TW202244134A - 含矽之光阻下層膜形成用組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種含矽之光阻下層膜形成用組成物，其特徵係含有： ［A］成分：聚矽氧烷、 ［B］成分：選自磺酸化合物、及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種、以及 ［C］成分：溶劑。

Description

含矽之光阻下層膜形成用組成物
本發明係關於一種含矽之光阻下層膜形成用組成物。
過去在半導體裝置製造中，已藉由使用光阻劑之微影來進行微細加工。微細加工之加工法係在矽晶圓等半導體基板上形成光阻劑的薄膜，於其上經由描繪有半導體裝置的圖案之光罩圖案而照射紫外線等活性光線，進行顯影，將所獲得之光阻劑圖案作為保護膜來對基板進行蝕刻處理，藉此在基板表面上形成與圖案對應之微細凹凸。 近年來，半導體裝置的高集積度化持續發展，所使用之活性光線亦有從KrF準分子雷射（248nm）向ArF準分子雷射（193nm）短波長化之傾向。隨著活性光線短波長化，活性光線從半導體基板反射的影響已成為一大問題，因此目前廣泛應用一種在光阻劑與被加工基板之間設置被稱為抗反射膜（Bottom Anti-Reflective Coating，BARC）之光阻下層膜的方法。
在半導體基板與光阻劑之間的下層膜，現使用含有矽或鈦等金屬元素之被稱之為硬光罩的膜。此情形下，因光阻及硬光罩中之構成成分存在極大差異，故藉由乾蝕刻來除去此等的速度大多取決於乾蝕刻中所使用之氣體種類。並且，藉由適當選擇氣體種類，能夠在不會有光阻劑的膜厚隨之大幅減少的情況下，藉由乾蝕刻除去硬光罩。如此一來，在近年來的半導體裝置製造中，為了達成以抗反射效果為首之各種效果，而在半導體基板與光阻劑之間配置有光阻下層膜。
迄今雖已對用於光阻下層膜之組成物進行研究，但從其所要求之特性的多樣性，仍期望可開發出用於光阻下層膜之新穎材料。例如，已揭露一種含有以特定矽酸作為骨架之結構之塗布型的BPSG（硼磷玻璃）膜形成用組成物，其課題在於形成可濕蝕刻之膜（專利文獻1）；以及，已揭露一種含有羰基結構之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其課題在於以藥液除去微影後的光罩殘渣（專利文獻2）。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2016-74774號公報 ［專利文獻2］國際公開第2018/181989號
［發明所欲解決之技術問題］
最先進的半導體裝置加工中，因植入層的微細化，通常，在多層製程中藉由乾蝕刻來進行向下層之轉印，並且最後以乾蝕刻或灰化處理來進行基板之加工、及基板加工後之光罩殘渣如包含光阻膜及光阻下層膜之下層膜之除去。然而，乾蝕刻或灰化處理對基板造成的損傷並不小，因此需要改善。
本發明係有鑑於如此情事所成之發明，目的在於：提供一種用以形成光阻下層膜之含矽之光阻下層膜形成用組成物，該光阻下層膜在半導體基板等之加工步驟中，不僅是過去的乾蝕刻之方法，亦能以使用藥液之濕蝕刻之方法（濕式法）來除去；尤其係提供一種用以形成光阻下層膜之含矽之下層膜形成用組成物，該光阻下層膜具優異的微影特性，且在濕蝕刻中亦可實現高的蝕刻速度。 ［技術手段］
本發明人為了解決前述課題而進行深入研究後，發現前述課題能夠獲得解決，從而完成具有以下要旨之本發明。
即，本發明包含以下。 ［1］一種含矽之光阻下層膜形成用組成物，其特徵係含有： ［A］成分：聚矽氧烷、 ［B］成分：選自磺酸化合物、及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種、以及 ［C］成分：溶劑。 ［2］如項［1］所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述［B］成分係選自硫酸、及磺酸化合物中至少一種。 ［3］如項［1］所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有［D］成分：硬化觸媒。 ［4］如項［3］所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述［D］成分與前述［B］成分的質量比率（［D］：［B］）為0.1：1.0～1.0：0.1。 ［5］如項［1］至［4］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述［B］成分含有具有羥基之磺酸化合物。 ［6］如項［1］至［5］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述［A］成分含有矽醇基的至少一部分經醇改性或經縮醛保護之聚矽氧烷改性物。 ［7］如項［1］至［6］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述［C］成分含有醇系溶劑。 ［8］如項［7］所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述［C］成分含有丙二醇單烷基醚。 ［9］如項［1］至［8］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有［E］成分：硝酸。 ［10］如項［1］至［9］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有［F］成分：選自胺及氫氧化物中至少一種。 ［11］如項［1］至［10］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述［C］成分含有水。 ［12］如項［1］至［11］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，前述含矽之光阻下層膜形成用組成物用於EUV微影用光阻下層膜。 ［13］一種光阻下層膜，其特徵為如項［1］至［12］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物的硬化物。 ［14］一種半導體加工用基板，其特徵係具備半導體基板、及如項［13］所述之光阻下層膜。 ［15］一種半導體元件之製造方法，其特徵係包含： 在基板上形成有機下層膜之步驟； 在前述有機下層膜上，使用如項［1］至［12］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物來形成光阻下層膜之步驟；以及 在前述光阻下層膜上，形成光阻膜之步驟。 ［16］如項［15］所述之半導體元件之製造方法，其中，前述形成光阻下層膜之步驟中，使用經尼龍過濾器過濾之含矽之光阻下層膜形成用組成物。 ［17］一種圖案形成方法，其特徵係包含： 在半導體基板上形成有機下層膜之步驟； 在前述有機下層膜上，塗布如項［1］至［12］中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，進行燒成，從而形成光阻下層膜之步驟； 在前述光阻下層膜上，塗布光阻膜形成用組成物，從而形成光阻膜之步驟； 使前述光阻膜曝光及顯影，從而獲得光阻圖案之步驟； 將前述光阻圖案用於光罩，並對前述光阻下層膜進行蝕刻之步驟；以及 將經圖案化之前述光阻下層膜用作光罩，並對前述有機下層膜進行蝕刻之步驟。 ［18］如項［17］所述之圖案形成方法，其中，前述圖案形成方法進一步包含在前述對有機下層膜進行蝕刻之步驟後，藉由使用藥液之濕式法來除去前述含矽之光阻下層膜之步驟。 ［發明之效果］
根據本發明，可提供一種能夠形成下層膜之含矽之光阻下層膜形成用組成物，該下層膜不僅是過去的乾蝕刻之方法，亦能以使用藥液之濕蝕刻之方法（濕式法）來除去，另可實現高的濕蝕刻速度，且具優異的微影特性。 並且，根據本發明，可提供一種含矽之光阻下層膜形成用組成物，其可適用於要求進一步微細化之微影步驟中。
（含矽之光阻下層膜形成用組成物） 本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物係含有：作為［A］成分之聚矽氧烷、作為［B］成分之選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種、以及作為［C］成分之溶劑，並且進一步視需要而含有其他成分。 本發明人發現：藉由使含有具矽氧烷之含矽之光阻下層膜形成用組成物中含有作為［B］成分之選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種（例如選自硫酸、及磺酸化合物中至少一種），而可形成一種能以使用藥液之濕蝕刻之方法來除去、另可實現高的濕蝕刻速度、且具優異的微影特性之光阻下層膜。 已知含矽之光阻下層膜形成用組成物中可使用磺酸鹽、磺酸酯、二苯碸等。另一方面，當有使用硫酸或磺酸化合物之情形時，蝕刻特性可能會降低。然而，本發明人發現：可形成一種在使用磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸（例如硫酸或磺酸化合物）之情形時亦能以使用藥液之濕蝕刻之方法來除去、另可實現高的濕蝕刻速度、且具優異的微影特性之光阻下層膜。
＜［A］成分：聚矽氧烷＞ 作為［A］成分之聚矽氧烷，只要為具有矽氧烷鍵之聚合物，則無特別限定。
聚矽氧烷，可包含矽醇基的一部分經改性之改性聚矽氧烷，例如：矽醇基的一部分經醇改性之聚矽氧烷改性物、或矽醇基的一部分經縮醛保護之聚矽氧烷改性物。 此外，聚矽氧烷之一例，係含有水解性矽烷的水解縮合物，亦可含有水解縮合物所具有之矽醇基的至少一部分經醇改性或經縮醛保護之改性聚矽氧烷。水解縮合物之水解性矽烷中可含有一種或兩種以上的水解性矽烷。 此外，聚矽氧烷可為具有籠型、階梯型、直鏈型、及支鏈型中任一種主鏈之結構。而且，聚矽氧烷可使用市售的聚矽氧烷。
又，本發明中，水解性矽烷的「水解縮合物」，即經水解縮合之產物不僅包含縮合已完全完成之縮合物之聚有機矽氧烷聚合物，亦包含縮合未完全完成之部分水解縮合物之聚有機矽氧烷聚合物。如此部分水解縮合物與縮合已完全完成之縮合物相同，皆係使水解性矽烷進行水解及縮合而獲得之聚合物，但部分會止於水解而不縮合，因此會有Si-OH基殘存。此外，除了水解縮合物之外，含矽之光阻下層膜形成用組成物中亦可有未縮合之水解物（完全水解物、部分水解物）、及單體（水解性矽烷）殘存。 又，本說明書中，「水解性矽烷」亦可簡稱為「矽烷化合物」。
聚矽氧烷可列舉例如含有至少一種下述式（1）表示之水解性矽烷之水解性矽烷的水解縮合物。
＜＜式（1）＞＞ ［化1］
Figure 02_image001
式（1）中，R 1為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有環氧基之有機基、具有丙烯醯基之有機基、具有甲基丙烯醯基之有機基、具有巰基之有機基、具有胺基之有機基、具有烷氧基之有機基、具有磺醯基之有機基、或具有氰基之有機基、或者其等兩種以上的組合。 此外，R 2為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子。 a表示0～3的整數。
＜＜＜R 1＞＞＞ 烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中任一種，其碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下，再更理想為10以下。 烷基，直鏈狀或支鏈狀烷基的具體例可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基及1-乙基-2-甲基-正丙基等。 又，本說明書中，「i」意指「iso（異）」，「s」意指「sec（二級）」，「t」意指「tert（三級）」。
環狀烷基之具體例可列舉：環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基及2-乙基-3-甲基-環丙基等環烷基；雙環丁基、雙環戊基、雙環己基、雙環庚基、雙環辛基、雙環壬基及雙環癸基等交聯環式環烷基等。
芳基可為以下任一種：苯基、從縮合環芳香族碳氫化合物上移除一個氫原子而衍生之一價基團、及從環連接芳香族碳氫化合物上移除一個氫原子而衍生之一價基團；其碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下。 例如，芳基可列舉碳數6～20的芳基，其一例可列舉：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、2-稠四苯基、5-稠四苯基、2-䓛基、1-芘基、2-芘基、稠五苯基、苯并芘基、聯伸三苯基；聯苯-2-基（鄰聯苯基）、聯苯-3-基（間聯苯基）、聯苯-4-基（對聯苯基）、對聯三苯-4-基、間聯三苯-4-基、鄰聯三苯-4-基、1,1’-聯萘-2-基、2,2’-聯萘-1-基等，但不限於此等。
芳烷基係被芳基取代之烷基，如此芳基及烷基的具體例可列舉與前述相同的例示。芳烷基的碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下。 芳烷基的具體例可列舉：苯甲基（苄基）、2-苯基伸乙基、3-苯基-正丙基、4-苯基-正丁基、5-苯基-正戊基、6-苯基-正己基、7-苯基-正庚基、8-苯基-正辛基、9-苯基-正壬基、10-苯基-正癸基等，但不限於此等。
鹵化烷基、鹵化芳基、及鹵化芳烷基係分別被一個以上的鹵素原子取代之烷基、芳基、及芳烷基，如此烷基、芳基及芳烷基的具體例可列舉與前述相同的例示。 鹵素原子可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
鹵化烷基的碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下，再更理想為10以下。 鹵化烷基的具體例可列舉：一氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、溴二氟甲基、2-氯乙基、2-溴乙基、1,1-二氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、2-氯-1,1,2-三氟乙基、五氟乙基、3-溴丙基、2,2,3,3-四氟丙基、1,1,2,3,3,3-六氟丙基、1,1,1,3,3,3-六氟丙-2-基、3-溴-2-甲基丙基、4-溴丁基、全氟戊基等，但不限於此等。
鹵化芳基的碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下。 鹵化芳基的具體例可列舉：2-氟苯基、3-氟苯基、4-氟苯基、2,3-二氟苯基、2,4-二氟苯基、2,5-二氟苯基、2,6-二氟苯基、3,4-二氟苯基、3,5-二氟苯基、2,3,4-三氟苯基、2,3,5-三氟苯基、2,3,6-三氟苯基、2,4,5-三氟苯基、2,4,6-三氟苯基、3,4,5-三氟苯基、2,3,4,5-四氟苯基、2,3,4,6-四氟苯基、2,3,5,6-四氟苯基、五氟苯基、2-氟-1-萘基、3-氟-1-萘基、4-氟-1-萘基、6-氟-1-萘基、7-氟-1-萘基、8-氟-1-萘基、4,5-二氟-1-萘基、5,7-二氟-1-萘基、5,8-二氟-1-萘基、5,6,7,8-四氟-1-萘基、七氟-1-萘基、1-氟-2-萘基、5-氟-2-萘基、6-氟-2-萘基、7-氟-2-萘基、5,7-二氟-2-萘基、七氟-2-萘基等，另可列舉此等基團中的氟原子（氟基）被氯原子（氯基）、溴原子（溴基）、碘原子（碘基）任意取代之基團，但不限於此等。
鹵化芳烷基的碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下。 鹵化芳烷基的具體例可列舉：2-氟苄基、3-氟苄基、4-氟苄基、2,3-二氟苄基、2,4-二氟苄基、2,5-二氟苄基、2,6-二氟苄基、3,4-二氟苄基、3,5-二氟苄基、2,3,4-三氟苄基、2,3,5-三氟苄基、2,3,6-三氟苄基、2,4,5-三氟苄基、2,4,6-三氟苄基、2,3,4,5-四氟苄基、2,3,4,6-四氟苄基、2,3,5,6-四氟苄基、2,3,4,5,6-五氟苄基等，另可列舉此等基團中的氟原子（氟基）被氯原子（氯基）、溴原子（溴基）、碘原子（碘基）任意取代之基團，但不限於此等。
烷氧烷基、烷氧芳基、及烷氧芳烷基係分別被一個以上的烷氧基取代之烷基、芳基、及芳烷基，如此烷基、芳基及芳烷基的具體例可列舉與前述相同的例示。
作為取代基之烷氧基可列舉例如具有碳數1～20的直鏈狀、支鏈狀、及環狀中至少任一種的烷基部分之烷氧基。 直鏈狀或支鏈狀烷氧基可列舉例如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-甲基-正丁氧基、1,1-二甲基-正丙氧基、1,2-二甲基-正丙氧基、2,2-二甲基-正丙氧基、1-乙基-正丙氧基、正己氧基、1-甲基-正戊氧基、2-甲基-正戊氧基、3-甲基-正戊氧基、4-甲基-正戊氧基、1,1-二甲基-正丁氧基、1,2-二甲基-正丁氧基、1,3-二甲基-正丁氧基、2,2-二甲基-正丁氧基、2,3-二甲基-正丁氧基、3,3-二甲基-正丁氧基、1-乙基-正丁氧基、2-乙基-正丁氧基、1,1,2-三甲基-正丙氧基、1,2,2-三甲基-正丙氧基、1-乙基-1-甲基-正丙氧基及1-乙基-2-甲基-正丙氧基等。 此外，環狀烷氧基可列舉例如：環丙氧基、環丁氧基、1-甲基-環丙氧基、2-甲基-環丙氧基、環戊氧基、1-甲基-環丁氧基、2-甲基-環丁氧基、3-甲基-環丁氧基、1,2-二甲基-環丙氧基、2,3-二甲基-環丙氧基、1-乙基-環丙氧基、2-乙基-環丙氧基、環己氧基、1-甲基-環戊氧基、2-甲基-環戊氧基、3-甲基-環戊氧基、1-乙基-環丁氧基、2-乙基-環丁氧基、3-乙基-環丁氧基、1,2-二甲基-環丁氧基、1,3-二甲基-環丁氧基、2,2-二甲基-環丁氧基、2,3-二甲基-環丁氧基、2,4-二甲基-環丁氧基、3,3-二甲基-環丁氧基、1-正丙基-環丙氧基、2-正丙基-環丙氧基、1-異丙基-環丙氧基、2-異丙基-環丙氧基、1,2,2-三甲基-環丙氧基、1,2,3-三甲基-環丙氧基、2,2,3-三甲基-環丙氧基、1-乙基-2-甲基-環丙氧基、2-乙基-1-甲基-環丙氧基、2-乙基-2-甲基-環丙氧基及2-乙基-3-甲基-環丙氧基等。
烷氧烷基的具體例可列舉：甲氧基甲基、乙氧基甲基、1-乙氧基乙基、2-乙氧基乙基、乙氧基甲基等低級（碳數在5以下左右）烷氧低級（碳數在5以下左右）烷基等，但不限於此等。 烷氧芳基的具體例可列舉：2-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、2-(1-乙氧基)苯基、3-(1-乙氧基)苯基、4-(1-乙氧基)苯基、2-(2-乙氧基)苯基、3-(2-乙氧基)苯基、4-(2-乙氧基)苯基、2-甲氧基萘-1-基、3-甲氧基萘-1-基、4-甲氧基萘-1-基、5-甲氧基萘-1-基、6-甲氧基萘-1-基、7-甲氧基萘-1-基等，但不限於此等。 烷氧芳烷基的具體例可列舉：3-(甲氧基苯基)苄基、4-(甲氧基苯基)苄基等，但不限於此等。
