TW202247526A - 配線基板、配線基板之製造方法、圖像顯示裝置用積層體及圖像顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之配線基板具備：基板，其具有透明性；底塗層，其設置於基板上；及網格配線層，其配置於底塗層上，包含複數條第1方向配線、及連結複數條第1方向配線之複數條第2方向配線。底塗層包含高分子材料。第1方向配線與第2方向配線之交點中，形成於第1方向配線與第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓。
Description
本揭示之實施形態係關於一種配線基板、配線基板之製造方法、圖像顯示裝置用積層體及圖像顯示裝置。
目前，智慧型手機、平板等移動終端機器之高功能、小型化、薄型化及輕量化正在進展。由於該等移動終端機器使用複數個通信頻帶，故需要與通信頻帶對應之複數個天線。例如，於移動終端機器搭載有電話用天線、WiFi(Wireless Fidelity：無線保真)用天線、3G(Generation：代)用天線、4G(Generation)用天線、LTE(Long Term Evolution：長期演進)用天線、Bluetooth(藍芽)(註冊商標)用天線、NFC(Near Field Communication：近場通信)用天線等複數個天線。然而，隨著移動終端機器之小型化，天線之搭載空間受限制，天線設計之自由度縮小。又，由於將天線內置於有限之空間內，故未必為能滿足電波感度者。
因此，開發一種可搭載於移動終端機器之顯示區域之薄膜天線。該薄膜天線於透明基材上形成有天線圖案之透明天線中，由作為不透明之導電體層之形成部之導體部與作為非形成部之多個開口部之網格狀之導電體網格層，形成天線圖案。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-66610號公報
[專利文獻2]日本專利第5636735號說明書
[專利文獻3]日本專利第5695947號說明書
然而，例如先前之薄膜天線中，雖於透明基材上形成導電體網格層，但有透明基材與導電體網格層間之密接性降低之可能性。因此，謀求提高透明基材與導電體網格層間之密接性。
又，於搭載有薄膜天線之移動終端機器等中，有導電體網格層之週期與像素之週期干涉，導致產生疊紋(明暗之條紋圖案)之可能性。如此，產生疊紋之情形時，於移動終端機器等中，有導致圖像之視認性降低之虞。
本實施形態之目的之一在於，提供一種可提高基板與配線間之密接性之配線基板及配線基板之製造方法。
又，本實施形態之目的之一在於，提供一種可不易視認存在於圖像顯示裝置內之配線基板之存在之圖像顯示裝置用積層體及圖像顯示裝置。
再者，本實施形態之目的之一在於，提供一種可抑制疊紋產生之圖像顯示裝置及配線基板之製造方法。
本揭示之一實施形態之配線基板具備：基板，其具有透明性；底塗層，其設置於上述基板上；及網格配線層，其配置於上述底塗層上，包含複數條第1方向配線、及連結上述複數條第1方向配線之複數條第2方向配線；且上述底塗層包含高分子材料，上述第1方向配線與上述第2方向配線之交點中，形成於上述第1方向配線與上述第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓。
本揭示之一實施形態之配線基板中，形成俯視時帶圓之上述角部之上述第1方向配線之中心線與上述第2方向配線之中心線所成之角亦可於俯視時為銳角。
本揭示之一實施形態之配線基板中，上述底塗層之厚度亦可為0.05 μm以上0.5 μm以下。
本揭示之一實施形態之配線基板中，上述底塗層亦可包含丙烯酸系樹脂或聚酯系樹脂。
本揭示之一實施形態之配線基板中，上述高分子材料亦可交聯。
本揭示之一實施形態之配線基板亦可進而具備：虛設配線層，其亦可配置於上述網格配線層之周圍，包含與上述第1方向配線電性獨立之複數條虛設配線。
本揭示之一實施形態之配線基板亦可具有電波收發功能。
本揭示之一實施形態之配線基板亦可具有毫米波收發功能，上述網格配線層亦可構成為陣列天線。
本揭示之一實施形態之配線基板之製造方法具備：準備具有透明性之基板之步驟；於上述基板上形成底塗層之步驟；及於上述底塗層上，形成包含複數條第1方向配線、及連結上述複數條第1方向配線之複數條第2方向配線之網格配線層之步驟；且上述底塗層包含高分子材料，形成於上述第1方向配線與上述第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓。
本揭示之一實施形態之配線基板之製造方法中，於形成上述網格配線層之步驟中，亦可於上述底塗層上形成虛設配線層，該虛設配線層配置於上述網格配線層周圍，包含與上述第1方向配線電性獨立之複數條虛設配線。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體具備：配線基板，其具備具有透明性之基板、及配置於上述基板上之網格配線層；第1透明接著層，其具有大於上述基板之面積；及第2透明接著層，其具有大於上述基板之面積；且於上述第1透明接著層與上述第2透明接著層間之一部分區域，配置上述基板之一部分區域，上述基板與上述第1透明接著層之折射率之差為0.1以下，上述第2透明接著層與上述基板之折射率之差為0.1以下，上述第1透明接著層與上述第2透明接著層之折射率之差為0.1以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述第1透明接著層之厚度及上述第2透明接著層之厚度中至少一者之厚度亦可為上述基板之厚度之2倍以上。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述第1透明接著層之厚度與上述第2透明接著層之厚度亦可彼此相同，上述第1透明接著層之厚度及上述第2透明接著層之厚度亦可為上述基板之厚度之1.5倍以上。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述第1透明接著層之材料與上述第2透明接著層之材料亦可彼此相同。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述第1透明接著層之材料與上述第2透明接著層之材料亦可分別為丙烯酸系樹脂。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述基板之厚度亦可為50 μm以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，亦可於上述網格配線層之周圍，設置與上述網格配線層電性獨立之虛設配線層。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，亦可於上述網格配線層之周圍，設置與上述網格配線層電性獨立之複數個虛設配線層，上述複數個虛設配線層亦可開口率互不相同。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體具備：配線基板，其具備具有透明性之基板、配置於上述基板上之網格配線層、及覆蓋上述網格配線層之保護層；第1介電質層；及第2介電質層；且於上述第1介電質層與上述第2介電質層間之一部分區域，配置上述配線基板之一部分區域，將存在上述配線基板、上述第1介電質層及上述第2介電質層之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之可見光線之透過率設為第1透過率，將存在上述第1介電質層及上述第2介電質層且不存在上述配線基板之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之可見光線之透過率設為第2透過率時，上述第1透過率為83%以上90%以下，上述第1透過率與上述第2透過率之差為1.5%以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體具備：配線基板，其具備具有透明性之基板、配置於上述基板上之網格配線層、及覆蓋上述網格配線層之保護層；第1介電質層；及第2介電質層；且於上述第1介電質層與上述第2介電質層間之一部分區域，配置上述配線基板之一部分區域，將存在上述配線基板、上述第1介電質層及上述第2介電質層之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之霧度值設為第1霧度值，將存在上述第1介電質層及上述第2介電質層且不存在上述配線基板之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之霧度值設為第2霧度值時，上述第1霧度值為0.5%以上2%以下，上述第1霧度值與上述第2霧度值之差為0.5%以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體具備：配線基板，其具備具有透明性之基板、配置於上述基板上之網格配線層、及覆蓋上述網格配線層之保護層；第1介電質層；及第2介電質層；且於上述第1介電質層與上述第2介電質層間之一部分區域，配置上述配線基板之一部分區域，將存在上述配線基板、上述第1介電質層及上述第2介電質層之區域中之依據JIS Z 8722測定之上述圖像顯示裝置用積層體之擴散光線反射率設為第1擴散光線反射率，將存在上述第1介電質層及上述第2介電質層且不存在上述配線基板之區域中之依據JIS Z 8722測定之上述圖像顯示裝置用積層體之擴散光線反射率設為第2擴散光線反射率時，上述第1擴散光線反射率為0.05%以上1%以下，上述第1擴散光線反射率與上述第2擴散光線反射率之差為1.5%以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述基板之介電損耗因數亦可為0.002以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，進行100次將上述圖像顯示裝置用積層體沿直徑1 mm之圓筒之周圍彎曲180°後拉伸之作業時，上述網格配線層之電阻值之增大量亦可為20%以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述網格配線層亦可作為毫米波用天線發揮功能。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體中，上述網格配線層亦可構成為陣列天線。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置具備本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置用積層體、及積層於上述圖像顯示裝置用積層體之顯示裝置。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述網格配線層亦可包含複數條配線，上述網格配線層亦可由沿第1方向及與上述第1方向不同之第2方向重複排列之特定之單位圖案構成，上述顯示裝置亦可具有沿上述第1方向及上述第2方向重複排列之複數個像素，上述第1方向之上述單位圖案之間距亦可為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.05)倍(N為自然數)以下，或可為上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.05)倍以上，上述第2方向之上述單位圖案之間距亦可為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.05)倍(M為自然數)以下，或可為上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.05)倍以上。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置具備：配線基板，其具備具有透明性之基板、及配置於上述基板上，包含複數條配線之網格配線層；及顯示裝置，其積層於上述配線基板；且上述網格配線層由沿第1方向及與上述第1方向不同之第2方向重複排列之特定之單位圖案構成，上述顯示裝置具有沿上述第1方向及上述第2方向重複排列之複數個像素，上述第1方向之上述單位圖案之間距為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.05)倍以上，上述第2方向之上述單位圖案之間距為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.05)倍(M為自然數)以下、或上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.05)倍以上。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述第1方向之上述單位圖案之間距亦可為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.2)倍以上，或可為上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.2)倍以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述第2方向之上述單位圖案之間距亦可為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.2)倍以上，或可為上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.2)倍以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，N及M亦可分別為1以上6以下之自然數。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述配線之線寬亦可為5 μm以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述配線之線寬亦可為2 μm以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述網格配線層之開口率亦可為95%以上。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述網格配線層之片材電阻值亦可為4Ω/□以下，以120°之視角觀察各配線時之最長寬度亦可為3 μm以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述單位圖案亦可包含互相於不同方向延伸之第1方向配線及第2方向配線，上述第1方向配線與上述第2方向配線所成之角亦可為30°以上150°以下。
本揭示之一實施形態之圖像顯示裝置中，上述配線基板亦可具有毫米波收發功能，上述網格配線層亦可構成為陣列天線。
本揭示之一實施形態之配線基板之製造方法具備如下步驟：決定積層於上述配線基板之顯示裝置之像素之間距；準備具有透明性之基板；及基於上述像素之間距，於上述基板上形成網格配線層；且上述網格配線層由沿第1方向及與上述第1方向不同之第2方向重複排列之特定之單位圖案構成，上述第1方向之上述單位圖案之間距為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.05)倍以上，上述第2方向之上述單位圖案之間距為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.05)倍(M為自然數)以下、或上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.05)倍以上。
根據本揭示之實施形態，可提高基板與配線間之密接性。
又，根據本揭示之實施形態，可不易視認存在於圖像顯示裝置內之配線基板之存在。
再者，根據本揭示之實施形態，於圖像顯示裝置中，可抑制疊紋之產生。
(第1實施形態)
首先，根據圖1至圖7，對第1實施形態進行說明。圖1至圖7係顯示第1實施形態之圖。
以下所示之各圖係模式性顯示之圖。因此，為了容易理解而適當誇大各部之大小、形狀。又，於不脫離技術思想之範圍內可適當變更實施。另，以下所示之各圖中，有對同一部分標註同一符號，省略一部分詳細說明之情形。又，本說明書中記載之各構件之尺寸等之數值及材料名係作為實施形態之一例，不限定於此，可適當選擇使用。本說明書中，針對特定形狀或幾何學條件之用語，例如平行或正交、垂直等用語，除嚴格意指以外，亦包含實質相同之狀態而解釋。
第1實施形態中，「X方向」為相對於網格配線層之長邊方向垂直之方向，即相對於與第1方向配線之頻帶對應之長度方向垂直之方向。「Y方向」為與X方向垂直且相對於網格配線層之長邊方向平行之方向，即相對於與第1方向配線之頻帶對應之長度方向平行之方向。「Z方向」為與X方向及Y方向之兩者垂直且與配線基板之厚度方向平行之方向。又，「正面」意指Z方向正側之面，即對基板設有第1方向配線之面。「背面」意指Z方向負側之面，即對基板設有第1方向配線之面之相反側之面。另，本實施形態中，以網格配線層20為具有電波收發功能(作為天線之功能)之網格配線層之情形為例進行說明，但網格配線層20亦可不具有電波收發功能(作為天線之功能)。
[配線基板之構成]
參照圖1至圖5B，針對本實施形態之配線基板之構成進行說明。圖1至圖5B係顯示本實施形態之配線基板之圖。
如圖1所示，本實施形態之配線基板10例如為配置於圖像顯示裝置之顯示器上者。此種配線基板10具備具有透明性之基板11、設置於基板11上之底塗層15、及配置於底塗層15上之網格配線層20。其中，於網格配線層20電性連接有供電部40。又，配線基板10進而具備於底塗層15上配置於網格配線層20周圍之虛設配線層30。此處，首先對基板11進行說明。
基板11於俯視時為大致長方形狀，其長邊方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。基板11具有透明性且為大致平板狀，其厚度整體大致均一。基板11之長邊方向(Y方向)之長度L
1例如可於2 mm以上300 mm以下之範圍內選擇，亦可於10 mm以上200 mm以下之範圍內選擇。又，基板11之長邊方向(Y方向)之長度L
1例如可於20 mm以上500 mm以下之範圍內選擇，亦可於100 mm以上200 mm以下之範圍內選擇。基板11之短邊方向(X方向)之長度L
2例如可於2 mm以上300 mm以下之範圍內選擇，亦可於3 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。又，基板11之短邊方向(X方向)之長度L
2例如可於20 mm以上500 mm以下之範圍內選擇，亦可於50 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。另，基板11之角部亦可分別帶圓。
基板11之材料只要為具有可見光線區域內之透明性及電性絕緣性之材料即可。本實施形態中，基板11之材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯，但不限定於此。作為基板11之材料，較佳為例如聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、或環烯聚合物等聚烯烴系樹脂、三醋酸纖維素等纖維素系樹脂、PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(可溶性聚四氟乙烯)等氟樹脂材料等有機絕緣性材料。又，作為基板11之材料，亦可根據用途適當選擇玻璃、陶瓷等。另，雖圖示了基板11由單一層構成之例，但不限定於此，亦可為積層有複數個基材或層之構造。又，基板11可為薄膜狀，亦可為板狀。因此，基板11之厚度未特別限制，可根據用途適當選擇，但作為一例，基板11之厚度T
