TW202302000A - 吸嚐裝置、基材及控制方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供能夠更提升使用者之抽吸體驗的品質的構成。吸嚐裝置具備：交流電力產生部，係產生交流電力；收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；電路部，係具備配置於收容部之外周的電磁感應源，且配置成藉由交流電力產生變動磁場而使所產生的變動磁場侵入承熱器；感測器部，係配置於電路部的近旁，檢測電路部的振動以取得電路部的特性值；及控制部，係指示用以驅動電路部之預定的驅動頻率，根據電路部之驅動之結果所取得的特性值來控制電路部的驅動；且藉由使從承熱器產生的熱傳導至基材的霧氣源，使霧氣源氣化或霧化。

Description

吸嚐裝置、基材及控制方法

本發明係關於吸嚐裝置、基材及控制方法。

電子煙及噴霧器(nebulizer)等產生供使用者吸嚐的物質之吸嚐裝置已廣為普及。舉例來說，吸嚐裝置係使用包含用來產生霧氣(aerosol，亦稱為「氣溶膠」)的霧氣源，及用來使產生的霧氣具有香味成分的香味源等之基材，產生出具有香味成分之霧氣。使用者吸嚐藉由吸嚐裝置所產生的具有香味成分的霧氣，就可品嚐到香味。以下將使用者吸嚐霧氣的動作也稱為抽吸(puff)或抽吸動作。

從前，使用加熱用葉片(blade)等外部熱源的方式之吸嚐裝置為主流，再者，近年來，感應加熱式的吸嚐裝置正受到注目(專利文獻1、2)。感應加熱式的吸嚐裝置係以預定的驅動頻率使共振電路驅動，將承熱器(susceptor)感應加熱。然後，發熱後的承熱器將霧氣源氣化或霧化而產生霧氣。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特表2020-512662號公報

專利文獻2：日本特表2020-516014號公報

於感應加熱式的吸嚐裝置中，例如因使用者重複使用而使電路元件隨時間經過劣化，所以會有在電路元件的動作產生誤差的情形。由於此種的誤差可能會影響到與吸嚐裝置有關的各種控制動作，所以也會影響到使用者的抽吸體驗的品質。

本發明揭示係鑒於此種問題而完成的發明。亦即，本發明揭示的目的在於提供一種能夠更正確地執行與吸嚐裝置有關的各種控制動作，而且更提升使用者之抽吸體驗的品質的構成。

為了解決上述課題，依據本發明揭示之第一觀點提供一種吸嚐裝置，其具備：交流電力產生部，係產生交流電力；收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源，且配置成藉由前述交流電力產生變動磁場而使前述所產生的變動磁場侵入承熱器；感測器部，係配置於前述電路部的近旁，檢測前述電路部的振動以取得前述電路部的特性值；及控制部，係指示用以驅動前述電路部之預定的驅動頻率，根據前述電路部之驅動之結果所取得的前述特性值來控制前述電路部的驅動；且藉由使從前述承熱器產生的熱傳 導至前述基材的霧氣源，使前述霧氣源氣化或霧化。

也可建構成：由前述控制部依據相對於預定的基準值之偏差，控制前述電路部的驅動，其中前述預定的基準值為關於前述所取得的特性值的基準值。

前述控制部也可建構成進行下列二者之一方或雙方：

前述偏差的量比預定的第一閾值小時，修正前述預定的驅動頻率；以及

前述偏差的量大於或等於前述第一閾值時，不驅動前述電路部。

也可為：前述控制部更建構成執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制，且於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制的期間取得前述特性值。

也可為：前述控制部更建構成執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制，且於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制之前取得前述特性值。

也可為：前述感測器部更建構成檢測該吸嚐裝置的按鈕已被按下的情形，且檢測出前述按鈕的按下時，因應於此而取得前述特性值。

也可為：前述感測器部更建構成檢測前述基材已收容於前述收容部的情形，且檢測出前述基材已收容於前述收容部時，因應於此而取得前述特性值。

也可為：更於根據前述加熱曲線進行的加熱控制結束後取得前述特性值，且前述控制部更建構成根據執行前述加熱控制之前所取得的前述特性值、與執行前述加熱控制之後所取得的前述特性值的差分值，來 控制前述電路部的驅動。

前述控制部也可建構成進行下列二者之一方或雙方：

前述差分值比預定的第二閾值小時，修正前述預定的驅動頻率；以及

前述差分值大於或等於前述第二閾值時，不驅動前述電路部。

也可為：前述電路部包含RLC電路，前述特性值為前述RLC電路藉由前述驅動頻率而被驅動時的電容器的振動所伴隨的振動頻率。

也可為：前述承熱器在前述基材的內部配置成熱性地接近前述霧氣源。

也可為：前述承熱器形成前述收容部的一部分，且配置成藉由至少部分地接觸已收容於前述內部空間之前述基材的表面而熱性地接近前述霧氣源。

也可為：前述承熱器以不鏽鋼形成筒狀。

再者，為了解決上述課題，依據本發明揭示之第二觀點提供一種基材，其係使用於前述的吸嚐裝置，且收容於前述吸嚐裝置。

再者，為了解決上述課題，依據本發明揭示之第三觀點提供一種控制吸嚐裝置之動作的控制方法。其中，前述吸嚐裝置係具備：收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；及電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源；該方法係包含：指示預定的驅動頻率而使前述電路部驅動的步驟，此步驟包含產生交流電力而將交流電力供給至前述電路部、及以使變動磁場侵入承熱器的方式，藉由前述交流電力而使前述電磁感應源產生前述變動磁場；檢測出因前述電路部的驅動而導致的前述電路部的振動，以取得前述電路部的特性值的步驟；及根據前述所取 得的特性值來控制前述電路部的驅動的步驟；且藉由使從前述承熱器產生的熱傳導至前述基材的霧氣源，使前述霧氣源氣化或霧化。

控制前述電路部的驅動的步驟也可包含：在相對於預定的基準值之偏差的量比預定的第一閾值小時，將前述預定的驅動頻率修正成第一頻率，其中前述預定的基準值為關於前述所取得的特性值的基準值。

前述控制的步驟也可更包含：以前述第一頻率在預定的時間中驅動前述電路部、於經過前述預定的時間後估算前述承熱器的第一溫度、判定前述第一溫度是否在預定的容許範圍內、及前述第一溫度在預定的容許範圍內時，通知能夠執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制。

前述控制的步驟也可更包含：前述第一溫度不在前述預定的容許範圍內時，更將前述預定的驅動頻率從前述第一頻率修正成第二頻率、以前述第二頻率在預定的時間中驅動前述電路部、於經過前述預定的時間後估算前述承熱器的第二溫度、判定前述第二溫度是否在預定的容許範圍內、及前述第二溫度在預定的容許範圍內時，通知能夠執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制動作。

前述控制的步驟也可更包含：前述第二溫度不在前述預定的容許範圍內時，不驅動前述電路部。

前述控制的步驟也可包含：前述偏差的量大於或等於前述第一閾值時，不驅動前述電路部。

如以上說明，依據本發明揭示，可提供能夠更提升使用者之抽吸體驗的品質的構成。

100:吸嚐裝置

111:電源部

112:感測器部

113:通知部

114:記憶部

115:通訊部

116:控制部

116a:供電指示部

116b:取得部

116c:電路控制部

116d:加熱控制部

116e:通知指示部

140:保持部

141:內部空間

142:開口

143:底部

150:棒條型基材

151:基材部

152:吸口部

161:承熱器

162:電磁感應源

163:反向器電路

164:開關

168:RLC電路

169:驅動電路

I_DC:電流值

V_DC:電壓值

R_A:電阻值

R_C:電阻值

R_S:電阻值

圖1係示意性地顯示本實施型態之吸嚐裝置之構成例的示意圖。

圖2係顯示與圖1的吸嚐裝置所為之感應加熱有關的構成的方塊圖。

圖3係顯示與圖1的吸嚐裝置所為之感應加熱有關的電路之等效電路的圖。

圖4係顯示圖1的控制裝置具備的控制部之構成例的方塊圖。

圖5係顯示本實施型態之控制方法之處理的流程之一例的流程圖。

圖6係顯示圖5所示的處理之一部分的詳細內容之一例的流程圖。

圖7係顯示本實施型態之控制方法之處理的流程之另一例的流程圖。

圖8係顯示本實施型態之控制方法之處理的流程之另一例的流程圖。

圖9係顯示圖8所示的處理之一部分的詳細內容之一例的流程圖。

圖10係顯示本實施型態之控制方法之處理的流程之另一例的流程圖。

以下一邊參照所附圖式一邊說明本發明揭示之實施型態之吸嚐裝置、基材及控制方法。此外，在所附圖式中，會有對於相同或類似的元件標以相同或類似的參照符號，而於各實施型態中省略關於相同或類似的元件之重複之說明的情形。再者，某實施型態中所示的特徵，只要是 不相互矛盾就也能夠應用於其他的實施型態。此外，圖式係示意圖，不一定與實際的尺寸或比例等一致。圖式相互之間也會有包含相互尺寸的關係或比例不同的部分的情形。