烯基可為直鏈狀或支鏈狀中任一種，其碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下，再更理想為10以下。 烯基的具體例可列舉：乙烯基（vinyl）、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-異丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-環戊烯基、2-環戊烯基、3-環戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-二級丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-異丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-異丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-三級丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-異丙基-1-丙烯基、1-異丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-環戊烯基、1-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-1-環戊烯基、2-甲基-2-環戊烯基、2-甲基-3-環戊烯基、2-甲基-4-環戊烯基、2-甲基-5-環戊烯基、2-亞甲基-環戊基、3-甲基-1-環戊烯基、3-甲基-2-環戊烯基、3-甲基-3-環戊烯基、3-甲基-4-環戊烯基、3-甲基-5-環戊烯基、3-亞甲基-環戊基、1-環己烯基、2-環己烯基及3-環己烯基等，另亦可列舉雙環庚烯基（降莰基）等交聯環式烯基。
此外，前述烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烷氧烷基、烷氧芳基、烷氧芳烷基、及烯基中之取代基可列舉例如：烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烷氧烷基、芳氧基、烷氧芳基、烷氧芳烷基、烯基、烷氧基、芳烷氧基等，此等具體例以及其理想的碳數可列舉與前述或後述相同的例示。 此外，取代基中所列舉之芳氧基係芳基經由氧原子（-O-）鍵結之基團，如此芳基的具體例可列舉與前述相同的例示。芳氧基的碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下，其具體例可列舉苯氧基、萘-2-基氧基等，但不限於此等。 此外，當取代基存在兩個以上之情形時，取代基可彼此鍵結而形成環。
具有環氧基之有機基可列舉：環氧丙氧甲基、環氧丙氧乙基、環氧丙氧丙基、環氧丙氧丁基、環氧環己基等。 具有丙烯醯基之有機基可列舉：丙烯醯基甲基、丙烯醯基乙基、丙烯醯基丙基等。 具有甲基丙烯醯基之有機基可列舉：甲基丙烯醯基甲基、甲基丙烯醯基乙基、甲基丙烯醯基丙基等。 具有巰基之有機基可列舉：巰基乙基、巰基丁基、巰基己基、巰基辛基、巰基苯基等。 具有胺基之有機基可列舉：胺基、胺甲基、胺乙基、胺苯基、二甲胺基乙基、二甲胺基丙基等，但不限於此等。後面將進一步詳細說明具有胺基之有機基。 具有烷氧基之有機基可列舉例如甲氧基甲基、甲氧基乙基，但不限於此等。惟，烷氧基直接與矽原子鍵結之基團除外。 具有磺醯基之有機基可列舉例如磺醯基烷基、磺醯基芳基，但不限於此等。 具有氰基之有機基可列舉：氰乙基、氰丙基、氰苯基、氰硫基等。
具有胺基之有機基可列舉具有一級胺基、二級胺基、及三級胺基中至少任一種之有機基。理想可使用對具有三級胺基之水解性矽烷以強酸進行水解後而形成具有三級銨基之抗衡陽離子之水解縮合物。此外，除了構成胺基之氮原子以外，有機基亦可含有氧原子、硫原子等雜原子。
具有胺基之有機基的一理想例可列舉下述式（A1）表示之基團。
［化2］
Figure 02_image003
式（A1）中，R 101及R 102彼此獨立表示氫原子或烴基，L彼此獨立表示可經取代之伸烷基。＊表示鍵結鍵。 烴基可列舉：烷基、烯基、芳基等，但不限於此等。此等烷基、烯基及芳基的具體例可列舉與R 1中前述相同的例示。 此外，伸烷基可為直鏈狀、支鏈狀中任一種，其碳數通常為1～10，理想為1～5。可列舉例如：亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、七亞甲基、八亞甲基、九亞甲基、十亞甲基等直鏈狀伸烷基。 具有胺基之有機基可列舉：胺基、胺甲基、胺乙基、胺苯基、二甲胺基乙基、二甲胺基丙基等，但不限於此等。
＜＜＜R 2＞＞＞ R 2中之烷氧基可列舉例如R 1之說明中所例示之烷氧基。 R 2中之鹵素原子可列舉例如R 1之說明中所例示之鹵素原子。
芳烷氧基係從芳烷醇的羥基上移除氫原子而衍生之一價基團，芳烷氧基中之芳烷基的具體例可列舉與前述相同的例示。 芳烷氧基的碳數無特別限定，例如可為40以下，理想可為30以下，更理想可為20以下。 芳烷氧基的具體例可列舉：苯基甲基氧基（苄氧基）、2-苯基伸乙基氧基、3-苯基-正丙基氧基、4-苯基-正丁基氧基、5-苯基-正戊基氧基、6-苯基-正己基氧基、7-苯基-正庚基氧基、8-苯基-正辛基氧基、9-苯基-正壬基氧基、10-苯基-正癸基氧基等，但不限於此等。
醯氧基係從羧酸化合物的羧基（-COOH）上移除氫原子而衍生之一價基團，典型而言，可列舉：從烷基羧酸、芳基羧酸或芳烷基羧酸的羧基上移除氫原子而衍生之烷基羰氧基、芳基羰氧基或芳烷基羰氧基，但不限於此等。如此烷基羧酸、芳基羧酸及芳烷基羧酸中之烷基、芳基及芳烷基的具體例可列舉與前述相同的例示。 醯氧基的具體例可列舉碳數2～20的醯氧基，可列舉例如：甲基羰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、異丙基羰氧基、正丁基羰氧基、異丁基羰氧基、二級丁基羰氧基、三級丁基羰氧基、正戊基羰氧基、1-甲基-正丁基羰氧基、2-甲基-正丁基羰氧基、3-甲基-正丁基羰氧基、1,1-二甲基-正丙基羰氧基、1,2-二甲基-正丙基羰氧基、2,2-二甲基-正丙基羰氧基、1-乙基-正丙基羰氧基、正己基羰氧基、1-甲基-正戊基羰氧基、2-甲基-正戊基羰氧基、3-甲基-正戊基羰氧基、4-甲基-正戊基羰氧基、1,1-二甲基-正丁基羰氧基、1,2-二甲基-正丁基羰氧基、1,3-二甲基-正丁基羰氧基、2,2-二甲基-正丁基羰氧基、2,3-二甲基-正丁基羰氧基、3,3-二甲基-正丁基羰氧基、1-乙基-正丁基羰氧基、2-乙基-正丁基羰氧基、1,1,2-三甲基-正丙基羰氧基、1,2,2-三甲基-正丙基羰氧基、1-乙基-1-甲基-正丙基羰氧基、1-乙基-2-甲基-正丙基羰氧基、苯基羰氧基、及甲苯磺醯基羰氧基等。
＜＜＜式（1）表示之水解性矽烷的具體例＞＞＞ 式（1）表示之水解性矽烷的具體例可列舉：四甲氧基矽烷、四氯矽烷、四乙醯氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三氯矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、甲基三戊氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷、甲基三苄氧基矽烷、甲基三苯乙氧基矽烷、環氧丙氧甲基三甲氧基矽烷、環氧丙氧甲基三乙氧基矽烷、α-環氧丙氧乙基三甲氧基矽烷、α-環氧丙氧乙基三乙氧基矽烷、β-環氧丙氧乙基三甲氧基矽烷、β-環氧丙氧乙基三乙氧基矽烷、α-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、α-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷、β-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、β-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基三丙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基三丁氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基三苯氧基矽烷、α-環氧丙氧丁基三甲氧基矽烷、α-環氧丙氧丁基三乙氧基矽烷、β-環氧丙氧丁基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丁基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丁基三乙氧基矽烷、δ-環氧丙氧丁基三甲氧基矽烷、δ-環氧丙氧丁基三乙氧基矽烷、(3,4-環氧環己基)甲基三甲氧基矽烷、(3,4-環氧環己基)甲基三乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三丙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三丁氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三苯氧基矽烷、γ-(3,4-環氧環己基)丙基三甲氧基矽烷、γ-(3,4-環氧環己基)丙基三乙氧基矽烷、δ-(3,4-環氧環己基)丁基三甲氧基矽烷、δ-(3,4-環氧環己基)丁基三乙氧基矽烷、環氧丙氧甲基甲基二甲氧基矽烷、環氧丙氧甲基甲基二乙氧基矽烷、α-環氧丙氧乙基甲基二甲氧基矽烷、α-環氧丙氧乙基甲基二乙氧基矽烷、β-環氧丙氧乙基甲基二甲氧基矽烷、β-環氧丙氧乙基乙基二甲氧基矽烷、α-環氧丙氧丙基甲基二甲氧基矽烷、α-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷、β-環氧丙氧丙基甲基二甲氧基矽烷、β-環氧丙氧丙基乙基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基甲基二丙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基甲基二丁氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基甲基二苯氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基乙基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基乙基二乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基乙烯基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基乙烯基二乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、甲基乙烯基二甲氧基矽烷、甲基乙烯基二乙氧基矽烷、甲基乙烯基二氯矽烷、甲基乙烯基二乙醯氧基矽烷、二甲基乙烯基甲氧基矽烷、二甲基乙烯基乙氧基矽烷、二甲基乙烯基氯矽烷、二甲基乙烯基乙醯氧基矽烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷、二乙烯基二氯矽烷、二乙烯基二乙醯氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基乙烯基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基乙烯基二乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基三氯矽烷、烯丙基三乙醯氧基矽烷、烯丙基甲基二甲氧基矽烷、烯丙基甲基二乙氧基矽烷、烯丙基甲基二氯矽烷、烯丙基甲基二乙醯氧基矽烷、烯丙基二甲基甲氧基矽烷、烯丙基二甲基乙氧基矽烷、烯丙基二甲基氯矽烷、烯丙基二甲基乙醯氧基矽烷、二烯丙基二甲氧基矽烷、二烯丙基二乙氧基矽烷、二烯丙基二氯矽烷、二烯丙基二乙醯氧基矽烷、3-烯丙胺基丙基三甲氧基矽烷、3-烯丙胺基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三氯矽烷、苯基三乙醯氧基矽烷、苯基甲基二甲氧基矽烷、苯基甲基二乙氧基矽烷、苯基甲基二氯矽烷、苯基甲基二乙醯氧基矽烷、苯基二甲基甲氧基矽烷、苯基二甲基乙氧基矽烷、苯基二甲基氯矽烷、苯基二甲基乙醯氧基矽烷、二苯基甲基甲氧基矽烷、二苯基甲基乙氧基矽烷、二苯基甲基氯矽烷、二苯基甲基乙醯氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二氯矽烷、二苯基二乙醯氧基矽烷、三苯基甲氧基矽烷、三苯基乙氧基矽烷、三苯基乙醯氧基矽烷、三苯基氯矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基-3-(3-苯氧基丙基硫基丙基)矽烷、三乙氧基((2-甲氧基-4-(甲氧基甲基)苯氧基)甲基)矽烷、苄基三甲氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、苄基甲基二甲氧基矽烷、苄基甲基二乙氧基矽烷、苄基二甲基甲氧基矽烷、苄基二甲基乙氧基矽烷、苄基二甲基氯矽烷、苯乙基三甲氧基矽烷、苯乙基三乙氧基矽烷、苯乙基三氯矽烷、苯乙基三乙醯氧基矽烷、苯乙基甲基二甲氧基矽烷、苯乙基甲基二乙氧基矽烷、苯乙基甲基二氯矽烷、苯乙基甲基二乙醯氧基矽烷、甲氧基苯基三甲氧基矽烷、甲氧基苯基三乙氧基矽烷、甲氧基苯基三乙醯氧基矽烷、甲氧基苯基三氯矽烷、甲氧基苄基三甲氧基矽烷、甲氧基苄基三乙氧基矽烷、甲氧基苄基三乙醯氧基矽烷、甲氧基苄基三氯矽烷、甲氧基苯乙基三甲氧基矽烷、甲氧基苯乙基三乙氧基矽烷、甲氧基苯乙基三乙醯氧基矽烷、甲氧基苯乙基三氯矽烷、乙氧基苯基三甲氧基矽烷、乙氧基苯基三乙氧基矽烷、乙氧基苯基三乙醯氧基矽烷、乙氧基苯基三氯矽烷、乙氧基苄基三甲氧基矽烷、乙氧基苄基三乙氧基矽烷、乙氧基苄基三乙醯氧基矽烷、乙氧基苄基三氯矽烷、異丙氧基苯基三甲氧基矽烷、異丙氧基苯基三乙氧基矽烷、異丙氧基苯基三乙醯氧基矽烷、異丙氧基苯基三氯矽烷、異丙氧基苄基三甲氧基矽烷、異丙氧基苄基三乙氧基矽烷、異丙氧基苄基三乙醯氧基矽烷、異丙氧基苄基三氯矽烷、三級丁氧基苯基三甲氧基矽烷、三級丁氧基苯基三乙氧基矽烷、三級丁氧基苯基三乙醯氧基矽烷、三級丁氧基苯基三氯矽烷、三級丁氧基苄基三甲氧基矽烷、三級丁氧基苄基三乙氧基矽烷、三級丁氧基苄基三乙醯氧基矽烷、三級丁氧基苄基三氯矽烷、甲氧基萘基三甲氧基矽烷、甲氧基萘基三乙氧基矽烷、甲氧基萘基三乙醯氧基矽烷、甲氧基萘基三氯矽烷、乙氧基萘基三甲氧基矽烷、乙氧基萘基三乙氧基矽烷、乙氧基萘基三乙醯氧基矽烷、乙氧基萘基三氯矽烷、γ-氯丙基三甲氧基矽烷、γ-氯丙基三乙氧基矽烷、γ-氯丙基三乙醯氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三乙氧基矽烷、β-氰乙基三乙氧基矽烷、氰硫基丙基三乙氧基矽烷、氯甲基三甲氧基矽烷、氯甲基三乙氧基矽烷、三乙氧基矽基丙基二烯丙基異氰脲酸酯、雙環[2,2,1]庚烯基三乙氧基矽烷、苯磺醯基丙基三乙氧基矽烷、苯磺醯胺基丙基三乙氧基矽烷、二甲胺基丙基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、苯基甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、苯基甲基二乙氧基矽烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-氯丙基甲基二乙氧基矽烷、二甲基二乙醯氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-巰基甲基二乙氧基矽烷、甲基乙烯基二甲氧基矽烷、甲基乙烯基二乙氧基矽烷、及下述式（A-1）至（A-41）表示之矽烷、下述式（1-1）至（1-290）表示之矽烷等，但不限於此等。
［化3］
Figure 02_image005
［化4］
Figure 02_image007
［化5］
Figure 02_image009
［化6］
Figure 02_image011
［化7］
Figure 02_image013
［化8］
Figure 02_image015
［化9］
Figure 02_image017
［化10］
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［化11］
Figure 02_image021
［化12］
Figure 02_image023
［化13］
Figure 02_image025
［化14］
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［化15］
Figure 02_image029
［化16］
Figure 02_image031
［化17］
Figure 02_image033
［化18］
Figure 02_image035
［化19］
Figure 02_image037
［化20］
Figure 02_image039
［化21］
Figure 02_image041
［化22］
Figure 02_image043
［化23］
Figure 02_image045
［化24］
Figure 02_image047
［化25］
Figure 02_image049
［化26］
Figure 02_image051
［化27］
Figure 02_image053
［化28］
Figure 02_image055
［化29］
Figure 02_image057
［化30］
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［化31］
Figure 02_image061
［化32］
Figure 02_image063
［化33］
Figure 02_image065
［化34］
Figure 02_image067
［化35］
Figure 02_image069
［化36］
Figure 02_image071
［化37］
Figure 02_image073
［化38］
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［化39］
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［化40］
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［化41］
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［化42］
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［化43］
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［化44］
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［化45］
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［化46］
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［化47］
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［化48］
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［化49］
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［化50］
Figure 02_image099
［化51］
Figure 02_image101
［化52］
Figure 02_image103
