TW202245109A - 基體處理裝置及方法 - Google Patents

基體處理裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202245109A
TW202245109A TW111116832A TW111116832A TW202245109A TW 202245109 A TW202245109 A TW 202245109A TW 111116832 A TW111116832 A TW 111116832A TW 111116832 A TW111116832 A TW 111116832A TW 202245109 A TW202245109 A TW 202245109A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heater element
reaction chamber
heat
heat distributor
intermediate space
Prior art date
Application number
TW111116832A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI822027B (zh
Inventor
瓦諾 基爾皮
湯姆 布隆貝格
Original Assignee
芬蘭商皮寇桑公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 芬蘭商皮寇桑公司 filed Critical 芬蘭商皮寇桑公司
Publication of TW202245109A publication Critical patent/TW202245109A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI822027B publication Critical patent/TWI822027B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0006—Controlling or regulating processes
    • B01J19/0013—Controlling the temperature of the process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J6/00—Heat treatments such as Calcining; Fusing ; Pyrolysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一種基體處理裝置，其包含：一反應腔室；一外腔室，其至少部分地包圍該反應腔室，其中一中間空間係形成於該反應腔室與該外腔室之間；至少一加熱器元件；至少一熱分佈器，其在該中間空間中；以及至少一加熱器元件饋通部，其在該外腔室中，允許至少一加熱器元件之至少一部分穿進該中間空間中且與該至少一熱分佈器耦接。

Description

基體處理裝置及方法
本發明大體上係關於基體處理裝置及方法。更特定但非排他而言，本發明係關於化學沉積或蝕刻反應器。
此節例示有用的背景資訊，而未承認本文所說明之任何技術代表該技藝之現況。
在諸如原子層沉積(ALD)或原子層蝕刻(ALE)之化學沉積方法中，表面反應要求的溫度係透過加熱而獲得。該加熱通常係藉由施加定位在基體處理裝置之反應腔室的壁中或外部的加熱器來達成。無論用何種材料來作為一熱源，加熱器表面通常已知將有氧化的問題，且隨後由於從該裝置之反應腔室洩漏的某些化學物質而可能發生腐蝕。因為該等加熱器大體上係固定在該裝置之結構中，所以移除它們係費工的，例如當試圖交換該等加熱器或接取該裝置之其他部件時。因此，持續需要開發可輕易地移除的改良加熱器解決方案或至少提供對現有解決方案的替代者。
本發明之某些實施例的一目的係提供一種改良基體處理裝置，或者至少提供對於現有技術的一替代解決方案。 根據本發明之一第一範例態樣，提供一基體處理裝置，其包含： 一反應腔室； 一外腔室，其至少部分地包圍該反應腔室，其中一中間空間係形成於該反應腔室與該外腔室之間； 至少一加熱器元件； 至少一熱分佈器，其在該中間空間中；以及
至少一加熱器元件饋通部，其在該外腔室中，允許至少一加熱器元件之至少一部分穿進該中間空間中且與該至少一熱分佈器耦接。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係一匣式加熱器，其係可移除及可交換的。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配來與該至少一熱分佈器可移除式耦接。在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配來至少部分地可逆式置放在該至少一熱分佈器內部。在某些實施例中，其中一可移除式置放的加熱器元件係意謂一可逆式置放的加熱器元件，意謂該加熱器元件可以當初將其放在其位置的相同方式，將其從所述位置移除。在某些實施例中，其中該至少一加熱器元件與該至少一熱分佈器耦接，意謂該至少一加熱器元件係與該至少一熱分佈器熱接觸。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配來至少部分地可移除式及/或可逆式置放在兩分開的加熱分佈器內部。
在某些實施例中，該加熱器元件係一長形元件。在某些實施例中，當該至少一加熱器元件被置放在其操作位置時，係沿著其長形軸道垂直地定向。在某些其他實施例中，當該至少一加熱器元件被置放在其操作位置時，係沿著其長形軸道水平地或對角地定向。在某些實施例中，該加熱器元件係定位於其在該反應腔室下面的操作位置。在某些實施例中，該加熱器元件係定位於其在該反應腔室頂部上的操作位置。在某些實施例中，該加熱器元件係定位於其在該反應腔室之一側的操作位置。
在某些實施例中，該裝置包含多於一個的加熱器元件。在某些實施例中，該裝置包含至少兩個、至少三個或至少四個加熱器元件。在某些實施例中，該裝置包含多於四個的加熱器元件。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係一長形桿形元件。在某些實施例中，當該加熱器元件沿著其長形軸道垂直地定向時，從其水平截面看係旋轉對稱的。在某些實施例中，當該加熱器元件沿著其長形軸道垂直地定向時，該加熱器元件從其面向該反應腔室及該外腔室之垂直側看係扁平的。
在某些實施例中，施加至該加熱器元件的最大電壓係取決於該加熱器元件的形狀及大小。在一實施例中，所施加之電壓係48-240 V。在某些實施例中，最大加熱功率係取決於電壓及布置在該加熱元件內部之加熱線的量。
在某些實施例中，施加至該加熱器元件的最大加熱功率及電壓係取決於該加熱器元件的類型。舉例而言，若可適用，該加熱器元件可係一輻射加熱器、一傳導加熱器或一對流加熱器。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配成透過該外腔室中之該加熱器元件饋通部來至少部分地可移除式置放在該外腔室與該反應腔室之間的該中間空間中。在某些實施例中，該至少一加熱器元件饋通部係在該外腔室的一底部中。在某些實施例中，該至少一加熱器元件饋通部係在該外腔室的一頂部中。在某些實施例中，該至少一加熱器元件饋通部係在該外腔室的一側中。在某些實施例中，該至少一加熱器元件饋通部係從該外腔室外部被收緊或密封，以用於密封該加熱器元件之入口。在某些實施例中，在該外腔室中之每一加熱器元件饋通部包含在該加熱器元件饋通部與該加熱器元件之間的一密封件。在某些實施例中，該所述密封件係布置在該外腔室外部，以用於密封該加熱器元件之入口。在某些實施例中，該所述密封件係布置在該加熱器元件饋通部內部，以用於密封該加熱器元件之入口。在某些實施例中，該密封件係一凸緣，例如一真空凸緣。在某些實施例中，該密封件係一覆蓋板。在某些實施例中，該密封件包括一O形環。
