燥裝置004為六個，清洗腔室003為六個；如圖9A所示，六個乾燥裝置004沿工藝機械手006對稱設置，使得工藝機械手006兩側各為三個乾燥裝置004，且清洗腔室003與乾燥裝置004一一對應；如圖9B所示，乾燥裝置004設置於與之對應的清洗腔室003上方，且乾燥裝置004上方還設置有多個第一管道系統007，用於向乾燥裝置004內部供應超臨界流體，清洗腔室003下方設置有多個第二管道系統008，用於向清洗腔室003內部供應化學液。

本實施例八提供的清洗乾燥設備，將乾燥裝置004設置於清洗腔室003上方，便於工藝機械手006將清洗後的基板直接向上移動至乾燥裝置004內部，加快了工藝速率的同時，避免了基板表面上的IPA滴流。

實施例九 請參閱圖9A和圖9C，本實施例九還提供了一種清洗乾燥設備，與實施例八相比，區別在於： 如圖9A所示，基於超臨界流體的乾燥裝置004為多個，對稱排列在工藝機械手006的兩側；如圖9C所示，清洗腔室003為多個，設置於乾燥裝置004上方，且與乾燥裝置004一一對應。 在本實施例九中，如圖9C所示，乾燥裝置004為六個，清洗腔室003為六個，且分別對應位於六個乾燥裝置004的上方；如圖9A所示，六個乾燥裝置004沿工藝機械手006對稱設置，使得工藝機械手006兩側各為三個乾燥裝置004，且清洗腔室003與乾燥裝置004一一對應。 本實施例的其他設置與實施例八相同，此處不再贅述。

實施例十 請參閱圖10A和圖10B，本實施例十還提供了一種清洗乾燥設備，該清洗乾燥設備包括：基板裝載埠001，用於放置基板 w；緩存裝置002；前端機械手005，用於在基板裝載埠001和緩存裝置002之間傳送基板 w；清洗腔室003，用於對基板 w進行清洗處理；基於超臨界流體的乾燥裝置004，用於對清洗後的基板 w進行乾燥處理；工藝機械手006，用於在緩存裝置002、清洗腔室003和乾燥裝置004之間傳送基板 w。

具體地，前端機械手005從基板裝載埠001取出待清洗的基板 w放置於緩存裝置002中；工藝機械手006將待清洗的基板 w從緩存裝置002中取出，放置於清洗腔室003，對基板 w進行清洗處理；清洗處理結束後，工藝機械手006從清洗腔室003中取出清洗後的基板 w，並放置於乾燥裝置004中，對清洗後的基板 w進行乾燥處理；乾燥處理結束後，工藝機械手006從乾燥裝置004中取出乾燥後的基板 w，並放置於緩存裝置002中，再由前端機械手005從緩存裝置002中取出放置於基板裝載埠001。

如圖10A所示，乾燥裝置004為多個，排列在工藝機械手006的第一側；清洗腔室003為多個，排列在工藝機械手006的第二側；乾燥裝置004與清洗腔室003一一對應。其中，多個乾燥裝置004在工藝機械手006的第一側沿豎直方向上分佈為多層；多個清洗腔室003在工藝機械手006的第二側沿豎直方向上分佈為多層。

在本實施例十中，如圖10A和圖10B所示，乾燥裝置004為六個，且六個乾燥裝置004在工藝機械手006的第一側沿豎直方向上分佈為兩層；每層乾燥裝置004下方還設置有第一管道系統007，用於向乾燥裝置004內部供應超臨界流體；清洗腔室003為六個，且六個清洗腔室003在工藝機械手006的第二側沿豎直方向上分佈為兩層。

實施例十一 請參閱圖11，本實施例十一還提供了一種清洗乾燥設備，與實施例十相比，區別在於： 乾燥裝置004為多個，排列在工藝機械手006的第一側；清洗腔室003為多個，排列在工藝機械手006的第二側。

其中，清洗腔室003可以進行單片清洗或者槽式清洗；具體地，如圖11所示，清洗腔室003中用於槽式清洗的結構包括以下的一個或多個：化學液清洗槽0031、快速去離子水沖洗槽（DI-QDR）0032、IPA槽0033和翻轉IPA潤濕機構0034。

