TW202243102A - 半導體晶圓承載結構及有機金屬化學氣相沉積裝置 - Google Patents

半導體晶圓承載結構及有機金屬化學氣相沉積裝置 Download PDF

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Abstract

一種半導體晶圓承載結構，包括：承載本體，其具有表面；保護膜層，覆蓋此表面；承載盤，設置於承載本體上；以及圖案化鍍膜層，形成於承載盤上，其中圖案化鍍膜層具有兩種以上不同的厚度。

Description

半導體晶圓承載結構及有機金屬化學氣相沉積裝置
本發明是關於一種半導體製程設備，特別是關於一種包括圖案化鍍膜層的半導體晶圓承載結構。
近年來，發光二極體（Light-emitting diode；LED）的應用領域相當多元，例如照明裝置、顯示器、行動裝置等。發光二極體具有反應速度快、高亮度、體積小、消耗功率低、色彩飽和度高等優點。而為了滿足各種使用需求下的性能規格，不同樣式或材料組成的發光二極體元件不斷挑戰相關產業的設計與量產能力。舉例來說，應用於顯示器的微型發光二極體（micro LED），其磊晶層的物理及化學特性需要達到高度的均勻性，才能使裝置的發光波長均勻，並滿足所需的顯示品質要求。
在形成微型發光二極體元件之磊晶層的製造過程中，有機金屬化學氣相沉積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD）為較常使用的技術之一。而為了滿足磊晶層波長均勻性的要求，製造裝置之承載結構的溫場分布也是需要考量的一大問題，若承載結構的溫場分布不均勻，會導致後續形成的微型發光二極體元件的發光波長分布不均的問題，並造成元件良率下降、產出成本上升。
儘管現階段的主流作法為藉由機械加工調整承載結構內的承載盤的表面深度以改變承載結構的溫場分布，但機械加工有其一定的限制，使用機械加工較難針對細微的溫度變化去做修正，故目前的作法仍有所不足。
本發明實施例提供一種半導體晶圓承載結構，包括：承載本體，其具有表面；保護膜層，覆蓋此表面；承載盤，設置於承載本體上；以及圖案化鍍膜層，形成於承載盤上，其中圖案化鍍膜層具有兩種以上不同的厚度。
本發明實施例提供一種有機金屬化學氣相沉積裝置，包括：腔室；如前述之半導體晶圓承載結構，容置於腔室中；支撐件，用以支撐承載結構；以及加熱器，設置於半導體晶圓承載結構下方，用以加熱承載結構。
透過實施本發明，可改善機械加工較難針對承載結構的溫場分布進行細微修正的問題，並使後續製造的發光二極體晶片具有一致的發光波長。
以下揭露提供了許多的實施例或範例，用於實施所提供的標的物之不同元件。各元件和其配置的具體範例描述如下，以簡化本發明實施例之說明。當然，這些僅僅是範例，並非用以限定本發明實施例。舉例而言，敘述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接觸的實施例，也可能包含額外的元件形成在第一和第二元件之間，使得它們不直接接觸的實施例。此外，本發明實施例可能在各種範例中重複參考數值以及∕或字母。如此重複是為了簡明和清楚之目的，而非用以表示所討論的不同實施例及∕或配置之間的關係。
再者，其中可能用到與空間相對用詞，例如「在……之下」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」等類似用詞，是為了便於描述圖式中一個（些）部件或特徵與另一個（些）部件或特徵之間的關係。空間相對用詞用以包括使用中或操作中的裝置之不同方位，以及圖式中所描述的方位。當裝置被轉向不同方位時（旋轉90度或其他方位），其中所使用的空間相對形容詞也將依轉向後的方位來解釋。