1(Z方向之長度，參照圖3)可設為例如10 μm以上200 μm以下之範圍。
基板11之介電損耗因數亦可為0.002以下，較佳為0.001以下。另，基板11之介電損耗因數之下限並無特別，亦可超過0。藉由基板11之介電損耗因數為上述範圍，尤其網格配線層20收發之電磁波(例如毫米波)為高頻波之情形時，可減小伴隨電磁波收發之增益(感度)之損失。另，基板11之介電損耗因數之下限未特別限定。基板11之相對介電常數未特別限定，亦可為2.0以上10.0以下。藉由基板11之相對介電常數為2.0以上，可增多基板11之材料選擇項。又，藉由基板11之相對介電常數為10.0以下，可減小伴隨電磁波收發之增益(感度)之損失。即，基板11之相對介電常數變大之情形時，基板11之厚度對電磁波傳播造成之影響變大。又，對電磁波傳播有不良影響之情形時，基板11之介電損耗因數變大，伴隨電磁波收發之增益(感度)之損失可能變大。相對於此，藉由基板11之相對介電常數為10.0以下，可減小基板11之厚度對電磁波傳播造成之影響。因此，可減小伴隨電磁波收發之增益(感度)之損失。尤其，網格配線層20收發之電磁波(例如毫米波)為高頻波之情形時，可減小伴隨電磁波收發之增益(感度)之損失。
基板11之介電損耗因數可依據IEC 62562測定。具體而言，首先，切出未形成網格配線層20之部分之基板11，準備試驗片。或，可切出形成有網格配線層20之基板11，藉由蝕刻等將網格配線層20去除。試驗片之尺寸設為寬度10 mm至20 mm，長度50 mm至100 mm。接著，依據IEC 62562測定介電損耗因數。基板11之相對介電常數與介電損耗因數可依據ASTM D150測定。
基板11具有透明性。本說明書中，具有透明性意指波長400 nm以上700 nm以下之光線之透過率為85%以上。基板11之可見光線之透過率亦可為85%以上，較佳為90%以上。基板11之可見光線之透過率之上限並無特別，亦可設為例如100%以下。藉由將基板11之可見光線之透過率設為上述範圍，可提高配線基板10之透明性，可容易視認裝入配線基板10之圖像顯示裝置之顯示器。另，可見光線是指波長為400 nm以上700 nm以下之光線。又，可見光線之透過率為85%以上，意指使用眾所周知之分光光度計(例如，日本分光股份有限公司製之紫外可見紅外分光光度計：V-670)，對基板11進行吸光度測定時，400 nm以上700 nm以下之全波長區域內，其透過率為85%以上。另，對於配線基板10之特定區域之透過率，亦可使用上述紫外可見紅外分光光度計「V-670」測定。測定存在網格配線層20之區域之透過率之情形時，以遍及上述紫外可見紅外分光光度計之測定範圍(例如10 mm×3 mm之範圍)整體包含網格配線層20之方式進行測定。
接著，對底塗層15進行說明。底塗層15發揮提高第1方向配線21、第2方向配線22及虛設配線30a與基板11之密接性之作用。本實施形態中，底塗層15設置於基板11之表面之大致整個區域。藉此，無須底塗層15之圖案化。因此，可削減製程步驟數。另，底塗層15亦可僅設置於基板11之表面中，設有第1方向配線21、第2方向配線22及虛設配線30a之區域。
該底塗層15包含高分子材料。藉此，可有效提高第1方向配線21、第2方向配線22及虛設配線30a與基板11之密接性。該情形時，作為底塗層15之材料，可使用無色透明之高分子材料。
底塗層15較佳為包含丙烯酸系樹脂或聚酯系樹脂。藉此，可更有效提高第1方向配線21、第2方向配線22及虛設配線30a、與基板11之密接性。底塗層15包含丙烯酸系樹脂之情形時，作為丙烯酸系樹脂，列舉將丙烯酸、甲基丙烯酸及該等之衍生物作為單體成分之聚合物。例如，可使用以丙烯酸、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯醯胺、丙烯腈、丙烯酸羥丙基酯等為主成分，將可與該等共聚之單體(例如苯乙烯、二乙烯基苯、丙烯腈等)共聚之聚合物。又，除上述單體外，添加1分子中具有2個丙烯基或甲基丙烯基之聚合物、或多官能聚氨酯丙烯酸酯等，或添加1分子具有2個以上環氧基之有機分子，藉此使丙烯酸系樹脂交聯而硬化。硬化形成之底塗層密接性優異。又，亦可發現耐水性、耐酸性、耐丙烯酸性或耐溶劑性、或該等之組合優異之功能。因此，可抑制於形成配線時或隨時間流逝引起之密接性降低之情況。
又，底塗層15包含聚酯系樹脂之情形時，底塗層15可藉由例如將含有羥基之聚酯系樹脂利用與羥基反應之硬化劑交聯而硬化形成。作為含有羥基之聚酯系樹脂，列舉聚酯多元醇，作為硬化劑，列舉聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物。使聚酯多元醇，聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物硬化而形成之底塗層15密接性優異。又，亦可發現耐水性、耐酸性、耐丙烯酸性或耐溶劑性，或該等之組合優異之功能。因此，可抑制密接性隨時間流逝而降低之情況。又，使聚酯多元醇，聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物硬化而形成之底塗層15耐熱性優異。因此，可不易受形成底塗層15後進行之各成膜步驟等中產生之熱量的影響，可抑制因熱量而產生底塗層15之泛白或裂縫等。
又，作為較佳之聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物之例，列舉IPDI系、XDI系、HDI系之聚異氰酸酯及/或聚異氰酸酯預聚物。藉由使用該等，可抑制底塗層15泛黃。此處，IPDI意指異佛爾酮二異氰酸酯與其變性形態，XDI意指二甲苯二異氰酸酯與其變性形態，HDI意指己二異氰酸酯與其變性形態。作為變性形態之例，列舉三羥甲基丙烷(TMP)加合體、異氰脲酸酯體、滴定管體、脲基甲酸酯體等。
又，底塗層15之高分子材料亦可藉由對高分子材料照射可見光線、紫外線、X射線、電子束、α射線、β射線、γ射線等而交聯，藉此硬化。藉此，可提高底塗層15之耐傷性及耐熱性。
底塗層15之厚度T
2(Z方向之長度，參照圖3)較佳為0.05 μm以上0.5 μm以下。藉由底塗層15之厚度T
2為0.05 μm以上，可有效提高第1方向配線21、第2方向配線22及虛設配線30a、與基板11之密接性。又，藉由底塗層15之厚度T
2為0.5 μm以下，可確保配線基板10之透明性。
接著，對網格配線層20進行說明。本實施形態中，網格配線層20包含具有作為天線之功能之天線圖案。圖1中，網格配線20於基板11上存在複數個(3個)，分別與不同頻帶對應。即，複數個網格配線層20之長度(Y方向之長度)L
a互不相同，分別具有與特定之頻帶對應之長度。另，對應之頻帶愈為低頻帶，網格配線層20之長度L
a愈長。配線基板10例如配置於圖像顯示裝置90之顯示器90a(參照後述之圖7)上之情形時，各網格配線層20之配線基板10亦可具有電波收發功能。該情形時，各網格配線層20亦可與電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線等之任一者對應。或，配線基板10不具有電波收發功能之情形時，各網格配線層20亦可發揮例如懸浮(使用者不直接接觸顯示器亦可操作之功能)、指紋認證、加熱器、雜訊消除(屏蔽)等功能。
各網格配線層20分別於俯視時為大致長方形狀。各網格配線層20其長邊方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。各網格配線層20之長邊方向(Y方向)之長度L
a例如可於1 mm以上100 mm以下之範圍內選擇，亦可於3 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。各網格配線層20之短邊方向(X方向)之寬度W
a例如亦可於1 mm以上10 mm以下之範圍內選擇。尤其，網格配線層20亦可為毫米波用天線。即，配線基板10亦可具有毫米波收發功能。網格配線層20為毫米波用天線之情形時，網格配線層20之長度L
a可於1 mm以上10 mm以下，更佳於1.5 mm以上5 mm以下之範圍內選擇。
網格配線層20具有金屬線分別形成格柵形狀或網眼形狀，於X方向及Y方向均一之重複圖案。即，如圖2所示，網格配線層20由以後述之第2方向配線22之一部分、與後述之第1方向配線21之一部分構成之大致L字狀之單位圖案20A(圖2之網點部分)之重複而構成。
如圖2A及圖2B所示，各網格配線層20包含具有作為天線之功能之複數條第1方向配線(天線配線)21、及連結複數條第1方向配線21之複數條第2方向配線(天線連結配線)22。具體而言，複數條第1方向配線21與複數條第2方向配線22整體成為一體，形成規則之格柵形狀或網眼形狀。各第1方向配線21及各第2方向配線22分別於與天線之頻帶對應之方向(Y方向)傾斜延伸。另，各第1方向配線21與各第2方向配線22互相銳角或鈍角交叉，但不限於此，亦可互相正交。該情形時，第1方向配線21亦可於與天線之頻帶對應之方向(Y方向)延伸，第2方向配線22亦可於與第1方向配線21正交之方向(X方向)延伸。
各網格配線層20中，藉由由彼此相鄰之第1方向配線21與彼此相鄰之第2方向配線22包圍，而形成複數個開口部23。又，第1方向配線21與第2方向配線22互相等間隔配置。即，複數條第1方向配線21互相等間隔配置，其間距P
1(參照圖2)可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。又，複數條第2方向配線22互相等間隔配置，其間距P
2(參照圖2)可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。如此，藉由複數條第1方向配線21與複數條第2方向配線22分別等間隔配置，各網格配線層20內，開口部23之大小無偏差，可不易以肉眼視認網格配線層20。又，第1方向配線21之間距P
1與第2方向配線22之間距P
2相等。因此，各開口部23分別於俯視時成為大致菱形狀，具有透明性之底塗層15及具有透明性之基板11自各開口部23露出。因此，藉由擴大各開口部23之面積，可提高作為配線基板10整體之透明性。另，各開口部23之沿X方向之長度L
3(參照圖2)可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。又，各開口部23之沿Y方向之長度L
4(參照圖2)可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。又，各開口部23亦可分別為俯視時大致正方形狀或俯視時大致長方形狀等形狀。再者，開口部23之形狀較佳設為整面相同形狀相同尺寸，亦可根據場所改變等設為整面不均一。
如圖3所示，各第1方向配線21與其長邊方向垂直之剖面成為大致長方形形狀或大致正方形形狀。該情形時，第1方向配線21之剖面形狀沿第1方向配線21之長邊方向大致均一。又，如圖4所示，與各第2方向配線22之長邊方向垂直之剖面之形狀為大致長方形形狀或大致正方形形狀，與上述之第1方向配線21之剖面形狀大致相同。該情形時，第2方向配線22之剖面形狀沿第2方向配線22之長邊方向大致均一。第1方向配線21與第2方向配線22之剖面形狀未必為大致長方形形狀或大致正方形形狀，亦可例如為正面側(Z方向正側)窄於背面側(Z方向負側)之大致梯形形狀，或位於寬度方向兩側之側面彎曲之形狀。
本實施形態中，第1方向配線21之線寬W
1(參照圖3)及第2方向配線22之線寬W
2(參照圖4)未特別限定，可根據用途適當選擇。例如，第1方向配線21之線寬W
1可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。又，第2方向配線22之線寬W
2可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。又，第1方向配線21之高度H
1(Z方向之長度，參照圖3)及第2方向配線22之高度H
2(Z方向之長度，參照圖4)未特別限定，可根據用途適當選擇，例如可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。
此處，如上所述，複數條第1方向配線21與複數條第2方向配線22整體成為一體，形成規則之網眼形狀。因此，如圖5A所示，於一條第1方向配線21與一條第2方向配線22之間，藉由一條第1方向配線21與一條第2方向配線22交叉，而形成4個角部25。本實施形態中，於一條第1方向配線21與一條第2方向配線22之間，形成有第1方向配線21之中心線CL
1與第2方向配線22之中心線CL
2所成之角θ
1於俯視時為銳角之一對角部25a、及中心線CL
1與中心線CL
2所成之角θ
2於俯視時為鈍角之一對角部25b。換言之，於中心線CL
1與中心線CL
2所成之角θ
1於俯視時為銳角之側形成有角部25a，於中心線CL
1與中心線CL
2所成之角θ
2於俯視時為鈍角之側形成有角部25b。
第1方向配線21與第2方向配線22之交點中，形成於第1方向配線21與第2方向配線22間之4個角部25亦可分別於俯視時帶圓。各個角部25於俯視時形成於第1方向配線21與第2方向配線22交叉之交點部26(圖5A之網點部分)周圍，向朝交點部26之側凹陷。該情形時，角部25a之曲率半徑R
1亦可例如分別為0 μm以上500 μm以下，更佳亦可為3 μm以上400 μm以下。又，角部25b之曲率半徑R
2亦可例如分別為0 μm以上500 μm以下，更佳亦可為5 μm以上400 μm以下。此處，曲率半徑R
1或曲率半徑R
2為0之情形時，意指角部25不帶圓。但，曲率半徑R
1及曲率半徑R
2之兩者未變為0。尤其，曲率半徑R
1非0者，於可抑制不可見性降低之點上較佳。此處，本說明書中，「第1方向配線與第2方向配線交叉之交點部」意指俯視時由一對第1暫稱直線IL
1與一對第2暫稱直線IL
2包圍之區域，其中上述一對第1暫稱直線IL
1自第1方向配線21之一對側面21a分別延伸，且相對於第1方向配線21之一對側面21a分別平行；上述一對第2暫稱直線IL
2自第2方向配線22之一對側面22a分別延伸，且相對於第2方向配線22之一對側面22a分別平行。
如此，藉由角部25於俯視時帶圓，可提高第1方向配線21及第2方向配線22與底塗層15之密接性。尤其，中心線CL
1與中心線CL
2所成之角θ
1於俯視時為銳角之角部25a中，使配線基板10撓曲之情形等時，有導致對角部25a局部施加較大力之可能性。相對於此，藉由角θ
1於俯視時為銳角之角部25a於俯視時帶圓，即使使配線基板10撓曲之情形等時，亦可抑制對角部25a局部施加較大力。因此，可有效提高第1方向配線21及第2方向配線22與底塗層15之密接性。
此處，如圖5B所示，交點部26之沿Y方向之長度L
Y、第1方向配線21之線寬W
1、角θ
1之間，以下之式(1)之關係成立。
因此，交點部26之沿Y方向之長度L
Y可使用第1方向配線21之線寬W
1及角θ
1，如以下之式(2)般表示。
該情形時，自第1方向配線21之中心線CL
1與第2方向配線22之中心線CL
2之交點IP，至角部25a之側面25c之最短距離L
c亦可為交點部26之沿Y方向之長度L
Y之0.5倍以上1.0倍以下，更佳亦可為0.55倍以上0.9倍以下。藉由最短距離L
c為長度L
Y之0.5倍以上，更佳為0.55倍以上，可有效提高第1方向配線21及第2方向配線22與底塗層15之密接性。又，藉由最短距離L
c為長度L
Y之1.0倍以下，更佳為0.9倍以下，可抑制不可見性降低。
又，如圖5B所示，交點部26之沿X方向之長度L
X、第1方向配線21之線寬W
1、角θ
1之間，以下之式(3)之關係成立。
因此，交點部26之沿X方向之長度L
X可使用第1方向配線21之線寬W
1及角θ
2，如以下之式(4)般表示。
該情形時，自第1方向配線21之中心線CL
1與第2方向配線22之中心線CL
2之交點IP，至角部25b之側面25d之最短距離L
d亦可為交點部26之沿X方向之長度L
X之0.5倍以上1.0倍以下，更佳亦可為0.55倍以上0.9倍以下。藉由最短距離L
d為長度L
X之0.5倍以上，更佳為0.55倍以上，可有效提高第1方向配線21及第2方向配線22與底塗層15之密接性。又，藉由最短距離L
d為長度L
X之1.0倍以下，更佳為0.9倍以下，可抑制不可見性降低。
第1方向配線21及第2方向配線22之材料只要為具有導電性之金屬材料即可。本實施形態中，第1方向配線21及第2方向配線22之材料為銅，但不限定於此。第1方向配線21及第2方向配線22之材料可使用例如金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵、鎳等金屬材料(包含合金)。又，第1方向配線21及第2方向配線22亦可為藉由電解鍍敷法形成之鍍敷層。
接著，對虛設配線層30進行說明。若再次參照圖1，則虛設配線層30以包圍各網格配線層20周圍之方式設置，以包圍各網格配線層20中，除供電部40側(Y方向負側)之周向整個區域(X方向正側、X方向負側、Y方向正側)之方式形成。該情形時，虛設配線層30遍及基板11及底塗層15上，即除網格配線層20及供電部40外之大致整個區域配置。該虛設配線層30與網格配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。
如圖2所示，虛設配線層30由具有特定之單位圖案之虛設配線30a之重複構成。即，虛設配線層30包含複數條相同形狀之虛設配線30a，各虛設配線30a分別與網格配線層20(第1方向配線21及第2方向配線22)及供電部40電性獨立。又，複數條虛設配線30a遍及虛設配線層30內之整個區域規則性配置。該虛設配線30a分別為俯視時大致L字狀，具有與第1方向配線21平行延伸之第1虛設配線部分31、及與第2方向配線22平行延伸之第2虛設配線部分32。其中，第1虛設配線部分31具有特定之長度L
5，第2虛設配線部分32具有特定之長度L
6，該等彼此相等(L
5=L
6)。
於第1虛設配線部分31延伸之方向上互相相鄰之虛設配線30a彼此之間，形成有空隙部33a(圖2之網點部分)，於第2虛設配線部分32延伸之方向上互相相鄰之虛設配線30a彼此之間，形成有空隙部33b(圖2之網點部分)。該情形時，虛設配線30a彼此互相等間隔配置。即，第1虛設配線部分31延伸之方向上互相相鄰之虛設配線30a彼此互相等間隔配置，該間隙G
1可設為例如1 μm以上20 μm以下之範圍。同樣，第2虛設配線部分32延伸之方向上互相相鄰之虛設配線30a彼此互相等間隔配置，其間隙G
2可設為例如1 μm以上20 μm以下之範圍。另，間隙G
1、G
2之最大值亦可分別設為上述之間距P
1、P
2之0.8倍以下。該情形時，虛設配線30a之間隙G
1與虛設配線30a之間隙G
2相等(G
1=G
2)。
本實施形態中，虛設配線30a具有上述網格配線層20之單位圖案20A之一部分缺失之形狀。即，虛設配線30a之形狀成為自網格配線層20之L字狀之單位圖案20A去除上述空隙部33a、33b之形狀。即，合併虛設配線層30之複數條虛設配線30a與複數個空隙部33a、33b之形狀相當於形成網格配線層20之網眼形狀。如此，藉由虛設配線層30之虛設配線30a設為網格配線層20之單位圖案20A之一部分缺失之形狀，可不易以目視辨識網格配線層20與虛設配線層30之差異，且可不易看到配置於基板11上之網格配線層20。