在某些實施例中，該裝置包含複數個熱分佈器，該等複數個熱分佈器至少部分地包圍該反應腔室之周邊。在某些實施例中，複數個熱分佈器意謂二或更多個熱分佈器。在某些實施例中，該裝置包括多於一個的熱分佈器。在某些實施例中，該裝置包含至少兩個、至少三個或至少四個熱分佈器。在某些實施例中，該裝置包含四個四分之一圓熱分佈器。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器係組配來有效地且均勻地分佈熱輻射、對流或傳導(若可適用)至該反應腔室之周邊。在某些實施例中，該熱分佈器係組配來有效地且均勻地分佈熱輻射、對流或傳導(若可適用)進入及通過該反應腔室之壁。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器係組配來加熱該反應腔室至一均勻溫度。在某些實施例中，該至少一熱分佈器係組配來均勻地傳遞熱至該反應腔室的內容積及該反應腔室中之至少一基體。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器係一板狀元件及/或一曲形結構。在某些實施例中，該熱分佈器係一曲形板狀元件。在某些實施例中，該裝置包含四個四分之一圓熱分佈器以及與該等四個熱分佈器中之每一者耦接的一個加熱器元件。在某些實施例中，該裝置包含四個四分之一圓熱分佈器及四個加熱器元件，每一加熱器元件係與該等所述四個熱分佈器中之二者耦接。
在某些實施例中，該裝置包含一熱分佈器。在某些實施例中，該一熱分佈器係由一單個部件形成。在某些實施例中，該一熱分佈器係成形為一中空曲形或圓形柱體或者一管體。
在某些實施例中，每一熱分佈器係由至少一加熱器元件加熱。在某些實施例中，每一熱分佈器係由兩個加熱器元件加熱。在某些實施例中，每一熱分佈器係由複數個加熱器元件加熱。
在某些實施例中，該熱分佈器的材料為鋁。在某些其他實施例中，該熱分佈器之材料係選自銅、黃銅、鈦、鋼、陶瓷或氮化矽。
在某些實施例中，該中間空間係組配來維持真空條件。在某些實施例中，該裝置係組配來維持該中間空間中的壓力在100-0.01 mbar，其中該至少一熱分佈器係定位在該中間空間中。在某些實施例中，該裝置係組配來在沉積或蝕刻處理循環期間使該中間空間中的壓力維持在10-0.1 mbar或5-0.1 mbar。在某些實施例中，該中間空間中的壓力亦在該處理循環之後(或隨後)的一時段期間保持在100-0.01 mbar，較佳為在10-0.1 mbar或5-0.1 mbar。
在某些實施例中，該裝置包含在該至少一加熱器元件與該至少一熱分佈器之間的一護套元件，以保護該至少一加熱器元件。在某些實施例中，在該加熱器元件與該熱分佈器之間的該護套元件，係組配來將熱從該至少一加熱器元件傳遞到該至少一熱分佈器。在某些實施例中，在該加熱器元件與該熱分佈器之間的該護套元件，係組配來將熱從該至少一加熱器元件傳導到該至少一熱分佈器。在某些實施例中，該至少一加熱器元件係經由該護套元件而與該至少一熱分佈器耦接。在某些實施例中，該護套元件在其操作位置係組配成與該至少一熱分佈器接觸。在某些實施例中，該護套元件在其操作位置係組配成與該至少一加熱器元件接觸。在某些實施例中，該護套元件係組配來在該至少一加熱器元件至少部分插入其操作位置時作為它的一殼體。在某些實施例中，該護套元件係組配來覆蓋該中間空間內的整個加熱器元件表面，以保護該加熱器元件。在某些實施例中，該護套元件係組配來覆蓋該中間空間內的大部分的加熱器元件表面。
在某些實施例中，當該護套元件被置放在其在該加熱器元件周圍的操作位置時，係沿著其長形軸道垂直地定向。在某些其他實施例中，當該護套元件被置放在其在該加熱器元件周圍的操作位置時，係沿著其長形軸道水平地或對角地定向。
在某些實施例中，該護套元件包含支撐該至少一熱分佈器的一表面結構。在某些實施例中，該護套元件包含支撐該至少一熱分佈器之重量的一表面結構。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配來至少部分地可移除式置放在護套元件內部。在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配來至少部分地可逆式置放在護套元件內部。在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配來至少部分地置放在該護套元件的一內空腔內部。
在某些實施例中，該護套元件係一長形套筒狀元件。在某些實施例中，該護套元件之該長形軸道的兩個遠側頂端係開放端。在某些實施例中，該護套元件之該長形軸道的一遠側頂端係閉合的或具有一盲端。在某些實施例中，該護套元件的材料為鋁。在某些其他實施例中，該護套元件的材料選自包含不鏽鋼、銅及鉬、或有良好熱導性之相似金屬的群組。
在某些實施例中，每一加熱器元件，在超過其貫穿該加熱器元件饋通部所在之點的中間空間內部，係被護套元件所覆蓋。在某些實施例中，該護套元件係和在該加熱器元件饋通部與該加熱器元件之間的該密封件耦接。在某些實施例中，該護套元件係與在該加熱器元件饋通部中的該真空凸緣耦接。在某些實施例中，該護套元件係組配來保護在該中間空間中的該加熱器元件。在某些實施例中，該護套元件係組配來在垂直方向上支撐及固定該熱分佈器的位置。在某些實施例中，該護套元件係組配來亦在水平方向上支撐及固定該熱分佈器的位置。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器包含至少一開口或一孔洞，以將該至少一加熱器元件至少部分地插入該熱分佈器內部。在某些實施例中，一熱分佈器包含複數個開口或孔洞，以將複數個加熱器元件至少部分地插入一熱分佈器內部。在某些實施例中，該至少一開口或孔洞係組配來使該加熱器元件及該護套元件兩者至少部分插入該所述開口或孔洞內部。在某些實施例中，該所述至少一開口或孔洞係組配來穿透該熱分配器的一窄邊緣。在某些實施例中，在該熱分佈器之窄邊緣中之一者中的該所述至少一開口或孔洞係組配來貫穿整個熱分佈器，該所述開口或孔洞穿透該熱分佈器的兩個窄邊緣。在某些實施例中，其中該熱分佈器的一窄邊緣意謂不是該熱分佈器的一平坦、板狀表面的一窄邊緣。
在某些實施例中，任兩個鄰近熱分佈器係透過其等之鄰近窄邊緣彼此表面對表面接觸，來彼此耦接及/或熱接觸。
在某些實施例中，任兩個鄰近熱分佈器具有至少一襯套或一管道，在其等之窄邊緣中至少一者、較佳為兩者中包含該所述開口或孔洞。在某些實施例中，任兩個鄰近熱分佈器具有處於彼此不同垂直高度之至少一襯套或管道，允許鄰近襯套或管道之間的一疊覆，且藉此允許鄰近熱分佈器之間的一疊覆。在某些實施例中，任兩個鄰近熱分佈器可與插入該等兩個鄰近分佈器之疊覆之襯套或管道內部的該至少一加熱器元件耦接。在某些實施例中，任兩個相鄰熱分佈器可與插入該等兩個鄰近熱分佈器之疊覆之襯套或管道內部的一護套元件耦接，且所述護套元件內部插入有一加熱器元件。
在某些其他實施例中，該至少一熱分佈器包含至少一緊固件，以將該加熱器元件附接至該熱分佈器。在某些實施例中，一熱分佈器包含複數個緊固件，用以將複數個加熱器元件附接至該一熱分佈器。在某些實施例中，該至少一緊固係組配來將該加熱器元件及該護套元件兩者附接至該熱分佈器。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件在其操作位置係至少部分地置放在以下每一者內部： 該中間空間； 該護套元件； 該至少一熱分佈器；以及 該加熱器元件饋通部。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器係定位在該中間空間中與該反應腔室間隔開一距離。在某些實施例中，在該中間空間中之該至少一熱分佈器係與該反應腔室壁直接接觸或連接。在某些實施例中，該至少一熱分佈器係定位在該反應腔室旁，以至少部分地覆蓋該反應腔室之周邊。在某些實施例中，該至少一熱分佈器係沿著其平坦、板狀表面實質上垂直地定位在該反應腔室旁。在某些實施例中，該至少一熱分佈器係定位在該反應腔室下面，以至少部分地覆蓋該反應腔室的底部或下部分。在某些實施例中，該至少一熱分佈器係沿著其平坦、板狀表面實質上水平地定位在該反應腔室下面。在某些實施例中，該至少一熱分佈器係定位在該反應腔室上面，以至少部分地覆蓋該反應腔室的頂部或上部分。在某些實施例中，在該至少一熱分佈器係沿其平坦、板狀表面實質上水平地定位在該反應腔室上面。