此處所使用的用語「約」，表示一給定量的數值可基於目標半導體裝置相關的特定技術節點而改變。在一些實施例中，基於特定的技術節點，用語「約」可表示一給定量的數值在例如該數值之10%至30%的範圍（例如：數值之±10%、±20%、或±30%）。
除非另外定義，在此使用的全部用語（包含技術及科學用語）具有與本發明所屬技術領域中具通常知識者所理解的相同涵義。應理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
相較於使用機械加工來調整承載盤表面深度之先前技術而言，本揭露藉由形成圖案化鍍膜層於承載盤上，以達到更精確地在製程中調整承載盤面的溫度差異，或是根據晶圓所需的目標波長（例如對應發光二極體晶片的波長）來調整承載盤表面的溫度分布或是產生各種模式的溫度分布。舉例來說，在使用有機金屬化學氣相沉積形成微型發光二極體晶片的製程中，可透過形成圖案化鍍膜層於承載盤上以在半導體晶圓承載結構的承載盤表面產生先前技術所無法達成之均勻的溫度分布，進而使形成的發光二極體晶片具有均勻的發光波長分布。在其他實施例中，也可藉由調整承載盤表面的溫度分布，使微型發光二極體晶片具有特定的發光波長分布。
第1圖繪示出根據本發明實施例之承載結構18的立體示意圖。參照第1圖，承載結構18包括了承載本體20與至少一個承載盤22，且承載本體20具有至少一個圓形凹槽21用以容置承載盤22。應理解的是，雖然在第1圖中繪示出複數個圓形凹槽21及承載盤22，但承載本體20可以只具有單一個圓形凹槽21及承載盤22。承載盤22使用的材料可包括碳化矽（SiC）、石墨、或上述之組合。在一特定實施例中，承載盤22使用的材料為碳化矽。
承載結構18可以在有機金屬化學氣相沉積製程中承載用於進行沉積的晶圓，然而本揭露的應用並非限定於有機金屬化學氣相沉積製程。承載結構18也可以用於其他製程，例如物理氣相沉積（physical vapor deposition；PVD）、化學氣相沉積（chemical vapor deposition；CVD）、原子層沉積（atomic vapor deposition；ALD）等。
第2圖繪示出於第1圖中沿A-A剖線的承載結構18的剖面示意圖，其包括承載本體20以及一個承載盤22。一般而言，承載本體20的表面鍍有保護膜層26來保護承載本體20，避免承載本體20與製程氣體產生反應。承載盤22具有複數個支撐部27，其位於承載盤22的邊緣，支撐部27用以支撐晶圓，使晶圓與承載盤22之間為非直接接觸，且受熱方式為熱輻射式加熱。為了簡化圖式，此處的承載盤22並未繪示出圖案化鍍膜層。
根據一些實施例，第3A圖繪示出形成具有圖案化鍍膜層28的承載盤22的俯視示意圖。在一些實施例中，使用圖案化遮罩（未繪示）對承載盤22的表面進行鍍膜，以形成圖案化鍍膜層28於承載盤22上方。在另一些實施例中，亦可全面性形成鍍膜層，再使用圖案化遮罩（未繪示）對承載盤22表面的鍍膜層進行蝕刻，以將鍍膜層圖案化。透過圖案化遮罩與鍍膜（或者蝕刻）的技術來細微調整承載盤22局部的厚度差異。藉由形成鍍膜層，可於需要升溫的區域局部地且精準地增加此區域的厚度。厚度增加則會使此區域的熱質量（熱來源）上升，進而在製程中達到令此區域溫度上升的效果。同樣地，對於需要維持原本溫度的區域，在鍍膜的過程中，則可使用圖案化遮罩覆蓋此區域，以確保此區域的厚度不因鍍膜製程而增加，並在製程中維持此區域原本溫度。在其他實施例中，對於需要降溫的區域，亦可使用圖案化遮罩對鍍膜層進行蝕刻，以減少特定區域的厚度，令此區域在製程中達到溫度降低的效果（提供的熱能減少）。圖案化鍍膜層28使用的材料可包括碳化矽、碳化鉭（TaC）、石墨、陶瓷、石英、石墨烯、類鑽石膜、或上述之組合。根據本發明實施例，可藉由在支撐部27的表面鍍上保護膜層使得支撐部27的頂部在承載盤22的厚度方向上高於圖案化鍍膜層28的頂部，以使圖案化鍍膜層28不與晶圓直接接觸。