<1.吸嚐裝置的構成例>

本構成例的吸嚐裝置係透過將承熱器感應加熱(IH(Induction Heating))而將包含霧氣源的基材加熱，以藉此產生霧氣的霧氣產生裝置的一例。本構成例的吸嚐裝置係使用公知的共振電路來構成。於吸嚐裝置中，通常，共振電路係藉由固定的共振頻率(亦即驅動頻率)而被驅動。

使用共振電路而構成的吸嚐裝置會有相對於對共振電路所指示的驅動頻率而在實際的驅動頻率產生誤差的情形。此情形已知其主要的原因為過度使用或隨時間經過劣化所伴隨的與線圈及電容器有關的電抗(reactance)的變化等。驅動頻率的誤差會有影響到與吸嚐裝置有關的各種控制動作(例如根據加熱曲線(profile)進行的加熱動作)的情形。另一方面，為了嚴密地評估驅動頻率的誤差，必須將吸嚐裝置搭載於專用的機材，就技術上及費用上來說並不現實。

因此，本構成例的吸嚐裝置著眼於用於將承熱器感應加熱之共振電路之構成元件(亦即電容器)的動作。換言之，透過本構成例的吸嚐裝置，能夠適切地掌握共振電路的狀態，藉此能夠對於驅動頻率的誤差所伴隨的控制動作的影響進行處置。再者，本構成例的吸嚐裝置還能夠依據共振電路的狀態進行控制，以適切地調整共振電路的動作。

藉由以上的構成，能夠限制吸嚐裝置的使用、及/或修正驅動頻率而以更適當的條件驅動RLC電路。亦即，能夠更適切地控制感應加 熱式的吸嚐裝置的動作。

以下一邊參照圖1一邊說明本構成例。圖1係示意性地顯示吸嚐裝置的構成例之示意圖。如圖1所示，本構成例之吸嚐裝置100係包含電源部111、感測器部112、通知部113、記憶部114、通訊部115、控制部116、承熱器161、電磁感應源162及保持部140。在棒條型基材150被保持於保持部140的狀態下，進行由使用者所為的吸嚐。以下依序說明各構成元件。

電源部111係蓄積電力。而且，電源部111係供給電力給吸嚐裝置100的各構成元件。電源部111可由例如鋰離子二次電池等充電式電池所構成。電源部111也可藉由以USB(Universal Serial Bus；通用序列匯流排)電纜等連接於外部電源而被充電。再者，電源部111也可藉由無線電力傳送技術而以未與送電側的裝置連接的狀態被充電。此外，也可為能夠僅將電源部111從吸嚐裝置100拆出，也可為能夠與新的電源部111進行更換。

感測器部112係檢測與吸嚐裝置100有關的各種資訊。而且，感測器部112係將檢測出的資訊輸出給控制部116。舉一例來說，感測器部112係由電容式麥克風(condenser microphone)等壓力感測器、流量感測器或溫度感測器所構成。而且，感測器部112係在檢測出由使用者所為的吸嚐所伴隨的數值時，將顯示已進行了由使用者所為的吸嚐之資訊輸出給控制部116。舉另一例來說，感測器部112係由按鈕或開關等接受來自使用者的資訊的輸入之輸入裝置所構成。特別是，感測器部112包含電源按鈕，依據使用者所為之電源按鈕的按下而指示使電源部111所進行的 供電開始/停止。而且，感測器部112將由使用者輸入的資訊輸出給控制部116。

更舉一例來說，感測器部112也可配置於共振電路的近旁，由檢測共振電路具有的電容器之振動的運動感測器(motion sensor)(例如加速度感測器或陀螺儀感測器(gyro sensor)等)構成。該運動感測器特別是藉由配置於共振電路的基板上，檢測出例如共振電路被驅動後的結果、電容器的振動，而檢測出因「噪聲」(後述)而產生的振動頻率。也可為除了上述方式之外再加上下列方式、或是取代上述方式而改為下列方式：感測器部112也可由檢測伴隨著電容器的振動而產生的聲音之例如小型的揚聲器的聲響感測器(acoustic sensor)所構成。該聲響感測器檢測例如因「噪聲」而產生的聲音的頻率。

再者，感測器部112也可由檢測承熱器161之溫度的溫度感測器所構成。該溫度感測器係根據例如電磁感應源162的電阻值來檢測承熱器161的溫度。感測器部112也可根據承熱器161的溫度來檢測由保持部140保持的棒條型基材150的溫度。

再者，感測器部112也可由配置於保持部140之內壁的壓力感測器所構成。例如，於保持部140將棒條型基材150保持在內部時，該壓力感測器會與棒條型基材150的外周面接觸，而因此檢測出此時的棒條型基材150的接觸壓。也可為取代上述方式而改為下列方式、或是除了上述方式之外再加上下列方式：感測器部112係由設於開口142附近的靜電容型的近接感測器所構成。該近接感測器，亦即靜電容型的近接感測器係產生電場，藉由對象物進入電場時的靜電容或介電常數的變化來檢測對象 物，並檢測內部空間141之中之開口142附近的部分空間的靜電容或介電常數等。

通知部113係將資訊通知給使用者。舉一例來說，通知部113係由LED(Light Emitting Diode；發光二極體)等發光裝置所構成。此情形下，在電源部111的狀態為需要充電時、電源部111為充電中時、及吸嚐裝置100發生異常時等，通知部113以分別不同的發光型樣(pattern)發光。在此所稱的發光型樣為包含顏色、及點亮/熄滅的時序等的概念。通知部113也可改以顯示圖像的顯示裝置、輸出聲音的聲音輸出裝置、及進行振動的振動裝置等所構成，也可藉由該等裝置而與發光裝置一起構成。此外，通知部113也可通知顯示已可進行由使用者所為的吸嚐的資訊。顯示已可進行由使用者所為的吸嚐的資訊係於藉由電磁感應而發熱後的棒條型基材150之溫度達到預定的溫度時進行通知。

記憶部114係記憶吸嚐裝置100進行動作所需的各種資訊。記憶部114係由例如快閃記憶體(flash memory)等非揮發性的記憶媒體所構成。記憶部114所記憶之資訊的一例係控制部116所為之各種構成元件的控制內容等有關吸嚐裝置100之OS(Operating System；作業系統)的資訊。記憶部114所記憶之資訊的另一例係吸嚐次數(抽吸次數)、吸嚐時刻、吸嚐時間累計等之與由使用者所為的吸嚐有關的資訊。再者，也可於記憶部114儲存規定有屬於承熱器161之溫度的目標值之目標溫度的時間序列推移的資訊，亦即加熱曲線。

通訊部115係用於在吸嚐裝置100與其他裝置之間發送/接收資訊的通訊介面。通訊部115係進行以有線或無線的任意的通訊規格為 準據的通訊。上述的通訊規格可採用例如無線LAN(Local Area Network；區域網路)、有線LAN、Wi-Fi(註冊商標)或Bluetooth(註冊商標)等。舉一例來說，為了使智慧型手機顯示與由使用者所為的吸嚐有關的資訊，通訊部115將與由使用者所為的吸嚐有關的資訊發送給智慧型手機。舉另一例來說，為了更新記憶部114所記憶的OS的資訊，通訊部115從伺服器接收新的OS的資訊。

控制部116係作為演算處理裝置及控制裝置而發揮功能，依照各種程式而控制吸嚐裝置100內的所有動作。控制部116係藉由例如CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)及微處理器等之電子電路而實現。此外，控制部116也可包含記憶要使用的程式及演算參數等的ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)、以及暫時記憶會適當改變的參數等的RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)、以及計時器(timer)等。吸嚐裝置100根據控制部116所為的控制來執行各種處理。從電源部111對其他的各構成元件的供電、電源部111的充電、感測器部112所為的資訊的檢測、通知部113所為的資訊的通知、記憶部114所為的資訊的記憶及讀出、以及通訊部115所為的資訊的發送/接收，係由控制部116進行控制的處理的一例。根據對各構成元件進行的資訊的輸入、及從各構成元件所輸出之資訊進行的處理等之由吸嚐裝置100所執行之其他的處理，也都由控制部116進行控制。