圖2中，網格配線層20與虛設配線層30於Y方向上相鄰。於該網格配線層20與虛設配線層30之邊界附近，第1虛設配線部分31形成於第1方向配線21之延長上。因此，不易以目視視認網格配線層20與虛設配線層30之差異。又，雖未圖示，但網格配線層20與虛設配線層30於X方向上相鄰之情形時，亦根據同樣之理由，較佳為第2虛設配線部分32形成於第2方向配線22之延長上。
如圖3所示，各虛設配線30a之第1虛設配線部分31係與其長邊方向垂直之剖面成為大致長方形形狀或大致正方形形狀。又，如圖4所示，各虛設配線30a之第2虛設配線部分32係與其長邊方向垂直之剖面成為大致長方形形狀或大致正方形形狀。該情形時，第1虛設配線部分31之剖面形狀與第1方向配線21之剖面形狀大致相同，第2虛設配線部分32之剖面形狀與第2方向配線22之剖面形狀大致相同。
本實施形態中，第1虛設配線部分31之線寬W
3(參照圖3)與第1方向配線21之線寬W
1大致相同，第2虛設配線部分32之線寬W
4(參照圖4)與第2方向配線22之線寬W
2大致相同。又，對於第1虛設配線部分31之高度H
3(Z方向之長度，參照圖3)及第2虛設配線部分32之高度H
4(Z方向之長度，參照圖4)，亦分別與第1方向配線21之高度H
1及第2方向配線22之高度H
2大致相同。
又，如圖5A所示，於第1虛設配線部分31與第2虛設配線部分32間形成有角部35。本實施形態中，形成角部35之第1虛設配線部分31之中心線CL
3與第2虛設配線部分32之中心線CL
4所成之角θ
3於俯視時成為銳角。
該角部35於俯視時帶圓。角部35於俯視時形成於第1虛設配線部分31與第2虛設配線部分32交叉之交點部36(圖5A之網點部分)周圍，於朝交點部36之側凹陷。該情形時，角部35之曲率半徑R
3亦可為例如3 μm以上500 μm以下。此處，本說明書中，「第1虛設配線部分與第2虛設配線部分交叉之交點部」意指虛設配線30a中，俯視時由一對第3暫稱直線IL
3與一對第4暫稱直線IL
4包圍之區域，其中上述一對第3暫稱直線IL
3自第1虛設配線部分31之一對側面31a分別延伸，且相對於第1虛設配線部分31之一對側面31a分別平行；上述一對第4暫稱直線IL
4自第2虛設配線部分32之一對側面32a分別延伸，且相對於第2虛設配線部分32之一對側面32a分別平行。
如此，藉由角部35於俯視時帶圓，可提高虛設配線30a與底塗層15之密接性。尤其，中心線CL
3與中心線CL
4所成之角θ
3於俯視時為銳角之角部35中，使配線基板10撓曲之情形等時，有導致對角部35局部施加較大力之可能性。相對於此，藉由角θ
3於俯視時為銳角之角部35於俯視時帶圓，使配線基板10撓曲之情形等時，亦可抑制對角部35局部施加較大力。因此，可有效提高虛設配線30a與底塗層15之密接性。
虛設配線30a之材料可使用與第1方向配線21之材料及第2方向配線22之材料相同之金屬材料。
然而，本實施形態中，上述網格配線層20及虛設配線層30分別具有特定之開口率At1、At2。其中，網格配線層20之開口率At1可設為例如85%以上99.9%以下之範圍，亦可設為87%以上未達100%之範圍，較佳為95%以上。藉由將網格配線層20整體之開口率At1設為該範圍，可確保配線基板10之導電性與透明性。又，藉由使網格配線層20整體之開口率At1為95%以上，可確保配線基板10之導電性且提高透明性。又，虛設配線層30之開口率At2可設為例如87%以上未達100%之範圍。該情形時，虛設配線層30之開口率At2大於網格配線層20之開口率At1(At2＞At1)。藉此，可確保配線基板10之透明性。另，不限於此，虛設配線層30之開口率At2亦可小於網格配線層20之開口率At1(At2＜At1)。
再者，網格配線層20及虛設配線層30整體之開口率(網格配線層20與虛設配線層30加起來的開口率)可設為例如87%以上未達100%之範圍。藉由將配線基板10整體之開口率At3設為該範圍，可確保配線基板10之導電性與透明性。
另，開口率意指開口區域(不存在第1方向配線21、第2方向配線22、虛設配線30a等金屬部分之基板11露出之區域)佔特定區域(網格配線層20、虛設配線層30或網格配線層20及虛設配線層30)之單位面積之面積的比例(%)。
另，雖未圖示，但亦可以覆蓋基板11之表面上即網格配線層20之方式，形成保護層。保護層為保護網格配線層20者，以覆蓋基板11中之至少網格配線層20之方式形成。作為保護層之材料，可使用聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸樹脂與該等之改性樹脂之共聚物、聚酯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯縮醛、聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯樹脂與該等之共聚物、聚氨酯、環氧樹脂、聚醯胺、氯化聚烯烴等無色透明之絕緣性樹脂。
若再次參照圖1，則供電部40電性連接於網格配線層20。該供電部40包含大致長方形狀之導電性之薄板狀構件。供電部40之長邊方向與X方向平行，供電部40之短邊方向與Y方向平行。又，供電部40配置於基板11之長邊方向端部(Y方向負側端部)。供電部40之材料可使用例如金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵、鎳等金屬材料(包含合金)。該供電部40於將配線基板10裝入圖像顯示裝置90(參照圖7)時，與圖像顯示裝置90之無線通信電路90b電性連接。另，供電部40設置於基板11之表面，但不限於此，亦可使供電部40之一部分或全部位於較基板11之周緣更外側。又，亦可藉由靈活地形成供電部40，而可使供電部40迴繞於圖像顯示裝置90之側面或背面，且於側面或背面電性連接。
[配線基板之製造方法]
接著，參照圖6A至圖6F，對本實施形態之配線基板之製造方法進行說明。圖6A至圖6F係顯示本實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
首先，準備具有透明性之基板11。
接著，如圖6A所示，於基板11上形成底塗層15。此時，底塗層15亦可形成於基板11之表面之大致整個區域。作為形成底塗層15之方法，亦可使用輥塗佈、凹版塗佈、凹版反向塗佈、微凹版塗佈、狹縫式塗佈、有模塗佈、刮刀塗佈、噴墨塗佈、分配器塗佈、吻合塗佈、噴鍍塗佈、網版印刷、平版印刷、柔版印刷。
接著，於底塗層15上，形成包含複數條第1方向配線21、及連結複數條第1方向配線21之複數條第2方向配線22之網格配線層20。又，此時，於底塗層15上，形成配置於網格配線層20周圍，包含與第1方向配線21電性獨立之複數條虛設配線30a之虛設配線層30。
此時，首先如圖6B所示，於底塗層15之表面之大致整個區域積層金屬箔51。本實施形態中，金屬箔51之厚度亦可為0.1 μm以上5.0 μm以下。本實施形態中，金屬箔51亦可包含銅。
接著，如圖6C所示，對金屬箔51之表面之大致整個區域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，可列舉例如丙烯酸樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。
接著，如圖6D所示，藉由光微影法形成絕緣層54。該情形時，藉由光微影法將光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，形成絕緣層54(抗蝕劑圖案)。此時，以使與第1方向配線21、第2方向配線22及虛設配線30a對應之金屬箔51露出之方式，形成絕緣層54。
接著，如圖6E所示，將底塗層15之表面上之金屬箔51去除。此時，藉由進行使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或該等之水溶液、或以上組合等之濕處理，以使底塗層15之表面露出之方式蝕刻金屬箔51。
接著，如圖6F所示，將絕緣層54去除。該情形時，藉由進行使用高錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯烷酮、酸性或鹼性溶液等之濕處理、或使用氧電漿之乾處理，將金屬箔51上之絕緣層54去除。
另，作為配線基板10之其他製造方法，可使用稱為所謂剝離法之以下方法。該情形時，首先，對底塗層15之表面之大致整個區域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。接著，藉由光微影法將光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，形成絕緣層54(抗蝕劑圖案)。接著，於絕緣層54之表面及自絕緣層54露出之底塗層15之表面之大致整個區域積層金屬箔51。其後，藉由將絕緣層54去除，直接形成於底塗層15上之金屬箔51以圖案狀殘留。
如此，獲得具有基板11、設置於基板11上之底塗層15、配置於底塗層15上之網格配線層20及虛設配線層30的配線基板10。該情形時，網格配線層20包含第1方向配線21及第2方向配線22，虛設配線層30包含虛設配線30a。
[本實施形態之作用]
接著，對包含此種構成之配線基板之作用進行敘述。
如圖7所示，配線基板10裝入具有顯示器90a之圖像顯示裝置90。配線基板10配置於顯示器90a上。作為此種圖像顯示裝置90，可列舉例如智慧型手機、平板等移動終端機器。配線基板10之網格配線層20經由供電部40電性連接於圖像顯示裝置90之無線通信用電路90b。如此，可經由網格配線層20收發特定頻率之電波，可使用圖像顯示裝置90進行通信。另，虛設配線層30與網格配線層20分開且電性獨立。因此，即使設有虛設配線層30之情形時，亦不對電波之收發產生影響。
然而，一般而言，由於金屬製之第1方向配線21及第2方向配線22與樹脂製之基板11之材料不同，故其密接力未必堅固。因此，亦認為於使用圖像顯示裝置90期間，對配線基板10朝彎曲方向施加力之情形等時，會導致第1方向配線21及第2方向配線22自基板11剝離。
相對於此，根據本實施形態，配線基板10具備：基板11，其具有透明性；底塗層15，其設置於基板11上；及網格配線層20，其配置於底塗層15上，包含複數條第1方向配線21、及連結複數條第1方向配線21之複數條第2方向配線22。又，底塗層15包含高分子材料。再者，第1方向配線21與第2方向配線22之交點中，形成於第1方向配線21與第2方向配線22間之4個角部25於俯視時帶圓。藉此，可提高第1方向配線21及第2方向配線22與底塗層15之密接性。藉此，使配線基板10撓曲之情形等時，亦可抑制第1方向配線21及第2方向配線22自底塗層15剝離。
此處，為了提高第1方向配線21及第2方向配線22、與底塗層15之密接性，考慮加寬第1方向配線21之線寬W
1及第2方向配線22之線寬W
2。另一方面，例如加寬第1方向配線21等之線寬之情形時，有可能導致網格配線層20之開口率At1變低且配線基板10整體之開口率At3變低。因此，有配線基板10整體變暗之可能性。相對於此，根據本實施形態，形成於第1方向配線21與第2方向配線22間之4個角部25於俯視時帶圓。藉此，可不降低配線基板10整體之開口率At3，提高第1方向配線21及第2方向配線22、與底塗層15之密接性。
再者，由於配線基板10具備：基板11，其具有透明性；底塗層15，其設置於基板11上；及網格配線層20，其配置於底塗層15上，包含複數條第1方向配線21及複數條第2方向配線22；故確保配線基板10之透明性。藉此，配線基板10配置於顯示器90a上時，可自網格配線層20之開口部23視認顯示器90a，因而不阻礙顯示器90a之視認性。
又，根據本實施形態，形成角部25a之第1方向配線21之中心線CL
1與第2方向配線22之中心線CL
2所成之角θ
1於俯視時為銳角。如此，藉由角θ
1於俯視時為銳角之角部25a於俯視時帶圓，於使配線基板10撓曲之情形等時，亦可抑制對角部25a局部施加較大力之情況。因此，可有效提高第1方向配線21及第2方向配線22、與底塗層15之密接性。
又，根據本實施形態，底塗層15包含丙烯酸系樹脂或聚酯系樹脂。藉此，可更有效提高第1方向配線21、第2方向配線22及虛設配線30a、與基板11之密接性。
又，根據本實施形態，使底塗層15之高分子材料交聯。藉此，可提高底塗層15之耐傷性及耐熱性。
再者，根據本實施形態，配線基板10進而具備：虛設配線層30，其配置於網格配線層20周圍，包含與第1方向配線21電性獨立之複數條虛設配線30a。如此，藉由於網格配線層20周圍配置虛設配線層30，可使網格配線層20與其以外之區域之邊界不清晰。藉此，可於圖像顯示裝置90中使網格配線層20不易看到，且可使圖像顯示裝置90之使用者不易以肉眼辨識網格配線層20。
另，上述實施形態中，對形成於第1方向配線21與第2方向配線22間之4個角部25分別於俯視時帶圓之例進行了說明，但不限於此。例如，雖未圖示，但只要形成於第1方向配線21與第2方向配線22間之4個角部25中之至少1個角部25於俯視時帶圓即可。即，亦可於第1方向配線21與第2方向配線22之間，形成俯視時不帶圓之角部25。該情形時，亦藉由至少1個角部25於俯視時帶圓，可提高第1方向配線21及第2方向配線22與底塗層15之密接性。因此，使配線基板10撓曲之情形等時，亦可抑制第1方向配線21及第2方向配線22自底塗層15剝離。
又，上述實施形態中，對網格配線層20包含具有作為天線之功能之天線圖案之例進行說明。該情形時，配線基板10亦可如上所述，具有毫米波收發功能。又，如圖8所示，網格配線層20亦可構成為陣列天線。如此，將網格配線層20構成為陣列天線之情形時，可提高收發前進性較高之毫米波之毫米波用天線性能。另，陣列天線意指將複數個天線元件(放射元件)規則配置之天線，即，可獨立控制元件之激勵之振幅及相位之天線。
網格配線層20較佳為於基板11上形成2個以上，更佳為於基板11上形成4個以上。圖示之例中，網格配線層20於基板11上形成3個(參照圖8)。各個網格配線層20亦可具有彼此相同之形狀。該情形時，各個網格配線層20較佳為長度(Y方向之長度)L
a之誤差及寬度(X方向之長度)W
a之誤差分別在10%以內。藉此，可有效提高毫米波用天線性能。
網格配線層20彼此之距離D
20(參照圖8)較佳為1 mm以上5 mm以下。藉由使網格配線層20彼此之距離D
20為1 mm以上，可抑制天線元件間之電磁波之意外之干涉。藉由使網格配線層20彼此之距離D
20為5 mm以下，可縮小網格配線層20構成之陣列天線整體之尺寸。例如，網格配線層20於28 GHz之毫米波用天線之情形時，網格配線層20彼此之距離D
20亦可為3.5 mm。又，網格配線層20於60 GHz之毫米波用天線之情形時，網格配線層20彼此之距離D
20亦可為1.6 mm。
(第2實施形態)
＜第1實施模式＞
接著，根據圖9至圖15F，對第2實施形態之第1實施模式進行說明。圖9至圖15F係顯示第2實施形態之第1實施模式之圖。圖9至圖15F中，有對與圖1至圖8所示之第1實施形態相同之部分標註相同符號，省略詳細說明之情形。
第2實施形態中，「X方向」意指相對於圖像顯示裝置之一邊平行之方向。「Y方向」意指與X方向垂直且相對於圖像顯示裝置之另一邊平行之方向。「Z方向」意指與X方向及Y方向之兩者垂直且相對於圖像顯示裝置之厚度方向平行之方向。又，「正面」意指Z方向正側之面，即圖像顯示裝置之發光面側，朝向觀察者側之面。「背面」意指Z方向負側之面，即與圖像顯示裝置之發光面及朝向觀察者側之面為相反側之面。
[圖像顯示裝置之構成]
參照圖9至圖10，對本實施形態之第1實施模式之圖像顯示裝置之構成進行說明。
如圖9及圖10所示，本實施模式之圖像顯示裝置60具備圖像顯示裝置用積層體70、及對圖像顯示裝置用積層體70積層之顯示裝置(顯示器)61。其中，圖像顯示裝置用積層體70具有第1透明接著層95、第2透明接著層96、及位於第1透明接著層95與第2透明接著層96間之配線基板10。配線基板10具備具有透明性之基板11、及配置於基板11上之網格配線層20。於網格配線層20，電性連接有供電部40。又，對於顯示裝置61，於Z方向負側配置有通信模組63。圖像顯示裝置用積層體70、顯示裝置61及通信模組63收容於殼體62內。
圖9及圖10所示之圖像顯示裝置60中，可經由通信模組63收發特定頻率之電波，且可進行通信。通信模組63亦可包含電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線等之任一者。作為此種圖像顯示裝置60，可列舉例如智慧型手機、平板等移動終端機器。
如圖10所示，圖像顯示裝置60具有發光面64。圖像顯示裝置60具備：配線基板10，其相對於顯示裝置61位於發光面64側(Z方向正側)；及通信模組63，其相對於顯示裝置61位於發光面64之相反側(Z方向負側)。
顯示裝置61例如包含有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置。顯示裝置61亦可包含例如未圖示之金屬層、支持基材、樹脂基材、薄膜電晶體(TFT：thin film transistor)、及有機EL層。於顯示裝置61上，亦可配置未圖示之觸控感測器。又，於顯示裝置61上，介隔第1透明接著層95配置有配線基板10。另，顯示裝置61並非限定於有機EL顯示裝置。例如，顯示裝置61可為其自身具有發光功能之其他顯示裝置，亦可為包含微LED(Light Emitting Diode：發光二極體)元件(發光體)之微LED顯示裝置。又，顯示裝置61亦可為包含液晶之液晶顯示裝置。於配線基板10上，介隔第2透明接著層96配置有玻璃蓋片(表面保護板)75。另，亦可於第2透明接著層96與玻璃蓋片75之間，配置未圖示之加飾薄膜及偏光板。
第1透明接著層95為將顯示裝置61與配線基板10直接或間接接著之接著層。第1透明接著層95亦可為具有光學透明性之OCA(Optical Clear Adhesive：光學膠)層。OCA層例如為如下述般製作之層。首先，於聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等離模薄膜上，塗佈包含共聚性化合物之液狀之硬化性接著層用組成物，使用例如紫外線(UV)等將其硬化，獲得OCA片材。將該OCA片材與對象物貼合後，將離模薄膜剝離去除，藉此獲得上述OCA層。第1透明接著層95之材料亦可為丙烯酸系樹脂、矽系樹脂或聚氨酯系樹脂等。
配線基板10如上所述，相對於顯示裝置61配置於發光面64側。該情形時，配線基板10位於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。更具體而言，於第1透明接著層95與第2透明接著層96間之一部分區域，配置有配線基板10之基板11之一部分區域。該情形時，第1透明接著層95、第2透明接著層96、顯示裝置61及玻璃蓋片75分別具有大於配線基板10之基板11之面積。如此，藉由將配線基板10之基板11配置於俯視時一部分區域而非圖像顯示裝置60之整面，可減薄作為圖像顯示裝置60整體之厚度。
