TW202241232A - 一種複合式高頻基板及其製備方法 - Google Patents

Abstract

一種複合式高頻基板，係包括第一銅箔層、第一高頻樹脂膠層、複合膜疊構、第二高頻樹脂膠層和第二銅箔層；其中，該複合膜疊構係為奇數層結構，係由至少二低介電薄膜層及至少一第三高頻樹脂膠層交替疊合所組成，並以該低介電薄膜層作為與該第一高頻樹脂膠層及第二高頻樹脂膠層相鄰之層。本發明復提供上述複合式高頻基板之製備方法。透過複合型結構，本發明之複合式高頻基板具良好之電性及極低傳輸損耗、低熱膨脹係數及良好的尺寸安定性等優點，即使置於高溫濕度環境下，亦具有穩定的Dk/Df性能、超低吸水率、極佳機械性能、高接著強度，並具厚且低介電介質層之特質。

Description

一種複合式高頻基板及其製備方法

本發明係關於印刷電路板技術領域，尤係關於一種複合式高頻基板。

隨著信息技術之飛躍發展，當今全球5G等高傳速技術大量推廣、毫米波傳輸加速推進，為滿足信號傳送高頻高速化並降低終端設備生產成本，市場上呈現出各種形式的混壓結構多層板設計與應用。印刷電路板係電子產品中不可或缺的材料，而隨著消費性電子產品之需求增長，對於印刷電路板之需求亦與日俱增。由於軟性印刷電路板(FPC，Flexible Printed Circuit)具有可撓曲性及可三度空間配線等特性，在科技化電子產品強調輕薄短小、可撓曲性，從而在信息技術要求高頻高速之發展驅勢下，目前FPC已被廣泛應用於計算機及其外圍設備、通訊產品及消費性電子等產品。

目前業界主要使用之高頻板材主要為LCP(Liquid crystal polymer)板、氟系樹脂纖維板、MPI(Modified polyimide)板。LCP薄膜製成的基板，雖加工性較佳且在由於低吸水率，在高溫高濕環境下之傳 輸損耗表現也趨穩定，但所面臨問題是其介電性能難再降低並調整，儘管其損耗因子可達0.002至0.003，但其介電常數約介於3.2至4.0之間，然與氟系材料相比，LCP薄膜製成的基板在高速傳輸之應用係受限制；與氟系材料相同的是，因其表面特性，同樣面臨有其接著力不足及針對其金屬導體之損失方面難以再進一步降低並調整等問題；現市售之LCP薄膜因其熔點約為300℃，對後續高溫組裝製程易造成厚度均勻性不佳之問題。此外，LCP薄膜之成本也居高不下，故市場具規模之供應商少，且其供應量亦無法滿足業界需求。

因此，業界仍亟欲開發一種具有良好電性及極低傳輸損耗、低熱膨脹係數、良好尺寸安定性、超低吸水率、極佳機械性能及高接著強度之高頻基板。

本發明主要解決的技術問題係提供一種複合式高頻基板，其係為一包括低介電薄膜層、高頻樹脂膠層及銅箔層之疊構。該疊構之優點係利用薄膜類(如改性聚醯亞胺薄膜)的低CTE，以及在厚膜的雙軸延伸下CTE的對稱性支撐基板整體的熱膨脹值特性、加工性，使基板具有低且均勻的熱膨脹係數、良好的尺寸安定性及低翹曲高度，且通常薄膜係較樹脂塗佈具有更優異且穩定之機械特性、鑽孔加工特性。高頻樹脂膠層係具強接著力，故能選用低粗糙度的銅箔來有效降低高頻段訊號傳輸時導體損失的影響，較薄膜直接壓合銅箔之工藝的所需溫度低(由於薄膜熔點多大於300℃，因而需更高的壓合溫度)，也降低設備要求產生的成本。此 外，利用低介電薄膜及高頻樹脂膠的複合膜疊構取代傳統作為介質層之低介電薄膜如LCP膜、聚醯亞胺膜或改性聚醯亞胺膜，除容易製造厚的複合膜疊構以作為低介電介質層，製成基板的吸濕性和電性較佳，亦可降低成本，增加其競爭優勢。