式（1-1）至（1-290）中，T彼此獨立表示烷氧基、醯氧基、或鹵基，例如，理想係彼此獨立表示甲氧基或乙氧基。
此外，［A］聚矽氧烷可列舉水解性矽烷的水解縮合物，其同時含有式（1）表示之水解性矽烷及下述式（2）表示之水解性矽烷，或是含有下述式（2）表示之水解性矽烷以取代式（1）表示之水解性矽烷。
＜式（2）＞ ［化53］
Figure 02_image105
式（2）中，R 3為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有環氧基之有機基、具有丙烯醯基之有機基、具有甲基丙烯醯基之有機基、具有巰基之有機基、具有胺基之有機基、具有烷氧基之有機基、具有磺醯基之有機基、或具有氰基之有機基、或者其等兩種以上的組合。 此外，R 4為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子。 R 5為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示伸烷基或伸芳基。 b表示0或1，c表示0或1。
R 3中各基團的具體例、以及其理想的碳數可列舉R 1相關前述基團及碳數。 R 4中各基團及原子的具體例、以及其理想的碳數可列舉R 2相關前述基團、原子及碳數。 R 5中伸烷基的具體例可列舉：亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、七亞甲基、八亞甲基、九亞甲基、十亞甲基等直鏈狀伸烷基；1-甲基三亞甲基、2-甲基三亞甲基、1,1-二甲基伸乙基、1-甲基四亞甲基、2-甲基四亞甲基、1,1-二甲基三亞甲基、1,2-二甲基三亞甲基、2,2-二甲基三亞甲基、1-乙基三亞甲基等支鏈狀伸烷基等伸烷基；甲三基、乙-1,1,2-三基、乙-1,2,2-三基、乙-2,2,2-三基、丙-1,1,1-三基、丙-1,1,2-三基、丙-1,2,3-三基、丙-1,2,2-三基、丙-1,1,3-三基、丁-1,1,1-三基、丁-1,1,2-三基、丁-1,1,3-三基、丁-1,2,3-三基、丁-1,2,4-三基、丁-1,2,2-三基、丁-2,2,3-三基、2-甲基丙-1,1,1-三基、2-甲基丙-1,1,2-三基、2-甲基丙-1,1,3-三基等烷三基等，但不限於此等。 R 5中伸芳基的具體例可列舉：1,2-伸苯基、1,3-伸苯基、1,4-伸苯基；1,5-萘二基、1,8-萘二基、2,6-萘二基、2,7-萘二基、1,2-蒽二基、1,3-蒽二基、1,4-蒽二基、1,5-蒽二基、1,6-蒽二基、1,7-蒽二基、1,8-蒽二基、2,3-蒽二基、2,6-蒽二基、2,7-蒽二基、2,9-蒽二基、2,10-蒽二基、9,10-蒽二基等從縮合環芳香族碳氫化合物的芳香環上移除兩個氫原子而衍生之基團；4,4’-聯苯二基、4,4”-對聯三苯二基中從環連接芳香族碳氫化合物的芳香環上移除兩個氫原子而衍生之基團等，但不限於此等。 b理想為0。 c理想為1。
式（2）表示之水解性矽烷的具體例可列舉：亞甲基雙三甲氧基矽烷、亞甲基雙三氯矽烷、亞甲基雙三乙醯氧基矽烷、伸乙基雙三乙氧基矽烷、伸乙基雙三氯矽烷、伸乙基雙三乙醯氧基矽烷、伸丙基雙三乙氧基矽烷、伸丁基雙三甲氧基矽烷、伸苯基雙三甲氧基矽烷、伸苯基雙三乙氧基矽烷、伸苯基雙甲基二乙氧基矽烷、伸苯基雙甲基二甲氧基矽烷、伸萘基雙三甲氧基矽烷、雙三甲氧基二矽烷、雙三乙氧基二矽烷、雙乙基二乙氧基二矽烷、雙甲基二甲氧基二矽烷等，但不限於此等。
此外，［A］聚矽氧烷可列舉水解性矽烷的水解縮合物，其含有式（1）表示之水解性矽烷及／或式（2）表示之水解性矽烷，並同時含有下述所列舉之其他水解性矽烷。 其他水解性矽烷可列舉：分子內具有鎓基之矽烷化合物、具有磺基之矽烷化合物、具有磺醯胺基之矽烷化合物、分子內具有環狀脲骨架之矽烷化合物等，但不限於此等。
＜＜分子內具有鎓基之矽烷化合物（水解性有機矽烷）＞＞ 分子內具有鎓基之矽烷化合物係可望能夠有效且有效率地促進水解性矽烷的交聯反應。
分子內具有鎓基之矽烷化合物的一理想例係由式（3）表示。
［化54］
Figure 02_image107
R 11為與矽原子鍵結之基團，表示鎓基或具有鎓基之有機基。 R 12為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有環氧基之有機基、具有丙烯醯基之有機基、具有甲基丙烯醯基之有機基、具有巰基之有機基、具有胺基之有機基、或具有氰基之有機基、或者其等兩種以上的組合。 R 13為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子。 f表示1或2，g表示0或1，並滿足1≦f＋g≦2。
烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烷氧烷基、烷氧芳基、烷氧芳烷基、烯基、具有環氧基之有機基、具有丙烯醯基之有機基、具有甲基丙烯醯基之有機基、具有巰基之有機基、具有胺基之有機基、具有氰基之有機基、烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、鹵素原子的具體例、還有烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烷氧烷基、烷氧芳基、烷氧芳烷基及烯基的取代基的具體例、以及其理想的碳數，R 12中可列舉R 1相關前述例示，R 13中可列舉R 2相關前述例示。
若要更加詳細闡述，鎓基的具體例可列舉環狀銨基或鏈狀銨基，理想為三級銨基或四級銨基。 即，鎓基或具有鎓基之有機基的理想具體例可列舉：環狀銨基、鏈狀銨基、或具有至少其一之有機基，理想為三級銨基、四級銨基、或具有至少其一之有機基。 又，在鎓基為環狀銨基之情形下，構成銨基之氮原子也身兼構成環之原子。此時，會有構成環之氮原子與矽原子直接或是經由二價連結基來鍵結之情形、以及構成環之碳原子與矽原子直接或是經由二價連結基來鍵結之情形。
理想態樣的一例中，作為與矽原子鍵結之基團之R 11為下述式（S1）表示之雜芳族環狀銨基。
［化55］
Figure 02_image109
式（S1）中，A 1、A 2、A 3及A 4彼此獨立表示任一下述式（J1）至式（J3）表示之基團，但A 1～A 4至少其中之一為下述式（J2）表示之基團，且根據式（3）之矽原子與A 1～A 4何者鍵結，來確定各A 1～A 4與其各自鄰接並共同構成環之原子之間的鍵結究竟係單鍵或是雙鍵，從而使所構成之環顯示芳香性。＊表示鍵結鍵。
［化56］
Figure 02_image111
式（J1）至式（J3）中，R 10彼此獨立表示：單鍵、氫原子、烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基或烯基，而烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基及烯基的具體例以及其理想的碳數可列舉與前述相同的例示。＊表示鍵結鍵。
式（S1）中，R 14彼此獨立表示：烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烯基或羥基，當R 14存在兩個以上之情形時，兩個R 14可彼此鍵結而形成環，兩個R 14所形成之環可為交聯環結構，此種情形下，環狀銨基會具有金剛烷環、降莰烯環、螺環等。 如此烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基及烯基的具體例以及其理想的碳數可列舉與前述相同的例示。
式（S1）中，n 1為1～8的整數，m 1為0或1，m 2為0或1至可在單環或多環上進行取代之最大值的正整數。 當m 1為0之情形時，可構成含有A 1～A 4之（4＋n 1）元環。即，當n 1為1時可構成五元環，當n 1為2時可構成六元環，當n 1為3時可構成七元環，當n 1為4時可構成八元環，當n 1為5時可構成九元環，當n 1為6時可構成十元環，當n 1為7時可構成十一元環，當n 1為8時可構成十二元環。 當m 1為1之情形時，可形成含有A 1～A 3之（4＋n 1）元環與含有A 4之六元環進行縮合而成之縮合環。 會有在構成環之原子上具有氫原子之情形、及不具有氫原子之情形係取決於A 1～A 4究竟為式（J1）至式（J3）何者，當A 1～A 4在構成環之原子上具有氫原子之情形時，其氫原子可取代為R 14。此外，R 14亦可在A 1～A 4中環構成原子以外的環構成原子上進行取代。鑑於如此情事，如前所述，m 2係選自0或1至可在單環或多環上進行取代之最大值的整數。
式（S1）表示之雜芳族環狀銨基的鍵結鍵係存在於如此單環或縮合環中存在之任意碳原子或氮原子，並且與矽原子直接鍵結，或是與連結基鍵結而構成具有環狀銨之有機基後其再與矽原子鍵結。 如此連結基可列舉：伸烷基、伸芳基、伸烯基等，但不限於此等。 伸烷基及伸芳基的具體例以及其理想的碳數可列舉與前述相同的例示。
此外，伸烯基係進一步從烯基上移除一個氫原子而衍生之二價基團，如此烯基的具體例可列舉與前述相同的例示。伸烯基的碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下。 其具體例可列舉：伸乙烯基、1-甲基伸乙烯基、伸丙烯基、1-伸丁烯基、2-伸丁烯基、1-伸戊烯基、2-伸戊烯基等，但不限於此等。
具有式（S1）表示之雜芳族環狀銨基的式（3）表示之矽烷化合物（水解性有機矽烷）的具體例可列舉下述式（I-1）至（I-50）表示之矽烷等，但不限於此等。
［化57］
Figure 02_image113
［化58］
Figure 02_image115
［化59］
Figure 02_image117
此外，其他一例中，式（3）中作為與矽原子鍵結之基團之R 11可為下述式（S2）表示之雜脂肪族環狀銨基。
［化60］
Figure 02_image119
式（S2）中，A 5、A 6、A 7及A 8彼此獨立表示任一下述式（J4）至式（J6）表示之基團，但A 5～A 8至少其中之一為下述式（J5）表示之基團。根據式（3）之矽原子與A 5～A 8何者鍵結，來確定各A 5～A 8與其各自鄰接並共同構成環之原子之間的鍵結究竟係單鍵或是雙鍵，從而使所構成之環顯示非芳香性。＊表示鍵結鍵。
［化61］
Figure 02_image121
式（J4）至式（J6）中，R 10彼此獨立表示：單鍵、氫原子、烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基或烯基，而烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基及烯基的具體例以及其理想的碳數可列舉與前述相同的例示。＊表示鍵結鍵。
式（S2）中，R 15彼此獨立表示：烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烯基或羥基，當R 15存在兩個以上之情形時，兩個R 15可彼此鍵結而形成環，兩個R 15所形成之環可為交聯環結構，此種情形下，環狀銨基會具有金剛烷環、降莰烯環、螺環等。 烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基及烯基的具體例以及其理想的碳數可列舉與前述相同的例示。
式（S2）中，n 2為1～8的整數，m 3為0或1，m 4為0或1至可在單環或多環上進行取代之最大值的正整數。 當m 3為0之情形時，可構成含有A 5～A 8之（4＋n 2）元環。即，當n 2為1時可構成五元環，當n 2為2時可構成六元環，當n 2為3時可構成七元環，當n 2為4時可構成八元環，當n 2為5時可構成九元環，當n 2為6時可構成十元環，當n 2為7時可構成十一元環，當n 2為8時可構成十二元環。 當m 3為1之情形時，可形成含有A 5～A 7之（4＋n 2）元環與含有A 8之六元環進行縮合而成之縮合環。 會有在構成環之原子上具有氫原子之情形、及不具有氫原子之情形係取決於A 5～A 8究竟為式（J4）至式（J6）何者，當A 5～A 8在構成環之原子上具有氫原子之情形時，其氫原子可取代為R 15。此外，R 15亦可在A 5～A 8中環構成原子以外的環構成原子上進行取代。 鑑於如此情事，如前所述，m 4係選自0或1至可在單環或多環上進行取代之最大值的整數。
式（S2）表示之雜脂肪族環狀銨基的鍵結鍵係存在於如此單環或縮合環中存在之任意碳原子或氮原子，並且與矽原子直接鍵結，或是與連結基鍵結而構成具有環狀銨之有機基後其再與矽原子鍵結。 如此連結基可列舉：伸烷基、伸芳基或伸烯基，而伸烷基、伸芳基及伸烯基的具體例以及其理想的碳數可列舉與前述相同的例示。
具有式（S2）表示之雜脂肪族環狀銨基的式（3）表示之矽烷化合物（水解性有機矽烷）的具體例可列舉下述式（II-1）至式（II-30）表示之矽烷等，但不限於此等。
［化62］
Figure 02_image123
［化63］
Figure 02_image125
而且，其他一例中，式（3）中作為與矽原子鍵結之基團之R 11可為下述式（S3）表示之鏈狀銨基。
［化64］
Figure 02_image126
式（S3）中，R 10彼此獨立表示：氫原子、烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基或烯基，而烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基及烯基的具體例以及其理想的碳數可列舉與前述相同的例示。＊表示鍵結鍵。
式（S3）表示之鏈狀銨基係與矽原子直接鍵結，或是與連結基鍵結而構成具有鏈狀銨基之有機基後其再與矽原子鍵結。 如此連結基可列舉：伸烷基、伸芳基或伸烯基，而伸烷基、伸芳基及伸烯基的具體例可列舉與前述相同的例示。
具有式（S3）表示之鏈狀銨基的式（3）表示之矽烷化合物（水解性有機矽烷）的具體例可列舉下述式（III-1）至式（III-28）表示之矽烷等，但不限於此等。
［化65］
Figure 02_image128
［化66］
Figure 02_image130
＜＜具有磺基或磺醯胺基之矽烷化合物（水解性有機矽烷）＞＞ 具有磺基之矽烷化合物、及具有磺醯胺基之矽烷化合物可列舉例如下述式（B-1）至式（B-36）表示之化合物，但不限於此等。 下述式中，Me表示甲基，Et表示乙基。
［化67］
Figure 02_image132
［化68］
Figure 02_image134
［化69］
Figure 02_image136
＜＜分子內具有環狀脲骨架之矽烷化合物（水解性有機矽烷）＞＞ 分子內具有環狀脲骨架之水解性有機矽烷可列舉例如下述式（4-1）表示之水解性有機矽烷。
［化70］
Figure 02_image138
式（4-1）中，R 401為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示下述式（4-2）表示之基團。 R 402為與矽原子鍵結之基團，彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或是彼此獨立表示：具有環氧基之有機基、具有丙烯醯基之有機基、具有甲基丙烯醯基之有機基、具有巰基之有機基、或具有氰基之有機基、或者其等兩種以上的組合。 R 403為與矽原子鍵結之基團或原子，彼此獨立表示：烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子。 x為1或2，y為0或1，並滿足x＋y≦2。 R 402的烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烷氧烷基、烷氧芳基、烷氧芳烷基、烯基、具有環氧基之有機基、具有丙烯醯基之有機基、具有甲基丙烯醯基之有機基、具有巰基之有機基及具有氰基之有機基、R 403的烷氧基、芳烷氧基、醯氧基及鹵素原子、以及此等取代基的具體例、理想的碳數等，可列舉與R 1及R 2相關前述相同的例示。
［化71］
Figure 02_image140
式（4-2）中，R 404彼此獨立表示：氫原子、可經取代之烷基、可經取代之烯基、具有環氧基之有機基或具有磺醯基之有機基；R 405彼此獨立表示：伸烷基、羥基伸烷基、硫鍵（-S-）、醚鍵（-O-）或酯鍵（-CO-O-或-O-CO-）。＊表示鍵結鍵。 又，R 404的可經取代之烷基、可經取代之烯基、及具有環氧基之有機基的具體例、理想的碳數等，可列舉與R 1相關前述相同的例示，除此之外，R 404的可經取代之烷基理想為末端的氫原子被乙烯基取代之烷基，其具體例可列舉：烯丙基、2-乙烯基乙基、3-乙烯基丙基、4-乙烯基丁基等。
具有磺醯基之有機基只要有含磺醯基，則無特別限定，可列舉：可經取代之烷基磺醯基、可經取代之芳基磺醯基、可經取代之芳烷基磺醯基、可經取代之鹵化烷基磺醯基、可經取代之鹵化芳基磺醯基、可經取代之鹵化芳烷基磺醯基、可經取代之烷氧烷基磺醯基、可經取代之烷氧芳基磺醯基、可經取代之烷氧芳烷基磺醯基、可經取代之烯基磺醯基等。 此等基團中之烷基、芳基、芳烷基、鹵化烷基、鹵化芳基、鹵化芳烷基、烷氧烷基、烷氧芳基、烷氧芳烷基、烯基、以及此等取代基的具體例、理想的碳數等，可列舉與R 1相關前述相同的例示。
伸烷基係進一步從烷基上移除一個氫原子而衍生之二價基團，可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中任一種，如此伸烷基的具體例可列舉與前述相同的例示。伸烷基的碳數無特別限定，理想為40以下，更理想為30以下，更加理想為20以下，再更理想為10以下。
此外，R 405的伸烷基在其末端或中間，理想係中間，可具有選自硫鍵、醚鍵及酯鍵之一種或兩種以上。 伸烷基的具體例可列舉：亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、七亞甲基、八亞甲基、九亞甲基、十亞甲基等直鏈狀伸烷基；甲基伸乙基、1-甲基三亞甲基、2-甲基三亞甲基、1,1-二甲基伸乙基、1-甲基四亞甲基、2-甲基四亞甲基、1,1-二甲基三亞甲基、1,2-二甲基三亞甲基、2,2-二甲基三亞甲基、1-乙基三亞甲基等支鏈狀伸烷基；1,2-環丙二基、1,2-環丁二基、1,3-環丁二基、1,2-環己二基、1,3-環己二基等環狀伸烷基等；含有 -CH 2OCH 2-、-CH 2CH 2OCH 2-、-CH 2CH 2OCH 2CH 2-、-CH 2CH 2CH 2OCH 2CH 2-、 -CH 2CH 2OCH 2CH 2CH 2-、-CH 2CH 2CH 2OCH 2CH 2CH 2-、-CH 2SCH 2-、 -CH 2CH 2SCH 2-、-CH 2CH 2SCH 2CH 2-、-CH 2CH 2CH 2SCH 2CH 2-、 -CH 2CH 2SCH 2CH 2CH 2-、-CH 2CH 2CH 2SCH 2CH 2CH 2-、-CH 2OCH 2CH 2SCH 2-等醚基等之伸烷基，但不限於此等。
羥基伸烷基係前述伸烷基中至少一個氫原子被羥基取代，其具體例可列舉：羥基亞甲基、1-羥基伸乙基、2-羥基伸乙基、1,2-二羥基伸乙基、1-羥基三亞甲基、2-羥基三亞甲基、3-羥基三亞甲基、1-羥基四亞甲基、2-羥基四亞甲基、3-羥基四亞甲基、4-羥基四亞甲基、1,2-二羥基四亞甲基、1,3-二羥基四亞甲基、1,4-二羥基四亞甲基、2,3-二羥基四亞甲基、2,4-二羥基四亞甲基、4,4-二羥基四亞甲基等，但不限於此等。
式（4-2）中，X 401彼此獨立表示任一下述式（4-3）至式（4-5）表示之基團，且下述式（4-4）及式（4-5）中酮基的碳原子係與式（4-2）中R 405所鍵結之氮原子鍵結。 ［化72］
Figure 02_image142