保持部140具有內部空間141，且以將棒條型基材150的一部分收容於內部空間141的狀態保持棒條型基材150。保持部140具有將內部空間141連通至外部的開口142，並保持從開口142插入內部空間141 的棒條型基材150。例如，保持部140係將開口142與底部143作為底面的筒狀體，區劃出柱狀的內部空間141。保持部140係以於筒狀體之高度方向之至少一部分的內徑比棒條型基材150之外徑還小的方式構成，能夠以從外周壓迫已插入內部空間141之棒條型基材150的方式保持棒條型基材150。保持部140也具有區劃出流通於棒條型基材150之空氣之流路的功能。空氣往上述的流路內流入的入口(亦即空氣流入孔)係例如配置於底部143。相對於此，空氣從上述的流路流出的出口(亦即空氣流出孔)為開口142。

棒條型基材150係棒條型的構件。棒條型基材150包含基材部151及吸口部152。

基材部151係包含霧氣源。霧氣源因為被加熱而霧化，並產生霧氣。霧氣源也可為將例如煙絲或煙草原料成形成為粒狀、薄片狀或粉末狀後的加工物等源自煙草的物料。再者，霧氣源也可為包含由煙草以外的植物(例如薄荷及藥草(herb)等)所製成之非源自煙草的物料。舉一例來說，霧氣源也可包含薄荷腦等香料成分。吸嚐裝置100為醫療用吸入器時，霧氣源也可包含用於供患者吸入的藥劑。此外，霧氣源並不限於為固體，也可為例如甘油(glycerin)及丙二醇(propylene glycol)等多元醇、以及水等液體。在棒條型基材150被保持於保持部140的狀態下，基材部151的至少一部分係被收容於保持部140的內部空間141。

吸口部152係吸嚐時被使用者的嘴叼著的構件。在棒條型基材150被保持於保持部140的狀態下，吸口部152之至少一部分係自開口142突出。而且，當使用者叼著自開口142突出的吸口部152並進行吸嚐 時，空氣就會從未圖示的空氣流入孔流入保持部140的內部。流入的空氣係通過保持部140的內部空間141(亦即通過基材部151)，並與自基材部151產生的霧氣一同到達使用者的口中。

再者，棒條型基材150係於內部包含承熱器161。承熱器161係藉由電磁感應而發熱。承熱器161係由金屬等導電性的素材構成。舉一例來說，承熱器161係構成為板狀。而且，承熱器161係以承熱器161的長邊方向與棒條型基材150之長邊方向一致的方式配置。

在此，承熱器161係在棒條型基材150的內部配置成熱性地接近霧氣源。承熱器161配置成熱性地接近霧氣源，係指承熱器161配置於承熱器161產生的熱會傳導至霧氣源的位置之意。例如，承熱器161與霧氣源一同被包含於基材部151，且周圍被霧氣源包圍。藉由上述的構成，能夠效率良好地將自承熱器161產生的熱使用於霧氣源的加熱。

此外，也可為無法從棒條型基材150的外部接觸到承熱器161。例如，承熱器161也可分布於棒條型基材150的中心部分而不分布於外周附近。

電磁感應源162藉由電磁感應而使承熱器161發熱。電磁感應源162係例如藉由線圈狀的導線來構成，且以捲繞於保持部140之外周的方式配置。當電磁感應源162透過電源部111而被供給交流電流時，就產生磁場。電磁感應源162係配置於保持部140的內部空間141重疊於所產生的磁場的位置。因此，當在棒條型基材150被保持於保持部140的狀態產生磁場時，就會於承熱器161產生渦電流而產生焦耳熱(Joule heat)。藉由上述的焦耳熱，棒條型基材150所包含的霧氣源被加熱而氣化或霧化， 並產生霧氣。

亦即，藉由電磁感應源162對承熱器161感應加熱而使承熱器161發熱，其熱會傳導至棒條型基材150所包含的霧氣源。藉此，霧氣源被氣化或霧化。

舉一例來說，也可在由感測器部112檢測出已進行了預定的使用者輸入時，對應地進行供電而產生霧氣。再者，也可於藉由承熱器161及電磁感應源162進行感應加熱後的棒條型基材150的溫度達到預定的溫度時，能夠進行由使用者所為的吸嚐，其後，也可於由感測器部112檢測出已進行了預定的使用者輸入時，停止供電。舉另一例來說，也可於由感測器部112檢測出已進行了由使用者所為的吸嚐的期間中，進行供電而產生霧氣。

此外，在圖1中顯示了承熱器161被包含於棒條型基材150之基材部151的例子，然而本構成例不限定於上述例子。也可改以例如保持部140負責承熱器161的功能，亦即，也可由承熱器161形成保持部140的一部分。承熱器161配置成藉由至少部分地接觸被收容於內部空間141之棒條型基材150的表面而熱性地接近霧氣源。此情形下，藉由電磁感應源162所產生的磁場而於保持部140產生渦電流，並產生焦耳熱。然後，藉由該焦耳熱使棒條型基材150所包含的霧氣源被加熱而氣化或霧化，並產生霧氣。

此例子中，保持部140較佳為以熱傳導率較高的金屬來構成，例如，以不鏽鋼形成者為佳。藉此，能夠達到從保持部140往棒條型基材150及其內部的基材部151之有效的熱傳導。

此外，在藉由組合吸嚐裝置100與棒條型基材150而能夠產生霧氣這一點，吸嚐裝置100與棒條型基材150的組合也可視為一個系統。

<2.感應加熱>

關於感應加熱，於以下詳細地說明。

所謂的感應加熱，係藉由使變動磁場侵入具有導電性的物體，而對該物體加熱的處理。感應加熱係有關產生變動磁場的磁場產生器、與藉由曝露於變動磁場中而被加熱之具有導電性的被加熱物。變動磁場的一例為交變磁場(alternate magnetic field)。圖1所示的電磁感應源162為磁場產生器的一例。圖1所示的承熱器161為被加熱物的一例。

於磁場產生器與被加熱物配置於會使自磁場產生器產生的變動磁場侵入被加熱物的相對位置的狀態下，一旦從磁場產生器產生變動磁場，就會對被加熱物誘發渦電流。藉由使渦電流流通於被加熱物，就會產生與被加熱物之電阻對應的焦耳熱，加熱被加熱物。如此方式的加熱也稱為焦耳加熱、歐姆加熱、或電阻加熱。

被加熱物也可具有磁性。此情形下，被加熱物因磁滯(magnetic hysteresis)加熱而進一步被加熱。所謂的磁滯加熱係藉由使變動磁場侵入具有磁性的物體而對該物體加熱的處理。當磁場侵入磁性體時，磁性體所包含的磁偶極(magnetic dipole)就沿著磁場排列。因此，當變動磁場侵入磁性體時，磁偶極的方向就對應所施加的變動磁場而變化。藉由如此方式的磁偶極的再定向(reorientation)而於磁性體產生熱，加熱被加熱物。

典型上，磁滯加熱係在小於或等於居里點(Curie point)的溫 度發生，若是超過居里點的溫度就不會發生。所謂的居里點係磁性體失去其磁特性的溫度。例如，一旦在居里點以下的溫度具有強磁性的被加熱物的溫度超過居里點時，就會在被加熱物的磁性產生從強磁性往常磁性之可逆性的相轉移。一旦被加熱物的溫度超過居里點時，就變得不會發生磁滯加熱，因此，升溫速度就會鈍化。

被加熱物較佳為由導電性的材料構成。而且，被加熱物較佳為由具有強磁性的材料構成。此係因為後者的情形能夠藉由電阻加熱與磁滯加熱的組合而提高加熱效率之故。例如，被加熱物係自包含鋁、鐵、鎳、鈷、導電性碳、銅及不鏽鋼等之素材群所選擇的大於或等於一種的素材所構成。

於電阻加熱及磁滯加熱之雙方，熱並非因來自外部熱源的熱傳導而產生者，而是在被加熱物的內部產生。因此，能夠實現被加熱物之急速的溫度上升及均勻的熱分布。此乃能夠藉由適切地設計被加熱物的材料及形狀、以及變動磁場之大小及方向而實現。亦即，藉由適切地設計棒條型基材150所包含的承熱器161的分布而能夠實現棒條型基材150之急速的溫度上升及均勻的熱分布。因此，不但能夠縮短預備加熱所花費的時間，還能夠提升使用者品嚐之香味的品質。

由於感應加熱係對棒條型基材150所包含的承熱器161直接加熱，所以與藉由外部熱源從外周等對棒條型基材150加熱的情形相比較，能夠有效率地對基材加熱。再者，進行以外部熱源進行的加熱時，外部熱源必然變得比棒條型基材150還高溫。相對於此，進行感應加熱時，電磁感應源162不會變得比棒條型基材150還高溫。因此，與使用外部熱源的 情形相比較，由於能夠將吸嚐裝置100的溫度維持得較低，所以在關於使用者的安全面方面有很大的優點。

電磁感應源162使用從電源部111供給的電力而產生變動磁場。舉一例來說，電源部111可為DC(Direct Current；直流電)電源。此情形下，電源部111透過DC/AC(Alternate Current；交流電)反向器(inverter，也稱為「逆變器」)而將交流電力供給至電磁感應源162。此情形下，電磁感應源162能夠產生交變磁場。