參照第3B圖，第3B圖繪示出於第3A圖中沿3B-3B剖線的承載盤22的剖面示意圖。在本發明實施例中，圖案化鍍膜層28可包含基準面29，以及高於基準面29的凸出部30、低於基準面29的凹陷部31（詳見第8C圖）、或上述之組合。圖案化鍍膜層28的圖案相對承載盤22的中心對稱分布。參照第3A圖以及第3B圖，凸出部30包括第一凸出部32以及環繞第一凸出部32的第二凸出部34。第一凸出部32覆蓋承載盤22的中心，而第二凸出部34在第3A圖中為環狀設置於承載盤22；亦即，第二凸出部34為一連續的環狀結構。在這些實施例中，第一凸出部32與第二凸出部34具有等高的頂表面35，但本揭露不以此為限。雖然在第3B圖中，凸出部30的剖面形狀為矩形，但本揭露不以此為限，在其他實施例中，凸出部30的剖面形狀可以為矩形、梯形、弧形、三角形、或上述之組合，如第4A、4B圖以及第4C圖所繪示。
繼續參照第3A圖以及第3B圖。在一些實施例中，承載盤22的直徑D1的長度範圍為約25毫米至約250毫米，例如150毫米。在一些實施例中，凸出部30的第一凸出部32或∕及第二凸出部34在圖案化鍍膜層28的厚度T1（即相對於基準面29凸出的厚度）之範圍為約1微米至約100微米。根據本發明實施例，圖案化鍍膜層28的厚度T1對承載盤22的直徑D1之比例範圍為約0.0006%至約0.7%。在一些實施例中，位於承載盤22中心的第一凸出部32的直徑D2範圍為約1毫米至約50毫米。根據本發明實施例，位於承載盤22中心的第一凸出部32之直徑D2對承載盤22之直徑D1的比例範圍大於0且小於1 /3。
參照第5A圖，第5A圖為第3A圖的變化例，在此變化例中，第一凸出部32及第二凸出部34間斷分布於承載盤22上。具體來說，第一凸出部32包括複數個不連續的第一圖案32a，其相對承載盤22的中心對稱分布。第二凸出部34包括較接近承載盤22之中心的複數個不連續的第二圖案34a以及較接近承載盤22之邊緣的複數個不連續的第三圖案34b，兩者皆圍繞著承載盤22的中心環狀排列，且皆相對承載盤22的中心呈對稱分布。在第5A圖中，第一圖案32a、第二圖案34a以及第三圖案34b皆為圓形，在其他實施例中，此些圖案亦可為矩形、稜形、梯形、三角形、或上述之組合。第5B圖繪示出於第5A圖中沿5B-5B剖線的承載盤22的剖面示意圖。在此變化例中，第一凸出部32的第一圖案32a與第二凸出部34的第二圖案34a及第三圖案34b具有等高的頂表面35，但本揭露不以此為限。
藉由形成圖案化鍍膜層28於承載盤22上，可有效改善承載結構18的溫場分布。第6A圖為使用不具有圖案化鍍膜層28之承載盤22所製造的微型發光二極體的發光波長分布圖。於第6A圖可見發光波長呈現由中心向外放射之梯度形狀，故各區域之波長分布較不均勻。第6B圖為使用具有圖案化鍍膜層28之承載盤22所製造的微型發光二極體的發光波長分布圖。如第6B圖所示承載盤22上之磊晶層的各梯度（波長）的面積分布增寬，表示晶圓的梯度（波長）變化趨緩，可有效改善微型發光二極體之發光波長的均勻性。