其中，化學液清洗槽0031中的化學液可以是HF、DHF、SC1、SPM、磷酸和SC2中的任意一種或幾種；且根據工藝的需求，化學液清洗槽0031可以包含多個清洗槽，且每個清洗槽可容納不同的化學液。快速去離子水沖洗槽（DI-QDR）0032用於去除基板表面微粒雜質和殘留的化學藥液，使基板表面保持潔淨。IPA槽0033採用異丙醇（IPA）和水共溶的原理，去除清洗工藝結束後的基板表面的水分。翻轉IPA潤濕機構0034用於將基板從IPA槽0033傳遞到乾燥裝置004的過程中保持基板表面被IPA覆蓋。

具體地，前端機械手005從基板裝載埠001取出待清洗的基板 w放置於緩存裝置002中；工藝機械手006將待清洗的基板 w從緩存裝置002中取出，依序放置於磷酸清洗槽0031、快速去離子水沖洗槽（DI-QDR）0032、IPA槽0033和翻轉IPA潤濕機構0034中，對基板 w進行清洗處理；清洗處理結束後，工藝機械手006從清洗腔室003中取出清洗後的基板 w，並放置於乾燥裝置004中，對清洗後的基板 w進行乾燥處理；乾燥處理結束後，工藝機械手006從乾燥裝置004中取出乾燥後的基板 w，並放置於緩存裝置002中，再由前端機械手005從緩存裝置002中取出放置於基板裝載埠001上。

在本實施例十一中，乾燥裝置004為六個，且六個乾燥裝置004在工藝機械手006的第一側沿豎直方向上分佈為兩層；清洗腔室003為兩個，且兩個清洗腔室003在工藝機械手006的第二側沿豎直方向上分佈為兩層。

本實施例的其他設置與實施例十相同，此處不再贅述。

儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。

1:上罩 2:底座 3:基板托盤 4:第一流體供應管 5:擾流板 6:第二流體供應管 7:流體排出管 9:支撐件 10:IPA補充機構 11:加熱器 001:基板裝載埠 002:緩存裝置 003:清洗腔室 004:乾燥裝置 005:前端機械手 006:工藝機械手 007:第一管道系統 008:第二管道系統 101:第一通孔 102:第一空腔 103:第二通孔 104:第二空腔 105:連接件 110:鎖扣 120:密閉腔室 201:密封圈 301:凹槽 801:第一驅動裝置 802:第二驅動裝置 803:第三驅動裝置 0031:化學液清洗槽 0032:快速去離子水沖洗槽 0033:IPA槽 0034:翻轉IPA潤濕機構 1011:噴頭 w:基板

圖1A為本發明實施例一中提供的基於超臨界流體的乾燥裝置的結構示意圖； 圖1B為本發明實施例一中提供的基於超臨界流體的乾燥裝置的另一結構示意圖； 圖2A為本發明實施例一中提供的上罩的結構示意圖； 圖2B為本發明實施例一中提供的上罩的仰視圖； 圖3為本發明實施例一中提供的基於超臨界流體的乾燥裝置的立體結構示意圖； 圖4為本發明實施例一中提供的基於超臨界流體的乾燥裝置的剖視圖； 圖5A為本發明實施例一中提供的基於超臨界流體的乾燥裝置的剖面圖； 圖5B為本發明實施例一中圖5A虛線框處的放大示意圖； 圖6為本發明實施例一中提供的底座和基板托盤的結構示意圖； 圖7A為本發明實施例一中提供的支撐件將基板放置於基板托盤上的示意圖； 圖7B為本發明實施例一中圖7A的俯視圖； 圖8A為本發明實施例一中提供的支撐件將基板放置於基板托盤後抽離的示意圖； 圖8B為本發明實施例一中圖8A的俯視圖； 圖9A為本發明實施例四和實施例八中提供的清洗乾燥設備的俯視圖； 圖9B為本發明實施例四和實施例八中提供的清洗乾燥設備的主視圖； 圖9C為本發明實施例五和實施例九中提供的清洗乾燥設備的主視圖； 圖10A為本發明實施例六和實施例十中提供的清洗乾燥設備的俯視圖； 圖10B為本發明實施例六和實施例十中提供的清洗乾燥設備的主視圖； 圖11為本發明實施例七和實施例十一中提供的清洗乾燥設備的俯視圖。

1:上罩

2:底座

3:基板托盤

4:第一流體供應管

5:擾流板

6:第二流體供應管

7:流體排出管

11:加熱器

105:連接件

110:鎖扣

201:密封圈

w:基板

Claims (34)