為解決上述技術問題，本發明提供一種複合式高頻基板，係包括第一銅箔層、第一高頻樹脂膠層、複合膜疊構、第二高頻樹脂膠層及第二銅箔層；其中，該複合膜疊構係奇數層結構，係由低介電薄膜層及第三高頻樹脂膠層交替組成，並以二該低介電薄膜層鄰接該第一高頻樹脂膠層及第二高頻樹脂膠層。

於一具體實施態樣中，該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層和第三高頻樹脂膠層之各者的Dk值(10G Hz)為2.00至3.50，且Df值(10G Hz)為0.001至0.010。

於一具體實施態樣中，該第一銅箔層和第二銅箔層係獨立選自ED銅箔、RA銅箔、HA銅箔及HA-V2銅箔所組成群組中之一種。

於一具體實施態樣中，所述複合式高頻基板之總厚度為43至700μm，其中，該第一銅箔層和第二銅箔層之厚度均為6至70μm；該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層和第三高頻樹脂膠層之厚度為5至50μm；該低介電薄膜層之厚度為8至100μm。

於一具體實施態樣中，該第一銅箔層和第二銅箔層均為毛面具表面粗糙度(RZ，十點平均粗度)為0.4至2.0μm之銅箔層。

於一具體實施態樣中，該低介電薄膜層之Dk值(10G Hz)為2.0至3.5，且Df值(10G Hz)為0.002至0.020；形成該低介電薄膜層之材質 係選自由聚醯亞胺、氟乙烯-丙烯的共聚物、四氟乙烯-全氟乙烯基醚共聚物、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚苯醚和聚苯硫醚所組成群組中之至少一種聚合物。

於一具體實施態樣中，形成該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層及該第三高頻樹脂膠層之材質係獨立選自由氟樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、熱固性聚醯亞胺系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對二甲苯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、異氰酸酯、聚碸樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醚碸、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚乙烯、聚苯乙烯、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide Triazine Resin，簡稱BT樹脂)、聚苯醚、聚烯烴及聚四氟乙烯所組成群組中的至少一種聚合物。

於一具體實施態樣中，所述複合式高頻基板之整體吸水率在0.1至1.0%，且其整體CTE係介於5至50ppm/℃範圍。

本發明復提供一種複合式高頻基板之製備方法，係包括：

於低介電薄膜層上形成該第三高頻樹脂膠層；

於該第三高頻樹脂膠層上壓合另一低介電薄膜層，以製得該複合膜疊構；

藉由在該複合膜疊構之一面形成該第一高頻樹脂膠層，以壓合該第一銅箔層；以及

在該複合膜疊構之相對另一面形成該第二高頻樹脂膠層，壓合該第二銅箔層，以製得該複合式高頻基板。

於一具體實施態樣中，所述之複合式高頻基板的製備方法，復包括在壓合該第一銅箔層及第二銅箔層之前，於該複合膜疊構相對二表面分別藉由第三高頻樹脂膠層壓合二低介電薄膜層。

本發明的複合式高頻基板解決毫米波傳輸之傳輸損耗問題以及透過複合式結構解決LCP基板、氟系基板、MPI基板常見之加工性問題，具有極低的介電損耗以及介電常數、均勻且低的熱膨脹係數、在高溫或高濕環境下具有優異之傳輸性能；透過複合型結構能很有效的增厚，達到低傳輸損耗需求設計，透過高頻樹脂膠層之使用有效降低加工溫度，因而具有極佳的厚度均勻性及成本優勢。