配線基板10具備具有透明性之基板1、及配置於基板11上之網格配線層20。於網格配線層20，電性連接有供電部40。供電部40電性連接於通信模組63。又，配線基板10之一部分不配置於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間，而自第1透明接著層95與第2透明接著層96之間朝外方(Y方向負側)突出。具體而言，配線基板10中，設有供電部40之區域朝外方突出。藉此，可容易進行供電部40與通信模組63之電性連接。另一方面，配線基板10中，設有網格配線層20之區域位於第1透明接著層95與第2透明接著層96之間。另，對本實施形態之第1實施模式之配線基板10之細節，於下文進行敘述。
第2透明接著層96為將配線基板10與玻璃蓋片75直接或間接接著之接著層。第2透明接著層96亦可與第1透明接著層95同樣，為具有光學透明性之OCA(Optical Clear Adhesive)層。第2透明接著層96之材料亦可為丙烯酸系樹脂、矽系樹脂或聚氨酯系樹脂等。
本實施模式中，基板11與第1透明接著層95之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。又，第2透明接著層96與基板11之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。再者，第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。此處，折射率意指絕對折射率，可基於JIS K-7142之A法求得。例如，第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料為丙烯酸系樹脂(折射率1.49)之情形時，將基板11之折射率設為1.39以上1.59以下。作為此種材料，可列舉例如氟樹脂、矽系樹脂、聚烯烴樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、纖維素系樹脂等。
如此，藉由將基板11與第1透明接著層95之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制基板11與第1透明接著層95之界面B1上之可見光之反射，且不易以觀察者之肉眼視認基板11。又，藉由將第2透明接著層96與基板11之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制第2透明接著層96與基板11之界面B2上之可見光之反射，且不易以觀察者之肉眼視認基板11。再者，藉由將第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差抑制為0.1以下，可抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3上之可見光之反射，且不易以觀察者之肉眼視認第1透明接著層95與第2透明接著層96。
尤其，較佳為將第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料設為彼此相同。藉此，可更縮小第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差，且抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3上之可見光之反射。
又，圖10中，第1透明接著層95之厚度T
3與第2透明接著層96之厚度T
4中之至少一者之厚度亦可為基板11之厚度T
1之2倍以上，較佳為2.5倍以上。如此，藉由對於基板11之厚度T
1充分加厚第1透明接著層95之厚度T
3或第2透明接著層96之厚度T
4，而在與基板11重疊之區域中，使第1透明接著層95或第2透明接著層96於厚度方向變化，吸收基板11之厚度。藉此，可抑制基板11之周緣中於第1透明接著層95或第2透明接著層96產生階差，且使觀察者不易辨識出基板11之存在。
又，第1透明接著層95之厚度T
3及第2透明接著層96之厚度T
4中之至少一者之厚度亦可為基板11之厚度T
1之10倍以下，較佳為5倍以下。藉此，第1透明接著層95之厚度T
3或第2透明接著層96之厚度T
4未變得過厚，可減薄圖像顯示裝置60整體之厚度。
又，圖10中，第1透明接著層95之厚度T
3與第2透明接著層96之厚度T
4亦可彼此相同。該情形時，第1透明接著層95之厚度T
3及第2透明接著層96之厚度T
4亦可分別為基板11之厚度T
1之1.5倍以上，較佳為2.0倍以上。即，第1透明接著層95之厚度T
3及第2透明接著層96之厚度T
4之合計(T
3+T
4)為基板11之厚度T
1之3倍以上。如此，藉由對於基板11之厚度T
1充分加厚第1透明接著層95及第2透明接著層96之厚度T
3、T
4之合計，而在與基板11重疊之區域中，使第1透明接著層95與第2透明接著層96於厚度方向變化，吸收基板11之厚度。藉此，基板11之周緣中，可抑制於第1透明接著層95或第2透明接著層96產生階差，使觀察者不易辨識出基板11之存在。
又，第1透明接著層95之厚度T
3與第2透明接著層96之厚度T
4彼此相同之情形時，第1透明接著層95之厚度T
3及第2透明接著層96之厚度T
4亦可分別為基板11之厚度T
1之5倍以下，較佳為3倍以下。藉此，第1透明接著層95及第2透明接著層96之兩者之厚度T
3、T
4未變得過厚，可減薄圖像顯示裝置60整體之厚度。
具體而言，基板11之厚度T
1亦可為例如10 μm以上50 μm以下，較佳為15 μm以上25 μm以下。藉由將基板11之厚度T
1設為10 μm以上，可保持配線基板10之強度，網格配線層20之第1方向配線21及第2方向配線不易變化。又，藉由將基板11之厚度T
1設為50 μm以下，可抑制基板11之周緣中，於第1透明接著層95及第2透明接著層96產生階差，且使觀察者不易辨識基板11之存在。
第1透明接著層95之厚度T
3例如亦可設為15 μm以上500 μm以下，較佳設為20 μm以上250 μm以下。第2透明接著層96之厚度T
4例如亦可設為15 μm以上500 μm以下，較佳設為20 μm以上250 μm以下。
如上所述，由配線基板10、具有大於配線基板10之基板11之面積的第1透明接著層95、及具有大於基板11之面積的第2透明接著層96，構成圖像顯示裝置用積層體70。本實施模式中，亦提供此種圖像顯示裝置用積層體70。
玻璃蓋片(表面保護板)75直接或間接配置於第2透明接著層96上。該玻璃蓋片75為透過光之玻璃製之構件。玻璃蓋片75為板狀，亦可於俯視時為矩形狀。玻璃蓋片75之厚度亦可設為例如200 μm以上1000 μm以下，較佳設為300 μm以上700 μm以下。玻璃蓋片75之長邊方向(Y方向)之長度設為例如20 mm以上500 mm以下，較佳亦可設為100 mm以上200 mm以下，玻璃蓋片75之短邊方向(X方向)之長度設為20 mm以上500 mm以下，較佳亦可設為50 mm以上100 mm以下。
如圖9所示，圖像顯示裝置60於俯視時整體為大致長方形狀，其長邊方向與Y方向平行，其短邊方向與X方向平行。圖像顯示裝置60之長邊方向(Y方向)之長度L
4可於例如20 mm以上500 mm以下，較佳為100 mm以上200 mm以下之範圍內選擇，基板11之短邊方向(X方向)之長度L
5可於例如20 mm以上500 mm以下，較佳為50 mm以上100 mm以下之範圍內選擇。另，圖像顯示裝置60之角部亦可分別帶圓。
[配線基板之構成]
接著，參照圖11至圖14，對配線基板之構成進行說明。圖11至圖14係顯示本實施模式之配線基板之圖。
如圖11所示，本實施模式之配線基板10係使用於上述圖像顯示裝置60(參照圖9及圖10)，配置於較顯示裝置61更靠發光面64側，即第1透明接著層95與第2透明接著層96之間者。此種配線基板10具備具有透明性之基板11、及配置於基板11上之網格配線層20。又，於網格配線層20電性連接有供電部40。
基板11之材料為具有可見光線區域內之透明性與電性絕緣性之材料。基板11之材料如上所述，使用與第1透明接著層95之折射率之差為0.1以下，且與第2透明接著層96之折射率之差為0.1以下者。該情形時，作為基板11之材料，亦可使用與第1實施形態同樣之材料。
本實施模式中，網格配線層20包含具有作為天線之功能之天線圖案。圖11中，網格配線層20於基板11上形成1個。該網格配線層20與特定之頻帶對應。即，網格配線層20之長度(Y方向之長度)L
a成為與特定之頻帶對應之長度。另，亦可於基板11上形成複數個網格配線層20。該情形時，複數個網格配線層20之長度亦可互不相同，分別與不同頻帶對應。
網格配線層20具有供電部40側之基端側部分20a、及連接於基端側部分20a之前端側部分20b。基端側部分20a與前端側部分20b分別於俯視時具有大致長方形狀。該情形時，前端側部分20b之長度(Y方向距離)長於基端側部分20a之長度(Y方向距離)，前端側部分20b之寬度(X方向距離)寬於基端側部分20a之寬度(X方向距離)。另，本實施模式中，網格配線層20之短邊方向(X方向)之寬度W
a亦可為前端側部分20b之短邊方向(X方向)之寬度。
另，圖11中，顯示了網格配線層20作為單極天線發揮功能時之形狀，但不限於此，亦可設為偶極天線、環形天線、槽天線、微帶天線、平板天線等形狀。
網格配線層20具有金屬線分別形成格柵形狀或網眼形狀，於X方向及Y方向重複之圖案。即，網格配線層20具有由於X方向延伸之部分(第2方向配線22)及於Y方向延伸之部分(第1方向配線21)構成之圖案形狀。
如圖12所示，網格配線層20包含具有作為天線之功能之複數條第1方向配線(天線配線(配線))21、及連結複數條第1方向配線21之複數條第2方向配線(天線連結配線(配線))22。具體而言，複數條第1方向配線21與複數條第2方向配線22整體成為一體，形成格柵形狀或網眼形狀。各第1方向配線21於對應於天線之頻帶之方向(長邊方向、Y方向)延伸，各第2方向配線22於與第1方向配線21正交之方向(寬度方向、X方向)延伸。藉由第1方向配線21具有對應於特定頻帶之長度L
a(上述網格配線層20之長度，參照圖11)，主要發揮作為天線之功能。另一方面，第2方向配線22藉由將該等第1方向配線21彼此連結，而發揮抑制第1方向配線21斷線、或第1方向配線21與供電部40不電性連接之不良之作用。
如上所述，網格配線層20中，藉由由彼此相鄰之第1方向配線21、與彼此相鄰之第2方向配線22包圍，而形成複數個開口部23。又，第1方向配線21與第2方向配線22互相等間隔配置。即，複數條第1方向配線21互相等間隔配置，其間距P
1可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。又，複數條第2方向配線22互相等間隔配置，其間距P
2可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。如此，藉由複數條第1方向配線21與複數條第2方向配線22分別等間隔配置，可於網格配線層20內，使開口部23之大小無偏差，不易以肉眼視認網格配線層20。又，第1方向配線21之間距P
1與第2方向配線22之間距P
2相等。因此，本實施模式中，各開口部23分別於俯視時為大致正方形狀，具有透明性之基板11自各開口部23露出。因此，藉由擴大各開口部23之面積，可提高作為配線基板10整體之透明性。另，各開口部23之一邊之長度L
7可設為例如0.01 mm以上1 mm以下之範圍。另，各第1方向配線21與各第2方向配線22互相正交，但不限於此，亦可互相銳角或鈍角交叉。此處，第1方向配線21與第2方向配線22所成之角較佳為30°以上150°以下。藉此，形成網格配線層20時，可容易形成第1方向配線21與第2方向配線22。又，開口部23之形狀較佳為設為整面相同形狀相同尺寸，但亦可根據場所改變等設為整面不均一。
如圖13所示，各第1方向配線21與其長邊方向垂直之剖面(X方向剖面)成為大致長方形形狀或大致正方形形狀。該情形時，第1方向配線21之剖面形狀沿第1方向配線21之長邊方向(Y方向)大致均一。又，如圖14所示，與各第2方向配線22之長邊方向垂直之剖面(Y方向剖面)之形狀為大致長方形形狀或大致正方形形狀，與上述之第1方向配線21之剖面(X方向剖面)形狀大致相同。該情形時，第2方向配線22之剖面形狀沿第2方向配線22之長邊方向(X方向)大致均一。
本實施模式中，第1方向配線21之線寬W
1(X方向之長度，參照圖13)及第2方向配線22之線寬W
2(Y方向之長度，參照圖14)亦未特別限定，可根據用途適當選擇。例如，第1方向配線21之線寬W
1可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。又，第2方向配線22之線寬W
2可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。再者，第1方向配線21之高度H
1(Z方向之長度，參照圖13)及第2方向配線22之高度H
2(Z方向之長度，參照圖14)未特別限定，可根據用途適當選擇。第1方向配線21之高度H
1及第2方向配線22之高度H
2可分別於例如0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。
若再次參照圖11，則供電部40電性連接於網格配線層20。該供電部40於配線基板10裝入圖像顯示裝置60(參照圖9及圖10)時，與圖像顯示裝置60之通信模組63電性連接。另，供電部40設置於基板11之表面，但不限於此，亦可使供電部40之一部分或全部位於較基板11之周緣更外側。又，亦可藉由靈活地形成供電部40，而將供電部40迴繞於圖像顯示裝置60之側面或背面，且可於側面或背面電性連接。
[配線基板之製造方法]
接著，參照圖15A至圖15F，對本實施模式之配線基板之製造方法進行說明。圖15A至圖15F係顯示本實施模式之配線基板之製造方法之剖視圖。
如圖15A所示，準備具有透明性之基板11。
接著，於基板11上，形成包含複數條第1方向配線21、及連結複數條第1方向配線21之複數條第2方向配線22之網格配線層20。
此時，首先，如圖15B所示，於基板11之表面之大致整個區域積層金屬箔51。本實施模式中，金屬箔51之厚度亦可為0.1 μm以上5.0 μm以下。本實施模式中，金屬箔51亦可包含銅。
接著，如圖15C所示，對金屬箔51之表面之大致整個區域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，可列舉例如丙烯酸樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。
接著，如圖15D所示，藉由光微影法形成絕緣層54。該情形時，藉由光微影法將光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，形成絕緣層54(抗蝕劑圖案)。此時，以使與第1方向配線21及第2方向配線22對應之金屬箔51露出之方式，形成絕緣層54。
接著，如圖15E所示，將位於基板11之表面上之未由絕緣層54覆蓋之部分之金屬箔51去除。此時，藉由進行使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或該等之水溶液、或以上組合等之濕處理，以使基板11之表面露出之方式蝕刻金屬箔51。
接著，如圖15F所示，將絕緣層54去除。該情形時，藉由進行使用過錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯烷酮、酸性或鹼性溶液等之濕處理，或使用氧電漿之乾處理，將金屬箔51上之絕緣層54去除。
如此，獲得具有基板11、及設置於基板11上之網格配線層20之配線基板10。該情形時，網格配線層20包含第1方向配線21及第2方向配線22。
[本實施模式之作用]
接著，對包含此種構成之本實施模式之作用進行說明。
如圖9及圖10所示，配線基板10裝入具有顯示器61之圖像顯示裝置60中。此時，配線基板10配置於顯示裝置61上。配線基板10之網格配線層20經由供電部40，電性連接於圖像顯示裝置60之通信模組63。如此，可經由網格配線層20收發特定頻率之電波，可使用圖像顯示裝置60進行通信。
根據本實施模式，於第1透明接著層95與第2透明接著層96間之一部分區域，配置有基板11之一部分區域。又，基板11與第1透明接著層95之折射率之差為0.1以下，第2透明接著層96與基板11之折射率之差為0.1以下，第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差為0.1以下。藉此，可抑制基板11與第1透明接著層95之界面B1、第2透明接著層96與基板11之界面B2、及第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3上之可見光之反射。藉此，觀察者自發光面64側觀察圖像顯示裝置60時，可不易以肉眼視認配線基板10之基板11。尤其，第1透明接著層95與第2透明接著層96分別具有大於基板11之面積之情形時，可使觀察者之肉眼不易視認基板11之外緣，且使觀察者無法辨識出基板11之存在。
又，根據本實施模式，第1透明接著層95之厚度T
3及第2透明接著層96之厚度T
4中之至少一者之厚度亦可為基板11之厚度T
1之2倍以上。或，第1透明接著層95之厚度T
3與第2透明接著層96之厚度T
4彼此相同，第1透明接著層95之厚度T
3及第2透明接著層96之厚度T
4亦可為基板11之厚度T
1之1.5倍以上。藉此，由於第1透明接著層95及第2透明接著層96於厚度方向收縮，吸收基板11之厚度，故第1透明接著層95及第2透明接著層96中，於與基板11之外緣對應之位置不易產生階差。藉此，可使觀察者之肉眼不易視認基板11之外緣，且使觀察者無法辨識出基板11之存在。
又，根據本實施模式，第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料亦可彼此相同。又，第1透明接著層95之材料與第2透明接著層96之材料亦可分別為丙烯酸系樹脂。藉此，可實質上消除第1透明接著層95與第2透明接著層96之折射率之差，更確實抑制第1透明接著層95與第2透明接著層96之界面B3上之可見光之反射。
又，根據本實施模式，配線基板10具備具有透明性之基板11，及配置於基板11上之網格配線層20。由於該網格配線層20具有作為不透明導電體層之形成部之導體部、與多個開口部之網格狀之圖案，故確保配線基板10之透明性。藉此，將配線基板10配置於顯示裝置61上時，可自網格配線層20之開口部23視認顯示裝置61，不妨礙顯示裝置61之視認性。
[變化例]
接著，對本實施模式之配線基板之變化例進行說明。
(第1變化例)
圖16及圖17係顯示配線基板之第1變化例。圖16及圖17所示之變化例於在網格配線層20周圍設有虛設配線層30之點上不同，其他構成與上述圖9至圖15F所示之實施模式大致相同。圖16及圖17中，對與圖9至圖15F所示之實施模式相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
圖16所示之配線基板10中，沿網格配線層20周圍設有虛設配線層30。該虛設配線層30與網格配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。
如圖17所示，虛設配線層30由具有特定之單位圖案形狀之虛設配線30a之重複構成。即，虛設配線層30包含複數條相同形狀之虛設配線30a，各虛設配線30a分別與網格配線層20(第1方向配線21及第2方向配線22)電性獨立。又，複數條虛設配線30a遍及虛設配線層30內之整個區域規則性配置。複數條虛設配線30a互相於平面方向隔開，且於基板11上突出配置。即，各虛設配線30a與網格配線層20、供電部40及其他虛設配線30a電性獨立。各虛設配線30a分別為俯視時大致L字狀。