第7A圖繪示出第3B圖的變化例，在此變化例中，使用兩種以上不同的材質形成具有堆疊膜層的圖案化鍍膜層28。如第7A圖所繪示，堆疊膜層之圖案化鍍膜層28包括未圖案化的第一鍍膜層38以及第二鍍膜層40。第一鍍膜層38位於承載盤22上，而第二鍍膜層40則位於第一鍍膜層38上且其材質與第一鍍膜層38的材質相異。第二鍍膜層40圖案化地分布於承載盤22上，且如第7B圖所示，第二鍍膜層40亦可僅有至少一部份堆疊於第一鍍膜層38上。在其他實施例中，第二鍍膜層40的其他部分也可以不位於第一鍍膜層38上，例如第7B圖中承載盤22的中央區域，第一鍍膜層38也可以為完全貫通，且其貫通的區域以第二鍍膜層40取代。這些配置變化是利用不同材料之間熱傳導係數的不同，產生局部的熱質量差異，藉此來控制各區域的散熱速度。總體而言，在第7B圖中，第二鍍膜層40若為熱傳導速度較快∕比熱較小的材質，則此區域的熱質量小、散熱快。藉由使用不同熱傳導係數的材料，也可達到令特定區域升溫或者降溫的效果。
在本發明實施例中，圖案化鍍膜層28可具有不同厚度。根據一些實施例，第8A、8B圖繪示出具有三種厚度之圖案化鍍膜層28的承載盤22的俯視示意圖。第8C圖繪示出繪示出於第8A、8B圖中沿8C-8C剖線的剖面示意圖。參照第8A圖，在一些實施例中，圖案化鍍膜層28包括凸出部30以及凹陷部31，其中凸出部30包括第一凸出部32以及環繞第一凸出部32的第二凸出部34，凹陷部31位於第一凸出部32與第二凸出部34之間並環繞第一凸出部32，且第二凸出部34與凹陷部31皆為連續的環狀圖案。在其他實施例中，如第8B圖所繪示，第二凸出部34為不連續的環狀片段圖案，其不連續處位於支撐部27附近。參照第8C圖，在剖面示意圖中，第一凸出部32與第二凸出部34具有等高的頂表面35，且其高於基準面29；而凹陷部31具有底表面36，且其低於基準面29。因此，本實施例形成具有不同厚度的圖案化鍍膜層28，可增加需要提高溫度的區域A H（如第8A、8B圖所繪示的凸出部30）的厚度，並減少需要降低溫度的區域A L（如第8A、8B圖所繪示的凹陷部31）的厚度。應理解的是，雖然在第8A、8B圖以及第8C圖中是使用單一材質形成圖案化鍍膜層28，但圖案化鍍膜層28也可以參考第7A圖的實施例，使用多種不同的材質形成。
在本發明實施例中，不同的凸出部也可以具有不同的高度，且每個凸出部∕凹陷部都可具有兩種以上的厚度變化，並呈多階梯狀，如第9A、9B圖所繪示。根據一些實施例，第9A圖繪示出具有多個厚度的圖案化鍍膜層28的承載盤22的俯視示意圖。第9B圖繪示出於第9A圖中沿9B-9B剖線的剖面示意圖。請同時參照第9A圖與第9B圖，凸出部30包括第一凸出部32以及環繞第一凸出部32的第二凸出部34；凹陷部31位於第一凸出部32與第二凸出部34之間並環繞第一凸出部32，且第二凸出部34與凹陷部31皆為連續的環狀圖案。在此些實施例中，第一凸出部32的中心更包含一內凹部分42，第二凸出部34包含多階狀凸出部分44，凹陷部31包含多階狀凹陷部分46。在這些實施例中，凸出部30與凹陷部31之厚度呈階梯狀變化，並藉由圖案化鍍膜層28之多種厚度變化來改變所需要的承載結構18之溫場分布。
第10A圖繪示出本揭露的另一變化例，其為具有多個厚度以及不連續圖案的圖案化鍍膜層28的承載盤22的俯視示意圖。第10B圖繪示出於第10A圖中沿10B-10B剖線的剖面示意圖。參照第10A圖，在此變化例中，第一凸出部32的內凹部分42、第二凸出部34的多階狀凸出部分44（包含凸出圖案44a與44b）、以及凹陷部31的多階狀凹陷部分46在俯視示意圖中為呈環狀排列的不連續圖案。第一凸出部32的內凹部分42之圖案相對承載盤22的中心對稱分布。第二凸出部34的多階狀凸出部分44的凸出圖案44a以及凸出圖案44b則分別較接近承載盤22之中心以及邊緣，兩者彼此交錯並環繞承載盤22的中心環狀排列，且相對承載盤22的中心對稱分布。凹陷部31的多階狀凹陷部分46之圖案相對承載盤22的中心對稱分布。前述的圖案可包括矩形、稜形、梯形、圓形、三角形、或上述之組合。參照第10B圖，與第9B圖相比，凸出部30與凹陷部31同樣具有多階梯狀的厚度變化區域，且前述的凸出圖案以及凹陷圖案為圓柱狀（於剖面示意圖中呈矩形）。利用多個不連續圖案形成的圖案化鍍膜層28可針對所需的溫場分布進行更細微的調整。