100、100’:複合式高頻基板

101:第一銅箔層

101’:第二銅箔層

102:第一高頻樹脂膠層

102’:第二高頻樹脂膠層

103,103’:複合膜疊構

1031:低介電薄膜層

1032:第三高頻樹脂膠層

200:LCP基板

201、301:銅箔層

202:LCP薄膜層

300:氟系基板

302:氟系樹脂層

303:聚醯亞胺層

透過例示性之參考附圖說明本發明的實施方式：

圖1係本發明之複合式高頻基板的結構示意圖，其中，該複合膜疊構係為三層結構；

圖2係本發明之複合式高頻基板的結構示意圖，其中，該複合膜疊構係為五層結構；

圖3係比較例1及比較例2的結構示意圖；以及

圖4係比較例3及比較例4的結構示意圖。

以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之優點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「一」、「下」及「上」亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。此外，本文所有範圍和值都係包含及可合併的。落在本文中所述的範圍內之任何數值或點，例如任何整數都可以作為最小值或最大值以導出下位範圍等。

如圖1所示，係顯示本發明之複合式高頻基板100，係包括第一銅箔層101、第一高頻樹脂膠層102、複合膜疊構103、第二高頻樹脂膠層102’和第二銅箔層101’；其中，該複合膜疊構103係奇數層結構，且該奇數層結構係由低介電薄膜層1031及第三高頻樹脂膠層1032交替組成，並以最外側之該低介電薄膜層1031作為與該第一高頻樹脂膠層102、第二高頻樹脂膠層102’相鄰之層。此外，如圖2所示，該複合式高頻基板100’之複合膜疊構103’係由低介電薄膜層1031及第三高頻樹脂膠層1032交替組成5層結構。

於本發明之複合式高頻基板中，該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層和第三高頻樹脂膠層均為具Dk值(10G Hz)為2.00至3.50且Df值(10G Hz)為0.001至0.010之低介電膠層。在其他具體實施態樣中，Dk值(10G Hz)為2.00、2.10、2.20、2.30、2.40、2.50、2.60、2.70、2.80、2.90、3.00、3.10、3.20、3.30、3.40或3.50；Df值(10G Hz)為0.001、0.002、0.003、0.004、0.005、0.006、0.007、0.008、0.009或0.010。

所述第一銅箔層和所述第二銅箔層係獨立選自ED銅箔、RA銅箔、HA銅箔及HA-V2銅箔所組成群組中之一種。

所述複合式高頻基板之總厚度為43至700μm，其中，該第一銅箔層和第二銅箔層之厚度均為6至70μm；該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層和第三高頻樹脂膠層之厚度為5至50μm；該低介電薄膜層之厚度為8至100μm。於其他實施態樣中，所述複合式高頻基板之總厚度為85至300μm，其中，所述第一銅箔層和所述第二銅箔層之厚度均為12至18μm；所述第三高頻樹脂膠層之厚度10至25μm；所述低介電薄膜層之厚度為12至50μm。

所述第一銅箔層和第二銅箔層均為毛面具表面粗糙度(RZ，十點平均粗度)為0.4至2.0μm之銅箔層。

所述低介電薄膜層係具Dk值(10G Hz)為2.0至3.5且Df值(10G Hz)為0.002至0.020之薄膜。在其他具體實施態樣中，Dk值(10G Hz)為2.00、2.10、2.20、2.30、2.40、2.50、2.60、2.70、2.80、2.90、3.00、3.10、3.20、3.30、3.40或3.50；Df值(10G Hz)為0.002、0.003、0.004、0.005、0.006、0.007、0.008、0.009、0.010、0.011、0.012、0.013、0.014、0.015、0.016、 0.017、0.018、0.019或0.02。形成該低介電薄膜層之材質係選自由聚醯亞胺、氟乙烯-丙烯的共聚物、四氟乙烯-全氟乙烯基醚共聚物、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚苯醚和聚苯硫醚所組成群組中之至少一種聚合物，其中，又尤以聚醯亞胺薄膜層為佳。