該情形時，虛設配線30a具有上述網格配線層20之單位圖案形狀(參照圖12)之一部分缺失之形狀。藉此，可不易以目視辨識網格配線層20與虛設配線層30之差異，可不易看到配置於基板11上之網格配線層20。虛設配線層30之開口率可與網格配線層20之開口率相同，亦可不同，較佳為接近網格配線層20之開口率。
如此，藉由於網格配線層20周圍配置與網格配線層20電性獨立之虛設配線層30，可使網格配線層20之外緣不清晰。藉此，可不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網格配線層20，圖像顯示裝置60之使用者可不易以肉眼辨識網格配線層20。
(第2變化例)
圖18及圖19係顯示配線基板之第2變化例。圖18及圖19所示之變化例係於在網格配線層20周圍設有開口率互不相同之複數個虛設配線層30A、30B之點上不同者，其他構成與上述圖9至圖17所示之實施模式大致相同。圖18及圖19中，對與圖9至圖17所示之實施模式相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
圖18所示之配線基板10中，沿網格配線層20周圍設有開口率互不相同之複數個(該情形時為2個)虛設配線層30A、30B(第1虛設配線層30A及第2虛設配線層30B)。具體而言，沿網格配線層20周圍配置有第1虛設配線層30A，沿第1虛設配線30A周圍配置有第2虛設配線層30B。該虛設配線層30A、30B與網格配線層20不同，實質上不發揮作為天線之功能。
如圖19所示，第1虛設配線層30A由具有特定之單位圖案形狀之虛設配線30a1之重複構成。又，第2虛設配線層30B由具有特定之單位圖案形狀之虛設配線30a2之重複構成。即，虛設配線層30A、30B分別包含複數條同一形狀之虛設配線30a1、30a2，各虛設配線30a1、30a2分別與網格配線層20電性獨立。又，虛設配線30a1、30a2分別遍及虛設配線層30A、30B內之整個區域規則性配置。各虛設配線30a1、30a2分別互相於平面方向隔開，且於基板11上突出配置。各虛設配線30a1、30a2分別與網格配線層20、供電部40及其他虛設配線30a1、30a2電性獨立。又，各虛設配線30a1、30a2分別為俯視時大致L字狀。
該情形時，虛設配線30a1、30a2具有上述網格配線層20之單位圖案形狀(參照圖12)之一部分缺失之形狀。藉此，可不易以目視辨識網格配線層20與第1虛設配線層30A之差異、及第1虛設配線層30A與第2虛設配線層30B之差異，且不易看到配置於基板11上之網格配線層20。第1虛設配線層30A之開口率大於網格配線層20之開口率，第1虛設配線層30A之開口率大於第2虛設配線層30B之開口率。
另，第1虛設配線層30A之各虛設配線30a1之面積大於第2虛設配線層30B之各虛設配線30a2之面積。該情形時，各虛設配線30a1之線寬與各虛設配線30a2之線寬相同，但不限於此，各虛設配線30a1之線寬亦可粗於各虛設配線30a2之線寬。又，亦可設置開口率互不相同之3個以上虛設配線層。該情形時，較佳為各虛設配線層之開口率自靠近網格配線層20者向遠離者逐漸變大。
如此，藉由配置與網格配線層20電性獨立之虛設配線層30A、30B，可使網格配線層20之外緣更不清晰。藉此，可不易於圖像顯示裝置60之表面上看到網格配線層20，且可使圖像顯示裝置60之使用者不易以肉眼辨識網格配線層20。
(第3變化例)
圖20係顯示配線基板之第3變化例。圖20所示之變化例係網格配線層20之平面形狀不同者，其他構成與上述圖9至圖19所示之實施模式大致相同。圖20中，對與圖9至圖19所示之實施模式相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
圖20係顯示一變化例之網格配線層20之放大俯視圖。圖20中，第1方向配線21與第2方向配線22傾斜(非直角)交叉，各開口部23於俯視時形成菱形狀。第1方向配線21及第2方向配線22皆分別不與X方向及Y方向平行，但第1方向配線21及第2方向配線22中之任一者亦可與X方向或Y方向平行。
(第4變化例)
圖21係顯示配線基板之第4變化例。圖21所示之變化例係於網格配線層20構成為陣列天線之點上不同者，其他構成與上述圖9至圖20所示之實施模式大致相同。圖21中，對與圖9至圖20所示之實施模式相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
圖21係顯示一變化例之圖像顯示裝置60之俯視圖。圖21中，網格配線層20構成為陣列天線。如此，將網格配線層20構成為陣列天線之情形時，可提高收發前進性較高之毫米波之毫米波用天線性能。
網格配線層20較佳為於基板11上形成2個以上，更佳為於基板11上形成4個以上。圖示之例中，網格配線層20於基板11上形成3個(參照圖21)。
前端側部分20b彼此之距離D
20b(參照圖21)較佳為1 mm以上5 mm以下。藉由前端側部分20b彼此之距離D
20b為1 mm以上，可抑制天線元件間之電磁波之意外之干涉。藉由前端側部分20b彼此之距離D
20b為5 mm以下，可縮小網格配線層20構成之陣列天線整體之尺寸。例如，網格配線層20於28 GHz之毫米波用天線之情形時，前端側部分20b彼此之距離D
20b亦可為3.5 mm。又，網格配線層20於60 GHz之毫米波用天線之情形時，前端側部分20b彼此之距離D
20b亦可為1.6 mm。
＜第2實施模式＞
接著，參照圖22，對第2實施形態之第2實施模式進行說明。圖22係顯示第2實施形態之第2實施模式之圖像顯示裝置之剖視圖。圖22中，對與圖1至圖8所示之第1實施形態、或圖9至圖21所示之第2實施形態之第1實施模式相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
如圖22所示，本實施模式之圖像顯示裝置60具備圖像顯示裝置用積層體70與顯示裝置(顯示器)61。其中，圖像顯示裝置用積層體70具有第1介電質層97、第2介電質層98及配線基板10。配線基板10具有基板11、網格配線層20及保護層17。
保護層17以覆蓋基板11之表面上即網格配線層20之方式形成。保護層17保護網格配線層20。保護層17亦可覆蓋網格配線層20之整個區域及供電部40之整個區域。該情形時，保護層17遍及基板11之整個區域形成。具體而言，保護層17形成於基板11之寬度方向(X方向)及長邊方向(Y方向)之大致整個區域。另，不限於此，保護層17亦可僅設置於基板11之一部分區域。例如，保護層17亦可僅形成於基板11之寬度方向之一部分區域。
作為保護層17之材料，可使用例如聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸樹脂與該等之改性樹脂之共聚物、聚酯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯縮醛、聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯樹脂與該等之共聚物、聚氨酯、環氧樹脂、聚醯胺、氯化聚烯烴等無色透明之絕緣性樹脂。又，保護層17之厚度亦可設為0.3 μm以上10 μm以下。
亦可於基板11與網格配線層20之間，形成未圖示之底塗層(例如圖3及圖4所示之底塗層15)。底塗層提高網格配線層20與基板11之密接性。底塗層亦可設置於基板11之表面之大致整個區域。底塗層亦可為無色透明。又，底塗層亦可包含高分子材料。藉此，可有效提高網格配線層20與基板11之密接性。底塗層較佳為包含丙烯酸系樹脂或聚酯系樹脂。藉此，可更有效提高與網格配線層20之密接性。底塗層之厚度亦可設為0.05 μm以上0.5 μm以下。藉由底塗層之厚度為上述範圍，可提高網格配線層20與基板11之密接性，且確保配線基板10之透明性。於基板11與網格配線層20間形成未圖示之底塗層之情形時，由基板11及底塗層15構成之積層體與基板11之折射率之差為0.1以下，較佳為0.05以下。藉此，可抑制基板11與底塗層之界面上之可見光之反射，且不易以觀察者之肉眼視認基板11。
配線基板10之其他構成亦可設為與上述第1實施模式之情形同樣之構成。
配線基板10配置於第1介電質層97與第2介電質層98之間。更具體而言，於第1介電質層97與第2介電質層98間之一部分區域，配置有配線基板10之一部分區域。該情形時，第1介電質層97及第2介電質層98分別具有大於配線基板10之基板11之面積。
第1介電質層97之整體由介電質構成。第1介電質層97具有第1透明接著層95與第1基材層91。其中，第1透明接著層95亦可具有與上述第1實施模式之情形同樣之構成。
第1基材層91亦可位於顯示裝置61與第1透明接著層95之間。或，第1基材層91亦可構成顯示裝置61之一部分。第1基材層91具有可見光線區域內之透明性及電性絕緣性。作為第1基材層91之材料，亦可使用例如環烯聚合物(例如日本Zeon公司製ZF-16)、聚降冰片烯聚合物(住友酚醛樹脂公司製)等有機絕緣性材料。又，作為第1基材層91之材料，可根據用途，適當選擇玻璃、陶瓷等。另，第1介電質層97亦可不包含第1基材層91。例如，第1介電質層97亦可僅包含第1透明接著層95。
第2介電質層98之整體由介電質構成。第2介電質層98具有第2透明接著層96與第2基材層92。其中，第2透明接著層96亦可具有與上述第1實施模式之情形同樣之構成。
第2基材層92亦可直接或間接配置於第2透明接著層96上。第2基材層92具有可見光線區域內之透明性及電性絕緣性。作為第2基材層92之材料，亦可使用例如環烯聚合物(例如日本Zeon公司製ZF-16)、聚降冰片烯聚合物(住友酚醛樹脂公司製)等有機絕緣性材料。又，作為第2基材層92之材料，亦可根據用途，適當選擇玻璃、陶瓷等。作為第2基材層92，亦可使用上述玻璃蓋片75。另，第2介電質層98亦可不包含第2基材層92。例如，第2介電質層98亦可僅包含第2透明接著層96。
本實施模式中，圖像顯示裝置用積層體70中，將配線基板10、第1介電質層97及第2介電質層98全部存在之區域設為第1區域A1。第1區域A1為自發光面64之法線方向觀察圖像顯示裝置用積層體70時，配線基板10、第1介電質層97及第2介電質層98互相重疊存在之區域。又，圖像顯示裝置用積層體70中，將存在第1介電質層97及第2介電質層98且不存在配線基板10之區域設為第2區域A2。第2區域A2為自發光面64之法線方向觀察圖像顯示裝置用積層體70時，第1介電質層97及第2介電質層98互相重疊存在且不存在配線基板10之區域。
圖22中，將透過第1區域A1之可見光線以符號V1表示。本實施模式中，可見光線V1透過第2基材層92、第2透明接著層96、保護層17、基板11、第1透明接著層95及第1基材層91。另，於保護層17與基板11間存在底塗層之情形時，可見光線V1亦透過底塗層。又，圖22中，將透過第2區域A2之可見光線以符號V2表示。本實施模式中，可見光線V2透過第2基材層92、第2透明接著層96、第1透明接著層95及第1基材層91。
該情形時，將第1區域A1中之圖像顯示裝置用積層體70之可見光線之透過率設為第1透過率t1。例如，圖22中，可見光線V1之透過率為第1透過率t1。另，第1透過率t1於不存在構成網格配線層20及虛設配線層30等之金屬之部位上測定。該情形時，第1透過率t1可為83%以上，亦可為87%以上。又，第1透過率t1可為90%以下，亦可為89%以下。另，較佳為第1區域A1之80%以上之區域中，第1透過率t1在上述範圍內，更佳為第1區域A1中不存在金屬之區域整體中，第1透過率t1在上述範圍內。
又，將第2區域A2中之圖像顯示裝置用積層體70之可見光線之透過率設為第2透過率t2。例如，圖22中，可見光線V2之透過率為第2透過率t2。此時，第1透過率t1與第2透過率t2之差(∣t1-t2∣)可為1.5%以下，亦可為1.1%以下。第1透過率t1與第2透過率t2之差(∣t1-t2∣)亦可為0%以上。另，不問第1透過率t1與第2透過率t2之大小關係。另，較佳為第1區域A1之80%以上之區域之任意點，與第2區域A2之80%以上之區域之任意點中，第1透過率t1與第2透過率t2之差在上述範圍內。又，較佳為第1區域A1中之不存在金屬之所有區域之任意點、與第2區域A2之所有區域之任意點中，第1透過率t1與第2透過率t2之差在上述範圍內。
第1透過率t1及第2透過率t2可使用日本分光股份有限公司製 紫外可見紅外分光光度計「V-670」，求得波長400 nm以上700 nm以下之範圍內，每1 nm測定之透過率之平均值。透過率100%意指波長400 nm以上700 nm以下之範圍內，每1 nm測定之所有波長之光完全透過對象物。例如，透過率100%意指於溫度20°C以上25°C以下，濕度30%以上70%以下之環境下，使用上述紫外可見紅外分光光度計「V-670」，以不放置對象物之狀態測定時獲得之值。又，例如第1透過率t1為83%以上90%以下，意指於波長400 nm以上700 nm以下之範圍內，每1 nm測定之透過率之平均值包含於83%以上90%以下之範圍內。
本實施模式中，適當調整第2基材層92、第2透明接著層96、保護層17、基板11、第1透明接著層95及第1基材層91之各透過率。藉此，可將第1透過率t1設為83%以上90%以下，將第1透過率t1與第2透過率t2之差設為1.5%以下。藉此，觀察者自發光面64側觀察圖像顯示裝置60時，可不易以肉眼視認配線基板10之外緣。其結果，使觀察者無法辨識出配線基板10之存在。
又，將第1區域A1中之圖像顯示裝置用積層體70之霧度值設為第1霧度值h1。例如，圖22中，可見光線V1之擴散程度為第1霧度值h1。另，第1霧度值h1於不存在構成網格配線層20之金屬之部位上測定。該情形時，第1霧度值h1可為0.5%以上，亦可為0.8%以上。又，第1霧度值h1可為2%以下，亦可為1.5%以下。另，較佳為第1區域A1之80%以上之區域中，第1霧度值h1在上述範圍內，更佳為第1區域A1中不存在金屬之區域整體中，第1霧度值h1在上述範圍內。
又，將第2區域A2中之圖像顯示裝置用積層體70之霧度值設為第2霧度值h2。例如，圖22中，可見光線V2之擴散程度為第2霧度值h2。此時，第1霧度值h1與第2霧度值h2之差(∣h1-h2∣)可為0.5%以下，亦可為0.3%以下。第1霧度值h1與第2霧度值h2之差(∣h1-h2∣)亦可為0%以上。另，不問第1霧度值h1與第2霧度值h2之大小關係。另，較佳為第1區域A1之80%以上區域之任意點、與第2區域A2之80%以上區域之任意點中，第1霧度值h1與第2霧度值h2之差在上述範圍內。又，較佳為第1區域A1中之不存在金屬之所有區域之任意點、與第2區域A2之所有區域之任意點中，第1霧度值h1與第2霧度值h2之差在上述範圍內。
第1霧度值h1及第2霧度值h2可依據JIS K-7136測定。
本實施模式中，適當調整第2基材層92、第2透明接著層96、保護層17、基板11、第1透明接著層95及第1基材層91之各霧度值。藉此，可將第1霧度值h1設為0.5%以上2%以下，將第1霧度值h1與第2霧度值h2之差設為0.5%以下。藉此，觀察者自發光面64側觀察圖像顯示裝置60時，可不易以肉眼視認配線基板10之外緣。其結果，使觀察者無法辨識出配線基板10之存在。
又，將第1區域A1中之圖像顯示裝置用積層體70之全光線反射率及擴散光線反射率分別設為第1全光線反射率R
SCI1及第1擴散光線反射率R
SCE1。例如，圖22中，可見光線V1之全光線反射率(R
SCI)為第1全光線反射率R
SCI1。又，可見光線V1之擴散光線反射率(R
SCE)為第1擴散光線反射率R
SCE1。另，第1全光線反射率R
SCI1及第1擴散光線反射率R
SCE1意指不存在構成網格配線層20之金屬之部位上之值。該情形時，第1全光線反射率R
SCI1可為9%以上，亦可為9.5%以上。又，第1全光線反射率R
SCI1可為11%以下，亦可為10.5%以下。另，較佳為第1區域A1之80%以上之區域中，第1全光線反射率R
SCI1在上述範圍內。又，更佳為第1區域A1中不存在金屬之區域整體中，第1全光線反射率R
SCI1在上述範圍內。
再者，第1擴散光線反射率R
SCE1可為0.05%以上，亦可為0.07%以下。又，第1擴散光線反射率R
SCE1可為1%以下，可為0.5%以下，可為0.15%以下，亦可為0.12%以下。另，較佳為第1區域A1之80%以上之區域中，第1擴散光線反射率R
SCE1在上述範圍內。又，更佳為第1區域A1中不存在金屬之區域整體中，第1擴散光線反射率R
SCE1在上述範圍內。
又，將第2區域A2中之圖像顯示裝置用積層體70之全光線反射率及擴散光線反射率分別設為第2全光線反射率R
SCI1及第2擴散光線反射率R
SCE2。例如，圖22中，可見光線V2之全光線反射率(R
SCI)為第2全光線反射率R
SCI2。又，可見光線V2之擴散光線反射率(R
SCE)為第2擴散光線反射率R
SCE2。此時，第1全光線反射率R
SCI1與第2全光線反射率R
SCI2之差(∣R
SCI1-R
SCI2∣)可為1%以下，亦可為0.5%以下。第1全光線反射率R
SCI1與第2全光線反射率R
SCI2之差(∣R
SCI1-R
SCI2∣)亦可為0%以上。不問第1全光線反射率R
SCI1與第2全光線反射率R
SCI2之大小關係。另，較佳為第1區域A1之80%以上區域之任意點、與第2區域A2之80%以上區域之任意點中，第1全光線反射率R
SCI1與第2全光線反射率R
SCI2之差在上述範圍內。又，較佳為第1區域A1中不存在金屬之區域整體之任意點、與第2區域A2之所有區域之任意點中，第1全光線反射率R
SCI1與第2全光線反射率R
SCI2之差在上述範圍內。
再者，第1擴散光線反射率R
SCE1與第2擴散光線反射率R
SCE2之差(∣R
SCE1-R
SCE2∣)可為1.5%以下，可為0.5%以下，可為0.05%以下，亦可為0.03%以下。第1擴散光線反射率R
SCE1與第2擴散光線反射率R
SCE2之差(∣R
SCE1-R
SCE2∣)亦可為0%以上。不問第1擴散光線反射率R
SCE1與第2擴散光線反射率R
SCE2之大小關係。另，較佳為第1區域A1之80%以上區域之任意點、與第2區域A2之80%以上區域之任意點中，第1擴散光線反射率R
SCE1與第2擴散光線反射率R
SCE2之差在上述範圍內。又，較佳為第1區域A1中不存在金屬之區域整體之任意點、與第2區域A2之所有區域之任意點中，第1擴散光線反射率R
SCE1與第2擴散光線反射率R
SCE2之差在上述範圍內。
第1全光線反射率R
SCI1、第1擴散光線反射率R
SCE1、第2全光線反射率R
SCI2、及第2擴散光線反射率R
SCE2可分別依據JIS Z 8722測定。
本實施模式中，適當調整第2基材層92、第2透明接著層96、保護層17、基板11、第1透明接著層95及第1基材層91之各全光線反射率(R
SCI)及各擴散光線反射率(R
SCE)。藉此，可將第1擴散光線反射率R
SCE1設為0.05%以上1%以下。又，可將第1擴散光線反射率R
SCE1與第2擴散光線反射率R
SCE2之差設為1.5%以下。藉此，可使觀察者自發光面64側觀察圖像顯示裝置60時，不易以肉眼視認配線基板10之外緣。其結果，使觀察者無法辨識出配線基板10之存在。
然而，對圖像顯示裝置用積層體70進行抗撓性試驗之情形時，網格配線層20之電阻值之增大量可為20%以下，亦可為10%以下。抗撓性試驗意指使用圓筒形卷筒撓曲試驗器，進行100次將圖像顯示裝置用積層體70沿直徑1 mm之圓筒周圍彎曲180°後拉伸之作業的試驗。