在某些實施例中，熱能係從在該反應腔室之側的熱分佈器傳導至位於該反應腔室下面或上面的熱分佈器。在某些實施例中，熱能係從與該所述熱分佈器耦接或置放成與該所述熱分佈器接觸的加熱器元件傳導至位於該反應腔室下面或上面的熱分佈器。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器係定位在該反應腔室之側，以覆蓋該反應腔室之周邊的大部分或整體。在此等實施例中，該至少一加熱器元件所插入通過的該至少一加熱器元件饋通部，係在該外腔室的底部或頂部中。在某些實施例中，該至少一熱分佈器係定位在該反應腔室上面及/或下面，以覆蓋該反應腔室的頂部及/或底部。在此等實施例中，該至少一加熱器元件所插入通過的該至少一加熱器元件饋通部，係在該外腔室之側中。
在某些實施例中，該裝置包含至少一實質上水平的反射板，其在該中間空間中的該反應腔室下面，覆蓋該反應腔室之底部的至少一部分。在某些實施例中，該裝置包含至少一實質上水平的反射板，其在該中間空間中的該反應腔室上面，覆蓋該反應腔室之頂部的至少一部分。該至少一實質上水平的反射板係組配來朝向該反應腔室反射熱輻射、對流或傳導(若可適用)。在某些實施例中，該裝置包含複數個疊覆之實質上水平的反射板，其等在該反應腔室下面或上面，以形成複數個實質上水平的反射板層。在某些實施例中，一實質上水平的反射板層包含複數個個別實質上水平地定向的反射板單元或由該等反射板單元組成。在某些實施例中，所有實質上水平的反射板係定位在該反應腔室與該外腔室之間的該中間空間中。
在某些實施例中，該裝置包含至少一實質上垂直地定向的反射板，其至少部分地包圍該反應腔室。在某些實施例中，該裝置包含複數個實質上垂直定向反射板，其等至少部分地包圍該反應腔室。在某些實施例中，該等複數個實質上垂直地定向的反射板係疊覆在彼此之頂部上，以形成複數個實質上垂直的反射板層。在某些實施例中，一實質上垂直的反射板層包含複數個個別實質上垂直地定向的反射板單元或由該等反射板單元組成。在某些實施例中，所有實質上垂直地定向的反射板係定位在該反應腔室與該外腔室之間的該中間空間中。
在某些實施例中，該等反射板係組配來將熱朝向該反應腔室之經加熱部分反射回，及防止熱影響到位於由該等反射板圍住之容積外部的該裝置之其他組件。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係插入通過該至少一實質上水平的反射板中之一開口或一孔洞。在某些實施例中，該至少一加熱器元件係插入通過疊層在彼此之頂部上之複數個實質上水平的反射板中之開口或孔洞。在某些實施例中，該加熱器元件，在超過其貫穿該至少一實質上水平的反射板所在之點的中間空間內部，係被護套元件所覆蓋。在某些實施例中，該至少一加熱器元件係插入通過該至少一實質上垂直的反射板中之一開口或一孔洞。在某些實施例中，該至少一加熱器元件係插入通過疊層在彼此之頂部上之複數個實質上垂直的反射板中之開口或孔洞。在某些實施例中，該加熱器元件，在超過其貫穿該至少一實質上垂直的反射板所在之點的中間空間內部，係被護套元件所覆蓋。
在某些實施例中，該至少一加熱器元件係組配來將同時位駐於該中間空間中之所有熱分佈器加熱至至少30℃的一溫度。在某些實施例中，同時位駐於該中間空間中之所有加熱器元件係組配來一起將同時位駐在該中間空間中之所有熱分佈器加熱至至少30℃的一溫度。在某些實施例中，同時位駐於該中間空間中之所有加熱器元件與任何其他任擇加熱器，係一起組配來將包含該反應腔室之內容積的該反應腔室加熱至至少30℃、至少80℃、至少120℃或至少200℃或至少500℃的一溫度。在一實施例中，同時位駐於該中間空間中之所有加熱器元件與任何其他任擇加熱器，係一起組配來將包含該反應腔室之內容積的該反應腔室加熱至150℃ - 300℃的一溫度。
在某些實施例中，該加熱器元件的類型可根據一特定類型之加熱器的需求來交換。在某些實施例中，該加熱器元件係一輻射加熱器。在某些實施例中，該加熱器元件係一對流加熱器。在某些實施例中，該加熱器元件為一傳導加熱器。在某些實施例中，該加熱器元件係一紅外線(IR)加熱器。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器具有一表面結構，其將朝向該反應腔室的熱放射最適化。
在某些實施例中，該至少一熱分佈器在面向該反應腔室之側上係具有與在面向該外腔室之側上不同的一表面結構，以將所欲熱放射及熱輻射及/或對流及/或傳導(若可適用)最適化。
在某些實施例中，該熱分佈器面向該反應腔室的表面係不平、粗糙，或粗的。在某些實施例中，該熱分佈器面向該反應腔室的表面具有一良好熱放射率。在某些實施例中，該熱分佈器面向該反應腔室的表面係以具有一良好熱放射率的一材料塗覆。在某些實施例中，在面向該反應腔室之該熱分佈器表面上之塗層的厚度係針對最大熱放射最適化。在某些實施例中，該熱分佈器面向該外腔室的表面係平滑、甚至係拋光的或未起皺的。在某些實施例中，該熱分佈器面向該外腔室的表面具有一低熱放射率。在某些實施例中，該熱分佈器面向該外腔室的表面係以具有一低熱放射率的一材料塗覆。在某些實施例中，在面向該外腔室之該熱分佈器表面上之塗層的厚度係針對最小熱放射最適化。
在某些實施例中，該至少一實質上垂直地定向的反射板具有一材料及一表面結構，該表面結構將朝向該反應腔室之熱輻射、對流或傳導(若可適用)的反射最適化。在某些實施例中，該至少一實質上水平地定向的反射板具有一材料及一表面結構，該表面結構將朝向該反應腔室之熱輻射、對流或傳導(若可適用)的反射最適化。
根據本發明之一第二範例態樣，提供一方法，其包含： 提供一外腔室，其至少部分地包圍一基體處理裝置的一反應腔室，其中一中間空間係形成於該反應腔室與該外腔室之間； 使至少一加熱器元件之至少一部分通過該外腔室中之一加熱器元件饋通部而進入該中間空間；以及 將該中間空間中的至少一熱分佈器與該至少一加熱器元件耦接。
在某些實施例中，該方法包含將該至少一加熱器元件與該至少一熱分佈器可移除式耦接。
在某些實施例中，該方法包含將該至少一加熱器元件通過該外腔室中之該加熱器元件饋通部至少部分地可移除式置放在該外腔室與該反應腔室之間的該中間空間中。
在某些實施例中，該方法包含用由該至少一熱分佈器所分佈的熱來加熱該反應腔室至一均勻溫度。
在某些實施例中，基體處理方法包含藉由原子層沉積(ALD)在該反應腔室中以金屬氧化物處理該至少一基體，以及選擇在該至少一基體上之該原子層沉積的厚度。在某些實施例中，該金屬氧化物係選自Al 2O 3、Si 3N 4及SiO 2；且在該至少一基體上之選定沉積的厚度係在5-15 nm之間，該厚度較佳為10 nm。
不同的非限制性範例態樣及實施例已在前述內容中例示。以上實施例僅用以解釋可在本發明之實行方式中利用的選定態樣或步驟。一些實施例可能僅參照某些範例態樣來呈現。應瞭解，對應實施例亦得應用於其他實施例。特定而言，在第一態樣的上下文中說明的實施例係可適用於每一其他態樣。可形成實施例的任何適當組合。
在以下說明中，使用原子層沉積(ALD)技術及原子層蝕刻(ALE)技術作為一範例。