形成第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層及該第三高頻樹脂膠層之材質係獨立選自由氟樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、熱固性聚醯亞胺系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對二甲苯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、異氰酸酯、聚碸樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醚碸、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚乙烯、聚苯乙烯、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide Triazine Resin，簡稱BT樹脂)、聚苯醚、聚烯烴及聚四氟乙烯所組成群組中的至少一種聚合物。較佳地，該第三高頻樹脂膠層係為熱固性聚醯亞胺系樹脂膠層，且其中之聚醯亞胺含量係為40至95重量%。例如，該聚醯亞胺含量係為40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90或95重量%。

所述複合式高頻基板之整體吸水率在0.1至1.0%，例如0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9或1.0；所述複合式高頻基板的整體CTE在5至50ppm/℃，例如5、6、7、8、9、10、15、20、25、30、35、40、45或50ppm/℃。於其他具體實施態樣中，該整體吸水率係介於0.3至0.8%，且整體CTE係介於5至15ppm/℃範圍。

於一具體實施態樣中，當複合膜疊構為3層時，所述之複合式高頻基板的製備方法，係包括以下步驟：

步驟一、製備複合結構膜，先將一低介電薄膜層塗佈第三高頻樹脂膠層後壓合另一低介電薄膜層並烘乾固化；

步驟二、將步驟一所得材料塗佈第一高頻樹脂膠層後壓合第一銅箔層並烘乾固化；以及

步驟三、將步驟二所得材料的非第一銅箔層的一面塗佈第二高頻樹脂膠層後壓合第二銅箔層並烘乾固化，得到本發明之複合高頻基板。

於另一具體實施態樣中，當複合膜疊構為大於3層時，所述之複合式高頻基板的製備方法，係包括以下步驟：

步驟一、準備一低介電薄膜層塗佈第三高頻樹脂膠層再貼合於另一低介電薄膜層上；

步驟二、將上一步驟得到的材料塗佈第三高頻樹脂膠層後貼合於另一低介電薄膜層上，此步驟重複N次，N為不小於1的正整數，得到該複合膜結構後烘乾固化；

步驟三、將步驟二所得材料塗佈第一高頻樹脂膠層後壓合第一銅箔層並烘乾固化；以及

步驟四、將步驟三所得材料非第一銅箔層的一面塗佈第二高頻樹脂膠層後壓合第二銅箔層並烘乾固化，得到本發明之複合式高頻基板。

實施例1至2：

複合式高頻基板之製備：

首先，於低介電薄膜層上，透過塗佈線，形成該第三高頻樹脂膠層；接著，於90至130℃的溫度條件下，將另一低介電薄膜層壓 合於該第三高頻樹脂膠層上，並放入烘箱由室溫溫度升至最高180℃烘烤21小時，以完全固化以製得該複合膜疊構。

最後，透過塗佈線，藉由在該複合膜疊構之一面形成該第一高頻樹脂膠層，以110至130℃壓合該第一銅箔層，收卷放進無氧化烘箱烘乾固化，最高溫60℃，持續12~30小時(本實施例為18小時)後，在該複合膜疊構之相對另一面，形成該第二高頻樹脂膠層，以130℃壓合該第二銅箔層，隨後於無氧化烘箱由室溫溫度升至最高180℃烘烤21小時，以完全固化高頻樹脂膠層，以製得該複合式高頻基板。

實施例3至4：

複合式高頻基板之製備：

首先，準備一低介電薄膜層，透過塗佈線塗佈第三高頻樹脂膠層，再將上述層體於90至130℃的溫度條件下，將另一低介電薄膜層壓合於該第三高頻樹脂膠層上，接著，透過塗佈線，使上一步驟得到的材料塗佈第三高頻樹脂膠層，之後，再將上述層體於90至130℃的溫度條件下，貼合於又一低介電薄膜層上後，放入烘箱由室溫溫度升至最高180℃烘烤21小時，以完全固化以製得該複合膜疊構。若複合結構膜部分為不小於五層的2n+3(n為正整數)層結構，則將此上塗佈線塗佈並貼合之步驟重複n次(步驟二、步驟二-2、步驟二-3、.....、步驟二-n)後一次進行烘烤完全固化，本例為n=1之情況；