具體而言，如下述般進行試驗。首先，測定網格配線層20之長邊方向兩端間之電性電阻值。將此時之電阻值設為R
0(Ω)。接著，將圖像顯示裝置用積層體70捲繞於圓筒形卷筒撓曲試驗器之圓筒，且使圖像顯示裝置用積層體70之長邊方向兩端朝向180°相反方向。其後，將圖像顯示裝置用積層體70自圓筒去除，平坦拉伸。將該作業重複100次。其後，再次測定網格配線層20之長邊方向兩端間之電性電阻值。將此時之電阻值設為R
1(Ω)。此時，將由((R
1-R
0)/R
0)×100(%)求得之值設為電阻值之增大量。藉由該電阻值之增大量為20%以下，於將圖像顯示裝置用積層體70彎曲或撓曲使用之情形時，可提高圖像顯示裝置用積層體70之耐久性。
[實施例]
接著，對本實施模式之具體實施例進行說明。
(實施例1)
製作具備配線基板、第1介電質層及第2介電質層之圖像顯示裝置用積層體(實施例1)。配線基板具有基板、金屬層及保護層。基板為環烯聚合物(COP)(折射率：1.535)製，厚度設為13 μm。金屬層為銅製，厚度設為1 μm。網格配線層之線寬全部設為1 μm，開口部全部設為一邊為100 μm之正方形。保護層形成於基板上之整個區域。保護層為丙烯酸系樹脂(折射率：1.53)製，厚度設為10 μm。第1介電質層包含第1透明接著層與第1基材層。作為第1透明接著層，使用厚度25 μm之丙烯酸系樹脂製之OCA薄膜(折射率：1.53)。作為第1基材層，使用厚度100 μm之環烯聚合物(COP)(折射率：1.535)。第2介電質層包含第2透明接著層與第2基材層。作為第2透明接著層，使用厚度25 μm之丙烯酸系樹脂製之OCA薄膜(折射率：1.53)。作為第2基材層，使用厚度100 μm之環烯聚合物(COP)(折射率：1.535)。
(比較例1)
除使用厚度25 μm之丙烯酸系樹脂製之OCA薄膜(折射率：1.62)，作為第1透明接著層，使用厚度25 μm之丙烯酸系樹脂製之OCA薄膜(折射率：1.62)，作為第2透明接著層以外，與實施例1同樣地製作圖像顯示裝置用積層體(比較例1)。
[透過率]
接著，對於實施例1及比較例1之圖像顯示裝置用積層體，分別測定第1區域之可見光線之透過率即第1透過率t1、與第2區域之可見光線之透過率即第2透過率t2。透過率之測定方法如上所述。
接著，對於實施例1及比較例1之圖像顯示裝置用積層體，分別對裝入圖像顯示裝置內時之不可見性進行評估。將其結果顯示於表1。
另，對於不可見性之評估，於一般之目視檢查環境下對圖像顯示裝置之表面以30°、60°、90°之角度觀察時，將無法以目視辨別配線基板之外緣者判定為「高」。又，於一般之目視檢查環境下對基材表面以30°、60°、90°之角度觀察時，將可以目視辨別配線基板之外緣者判定為「低」。
[表1]
| 第1透過率t1 | 第2透過率t2 | ∣t1-t2∣ | 第2基材層之透過率 | 第2透明接著層之透過率 | 保護層之透過率 | 基板之透過率 | 第1透明接著層之透過率 | 第1基材層之透過率 | 評估 | |
| 實施例1 | 88% | 89% | 1% | 91.5% | 92% | 90.7% | 91.5% | 92% | 91.5% | 高 |
| 比較例1 | 86% | 88% | 2% | 91.5% | 92% | 90.7% | 91.5% | 92% | 91.5% | 低 |
如此，判明實施例1之圖像顯示裝置用積層體較比較例1之圖像顯示裝置用積層體之不可見性高。
[霧度值]
接著，對於實施例1及比較例1之圖像顯示裝置用積層體，分別測定第1區域之霧度值即第1霧度值h1、與第2區域之霧度值即第2霧度值h2。霧度值之測定方法如上所述。
接著，對於實施例1及比較例1之圖像顯示裝置用積層體，分別對裝入圖像顯示裝置內時之不可見性進行評估。將其結果顯示於表2。不可見性之評估方法如上所述。
[表2]
| 第1霧度值h1 | 第2霧度值h2 | ∣h1-h2∣ | 第2基材層之霧度值 | 第2透明接著層之霧度值 | 保護層之霧度值 | 基板之霧度值 | 第1透明接著層之霧度值 | 第1基材層之霧度值 | 評估 | |
| 實施例1 | 1.2% | 1.1% | 0.1% | 0.1% | 0.5% | 0.3% | 0.9% | 0.5% | 0.1% | 高 |
| 比較例1 | 1.8% | 1.1% | 0.7% | 0.1% | 0.8% | 0.3% | 0.1% | 0.8% | 0.1% | 低 |
如此，判明實施例1之圖像顯示裝置用積層體較比較例1之圖像顯示裝置用積層體之不可見性高。
[擴散光線反射率]
接著，對於實施例1及比較例1之圖像顯示裝置用積層體，分別測定第1擴散光線反射率R
SCE1。同樣，對於實施例1及比較例1之圖像顯示裝置用積層體，測定第2擴散光線反射率R
SCE2。擴散光線反射率之測定方法如上所述。
接著，對於實施例1及比較例1之圖像顯示裝置用積層體，分別對裝入圖像顯示裝置內時之不可見性進行評估。將其結果顯示於表3。不可見性之評估方法如上所述。
[表3]
| 第1擴散光線反射率R SCE1 | 第2擴散光線反射率R SCE2 | ∣R SCE1-R SCE2∣ | 評估 | |
| 實施例1 | 0.09% | 0.04% | 0.05% | 高 |
| 比較例1 | 3% | 3% | 2% | 低 |
如此，判明實施例1之圖像顯示裝置用積層體較比較例1之圖像顯示裝置用積層體之不可見性高。
(第3實施形態)
接著，根據圖23至圖33G，對第3實施形態進行說明。圖23至圖33G係顯示本實施形態之圖。圖23至圖33G中，有時對與圖1至圖8所示之第1實施形態、或圖9至圖22所示之第2實施形態相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
第3實施形態中，「X方向」意指相對於圖像顯示裝置之一邊平行之方向。「Y方向」意指與X方向垂直且相對於圖像顯示裝置之另一邊平行之方向。「Z方向」意指與X方向及Y方向之兩者垂直且與圖像顯示裝置之厚度方向平行之方向。又，「正面」意指Z方向正側之面，即圖像顯示裝置之發光面側，朝向觀察者側之面。「背面」意指Z方向負側之面，即與圖像顯示裝置之發光面及朝向觀察者側之面為相反側之面。另，本實施形態中，以網格配線層20為具有電波收發功能(作為天線之功能)之網格配線層20之情形為例進行說明，但網格配線層20亦可不具有電波收發功能(作為天線之功能)。
[圖像顯示裝置之構成]
參照圖23至圖26，對本實施形態之圖像顯示裝置之構成進行說明。
如圖23至圖24所示，圖像顯示裝置60具備配線基板10、及積層於配線基板10之顯示裝置61。其中，配線基板10具備具有透明性之基板11、及配置於基板11上之網格配線層20。於網格配線層20，電性連接有供電部40。又，對顯示裝置61，於Z方向負側配置有通信模組63。配線基板10、後述之介電質層80、顯示裝置61及通信模組63收容於殼體62內。
圖23及圖24所示之圖像顯示裝置60中，可經由通信模組63收發特定頻率之電波，且可進行通信。通信模組63亦可包含電話用天線、WiFi用天線、3G用天線、4G用天線、5G用天線、LTE用天線、Bluetooth(註冊商標)用天線、NFC用天線等之任一者。作為此種圖像顯示裝置60，可列舉例如智慧型手機、平板等移動終端機器。另，對本實施形態之配線基板10之細節於下文敘述。
接著，參照圖25，對圖像顯示裝置60之層構成進行說明。
如圖25所示，圖像顯示裝置60具有發光面64。圖像顯示裝置60具備：配線基板10，其相對於顯示裝置61位於發光面64側(Z方向正側)；及通信模組63，其相對於顯示裝置61位於發光面64之相反側(Z方向負側)。另，圖25中，主要對配線基板10、顯示裝置61及通信模組63之剖面進行顯示，省略殼體62等之顯示。
顯示裝置61例如包含有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置。該顯示裝置61具有沿第1方向(例如Y方向)及第2方向(例如X方向)重複排列之複數個像素P(參照圖26)。對像素P之細節於下文敘述。
顯示裝置61自發光面64之相反側(Z方向負側)依序包含金屬層66、支持基材67、樹脂基材68、薄膜電晶體(TFT)69、及有機EL層71。於顯示裝置61上配置有觸控感測器73。又，於觸控感測器73上，介隔第1透明接著層94配置有偏光板72。又，於偏光板72上，介隔第2透明接著層950配置有配線基板10。於配線基板10上，介隔第3透明接著層960配置有加飾薄膜74及玻璃蓋片(表面保護板)75。
另，顯示裝置61並非限定於有機EL顯示裝置。例如，顯示裝置61可為其自身具有發光功能之其他顯示裝置，亦可為包含微LED(Light Emitting Diode：發光二極體)元件(發光體)之微LED顯示裝置。又，顯示裝置61亦可為包含液晶之液晶顯示裝置。
金屬層66位於較有機EL層71之有機發光層(發光體)86更靠發光面64之相反側(Z方向負側)。該金屬層66發揮保護顯示裝置61免受位於顯示裝置61之外部之未圖示之其他電子機器發出之電磁波影響之作用。金屬層66亦可包含例如銅等導電性良好之金屬。金屬層66之厚度亦可設為例如1 μm以上100 μm以下，較佳設為10 μm以上50 μm以下。
支持基材67配置於金屬層66上。支持基材67為支持顯示裝置61整體者，例如亦可包含具有可撓性之薄膜。作為支持基材67之材料，可使用例如聚對苯二甲酸乙二醇酯。支持基板67之厚度亦可設為例如75 μm以上300 μm以下，較佳設為100 μm以上200 μm以下。
樹脂基材68配置於支持基材67上。樹脂基材68為支持薄膜電晶體69及有機EL層71等者，包含具有可撓性之平坦層。樹脂基材68亦可為藉由有模塗佈法、噴墨塗佈法、噴鍍塗佈法、電漿CVD(Chemical Vapor Deposition：化學汽相沈積)法或熱CVD法、毛細塗佈法、狹縫塗佈及旋轉法、或中央滴製法等方法而塗佈形成者。作為樹脂基材68，可使用例如有色之聚醯亞胺。樹脂基材68之厚度亦可設為例如7 μm以上30 μm以下，較佳設為10 μm以上20 μm以下。
薄膜電晶體(TFT)69配置於樹脂基材68上。薄膜電晶體69為用以驅動有機EL層71者，控制施加於有機EL層71之後述之第1電極85及第2電極87之電壓。薄膜電晶體69之厚度亦可設為例如7 μm以上30 μm以下，較佳設為10 μm以上20 μm以下。
薄膜電晶體69具有絕緣層81、埋設於絕緣層81內之閘極電極82、源極電極83及汲極電極84。絕緣層81例如為藉由積層具有電性絕緣性之材料而構成者，可使用眾所周知之有機材料或無機材料之任一者。例如，作為絕緣層81之材料，亦可使用氧化矽(SiO
2)、氮化矽(SiN
x)、氮氧化矽(SiON)、氮化矽(SiN)、或氧化鋁(AlO
x)。作為閘極電極82，例如可採用鉬-鎢合金、鈦與鋁之積層體等。作為源極電極83及汲極電極84，例如可使用鈦與鋁之積層體、銅錳與銅與鉬之積層體等。
有機EL層71配置於薄膜電晶體69上，電性連接於薄膜電晶體69。有機EL層71具有配置於樹脂基材68上之第1電極(反射電極、陽極電極)85、配置於第1電極85上之有機發光層(發光體)86、及配置於有機發光層86上之第2電極(透明電極、陰極電極)87。又，於薄膜電晶體69上，以被覆第1電極85之端緣之方式形成有擋堤88。藉由該擋堤88包圍而形成開口，於該開口內配置有上述有機發光層86。再者，第1電極85、有機發光層86、第2電極87及擋堤88由密封樹脂89密封。另，此處，第1電極85構成陽極電極，第2電極87構成陰極電極。然而，第1電極85及第2電極87之極性未特別限定。
第1電極85係藉由濺鍍法、蒸鍍法、離子鍍敷法、CVD法等方法而形成於樹脂基材68上者。作為第1電極85之材質，較佳為使用可效率良好地注入電洞之材質，可列舉例如鋁、鉻、鉬、鎢、銅、銀或金、以及該等之合金等金屬材料。
有機發光層(發光體)86具有藉由注入電洞與電子且再耦合，而產生激發狀態並發光之功能。有機發光層86係藉由蒸鍍法、自噴嘴塗佈塗佈液之噴嘴塗佈法、噴墨等印刷法而形成於第1電極85上者。作為有機發光層86，較佳為以藉由施加特定電壓而發光之方式構成之含有螢光性有機物質者，列舉例如羥基喹啉錯合物、噁唑錯合物、各種雷射色素、聚對苯撐乙烯等。另，複數個有機發光層86為紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層之任一者即紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層重複排列而形成。
第2電極(透明電極)87形成於有機發光層86上。第2電極87亦可藉由例如濺鍍法、蒸鍍法、離子鍍敷法、CVD法等方法而形成。作為第2電極87之材質，較佳為使用易注入電子，且光透過性良好之材質。具體而言，列舉氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋰、碳酸銫等。
擋堤88使用樹脂等具有絕緣性之有機材料而形成。作為用於形成擋堤88之有機材料之例，列舉丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、酚醛型苯酚樹脂等。
密封樹脂89配置於擋堤88上及第2電極87上。該密封樹脂89為保護有機發光層86者。作為密封樹脂89，可使用例如矽樹脂或丙烯酸系樹脂。密封樹脂89之厚度亦可設為例如7 μm以上30 μm以下，較佳設為10 μm以上20 μm以下。
另，自發光面64取出有機EL層71中發出之光。即，自密封樹脂89之上方取出來自有機EL層71之光。如此，本實施形態之顯示裝置61為所謂之頂部發光型顯示裝置。
觸控感測器73配置於有機EL層71上。該觸控感測器73係於手指等與顯示裝置61接觸時，檢測接觸位置資料並輸出者。觸控感測器73包含銅等金屬部分而構成。觸控感測器73之厚度亦可設為例如0.1 μｍ以上3.0 μm以下，較佳設為0.2 μｍ以上0.5 μｍ以下。
第1透明接著層94為將偏光板72與觸控感測器73接著之接著層。第1透明接著層94亦可為OCA(Optical Clear Adhesive：光學膠)層。OCA層例如為如下述般製作之層。首先，於聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等離模薄膜上，塗佈包含共聚性化合物之液狀之硬化性接著層用組成物，使用例如紫外線(UV)等將其硬化，獲得OCA片材。上述硬化性接著層用組成物亦可為丙烯酸系樹脂、矽系樹脂或聚氨酯系樹脂等光學用黏著劑。將該OCA片材與對象物貼合後，將離模薄膜剝離去除，藉此獲得上述OCA層。包含OCA層之第1透明接著層94具有光學透明性。第1透明接著層94之厚度亦可設為例如10 μm以上50 μm以下，較佳設為15 μm以上30 μm以下。
偏光板72介隔第1透明接著層94配置於觸控感測器73上。該偏光板72為過濾來自有機EL層71之光者。偏光板72亦可為圓偏光板。偏光板72亦可具有偏光件、及貼合於偏光件之兩側之具有透光性之一對保護膜。偏光板72之厚度亦可設為例如15 μm以上200 μm以下，較佳設為50 μm以上150 μm以下。
第2透明接著層950為將配線基板10與偏光板72接著之接著層。第2透明接著層950與第1透明接著層94同樣，亦可為OCA(Optical Clear Adhesive)層。第2透明接著層950之厚度亦可設為例如15 μm以上150 μm以下，較佳設為20 μm以上120 μm以下。又，第2透明接著層950亦可具有與第2實施形態之第1實施模式之第1透明接著層95同樣之構成。
配線基板10如上所述，相對於顯示裝置61配置於發光面64側。該情形時，配線基板10位於偏光板72與加飾薄膜74之間。配線基板10具備具有透明性之基板11、及配置於基板11上之網格配線層20。於網格配線層20，電性連接有供電部40。供電部40經由連接線41電性連接於通信模組63。基板11之厚度亦可設為例如10 μm以上200 μm以下，較佳設為30 μm以上120 μm以下。另，對本實施形態之配線基板10之細節於下文敘述。
本實施形態中，於配線基板10之基板11側積層有介電質層80。介電質層80為實質上不包含金屬之層，即具有絕緣性之層。該情形時，介電質層80包含上述第1透明接著層94、偏光板72、及第2透明接著層950。包含金屬之層與介電質層80中配線基板10之相反側之面相鄰。具體而言，觸控感測器73直接積層於介電質層80。
根據圖像顯示裝置60之層構成，介電質層80未必包含第1透明接著層94、偏光板72及第2透明接著層950全部。即，亦可不存在第1透明接著層94、偏光板72及第2透明接著層950中之一部分。或，可設置第1透明接著層94、偏光板72及第2透明接著層950以外之作為介電質發揮功能之層。任一情形時，介電質層80實質上皆不包含金屬等導電體，具有作為絕緣體之功能。
介電質層80之介電常數較佳設為3.5以下，進而較佳設為3.0以下。藉由抑制介電質層80之介電常數，可更有效抑制上述天線功能等網格配線層20之功能降低。
第3透明接著層960為將配線基板10與加飾薄膜74及玻璃蓋片75接著之接著層。第3透明接著層960與第1透明接著層94及第2透明接著層950同樣，亦可為OCA(Optical Clear Adhesive)層。第3透明接著層960之厚度亦可設為例如20 μm以上200 μm以下，較佳設為30 μm以上180 μm以下。又，第3透明接著層960亦可具有與第2實施形態之第1實施模式之第2透明接著層96同樣之構成。
加飾薄膜74配置於配線基板10上。該加飾薄膜74例如自觀察者側觀察，與顯示裝置61之顯示區域重疊部分之全部或一部分開口，將顯示區域以外之部分遮光。即，加飾薄膜74以自觀察者側觀察，覆蓋顯示裝置61之端部之方式配置。
玻璃蓋片(表面保護板)75配置於加飾薄膜74上。該玻璃蓋片75為透過光之玻璃製構件。玻璃蓋片75為板狀，亦可於俯視時為矩形狀。玻璃蓋片75之厚度亦可設為例如200 μm以上1000 μm以下，較佳設為300 μm以上700 μm以下。另，玻璃蓋片75之平面形狀亦可大於配線基板10、介電質層80及顯示裝置61之各平面形狀。
接著，參照圖26，對顯示裝置61之像素P進行說明。
圖26係顯示像素P及像素P所含之子像素S之配置構成之一例之俯視圖。另，圖26中，標註有顯示為「R」之子像素S表示發出紅色光之子像素S(上述紅色發光層)，標註有顯示為「G」之子像素S表示發出綠色光之子像素S(上述綠色發光層)，標註有顯示為「B」之子像素S表示發出藍色光之子像素S(上述藍色發光層)。
顯示裝置61具有規則性配置之複數個像素P。複數個像素P以一定間距P
X向X方向配置，其間距P
X亦可為例如50 μm以上200 μm以下左右之範圍。又，複數個像素P以一定間距P
Y向Y方向配置，其間距P
Y亦可為例如50 μm以上200 μm以下左右之範圍。
各像素P包含複數個子像素S，各子像素S包含可發出對應色之OLED(有機發光二極體)。圖26所示之例中，各像素P包含可發出3種顏色(即，紅色、綠色及藍色)之子像素S。各像素P所含之子像素S於X方向及Y方向之兩方向上排列。圖26所示之例中，發出綠色光之子像素S於X方向上，與發出紅色光之子像素S及發出藍色光之子像素S分開排列。又，發出紅色光之子像素S、與發出藍色光之子像素S於Y方向上互相分開排列。
另，各像素P所含之子像素S之種類(即發光色)及數量未特別限定，例如各像素P亦可包含可發出2種或4種以上顏色之子像素S。又，各像素P內之子像素S間之相對位置關係亦未特別限定，例如可以僅於X方向及Y方向中之任一者排列子像素S之方式配置，亦可使各像素P內之子像素S彼此靠近或密接配置。