1. 一種基於超臨界流體的乾燥裝置，包括： 上罩； 底座，設置於所述上罩下方，且適於與所述上罩沿豎直方向相對運動，以閉合成一耐壓的密閉腔室； 基板托盤，設置於所述底座上，用於承載基板； 第一流體供應管，設置於所述上罩頂壁，用於向所述密閉腔室內部供應超臨界流體，使得所述密閉腔室由大氣壓狀態達到超臨界狀態； 擾流板，設置在所述第一流體供應管下方； 第二流體供應管，設置於所述上罩的第一側壁，用於向超臨界狀態的密閉腔室內部供應超臨界流體，以對所述密閉腔室內部的基板進行乾燥處理； 流體排出管，設置於所述上罩的第二側壁。
2. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述擾流板與所述基板之間的間隙小於設定值。
3. 如請求項2所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述設定值為0~10mm。
4. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述上罩的第一側壁上均勻水平分佈有多個第一通孔，且所述多個第一通孔與所述第二流體供應管連通，用於超臨界流體通過所述多個第一通孔均勻進入所述密閉腔室內部。
5. 如請求項4所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述上罩的第一側壁上還設置有第一空腔，且所述第一空腔底面與所述基板的上表面平行，用於從所述第一通孔通入的超臨界流體通過所述第一空腔後均勻分佈於所述基板的上表面。
6. 如請求項4所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述第一通孔為圓錐孔。
7. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述上罩的第二側壁上均勻水平分佈有多個第二通孔，且所述多個第二通孔與所述流體排出管連通。
8. 如請求項7所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述上罩的第二側壁上還設置有第二空腔，且所述第二空腔底面與所述基板的上表面平行。
9. 如請求項7所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述第二通孔為圓錐孔。
10. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述第二流體供應管的管道直徑大於所述第一流體供應管的管道直徑。
11. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述上罩固定不動，所述底座適於沿豎直方向向上運動，以閉合成所述密閉腔室。
12. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述底座固定不動，所述上罩適於沿豎直方向向下運動，以閉合成所述密閉腔室。
13. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述上罩上設置有鎖扣，用於所述上罩與所述底座相對運動閉合成所述密閉腔室時，卡住所述底座，以鎖住所述密閉腔室。
14. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述上罩的外觀形狀為方形罩，所述底座為方形板，所述密閉腔室的中空部分為圓形。
15. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述超臨界流體為超臨界二氧化碳。
16. 如請求項1所述的基於超臨界流體的乾燥裝置，其中，所述底座與所述基板托盤一體成型。
17. 一種基於超臨界流體的乾燥方法，包括以下步驟： 步驟S1：將待乾燥的基板放置於基板托盤上，使底座與上罩在豎直方向相對運動，以閉合成耐壓的密閉腔室； 步驟S2：通過第一流體供應管從所述密閉腔室的上方供應超臨界流體，且流體繞過第一流體供應管下方的擾流板後從所述基板的側面到達所述基板的上表面，並使得所述密閉腔室達到超臨界狀態後，停止從所述密閉腔室上方供應所述超臨界流體； 步驟S3：通過第二流體供應管從所述密閉腔室的第一側供應所述超臨界流體，對所述基板進行乾燥處理； 步驟S4：乾燥處理完成後，關閉所述第二流體供應管，降低所述密閉腔室的內部壓力，並將所述超臨界流體變為氣體通過流體排出管從所述密閉腔室的第二側排出所述密閉腔室； 步驟S5：待所述密閉腔室的內部壓力達到大氣壓狀態時，將所述密閉腔室打開並取出所述基板。
18. 如請求項17所述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，在所述步驟S5中取出所述基板之前，對所述步驟S2至S4進行多次循環操作。