又，透過塗佈線，使上一步驟所得材料塗佈第一高頻樹脂膠層；接著，於110至130℃的溫度條件下，將第一銅箔層壓合於該第一高頻樹脂膠層，並以無氧化烘箱於最高溫60℃烘乾固化18小時。

最後，透過塗佈線，使上一步驟所得材料非第一銅箔層之面塗佈第二高頻樹脂膠層；接著，於110至130℃的溫度條件下，將第二銅箔層壓合於該第二高頻樹脂膠層，放入烘箱由室溫溫度升至最高180℃烘烤21小時，以完全固化以製得該複合式高頻基板。

比較例1至4：

比較例1和2的LCP基板是同業Panasonic使用液晶聚合物(LCP)薄膜(Kuraray，Vecstar CT-Z)製成的市售基板(R-F705S EC系列)。比較例3和比較例4的氟系基板分別為同業Dupont(TK系列)以及Shirre(PT系列，PT100)的市售基板。

透過上述之複合式高頻基板的製備方法之步驟製得實施例1至實施例4與現有技術搭配的LCP基板200(比較例1和比較例2，如圖3所示，由銅箔層201和作為介質之LCP薄膜層202構成)、氟系基板300(比較例3和比較例4，如圖4所示，由聚醯亞胺層303、改性氟系樹脂層302和銅箔層301組成的基板)進行基本性能比較，並記錄於表1。實施例1、實施例2之結構如圖1所示，實施例1每層低介電薄膜層的厚度為25微米，實施例2每層低介電薄膜層的厚度為50微米、每層第三高頻樹脂膠層的厚度為25微米；實施例3、實施例4之結構如圖2所示，實施例3每層低介電薄膜層的厚度為12.5微米，實施例4每層低介電薄膜層的厚度為25微米、每層第三高頻樹脂膠層的厚度為25微米。

此外，實施例1至4以及比較例1至4所使用的第一銅箔層、第二銅箔層皆為電解銅箔。實施例1至4的第三高頻樹脂膠層、第一高頻樹脂膠層和第二高頻樹脂膠層的組成中，以各層的總重量計，該高頻 樹脂膠層以該層之總重量計含有60重量%的熱固性聚醯亞胺樹脂、10重量%的四縮水甘油胺型環氧樹脂、20重量%的阻燃劑(科萊恩公司之產品，OP935)、8重量%的燒結二氧化矽(Denka公司之產品，FB-3SDX)以及2重量%的氟系樹脂(杜邦公司之產品，300AS)。實施例1至4的低介電薄膜層為高頻聚醯亞胺薄膜(PIAM，FS type)。比較例1和2的LCP薄膜層是使用液晶聚合物(LCP)薄膜(Kuraray，Vecstar CT-Z)。比較例3和比較例4的氟系基板分別為同業Dupont(TK系列)以及Shirre(PT系列，PT100)的市售基板。

接著，將上述基板依下述方法進行測試：1.接著強度測試：使用拉力機，並以IPC-TM-650 2.4.9D的標準進行測試；2. Dk/Df測試：使用網絡分析儀以及共振腔，並以IPC-TM-650 2.5.5.13的標準進行測試；3.插入損耗測試：使用網絡分析儀以及探針平台，按照IPC-TM-650 2.5.5.12的標準進行測試；4.吸水率測試：使用稱重法，按照IPC-TM-650 2.6.2的標準進行測試；5.熱膨脹係數測試：使用熱機械分析儀，按照測試規範IPC-TM-650 2.4.41.3來進行測試；6.尺寸安定性測試：使用二次元坐標儀，按照IPC-TM-650 2.6.2C的標準進行測試；7.耐焊錫性測試：使用無鉛錫爐，按照IPC-TM-650 2.4.13的標準進行測試；8.雷射鑽孔最大內縮量之量測：使用光學顯微鏡來觀測雷射鑽孔後的樣品並記錄之。