根據一些實施例，圖案化鍍膜層28也可只形成凹陷部31而不具有凸出部30。第11A圖繪示出僅形成凹陷部31之圖案化鍍膜層28的承載盤22的俯視示意圖。第11B圖繪示出於第11A圖中沿11B-11B剖線的剖面示意圖。在此些實施例中，承載盤22僅具有需要降低溫度的區域A L，因此圖案化鍍膜層28只具有凹陷部，不具有凸出部。
第12、14圖是根據本揭露的一些實施例，繪示出有機金屬化學氣相沉積裝置500的剖面示意圖。參照第12圖，有機金屬化學氣相沉積裝置500包含腔室200。腔室200具有注氣口210以及排氣口212。注氣口210用於將製程氣體注入腔室200中，而排氣口212用於將剩餘製程氣體與反應殘留物抽離腔室200。腔室200中具有支撐件214與加熱器216。支撐件214為可旋轉的部件。支撐件214用以支撐承載結構18，而加熱器216位於承載結構18下方，用以加熱承載結構18。在一些實施例中，承載結構18包括了承載本體20及複數個承載盤22。藉由間隔物220將各個承載盤22彼此隔離，且這些承載盤22相對承載本體20的中心對稱分布。半導體晶圓W承載於承載盤22上。支撐件214帶動承載結構18及其上方的半導體晶圓W旋轉。參照第13圖，為了避免在有機金屬化學氣相沉積製程中，承載盤22受到製程氣體之侵蝕，也可以在承載盤22的周側表面上形成鈍化層48以保護承載盤22，且鈍化層48可使用不同於圖案化鍍膜層28的材質，例如二氧化矽(Silicon dioxide)、或隨製程氣體之特性選擇適合的材料。
應理解的是，在其他實施例中，承載本體20可以僅具有單一承載盤22，如第14圖所繪示。參照第14圖，在其他實施例中，承載結構18包括了承載本體20及單一個承載盤22。承載結構18僅透過下方的支撐件214進行自轉。此外，腔室200也可具有複數個注氣口210，如第14圖所繪示。
因此，此處描述的各種實施例提供數個優點於現有技術領域。應理解的是，並非全部的優點皆已必然在此討論，也非所有實施例都需要具備特定的優點，且其他實施例可提供不同的優點。相較於利用機械加工來改變承載盤厚度的先前技術而言，在本揭露的一些實施例中，藉由在承載盤上形成圖案化鍍膜層，可更精確地微調製程中承載盤面的溫度差異，避免在磊晶過程中發生反應溫度不均一的問題，並使後續製造的微型發光二極體晶片能具有一致的發光波長。在其他實施例中，也可根據目標晶圓所需的溫度調變（例如對應微型發光二極體晶片的波長設計之溫度調變）來調整承載盤表面的溫度分布或是產生特定模式的溫度分布，使得所形成的微型發光二極體晶片具有特定的波長分布。
以上概述數個實施例之部件，以便在本發明所屬技術領域中具有通常知識者可更易理解本發明實施例的觀點。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者應理解，他們能以本發明實施例為基礎，設計或修改其他製程和結構，以達到與在此介紹的實施例相同之目的及/或優勢。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者也應理解到，此類等效的製程和結構並無悖離本發明的精神與範圍，且他們能在不違背本發明之精神和範圍之下，做各式各樣的改變、取代和替換。