一ALD生長機制的基礎對於一熟習技藝人士係已知的。ALD係一種特殊的化學沉積方法，其基於將至少兩種反應性前驅物物種順序式引入至少一基體。一基本ALD沉積循環由四個順序式步驟所組成：脈衝A、吹掃A、脈衝B、及吹掃B。脈衝A由第一前驅物蒸汽組成且脈衝B由另一前驅物蒸汽組成。惰性氣體及真空泵一般用於在吹掃A及吹掃B期間自反應空間吹掃氣態反應副產物及殘餘反應物分子。一沉積序列包含至少一沉積循環。重複沉積循環，直至沉積序列生產出一所欲厚度的薄膜或塗層。沉積循環亦可更簡單或更複雜。舉例而言，該等循環可包括由吹掃步驟分開的三或更多次反應物蒸氣脈衝，或可省略某些吹掃步驟。或者，就例如PEALD(電漿增強原子層沉積)之電漿輔助ALD而言，或就光子輔助ALD而言，該等沉積步驟中之一或多者可藉由分別透過電漿或光子饋入提供表面反應所需的額外能量來輔助。反應性前驅物中之一者可由能量(諸如純光子)取代，導致單個前驅物ALD程序。據此，脈衝及吹掃序列可取決於每一特定狀況而不同。該等沉積循環形成由一邏輯單元或一微處理器控制的一定時沉積序列。藉由ALD生長之薄膜係密集的、無針孔，且具有均勻厚度。
就基體處理步驟而言，該至少一基體一般在一反應容器(或腔室)中暴露於時間上分開之前驅物脈衝，以藉由順序式自我飽和表面反應將材料沉積在該等基體表面上。在本申請案的上下文中，用語ALD包含所有可適用的以ALD為基之技術及任何等效或密切相關的技術，諸如例如以下ALD子類型：MLD(分子層沉積)；電漿輔助ALD，例如PEALD(電漿增強原子層沉積)；及光子輔助或光子增強原子層沉積(亦稱為閃光增強ALD或光ALD)。
然而，本發明不受限於ALD技術，但其可在廣泛各種的基體處理裝置中加以利用，例如，在諸如化學氣相沉積(CVD)反應器的化學沈積反應器中，或在諸如原子層蝕刻(ALE)反應器的化學蝕刻反應器中。
一ALE蝕刻機制的基礎對於一熟習技藝人士係已知的。ALE係一種技術，其中材料層係使用自我限制的順序式反應步驟從一表面移除。一一般的ALE蝕刻循環包含形成一反應層的一修改步驟，以及僅去除該反應層的一移除步驟。該移除步驟可包含使用一電漿物種，特別是離子，以用於移除該層。在ALD及ALE技術的上下文中，自我飽和表面反應意謂當表面反應位點完全耗盡時，表面的反應層上的表面反應將停止且自我飽和。
圖1顯示根據某些實施例之一基體處理裝置10之某些部分的一示意性截面。裝置10係一基體處理裝置或反應器，其合適於例如執行電漿增強ALD及/或UV-ALD沉積反應及/或ALE蝕刻反應。在某些實施例中，裝置10包含反應腔室11，其中進行至少一基體的處理。一外腔室15至少部分地布置成圍繞反應腔室11。在某些實施例中，外腔室15將整個反應腔室11包封在其中，而在一些其它實施例中，僅反應腔室11的某一部分被包封在外腔室15內部。一中間空間40係劃定在外腔室15與反應腔室11的該等壁之間。在某些實施例中，外腔室15係組配來將一特定大氣及壓力條件包封在中間空間40中，其條件與該反應腔室內部及從外部包圍外腔室15之空間中的條件不同。舉例而言，若發生進入反應腔室11之一洩漏，則採用中間空間40的大氣及壓力條件以不影響反應腔室11內部的反應。在一實施例中，中間空間40的大氣包含一惰性氣體，諸如例如N 2或Ar。在某些實施例中，在外腔室15和反應腔室11的頂部上，係可打開的蓋體結構17。在某些實施例中，蓋體結構17包含用於外腔室15的一蓋體及用於反應腔室11的一蓋體兩者。據此，中間空間40以及反應腔室11的內容積可透過可打開蓋體結構17接取。在某些其他實施例中，蓋體結構17僅包含用於外腔室15的一蓋體，且反應腔室11包含一分開的蓋體結構(未示出)。在某些實施例中，裝置10包含一反應物入口部分12，其係組配來提供反應腔室11反應物及/或額外能量。反應物入口部分12係設置在反應腔室11之頂側上，與蓋體結構17連接。在某些實施例中，反應物入口部分12包含一能量源，諸如一電漿源或一輻射源。
在某些實施例中，裝置10包含至少一實質上水平的反射板35、36，其等係位於反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中。在某些實施例中，裝置10包含多於一個之實質上水平的反射板35、36，其等係位於反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中。反應腔室11係由一基底19支撐，其中基底19包含反應腔室11排放出口(未示出)。基底19延伸穿過至少一實質上水平的反射板35、36，其等係位於反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中。在某些實施例中，基底19從反應腔室11底部朝下延伸穿過外腔室15。在某些實施例中，裝置10包含多於一個之疊覆之實質上水平的反射板35、36疊層在反應腔室11下面，在此狀況下，基底19延伸穿過這些疊覆之實質上水平的反射板35、36。在某些實施例中，裝置10包含多於一個之疊覆之實質上水平的反射板35、36疊層在反應腔室11上面。在某些實施例中，裝置10包含至少一實質上垂直地定向的反射板35'、36'，其等係在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中。在某些實施例中，該裝置包含多於一個之實質上垂直地疊層的反射板35'、36'，其等係在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中。在某些實施例中，裝置10包含至少一實質上垂直水平的反射板35、36，其等係在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中，以及至少一實質上垂直地定向的反射板35'、36'，其等係在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中。在其他實施例中，裝置10包含多於一個之實質上垂直水平的反射板35、36，其等係疊層在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中，以及多於一個之實質上垂直地定向的反射板35'、36'，其等係疊層在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中。在某些實施例中，裝置10包含至少一曲形或彎折的反射板35、36、35'、36'，其等係在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中，至少部分地包圍反應腔室11。在某些實施例中，裝置10包含多於一個之曲形或彎折的反射板35、36、35'、36'，其等係在反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40中，至少部分地包圍反應腔室11。
反射板35、36、35'、36'係組配來將由至少一加熱器元件30及至少一熱分佈器20放射的熱輻射、對流或傳導(若可適用)朝向反應腔室11反射，且反射遠離外腔室15以及位於反射板35、36、35'、36'之周邊後方之該裝置的其他部分。個別反射板35、36、35'、36'中之每一者可包含複數個個別反射板單元或由複數個個別反射板單元組成，該等單元形成實質上水平地或垂直地或兩者定向的一反射板層。該裝置亦可包含在所述反射板35、36、35'、36'之頂部上的其他反射板(未示出)。
裝置10包含至少一加熱器元件30，以在裝置10內部提供熱。至少一加熱器元件30可係例如一匣式加熱器，其係組配來置放在裝置10內部的正確位置，且將被可移除式及/或可逆式移除和交換。該匣式加熱器可係一管形加熱器元件，其可基於其意欲應用而被定製成一特定瓦特密度。舉例而言，某些匣式加熱器設計可達到高達50 W/cm 2的一瓦特密度，而某些其他設計可達到高達100 W/cm 2的一瓦特密度。加熱器元件30的可交換性在該加熱器元件需要替換為新的之情況下例如，由於加熱器元件表面氧化，係有用的。在某些實施例中，裝置10包含多於一個的加熱器元件30，加熱器元件30的數目係取決於裝置10的個別設計來調整，以對於反應腔室11內部之表面反應提供足夠加熱。至少一加熱器元件30較佳為一桿形元件。其水平截面在該加熱器元件沿著其長形軸線垂直地定位時，可係旋轉對稱或圓形。在某些其他實施例中，在加熱器元件沿著其長形軸線垂直地定位時，該加熱器元件30的水平截面亦可係旋轉不對稱的，諸如卵形、矩形、或方形。儘管如此，至少一加熱器元件30係一細桿形或杖形物件，且加熱器元件30的厚度及形狀係針對諸如可用性、攜帶容量及使用者安全性之態樣來最適化。