相對於配置成熱性地接近被保持部140保持的棒條型基材150所含有的霧氣源的承熱器161，電磁感應源162係配置於從電磁感應源162產生的變動磁場會侵入的位置。如此一來，承熱器161係於變動磁場侵入時發熱。圖1所示的電磁感應源162為螺線管(solenoid)式的線圈。而且，該螺線管式的線圈係以導線捲繞於保持部140的外周的方式配置。電流施加於螺線管式的線圈時，係於由線圈包圍之中央的空間亦即保持部140的內部空間141產生磁場。如圖1所示，在棒條型基材150被保持於保持部140的狀態下，承熱器161呈被線圈包圍的狀態。因此，從電磁感應源162產生的變動磁場會侵入承熱器161而將承熱器161感應加熱。

<3.技術特徵>

(1)詳細的內部構成

針對與本實施型態之感應加熱有關的構成，一邊參照圖2一邊詳細地說明。圖2係顯示與本實施型態之吸嚐裝置100所為之感應加熱有關的構成的方塊圖。

如圖2所示，吸嚐裝置100具備電源部111、驅動電路169 及控制部116。

電源部111係DC(Direct Current)電源。電源部111對驅動電路169供給直流電力。

驅動電路169具備：具有電磁感應源162的RLC電路168(後述)、及反向器電路163。驅動電路169也可更具有匹配電路等其他的電路。驅動電路169藉由從電源部111供給且以反向器電路163轉換後的交流電力而被驅動。驅動電路169藉由交流電力而使配置於保持部140之外周的電磁感應源162產生變動磁場。再者，驅動電路169相對於承熱器161而配置於會使所產生的變動磁場侵入承熱器161的位置。

反向器電路163係將直流電力轉換成交流電力的DC/AC(Alternate Current)反向器。舉一例來說，反向器電路163構成為具有大於或等於一個切換(switching)元件的半橋反向器(half bridge inverter)或全橋反向器(full bridge inverter)。在切換元件方面，可舉出MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor；金屬氧化物半導體場效應電晶體)及IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor；絕緣閘雙極電晶體)等。電源部111及反向器電路163係產生交流電力之交流電力產生部的一例。

此外，外周配置電磁感應源162的保持部140係能夠於內部空間141收容含有霧氣源之基材亦即棒條型基材150、及熱性地接近霧氣源之承熱器161之收容部的一例。棒條型基材150可理解為可具有複數個承熱器161。

電磁感應源162使用從反向器電路163供給的交流電力而於 內部空間141產生變動磁場。在棒條型基材150被保持(亦即，收容)於保持部140的狀態下，電磁感應源162係以與承熱器161對應的方式對位。具體而言，在棒條型基材150被保持於保持部140的狀態下，承熱器161被電磁感應源162包圍。藉此，電磁感應源162能夠將承熱器161感應加熱。此外，承熱器161也可沿著棒條型基材150插入的方向而於不同的位置配置複數個，此情形下，複數個電磁感應源162係以與複數個承熱器161對應的方式對位。

控制部116控制電磁感應源162所為之感應加熱。具體而言，控制部116控制對電磁感應源162的供電。例如，控制部116根據從電源部111供給至驅動電路169之直流電力的資訊來估算承熱器161的溫度。然後，控制部116根據承熱器161的溫度來控制對電磁感應源162的供電。例如，控制部116係以依照加熱曲線來使承熱器161之溫度推移的方式控制對電磁感應源162的供電。此外，也可使感測器部112的溫度感測器檢測承熱器161的溫度。

控制對象的一例係從電源部111供給至驅動電路169之直流電力的電壓。控制對象的另一例係反向器電路163的切換週期。控制對象的另一例係複數個開關164之各者的動作。

圖3係顯示與本實施型態之吸嚐裝置100所為之感應加熱有關的電路之等效電路的圖。圖3所示之表觀的電阻值R_A係藉由從電源部111供給至驅動電路169之直流電力之電流值I_DC及電壓值V_DC所計算之包含驅動電路169之閉電路的電阻值。如圖3所示，表觀的電阻值R_A係相當於由驅動電路169之電阻值R_C與承熱器161之電阻值R_S而形成的串聯 連接。在此，由於表觀的電阻值R_A與承熱器161的溫度之間具有極單調的關係，所以能夠根據表觀的電阻值R_A而估算承熱器161的溫度。

本構成例的驅動電路169包含RLC電路168。RLC電路168係為了產生變動磁場來對承熱器161感應加熱，而以預定的驅動頻率進行驅動的電路部的一例。RLC電路168其本身為公知的共振電路。在此，以使共振頻率成為預定的驅動頻率的方式，預先調整、設定電阻器的電阻值、電感器(inductor)之電感的值、電容器之靜電容的值。

例示的RLC電路168係串聯地連接由電阻器提供的電阻(R)、由電感器提供的電感(L)、及由電容器提供的電容(C)。電感器為前述的電磁感應源162，例如以線圈狀的導線構成。再者，電容器例如為高介電常數類的陶瓷電容器。此外，雖已假設RLC電路168係以RLC串聯電路來構成而進行了說明，然而不限定於此，可理解為也可以RLC並聯電路來構成。

電路元件的阻抗(impedance)或導納(admittance)的虛數部分相互抵消時，RLC電路168會有在特定的共振頻率顯示出電性共振的情形。由於瓦解的電感器的磁場會使將電容器充電的電感器的繞線產生電流，所以在RLC電路168引起共振之同時，放電的電容器會對電感器供給產生磁場的電流。當RLC電路168被以特定的共振頻率驅動時，電感及電容之串聯阻抗就呈最小，電路電流呈最大。因此，藉由以特定的共振頻率(亦即，驅動頻率)使RLC電路168驅動，能夠提供有效果的及/或有效率的感應加熱。

已知RLC電路168的電容器(例如陶瓷電容器)具有一旦對 介電體施加交流電壓時就會使介電體變形而歪斜等特性。因此，例如一旦電容器被施加某頻率的交流電壓時，電容器就會進行物理振動，而產生其振動被傳導至RLC電路168的基板並受到增幅而發出聲音的現象。即所謂的「噪聲」現象。

本實施型態係著眼於伴隨著電容器之振動而產生的「噪聲」，關注於藉由取得與「噪聲」關聯的特性值而針對於掌握RLC電路168的特性。

與電容器的振動有關的振動頻率為RLC電路168之特性值的一例。產生「噪聲」時的電容器的振動頻率係與驅動RLC電路168的驅動頻率具關聯性。亦即，藉由取得與RLC電路168之驅動頻率相對的電容器之振動頻率，能夠有效果地及/或有效率地掌握RLC電路168的特性。如此一來，能夠有效果地控制RLC電路168的驅動。

例如，預先測量與特定的驅動頻率相對的電容器之振動頻率，並將其作為基準值(亦即，正常值)而預先記憶於記憶部114。然後，測量於實際地驅動RLC電路168的期間所取得之振動頻率而決定與基準值之偏差。如此的偏差係成為與正常值的誤差。如此一來，依據振動頻率之誤差的程度，能夠估算與其對應之與實際的驅動頻率有關的特定的驅動頻率的誤差。

根據所估算的驅動頻率的誤差，能夠掌握RLC電路168的狀態。如此的手法能夠簡單地估算驅動頻率的誤差，特別是在不須要使用專用的機材來嚴密地檢測驅動頻率這一點很有利。此外，RLC電路168的狀態也可包含劣化狀態與故障狀態，本實施型態中，能夠根據此種狀態來 控制RLC電路168的驅動。

(2)控制部的構成例

圖4係功能性地顯示本實施型態之吸嚐裝置100之控制部116之構成例的方塊圖。控制部116包含供電指示部116a、取得部116b、電路控制部116c、加熱控制部116d及通知指示部116e。

供電指示部116a係對於電源部111指示對驅動電路169的供電或停止供電。

取得部116b對感測器部112指示檢測RLC電路168之電容器的振動以取得RLC電路168的特性值(特別是因「噪聲」所產生的電容器的振動頻率)。此外，特性值不限定於電容器的振動頻率，除了電容器的振動頻率以外，也可包含因「噪聲」所產生的聲音的頻率等。

電路控制部116c係指示用以驅動RLC電路168之預定的驅動頻率。再者，電路控制部116c根據因為使RLC電路168驅動的結果而在取得部116b所取得的前述振動頻率來執行RLC電路168之驅動的控制。具體而言，電路控制部116c依據與有關前述振動頻率之預定的基準值之偏差而執行RLC電路168之驅動的控制。