式（4-3）至式（4-5）中，R 406～R 410彼此獨立表示：氫原子、可經取代之烷基、可經取代之烯基、或具有環氧基或磺醯基之有機基。可經取代之烷基、可經取代之烯基、及具有環氧基或磺醯基之有機基的具體例以及理想的碳數等可列舉與R 1相關前述相同的例示。此外，具有磺醯基之有機基的具體例以及理想的碳數等可列舉與R 404相關前述相同的例示。＊表示鍵結鍵。 其中，從再現性良好地實現優異的微影特性之觀點而言，X 401理想為式（4-5）表示之基團。
從再現性良好地實現優異的微影特性之觀點而言，理想係R 404及R 406～R 410中至少一個為末端的氫原子被乙烯基取代之烷基。
式（4-1）表示之水解性有機矽烷可使用市售品，亦可用國際公開第2011/102470號等所記載之習知方法進行合成。
以下，式（4-1）表示之水解性有機矽烷的具體例可列舉下述式（4-1-1）至式（4-1-29）表示之矽烷等，但不限於此等。
［化73］
Figure 02_image144
［化74］
Figure 02_image146
［化75］
Figure 02_image148
在不損害本發明之效果的範圍內，［A］聚矽氧烷可為含有前述例示以外的其他矽烷化合物之水解性矽烷的水解縮合物。
如前述，［A］聚矽氧烷可使用矽醇基的至少一部分經改性之改性聚矽氧烷。例如可使用矽醇基的一部分經醇改性之聚矽氧烷改性物或經縮醛保護之聚矽氧烷改性物。 該改性物之聚矽氧烷可列舉：在前述水解性矽烷的水解縮合物中，該縮合物所具有之矽醇基的至少一部分與醇的羥基進行反應而獲得之反應產物、該縮合物與醇之脫水反應物、還有該縮合物所具有之矽醇基的至少一部分被縮醛基保護之改性物等。
醇可使用一元醇，可列舉例如：甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、三級丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-庚醇、2-庚醇、三級戊醇、新戊醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-1-丁醇、3-甲基-3-戊醇、環戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、2,3-二甲基-2-丁醇、3,3-二甲基-1-丁醇、3,3-二甲基-2-丁醇、2-二乙基-1-丁醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-3-戊醇及環己醇。 此外，例如可使用：3-甲氧基丁醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚（1-甲氧基-2-丙醇）、丙二醇單乙醚（1-乙氧基-2-丙醇）、丙二醇單丁醚（1-丁氧基-2-丙醇）等含烷氧基之醇。
縮合物所具有之矽醇基與醇的羥基之反應，可藉由使聚矽氧烷與醇接觸，在溫度40～160℃（例如60℃）下，進行0.1～48小時（例如24小時）反應，從而獲得矽醇基經封端之改性聚矽氧烷。此時，封端劑之醇在含有聚矽氧烷之組成物中可用作溶劑。
此外，由水解性矽烷的水解縮合物所成之聚矽氧烷與醇之脫水反應物，可藉由在作為觸媒之酸的存在下，使聚矽氧烷與醇進行反應，用醇封端矽醇基，將經脫水而生成之生成水除去至反應體系外來製造。 酸可使用酸解離常數（pka）為-1～5之有機酸，理想可使用pka為4～5之有機酸。例如，酸有三氟乙酸、馬來酸、苯甲酸、異丁酸、乙酸等，其中可例示苯甲酸、異丁酸、乙酸等。 此外，酸可使用具有70～160℃沸點之酸，可列舉例如：三氟乙酸、異丁酸、乙酸、硝酸等。 因此酸理想係具有以下任一物性之酸：酸解離常數（pka）為4～5、或是沸點為70～160℃。即，可使用酸度較弱的酸，或是使用即使酸度強但沸點仍低的酸。 並且，酸亦能從酸解離常數、沸點性質中利用任一性質。
縮合物所具有之矽醇基的縮醛保護，係可使用乙烯基醚（例如可使用下述式（5）表示之乙烯基醚），藉由此等反應來將下述式（6）表示之部分結構導入聚矽氧烷中。
［化76］
Figure 02_image150
式（5）中，R 1a、R 2a、及R 3a分別表示氫原子或碳數1～10的烷基；R 4a表示碳數1～10的烷基；R 2a及R 4a可彼此鍵結而形成環。烷基可列舉前述例示。 ［化77］
Figure 02_image152
式（6）中，R 1’、R 2’、及R 3’分別表示氫原子或碳數1～10的烷基；R 4’表示碳數1～10的烷基；R 2’及R 4’可彼此鍵結而形成環。式（6）中，＊表示與鄰接原子的鍵結。鄰接原子可列舉例如：矽氧烷鍵的氧原子、矽醇基的氧原子、及源自式（1）的R 1之碳原子。烷基可列舉前述例示。
式（5）表示之乙烯基醚可使用例如：甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、三級丁基乙烯基醚、及環己基乙烯基醚等脂肪族乙烯基醚化合物；2,3-二氫呋喃、4-甲基-2,3-二氫呋喃、及3,4-二氫-2H-哌喃等環狀乙烯基醚化合物。尤其，理想可使用：乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、乙基己基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、3,4-二氫-2H-哌喃、或2,3-二氫呋喃。
矽醇基的縮醛保護，可使用聚矽氧烷、乙烯基醚、與作為溶劑之丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸乙酯、二甲基甲醯胺、四氫呋喃、1,4-二噁烷等非質子性溶劑，並使用對甲苯磺酸吡啶、三氟甲磺酸、對甲苯磺酸、甲磺酸、鹽酸、硫酸等觸媒來實施。
又，此等矽醇基的醇封端及縮醛保護亦可與後述之水解性矽烷的水解及縮合同時進行。
本發明之一理想態樣中，［A］聚矽氧烷係含有包含以下水解性矽烷之水解性矽烷的水解縮合物及其改性物之至少一種：式（1）表示之水解性矽烷、根據需要之式（2）表示之水解性矽烷、及其他水解性矽烷。 一理想態樣中，［A］聚矽氧烷含有水解縮合物與醇之脫水反應物。
水解性矽烷的水解縮合物（亦可包含改性物），其重量平均分子量例如可為500～1,000,000。從抑制在組成物中水解縮合物析出等之觀點等而言，重量平均分子量理想可為500,000以下，更理想可為250,000以下，更加理想可為100,000以下；從兼顧保存穩定性及塗布性之觀點等而言，重量平均分子量理想可為700以上，更理想可為1,000以上。 又，重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析（GPC）分析以聚苯乙烯換算而獲得之分子量。GPC分析可如下進行：GPC裝置（商品名HLC-8220GPC，東曹股份有限公司製），GPC管柱（商品名Shodex（註冊商標）KF803L、KF802、KF801，昭和電工股份有限公司製），管柱溫度設為40℃，使用四氫呋喃作為溶離液（溶出溶劑），流量（流速）設為1.0mL/min，標準樣品使用聚苯乙烯（昭和電工股份有限公司製Shodex（註冊商標））。
水解性矽烷的水解縮合物可藉由使前述矽烷化合物（水解性矽烷）進行水解及縮合來獲得。 前述矽烷化合物（水解性矽烷）係含有：直接與矽原子鍵結之烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子，即含有：烷氧基矽基、芳烷氧基矽基、醯氧基矽基、或鹵化矽基（以下稱為水解性基團）。 對於此等水解性基團的水解，每1莫耳的水解性基團中，通常係使用0.1～100莫耳的水，例如使用0.5～100莫耳的水，理想係使用1～10莫耳的水。 在進行水解及縮合時，可基於促進反應之目的等而使用水解觸媒，亦可不使用水解觸媒即進行水解及縮合。當有使用水解觸媒之情形時，每1莫耳的水解性基團中，通常可使用0.0001～10莫耳的水解觸媒，理想可使用0.001～1莫耳的水解觸媒。 進行水解及縮合時的反應溫度，通常係在室溫以上且常壓下使可用於水解之有機溶劑進行回流之溫度以下的範圍，例如可為20～110℃，另例如可為20～80℃。 水解可進行完全水解，即將所有水解性基團變為矽醇基；水解亦可進行部分水解，即留下未反應的水解性基團。 可用於水解及縮合時的水解觸媒可列舉：金屬螯合化合物、有機酸、無機酸、有機鹼、無機鹼。
作為水解觸媒之金屬螯合化合物可列舉例如：三乙氧基･單(乙醯丙酮)鈦、三正丙氧基･單(乙醯丙酮)鈦、三異丙氧基･單(乙醯丙酮)鈦、三正丁氧基･單(乙醯丙酮)鈦、三第二丁氧基･單(乙醯丙酮)鈦、三第三丁氧基･單(乙醯丙酮)鈦、二乙氧基･雙(乙醯丙酮)鈦、二正丙氧基･雙(乙醯丙酮)鈦、二異丙氧基･雙(乙醯丙酮)鈦、二正丁氧基･雙(乙醯丙酮)鈦、二第二丁氧基･雙(乙醯丙酮)鈦、二第三丁氧基･雙(乙醯丙酮)鈦、單乙氧基･參(乙醯丙酮)鈦、單正丙氧基･參(乙醯丙酮)鈦、單異丙氧基･參(乙醯丙酮)鈦、單正丁氧基･參(乙醯丙酮)鈦、單第二丁氧基･參(乙醯丙酮)鈦、單第三丁氧基･參(乙醯丙酮)鈦、肆(乙醯丙酮)鈦、三乙氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三正丙氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三異丙氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三正丁氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三第二丁氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鈦、三第三丁氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鈦、二乙氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二正丙氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二異丙氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二正丁氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二第二丁氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、二第三丁氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、單乙氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單正丙氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單異丙氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單正丁氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單第二丁氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鈦、單第三丁氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鈦、肆(乙醯乙酸乙酯)鈦、單(乙醯丙酮)參(乙醯乙酸乙酯)鈦、雙(乙醯丙酮)雙(乙醯乙酸乙酯)鈦、參(乙醯丙酮)單(乙醯乙酸乙酯)鈦等鈦螯合化合物；三乙氧基･單(乙醯丙酮)鋯、三正丙氧基･單(乙醯丙酮)鋯、三異丙氧基･單(乙醯丙酮)鋯、三正丁氧基･單(乙醯丙酮)鋯、三第二丁氧基･單(乙醯丙酮)鋯、三第三丁氧基･單(乙醯丙酮)鋯、二乙氧基･雙(乙醯丙酮)鋯、二正丙氧基･雙(乙醯丙酮)鋯、二異丙氧基･雙(乙醯丙酮)鋯、二正丁氧基･雙(乙醯丙酮)鋯、二第二丁氧基･雙(乙醯丙酮)鋯、二第三丁氧基･雙(乙醯丙酮)鋯、單乙氧基･參(乙醯丙酮)鋯、單正丙氧基･參(乙醯丙酮)鋯、單異丙氧基･參(乙醯丙酮)鋯、單正丁氧基･參(乙醯丙酮)鋯、單第二丁氧基･參(乙醯丙酮)鋯、單第三丁氧基･參(乙醯丙酮)鋯、肆(乙醯丙酮)鋯、三乙氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三正丙氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三異丙氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三正丁氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三第二丁氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鋯、三第三丁氧基･單(乙醯乙酸乙酯)鋯、二乙氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二正丙氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二異丙氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二正丁氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二第二丁氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、二第三丁氧基･雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、單乙氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單正丙氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單異丙氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單正丁氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單第二丁氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鋯、單第三丁氧基･參(乙醯乙酸乙酯)鋯、肆(乙醯乙酸乙酯)鋯、單(乙醯丙酮)參(乙醯乙酸乙酯)鋯、雙(乙醯丙酮)雙(乙醯乙酸乙酯)鋯、參(乙醯丙酮)單(乙醯乙酸乙酯)鋯等鋯螯合化合物；參(乙醯丙酮)鋁、參(乙醯乙酸乙酯)鋁等鋁螯合化合物等，但不限於此等。
作為水解觸媒之有機酸可列舉例如：乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、馬來酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、沒食子酸、酪酸、苯六甲酸、花生四烯酸、2-乙基己酸、油酸、硬脂酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、水楊酸、苯甲酸、對胺基苯甲酸、對甲苯磺酸、苯磺酸、一氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、甲酸、丙二酸、磺酸、鄰苯二甲酸、富馬酸、檸檬酸、酒石酸等，但不限於此等。
作為水解觸媒之無機酸，可列舉例如：鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸、磷酸等，但不限於此等。
作為水解觸媒之有機鹼可列舉例如：吡啶、吡咯、哌嗪、吡咯啶、哌啶、甲吡啶、三甲胺、三乙胺、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮雜雙環辛烷、二氮雜雙環壬烷、二氮雜雙環十一烯、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三甲基苯基氫氧化銨、苄基三甲基氫氧化銨、苄基三乙基氫氧化銨等，但不限於此等。
作為水解觸媒之無機鹼可列舉例如：氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等，但不限於此等。
此等觸媒中，理想係金屬螯合化合物、有機酸、無機酸，此等可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
其中，本發明中，可適用硝酸作為水解觸媒。藉由使用硝酸，可提升水解及縮合後反應溶液的保存穩定性，尤其係可抑制水解縮合物的分子量變化。已知水解縮合物在液體中的穩定性係取決於溶液的pH。經深入研究後，發現藉由適量使用硝酸，可使溶液的pH處於穩定範圍。 此外，如前述，硝酸從亦可被用於獲得水解縮合物的改性物之期間（例如矽醇基之醇封端之期間）之故，有助於水解性矽烷之水解及縮合、以及水解縮合物之醇封端等兩種反應之觀點而言，十分理想。
在進行水解及縮合時，亦可使用有機溶劑作為溶劑，其具體例可列舉：正戊烷、異戊烷、正己烷、異己烷、正庚烷、異庚烷、2,2,4-三甲基戊烷、正辛烷、異辛烷、環己烷、甲基環己烷等脂肪族烴系溶劑；苯、甲苯、二甲苯、乙苯、三甲苯、甲基乙基苯、正丙苯、異丙苯、二乙苯、異丁苯、三乙苯、二異丙苯、正戊萘等芳香族烴系溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、二級丁醇、三級丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、二級戊醇、三級戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、二級己醇、2-乙基丁醇、正庚醇、二級庚醇、3-庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、二級辛醇、正壬醇、2,6-二甲基-4-庚醇、正癸醇、二級十一醇、三甲基壬醇、二級十四醇、二級十七醇、酚、環己醇、甲基環己醇、3,3,5-三甲基環己醇、苄醇、苯基甲基甲醇、二丙酮醇、甲酚等單醇系溶劑；乙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、2,4-戊二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、2,5-己二醇、2,4-庚二醇、2-乙基-1,3-己二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、丙三醇等多元醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、甲基正戊基酮、乙基正丁基酮、甲基正己基酮、二異丁基酮、三甲基壬酮、環己酮、甲基環己酮、2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、二丙酮醇、苯乙酮、葑酮等酮系溶劑；乙醚、異丙醚、正丁醚、正己醚、2-乙基己基醚、環氧乙烷、1,2-環氧丙烷、二氧雜環戊烷（dioxolane）、4-甲基二氧雜環戊烷、二噁烷、二甲基二噁烷、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二乙醚、乙二醇單正丁醚、乙二醇單正己醚、乙二醇單苯醚、乙二醇單-2-乙基丁醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇單正丁醚、二乙二醇二正丁醚、二乙二醇單正己醚、乙氧基三乙二醇、四乙二醇二正丁醚、丙二醇單甲醚（1-甲氧基-2-丙醇）、丙二醇單乙醚（1-乙氧基-2-丙醇）、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯（1-甲氧基-2-丙醇單乙酸酯）、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等醚系溶劑；碳酸二乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸二級丁酯、乙酸正戊酯、乙酸二級戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸苄酯、乙酸環己酯、乙酸甲基環己酯、乙酸正壬酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單正丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、甲氧基三乙二醇乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、三乙二醇甲醚乙酸酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯等酯系溶劑；N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等含氮系溶劑；二甲硫醚、二乙硫醚、噻吩、四氫噻吩、二甲基亞碸、環丁碸、1,3-丙烷磺內酯等含硫系溶劑等，但不限於此等。此等溶劑可使用一種或組合使用兩種以上。