至少一加熱器元件30係定位在其操作位置，至少部分地位於形成於反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40內部。所謂至少一加熱器元件30的操作位置意謂一位置，其中加熱器元件30係於一基體處理裝置10中可被操作或在操作的，亦即，其可根據其意欲目的來傳遞熱。當定位於其操作位置時，加熱器元件30之部分可位於外腔室15外部。每一個別加熱器元件30係透過其位於外腔室15底部中之其個別加熱器元件饋通部37插入至中間空間40中之其操作位置。然而，在一些替代實施例中，加熱器元件饋通部37亦可位於外腔室15之側中，或外腔室15之頂部部分中。在某些實施例中，至少一加熱器元件饋通部37係組配來提供加熱器元件30及/或熱分佈器20的支撐且固定加熱器元件30及/或熱分佈器20的位置。當加熱器元件30位於其操作位置時，加熱器元件饋通部37較佳係以密封件38收緊，如圖4及5中所指示，以防止周遭壓力條件影響外腔室15內的條件。密封加熱器元件饋通部37的密封件38包含例如外腔室15外部的一覆蓋板或一襯裡，以用於密封加熱器元件30入口。在一實施例中，密封件38係將加熱器元件30入口密封在外腔室15中的一真空凸緣。在一實施例中，在其操作位置，至少一加熱器元件30係整個位在形成於反應腔室11與外腔室15之間的中間空間40內部。在此實施例中，加熱器元件30係透過加熱器元件饋通部37插入至中間空間40中之其操作位置，且加熱器元件30係經由例如一導線間接地與加熱器元件饋通部37耦接。加熱器元件30的此種間接耦接降低了饋通部37以及與饋通部37接觸之結構過熱的風險。在此等實施例中，作為由加熱器元件饋通部37給予之支撐的替代或附加，用以將加熱器元件30及/或熱分佈器20支撐在正確操作位置的其他構件可布置在外腔室15內部。
在某些實施例中，在其操作位置，至少一加熱器元件30進一步延伸通過位於中間空間40中、在反應腔室11下面或上面的至少一實質上水平的反射板35、36。至少一實質上水平的反射板35、36設置有一合適開口，以供至少一加熱器元件30可移除式及/或可逆式貫穿。在某些實施例中，裝置10包含多於一個之疊覆之實質上水平的反射板35、36疊層在反應腔室11下面或上面，在此狀況下，至少一加熱器元件30延伸穿過這些疊覆之實質上水平的反射板35、36。在某些其他實施例中，至少一加熱器元件30延伸通過位於中間空間40中、在反應腔室11旁的至少一實質上垂直的反射板35'、36'。至少一實質上垂直的反射板35'、36'設置有一合適開口，以供至少一加熱器元件30可移除式及/或可逆式貫穿。在某些實施例中，裝置10包含多於一個之疊覆之實質上垂直的反射板35'、36'疊層在反應腔室11旁，在此狀況下，至少一加熱器元件30延伸通過這些疊覆之實質上垂直反射板35'、36'。
在中間空間40內部之其操作位置，至少一加熱器元件30與至少一熱分佈器20耦接。在某些實施例中，中間空間40內部的每一個別熱分佈器20係與至少一加熱器元件30耦接。在某些實施例中，中間空間40內部的每一個別熱分佈器20係與多於一個之加熱器元件30耦接。在某些實施例中，中間空間40內部的一個別熱分佈器20係耦接於與至少一加熱器元件30耦接的至少一其他熱分佈器20。至少一熱分佈器20接收由至少一加熱器元件30放射的熱，且進一步將其均勻地分佈在反應腔室11之周邊周圍，藉此為在反應腔室11內部發生之表面反應提供需要的熱。較佳地，熱分佈器20的材料具有一良好熱導性。舉例而言，熱分佈器20的材料為鋁。在某些實施例中，該(等)熱分佈器可至少部分地由銅、黃銅、鈦、鋼、陶瓷、氮化物或碳化物製成，或包含其等。
在某些實施例中，當與熱分佈器20面向外腔室15的表面相比時，熱分佈器20面向反應腔室11的表面具有一增加的總表面積。在某些實施例中，熱分佈器20面向反應腔室11的總表面積係比熱分佈器20面向外腔室15的表面積更大1.5倍、較佳係2倍、更較佳係4倍。熱分佈器20面向反應腔室11的表面具有一高電磁熱放射率。在某些實施例中，熱分佈器20面向反應腔室11的表面係以具有一高電磁熱放射率的一材料塗覆。舉例而言，熱分佈器20面向反應腔室11的表面具有一塗層，其包含氮化物(諸如氮化矽)或一碳化物(諸如碳化鎢)。在某些實施例中，在面向反應腔室11之熱分佈器20表面上之塗層的厚度係就最大熱放射予以最適化。另一方面，熱分佈器20面向外腔室15的平面或表面係平滑的、甚至係拋光的或未起皺的，且熱分佈器20面向外腔室15的材料具有一低熱放射率。在某些實施例中，熱分佈器20面向外腔室15的表面可以具有一低熱放射率的材料塗覆。在某些實施例中，在面向外腔室15之熱分佈器20表面上之塗層的厚度係就最小熱放射予以最適化。舉例而言，熱分佈器20面向外腔室15的表面之材料，或熱分佈器20面向外腔室15的表面上之塗層的材料，係例如為銅、金、銀、黃銅、鎳或鋼。
在某些實施例中，至少一熱分佈器20的形狀為一曲形、彎折或弧形，且其係成形為一平坦板形物件，較佳係適於將自身定位成至少部分地圍繞反應腔室11。至少一熱分佈器20包含某一種開口或孔洞28於其結構中，以供加熱器元件30至少部分地定位在熱分佈器20內部。開口或孔洞28可係例如形成於一襯套或一管道中。舉例而言，加熱器元件30可置放在一襯套或一管道內部，其係在熱分佈器20之一窄邊緣21、21'、22、22'處的一短連結圓筒25，如在圖2之一範例實施例中所呈現。任兩個鄰近熱分佈器20，在其個別窄邊緣21、21'、22、22'中之不同位置處具有短連結圓筒25。因此，當鄰近熱分佈器20彼此相鄰地定位時，個別短連結圓筒25具有彼此鄰近的重疊位置。此結構允許加熱器元件30被插入一位置，其中其係在鄰近之兩個熱分佈器20的兩個短連結圓筒25內部。
供加熱器元件30進入熱分佈器20內部的其他類型解決方案亦可被利用。或者，如圖3中所示，加熱器元件30係組配來置放在一開口或一孔洞28內部，其完全或部分地延伸穿過熱分佈器20的本體而為一管道。該開口或孔洞係組配來穿透熱分佈器20的窄邊緣21、21'、22、22'中之一者且完全或部分地延伸穿過整個熱分佈器20而為一管道。在某些實施例中，其中開口或孔洞28僅部分地延伸穿過熱分佈器20，一空氣開口26設置在與開口或孔洞28相對的窄邊緣上。空氣開口26合併至開口或孔洞28的一空腔中，以在該裝置的操作期間布置真空條件。在某些實施例中，其中空氣開口26合併至開口或孔洞28的空腔中，空氣開口26係組配成具有比孔洞28更小的一直徑，防止加熱器元件30貫穿熱分佈器20。在某些實施例中，熱分佈器20的一下窄邊緣21、21'、22、22'包含至少一孔洞28以供加熱器元件30進入，熱分佈器20之重量藉此至少部分地憩放在至少部分插入熱分佈器20內部的至少一加熱器元件30上。在另一實施例中，熱分佈器20之窄邊緣21、21'、22、22'中之一者包含至少一開口或孔洞28以供加熱器元件30透過整個熱分佈器20進入窄邊緣21、21'、22、22'之平面中。在此等實施例中，至少一熱分佈器20之重量的支撐係以其他方式安排。
在某些其他實施例中，至少一熱分佈器20包含至少一緊固件(未示出)，以用於將加熱器元件30附接至熱分佈器20，而不必然將加熱器元件30置放在熱分佈器20內部。熱分佈器20的結構係藉此經組構來耦接至少一加熱器元件30與熱分佈器20。
舉例而言，至少一熱分佈器20可具有支撐結構，諸如在其窄邊緣21、21'、22、22'中或在其板狀表面23上的環或圈(未示出)，用以耦接該至少一加熱器元件30。