詳細而言，電路控制部116c在相對於預定的基準值之偏差的量比預定的閾值小時，估算為RLC電路168處於劣化狀態而修正所指示的驅動頻率，其中前述預定的基準值為關於所取得的振動頻率的基準值。再者，在偏差的量大於或等於閾值時，估算為RLC電路168處於故障狀態，且不驅動RLC電路168而使其無效化。此外，在此所指的控制，可為進行驅動頻率的修正及不驅動RLC電路168而使其無效化之中的一方或 雙方。藉此，對於吸嚐裝置100因過度使用或隨時間經過劣化而導致的動作不良，能夠適切地進行處置。

加熱控制部116d根據加熱曲線來執行霧氣源的加熱控制。所指的加熱曲線係規定有屬於承熱器161的溫度的目標值之目標溫度之時間序列推移的資訊。吸嚐裝置100係控制對電磁感應源162的供電，以依照加熱曲線中所規定的目標溫度的時間序列推移來使承熱器161之實際的溫度推移。藉此，按照藉由加熱曲線所計劃的方式產生霧氣。典型上，加熱曲線係設計成，在使用者吸嚐由棒條型基材150產生的霧氣之際，令使用者所品嚐的香味呈最佳。亦即，根據加熱曲線來控制電磁感應源162的動作，藉此能夠令使用者所品嚐的香味達到最佳。

通知指示部116e係以執行預定的通知動作的方式對通知部113進行指示。例如，進行與電路控制部116c已對RLC電路168之驅動進行控制的情形對應的通知。具體而言，可使通知部113通知應以修正驅動頻率之結果(以修正後的驅動頻率)進行驅動的意旨、及/或已將RLC電路168的驅動予以無效化的意旨。

(3)處理的流程

說明藉由本實施型態之吸嚐裝置100執行之處理的流程的例子。圖5係顯示本實施型態之控制方法之處理的流程之一例的流程圖，圖6係顯示圖5所示的處理之一部分的詳細內容之一例的流程圖。此外，在此所示的各處理步驟僅為例示而不限定於此，也可包含任意的其他處理步驟，也可省略一部分的處理步驟。再者，在此所表示的各處理步驟的順序僅為例示而不限定於此，也可為任意的順序、或是也可有並行地執行的情形。

圖5及圖6係特別於根據加熱曲線來執行霧氣源的加熱控制的期間取得RLC電路168之特性值(亦即電容器之振動頻率)之處理的流程的例子。

如圖5所示，一旦開始進行本處理時，首先，控制部116使感測器部112檢測吸嚐要求。對應於此，供電指示部116a對電源部111指示開始進行對驅動電路169的供電(步驟S11)。所謂的吸嚐要求係為了產生霧氣而由使用者提出要求的使用者操作。吸嚐要求之一例為對於吸嚐裝置100進行的使用者操作，例如使用者按下設於吸嚐裝置100之按鈕。

吸嚐要求之另一例為使用者將棒條型基材150插入吸嚐裝置100的使用者操作。棒條型基材150被保持於保持部140的情形之檢測，也可藉由配置於保持部140的壓力感測器而透過檢測該壓力感測器與被保持的棒條型基材150的接觸壓來執行。詳細而言，當棒條型基材150被插入並受到保持時，配置於保持部140之內壁的壓力感測器就與棒條型基材150的外周接觸。如此一來，控制部116能夠藉由使壓力感測器檢測出接觸壓而判斷保持部140保持著棒條型基材150的情形。

舉其他的例子來說，也可藉由設於開口142附近的靜電容型的近接感測器，並根據將棒條型基材150插入內部所伴隨的靜電容或介電率的變化，來檢測出棒條型基材150被保持於保持部140的情形。詳細而言，由設於開口142附近的近接感測器檢測內部空間141之中之開口142附近的部分空間的靜電容或介電率等。伴隨著棒條型基材150的插入/拔出，棒條型基材150之各個部分(包含承熱器161的部分、及不包含承熱器161的部分)會通過該部分空間。伴隨於此，該部分空間的靜電容及介電率 會變化。亦即，控制部116能夠依據此種部分空間的靜電容或介電率的時間序列變化而判斷保持部140保持著棒條型基材150的情形。

接著，電路控制部116c藉由對RLC電路168指示預定的驅動頻率而使RLC電路168驅動(步驟S12)。藉此，對RLC電路168的電磁感應源162供給交流電力而產生變動磁場。結果，變動磁場會侵入承熱器161而使承熱器161被感應加熱。

接著，加熱控制部116d開始執行根據加熱曲線進行的霧氣源的加熱控制(步驟S13)。在此較佳為，與在步驟S12中使承熱器161被感應加熱的結果使得承熱器161的溫度達到預定的閾值溫度的情形對應來執行該步驟S13之霧氣源的加熱控制。

就步驟S13的結果而言，於執行加熱控制的期間，取得部116b對感測器部112取得因RLC電路168被驅動而產生的「噪聲」所伴隨的電容器的振動頻率(步驟S14)。此外，取得部116b所為之振動頻率的取得也可在加熱控制的期間中周期性地取得。

接著，電路控制部116c判定所取得的電容器的振動頻率是否在預定的範圍內(步驟S15)。

在步驟S15判定為電容器的振動頻率在預定的範圍內時(是)，可假定RLC電路168處於正常狀態，而由加熱控制部116d繼續執行根據加熱曲線進行的加熱控制(步驟S16)。此外，加熱曲線與結束條件具關聯性，而步驟S16係繼續進行直到滿足結束條件為止。

結束條件的一例為加熱控制的期間(亦即，加熱時間)經過了預定的時間。舉其他的例子來說，結束條件也可為在加熱控制的期間中之 使用者的抽吸次數達到預定次數的情形。

接著，當加熱控制部116d判斷已滿足加熱控制的結束條件時，就結束根據加熱曲線進行的加熱控制(步驟S17)。

另一方面，在步驟S15判定為電容器之振動頻率不在預定的範圍內時(否)，較佳為假定RLC電路168未處於正常狀態，而由加熱控制部116d停止執行根據加熱曲線進行的加熱控制(步驟S18)。

接著，電路控制部116c執行RLC電路168之驅動的控制(步驟S19/圖6)。

在步驟S17結束加熱控制後、或在步驟S19執行RLC電路168之驅動的控制之後，結束本處理。

關於步驟S19，自此參照圖6針對RLC電路168之驅動的控制的處理更詳細地說明。

在步驟S18停止執行加熱控制之後，首先，電路控制部116c算出與有關已取得之振動頻率的預定的基準值之偏差的量(步驟S19a)。接著，電路控制部116c判定偏差的量是否未滿預定的閾值(步驟S19b)。

在步驟S19b判定為偏差的量未滿預定的閾值時(是)，電路控制部116c判斷為RLC電路168處於劣化狀態(步驟S19c)。如此的劣化狀態的情形下，較佳為接著調整下一次起驅動的RLC電路168。具體而言，電路控制部116c修正預定的驅動頻率(步驟S19d)。

由於RLC電路168的驅動頻率與RLC電路168之電容器的振動頻率係預先被賦予關聯性，所以驅動頻率的修正較佳為例如以使對應的振動頻率更接近基準值的樣態來執行。例如，所取得的電容器的振動頻 率比基準值小時，較佳為以使驅動頻率變大的方式進行修正(例如，從初始的100kHz至105kHz)。此外，也可建構成RLC電路168的驅動頻率與RLC電路168之電容器的振動頻率的關係可藉由以公知的手法所決定的預定的迴歸公式而預先規定，且在修正之際計算驅動頻率。或是也可與偏差的量在哪個範圍對應而將驅動頻率的修正量預先規定成表(table)，且於修正之際參照該表。

與在步驟S19d修正了驅動頻率的情形對應，通知指示部116e使通知部113通知應使電路控制部116c以修正後的驅動頻率使RLC電路168驅動的意旨(步驟S19e)。例如，為了以修正後的驅動頻率使RLC電路168驅動，較佳為促使使用者透過再度按下按鈕等而進行再次吸嚐要求的操作。在通知上，較佳為以LED之預定的顏色及發光型樣的樣態提示給使用者。

另一方面，在步驟S19b判定為偏差的量大於或等於預定的閾值時(否)，電路控制部116c判斷為RLC電路168處於故障狀態(步驟S19f)。在此所指的故障狀態可設為永久故障的狀態。故障狀態時，電路控制部116c係今後都不驅動RLC電路168而使其無效化(步驟S19g)。

通知指示部116e係與在步驟S19g使RLC電路168無效化的情形對應，而使通知部113通知RLC電路168已無效化的意旨(步驟S19h)。在通知上，較佳為以LED之預定的顏色及發光型樣的樣態提示使用者已禁止吸嚐裝置100的使用的情形。

本處理的例子，係能夠在根據加熱曲線進行的加熱控制中繼續檢查RLC電路168之動作的狀態。藉此，對於吸嚐裝置100因過度使用 或隨時間經過劣化而導致的動作不良，能夠進行適當的處置。