18:承載結構 20:承載本體 21:圓形凹槽 22:承載盤 26:保護膜層 27:支撐部 28:圖案化鍍膜層 29:基準面 30:凸出部 31:凹陷部 32:第一凸出部 32a:第一圖案 34:第二凸出部 34a:第二圖案 34b:第三圖案 35:頂表面 36:底表面 38:第一鍍膜層 40:第二鍍膜層 42:內凹部分 44:多階狀凸出部分 44a:凸出圖案 44b:凸出圖案 46:多階狀凹陷部分 48:鈍化層 200:腔室 210:注氣口 212:排氣口 214:支撐件 216:加熱器 500:有機金屬化學氣相沉積裝置 A H:區域 A L:區域 D1:直徑 D2:直徑 T1:厚度 W:半導體晶圓 A-A:剖線 3B-3B:剖線 5B-5B:剖線 8C-8C:剖線 9B-9B:剖線 10B-10B:剖線 11B-11B:剖線
由以下的詳細敘述配合所附圖式，可最好地理解本發明實施例。應注意的是，依據在業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製且僅用於說明。事實上，可任意地放大或縮小各種元件的尺寸，以清楚地表現出本發明實施例之特徵。 第1圖是根據本發明實施例，繪示出半導體製程設備之承載結構的立體示意圖。 第2圖是根據本發明實施例，繪示出於第1圖中沿A-A剖線的承載結構的剖面示意圖。 第3A圖是根據本發明實施例，繪示出形成具有圖案化鍍膜層的承載盤的俯視示意圖。 第3B圖是根據本發明實施例，繪示出於第3A圖中沿3B-3B剖線的承載盤的剖面示意圖。 第4A、4B、4C圖是根據本發明實施例，繪示出於第3A圖中沿3B-3B剖線的承載盤的剖面示意圖。 第5A圖是根據本發明實施例，繪示出形成具有圖案化鍍膜層的承載盤的俯視示意圖。 第5B圖是根據本發明實施例，繪示出於第5A圖中沿5B-5B剖線的承載盤的剖面示意圖。 第6A圖是根據本發明實施例，繪示出使用不具有圖案化鍍膜層之承載盤所製造的微型發光二極體的發光波長分布圖。 第6B圖是根據本發明實施例，繪示出使用具有圖案化鍍膜層之承載盤所製造的微型發光二極體的發光波長分布圖。 第7A圖是根據本發明實施例，繪示出使用兩種以上不同的材質形成具有堆疊膜層的圖案化鍍膜層的承載盤的剖面示意圖。 第7B圖是根據第7A圖的圖案化鍍膜層之另一種實施態樣的剖面示意圖。 第8A、8B圖是根據本發明實施例，繪示出具有三種厚度之圖案化鍍膜層的承載盤的俯視示意圖。 第8C圖是根據本發明實施例，繪示出於第8A、8B圖中沿8C-8C剖線的剖面示意圖。 第9A圖是根據本發明實施例，繪示出具有多個厚度的圖案化鍍膜層的承載盤的俯視示意圖。 第9B圖是根據本發明實施例，繪示出於第9A圖中沿9B-9B剖線的剖面示意圖。 第10A圖是根據本發明實施例，繪示出具有多個厚度以及不連續圖案的圖案化鍍膜層的承載盤的俯視示意圖。 第10B圖是根據本發明實施例，繪示出於第10A圖中沿10B-10B剖線的剖面示意圖。 第11A圖是根據本發明實施例，繪示出僅形成凹陷部之圖案化鍍膜層的承載盤的俯視示意圖。 第11B圖是根據本發明實施例，繪示出於第11A圖中沿11B-11B剖線的剖面示意圖。 第12圖是根據本發明實施例，繪示出有機金屬化學氣相沉積裝置的剖面示意圖。 第13圖是根據本發明實施例，繪示出具有鈍化層的承載盤的剖面示意圖。 第14圖是根據本發明實施例，繪示出有機金屬化學氣相沉積裝置的剖面示意圖。
22:承載盤
27:支撐部
28:圖案化鍍膜層
30:凸出部
31:凹陷部
32:第一凸出部
34:第二凸出部
42:內凹部分
44:多階狀凸出部分
46:多階狀凹陷部分
9B-9B:剖線

Claims (18)

  1. 一種半導體晶圓承載結構，包括： 一承載本體（carrier body），具有一表面； 一保護膜層，覆蓋該表面； 一承載盤，設置於該承載本體上；以及 一圖案化鍍膜層，形成於該承載盤上，其中該圖案化鍍膜層具有兩種以上不同的厚度。