在某些實施例中，一熱分佈器20包含用於將複數個加熱器元件30耦接至一熱分佈器20的複數個開口或孔洞28。在某些實施例中，取決於熱分佈器20的設計，一加熱器元件30可與一熱分佈器20耦接，或其可同時與兩個熱分佈器20耦接。
在一較佳實施例中，該裝置包括多於一個之加熱器元件30，這些加熱器元件30圍繞反應腔室11之環繞周邊均勻地分佈，以均勻地向反應腔室提供熱。舉例而言，該裝置包含兩個加熱器元件30，較佳係三個加熱器元件30，或更佳係四個加熱器元件30。在一些實施例中，該裝置包含多於四個的加熱器元件30。
在某些實施例中，裝置10包含複數個熱分佈器20，其等彼此耦接且耦接至至少一加熱器元件30，且在中間空間40中其等熱分佈器20包圍反應腔室11之周邊的大部分或全部。在某些實施例中，裝置10包含複數個熱分佈器20，其等彼此耦接且耦接至至少一加熱器元件30，且其中熱分佈器20在中間空間40中覆蓋反應腔室11的頂部及/或底部。在某些實施例中，裝置10包含複數個熱分佈器20，其等彼此耦接且耦接至至少一加熱器元件30，且其中熱分佈器20在中間空間40中包圍反應腔室11之周邊的大部分或全部及反應腔室11的頂部及/或底部。在某些實施例中，熱分佈器20經由加熱器元件30與一第二個熱分佈器20連接，該所述加熱器元件30將該總成固持在一起。在某些實施例中，裝置10包含複數個熱分佈器20，其等透過至少一加熱器元件30彼此耦接，且其中熱分佈器20在中間空間40中包圍反應腔室11之周邊的大部分或全部。每一個別熱分佈器20可成形為例如四分之一中空柱體、四分之一圓形中空柱體或一弓形體，而反應腔室11之周邊係被四個個別熱分佈器20包圍。在某些替代實施例中，不同量或數目之其他或不同形狀的熱分佈器20包圍反應腔室11之周邊的大部分或全部。然而在另一實施例中，裝置10包含僅一熱分佈器20，其係成形為一中空柱體，該柱體可為圓形且其在中間空間40中包圍反應腔室11之周邊。在某些實施例中，在中間空間40中反應腔室11之周邊的大部分或全部係由熱分佈器20包圍。在某些其他實施例中，在中間空間40中反應腔室11的大部分係由熱分佈器20包封或包住。透過可打開的蓋體總成17，熱分佈器20對裝置10之組裝及拆裝係可能的，而不用先移除加熱器元件30。
在某些實施例中，該裝置包含在加熱器元件30與至少一熱分佈器20之間的一護套元件45，如圖4及5所示。護套元件45將從加熱器元件30到達的熱分佈至耦接到它的熱分佈器20，且藉由覆蓋來保護加熱器元件30。在某些實施例中，護套元件45為至少一熱分佈器20提供支撐。在某些實施例中，熱分佈器20經由護套元件45與一第二個熱分佈器20連接，該所述護套元件45參與將該總成固持在一起。在某些實施例中，護套元件45保護加熱器元件30免受氧化。在某些實施例中，護套元件45防止至少一加熱器元件30暴露在遍存於中間空間40中的條件。較佳地，護套元件45的材料具有一良好熱導性。舉例而言，護套元件45的材料為鋁。護套元件45具有一長形護套類形狀，其內空腔係組構成抵靠加熱器元件30的外表面緊密地相合。加熱器元件30可透過在長形護套元件45的一第一遠側頂端的一開口，至少部分地可移除式及/或可逆式置放在護套元件45的一內空腔內部。在某些實施例中，護套元件45的一第二遠側頂端係閉合的，在加熱器元件30的頂端頂部形成一閉合蓋體，如圖4之一範例實施例中所示。在某些其他實施例中，護套元件45的該第二遠側頂端也可對護套元件45的內空腔開放，如圖5之一範例實施例中所示。在某些實施例中，在中間空間40內，整個加熱器元件30係由護套元件45所覆蓋。在某些實施例中，每一加熱器元件30，在超過其貫穿加熱器元件饋通部37所在之點的中間空間40內部，係被護套元件45所覆蓋。在一些實施例中，僅加熱器元件30的一遠側頂端暴露在遍存於中間空間40中的條件。護套元件45與密封件38係緊密地一起密封在加熱器元件饋通部37與加熱器元件30之間，如圖5所示。護套元件45可與密封件38在加熱器元件饋通部37內部或在中間空間40的入口處耦接。在某些實施例中，密封件38係一凸緣，諸如一真空凸緣。密封件38可包含一O形環，其密封護套元件45與密封件38之間的連接。在某些其他實施例中，整個護套元件45係位於由反應腔室11上面及下面之至少一層實質上垂直的反射板35'、36'劃定的空間中。在此等實施例中，加熱器元件30的部分暴露在遍存於中間空間40中的條件。在某些實施例中，整個護套元件45係位於由反應腔室11上面及下面之至少一層實質上水平的反射板35'、36'劃定的空間中。
在一實施例中，加熱器元件30，諸如一匣式加熱器，可至少部分地真空緊密地插入護套元件45內部，這在其內空腔內部提供電氣絕緣。在某些實施例中，加熱器元件30的電氣接點係設置在中間空間40外部(未示出)，所述電氣接點(纜線)藉此不暴露於真空。在某些實施例中，至少部分地覆蓋加熱器元件30之護套元件45可緊密地撐抵在諸如該真空凸緣的密封件38上，藉此防止加熱器元件30的電氣接點暴露於真空。在某些實施例中，與至少一熱分佈器20耦接之加熱器元件30的部分係組配來達到比外腔室15外部之加熱器元件30的部分更高的一溫度，藉此使加熱器元件30的在外腔室15外部的部分適於接觸，以使得能夠由一操作者插入及移除至少一加熱器元件30。
在某些實施例中，護套元件45包含一表面結構，其係組配來支撐及固定至少一熱分佈器20的位置。所述位置可在垂直、水平或兩者上固定。更具體而言，護套元件45的外表面包含一膨出部或一升高部，至少一熱分佈器20的重量可抵靠在其上受支撐，如圖4所示。舉例而言，護套元件45包含在其遠側頂端的外邊緣表面的一膨出部或一升高部，加熱器元件30透過該膨出部或該升高部至少部分地可移除式及/或可逆式置放在護套元件45的該內空腔內部。因此，在一實施例中，當加熱器元件30實質上垂直地完全插入其在護套元件45及至少一熱分佈器20內部的操作位置時，至少一熱分佈器20的下緣係支撐在護套元件45的膨出部頂部上。替代地，護套元件45的所述膨出部或升高部可沿著護套元件45的長形軸道定位在其他地方。在某些實施例中，至少一熱分佈器20的支撐件係透過護套元件45及/或至少一熱分佈器20之所述部分的替代結構解決方案來提供。舉例而言，根據某些實施例，其中加熱器元件30係穿過蓋體結構17實質上垂直地插入中間空間40內部，其他組成解決方案被利用於加熱器元件30、護套元件45及熱分佈器20。
在不限制專利請求項的範圍及詮釋的前提下，本文揭露的一或多個範例實施例的特定技術功效列舉如下。一技術功效係可輕易地移除及可交換的加熱器元件。舉例而言，在加熱器元件由於加熱器元件表面中的氧化而需要替換為新的之情況下，舊的加熱器元件被可輕易地移除並替換為新的。一其他技術功效係可輕易地移除及可交換的熱分佈器。熱分佈器可簡單地透過裝置的可打開蓋體移除。一其他技術功效係，與熱分佈器面向熱反射器及外腔室之表面相比時，熱分佈器面向反應腔室之表面係組配來不同地放射熱能。一其他技術功效係避免加熱器元件與遍存於中間空間之條件間的一接觸，藉此避免加熱器元件表面中之氧化。一其他技術功效係避免加熱器元件之電氣組件之間與遍存於中間空間之真空條件間的一接觸。一其他技術功效係將熱分佈器間接或直接連接至加熱器元件，使得能夠將熱能均勻地分佈在反應腔室周邊中以及到該反應腔室。
前述說明藉由本發明之特定實行方式及實施例的非限制範例，提供目前由發明人設想之用於施行本發明之最佳模式之完整及資訊充足的說明。然而，熟習此藝者清楚，本發明不限於上文實施例的細節，而可在不脫離本發明之特徵的情況下，在其他實施例中使用等效方法來實行。此外，此發明上文揭露之實施例的某些特徵可在沒有對應地使用其他特徵的情況下被有利地使用。如此一來，前述說明應被視為僅是例示說明本發明原理，且不以此為限。因此，本發明之範圍僅由所附專利申請範圍限制。