在水解及縮合反應結束後，反應溶液可直接使用或是稀釋或濃縮，然後中和，使用離子交換樹脂進行處理，藉此可去除用於水解及縮合之酸或鹼等水解觸媒。此外，在如此處理之前或之後，可藉由減壓蒸餾等從反應溶液除去副產物的醇或水、所使用之水解觸媒等。
如此所獲得之水解縮合物（以下亦稱為聚矽氧烷），係以溶解於有機溶劑中之聚矽氧烷清漆的形態獲得，其可直接用於含矽之光阻下層膜形成用組成物之調製中。即，反應溶液可直接（或是稀釋後）用於含矽之光阻下層膜形成用組成物之調製中，此時，只要不會損害本發明之效果，用於水解及縮合之水解觸媒或副產物等可殘存於反應溶劑中。例如，水解觸媒或矽醇基之醇封端時所使用之硝酸在聚合物清漆溶液中可殘存100ppm～5,000ppm左右。 所獲得之聚矽氧烷清漆可進行溶劑取代，或用適宜的溶劑稀釋。又，若所獲得之聚矽氧烷清漆的保存穩定性不差，則可蒸餾除去有機溶劑，使膜形成成分濃度為100%。又，膜形成成分係指從組成物的所有成分中除去溶劑成分後之成分。 用於聚矽氧烷清漆之溶劑取代或稀釋等之有機溶劑係能與用於水解性矽烷之水解及縮合反應之有機溶劑相同或相異。該稀釋用溶劑無特別限定，可任意選用一種或兩種以上。
＜［B］成分＞ ［B］成分係選自磺酸化合物、及pKa（酸解離常數）為-15.0～1.2的酸中至少一種。［B］成分係例如選自硫酸（H 2SO 4）、及磺酸化合物中至少一種。 本發明之磺酸化合物係具有磺基（-SO 3H）之化合物。
酸解離常數（pKa）係一種將酸的強度（解離氫離子難易程度）定量表示之指標。酸解離常數（pKa）例如可藉由中和滴定、吸光光度法、毛細管電泳等求得。
從更充分獲得本發明之效果之觀點而言，磺酸化合物理想係具有羥基。當磺酸化合物具有羥基之情形時，其數量無特別限定。 當磺酸化合物具有羥基之情形時，磺酸化合物中磺基（S）與羥基（H）的個數比例（S：H）無特別限制，例如為3：1～1：3。
從更充分獲得本發明之效果之觀點而言，磺酸化合物理想係具有鹵素原子，更理想係具有鹵化烴基。鹵化烴基的碳數例如為1～10。
磺酸化合物可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。 磺酸化合物在25℃、1.01×10 5Pa下可為液體，亦可為固體。 磺酸化合物的分子量無特別限制，從抑制加熱時揮發之觀點與避免在組成物中析出及不均一性之觀點等之平衡而言，例如為96～1,000。 磺酸化合物中磺基（-SO 3H；分子量81）的比例無特別限制，每1mol磺基之磺酸化合物的質量理想為50～500。
磺酸化合物的具體例可列舉以下表示之化合物，但不限於此等。
［化78］
Figure 02_image154
［化79］
Figure 02_image156
［化80］
Figure 02_image158
［化81］
Figure 02_image160
［化82］
Figure 02_image161
此等化合物為聚矽氧烷。
［化83］
Figure 02_image163
［化84］
Figure 02_image165
式中，R表示：烷基、芳烷基、或醯基。X表示：氫氧化物（OH）、鹵素（F、Cl、Br、I）、硝酸（NO 3）、羧酸（R’-COO）、磺酸（R’-SO 3）、醯亞胺（R’-SO 2NSO 2-R’’）、或醯胺（R’-SO 2N-R’’）（R’及R’’彼此獨立表示：可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、或可經取代之烷氧芳烷基；此等基團的具體例及其理想的碳數可列舉R 1相關前述基團及碳數）。
pKa為-15.0～1.2的酸無特別限制。 磺酸化合物中也有pKa為-15.0～1.2的物質。如此pKa為-15.0～1.2的磺酸化合物係磺酸化合物，且係pKa為-15.0～1.2的酸。 pKa為-15.0～1.2的酸可列舉例如：pKa為-15.0～1.2的過鹵酸、pKa為-15.0～1.2的磷酸類、pKa為-15.0～1.2的硼酸類、pKa為-15.0～1.2的磺醯亞胺類等。 pKa為-15.0～1.2的過鹵酸可列舉例如過氯酸、過碘酸等。 pKa為-15.0～1.2的磷酸類可列舉例如六氟磷酸等。 pKa為-15.0～1.2的硼酸類可列舉四氟硼酸等。 pKa為-15.0～1.2的磺醯亞胺類可列舉例如雙三氟甲磺醯亞胺酸等。
從更充分獲得本發明之效果之觀點而言，含矽之光阻下層膜形成用組成物中，相對於［A］聚矽氧烷100質量份，［B］成分的含量理想為0.05～20質量份，更理想為0.1～15質量份，更加理想為0.5～10質量份。
＜［C］成分：溶劑＞ 作為［C］成分之溶劑，只要係可使［A］成分、［B］成分、及視需要而含在含矽之光阻下層膜形成用組成物中之其他成分溶解、混合之溶劑，則可無特別限制使用。
［C］溶劑理想為醇系溶劑，更理想為醇系溶劑之伸烷基二醇單烷基醚，更加理想為丙二醇單烷基醚。此等溶劑亦為聚矽氧烷之矽醇基的封端劑，因此無需進行溶劑取代等，而可從調製［A］聚矽氧烷後所獲得之溶液來調製含矽之光阻下層膜形成用組成物。 伸烷基二醇單烷基醚可列舉：乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚（1-甲氧基-2-丙醇）、丙二醇單乙醚（1-乙氧基-2-丙醇）、甲基異丁基甲醇、丙二醇單丁醚等。
其他［C］溶劑的具體例可列舉：乙酸甲賽璐蘇、乙酸乙賽璐蘇、丙二醇單甲醚乙酸酯（1-甲氧基-2-丙醇單乙酸酯）、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸異丙酯、乳酸丁酯、乳酸異丁酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸異丙酯、甲酸丁酯、甲酸異丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、乙酸己酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、丙酸丁酯、丙酸異丁酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯、丁酸丙酯、丁酸異丙酯、丁酸丁酯、丁酸異丁酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲氧基丙酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、丙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、丁酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙醯乙酸甲酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基丙基酮、甲基丁基酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、環己酮、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、4-甲基-2-戊醇、γ-丁內酯等，溶劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
此外，本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物亦可含有水作為溶劑。在含有水作為溶劑之情形下，相對於該組成物中所含有之溶劑的合計質量，其含量例如可為30質量%以下，理想可為20質量%以下，更理想可為15質量%以下。
＜［D］成分：硬化觸媒＞ 含矽之光阻下層膜形成用組成物雖可為不含有硬化觸媒之組成物，但理想係含有硬化觸媒（［D］成分）。 藉由使含矽之光阻下層膜形成用組成物含有［B］成分及［D］成分兩者，而可更充分獲得含有［B］成分所帶來之本發明之效果。
硬化觸媒可使用：銨鹽、膦類、鏻鹽、鋶鹽等。又，作為硬化觸媒的一例所記載之下述鹽類可為以下任一種：能以鹽的形態添加、或能在組成物中形成鹽之物質（添加時作為其他化合物添加並在體系內形成鹽之物質）。
銨鹽可列舉： 具有式（D-1）表示之結構之四級銨鹽： ［化85］
Figure 02_image167
（式中，m a表示2～11的整數，n a表示2～3的整數，R 21表示烷基、芳基、或芳烷基，Y -表示陰離子。）
具有式（D-2）表示之結構之四級銨鹽： ［化86］
Figure 02_image169
（式中，R 22、R 23、R 24及R 25彼此獨立表示烷基、芳基、或芳烷基，Y -表示陰離子，且R 22、R 23、R 24、及R 25分別與氮原子鍵結。）
具有式（D-3）表示之結構之四級銨鹽： ［化87］
Figure 02_image171
（式中，R 26及R 27彼此獨立表示烷基、芳基、或芳烷基，Y -表示陰離子。）
具有式（D-4）表示之結構之四級銨鹽： ［化88］
Figure 02_image173
（式中，R 28表示烷基、芳基、或芳烷基， Y -表示陰離子。）
具有式（D-5）表示之結構之四級銨鹽： ［化89］
Figure 02_image175
（式中，R 29及R 30彼此獨立表示烷基、芳基、或芳烷基，Y -表示陰離子。）
具有式（D-6）表示之結構之三級銨鹽： ［化90］
Figure 02_image177
（式中，m a表示2～11的整數，n a表示2～3的整數，Y -表示陰離子。）
此外，鏻鹽可列舉式（D-7）表示之四級鏻鹽： ［化91］
Figure 02_image179
（式中，R 31、R 32、R 33、及R 34彼此獨立表示烷基、芳基、或芳烷基，Y -表示陰離子，且R 31、R 32、R 33、及R 34分別與磷原子鍵結）。
此外，鋶鹽可列舉式（D-8）表示之三級鋶鹽： ［化92］
Figure 02_image181
（式中，R 35、R 36、及R 37彼此獨立表示烷基、芳基、或芳烷基，Y -表示陰離子，且R 35、R 36、及R 37分別與硫原子鍵結）。
式（D-1）的化合物係由胺所衍生之四級銨鹽，m a表示2～11的整數，n a表示2～3的整數。該四級銨鹽的R 21例如表示碳數1～18的烷基，理想為碳數2～10的烷基，或是表示碳數6～18的芳基、碳數7～18的芳烷基，可列舉例如：乙基、丙基、丁基等直鏈狀烷基、或苄基、環己基、環己基甲基、雙環戊二烯基等。此外，陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）等酸基。
式（D-2）的化合物係由R 22R 23R 24R 25N +Y -表示之四級銨鹽。該四級銨鹽的R 22、R 23、R 24及R 25例如為：乙基、丙基、丁基、環己基、環己基甲基等碳數1～18的烷基；苯基等碳數6～18的芳基；或苄基等碳數7～18的芳烷基。陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）等酸基。該四級銨鹽可自市售品取得，可例示如：乙酸四甲銨、乙酸四丁銨、氯化三乙基苄基銨、溴化三乙基苄基銨、氯化三辛基甲基銨、氯化三丁基苄基銨、氯化三甲基苄基銨等。
式（D-3）的化合物係由1-取代咪唑所衍生之四級銨鹽，R 26及R 27的碳數例如為1～18，R 26及R 27的碳數總和理想為7以上。R 26可例示如：甲基、乙基、丙基等烷基、苯基等芳基、苄基等芳烷基；R 27可例示如：苄基等芳烷基、辛基、十八基等烷基。陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）等酸基。該化合物雖可自市售品取得，但例如可使1-甲基咪唑、1-苄基咪唑等咪唑系化合物與溴化苄、溴化甲烷、溴化苯等芳烷基鹵化物、烷基鹵化物、芳基鹵化物反應來製造。
式（D-4）的化合物係由吡啶所衍生之四級銨鹽，R 28例如為碳數1～18的烷基，理想為碳數4～18的烷基，或為碳數6～18的芳基、碳數7～18的芳烷基，可例示如：丁基、辛基、苄基、月桂基。陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）等酸基。該化合物雖可自市售品取得，但例如可使吡啶與氯化月桂烷、氯化苄、溴化苄、溴化甲烷、溴化辛烷等烷基鹵化物或芳基鹵化物反應來製造。該化合物可例示如氯化N-月桂基吡啶鎓、溴化N-苄基吡啶鎓等。
式（D-5）的化合物係由甲吡啶等為代表之取代吡啶所衍生之四級銨鹽，R 29例如為碳數1～18的烷基，理想為碳數4～18的烷基，或為碳數6～18的芳基、碳數7～18的芳烷基，可例示如：甲基、辛基、月桂基、苄基等。R 30例如為碳數1～18的烷基、碳數6～18的芳基、或碳數7～18的芳烷基，例如在式（D-5）表示之化合物為由甲吡啶所衍生之四級銨之情形下，R 30為甲基。陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）等酸基。該化合物雖可自市售品取得，但例如可使甲吡啶等取代吡啶與溴化甲烷、溴化辛烷、氯化月桂烷、氯化苄、溴化苄等烷基鹵化物或芳基鹵化物反應來製造。該化合物可例示如：氯化N-苄基甲吡啶鎓、溴化N-苄基甲吡啶鎓、氯化N-月桂基甲吡啶鎓等。
式（D-6）的化合物係由胺所衍生之三級銨鹽，m a表示2～11的整數，n a表示2或3。此外，陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）等酸基。本化合物可藉由使胺與羧酸或苯酚等弱酸反應來製造。羧酸可列舉甲酸或乙酸，當使用甲酸之情形時，陰離子（Y -）為（HCOO -）；當使用乙酸之情形時，陰離子（Y -）為（CH 3COO -）。此外，當使用苯酚之情形時，陰離子（Y -）為（C 6H 5O -）。
式（D-7）的化合物係具有R 31R 32R 33R 34P +Y -結構之四級鏻鹽。R 31、R 32、R 33、及R 34例如為：乙基、丙基、丁基、環己基甲基等碳數1～18的烷基；苯基等碳數6～18的芳基；或苄基等碳數7～18的芳烷基；理想係R 31至R 34的四個取代基中有三個為未取代之苯基或經取代之苯基，可例示如苯基或甲苯基，另剩的一個為碳數1～18的烷基、碳數6～18的芳基、或碳數7～18的芳烷基。此外，陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）等酸基。該化合物可自市售品取得，可列舉例如：鹵化四正丁基鏻、鹵化四正丙基鏻等鹵化四烷基鏻；鹵化三乙基苄基鏻等鹵化三烷基苄基鏻；鹵化三苯基甲基鏻、鹵化三苯基乙基鏻等鹵化三苯基單烷基鏻；鹵化三苯基苄基鏻、鹵化四苯基鏻、鹵化三甲苯基單芳基鏻、或鹵化三甲苯基單烷基鏻（以上，鹵素原子為氯原子或溴原子）。尤其，理想為：鹵化三苯基甲基鏻、鹵化三苯基乙基鏻等鹵化三苯基單烷基鏻；鹵化三苯基苄基鏻等鹵化三苯基單芳基鏻；鹵化三甲苯基單苯基鏻等鹵化三甲苯基單芳基鏻；或鹵化三甲苯基單甲基鏻等鹵化三甲苯基單烷基鏻（鹵素原子為氯原子或溴原子）。
此外，膦類可列舉：甲膦、乙膦、丙膦、異丙膦、異丁膦、苯膦等一級膦；二甲膦、二乙膦、二異丙膦、二異戊膦、二苯膦等二級膦；三甲膦、三乙膦、三苯膦、甲基二苯基膦、二甲基苯基膦等三級膦。
式（D-8）的化合物係具有R 35R 36R 37S +Y -結構之三級鋶鹽。R 35、R 36、及R 37例如為：乙基、丙基、丁基、環己基甲基等碳數1～18的烷基；苯基等碳數6～18的芳基；或苄基等碳數7～18的芳烷基；理想係R 35至R 37的三個取代基中有兩個為未取代之苯基或經取代之苯基，可例示如苯基或甲苯基，另剩的一個為碳數1～18的烷基、碳數6～18的芳基、或碳數7～18的芳烷基。此外，陰離子（Y -）可列舉：氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵化物離子；或羧酸根基（-COO -）、磺酸根基（-SO 3 -）、醇鹽（-O -）、馬來酸陰離子、硝酸陰離子等酸基。該化合物可自市售品取得，可列舉例如：鹵化三正丁基鋶、鹵化三正丙基鋶等鹵化三烷基鋶；鹵化二乙基苄基鋶等鹵化二烷基苄基鋶；鹵化二苯基甲基鋶、鹵化二苯基乙基鋶等鹵化二苯基單烷基鋶；鹵化三苯基鋶（以上，鹵素原子為氯原子或溴原子）；羧酸三正丁基鋶、羧酸三正丙基鋶等羧酸三烷基鋶；羧酸二乙基苄基鋶等羧酸二烷基苄基鋶；羧酸二苯基甲基鋶、羧酸二苯基乙基鋶等羧酸二苯基單烷基鋶；羧酸三苯基鋶。此外，理想可使用鹵化三苯基鋶、羧酸三苯基鋶。
此外，可添加含氮之矽烷化合物作為硬化觸媒。含氮之矽烷化合物可列舉N-(3-三乙氧基矽基丙基)-4,5-二氫咪唑等含咪唑環之矽烷化合物。
從更充分獲得本發明之效果之觀點而言，含矽之光阻下層膜形成用組成物中，相對於［A］聚矽氧烷100質量份，［D］硬化觸媒的含量理想為0.1～30質量份，更理想為0.5～25質量份，更加理想為1～20質量份。
從更充分獲得本發明之效果之觀點而言，含矽之光阻下層膜形成用組成物中硬化觸媒（［D］成分）與［B］成分的質量比率（［D］：［B］）理想可為0.1：1.0～1.0：0.1，更理想可為0.2：1.0～1.0：0.1，更加理想可為0.5：1.0～1.0：0.15。
＜［E］成分：硝酸＞ 含矽之光阻下層膜形成用組成物理想係含有［E］硝酸。 ［E］硝酸可在調製含矽之光阻下層膜形成用組成物時添加，亦可在前述聚矽氧烷之製造中作為水解觸媒或用於矽醇基之醇封端時，將其殘存於聚矽氧烷清漆中之物質視為［E］硝酸。
基於含矽之光阻下層膜形成用組成物的總質量，［E］硝酸的配合量（殘留硝酸量）例如可為0.0001質量%～1質量%，或可為0.001質量%～0.1質量%，或可為0.005質量%～0.05質量%。
＜［F］成分：胺、氫氧化物＞ 從更充分獲得本發明之效果之觀點而言，含矽之光阻下層膜形成用組成物理想係含有［F］選自胺及氫氧化物中至少一種。
胺可列舉：氨；單甲醇胺、單乙醇胺、單丙醇胺、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺等一級胺；二甲胺、乙基甲胺、二乙胺等二級胺；三甲胺、三乙胺、三丙胺、二甲基乙胺、甲基二異丙胺、二異丙基乙胺、二乙基乙醇胺、三乙醇胺等三級胺；乙二胺、四甲基乙二胺等胺；吡啶、嗎啉等環狀胺等。