<4.變更例>

<4.1.第一變更例>

前述的實施型態係建構成：於根據加熱曲線而執行霧氣源的加熱控制的期間取得電容器的共振頻率。本變更例係取代前述的實施型態而改為：於檢測出吸嚐要求之後，且在執行根據加熱曲線進行的加熱控制之前，取得振動頻率。圖7係本變更例之處理的流程的例子。

如圖7所示，一旦開始進行本處理時，首先，控制部116使感測器部112檢測吸嚐要求。對應於此，供電指示部116a對電源部111指示開始進行對驅動電路169的供電(步驟S21)。接著，電路控制部116c藉由對RLC電路168指示預定的驅動頻率而使RLC電路168驅動(步驟S22)。步驟S21及S22的處理較佳為與前述的步驟S11及S12相同。如前述的方式，關於吸嚐要求，較佳為包含例如操作設於吸嚐裝置100之按鈕的對於吸嚐裝置100進行的使用者操作、與將棒條型基材150插入吸嚐裝置100的使用者操作之中之至少一種使用者操作。

接著，取得部116b取得因RLC電路168被驅動而產生的「噪聲」所伴隨的電容器的振動頻率(步驟S23)。亦即，取得部116b依據來自使用者的吸嚐要求而取得電容器的振動頻率。步驟S23的處理也可為與前述的步驟S14相同。

接著，電路控制部116c判定在步驟S23所取得的電容器的振動頻率是否在預定的範圍內(步驟S24)。步驟S24的處理也可為與前述的步驟S15相同。

在步驟S24判定為電容器的振動頻率在預定的範圍內時(是)，加熱控制部116d開始執行根據加熱曲線進行的加熱控制(步驟S25)。加熱控制部116d係繼續執行加熱控制直到滿足結束條件為止(步驟S26)，且在滿足結束條件時就結束(步驟S27)。步驟S26及S27的處理較佳為與前述的步驟S16及S17相同。

另一方面，在步驟S24判定為電容器的振動頻率不在預定的範圍內時(否)，不執行根據加熱曲線進行的加熱控制，而是由電路控制部116c執行RLC電路168之驅動的控制(步驟S28)。步驟S28的處理也可為與前述的步驟S19相同。亦即，電路控制部116c執行圖6所示的各處理。

在步驟S27結束加熱控制後、或在步驟S28執行RLC電路168之驅動的控制之後，結束本變更例的處理。

本變更例係能在加熱控制前檢查RLC電路168之動作的狀態。藉此，不僅對於因過度使用或隨時間經過劣化而導致的動作不良能夠進行適當的處置，而且能夠提升吸嚐裝置100的安全性。再者，還能夠預防徒然地對霧氣源加熱所造成的浪費。

<4.2.第二變更例>

前述的第一變更例係建構成：依照與有關所取得的振動頻率的預定的基準值之偏差，而控制RLC電路168的驅動。本變更例係取代前述的第一變更例而改為：除了如前述的第一變更例在執行根據加熱曲線進行的加熱控制之前取得電容器的振動頻率之外，更於執行加熱控制之後也取得振動頻率。然後，依照加熱控制之前後之振動頻率的差分值來控制RLC電路168的驅動。圖8及圖9係本變更例之處理的流程的例子。

如圖8所示，一旦開始進行本處理時，首先，控制部116使感測器部112檢測吸嚐要求。對應於此，供電指示部116a對電源部111指示開始進行對驅動電路169的供電(步驟S31)。接著，電路控制部116c藉由對RLC電路168指示預定的驅動頻率而使RLC電路168驅動(步驟S32)。然後，取得部116b取得因RLC電路168被驅動而產生的「噪聲」所伴隨的電容器的振動頻率(步驟S33)。步驟S31、S32及S33的處理較佳為與前述的步驟S21、S22及S23相同。

接著，加熱控制部116d開始執行根據加熱曲線進行的加熱控制(步驟S34)。加熱控制部116d係繼續執行加熱控制直到滿足結束條件為止(步驟S35)，且在滿足結束條件時就結束(步驟S36)。步驟S34、S35及S36的處理也可為與前述的步驟S25、S26及S27相同。

本變更例係在加熱控制部116d結束根據加熱曲線進行的加熱控制之後，更由取得部116b取得電容器的振動頻率(步驟S37)。亦即，在執行加熱控制之前與後之雙方取得振動頻率。

電路控制部116c算出在步驟S33執行加熱控制之前所取得的振動頻率、與在步驟S37執行加熱控制之後所取得的振動頻率的差分值，且判定差分值是否在預定的範圍內(步驟S38)。

在步驟S38判定為差分值在預定的範圍內時(是)，電路控制部116c判斷RLC電路168為正常的狀態，可以就這樣結束本處理。相對於此，判定為差分值不在預定的範圍內時(否)，電路控制部116c執行RLC電路168之驅動的控制(步驟S39)，接著結束本處理。

參照圖9更詳細地說明於步驟S39中之RLC電路168之驅 動的控制的處理。

首先，電路控制部116c針對在步驟S38所算出的差分值是否未滿預定的閾值進行判定(步驟S39a)。

在步驟S39a判定為差分值未滿預定的閾值時(是)，電路控制部116c判斷為RLC電路168處於劣化狀態(步驟S39b)。此情形下，為了調整下一次起驅動的RLC電路168的動作，電路控制部116c修正預定的驅動頻率(步驟S39c)。

與在步驟S39c修正了驅動頻率的情形對應，通知指示部116e使通知部113通知應以修正後的驅動頻率使RLC電路168驅動之意旨(步驟S39d)。步驟S39b、S39c及S39d的處理也可為與步驟S19c、S19d及S19e相同。

另一方面，在步驟S39a判定為差分值大於或等於預定的閾值時(否)，判斷為RLC電路168處於故障狀態(特別是，永久故障狀態)(步驟S39e)。此情形下，今後都不驅動RLC電路168而使其無效化(步驟S39f)。對應於此，通知指示部116e使通知部113通知RLC電路168已無效化的意旨(步驟S39g)。步驟S39e、S39f及S39g的處理也可為與步驟S19f、S19g及S19h相同。

本變更例係能夠於加熱控制的前後精確地檢查RLC電路168之動作的狀態。藉此，對於因過度使用或隨時間經過劣化而導致的動作不良，能夠進行適當的處置。

<4.3.第三變更例>

前述的實施型態係建構成：在相對於基準值之偏差的量未滿預定的閾 值時，判斷為RLC電路168處於劣化狀態，而修正RLC電路168的驅動頻率，其中前述基準值為關於電容器的振動頻率的基準值(步驟S19b至S19d)。本變更例係建構成：除了上述方式之外，還藉由使用修正後的驅動頻率來評估承熱器161的感應加熱的動作，而能夠執行根據加熱曲線進行的適當的加熱控制。

圖10係顯示本變更例之處理之流程的例子。於圖7的步驟S28中控制RLC電路之驅動之際，係於以圖6的步驟S19d修正RLC電路168之驅動頻率之後，執行本變形例的處理。

首先，電路控制部116c判斷修正後的驅動頻率是否為已配合RLC電路168之狀態而適當地進行設定的驅動頻率。具體而言，電路控制部116c以修正後的驅動頻率(第一頻率)使RLC電路168在預定的時間中驅動(步驟S191a)。

於經過預定的時間之後，加熱控制部116d決定承熱器161的第一溫度(步驟S191b)。此外，承熱器161的溫度也可根據供給至驅動電路169之直流電力的資訊來估算，也可由感測器部112的溫度感測器進行檢測。

電路控制部116c針對第一溫度是否在預定的容許範圍內進行判定(步驟S191c)。在此，藉由在預定的時間中使驅動電路169試運轉，而在關於承熱器161的感應加熱方面，針對是否可獲得所希望的溫度變化而進行判定。此外，預定的時間也可為例如加熱曲線之預備加熱階段之間的期間。

在步驟S191c判定為第一溫度在預定的容許範圍內時(是)， 能夠判斷以步驟S19d進行的驅動頻率的修正為已適當進行。接著，通知指示部116e使通知部113通知能夠執行根據加熱曲線進行的霧氣源之加熱控制(例如，能夠從預備加熱階段轉移至加熱階段)(步驟S191d)。此外，也可取代圖6之步驟S19e之應以修正後的驅動頻率使RLC電路168驅動之意旨的通知，而改為執行步驟S191d的通知。