10:基體處理裝置/裝置 11:反應腔室 12:反應物入口部分 15:外腔室 17:蓋體總成/蓋體結構 19:基底 20:熱分佈器 21,21',22,22':窄邊緣 23:板狀表面 25:短連結圓筒 26:空氣開口 28:孔洞 30:加熱器元件 35,35',36,36':反射板 37:加熱器元件饋通部/饋通部 38:密封件 40:中間空間 45:護套元件
現將參看隨附圖式僅以舉例方式來說明本發明，其中： 圖1顯示根據某些實施例之一基體處理裝置之某些部分的示意性截面； 圖2顯示根據某些實施例之裝置的某些部分的立體圖；以及 圖3顯示根據某些實施例之裝置的某些部分之兩個替代立體圖； 圖4顯示根據某些實施例之基體處理裝置之某些部分的更詳細示意性截面；以及 圖5顯示根據某些實施例之基體處理裝置之某些部分的替代詳細示意性截面。
10:基體處理裝置/裝置
11:反應腔室
12:反應物入口部分
15:外腔室
17:蓋體總成/蓋體結構
19:基底
20:熱分佈器
30:加熱器元件
35,35',36,36':反射板
37:加熱器元件饋通部/饋通部
40:中間空間

Claims (15)

  1. 一種基體處理裝置(10)，其包含： 一反應腔室(11)； 一外腔室(15)，其至少部分地包圍該反應腔室(11)，其中一中間空間(40)係形成於該反應腔室(11)與該外腔室(15)之間； 至少一加熱器元件(30)； 至少一熱分佈器(20)，其在該中間空間(40)中；以及 至少一加熱器元件饋通部(37)，其在該外腔室(15)中，允許至少一加熱器元件(30)之至少一部分穿進該中間空間(40)中且與該至少一熱分佈器(20)耦接。
  2. 如請求項1之裝置，其中該至少一加熱器元件(30)係組配成與該至少一熱分佈器(20)可移除式地耦接。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該至少一加熱器元件(30)係一長形桿形元件。
  4. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中該至少一加熱器元件(30)係組配成通過該外腔室(15)中之該加熱器元件饋通部(37)至少部分地、可移除式地置放在該外腔室(15)與該反應腔室(11)之間的該中間空間(40)中。
  5. 如請求項1至4中任一項之裝置，其包含複數個熱分佈器(20)，該等複數個熱分佈器(20)至少部分地包圍該反應腔室(11)之周邊。
  6. 如請求項1至5中任一項之裝置，其中該至少一熱分佈器(20)係組配來將該反應腔室(11)加熱至一均勻溫度。
  7. 如請求項1至6中任一項之裝置，其中該至少一熱分佈器(20)係一板狀元件及/或一曲形結構。
  8. 如請求項1至7中任一項之裝置，其包含在該至少一加熱器元件(30)與該至少一熱分佈器(20)之間的一護套元件(45)，以保護該至少一加熱器元件(30)。
  9. 如請求項8之裝置，其中該護套元件(45)包含支撐該至少一熱分佈器(20)的一表面結構。
  10. 如請求項8或9之裝置，其中該至少一加熱器元件(30)係組配成至少部分地、可移除式地置放在該護套元件(45)內部。
  11. 如請求項1至10中任一項之裝置，其中該至少一加熱器元件(30)在其操作位置係置放成至少部分地在以下各者內部： 該中間空間(40)； 該護套元件(45)； 該至少一熱分佈器(20)；以及 該加熱器元件饋通部(37)。
  12. 一種方法，其包含： 提供一外腔室(15)，其至少部分地包圍一基體處理裝置(10)的一反應腔室(11)，其中一中間空間(40)係形成於該反應腔室(11)與該外腔室(15)之間； 使至少一加熱器元件(30)之至少一部分穿過該外腔室(15)中之一加熱器元件饋通部(37)而進入該中間空間(40)；以及 將該中間空間(40)中之至少一熱分佈器(20)與該至少一加熱器元件(30)耦接。
  13. 如請求項12之方法，其包含： 將該至少一加熱器元件(30)與該至少一熱分佈器(20)可移除式地耦接。
  14. 如請求項12或13之方法，其包含： 將該至少一加熱器元件(30)通過該外腔室(15)中之該加熱器元件饋通部(37)至少部分地、可移除式地置放在該外腔室(15)與該反應腔室(11)之間的該中間空間(40)中。
  15. 如請求項12至14之方法，其包含： 用由該至少一熱分佈器(20)所分佈的熱將該反應腔室(11)加熱至一均勻溫度。
TW111116832A 2021-05-10 2022-05-04 基體處理裝置及方法 TWI822027B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20215554A FI129948B (en) 2021-05-10 2021-05-10 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD
FI20215554 2021-05-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202245109A true TW202245109A (zh) 2022-11-16
TWI822027B TWI822027B (zh) 2023-11-11

Family

ID=81579610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111116832A TWI822027B (zh) 2021-05-10 2022-05-04 基體處理裝置及方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20220356577A1 (zh)
EP (1) EP4337806A1 (zh)
JP (2) JP7269410B2 (zh)
KR (1) KR102467388B1 (zh)
CN (1) CN115323358A (zh)
FI (1) FI129948B (zh)
TW (1) TWI822027B (zh)
WO (1) WO2022238611A1 (zh)

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5279670A (en) * 1990-03-31 1994-01-18 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical type diffusion apparatus
JPH04369214A (ja) * 1991-06-17 1992-12-22 Riken Corp 縦型電気炉
US5429498A (en) * 1991-12-13 1995-07-04 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment method and apparatus thereof
US5383984A (en) * 1992-06-17 1995-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus etching tunnel-type
JP3255966B2 (ja) * 1992-07-13 2002-02-12 ワイエイシイ株式会社 プラズマ処理装置
US5592581A (en) * 1993-07-19 1997-01-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus
TW299559B (zh) * 1994-04-20 1997-03-01 Tokyo Electron Co Ltd
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6800173B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