  2. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中該圖案化鍍膜層的圖案相對該承載盤的中心對稱分布。
  3. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中形成該圖案化鍍膜層的材料包括碳化矽（SiC）、碳化鉭（TaC）、石墨、陶瓷、石英、石墨烯、類鑽石膜、或上述之組合。
  4. 如請求項3所述之半導體晶圓承載結構，其中該承載盤的材料包括碳化矽（SiC）、石墨、或上述之組合。
  5. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中該圖案化鍍膜層的剖面形狀包括矩形、梯形、弧形、三角形、或上述之組合。
  6. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中該圖案化鍍膜層定義有一基準面，且該圖案化鍍膜層更包括：高於該基準面的一凸出部、低於該基準面的一凹陷部、或上述之組合。
  7. 如請求項6所述之半導體晶圓承載結構，其中該凸出部相對該基準面凸出1微米至100微米之厚度。
  8. 如請求項6所述之半導體晶圓承載結構，其中該凸出部包括一第一凸出部以及環繞該第一凸出部的一第二凸出部。
  9. 如請求項8所述之半導體晶圓承載結構，其中該第一凸出部覆蓋該承載盤的中心。
  10. 如請求項9所述之半導體晶圓承載結構，其中該第二凸出部環狀設置於該承載盤。
  11. 如請求項10所述之半導體晶圓承載結構，其中該第二凸出部間斷分布於該承載盤上。
  12. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中該圖案化鍍膜層包括： 一第一鍍膜層，位於該承載盤上；以及 一第二鍍膜層，材質與該第一鍍膜層相異，該第二鍍膜層圖案化地分布於該承載盤上，且至少一部分之該第二鍍膜層堆疊於該第一鍍膜層上。
  13. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中該圖案化鍍膜層為單一材質且具有厚度變化的膜層。
  14. 如請求項13所述之半導體晶圓承載結構，其中該圖案化鍍膜層之厚度呈階梯狀變化。
  15. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中該承載盤具有複數個支撐部，該些支撐部位於該承載盤的邊緣，且該些支撐部的頂部在該承載盤的厚度方向上高於該圖案化鍍膜層的頂部。
  16. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中位於該承載盤之中心的該圖案化鍍膜層之直徑對該承載盤之直徑的比例範圍大於0且小於1 /3。
  17. 如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，其中該承載盤之一周側表面上形成一鈍化層，且該鈍化層之材質與該圖案化鍍膜層相異。
  18. 一種有機金屬化學氣相沉積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）裝置，包括： 一腔室； 一如請求項1所述之半導體晶圓承載結構，容置於該腔室中； 一支撐件，用以支撐該承載結構；以及 一加熱器，設置於該半導體晶圓承載結構下方，用以加熱該承載結構。
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