如此，各子像素S構成各個發光元件，各像素P由構成重複單位之複數個子像素S之集合構成。另，像素P及子像素S之配置不限定於圖26所示之例，可以任意形態配置。例如，圖26所示之例中，正方形狀之各像素P之範圍內各包含各色(即紅色、綠色及藍色)之子像素S各1個，但各像素P之形狀未必限定於正方形狀，又，各像素P亦可包含複數個各色之子像素S。
[配線基板之構成]
接著，參照圖27至圖32，對配線基板之構成進行說明。圖27至圖32係顯示本實施形態之配線基板之圖。
如圖27所示，本實施形態之配線基板10係用於圖像顯示裝置60(參照圖23至圖25)者，即如上所述，配置於較有機發光層(發光體)86更靠發光面64側即玻璃蓋片75與介電質層80間者。此種配線基板10具備具有透明性之基板11、及配置於基板11上之網格配線層20。又，於網格配線層20電性連接有供電部40。
本實施形態中，網格配線層20包含具有作為天線之功能之天線圖案。圖27中，網格配線層20於基板11上形成有複數個(3個)，分別與不同頻帶對應。
如圖28所示，網格配線層20由沿第1方向(例如Y方向)及與第1方向不同之第2方向(例如X方向)重複排列之特定之單位圖案20A構成。又，該單位圖案20A沿與第1方向不同之第2方向(例如X方向)重複排列。換言之，網格配線層20具有金屬線分別形成格柵形狀或網眼形狀，於X方向及Y方向重複之圖案。即，網格配線層20由以於X方向延伸之部分(第2方向配線22之一部分)與於Y方向延伸之部分(第1方向配線21之一部分)構成之L字狀之單位圖案20A(圖28之網點部分)之重複而構成。換言之，單位圖案20A包含於互不相同之方向延伸之第1方向配線(天線配線(配線))21及第2方向配線(天線連結配線(配線))22。因此，本實施形態中，單位圖案20A之X方向之間距P
a與第1方向配線21之間距P
1相等，例如可設為0.01 mm以上1 mm以下之範圍。又，單位圖案20A之Y方向之間距P
b與第2方向配線22之間距P
2相等，例如可設為0.01 mm以上1 mm以下之範圍。
此處，本實施形態中，Y方向(第1方向)之單位圖案20A之間距P
b為Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N-0.05)倍(N為自然數)(非0))以下、或Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N+0.05)倍以上。藉此，可將因網格配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之疊紋之間距縮小至肉眼無法視認之程度。
即，上述圖像顯示裝置60中，配線基板10之網格配線層20以與顯示裝置61之像素P於Z方向上重疊之方式配置。因此，可能因網格配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生疊紋。相對於此，本實施形態中，Y方向(第1方向)之單位圖案20A之間距P
b為Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N+0.05)倍以上。藉此，自Z方向觀察之情形時，於Y方向上，單位圖案20A與像素P不規則配置。因此，可將因網格配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之疊紋之間距縮小至肉眼無法視認之程度。
又，X方向(第2方向)之單位圖案20A之間距P
a為X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M-0.05)倍(M為自然數)(非0))以下、或X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M+0.05)倍以上。藉此，自Z方向觀察之情形時，於X方向上，單位圖案20A與像素P不規則配置。因此，可將因網格配線層20之規則性、與像素P之規則性而產生之疊紋之間距縮小至肉眼無法視認之程度。
此處，Y方向(第1方向)之單位圖案20A之間距P
b較佳為Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N-0.2)倍以上、或Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N+0.2)倍以下。藉此，例如N變小之情形時，亦可抑制單位圖案20A之間距P
b變得過小。因此，可抑制網格配線層20之開口率At1變小，且可確保配線基板10之透明性。又，例如n變大之情形時，亦可抑制單位圖案20A之間距P
b變得過大。因此，可抑制網格配線層20之片材電阻值變得過大，且可維持其天線特性。
又，X方向(第2方向)之單位圖案20A之間距P
a較佳為X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M-0.2)倍以上、或X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M+0.2)倍以下。藉此，例如M變小之情形時，亦可抑制單位圖案20A之間距P
a變得過小。因此，可抑制網格配線層20之開口率At1變小，且可確保配線基板10之透明性。又，例如m變大之情形時，亦可抑制單位圖案20A之間距P
a變得過大。因此，可抑制網格配線層20之片材電阻值變得過大，且可維持其天線特性。
再者，N及M較佳分別為1以上6以下之自然數。藉由N及M分別為6以下之自然數，可抑制單位圖案20A之間距P
a及間距P
b變得過大。因此，可抑制網格配線層20之片材電阻值變得過大，且可維持其天線特性。
另，本實施形態中，各第1方向配線21與各第2方向配線22亦互相正交，但不限於此，亦可互相銳角或鈍角交叉。此處，上述單位圖案20A中，第1方向配線21與第2方向配線22所成之角較佳為30°以上150°以下。藉此，形成網格配線層20時，可容易形成第1方向配線21與第2方向配線22。
如圖29所示，本實施形態中，各第1方向配線21與其長邊方向垂直之剖面(X方向剖面)為大致長方形形狀或大致正方形形狀。該情形時，第1方向配線21之剖面形狀沿第1方向配線21之長邊方向(Y方向)大致均一。又，如圖30所示，本實施形態中，與各第2方向配線22之長邊方向垂直之剖面(Y方向剖面)之形狀為大致長方形形狀或大致正方形形狀，與上述第1方向配線21之剖面(X方向剖面)形狀大致相同。
本實施形態中，第1方向配線21之線寬W
1(X方向之長度，參照圖29)及第2方向配線22之線寬W
2(Y方向之長度，參照圖30)亦未特別限定，可根據用途適當選擇。例如，第1方向配線21之線寬W
1可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。又，第2方向配線22之線寬W
2可於0.1 μm以上5.0 μm以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μm以上2.0 μm以下。藉由第1方向配線21之線寬W
1為5.0 μm以下，即使產生疊紋之情形時，亦可使疊紋之濃度變淺，藉由線寬W
1為2.0 μm以下，可使疊紋之濃度進而變淺。同樣，藉由第2方向配線22之線寬W
2為5.0 μm以下，即使產生疊紋之情形時，亦可使疊紋之濃度變淺，藉由線寬W
2為2.0 μm以下，可使疊紋之濃度進而變淺。
再者，本實施形態中，第1方向配線21之高度H
1(Z方向之長度，參照圖29)及第2方向配線22之高度H
2(Z方向之長度，參照圖30)亦未特別限定，可根據用途適當選擇。第1方向配線21之高度H
1及第2方向配線22之高度H
2分別可於例如0.1 μm以上5.0 μ以下之範圍內選擇，較佳設為0.2 μ以上2.0 μ以下。
此處，網格配線層20之片材電阻值亦可為4 Ω/□以下。藉由將片材電阻值設為4 Ω/□以下，可維持網格配線層20之性能。具體而言，可提高作為天線之網格配線層20之放射效率(顯示將輸入至網格配線層20之單體之電力放射多少之比例)。
此處，網格配線層20之片材電阻值(Ω/□)可如下述般求得。即，實測網格配線層20之長邊方向(Y方向)兩端部20
e1、20
e2(參照圖31)間之電阻值R。接著，藉由該電阻值R除以網格配線層20之長度L
a與寬度W
a之比(L
a/W
a)，可求得網格配線層20之片材電阻值R
s(Ω/□)。即，片材電阻值R
s=R×W
a/L
a。
如此，與將網格配線層20之片材電阻值設為4Ω/□以下之情況相比，可提高網格配線層20單體之放射效率，且可提高作為網格配線層20之天線之性能。又，可於滿足上述片材電阻值之範圍內，將網格配線層20之寬度W
a及高度H
1、H
2盡可能抑制為最小。因此，可提高網格配線層20之開口率At1，且可使網格配線層20較難視認。
又，本實施形態中，分別以120°之視角觀察第1方向配線21及第2方向配線22時之最長寬度亦可為3 μm以下。
即，如圖32所示，相對於第1方向配線21(第2方向配線22)之長邊方向垂直之剖面中，規定自特定之視線L
D之方向觀察第1方向配線21(第2方向配線22)時之寬度W
D。且，該視線L
D於視角120°之範圍內移動時之最長之第1方向配線21(第2方向配線22)之寬度亦可為3 μm以下。
此處，視角意指將與基板11之表面垂直之法線N
L與朝向法線N
L與基板11之表面之交點O
Z之視線L
D之角度設為θ之情形時，成為2×θ之角度。又，自視線L
D之方向觀察時之寬度W
D意指與視線L
D平行之一對直線L
m、L
n於剖視時與第1方向配線21(第2方向配線22)接觸時之一對直線L
m、L
n間之距離。
例如，第1方向配線21(第2方向配線22)之高度H
1(H
2)、與第1方向配線21(第2方向配線22)之線寬W
1(W
2)相同之情形時(H
1=W
1(H
2=W
2))，以120°之視角觀察時之寬度W
D於θ=45°之情形時最長，其值為1.41×W
1。又，第1方向配線21(第2方向配線22)之高度H
1(H
2)為第1方向配線21(第2方向配線22)之線寬W
1(W
2)之2倍之情形時(H
1=2×W
1(H
2=2×W
2))，以120°之視角觀察時之寬度W
D於θ=60°之情形時最長，其值為2.23×W
1。
一般而言，使用者視認配線基板10之情形時，認為其視角最大為120°左右。又，人類可視認之第1方向配線21(第2方向配線22)之寬度最大為3 μm左右。因此，藉由將以120°之視角觀察第1方向配線21(第2方向配線22)時之最長寬度設為3 μm以下，可令使用者不易以肉眼辨識出第1方向配線21(第2方向配線22)。又，即使產生疊紋之情形時，亦可使疊紋之濃度變淺。
若再次參照圖29及圖30，則於基板11之表面上，以覆蓋網格配線層20之方式形成有保護層17。保護層17為保護網格配線層20者，形成於基板11之表面之大致整個區域。作為保護層17之材料，可使用聚(甲基)丙烯酸甲酯、聚(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸樹脂與該等之改性樹脂之共聚物、聚酯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯縮醛、聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯樹脂與該等之共聚物、聚胺酯、環氧樹脂、聚醯胺、氯化聚烯烴等無色透明之絕緣性樹脂。又，保護層17之厚度T
5可於0.3 μm以上100 μm以下之範圍內選擇。另，保護層17只要以覆蓋基板11中之至少網格配線層20之方式形成即可。又，未必形成保護層17。
[配線基板之製造方法]
接著，參照圖33A至圖33G，對本實施形態之配線基板之製造方法進行說明。圖33A至圖33G係顯示本實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
首先，決定積層於配線基板10之顯示裝置61之像素P之間距P
X、P
Y。
如圖33A所示，準備具有透明性之基板11。
接著，基於像素P之間距P
X、P
Y，於基板11上形成網格配線層20。
此時，首先，如圖33B所示，於基板11之表面之大致整個區域積層金屬箔51。本實施形態中，金屬箔51之厚度亦可為0.1 μm以上5.0 μm以下。本實施形態中，金屬箔51亦可包含銅。
接著，如圖33C所示，對金屬箔51之表面之大致整個區域供給光硬化性絕緣抗蝕劑52。作為該光硬化性絕緣抗蝕劑52，可列舉例如丙烯酸樹脂、環氧系樹脂等有機樹脂。
接著，如圖33D所示，藉由光微影法形成絕緣層54。該情形時，藉由光微影法將光硬化性絕緣抗蝕劑52圖案化，形成絕緣層54(抗蝕劑圖案)。此時，以對應於第1方向配線21及第2方向配線22之金屬箔51露出之方式，形成絕緣層54。
接著，如圖33E所示，將位於基板11之表面上之未由絕緣層54覆蓋之部分之金屬箔51去除。此時，藉由進行使用氯化鐵、氯化銅、硫酸、鹽酸等強酸、過硫酸鹽、過氧化氫或該等之水溶液、或以上組合等之濕處理，以基板11之表面露出之方式蝕刻金屬箔51。
接著，如圖33F所示，將絕緣層54去除。該情形時，藉由進行使用過錳酸鹽溶液或N-甲基-2-吡咯烷酮、酸性或鹼性溶液等之濕處理、或使用氧電漿之乾處理，將金屬箔51上之絕緣層54去除。
如此，獲得具有基板11、及設置於基板11上之網格配線層20之配線基板10。該情形時，網格配線層20包含第1方向配線21及第2方向配線22。
其後，如圖33G所示，以覆蓋基板11上之網格配線層20之方式形成保護層17。作為形成保護層17之方法，亦可使用輥塗佈、凹版塗佈、凹版反向塗佈、微凹版塗佈、狹縫式塗佈、有模塗佈、刮刀塗佈、噴墨塗佈、分配器塗佈、吻合塗佈、噴鍍塗佈、網版印刷、平版印刷、柔版印刷。
[本實施形態之作用]
接著，對包含此種構成之本實施形態之作用進行敘述。
如圖23至圖25所示，配線基板10裝入具有顯示裝置61之圖像顯示裝置60中。配線基板10配置於顯示裝置61上。配線基板10之網格配線層20經由供電部40，電性連接於圖像顯示裝置60之通信模組63。如此，可經由網格配線層20收發特定頻率之電波，且可使用圖像顯示裝置60進行通信。
然而，圖像顯示裝置60中，配線基板10之網格配線層20以與顯示裝置61之像素P於Z方向上重疊之方式配置。因此，可因網格配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生疊紋。
相對於此，本實施形態中，Y方向(第1方向)之單位圖案20A之間距P
b為Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N+0.05)倍以上。藉此，自Z方向觀察之情形時，於Y方向上，單位圖案20A與像素P不規則配置。因此，可將因網格配線層20之規則性(週期性)與像素P之規則性(週期性)而產生之疊紋之間距縮小至肉眼無法視認之程度。
又，X方向(第2方向)之單位圖案20A之間距P
a為X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M-0.05)倍(M為自然數)以下、或X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M+0.05)倍以上。藉此，自Z方向觀察之情形時，於X方向上，單位圖案20A與像素P不規則配置。因此，可將因網格配線層20之規則性與像素P之規則性而產生之疊紋之間距縮小至肉眼無法辨識之程度。
[變化例]
接著，對本實施形態之圖像顯示裝置及配線基板之變化例進行說明。
(第1變化例)
圖34係顯示圖像顯示裝置之第1變化例。圖34所示之變化例係於介電質層80積層於配線基板10之網格配線層20側之點上不同者，其他構成與上述圖23至圖33所示之實施形態大致相同。圖34中，對與圖23至圖33所示之形態相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
圖34所示之圖像顯示裝置60中，配線基板10之基板11朝向玻璃蓋片75側(Z方向正側)，配線基板10之網格配線層20及供電部40朝向介電質層80側。介電質層80為實質上不包含金屬之層，包含第1透明接著層94、偏光板72及第2透明接著層950。
(第2變化例)
圖35係顯示配線基板之第2變化例。圖35所示之變化例係網格配線層20之平面形狀不同，其他構成與上述圖23至圖34所示之實施形態大致相同。圖35中，對與圖23至圖34所示之形態相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
圖35中，第1方向配線21與第2方向配線22傾斜(非直角)交叉，各開口部23於俯視時形成菱形狀。第1方向配線21及第2方向配線22皆未與X方向及Y方向平行，但亦可使第1方向配線21及第2方向配線22中之任一者與X方向或Y方向平行。
本變化例中，亦藉由使Y方向(第1方向)之單位圖案20A之間距P
b為Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或Y方向(第1方向)之像素P之間距P
Y之(N+0.05)倍以上，而可將產生之疊紋之間距縮小至肉眼無法視認之程度。
又，藉由使X方向(第2方向)之單位圖案20A之間距P
a為X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M-0.05)倍(M為自然數)以下、或X方向(第2方向)之像素P之間距P
X之(M+0.05)倍以上，而可將產生之疊紋之間距縮小至肉眼無法視認之程度。
(第3變化例)
圖36係顯示配線基板之第3變化例。圖36所示之變化例係網格配線層20構成為陣列天線之點上不同者，其他構成與上述圖23至圖35所示之實施形態大致相同。圖36中，對與圖23至圖35所示之實施形態相同之部分標註相同符號，省略詳細說明。
圖36係顯示一變化例之圖像顯示裝置60之俯視圖。圖36中，網格配線層20構成為陣列天線。又，配線基板10亦可具有毫米波收發功能。如此，將網格配線層20構成為陣列天線之情形時，可提高收發前進性較高之毫米波之毫米波用天線性能。
網格配線層20較佳為於基板11上形成2個以上，較佳為於基板11上形成4個以上。圖示之例中，網格配線層20於基板11上形成3個(參照圖36)。
網格配線層20彼此之距離D
20(參照圖36)較佳為1 mm以上5 mm以下。藉由網格配線層20彼此之距離D
20為1 mm以上，可抑制天線元件間之電磁波之意外之干涉。藉由網格配線層20彼此之距離D
20為5 mm以下，可縮小網格配線層20構成之陣列天線整體之尺寸。例如，網格配線層20為28 GHz之毫米波用天線之情形時，網格配線層20彼此之距離D
20亦可為3.5 mm。又，網格配線層20為60 GHz之毫米波用天線之情形時，網格配線層20彼此之距離D
20亦可為1.6 mm。
亦可根據需要，適當組合上述各實施形態及各變化例所揭示之複數個構成要件。或可自上述各實施形態及各變化例所示之所有構成要件刪除若干構成要件。
10:配線基板
11:基板
15:底塗層
17:保護層
20:網格配線層
20A:單位圖案
20a:基端側部分
20b:前端側部分
20
e1:長邊方向兩端部
20
e2:長邊方向兩端部
21:第1方向配線
21a:側面
22:第2方向配線
22a:側面
23:開口部
25:角部
25a:角部
25b:角部
25c:側面
25d:側面
26:交點部
30:虛設配線層
30A:第1虛設配線層
30a:虛設配線
30a1:虛設配線
30a2:虛設配線
30B:虛設配線層