表1

由表1的性能對比結果可知，本發明之複合式高頻基板係具良好之電性及極低傳輸損耗、低熱膨脹係數及良好的尺寸安定性等優點，即使置於高溫濕度環境下，本發明之複合基板亦能提供穩定的Dk/Df性能、超低吸水率、極佳機械性能、高接著強度之好處，並具厚且低介電介質層之特質。

上述實施例僅為例示性說明，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍係由本發明所附之申請專利範圍所定義，只要不影響本發明之效果及實施目的，應涵蓋於此公開技術內容中。

100:複合式高頻基板

101:第一銅箔層

101’:第二銅箔層

102:第一高頻樹脂膠層

102’:第二高頻樹脂膠層

103:複合膜疊構

1031:低介電薄膜層

1032:第三高頻樹脂膠層

Claims (9)

1. 一種複合式高頻基板，係包括：第一銅箔層、第一高頻樹脂膠層、複合膜疊構、第二高頻樹脂膠層及第二銅箔層；

   其中，該複合膜疊構係奇數層結構，由至少二低介電薄膜層及至少一第三高頻樹脂膠層交替疊合所組成，並以二該低介電薄膜層鄰接該第一高頻樹脂膠層及第二高頻樹脂膠層；

   其中，該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層和第三高頻樹脂膠層之各者的Dk值(10G Hz)為2.00至3.50，Df值(10G Hz)為0.001至0.010，且該低介電薄膜層之Dk值(10G Hz)為2.0至3.5，Df值(10G Hz)為0.002至0.020。
2. 如請求項1所述之複合式高頻基板，其中，該第一銅箔層和第二銅箔層係獨立選自ED銅箔、RA銅箔、HA銅箔及HA-V2銅箔所組成群組中之一種。
3. 如請求項1所述之複合式高頻基板，其總厚度為43至700μm，其中，該第一銅箔層和第二銅箔層之厚度均為6至70μm，該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層和第三高頻樹脂膠層之厚度為5至50μm，且該低介電薄膜層之厚度為8至100μm。
4. 如請求項1所述之複合式高頻基板，其中，該第一銅箔層和該第二銅箔層均為毛面具0.4至2.0μm的十點平均粗度值之銅箔層。
5. 如請求項1所述之複合式高頻基板，其中，形成該低介電薄膜層之材質係選自由聚醯亞胺、氟乙烯-丙烯的共聚物、四氟乙烯-全氟乙烯基醚共聚物、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚苯醚和聚苯硫醚 所組成群組中之至少一種聚合物。
6. 如請求項1所述之複合式高頻基板，其中，形成該第一高頻樹脂膠層、第二高頻樹脂膠層及該第三高頻樹脂膠層之材質係獨立選自由氟樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、熱固性聚醯亞胺系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對二甲苯系樹脂、聚碳酸酯樹脂、異氰酸酯、聚碸樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醚碸、液晶聚合物、聚醚醚酮、聚乙烯、聚苯乙烯、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂、聚苯醚、聚烯烴及聚四氟乙烯所組成群組中的至少一種聚合物。
7. 如請求項1所述之複合式高頻基板，其整體吸水率在0.1至1.0%，且其整體CTE係介於5至50ppm/℃範圍。
8. 一種如請求項1所述之複合式高頻基板之製備方法，係包括：

   於低介電薄膜層上形成該第三高頻樹脂膠層；

   於該第三高頻樹脂膠層上壓合另一低介電薄膜層，以製得該複合膜疊構；

   藉由在該複合膜疊構之一面形成該第一高頻樹脂膠層，以壓合該第一銅箔層；以及

   在該複合膜疊構之相對另一面形成該第二高頻樹脂膠層，壓合該第二銅箔層，以製得該複合式高頻基板。
9. 如請求項8所述之複合式高頻基板的製備方法，復包括在壓合該第一銅箔層及第二銅箔層之前，於該複合膜疊構相對二表面分別藉由第三高頻樹脂膠層壓合二低介電薄膜層。

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