另一方面，在步驟S191c判定為第一溫度不在預定的容許範圍內時(否)，電路控制部116c判斷為步驟S19d所進行的驅動頻率的修正為未適當進行。亦即，供電指示部116a使供電停止，而且電路控制部116c將RLC電路168的驅動頻率從第一頻率再度修正成第二頻率(步驟S191e)。在此，為了執行RLC電路168之驅動頻率的再度修正，較佳為例如預先使承熱器161的溫度與驅動頻率具關聯性。再者，也可為將以特定的驅動頻率使RLC電路168在預定的時間中驅動之後的承熱器161的溫度預先決定為基準溫度(亦即，正常溫度)。而且，步驟S191e也可對應第一溫度與基準溫度的偏差而執行RLC電路168之驅動頻率的再度修正。

接著，與步驟S191a同樣地，電路控制部116c以修正後的第二頻率再度使RLC電路168在預定的時間中驅動(步驟S191f)。接著，與步驟S191b同樣地，於經過預定的時間之後，加熱控制部116d決定承熱器161的第二溫度(步驟S191g)。然後，與步驟S191c同樣地，電路控制部116c針對第二溫度是否在預定的容許範圍內進行判定(步驟S191h)。

在步驟S191h判定為第二溫度在預定的容許範圍內時(是)，就前進至前述的步驟S191d。具體而言，通知指示部116e使通知部113通知能夠執行根據加熱曲線進行的霧氣源之加熱控制。相對於此，判定為第 二溫度不在預定的容許範圍內時(否)，就前進至前述的步驟S19f，判斷為RLC電路168處於故障狀態即可。亦即，較佳為設成今後不驅動RLC電路168。

本變更例由於係將RLC電路168的驅動頻率修正達複數次，所以能夠提升估算RLC電路168之狀態的精度，能夠以更良好的精度驅動RLC電路168。藉此，對於吸嚐裝置100因過度使用或隨時間經過劣化而導致的動作不良，能夠進行適當的處置。再者，還能夠提升於加熱動作中的RLC電路168的安全性。

<5.補充>

以上已一邊參照所附圖式一邊針對本發明揭示之較佳的實施型態詳細地進行說明，然而本發明揭示不限定於上述例子。若為本發明所屬技術領域中具有通常知識者，當然可於申請專利範圍所記載的技術思想的範疇內想到各種的變更例或修正例，且也可瞭解該等變更例或修正例當然也屬於本發明的技術範圍。

例如，前述的實施型態中，已說明了棒條型基材150包含有承熱器161的例子、或由承熱器161形成保持部140的一部分的例子，然而，本發明揭示不限定於上述例子。亦即，承熱器161可配置於承熱器161熱性地接近霧氣源之任意的位置。舉一例來說，承熱器161也能夠以構成為葉片狀而從保持部140的底部143朝內部空間141突出的方式配置。再者，也可在棒條型基材150插入保持部140之際，使葉片狀的承熱器161從棒條型基材150之插入方向的端部以穿刺的方式插入基材部151。

此外，於本說明書中所說明的各裝置進行的一連串的處理， 係也可使用軟體、硬體、及軟體與硬體的組合之其中任一種來實現。構成軟體的程式係例如預先儲存於設於各裝置的內部或外部之記錄媒體(非暫時性的媒體：non-transitory media)。再者，各程式係例如在由控制本說明書中所說明的各裝置之電腦來執行時被讀入於RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體)，並藉由CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)等處理器來執行。記錄媒體例如為磁碟(magnetic disk)、光碟(optical disc)、磁光碟(magneto-optical disk)、快閃記憶體等。再者，電腦程式也可不使用記錄媒體，而係透過例如網路來傳送。

此外，以下的構成也屬於本發明的技術範圍。

(1)

一種吸嚐裝置，係具備：

交流電力產生部，係產生交流電力；

收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；

電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源，且配置成藉由前述交流電力產生變動磁場而使前述所產生的變動磁場侵入承熱器；

感測器部，係配置於前述電路部的近旁，檢測前述電路部的振動以取得前述電路部的特性值；及

控制部，係指示用以驅動前述電路部之預定的驅動頻率，根據前述電路部之驅動之結果所取得的前述特性值來控制前述電路部的驅動；且

藉由使從前述承熱器產生的熱傳導至前述基材的霧氣源，使前述霧氣源氣化或霧化。

(2)

於前述(1)的吸嚐裝置中，

也可建構成：前述控制部依據相對於預定的基準值之偏差，控制前述電路部的驅動，其中前述預定的基準值為關於前述所取得的特性值的基準值。

(3)

於前述(2)的吸嚐裝置中，

前述控制部係建構成進行下列二者之一方或雙方：

前述偏差的量比預定的第一閾值小時，修正前述預定的驅動頻率；以及

前述偏差的量大於或等於前述第一閾值時，不驅動前述電路部。

(4)

於前述(1)至(3)的吸嚐裝置中，

前述控制部更建構成執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制，且

於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制的期間取得前述特性值。

(5)

於前述(1)至(3)中任一者的吸嚐裝置中，

前述控制部更建構成執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制，且

於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制之前取得前述特性值。

(6)

於前述(5)的吸嚐裝置中，

前述感測器部更建構成檢測該吸嚐裝置的按鈕已被按下的情形，且

檢測出前述按鈕的按下時，因應於此而取得前述特性值。

(7)

於前述(5)的吸嚐裝置中，

前述感測器部更建構成檢測前述基材已收容於前述收容部的情形，且

檢測出前述基材已收容於前述收容部時，因應於此而取得前述特性值。

(8)

於前述(5)至(7)中任一者的吸嚐裝置中，

更於根據前述加熱曲線進行的加熱控制結束後取得前述特性值，且

前述控制部更建構成根據執行前述加熱控制之前所取得的前述特性值、與執行前述加熱控制之後所取得的前述特性值的差分值，來控制前述電路部的驅動。

(9)

於前述(8)的吸嚐裝置中，

前述控制部係建構成進行下列二者之一方或雙方：

前述差分值比預定的第二閾值小時，修正前述預定的驅動頻率；以及

前述差分值大於或等於前述第二閾值時，不驅動前述電路部。

(10)

於前述(1)至(9)中任一者的吸嚐裝置中，

前述電路部包含RLC電路，

前述特性值為前述RLC電路藉由前述驅動頻率而被驅動時的電容器的振動所伴隨的振動頻率。

(11)

於前述(1)至(9)中任一者的吸嚐裝置中，

前述電路部包含RLC電路，

前述特性值為前述RLC電路藉由前述驅動頻率而被驅動時的電容器的振動所伴隨的聲音的頻率。

(12)

於前述(1)至(11)中任一者的吸嚐裝置中，

前述承熱器在前述基材的內部配置成熱性地接近前述霧氣源。

(13)

於前述(1)至(11)中任一者的吸嚐裝置中，

前述承熱器形成前述收容部的一部分，且配置成藉由至少部分地接觸已收容於前述內部空間之前述基材的表面而熱性地接近前述霧氣源。

(14)

於前述(13)的吸嚐裝置中，

前述承熱器以不鏽鋼形成筒狀。

(15)

一種基材，係使用於前述(1)至(14)中任一者的吸嚐裝置，且收容於前述吸嚐裝置。

(16)

一種控制方法，係控制吸嚐裝置的方法，前述吸嚐裝置係具備：

收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；及

電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源；

該方法係包含：

指示預定的驅動頻率而使前述電路部驅動的步驟，此步驟包含產生交流電力而將交流電力供給至前述電路部、及以使變動磁場侵入承熱器的方式，藉由前述交流電力而使前述電磁感應源產生前述變動磁場；

檢測出因前述電路部的驅動而導致的前述電路部的振動，以取得前述電路部的特性值的步驟；及

根據前述所取得的特性值來控制前述電路部的驅動的步驟；且

藉由使從前述承熱器產生的熱傳導至前述基材的霧氣源，使前述霧氣源氣化或霧化。

(17)

於前述(16)的控制方法中，

控制前述電路部的驅動的步驟包含：在相對於預定的基準值之偏差的量比預定的第一閾值小時，將前述預定的驅動頻率修正成第一頻率，其中前述預定的基準值為關於前述所取得的特性值的基準值。

(18)

於前述(17)的控制方法中，

前述控制的步驟更包含：

以前述第一頻率在預定的時間中驅動前述電路部；

於經過前述預定的時間後決定前述承熱器的第一溫度；

判定前述第一溫度是否在預定的容許範圍內；及

前述第一溫度在預定的容許範圍內時，通知能夠執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制。

(19)

於前述(18)的控制方法中，

前述控制的步驟更包含：

前述第一溫度不在前述預定的容許範圍內時，更將前述預定的驅動頻率從前述第一頻率修正成第二頻率；

以前述第二頻率在預定的時間中驅動前述電路部；

於經過前述預定的時間後決定前述承熱器的第二溫度；

判定前述第二溫度是否在預定的容許範圍內；及

前述第二溫度在預定的容許範圍內時，通知能夠執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制動作。

(20)

於前述(19)的控制方法中，

前述控制的步驟更包含：前述第二溫度不在前述預定的容許範圍內時，不驅動前述電路部。

(21)