氫氧化物可列舉無機鹼氫氧化物、有機鹼氫氧化物。 無機鹼氫氧化物可列舉例如氫氧化鈉、氫氧化鉀等。 有機鹼氫氧化物可列舉例如氫氧化四烷基銨、氫氧化三芳基鋶、氫氧化二芳基錪鎓等。氫氧化四烷基銨可列舉例如氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨等。氫氧化三芳基鋶可列舉例如氫氧化三苯基鋶、氫氧化三(三級丁基苯基)鋶等。氫氧化二芳基錪鎓可列舉氫氧化二苯基錪鎓、氫氧化雙(三級丁基苯基)錪鎓等。
含矽之光阻下層膜形成用組成物中，相對於［A］聚矽氧烷100質量份，［F］成分的含量理想可為0.05～20質量份，更理想可為0.1～15質量份，更加理想可為0.5～10質量份。
＜其他添加劑＞ 含矽之光阻下層膜形成用組成物中可視組成物之用途而配合各種添加劑。 添加劑可列舉例如在形成光阻下層膜、抗反射膜、圖案反轉用膜等可用於製造半導體裝置時之各種膜之材料（組成物）中所配合之以下習知添加劑：交聯劑、交聯觸媒、穩定劑（有機酸、水、醇等）、有機聚合物、酸產生劑、界面活性劑（非離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、矽系界面活性劑、氟系界面活性劑、UV硬化型界面活性劑等）、pH調整劑、金屬氧化物、流變調整劑、接著輔助劑等。 又，以下雖例示出各種添加劑，但不限於此等。
＜＜穩定劑＞＞ 穩定劑係為了讓水解性矽烷混合物的水解縮合物穩定化等目的而可以添加，其具體例，可添加有機酸、水、醇、或其等組合。 有機酸可列舉例如：草酸、丙二酸、甲基丙二酸、琥珀酸、馬來酸、蘋果酸、酒石酸、鄰苯二甲酸、檸檬酸、戊二酸、乳酸、水楊酸等。其中，理想為草酸、馬來酸。當有添加有機酸之情形時，相對於水解性矽烷混合物的水解縮合物的質量，有機酸的添加量為0.1～5.0質量%。此等有機酸亦可用作pH調整劑。 水可使用純水、超純水、離子交換水等，當有使用水之情形時，相對於含矽之光阻下層膜形成用組成物100質量份，水的添加量可為1～20質量份。 醇理想係藉由塗布後之加熱而可容易飛散之醇，可列舉例如：甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等。當有添加醇之情形時，相對於含矽之光阻下層膜形成用組成物100質量份，醇的添加量可為1～20質量份。
＜＜有機聚合物＞＞ 有機聚合物，係可藉由添加至含矽之光阻下層膜形成用組成物中來調整由組成物形成之膜（光阻下層膜）的乾蝕刻速度（每單位時間的膜厚減少量）、或衰減係數及折射率等。有機聚合物無特別限制，可視其添加目的而從各種有機聚合物（縮合聚合聚合物及加成聚合聚合物）中適宜選擇。 其具體例可列舉：聚酯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚乙烯醚、苯酚酚醛清漆、萘酚酚醛清漆、聚醚、聚醯胺、聚碳酸酯等加成聚合聚合物及縮合聚合聚合物。 本發明中，含有發揮作為吸光部位之功能的苯環、萘環、蒽環、三嗪環、喹啉環、喹㗁啉環等芳香環或雜芳環之有機聚合物在有需如此功能之情形時亦可適當使用。如此有機聚合物的具體例可列舉：含有丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苄酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸萘酯、甲基丙烯酸蒽酯、甲基丙烯酸蒽甲酯、苯乙烯、羥基苯乙烯、苄基乙烯基醚及N-苯基馬來醯亞胺等加成聚合性單體作為其結構單元之加成聚合聚合物；以及苯酚酚醛清漆及萘酚酚醛清漆等縮合聚合聚合物，但不限於此等。
當加成聚合聚合物被用作有機聚合物之情形時，該聚合物可為均聚物、共聚物中任一者。 製造加成聚合聚合物時可使用加成聚合性單體，如此加成聚合性單體的具體例可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、丙烯醯胺化合物、甲基丙烯醯胺化合物、乙烯基化合物、苯乙烯化合物、馬來醯亞胺化合物、馬來酸酐、丙烯腈等，但不限於此等。
丙烯酸酯化合物的具體例可列舉：丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸蒽甲酯、丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸3-氯-2-羥丙酯、丙烯酸2-羥丙酯、丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、丙烯酸2,2,2-三氯乙酯、丙烯酸2-溴乙酯、丙烯酸4-羥丁酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、5-丙烯醯氧基-6-羥基降莰烯-2-羧酸-6-內酯、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、丙烯酸縮水甘油酯等，但不限於此等。
甲基丙烯酸酯化合物的具體例可列舉：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正己酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸蒽甲酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氯乙酯、甲基丙烯酸2-溴乙酯、甲基丙烯酸4-羥丁酯、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、5-甲基丙烯醯氧基-6-羥基降莰烯-2-羧酸-6-內酯、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-苯乙酯、甲基丙烯酸羥苯酯、甲基丙烯酸溴苯酯等，但不限於此等。
丙烯醯胺化合物的具體例可列舉：丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N-乙基丙烯醯胺、N-苄基丙烯醯胺、N-苯基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-蒽基丙烯醯胺等，但不限於此等。
甲基丙烯醯胺化合物的具體例可列舉：甲基丙烯醯胺、N-甲基甲基丙烯醯胺、N-乙基甲基丙烯醯胺、N-苄基甲基丙烯醯胺、N-苯基甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基甲基丙烯醯胺、N-蒽基甲基丙烯醯胺等，但不限於此等。
乙烯基化合物的具體例可列舉：乙烯醇、2-羥乙基乙烯基醚、甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、苄基乙烯基醚、乙烯基乙酸、乙烯基三甲氧基矽烷、2-氯乙基乙烯基醚、2-甲氧基乙基乙烯基醚、乙烯基萘、乙烯基蒽等，但不限於此等。
苯乙烯化合物的具體例可列舉：苯乙烯、羥基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯、甲氧基苯乙烯、氰基苯乙烯、乙醯基苯乙烯等，但不限於此等。
馬來醯亞胺化合物可列舉：馬來醯亞胺、N-甲基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-苄基馬來醯亞胺、N-羥乙基馬來醯亞胺等，但不限於此等。
當縮合聚合聚合物被用作聚合物之情形時，如此聚合物可列舉例如二元醇化合物與二羧酸化合物的縮合聚合聚合物。二元醇化合物可列舉：二乙二醇、六亞甲基二醇、丁二醇等。二羧酸化合物可列舉：琥珀酸、己二酸、對苯二甲酸、馬來酸酐等。另可列舉例如：聚均苯四甲酸醯亞胺、聚(對苯二甲醯對苯二胺)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯；聚醯胺、聚醯亞胺，但不限於此等。 當有機聚合物含有羥基之情形時，該羥基可與水解縮合物等進行交聯反應。
有機聚合物的重量平均分子量通常可為1,000～1,000,000。當有配合有機聚合物之情形時，從充分獲得作為聚合物之功能的效果且抑制在組成物中析出之觀點而言，其重量平均分子量例如可為3,000～300,000，或可為5,000～300,000，或是可為10,000～200,000。 如此有機聚合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
當含矽之光阻下層膜形成用組成物含有機聚合物之情形時，其含量係考慮到該有機聚合物的功能等而適宜決定，故無法一概規定，通常，相對於［A］聚矽氧烷的質量，可為1～200質量%的範圍；從抑制在組成物中析出之觀點等而言，例如可為100質量%以下，理想可為50質量%以下，更理想可為30質量%以下；從充分獲得其效果之觀點等而言，例如可為5質量%以上，理想可為10質量%以上，更理想可為30質量%以上。
＜＜酸產生劑＞＞ 酸產生劑可列舉熱酸產生劑及光酸產生劑，理想可使用光酸產生劑。 光酸產生劑可列舉鎓鹽化合物、磺醯亞胺化合物、二磺醯基重氮甲烷化合物等，但不限於此等。又，光酸產生劑例如可視後述之鎓鹽化合物中硝酸鹽或馬來酸鹽等羧酸鹽、鹽酸鹽等種類而發揮作為硬化觸媒之功能。 此外，熱酸產生劑可列舉例如四甲銨硝酸鹽等，但不限於此。
鎓鹽化合物的具體例可列舉：六氟磷酸二苯基錪鎓、三氟甲磺酸二苯基錪鎓、九氟正丁磺酸二苯基錪鎓、全氟正辛磺酸二苯基錪鎓、樟腦磺酸二苯基錪鎓、樟腦磺酸雙(4-三級丁基苯基)錪鎓鹽、三氟甲磺酸雙(4-三級丁基苯基)錪鎓等錪鎓鹽化合物；六氟銻酸三苯基鋶、九氟正丁磺酸三苯基鋶、樟腦磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸三苯基鋶、三苯基鋶硝酸鹽（nitrate）、三苯基鋶三氟乙酸鹽、三苯基鋶馬來酸鹽、三苯基氯化鋶等鋶鹽化合物等，但不限於此等。
磺醯亞胺化合物的具體例可列舉：N-(三氟甲磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(九氟正丁磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(三氟甲磺醯氧基)萘二甲醯亞胺等，但不限於此等。
二磺醯基重氮甲烷化合物的具體例可列舉：雙(三氟甲磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯磺醯基)重氮甲烷、甲磺醯基-對甲苯磺醯基重氮甲烷等，但不限於此等。
當含矽之光阻下層膜形成用組成物含酸產生劑之情形時，其含量係考慮到酸產生劑的種類等而適宜決定，故無法一概規定，通常，相對於［A］聚矽氧烷的質量，係在0.01～5質量%的範圍，從抑制在組成物中酸產生劑析出之觀點等而言，理想為3質量%以下，更理想為1質量%以下；從充分獲得其效果之觀點等而言，理想為0.1質量%以上，更理想為0.5質量%以上。 又，酸產生劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上，此外亦可並用光酸產生劑與熱酸產生劑。
＜＜界面活性劑＞＞ 界面活性劑，係在將含矽之光阻下層膜形成用組成物塗布於基板時可有效抑制針孔、條紋（striation）等發生。界面活性劑可列舉：非離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、矽系界面活性劑、氟系界面活性劑、UV硬化型界面活性劑等。更具體而言，可列舉例如：聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚類，聚氧乙烯辛基酚醚、聚氧乙烯壬基酚醚等聚氧乙烯烷基芳基醚類，聚氧乙烯･聚氧丙烯嵌段共聚物類，山梨糖醇酐單月桂酸酯、山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、山梨糖醇酐單硬脂酸酯、山梨糖醇酐單油酸酯、山梨糖醇酐三油酸酯、山梨糖醇酐三硬脂酸酯等山梨糖醇酐脂肪酸酯類，聚氧乙烯山梨糖醇酐單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三硬脂酸酯等聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯類等非離子系界面活性劑；商品名EFTOP（註冊商標）EF301、EF303、EF352（三菱綜合材料電子化成股份有限公司（原Tohkem Products股份有限公司）製），商品名MEGAFACE（註冊商標）F171、F173、R-08、R-30、R-30N、R-40LM（DIC股份有限公司製），Fluorad FC430、FC431（日本3M股份有限公司製），商品名AsahiGuard（註冊商標）AG710（AGC股份有限公司製），SURFLON（註冊商標）S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106（AGC清美化學股份有限公司製）等氟系界面活性劑；及有機矽氧烷聚合物KP341（信越化學工業股份有限公司製）等，但不限於此等。 界面活性劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
當含矽之光阻下層膜形成用組成物含界面活性劑之情形時，相對於［A］聚矽氧烷的質量，其含量通常為0.0001～5質量%，理想可為0.001～4質量%，更理想可為0.01～3質量%。
＜＜流變調整劑＞＞ 流變調整劑，主要係基於提升含矽之光阻下層膜形成用組成物的流動性之目的而添加，尤其係在烘烤步驟中，基於提升所形成之膜的膜厚均一性以及提高組成物對孔內部的填充性之目的而添加。其具體例可列舉：鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二異丁酯、鄰苯二甲酸二己酯、鄰苯二甲酸丁基異癸酯等鄰苯二甲酸衍生物；己二酸二正丁酯、己二酸二異丁酯、己二酸二異辛酯、己二酸辛基癸酯等己二酸衍生物；馬來酸二正丁酯、馬來酸二乙酯、馬來酸二壬酯等馬來酸衍生物；油酸甲酯、油酸丁酯、油酸四氫糠酯等油酸衍生物；或硬脂酸正丁酯、硬脂酸甘油酯等硬脂酸衍生物等。 當有使用此等流變調整劑之情形時，相對於含矽之光阻下層膜形成用組成物的所有膜形成成分，其添加量通常未滿30質量%。
＜＜接著輔助劑＞＞ 接著輔助劑，主要係基於提升基板或光阻與由含矽之光阻下層膜形成用組成物形成之膜（光阻下層膜）間的密著性之目的而添加，尤其係在顯影中基於抑制、防止光阻剝離之目的而添加。其具體例可列舉：三甲基氯矽烷、二甲基乙烯基氯矽烷、甲基二苯基氯矽烷、氯甲基二甲基氯矽烷等氯矽烷類；三甲基甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、二甲基乙烯基乙氧基矽烷等烷氧基矽烷類；六甲基二矽氮烷、N,N’-雙(三甲基矽基)脲、二甲基三甲基矽基胺、三甲基矽基咪唑等矽氮烷類；γ-氯丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷等其他矽烷類；苯并三唑、苯并咪唑、吲唑、咪唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、脲唑、硫脲嘧啶、巰基咪唑、巰基嘧啶等雜環式化合物；1,1-二甲脲、1,3-二甲脲等脲、或硫脲化合物。 當有使用此等接著輔助劑之情形時，相對於含矽之光阻下層膜形成用組成物的膜形成成分，其添加量通常未滿5質量%，理想係未滿2質量%。
＜＜pH調整劑＞＞ 此外，pH調整劑可列舉前述穩定劑中所列舉之有機酸等具有一個或兩個以上羧酸基之酸等。當有使用pH調整劑之情形時，相對於［A］聚矽氧烷100質量份，其添加量可為0.01～20質量份的比例，或可為0.01～10質量份的比例，或可為0.01～5質量份的比例。
＜＜金屬氧化物＞＞ 此外，可添加至含矽之光阻下層膜形成用組成物的金屬氧化物可列舉例如：錫（Sn）、鈦（Ti）、鋁（Al）、鋯（Zr）、鋅（Zn）、鈮（Nb）、鉭（Ta）及W（鎢）等金屬、以及硼（B）、矽（Si）、鍺（Ge）、砷（As）、銻（Sb）及碲（Te）等半金屬中一種或兩種以上組合的氧化物，但不限於此等。
含矽之光阻下層膜形成用組成物中膜形成成分的濃度，相對於該組成物的總質量，例如可為0.1～50質量%、0.1～30質量%、0.1～25質量%、0.5～20.0質量%。 膜形成成分中［A］聚矽氧烷的含量通常為20質量%～100質量%，從再現性良好地獲得本發明之效果之觀點等而言，其下限值理想為50質量%，更理想為60質量%，更加理想為70質量%，再更理想為80質量%；其上限值理想為99質量%；其餘部分可作為後述添加劑。 此外，該含矽之光阻下層膜形成用組成物理想係具有pH2～5，更理想係具有pH3～4。
含矽之光阻下層膜形成用組成物可藉由混合以下物質來製造：［A］聚矽氧烷、［B］選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種（例如選自硫酸及磺酸化合物中至少一種）、［C］溶劑、以及根據需要含有其他成分之情形時之該其他成分。此時，可事先製備含有［A］聚矽氧烷之溶液，再將此溶液與［B］選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種（例如選自硫酸及磺酸化合物中至少一種）、［C］溶劑、以及其他成分混合。 混合順序無特別限定，例如：可在含有［A］聚矽氧烷之溶液中加入［B］選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種（例如選自硫酸及磺酸化合物中至少一種）、以及［C］溶劑並混合，再將其他成分加入該混合物中；亦可同時混合含有［A］聚矽氧烷之溶液、［B］選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種（例如選自硫酸及磺酸化合物中至少一種）、［C］溶劑、以及其他成分。 如有必要，亦可在最後進一步追加加入［C］溶劑，或是混合物中不先含有相對容易溶解於［C］溶劑中之一部分成分，而是最後才加入，但從抑制構成成分凝集及分離且再現性良好地調製均一性優異的組成物之觀點而言，理想係事先製備［A］聚矽氧烷已良好地溶解之溶液，再使用該溶液調製組成物。又，應留意的點有：［A］聚矽氧烷因一同混合之［B］選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種（例如選自硫酸及磺酸化合物中至少一種）以及［C］溶劑的種類及量、其他成分的量及性質等，而可能會在混合此等時發生凝集或沉澱。此外，亦應留意的點有：使用［A］聚矽氧烷已溶解之溶液來調製組成物之情形時，為使最終所獲得之組成物中［A］聚矽氧烷為所需的量，而有必要確定［A］聚矽氧烷的溶液濃度及其使用量。 調製組成物時，亦可在成分不會分解或變質之範圍內適宜加熱。
本發明中，亦可在製造含矽之光阻下層膜形成用組成物之中途階段、或是在混合所有成分之後，使用亞微米級的過濾器等進行過濾。又，此時所使用之過濾器的材料種類不拘，例如可使用尼龍製過濾器、氟樹脂製過濾器等。
本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物可適當用作用於微影步驟中光阻下層膜形成用組成物。
（圖案形成方法及半導體裝置之製造方法） 以下，作為本發明之一態樣，將說明使用本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物之圖案形成方法、以及半導體裝置之製造方法。