JP2003031564A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20030164143A1 (en) * 2002-01-10 2003-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Batch-type remote plasma processing apparatus
JP2003273020A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP4132932B2 (ja) * 2002-04-12 2008-08-13 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
AU2003253873A1 (en) * 2002-07-15 2004-02-02 Aviza Technology, Inc. Apparatus and method for backfilling a semiconductor wafer process chamber
US6952889B2 (en) * 2002-11-05 2005-10-11 Wafermasters, Inc. Forced convection assisted rapid thermal furnace
WO2005124859A2 (en) * 2004-06-10 2005-12-29 Avansys, Inc. Methods and apparatuses for depositing uniform layers
US7381926B2 (en) * 2005-09-09 2008-06-03 Applied Materials, Inc. Removable heater
KR100628887B1 (ko) * 2005-02-01 2006-09-26 삼성전자주식회사 마이크로웨이브 에너지를 이용하여 기판 상에 막을형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP2007128670A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ処理装置
KR100889703B1 (ko) * 2007-04-10 2009-03-24 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치
CN106560007B (zh) * 2014-07-07 2018-12-14 铣益系统有限责任公司 具备多个坩埚的薄膜沉积装置
DE102014222865A1 (de) * 2014-11-10 2016-05-12 Wacker Chemie Ag Wirbelschichtreaktor zur Herstellung von polykristallinem Siliciumgranulat und Verfahren zur Montage eines solchen Wirbelschichtreaktors
CN109689930B (zh) * 2016-09-16 2022-07-29 皮考逊公司 用于原子层沉积的设备和方法
EP3619335A4 (en) * 2017-05-02 2021-03-10 Picosun Oy ALD APPARATUS, PROCESS AND VALVE
CN111357090B (zh) * 2017-11-11 2024-01-05 微材料有限责任公司 用于高压处理腔室的气体输送系统
CN111433390B (zh) * 2017-12-22 2022-09-27 株式会社村田制作所 成膜装置
US20190341233A1 (en) * 2018-05-02 2019-11-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing apparatus and method
JP7373302B2 (ja) * 2019-05-15 2023-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
FI128855B (en) * 2019-09-24 2021-01-29 Picosun Oy FLUID DISTRIBUTOR FOR THIN FILM GROWING EQUIPMENT, RELATED EQUIPMENT AND METHODS
CN112481604B (zh) * 2020-12-03 2023-09-08 无锡邑文电子科技有限公司 一种ald加工设备以及加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115323358A (zh) 2022-11-11
JP7269410B2 (ja) 2023-05-08
WO2022238611A1 (en) 2022-11-17
TWI822027B (zh) 2023-11-11
JP2023075193A (ja) 2023-05-30
KR102467388B1 (ko) 2022-11-16
US20220356577A1 (en) 2022-11-10
FI129948B (en) 2022-11-15
FI20215554A1 (en) 2022-11-11
JP2022174008A (ja) 2022-11-22
EP4337806A1 (en) 2024-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100515052B1 (ko) 반도체 기판상에 소정의 물질을 증착하는 반도체 제조 장비
TWI464292B (zh) 塗覆金之多晶矽反應器系統和方法
KR101046043B1 (ko) 노용 다중 구역 히터
JP4961092B2 (ja) 特に１つ以上の結晶質の基板上に、特に結晶質の層を沈積する装置
US20020011216A1 (en) Integral susceptor-wall reactor system and method
US7381926B2 (en) Removable heater
KR20040084226A (ko) 박막증착용 반응용기
KR20220092574A (ko) 기판 상의 에지 막 두께 균일성을 개선시키기 위한 프로세스 키트
US6709520B1 (en) Reactor and method for chemical vapor deposition
TW202245109A (zh) 基體處理裝置及方法
TW202414656A (zh) 熱分佈器
KR20220155965A (ko) 기판 프로세싱 장치 및 방법
TWI223328B (en) Apparatus for depositing thin film on wafer
JPH0930893A (ja) 気相成長装置
US20020000200A1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
CN108456873B (zh) 一种下电极结构及工艺腔室
JP4809822B2 (ja) 触媒化学蒸着装置
JPH0532902B2 (zh)
JPH01279763A (ja) 気相成長装置
JP2008294154A (ja) Ｃｖｄ装置
JPS5950093A (ja) 拡散炉型減圧気相成長装置
TW201413177A (zh) 排氣加熱裝置
JP2006332498A (ja) 基板処理装置