於前述(17)至(20)中任一者的控制方法中，

前述控制的步驟包含：前述偏差的量大於或等於前述第一閾值時，不驅動前述電路部。

(22)

前述(16)至(21)中任一者的控制方法，更包含：

執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制的步驟；且

於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制的期間取得前述特性值。

(23)

前述(16)至(21)中任一者的控制方法，更包含：

執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制的步驟；且

於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制的前述步驟之前取得前述特性值。

(24)

前述(23)的控制方法，更包含：

檢測前述吸嚐裝置的按鈕已被按下的情形的步驟；且

檢測出前述按鈕的按下時，因應於此而取得前述特性值。

(25)

前述(23)的控制方法，更包含：

檢測前述基材已收容於前述收容部的情形的步驟；且

檢測出前述基材已收容於前述收容部時，因應於此而取得前述特性值。

(26)

前述(23)至(25)中任一者的控制方法中，

更於根據前述加熱曲線進行的加熱控制結束後取得前述特性值，且

前述控制的步驟更根據執行前述加熱控制之前所取得的前述特性值、與執行前述加熱控制之後所取得的前述特性值的差分值而進行。

(27)

前述(26)的控制方法中，

前述控制步驟進行下列二者之一方或雙方：

前述差分值比預定的第二閾值小時，修正前述預定的驅動頻率；以及

前述差分值大於或等於前述第二閾值時，不驅動前述電路部。

(28)

一種用以使電腦的處理器執行前述(16)至(27)中任一者的控制方法之程式。

(29)

一種吸嚐裝置，係具備：

交流電力產生部，係產生交流電力；

收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；

電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源及電容器，且配置成：藉由前述交流電力使前述內部空間產生變動磁場，使前述所產生的變動磁場侵入在前述基材的內部配置成熱性地接近前述霧氣源的承熱器；

感測器部，係配置於前述電路部的基板上，檢測前述電路部的振動；及

控制部，係指示用以驅動前述電路部之預定的驅動頻率，根據前述電容器之驅動之結果所取得的振動頻率來控制前述電路部的驅動。

(30)

一種吸嚐裝置，係具備：

交流電力產生部，係產生交流電力；

收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；

電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源及電容器，且配置成藉由前述交流電力產生變動磁場而使前述所產生的變動磁場侵入形 成前述收容部之一部分的承熱器；

感測器部，係配置於前述電路部的基板上，檢測前述電容器的振動；及

控制部，係指示用以驅動前述電路部之預定的驅動頻率，根據前述電路容器之驅動之結果所取得的前述振動頻率來控制前述電路部的驅動；且

前述承熱器以至少部分地接觸已收容於前述內部空間之前述基材的表面的方式配置。

(31)

於前述(30)的吸嚐裝置中，

前述承熱器以不鏽鋼形成筒狀。

100:吸嚐裝置

111:電源部

112:感測器部

113:通知部

114:記憶部

115:通訊部

116:控制部

140:保持部

141:內部空間

142:開口

143:底部

150:棒條型基材

151:基材部

152:吸口部

161:承熱器

162:電磁感應源

Claims (20)

1. 一種吸嚐裝置，係具備：

   交流電力產生部，係產生交流電力；

   收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；

   電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源，且配置成藉由前述交流電力產生變動磁場而使前述所產生的變動磁場侵入承熱器；

   感測器部，係配置於前述電路部的近旁，檢測前述電路部的振動以取得前述電路部的特性值；及

   控制部，係指示用以驅動前述電路部之預定的驅動頻率，根據前述電路部之驅動之結果所取得的前述特性值來控制前述電路部的驅動；且

   藉由使從前述承熱器產生的熱傳導至前述基材的霧氣源，使前述霧氣源氣化或霧化。
2. 如請求項1所述之吸嚐裝置，其係建構成由前述控制部依據相對於預定的基準值之偏差，控制前述電路部的驅動，其中前述預定的基準值為關於前述所取得的特性值的基準值。
3. 如請求項2所述之吸嚐裝置，其中，前述控制部係建構成進行下列二者之一方或雙方：

   前述偏差的量比預定的第一閾值小時，修正前述預定的驅動頻率；以及

   前述偏差的量大於或等於前述第一閾值時，不驅動前述電路部。
4. 如請求項1至3中任一項所述之吸嚐裝置，其中，前述控制部更建構成執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制，且

   於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制的期間取得前述特性值。
5. 如請求項1至3中任一項所述之吸嚐裝置，其中，前述控制部更建構成執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制，且

   於執行根據前述加熱曲線進行的加熱控制之前取得前述特性值。
6. 如請求項5所述之吸嚐裝置，其中，前述感測器部更建構成檢測該吸嚐裝置的按鈕已被按下的情形，且

   檢測出前述按鈕的按下時，因應於此而取得前述特性值。
7. 如請求項5所述之吸嚐裝置，其中，前述感測器部更建構成檢測前述基材已收容於前述收容部的情形，且

   檢測出前述基材已收容於前述收容部時，因應於此而取得前述特性值。
8. 如請求項5至7中任一項所述之吸嚐裝置，其中，更於根據前述加熱曲線進行的加熱控制結束後取得前述特性值，且

   前述控制部更建構成根據執行前述加熱控制之前所取得的前述特性值、與執行前述加熱控制之後所取得的前述特性值的差分值，來控制前述電路部的驅動。
9. 如請求項8所述之吸嚐裝置，其中，前述控制部係建構成進行下列二者之一方或雙方：

   前述差分值比預定的第二閾值小時，修正前述預定的驅動頻率；以及

   前述差分值大於或等於前述第二閾值時，不驅動前述電路部。
10. 如請求項1至9中任一項所述之吸嚐裝置，其中，前述電路部包含RLC電路，前述特性值為前述RLC電路藉由前述驅動頻率而被驅動時的電容器的振動所伴隨的振動頻率。
11. 如請求項1至10中任一項所述之吸嚐裝置，其中，前述承熱器在前述基材的內部配置成熱性地接近前述霧氣源。
12. 如請求項1至10中任一項所述之吸嚐裝置，其中，前述承熱器形成前述收容部的一部分，且配置成藉由至少部分地接觸已收容於前述內部空間之前述基材的表面而熱性地接近前述霧氣源。
13. 如請求項12所述之吸嚐裝置，其中，前述承熱器以不鏽鋼形成筒狀。
14. 一種基材，係使用於請求項1至13中任一項所述之吸嚐裝置，且收容於前述吸嚐裝置。
15. 一種控制吸嚐裝置之動作的控制方法，其中，前述吸嚐裝置係具備：

    收容部，係能夠於內部空間收容含有霧氣源的基材；及

    電路部，係具備配置於前述收容部之外周的電磁感應源；

    該控制方法係包含：

    指示預定的驅動頻率而使前述電路部驅動的步驟，此步驟包含：產生交流電力而將交流電力供給至前述電路部、及以使變動磁場侵入承熱器的方式，藉由前述交流電力而使前述電磁感應源產生前述變動磁場；

    檢測出因前述電路部的驅動而導致的前述電路部的振動，以取得前述電路部的特性值的步驟；及

    根據前述所取得的特性值來控制前述電路部的驅動的步驟；且

    藉由使從前述承熱器產生的熱傳導至前述基材的霧氣源，使前述霧氣源氣化或霧化。
16. 如請求項15所述之控制方法，其中，控制前述電路部的驅動的步驟包含：在相對於預定的基準值之偏差的量比預定的第一閾值小時，將前述預定的驅動頻率修正成第一頻率，其中前述預定的基準值為關於前述所取得的特性值的基準值。
17. 如請求項16所述之控制方法，其中，前述控制的步驟更包含：

    以前述第一頻率在預定的時間中驅動前述電路部、

    於經過前述預定的時間後估算前述承熱器的第一溫度、

    判定前述第一溫度是否在預定的容許範圍內、及

    前述第一溫度在預定的容許範圍內時，通知能夠執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制。
18. 如請求項17所述之控制方法，其中，前述控制的步驟更包含：

    前述第一溫度不在前述預定的容許範圍內時，更將前述預定的驅動頻率從前述第一頻率修正成第二頻率、

    以前述第二頻率在預定的時間中驅動前述電路部、

    於經過前述預定的時間後估算前述承熱器的第二溫度、

    判定前述第二溫度是否在預定的容許範圍內、及

    前述第二溫度在預定的容許範圍內時，通知能夠執行根據預定的加熱曲線進行的前述霧氣源的加熱控制動作。
19. 如請求項18所述之控制方法，其中，前述控制的步驟更包含：前述第二溫度不在前述預定的容許範圍內時，不驅動前述電路部。
20. 如請求項16至19中任一項所述之控制方法，其中，前述控制的步驟包含：前述偏差的量大於或等於前述第一閾值時，不驅動前述電路部。

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