首先，藉由旋轉器、塗布機等適當的塗布方法將本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物塗布在用於製造精密積體電路元件之基板［例如：被氧化矽膜或氮化矽膜或氧化氮化矽膜覆蓋之矽晶圓等半導體基板、氮化矽基板、石英基板、玻璃基板（包含無鹼玻璃、低鹼玻璃、結晶化玻璃）、ITO（氧化銦錫）膜或IZO（氧化銦鋅）膜所形成之玻璃基板、塑膠（聚醯亞胺、PET等）基板、覆蓋有低介電常數材料（low-k材料）之基板、可撓性基板等］上，隨後，使用加熱板等加熱手段進行燒成，藉此使組成物成為硬化物，形成光阻下層膜。以下，本說明書中，光阻下層膜係指由本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物形成之膜。 燒成條件，係從燒成溫度40℃～400℃或80℃～250℃、燒成時間0.3分鐘～60分鐘之中適宜選擇。理想係燒成溫度為150℃～250℃，燒成時間為0.5分鐘～2分鐘。 於此所形成之光阻下層膜的膜厚例如為10nm～1,000nm，或為20nm～500nm，或為50nm～300nm，或為100nm～200nm，或為10～150nm。 又，形成光阻下層膜時所使用之含矽之光阻下層膜形成用組成物可使用經尼龍過濾器過濾之含矽之光阻下層膜形成用組成物。於此，經尼龍過濾器過濾之含矽之光阻下層膜形成用組成物係指在製造含矽之光阻下層膜形成用組成物之中途階段、或是在混合所有成分之後，經過尼龍過濾器過濾之組成物。
本發明係為在基板上形成有機下層膜之後再於其上形成光阻下層膜之態樣，但亦可視情況為不設置有機下層膜之態樣。 於此所使用之有機下層膜無特別限制，可從迄今微影製程中所慣用之膜中任意選擇使用。 即使在因基板上設置有機下層膜，再於其上設置光阻下層膜，又再於其上設置後述之光阻膜之態樣，使得光阻劑膜的圖案寬度變窄，且為了防止圖案倒塌而薄薄地覆蓋光阻劑膜之情形下，亦可藉由選擇後述之適當的蝕刻氣體來對基板進行加工。例如，可使用對光阻劑膜具有足夠快的蝕刻速度之氟系氣體作為蝕刻氣體，來對光阻下層膜進行加工；另可使用對光阻下層膜具有足夠快的蝕刻速度之氧系氣體作為蝕刻氣體，來對有機下層膜進行加工；並且可使用對有機下層膜具有足夠快的蝕刻速度之氟系氣體作為蝕刻氣體，來對基板進行加工。 又，此時可使用之基板及塗布方法可列舉與上述相同的例示。
接著，在光阻下層膜上形成例如光阻劑材料的層（光阻膜）。光阻膜之形成係可用習知方法進行，即，將塗布型光阻材料（光阻膜形成用組成物）塗布於光阻下層膜上並進行燒成。 光阻膜的膜厚例如為10nm～10,000nm，或為100nm～2,000nm，或為200nm～1,000nm，或為30nm～200nm。
形成於光阻下層膜上之光阻膜所使用之光阻劑材料，只要係可對用於曝光之光（例如KrF準分子雷射、ArF準分子雷射等）感光的材料，則無特別限定，無論負型光阻劑材料及正型光阻劑材料皆可使用。例如有：由酚醛清漆樹脂、及1,2-萘醌二疊氮磺酸酯所成之正型光阻劑材料；由具有因酸分解而使鹼溶解速度提升之基團之黏合劑、及光酸產生劑所成之化學增幅型光阻劑材料；由因酸分解而使光阻劑材料的鹼溶解速度提升之低分子化合物、鹼可溶性黏合劑、及光酸產生劑所成之化學增幅型光阻劑材料；以及由具有因酸分解而使鹼溶解速度提升之基團之黏合劑、因酸分解而使光阻劑材料的鹼溶解速度提升之低分子化合物、及光酸產生劑所成之化學增幅型光阻劑材料等。 可自市售品取得之具體例可列舉：Shipley公司製之商品名APEX-E、住友化學股份有限公司製之商品名PAR710、JSR股份有限公司製之商品名AR2772JN、及信越化學工業股份有限公司製之商品名SEPR430等，但不限於此等。此外，可列舉例如：如Proc. SPIE, Vol. 3999, 330-334 (2000)、Proc. SPIE, Vol. 3999, 357-364 (2000)、及Proc. SPIE, Vol. 3999, 365-374 (2000)中所記載之含氟原子聚合物系光阻劑材料。
此外，形成於光阻下層膜上之光阻膜，係可使用電子束微影用光阻膜（亦稱為電子束光阻膜）或EUV微影用光阻膜（亦稱為EUV光阻膜）來取代光阻劑膜，即，本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物可用於形成電子束微影用光阻下層膜或用於形成EUV微影用光阻下層膜。尤其理想係作為用於形成EUV微影用光阻下層膜之組成物。 用以形成電子束光阻膜之電子束光阻材料無論負型材料、正型材料皆可使用。其具體例有：由酸產生劑、及具有因酸分解而使鹼溶解速度改變之基團之黏合劑所成之化學增幅型光阻材料；由鹼可溶性黏合劑、酸產生劑、及因酸分解而使光阻材料的鹼溶解速度改變之低分子化合物所成之化學增幅型光阻材料；由酸產生劑、具有因酸分解而使鹼溶解速度改變之基團之黏合劑、及因酸分解而使光阻材料的鹼溶解速度改變之低分子化合物所成之化學增幅型光阻材料；由具有因電子束分解而使鹼溶解速度改變之基團之黏合劑所成之非化學增幅型光阻材料；由具有因電子束切斷而使鹼溶解速度改變之部位之黏合劑所成之非化學增幅型光阻材料等。使用此等電子束光阻材料之情形與使用以照射源為電子束之光阻劑材料之情形相同，皆可形成光阻膜的圖案。 此外，用以形成EUV光阻膜之EUV光阻材料可使用甲基丙烯酸酯樹脂系光阻材料。
接著，通過指定的光罩（reticle）來對形成於光阻下層膜的上層之光阻膜進行曝光。曝光可使用KrF準分子雷射（波長248nm）、ArF準分子雷射（波長193nm）、F 2準分子雷射（波長157nm）、EUV（波長13.5nm）、電子束等。 曝光後，亦可視需要來進行曝光後加熱（post exposure bake）。曝光後加熱，係在從加熱溫度70℃～150℃、加熱時間0.3分鐘～10分鐘中適宜選擇之條件下進行。
接著，藉由顯影液（例如鹼性顯影液）來進行顯影。藉此，例如使用正型光阻劑膜之情形時，已曝光部分的光阻劑膜被除去，從而形成光阻劑膜的圖案。 顯影液（鹼性顯影液）之例示可列舉：氫氧化鉀、氫氧化鈉等鹼金屬氫氧化物的水溶液；氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、膽鹼等氫氧化四級銨的水溶液；乙醇胺、丙胺、乙二胺等胺水溶液等之鹼性水溶液（鹼性顯影液）等。而且，此等顯影液中亦可加入界面活性劑等。顯影條件可從溫度5～50℃、時間10秒～600秒中適宜選擇。
此外，本發明中，可使用有機溶劑作為顯影液，在曝光後藉由顯影液（溶劑）來進行顯影。藉此，例如使用負型光阻劑膜之情形時，未曝光部分的光阻劑膜被除去，從而形成光阻劑膜的圖案。 顯影液（有機溶劑）之例示可列舉例如：乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、乙酸異戊酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、乙酸2-甲氧基丁酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸4-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、乙酸3-乙基-3-甲氧基丁酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、乙酸2-乙氧基丁酯、乙酸4-乙氧基丁酯、乙酸4-丙氧基丁酯、乙酸2-甲氧基戊酯、乙酸3-甲氧基戊酯、乙酸4-甲氧基戊酯、乙酸2-甲基-3-甲氧基戊酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基戊酯、乙酸3-甲基-4-甲氧基戊酯、乙酸4-甲基-4-甲氧基戊酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯等。而且，此等顯影液中亦可加入界面活性劑等。顯影條件可從溫度5℃～50℃、時間10秒～600秒中適宜選擇。
將如此形成之光阻劑膜（上層）的圖案作為保護膜來進行光阻下層膜（中間層）之除去，接著將經圖案化之光阻劑膜及經圖案化之光阻下層膜（中間層）所成之膜作為保護膜來進行有機下層膜（下層）之除去。並且最後，將經圖案化之光阻下層膜（中間層）及經圖案化之有機下層膜（下層）作為保護膜來進行基板之加工。
將光阻膜（上層）的圖案作為保護膜所進行之光阻下層膜（中間層）之除去（圖案化）係可藉由乾蝕刻進行，其可使用：四氟甲烷（CF 4）、全氟環丁烷（C 4F 8）、全氟丙烷（C 3F 8）、三氟甲烷、一氧化碳、氬、氧、氮、六氟化硫、二氟甲烷、三氟化氮、三氟化氯、氯、三氯硼烷、及二氯硼烷等氣體。 又，光阻下層膜之乾蝕刻理想係使用鹵素系氣體。由鹵素系氣體進行之乾蝕刻中，基本上難以除去由有機物質所成之光阻膜（光阻劑膜）。相對於此，含有大量矽原子之光阻下層膜會被鹵素系氣體迅速地除去。因此，可抑制該光阻下層膜之乾蝕刻所伴隨而來之光阻劑膜的膜厚減少。然後其結果，可將光阻劑膜以薄膜使用。因此，光阻下層膜之乾蝕刻理想係由氟系氣體進行，氟系氣體可列舉例如：四氟甲烷（CF 4）、全氟環丁烷（C 4F 8）、全氟丙烷（C 3F 8）、三氟甲烷、二氟甲烷（CH 2F 2）等，但不限於此等。
當基板與光阻下層膜之間具有有機下層膜之情形時，接著，由經圖案化之光阻膜（上層）（經圖案化之光阻膜（上層）若有殘存之情形時則一同）及經圖案化之光阻下層膜（中間層）所成之膜作為保護膜所進行之有機下層膜（下層）之除去（圖案化），理想係藉由氧系氣體（氧氣、氧／羰基硫（COS）混合氣體等）之乾蝕刻來進行。這是因為含有大量矽原子之本發明之光阻下層膜難以在由氧系氣體進行之乾蝕刻中除去。
隨後，將經圖案化之光阻下層膜（中間層）、及根據需要之經圖案化之有機下層膜（下層）作為保護膜所進行之（半導體）基板之加工，理想係藉由氟系氣體之乾蝕刻來進行。 氟系氣體可列舉例如：四氟甲烷（CF 4）、全氟環丁烷（C 4F 8）、全氟丙烷（C 3F 8）、三氟甲烷、及二氟甲烷（CH 2F 2）等。
可在除去（圖案化）有機下層膜後、或在對基板進行加工（圖案化）後，進行光阻下層膜之除去。光阻下層膜之除去，可藉由乾蝕刻或濕蝕刻來實施。 光阻下層膜之乾蝕刻，理想係如圖案化中所列舉藉由氟系氣體進行，可列舉例如：四氟甲烷（CF 4）、全氟環丁烷（C 4F 8）、全氟丙烷（C 3F 8）、三氟甲烷、二氟甲烷（CH 2F 2）等，但不限於此等。 在本發明之情況下，可藉由使含矽之光阻下層膜形成用組成物中配合有［B］選自磺酸化合物及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種（例如選自硫酸及磺酸化合物中至少一種），來提高以濕式法對由該組成物形成之膜的除去性。 用於光阻下層膜之濕蝕刻之藥液可列舉：稀氫氟酸（氫氟酸）、緩衝氫氟酸（HF與NH 4F的混合溶液）、含鹽酸及過氧化氫之水溶液（SC-2藥液）、含硫酸及過氧化氫之水溶液（SPM藥液）、含氫氟酸及過氧化氫之水溶液（FPM藥液）、及含氨及過氧化氫之水溶液（SC-1藥液）等鹼性溶液。此外，鹼性溶液除了前述混合有氨及過氧化氫水及水之氨過水（SC-1藥液）之外，亦可列舉含有1～99質量%的以下物質之水溶液：氨、氫氧化四甲銨（TMAH）、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化膽鹼、苄基三甲基氫氧化銨、苄基三乙基氫氧化銨、DBU（二氮雜雙環十一烯）、DBN（二氮雜雙環壬烯）、羥胺、1-丁基-1-甲基氫氧化吡咯烷鎓、1-丙基-1-甲基氫氧化吡咯烷鎓、1-丁基-1-甲基氫氧化哌啶鎓、1-丙基-1-甲基氫氧化哌啶鎓、氫氧化甲哌（mepiquat hydroxide）、三甲基氫氧化鋶、聯胺類、乙二胺類、或胍。此等藥液亦可混合使用。
此外，在光阻下層膜的上層，可於光阻膜形成之前形成有機系的抗反射膜。於此所使用之抗反射膜組成物無特別限制，例如可任意從迄今微影製程中所慣用之組成物中選擇使用，此外，可藉由慣用方法如旋轉器、塗布機所進行之塗布及燒成來形成抗反射膜。
此外，塗布有含矽之光阻下層膜形成用組成物之基板，可在其表面具有以化學氣相沉積（CVD）法等所形成之有機系或無機系的抗反射膜，亦可在其上形成光阻下層膜。當在基板上形成有機下層膜之後再於其上形成本發明之光阻下層膜之情形下，亦可在所使用之基板的表面具有以CVD法等所形成之有機系或無機系的抗反射膜。
由含矽之光阻下層膜形成用組成物所形成之光阻下層膜，另根據微影製程中所使用之光的波長，而有具有對該光之吸收之情形。並且，如此情形下，抗反射膜可發揮所具有之防止來自基板的反射光之效果的功能。 而且，光阻下層膜亦可用作：用以防止基板與光阻膜（光阻劑膜等）間之相互作用之層、具有防止用於光阻膜之材料或使光阻膜曝光時所生成之物質對基板造成不良影響之功能之層、具有防止加熱燒成時從基板生成之物質向光阻膜擴散之功能之層、以及用以減少半導體基板介電質層所造成之光阻膜的毒化效果之阻隔層等。
光阻下層膜係能夠適用於雙鑲嵌製程中所使用之形成有通孔之基板，且可用作能夠無間隙填充孔之填孔材料（嵌入材料）。此外，亦可用作用以將具凹凸之半導體基板的表面平坦化之平坦化材料。 此外，本發明之光阻下層膜，除了發揮作為EUV光阻膜之下層膜之功能、發揮作為硬光罩之功能以外，例如亦可在EUV 曝光（波長13.5nm）時可防止不想要的曝光光如UV（紫外）光或DUV（深紫外）光（：ArF光、KrF光）從基板或界面反射，而不會與EUV光阻膜發生互混之情況。因此，為了形成EUV光阻膜之下層抗反射膜，而可適用本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物。即，作為EUV光阻膜之下層可有效率地防止反射。當用作EUV光阻下層膜之情形時，其製程可與光阻劑用下層膜同樣進行。
具備以上說明之本發明之光阻下層膜及半導體基板之半導體加工用基板，係可藉由用此來適當地對半導體基板進行加工。 此外，根據如上所述包含形成有機下層膜之步驟、在該有機下層膜上使用本發明之含矽之光阻下層膜形成用組成物來形成光阻下層膜之步驟、在該光阻下層膜上形成光阻膜之步驟等半導體元件之製造方法，可再現性良好地實現高精度的半導體基板加工，因此可期待穩定地製造半導體元件。 ［實施例］
以下列舉合成例及實施例來更具體說明本發明，但本發明不僅限於下述實施例。
又，實施例中，用於分析樣品物性之裝置及條件如下。 （1）分子量測定 本發明中使用之聚矽氧烷的分子量係藉由GPC分析以聚苯乙烯換算而獲得之分子量。 GPC的測定條件可如下進行：GPC裝置（商品名HLC-8220GPC，東曹股份有限公司製），GPC管柱（商品名Shodex（註冊商標）KF803L、KF802、KF801，昭和電工股份有限公司製），管柱溫度為40℃，溶離液（溶出溶劑）使用四氫呋喃，流量（流速）為1.0mL/min，標準樣品使用聚苯乙烯（昭和電工股份有限公司製）。 （2） 1H-NMR 使用JEOL製核磁共振裝置 1H-NMR（400MHz）、溶劑d6-Acetone來進行評價。 （3）殘留硝酸量 以離子層析評價來測定殘存於體系內之硝酸量。
［1］聚合物（水解縮合物）之合成 （合成例1） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷23.26g、甲基三乙氧基矽烷7.11g、苯基三甲氧基矽烷1.58g、及丙二醇單乙醚47.93g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加0.1M硝酸水溶液20.12g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、甲醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 所獲得之溶液中進一步加入丙二醇單乙醚，丙二醇單乙醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出3,000。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單乙醚封端之量為3mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化93］
Figure 02_image183
（合成例2） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷23.0g、甲基三乙氧基矽烷7.0g、雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基三乙氧基矽烷2.02g、及丙二醇單乙醚48.1g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加硝酸水溶液（0.1mol/L）19.9g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 所獲得之溶液中進一步加入丙二醇單乙醚，丙二醇單乙醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出Mw2,800。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單乙醚封端之量為3mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化94］
Figure 02_image185
（合成例3） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷22.3g、甲基三乙氧基矽烷6.82g、二烯丙基異氰脲酸酯丙基三乙氧基矽烷3.16g、及丙二醇單乙醚48.4g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加硝酸水溶液（0.1mol/L）19.3g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 所獲得之溶液中進一步加入丙二醇單乙醚，丙二醇單乙醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出Mw2,300。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單乙醚封端之量為2mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化95］
Figure 02_image187
（合成例4） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷23.0g、甲基三乙氧基矽烷7.02g、硫氰酸丙基三乙氧基矽烷2.07g、及丙二醇單乙醚48.0g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加硝酸水溶液（0.1mol/L）19.9g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 該溶液中進一步加入丙二醇單乙醚，丙二醇單乙醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出Mw2,600。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單乙醚封端之量為3mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化96］
Figure 02_image189