31:第1虛設配線部分
31a:側面
32:第2虛設配線部分
32a:側面
33a:空隙部
33b:空隙部
35:角部
36:交點部
40:供電部
41:連接線
51:金屬箔
52:光硬化性絕緣抗蝕劑
54:絕緣層
60:圖像顯示裝置
61:顯示裝置
62:殼體
63:通信模組
64:發光面
66:金屬層
67:支持基材
68:樹脂基材
69:薄膜電晶體
70:圖像顯示裝置用積層體
71:有機EL層
72:偏光板
73:觸控感測器
74:加飾薄膜
75:玻璃蓋片
80:介電質層
81:絕緣層
82:閘極電極
83:源極電極
84:汲極電極
85:第1電極
86:有機發光層
87:第2電極
88:擋堤
89:密封樹脂
90:圖像顯示裝置
90a:顯示器
90b:無線通信電路
91:第1基材層
92:第2基材層
94:第1透明接著層
95:第1透明接著層
96:第2透明接著層
97:第1介電質層
98:第2介電質層
950:第2透明接著層
960:第3透明接著層
A1:第1區域
A2:第2區域
B1:界面
B2:界面
B3:界面
CL
1~CL
4:中心線
D
20:距離
G
1:間隙
G
2:間隙
H
1:高度
H
2:高度
H
3:高度
H
4:高度
IL
1:第1暫稱直線
IL
2:第2暫稱直線
IL
3:第3暫稱直線
IL
4:第4暫稱直線
L
1~L
7:長度
L
a:長度
L
c:最短距離
L
D:視線
L
d:最短距離
L
m:直線
L
n:直線
L
X:長度
L
Y:長度
N
L:法線
O
Z:交點
P:像素
P
1:間距
P
2:間距
P
a:間距
P
b:間距
P
X:間距
P
Y:間距
R:電阻值
R
1:曲率半徑
R
2:曲率半徑
R
3:曲率半徑
S:子像素
T
1~T
5:厚度
V1:透過第1區域A1之可見光線
V2:透過第2區域A2之可見光線
W
1~W
4:線寬
W
a:寬度
W
D:寬度
θ:角
θ
1:角
θ
2:角
θ
3:角
圖1係顯示第1實施形態之配線基板之俯視圖。
圖2係顯示第1實施形態之配線基板之放大俯視圖(圖1之II部放大圖)。
圖3係顯示第1實施形態之配線基板之剖視圖(圖2之III-III線剖視圖)。
圖4係顯示第1實施形態之配線基板之剖視圖(圖2之IV-IV線剖視圖)。
圖5A係顯示第1實施形態之配線基板之放大俯視圖。
圖5B係顯示第1實施形態之配線基板之放大俯視圖。
圖6A係顯示第1實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖6B係顯示第1實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖6C係顯示第1實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖6D係顯示第1實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖6E係顯示第1實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖6F係顯示第1實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖7係顯示第1實施形態之圖像顯示裝置之俯視圖。
圖8係顯示第1實施形態之變化例之配線基板之俯視圖。
圖9係顯示第2實施形態之第1實施模式之圖像顯示裝置之俯視圖。
圖10係顯示第2實施形態之第1實施模式之圖像顯示裝置之剖視圖(圖9之X-X線剖視圖)。
圖11係顯示配線基板之俯視圖。
圖12係顯示配線基板之網格配線層之放大俯視圖。
圖13係顯示配線基板之剖視圖(圖12之XIII-XIII線剖視圖)。
圖14係顯示配線基板之剖視圖(圖12之XIV-XIV線剖視圖)。
圖15A係顯示第2實施形態之第1實施模式之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖15B係顯示第2實施形態之第1實施模式之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖15C係顯示第2實施形態之第1實施模式之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖15D係顯示第2實施形態之第1實施模式之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖15E係顯示第2實施形態之第1實施模式之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖15F係顯示第2實施形態之第1實施模式之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖16係顯示第2實施形態之第1實施模式之第1變化例之配線基板之俯視圖。
圖17係顯示第2實施形態之第1實施模式之第1變化例之配線基板之放大俯視圖。
圖18係顯示第2實施形態之第1實施模式之第2變化例之配線基板之俯視圖。
圖19係顯示第2實施形態之第1實施模式之第2變化例之配線基板之放大俯視圖。
圖20係顯示第2實施形態之第1實施模式之第3變化例之配線基板之網格配線層之放大俯視圖。
圖21係顯示第2實施形態之第1實施模式之第4變化例之配線基板之俯視圖。
圖22係顯示第2實施形態之第2實施模式之圖像顯示裝置之剖視圖。
圖23係顯示第3實施形態之圖像顯示裝置之俯視圖。
圖24係顯示第3實施形態之圖像顯示裝置之剖視圖(圖23之XXIV-XXIV線剖視圖)。
圖25係顯示第3實施形態之圖像顯示裝置之剖面構成之圖。
圖26係顯示顯示裝置之像素之俯視圖。
圖27係顯示配線基板之俯視圖。
圖28係顯示配線基板之網格配線層之放大俯視圖。
圖29係顯示配線基板之剖視圖(圖28之XXIX-XXIX線剖視圖)。
圖30係顯示配線基板之剖視圖(圖28之XXX-XXX線剖視圖)。
圖31係顯示配線基板之網格配線層之立體圖。
圖32係顯示配線基板之第1方向配線及第2方向配線之剖視圖。
圖33A係顯示第3實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖33B係顯示第3實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖33C係顯示第3實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖33D係顯示第3實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖33E係顯示第3實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖33F係顯示第3實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖33G係顯示第3實施形態之配線基板之製造方法之剖視圖。
圖34係顯示第3實施形態之變化例之圖像顯示裝置之剖面構成之圖。
圖35係顯示第3實施形態之變化例之配線基板之網格配線層之放大俯視圖。
圖36係顯示第3實施形態之變化例之配線基板之俯視圖。
10:配線基板
11:基板
15:底塗層
20:網格配線層
21:第1方向配線
21a:側面
22:第2方向配線
22a:側面
23:開口部
25:角部
25a:角部
25b:角部
26:交點部
30:虛設配線層
30a:虛設配線
31:第1虛設配線部分
31a:側面
32:第2虛設配線部分
32a:側面
35:角部
36:交點部
CL1~CL4:中心線
IL1:第1暫稱直線
IL2:第2暫稱直線
IL3:第3暫稱直線
IL4:第4暫稱直線
R1:曲率半徑
R2:曲率半徑
R3:曲率半徑
θ1:角
θ2:角
θ3:角
Claims (38)
- 一種配線基板，其具備： 基板，其具有透明性； 底塗層，其設置於上述基板上；及 網格配線層，其配置於上述底塗層上，包含複數條第1方向配線、及連結上述複數條第1方向配線之複數條第2方向配線；且 上述底塗層包含高分子材料； 上述第1方向配線與上述第2方向配線之交點中，形成於上述第1方向配線與上述第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓。
- 如請求項1之配線基板，其中形成俯視時帶圓之上述角部之上述第1方向配線之中心線與上述第2方向配線之中心線所成之角於俯視時為銳角。
- 如請求項1或2之配線基板，其中上述底塗層之厚度為0.05 μm以上0.5 μm以下。
- 如請求項1至3中任一項之配線基板，其中上述底塗層包含丙烯酸系樹脂或聚酯系樹脂。
- 如請求項1至4中任一項之配線基板，其中上述高分子材料交聯。
- 如請求項1至5中任一項之配線基板，其進而具備：虛設配線層，其配置於上述網格配線層之周圍，包含與上述第1方向配線電性獨立之複數條虛設配線。
- 如請求項1至6中任一項之配線基板，其具有電波收發功能。
- 如請求項1至7中任一項之配線基板，其具有毫米波收發功能，上述網格配線層構成為陣列天線。
- 一種配線基板之製造方法，其具備如下步驟： 準備具有透明性之基板； 於上述基板上形成底塗層；及 於上述底塗層上，形成包含複數條第1方向配線、及連結上述複數條第1方向配線之複數條第2方向配線之網格配線層；且 上述底塗層包含高分子材料； 形成於上述第1方向配線與上述第2方向配線間之4個角部中之至少1個角部於俯視時帶圓。
- 如請求項9之配線基板之製造方法，其中於形成上述網格配線層之步驟中，於上述底塗層上形成虛設配線層，該虛設配線層配置於上述網格配線層周圍，包含與上述第1方向配線電性獨立之複數條虛設配線。
- 一種圖像顯示裝置用積層體，其具備： 配線基板，其具備具有透明性之基板、及配置於上述基板上之網格配線層； 第1透明接著層，其具有大於上述基板之面積；及 第2透明接著層，其具有大於上述基板之面積；且 於上述第1透明接著層與上述第2透明接著層間之一部分區域，配置上述基板之一部分區域； 上述基板與上述第1透明接著層之折射率之差為0.1以下； 上述第2透明接著層與上述基板之折射率之差為0.1以下； 上述第1透明接著層與上述第2透明接著層之折射率之差為0.1以下。
- 如請求項11之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第1透明接著層之厚度及上述第2透明接著層之厚度中至少一者之厚度為上述基板之厚度之2倍以上。
- 如請求項11或12之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第1透明接著層之厚度與上述第2透明接著層之厚度彼此相同，上述第1透明接著層之厚度及上述第2透明接著層之厚度為上述基板之厚度之1.5倍以上。
- 如請求項11至13中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第1透明接著層之材料與上述第2透明接著層之材料彼此相同。
- 如請求項11至14中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中上述第1透明接著層之材料與上述第2透明接著層之材料分別為丙烯酸系樹脂。
- 如請求項11至15中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中上述基板之厚度為50 μm以下。
- 如請求項11至16中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中於上述網格配線層之周圍，設置與上述網格配線層電性獨立之虛設配線層。
- 如請求項11至17中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中於上述網格配線層之周圍，設置與上述網格配線層電性獨立之複數個虛設配線層，上述複數個虛設配線層開口率互不相同。
- 一種圖像顯示裝置用積層體，其具備： 配線基板，其具備具有透明性之基板、配置於上述基板上之網格配線層、及覆蓋上述網格配線層之保護層； 第1介電質層；及 第2介電質層；且 於上述第1介電質層與上述第2介電質層間之一部分區域，配置上述配線基板之一部分區域； 將存在上述配線基板、上述第1介電質層及上述第2介電質層之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之可見光線之透過率設為第1透過率，將存在上述第1介電質層及上述第2介電質層且不存在上述配線基板之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之可見光線之透過率設為第2透過率時， 上述第1透過率為83%以上90%以下； 上述第1透過率與上述第2透過率之差為1.5%以下。
- 一種圖像顯示裝置用積層體，其具備： 配線基板，其具備具有透明性之基板、配置於上述基板上之網格配線層、及覆蓋上述網格配線層之保護層； 第1介電質層；及 第2介電質層；且 於上述第1介電質層與上述第2介電質層間之一部分區域，配置上述配線基板之一部分區域； 將存在上述配線基板、上述第1介電質層及上述第2介電質層之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之霧度值設為第1霧度值，將存在上述第1介電質層及上述第2介電質層且不存在上述配線基板之區域中之上述圖像顯示裝置用積層體之霧度值設為第2霧度值時， 上述第1霧度值為0.5%以上2%以下； 上述第1霧度值與上述第2霧度值之差為0.5%以下。
- 一種圖像顯示裝置用積層體，其具備： 配線基板，其具備具有透明性之基板、配置於上述基板上之網格配線層、及覆蓋上述網格配線層之保護層； 第1介電質層；及 第2介電質層；且 於上述第1介電質層與上述第2介電質層間之一部分區域，配置上述配線基板之一部分區域； 將存在上述配線基板、上述第1介電質層及上述第2介電質層之區域中之依據JIS Z 8722測定之上述圖像顯示裝置用積層體之擴散光線反射率設為第1擴散光線反射率，將存在上述第1介電質層及上述第2介電質層且不存在上述配線基板之區域中之依據JIS Z 8722測定之上述圖像顯示裝置用積層體之擴散光線反射率設為第2擴散光線反射率時， 上述第1擴散光線反射率為0.05%以上1%以下； 上述第1擴散光線反射率與上述第2擴散光線反射率之差為1.5%以下。
- 如請求項19至21中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中上述基板之介電損耗因數為0.002以下。
- 如請求項19至22中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中進行100次將上述圖像顯示裝置用積層體沿直徑1 mm之圓筒之周圍彎曲180°後拉伸之作業時，上述網格配線層之電阻值之增大量為20%以下。
- 如請求項19至23中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中上述網格配線層作為毫米波用天線發揮功能。
- 如請求項11至24中任一項之圖像顯示裝置用積層體，其中上述網格配線層構成為陣列天線。
- 一種圖像顯示裝置，其具備：如請求項11至25中任一項之圖像顯示裝置用積層體；及 顯示裝置，其積層於上述圖像顯示裝置用積層體。
- 如請求項26之圖像顯示裝置，其中上述網格配線層包含複數條配線，上述網格配線層由沿第1方向及與上述第1方向不同之第2方向重複排列之特定之單位圖案構成； 上述顯示裝置具有沿上述第1方向及上述第2方向重複排列之複數個像素； 上述第1方向之上述單位圖案之間距為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.05)倍以上； 上述第2方向之上述單位圖案之間距為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.05)倍(M為自然數)以下、或上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.05)倍以上。
- 一種圖像顯示裝置，其具備： 配線基板，其具備具有透明性之基板、及配置於上述基板上，包含複數條配線之網格配線層；及 顯示裝置，其積層於上述配線基板；且 上述網格配線層由沿第1方向及與上述第1方向不同之第2方向重複排列之特定之單位圖案構成； 上述顯示裝置具有沿上述第1方向及上述第2方向重複排列之複數個像素； 上述第1方向之上述單位圖案之間距為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.05)倍以上； 上述第2方向之上述單位圖案之間距為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.05)倍(M為自然數)以下、或上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.05)倍以上。
- 如請求項27或28之圖像顯示裝置，其中上述第1方向之上述單位圖案之間距為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.2)倍以上、或上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.2)倍以下。
- 如請求項27至29中任一項之圖像顯示裝置，其中上述第2方向之上述單位圖案之間距為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.2)倍以上、或上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.2)倍以下。
- 如請求項27至30中任一項之圖像顯示裝置，其中N及M分別為1以上6以下之自然數。
- 如請求項27至31中任一項之圖像顯示裝置，其中上述配線之線寬為5 μm以下。
- 如請求項32之圖像顯示裝置，其中上述配線之線寬為2 μm以下。
- 如請求項27至33中任一項之圖像顯示裝置，其中上述網格配線層之開口率為95%以上。
- 如請求項27至34中任一項之圖像顯示裝置，其中上述網格配線層之片材電阻值為4Ω/□以下，以120°之視角觀察各配線時之最長寬度為3 μm以下。
- 如請求項27至35中任一項之圖像顯示裝置，其中上述單位圖案包含互相於不同方向延伸之第1方向配線及第2方向配線，上述第1方向配線與上述第2方向配線所成之角為30°以上150°以下。
- 如請求項28至36中任一項之圖像顯示裝置，其中上述配線基板具有毫米波收發功能，上述網格配線層構成為陣列天線。
- 一種配線基板之製造方法，其具備如下步驟： 決定積層於上述配線基板之顯示裝置之像素之間距； 準備具有透明性之基板；及 基於上述像素之間距，於上述基板上形成網格配線層；且 上述網格配線層由沿第1方向及與上述第1方向不同之第2方向重複排列之特定之單位圖案構成； 上述第1方向之上述單位圖案之間距為上述第1方向之上述像素之間距之(N-0.05)倍(N為自然數)以下、或上述第1方向之上述像素之間距之(N+0.05)倍以上； 上述第2方向之上述單位圖案之間距為上述第2方向之上述像素之間距之(M-0.05)倍(M為自然數)以下、或上述第2方向之上述像素之間距之(M+0.05)倍以上。
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