19. 如請求項17所述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，所述第二流體供應管從所述密閉腔室第一側供應所述超臨界流體的流速角度與所述基板的上表面平行。
20. 如請求項17所述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，所述流體排出管排出的所述超臨界流體的流速角度與所述基板的上表面平行。
21. 如請求項17所述的基於超臨界流體的乾燥方法，其中，所述第二流體供應管供應所述超臨界流體的流量大於第一流體供應管供應超臨界流體的流量。
22. 一種清洗乾燥設備，包括： 基板裝載埠，用於放置基板； 緩存裝置； 前端機械手，用於在所述基板裝載埠和所述緩存裝置之間傳送所述基板； 清洗腔室，用於對所述基板進行清洗處理； 基於超臨界流體的乾燥裝置，用於對清洗後的所述基板進行乾燥處理；該乾燥裝置包括： 上罩； 底座，設置於所述上罩下方，且適於與所述上罩沿豎直方向相對運動，以閉合成一耐壓的密閉腔室； 基板托盤，設置於所述底座上，用於承載所述基板； 第一流體供應管，設置於所述上罩頂壁，用於向所述密閉腔室內部供應超臨界流體，使得所述密閉腔室由大氣壓狀態達到超臨界狀態； 擾流板，設置所述第一流體供應管下方； 第二流體供應管，設置於所述上罩的第一側壁，用於向超臨界狀態的所述密閉腔室內部供應所述超臨界流體，對所述密閉腔室內部的基板進行乾燥處理； 流體排出管，設置於所述上罩的第二側壁； 工藝機械手，用於在所述緩存裝置、所述清洗腔室和所述乾燥裝置之間傳送所述基板。
23. 如請求項22所述的清洗乾燥設備，其中，所述乾燥裝置為多個，對稱排列在所述工藝機械手的兩側；所述清洗腔室為多個，設置於所述乾燥裝置上方或下方，且與所述乾燥裝置一一對應。
24. 如請求項23所述的清洗乾燥設備，其中，所述乾燥裝置的個數為六個，且所述工藝機械手兩側各設置有三個乾燥裝置；所述清洗腔室為六個，與所述乾燥裝置一一對應。
25. 如請求項22所述的清洗乾燥設備，其中，所述乾燥裝置排列在所述工藝機械手的第一側；所述清洗腔室排列在所述工藝機械手的第二側；所述乾燥裝置與所述清洗腔室一一對應。
26. 如請求項25所述的清洗乾燥設備，其中，所述清洗腔室用於單片清洗或者槽式清洗。
27. 如請求項26所述的清洗乾燥設備，其中，所述清洗腔室包括如下的一個或多個用於所述槽式清洗的結構：化學液清洗槽、快速去離子水沖洗槽、IPA槽和翻轉IPA潤濕機構。
28. 如請求項25所述的清洗乾燥設備，其中，所述乾燥裝置為多個，在所述工藝機械手的第一側沿豎直方向上分佈為多層；所述清洗腔室為多個，在所述工藝機械手的第二側沿豎直方向上分佈為多層。
29. 如請求項28所述的清洗乾燥設備，其中，所述乾燥裝置為六個，且六個乾燥裝置在工藝機械手的第一側沿豎直方向上分佈為兩層；所述清洗腔室為六個，且六個清洗腔室在工藝機械手的第二側沿豎直方向上分佈為兩層。
30. 一種清洗乾燥設備，包括： 基板裝載埠，用於放置基板； 緩存裝置； 前端機械手，用於在所述基板裝載埠和所述緩存裝置之間傳送所述基板； 清洗腔室，用於對所述基板進行清洗處理； 基於超臨界流體的乾燥裝置，用於對清洗後的所述基板進行乾燥處理； 工藝機械手，用於在所述緩存裝置、所述清洗腔室和所述乾燥裝置之間傳送基板； 其中，所述乾燥裝置為多個，對稱排列在所述工藝機械手的兩側； 所述清洗腔室為多個，設置於所述乾燥裝置上方或下方，且與所述乾燥裝置一一對應。
31. 一種清洗乾燥設備，包括： 基板裝載埠，用於放置基板； 緩存裝置； 前端機械手，用於在所述基板裝載埠和所述緩存裝置之間傳送所述基板； 清洗腔室，用於對所述基板進行清洗處理； 基於超臨界流體的乾燥裝置，用於對清洗後的所述基板進行乾燥處理； 工藝機械手，用於在所述緩存裝置、所述清洗腔室和所述乾燥裝置之間傳送所述基板； 其中，所述乾燥裝置排列在所述工藝機械手的第一側； 所述清洗腔室排列在所述工藝機械手的第二側； 所述乾燥裝置與所述清洗腔室一一對應。
32. 如請求項31所述的清洗乾燥設備，其中，所述乾燥裝置為多個，在所述工藝機械手的第一側沿豎直方向上分佈為多層；所述清洗腔室為多個，在所述工藝機械手的第二側沿豎直方向上分佈為多層。
33. 如請求項31所述的清洗乾燥設備，其中，所述清洗腔室用於單片清洗或者槽式清洗。
34. 如請求項33所述的清洗乾燥設備，其中，所述清洗腔室包括如下的一個或多個用於所述槽式清洗的結構：化學液清洗槽、快速去離子水沖洗槽、IPA槽和翻轉IPA潤濕機構。

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