（合成例5） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷22.6g、甲基三乙氧基矽烷6.62g、三乙氧基((2-甲氧基-4-(甲氧基甲基)苯氧基)甲基)矽烷2.66g、及丙二醇單乙醚48.3g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加硝酸水溶液（0.1mol/L）19.5g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 所獲得之溶液中進一步加入丙二醇單乙醚，丙二醇單乙醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出Mw3,200。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單乙醚封端之量為4mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化97］
Figure 02_image191
（合成例6） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷23.0g、甲基三乙氧基矽烷7.04g、環氧環己基乙基三甲氧基矽烷1.95g、及丙二醇單乙醚48.0g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加硝酸水溶液（0.1mol/L）19.9g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、甲醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 所獲得之溶液中進一步加入丙二醇單乙醚，丙二醇單乙醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出Mw3,100。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單乙醚封端之量為3mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化98］
Figure 02_image193
（合成例7） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷23.1g、甲基三乙氧基矽烷7.06g、環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷1.87g、及丙二醇單乙醚48.0g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加硝酸水溶液（0.1mol/L）20.0g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、甲醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 所獲得之溶液中進一步加入丙二醇單乙醚，丙二醇單乙醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出Mw3,000。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單乙醚封端之量為3mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化99］
Figure 02_image195
（合成例8） 300mL的燒瓶內放入：四乙氧基矽烷23.3g、甲基三乙氧基矽烷6.9g、苯基三甲氧基矽烷1.6g、及丙二醇單甲醚47.9g，一邊以磁攪拌器攪拌所獲得之混合溶液一邊滴加二甲基胺基丙基三甲氧基矽烷0.29g及硝酸水溶液（0.2mol/L）20.2g。 滴加後，將燒瓶移至已調整為60℃之油浴，回流20小時。隨後，將反應副產物之乙醇、甲醇、及水減壓蒸餾除去，濃縮，從而獲得水解縮合物（聚合物）溶液。 所獲得之溶液中進一步加入丙二醇單甲醚，丙二醇單甲醚100%的溶劑比率在140℃下以固體殘留物換算將濃度調整為20質量%，再用尼龍製過濾器（孔徑0.1μm）進行過濾。 所獲得之聚合物係含有含下述式表示之結構之聚矽氧烷，其重量平均分子量藉由GPC以聚苯乙烯換算出Mw3,000。此外，根據 1H-NMR，相對於Si原子，被丙二醇單甲醚封端之量為4mol%。此外，聚合物溶液中殘留硝酸量為1,200ppm。
［化100］
Figure 02_image197
［2］塗布於光阻圖案之組成物之調製 以表1-1或表1-2所示之比例混合合成例中所獲得之聚矽氧烷（聚合物）、酸（添加劑1）、光酸產生劑（添加劑2）、及溶劑，用0.1μm的氟樹脂製過濾器進行過濾，藉此分別調製塗布於光阻圖案之組成物。表1-1及表1-2中各添加量係以質量份表示。 又，水解縮合物（聚合物）雖係作為含有合成例中所獲得之該縮合物之溶液來調製組成物，但表1-1及表1-2中聚合物的添加比例並非表示聚合物溶液的添加量，而是表示聚合物本身的添加量。
表1-1及表1-2中，縮寫的涵義如下。
＜溶劑＞ DIW：超純水 PGEE：丙二醇單乙醚 PGME：丙二醇單甲醚
＜添加劑1（穩定劑）＞ MA：馬來酸
＜添加劑2（硬化觸媒）＞ TPSNO3：三苯基鋶硝酸鹽 TPSML：三苯基鋶馬來酸鹽 TPSTfAc：三苯基鋶三氟乙酸鹽 IMTEOS：三乙氧基矽基丙基-4,5-二氫咪唑 TPSAc：三苯基鋶乙酸鹽 BTEAC：苄基三乙基氯化銨鹽 TPSCl：三苯基氯化鋶鹽
＜添加劑3＞ 5SSA：5-磺柳酸 PSA：4-酚磺酸 CSA：10-樟腦磺酸 Tf：三氟甲磺酸 SCA：4-磺基[4]杯芳烴（四聚體） HPS：3-羥基丙磺酸 PyS：吡啶-3-磺酸 SPTHOS：3-(三羥基矽基)-1-丙磺酸 SA：硫酸 MS：甲磺酸 TFBA：四氟硼酸 HFPA：六氟磷酸 PCA：過氯酸 PIA：過碘酸 TFSI：雙三氟甲磺醯亞胺酸（Bis(trifluoromethanesulfonyl)imide、CAS RN： 82113-65-3） 上述酸中，具有最高pKa（低酸度）之酸係10-樟腦磺酸，且pKa＝1.2。上述酸中，具有最低pKa（高酸度）之酸係雙三氟甲磺醯亞胺酸，且pKa＝-15.0。
＜添加劑4＞ Py：吡啶 TPSOH：氫氧化三苯基鋶 TBAOH：氫氧化四丁銨 TBPOH：氫氧化四丁鏻 DPIOH：氫氧化二苯基錪鎓
［表1-1］
  聚合物 添加劑1 添加劑2 添加劑3 添加劑4 溶劑
實施例1 合成例1 MA TPSNO3 5SSA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
實施例2 合成例2 MA TPSML PSA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
實施例3 合成例3 MA TPSTfAc CSA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
實施例4 合成例4 MA IMTEOS Tf Py PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.03 0.05 0.05 80 8 12
實施例5 合成例5 MA TPSAc SCA TPSOH PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05 0.05 80 8 12
實施例6 合成例6 MA BTEAC HPS TBAOH PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05 0.05 80 8 12
實施例7 合成例7 MA TPSCl PyS TBPOH PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05 0.05 80 8 12
實施例8 合成例8 MA TPSNO3 SPTHOS DPIOH PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05 0.05 80 8 12
實施例9 合成例1 MA TPSNO3 SA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.05 0.01   80 8 12
比較例1 合成例1 MA TPSNO3     PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1     80 8 12
［表1-2］
  聚合物 添加劑1 添加劑2 添加劑3 添加劑4 溶劑
實施例10 合成例1 MA TPSNO3 MS   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
實施例11 合成例1 MA TPSML TFBA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
實施例12 合成例3 MA TPSTfAc HFPA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
實施例13 合成例4 MA IMTEOS PCA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.03 0.05   80 8 12
實施例14 合成例5 MA TPSAc PIA   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
實施例15 合成例6 MA BTEAC TFSI   PGEE PGME DIW
(質量份) 1 0.01 0.1 0.05   80 8 12
※實施例1～15及比較例1係進一步含有合成例1～8中所調製之聚合物溶液中所含之硝酸。
［3］有機下層膜形成用組成物之調製 氮氣下，100mL的四口燒瓶內加入：咔唑（6.69g，0.040mol，東京化成工業股份有限公司製）、9-茀酮（7.28g，0.040mol，東京化成工業股份有限公司製）、及對甲苯磺酸單水合物（0.76g，0.0040mol，東京化成工業股份有限公司製），再添加1,4-二噁烷（6.69g，關東化學股份有限公司製）並攪拌，升溫至100℃使之溶解，開始聚合。24小時後，放冷至60℃。 已冷卻之反應混合物中加入氯仿（34g，關東化學股份有限公司製）並稀釋，再將已稀釋之混合物添加至甲醇（168g，關東化學股份有限公司製），使之沉澱。 過濾回收所獲得之沉澱物，對已回收之固體用減壓乾燥機在80℃下乾燥24小時，從而獲得目標之式（X）表示之聚合物（以下簡稱為PCzFL）9.37g。 又，PCzFL的 1H-NMR測定結果如下。 1H-NMR (400MHz, DMSO-d 6): δ7.03-7.55 (br, 12H), δ7.61-8.10 (br, 4H), δ11.18 (br, 1H) 此外，PCzFL的重量平均分子量Mw藉由GPC以聚苯乙烯換算出2,800，多分散性Mw／Mn為1.77。
［化101］
Figure 02_image199
混合：20g的PCzFL、作為交聯劑之四甲氧基甲基乙炔脲（日本氰特（Cytec Industries Japan）股份有限公司（原三井氰特股份有限公司）製，商品名Powderlink 1174）3.0g、作為觸媒之對甲苯磺酸吡啶鎓0.30g、作為界面活性劑之MEGAFACE R-30（DIC股份有限公司製，商品名）0.06g，再使所獲得之混合物溶解於88g的丙二醇單甲醚乙酸酯，形成溶液。隨後，對所獲得之溶液使用孔徑0.10μm的聚乙烯製微濾器進行過濾，再進一步使用孔徑0.05μm的聚乙烯製微濾器進行過濾，從而調製有機下層膜形成用組成物。
［4］耐溶劑性及顯影液溶解性試驗 使用旋轉器將實施例1～15及比較例1中所調製之組成物分別塗布於矽晶圓上。在加熱板上以215℃加熱1分鐘，分別形成含矽之光阻下層膜，測量所獲得之下層膜的膜厚。 隨後，在各含矽之光阻下層膜上塗布丙二醇單甲醚／丙二醇單甲醚乙酸酯的混合溶劑（7／3（V／V）），並進行旋轉乾燥。測量塗布後之下層膜的膜厚，以混合溶劑塗布前之膜厚為基準（100%），算出混合溶劑塗布後之膜厚變化比例（%）。混合溶劑塗布前後之膜厚變化在1%以下評為「良好」，膜厚變化超過1%評為「未硬化」。 此外，在用相同方法製作於矽晶圓上之各含矽之光阻下層膜上塗布鹼性顯影液（氫氧化四甲銨（TMAH）2.38%水溶液），並進行旋轉乾燥，測量塗布後之下層膜的膜厚，以顯影液塗布前之膜厚為基準（100%），算出顯影液塗布後之膜厚變化比例（%）。顯影液塗布前後之膜厚變化在1%以下為「良好」，膜厚變化超過1%為「未硬化」。 所獲得之結果示於表2-1及表2-2。
［表2-1］
  耐溶劑性 耐顯影液性
實施例1 良好 良好
實施例2 良好 良好
實施例3 良好 良好
實施例4 良好 良好
實施例5 良好 良好
實施例6 良好 良好
實施例7 良好 良好
實施例8 良好 良好
實施例9 良好 良好
比較例1 良好 良好
［表2-2］
  耐溶劑性 耐顯影液性
實施例10 良好 良好
實施例11 良好 良好
實施例12 良好 良好
實施例13 良好 良好
實施例14 良好 良好
實施例15 良好 良好
［5］濕蝕刻速度之測定 濕蝕刻速度之測定係使用以下蝕刻藥液。 TMAH／HF（1：1（質量／質量））　1質量%混合水溶液 使用旋轉器將實施例1～15及比較例1中所獲得之組成物分別塗布於矽晶圓上，在加熱板上以215℃加熱1分鐘，分別形成含矽之光阻下層膜（膜厚0.02μm）。 使用所獲得之各附含矽之光阻下層膜之矽晶圓，使用上述TMAH／HF混合水溶液作為濕蝕刻藥液，測定濕蝕刻速度。濕蝕刻率在5nm/min以上評為「良好」，未滿5nm/min評為「不良」。所獲得之結果示於表3-1及表3-2。
［表3-1］
  TMAH/HF水溶液 （nm/min） 濕蝕刻
實施例1 良好
實施例2 良好
實施例3 良好
實施例4 良好
實施例5 良好
實施例6 良好
實施例7 良好
實施例8 良好
實施例9 良好
比較例1 不良
［表3-2］
  TMAH/HF水溶液 （nm/min） 濕蝕刻
實施例10 良好
實施例11 良好
實施例12 良好
實施例13 良好
實施例14 良好
實施例15 良好
［6］藉由EUV曝光之光阻圖案之形成：正型溶劑顯影 將上述有機下層膜形成用組成物旋轉塗布於矽晶圓上，在加熱板上以215℃加熱1分鐘，從而形成有機下層膜（A層）（膜厚90nm）。 將實施例1中所獲得之組成物旋轉塗布於其上，在加熱板上以215℃加熱1分鐘，藉此形成光阻下層膜（B層）（20nm）。 進一步將EUV用光阻溶液（甲基丙烯酸樹脂系光阻）旋轉塗布於其上，在110℃下加熱1分鐘，藉此形成EUV光阻膜（C層），隨後，使用ASML製EUV曝光裝置（NXE3300B），在NA＝0.33、σ＝0.54/0.90、四極之條件下進行曝光。 曝光後，進行曝光後加熱（PEB，以105℃進行1分鐘），在冷卻板上冷卻至室溫，使用TMAH 2.38%顯影液進行顯影30秒，再進行清洗處理，形成光阻圖案。
以相同程序使用實施例2～9及比較例1中所獲得之各組成物來形成光阻圖案。
然後，對所獲得之各圖案，藉由圖案截面觀察來確認圖案形狀，從而評價可否形成40nm間距、20nm的孔圖案。 圖案形狀之觀察中，係從底腳及底切之間的形狀，並且將空間部沒有明顯殘渣之狀態評為「良好」，光阻圖案下部彼此接觸之不良狀態評為「橋接」。所獲得之結果示於表4。
［表4］
  圖案形狀
實施例1 良好
實施例2 良好
實施例3 良好
實施例4 良好
實施例5 良好
實施例6 良好
實施例7 良好
實施例8 良好
實施例9 良好
比較例1 橋接

Claims (18)

  1. 一種含矽之光阻下層膜形成用組成物，其特徵係含有： ［A］成分：聚矽氧烷、 ［B］成分：選自磺酸化合物、及pKa為-15.0～1.2的酸中至少一種、以及 ［C］成分：溶劑。
  2. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［B］成分係選自硫酸、及磺酸化合物中至少一種。
  3. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有［D］成分：硬化觸媒。
  4. 如請求項3所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［D］成分與該［B］成分的質量比率（［D］：［B］）為0.1：1.0～1.0：0.1。
  5. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［B］成分含有具有羥基之磺酸化合物。
  6. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［A］成分含有矽醇基的至少一部分經醇改性或經縮醛保護之聚矽氧烷改性物。
  7. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［C］成分含有醇系溶劑。
  8. 如請求項7所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［C］成分含有丙二醇單烷基醚。
  9. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有［E］成分：硝酸。
  10. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物進一步含有［F］成分：選自胺及氫氧化物中至少一種。
  11. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該［C］成分含有水。
  12. 如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該含矽之光阻下層膜形成用組成物用於EUV微影用光阻下層膜。
  13. 一種光阻下層膜，其特徵係為如請求項1至12中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物的硬化物。
  14. 一種半導體加工用基板，其特徵係具備半導體基板、及如請求項13所述之光阻下層膜。
  15. 一種半導體元件之製造方法，其特徵係包含： 在基板上形成有機下層膜之步驟； 在該有機下層膜上，使用如請求項1至12中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物來形成光阻下層膜之步驟；以及 在該光阻下層膜上，形成光阻膜之步驟。
  16. 如請求項15所述之半導體元件之製造方法，其中，該形成光阻下層膜之步驟中，使用經尼龍過濾器過濾之含矽之光阻下層膜形成用組成物。
  17. 一種圖案形成方法，其特徵係包含： 在半導體基板上形成有機下層膜之步驟； 在該有機下層膜上，塗布如請求項1至12中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，進行燒成，從而形成光阻下層膜之步驟； 在該光阻下層膜上，塗布光阻膜形成用組成物，從而形成光阻膜之步驟； 使該光阻膜曝光及顯影，從而獲得光阻圖案之步驟； 將該光阻圖案用於光罩，並對該光阻下層膜進行蝕刻之步驟；以及 將經圖案化之該光阻下層膜用作光罩，並對該有機下層膜進行蝕刻之步驟。
  18. 如請求項17所述之圖案形成方法，其中，該圖案形成方法進一步包含在該對有機下層膜進行蝕刻之步驟後，藉由使用藥液之濕式法來除去該光阻下層膜之步驟。
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